JPH01102874A - 高周波およびサージ吸収フィルタ - Google Patents
高周波およびサージ吸収フィルタInfo
- Publication number
- JPH01102874A JPH01102874A JP25932887A JP25932887A JPH01102874A JP H01102874 A JPH01102874 A JP H01102874A JP 25932887 A JP25932887 A JP 25932887A JP 25932887 A JP25932887 A JP 25932887A JP H01102874 A JPH01102874 A JP H01102874A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- varistor
- high frequency
- signal line
- capacitance
- filter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims abstract description 4
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 claims abstract description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims abstract 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 14
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 5
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 2
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005324 grain boundary diffusion Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000010405 reoxidation reaction Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Filters And Equalizers (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Details Of Connecting Devices For Male And Female Coupling (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、高周波およびサージ吸収フィルタに関し、例
えば自動車用電子機器（センサ、ＩＣ１制御回路）のＥ
ＭＩ（電磁波干渉）による誤作動を防止すると共に同機
器をエンジン点火パルスにより発生するサージ電圧から
保護する高周波およびサージ吸収フィルタに関する。
えば自動車用電子機器（センサ、ＩＣ１制御回路）のＥ
ＭＩ（電磁波干渉）による誤作動を防止すると共に同機
器をエンジン点火パルスにより発生するサージ電圧から
保護する高周波およびサージ吸収フィルタに関する。
従来、自動車用電子機器においては、ＥＭＩによる誤作
動の防止および点火パルス等により発生するサージ電圧
の吸収は、それぞれ別々の電子部品により行われてきた
。
動の防止および点火パルス等により発生するサージ電圧
の吸収は、それぞれ別々の電子部品により行われてきた
。
ＥＭＩについては、コンデンサなどにより対策を行い、
サージ電圧についてはツェナーダイオード、バリスタな
どにより対策を行っている。
サージ電圧についてはツェナーダイオード、バリスタな
どにより対策を行っている。
上記のように別々の電子部品で行っているため、部品ス
ペースの増大、コストの上昇を招いている。
ペースの増大、コストの上昇を招いている。
本発明は、上記の点に鑑みなされたものであり、ＥＭＩ
およびサージ対策の両方を一つの電子部品で行い得るフ
ィルタを提供することを目的とする。
およびサージ対策の両方を一つの電子部品で行い得るフ
ィルタを提供することを目的とする。
本発明においては、容量性およびバリスタ特性をもつ誘
電材料、例えばＺ７０系半導体バリスタ材料、Ｓ、Ｔｉ
Ｏ，系のバリヤレイヤ型、再酸化型、あるいは粒界絶
縁型材料からなる平板の一方の面に、電気信号伝達用の
細長い信号線を設け、他方の面のほぼ全体に接地用電極
を設けた構成とした。
電材料、例えばＺ７０系半導体バリスタ材料、Ｓ、Ｔｉ
Ｏ，系のバリヤレイヤ型、再酸化型、あるいは粒界絶
縁型材料からなる平板の一方の面に、電気信号伝達用の
細長い信号線を設け、他方の面のほぼ全体に接地用電極
を設けた構成とした。
信号線と接地電極との間には、容量性およびバリスタ特
性を持つ平板により分布定数型のコンデンサとバリスタ
が形成され、これによって電磁波干渉による高周波のノ
イズおよびサージ電圧を一つの電子部品により遮断する
。
性を持つ平板により分布定数型のコンデンサとバリスタ
が形成され、これによって電磁波干渉による高周波のノ
イズおよびサージ電圧を一つの電子部品により遮断する
。
以下本発明を図に示す実施例により説明する。
コネクタ内蔵型の第１実施例を示す第１図および第２図
において、ｌは合成樹脂製のコネクタハウジングで、こ
の空洞部２に相手の信号入出力用コネクタが挿入、され
る。ハウジングｌは、第１図の二点鎖線で示す金属ケー
シング３に固定される。
において、ｌは合成樹脂製のコネクタハウジングで、こ
の空洞部２に相手の信号入出力用コネクタが挿入、され
る。ハウジングｌは、第１図の二点鎖線で示す金属ケー
シング３に固定される。
ケーシング３内には図示しないＩＣなどからなるセンサ
あるいは電子回路が設けられている。ハウジング１には
、外部配線用の２本のコネクタピン５（第１図では１本
のみ図示）および内部配線用の３本のコネクタピン６．
７．８が一体成形されている。
あるいは電子回路が設けられている。ハウジング１には
、外部配線用の２本のコネクタピン５（第１図では１本
のみ図示）および内部配線用の３本のコネクタピン６．
７．８が一体成形されている。
ハウジング１の円形凹部９内には高周波およびサージ吸
収フィルタ１０が設けられ、合成樹脂材１１により封入
、固定されている。
収フィルタ１０が設けられ、合成樹脂材１１により封入
、固定されている。
フィルタ１０は、平板状のセラミック基板１２、この基
板１２の一方の面（表面）に設けられた２板の細長い金
属帯板１４．１５および他方の面（裏面）に設けられた
接地電極板１６より構成されている。セラミック基板１
２は、容量性およびバリスタ特性をもつ誘電材料からな
り、例えばＺＲＯ系半導体バリスタ材料、Ｓ−Ｔ＝ Ｏ
ｓ系バリヤレイヤ型、再酸化型あるいは粒界絶縁型の材
料で形成されており、バリスタ特性としては第３図に示
すように電圧Ｖを所定値以下に抑える■−■特性を有す
る。また、セラミック基板１２には第４図に示すように
表面にＳＲ（Ｎｔ 、 Ａｔ 、 Ｃｕ等）ペースト
電極材１７が直線状に２本塗布されており、裏面には全
面に銀（Ｎｔ 、Ａｔ 、Ｃ，等）ペースト電極材１８
が塗布されている。そして、銀（Ｎｔ 、 Ａ、、ｃｕ
等）ペースト電極材１７により金属帯板１４．１５が基
板１２に接合され、銀（Ｎｉ 、ＡＬ 、Ｃ，等）ペー
スト電極材１８により接地電極板１６が基板１２に接合
されている。
板１２の一方の面（表面）に設けられた２板の細長い金
属帯板１４．１５および他方の面（裏面）に設けられた
接地電極板１６より構成されている。セラミック基板１
２は、容量性およびバリスタ特性をもつ誘電材料からな
り、例えばＺＲＯ系半導体バリスタ材料、Ｓ−Ｔ＝ Ｏ
ｓ系バリヤレイヤ型、再酸化型あるいは粒界絶縁型の材
料で形成されており、バリスタ特性としては第３図に示
すように電圧Ｖを所定値以下に抑える■−■特性を有す
る。また、セラミック基板１２には第４図に示すように
表面にＳＲ（Ｎｔ 、 Ａｔ 、 Ｃｕ等）ペースト
電極材１７が直線状に２本塗布されており、裏面には全
面に銀（Ｎｔ 、Ａｔ 、Ｃ，等）ペースト電極材１８
が塗布されている。そして、銀（Ｎｔ 、 Ａ、、ｃｕ
等）ペースト電極材１７により金属帯板１４．１５が基
板１２に接合され、銀（Ｎｉ 、ＡＬ 、Ｃ，等）ペー
スト電極材１８により接地電極板１６が基板１２に接合
されている。
なお、金属帯板１４．１５は第１図の下端でそれぞれピ
ン５に半田付により固着され、上端でピン６．７に半田
付により固着され、接地電極板１６はピン８に固着され
る。
ン５に半田付により固着され、上端でピン６．７に半田
付により固着され、接地電極板１６はピン８に固着され
る。
上記構成において、電気信号はコネクタのピン５、フィ
ルタ１０．ピン６．７を介して伝送されるが、フィルタ
１０において、金属帯板１４．１５と接地電極１６の間
には容量性およびバリスタ特性をもつセラミック基板が
あり、等価回路で示すと第５図に示すようなコンデンサ
Ｃ１コンダクタンスＧ、およびバリスタＶの分布定数型
回路が信号線の長手方向に形成されており、これにより
電磁波干渉による高周波ノイズおよびサージ電圧は効率
よく遮断される。
ルタ１０．ピン６．７を介して伝送されるが、フィルタ
１０において、金属帯板１４．１５と接地電極１６の間
には容量性およびバリスタ特性をもつセラミック基板が
あり、等価回路で示すと第５図に示すようなコンデンサ
Ｃ１コンダクタンスＧ、およびバリスタＶの分布定数型
回路が信号線の長手方向に形成されており、これにより
電磁波干渉による高周波ノイズおよびサージ電圧は効率
よく遮断される。
ここで、基板１２の容量Ｃ１コンダクタンスＧを第６図
で示すように周波数が大きくなるにしたがって容量Ｃが
小さくなる周波数特性とし、コンダクタンスＧが山伏の
周波数特性とすれば、高周波数ノイズを第７図に示すよ
うに遮断できる。
で示すように周波数が大きくなるにしたがって容量Ｃが
小さくなる周波数特性とし、コンダクタンスＧが山伏の
周波数特性とすれば、高周波数ノイズを第７図に示すよ
うに遮断できる。
なお、上記第１実施例ではセラミック基板上に２本の信
号線を形成したが、第８図に示す第２実施例のように多
数の信号線を設けると、各信号線間においても接地電極
板間と同様な分布定数型回路が形成される。この信号線
間の容量、コンダクタンス、バリスタ特性は、信号線間
の距離、基板の厚さ、信号線の長さ、信号線間・接地電
極板間の電位差による。特にセラミック基板の表面側に
おいてもサージ吸収させたい信号線２４の隣接したとこ
ろの信号線２５を接地するようにすればサージ電圧吸収
能力を向上できる。さらに、両隣の信号線を接地もしく
は少し電位の低いものとすればさらに効果が高められる
。この場合、接地電極板１６が浮いてしまっても信号線
間のバリスタ特性から補うことが可能である。
号線を形成したが、第８図に示す第２実施例のように多
数の信号線を設けると、各信号線間においても接地電極
板間と同様な分布定数型回路が形成される。この信号線
間の容量、コンダクタンス、バリスタ特性は、信号線間
の距離、基板の厚さ、信号線の長さ、信号線間・接地電
極板間の電位差による。特にセラミック基板の表面側に
おいてもサージ吸収させたい信号線２４の隣接したとこ
ろの信号線２５を接地するようにすればサージ電圧吸収
能力を向上できる。さらに、両隣の信号線を接地もしく
は少し電位の低いものとすればさらに効果が高められる
。この場合、接地電極板１６が浮いてしまっても信号線
間のバリスタ特性から補うことが可能である。
また、バリスタ特性の制限電圧Ｖはセラミック基板の厚
さが大きく寄与し、厚さが小さくなる程制限電圧Ｖは減
少する。したがって、第９図に示す第３実施例のように
深さの異なる溝２１．２２゜２３を形成し、この溝又は
表面に信号線３０〜３３を設けることによって各信号線
の制限電圧を任意に調整することができる。あるいは、
第１０図に示す第４実施例のように基板の厚さを徐々に
変化させても同様に調整できる。
さが大きく寄与し、厚さが小さくなる程制限電圧Ｖは減
少する。したがって、第９図に示す第３実施例のように
深さの異なる溝２１．２２゜２３を形成し、この溝又は
表面に信号線３０〜３３を設けることによって各信号線
の制限電圧を任意に調整することができる。あるいは、
第１０図に示す第４実施例のように基板の厚さを徐々に
変化させても同様に調整できる。
さらに次のような構成でも調整は可能である。
セラミック基板４２としてＳ、Ｔｉ ０３系粒界絶縁型
材料を用いる。すなわち、第１１図に示す第５実施例の
ように、半導体化したＳ、Ｔｉ Ｏ，系セラミック基板
４２に粒界層絶縁化のための金属酸化物４３（例えば、
Ｃ−０，Ｐｈ Ｏ，Ｂ＋ｘＯｓ 。
材料を用いる。すなわち、第１１図に示す第５実施例の
ように、半導体化したＳ、Ｔｉ Ｏ，系セラミック基板
４２に粒界層絶縁化のための金属酸化物４３（例えば、
Ｃ−０，Ｐｈ Ｏ，Ｂ＋ｘＯｓ 。
Ｂｔ Ｏｓ ）をスクリーン印刷もしくは塗布を行い、
粒界拡散物質層４３を形成する０次にバリスタ特性を変
化させるための金属化合物（例えばに、 ＣＯｘ 、
Ｎ−ｘ ＣＯｘ ）からなる粒界拡散物質層４４を一部
分（第１１図中右端部）のみ形成し、これを酸化雰囲気
において拡散させて基板を作る。この基板上に第１２図
に示すように信号線電極３０〜３３を形成すれば、信号
線電極３０の部分のみバリスタ特性を変化させることが
できる。このバリスタ特性は拡散物質層４３．４４の金
属種の組合せにより任意に調整できる。
粒界拡散物質層４３を形成する０次にバリスタ特性を変
化させるための金属化合物（例えばに、 ＣＯｘ 、
Ｎ−ｘ ＣＯｘ ）からなる粒界拡散物質層４４を一部
分（第１１図中右端部）のみ形成し、これを酸化雰囲気
において拡散させて基板を作る。この基板上に第１２図
に示すように信号線電極３０〜３３を形成すれば、信号
線電極３０の部分のみバリスタ特性を変化させることが
できる。このバリスタ特性は拡散物質層４３．４４の金
属種の組合せにより任意に調整できる。
また、上記実施例ではセラミック基板を１枚としたが第
１３図に示す第６実施例のように接地電極板１６の両側
にセラミック基板１２を接合し、これにコ字形状の金属
帯板５５を設けるように構成してもよい。さらに、第１
４図に示す第７実施例のように接地電極板１６の片側に
セラミック基板１２を設け、他方の側に無線周波数領域
のノイズ遮断特性を改善するためのフェライト板５６を
設ける構成としてもよいし、第１５図に示す第８実施例
のようにフェライト板５６の背面フェライト板５７を追
加して設けてもよい。
１３図に示す第６実施例のように接地電極板１６の両側
にセラミック基板１２を接合し、これにコ字形状の金属
帯板５５を設けるように構成してもよい。さらに、第１
４図に示す第７実施例のように接地電極板１６の片側に
セラミック基板１２を設け、他方の側に無線周波数領域
のノイズ遮断特性を改善するためのフェライト板５６を
設ける構成としてもよいし、第１５図に示す第８実施例
のようにフェライト板５６の背面フェライト板５７を追
加して設けてもよい。
また、第１６図に示す第９実施例のように金属帯板５５
の脚部にリング状のフェライトビーズ５９を設けてノイ
ズ遮断特性を向上してもよい。この場合、片側の基板５
８は、バリスタ特性をもつものでも、あるいはバリスタ
特性のないものであってもよく、片側の基板１２のみバ
リスタ特性をもてばよい。
の脚部にリング状のフェライトビーズ５９を設けてノイ
ズ遮断特性を向上してもよい。この場合、片側の基板５
８は、バリスタ特性をもつものでも、あるいはバリスタ
特性のないものであってもよく、片側の基板１２のみバ
リスタ特性をもてばよい。
以上述べたように、本発明によれば１つの電子部品で高
周波ノイズ、サージ電圧を効率よく遮断でき、部品スペ
ースの削減、コスト低下が可能になる。
周波ノイズ、サージ電圧を効率よく遮断でき、部品スペ
ースの削減、コスト低下が可能になる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例を示す断面図（第２図のＡ−
Ａ断面）、第２図は第１図に図示した装置の平面図、第
３図はセラミック基板のＶ−１特性を示す特性図、第４
図はセラミック基板を示す斜視図、第５図はフィルタの
等価回路図、第６図及び第７図はフィルタの周波数特性
を示す特性図、第８図は本発明の第２実施例を示す斜視
図、第９図〜第１２図は本発明の第３〜第５実施例を示
す断面図、第１３図は本発明の第６実施例を示す斜視図
、第１４図は本発明の第７実施例を示す断面図、第１５
図は本発明の第８実施例を示す斜視図、第１６図は゛本
発明の第９実施例を示す断面図である。 １２・・・セラミック基板、１４．１５・・・信号線を
なす金属帯板、１６・・・接地電極板。
Ａ断面）、第２図は第１図に図示した装置の平面図、第
３図はセラミック基板のＶ−１特性を示す特性図、第４
図はセラミック基板を示す斜視図、第５図はフィルタの
等価回路図、第６図及び第７図はフィルタの周波数特性
を示す特性図、第８図は本発明の第２実施例を示す斜視
図、第９図〜第１２図は本発明の第３〜第５実施例を示
す断面図、第１３図は本発明の第６実施例を示す斜視図
、第１４図は本発明の第７実施例を示す断面図、第１５
図は本発明の第８実施例を示す斜視図、第１６図は゛本
発明の第９実施例を示す断面図である。 １２・・・セラミック基板、１４．１５・・・信号線を
なす金属帯板、１６・・・接地電極板。
Claims (1)
- 容量性およびバリスタ特性をもつ誘電材料からなる平
板の一方の面に、電気信号伝達用の細長い信号線を設け
、他方の面のほぼ全体に設置用電極を設け、前記信号線
と前記接地用電極との間に分布定数型コンデンサおよび
バリスタを形成したことを特徴とする高周波およびサー
ジ吸収フィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25932887A JPH01102874A (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | 高周波およびサージ吸収フィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25932887A JPH01102874A (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | 高周波およびサージ吸収フィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01102874A true JPH01102874A (ja) | 1989-04-20 |
Family
ID=17332565
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25932887A Pending JPH01102874A (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | 高周波およびサージ吸収フィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01102874A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04209481A (ja) * | 1990-12-07 | 1992-07-30 | Murata Mfg Co Ltd | モジュラージャック |
| JPH04209482A (ja) * | 1990-12-03 | 1992-07-30 | Murata Mfg Co Ltd | モジュラージャック |
| JP2007142991A (ja) * | 2005-11-22 | 2007-06-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ノイズ対策部品 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6146003A (ja) * | 1984-08-10 | 1986-03-06 | 松下電器産業株式会社 | 複合機能素子 |
| JPS61173472A (ja) * | 1984-07-30 | 1986-08-05 | 株式会社デンソー | 電子機器のための高周波フイルタ |
-
1987
- 1987-10-14 JP JP25932887A patent/JPH01102874A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61173472A (ja) * | 1984-07-30 | 1986-08-05 | 株式会社デンソー | 電子機器のための高周波フイルタ |
| JPS6146003A (ja) * | 1984-08-10 | 1986-03-06 | 松下電器産業株式会社 | 複合機能素子 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04209482A (ja) * | 1990-12-03 | 1992-07-30 | Murata Mfg Co Ltd | モジュラージャック |
| JPH04209481A (ja) * | 1990-12-07 | 1992-07-30 | Murata Mfg Co Ltd | モジュラージャック |
| JP2007142991A (ja) * | 2005-11-22 | 2007-06-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ノイズ対策部品 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6331926B1 (en) | Paired multi-layered dielectric independent passive component architecture resulting in differential and common mode filtering with surge protection in one integrated package | |
| US5224878A (en) | Connector filter with integral surge protection | |
| US6950293B2 (en) | Paired multi-layered dielectric independent passive component architecture resulting in differential and common mode filtering with surge protection in one integrated package | |
| US5909350A (en) | Paired multi-layered dielectric independent passive component architecture resulting in differential and common mode filtering with surge protection in one integrated package | |
| US6650525B2 (en) | Component carrier | |
| US20060077646A1 (en) | Combined varistor and LC filter device | |
| US7821759B2 (en) | Surge absorption circuit | |
| US6498710B1 (en) | Paired multi-layered dielectric independent passive component architecture resulting in differential and common mode filtering with surge protection in one integrated package | |
| US7589953B2 (en) | Multilayer capacitor | |
| TWI386957B (zh) | 電機多層組件 | |
| EP0123457A1 (en) | Filter connector | |
| KR900005873B1 (ko) | 광대역 주파수 여과를 위한 전기 접속기 | |
| JPH0653078A (ja) | バリスタ機能付き積層コンデンサアレイ | |
| WO2006085492A1 (ja) | 静電気保護機能付きチップ部品 | |
| JPH01102874A (ja) | 高周波およびサージ吸収フィルタ | |
| US7312971B2 (en) | Surge absorption circuit and laminated surge absorption device | |
| JPH0416012A (ja) | ノイズ・フイルタ | |
| JP3061092B2 (ja) | バリスタ機能付きノイズフィルタブロック | |
| JPH04277601A (ja) | バリスタ部品 | |
| JPH02220406A (ja) | 多極型バリスタ | |
| KR20010075251A (ko) | 전도성 부재 | |
| KR100487723B1 (ko) | 과전압 보호 장치 | |
| JPH07105609B2 (ja) | 回路装置 | |
| JPH0214288Y2 (ja) | ||
| JPH0325363Y2 (ja) |