JPH01103945A - 自己支持体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
発明の利用分野
本発明は一般に自己支持体を製造する新規な方法及びそ
れによって製造される新規な生成物に係る。より詳細に
は本発明は、溶融親金属を炭化ホウ素及び場合によって
1又はそれ以上の不活性充填材を含む床材又は椀体に反
応溶浸させることによって、1又はそれ以上のホウ素含
有化合物、例えばホウ化物又はホウ化物及び炭化物を含
む自己支持体を製造する方法に係る。
れによって製造される新規な生成物に係る。より詳細に
は本発明は、溶融親金属を炭化ホウ素及び場合によって
1又はそれ以上の不活性充填材を含む床材又は椀体に反
応溶浸させることによって、1又はそれ以上のホウ素含
有化合物、例えばホウ化物又はホウ化物及び炭化物を含
む自己支持体を製造する方法に係る。
発明の背景技術
近年、かつて金属が使われてきた構造的使用に代ってセ
ラミックスが使用されることについて関心が高まってき
た。かかる関心の要因は成る種の性質例えば耐腐蝕性、
硬さ、耐摩耗性、弾性係数及び耐熱性について、セラミ
ックスが金属に比べて優れているという点にある。
ラミックスが使用されることについて関心が高まってき
た。かかる関心の要因は成る種の性質例えば耐腐蝕性、
硬さ、耐摩耗性、弾性係数及び耐熱性について、セラミ
ックスが金属に比べて優れているという点にある。
しかしながらかかる目的に対してセラミックスの使用が
制限される主な原因は、所定のセラミックス構造体を製
造するためのフィジビイリティ及び費用である。例えば
ホットプレス、反応焼結及び反応ホットプレスによって
セラミックスホウ化物体を製造する方法が知られている
。ホットプレス法の場合、所定のホウ化物の微細な粉状
物が高温高圧で成形される。反応ホットプレス法には例
えば高温高圧でホウ素又は金属ホウ化物を適切な金属含
有粉状物と共に成形することが含まれる。
制限される主な原因は、所定のセラミックス構造体を製
造するためのフィジビイリティ及び費用である。例えば
ホットプレス、反応焼結及び反応ホットプレスによって
セラミックスホウ化物体を製造する方法が知られている
。ホットプレス法の場合、所定のホウ化物の微細な粉状
物が高温高圧で成形される。反応ホットプレス法には例
えば高温高圧でホウ素又は金属ホウ化物を適切な金属含
有粉状物と共に成形することが含まれる。
クローティ(clougherty)に付与された米国
特許第3,937.619号には粉状金属と粉状ニホウ
化物の混合体をホットプレスすることによってホウ化物
の物体を製造する方法が記述されており、プラン(Br
un)に付与された米国特許第4,512.946号に
はホウ素含有セラミック粉状物と金属水素化物をホット
プレスしてホウ化物複合材料を形成する方法が記述され
ている。
特許第3,937.619号には粉状金属と粉状ニホウ
化物の混合体をホットプレスすることによってホウ化物
の物体を製造する方法が記述されており、プラン(Br
un)に付与された米国特許第4,512.946号に
はホウ素含有セラミック粉状物と金属水素化物をホット
プレスしてホウ化物複合材料を形成する方法が記述され
ている。
しかしながらかかるホットプレス法は特別な操作と高価
な特別な装置が必要であり、しかも製造されるセラミッ
ク部品の大きさと形状に対して制限があり、従ってかか
る方法には典型的には低い製造性と高い製造コストが含
まれる。
な特別な装置が必要であり、しかも製造されるセラミッ
ク部品の大きさと形状に対して制限があり、従ってかか
る方法には典型的には低い製造性と高い製造コストが含
まれる。
構造物としてセラミックを使用する場合の第二の主要な
制限は一般的に靭性が欠如することである(例えば耐損
傷性又は耐破壊性)。かかる特性のために過度でない引
張り応力を含むような適用に於いてもセラミックは突然
しかも容易に破滅的な破壊に至ることがある。かかる靭
性の欠如はモノリシックなセラミックホウ化物の物体に
はとりわけ一般的である。
制限は一般的に靭性が欠如することである(例えば耐損
傷性又は耐破壊性)。かかる特性のために過度でない引
張り応力を含むような適用に於いてもセラミックは突然
しかも容易に破滅的な破壊に至ることがある。かかる靭
性の欠如はモノリシックなセラミックホウ化物の物体に
はとりわけ一般的である。
かかる問題を克服するための研究としてセラミックを金
属例えばサーメット又は金属マトリックス複合材料と組
合せて使用する試みがなされてきた。かかる方法の目的
はセラミックスの最良の性質(例えば硬さ及び/又は剛
性)と金属の最良の性質(例えば延性)の組合せを得る
ことである。
属例えばサーメット又は金属マトリックス複合材料と組
合せて使用する試みがなされてきた。かかる方法の目的
はセラミックスの最良の性質(例えば硬さ及び/又は剛
性)と金属の最良の性質(例えば延性)の組合せを得る
ことである。
フレネル他に付与された米国特許第4,585゜618
号にはサーメットを製造する方法が開示されており、そ
れによると粒状反応物であるバルク反応混合物は溶融金
属と接触する間に反応し、かかる反応によって焼結自己
支持セラミック体が製造される。前記溶融金属は生成さ
れたセラミック体の少なくとも一部分に溶浸する。かか
る反応混合物の実施例の一つには、チタン、アルミニウ
ム及びホウ素酸化物(これら全ては粉状体)が含まれ、
溶融アルミニウムの溜りと接触しながら加熱される。か
かる反応混合物は反応によってニホウ化チタン及びアル
ミナをセラミック相として生成し、生成されたセラミッ
ク相は溶融アルミニウムによって溶浸される。か、<シ
てこの方法では、反応混合物内のアルミニウムは基本的
に還元剤として使われる。更に外側の溜りである前記溶
融アルミニウムはホウ化物形成反応のための前駆体金属
源として使われることはないが、生成されるセラミック
構造内の多孔質に充填させるための手段として使われる
。かかる方法によって溶融アルミニウムに対して濡れ性
があり且抵抗性があるサーメットが作出される。かかる
サーメットは、生成された溶融アルミニウムと接触する
がしかし溶融氷晶石とは接触しないままであるのが好ま
しい成分としては、アルミニウム生成物セル内では有用
である。更にこの方法では、炭化ホウ素は使用されない
。
号にはサーメットを製造する方法が開示されており、そ
れによると粒状反応物であるバルク反応混合物は溶融金
属と接触する間に反応し、かかる反応によって焼結自己
支持セラミック体が製造される。前記溶融金属は生成さ
れたセラミック体の少なくとも一部分に溶浸する。かか
る反応混合物の実施例の一つには、チタン、アルミニウ
ム及びホウ素酸化物(これら全ては粉状体)が含まれ、
溶融アルミニウムの溜りと接触しながら加熱される。か
かる反応混合物は反応によってニホウ化チタン及びアル
ミナをセラミック相として生成し、生成されたセラミッ
ク相は溶融アルミニウムによって溶浸される。か、<シ
てこの方法では、反応混合物内のアルミニウムは基本的
に還元剤として使われる。更に外側の溜りである前記溶
融アルミニウムはホウ化物形成反応のための前駆体金属
源として使われることはないが、生成されるセラミック
構造内の多孔質に充填させるための手段として使われる
。かかる方法によって溶融アルミニウムに対して濡れ性
があり且抵抗性があるサーメットが作出される。かかる
サーメットは、生成された溶融アルミニウムと接触する
がしかし溶融氷晶石とは接触しないままであるのが好ま
しい成分としては、アルミニウム生成物セル内では有用
である。更にこの方法では、炭化ホウ素は使用されない
。
リーブ他(Reeve、 et at)による欧州特許
出願第0113249号にはサーメットを製造する方法
が開示されており、かかる方法ではまず溶融金属相内に
そのままの状態(in 51tu)で分散された粒子
のセラミック相を形成しその後かかる溶融状態を十分な
時間維持して相互に成長したセラミック網の形成をする
ことによって製造される。かかるセラミック相の形成は
、チタン塩をアルミニウムのような溶融金属内でホウ素
塩と反応させることによって実施されることが記述され
ている。
出願第0113249号にはサーメットを製造する方法
が開示されており、かかる方法ではまず溶融金属相内に
そのままの状態(in 51tu)で分散された粒子
のセラミック相を形成しその後かかる溶融状態を十分な
時間維持して相互に成長したセラミック網の形成をする
ことによって製造される。かかるセラミック相の形成は
、チタン塩をアルミニウムのような溶融金属内でホウ素
塩と反応させることによって実施されることが記述され
ている。
セラミックホウ化物はそのままの状態で成長しそれによ
って相互に成長した網が形成される。しかしながらこの
場合溶浸は行われず更にホウ化物は溶融金属内の沈澱物
として形成される。かかる出願で記述された二つの実施
例ではTiAl3、AlB2、又はAIBI□の結晶粒
は生成されないが、TiB2が形成されるということが
記述されており、それによってアルミニウムはホウ化物
に対する金属前駆体ではないという!Jf実が示される
。更にこの方法では前駆体金属として炭化ホウ素が使わ
れることについては如何なる暗示もされていない0ガザ
他(Gazza、 at at)に付与された米国特許
第3,864,154号には溶浸法によって製造される
セラミック金属系が開示されている。AlB12成形物
が真空雰囲気下で溶融アルミニウムによって含浸され、
それによってかかる成分系が作出された。製造された他
の物質には、5iB6−A I、 B−A l、 84
C−A I/S i、及びAIB、□−B−AIが含ま
れていた。しかしながら如何なる反応をも暗示されてい
ないし、且溶浸金属との反応を含む複合材料製造法につ
いても或いは不活性充填材に埋込まれた反応生成物又は
複合材料の一部分である反応生成物についても如何なる
暗示もされていない。
って相互に成長した網が形成される。しかしながらこの
場合溶浸は行われず更にホウ化物は溶融金属内の沈澱物
として形成される。かかる出願で記述された二つの実施
例ではTiAl3、AlB2、又はAIBI□の結晶粒
は生成されないが、TiB2が形成されるということが
記述されており、それによってアルミニウムはホウ化物
に対する金属前駆体ではないという!Jf実が示される
。更にこの方法では前駆体金属として炭化ホウ素が使わ
れることについては如何なる暗示もされていない0ガザ
他(Gazza、 at at)に付与された米国特許
第3,864,154号には溶浸法によって製造される
セラミック金属系が開示されている。AlB12成形物
が真空雰囲気下で溶融アルミニウムによって含浸され、
それによってかかる成分系が作出された。製造された他
の物質には、5iB6−A I、 B−A l、 84
C−A I/S i、及びAIB、□−B−AIが含ま
れていた。しかしながら如何なる反応をも暗示されてい
ないし、且溶浸金属との反応を含む複合材料製造法につ
いても或いは不活性充填材に埋込まれた反応生成物又は
複合材料の一部分である反応生成物についても如何なる
暗示もされていない。
ハルバーソン他(l1alverson、 et al
)に付与された米国特許第4,605.440号による
と、B、C−Al複合材料を得るために84C−AI成
形物(84C及びAIの粉状物の均一な混合物をコール
ドプレスすることによって形成された)が轟空中又はア
ルゴン雰囲気内で焼結処理される。
)に付与された米国特許第4,605.440号による
と、B、C−Al複合材料を得るために84C−AI成
形物(84C及びAIの粉状物の均一な混合物をコール
ドプレスすることによって形成された)が轟空中又はア
ルゴン雰囲気内で焼結処理される。
溶融前駆体金属溜り又は椀体からプリフォーム内への溶
融金属の溶浸は記述されていない°。更に反応生成物を
不活性充填材内に埋込みそれによって充填材の好ましい
特性を利用して複合材料を得ることについては如何なる
記述もされていない。
融金属の溶浸は記述されていない°。更に反応生成物を
不活性充填材内に埋込みそれによって充填材の好ましい
特性を利用して複合材料を得ることについては如何なる
記述もされていない。
サーメット物質を製造するためのかかる概念は成る場合
には有望な結果を作出すが、一般にはホウ化物含有物質
を製造するためのより効率的であり且経済的方法に対す
る必要性が存在する。
には有望な結果を作出すが、一般にはホウ化物含有物質
を製造するためのより効率的であり且経済的方法に対す
る必要性が存在する。
発明の概要
本発明によると、自己支持セラミック体が炭化ホウ素の
存在下で親金属の溶浸と反応工程(例えば反応溶浸)を
利用することによって製造される。
存在下で親金属の溶浸と反応工程(例えば反応溶浸)を
利用することによって製造される。
炭化ホウ素の床材又は椀体は溶融親金属によって溶浸さ
れるが、前記床材は全体的に炭化ホウ素から構成される
ことがあり、その結果自己支持体は1又はそれ以上の親
金属ホウ素含有化合物を含むこととなり、前記ホウ素含
有化合物には親金属ホウ化物又は親金属ホウ素炭化物又
はそれらの両者が含まれ、典型的には親金属炭化物が含
まれることがある。選択的ではあるが、溶浸されるべき
前記椀体は炭化ホウ素と混合された1又はそれ以上の不
活性充填材が含まれており、それによって反応溶浸によ
、る複合材料が製造され、かかる複合材料には1又はそ
れ以上のホウ素含有化合物のマトリックスが含まれてお
り、更に親金属炭化物が含まれることがある。何れの実
施例に於ても、最終生成物は親金属の1又はそれ以上の
金属成分である金属を含むことがある。反応物濃度及び
製造条件は変化し且制御されることがあり、それによっ
テ種々の異なる体積パーセントのセラミック化合物、金
属及び/又は空隙率を有する物体が生出される。
れるが、前記床材は全体的に炭化ホウ素から構成される
ことがあり、その結果自己支持体は1又はそれ以上の親
金属ホウ素含有化合物を含むこととなり、前記ホウ素含
有化合物には親金属ホウ化物又は親金属ホウ素炭化物又
はそれらの両者が含まれ、典型的には親金属炭化物が含
まれることがある。選択的ではあるが、溶浸されるべき
前記椀体は炭化ホウ素と混合された1又はそれ以上の不
活性充填材が含まれており、それによって反応溶浸によ
、る複合材料が製造され、かかる複合材料には1又はそ
れ以上のホウ素含有化合物のマトリックスが含まれてお
り、更に親金属炭化物が含まれることがある。何れの実
施例に於ても、最終生成物は親金属の1又はそれ以上の
金属成分である金属を含むことがある。反応物濃度及び
製造条件は変化し且制御されることがあり、それによっ
テ種々の異なる体積パーセントのセラミック化合物、金
属及び/又は空隙率を有する物体が生出される。
一般に本発明による方法では炭化ホウ素を含む椀体が溶
融金属又は溶融金属合金体に隣接して又は接触して配置
され、前記溶融金属又は溶融金属合金は特定の温度範囲
内で実質的に不活性な雰囲気内で溶融される。前記溶融
金属は前記椀体に溶浸し且炭化ホウ素と反応して1又は
2以上の反応生成物を形成する。かかる炭化ホウ素は還
元可能であり、少なくともその一部分は溶融親金属によ
って還元されそれによって親金属ホウ素含有化合物例え
ば親金属ホウ化物及び/又はホウ素化合物が一定の製造
温度条件下で形成される。典型的には親金属炭化物も形
成され、成る場合には親金属炭化ホウ素が形成される。
融金属又は溶融金属合金体に隣接して又は接触して配置
され、前記溶融金属又は溶融金属合金は特定の温度範囲
内で実質的に不活性な雰囲気内で溶融される。前記溶融
金属は前記椀体に溶浸し且炭化ホウ素と反応して1又は
2以上の反応生成物を形成する。かかる炭化ホウ素は還
元可能であり、少なくともその一部分は溶融親金属によ
って還元されそれによって親金属ホウ素含有化合物例え
ば親金属ホウ化物及び/又はホウ素化合物が一定の製造
温度条件下で形成される。典型的には親金属炭化物も形
成され、成る場合には親金属炭化ホウ素が形成される。
反応生成物の少なくとも一部分は前記金属と接触して維
持され、溶融金属は未反応の炭化ホウ素方向に、ウィッ
キング作用又は毛管作用によって引張られ又は移送され
る。
持され、溶融金属は未反応の炭化ホウ素方向に、ウィッ
キング作用又は毛管作用によって引張られ又は移送され
る。
このようにして移送された金属によって更に親金属ホウ
化物、炭化物、及び/又は炭化ホウ素が形成され、それ
によってセラミック体の形成又は成長が継続され、最後
に親金属又は炭化ホウ素が消費尽されあるいは反応温度
が反応温度領域外に変化することによって終了する。こ
のようにして生成された構造物には、1又はそれ以上の
親金属ホウ化物、親金属ホウ素化合物、親金属炭化物、
金属(ここで使われているように合金又は金属間化合物
が含まれることが意図されている)、又は空隙、又はそ
れらの組合せが含まれており、かかる幾つかの相は1又
はそれ以上の次元で相互に結合されていることがあり又
は結合されていないことがある。ホウ素含有化合物(例
えばホウ化物及びホウ素化合物)、炭素含有化合物、及
び金属相の最終的な体積率及び相互結合性の度合は、1
又はそれ以上の条件例えば炭化ホウ素物体の初期の密度
、炭化ホウ素と親金属の相対量、親金属の合金化、炭化
ホウ素の充填材による希釈、温度及び時間等を変化させ
ることによって制御されることができる。典型的には炭
化ホウ素の椀体は少なくとも部分的に多孔性であり、そ
れによって親金属が反応生成物を通過してウィッキング
作用を起こすことが許される。かかるウィッキング作用
は明らかに、反応によって体積変化しても親金属がウィ
ッキング作用をし続けることができる孔を完全に閉鎖す
ることはないという理由によって、又は粒界の少なくと
もその一部分に親金属に対する浸透性を付与する表面エ
ネルギのような要因のために反応生成物が溶融金属に対
して浸透性を維持するという理由によって、起きる。他
の実施例では、複合材料は溶融親金属を1又はそれ以上
の不活性充填材物質と混合された炭化ホウ素の床材内に
移送させることによって製造される。かかる実施例に於
て、炭化ホウ素は適切な充填材物質内に組込まれ、かか
る充填材物質はその後溶融親金属に隣接して又は接触さ
せて配置される。かかる組立体は別の床材上に又はその
内部に支持されることがあり、前記床材は製造条件下で
溶融金属に対して実質的に非濡れ性であり且非反応性で
ある。前記溶融親金属は炭化ホウ素−充填材混合物を溶
浸し且炭化ホウ素と反応して1又はそれ以上のホウ素含
有化合物を形成する。このようにして生成された自己支
持セラミックー金属複合材料は典型的には緻密な微細構
造であり、かかる微細構造は充填材を含んでおり、かか
る充填材はホウ素含有化合物を含むマトリックスによっ
て埋込まれており、更に前記微細構造は炭化物及び金属
を含むことがある。はんの少量の炭化ホウ素が反応溶浸
過程を増進するために要求される。かくして生成された
マトリックスの含有物は、主として金属成分から構成さ
れそれによって親金属の成る特定の特徴を有する性質を
示すことがあり、或いは高濃度の炭化ホウ素が製造中に
使われ、それによって顕著なホウ素含有化合物相が作出
され、かかる化合物相は炭素含有化合物と共にマトリッ
クスの性質を支配する。充填材は複合材料の性質を高め
るために、複合材料の原材料の費用を下げるために、又
はホウ素含有化合物及び/又は炭素含有化合物の生成反
応速度及び付随する熱発生率を抑制するために働くこと
がある。
化物、炭化物、及び/又は炭化ホウ素が形成され、それ
によってセラミック体の形成又は成長が継続され、最後
に親金属又は炭化ホウ素が消費尽されあるいは反応温度
が反応温度領域外に変化することによって終了する。こ
のようにして生成された構造物には、1又はそれ以上の
親金属ホウ化物、親金属ホウ素化合物、親金属炭化物、
金属(ここで使われているように合金又は金属間化合物
が含まれることが意図されている)、又は空隙、又はそ
れらの組合せが含まれており、かかる幾つかの相は1又
はそれ以上の次元で相互に結合されていることがあり又
は結合されていないことがある。ホウ素含有化合物(例
えばホウ化物及びホウ素化合物)、炭素含有化合物、及
び金属相の最終的な体積率及び相互結合性の度合は、1
又はそれ以上の条件例えば炭化ホウ素物体の初期の密度
、炭化ホウ素と親金属の相対量、親金属の合金化、炭化
ホウ素の充填材による希釈、温度及び時間等を変化させ
ることによって制御されることができる。典型的には炭
化ホウ素の椀体は少なくとも部分的に多孔性であり、そ
れによって親金属が反応生成物を通過してウィッキング
作用を起こすことが許される。かかるウィッキング作用
は明らかに、反応によって体積変化しても親金属がウィ
ッキング作用をし続けることができる孔を完全に閉鎖す
ることはないという理由によって、又は粒界の少なくと
もその一部分に親金属に対する浸透性を付与する表面エ
ネルギのような要因のために反応生成物が溶融金属に対
して浸透性を維持するという理由によって、起きる。他
の実施例では、複合材料は溶融親金属を1又はそれ以上
の不活性充填材物質と混合された炭化ホウ素の床材内に
移送させることによって製造される。かかる実施例に於
て、炭化ホウ素は適切な充填材物質内に組込まれ、かか
る充填材物質はその後溶融親金属に隣接して又は接触さ
せて配置される。かかる組立体は別の床材上に又はその
内部に支持されることがあり、前記床材は製造条件下で
溶融金属に対して実質的に非濡れ性であり且非反応性で
ある。前記溶融親金属は炭化ホウ素−充填材混合物を溶
浸し且炭化ホウ素と反応して1又はそれ以上のホウ素含
有化合物を形成する。このようにして生成された自己支
持セラミックー金属複合材料は典型的には緻密な微細構
造であり、かかる微細構造は充填材を含んでおり、かか
る充填材はホウ素含有化合物を含むマトリックスによっ
て埋込まれており、更に前記微細構造は炭化物及び金属
を含むことがある。はんの少量の炭化ホウ素が反応溶浸
過程を増進するために要求される。かくして生成された
マトリックスの含有物は、主として金属成分から構成さ
れそれによって親金属の成る特定の特徴を有する性質を
示すことがあり、或いは高濃度の炭化ホウ素が製造中に
使われ、それによって顕著なホウ素含有化合物相が作出
され、かかる化合物相は炭素含有化合物と共にマトリッ
クスの性質を支配する。充填材は複合材料の性質を高め
るために、複合材料の原材料の費用を下げるために、又
はホウ素含有化合物及び/又は炭素含有化合物の生成反
応速度及び付随する熱発生率を抑制するために働くこと
がある。
更に他の実施例に於ては、溶浸されるべき物質は所定の
最終製品である複合材料の形態と同一のプリフォームに
形作られる。その後溶融親金属によるプリフォームの反
応溶浸によって前記プリフォームの全体の形又はほぼ全
体に近い形を有する複合材料が形成され、それによって
費用がかかる最後の機械加工及び仕上げ作業が最少化さ
れる。
最終製品である複合材料の形態と同一のプリフォームに
形作られる。その後溶融親金属によるプリフォームの反
応溶浸によって前記プリフォームの全体の形又はほぼ全
体に近い形を有する複合材料が形成され、それによって
費用がかかる最後の機械加工及び仕上げ作業が最少化さ
れる。
定義
特許請求の範囲及び発明の詳細な説明で使われる語は以
下で定義される。
下で定義される。
「親金属」は、多結晶酸化反応生成物即ち親金属ホウ化
物又は他の親金属ホウ素化合物に対する前駆体である金
属、例えばジルコニウムのことを言い、更に、純粋な又
は比較的純度の高い金属と、不純物を有しており且/又
はその内部に合金成分を有する市販されている金属と、
及び前記金属前駆体を主要な成分とする合金と、が含ま
れる、従って親金属として特定の金属例えばジルコニウ
ムが言及されているとき、かかる同一の金属は文脈中で
特に指示されていない限りこの定義によって読まれるべ
きである。
物又は他の親金属ホウ素化合物に対する前駆体である金
属、例えばジルコニウムのことを言い、更に、純粋な又
は比較的純度の高い金属と、不純物を有しており且/又
はその内部に合金成分を有する市販されている金属と、
及び前記金属前駆体を主要な成分とする合金と、が含ま
れる、従って親金属として特定の金属例えばジルコニウ
ムが言及されているとき、かかる同一の金属は文脈中で
特に指示されていない限りこの定義によって読まれるべ
きである。
「親金属ホウ化物」及び「親金属ホウ素化合物」は炭化
ホウ素と親金属間の反応によって形成されるホウ素含6
反応生成物を意味し、親金属とホウ素の二元化合物の他
、三元又はそれ以上の化合物が含まれる。
ホウ素と親金属間の反応によって形成されるホウ素含6
反応生成物を意味し、親金属とホウ素の二元化合物の他
、三元又はそれ以上の化合物が含まれる。
「親金属炭化物」は、炭化物と親金属の反応で生成され
た炭素含有反応生成物を意味する。
た炭素含有反応生成物を意味する。
最良の実施例の説明
本発明によると自己支持体は炭化ホウ素による溶融親金
属の反応溶浸によって製造され、それによって炭化ホウ
素による前記親金属の1又はそれ以上の反応生成物を含
む多結晶セラミック含有体が形成され、かかる自己支持
体はまた前記親金属の1又はそれ以上の成分を含むこと
がある。製造条件下では典型的には固体である炭化ホウ
素は微細な粒状物又は粉状物であることが好ましい。製
造の環境又は雰囲気は、製造条件下で比較的不活性又は
非反応性であるように選択される。例えばアルゴン又は
真空が適切な製造雰囲気である。製造された生成物には
1又はそれ以上の(a)親金属ホウ化物、(b)ホウ素
化合物、(c)通常親金属酸化物及び(d)金属、が含
まれる。生成物の組成及び性質は親金属の組成及び反応
条件の選択に依存する。生成された自己支持体はまた多
孔性又は空隙性を示することがある。
属の反応溶浸によって製造され、それによって炭化ホウ
素による前記親金属の1又はそれ以上の反応生成物を含
む多結晶セラミック含有体が形成され、かかる自己支持
体はまた前記親金属の1又はそれ以上の成分を含むこと
がある。製造条件下では典型的には固体である炭化ホウ
素は微細な粒状物又は粉状物であることが好ましい。製
造の環境又は雰囲気は、製造条件下で比較的不活性又は
非反応性であるように選択される。例えばアルゴン又は
真空が適切な製造雰囲気である。製造された生成物には
1又はそれ以上の(a)親金属ホウ化物、(b)ホウ素
化合物、(c)通常親金属酸化物及び(d)金属、が含
まれる。生成物の組成及び性質は親金属の組成及び反応
条件の選択に依存する。生成された自己支持体はまた多
孔性又は空隙性を示することがある。
本発明の好ましい実施例によると、親金属及び炭化ホウ
素の椀体又は床材が互いに隣接して配置され、それによ
って反応溶浸が前記床材方向に向い且その内部まで行わ
れる。前記床材は予め一定の形状を有していることがあ
り、且強化用充填材のような充填材物質を含むことがあ
り、かかる充填材は製造条件下で実質的に不活性である
。反応生成物は前記床材を実質的に乱雑化したり移動さ
せたりすることなしにかかる床材内に成長することがで
きる。かくして床材の配列を損傷し又は乱雑化すること
がある外力は必要とせず、反応生成物を作出すための困
難であり又は高価な高温高圧工程及び設備が必要とされ
ない。好ましくは粒状又は粉状である炭化ホウ素内への
及び炭化ホウ素との親金属の反応溶浸によって、典型的
には親金属ホウ化物及び親金属ホウ素化合物を含む複合
材料が形成される。親金属としてアルミニウムを使用す
る場合には生成物は炭化ホウ素アルミニウム(例えばA
I3 B48C2、A I B12C2、A I B
24C4)から構成されることがあり、更に金属即ちア
ルミニウム及び親金属の他の未反応又は非酸化成分が含
まれることがある。ジルコニウムが親金属である場合、
生成される複合材料はジルコニウムホウ化物及び炭化ジ
ルコニウムから構成される。またかかる複合材料中には
金属ジルコニウムが存在することがある。
素の椀体又は床材が互いに隣接して配置され、それによ
って反応溶浸が前記床材方向に向い且その内部まで行わ
れる。前記床材は予め一定の形状を有していることがあ
り、且強化用充填材のような充填材物質を含むことがあ
り、かかる充填材は製造条件下で実質的に不活性である
。反応生成物は前記床材を実質的に乱雑化したり移動さ
せたりすることなしにかかる床材内に成長することがで
きる。かくして床材の配列を損傷し又は乱雑化すること
がある外力は必要とせず、反応生成物を作出すための困
難であり又は高価な高温高圧工程及び設備が必要とされ
ない。好ましくは粒状又は粉状である炭化ホウ素内への
及び炭化ホウ素との親金属の反応溶浸によって、典型的
には親金属ホウ化物及び親金属ホウ素化合物を含む複合
材料が形成される。親金属としてアルミニウムを使用す
る場合には生成物は炭化ホウ素アルミニウム(例えばA
I3 B48C2、A I B12C2、A I B
24C4)から構成されることがあり、更に金属即ちア
ルミニウム及び親金属の他の未反応又は非酸化成分が含
まれることがある。ジルコニウムが親金属である場合、
生成される複合材料はジルコニウムホウ化物及び炭化ジ
ルコニウムから構成される。またかかる複合材料中には
金属ジルコニウムが存在することがある。
本発明は以下で親金属がジルコニウム又はアルミニウム
である場合の好ましい実施例に関してとりわけ詳細に説
明されるが、それは説明のためにだけに用いられるので
ある。他の親金属としてケイ素、チタン、ハフニウム、
ランタン、鉄、カルシウム、バナジウム、ニオビウム、
マグネシウム及びベリリウムが使われることがあり、か
かる親金属の幾つかの実施例が以下で示される。
である場合の好ましい実施例に関してとりわけ詳細に説
明されるが、それは説明のためにだけに用いられるので
ある。他の親金属としてケイ素、チタン、ハフニウム、
ランタン、鉄、カルシウム、バナジウム、ニオビウム、
マグネシウム及びベリリウムが使われることがあり、か
かる親金属の幾つかの実施例が以下で示される。
第1図について説明すると、前駆体即ちジルコニウムで
ある親金属が、インゴット、ビレット、棒、板等の形態
に形成されている。かかる金属は好ましくは粒子径が約
0.1μ亭から100μmである粒状の炭化ホウ素12
内に少なくとも部分的に埋込まれている。かかる装置又
は組立体は典型的には粒状物である不活性物質14によ
って囲まれており、かかる不活性物質は製造条件下で溶
融金属に対して濡れ性を有さず且かかる溶融金属、 と
反応することはなく、るつぼ16又は他の耐熱性容器内
に収納されている。前記親金属の上端面18は露出され
ることもあるが前記親金属が完全に炭化ホウ素内に埋込
まれ又は囲まれることもあり、更に不活性床材14は取
除かれることがある。
ある親金属が、インゴット、ビレット、棒、板等の形態
に形成されている。かかる金属は好ましくは粒子径が約
0.1μ亭から100μmである粒状の炭化ホウ素12
内に少なくとも部分的に埋込まれている。かかる装置又
は組立体は典型的には粒状物である不活性物質14によ
って囲まれており、かかる不活性物質は製造条件下で溶
融金属に対して濡れ性を有さず且かかる溶融金属、 と
反応することはなく、るつぼ16又は他の耐熱性容器内
に収納されている。前記親金属の上端面18は露出され
ることもあるが前記親金属が完全に炭化ホウ素内に埋込
まれ又は囲まれることもあり、更に不活性床材14は取
除かれることがある。
かかる組立体は炉内に移されそこで好ましくはアルゴン
のような不活性雰囲気内で親金属の融点以上しかし望ま
しくは所定の反応生成物の融点以下の温度まで加熱され
それによって溶融金属の椀体又は溜りが形成される。作
業温度範囲又は好ましい温度はかかる温度領域を越える
ことはないということが理解されるべきである。温度範
囲は親金属の組成及び生成される複合材料の所定の相の
ような要因に依存するであろう。溶融金属は炭化ホウ素
と接触し、親金属ホウ化物(例えばニホウ化ジルコニウ
ム)が反応生成物として形成される。
のような不活性雰囲気内で親金属の融点以上しかし望ま
しくは所定の反応生成物の融点以下の温度まで加熱され
それによって溶融金属の椀体又は溜りが形成される。作
業温度範囲又は好ましい温度はかかる温度領域を越える
ことはないということが理解されるべきである。温度範
囲は親金属の組成及び生成される複合材料の所定の相の
ような要因に依存するであろう。溶融金属は炭化ホウ素
と接触し、親金属ホウ化物(例えばニホウ化ジルコニウ
ム)が反応生成物として形成される。
炭化ホウ素に露出され続けると、残余の溶融金属は前記
反応生成物を通って炭化ホウ素を含有する椀体方向へ且
その内部へ漸進的に引込まれ、それによって前記溶融金
属と炭化ホウ素間の界面で反応生成物が形成され続ける
ことができる。この方法によって製造される生成物は、
親金属の炭化ホウ素との1又はそれ以上の反応生成物か
ら構成されるが、親金属のうち1又はそれ以上の未反応
又は非酸化成分を含むセラミックー金属複合材料が含ま
れることがある。炭化ホウ素の実質的な量が反応しそれ
によって1又はそれ以上の反応生成物が形成されるが、
かかる量は少なくとも約50%であることが好ましく、
最も好ましいのは少なくとも約90%である。かかる製
法によって反応生成物として形成されるセラミッククリ
スタライトは、相互に結合されていることもあり又は相
互に結合されていないこともあるが、三次元的に結合さ
れていることが好ましく、更に生成物内の金属相及び空
隙は通常少なくとも部分的に相互に結合されている。多
孔性は親金属相の部分的な又はほぼ完全な消耗の結果生
ずる傾向がありそれは更に反応生成物が形成されるのに
有利に働く(化学量論的な反応物又は過剰な炭化ホウ素
が存在する場合には)、シかし空隙の体積比率は温度、
時間、親金属の種類、及び炭化ホウ素の椀体の多孔性等
の要因に依存する。
反応生成物を通って炭化ホウ素を含有する椀体方向へ且
その内部へ漸進的に引込まれ、それによって前記溶融金
属と炭化ホウ素間の界面で反応生成物が形成され続ける
ことができる。この方法によって製造される生成物は、
親金属の炭化ホウ素との1又はそれ以上の反応生成物か
ら構成されるが、親金属のうち1又はそれ以上の未反応
又は非酸化成分を含むセラミックー金属複合材料が含ま
れることがある。炭化ホウ素の実質的な量が反応しそれ
によって1又はそれ以上の反応生成物が形成されるが、
かかる量は少なくとも約50%であることが好ましく、
最も好ましいのは少なくとも約90%である。かかる製
法によって反応生成物として形成されるセラミッククリ
スタライトは、相互に結合されていることもあり又は相
互に結合されていないこともあるが、三次元的に結合さ
れていることが好ましく、更に生成物内の金属相及び空
隙は通常少なくとも部分的に相互に結合されている。多
孔性は親金属相の部分的な又はほぼ完全な消耗の結果生
ずる傾向がありそれは更に反応生成物が形成されるのに
有利に働く(化学量論的な反応物又は過剰な炭化ホウ素
が存在する場合には)、シかし空隙の体積比率は温度、
時間、親金属の種類、及び炭化ホウ素の椀体の多孔性等
の要因に依存する。
親金属としてジルコニウム、チタン及びハフニウムを使
用する本発明によって製造された生成物は、小板類似構
造によって特徴付けられる親金属ホウ化物が形成される
ことが観察された。かかる小板は第3図、第4図及び第
5図に示されるように、典型的には非同軸的であり又は
ランダム方向に配向している。かかる小板類似構造及び
金属相は、クラック変位機構及び/又はクラック引張り
機構によって、12MPa■−又はそれ以上の値である
かかる複合材料の異常に高い破壊強さを少なくとも大部
分説明しているように見える。
用する本発明によって製造された生成物は、小板類似構
造によって特徴付けられる親金属ホウ化物が形成される
ことが観察された。かかる小板は第3図、第4図及び第
5図に示されるように、典型的には非同軸的であり又は
ランダム方向に配向している。かかる小板類似構造及び
金属相は、クラック変位機構及び/又はクラック引張り
機構によって、12MPa■−又はそれ以上の値である
かかる複合材料の異常に高い破壊強さを少なくとも大部
分説明しているように見える。
本発明の他の観点によると、複合材料体を含む自己支持
体が提供され、前記複合材料体には反応生成物のマトリ
ックス及び場合によって金属成分が含まれており、それ
らは実質的に不活性な充填材に埋込まれている。かかる
マトリクラスは、炭化ホウ素と十分に混合された充填材
の床材又は椀体内に親金属が反応溶浸することによって
形成される。かかる充填材物質は如何なる大きさ又は形
状であって(よく、反応生成物の成長方向が前記充填材
方向を向いており、且前記充填材を実質的に乱雑化させ
ることなく又は変形させることなくかかる充填材の少な
くとも一部分を引き込む限り前記親金属に対して如何な
る態様で配置されてもかまわない。充填材は適切な物質
例えばセラミック及び/又は金属繊維、ウィスカ、粒状
物、粉状物、棒、ワイヤ、ワイヤクロス、耐熱性布、板
、小板、網状発泡構造体、固形物又は中空球等から構成
され又は含まれることがある。とりわけ有用な充填材は
アルミナであるが、他の酸化物及びセラミック充填材も
出発物質及び所定の最終特性によって使われることがあ
る。充填材物質は緩やかな配列又は結合された配列であ
ることがあり、かかる配列は空隙、開口部、介在空間、
等を有して鉛りそれによって前記充填材物質は溶融親金
属の溶浸に対する浸透性が付与される。更にかかる充填
材物質は均一的であることもあり又は非均−的であるこ
ともある。必要な場合にはかかる物質は適切な結合材(
例えばFMCCo、から入手されるAvtail PI
I 105 )によって結合されることがあり、かかる
結合材は本発明の反応を妨害することなく又は最終の複
合材料生成物内に望ましくない残留副産物を形成するこ
とがない。製造中に炭化ホウ素と又は溶融金属と過度に
反応する傾向があるような充填材は被覆されることがあ
り、それによって前記充填材は製造雰囲気に対して不活
性化される。例えば親金属としてアルミニウムと組合せ
て充填材として炭素繊維が使われる場合、かかる炭素繊
維は溶融アルミニウムと反応する傾向があるが、その反
応は前記炭素繊維が最初に例えばアルミナで被覆される
場合には避けられ得ることができる。
体が提供され、前記複合材料体には反応生成物のマトリ
ックス及び場合によって金属成分が含まれており、それ
らは実質的に不活性な充填材に埋込まれている。かかる
マトリクラスは、炭化ホウ素と十分に混合された充填材
の床材又は椀体内に親金属が反応溶浸することによって
形成される。かかる充填材物質は如何なる大きさ又は形
状であって(よく、反応生成物の成長方向が前記充填材
方向を向いており、且前記充填材を実質的に乱雑化させ
ることなく又は変形させることなくかかる充填材の少な
くとも一部分を引き込む限り前記親金属に対して如何な
る態様で配置されてもかまわない。充填材は適切な物質
例えばセラミック及び/又は金属繊維、ウィスカ、粒状
物、粉状物、棒、ワイヤ、ワイヤクロス、耐熱性布、板
、小板、網状発泡構造体、固形物又は中空球等から構成
され又は含まれることがある。とりわけ有用な充填材は
アルミナであるが、他の酸化物及びセラミック充填材も
出発物質及び所定の最終特性によって使われることがあ
る。充填材物質は緩やかな配列又は結合された配列であ
ることがあり、かかる配列は空隙、開口部、介在空間、
等を有して鉛りそれによって前記充填材物質は溶融親金
属の溶浸に対する浸透性が付与される。更にかかる充填
材物質は均一的であることもあり又は非均−的であるこ
ともある。必要な場合にはかかる物質は適切な結合材(
例えばFMCCo、から入手されるAvtail PI
I 105 )によって結合されることがあり、かかる
結合材は本発明の反応を妨害することなく又は最終の複
合材料生成物内に望ましくない残留副産物を形成するこ
とがない。製造中に炭化ホウ素と又は溶融金属と過度に
反応する傾向があるような充填材は被覆されることがあ
り、それによって前記充填材は製造雰囲気に対して不活
性化される。例えば親金属としてアルミニウムと組合せ
て充填材として炭素繊維が使われる場合、かかる炭素繊
維は溶融アルミニウムと反応する傾向があるが、その反
応は前記炭素繊維が最初に例えばアルミナで被覆される
場合には避けられ得ることができる。
適切な耐熱性容器によって親金属と炭化ホウ素が混合さ
れた充填材の床材又は椀体が保持されており、前記親金
属及び充填材の床材は親金属が前記充填材床材内に反応
溶浸することが許され且それによって複合材料が適切に
成長することが許されるように配置されており、かかる
耐熱性容器は炉内に入れられ、かかる容器は親金属の融
点以上の温度にまで加熱される。かかる高温に於て溶融
親金属はウィッキング作用により浸透性充填材に溶浸し
、炭化ホウ素と反応し、それによって所定のセラミック
又はセラミックー金属複合材料体を形成する。
れた充填材の床材又は椀体が保持されており、前記親金
属及び充填材の床材は親金属が前記充填材床材内に反応
溶浸することが許され且それによって複合材料が適切に
成長することが許されるように配置されており、かかる
耐熱性容器は炉内に入れられ、かかる容器は親金属の融
点以上の温度にまで加熱される。かかる高温に於て溶融
親金属はウィッキング作用により浸透性充填材に溶浸し
、炭化ホウ素と反応し、それによって所定のセラミック
又はセラミックー金属複合材料体を形成する。
本発明を実施することによって作られる複合材料が第2
図に図示されている。炭化ホウ素は所定の不活性充填材
物質と共に、最終製品である複合材料の所定形状と同一
の形を有するプリフォームに製造される。かかるプリフ
ォーム20は親金属前駆体10によって積重ねられかか
る組立体はるつぼ16内に含まれる不活性物質14によ
って囲まれる。親金属の上端面18は露出されることも
あるが露出されないこともある。プリフォーム20は広
い範囲に亙る通常のセラミック体を形成する方法(例え
ば−軸プレス法、静水圧プレス法、スリップキャスティ
ング法、沈澱鋳造法、テープ鋳造法、射出成形法、繊維
状物質をフィラメント巻回する方法他)によって準備さ
れることがあり、前記方法は充填材の特性に依存する。
図に図示されている。炭化ホウ素は所定の不活性充填材
物質と共に、最終製品である複合材料の所定形状と同一
の形を有するプリフォームに製造される。かかるプリフ
ォーム20は親金属前駆体10によって積重ねられかか
る組立体はるつぼ16内に含まれる不活性物質14によ
って囲まれる。親金属の上端面18は露出されることも
あるが露出されないこともある。プリフォーム20は広
い範囲に亙る通常のセラミック体を形成する方法(例え
ば−軸プレス法、静水圧プレス法、スリップキャスティ
ング法、沈澱鋳造法、テープ鋳造法、射出成形法、繊維
状物質をフィラメント巻回する方法他)によって準備さ
れることがあり、前記方法は充填材の特性に依存する。
反応溶浸に先立って、充填材の粒子、ウィスカ、繊維等
の初期結合が、軽い焼結法又は様々な有機物又は無機物
結合材物質を使うことによってなされ・ることがあり、
前記結合材は反応工程を妨害することなく又は最終物質
に対する望ましくない副産物を生出すことがない。プリ
フォーム20は十分な形状−体性及び圧粉強さを有する
ように製造され、溶融金属の移動に対して浸透性を有す
るべきであり、望ましくは体積で約5及び90%間の空
隙率を有しており、より好ましくは体積で約25及び7
5%間の空隙率を有する。親金属がアルミニウムである
場合は、適切な充填材物質には例えば炭化ケイ索、ニホ
ウ化チタン、アルミナ及びアルミニウムドデカ−ポライ
ド(他の物質の中で)が含まれ、粒状物として典型的に
は約14〜1000のメツシュ径を有するが、如何なる
充填材物質の混合物もメツシュ径も使われることがある
。かかるプリフォーム20は溶融親金属と1又はそれ以
上の面で十分な時間接触し、それによってプリフォーム
の境界面に対するマトリックスの溶浸が完全化される。
の初期結合が、軽い焼結法又は様々な有機物又は無機物
結合材物質を使うことによってなされ・ることがあり、
前記結合材は反応工程を妨害することなく又は最終物質
に対する望ましくない副産物を生出すことがない。プリ
フォーム20は十分な形状−体性及び圧粉強さを有する
ように製造され、溶融金属の移動に対して浸透性を有す
るべきであり、望ましくは体積で約5及び90%間の空
隙率を有しており、より好ましくは体積で約25及び7
5%間の空隙率を有する。親金属がアルミニウムである
場合は、適切な充填材物質には例えば炭化ケイ索、ニホ
ウ化チタン、アルミナ及びアルミニウムドデカ−ポライ
ド(他の物質の中で)が含まれ、粒状物として典型的に
は約14〜1000のメツシュ径を有するが、如何なる
充填材物質の混合物もメツシュ径も使われることがある
。かかるプリフォーム20は溶融親金属と1又はそれ以
上の面で十分な時間接触し、それによってプリフォーム
の境界面に対するマトリックスの溶浸が完全化される。
かかるプリフォーム法の結果としてセラミックー金属複
合材料体が形成され、かかる複合材料体は最終製品で必
要な形を忠実に又は正確に表わす形状を有しており、か
くして費用のかかる仕上げ機械加工又は研削作業が最少
化され又は除去されることができる。
合材料体が形成され、かかる複合材料体は最終製品で必
要な形を忠実に又は正確に表わす形状を有しており、か
くして費用のかかる仕上げ機械加工又は研削作業が最少
化され又は除去されることができる。
親金属による浸透性充填材への溶浸は、充填材中に炭化
ホウ素が存在することによって増進されることが発見さ
れた。少量のホウ素源であっても、効果的であることが
示された、しかしその最少量は炭化ホウ素の種類及び粒
径、親金属の種類、充填材の種類、及び製造条件のよう
な多くの要因に依存することがある。かくして様々な範
囲の濃度の炭化ホウ素が充填材に供されることができる
が、炭化ホウ素の濃度が低ければ低いほどマトリックス
内の金属の体積比率が高くなる。極めて少量の炭化ホウ
素例えば炭化ホウ素と充填材の合計重量に対して1乃至
3重量%の炭化ホウ素が使われる場合、生成されるマト
リックスは相互に結合された金属であり且かかる金属内
に分散された一定限度の量の親金属ホウ化物及び親金属
炭化物である。
ホウ素が存在することによって増進されることが発見さ
れた。少量のホウ素源であっても、効果的であることが
示された、しかしその最少量は炭化ホウ素の種類及び粒
径、親金属の種類、充填材の種類、及び製造条件のよう
な多くの要因に依存することがある。かくして様々な範
囲の濃度の炭化ホウ素が充填材に供されることができる
が、炭化ホウ素の濃度が低ければ低いほどマトリックス
内の金属の体積比率が高くなる。極めて少量の炭化ホウ
素例えば炭化ホウ素と充填材の合計重量に対して1乃至
3重量%の炭化ホウ素が使われる場合、生成されるマト
リックスは相互に結合された金属であり且かかる金属内
に分散された一定限度の量の親金属ホウ化物及び親金属
炭化物である。
炭化ホウ素が存在しない場合、充填材の反応溶浸は起き
ることがなく、溶浸は例えば外部圧力を適用して前記金
属を前記充填材内へ押込むような特別な工程なしには不
可能であることがある。
ることがなく、溶浸は例えば外部圧力を適用して前記金
属を前記充填材内へ押込むような特別な工程なしには不
可能であることがある。
本発明の製法では充填材内の炭化ホウ素の広い範囲の濃
度が使用されることができるから、炭化ホウ素の濃度及
び/又は床材の組成を変化させることによって完成され
た生成物の性質を制御し又は変化させることが可能であ
る。炭化ホウ素が親金属量に対してほんの僅かな量しか
存在しないとき例えば前記椀体が低密度の炭化ホウ素か
ら構成されるようなとき、複合材料体又はマトリックス
の性質即ち典型的には脆性及び強度は親金属の性質によ
って支配される、というのはかかるマトリックスは金属
が支配的だからである。このような生成物は低又は中領
域の温度が適応されることが好ましいことがある。多量
の炭化ホウ素が使われるとき、例えば炭化ホウ素粒状物
を有する1又はそれ以上の化合物が充填材物質層りに密
に詰込まれ又は充填材組成物間の空間を高い割合で占め
るとき、生成された物体又はマトリックスの性質は親金
属ホウ化物及び存在する場合には親金属炭化物によって
支配される傾向がある、即ち前記椀体又はマトリックス
はより硬く又はより低い脆性又は低い靭性を有する。も
し化学量論的に正確に制御されて親金属が実質的に完全
に変換されると、生成された製品は殆ど又は全く金属を
含むことがなく、従ってかかる生成物に高い温度を適用
する場合に好都合である。親金属を実質的に完全に変換
することはとりわけ成る種の高温を適用する場合には重
要である、というのはホウ化物反応生成物は炭化ホウ素
よりもより安定性がある、というのは炭化ホウ素は生成
物中に存在する残留金属又は非酸化金属例えばアルミニ
ウムと反応する傾向があるからである。望ましい場合に
は単体炭素が、炭化ホウ素及び充填材を含む炭化ホウ素
床材又はプリフォームと共に混合されることがある。か
かる過剰な炭素は典型的には全床材のうち約5乃至10
重二%の範囲の値を変化し、かかる炭素は親金属と反応
しそれによって親金属の実質的に完全な反応が確保され
る。かかる金属と炭素の反応は使われる炭素の相対量、
形態例えばカーボンブラックであるか又はグラファイト
であるか、及び結晶度に依存する。これら最後の特性の
中からの選択はこれらの生成物に対する様々な潜在的な
適用の必要性に合致するために望ましいことがある。
度が使用されることができるから、炭化ホウ素の濃度及
び/又は床材の組成を変化させることによって完成され
た生成物の性質を制御し又は変化させることが可能であ
る。炭化ホウ素が親金属量に対してほんの僅かな量しか
存在しないとき例えば前記椀体が低密度の炭化ホウ素か
ら構成されるようなとき、複合材料体又はマトリックス
の性質即ち典型的には脆性及び強度は親金属の性質によ
って支配される、というのはかかるマトリックスは金属
が支配的だからである。このような生成物は低又は中領
域の温度が適応されることが好ましいことがある。多量
の炭化ホウ素が使われるとき、例えば炭化ホウ素粒状物
を有する1又はそれ以上の化合物が充填材物質層りに密
に詰込まれ又は充填材組成物間の空間を高い割合で占め
るとき、生成された物体又はマトリックスの性質は親金
属ホウ化物及び存在する場合には親金属炭化物によって
支配される傾向がある、即ち前記椀体又はマトリックス
はより硬く又はより低い脆性又は低い靭性を有する。も
し化学量論的に正確に制御されて親金属が実質的に完全
に変換されると、生成された製品は殆ど又は全く金属を
含むことがなく、従ってかかる生成物に高い温度を適用
する場合に好都合である。親金属を実質的に完全に変換
することはとりわけ成る種の高温を適用する場合には重
要である、というのはホウ化物反応生成物は炭化ホウ素
よりもより安定性がある、というのは炭化ホウ素は生成
物中に存在する残留金属又は非酸化金属例えばアルミニ
ウムと反応する傾向があるからである。望ましい場合に
は単体炭素が、炭化ホウ素及び充填材を含む炭化ホウ素
床材又はプリフォームと共に混合されることがある。か
かる過剰な炭素は典型的には全床材のうち約5乃至10
重二%の範囲の値を変化し、かかる炭素は親金属と反応
しそれによって親金属の実質的に完全な反応が確保され
る。かかる金属と炭素の反応は使われる炭素の相対量、
形態例えばカーボンブラックであるか又はグラファイト
であるか、及び結晶度に依存する。これら最後の特性の
中からの選択はこれらの生成物に対する様々な潜在的な
適用の必要性に合致するために望ましいことがある。
更にホウ素単体が炭化ホウ素床材(充填材を有する床材
も含まれる)と混合されそれによってとりわけ親金属と
してアルミニウムが使われる場合に反応溶浸が促進され
る。かかる混合によって全ホウ素に対する床材の費用が
減少され、かかる混合物の結果としてホウ化アルミニウ
ムに匹敵し得る成る種の特性を有する炭化ホウ素アルミ
ニウムのような炭化ホウ素を含む生成物が形成されるこ
ととなり、更に水分の存在下で不安定であり従って生成
物の構造的特性が劣化されることとなる炭化アルミニウ
ムの形成が防止される。かかる混合物内で親金属はホウ
素単体と反応しそれによって選択的に金属ホウ化物を形
成するが、ホウ素化合物もまた同様に形成される。
も含まれる)と混合されそれによってとりわけ親金属と
してアルミニウムが使われる場合に反応溶浸が促進され
る。かかる混合によって全ホウ素に対する床材の費用が
減少され、かかる混合物の結果としてホウ化アルミニウ
ムに匹敵し得る成る種の特性を有する炭化ホウ素アルミ
ニウムのような炭化ホウ素を含む生成物が形成されるこ
ととなり、更に水分の存在下で不安定であり従って生成
物の構造的特性が劣化されることとなる炭化アルミニウ
ムの形成が防止される。かかる混合物内で親金属はホウ
素単体と反応しそれによって選択的に金属ホウ化物を形
成するが、ホウ素化合物もまた同様に形成される。
かかる複合材料の特徴及び性質に於ける変化は溶浸条件
を制御することによって作出されることができる。操作
されることが可能な変数には、炭化ホウ素物質の粒子の
性質及び粒径、及び溶浸の温度及び時間が含まれる。例
えば炭化ホウ素が大きな粒子であり且低温で且露出時間
が最少であるような反応溶浸では、炭化ホウ素の親金属
ホウ素及び親金属炭素化合物への変化は部分的に、しか
行われない。その結果未反応炭化ホウ素物質は微細構造
のままで存在するが、かかる構造は成る種の目的のため
に完成された物質に対して望ましい性質を付与すること
がある。炭化ホウ素粒状物によって且高温で且長い時間
露出されることによって(恐らく溶浸が完了した後にも
高温で保持される)なされる溶浸は、親金属を親金属ホ
ウ化物及び1又はそれ以上の炭素化合物に実質的に完全
に変化させるのに好ましい傾向がある。炭化ホウ素の親
金属ホウ化物、親金属ホウ素化合物及び親金属炭化物に
対する変化は少なくとも50%であることが好ましく、
より好ましくは少なくとも90%である。高温での溶浸
(或いはその後の高温熱処理)によっても、焼結法によ
って製造された複合材料成分の一部は緻密化されること
となる。更に既に記述されたように、1又はそれ以上の
ホウ素及び炭素化合物を形成し且かかる物質内に生成さ
れる空隙を充填するに必要な量以下の、利用可能な親金
属を還元することによって、有用な利用が可能である多
孔性物体が形成されることがある。このような複合材料
内では、空隙率は約1〜25体積%まで変化することが
あり、成る場合にはそれ以上となることがあり、その値
は幾つかの要因又は上で列記さ−れた条件に依存する。
を制御することによって作出されることができる。操作
されることが可能な変数には、炭化ホウ素物質の粒子の
性質及び粒径、及び溶浸の温度及び時間が含まれる。例
えば炭化ホウ素が大きな粒子であり且低温で且露出時間
が最少であるような反応溶浸では、炭化ホウ素の親金属
ホウ素及び親金属炭素化合物への変化は部分的に、しか
行われない。その結果未反応炭化ホウ素物質は微細構造
のままで存在するが、かかる構造は成る種の目的のため
に完成された物質に対して望ましい性質を付与すること
がある。炭化ホウ素粒状物によって且高温で且長い時間
露出されることによって(恐らく溶浸が完了した後にも
高温で保持される)なされる溶浸は、親金属を親金属ホ
ウ化物及び1又はそれ以上の炭素化合物に実質的に完全
に変化させるのに好ましい傾向がある。炭化ホウ素の親
金属ホウ化物、親金属ホウ素化合物及び親金属炭化物に
対する変化は少なくとも50%であることが好ましく、
より好ましくは少なくとも90%である。高温での溶浸
(或いはその後の高温熱処理)によっても、焼結法によ
って製造された複合材料成分の一部は緻密化されること
となる。更に既に記述されたように、1又はそれ以上の
ホウ素及び炭素化合物を形成し且かかる物質内に生成さ
れる空隙を充填するに必要な量以下の、利用可能な親金
属を還元することによって、有用な利用が可能である多
孔性物体が形成されることがある。このような複合材料
内では、空隙率は約1〜25体積%まで変化することが
あり、成る場合にはそれ以上となることがあり、その値
は幾つかの要因又は上で列記さ−れた条件に依存する。
以下の実施例ではかかる新規な反応生成物及びこれら反
応生成物が提供された方法が説明されている、しかしこ
れらの実施例は説明のためにのみあり本発明の特許請求
の範囲を制限するためにあるのではない。これらの実施
例で準備された試験片の性質を測定するための試験方法
は以下のようである。
応生成物が提供された方法が説明されている、しかしこ
れらの実施例は説明のためにのみあり本発明の特許請求
の範囲を制限するためにあるのではない。これらの実施
例で準備された試験片の性質を測定するための試験方法
は以下のようである。
室温で四点曲げ試験が、Model 1123 1ns
trOn試験機を使って米軍MIL−STD−1942
(MR)で概略記述されている方法により実施された。
trOn試験機を使って米軍MIL−STD−1942
(MR)で概略記述されている方法により実施された。
試験片は寸法が3X4X50mffiの棒であった。そ
の引張り面は500グリツドのダイヤモンド砥石を使っ
て研磨された面であり、角は面取りされて切粉及び他の
欠陥が除去された。鋼製曲げ取付具は20mmの内側ス
パンと40mmの外側スパンを有する。曲げ強さは最大
の破壊加重と試験片及び取付具の寸法から弾性梁の方程
式を使って計算された。
の引張り面は500グリツドのダイヤモンド砥石を使っ
て研磨された面であり、角は面取りされて切粉及び他の
欠陥が除去された。鋼製曲げ取付具は20mmの内側ス
パンと40mmの外側スパンを有する。曲げ強さは最大
の破壊加重と試験片及び取付具の寸法から弾性梁の方程
式を使って計算された。
破壊強さは5X4X50mmの寸法を有する曲げ棒の試
験によって測定された。0.3■幅のダイヤモンド刃に
よって60’の内角を有するシェブロンノツチが試験片
の中間に機械加工された。その後四点シェブロンノツチ
曲げ試験が、曲げ強さについて記述されたのと同一方法
で実施された。
験によって測定された。0.3■幅のダイヤモンド刃に
よって60’の内角を有するシェブロンノツチが試験片
の中間に機械加工された。その後四点シェブロンノツチ
曲げ試験が、曲げ強さについて記述されたのと同一方法
で実施された。
密度は長方形ブロックの重さと寸法を測定することによ
って計算された。
って計算された。
弾性係数はASTM C623−71に記載されてい
る方法による音波共鳴技術を使って測定された。かかる
試料は寸法が約5X4X45+gmであると測定され、
それら全ては一連のダイヤモンド切削及び研磨作業によ
って機械加工された。6棒は三つの振動モードで別個に
刺激された、即ち捩りモード、511幅に対して直角方
向の曲げモード、及び411II幅に対して直角方向の
曲げモードである。
る方法による音波共鳴技術を使って測定された。かかる
試料は寸法が約5X4X45+gmであると測定され、
それら全ては一連のダイヤモンド切削及び研磨作業によ
って機械加工された。6棒は三つの振動モードで別個に
刺激された、即ち捩りモード、511幅に対して直角方
向の曲げモード、及び411II幅に対して直角方向の
曲げモードである。
各々の場合について基本調和共振振動数が測定された。
曲げ共振によってヤング率(E)が測定され、捩り共振
によって剪断弾性係数(G)が測定された。
によって剪断弾性係数(G)が測定された。
硬さはロックウェル硬さ試験機のAスケールを使いAS
TM E18−84に記述されている以下の方法を使
って測定された。試験の目的は単一相領域の硬さではな
(複合材料を全体として代表する硬さ値を得ることであ
った。
TM E18−84に記述されている以下の方法を使
って測定された。試験の目的は単一相領域の硬さではな
(複合材料を全体として代表する硬さ値を得ることであ
った。
実施例1
厚さが3/8inch (9,5m+n)で2inch
(50゜8 am)平方のプリフォームが正量で95%
の84C(1000グリツド)と重量で5%の有機結合
材(Lonza、 Inc、から入手されるAcraw
ax−C)を混合し、かかる組成物を特定の形状を有す
る鋼製ダイス内で5000psl (352kg(’
/am′!りでコールドプレスすることによって準備
された。厚さが3/8inch (9,5m5)であり
2inch(50゜8 ms)平方のジルコニウム板が
前記84C粒状物プリフォームの上端部上に且それと接
触して配置され、それら全体の組立体がグラファイト製
の型内に配置された。グラファイト製の型とその内容物
から構成される組立体は抵抗線真空加熱炉内に配置され
、2ノ/分の流量のアルゴンガスが供給された。この組
立体は室温から450℃まで2゜5時間で加熱されそれ
によって前記有機物結合材が焼失した。その後1950
℃の設定点温度まで5時間かかって加熱され、1950
℃で2時間維持された。かかる組立体は5時間かけて冷
却することが許されその後炉から取出された。
(50゜8 am)平方のプリフォームが正量で95%
の84C(1000グリツド)と重量で5%の有機結合
材(Lonza、 Inc、から入手されるAcraw
ax−C)を混合し、かかる組成物を特定の形状を有す
る鋼製ダイス内で5000psl (352kg(’
/am′!りでコールドプレスすることによって準備
された。厚さが3/8inch (9,5m5)であり
2inch(50゜8 ms)平方のジルコニウム板が
前記84C粒状物プリフォームの上端部上に且それと接
触して配置され、それら全体の組立体がグラファイト製
の型内に配置された。グラファイト製の型とその内容物
から構成される組立体は抵抗線真空加熱炉内に配置され
、2ノ/分の流量のアルゴンガスが供給された。この組
立体は室温から450℃まで2゜5時間で加熱されそれ
によって前記有機物結合材が焼失した。その後1950
℃の設定点温度まで5時間かかって加熱され、1950
℃で2時間維持された。かかる組立体は5時間かけて冷
却することが許されその後炉から取出された。
前記組立体が炉から取出された後、未反応のジルコニウ
ムが研磨によって前記組立体の表面から機械的に取除か
れ、下に横たわるセラミック複合材料の粉状化された試
料が回収されX線回折分析に供された。かかる分析によ
ってZrB2、ZrC1及びZrの存在が示された。更
にこれら試験によってセラミック複合材料は以下の性質
を有することが明らかとなった、即ち平均密度は約66
2g/cc、弾性係数は380GPa、曲げ強さは87
5MPa、臨界応力強さ係数(破壊強さ)は15MPa
m種。
ムが研磨によって前記組立体の表面から機械的に取除か
れ、下に横たわるセラミック複合材料の粉状化された試
料が回収されX線回折分析に供された。かかる分析によ
ってZrB2、ZrC1及びZrの存在が示された。更
にこれら試験によってセラミック複合材料は以下の性質
を有することが明らかとなった、即ち平均密度は約66
2g/cc、弾性係数は380GPa、曲げ強さは87
5MPa、臨界応力強さ係数(破壊強さ)は15MPa
m種。
第3図は複合材料生成物の断面の1000倍ののマイク
ログラフ写真であり、符号22はZrB2、符号24は
Z r Cs及び符号26は2「を示す。かかる複合材
料内のZrB2相は小板の形態として表われ、それらは
同一軸方向ではなく或いはランダムな方向に向いている
。
ログラフ写真であり、符号22はZrB2、符号24は
Z r Cs及び符号26は2「を示す。かかる複合材
料内のZrB2相は小板の形態として表われ、それらは
同一軸方向ではなく或いはランダムな方向に向いている
。
実施例2
直径が1 / 21nch (12,7II1m)であ
り高さが3/4inch(19,1mm)であるジルコ
ニウム金属インゴットがアルミナ製るつぼ内の粒状炭化
ホウ素(84C;99.7%、1−5μ、At1ant
icIEquipienL Engineersにより
入手)内に埋込まれた。アルミナ製るつぼ及びその内容
物から構成される組立体が誘導炉内に配置され、300
cc/分の流量のアルゴンガスが供給された。かかる
組立体は6分間で1800℃(光高温計により測定)に
まで加熱され、その後4分間1800℃で維持されその
後冷却された。
り高さが3/4inch(19,1mm)であるジルコ
ニウム金属インゴットがアルミナ製るつぼ内の粒状炭化
ホウ素(84C;99.7%、1−5μ、At1ant
icIEquipienL Engineersにより
入手)内に埋込まれた。アルミナ製るつぼ及びその内容
物から構成される組立体が誘導炉内に配置され、300
cc/分の流量のアルゴンガスが供給された。かかる
組立体は6分間で1800℃(光高温計により測定)に
まで加熱され、その後4分間1800℃で維持されその
後冷却された。
かかる組立体が前記誘導炉から取除かれた後、生成され
たセラミック複合材料の粉状化試料が回収されX線回折
分析に供された。かかる分析によってZrB2、ZrC
及びZrの存在が示された。
たセラミック複合材料の粉状化試料が回収されX線回折
分析に供された。かかる分析によってZrB2、ZrC
及びZrの存在が示された。
かかる複合材料内のZrB2相は小板形状であるように
見える。
見える。
実施例3
厚さが1 / 21nch (12,7+aa+)であ
って2゜251nch (57,2a+m)平方のプリ
フォームが、ffi量で93%の炭化ホウ素(84C)
であって320メツシユ径の粒状物と重量で7%の有機
物結合材(PMCCo、から入手されるAvlcil
pH105)を混合し、その後かかる混合物を所定の形
状を有する鋼製ダイス内で10000 psi (7
03kgf/cj)でコールドプレスすることによって
準備された。厚さが1 / 21nch (12,7m
5)であり2inch (50,8ma+)平方の11
00と呼ばれるアルミニウム合金が前記BaCプリフォ
ームの上端面上に且それと接触して配置され、それら組
立体全体が耐熱性容器内のアルミナ粒状物(NorLo
n Co9から入手されるE 38 Alundus
、 90グリツド)内に埋込まれ、第2図に図示され
ている。
って2゜251nch (57,2a+m)平方のプリ
フォームが、ffi量で93%の炭化ホウ素(84C)
であって320メツシユ径の粒状物と重量で7%の有機
物結合材(PMCCo、から入手されるAvlcil
pH105)を混合し、その後かかる混合物を所定の形
状を有する鋼製ダイス内で10000 psi (7
03kgf/cj)でコールドプレスすることによって
準備された。厚さが1 / 21nch (12,7m
5)であり2inch (50,8ma+)平方の11
00と呼ばれるアルミニウム合金が前記BaCプリフォ
ームの上端面上に且それと接触して配置され、それら組
立体全体が耐熱性容器内のアルミナ粒状物(NorLo
n Co9から入手されるE 38 Alundus
、 90グリツド)内に埋込まれ、第2図に図示され
ている。
耐熱性容器とその内容物から構成される前記組立体は真
空抵抗加熱炉内で10時間かけて設定点温度1200℃
まで加熱され、11/分の流量のアルゴンガスが供給さ
れた。温度1200℃で24時間維持された後、かかる
組立体は約6時間で冷却されその後炉から取出された。
空抵抗加熱炉内で10時間かけて設定点温度1200℃
まで加熱され、11/分の流量のアルゴンガスが供給さ
れた。温度1200℃で24時間維持された後、かかる
組立体は約6時間で冷却されその後炉から取出された。
かかる組立体が炉から取出された後、前記組立体の表面
上の未反応のアルミニウムが機械的に取除かれ、少量の
下に横たわるセラミック複合材料が粉状体にされた。か
かる粉状体はX線回折分析に供され、それによってAI
、B、C%Al2O、及びA1884Cアの存在が示さ
れた。更に試験を行い生成されたセラミック複合材料は
以下の性質を有することが示された、即ち密度が2.5
8g/aas弾性係数が1890Pa、硬さ(ロックウ
ェルA)が46、曲げ強さが254±3MPa1破埴強
さが10.2±0 、 1 M P am’!。
上の未反応のアルミニウムが機械的に取除かれ、少量の
下に横たわるセラミック複合材料が粉状体にされた。か
かる粉状体はX線回折分析に供され、それによってAI
、B、C%Al2O、及びA1884Cアの存在が示さ
れた。更に試験を行い生成されたセラミック複合材料は
以下の性質を有することが示された、即ち密度が2.5
8g/aas弾性係数が1890Pa、硬さ(ロックウ
ェルA)が46、曲げ強さが254±3MPa1破埴強
さが10.2±0 、 1 M P am’!。
実施例4
厚さが1 / 21nch (12,7μm)であって
2゜25inch(57,2m5)平方のプリフォーム
が、重量で94%のB、C/B (320メツシユのB
4Cが重量で50%と38μ及びより細かいBが重量で
50%混合されたもの)及び重量で6%の有機物結合材
(PMCCo、から入手されるAvlcll P+11
05)から構成される均一な混合物によって準備された
。かかるプリフォームは前記混合物を特定の形状を有す
る鋼製のダイス内で10000psi (703kg
f /aI2)でコールドプレスすることによって準備
された。厚さが1/2inch(12゜7Illfll
)であり2inch(50,8mm)平方の1100と
呼ばれるアルミニウム合金が前記84 C/8粒状物プ
リフォームの上端面上に”且それと接触して配置され、
それら組立体全体は耐熱性容器内のアルミナ粒状物(N
orLon Co、から入手される38Alundum
s 24グリツド)内に埋込まれ、第2図に図示され
ている。
2゜25inch(57,2m5)平方のプリフォーム
が、重量で94%のB、C/B (320メツシユのB
4Cが重量で50%と38μ及びより細かいBが重量で
50%混合されたもの)及び重量で6%の有機物結合材
(PMCCo、から入手されるAvlcll P+11
05)から構成される均一な混合物によって準備された
。かかるプリフォームは前記混合物を特定の形状を有す
る鋼製のダイス内で10000psi (703kg
f /aI2)でコールドプレスすることによって準備
された。厚さが1/2inch(12゜7Illfll
)であり2inch(50,8mm)平方の1100と
呼ばれるアルミニウム合金が前記84 C/8粒状物プ
リフォームの上端面上に”且それと接触して配置され、
それら組立体全体は耐熱性容器内のアルミナ粒状物(N
orLon Co、から入手される38Alundum
s 24グリツド)内に埋込まれ、第2図に図示され
ている。
耐熱性容器とその内容物から構成される前記組立体は抵
抗線管状炉内に配置され300 cc/分の流量のアル
ゴンガスが供給されて、10時間かかって設定点温度の
1200℃にまで加熱され、1200℃で36時間維持
された。組立体は10時間かかって冷却されその後炉か
ら取出されることが許された。
抗線管状炉内に配置され300 cc/分の流量のアル
ゴンガスが供給されて、10時間かかって設定点温度の
1200℃にまで加熱され、1200℃で36時間維持
された。組立体は10時間かかって冷却されその後炉か
ら取出されることが許された。
かかる組立体が炉から取出された後、前記組立体の表面
の未反応のアルミニウムが機械的に取除かれ、その下の
セラミック複合材料の粉状化された試料がX線回折分析
に供された。かかる分析によって前記セラミック複合材
料にはAI、β−AIB、2、AI * 848C2、
及び不明な相が含まれることが示され、“d”間隔(格
子間隔)は2゜926人、2.679X、2.087大
、1.84大及び1.745人でありそれぞれの相対的
強さは100.36.40.20及び73であった。
の未反応のアルミニウムが機械的に取除かれ、その下の
セラミック複合材料の粉状化された試料がX線回折分析
に供された。かかる分析によって前記セラミック複合材
料にはAI、β−AIB、2、AI * 848C2、
及び不明な相が含まれることが示され、“d”間隔(格
子間隔)は2゜926人、2.679X、2.087大
、1.84大及び1.745人でありそれぞれの相対的
強さは100.36.40.20及び73であった。
更に試験をすることによりかかる複合材料は以下の性質
をHすることが測定された、即ち密度は2゜58g/a
as弾性係数は215GPa、曲げ強さは196±9M
Pa 、破壊強さは8.1±0.3M P am種。
をHすることが測定された、即ち密度は2゜58g/a
as弾性係数は215GPa、曲げ強さは196±9M
Pa 、破壊強さは8.1±0.3M P am種。
実施例5
1/2inch(12,7nn+)の厚さであって2゜
251nch (57、2am)平方のプリフォームが
実施例1で記述された技術によって準備された、但しこ
の場合均一な混合物は重量で94%のB、C/B (3
20メツシユのB、Cがffi量で50%、38μ及び
より細かいBが重量で50%混合されたもの)及び重量
で6%の同一の結合材から構成されるという点だけが異
なる。厚さ1 / 21nch(12,7mm)であっ
て2inch(50,8mm)平方の板状のアルミニウ
ム合金AI−10SAl−10Si−3二で10%のS
is重量で3%のMg及び残部At)が前記B4C/8
粒状物プリフォームの上端面上に且それと接触して配置
され、かかる組立体全体が耐熱性容器内のアルミナ粒状
物(Norton、 Co、から入手される3 8Al
undus 、24グリツド)内に埋込まれ、第2図に
図示される。
251nch (57、2am)平方のプリフォームが
実施例1で記述された技術によって準備された、但しこ
の場合均一な混合物は重量で94%のB、C/B (3
20メツシユのB、Cがffi量で50%、38μ及び
より細かいBが重量で50%混合されたもの)及び重量
で6%の同一の結合材から構成されるという点だけが異
なる。厚さ1 / 21nch(12,7mm)であっ
て2inch(50,8mm)平方の板状のアルミニウ
ム合金AI−10SAl−10Si−3二で10%のS
is重量で3%のMg及び残部At)が前記B4C/8
粒状物プリフォームの上端面上に且それと接触して配置
され、かかる組立体全体が耐熱性容器内のアルミナ粒状
物(Norton、 Co、から入手される3 8Al
undus 、24グリツド)内に埋込まれ、第2図に
図示される。
耐熱性容器とその内容物から構成される前記組立体は抵
抗線真空炉内に配置され、1ノ/分の流量のアルゴンガ
スが供給され、10時間かかって設定温度1200℃ま
で加熱され、1200℃で12時間維持された。かかる
組立体は5時間かかって冷却されその後炉から取出され
た。
抗線真空炉内に配置され、1ノ/分の流量のアルゴンガ
スが供給され、10時間かかって設定温度1200℃ま
で加熱され、1200℃で12時間維持された。かかる
組立体は5時間かかって冷却されその後炉から取出され
た。
かかる組立体が炉から取出された後、前記組立体の表面
上の未反応のアルミニウムが機械的に取除かれ、内部の
セラミック複合材料の粉状化された試料が回収されてX
線回折分析に供された。かかる分析によってセラミック
複合材料にはAI。
上の未反応のアルミニウムが機械的に取除かれ、内部の
セラミック複合材料の粉状化された試料が回収されてX
線回折分析に供された。かかる分析によってセラミック
複合材料にはAI。
S is B4 Csβ−AIBI□、Al2O3及び
A16 Ba Ctが含まれることが示された。更に試
験をすることによってかかる複合材料は以下の性質を有
することが示された、即ち密度が2.55g/acs弾
性係数が213GPa、硬さ(ロックウェルA)が57
、曲げ強さが231±31MPa1破壊強さが9,1±
0 、 1 M P aa+唖。
A16 Ba Ctが含まれることが示された。更に試
験をすることによってかかる複合材料は以下の性質を有
することが示された、即ち密度が2.55g/acs弾
性係数が213GPa、硬さ(ロックウェルA)が57
、曲げ強さが231±31MPa1破壊強さが9,1±
0 、 1 M P aa+唖。
実施例6
直径が5/8inch (15,9μm)であッテ高さ
が3/41neh(19,1mm)の99.64%の純
度のチタン金属インゴット(グレード2)がアルミナ製
るつぼ内の粒状炭化ホウ素(84C,99゜7%、1−
5μ、At1antic Equlpment Eng
ineers)内に埋込まれた・。アルミナ製るつぼと
その内容物から構成される前記組立体は誘導炉内に配置
され300 cc/分の流量のアルゴンガスが供給され
た。
が3/41neh(19,1mm)の99.64%の純
度のチタン金属インゴット(グレード2)がアルミナ製
るつぼ内の粒状炭化ホウ素(84C,99゜7%、1−
5μ、At1antic Equlpment Eng
ineers)内に埋込まれた・。アルミナ製るつぼと
その内容物から構成される前記組立体は誘導炉内に配置
され300 cc/分の流量のアルゴンガスが供給され
た。
かかる組立体は4分間でチタンが溶融する温度(先高温
度計によって約1700〜1750℃と測定された)ま
で加熱され、その後冷却された。
度計によって約1700〜1750℃と測定された)ま
で加熱され、その後冷却された。
かかる組立体が炉から取出された後生成されたセラミッ
ク複合材料の粉状化された試料が回収され且X線回折分
析に供された。かかる分析によってTiB2、TiBS
Tic及びTiの存在が示された。
ク複合材料の粉状化された試料が回収され且X線回折分
析に供された。かかる分析によってTiB2、TiBS
Tic及びTiの存在が示された。
第4図は複合材料生成物の断面の1500倍のマイクロ
写真であり、符号28はT iB 2 、符号30はT
iB、符号32はTiC及び符号34はTiとして示さ
れている。TiB2相は小板類似構造であるように見え
る。
写真であり、符号28はT iB 2 、符号30はT
iB、符号32はTiC及び符号34はTiとして示さ
れている。TiB2相は小板類似構造であるように見え
る。
実施例7
直径が5/8inch (15,9mm) 、長さが3
/41nch (19、1ms)であって純度が99.
64%のチタン(グレード2)の円筒形試料がアルミナ
製るつぼ内の炭化ホウ素(1000グリツド)内に埋込
まれた。アルミナ製るつぼ及びその内容物からなる前記
組立体は抵抗線真空炉内に配置され、500 cc/分
の流量のアルゴンガスが供給された。かかる組立体は3
時間かかって設定点温度1750℃まで加熱され、17
50℃で3時間20分維持された。
/41nch (19、1ms)であって純度が99.
64%のチタン(グレード2)の円筒形試料がアルミナ
製るつぼ内の炭化ホウ素(1000グリツド)内に埋込
まれた。アルミナ製るつぼ及びその内容物からなる前記
組立体は抵抗線真空炉内に配置され、500 cc/分
の流量のアルゴンガスが供給された。かかる組立体は3
時間かかって設定点温度1750℃まで加熱され、17
50℃で3時間20分維持された。
かかる組立体が炉から取出されて冷却された後、生成さ
れたセラミック複合材料生成物の粉状化された試料が回
収されてX線回折分析に供された。
れたセラミック複合材料生成物の粉状化された試料が回
収されてX線回折分析に供された。
かかる分析によって、TiB2、Tic及びTi3B4
の存在が示された。
の存在が示された。
生成された試料はASTM E384−73に記述さ
れているクヌープマイクロ硬さ試験に供され、かかる試
験は200g1’の加重が使用され、その結果マイクロ
硬さが1815〜1950kg/+ua2であることが
示された。
れているクヌープマイクロ硬さ試験に供され、かかる試
験は200g1’の加重が使用され、その結果マイクロ
硬さが1815〜1950kg/+ua2であることが
示された。
実施例8
直径が3/8inch(9,5ma+) 、高さが3/
4inch(19,1am)の大きさであって純度が9
8゜20%のハフニウム金属インゴットがアルミナ製る
つぼ内の炭化ホウ素粒状物(−325メツシユ)内に埋
込まれた。アルミナ製るつぼ及びその内容物から構成さ
れる前記組立体は誘導炉内に配置され、体積で1%の水
素と99%のアルゴンから構成されるガスが流E150
0cc/分の割合で供給された。かかる組立体は8分で
2300℃(光高温計で測定)まで加熱され、その後冷
却された。
4inch(19,1am)の大きさであって純度が9
8゜20%のハフニウム金属インゴットがアルミナ製る
つぼ内の炭化ホウ素粒状物(−325メツシユ)内に埋
込まれた。アルミナ製るつぼ及びその内容物から構成さ
れる前記組立体は誘導炉内に配置され、体積で1%の水
素と99%のアルゴンから構成されるガスが流E150
0cc/分の割合で供給された。かかる組立体は8分で
2300℃(光高温計で測定)まで加熱され、その後冷
却された。
かかる組゛立体が炉から取出された後、回収された試料
の検査によって前記ハフニウムインゴットが存在した場
所に極めて明瞭な円筒形空隙が存在することが示された
。
の検査によって前記ハフニウムインゴットが存在した場
所に極めて明瞭な円筒形空隙が存在することが示された
。
これによってかかる装置の形状複製能力は良好であるこ
とが示される。この実験によって得られたセラミック複
合材料生成物の粉状化された試料が回収されX線回折分
析に供された。かかる分析によりHfB2、HfC5H
f及び少量の84Cの存在が示された。
とが示される。この実験によって得られたセラミック複
合材料生成物の粉状化された試料が回収されX線回折分
析に供された。かかる分析によりHfB2、HfC5H
f及び少量の84Cの存在が示された。
第5図は複合材料生成物の断面図の1500倍のマイク
ロ写真であり、符号36はHfB、、符号38はHfC
,符号40はB4C及び符号42はIfを示す。HfB
2は小板構造であった。
ロ写真であり、符号36はHfB、、符号38はHfC
,符号40はB4C及び符号42はIfを示す。HfB
2は小板構造であった。
以上記述されてきたように、他の親金属、出発物質の異
なる濃度及び他の変化例えば充填密度、炭化ホウ素粒状
物の性質、時間及び温度が、最終製品を変化させ又は制
御するために使われることがある。この種の材料はエン
ジン又はロケットの部品として使われる場合に有用であ
ろう。
なる濃度及び他の変化例えば充填密度、炭化ホウ素粒状
物の性質、時間及び温度が、最終製品を変化させ又は制
御するために使われることがある。この種の材料はエン
ジン又はロケットの部品として使われる場合に有用であ
ろう。
第1図は本発明による製法による耐熱性るつぼ内の炭化
ホウ素粒状物内に埋込まれた親金属インゴットを示す断
面立面概略図である。 第2図は本発明の製法による、耐熱性るつぼ内の不活性
床材内に埋込まれ且炭化ホウ素プリフォームと隣接して
配置された親金属インゴットを示す断面立面図の概略図
である。 第3図は実施例1で記述された方法によって形成された
セラミック複合材料の断面の1000倍のマイクロ写真
である。 第4図は実施例6で記述された方法によって形成された
セラミック複合材料の断面の1500倍のマイクロ写真
である。 第5図は実施例8の方法によって形成されたセラミック
複合材料の断面の1500倍のマイクロ写真である。 10・・・親金属、12・・・炭化ホウ素粒状物、14
・・・不活性物質、16・・・るつぼ、18・・・上端
面、20・・・プリフォーム、22・・・ZrB2.2
4・・・ZrC,26−Z r、28−T i B2,
30−T i B。 32・・・TiC,34・・・Ti、36・・・HfB
2,38・・・l1fC,40・・・B4C,42・・
・Hf特許出願人 ランキサイド・テクノロジー・カ
ンパニー中エル小ビー 代 理 人 弁 理 士 明 石
呂 毅図面の浄書(内容に変更なし) Fig、 1 Fig、 2 Fig、4 一 (方 力 手続補正書 昭和63年10月270 1、事件の表示 昭和63年特許願第177971号2
、発明の名称 自己支持体の製造方法及びそれによって
製造される複合材料 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 アメリカ合衆国プラウエア用、ニューアーク
、トラリー骨インダストリアル・バーク (番地なし
)名 称 ランキサイド・テクノロジー・カンパニー
・エル・ピー 4、代理人
ホウ素粒状物内に埋込まれた親金属インゴットを示す断
面立面概略図である。 第2図は本発明の製法による、耐熱性るつぼ内の不活性
床材内に埋込まれ且炭化ホウ素プリフォームと隣接して
配置された親金属インゴットを示す断面立面図の概略図
である。 第3図は実施例1で記述された方法によって形成された
セラミック複合材料の断面の1000倍のマイクロ写真
である。 第4図は実施例6で記述された方法によって形成された
セラミック複合材料の断面の1500倍のマイクロ写真
である。 第5図は実施例8の方法によって形成されたセラミック
複合材料の断面の1500倍のマイクロ写真である。 10・・・親金属、12・・・炭化ホウ素粒状物、14
・・・不活性物質、16・・・るつぼ、18・・・上端
面、20・・・プリフォーム、22・・・ZrB2.2
4・・・ZrC,26−Z r、28−T i B2,
30−T i B。 32・・・TiC,34・・・Ti、36・・・HfB
2,38・・・l1fC,40・・・B4C,42・・
・Hf特許出願人 ランキサイド・テクノロジー・カ
ンパニー中エル小ビー 代 理 人 弁 理 士 明 石
呂 毅図面の浄書(内容に変更なし) Fig、 1 Fig、 2 Fig、4 一 (方 力 手続補正書 昭和63年10月270 1、事件の表示 昭和63年特許願第177971号2
、発明の名称 自己支持体の製造方法及びそれによって
製造される複合材料 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 アメリカ合衆国プラウエア用、ニューアーク
、トラリー骨インダストリアル・バーク (番地なし
)名 称 ランキサイド・テクノロジー・カンパニー
・エル・ピー 4、代理人
Claims (3)
- (1)自己支持体を製造する方法にして、 (a)親金属を選択することと、 (b)前記親金属を実質的に不活性な雰囲気内でその融
点以上の温度にまで加熱して溶融親金属体を形成せしめ
、前記溶融親金属体を炭化ホウ素を含む塊に接触させる
ことと、 (c)前記溶融親金属が前記塊内に溶浸し且前記溶融親
金属が前記炭化ホウ素と反応して1又はそれ以上のホウ
素含有化合物を形成することが許されるために十分な時
間だけ前記温度を維持することと、 (d)1又はそれ以上の親金属ホウ素含有化合物を含む
前記自己支持体を製造するために十分な時間だけ前記溶
浸及び反応を継続させることと、の各段階を含むことを
特徴とする自己支持体を製造する方法。 - (2)自己支持体を製造する方法にして、 (a)親金属を選択することと、 (b)前記親金属を実質的に不活性な雰囲気内でその融
点以上の温度にまで加熱して溶融親金属体を形成せしめ
、前記溶融親金属体を炭化ホウ素及びホウ素を含む塊に
接触させることと、 (c)前記溶融親金属を前記塊内に溶浸し且前記溶融親
金属が前記炭化ホウ素及びホウ素と反応してホウ素含有
化合物を形成することが許されるために十分な時間だけ
前記温度を維持することと、(d)前記親金属の未反応
な成分である金属相と親金属ホウ素含有化合物とを含む
前記自己支持体を製造するために十分な時間だけ前記溶
浸及び反応を継続させることと、 の各段階を含むことを特徴とする自己支持体を製造する
方法。 - (3)複合材料物質であって、ジルコニウム、チタン及
びハフニウムから構成される群から選択される金属相と
、前記複合材料物質の境界にまで延在する三次元的に相
互結合されたセラミック相とを含んでおり、前記セラミ
ック相はジルコニウムの炭化物、チタンの炭化物及びハ
フニウムの炭化物から構成される群から選択される炭化
物を含んでおり、更に前記炭化物に対応する前記金属の
ホウ化物を含んでおり、前記ホウ化物が小板類似構造を
有することを特徴とする複合材料物質。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US7353387A | 1987-07-15 | 1987-07-15 | |
US73,533 | 1987-07-15 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01103945A true JPH01103945A (ja) | 1989-04-21 |
JP2642675B2 JP2642675B2 (ja) | 1997-08-20 |
Family
ID=22114257
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63177971A Expired - Lifetime JP2642675B2 (ja) | 1987-07-15 | 1988-07-15 | 自己支持体の製造方法 |
Country Status (27)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0299905B1 (ja) |
JP (1) | JP2642675B2 (ja) |
KR (1) | KR960007373B1 (ja) |
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NO (1) | NO176397C (ja) |
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PT (1) | PT87992B (ja) |
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ZA (1) | ZA885088B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05222468A (ja) * | 1992-02-17 | 1993-08-31 | Agency Of Ind Science & Technol | 反応合成法による炭化チタンとほう化チタンウイスカ強化チタニウム基複合材料の製造法 |
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US4885130A (en) * | 1987-07-15 | 1989-12-05 | Lanxide Technology Company, Lp | Process for preparing self-supporting bodies and products produced thereby |
US4940679A (en) * | 1987-07-15 | 1990-07-10 | Lanxide Technology Company, Lp | Process for preparing self-supporting bodies and products made thereby |
AU620360B2 (en) * | 1987-12-23 | 1992-02-20 | Lanxide Corporation | A method of producing and modifying the properties of ceramic composite bodies |
US4915736A (en) * | 1987-12-23 | 1990-04-10 | Lanxide Technology Company, Lp | Method of modifying ceramic composite bodies by carburization process and articles produced thereby |
EP0364097A1 (en) * | 1988-09-26 | 1990-04-18 | Alcan International Limited | Process for producing composite ceramic articles |
US4885131A (en) * | 1989-01-13 | 1989-12-05 | Lanxide Technology Company, Lp | Process for preparing self-supporting bodies and products produced thereby |
US5004714A (en) * | 1989-01-13 | 1991-04-02 | Lanxide Technology Company, Lp | Method of modifying ceramic composite bodies by a post-treatment process and articles produced thereby |
US5098870A (en) * | 1990-07-12 | 1992-03-24 | Lanxide Technology Company, Lp | Process for preparing self-supporting bodies having controlled porosity and graded properties and products produced thereby |
JPH05509075A (ja) * | 1990-07-12 | 1993-12-16 | ランキサイド テクノロジー カンパニー リミティド パートナーシップ | セラミック複合体の特性改良用添加剤 |
DE69218947T2 (de) * | 1991-07-29 | 1997-07-17 | Dow Chemical Co | Gehärtete cermets und verfahren zur herstellung von gehärteten cermets |
US5509555A (en) * | 1994-06-03 | 1996-04-23 | Massachusetts Institute Of Technology | Method for producing an article by pressureless reactive infiltration |
US5780164A (en) * | 1994-12-12 | 1998-07-14 | The Dow Chemical Company | Computer disk substrate, the process for making same, and the material made therefrom |
US5672435A (en) * | 1994-12-12 | 1997-09-30 | The Dow Chemical Company | Hard disk drive components and methods of making same |
CN1073636C (zh) * | 1998-04-09 | 2001-10-24 | 中南工业大学 | 铝浴自蔓延反应制备颗粒增强铝基复合材料的方法 |
CN104755194A (zh) * | 2012-11-19 | 2015-07-01 | 力拓加铝国际有限公司 | 用于改善铝-碳化硼复合材料的可铸性的添加剂 |
CN108188380B (zh) * | 2017-12-28 | 2019-10-29 | 鞍钢矿山机械制造有限公司 | 一种钢铜复合球的生产方法 |
CZ2019201A3 (cs) * | 2019-04-01 | 2020-06-17 | Vysoké Učení Technické V Brně | Způsob výroby keramicko-kovového kompozitu gravitačním litím a keramicko-kovový kompozit vyrobený podle této metody |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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