JPH01110765A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
- Publication number
- JPH01110765A JPH01110765A JP62268470A JP26847087A JPH01110765A JP H01110765 A JPH01110765 A JP H01110765A JP 62268470 A JP62268470 A JP 62268470A JP 26847087 A JP26847087 A JP 26847087A JP H01110765 A JPH01110765 A JP H01110765A
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- thin film
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- metal thin
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- Pending
Links
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 3
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
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- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 28
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- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 3
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Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は固体撮像素子に関し、特に感度むらを低減させ
た固体撮像素子に関する。
た固体撮像素子に関する。
第３図、第４図は一般の固体撮像素子の基本構成を示す
Ａ−Ａ’断面図および平面図である。この固体撮像素子
は、半導体基板ｌ上に受光部２．垂直転送部３．チャネ
ルストッパ５が配設され、垂直転送部３上に層間絶縁膜
７を介して転送電極４、第１層金属薄膜１３が設けられ
ている。この第１層金属薄膜１３は、第１層の配線１１
としても用いられ、ポンディングパッド部１２と接続さ
れている。また、水平転送部９、出力部１０が設けられ
ている。この素子には、光学的黒レベルの基準信号を出
力するオグティカル・ブラック部８と呼ばれる部分があ
シ、この部分＃ｉ第２層のＳｍｍ合金４薄膜６で榎われ
、受光部２に元が入らないようにしている。
Ａ−Ａ’断面図および平面図である。この固体撮像素子
は、半導体基板ｌ上に受光部２．垂直転送部３．チャネ
ルストッパ５が配設され、垂直転送部３上に層間絶縁膜
７を介して転送電極４、第１層金属薄膜１３が設けられ
ている。この第１層金属薄膜１３は、第１層の配線１１
としても用いられ、ポンディングパッド部１２と接続さ
れている。また、水平転送部９、出力部１０が設けられ
ている。この素子には、光学的黒レベルの基準信号を出
力するオグティカル・ブラック部８と呼ばれる部分があ
シ、この部分＃ｉ第２層のＳｍｍ合金４薄膜６で榎われ
、受光部２に元が入らないようにしている。
受光部２で蓄えられた電荷は、転送電極４に特定のパル
スを加えることによシ、垂直転送部３に掃き出される。
スを加えることによシ、垂直転送部３に掃き出される。
この受光部２．垂直転送部３の間には、隣シからの電荷
もれを防止するためのチャネルストッパ５が設けである
。
もれを防止するためのチャネルストッパ５が設けである
。
垂直転送部３に掃き出された電荷は水平転送部９に順次
送られる。この水平転送部９では高速で水平方向に電荷
を転送し、出力部１０で電気信号に変換される。ここで
第１層金属薄膜からなる配線１１は垂直転送電極４とポ
ンディングパッド部１２とを接続している。
送られる。この水平転送部９では高速で水平方向に電荷
を転送し、出力部１０で電気信号に変換される。ここで
第１層金属薄膜からなる配線１１は垂直転送電極４とポ
ンディングパッド部１２とを接続している。
従来、この種の固体撮像素子は、２層の導電性金属薄膜
１３，６があシ、第１層目の導電性金属薄膜１３の上に
層間膜７があり、その上層に第り層目の導電性金属薄膜
６が載っている構造になっ；ている。第１層目の導電性
金属薄膜１３は、光の入射光量に対する開孔を規定する
遮光膜となると共に、配線１１として出力部１０のトラ
ンジスタ等のコンタクトを取る機能を有し、第２層目の
導電性金属薄膜６がオプティカル・ブラック部８を遮光
する遮光膜の機能を有していた。
１３，６があシ、第１層目の導電性金属薄膜１３の上に
層間膜７があり、その上層に第り層目の導電性金属薄膜
６が載っている構造になっ；ている。第１層目の導電性
金属薄膜１３は、光の入射光量に対する開孔を規定する
遮光膜となると共に、配線１１として出力部１０のトラ
ンジスタ等のコンタクトを取る機能を有し、第２層目の
導電性金属薄膜６がオプティカル・ブラック部８を遮光
する遮光膜の機能を有していた。
上述した従来の固体撮像素子は、第１層の導電性金属薄
膜１３．１１をバターニングした後、シンタリングや層
間膜成長時の高温熱処理のため、導電性金属の熱移動に
よってヒロックと呼ばれる形状の変化が起こる。しかも
、この導電性金属薄膜の形状変化は、各受光部２に対応
してそれぞれで異なった変化をするため、個々の受光部
２の開孔度に差が現われ、感度むらが太きくなるという
欠点がある。
膜１３．１１をバターニングした後、シンタリングや層
間膜成長時の高温熱処理のため、導電性金属の熱移動に
よってヒロックと呼ばれる形状の変化が起こる。しかも
、この導電性金属薄膜の形状変化は、各受光部２に対応
してそれぞれで異なった変化をするため、個々の受光部
２の開孔度に差が現われ、感度むらが太きくなるという
欠点がある。
本発明の目的は、このような欠点を除き、受光部上で導
電性金属薄膜がヒロックを起こさず、感度むらを低減で
きるようにした固体撮像素子を提供することにある。
電性金属薄膜がヒロックを起こさず、感度むらを低減で
きるようにした固体撮像素子を提供することにある。
本発明の構成は、半導体基板上に、光電変換を行う受光
素子を配列した受光部と、この受光部からの信号を転送
する転送部と、この転送部から転送された電荷を電気信
号として取出す出力部とを備え、２層の導電性薄膜を有
する固体撮像素子において、前記２層の導電性薄膜のう
ちの下層が前記転送部へ接続される配線となり、前記２
層の導電性薄膜のうちの上層が、前記受光部上で各受光
素子の光の入射量を規定する開口部となると共に、前記
受光部上の所定領域を遮光するオプティカルブラック部
となることを特徴とする。
素子を配列した受光部と、この受光部からの信号を転送
する転送部と、この転送部から転送された電荷を電気信
号として取出す出力部とを備え、２層の導電性薄膜を有
する固体撮像素子において、前記２層の導電性薄膜のう
ちの下層が前記転送部へ接続される配線となり、前記２
層の導電性薄膜のうちの上層が、前記受光部上で各受光
素子の光の入射量を規定する開口部となると共に、前記
受光部上の所定領域を遮光するオプティカルブラック部
となることを特徴とする。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図、第２図は本発明の一実施例の部分的縦断面図お
よびその平面図である。図中、１は固体撮像素子を形成
する半導体基板、２は受光部、３は垂直転送部、４は転
送電極、５はチャネルストッパ、６は第２層の導電性金
属薄膜、７は層間膜。
よびその平面図である。図中、１は固体撮像素子を形成
する半導体基板、２は受光部、３は垂直転送部、４は転
送電極、５はチャネルストッパ、６は第２層の導電性金
属薄膜、７は層間膜。
８はオプティカルブラック部、９は水平転送部、１０は
出力部、１１は第１層の金属薄膜、１２はポンディング
パッド部である。
出力部、１１は第１層の金属薄膜、１２はポンディング
パッド部である。
本実施例も２層の導電性金属薄膜１１，６を有している
が、第１層の導電性金属薄膜１１上に層間膜７を介して
最上層に第２層の導電性金属薄膜６が載っている。第１
層の導電性金属薄膜１１は出力部１０、ホンディングバ
ッド部１２等このコンタクトを取る配線機能のみを有し
、第２層の導電性金属薄膜６は受光部２への元の入射光
量に対する開孔を規定すると共に、オプティカル・ブラ
ック部８として遮光する機能を有している。
が、第１層の導電性金属薄膜１１上に層間膜７を介して
最上層に第２層の導電性金属薄膜６が載っている。第１
層の導電性金属薄膜１１は出力部１０、ホンディングバ
ッド部１２等このコンタクトを取る配線機能のみを有し
、第２層の導電性金属薄膜６は受光部２への元の入射光
量に対する開孔を規定すると共に、オプティカル・ブラ
ック部８として遮光する機能を有している。
元の入射光量に対する開孔を規定する第２層目の導電性
金属薄膜６は、最上層に位置し、層間膜７に対し浮いて
いるので、シンタリングなどの熱処理をする必要がない
。
金属薄膜６は、最上層に位置し、層間膜７に対し浮いて
いるので、シンタリングなどの熱処理をする必要がない
。
以上説明したように本発明は、入射光量に対する開孔を
規定する導電性金属薄膜６が最上層に形成されるため、
この金属薄膜形成後は熱処理を行なう必要がないことに
よシ、受光部上での導電性金属薄膜がヒロックを起こさ
ず、感度むらを低減することができる効果がある。
規定する導電性金属薄膜６が最上層に形成されるため、
この金属薄膜形成後は熱処理を行なう必要がないことに
よシ、受光部上での導電性金属薄膜がヒロックを起こさ
ず、感度むらを低減することができる効果がある。
第１図、第２図は本発明の一実施例の固体撮像素子のＡ
−Ａ’断面図および平面図、第３図、第４図は従来の固
体撮像素子の一例の断面図および平面図である。 １・・・固体撮像素子を形成する半導体基板、２・・・
受光部、３・・・垂直転送部、４・・・転送電極、５・
・・チャネルストッパ、６・・・第２層の導電性金属薄
膜、７・・・層間膜、８・・・オプティカル・ブラック
部、９・・・水平転送部、１０・・・出力部、１１・・
・第１層の導電性金属薄膜の配線、１２・・・ポンディ
ングパッド部、１３・・・第１層遮光膜。 代理人 弁理士 内 原 晋 茅 Ｉ 聞 第 ３ 回 第 ２ 図 茅 ４Ｉ！ｆ
−Ａ’断面図および平面図、第３図、第４図は従来の固
体撮像素子の一例の断面図および平面図である。 １・・・固体撮像素子を形成する半導体基板、２・・・
受光部、３・・・垂直転送部、４・・・転送電極、５・
・・チャネルストッパ、６・・・第２層の導電性金属薄
膜、７・・・層間膜、８・・・オプティカル・ブラック
部、９・・・水平転送部、１０・・・出力部、１１・・
・第１層の導電性金属薄膜の配線、１２・・・ポンディ
ングパッド部、１３・・・第１層遮光膜。 代理人 弁理士 内 原 晋 茅 Ｉ 聞 第 ３ 回 第 ２ 図 茅 ４Ｉ！ｆ
Claims (1)
- 半導体基板上に、光電変換を行う受光素子を配列した
受光部と、この受光部からの信号を転送する転送部と、
この転送部から転送された電荷を電気信号として取出す
出力部とを備え、２層の導電性薄膜を有する固体撮像素
子において、前記２層の導電性薄膜のうちの下層が前記
転送部へ接続される配線となり、前記２層の導電性薄膜
のうちの上層が、前記受光部上で各受光素子の光の入射
量を規定する開口部となると共に、前記受光部上の所定
領域を遮光するオプティカルブラック部となることを特
徴とする固体撮像素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62268470A JPH01110765A (ja) | 1987-10-23 | 1987-10-23 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62268470A JPH01110765A (ja) | 1987-10-23 | 1987-10-23 | 固体撮像素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01110765A true JPH01110765A (ja) | 1989-04-27 |
Family
ID=17458948
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62268470A Pending JPH01110765A (ja) | 1987-10-23 | 1987-10-23 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01110765A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009111427A (ja) * | 1996-07-12 | 2009-05-21 | Sony Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法およびこれを用いたカメラ |
-
1987
- 1987-10-23 JP JP62268470A patent/JPH01110765A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009111427A (ja) * | 1996-07-12 | 2009-05-21 | Sony Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法およびこれを用いたカメラ |
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