JPH01108371A - 薄膜形成装置 - Google Patents

薄膜形成装置

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JPH01108371A
JPH01108371A JP26510387A JP26510387A JPH01108371A JP H01108371 A JPH01108371 A JP H01108371A JP 26510387 A JP26510387 A JP 26510387A JP 26510387 A JP26510387 A JP 26510387A JP H01108371 A JPH01108371 A JP H01108371A
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JP
Japan
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thin film
counter electrode
electrode
voltage
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JP26510387A
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Takeshi Arisawa
有沢 岳
Yasushi Sakakibara
榊原 康史
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Fuji Electric Co Ltd
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Fuji Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体装置などを製造するために用いられ
るスパッタリング作用を利用した薄膜形成装置であって
、薄膜形成の前処理機能として。
試料清浄化のための逆スパツタ機構を備えたものに関す
る。
〔従来の技術〕
まず、この種の薄膜形成装置の薄膜形成の原理と、前処
理機能の必要性について以下に説明する。
原理は、真空容器中にガスを導入し、該ガスを放電によ
りプラズマ化し、その中のイオンをターゲット材料に当
て、スパッタリング作用でたたき出されたターゲット材
料の原子または分子を試料表面に物理的に堆積させて、
薄膜を形成するものである。−男前処理機能が必要とな
る理由は、第1に金属試料表面に形成された数10A程
度の厚さの自然酸化膜を除去しなければならないことで
ある。第2に試料が絶縁物の場合水分が吸着しているこ
とが多く、その上に薄膜を形成すると薄膜の試料への付
着強度が弱まったり、膜質が均一でな(なるため、水分
を除去しなければならないことである。
従来の薄膜形成装置の逆スパツタ機構の構成イ列として
、第2図に示すようなものが知られている。
真空容器1中で試料3aと対向して対向電極2aを設け
、対向電極は接地する。一方真空容″a1に絶縁スペー
サー6とシールド5を介して接続された試料3aを固定
する試料電極4aには、C結合11を含む整合部7と同
軸ケーブル9と高周波′電源8とからなる高周波電源部
15より高周波電圧を供給する0図示していないガス導
入口よりガスを導入し、高周波電圧により放電を生じさ
せプラズマ10が発生する。公知のように、1li6周
波スパッタの場合、プラズマと電極間のキャパシタンス
の関係により面積の小さい方の電極が負となる。
そこで第2図のように対向電極2aに対し試料電極4a
を小さくするなど電極面積比などを適切に設定すること
により、プラズマ10の電位に対して試料3aの電位は
十分負となる。その給米プラズマ10中の正イオンは試
料面に向って加速され衝突し、試料面は清浄化される。
〔発明が解決しようとする問題点〕
以上のように対向電極が接地され、試料電極は接地され
ずに構成された薄膜形成装置の前処理機能としての逆ス
パツタ機構においては次のような問題点がある。第1に
試料が真空容器からmi的に浮いているため1通常の次
工程である薄膜形成工程に移行するには機構が複雑にな
る。その理由は、薄膜形成工程では一般に試料は接地電
位にして行なうが1元々電気的に浮いていたものを高周
波的に接地することはかなり困難であり、場合によって
は、前処理を行なう真空容器と薄膜形成を行なう試料が
接地される真空容器とを、別間に設けなければならなく
なる。この場合、たとえば試料がシリコンウェハーなど
の場合、ウェハーを搬送するために新たにウェハーハン
ドリング機構を設ける必要が生じる。第2に、試料が逆
スパツタによるイオン衝撃を受けると清浄化される一方
当然のことながらそこで熱を発生する。普通この熱は水
を冷媒として冷却するが、水が冷媒の場合。
絶縁性が悪いので、絶縁構成が問題となる。l8143
に、この装置を薄膜形成の研究開発装置として使用する
場合には、試料の大きさが様々であるため。
逆スパツタができず番こ対向電極の方がスパッタされて
しまうような、対向電極と試料電極の面積比になること
もありうる。実際現在市販されているこの種の装置では
、試料の大きさが、たとえばインチサイズで各段階が決
ってしまっている。このような場合には、試料の大きさ
に応じて試料電極の交換が必要であり、ひいては対向電
極をも交換する必要のある場合が生じるなど、研究開発
用としては作業効率の低い装置となる問題点がある。
この発明の目的は、前記従来の問題点を除去し。
試料電極を真空容器と同じ接地電位とすることを可能と
し、従って試料電極の構造が簡単となり。
次工程である高周波スパッタリング薄膜形成工程でも十
分な接地がとれ、薄膜形成用の別個の真空容器やその為
の搬送機構を必要とせず、また種々の大きさの試料に対
しても単一種類の電極構造で処理が可能な、逆スパッタ
機構付き薄膜形成装置を提供することである。
〔問題点を解決するための手段〕
上記問題点を解決するために、この発明によれば、真空
容器内に導入されたガスを真空容器内に設けられた試料
電極と対向電極との間の放電によりプラズマ化してスパ
ッタリング作用で試料表面に薄膜を形成する薄膜形成装
置において、真空容器に接続され電気的に接地された試
料載置用の試料電極と、該試料電極に対向して真空容器
に電気的に絶縁されて配設された対向電極と、c#i合
を含む整合部と同軸ケーブルと高周波電源とからなり前
記対向′電極に電気的に接続された高周波m源部と、L
結合と直流電源とからなり前記対向電極とスイッチを介
して電気的に接続された直流電源部とからなり、該対向
電極に前記直流!#部および高周波電源部からの′電圧
を同時に印加可能とし。
前記試料電極に装着された試料表面をプラズマからのイ
オン衝撃により清浄化することを可能とした逆スパツタ
機構を持つものとする。
〔作用〕
試料電極を接地し、対向を極にC結合を含む高周波電源
部より高周波電圧を印加した場合1通常は対向電極がプ
ラズマに対して十分に負となる。
これは、前記したように1面積の小さい方の電極が負に
なるわけだが、この場合試料電極は接地されており、ま
た真空容器も当然接地されている。
すると見かけ上試料電極の大きさは試料電極自身の大き
ざに真空容器の一部を加えた大きさになってしまい、対
向電極に比べ非常に大きくなってしまう、その為、小さ
い方の対向電極が十分負になる。その結果、主として対
向電極にイオン衝撃が生じてしまい、試料は清浄化され
ずむしろ汚染されることになる。そこで、高周波に対し
て十分にインピーダンスの大きいLを含んだ直流電源部
より直流電圧を印加し1強制的に対向電極を正にすると
プラズマの電位はシフトする。これは元々プラズマの電
位は両方の電極に対して浮いているので1片側の電極の
電位を上げれば、当然プラズマの電位もそれにつれて上
るためである。従って。
プラズマと接地しである試料電極間の電位差がプラズマ
と対向電極間の電位差よりも十分大きくなり、その結果
上として試料画にイオン衝撃が生じ。
試料の清浄化が行なわれることになる。
このように1本発明によれば、試料電極を接地して逆ス
パツタ機構を可能とならしめたので1機構の簡潔な、か
つ作業効率の良い薄膜形成装置が実現可能となる。
〔実施例〕
第1図に本発明の一実施例になる薄膜形成装置の構成を
示す、接地された真空容器1の中に、接地された試料電
極4が真空容器1と一体化して設けられ、この試料電極
4に試料3が装着されている。この試料3と対向した位
置に対向電極2が配置され、シールド5によっておおわ
れている。対向電極2は絶縁スペーサー6により真空容
器1とは絶縁されており、C結合11を含む整合部7と
同軸ケーブル9と高周波電源8とからなる高周波電源部
15に接続されている。ざらに対向電極2にはスイッチ
14を介してL結合12と直流を源13とからなる直流
電源部16とも接続されている。真!2!答器1の中に
1図示しないガス導入口からアルゴンなどのガスを導入
し、高周波電圧を印加すると放電が起こり、プラズマ1
0が発生する。
ここでさらに直流電圧を印加すると、スイッチ14のオ
ン状態においてC結合11とL結合12によって対向電
極2は高周波電圧と直流電圧が重畳された電圧となり、
プラズマ10は正電位にシフトし、試料3にイオン衝撃
が生じる。一般に試料清浄化のためには数10eVで力
ロ速されたイオン衝撃があれば十分であり、その為には
例えば、試料電極4と対向1極2間の高周波電圧ピーク
対ピーク値・Vpp 4−! 、 100 e V 程
度、直R,電FEハVppノ1/2〜1/3程度にする
と良いことが実験結果から確かめられている。この場合
、プラズマ10と対向電極2間の電位差は数eV程度と
なり、イオンが加速されて対向電極2をスパッタし汚染
を生じることはないので、十分な試料清浄効果がある。
また第1図において高周波電圧を印加せずに直流電圧の
みを印加した場合、直流逆スパツタによる試料清浄化も
可能である0表層の2〜3′kxが酸化された 4゜金
属試料の場合、直流逆スパツタのみで十分にこの酸化膜
は除去できる。さらに第1図でスイッチ14を開き、対
向電極2として薄膜となるターゲット材料自身を使用す
ると、ターゲットの搬送工程なしに高周波スパッタリン
グによる薄膜形成が可能となる。
〔発明の効果〕
以上に述べたように1本発明によれば、対向電極にC結
合を介して高周波電圧を、L結合を介して直流電圧を印
加することにより、試料電極が接地されていても十分に
高周波逆スパツタを行うことが可能となるので、試料電
極の構造が単純となる。また1次工程の高周波スパッタ
リングにおいて、薄膜形成用の別の真空容器やそこに試
料を搬送するための機構を必要としない。さらに試料電
極が接地されているので試料の大きざ形状によらず、単
一種類の試料電極で処理が可能となり、薄膜研究開発の
面での大巾な効率向上が図れるなどの効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例になる逆スパンタ機構付き薄
膜形成装置の構成図、第2図は従来の逆スパッタ機構付
き薄膜形成装置の構成図である。 1:真空容器、2.2a:対向電極、3,3a:試料、
4,4a:試料電極、6:絶縁スペーサー。 :スイッチ、15:高周波電源部、16:直流電゛源部
。 代理人f) ff士 山 口  巖     、゛−−
′ 第1 区

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)真空容器内に導入されたガスを真空容器内に設けら
    れた試料電極と対向電極との間の放電によりプラズマ化
    してスパッタリング作用で試料表面に薄膜を形成する薄
    膜形成装置において、真空容器に接続され電気的に接地
    された試料載置用の試料電極と、該試料電極に対向して
    真空容器に電気的に絶縁されて配設された対向電極と、
    C結合を含む整合部と同軸ケーブルと高周波電源とから
    なり前記対向電極に電気的に接続された高周波電源部と
    、L結合と直流電源とからなり前記対向電極とスイッチ
    を介して電気的に接続された直流電源部とからなること
    を特徴とする薄膜形成装置。 2)特許請求範囲第1項記載の薄膜形成装置において、
    対向電極が薄膜となるターゲット材料自身であることを
    特徴とする薄膜形成装置。
JP26510387A 1987-10-20 1987-10-20 薄膜形成装置 Granted JPH01108371A (ja)

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JP26510387A JPH01108371A (ja) 1987-10-20 1987-10-20 薄膜形成装置

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JPH01108371A true JPH01108371A (ja) 1989-04-25
JPH0541703B2 JPH0541703B2 (ja) 1993-06-24

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52122284A (en) * 1976-04-07 1977-10-14 Hitachi Ltd Sputtering device having bias electrode
JPS6326361A (ja) * 1986-07-18 1988-02-03 Hitachi Ltd 薄膜形成方法および装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52122284A (en) * 1976-04-07 1977-10-14 Hitachi Ltd Sputtering device having bias electrode
JPS6326361A (ja) * 1986-07-18 1988-02-03 Hitachi Ltd 薄膜形成方法および装置

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