JPH01111399A - プリント配線回路網の製法 - Google Patents
プリント配線回路網の製法Info
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- JPH01111399A JPH01111399A JP22766788A JP22766788A JPH01111399A JP H01111399 A JPH01111399 A JP H01111399A JP 22766788 A JP22766788 A JP 22766788A JP 22766788 A JP22766788 A JP 22766788A JP H01111399 A JPH01111399 A JP H01111399A
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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-
- G—PHYSICS
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- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/38—Treatment before imagewise removal, e.g. prebaking
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- H—ELECTRICITY
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- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/42—Plated through-holes or plated via connections
- H05K3/425—Plated through-holes or plated via connections characterised by the sequence of steps for plating the through-holes or via connections in relation to the conductive pattern
- H05K3/426—Plated through-holes or plated via connections characterised by the sequence of steps for plating the through-holes or via connections in relation to the conductive pattern initial plating of through-holes in substrates without metal
-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、常法で前処理し、活性化し、還元しかつ化学
的に金属化される、金属化した又は金属化していない基
板を用いて、導体路の高い接着強さ、大きな層厚さ及び
高いエツジ鮮鋭度を有するプリント配線回路網を製造し
、特にまた同時にプリント配線板用のレーザ穿孔したセ
ラミック基板及びその他の任意の有機及び無機誘電体の
貫通孔めっきを行う方法に関する。
的に金属化される、金属化した又は金属化していない基
板を用いて、導体路の高い接着強さ、大きな層厚さ及び
高いエツジ鮮鋭度を有するプリント配線回路網を製造し
、特にまた同時にプリント配線板用のレーザ穿孔したセ
ラミック基板及びその他の任意の有機及び無機誘電体の
貫通孔めっきを行う方法に関する。
マイクロエレクトロニクスの要求が高まるにつれ、高集
積及びミニアチュア化されたモジュールを製造するため
には、セラミック基板材料上の一層微細なプリント配線
構造が所望されるこの場合には、活性半導体素子内に発
生する損失熱を迅速に導出しかつ高いスウッチング周波
数を有する信号を誘導し、しかも該信号を不十分な導電
率によって変性しないためには、特に基板の良好な熱伝
導率及び基板の上に施された金属構造の高い導電率が重
要である。
積及びミニアチュア化されたモジュールを製造するため
には、セラミック基板材料上の一層微細なプリント配線
構造が所望されるこの場合には、活性半導体素子内に発
生する損失熱を迅速に導出しかつ高いスウッチング周波
数を有する信号を誘導し、しかも該信号を不十分な導電
率によって変性しないためには、特に基板の良好な熱伝
導率及び基板の上に施された金属構造の高い導電率が重
要である。
厚膜技術においてシルクスクリン印刷によって達成可能
な構造は、ｌ ｘＩＩ当り約４本の線対である、即ち導
体路の幅及び間隔は１２５μｍである。
な構造は、ｌ ｘＩＩ当り約４本の線対である、即ち導
体路の幅及び間隔は１２５μｍである。
導体路材料は、純粋な金属からでなく、付加的にガラス
フリットが混合された焼付はペースト（たいていは銀−
パラジウム粒子）から成る。それにより、別の技術に比
較すればより悪い高周波数特性及びより低い導電度が生
じる。
フリットが混合された焼付はペースト（たいていは銀−
パラジウム粒子）から成る。それにより、別の技術に比
較すればより悪い高周波数特性及びより低い導電度が生
じる。
薄膜技術においては、極めて薄い、但し純粋な金属層が
スパッタされる。接着層と、良導電性の仕上げ層（たい
ていは金）から成る全面的な金属化は、一般にはホトエ
ツチング法によって構造化される。
スパッタされる。接着層と、良導電性の仕上げ層（たい
ていは金）から成る全面的な金属化は、一般にはホトエ
ツチング法によって構造化される。
しかしまた、薄い金属を電気めっきによって補強する方
法もある。しかしながら、サブストラッテイブ法に基づ
く引き続いての構造化の際には、層厚さが増大するに伴
い、導体路側面におけるアンダーエツチングの作用を受
ける。
法もある。しかしながら、サブストラッテイブ法に基づ
く引き続いての構造化の際には、層厚さが増大するに伴
い、導体路側面におけるアンダーエツチングの作用を受
ける。
従って、電気めっき補強はセミアデイティブ（Ｓｅｍ１
−ａｄｄｉｔｉｖｅ）法に基づく導体路ニノミ好適であ
る。更に、このことは材料倹約及び金の代わりに導電性
銅の代用を可能にする。接着可能な仕上げ層として、銅
導体路に最後にまた薄層の金を電気めっき的に析出させ
ることができる薄膜技術において常用の微細な構造分解
は、主としてポジ型ホトラッカーによって達成される。
−ａｄｄｉｔｉｖｅ）法に基づく導体路ニノミ好適であ
る。更に、このことは材料倹約及び金の代わりに導電性
銅の代用を可能にする。接着可能な仕上げ層として、銅
導体路に最後にまた薄層の金を電気めっき的に析出させ
ることができる薄膜技術において常用の微細な構造分解
は、主としてポジ型ホトラッカーによって達成される。
これらは制限付きでセミアデイティブ法のためにも使用
可能である。貫通孔めっきされた孔を有する基板の場合
には、遠心被覆法は不適当である。最大達成可能な金属
厚さは、使用ホトラッカーの層厚さを約５μｍに制限す
る。
可能である。貫通孔めっきされた孔を有する基板の場合
には、遠心被覆法は不適当である。最大達成可能な金属
厚さは、使用ホトラッカーの層厚さを約５μｍに制限す
る。
５μｍよりも厚い導体路を電気めっき的に構成するため
に必要な乾燥レジストは、その都度のタイプ及びレジス
ト厚さに基づき通常の加工においては１ｉｆｆ当り約６
〜７本の線対の構造化が認容される（４０μｍのレジス
ト厚さで約８０μｍ）。
に必要な乾燥レジストは、その都度のタイプ及びレジス
ト厚さに基づき通常の加工においては１ｉｆｆ当り約６
〜７本の線対の構造化が認容される（４０μｍのレジス
ト厚さで約８０μｍ）。
この限界は、ガラス繊維補強されたエポキシ樹脂、フェ
ノール樹脂紙、エポキシ樹脂紙、フレキシガラス、ポリ
スルホン、ポリイミド、ポリアミド、ポリフェニレンオ
キシド−ポリスチレン、弗化炭化水素、ポリカーボネー
ト、ポリエーテルイミド、酸化性及び非酸化性セラミッ
ク及びエナメル化基板をベースとするプリント配線板の
工業的流れ作業のためにも当てはまる発明が解決しよう
とする課題 本発明の課題は、プリント配線パターンの高い線密度と
同時に、基板表面の改良されたレジスト接着及び構造の
エツジ鮮鋭度を達成することができる方法を提供するこ
とであった。
ノール樹脂紙、エポキシ樹脂紙、フレキシガラス、ポリ
スルホン、ポリイミド、ポリアミド、ポリフェニレンオ
キシド−ポリスチレン、弗化炭化水素、ポリカーボネー
ト、ポリエーテルイミド、酸化性及び非酸化性セラミッ
ク及びエナメル化基板をベースとするプリント配線板の
工業的流れ作業のためにも当てはまる発明が解決しよう
とする課題 本発明の課題は、プリント配線パターンの高い線密度と
同時に、基板表面の改良されたレジスト接着及び構造の
エツジ鮮鋭度を達成することができる方法を提供するこ
とであった。
課題を解決するための手段
前記課題は、冒頭に記載した形式の方法において、ホト
レジストの被覆及び露光の直後に、但しプリント配線パ
ターンを現像する前に基板を４０〜１２０℃、有利には
７０〜８０℃の温度に加熱することにより解決される。
レジストの被覆及び露光の直後に、但しプリント配線パ
ターンを現像する前に基板を４０〜１２０℃、有利には
７０〜８０℃の温度に加熱することにより解決される。
発明の作用及び効果
本発明方法は、従来達成されなた方式で、プリント配線
パターンの高い線密度及び更にこのために必要な改良さ
れたレジスト接着力をもたらすことができる。
パターンの高い線密度及び更にこのために必要な改良さ
れたレジスト接着力をもたらすことができる。
意想外にも、微細な導体路と同時に高い導体路の層厚さ
及び高いエツジ鮮鋭度を必要とするハイブリッド及びプ
リント配線技術の分野において適用することができる。
及び高いエツジ鮮鋭度を必要とするハイブリッド及びプ
リント配線技術の分野において適用することができる。
この場合には、セミアデイティブ法の基づき任意の金属
化された基板材料から出発しかつプリント配線構成を電
気めっき法で行うことができ、またフルアデイティブ（
Ｆｕｌｌ−ａｄｄｉｔｉｖｅ）法に基づき現像したレジ
ストチャンネル内での選択的化学的金属析出を直接的に
活性化した絶縁体表面で行うこともできる。
化された基板材料から出発しかつプリント配線構成を電
気めっき法で行うことができ、またフルアデイティブ（
Ｆｕｌｌ−ａｄｄｉｔｉｖｅ）法に基づき現像したレジ
ストチャンネル内での選択的化学的金属析出を直接的に
活性化した絶縁体表面で行うこともできる。
本発明方法に基づき達成可能な、ＩＲＲ当りの線対にお
ける解像力は、勿論使用レジスト及び保護被膜層厚さに
決定的に左右される。
ける解像力は、勿論使用レジスト及び保護被膜層厚さに
決定的に左右される。
厚さ約４０μｍの通常の乾燥レジストを用いると、例え
ば常用の操作法に比較してｌ ｚｍ当り２倍の数の現像
された線対が達成される、即ち従来の７０〜８０μｍに
比較して３５〜４０μｍの構造幅及び間隔が達成される
。
ば常用の操作法に比較してｌ ｚｍ当り２倍の数の現像
された線対が達成される、即ち従来の７０〜８０μｍに
比較して３５〜４０μｍの構造幅及び間隔が達成される
。
同時に、基板上でのレジスト接着及び製造された構造の
エツジの鮮鋭度が著しく改善される従って、本発明の方
法は、プリント配線設計において高い層密度を有する無
電流及び電気めっき的に析出される金属化の微細構造化
のための総ての前提条件を満足する。
エツジの鮮鋭度が著しく改善される従って、本発明の方
法は、プリント配線設計において高い層密度を有する無
電流及び電気めっき的に析出される金属化の微細構造化
のための総ての前提条件を満足する。
実施例
° 次に実施例により本発明の詳細な説明する。
例１
公知方法に基づきセラミック上に蒸着させた又はスパッ
タした金属層又は直接的に化学的に金属化した薄膜セラ
ミック（貫通金属化した孔を有していてもよい）に、厚
さ約４０ｇｍの溶剤で現像可能なホトポリマー乾燥レジ
ストを被覆した。
タした金属層又は直接的に化学的に金属化した薄膜セラ
ミック（貫通金属化した孔を有していてもよい）に、厚
さ約４０ｇｍの溶剤で現像可能なホトポリマー乾燥レジ
ストを被覆した。
室温に冷却した後に、ホトレジストに適当なレイアウト
を有するガラスマスクを透過して、有利には薄層技術に
おいて常用のマスクアライナ−を用いて、ＵＶ放射源で
露光した。
を有するガラスマスクを透過して、有利には薄層技術に
おいて常用のマスクアライナ−を用いて、ＵＶ放射源で
露光した。
それに引き続き、１０〜１５分間の反応時間を待機した
。この反応時間中に、露光した基板を適当なフレ゛−ム
内に垂直に立てて循環空気炉内で７０〜８０°Ｃに加熱
した。
。この反応時間中に、露光した基板を適当なフレ゛−ム
内に垂直に立てて循環空気炉内で７０〜８０°Ｃに加熱
した。
置屋に冷却した後に、保護被膜を剥離しかつ露光しなか
ったレジストを市販のスプレープロセッサ内で１．１，
１〜トリクロルエタンで現像した。
ったレジストを市販のスプレープロセッサ内で１．１，
１〜トリクロルエタンで現像した。
露出した、金属化すべき回路パターン及び穿孔壁を常法
で洗浄しかつ電気めっき金属化浴内で所望の金属を所望
の厚さでめっきした。
で洗浄しかつ電気めっき金属化浴内で所望の金属を所望
の厚さでめっきした。
その後、ホトレジスト市販の剥離機械内でジクロエタン
を用いて除去しかつ露出した薄い導体層を選択的エツチ
ングによって除去した。
を用いて除去しかつ露出した薄い導体層を選択的エツチ
ングによって除去した。
３５〜４０μｍの構造幅及び間隔が得られた。
例２
接着助剤を被覆した、ガラス繊維強化エポキシ樹脂に穿
孔しかつ化学的及び／又は機械的に穿孔粉を除去した。
孔しかつ化学的及び／又は機械的に穿孔粉を除去した。
次いで、この板の接着助剤をクロム硫酸内で可溶性にし
かつ引き続き洗浄しかつ解毒化した引き続き、穿孔を含
む全表面を貴金属含有アクチベータ内で処理し、洗浄し
かつレダクタ内で貴金属芽晶に還元した。
かつ引き続き洗浄しかつ解毒化した引き続き、穿孔を含
む全表面を貴金属含有アクチベータ内で処理し、洗浄し
かつレダクタ内で貴金属芽晶に還元した。
１００℃よりも高い温度で基板を洗浄しかつ乾燥した後
に、厚さ１８μｍの、溶剤溶解性のネガ型ホトポリマー
乾燥レジストを被覆した。冷却後に、穿孔パターンに適
合した回路パターンをＵＶ光線を用いて転写した。引き
続き、該基板を８０°Ｃに５分間加熱した。
に、厚さ１８μｍの、溶剤溶解性のネガ型ホトポリマー
乾燥レジストを被覆した。冷却後に、穿孔パターンに適
合した回路パターンをＵＶ光線を用いて転写した。引き
続き、該基板を８０°Ｃに５分間加熱した。
室温に冷却した後に、保護被膜をレジストから除去しか
つ１，１．１−トリクロルエタン中でスプレー現像した
。
つ１，１．１−トリクロルエタン中でスプレー現像した
。
露出した、金属化すべき回路パターン及び穿孔壁を再度
レダクタ内で処理しかつ洗浄した。
レダクタ内で処理しかつ洗浄した。
その直後に、選択的に露出現像したレジストチャンネル
内及び穿孔壁で、６０℃の温度のかつ高アルカリ性の銅
浴内で無電流金属めっきを行った。
内及び穿孔壁で、６０℃の温度のかつ高アルカリ性の銅
浴内で無電流金属めっきを行った。
所望の金属層厚さが達成された後に、ホトレジストをジ
クロルメタンで剥離しかつその後の通常の基板の処理、
例えばハンダレジストマスクの被覆及び熱錫化を実施し
た。
クロルメタンで剥離しかつその後の通常の基板の処理、
例えばハンダレジストマスクの被覆及び熱錫化を実施し
た。
Claims (1)
- １．常法で前処理し、活性化し、還元しかつ化学的に金
属化される、金属化した又は金属化していない基板を用
いて、導体路の高い接着強さ、大きな層厚さ及び高いエ
ッジ鮮鋭度を有するプリント配線回路網を製造し、特に
また同時にプリント配線板用のレーザ穿孔したセラミッ
ク基板及びその他の任意の有機及び無機誘電体の貫通孔
めっきを行う方法において、ホトレジストの被覆及び露
光の直後に、但しプリント配線パターンを現像する前に
基板を４０〜１２０℃の温度に加熱することを特徴とす
るプリント配線回路網の製法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19873731333 DE3731333A1 (de) | 1987-09-15 | 1987-09-15 | Verfahren zur herstellung von leiternetzwerken |
| DE3731333.9 | 1987-09-15 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01111399A true JPH01111399A (ja) | 1989-04-28 |
Family
ID=6336275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22766788A Pending JPH01111399A (ja) | 1987-09-15 | 1988-09-13 | プリント配線回路網の製法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0307596A3 (ja) |
| JP (1) | JPH01111399A (ja) |
| DE (1) | DE3731333A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4033294A1 (de) * | 1990-10-19 | 1992-04-23 | Siemens Ag | Verfahren zur fotolithographischen herstellung von strukturen auf einem traeger |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3483615A (en) * | 1966-03-28 | 1969-12-16 | Rca Corp | Printed circuit boards |
| BE791212A (fr) * | 1972-02-03 | 1973-03-01 | Buckbee Mears Co | Procede pour le durcissement des reserves |
| GB1478341A (en) * | 1973-06-07 | 1977-06-29 | Hitachi Chemical Co Ltd | Printed circuit board and method of making the same |
| JPS59104127A (ja) * | 1982-12-07 | 1984-06-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 微細パタ−ン形成方法 |
| US4605471A (en) * | 1985-06-27 | 1986-08-12 | Ncr Corporation | Method of manufacturing printed circuit boards |
-
1987
- 1987-09-15 DE DE19873731333 patent/DE3731333A1/de not_active Withdrawn
-
1988
- 1988-07-29 EP EP88112294A patent/EP0307596A3/de not_active Withdrawn
- 1988-09-13 JP JP22766788A patent/JPH01111399A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0307596A3 (de) | 1990-08-08 |
| EP0307596A2 (de) | 1989-03-22 |
| DE3731333A1 (de) | 1989-03-30 |
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