JPH01108156A - 酸化物系超電導材の製造方法 - Google Patents
酸化物系超電導材の製造方法Info
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- JPH01108156A JPH01108156A JP62264846A JP26484687A JPH01108156A JP H01108156 A JPH01108156 A JP H01108156A JP 62264846 A JP62264846 A JP 62264846A JP 26484687 A JP26484687 A JP 26484687A JP H01108156 A JPH01108156 A JP H01108156A
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、酸化物系超電導材の製造方法に関する。
最近、新超電導物質としてイツトリウム・バリウム・銅
酸化物（Ｙ Ｂａｔ Ｃｕｚ Ｏｙ）セラミック
スに代表される酸化物系超電導物質が注目されている。
酸化物（Ｙ Ｂａｔ Ｃｕｚ Ｏｙ）セラミック
スに代表される酸化物系超電導物質が注目されている。
第５図はＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系の超電導物質の結晶構造
を示すものである。この超電導物質は層状のペロブスカ
イト型構造（化学式ＲＭＸ３で表わされる複酸化物にみ
られる結晶構造で、斜方晶系に属する。）をとっており
、電気的および磁気的異方性が大きいという特徴を有す
る。
を示すものである。この超電導物質は層状のペロブスカ
イト型構造（化学式ＲＭＸ３で表わされる複酸化物にみ
られる結晶構造で、斜方晶系に属する。）をとっており
、電気的および磁気的異方性が大きいという特徴を有す
る。
すなわち、電流の流れる方向でいうと、第５図において
電流はａ軸方向およびｂ軸方向（ａ −ｂ平面）には良
く流れるが、Ｃ軸方向にはほとんど流れない。
電流はａ軸方向およびｂ軸方向（ａ −ｂ平面）には良
く流れるが、Ｃ軸方向にはほとんど流れない。
ところで、前記酸化物系超電導物質を粉末焼結法により
製造してなる超電導材は、多結晶体（様々な結晶方位を
持つ単結晶体の集まり）であるため、電流の流れ易い方
向はマチマチとなる。従って臨界電流密度（Ｊｃ）は平
均的な値となり、第５図におけるａ−ｂ平面を流れ得る
電流密度に比べて極めて小さい。
製造してなる超電導材は、多結晶体（様々な結晶方位を
持つ単結晶体の集まり）であるため、電流の流れ易い方
向はマチマチとなる。従って臨界電流密度（Ｊｃ）は平
均的な値となり、第５図におけるａ−ｂ平面を流れ得る
電流密度に比べて極めて小さい。
この発明は以上の問題点を解決するために創案されたも
ので、超電導物質の結晶方位を揃えることにより、より
高い臨界温度（Ｔｃ） 、Ｂ界磁界（Ｈｃｚ）、臨界電
流密度（Ｊｃ）の超電導材を得ることができる酸化物系
超電導材の製造方法を提供することを目的とする。
ので、超電導物質の結晶方位を揃えることにより、より
高い臨界温度（Ｔｃ） 、Ｂ界磁界（Ｈｃｚ）、臨界電
流密度（Ｊｃ）の超電導材を得ることができる酸化物系
超電導材の製造方法を提供することを目的とする。
この発明の酸化物系超電導材の製造方法は、多結晶体の
酸化物系超電導物質を粉砕して単結晶体とし、該酸化物
系超電導物質に磁界を印加し、その後加圧整形し、さら
に焼結することを特徴とする。
酸化物系超電導物質を粉砕して単結晶体とし、該酸化物
系超電導物質に磁界を印加し、その後加圧整形し、さら
に焼結することを特徴とする。
以下、この発明を図面に示す実施例に基いて説明する。
■ 多結晶体である酸化物系超電導物質１ （第１図参
照）を粉砕して、単結晶の粉体２（化２図参照）とする
。
照）を粉砕して、単結晶の粉体２（化２図参照）とする
。
■ 単結晶の粉体とした超電導物質２を成形用容器、線
材加工用管等の容器３に入れ、外部からコイル４等によ
り強力な磁界を印加する（第３図参照）。すると単結晶
体の超電導物質２は磁界の方向と臨界磁界（Ｈｃｚ）の
方向とが平行となるよう結晶方位を揃え、磁界に対して
最も安定した状態となる（第４図参照）。
材加工用管等の容器３に入れ、外部からコイル４等によ
り強力な磁界を印加する（第３図参照）。すると単結晶
体の超電導物質２は磁界の方向と臨界磁界（Ｈｃｚ）の
方向とが平行となるよう結晶方位を揃え、磁界に対して
最も安定した状態となる（第４図参照）。
なお、外部から容器３に磁界を印加する際、超音波振動
等の機械的振動を加えると、効果はさらに増す。
等の機械的振動を加えると、効果はさらに増す。
■ 以上のようにして電流の流れやすい方向に結晶方位
を揃えた超電導物質２を加圧成形した後、焼結する。
を揃えた超電導物質２を加圧成形した後、焼結する。
この発明は以上の構成からなり、この発明によれば超電
導物質の結晶方位を揃えることにより、より高い臨界温
度（Ｔｃ） 、臨界磁界（ＩＩＣ２）、臨界電流密度（
Ｊｃ）を有する酸化物系超電導材を得ることができる。
導物質の結晶方位を揃えることにより、より高い臨界温
度（Ｔｃ） 、臨界磁界（ＩＩＣ２）、臨界電流密度（
Ｊｃ）を有する酸化物系超電導材を得ることができる。
第１図〜第４図はそれぞれこの発明の酸化物系超電導材
の製造工程を示す概要図、第５図はＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０
系の超電導物質の結晶構造を示す斜視図である。 １・・・・・・超電導物質（多結晶体）、２・・・・・
・超電導物質（単結晶体）、３・・・・・・容器、４・
・・・・・コイル。 第１区 第２図 第 ５ 図 Ｏｏｍ（倦６脣」
の製造工程を示す概要図、第５図はＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０
系の超電導物質の結晶構造を示す斜視図である。 １・・・・・・超電導物質（多結晶体）、２・・・・・
・超電導物質（単結晶体）、３・・・・・・容器、４・
・・・・・コイル。 第１区 第２図 第 ５ 図 Ｏｏｍ（倦６脣」
Claims (1)
- 多結晶体の酸化物系超電導物質を粉砕して単結晶体と
し、該酸化物系超電導物質に磁界を印加し、その後加圧
成形し、さらに焼結することを特徴とする酸化物系超電
導材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62264846A JPH01108156A (ja) | 1987-10-20 | 1987-10-20 | 酸化物系超電導材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62264846A JPH01108156A (ja) | 1987-10-20 | 1987-10-20 | 酸化物系超電導材の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01108156A true JPH01108156A (ja) | 1989-04-25 |
Family
ID=17409026
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62264846A Pending JPH01108156A (ja) | 1987-10-20 | 1987-10-20 | 酸化物系超電導材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01108156A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02133367A (ja) * | 1988-09-06 | 1990-05-22 | General Electric Co <Ge> | 配向した多結晶質超伝導体 |
| JPH02137762A (ja) * | 1988-10-05 | 1990-05-28 | General Electric Co <Ge> | 配向した多結晶質超伝導体 |
| EP0384479A2 (en) * | 1989-02-24 | 1990-08-29 | Fmc Corporation | Method for orienting anisotropic superconducting crystals in a metal matrix composite |
| FR2665462A1 (fr) * | 1990-08-02 | 1992-02-07 | Centre Nat Rech Scient | Procede de cristallisation en presence de champ magnetique. |
-
1987
- 1987-10-20 JP JP62264846A patent/JPH01108156A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02133367A (ja) * | 1988-09-06 | 1990-05-22 | General Electric Co <Ge> | 配向した多結晶質超伝導体 |
| JPH02137762A (ja) * | 1988-10-05 | 1990-05-28 | General Electric Co <Ge> | 配向した多結晶質超伝導体 |
| EP0384479A2 (en) * | 1989-02-24 | 1990-08-29 | Fmc Corporation | Method for orienting anisotropic superconducting crystals in a metal matrix composite |
| FR2665462A1 (fr) * | 1990-08-02 | 1992-02-07 | Centre Nat Rech Scient | Procede de cristallisation en presence de champ magnetique. |
| EP0474566A2 (fr) * | 1990-08-02 | 1992-03-11 | Centre National De La Recherche Scientifique (Cnrs) | Procédé de cristallisation en présence d'un champ magnétique |
| US5217944A (en) * | 1990-08-02 | 1993-06-08 | Centre National De La Recherche Scientifique | Crystal making method |
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