JPH01106040A - ポジ型感放射線性混合物、ポジ型感放射線性記録材料および該記録材料の製造法 - Google Patents
ポジ型感放射線性混合物、ポジ型感放射線性記録材料および該記録材料の製造法Info
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C1/00—Photosensitive materials
- G03C1/72—Photosensitive compositions not covered by the groups G03C1/005 - G03C1/705
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、化学−の作用下で酸を形成させる化合物およ
び酸で解離可能な化合@を含有するホゾ戯感放射巌性混
合物に関する。
び酸で解離可能な化合@を含有するホゾ戯感放射巌性混
合物に関する。
従来の技術
化学線の作用によって光重合開始剤上に1つの酸が形成
され、次にこの酸により、第2の反応で酸で解離可能な
物質の照射領域が適当な現像液中で可溶性になるような
ホゾ型感放射線性混合物は、久しく公知であった。
され、次にこの酸により、第2の反応で酸で解離可能な
物質の照射領域が適当な現像液中で可溶性になるような
ホゾ型感放射線性混合物は、久しく公知であった。
当該分野でこれまで使用された緻で分解可能な物質の中
で次のものは、申し分ないことが証明された: a)少なくとも1個のオルトカルボキシレート基および
/またはカルボキサミドアセタール基金有するもの、但
し、この場合この化合物は、高分子物質の性質を庸し、
かつd己載した基は、主鎖中の結合要素として生じるこ
とができるかまたは側方のtIL換基として生じること
ができるものとし、 b)主鎖中に繰り返しアセタール基および/またはケタ
ール基を有するオリゴマーまたは高分子化合物、 C)少なくとも1個のエノールエーテル基またはN−ア
シルイミノカーボネート基を有する化合物、 d)シリルエーテル基をWする化合物、e)シレノーk
(ailenol )エーテル基金有する化合物およ
び f)β−ケトエステルまたはアミドの環式アセタールま
たはケタール。
で次のものは、申し分ないことが証明された: a)少なくとも1個のオルトカルボキシレート基および
/またはカルボキサミドアセタール基金有するもの、但
し、この場合この化合物は、高分子物質の性質を庸し、
かつd己載した基は、主鎖中の結合要素として生じるこ
とができるかまたは側方のtIL換基として生じること
ができるものとし、 b)主鎖中に繰り返しアセタール基および/またはケタ
ール基を有するオリゴマーまたは高分子化合物、 C)少なくとも1個のエノールエーテル基またはN−ア
シルイミノカーボネート基を有する化合物、 d)シリルエーテル基をWする化合物、e)シレノーk
(ailenol )エーテル基金有する化合物およ
び f)β−ケトエステルまたはアミドの環式アセタールま
たはケタール。
感放射線性混合物の成分として、a)梨のばで解離可能
な化合物は、欧州特許出願公開第0022571号明細
誓および西ドイツ国特許出願公開第2610842号8
11#1i1j#に詳細に記載されておシ;b)型の化
合物1−1有する混合物は、Sげイツ国脣許M2306
248号明細書および同第2718254号明細書中に
記載され:C)ffiの化合物は、欧州特許出顔公開第
0006626号明細書および同第0006627号F
!AMi書中に記載され;d)型に属する化合物は、西
ドイツ国特許出願公開第6544165号明細書および
同第3601264号明細書中に表わされ:6)fiの
化合物は、同時に出願された西ドイツIIA特許出願第
P 3730783.5号v4細舊中に見い出すことか
で5ir)iJlの化合物は、欧州特許出願公開第02
02196号明細書中に述べられている。
な化合物は、欧州特許出願公開第0022571号明細
誓および西ドイツ国特許出願公開第2610842号8
11#1i1j#に詳細に記載されておシ;b)型の化
合物1−1有する混合物は、Sげイツ国脣許M2306
248号明細書および同第2718254号明細書中に
記載され:C)ffiの化合物は、欧州特許出顔公開第
0006626号明細書および同第0006627号F
!AMi書中に記載され;d)型に属する化合物は、西
ドイツ国特許出願公開第6544165号明細書および
同第3601264号明細書中に表わされ:6)fiの
化合物は、同時に出願された西ドイツIIA特許出願第
P 3730783.5号v4細舊中に見い出すことか
で5ir)iJlの化合物は、欧州特許出願公開第02
02196号明細書中に述べられている。
西ドイツ国特許出願公開第2610842号明細IK:
は、感放射線性複写材料中のオルトエステルまたはオル
トアミドアセタール基を有する化合物が記載されておシ
、この化合物は、印刷版およびマイクロ電子回路の双方
の製造に使用される。研死によれば、サブミクロン範囲
内であることが必要とされる解像力は、露光時に低い水
溶性の@酸エステルを遊離させる、前記西ドイツ国特許
出願公開明細薔中に記載された酸でpsi1m!可能な
化合物を使用することにより、制限されてのみ達成する
ことができるかまたは決して達成することができない。
は、感放射線性複写材料中のオルトエステルまたはオル
トアミドアセタール基を有する化合物が記載されておシ
、この化合物は、印刷版およびマイクロ電子回路の双方
の製造に使用される。研死によれば、サブミクロン範囲
内であることが必要とされる解像力は、露光時に低い水
溶性の@酸エステルを遊離させる、前記西ドイツ国特許
出願公開明細薔中に記載された酸でpsi1m!可能な
化合物を使用することにより、制限されてのみ達成する
ことができるかまたは決して達成することができない。
また、西ドイツ国特許出願公開第2718254号明細
書に記載された感放射線性複写材料は、平版印刷版およ
びポジ製レゾストに使用することができる。この複写材
料は、戚で分解可能な成分としてアセ、タールまたはケ
タールの繰り返し単位を有する(オリゴマー)化合物を
含有しそのアルコール成分は、少なくとも二価でなけれ
ばならない。このようなポリアセタールの分子量または
重合度が変化する範囲が製造方法に基づいて広範である
こと以外に、汚染物が感放射線性混合物中に導入される
ことの危険は、前記の酸で解離可能な化合物の場合には
臀に重大である。それというのも、蒸留による摺装はも
はや不可能であるからである。記載された幾つかのアセ
タールおよびケタールは、アルデヒドまたはケトン成分
の選択に基づいて#l像するのが困難である混合物を生
じるか、または照射と現像との間の小さなプロセスクイ
ンドクのみを一般に0.1〜5時間可能ならしめる。こ
の1保持時間”に応じて、着しい現像速度の差が場合に
よっては起こシ、この差は、現像がもはや全く不可能で
あるような程度に拡がりうる。
書に記載された感放射線性複写材料は、平版印刷版およ
びポジ製レゾストに使用することができる。この複写材
料は、戚で分解可能な成分としてアセ、タールまたはケ
タールの繰り返し単位を有する(オリゴマー)化合物を
含有しそのアルコール成分は、少なくとも二価でなけれ
ばならない。このようなポリアセタールの分子量または
重合度が変化する範囲が製造方法に基づいて広範である
こと以外に、汚染物が感放射線性混合物中に導入される
ことの危険は、前記の酸で解離可能な化合物の場合には
臀に重大である。それというのも、蒸留による摺装はも
はや不可能であるからである。記載された幾つかのアセ
タールおよびケタールは、アルデヒドまたはケトン成分
の選択に基づいて#l像するのが困難である混合物を生
じるか、または照射と現像との間の小さなプロセスクイ
ンドクのみを一般に0.1〜5時間可能ならしめる。こ
の1保持時間”に応じて、着しい現像速度の差が場合に
よっては起こシ、この差は、現像がもはや全く不可能で
あるような程度に拡がりうる。
この盤の酸で解l@可能な物質を含有する記録材料を使
用することにより、処理パラメーターの認容不可能な変
法が生じる。付加的に、パターン解像力は、多くの場合
に抜書が要求嘔れ;このことは、殊に例えば4−ヒドロ
キシベンズアルデヒpをアルデヒド成分として含有する
アセタールの場合にアセタールが現像液中で溶解しすぎ
る際に適用される。
用することにより、処理パラメーターの認容不可能な変
法が生じる。付加的に、パターン解像力は、多くの場合
に抜書が要求嘔れ;このことは、殊に例えば4−ヒドロ
キシベンズアルデヒpをアルデヒド成分として含有する
アセタールの場合にアセタールが現像液中で溶解しすぎ
る際に適用される。
その上、公知技術水準とは異なシ、フォトレジストに使
用するのにも適当である酸で解離可能な物質としてβ−
ケトエステルまたはアミドの環式アセタールまたはケタ
ールを使用スルことが最近提案された(欧州特許出願公
開第0202196号明細薔)。このフォトレゾストの
欠点は、その感放射線性が低いことにある。
用するのにも適当である酸で解離可能な物質としてβ−
ケトエステルまたはアミドの環式アセタールまたはケタ
ールを使用スルことが最近提案された(欧州特許出願公
開第0202196号明細薔)。このフォトレゾストの
欠点は、その感放射線性が低いことにある。
発明を達成するための手段
従って、本発明の目的は、できるだけ純粋で最も均一な
形で得ることができ、照射と現像との間の異なる1保持
時間”の間に現像時間に関連して不変であることを示し
、すなわち大きい地理寛容度を有し、現像されたレゾス
トのパターン解像力が高いことについての要求に適合し
かつその後の処理過程の間であってもこの要求を留め、
かつ金属イオン含有水性アルカリ現像液中でも金属イオ
ン不含水性アルカリ現像液中でも不変に嵐好な処理可能
性を有するホゾ型感放射線性混合物を得ることであった
。
形で得ることができ、照射と現像との間の異なる1保持
時間”の間に現像時間に関連して不変であることを示し
、すなわち大きい地理寛容度を有し、現像されたレゾス
トのパターン解像力が高いことについての要求に適合し
かつその後の処理過程の間であってもこの要求を留め、
かつ金属イオン含有水性アルカリ現像液中でも金属イオ
ン不含水性アルカリ現像液中でも不変に嵐好な処理可能
性を有するホゾ型感放射線性混合物を得ることであった
。
この目的は、酸で解離可能な化合物が単量体であシかつ
アセタール基を有し、このアセタール基のアルデヒド成
分またはケトン成分が0・1〜10011/l(D@像
液溶解度オヨび150”0よりも高い沸点を有すること
を特徴とする、化学−の作用下で酸を形成させる化合物
および酸で解離可能な化合物を含有するホゾ減感放射緘
性混合物を得ることによって達成される。
アセタール基を有し、このアセタール基のアルデヒド成
分またはケトン成分が0・1〜10011/l(D@像
液溶解度オヨび150”0よりも高い沸点を有すること
を特徴とする、化学−の作用下で酸を形成させる化合物
および酸で解離可能な化合物を含有するホゾ減感放射緘
性混合物を得ることによって達成される。
本発明による感放射線性混合物中に存在する単量体アセ
タールは、製造の閾に容易にnI製することができかり
感放射線性混合物中で他の重合体との重合体相不相溶性
の問題を全く生じないという利点を有する。
タールは、製造の閾に容易にnI製することができかり
感放射線性混合物中で他の重合体との重合体相不相溶性
の問題を全く生じないという利点を有する。
本発明によシ使用される単量体アセタールの特別な適合
性は、高分子量開始剤を相応する単量体物質によって代
える場合にも適用される。
性は、高分子量開始剤を相応する単量体物質によって代
える場合にも適用される。
酸で解離可能な物質中でのアルデヒド成分ま九はケトン
成分の好ましい沸点は、155℃〜300℃、特に有利
に155℃〜270℃である。
成分の好ましい沸点は、155℃〜300℃、特に有利
に155℃〜270℃である。
酸で′psIlfl!可能な物質の71111水分解生
成物の現像液中での可溶性は、金属イオン含有型の常用
のアルカリ現像液および金属イオン不含有型の常用のア
ルカリ現像液に関連する(例1参照)。
成物の現像液中での可溶性は、金属イオン含有型の常用
のアルカリ現像液および金属イオン不含有型の常用のア
ルカリ現像液に関連する(例1参照)。
アルコール性成分は、多くの場合直ちに現像液に播解し
、アルデヒド成分およびケトン成分に対して看しい差が
生じ、したがってとnらの成分の溶解性は、一般に照射
された記録材料の現像挙動にとって重要である。
、アルデヒド成分およびケトン成分に対して看しい差が
生じ、したがってとnらの成分の溶解性は、一般に照射
された記録材料の現像挙動にとって重要である。
アセタール成分力0.1〜1009/1o89液溶解度
を有する場合には、現像速度論およびパターンの再現性
の双方に関連して曳好な結果が達成されることが判明し
九。溶解度が0.1y/を未満である場合には、机−す
るのが内鑵な層が得られ、この層のパターン解像力は、
乏しくかつ1汚れ“傾向にある。現像液溶解度が高すぎ
る場合には層は不!轟なコントラストを示し、かつ微細
パターンは再現することができない。
を有する場合には、現像速度論およびパターンの再現性
の双方に関連して曳好な結果が達成されることが判明し
九。溶解度が0.1y/を未満である場合には、机−す
るのが内鑵な層が得られ、この層のパターン解像力は、
乏しくかつ1汚れ“傾向にある。現像液溶解度が高すぎ
る場合には層は不!轟なコントラストを示し、かつ微細
パターンは再現することができない。
現像液中の化合物の溶解度は、例えば過剰量の化合物を
加熱した現像液に導入し、呈温にもたらした後に濾過し
、その後に固体が既に現像液中に存在していることを配
慮しながら固体含量を測定することによって測定するこ
とができる。また、化合物は、現像液混和性湿剤に予め
溶解することができ、こうして得られた醪液は、現像液
と混合することができ、かつ溶剤は、固体金*t″−1
定するために現像液と一緒に除去することができる。数
値は、実施例中に記載されている。
加熱した現像液に導入し、呈温にもたらした後に濾過し
、その後に固体が既に現像液中に存在していることを配
慮しながら固体含量を測定することによって測定するこ
とができる。また、化合物は、現像液混和性湿剤に予め
溶解することができ、こうして得られた醪液は、現像液
と混合することができ、かつ溶剤は、固体金*t″−1
定するために現像液と一緒に除去することができる。数
値は、実施例中に記載されている。
層に対してアルコール成分を選択することは、このアル
コール成分が一価であるIaD殆んど重要ではないこと
が証明された。原理的には、全てのアルコール、殊に西
ドイツ国脣許出願公開第2610842号明MA#に記
載されたものが適当である。
コール成分が一価であるIaD殆んど重要ではないこと
が証明された。原理的には、全てのアルコール、殊に西
ドイツ国脣許出願公開第2610842号明MA#に記
載されたものが適当である。
本発明による感放射線性混合物中のアセタ−ル含量は、
そのつど層の全x濾に対して2〜60重量慢重量別に1
0〜25貞量−である。
そのつど層の全x濾に対して2〜60重量慢重量別に1
0〜25貞量−である。
本発明による感放射線性化合物中で肩利に照射時に強酸
を形成するかまたは脱離する1当な成分は、多数の化合
物およびその混合物である。
を形成するかまたは脱離する1当な成分は、多数の化合
物およびその混合物である。
ジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩およ
び目−ドニウム塩、ハロゲン化合物、0−キノンシアシ
トスルホクロリドおよび〇−キノンシアシトスル7エー
トならびに有機金属/有機ハoデン組合せ物を挙げるこ
とができる。
び目−ドニウム塩、ハロゲン化合物、0−キノンシアシ
トスルホクロリドおよび〇−キノンシアシトスル7エー
トならびに有機金属/有機ハoデン組合せ物を挙げるこ
とができる。
記載されたゾアゾニクム化合物、ホスホニクム化合物、
スルホニウム化合物およびヨードニクム化合物は、一般
に通常例えばテトラフルオル硼酸、ヘキサフルオルjj
Im、ヘキサフルオルアンチモン酸およびヘキサフルオ
ル砒酸のような錯体酸との沈殿生成物として有機層剤可
溶性塩の形で使用される。なかんずく、前記化合物は、
西ドイツ国特許出願公開第56C11264g明細誉に
も記載されている。
スルホニウム化合物およびヨードニクム化合物は、一般
に通常例えばテトラフルオル硼酸、ヘキサフルオルjj
Im、ヘキサフルオルアンチモン酸およびヘキサフルオ
ル砒酸のような錯体酸との沈殿生成物として有機層剤可
溶性塩の形で使用される。なかんずく、前記化合物は、
西ドイツ国特許出願公開第56C11264g明細誉に
も記載されている。
ハロゲン化合物は、殊に米国特許系3515552号明
細書、同第3536489号BAiWA4オ! ヒ同第
3779778号明細誉、ならびに西ドイツ国特許第2
718259号iq細書、同第5557024号#4m
書、同第3533450号明細書、同第2506248
号明細書、同第2243621号明細書および同第12
98414号明細書の記載から知られているトリアゾン
酵導体を包含する。しかし、この化合物は、他の光重合
開始剤、例えばオキサゾール、オキサゾアゾールまたは
チアゾールとの組合せ吻で使用することもできるが、互
いの混合物であってもよい。
細書、同第3536489号BAiWA4オ! ヒ同第
3779778号明細誉、ならびに西ドイツ国特許第2
718259号iq細書、同第5557024号#4m
書、同第3533450号明細書、同第2506248
号明細書、同第2243621号明細書および同第12
98414号明細書の記載から知られているトリアゾン
酵導体を包含する。しかし、この化合物は、他の光重合
開始剤、例えばオキサゾール、オキサゾアゾールまたは
チアゾールとの組合せ吻で使用することもできるが、互
いの混合物であってもよい。
しかし、ま九トリクロルメチル基またはトリブロムメチ
ル基を有するオキサゾール、オキサジアゾール、チアゾ
ールまたは2−ピロンも知られている(西ドイツ国特許
出願公開第3021599号明細書、同第302159
0号明細書、同第2851472号明細書および同第2
949596号明細lIFならびに欧州特許出願公開第
0135348号明細書および同第013586358
63号明 細書前記刊行物の1ii11頭には、妹に環に結合した
へ口rン、有利に臭aをVする芳香族化合物が包tされ
ている。このような化合物は、西ドイツ国特許出願公開
第2610842号8IIa′4Iから公知であるかま
たは同時に出願された西Pイツ国特許出願第37307
84.5号明#1li11iFに記載されている。
ル基を有するオキサゾール、オキサジアゾール、チアゾ
ールまたは2−ピロンも知られている(西ドイツ国特許
出願公開第3021599号明細書、同第302159
0号明細書、同第2851472号明細書および同第2
949596号明細lIFならびに欧州特許出願公開第
0135348号明細書および同第013586358
63号明 細書前記刊行物の1ii11頭には、妹に環に結合した
へ口rン、有利に臭aをVする芳香族化合物が包tされ
ている。このような化合物は、西ドイツ国特許出願公開
第2610842号8IIa′4Iから公知であるかま
たは同時に出願された西Pイツ国特許出願第37307
84.5号明#1li11iFに記載されている。
亘己載することができるチアゾールとの組合せ物の代懺
例は、2−ベンゾイルメチレン−ナフト[1f 2−(
13チアゾールとのものである(西ドイツ国特許出願公
開1g2851641号明細書および同1g29347
58号明細書)。
例は、2−ベンゾイルメチレン−ナフト[1f 2−(
13チアゾールとのものである(西ドイツ国特許出願公
開1g2851641号明細書および同1g29347
58号明細書)。
トリハロメチル化合物とN−フェニルアクリドンとの混
合物は、西ドイツ国特許出願公開第2610842号明
細書の記載から公知である。
合物は、西ドイツ国特許出願公開第2610842号明
細書の記載から公知である。
同様に、例えばベンゾフェノン、ベンジルま九はばヒラ
−ケトンによって増感させることができるα−ハロカル
ボキサイド<v!iドイツ国特許出願公開827182
00号#4a4I)17’tはトリテロムメチルフェニ
ルスルホン(西1’(ツ国特許出願公開第350311
5号明細書)も有効である。
−ケトンによって増感させることができるα−ハロカル
ボキサイド<v!iドイツ国特許出願公開827182
00号#4a4I)17’tはトリテロムメチルフェニ
ルスルホン(西1’(ツ国特許出願公開第350311
5号明細書)も有効である。
一般に、記載された全ての感放射線性化合物の有効性は
、光増感剤によって支持することができる。例えば、ア
ントラセン、フェナントレン、ピレン、1.2−ベンズ
アントレン、チアジン、ぎラゾリン、゛−ベンゾフラン
、ベンゾフェノン、フルオレノン、アントラキノンおよ
びクマリン誘導体を挙げることができる。それらの含量
は、感放射線性混合物の重量に対して0.01〜5重量
−である。
、光増感剤によって支持することができる。例えば、ア
ントラセン、フェナントレン、ピレン、1.2−ベンズ
アントレン、チアジン、ぎラゾリン、゛−ベンゾフラン
、ベンゾフェノン、フルオレノン、アントラキノンおよ
びクマリン誘導体を挙げることができる。それらの含量
は、感放射線性混合物の重量に対して0.01〜5重量
−である。
なかんずく、西ドイツ国特許出願公開第2610842
号明細書および同時に出願された西ドイツ国特許出願第
3730784.5号明細書の記載から公知のトリアゾ
ン酵導体および環に結合したハa)fン、殊に臭素を有
する芳香族化合物は、特に有利である。
号明細書および同時に出願された西ドイツ国特許出願第
3730784.5号明細書の記載から公知のトリアゾ
ン酵導体および環に結合したハa)fン、殊に臭素を有
する芳香族化合物は、特に有利である。
この西ドイツ国特許出g明細書に記載された化合物の中
でpKa値6〜10を有するもの、殊に一般式(■): RI 〔式中、 Hはヒドロキシルt7sま九はカルボキシル基を表わし
、 R1およびR8は同一かまたは異なシ、水素原子、臭素
原子、場合によってはアリール基、アルコキシ基、アリ
ールオキシ基、ヒドロキシル基もしくは弗素原子によっ
てtIt換されたアルキル基、または場合によってはア
ルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシル基もしく
は弗素原子によってtlを換されたアリール基を表わし
、nは0〜3七弐わし、但し、 nが0の場合: Aは、水素原子、臭素原子、場合によってはアルコキシ
基、アリールオキシ基、ヒドロキシル基、アリール基も
しくは弗素原子によって置換されたアルキル基、または
場合によってはアルコキシ基、アリールオキシ基、ヒド
ロキシル基、カルボキシル基もしくは弗素原子によって
置換されたアリール基f:衆わし、 nが1の場合: 人は、単結合、−〇−1−8−1− SO,−1−NH
−1−NRa−、アルキレン基またはベルフルオルアル
キレン基を表わし、 nが2の場合: 人は、−C!R4−または−N−を表わし、かつnが3
の場合: 人は一〇−を表わし、 RI ボニル基、殊にアルキルカルボニル基もしくは了り一ル
カルボニル基、カルボキシアルキル基モジくは置換スル
ホニルイミドカルボニル基を表わし、 R3はアルキルへ殊に(C1〜Ca )アルキル基、を
九はアリール基、殊にフェニル基を表わす〕で示される
ものが好ましい。
でpKa値6〜10を有するもの、殊に一般式(■): RI 〔式中、 Hはヒドロキシルt7sま九はカルボキシル基を表わし
、 R1およびR8は同一かまたは異なシ、水素原子、臭素
原子、場合によってはアリール基、アルコキシ基、アリ
ールオキシ基、ヒドロキシル基もしくは弗素原子によっ
てtIt換されたアルキル基、または場合によってはア
ルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシル基もしく
は弗素原子によってtlを換されたアリール基を表わし
、nは0〜3七弐わし、但し、 nが0の場合: Aは、水素原子、臭素原子、場合によってはアルコキシ
基、アリールオキシ基、ヒドロキシル基、アリール基も
しくは弗素原子によって置換されたアルキル基、または
場合によってはアルコキシ基、アリールオキシ基、ヒド
ロキシル基、カルボキシル基もしくは弗素原子によって
置換されたアリール基f:衆わし、 nが1の場合: 人は、単結合、−〇−1−8−1− SO,−1−NH
−1−NRa−、アルキレン基またはベルフルオルアル
キレン基を表わし、 nが2の場合: 人は、−C!R4−または−N−を表わし、かつnが3
の場合: 人は一〇−を表わし、 RI ボニル基、殊にアルキルカルボニル基もしくは了り一ル
カルボニル基、カルボキシアルキル基モジくは置換スル
ホニルイミドカルボニル基を表わし、 R3はアルキルへ殊に(C1〜Ca )アルキル基、を
九はアリール基、殊にフェニル基を表わす〕で示される
ものが好ましい。
前記化合物は、有利に高エネルザーの放射線、すなわち
短波長の放射線の場合に初めて解離される。この放射巌
は、紫外線とともに、なかんずく電子?#AまたはX線
を包含する。
短波長の放射線の場合に初めて解離される。この放射巌
は、紫外線とともに、なかんずく電子?#AまたはX線
を包含する。
単量体感放射−性酸形成剤とともに、前&!型の重合域
を使用することもできる。単量体開始剤を使用する場合
には、その含量は、感放射線性化合物の重量に対して0
.01〜30重量−1殊に0.4〜20重量−の範囲内
にある。
を使用することもできる。単量体開始剤を使用する場合
には、その含量は、感放射線性化合物の重量に対して0
.01〜30重量−1殊に0.4〜20重量−の範囲内
にある。
高分子量開始剤を使用する場合には、高分子量結合剤を
省略することができる。その上、−分子量結合剤は、結
合剤と混合することができるが、しかし、重合されてな
い開始剤の単量体成分は、結合剤の単量体成分と反応さ
せ、共縮合物または共重合体を形成させることもできる
。
省略することができる。その上、−分子量結合剤は、結
合剤と混合することができるが、しかし、重合されてな
い開始剤の単量体成分は、結合剤の単量体成分と反応さ
せ、共縮合物または共重合体を形成させることもできる
。
このことによシ、前記混脅物−中の重合体の含量の割合
に応じて、単量体成分の含量は、単量体開始剤の場合に
記載された範囲を越えて拡張することができる。殊に、
50重量慢よりも大さく、100重量%までの含量は、
酸で解離可能な化合物の含量を差し引いて特許保護が請
求されている。
に応じて、単量体成分の含量は、単量体開始剤の場合に
記載された範囲を越えて拡張することができる。殊に、
50重量慢よりも大さく、100重量%までの含量は、
酸で解離可能な化合物の含量を差し引いて特許保護が請
求されている。
更に、本発明による感放射線性化合物は、結合剤を含有
することができ、この結合剤は、水中で不感性であるが
、有機層剤またはアルカリ中で可溶性、少なくとも膨潤
性である。このような結合剤は、なかんずくノボラック
屋の7エ/−に樹Mlを包含する。フェノール−ホルム
アルデヒド樹脂、クレゾール−ホルムアルデヒド樹脂、
それらの共縮合物および混合物、ならびにホルムアルデ
ヒドとのフェノール縮合体およびクレゾール縮合体が挙
げられる。
することができ、この結合剤は、水中で不感性であるが
、有機層剤またはアルカリ中で可溶性、少なくとも膨潤
性である。このような結合剤は、なかんずくノボラック
屋の7エ/−に樹Mlを包含する。フェノール−ホルム
アルデヒド樹脂、クレゾール−ホルムアルデヒド樹脂、
それらの共縮合物および混合物、ならびにホルムアルデ
ヒドとのフェノール縮合体およびクレゾール縮合体が挙
げられる。
その上、ビニル重合体、例えばポリ(ビニルアセタール
)、ポリメタクリレート、ポリアクリレート、ポリ(ビ
ニルエーテル)、ポリビニルピロリドンおよびスチレン
重合体を、そのつど場合によってはコモノマーによって
変性するか、それ自体か、または互いに混合して便用す
ることもできる。
)、ポリメタクリレート、ポリアクリレート、ポリ(ビ
ニルエーテル)、ポリビニルピロリドンおよびスチレン
重合体を、そのつど場合によってはコモノマーによって
変性するか、それ自体か、または互いに混合して便用す
ることもできる。
殊に、次のものを挙げることができる:スチレント、ア
ルケニルスルホニルアミ/カル〆エルオキシまたはシク
ロアルケニルスルホニルアiノカルポニルオキシ単位と
の重合体(欧州特許出願公開系0184804号明細書
)、側方の架橋−〇H20R基を有するアクリル酸、メ
タクリ酸、マレイン酸、イタコン酸等の重合体(欧州特
許出願公開系0184044号に!Am薔)、ビニル単
黛体とフルクニルフェノール単位トカらなる重合体(欧
州特許出願公開*0155682号明細書)、ノボラッ
ク置換分としてのポリビニルフェノール(西ドイツli
%許g2322250号明ms’)、側方のフェノール
性ヒPc!キシル基を有する高分子量結合剤(欧州特許
出願公開系0212459号明細書および11!I第0
212440号明細4k)、スチレン−無水マレイン酸
共皇合体(西ドイツ国特許出願公N第5150981号
明細4)、不飽和(チオ)ホスフィン酸イン(チオ)シ
アネートと、活性水at金含有る重合体とからなる重合
体(西ドイツ国特許出願第p3615612−4号v1
細書オヨび同第P3615613.2号8A細−1F)
、酢酸ビニル単位、ビニルアルコール単位およびビニル
アセタール単位を含有する重合体(欧州脣許出願公開第
0216083−e明1181−1)、5rxUt v
csキシアルデヒド単位を含有するポリ(ビニルアセタ
ール)(西ドイツ国特許出願第P 3644162.7
号明細書)。
ルケニルスルホニルアミ/カル〆エルオキシまたはシク
ロアルケニルスルホニルアiノカルポニルオキシ単位と
の重合体(欧州特許出願公開系0184804号明細書
)、側方の架橋−〇H20R基を有するアクリル酸、メ
タクリ酸、マレイン酸、イタコン酸等の重合体(欧州特
許出願公開系0184044号に!Am薔)、ビニル単
黛体とフルクニルフェノール単位トカらなる重合体(欧
州特許出願公開*0155682号明細書)、ノボラッ
ク置換分としてのポリビニルフェノール(西ドイツli
%許g2322250号明ms’)、側方のフェノール
性ヒPc!キシル基を有する高分子量結合剤(欧州特許
出願公開系0212459号明細書および11!I第0
212440号明細4k)、スチレン−無水マレイン酸
共皇合体(西ドイツ国特許出願公N第5150981号
明細4)、不飽和(チオ)ホスフィン酸イン(チオ)シ
アネートと、活性水at金含有る重合体とからなる重合
体(西ドイツ国特許出願第p3615612−4号v1
細書オヨび同第P3615613.2号8A細−1F)
、酢酸ビニル単位、ビニルアルコール単位およびビニル
アセタール単位を含有する重合体(欧州脣許出願公開第
0216083−e明1181−1)、5rxUt v
csキシアルデヒド単位を含有するポリ(ビニルアセタ
ール)(西ドイツ国特許出願第P 3644162.7
号明細書)。
結合剤の量は、一般に感放射線性混合物の全Xtに対し
て1〜90!量チ、殊に5〜90重量%、有利に50〜
90ffitSである。
て1〜90!量チ、殊に5〜90重量%、有利に50〜
90ffitSである。
更に、染料、顔料、可盟剤、湿潤剤および流れ11!I
剤、またポリグリコールおよびセルロースエーテル、例
えばエチルセルローxd、特殊な要件、例えば可!!!
注、付着力および光沢を改善するために本発明による感
放射線性混合物に添加嘔れていてもよい。
剤、またポリグリコールおよびセルロースエーテル、例
えばエチルセルローxd、特殊な要件、例えば可!!!
注、付着力および光沢を改善するために本発明による感
放射線性混合物に添加嘔れていてもよい。
本発明による感放射線性混合物は1、有利に溶剤中、例
えばエチレングリコール、グリコールエーテル、例えば
グリコール七ツメチルエーテル、クリコールツメチルエ
ーテル、クリコールモノエチルエーテル1 fをハfロ
ヒレン/’ IJ コールモノアルキルエーテル、殊に
f vx ヒレングリコールメチルエーテル:脂肪族エ
ステル、例えば酢酸エチル、ヒドロキシエチルアセテー
ト、アルコキシエチルアセテート、r−ブチルアセテー
ト、フロピレンゲリコールモノアルキルエーテルアセテ
ート、殊にプロピレングリコールメチルエーテルアセテ
ートまたは酢酸アミル;エーテル、例えばジオキサン、
ケトン、例えばメチルエチルケトン、メチルイソブチル
ケトン、シクロペンタノンおよびシクロヘキサノン;ジ
メチルホルムアミド、ジメチルアセドアミド、ヘキナメ
チル燐酸アきド、N−メチルビクリトン、ブチロラクト
ン、テトラヒドロ7ラン、およびそれらの混合物中にl
I!!解される。グリコールエーテル、脂肪族エステル
およびケトンは、4!に好ましい。
えばエチレングリコール、グリコールエーテル、例えば
グリコール七ツメチルエーテル、クリコールツメチルエ
ーテル、クリコールモノエチルエーテル1 fをハfロ
ヒレン/’ IJ コールモノアルキルエーテル、殊に
f vx ヒレングリコールメチルエーテル:脂肪族エ
ステル、例えば酢酸エチル、ヒドロキシエチルアセテー
ト、アルコキシエチルアセテート、r−ブチルアセテー
ト、フロピレンゲリコールモノアルキルエーテルアセテ
ート、殊にプロピレングリコールメチルエーテルアセテ
ートまたは酢酸アミル;エーテル、例えばジオキサン、
ケトン、例えばメチルエチルケトン、メチルイソブチル
ケトン、シクロペンタノンおよびシクロヘキサノン;ジ
メチルホルムアミド、ジメチルアセドアミド、ヘキナメ
チル燐酸アきド、N−メチルビクリトン、ブチロラクト
ン、テトラヒドロ7ラン、およびそれらの混合物中にl
I!!解される。グリコールエーテル、脂肪族エステル
およびケトンは、4!に好ましい。
感放射線性混合物の残留成分を使用することにより得ら
れた溶液は、4〜6oit%、有利に501I量96ま
での固体含量をMする。
れた溶液は、4〜6oit%、有利に501I量96ま
での固体含量をMする。
更に、本発明によれば、本質的に支持体およびその上に
塗布された感放射線性混合物からなる感放射線性記録材
料の特許保護が請求されている。
塗布された感放射線性混合物からなる感放射線性記録材
料の特許保護が請求されている。
適当な支持体は、コンデンサ、半導体、多層印刷回路ま
たは集積回路を構成するかまたは製造することができる
全ての材料である。殊に、例えば窒化珪素、砒化ガリウ
ムおよびインジウムホスフィトのような半導体工業で富
用されている他の全ての支持体を含めて、熱酸化され2
よび/またはアルミニウム被覆されたシリコン材料から
形成されかつ場合によってはドープされていてもよい表
面を挙げることができる。その上、液晶我示装置の製造
から知られている支持体、例えばガラス、酸化インゾク
ム/錫:さらに、例えばアルζニウム、鋼または亜鉛か
ら形成成れた金属板および金X箔;バイメタル箔および
トリメタル箔、また金属で蒸着されている非環゛成性范
、場合によってはアルミニウムで被覆されたS1O,、
材料および紙が過当である。
たは集積回路を構成するかまたは製造することができる
全ての材料である。殊に、例えば窒化珪素、砒化ガリウ
ムおよびインジウムホスフィトのような半導体工業で富
用されている他の全ての支持体を含めて、熱酸化され2
よび/またはアルミニウム被覆されたシリコン材料から
形成されかつ場合によってはドープされていてもよい表
面を挙げることができる。その上、液晶我示装置の製造
から知られている支持体、例えばガラス、酸化インゾク
ム/錫:さらに、例えばアルζニウム、鋼または亜鉛か
ら形成成れた金属板および金X箔;バイメタル箔および
トリメタル箔、また金属で蒸着されている非環゛成性范
、場合によってはアルミニウムで被覆されたS1O,、
材料および紙が過当である。
前記支持体は熱による前処理を行なうことができ、例え
ば親水性の増大のような望ましい性質を達成するために
表面を粗面化するか、エツチングするか、または化学薬
品で処理することができる。
ば親水性の増大のような望ましい性質を達成するために
表面を粗面化するか、エツチングするか、または化学薬
品で処理することができる。
1つの特別の構成の砺曾、感放射線性混合物は、レゾス
ト中またはレジスト支持体との間で良好な付増力のため
に付着促進剤を含有することができる。シリコンまたは
二酸化珪素支持体の場合には、例えば6−アミノプロビ
ルトリエトキシシランまたはへキサメチルジシラデンの
ようなアミノシラン型の付着促進剤が前記目的のために
適当である。
ト中またはレジスト支持体との間で良好な付増力のため
に付着促進剤を含有することができる。シリコンまたは
二酸化珪素支持体の場合には、例えば6−アミノプロビ
ルトリエトキシシランまたはへキサメチルジシラデンの
ようなアミノシラン型の付着促進剤が前記目的のために
適当である。
写真製版記録ノー、例えば凸版印刷、平版印部1にスク
リーン印刷およびグラビア印刷のための印刷版の製造、
ならびにレリーフコピーの製造に使用することができる
支持体の例は、アルミニウム板、場合によっては陽極酸
化され、砂目立てされおよび/または珪酸塩処理された
アルきニクム板、亜鉛板、鋼板(これは、場合によって
はクロムで処理された)、およびプラスチックフィルム
または紙である。
リーン印刷およびグラビア印刷のための印刷版の製造、
ならびにレリーフコピーの製造に使用することができる
支持体の例は、アルミニウム板、場合によっては陽極酸
化され、砂目立てされおよび/または珪酸塩処理された
アルきニクム板、亜鉛板、鋼板(これは、場合によって
はクロムで処理された)、およびプラスチックフィルム
または紙である。
本発明による記録材料は、画像に応じて照射される。化
学線の適当な源は、次のものである:金属ハロrン化物
灯、炭素アーク灯、キャノン灯および蒸気水銀灯。レー
デ−1電子またはxMA放射のような高エネルギー放射
で照射することは好ましい。記載することができるレー
デ−は、殊にヘリウム/ネオ/レーザー、アルがンレー
デー、クリゾトンレーデーおよびヘリウム/カドミウム
レーデ−である。
学線の適当な源は、次のものである:金属ハロrン化物
灯、炭素アーク灯、キャノン灯および蒸気水銀灯。レー
デ−1電子またはxMA放射のような高エネルギー放射
で照射することは好ましい。記載することができるレー
デ−は、殊にヘリウム/ネオ/レーザー、アルがンレー
デー、クリゾトンレーデーおよびヘリウム/カドミウム
レーデ−である。
被覆量は、使用分野に応じて変動する。例えば、感放射
線性混合物を印刷板に塗布する場合には、この好ましい
被覆量は0.5〜3−51/m2である。一般に、層厚
は、0.1〜100μm、殊に1〜10μmである・ 更に、本発明は、感放射線性記録材料の製造法に関する
。感放射線性混合物は、支持体に吹付け、流し殖布、ロ
ール塗布、回転塗布および浸漬塗布によって塗布するこ
とができる。次に、溶剤は、蒸発することによって除去
され、感放射線性層が支持体底面上に留まる。溶剤の除
去は、必要に応じて層を100℃までの温度に加熱する
ことによって促進することができる。しかし、最初に混
合物を上記方法で中間支持体に塗布し、この中間支持体
から混合物?:最終支持材料上に圧力下で高められた温
度で移すことも可能である。
線性混合物を印刷板に塗布する場合には、この好ましい
被覆量は0.5〜3−51/m2である。一般に、層厚
は、0.1〜100μm、殊に1〜10μmである・ 更に、本発明は、感放射線性記録材料の製造法に関する
。感放射線性混合物は、支持体に吹付け、流し殖布、ロ
ール塗布、回転塗布および浸漬塗布によって塗布するこ
とができる。次に、溶剤は、蒸発することによって除去
され、感放射線性層が支持体底面上に留まる。溶剤の除
去は、必要に応じて層を100℃までの温度に加熱する
ことによって促進することができる。しかし、最初に混
合物を上記方法で中間支持体に塗布し、この中間支持体
から混合物?:最終支持材料上に圧力下で高められた温
度で移すことも可能である。
このノーは、その後に画像に応じて照射される。
化学縁が通常され、この場合には、紫外線、X線または
電子線が時に好ましい。波長200〜500 nmの放
射線を0.5〜60mW/−の強度で放出する紫外線灯
は、照射のために常用されている。感放射線性層の場合
、ll1i像パターンは、その後に材料の照射慎域を醍
解するかまたは除去する現像液で層を処理する現像によ
って露ti1される。
電子線が時に好ましい。波長200〜500 nmの放
射線を0.5〜60mW/−の強度で放出する紫外線灯
は、照射のために常用されている。感放射線性層の場合
、ll1i像パターンは、その後に材料の照射慎域を醍
解するかまたは除去する現像液で層を処理する現像によ
って露ti1される。
使用される現像液は、例えば珪酸塩、メタ珪酸塩、水酸
化物、燐酸水素塩、燐酸二水素塩、炭酸塩または炭酸水
素塩のようなアルカリ試薬の溶液、殊にアルカリ金属イ
オンまたはアンモニウムイオンの溶液、またはアンモニ
ア等である。現4a液中の前記物質の含量は、一般に現
像液の重量に対して0.1〜15重′1ik%、有利V
こ0.5〜5重tsであ、b。
化物、燐酸水素塩、燐酸二水素塩、炭酸塩または炭酸水
素塩のようなアルカリ試薬の溶液、殊にアルカリ金属イ
オンまたはアンモニウムイオンの溶液、またはアンモニ
ア等である。現4a液中の前記物質の含量は、一般に現
像液の重量に対して0.1〜15重′1ik%、有利V
こ0.5〜5重tsであ、b。
金属イオン不含の現*gは特に好ましい。
得られた層は、高められた温度でDUV!1元すること
によって後硬化することができる。
によって後硬化することができる。
本発明による感放射線性混合物中に存在するアセタール
は、反応水を共沸蒸留により除去しながらアルデヒドま
たはケトンをアル;−ルと縮合させることによって得る
ことができる。別の公知の変法の場合、アルデヒドまた
はケトンハ、トリメチルオルトホルメートと反応され、
ジメチルアセタールを形成する。更に、第2工程でこの
ジメチルアセタールは、アルコールと反応され、所望の
アセタールを形成させる。意外なことに、以下に記載し
た製造法の場合には、特許の保護が請求されたアセクー
ルの製造でオルトエステルおよびアルコールをカルボニ
ル化合物に同時に添加することにより、この場合に望ま
しくないオルトエステルのエステル交換生成物は生ぜず
、その代りに望ましいアセタールのみが得られた。
は、反応水を共沸蒸留により除去しながらアルデヒドま
たはケトンをアル;−ルと縮合させることによって得る
ことができる。別の公知の変法の場合、アルデヒドまた
はケトンハ、トリメチルオルトホルメートと反応され、
ジメチルアセタールを形成する。更に、第2工程でこの
ジメチルアセタールは、アルコールと反応され、所望の
アセタールを形成させる。意外なことに、以下に記載し
た製造法の場合には、特許の保護が請求されたアセクー
ルの製造でオルトエステルおよびアルコールをカルボニ
ル化合物に同時に添加することにより、この場合に望ま
しくないオルトエステルのエステル交換生成物は生ぜず
、その代りに望ましいアセタールのみが得られた。
本発明による感放射線性混合物中に存在する、酸で解離
可能の新規化合物の製造は、以下の実施例により説明さ
れる@ セタール p−トルエンスルホン酸0.5Iを冷却しながらビペロ
ナール1モル、n−ブトキシェタノール2モルおよびト
リメチルオルトホルメート1.1モルの混合物に添加し
た。この混合物を室温で2時間攪拌した。その後に、水
ポンプによる真空を混合装置に適用し、攪拌をそのつど
20℃、40℃および60”Cで2時間連続させた。そ
の後に、この反応混合物を80℃で0.1トルの圧力下
で80℃で薄膜蒸発器に通過させる。必要に応じて、さ
らに適当に高められた温度で薄膜蒸発器中で蒸wを行な
うことができる。
可能の新規化合物の製造は、以下の実施例により説明さ
れる@ セタール p−トルエンスルホン酸0.5Iを冷却しながらビペロ
ナール1モル、n−ブトキシェタノール2モルおよびト
リメチルオルトホルメート1.1モルの混合物に添加し
た。この混合物を室温で2時間攪拌した。その後に、水
ポンプによる真空を混合装置に適用し、攪拌をそのつど
20℃、40℃および60”Cで2時間連続させた。そ
の後に、この反応混合物を80℃で0.1トルの圧力下
で80℃で薄膜蒸発器に通過させる。必要に応じて、さ
らに適当に高められた温度で薄膜蒸発器中で蒸wを行な
うことができる。
生じたアセターk t” Na2CO3、xaco3ま
たは塩基性酸化アルミニラふと一緒に攪拌し、酸触媒を
中和した。固体成分を除去し、濾液を真空中で蒸発させ
た。アセタールを存在する形で記録材料中で使用するこ
とがでさた。このアセタールは、沸点170℃(0,0
1トル)の油状物であ、り:CO信号は、IRスペクト
ル中で全く検出することができず; NMRスペクトル
(CDt3)は、アセタール信号をδ= 5.58 p
m)mで示した。
たは塩基性酸化アルミニラふと一緒に攪拌し、酸触媒を
中和した。固体成分を除去し、濾液を真空中で蒸発させ
た。アセタールを存在する形で記録材料中で使用するこ
とがでさた。このアセタールは、沸点170℃(0,0
1トル)の油状物であ、り:CO信号は、IRスペクト
ル中で全く検出することができず; NMRスペクトル
(CDt3)は、アセタール信号をδ= 5.58 p
m)mで示した。
製造例2:
4−エチルベンズアルデヒド1モルおよび二−デトキシ
ーエトキシエタノール2モルヲ製造例1に相当する方法
で使用した。沸点175℃< o、o o s トル)
の7セタールを単離し比。
ーエトキシエタノール2モルヲ製造例1に相当する方法
で使用した。沸点175℃< o、o o s トル)
の7セタールを単離し比。
NMRスペクトル(CdC25)は、アセタール信号を
δ−5−63ppmで示した。
δ−5−63ppmで示した。
次のアセタールを同様にして得た:
H3fペロナール−ビス−(2−(2−メトギシ、)エ
トキシエーテル〕アセタール佛点〉170で(o−C5
トル)、NMRスペクトル(CDCts )δ= 5.
55 ppt (アセタール) H4ベンズアルデヒドジオクチルアセタール沸点148
”O(0,02トル)、NAtRスペ/ ) # (C
DCl5 )δ= 5.50 ppm (アセタール) H5テレ7タルジアルデヒドテトラキスー(n−シトキ
シエト中ジエチル)アセタール NMRスペクトル(CDCl3 )δ= 5.67pp
m (アセタール) H6チオ7エンー2−アルデヒドジメトキシエチルアセ
タール NMRス’< / l’ k (CDCl3 ) a
−5−85ppm(アセタール) 以下の使用例は、本発明をさらに詳細に説明することを
意図とし;量は、重重都(pw)で記載されている。
トキシエーテル〕アセタール佛点〉170で(o−C5
トル)、NMRスペクトル(CDCts )δ= 5.
55 ppt (アセタール) H4ベンズアルデヒドジオクチルアセタール沸点148
”O(0,02トル)、NAtRスペ/ ) # (C
DCl5 )δ= 5.50 ppm (アセタール) H5テレ7タルジアルデヒドテトラキスー(n−シトキ
シエト中ジエチル)アセタール NMRスペクトル(CDCl3 )δ= 5.67pp
m (アセタール) H6チオ7エンー2−アルデヒドジメトキシエチルアセ
タール NMRス’< / l’ k (CDCl3 ) a
−5−85ppm(アセタール) 以下の使用例は、本発明をさらに詳細に説明することを
意図とし;量は、重重都(pw)で記載されている。
例1
塗布液を、
軟化範囲105〜120℃金有するクレゾール−ホルム
アルデヒドノボラック 171)”sビペロナール
ジプトキシエチルアセタール(製造例1、ピペロナール
の一点264℃、現像液中での溶解度:5.511/l
) 5 pw%および プロピレングリコールメチルエーテルアセテート741
)W中の テトラゾロムはスフエノールACダク・ケミカル社(D
ay Chemical )ン 4 pwか
ら得た。
アルデヒドノボラック 171)”sビペロナール
ジプトキシエチルアセタール(製造例1、ピペロナール
の一点264℃、現像液中での溶解度:5.511/l
) 5 pw%および プロピレングリコールメチルエーテルアセテート741
)W中の テトラゾロムはスフエノールACダク・ケミカル社(D
ay Chemical )ン 4 pwか
ら得た。
この感液を付着促進剤(へ中サメチルゾシラデン)で処
理し九シリコンクエ7アー上に300 Orpmで回転
道布した。循環炉中で85℃で60分間の乾燥後、1μ
mの層厚を得た。画像に応じての照射を、同期放射+9
N(ベラシー社(BE8SY )、ベルリン在、空If
2 m )を52mJ/(−の線量でシリコン上の金
のマスクを通して使用することにより実施した。実験装
置は、ヒユーバーガー(A、Heuberger )著
、1エックス−レイ−リソグラフィー(X −RayL
ithography )”、マイクロエレクトロニッ
ク・エンジニャリング(Microelect+ron
icEngineering )第6巻、11g565
貞〜第556頁(1985年)K見い出すことができる
。5分間の保持時間後、材料を次の組成: メタ珪酸ナトリウムX 5>a、o 5.51)
W s燐[三?−トリクA X 12H205,41)
W %燐酸二氷菓ナトリウム 00−5pおよび
脱塩水 91 pWのアルカ
リ現像液を使用することにより現像した。
理し九シリコンクエ7アー上に300 Orpmで回転
道布した。循環炉中で85℃で60分間の乾燥後、1μ
mの層厚を得た。画像に応じての照射を、同期放射+9
N(ベラシー社(BE8SY )、ベルリン在、空If
2 m )を52mJ/(−の線量でシリコン上の金
のマスクを通して使用することにより実施した。実験装
置は、ヒユーバーガー(A、Heuberger )著
、1エックス−レイ−リソグラフィー(X −RayL
ithography )”、マイクロエレクトロニッ
ク・エンジニャリング(Microelect+ron
icEngineering )第6巻、11g565
貞〜第556頁(1985年)K見い出すことができる
。5分間の保持時間後、材料を次の組成: メタ珪酸ナトリウムX 5>a、o 5.51)
W s燐[三?−トリクA X 12H205,41)
W %燐酸二氷菓ナトリウム 00−5pおよび
脱塩水 91 pWのアルカ
リ現像液を使用することにより現像した。
マスクの全ての詳細部を有する、欠陥なしの画像が得ら
れ、この場合には、まさに0.6μm 。
れ、この場合には、まさに0.6μm 。
の線および溝が欠陥なしに再現された。レジスト端は、
不利には浸蝕されず、かつ実寅的に90°の角度を示し
た(走置゛−子顕微鏡(8KM )からのフォトマイク
ログラフ)。
不利には浸蝕されず、かつ実寅的に90°の角度を示し
た(走置゛−子顕微鏡(8KM )からのフォトマイク
ログラフ)。
例2
塗布液およびレゾストを?IJ 1に相当する方法で得
たが;しかじ、例に記載されたアセタールを同量のベン
ズアルデヒドジオクチルアセタール(製造例4)によっ
て代えた(ベンズアルデヒドの沸点:181℃;現像液
中での溶解度411/l )。例1からの現像液を用い
て現像した後の支持材料に対して解像力およびレジスト
端の角度に関連する結果は、例1からのものと比較可能
であった。
たが;しかじ、例に記載されたアセタールを同量のベン
ズアルデヒドジオクチルアセタール(製造例4)によっ
て代えた(ベンズアルデヒドの沸点:181℃;現像液
中での溶解度411/l )。例1からの現像液を用い
て現像した後の支持材料に対して解像力およびレジスト
端の角度に関連する結果は、例1からのものと比較可能
であった。
例3
塗布液を例1に相当する方法で得た。例1に記載された
アセタールをテレフタルジアルデしトチトラキス−(n
−ブチルオキシエトキシエチル)アセタール(1!l造
例5)によって代えた(テレ7タルジアルデヒドの沸点
=245℃;現像液中での#解度:21/l)。レジス
トを製造した後、このレジストを例1の場合と同様の現
像液を使用することによ#)現像したが、差は全く生じ
なかった。
アセタールをテレフタルジアルデしトチトラキス−(n
−ブチルオキシエトキシエチル)アセタール(1!l造
例5)によって代えた(テレ7タルジアルデヒドの沸点
=245℃;現像液中での#解度:21/l)。レジス
トを製造した後、このレジストを例1の場合と同様の現
像液を使用することによ#)現像したが、差は全く生じ
なかった。
生じたデータに対する保持時間(照射と現像との間の時
間)の影響を同じ方法で得られた付加的なシリコンクエ
ファーについて研究した。
間)の影響を同じ方法で得られた付加的なシリコンクエ
ファーについて研究した。
しかし、1.4〜12時間の保持時間で結果の差は、全
く測定するこ逅かできなかった。
く測定するこ逅かできなかった。
例1で使用されたアセタールをとにかく例1の場合に完
全に相当する這布液中のヘキサナールゾプトキシエチル
アセタールによって代えた(ヘキサナールの沸点:15
6℃、現像液中でのアルデヒドの舒解度: < 0.1
1/l)。現像時間は、照射してから5分後に60秒間
であったが、2時間の保持時間の場合には、既に90秒
間が必要とされた。この試料のパターン解像力は、例1
の場合よりも明らかに劣悪であった。
全に相当する這布液中のヘキサナールゾプトキシエチル
アセタールによって代えた(ヘキサナールの沸点:15
6℃、現像液中でのアルデヒドの舒解度: < 0.1
1/l)。現像時間は、照射してから5分後に60秒間
であったが、2時間の保持時間の場合には、既に90秒
間が必要とされた。この試料のパターン解像力は、例1
の場合よりも明らかに劣悪であった。
例5
軟化範囲105〜12℃を有するクレゾール−ホルムア
ルデヒドツメラック 11 pw。
ルデヒドツメラック 11 pw。
臭素含t50重黛Sを有する臭素化ポリ(p−ヒドロキ
シ)スチレン 11pw、およびプロピレングリコ
ールメチルエーテルアセテート
75pw中のp−エチルベンズアルデヒ
ド−Wズ−(n−ブトキシエトキシエチル)アセタール
(製造例2 ) 5
pwを含有する塗布gを得た。
シ)スチレン 11pw、およびプロピレングリコ
ールメチルエーテルアセテート
75pw中のp−エチルベンズアルデヒ
ド−Wズ−(n−ブトキシエトキシエチル)アセタール
(製造例2 ) 5
pwを含有する塗布gを得た。
この塗布液を例1に相当する方法で塗布し、照射し、か
つ現像した。解像力およびレゾスト端の挙動は、例1の
場合に一致した。
つ現像した。解像力およびレゾスト端の挙動は、例1の
場合に一致した。
例6
ポリ(ピロカテコール−モノメタクリレート)pWs
2−(4−エトキシナフチ−1−イル)−4゜6−ヒユ
ー(トリクロルメチル−8−トリアジン)
0−1 pwおよびブタノ−2−オン
9 J pw中のチオ7エンー2−アルデヒド
ジメトキシエチルアセタール(製造例6、チオフェン−
2−アルデヒドの沸点:197℃) 1 p
vlにき有する塗布液を得た。
ー(トリクロルメチル−8−トリアジン)
0−1 pwおよびブタノ−2−オン
9 J pw中のチオ7エンー2−アルデヒド
ジメトキシエチルアセタール(製造例6、チオフェン−
2−アルデヒドの沸点:197℃) 1 p
vlにき有する塗布液を得た。
この塗布液を自体公知の方法で厚さ0・3mのアルミニ
ウム印刷版支持体上に迩布した。アル2ニウム支持体は
、予め電気化学的に粗面化され、陽極酸化され、かつポ
リビニルホスホン酸を使用することにより栽水性にされ
た。層を乾燥した後、1.6.@/m”の層東itを得
た。
ウム印刷版支持体上に迩布した。アル2ニウム支持体は
、予め電気化学的に粗面化され、陽極酸化され、かつポ
リビニルホスホン酸を使用することにより栽水性にされ
た。層を乾燥した後、1.6.@/m”の層東itを得
た。
前記方法で得られたオフセット印刷版を複写マスクで檀
い、かつ110cmの距m1をもって高圧水嫡灯(5k
W)からの放射線で20秒間照射した。この版を例1か
らの現像液を便用することにより現像した。オフセット
印刷機中で i ooooo枚の欠陥のない印刷物を生じる高いsi
7!力のポジ型印刷版が得られた。
い、かつ110cmの距m1をもって高圧水嫡灯(5k
W)からの放射線で20秒間照射した。この版を例1か
らの現像液を便用することにより現像した。オフセット
印刷機中で i ooooo枚の欠陥のない印刷物を生じる高いsi
7!力のポジ型印刷版が得られた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、化学線の作用下で酸を形成させる化合物および酸で
解離可能な化合物を含有するポジ型感放射線性混合物に
おいて、酸で解離可能な化合物が単量体でありかつアセ
タール基を有し、このアセタール基のアルデヒド成分ま
たはケトン成分が0.1〜100g/lの現像液溶解度
および150℃よりも高い沸点を有することを特徴とす
る、ポジ型感放射線性混合物。 2、単量体アセタールがモノアセタールである、請求項
1記載の感放射線性混合物。 3、混合物が水に不溶性であるが、アルカリ水溶液には
可溶性である結合剤を含有する、請求項1または2に記
載の感放射性混合物。 4、本質的に支持体および感放射線性層を有するポジ型
感放線射性記録材料において、請求項1から3までのい
ずれか1項に記載された感放射線性混合物を使用するこ
とを特徴とする、ポジ型感放射線性記録材料。 5、ポジ型感放射線性記録材料を製造する方法において
、請求項1から3までのいずれか1項に記載の感放射線
性混合物を場合によっては付着促進剤が塗布されている
支持体に塗布し、材料を乾燥しかつその後に画像に応じ
て化学線で露光し、その後にアルカリ現像水溶液を使用
して現像することにより画像を露出させることを特徴と
する、ポジ型感放射線性記録材料の製造法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19873730785 DE3730785A1 (de) | 1987-09-13 | 1987-09-13 | Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial |
DE3730785.1 | 1987-09-13 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01106040A true JPH01106040A (ja) | 1989-04-24 |
JP2683055B2 JP2683055B2 (ja) | 1997-11-26 |
Family
ID=6335942
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63227655A Expired - Fee Related JP2683055B2 (ja) | 1987-09-13 | 1988-09-13 | ポジ型感放射線性混合物、ポジ型感放射線性記録材料および該記録材料の製造法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5037721A (ja) |
EP (1) | EP0312751B1 (ja) |
JP (1) | JP2683055B2 (ja) |
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