JPH01102712A - 薄膜磁気ヘッドとその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドとその製造方法Info
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- JPH01102712A JPH01102712A JP25971787A JP25971787A JPH01102712A JP H01102712 A JPH01102712 A JP H01102712A JP 25971787 A JP25971787 A JP 25971787A JP 25971787 A JP25971787 A JP 25971787A JP H01102712 A JPH01102712 A JP H01102712A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
- G11B5/3143—Disposition of layers including additional layers for improving the electromagnetic transducing properties of the basic structure, e.g. for flux coupling, guiding or shielding
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-
- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B5/245—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features comprising means for controlling the reluctance of the magnetic circuit in a head with single gap, for co-operation with one track
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は薄膜磁気ヘッドに係り、特に、記録と再生の両
特性に優れた高記録密度薄膜磁気ヘッドに関する。
特性に優れた高記録密度薄膜磁気ヘッドに関する。
従来の薄膜磁気ヘッドは、米国特許4,190,872
号に記載のように、下部磁性薄膜、磁気ギャップ膜2層
間絶縁膜、薄膜状コイル、上部磁性薄膜を具備している
。更に、記録特性と再生特性に優れた薄膜磁気ヘッドと
して米国特許3,639,699号および特公昭60−
10410号公報が知られている。米国特許3,639
,699号には下部磁性薄膜と上部磁性薄膜とが夫々二
層から成り、夫々の磁性薄膜の磁気ギャップに接する側
は高透磁率で、かつ、低飽和磁束密度の磁性薄膜から成
り、磁気ギャップに接しない側は低送′6ji率で、か
つ、高飽和磁束密度の磁性薄膜から成り、磁気ギャップ
に接する磁性薄膜と磁気ギャップに接しない磁性薄膜は
材料組成が異なり、かつ、接触している。磁性薄膜は厳
密な組成制御を必要とするので、組成の異なる磁性薄膜
を少なくとも二種類以上用いる薄膜磁気ヘッドは、工業
的に多量に製造する場合は、電磁変換特性の安定性に欠
けるという問題点がある。また、低透磁率膜と高透磁率
膜が直接接触している多層膜では、低透磁率膜の磁気特
性が高透磁率膜に悪影響を及ぼし、高透磁率膜の透磁率
を低下させるという問題がある。
号に記載のように、下部磁性薄膜、磁気ギャップ膜2層
間絶縁膜、薄膜状コイル、上部磁性薄膜を具備している
。更に、記録特性と再生特性に優れた薄膜磁気ヘッドと
して米国特許3,639,699号および特公昭60−
10410号公報が知られている。米国特許3,639
,699号には下部磁性薄膜と上部磁性薄膜とが夫々二
層から成り、夫々の磁性薄膜の磁気ギャップに接する側
は高透磁率で、かつ、低飽和磁束密度の磁性薄膜から成
り、磁気ギャップに接しない側は低送′6ji率で、か
つ、高飽和磁束密度の磁性薄膜から成り、磁気ギャップ
に接する磁性薄膜と磁気ギャップに接しない磁性薄膜は
材料組成が異なり、かつ、接触している。磁性薄膜は厳
密な組成制御を必要とするので、組成の異なる磁性薄膜
を少なくとも二種類以上用いる薄膜磁気ヘッドは、工業
的に多量に製造する場合は、電磁変換特性の安定性に欠
けるという問題点がある。また、低透磁率膜と高透磁率
膜が直接接触している多層膜では、低透磁率膜の磁気特
性が高透磁率膜に悪影響を及ぼし、高透磁率膜の透磁率
を低下させるという問題がある。
また、特公昭60−10410号公報には記録媒体対向
面の磁性薄膜が高飽和磁束密度材料から成り、ヨークの
残りの磁性薄膜が高透磁率材料から成る:a膜、磁気ヘ
ッドが記載されている。特公昭60−10410号公報
に記載の薄膜磁気ヘッドも組成の異なる磁性薄膜を少な
くとも二種類以上用いており、かつ、二種類の磁性薄膜
は直接接触しているため、米国特許3,639,699
号と同様の問題点は解決されていない。米国特許3,6
39,699号および特公昭60−10410号公報記
載の高透磁率膜は通常の高透磁率合金である81%Ni
−19%Feを用い、低透磁率膜はFe、Co、95%
C0−5%Fe。
面の磁性薄膜が高飽和磁束密度材料から成り、ヨークの
残りの磁性薄膜が高透磁率材料から成る:a膜、磁気ヘ
ッドが記載されている。特公昭60−10410号公報
に記載の薄膜磁気ヘッドも組成の異なる磁性薄膜を少な
くとも二種類以上用いており、かつ、二種類の磁性薄膜
は直接接触しているため、米国特許3,639,699
号と同様の問題点は解決されていない。米国特許3,6
39,699号および特公昭60−10410号公報記
載の高透磁率膜は通常の高透磁率合金である81%Ni
−19%Feを用い、低透磁率膜はFe、Co、95%
C0−5%Fe。
45%Ni−55%Fe、60%Ni−40%Fe等を
用いることが記載されている。記録特性と再生特性の優
れた薄膜磁気ヘッドでは、低透磁率膜は高透磁率膜より
飽和磁束密度が大きいことが重要であると指摘している
。
用いることが記載されている。記録特性と再生特性の優
れた薄膜磁気ヘッドでは、低透磁率膜は高透磁率膜より
飽和磁束密度が大きいことが重要であると指摘している
。
本発明の目的は記録特性と再生特性に優れた高記録密度
薄膜磁気ヘッドを提供することにある。
薄膜磁気ヘッドを提供することにある。
上記目的は磁性薄膜として高透磁率膜と低透磁率膜を同
一組成の材料とし、高透磁率膜と低透磁率膜との間に非
磁性膜を介した二層以上の多層膜とし、磁性薄膜として
81%Ni−19%Feよりも飽和磁束密度の大きい材
料とすることにより達成される。磁性薄膜はCo−Fe
−Ni合金であり、原子比でCOが20〜85%、Fe
が5〜20%、Niが残部からなる結晶質合金およびc
o (N b + T a ) (Z r + H
f + Y p L a )合金であり、原子比でCO
が85〜95%、NbとTaのうちの少なくとも一方あ
るいは両方の和が3〜9%、Zr、Hf、Y、Laのう
ちの少なくとも一部が残部から成る非晶質合金が適して
いる。
一組成の材料とし、高透磁率膜と低透磁率膜との間に非
磁性膜を介した二層以上の多層膜とし、磁性薄膜として
81%Ni−19%Feよりも飽和磁束密度の大きい材
料とすることにより達成される。磁性薄膜はCo−Fe
−Ni合金であり、原子比でCOが20〜85%、Fe
が5〜20%、Niが残部からなる結晶質合金およびc
o (N b + T a ) (Z r + H
f + Y p L a )合金であり、原子比でCO
が85〜95%、NbとTaのうちの少なくとも一方あ
るいは両方の和が3〜9%、Zr、Hf、Y、Laのう
ちの少なくとも一部が残部から成る非晶質合金が適して
いる。
本発明の結晶質合金磁性薄膜は電気めっき法。
真空蒸着法、あるいは、スパッタリング法のいずれかの
方法で作製してもかまわない。非晶質合金磁性薄膜はス
パッタリング法で作製するのが良い。
方法で作製してもかまわない。非晶質合金磁性薄膜はス
パッタリング法で作製するのが良い。
本発明の磁性薄膜の高透磁率膜は膜作製時に回転磁界を
印加、あるいは、互いに直交する磁界を交互に印加する
ことにより、低透磁率膜とトラック幅方向に直流磁界、
あるいは、交番磁界を印加して作製する。
印加、あるいは、互いに直交する磁界を交互に印加する
ことにより、低透磁率膜とトラック幅方向に直流磁界、
あるいは、交番磁界を印加して作製する。
本発明の薄膜磁気ヘッドは記録時に高透磁率膜と低透磁
率膜が共に磁化し、薄膜磁気ヘッドから発生する磁界が
大きく、優れた記録特性をもっている。再生過程は記録
過程に比べて磁性薄膜は小さな磁界しか受けない。従っ
て、本発明の薄膜磁気ヘッドは再生時に高透磁率膜のみ
が磁化される。
率膜が共に磁化し、薄膜磁気ヘッドから発生する磁界が
大きく、優れた記録特性をもっている。再生過程は記録
過程に比べて磁性薄膜は小さな磁界しか受けない。従っ
て、本発明の薄膜磁気ヘッドは再生時に高透磁率膜のみ
が磁化される。
再生時の記録媒体対向面の磁性薄膜の厚さは実質的に高
透磁率1漠の厚さとなることから、高分解能に再生され
る。すなわち、本発明の薄膜磁気ヘッドは記録特性と再
生特性が共に優れている。
透磁率1漠の厚さとなることから、高分解能に再生され
る。すなわち、本発明の薄膜磁気ヘッドは記録特性と再
生特性が共に優れている。
本発明の薄膜磁気ヘッドは同一組成の磁性薄膜から成る
ことから工業的多量生産した時の安定性に優れているこ
とは明らかである。また、高透磁率膜と低透磁率膜とが
直接接触していないことから、高透磁率膜の透磁率低下
も無い。高透磁率膜と低透磁率膜との間に介在する非磁
性膜はA120a+Si○z+5iaNa等の絶縁膜、
あるいは、Cr。
ことから工業的多量生産した時の安定性に優れているこ
とは明らかである。また、高透磁率膜と低透磁率膜とが
直接接触していないことから、高透磁率膜の透磁率低下
も無い。高透磁率膜と低透磁率膜との間に介在する非磁
性膜はA120a+Si○z+5iaNa等の絶縁膜、
あるいは、Cr。
Mo、Ti、Nb等の金属膜が用いられる。非磁性膜の
厚さは2nmから400nmが適している。
厚さは2nmから400nmが適している。
非磁性膜の厚さが2nmより薄ければ、非磁性膜のピン
ホールを通して高透磁率膜と低透磁率膜が部分的に接触
し、高透磁率膜の透磁率低下をもたらし、好ましくない
。非磁性膜の厚さが400nmより厚ければ、記録時に
低透磁率膜の磁化される割合が減少し、磁気ヘッドから
発生する磁界が減少し、十分な記録特性を得ることが出
来ない。
ホールを通して高透磁率膜と低透磁率膜が部分的に接触
し、高透磁率膜の透磁率低下をもたらし、好ましくない
。非磁性膜の厚さが400nmより厚ければ、記録時に
低透磁率膜の磁化される割合が減少し、磁気ヘッドから
発生する磁界が減少し、十分な記録特性を得ることが出
来ない。
磁性薄膜は公知の高透磁率合金である81%Ni−19
%Fe(パーマロイ合金)よりも飽和磁束密度が大きく
、かつ、一方向に磁界を印加して磁性薄膜を作製した時
に透磁率が200〜500と小さく1回転磁界中、ある
いは、互いに直交する磁界を交互に所定の周波数で印加
して作製した時に透磁率が1500〜4000と大きく
なる一軸磁気異方性をもつCo−Fe−Ni結晶質合金
およびc o (N b 9 T a ) (
z r + IIfr y +L″a)非晶質合金が適
している。Co−Fe −Ni結晶質合金では原子比で
COが20〜85%、Feが5〜20%、Niが残部か
ら成る組成が適している。Coが20%よりも少なけれ
ば、Feが5〜20%の範囲でパーマロイ合金より飽和
磁束密度が実質的に大きくならず、好ましくない。
%Fe(パーマロイ合金)よりも飽和磁束密度が大きく
、かつ、一方向に磁界を印加して磁性薄膜を作製した時
に透磁率が200〜500と小さく1回転磁界中、ある
いは、互いに直交する磁界を交互に所定の周波数で印加
して作製した時に透磁率が1500〜4000と大きく
なる一軸磁気異方性をもつCo−Fe−Ni結晶質合金
およびc o (N b 9 T a ) (
z r + IIfr y +L″a)非晶質合金が適
している。Co−Fe −Ni結晶質合金では原子比で
COが20〜85%、Feが5〜20%、Niが残部か
ら成る組成が適している。Coが20%よりも少なけれ
ば、Feが5〜20%の範囲でパーマロイ合金より飽和
磁束密度が実質的に大きくならず、好ましくない。
COが85%よりも多ければ、−軸磁気異方性を示さず
高透磁率膜とならないので好ましくない。
高透磁率膜とならないので好ましくない。
Feが5%よりも少ないか、20%よりも多ければ一軸
磁気異方性を示さず、高透磁率膜とならないので好まし
くない6 Co−(Nb、Ta)−(Zr、Hf、Y、La)非晶
質合金では原子比でCoが90〜95%、NbとTaの
うちの少なくとも、一方、あるいは、両方の和が3〜9
%、Zr、Hf、Y、Laのうちの少なくとも一つが残
部から成る組成が適している。coが90%よりも少な
ければパーマロイ合金より飽和磁束密度が実質的に大き
くならず、好ましくない。Coが95%より多ければ、
非晶質化せず、高透磁率にならないので好ましくない。
磁気異方性を示さず、高透磁率膜とならないので好まし
くない6 Co−(Nb、Ta)−(Zr、Hf、Y、La)非晶
質合金では原子比でCoが90〜95%、NbとTaの
うちの少なくとも、一方、あるいは、両方の和が3〜9
%、Zr、Hf、Y、Laのうちの少なくとも一つが残
部から成る組成が適している。coが90%よりも少な
ければパーマロイ合金より飽和磁束密度が実質的に大き
くならず、好ましくない。Coが95%より多ければ、
非晶質化せず、高透磁率にならないので好ましくない。
Nb、Ta、Zr、Hf、Y、LaはCO系合金におけ
る非晶質化元素として公知であるが、薄膜磁気ヘッドの
微細形状にパターニングした時、高透磁率となるのはN
bとTaの一方、あるいは、両方の和が3〜9%の範囲
である。NbとTaの一方、あるいは、両方の和が3%
以下ではパターニングした時に透磁率が低下し、9%以
上では飽和磁束密度がパーマロイ合金より実質的に大き
くならない。
る非晶質化元素として公知であるが、薄膜磁気ヘッドの
微細形状にパターニングした時、高透磁率となるのはN
bとTaの一方、あるいは、両方の和が3〜9%の範囲
である。NbとTaの一方、あるいは、両方の和が3%
以下ではパターニングした時に透磁率が低下し、9%以
上では飽和磁束密度がパーマロイ合金より実質的に大き
くならない。
本発明の薄膜磁気ヘッドの磁性薄膜作製時に、トラック
幅方向に直流磁界、あるいは、交番磁界を印加すればト
ラック幅方向に磁化容易軸をもつ透磁率200〜500
の一軸磁気異方性をもつ低透磁率膜を作製することが出
来る。低透磁率膜は膜厚方向に磁化容易軸をもつ垂直磁
気異方性の膜、あるいは、トラック幅方向と直交方向に
磁化容易°軸をもつ一軸磁気異方性膜でも達成出来るが
、前者は記録特性に変動があり好ましくない。一方、後
者は再生特性に変動があって好ましくない。高透磁率膜
は膜作成時に、互いに直交する二対のへルムホルツコイ
ルにより、位相の異なる磁界によって回転磁界を印加す
るか1時間的に交互に直交する磁界を印加することによ
って作製することが出来る。ここで、二次のへルムホル
ツコイルのうちの、一対(コイルAと呼ぶ)はトラック
幅方向の磁界を発生し、他の一対(コイルBと呼ぶ)は
コイルAに直交する磁界を発生する様に配置するのが良
い。二次にヘルムホルツコイルで回転磁界を光生させる
場合には、コイルBによって生じる磁界よりもコイルA
によって生じる磁界を大きくし、かつ、位相を90度ず
らすことにより、楕円回転磁界を印加し、トラック幅方
向に磁化容易軸を付与することが肝要である。二対のへ
ルムホルッコイルで互いに直交する磁界を交互に印加す
る場合には、コイルAによって生じる磁界を印加してい
る時間をコイルBによって生じる磁界を印加している時
間よりも長くし、トラック幅方向に磁化容易軸を付与す
ることが肝要である6低透磁率膜を回転磁界中熱処理に
よって高透磁率化することは公知であるが、本発明の薄
膜磁気ヘッド製造法には回転磁界中熱処理法は適さない
。なぜならば。
幅方向に直流磁界、あるいは、交番磁界を印加すればト
ラック幅方向に磁化容易軸をもつ透磁率200〜500
の一軸磁気異方性をもつ低透磁率膜を作製することが出
来る。低透磁率膜は膜厚方向に磁化容易軸をもつ垂直磁
気異方性の膜、あるいは、トラック幅方向と直交方向に
磁化容易°軸をもつ一軸磁気異方性膜でも達成出来るが
、前者は記録特性に変動があり好ましくない。一方、後
者は再生特性に変動があって好ましくない。高透磁率膜
は膜作成時に、互いに直交する二対のへルムホルツコイ
ルにより、位相の異なる磁界によって回転磁界を印加す
るか1時間的に交互に直交する磁界を印加することによ
って作製することが出来る。ここで、二次のへルムホル
ツコイルのうちの、一対(コイルAと呼ぶ)はトラック
幅方向の磁界を発生し、他の一対(コイルBと呼ぶ)は
コイルAに直交する磁界を発生する様に配置するのが良
い。二次にヘルムホルツコイルで回転磁界を光生させる
場合には、コイルBによって生じる磁界よりもコイルA
によって生じる磁界を大きくし、かつ、位相を90度ず
らすことにより、楕円回転磁界を印加し、トラック幅方
向に磁化容易軸を付与することが肝要である。二対のへ
ルムホルッコイルで互いに直交する磁界を交互に印加す
る場合には、コイルAによって生じる磁界を印加してい
る時間をコイルBによって生じる磁界を印加している時
間よりも長くし、トラック幅方向に磁化容易軸を付与す
ることが肝要である6低透磁率膜を回転磁界中熱処理に
よって高透磁率化することは公知であるが、本発明の薄
膜磁気ヘッド製造法には回転磁界中熱処理法は適さない
。なぜならば。
下部磁性薄膜の磁気ギャップ膜に接する側゛の磁性薄膜
と上部磁性薄膜の磁気ギャップ膜に接する側の磁性薄膜
を回転磁界中熱処理により高透磁率化すれば、既に形成
されている下部磁性薄膜の磁気ギャップ膜に接しない側
の磁性薄膜も高透磁率化し、透磁率の大きい下部磁性薄
膜が厚くなったことと等価となり、再生特性の低下をも
たらす。
と上部磁性薄膜の磁気ギャップ膜に接する側の磁性薄膜
を回転磁界中熱処理により高透磁率化すれば、既に形成
されている下部磁性薄膜の磁気ギャップ膜に接しない側
の磁性薄膜も高透磁率化し、透磁率の大きい下部磁性薄
膜が厚くなったことと等価となり、再生特性の低下をも
たらす。
本発明では高透磁率膜作製時に回転磁界あるいは直交す
る磁界を交互に印加することから、低透磁率膜の高透磁
率化は生じない。
る磁界を交互に印加することから、低透磁率膜の高透磁
率化は生じない。
以下、本発明の一実施例を第1図により説明する。本図
は薄膜磁気ヘッドの断面図である。下部磁性薄膜は下部
第一磁性薄膜1と下部第二磁性薄膜2と下部第三磁性薄
膜4とから構成されており、下部第二磁性薄膜2と下部
第三磁性薄膜4は下部非磁性膜3で分離されている。薄
膜状コイル7は層間絶縁膜6,7により下部第三磁性薄
膜と上部第一磁性薄膜9とは絶縁されている。上部磁性
薄膜は上部第一磁性薄膜9と上部第二磁性薄膜11と上
部第三磁性薄膜とから構成されており、上部第一磁性薄
膜9と上部第二磁性薄膜11は上部非磁性膜10で分離
されている。下部第二磁性薄膜2と、下部第三磁性薄膜
4と下部第一磁性薄膜9と上部第二磁性薄膜11は記録
媒体対向面13に露出している。また、下部第三磁性薄
膜4と上部非磁性膜V!A9は磁気ギャップ膜5と接し
ている。
は薄膜磁気ヘッドの断面図である。下部磁性薄膜は下部
第一磁性薄膜1と下部第二磁性薄膜2と下部第三磁性薄
膜4とから構成されており、下部第二磁性薄膜2と下部
第三磁性薄膜4は下部非磁性膜3で分離されている。薄
膜状コイル7は層間絶縁膜6,7により下部第三磁性薄
膜と上部第一磁性薄膜9とは絶縁されている。上部磁性
薄膜は上部第一磁性薄膜9と上部第二磁性薄膜11と上
部第三磁性薄膜とから構成されており、上部第一磁性薄
膜9と上部第二磁性薄膜11は上部非磁性膜10で分離
されている。下部第二磁性薄膜2と、下部第三磁性薄膜
4と下部第一磁性薄膜9と上部第二磁性薄膜11は記録
媒体対向面13に露出している。また、下部第三磁性薄
膜4と上部非磁性膜V!A9は磁気ギャップ膜5と接し
ている。
下部第三磁性薄膜4と上部第一磁性薄膜9は高透磁率膜
であり、下部第二磁性薄膜2と上部第二磁性薄膜11は
低透磁率膜である。下部第一磁性薄膜1は上部第三磁性
薄膜12は高透磁率膜であることが望ましいが、低透磁
率膜でも記録・再生特性をほとんど低下させない。
であり、下部第二磁性薄膜2と上部第二磁性薄膜11は
低透磁率膜である。下部第一磁性薄膜1は上部第三磁性
薄膜12は高透磁率膜であることが望ましいが、低透磁
率膜でも記録・再生特性をほとんど低下させない。
記録時は薄膜状コイル7に通電することにより、下部第
一、二、三辺性薄膜と上部第一、二、三辺性薄膜を全て
磁化し、記録媒体対向面13に近接゛配置しである記録
媒体14に大きな磁界が加わり、十分な記録がなさ九る
。再生時は記録媒体14から磁気ヘッドに印加される磁
界が小さいことから、高透磁率膜である下部第三磁性薄
膜4と上部第一磁性薄膜9のみが磁化する。従って、磁
気記録上再生時の記録媒体対向面13での下部磁性薄膜
の厚さは実質的に下部第三磁性薄膜4の厚さであり、上
部磁性薄膜の厚さは実質的に上部第一磁性薄膜9の厚さ
となることから高分解能に再生出来る。
一、二、三辺性薄膜と上部第一、二、三辺性薄膜を全て
磁化し、記録媒体対向面13に近接゛配置しである記録
媒体14に大きな磁界が加わり、十分な記録がなさ九る
。再生時は記録媒体14から磁気ヘッドに印加される磁
界が小さいことから、高透磁率膜である下部第三磁性薄
膜4と上部第一磁性薄膜9のみが磁化する。従って、磁
気記録上再生時の記録媒体対向面13での下部磁性薄膜
の厚さは実質的に下部第三磁性薄膜4の厚さであり、上
部磁性薄膜の厚さは実質的に上部第一磁性薄膜9の厚さ
となることから高分解能に再生出来る。
第1図の構成の薄膜磁気ヘッドは次のようにして製造さ
れる。所定の面粗さに研摩されたアルミナを含むセラミ
ックス基板15上にアルミナ下地膜16をスパッタリン
グ法で形成し、アルミナ下地膜の表面を所定の面粗さに
研摩する。次に、下部第一磁性薄膜1である25at%
Co−12at%Fe−63at%Ni合金を直流磁界
中でスパッタリングし、感光性樹脂(シプレー社(アメ
リカ合衆国)製、レジストAZ1350J (レジス1
− A Z 1350 Jは登録商標))をマスクとし
てイオンミリングし、下部第一磁性薄膜の磁気コア形状
にパターニングする。次に、下部第一磁性薄膜1と同じ
組成の下部第二磁性薄膜2、アルミナから成る下部非磁
性膜3、下部第一磁性薄膜1と同じ組成の下部第三磁性
薄膜4を同一真空チャンバ内で連続してスパッタリング
する。この時、下部第二磁性薄膜2の形成時には直流磁
界を印加しておく。下部非磁性膜3の形成時には直流磁
界を印加しておいても良く、磁界を印加してなくても良
い。下部第三磁性薄膜4の形成時には楕円回転磁界を印
加する。ここで、トラック幅方向の磁界は750e、ト
ラック幅と直交方向の磁界は50○e、磁界の回転数は
50ppm、とした。直流磁界を印加して形成した下部
第二磁性薄膜2の透磁率は400、楕円回転磁界を印加
して形成した下部第三磁性薄膜の透磁率は3000、飽
和磁束密度は共に12,000 ガウスであった。次に
、感光性樹脂をマスクとして下部第二磁性薄膜2と下部
非磁性膜3と下部第三磁性薄膜4を一括して磁気コア形
状にパターニングする。
れる。所定の面粗さに研摩されたアルミナを含むセラミ
ックス基板15上にアルミナ下地膜16をスパッタリン
グ法で形成し、アルミナ下地膜の表面を所定の面粗さに
研摩する。次に、下部第一磁性薄膜1である25at%
Co−12at%Fe−63at%Ni合金を直流磁界
中でスパッタリングし、感光性樹脂(シプレー社(アメ
リカ合衆国)製、レジストAZ1350J (レジス1
− A Z 1350 Jは登録商標))をマスクとし
てイオンミリングし、下部第一磁性薄膜の磁気コア形状
にパターニングする。次に、下部第一磁性薄膜1と同じ
組成の下部第二磁性薄膜2、アルミナから成る下部非磁
性膜3、下部第一磁性薄膜1と同じ組成の下部第三磁性
薄膜4を同一真空チャンバ内で連続してスパッタリング
する。この時、下部第二磁性薄膜2の形成時には直流磁
界を印加しておく。下部非磁性膜3の形成時には直流磁
界を印加しておいても良く、磁界を印加してなくても良
い。下部第三磁性薄膜4の形成時には楕円回転磁界を印
加する。ここで、トラック幅方向の磁界は750e、ト
ラック幅と直交方向の磁界は50○e、磁界の回転数は
50ppm、とした。直流磁界を印加して形成した下部
第二磁性薄膜2の透磁率は400、楕円回転磁界を印加
して形成した下部第三磁性薄膜の透磁率は3000、飽
和磁束密度は共に12,000 ガウスであった。次に
、感光性樹脂をマスクとして下部第二磁性薄膜2と下部
非磁性膜3と下部第三磁性薄膜4を一括して磁気コア形
状にパターニングする。
次に、アルミナから成る磁気ギャップ膜5をスパッタリ
ングし、下部第三磁性薄膜4と上部第一磁性薄膜9とを
接続するバックギャップ部のアルミナ膜をイオンミリン
グ法で除去する。次に、ポリイミド系樹脂(日立化成社
製、ポリイミド樹脂PIQ(PIQは登録商標))から
成る層間絶縁膜を塗布し、真空中でベークしてポリイミ
ド系樹脂を焼き固める。次に、密着層であるTiないし
Crの薄い膜を下地に形成したCuをスパッタリングな
いし真空蒸着し、密着層を含めた導体膜を感光性樹脂を
マスクとしてイオンミリングして薄膜状コイル7を形成
する。次に、ポリイミド系樹脂から成るチ1゛η間絶縁
膜8を塗布、ベークし、感光性樹脂をマスクとして化学
エツチングし、バックギャップ部とフロントギャップ部
を除去する。
ングし、下部第三磁性薄膜4と上部第一磁性薄膜9とを
接続するバックギャップ部のアルミナ膜をイオンミリン
グ法で除去する。次に、ポリイミド系樹脂(日立化成社
製、ポリイミド樹脂PIQ(PIQは登録商標))から
成る層間絶縁膜を塗布し、真空中でベークしてポリイミ
ド系樹脂を焼き固める。次に、密着層であるTiないし
Crの薄い膜を下地に形成したCuをスパッタリングな
いし真空蒸着し、密着層を含めた導体膜を感光性樹脂を
マスクとしてイオンミリングして薄膜状コイル7を形成
する。次に、ポリイミド系樹脂から成るチ1゛η間絶縁
膜8を塗布、ベークし、感光性樹脂をマスクとして化学
エツチングし、バックギャップ部とフロントギャップ部
を除去する。
次に、下部第一磁性薄膜1と同じ組成の上部筒TJ&性
簿膜9とアルミナから成る上部非磁性膜10と下部第一
磁性薄膜1と同じ組成の上部第二磁性薄膜11を同一真
空チャンバ内で連続してスパッタリングする。この時、
上部筒−磁性薄1膜9の形成時には、下部第三磁性薄膜
4の形成時は同様の楕円回転磁界を印加する。上部第二
磁性薄膜11の形成時には直流磁界を印加しておく。楕
円回転磁界を印加して形成した上部第一磁性薄膜9の透
磁率は3,000 、直流磁界を印加して形成した上部
第二磁性薄膜11の透磁率は400であった。次に、感
光性樹脂を−マスクとして、上部第一磁性薄膜9と上部
非磁性v10と上部第二磁性薄膜1・1を一括して磁気
コア形状にイオンミリングする。
簿膜9とアルミナから成る上部非磁性膜10と下部第一
磁性薄膜1と同じ組成の上部第二磁性薄膜11を同一真
空チャンバ内で連続してスパッタリングする。この時、
上部筒−磁性薄1膜9の形成時には、下部第三磁性薄膜
4の形成時は同様の楕円回転磁界を印加する。上部第二
磁性薄膜11の形成時には直流磁界を印加しておく。楕
円回転磁界を印加して形成した上部第一磁性薄膜9の透
磁率は3,000 、直流磁界を印加して形成した上部
第二磁性薄膜11の透磁率は400であった。次に、感
光性樹脂を−マスクとして、上部第一磁性薄膜9と上部
非磁性v10と上部第二磁性薄膜1・1を一括して磁気
コア形状にイオンミリングする。
次に、下部第一磁性薄膜1と同じ組成の上部第三磁性薄
膜12をスパッタリングして、磁気コア形状にイオンミ
リング法でパターニングする。上部非磁性膜11i12
をスパッタリングする時には直流磁界を印加しておく。
膜12をスパッタリングして、磁気コア形状にイオンミ
リング法でパターニングする。上部非磁性膜11i12
をスパッタリングする時には直流磁界を印加しておく。
このようにして製造された第1図の薄膜磁気ヘッドは磁
気ギャップ膜に接する下部第三磁性薄膜4と上部磁性薄
膜9とが透磁率300.0と大きいことから、磁性薄膜
が81%Ni−19%Feから成り、かつ、構造が公知
の米国特許4,190,872の薄膜磁気ヘッドと同等
の再生特性をもっていた。
気ギャップ膜に接する下部第三磁性薄膜4と上部磁性薄
膜9とが透磁率300.0と大きいことから、磁性薄膜
が81%Ni−19%Feから成り、かつ、構造が公知
の米国特許4,190,872の薄膜磁気ヘッドと同等
の再生特性をもっていた。
第1図の薄膜磁気ヘッドは下部第二磁性薄膜2と上部第
二磁性薄膜11が記録過程で大きな磁界発生に寄与する
ことから、記録特性は磁性薄膜が81%Ni−19%F
eから成り、かつ、構造が公知の米国特許4,190,
827号の薄膜磁気ヘッドに比べて20%優れていた。
二磁性薄膜11が記録過程で大きな磁界発生に寄与する
ことから、記録特性は磁性薄膜が81%Ni−19%F
eから成り、かつ、構造が公知の米国特許4,190,
827号の薄膜磁気ヘッドに比べて20%優れていた。
第1図で、下部非磁性薄膜3と上部非磁性膜10とがな
い、下部第二磁性薄膜2と下部第三磁性薄膜4および上
部第一磁性薄膜9と上部第二磁性薄膜11が夫々接触し
たg1瞑磁気ヘッドでは、下部第三磁性薄膜4と上部第
一磁性薄膜9の透磁率が800に低下し、本発明の薄膜
磁気ヘッドに比べて再生特性が30%劣っていた。
い、下部第二磁性薄膜2と下部第三磁性薄膜4および上
部第一磁性薄膜9と上部第二磁性薄膜11が夫々接触し
たg1瞑磁気ヘッドでは、下部第三磁性薄膜4と上部第
一磁性薄膜9の透磁率が800に低下し、本発明の薄膜
磁気ヘッドに比べて再生特性が30%劣っていた。
第2図は本発明の他の実施例の薄膜磁気ヘッドの断面図
である。第2図の薄膜磁気ヘッドが第1図の薄膜磁気ヘ
ッドと異なる点は下部第一磁性薄膜および上部第三磁性
薄膜がなく、低透磁率膜である下部第二磁性薄膜2、下
部第三磁性薄膜11と高透磁率膜である下部第三磁性薄
膜4.上部第一磁性薄膜9とで磁気コアを構成している
。下部第一磁性薄膜と上部第三磁性薄膜を省略すること
により、製造工程を大幅に簡略化することが出来る。
である。第2図の薄膜磁気ヘッドが第1図の薄膜磁気ヘ
ッドと異なる点は下部第一磁性薄膜および上部第三磁性
薄膜がなく、低透磁率膜である下部第二磁性薄膜2、下
部第三磁性薄膜11と高透磁率膜である下部第三磁性薄
膜4.上部第一磁性薄膜9とで磁気コアを構成している
。下部第一磁性薄膜と上部第三磁性薄膜を省略すること
により、製造工程を大幅に簡略化することが出来る。
第2図の薄膜磁気ヘッドの製造法において、基板、下地
膜16、磁気ギャップ膜5、層間絶縁膜6.8、薄痕状
占イル7等の製造法は第1図の薄膜磁気ヘラ行と同じで
あるので、磁性薄膜の製造法について述べる。下部第二
磁性薄膜2は組成が82a t%Co−bat%Fe
12at%Niを周波数50Hzの交番磁界中で電気
めっきする。
膜16、磁気ギャップ膜5、層間絶縁膜6.8、薄痕状
占イル7等の製造法は第1図の薄膜磁気ヘラ行と同じで
あるので、磁性薄膜の製造法について述べる。下部第二
磁性薄膜2は組成が82a t%Co−bat%Fe
12at%Niを周波数50Hzの交番磁界中で電気
めっきする。
ここで、めっき電流を通電するための下地膜は下部第二
磁性薄膜2と同じ組成の合金をスパッタリング法、ある
いは、真空蒸着法であらかじめ形成しておく。次に、ス
パッタリング法で酸化硅素から成る下部非磁性層3と下
部第三磁性薄膜の下地膜となる下部第二磁性薄膜2と同
じ組成の合金を連続して形成する。次に、下部第二磁性
薄膜2と同じ組成の下部第三磁性薄膜4を電気めっき法
で形成する。下部第三磁性薄膜4の形成時にはトラック
幅方向とトラック幅に直交する方向に交互に磁界を印加
する。夫々の磁界の大きさは500eであり、第3図に
示す方式で磁界を印加する。トラック幅方向に印加する
磁界H^の一パルスの印加時間t^を0.6 秒トラッ
ク幅と直交方向に印加する磁界Haの一パルスの印加時
間taを0.4秒とした。ここで、トラック幅方向に印
加する磁界H^とトラック幅と直交方向に印加する磁界
Hnとが重なり合わないことが肝要である。トラック幅
方向に磁界印加終了後とトラック幅と直交方向に磁界印
加が開始するまでの時間Δtは0〜20ミリ秒とすれば
異方性分散の小さい磁気特性に優れた下部第三磁性薄膜
4を作製することが出来る。交番磁界を印加して形成し
た下部第二磁性薄膜の透磁率は500、互に直交する磁
界を交互に印加して形成した下部第三磁性薄膜4は透磁
率2700、飽和磁束密度は共に16000ガウスであ
った。次に、感光性樹脂をマスクとして下部第二磁性薄
膜2と下部非磁性膜3と下部第三磁性薄膜4を一括して
磁気コア形状にイオンミリング;去でパターニングする
。
磁性薄膜2と同じ組成の合金をスパッタリング法、ある
いは、真空蒸着法であらかじめ形成しておく。次に、ス
パッタリング法で酸化硅素から成る下部非磁性層3と下
部第三磁性薄膜の下地膜となる下部第二磁性薄膜2と同
じ組成の合金を連続して形成する。次に、下部第二磁性
薄膜2と同じ組成の下部第三磁性薄膜4を電気めっき法
で形成する。下部第三磁性薄膜4の形成時にはトラック
幅方向とトラック幅に直交する方向に交互に磁界を印加
する。夫々の磁界の大きさは500eであり、第3図に
示す方式で磁界を印加する。トラック幅方向に印加する
磁界H^の一パルスの印加時間t^を0.6 秒トラッ
ク幅と直交方向に印加する磁界Haの一パルスの印加時
間taを0.4秒とした。ここで、トラック幅方向に印
加する磁界H^とトラック幅と直交方向に印加する磁界
Hnとが重なり合わないことが肝要である。トラック幅
方向に磁界印加終了後とトラック幅と直交方向に磁界印
加が開始するまでの時間Δtは0〜20ミリ秒とすれば
異方性分散の小さい磁気特性に優れた下部第三磁性薄膜
4を作製することが出来る。交番磁界を印加して形成し
た下部第二磁性薄膜の透磁率は500、互に直交する磁
界を交互に印加して形成した下部第三磁性薄膜4は透磁
率2700、飽和磁束密度は共に16000ガウスであ
った。次に、感光性樹脂をマスクとして下部第二磁性薄
膜2と下部非磁性膜3と下部第三磁性薄膜4を一括して
磁気コア形状にイオンミリング;去でパターニングする
。
上部第一磁性薄膜9.上部非磁性膜10、上部第二磁性
薄膜は次のようにして作製される。下部第二磁性薄膜2
と同じ組成の合金をスパッタリング法で形成し、めっき
用下地膜を作製する。次に、下部第三磁性薄膜4と同じ
方法で上部第一磁性薄膜9を作製する。上部第一磁性薄
膜9の組成は下地第二磁性薄膜2と同じである。次に、
酸化硅素から成る上部非磁性膜10とめつき用下地膜を
スパッタリング法で連続的に形成する。めっき用下地膜
1oは下部第二磁性薄膜2と組成が同じである。
薄膜は次のようにして作製される。下部第二磁性薄膜2
と同じ組成の合金をスパッタリング法で形成し、めっき
用下地膜を作製する。次に、下部第三磁性薄膜4と同じ
方法で上部第一磁性薄膜9を作製する。上部第一磁性薄
膜9の組成は下地第二磁性薄膜2と同じである。次に、
酸化硅素から成る上部非磁性膜10とめつき用下地膜を
スパッタリング法で連続的に形成する。めっき用下地膜
1oは下部第二磁性薄膜2と組成が同じである。
次に、下部第二磁性薄膜2と組成が同じ上部第二磁性薄
膜11を周波数50Hzの交番磁界中で電気めっきする
。互いに直交する磁界を交互に印加して形成した上部第
一磁性薄膜9の透磁率は2700、交番磁界中で形成し
た上部第二磁性薄膜11の透磁率は500であった。次
に、感光性樹脂をマスクとして上部第一磁性薄膜9と上
部非磁性膜10と上部第二磁性薄膜11を一括して磁気
コア形状にイオンミリングする。本実施例の磁性薄膜で
ある82at%Co−6at%Fe−12at%Niは
電気めっき法で形成した場合に保磁力の小さい優れた磁
気特性をもっている。スパッタリング法で形成した場合
にはめつき用下地膜のように厚さが0.1 μm程度
の薄い膜でのみ保磁力の小さい優れた磁気特性を示す。
膜11を周波数50Hzの交番磁界中で電気めっきする
。互いに直交する磁界を交互に印加して形成した上部第
一磁性薄膜9の透磁率は2700、交番磁界中で形成し
た上部第二磁性薄膜11の透磁率は500であった。次
に、感光性樹脂をマスクとして上部第一磁性薄膜9と上
部非磁性膜10と上部第二磁性薄膜11を一括して磁気
コア形状にイオンミリングする。本実施例の磁性薄膜で
ある82at%Co−6at%Fe−12at%Niは
電気めっき法で形成した場合に保磁力の小さい優れた磁
気特性をもっている。スパッタリング法で形成した場合
にはめつき用下地膜のように厚さが0.1 μm程度
の薄い膜でのみ保磁力の小さい優れた磁気特性を示す。
磁気コアとして必要な厚さ0.5〜20μmの厚い膜に
対しては、スパッタリング法で形成すれば保磁力が大き
くなり、磁気コアには適さない。
対しては、スパッタリング法で形成すれば保磁力が大き
くなり、磁気コアには適さない。
第三の実施例について説明する。薄膜磁気ヘッドの構造
は第2図と同じである。磁性薄膜とじては91.1 a
t%Co−6,4at%T a −2、5at%Hfを
用い、スパッタリング法で膜を作製した。下部第二磁性
薄膜2と上部第二磁性薄膜11は直流磁界中でスパッタ
リングし、下部第三磁性薄膜4と上部第一磁性薄膜9は
楕円回転磁界中でスパッタリングした。楕円回転磁界の
トラック幅方向の磁界は750e、トラック幅と直交方
向の磁界は500e、磁界の回転数は50ppmとした
。直流磁界中でスパッタリングした下部第二磁性薄膜2
と上部第二磁性薄膜11の透磁率は400、楕円回転磁
界中でスパッタリングした下部第三磁性薄膜4と上部第
一磁性薄膜9の透磁率は4000であった。本非晶質合
金の飽和磁束密度は12500ガウスであった。薄膜磁
気ヘッドの製造法は第1図で説明した方法と類似である
。
は第2図と同じである。磁性薄膜とじては91.1 a
t%Co−6,4at%T a −2、5at%Hfを
用い、スパッタリング法で膜を作製した。下部第二磁性
薄膜2と上部第二磁性薄膜11は直流磁界中でスパッタ
リングし、下部第三磁性薄膜4と上部第一磁性薄膜9は
楕円回転磁界中でスパッタリングした。楕円回転磁界の
トラック幅方向の磁界は750e、トラック幅と直交方
向の磁界は500e、磁界の回転数は50ppmとした
。直流磁界中でスパッタリングした下部第二磁性薄膜2
と上部第二磁性薄膜11の透磁率は400、楕円回転磁
界中でスパッタリングした下部第三磁性薄膜4と上部第
一磁性薄膜9の透磁率は4000であった。本非晶質合
金の飽和磁束密度は12500ガウスであった。薄膜磁
気ヘッドの製造法は第1図で説明した方法と類似である
。
本発明の薄膜磁気ヘッドは磁気ギャップ膜に接する下部
磁性薄膜と上部磁性薄膜が高透磁率であり、磁気ギャッ
プに接しない下部磁性薄膜と上部磁性薄膜が低透磁率で
あり、高透磁率膜と低透磁重膜が直接接触しないことか
ら高透磁率膜の透磁率低下がなく、記録特性と再生特性
に優れている。
磁性薄膜と上部磁性薄膜が高透磁率であり、磁気ギャッ
プに接しない下部磁性薄膜と上部磁性薄膜が低透磁率で
あり、高透磁率膜と低透磁重膜が直接接触しないことか
ら高透磁率膜の透磁率低下がなく、記録特性と再生特性
に優れている。
第1図、第2図は本発明の一実施例の薄膜磁気ヘッドの
概略断面図、第3図は本発明の実施例に係る磁界印加方
式の説明図である。 2・・・低透磁率膜である下部第二磁性薄膜、3・・・
下部非磁性1摸、4・・・高透磁率膜である下部第二磁
性薄膜、5・・・磁気ギャップ膜、9・・・高透磁率膜
である上部第一磁性薄膜、1o・・・上部非磁性膜、1
1第 1 図 第2図 第3図
概略断面図、第3図は本発明の実施例に係る磁界印加方
式の説明図である。 2・・・低透磁率膜である下部第二磁性薄膜、3・・・
下部非磁性1摸、4・・・高透磁率膜である下部第二磁
性薄膜、5・・・磁気ギャップ膜、9・・・高透磁率膜
である上部第一磁性薄膜、1o・・・上部非磁性膜、1
1第 1 図 第2図 第3図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、下部磁性薄膜と磁気ギャップ膜と層間絶縁膜と薄膜
状コイルと上部磁性薄膜とを具備した薄膜磁気ヘッドに
おいて、 記録媒体の対向面に露出した前記下部磁性薄膜と前記上
部磁性薄膜が膜厚方向に実質的に組成が同じであり、前
記下部磁性薄膜と前記上部磁性薄膜の少なくとも一方の
磁性薄膜が非磁性膜を介した複数の多層膜から成り、前
記磁気ギャップ膜に接する側の前記磁性薄膜が高透磁率
膜であり、前記磁気ギャップ膜に接しない側の前記磁性
薄膜が低透磁率膜であることを特徴とする薄膜磁気ヘッ
ド。 2、特許請求の範囲第1項において、 前記磁性薄膜が実質的にCo−Fe−Ni合金であり、
原子比でCoが20〜85%、Feが5〜20%、Ni
が残部から成る結晶質合金であることを特徴とする薄膜
磁気ヘッド。 3、特許請求の範囲第1項において、 前記磁性薄膜が実質的にCo−(Nb、Ta)−(Zr
、Hf、Y、La)合金であり、原子比でCoが90〜
95%、NbとTaのうちの一方あるいは両方の和が3
〜9%、Zr、Hf、Y、Laのうちの少なくとも一つ
が残部から成る非晶質合金であることを特徴とする薄膜
磁気ヘッド。 4、下部磁性薄膜と磁気ギャップ膜と層間絶縁膜と薄膜
状コイルと上部磁性薄膜とを具備した薄膜磁気ヘッドで
、かつ、記録媒体対向面に露出した前記下部磁性薄膜と
前記上部磁性薄膜が膜厚方向に実質的に組成が同じであ
り、前記下部磁性薄膜と前記上部磁性薄膜の少なくとも
一方が非磁性膜を介した複数の多層膜から成り、前記磁
気ギャップ膜に接する側の前記磁性薄膜が高透磁率膜で
あり、前記磁気ギャップ膜に接しない側の前記磁性薄膜
が低透磁率膜である薄膜磁気ヘッドの製造法において、 前記低透磁率膜の作製時にトラックの幅方向に直流磁界
、あるいは、交番磁界を印加し、高透磁率膜の作製時に
回転磁界、あるいは、互いに直交する磁界を交互に所定
の周波数が印加することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの
製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25971787A JPH01102712A (ja) | 1987-10-16 | 1987-10-16 | 薄膜磁気ヘッドとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25971787A JPH01102712A (ja) | 1987-10-16 | 1987-10-16 | 薄膜磁気ヘッドとその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01102712A true JPH01102712A (ja) | 1989-04-20 |
Family
ID=17337962
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25971787A Pending JPH01102712A (ja) | 1987-10-16 | 1987-10-16 | 薄膜磁気ヘッドとその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01102712A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06195636A (ja) * | 1992-11-06 | 1994-07-15 | Nec Corp | 薄膜磁気ヘッド |
US5373408A (en) * | 1992-07-20 | 1994-12-13 | Read-Rite Corporation | Configuring domain pattern in thin films of magnetic heads |
US6301075B1 (en) | 1997-12-10 | 2001-10-09 | Alps Electric Co., Ltd. | Thin film magnetic head |
-
1987
- 1987-10-16 JP JP25971787A patent/JPH01102712A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5373408A (en) * | 1992-07-20 | 1994-12-13 | Read-Rite Corporation | Configuring domain pattern in thin films of magnetic heads |
JPH06195636A (ja) * | 1992-11-06 | 1994-07-15 | Nec Corp | 薄膜磁気ヘッド |
US6301075B1 (en) | 1997-12-10 | 2001-10-09 | Alps Electric Co., Ltd. | Thin film magnetic head |
US6604274B1 (en) | 1997-12-10 | 2003-08-12 | Alps Electric Co., Ltd. | Method of producing thin film magnetic head |
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