JPH01102712A - 薄膜磁気ヘッドとその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は薄膜磁気ヘッドに係り、特に、記録と再生の両
特性に優れた高記録密度薄膜磁気ヘッドに関する。

〔従来の技術〕

従来の薄膜磁気ヘッドは、米国特許４，１９０，８７２
号に記載のように、下部磁性薄膜、磁気ギャップ膜２層
間絶縁膜、薄膜状コイル、上部磁性薄膜を具備している
。更に、記録特性と再生特性に優れた薄膜磁気ヘッドと
して米国特許３，６３９，６９９号および特公昭６０−
１０４１０号公報が知られている。米国特許３，６３９
，６９９号には下部磁性薄膜と上部磁性薄膜とが夫々二
層から成り、夫々の磁性薄膜の磁気ギャップに接する側
は高透磁率で、かつ、低飽和磁束密度の磁性薄膜から成
り、磁気ギャップに接しない側は低送′６ｊｉ率で、か
つ、高飽和磁束密度の磁性薄膜から成り、磁気ギャップ
に接する磁性薄膜と磁気ギャップに接しない磁性薄膜は
材料組成が異なり、かつ、接触している。磁性薄膜は厳
密な組成制御を必要とするので、組成の異なる磁性薄膜
を少なくとも二種類以上用いる薄膜磁気ヘッドは、工業
的に多量に製造する場合は、電磁変換特性の安定性に欠
けるという問題点がある。また、低透磁率膜と高透磁率
膜が直接接触している多層膜では、低透磁率膜の磁気特
性が高透磁率膜に悪影響を及ぼし、高透磁率膜の透磁率
を低下させるという問題がある。

また、特公昭６０−１０４１０号公報には記録媒体対向
面の磁性薄膜が高飽和磁束密度材料から成り、ヨークの
残りの磁性薄膜が高透磁率材料から成る：ａ膜、磁気ヘ
ッドが記載されている。特公昭６０−１０４１０号公報
に記載の薄膜磁気ヘッドも組成の異なる磁性薄膜を少な
くとも二種類以上用いており、かつ、二種類の磁性薄膜
は直接接触しているため、米国特許３，６３９，６９９
号と同様の問題点は解決されていない。米国特許３，６
３９，６９９号および特公昭６０−１０４１０号公報記
載の高透磁率膜は通常の高透磁率合金である８１％Ｎｉ
−１９％Ｆｅを用い、低透磁率膜はＦｅ、Ｃｏ、９５％
Ｃ０−５％Ｆｅ。

４５％Ｎｉ−５５％Ｆｅ、６０％Ｎｉ−４０％Ｆｅ等を
用いることが記載されている。記録特性と再生特性の優
れた薄膜磁気ヘッドでは、低透磁率膜は高透磁率膜より
飽和磁束密度が大きいことが重要であると指摘している
。

本発明の目的は記録特性と再生特性に優れた高記録密度
薄膜磁気ヘッドを提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

上記目的は磁性薄膜として高透磁率膜と低透磁率膜を同
一組成の材料とし、高透磁率膜と低透磁率膜との間に非
磁性膜を介した二層以上の多層膜とし、磁性薄膜として
８１％Ｎｉ−１９％Ｆｅよりも飽和磁束密度の大きい材
料とすることにより達成される。磁性薄膜はＣｏ−Ｆｅ
−Ｎｉ合金であり、原子比でＣＯが２０〜８５％、Ｆｅ
が５〜２０％、Ｎｉが残部からなる結晶質合金およびｃ
ｏ　　（Ｎ　ｂ　＋　Ｔ　ａ　）　　（Ｚ　ｒ　＋　Ｈ
ｆ　＋　Ｙ　ｐ　Ｌ　ａ　）合金であり、原子比でＣＯ
が８５〜９５％、ＮｂとＴａのうちの少なくとも一方あ
るいは両方の和が３〜９％、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｌａのう
ちの少なくとも一部が残部から成る非晶質合金が適して
いる。

本発明の結晶質合金磁性薄膜は電気めっき法。

真空蒸着法、あるいは、スパッタリング法のいずれかの
方法で作製してもかまわない。非晶質合金磁性薄膜はス
パッタリング法で作製するのが良い。

本発明の磁性薄膜の高透磁率膜は膜作製時に回転磁界を
印加、あるいは、互いに直交する磁界を交互に印加する
ことにより、低透磁率膜とトラック幅方向に直流磁界、
あるいは、交番磁界を印加して作製する。

〔作、用〕

本発明の薄膜磁気ヘッドは記録時に高透磁率膜と低透磁
率膜が共に磁化し、薄膜磁気ヘッドから発生する磁界が
大きく、優れた記録特性をもっている。再生過程は記録
過程に比べて磁性薄膜は小さな磁界しか受けない。従っ
て、本発明の薄膜磁気ヘッドは再生時に高透磁率膜のみ
が磁化される。

再生時の記録媒体対向面の磁性薄膜の厚さは実質的に高
透磁率１漠の厚さとなることから、高分解能に再生され
る。すなわち、本発明の薄膜磁気ヘッドは記録特性と再
生特性が共に優れている。

本発明の薄膜磁気ヘッドは同一組成の磁性薄膜から成る
ことから工業的多量生産した時の安定性に優れているこ
とは明らかである。また、高透磁率膜と低透磁率膜とが
直接接触していないことから、高透磁率膜の透磁率低下
も無い。高透磁率膜と低透磁率膜との間に介在する非磁
性膜はＡ１２０ａ＋Ｓｉ○ｚ＋５ｉａＮａ等の絶縁膜、
あるいは、Ｃｒ。

Ｍｏ、Ｔｉ、Ｎｂ等の金属膜が用いられる。非磁性膜の
厚さは２ｎｍから４００ｎｍが適している。

非磁性膜の厚さが２ｎｍより薄ければ、非磁性膜のピン
ホールを通して高透磁率膜と低透磁率膜が部分的に接触
し、高透磁率膜の透磁率低下をもたらし、好ましくない
。非磁性膜の厚さが４００ｎｍより厚ければ、記録時に
低透磁率膜の磁化される割合が減少し、磁気ヘッドから
発生する磁界が減少し、十分な記録特性を得ることが出
来ない。

磁性薄膜は公知の高透磁率合金である８１％Ｎｉ−１９
％Ｆｅ（パーマロイ合金）よりも飽和磁束密度が大きく
、かつ、一方向に磁界を印加して磁性薄膜を作製した時
に透磁率が２００〜５００と小さく１回転磁界中、ある
いは、互いに直交する磁界を交互に所定の周波数で印加
して作製した時に透磁率が１５００〜４０００と大きく
なる一軸磁気異方性をもつＣｏ−Ｆｅ−Ｎｉ結晶質合金
およびｃ　ｏ　　　（Ｎ　ｂ　９　Ｔ　ａ　）　　　（
ｚ　ｒ　＋　ＩＩｆｒ　ｙ　＋Ｌ″ａ）非晶質合金が適
している。Ｃｏ−Ｆｅ　−Ｎｉ結晶質合金では原子比で
ＣＯが２０〜８５％、Ｆｅが５〜２０％、Ｎｉが残部か
ら成る組成が適している。Ｃｏが２０％よりも少なけれ
ば、Ｆｅが５〜２０％の範囲でパーマロイ合金より飽和
磁束密度が実質的に大きくならず、好ましくない。

ＣＯが８５％よりも多ければ、−軸磁気異方性を示さず
高透磁率膜とならないので好ましくない。

Ｆｅが５％よりも少ないか、２０％よりも多ければ一軸
磁気異方性を示さず、高透磁率膜とならないので好まし
くない６ Ｃｏ−（Ｎｂ、Ｔａ）−（Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｌａ）非晶
質合金では原子比でＣｏが９０〜９５％、ＮｂとＴａの
うちの少なくとも、一方、あるいは、両方の和が３〜９
％、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｌａのうちの少なくとも一つが残
部から成る組成が適している。ｃｏが９０％よりも少な
ければパーマロイ合金より飽和磁束密度が実質的に大き
くならず、好ましくない。Ｃｏが９５％より多ければ、
非晶質化せず、高透磁率にならないので好ましくない。

Ｎｂ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ、ＬａはＣＯ系合金におけ
る非晶質化元素として公知であるが、薄膜磁気ヘッドの
微細形状にパターニングした時、高透磁率となるのはＮ
ｂとＴａの一方、あるいは、両方の和が３〜９％の範囲
である。ＮｂとＴａの一方、あるいは、両方の和が３％
以下ではパターニングした時に透磁率が低下し、９％以
上では飽和磁束密度がパーマロイ合金より実質的に大き
くならない。

本発明の薄膜磁気ヘッドの磁性薄膜作製時に、トラック
幅方向に直流磁界、あるいは、交番磁界を印加すればト
ラック幅方向に磁化容易軸をもつ透磁率２００〜５００
の一軸磁気異方性をもつ低透磁率膜を作製することが出
来る。低透磁率膜は膜厚方向に磁化容易軸をもつ垂直磁
気異方性の膜、あるいは、トラック幅方向と直交方向に
磁化容易°軸をもつ一軸磁気異方性膜でも達成出来るが
、前者は記録特性に変動があり好ましくない。一方、後
者は再生特性に変動があって好ましくない。高透磁率膜
は膜作成時に、互いに直交する二対のへルムホルツコイ
ルにより、位相の異なる磁界によって回転磁界を印加す
るか１時間的に交互に直交する磁界を印加することによ
って作製することが出来る。ここで、二次のへルムホル
ツコイルのうちの、一対（コイルＡと呼ぶ）はトラック
幅方向の磁界を発生し、他の一対（コイルＢと呼ぶ）は
コイルＡに直交する磁界を発生する様に配置するのが良
い。二次にヘルムホルツコイルで回転磁界を光生させる
場合には、コイルＢによって生じる磁界よりもコイルＡ
によって生じる磁界を大きくし、かつ、位相を９０度ず
らすことにより、楕円回転磁界を印加し、トラック幅方
向に磁化容易軸を付与することが肝要である。二対のへ
ルムホルッコイルで互いに直交する磁界を交互に印加す
る場合には、コイルＡによって生じる磁界を印加してい
る時間をコイルＢによって生じる磁界を印加している時
間よりも長くし、トラック幅方向に磁化容易軸を付与す
ることが肝要である６低透磁率膜を回転磁界中熱処理に
よって高透磁率化することは公知であるが、本発明の薄
膜磁気ヘッド製造法には回転磁界中熱処理法は適さない
。なぜならば。

下部磁性薄膜の磁気ギャップ膜に接する側゛の磁性薄膜
と上部磁性薄膜の磁気ギャップ膜に接する側の磁性薄膜
を回転磁界中熱処理により高透磁率化すれば、既に形成
されている下部磁性薄膜の磁気ギャップ膜に接しない側
の磁性薄膜も高透磁率化し、透磁率の大きい下部磁性薄
膜が厚くなったことと等価となり、再生特性の低下をも
たらす。

本発明では高透磁率膜作製時に回転磁界あるいは直交す
る磁界を交互に印加することから、低透磁率膜の高透磁
率化は生じない。

〔実施例〕

以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。本図
は薄膜磁気ヘッドの断面図である。下部磁性薄膜は下部
第一磁性薄膜１と下部第二磁性薄膜２と下部第三磁性薄
膜４とから構成されており、下部第二磁性薄膜２と下部
第三磁性薄膜４は下部非磁性膜３で分離されている。薄
膜状コイル７は層間絶縁膜６，７により下部第三磁性薄
膜と上部第一磁性薄膜９とは絶縁されている。上部磁性
薄膜は上部第一磁性薄膜９と上部第二磁性薄膜１１と上
部第三磁性薄膜とから構成されており、上部第一磁性薄
膜９と上部第二磁性薄膜１１は上部非磁性膜１０で分離
されている。下部第二磁性薄膜２と、下部第三磁性薄膜
４と下部第一磁性薄膜９と上部第二磁性薄膜１１は記録
媒体対向面１３に露出している。また、下部第三磁性薄
膜４と上部非磁性膜Ｖ！Ａ９は磁気ギャップ膜５と接し
ている。

下部第三磁性薄膜４と上部第一磁性薄膜９は高透磁率膜
であり、下部第二磁性薄膜２と上部第二磁性薄膜１１は
低透磁率膜である。下部第一磁性薄膜１は上部第三磁性
薄膜１２は高透磁率膜であることが望ましいが、低透磁
率膜でも記録・再生特性をほとんど低下させない。

記録時は薄膜状コイル７に通電することにより、下部第
一、二、三辺性薄膜と上部第一、二、三辺性薄膜を全て
磁化し、記録媒体対向面１３に近接゛配置しである記録
媒体１４に大きな磁界が加わり、十分な記録がなさ九る
。再生時は記録媒体１４から磁気ヘッドに印加される磁
界が小さいことから、高透磁率膜である下部第三磁性薄
膜４と上部第一磁性薄膜９のみが磁化する。従って、磁
気記録上再生時の記録媒体対向面１３での下部磁性薄膜
の厚さは実質的に下部第三磁性薄膜４の厚さであり、上
部磁性薄膜の厚さは実質的に上部第一磁性薄膜９の厚さ
となることから高分解能に再生出来る。

第１図の構成の薄膜磁気ヘッドは次のようにして製造さ
れる。所定の面粗さに研摩されたアルミナを含むセラミ
ックス基板１５上にアルミナ下地膜１６をスパッタリン
グ法で形成し、アルミナ下地膜の表面を所定の面粗さに
研摩する。次に、下部第一磁性薄膜１である２５ａｔ％
Ｃｏ−１２ａｔ％Ｆｅ−６３ａｔ％Ｎｉ合金を直流磁界
中でスパッタリングし、感光性樹脂（シプレー社（アメ
リカ合衆国）製、レジストＡＺ１３５０Ｊ　（レジス１
−　Ａ　Ｚ　１３５０　Ｊは登録商標））をマスクとし
てイオンミリングし、下部第一磁性薄膜の磁気コア形状
にパターニングする。次に、下部第一磁性薄膜１と同じ
組成の下部第二磁性薄膜２、アルミナから成る下部非磁
性膜３、下部第一磁性薄膜１と同じ組成の下部第三磁性
薄膜４を同一真空チャンバ内で連続してスパッタリング
する。この時、下部第二磁性薄膜２の形成時には直流磁
界を印加しておく。下部非磁性膜３の形成時には直流磁
界を印加しておいても良く、磁界を印加してなくても良
い。下部第三磁性薄膜４の形成時には楕円回転磁界を印
加する。ここで、トラック幅方向の磁界は７５０ｅ、ト
ラック幅と直交方向の磁界は５０○ｅ、磁界の回転数は
５０ｐｐｍ、とした。直流磁界を印加して形成した下部
第二磁性薄膜２の透磁率は４００、楕円回転磁界を印加
して形成した下部第三磁性薄膜の透磁率は３０００、飽
和磁束密度は共に１２，０００　ガウスであった。次に
、感光性樹脂をマスクとして下部第二磁性薄膜２と下部
非磁性膜３と下部第三磁性薄膜４を一括して磁気コア形
状にパターニングする。

次に、アルミナから成る磁気ギャップ膜５をスパッタリ
ングし、下部第三磁性薄膜４と上部第一磁性薄膜９とを
接続するバックギャップ部のアルミナ膜をイオンミリン
グ法で除去する。次に、ポリイミド系樹脂（日立化成社
製、ポリイミド樹脂ＰＩＱ（ＰＩＱは登録商標））から
成る層間絶縁膜を塗布し、真空中でベークしてポリイミ
ド系樹脂を焼き固める。次に、密着層であるＴｉないし
Ｃｒの薄い膜を下地に形成したＣｕをスパッタリングな
いし真空蒸着し、密着層を含めた導体膜を感光性樹脂を
マスクとしてイオンミリングして薄膜状コイル７を形成
する。次に、ポリイミド系樹脂から成るチ１゛η間絶縁
膜８を塗布、ベークし、感光性樹脂をマスクとして化学
エツチングし、バックギャップ部とフロントギャップ部
を除去する。

次に、下部第一磁性薄膜１と同じ組成の上部筒ＴＪ＆性
簿膜９とアルミナから成る上部非磁性膜１０と下部第一
磁性薄膜１と同じ組成の上部第二磁性薄膜１１を同一真
空チャンバ内で連続してスパッタリングする。この時、
上部筒−磁性薄１膜９の形成時には、下部第三磁性薄膜
４の形成時は同様の楕円回転磁界を印加する。上部第二
磁性薄膜１１の形成時には直流磁界を印加しておく。楕
円回転磁界を印加して形成した上部第一磁性薄膜９の透
磁率は３，０００　、直流磁界を印加して形成した上部
第二磁性薄膜１１の透磁率は４００であった。次に、感
光性樹脂を−マスクとして、上部第一磁性薄膜９と上部
非磁性ｖ１０と上部第二磁性薄膜１・１を一括して磁気
コア形状にイオンミリングする。

次に、下部第一磁性薄膜１と同じ組成の上部第三磁性薄
膜１２をスパッタリングして、磁気コア形状にイオンミ
リング法でパターニングする。上部非磁性膜１１ｉ１２
をスパッタリングする時には直流磁界を印加しておく。

このようにして製造された第１図の薄膜磁気ヘッドは磁
気ギャップ膜に接する下部第三磁性薄膜４と上部磁性薄
膜９とが透磁率３００．０と大きいことから、磁性薄膜
が８１％Ｎｉ−１９％Ｆｅから成り、かつ、構造が公知
の米国特許４，１９０，８７２の薄膜磁気ヘッドと同等
の再生特性をもっていた。

第１図の薄膜磁気ヘッドは下部第二磁性薄膜２と上部第
二磁性薄膜１１が記録過程で大きな磁界発生に寄与する
ことから、記録特性は磁性薄膜が８１％Ｎｉ−１９％Ｆ
ｅから成り、かつ、構造が公知の米国特許４，１９０，
８２７号の薄膜磁気ヘッドに比べて２０％優れていた。

第１図で、下部非磁性薄膜３と上部非磁性膜１０とがな
い、下部第二磁性薄膜２と下部第三磁性薄膜４および上
部第一磁性薄膜９と上部第二磁性薄膜１１が夫々接触し
たｇ１瞑磁気ヘッドでは、下部第三磁性薄膜４と上部第
一磁性薄膜９の透磁率が８００に低下し、本発明の薄膜
磁気ヘッドに比べて再生特性が３０％劣っていた。

第２図は本発明の他の実施例の薄膜磁気ヘッドの断面図
である。第２図の薄膜磁気ヘッドが第１図の薄膜磁気ヘ
ッドと異なる点は下部第一磁性薄膜および上部第三磁性
薄膜がなく、低透磁率膜である下部第二磁性薄膜２、下
部第三磁性薄膜１１と高透磁率膜である下部第三磁性薄
膜４．上部第一磁性薄膜９とで磁気コアを構成している
。下部第一磁性薄膜と上部第三磁性薄膜を省略すること
により、製造工程を大幅に簡略化することが出来る。

第２図の薄膜磁気ヘッドの製造法において、基板、下地
膜１６、磁気ギャップ膜５、層間絶縁膜６．８、薄痕状
占イル７等の製造法は第１図の薄膜磁気ヘラ行と同じで
あるので、磁性薄膜の製造法について述べる。下部第二
磁性薄膜２は組成が８２ａ　ｔ％Ｃｏ−ｂａｔ％Ｆｅ　
　１２ａｔ％Ｎｉを周波数５０Ｈｚの交番磁界中で電気
めっきする。

ここで、めっき電流を通電するための下地膜は下部第二
磁性薄膜２と同じ組成の合金をスパッタリング法、ある
いは、真空蒸着法であらかじめ形成しておく。次に、ス
パッタリング法で酸化硅素から成る下部非磁性層３と下
部第三磁性薄膜の下地膜となる下部第二磁性薄膜２と同
じ組成の合金を連続して形成する。次に、下部第二磁性
薄膜２と同じ組成の下部第三磁性薄膜４を電気めっき法
で形成する。下部第三磁性薄膜４の形成時にはトラック
幅方向とトラック幅に直交する方向に交互に磁界を印加
する。夫々の磁界の大きさは５００ｅであり、第３図に
示す方式で磁界を印加する。トラック幅方向に印加する
磁界Ｈ＾の一パルスの印加時間ｔ＾を０．６　秒トラッ
ク幅と直交方向に印加する磁界Ｈａの一パルスの印加時
間ｔａを０．４秒とした。ここで、トラック幅方向に印
加する磁界Ｈ＾とトラック幅と直交方向に印加する磁界
Ｈｎとが重なり合わないことが肝要である。トラック幅
方向に磁界印加終了後とトラック幅と直交方向に磁界印
加が開始するまでの時間Δｔは０〜２０ミリ秒とすれば
異方性分散の小さい磁気特性に優れた下部第三磁性薄膜
４を作製することが出来る。交番磁界を印加して形成し
た下部第二磁性薄膜の透磁率は５００、互に直交する磁
界を交互に印加して形成した下部第三磁性薄膜４は透磁
率２７００、飽和磁束密度は共に１６０００ガウスであ
った。次に、感光性樹脂をマスクとして下部第二磁性薄
膜２と下部非磁性膜３と下部第三磁性薄膜４を一括して
磁気コア形状にイオンミリング；去でパターニングする
。

上部第一磁性薄膜９．上部非磁性膜１０、上部第二磁性
薄膜は次のようにして作製される。下部第二磁性薄膜２
と同じ組成の合金をスパッタリング法で形成し、めっき
用下地膜を作製する。次に、下部第三磁性薄膜４と同じ
方法で上部第一磁性薄膜９を作製する。上部第一磁性薄
膜９の組成は下地第二磁性薄膜２と同じである。次に、
酸化硅素から成る上部非磁性膜１０とめつき用下地膜を
スパッタリング法で連続的に形成する。めっき用下地膜
１ｏは下部第二磁性薄膜２と組成が同じである。

次に、下部第二磁性薄膜２と組成が同じ上部第二磁性薄
膜１１を周波数５０Ｈｚの交番磁界中で電気めっきする
。互いに直交する磁界を交互に印加して形成した上部第
一磁性薄膜９の透磁率は２７００、交番磁界中で形成し
た上部第二磁性薄膜１１の透磁率は５００であった。次
に、感光性樹脂をマスクとして上部第一磁性薄膜９と上
部非磁性膜１０と上部第二磁性薄膜１１を一括して磁気
コア形状にイオンミリングする。本実施例の磁性薄膜で
ある８２ａｔ％Ｃｏ−６ａｔ％Ｆｅ−１２ａｔ％Ｎｉは
電気めっき法で形成した場合に保磁力の小さい優れた磁
気特性をもっている。スパッタリング法で形成した場合
にはめつき用下地膜のように厚さが０．１　　μｍ程度
の薄い膜でのみ保磁力の小さい優れた磁気特性を示す。

磁気コアとして必要な厚さ０．５〜２０μｍの厚い膜に
対しては、スパッタリング法で形成すれば保磁力が大き
くなり、磁気コアには適さない。

第三の実施例について説明する。薄膜磁気ヘッドの構造
は第２図と同じである。磁性薄膜とじては９１．１　ａ
ｔ％Ｃｏ−６，４ａｔ％Ｔ　ａ　−２、５ａｔ％Ｈｆを
用い、スパッタリング法で膜を作製した。下部第二磁性
薄膜２と上部第二磁性薄膜１１は直流磁界中でスパッタ
リングし、下部第三磁性薄膜４と上部第一磁性薄膜９は
楕円回転磁界中でスパッタリングした。楕円回転磁界の
トラック幅方向の磁界は７５０ｅ、トラック幅と直交方
向の磁界は５００ｅ、磁界の回転数は５０ｐｐｍとした
。直流磁界中でスパッタリングした下部第二磁性薄膜２
と上部第二磁性薄膜１１の透磁率は４００、楕円回転磁
界中でスパッタリングした下部第三磁性薄膜４と上部第
一磁性薄膜９の透磁率は４０００であった。本非晶質合
金の飽和磁束密度は１２５００ガウスであった。薄膜磁
気ヘッドの製造法は第１図で説明した方法と類似である
。

〔発明の効果〕

本発明の薄膜磁気ヘッドは磁気ギャップ膜に接する下部
磁性薄膜と上部磁性薄膜が高透磁率であり、磁気ギャッ
プに接しない下部磁性薄膜と上部磁性薄膜が低透磁率で
あり、高透磁率膜と低透磁重膜が直接接触しないことか
ら高透磁率膜の透磁率低下がなく、記録特性と再生特性
に優れている。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図は本発明の一実施例の薄膜磁気ヘッドの
概略断面図、第３図は本発明の実施例に係る磁界印加方
式の説明図である。 ２・・・低透磁率膜である下部第二磁性薄膜、３・・・
下部非磁性１摸、４・・・高透磁率膜である下部第二磁
性薄膜、５・・・磁気ギャップ膜、９・・・高透磁率膜
である上部第一磁性薄膜、１ｏ・・・上部非磁性膜、１
１第　１　図 第２図 第３図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、下部磁性薄膜と磁気ギャップ膜と層間絶縁膜と薄膜
   状コイルと上部磁性薄膜とを具備した薄膜磁気ヘッドに
   おいて、 記録媒体の対向面に露出した前記下部磁性薄膜と前記上
   部磁性薄膜が膜厚方向に実質的に組成が同じであり、前
   記下部磁性薄膜と前記上部磁性薄膜の少なくとも一方の
   磁性薄膜が非磁性膜を介した複数の多層膜から成り、前
   記磁気ギャップ膜に接する側の前記磁性薄膜が高透磁率
   膜であり、前記磁気ギャップ膜に接しない側の前記磁性
   薄膜が低透磁率膜であることを特徴とする薄膜磁気ヘッ
   ド。 ２、特許請求の範囲第１項において、 前記磁性薄膜が実質的にＣｏ−Ｆｅ−Ｎｉ合金であり、
   原子比でＣｏが２０〜８５％、Ｆｅが５〜２０％、Ｎｉ
   が残部から成る結晶質合金であることを特徴とする薄膜
   磁気ヘッド。 ３、特許請求の範囲第１項において、 前記磁性薄膜が実質的にＣｏ−（Ｎｂ、Ｔａ）−（Ｚｒ
   、Ｈｆ、Ｙ、Ｌａ）合金であり、原子比でＣｏが９０〜
   ９５％、ＮｂとＴａのうちの一方あるいは両方の和が３
   〜９％、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｌａのうちの少なくとも一つ
   が残部から成る非晶質合金であることを特徴とする薄膜
   磁気ヘッド。 ４、下部磁性薄膜と磁気ギャップ膜と層間絶縁膜と薄膜
   状コイルと上部磁性薄膜とを具備した薄膜磁気ヘッドで
   、かつ、記録媒体対向面に露出した前記下部磁性薄膜と
   前記上部磁性薄膜が膜厚方向に実質的に組成が同じであ
   り、前記下部磁性薄膜と前記上部磁性薄膜の少なくとも
   一方が非磁性膜を介した複数の多層膜から成り、前記磁
   気ギャップ膜に接する側の前記磁性薄膜が高透磁率膜で
   あり、前記磁気ギャップ膜に接しない側の前記磁性薄膜
   が低透磁率膜である薄膜磁気ヘッドの製造法において、 前記低透磁率膜の作製時にトラックの幅方向に直流磁界
   、あるいは、交番磁界を印加し、高透磁率膜の作製時に
   回転磁界、あるいは、互いに直交する磁界を交互に所定
   の周波数が印加することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの
   製造方法。