JPH01125002A - 高周波集積回路の調整方法 - Google Patents
高周波集積回路の調整方法Info
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- JPH01125002A JPH01125002A JP62282454A JP28245487A JPH01125002A JP H01125002 A JPH01125002 A JP H01125002A JP 62282454 A JP62282454 A JP 62282454A JP 28245487 A JP28245487 A JP 28245487A JP H01125002 A JPH01125002 A JP H01125002A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、高周波集積回路の調整方法に関するものであ
る。
る。
従来の技術
高周波帯で使用されるマイクロストリップラインやスロ
ットライン等のマイクロ波回路はアルミナ、サファイア
等の基板上に導電膜（金、アルミニウム、銅など）を所
要パターンにエツチングすることにより形成される。そ
して、該マイクロ波伝送線路は、効率良く信号を伝える
ために線路の整合が必要であり、また他の回路素子（ト
ランジスタ、コンデンサ等）のバラツキによる回路特性
のズレを補正するために、該線路の修正が必要である。
ットライン等のマイクロ波回路はアルミナ、サファイア
等の基板上に導電膜（金、アルミニウム、銅など）を所
要パターンにエツチングすることにより形成される。そ
して、該マイクロ波伝送線路は、効率良く信号を伝える
ために線路の整合が必要であり、また他の回路素子（ト
ランジスタ、コンデンサ等）のバラツキによる回路特性
のズレを補正するために、該線路の修正が必要である。
従来は、該線路にスタブを並列に設けることで調整を行
っている。第２図では従来の高周波ａ＃ｆｉ回路の調整
方法の一例として、マイクロストリップラインに於ける
該線路の調整方法を示している。第２図に於て線路のイ
ンピーダンス整合を行うには、スタブ７をボンディング
ワイヤ８で接続することで等価的なスタブ長を延長する
ことにより実施している。すなわち酸スタブ間を結ぶボ
ンディングワイヤの長さ、接続位置、本数を変えること
により特性の調整を行うものである。（たとえば、特公
昭５７−２３４１号公報）しかしながら、従来のこの方
法では高度に熟練した技術者が顕微鏡で部品を見ながら
、しかも同時にモニタ用の測定器を見ながらボンディン
グワイヤを接続したり、また時にはボンディングワイヤ
を除去しながら回路特性の調整を行なわなければならな
かった。
っている。第２図では従来の高周波ａ＃ｆｉ回路の調整
方法の一例として、マイクロストリップラインに於ける
該線路の調整方法を示している。第２図に於て線路のイ
ンピーダンス整合を行うには、スタブ７をボンディング
ワイヤ８で接続することで等価的なスタブ長を延長する
ことにより実施している。すなわち酸スタブ間を結ぶボ
ンディングワイヤの長さ、接続位置、本数を変えること
により特性の調整を行うものである。（たとえば、特公
昭５７−２３４１号公報）しかしながら、従来のこの方
法では高度に熟練した技術者が顕微鏡で部品を見ながら
、しかも同時にモニタ用の測定器を見ながらボンディン
グワイヤを接続したり、また時にはボンディングワイヤ
を除去しながら回路特性の調整を行なわなければならな
かった。
発明が解決しようとする問題点
すなわち従来の方法によれば、回路特性の調整に多大の
時間を必要とし、また高度な技術を持った熟練作業者の
育成も必要であるという欠点を有している。たとえば、
２００本前後のボンディングワイヤを必要とするマイク
ロ波回路モジュールに於ける調整には熟練作業者が十数
時間もかかって行わなければならない。本発明は上述の
ような従来のマイクロ波伝送線路の調整方法の問題点に
鑑みてなされたものであって、多くの時間を必要とせず
、しかも熟練作業者以外の者であっても計測器を見なが
ら簡単な操作を行うことで、回路特性の調整を可能にす
ることを目的としたものである。
時間を必要とし、また高度な技術を持った熟練作業者の
育成も必要であるという欠点を有している。たとえば、
２００本前後のボンディングワイヤを必要とするマイク
ロ波回路モジュールに於ける調整には熟練作業者が十数
時間もかかって行わなければならない。本発明は上述の
ような従来のマイクロ波伝送線路の調整方法の問題点に
鑑みてなされたものであって、多くの時間を必要とせず
、しかも熟練作業者以外の者であっても計測器を見なが
ら簡単な操作を行うことで、回路特性の調整を可能にす
ることを目的としたものである。
問題点を解決するための手段
本発明では上記問題点を解決するために、少なくとも回
路部の一部に酸素欠損ペロブスカイト型構造の超電導体
を用い、かつ前記超電導体の一部にレーデ光を照射する
などの方法により、前記光を照射された超電導体の結晶
状態を変化させ絶縁体にすることによって回路特性の調
整を行うことにより微調整を可能にし、しかも調整に要
する時間を大幅に短縮し、作業をも簡単化したものであ
る。
路部の一部に酸素欠損ペロブスカイト型構造の超電導体
を用い、かつ前記超電導体の一部にレーデ光を照射する
などの方法により、前記光を照射された超電導体の結晶
状態を変化させ絶縁体にすることによって回路特性の調
整を行うことにより微調整を可能にし、しかも調整に要
する時間を大幅に短縮し、作業をも簡単化したものであ
る。
作用
本発明は上記の様に高周波回路部に酸素欠損ペロブスカ
イト型構造の超電導体を用い、超電導体が結晶状態の変
化により絶縁体になることを利用して調整用スタブを非
常に細かい寸法で形成することによって微調整を可能と
し、作業時間の短縮および、作業内容の簡単化を図るこ
とで従来の問題点を解決するものである。
イト型構造の超電導体を用い、超電導体が結晶状態の変
化により絶縁体になることを利用して調整用スタブを非
常に細かい寸法で形成することによって微調整を可能と
し、作業時間の短縮および、作業内容の簡単化を図るこ
とで従来の問題点を解決するものである。
実施例
以下本発明の一実施例に於ける酸素欠損ペロブスカイト
型構造の超電導体を用いた高周波回路の調整方法につい
て図面を参照しながら説明する。
型構造の超電導体を用いた高周波回路の調整方法につい
て図面を参照しながら説明する。
第１図ｆａ）は、マイクロストリップラインにおける本
発明による調整を行う前の状態を示す斜視図である。こ
の図において１はサファイアなどの高周波集積回路基板
、２は酸素欠損ペロブスカイト型構造の超電導体を用い
て形成したマイクロストリンプライン、３は前記基板裏
面に形成した接地導体（ｉｉ！！常、伝送線路と同じ材
料を用いる）、４は伝送線路上に形成したスタブである
。第１図（ｂｌは本発明による高周波回路の調整方法を
説明する斜視図である。５はレーザ光の照射などの方法
により超電導体の組成を変化させ絶縁体としたものであ
る。ここでレーザ光の代りに水根ランプ、紫外光等を用
いても良い。すなわち、超電導体の結晶状態を変えるこ
とができる程度に局所的に大きなエネルギーを与えられ
るものであれば何でも良いのである。この図で調整の方
法を簡単に説明すると伝送線路において調整したい箇所
、すなわち並列スタブを形成すべき部分の周囲にレーザ
光を照射し、超伝導体の組成を変化させて絶縁体とする
。
発明による調整を行う前の状態を示す斜視図である。こ
の図において１はサファイアなどの高周波集積回路基板
、２は酸素欠損ペロブスカイト型構造の超電導体を用い
て形成したマイクロストリンプライン、３は前記基板裏
面に形成した接地導体（ｉｉ！！常、伝送線路と同じ材
料を用いる）、４は伝送線路上に形成したスタブである
。第１図（ｂｌは本発明による高周波回路の調整方法を
説明する斜視図である。５はレーザ光の照射などの方法
により超電導体の組成を変化させ絶縁体としたものであ
る。ここでレーザ光の代りに水根ランプ、紫外光等を用
いても良い。すなわち、超電導体の結晶状態を変えるこ
とができる程度に局所的に大きなエネルギーを与えられ
るものであれば何でも良いのである。この図で調整の方
法を簡単に説明すると伝送線路において調整したい箇所
、すなわち並列スタブを形成すべき部分の周囲にレーザ
光を照射し、超伝導体の組成を変化させて絶縁体とする
。
この時、同時に計測器により測定を行いながら必要な回
路特性が得られた時に光の照射を止める。
路特性が得られた時に光の照射を止める。
レーザ光などの照射はコンピュータ制御の計測装置など
を用いて行うために、瞬間的な光照射の開始、中止が可
能であるため非常に精度良（、しかも節単に要求通りの
回路特性を得ることができるのである。また、従来のよ
うに熟練した技術者が顕微鏡を見ながらボンディングワ
イヤを付けたり外したりするような複雑な作業に長時間
費やすというようなこともなくなるのである。したがっ
て生産性も大幅に向上することが期待できる。
を用いて行うために、瞬間的な光照射の開始、中止が可
能であるため非常に精度良（、しかも節単に要求通りの
回路特性を得ることができるのである。また、従来のよ
うに熟練した技術者が顕微鏡を見ながらボンディングワ
イヤを付けたり外したりするような複雑な作業に長時間
費やすというようなこともなくなるのである。したがっ
て生産性も大幅に向上することが期待できる。
酸素欠損ペロブスカイト型構造の超電導体として、本実
施例ではＹ、Ｂａ２Ｃｕａ組成の酸化物超電導体を用い
た。基板上への製膜はスパッタリングにより行い、製膜
後に酸素中で９００℃、１時間の熱処理を行い超電導化
した。超電導化した薄膜は、いわゆる酸素欠損ペロブス
カイト型構造となっていた。
施例ではＹ、Ｂａ２Ｃｕａ組成の酸化物超電導体を用い
た。基板上への製膜はスパッタリングにより行い、製膜
後に酸素中で９００℃、１時間の熱処理を行い超電導化
した。超電導化した薄膜は、いわゆる酸素欠損ペロブス
カイト型構造となっていた。
また、調整用として用いるため上記超電導体にレーザ光
を照射するとその部分は加熱、急冷のためにその結晶構
造が変化したり、酸素欠損状態が変化して超電導体が消
失し、高抵抗絶縁状態となった。
を照射するとその部分は加熱、急冷のためにその結晶構
造が変化したり、酸素欠損状態が変化して超電導体が消
失し、高抵抗絶縁状態となった。
本実施例では、特定の組成の酸素欠損ペロブスカイト型
構造の超電導体を用いたが、他の希土類やアルカリ土類
からなる酸化物超電導体の場合もレーザ光などにより局
所的に高を加えることによって、その部分の結晶状態を
変化させることにより高抵抗絶縁状態にできることは明
らかである。
構造の超電導体を用いたが、他の希土類やアルカリ土類
からなる酸化物超電導体の場合もレーザ光などにより局
所的に高を加えることによって、その部分の結晶状態を
変化させることにより高抵抗絶縁状態にできることは明
らかである。
発明の効果
以上のように本発明は、回路部の少なくとも一部に酸素
欠損ペロブスカイト型構造の超電導体を用いかつ前記超
電導体の一部にレーザ光を照射するなどの方法により、
前記光を照射された超電導体の結晶状態を変化させ絶縁
体にすることによって回路特性の調整を行うので、要求
される回路特性が精度良く得られ、しかも簡単な作業で
実施できるため、生産性が大幅に向上することが認めら
れる。また本発明は、マイクロ波回路などの高周波帯で
利用される部品ばかりでなく、他に高い精度を要求され
る電子部品にも応用が可能である。
欠損ペロブスカイト型構造の超電導体を用いかつ前記超
電導体の一部にレーザ光を照射するなどの方法により、
前記光を照射された超電導体の結晶状態を変化させ絶縁
体にすることによって回路特性の調整を行うので、要求
される回路特性が精度良く得られ、しかも簡単な作業で
実施できるため、生産性が大幅に向上することが認めら
れる。また本発明は、マイクロ波回路などの高周波帯で
利用される部品ばかりでなく、他に高い精度を要求され
る電子部品にも応用が可能である。
第１図は本発明による一実施例に於ける酸素欠損ペロブ
スカイト型構造の超電導体を用いた高周波回路の調整方
法を説明する図である。第１図（ａ）は、マイクロスト
リップラインにおける本発明による調整を行う前の状態
を示す斜視図、第１図（ｂｌは本発明による調整の方法
を説明する斜視図、第２図は従来の技術による高周波回
路の調整方法を示す斜視図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・マイクロストリッ
プライン、３・・・・・・接地導体、４・・・・・・ス
タブ、５・・・・・・絶縁体。
スカイト型構造の超電導体を用いた高周波回路の調整方
法を説明する図である。第１図（ａ）は、マイクロスト
リップラインにおける本発明による調整を行う前の状態
を示す斜視図、第１図（ｂｌは本発明による調整の方法
を説明する斜視図、第２図は従来の技術による高周波回
路の調整方法を示す斜視図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・マイクロストリッ
プライン、３・・・・・・接地導体、４・・・・・・ス
タブ、５・・・・・・絶縁体。
Claims (2)
- （１）基板上に形成した高周波回路において、少なくと
も回路部の一部に酸素欠損ペロブスカイト型構造の超電
導体を用い、かつ前記超電導体の一部に光を照射する方
法により、前記光を照射された超電導体の結晶状態を変
化させ絶縁体にすることによって回路特性の調整を行う
ことを特徴とする高周波集積回路の調整方法。 - （２）光としてレーザ光を用いたことを特徴とする特許
請求の範囲第（１）項記載の高周波集積回路の調整方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62282454A JPH01125002A (ja) | 1987-11-09 | 1987-11-09 | 高周波集積回路の調整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62282454A JPH01125002A (ja) | 1987-11-09 | 1987-11-09 | 高周波集積回路の調整方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01125002A true JPH01125002A (ja) | 1989-05-17 |
Family
ID=17652636
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62282454A Pending JPH01125002A (ja) | 1987-11-09 | 1987-11-09 | 高周波集積回路の調整方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01125002A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10163714A (ja) * | 1996-11-29 | 1998-06-19 | Nec Corp | 高周波回路の調整方法及び調整回路 |
| WO2015146208A1 (ja) * | 2014-03-28 | 2015-10-01 | 住友重機械工業株式会社 | Ｓｎｓ型ジョセフソン接合素子の製造方法及びｓｎｓ型ジョセフソン接合素子製造装置 |
| WO2017029714A1 (ja) * | 2015-08-18 | 2017-02-23 | 住友重機械工業株式会社 | Ｓｎｓ型ジョセフソン接合素子の製造方法及びｓｎｓ型ジョセフソン接合素子製造装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5667978A (en) * | 1979-11-05 | 1981-06-08 | Mitsubishi Electric Corp | Forming method of josephson junction |
| JPS61133702A (ja) * | 1984-12-04 | 1986-06-21 | Nec Corp | マイクロ波回路のインピ−ダンス調整方法 |
-
1987
- 1987-11-09 JP JP62282454A patent/JPH01125002A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5667978A (en) * | 1979-11-05 | 1981-06-08 | Mitsubishi Electric Corp | Forming method of josephson junction |
| JPS61133702A (ja) * | 1984-12-04 | 1986-06-21 | Nec Corp | マイクロ波回路のインピ−ダンス調整方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10163714A (ja) * | 1996-11-29 | 1998-06-19 | Nec Corp | 高周波回路の調整方法及び調整回路 |
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| JP2015192071A (ja) * | 2014-03-28 | 2015-11-02 | 住友重機械工業株式会社 | Ｓｎｓ型ジョセフソン接合素子の製造方法及びｓｎｓ型ジョセフソン接合素子製造装置 |
| WO2017029714A1 (ja) * | 2015-08-18 | 2017-02-23 | 住友重機械工業株式会社 | Ｓｎｓ型ジョセフソン接合素子の製造方法及びｓｎｓ型ジョセフソン接合素子製造装置 |
| JPWO2017029714A1 (ja) * | 2015-08-18 | 2018-05-31 | 住友重機械工業株式会社 | Ｓｎｓ型ジョセフソン接合素子の製造方法及びｓｎｓ型ジョセフソン接合素子製造装置 |
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