JPH01109730A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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JPH01109730A
JPH01109730A JP62267785A JP26778587A JPH01109730A JP H01109730 A JPH01109730 A JP H01109730A JP 62267785 A JP62267785 A JP 62267785A JP 26778587 A JP26778587 A JP 26778587A JP H01109730 A JPH01109730 A JP H01109730A
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JP
Japan
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semiconductor element
sealing resin
resin
metallic atoms
semiconductor device
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Mikio Takanashi
高梨　幹夫
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NEC Corp
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NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の製造方法、特に樹脂封止型の半導
体装置の製造方法に関する。
〔従来の技術〕
従来、この種の樹脂封止型半導体装置は、第３図（ａ）
に示すように、リードフレーム２に半導体素子１を固定
、ボンディング、樹脂封止を行なった後、第３図（ｂ）
のように仕上げ工程を経て製造される。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述した従来の製造方法による樹脂封止型半導体装置は
、外部の水分が封止樹脂を透過し半導体素子の表面まで
達し、ポンディングパッド近傍の配線アルミニウムから
腐食が進行してしまうという欠点がある。
本発明の目的は、かかる欠点を除去し、耐湿性に優れた
半導体装置を得る製造方法を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は、半導体素子をリードフレームに装着した後、
樹脂封止を行なう半導体装置の製造方法において、樹脂
封止後にイオン打ち込み法により封止樹脂内部に前記半
導体素子の電極金属として用いる金属と同等もしくはよ
り低いイオン化ポテンシャルを有する金属原子を導入す
る工程を有することを特徴とする。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は本発明の第１の実施例
の製造工程を示す断面図である。まず、第１図（ａ）に
示すように半導体素子１をリードフレーム２にマウント
しボンディングワイヤー３をボンディング後、封止樹脂
４で封止する０次に第１図（ｂ）のようにアルミニウム
原子等の半導体素子の電極金属と同等もしくはより低い
イオン化ポテンシャルを有する金属原子５を封止樹脂４
にイオン打ち込みをする。この際、アウターリード間で
リークが生じない様、打ち込み濃度を調整する。アウタ
ーリード及びその近傍をマスキングする等の注意を要す
る。イオン打ち込み後は封止樹脂４の表面直下に金属原
子５が密に存在する部分を有する構造となる。この後第
１図（Ｃ）に示すように切断１曲げ等の仕上げ工程を行
う。
このように本実施例では封止樹脂の中に金属原子が存在
するため、侵入してきた水分子と反応し水分子が半導体
素子の表面に達するのを防止できる。
第２図（ａ）〜（ｅ）は本発明の第２の実施例の製造工
程を示す断面図である。所望のパッケージの大きさより
も小さく第１の樹脂封止を行なう（第２図（ａ））。次
に金属原子５を封止樹脂４にイオン打込みし金属原子が
密なる部分を形成する（第２図（ｂ））。次に所望の大
きさに第２の樹脂封止を行なう（第２図（Ｃ））。更に
金属原子５を打ち込み、金属原子が密である部分を形成
する（第２図（ｄ））。その後仕上げ工程を行ない樹脂
封止型半導体装置を作る（第２図（ｅ））。
この実施例では侵入する水分子と反応する金属原子の総
数量が多いためより耐湿性に対し、有効になるという利
点がある。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、樹脂封止後アルミニウム
等の半導体素子の電極金属と同等もしくはより低いイオ
ン化ポテンシャルを有する金属原子をイオン打ち込みす
ることにより封止樹脂中に金属原子が密なる部分を持っ
た半導体装置を形成することができ、侵入してくる水分
子は打ち込まれた金属原子と反応するので半導体素子表
面まで水分子が達することが極めて少なくなるため、耐
湿性が著しく向上するという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ＞、（ｂ）、（ｃ）は本発明の第１の実施例
の製造工程を示す断面図、第２図（ａ）〜（ｅ）は本発
明の第２の実施例め製造工程を示す断面図、第３図（ａ
）、（ｂ）は従来の製造工程を示す断面図である。 １・・・半導体素子、２・・・リードフレーム、３・・
・ボンディングワイヤー、４・・・封止樹脂、５・・・
金属原子。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　半導体素子をリードフレームに装着した後、樹脂封止
    を行なう半導体装置の製造方法において、樹脂封止後に
    イオン打ち込み法により封止樹脂内部に前記半導体素子
    の電極金属として用いる金属と同等もしくはより低いイ
    オン化ポテンシャルを有する金属原子を導入する工程を
    有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
JP62267785A 1987-10-22 1987-10-22 半導体装置の製造方法 Pending JPH01109730A (ja)

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