JPH01112768A - 高分子ラジカル素子 - Google Patents
高分子ラジカル素子Info
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- JPH01112768A JPH01112768A JP62270731A JP27073187A JPH01112768A JP H01112768 A JPH01112768 A JP H01112768A JP 62270731 A JP62270731 A JP 62270731A JP 27073187 A JP27073187 A JP 27073187A JP H01112768 A JPH01112768 A JP H01112768A
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- radical
- high polymer
- polymer film
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Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は高分子の電子的スイッチ作用を利用したダイオ
ードあるいはトランジスタの材料構成に関する。
ードあるいはトランジスタの材料構成に関する。
従来、高分子による機能素子としては、アントラセン等
の高分子半導体によるダイオードやトランジスタの提案
はあった。
の高分子半導体によるダイオードやトランジスタの提案
はあった。
しかし、上記従来技術による高分子ダイオードやトラン
ジスタは主として単結晶アントラセン等を用いるために
生産性が悪（、又、耐湿性等の信頼性にも問題があった
。
ジスタは主として単結晶アントラセン等を用いるために
生産性が悪（、又、耐湿性等の信頼性にも問題があった
。
本発明はかかる従来技術の問題点をなくシ、アモルファ
ス伏態でも機能を発揮する高分子機能素子を提供すると
共に、耐湿性等の信頼性の良い機能材料も、使用できる
ようにすることを目的とする。
ス伏態でも機能を発揮する高分子機能素子を提供すると
共に、耐湿性等の信頼性の良い機能材料も、使用できる
ようにすることを目的とする。
（問題点を解決するための手段〕
上記問題点を解決するために、本発明は高分子ラジカル
素子に関しく″１絶縁基板上には、ポリアセチレン等の
酸素ラジカル（０” ） 、水素ラジカル（Ｈ＠）等の
ラジカルあるいはヨウ素ラジカル、イオンやナトリウム
、ラジカル・イオン等のラジカル・イオンを含育する高
分子膜を１層あるいは多種類・多層形成し、ダイオード
あるいはトランジスタ構造となる手段をとる事、及び（
ｓν絶縁基板上には、シリコン酸化膜等の無機高分子膜
とポリアセチレン等の、高分子膜を多層に積属し、ダイ
オードあるいはトランジスタ構造となす手段をとる。
素子に関しく″１絶縁基板上には、ポリアセチレン等の
酸素ラジカル（０” ） 、水素ラジカル（Ｈ＠）等の
ラジカルあるいはヨウ素ラジカル、イオンやナトリウム
、ラジカル・イオン等のラジカル・イオンを含育する高
分子膜を１層あるいは多種類・多層形成し、ダイオード
あるいはトランジスタ構造となる手段をとる事、及び（
ｓν絶縁基板上には、シリコン酸化膜等の無機高分子膜
とポリアセチレン等の、高分子膜を多層に積属し、ダイ
オードあるいはトランジスタ構造となす手段をとる。
高分°子膜中や無機分子膜中にラジカル元素が含存され
ると、該ラジカル元素を橋渡し役として、電気伝導やス
イッチ作用を起こせることができ、又、ラジカル・イオ
ンが含存されると丁度半導体におけるＰ−Ｎ接合の如く
作用し、バイポーラトランジスタやＭＩＳＦＥＴの動作
をさせることができる作用がある。
ると、該ラジカル元素を橋渡し役として、電気伝導やス
イッチ作用を起こせることができ、又、ラジカル・イオ
ンが含存されると丁度半導体におけるＰ−Ｎ接合の如く
作用し、バイポーラトランジスタやＭＩＳＦＥＴの動作
をさせることができる作用がある。
以下、実施例により本発明を詳述する。
第１図及び第２図は本発明の実施例を示す高分子ラジカ
ル素子の断面図であり、第３図はその電気的特性の一例
である。
ル素子の断面図であり、第３図はその電気的特性の一例
である。
第１図では、絶縁基板１の表面に金属又はを機導電瞑か
ら成る電極１を形成し、その上に、ポリアセチレンある
いは弗素樹脂やポリイミド膜等から成る高分子膜３を形
成し、その上に第２の電極４を第１の１（１極２と同様
の材料により形成し、ダイオード構造となしたものであ
る。
ら成る電極１を形成し、その上に、ポリアセチレンある
いは弗素樹脂やポリイミド膜等から成る高分子膜３を形
成し、その上に第２の電極４を第１の１（１極２と同様
の材料により形成し、ダイオード構造となしたものであ
る。
第２図は、絶縁１材１１の表面に第１の電極１２を形成
後、Ｓ １０ ＊ 、Ｓ ｓ ３ Ｎ ａあるいはＡρ
ｇｏｚ等から成る無機分子膜１３を形成し、その上にポ
リイミド膜等から成る高分子膜１４を形成し、その上に
第２の電極１５を形成してダイオード構造となした。も
のである。
後、Ｓ １０ ＊ 、Ｓ ｓ ３ Ｎ ａあるいはＡρ
ｇｏｚ等から成る無機分子膜１３を形成し、その上にポ
リイミド膜等から成る高分子膜１４を形成し、その上に
第２の電極１５を形成してダイオード構造となした。も
のである。
ｔｊＥａ図は、第１図あるいは第２図のダイオードの電
圧−電流特性の代表例を示したもので、高分子膜中に含
まれるラジカルが２つの異なる分布ヲ示すと、第３図の
如く、極性の異光性を示し、−種のラジカルで且つ第１
と第２の電極の材料が同一の場合には等方性を示すこと
となる。
圧−電流特性の代表例を示したもので、高分子膜中に含
まれるラジカルが２つの異なる分布ヲ示すと、第３図の
如く、極性の異光性を示し、−種のラジカルで且つ第１
と第２の電極の材料が同一の場合には等方性を示すこと
となる。
更に、ｆｆ１２図の分子膜間に第３のＷ１極を挿入した
り、あるいはＭＩＳＦＥＴＩ造を作成すれば、トランジ
スタ構造とその動作をする事は云うまでもない。
り、あるいはＭＩＳＦＥＴＩ造を作成すれば、トランジ
スタ構造とその動作をする事は云うまでもない。
更に異なる高分子膜を多層に形成しても良いことは云う
までもない。
までもない。
本発明による高分子ラジカル素子により、高分子による
機能素子が安定に信頼住良（製作できる効果がある。
機能素子が安定に信頼住良（製作できる効果がある。
第１図及び第２図は本発明の実施例を示す高分子ラジカ
ル素子の断面図、第３図はその電圧−電流特性例を示す
図。 １．１１・・・絶縁基板 ２．１２・・・第１の電極 ３．１４・・・高分子膜 ４．１５・・・第２の電極 １３・・・無機高分子膜。 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社
ル素子の断面図、第３図はその電圧−電流特性例を示す
図。 １．１１・・・絶縁基板 ２．１２・・・第１の電極 ３．１４・・・高分子膜 ４．１５・・・第２の電極 １３・・・無機高分子膜。 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社
Claims (2)
- （１）絶縁基板上には、ポリアセチレン等の酸素ラジカ
ル（Ｏ゜）、水素ラジカル（Ｈ゜）等のラジカルあるい
はヨウ素ラジカルイオンやナトリウムラジカルイオン等
のラジカルイオンを含有する高分子膜を１層あるいは多
種類・多層形成し、ダイオードあるいはトランジスタ構
造となす事を特徴とする高分子ラジカル素子。 - （２）絶縁基板上には、シリコン酸化膜等の無機分子膜
とポリアセチレン等の高分子膜を多層に積層し、ダイオ
ードあるいはトランジスタ構造となす事を特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の高分子ラジカル素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62270731A JPH01112768A (ja) | 1987-10-27 | 1987-10-27 | 高分子ラジカル素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62270731A JPH01112768A (ja) | 1987-10-27 | 1987-10-27 | 高分子ラジカル素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01112768A true JPH01112768A (ja) | 1989-05-01 |
Family
ID=17490173
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62270731A Pending JPH01112768A (ja) | 1987-10-27 | 1987-10-27 | 高分子ラジカル素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01112768A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5802634A (en) * | 1995-04-21 | 1998-09-08 | Aprica Kassai Kabushikikaisha | Bed with height adjusting means, convertible from infant use to adult use |
| US6348700B1 (en) | 1998-10-27 | 2002-02-19 | The Mitre Corporation | Monomolecular rectifying wire and logic based thereupon |
-
1987
- 1987-10-27 JP JP62270731A patent/JPH01112768A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5802634A (en) * | 1995-04-21 | 1998-09-08 | Aprica Kassai Kabushikikaisha | Bed with height adjusting means, convertible from infant use to adult use |
| US6348700B1 (en) | 1998-10-27 | 2002-02-19 | The Mitre Corporation | Monomolecular rectifying wire and logic based thereupon |
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