JPH01102400A - X線露光装置 - Google Patents
X線露光装置Info
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- JPH01102400A JPH01102400A JP62260908A JP26090887A JPH01102400A JP H01102400 A JPH01102400 A JP H01102400A JP 62260908 A JP62260908 A JP 62260908A JP 26090887 A JP26090887 A JP 26090887A JP H01102400 A JPH01102400 A JP H01102400A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(概要〕
シンクロトロン放射光を用いたX線露光装置に関し。
露光面積に対する窓面積を小さくすることを目的とし。
一端がX線源に接続され、他端にxwA透過窓を持つ真
空室と、該真空室内に設置され、X線源より放射する一
方向に拡がったX線ビームを該XvA透過窓近傍で焦点
を結ばせる集光鏡とを有する構成とする。
空室と、該真空室内に設置され、X線源より放射する一
方向に拡がったX線ビームを該XvA透過窓近傍で焦点
を結ばせる集光鏡とを有する構成とする。
本発明はX線透過窓の小面積化を可能としたX線露光装
置に関する。
置に関する。
集積回路の微細化に伴い、紫外線露光では線幅が0.5
μm以下の加工が困難となるため、X線露光が検討され
ている。さらにスループットの向上のためにシンクロト
ロン放射光(SR,以下単に放は主に電子)が磁場によ
って軌道を曲げられるときに出す強力な光であり、X&
i?il域から赤外領域に至る広い連続スペクトルを持
っている。
μm以下の加工が困難となるため、X線露光が検討され
ている。さらにスループットの向上のためにシンクロト
ロン放射光(SR,以下単に放は主に電子)が磁場によ
って軌道を曲げられるときに出す強力な光であり、X&
i?il域から赤外領域に至る広い連続スペクトルを持
っている。
この場合電子は光速に近い速度で一定軌道を周回してい
るが、この状態を保つための1つの条件として電子の周
回軌道を超高真空にすることが必要である。
るが、この状態を保つための1つの条件として電子の周
回軌道を超高真空にすることが必要である。
第4図は放射光を説明する模式斜視図である。
図において、電子蓄積リング内の周回軌道lを回る電子
は磁場により軌道を曲げられるときに放射光2を発し、
試料面3に照射される。放射光は電子の軌道面(横方向
、水平方向)内に大きく発散し、それに垂直な方向では
高々数mradian程度しか発散しない特性を持って
いる0通常の使用状態では2発光点から試料面(露光の
場合はウェハ面)の距離は通常数−以上であるため、試
料面では各方向の発散角に依って拡がった光が照射され
る。
は磁場により軌道を曲げられるときに放射光2を発し、
試料面3に照射される。放射光は電子の軌道面(横方向
、水平方向)内に大きく発散し、それに垂直な方向では
高々数mradian程度しか発散しない特性を持って
いる0通常の使用状態では2発光点から試料面(露光の
場合はウェハ面)の距離は通常数−以上であるため、試
料面では各方向の発散角に依って拡がった光が照射され
る。
このような放射光の取り出し得る大きさは、放射光取り
出しダクトの大きさで制限されるが、放射光は図示のよ
うに横方向に広く縦方向に狭い矩形断面を持つ光である
ので、縦方向に拡大して用いられる。
出しダクトの大きさで制限されるが、放射光は図示のよ
うに横方向に広く縦方向に狭い矩形断面を持つ光である
ので、縦方向に拡大して用いられる。
従って1通常、鏡を使用して放射光を上下に振動させて
露光面積を縦方向に拡大する。また静止トロイダル鏡に
より露光面積を縦方向に拡大する方法も提案されている
。
露光面積を縦方向に拡大する。また静止トロイダル鏡に
より露光面積を縦方向に拡大する方法も提案されている
。
ここで問題となるのは、リング側は10−” Torr
程度の超高真空が必要であり、一方、露光室はマスクの
熱放散の問題もあるため実用上大気圧、または場合によ
ってはHeの置換雰囲気にしたい。
程度の超高真空が必要であり、一方、露光室はマスクの
熱放散の問題もあるため実用上大気圧、または場合によ
ってはHeの置換雰囲気にしたい。
また、露光室も真空にする場合も考えられるが。
真空中でのレジストの蒸発もあり、 10”” Tor
r以下の圧力に保つことは難しい。
r以下の圧力に保つことは難しい。
従って、リングと露光室の間には真空隔壁が必要になる
。この真空隔壁はX′m透過窓、単に窓と呼ばれ、一般
に熱伝導率の大きいベリリウム(Be)板で作製される
。
。この真空隔壁はX′m透過窓、単に窓と呼ばれ、一般
に熱伝導率の大きいベリリウム(Be)板で作製される
。
窓に対する要求は、放射光の減衰率の小さい材料を用い
、かつ減衰しないように可能な限り薄いこと、および放
射光の透過面積、即ち露光面積の大きいことである。
、かつ減衰しないように可能な限り薄いこと、および放
射光の透過面積、即ち露光面積の大きいことである。
しかしながら、薄いことと面積の大きいことは相反する
ことであるが、解決を要する点である。
ことであるが、解決を要する点である。
Be窓は厚さ100〜200 pm、大きさは10 X
30sum、または20m−φ程度のものが使用され
るが、さらに〜10μm程度に薄くすると1気圧に耐え
得る大きさは小さ(なってしまう、一方、集積回路のチ
ップ面積は今後ますます大きいことが要求され。
30sum、または20m−φ程度のものが使用され
るが、さらに〜10μm程度に薄くすると1気圧に耐え
得る大きさは小さ(なってしまう、一方、集積回路のチ
ップ面積は今後ますます大きいことが要求され。
X線露光に対しては少なくとも25 X 25a+m、
さらに50×50蒙蒙以上が望ましい。
さらに50×50蒙蒙以上が望ましい。
上記の相反する条件を充たすために、従来の方法では発
光点の近くに窓を設ける。この場合は窓から試料迄の距
離が長(なり、真空中でない限り光の減衰が生じてしま
う、またHeガスで露光室を充たせば多少は光の減衰は
減るがそれでも露光室をあまり長くすることはできない
。
光点の近くに窓を設ける。この場合は窓から試料迄の距
離が長(なり、真空中でない限り光の減衰が生じてしま
う、またHeガスで露光室を充たせば多少は光の減衰は
減るがそれでも露光室をあまり長くすることはできない
。
また、振動系の鏡を大気側に置くことは汚れにより反射
率が短時間のうちに落ち、露光量制御に支障をきたすこ
とになる。
率が短時間のうちに落ち、露光量制御に支障をきたすこ
とになる。
従って、窓はできるだけ試料に近い所に置くことが望ま
れる。
れる。
従来のビームライン構成では、窓の大きさは試料を照射
するときの放射光の断面寸法が最低限必要であり、放射
光を露光面積に拡大、または振動させるときはそれに必
要な寸法の窓を形成するか。
するときの放射光の断面寸法が最低限必要であり、放射
光を露光面積に拡大、または振動させるときはそれに必
要な寸法の窓を形成するか。
または窓自身を放射光の上下振動に合わせて振動させる
ことが必要となる。そのような機構を付加することは装
置の製作コストや真空に対する安全上の問題点を生ずる
ことになる。
ことが必要となる。そのような機構を付加することは装
置の製作コストや真空に対する安全上の問題点を生ずる
ことになる。
第5図は従来例の窓の大きさを説明する図である。
図は窓位置におけるビームラインに垂直な平面内で、2
1は露光面積に対応する面積(点線)、22は放射光の
断面積(斜線部)で必要とする窓の大きさ(実線)を示
す。また、矢印は振動の幅を示す。
1は露光面積に対応する面積(点線)、22は放射光の
断面積(斜線部)で必要とする窓の大きさ(実線)を示
す。また、矢印は振動の幅を示す。
放射光は強いX線源であり、平行性のよい点光源からの
光であるという優れた特性を持っているが、上記のよう
に露光室に導く光の大きさはBe窓により制限を受ける
ことになり、実用上大きな問題となっている。
光であるという優れた特性を持っているが、上記のよう
に露光室に導く光の大きさはBe窓により制限を受ける
ことになり、実用上大きな問題となっている。
従って1本発明は上記の窓の問題を解決して。
小面積の窓で大面積の露光ができるようにすることを目
的とする。
的とする。
上記問題点の解決は、一端がX線源に接続され。
他端にX線透過窓を持つ真空室と;該真空室内に設置さ
れ、X線源より放射する一方向に拡がったX線ビームを
該X線透過窓近傍で焦点を結ばせる集光鏡とを有するX
線露光装置によって達成される。
れ、X線源より放射する一方向に拡がったX線ビームを
該X線透過窓近傍で焦点を結ばせる集光鏡とを有するX
線露光装置によって達成される。
従来の放射光は第4図のように横方向の発散光をそのま
ま使用するか、凹面鏡等によってより多くの光を集めて
試料面に照射するが、試料面の前で光の焦点を結ぶこと
はなく、平行光線をできるだけ保った状態で使用するの
が通常であった。
ま使用するか、凹面鏡等によってより多くの光を集めて
試料面に照射するが、試料面の前で光の焦点を結ぶこと
はなく、平行光線をできるだけ保った状態で使用するの
が通常であった。
これに対し1本発明は発散光が試料面に達するまでに一
度焦点を結び、光が絞られた所に窓を設けて露光面積に
対する窓の面積を小さくしたものである。
度焦点を結び、光が絞られた所に窓を設けて露光面積に
対する窓の面積を小さくしたものである。
第1図(1)、 (2)は本発明を説明するX線露光装
置の平面図と集光鏡のA−A断面図である。
置の平面図と集光鏡のA−A断面図である。
図において、11は電子周回軌道、12は電子蓄積リン
グ、13は発光点、14は放射光、15はX線透過窓、
16は真空室、17は集光鏡、 18は試料、19はX
線マスク、 20は露光室である。
グ、13は発光点、14は放射光、15はX線透過窓、
16は真空室、17は集光鏡、 18は試料、19はX
線マスク、 20は露光室である。
発光点13より出射する水平方向に発散された放射光を
第1図(2)の集光鏡のA−A断面図に示されるような
曲率を持つ反射面を有する集光ミラー17により集光し
てX線透過窓15の近傍に焦点を結ばせることにより、
X線透過窓15の小面積化を可能とする。
第1図(2)の集光鏡のA−A断面図に示されるような
曲率を持つ反射面を有する集光ミラー17により集光し
てX線透過窓15の近傍に焦点を結ばせることにより、
X線透過窓15の小面積化を可能とする。
第2図(1)、 (2)は本発明の一実施例を説明する
ビームラインの平面図と側面図である。
ビームラインの平面図と側面図である。
集光鏡17は、光の進行方向に垂直な方向に曲面を持つ
円筒凹面鏡を用い、この例では振動鏡を兼ねている。図
示の矢印は振動の方向を示す。
円筒凹面鏡を用い、この例では振動鏡を兼ねている。図
示の矢印は振動の方向を示す。
ここで2通常の振動鏡は平面鏡でよいが、横方向に拡が
る放射光をある程度集光するため円筒凹面鏡が使用され
る例もある。
る放射光をある程度集光するため円筒凹面鏡が使用され
る例もある。
集光鏡17の結像条件は、集光鏡17を発光点と焦点と
の中心に置き、鏡の反射点と発光点または焦点間の距離
をf1放射光の発散角の1/2をθとすると、集光鏡1
7の曲率半径Rは次式で与えられるようにする。
の中心に置き、鏡の反射点と発光点または焦点間の距離
をf1放射光の発散角の1/2をθとすると、集光鏡1
7の曲率半径Rは次式で与えられるようにする。
Rw f sinθ。
集光鏡17は9例えばSt、 Sing等の基体単独、
あるいはAuやpt等の金属膜を基体上に蒸着して作製
される。
あるいはAuやpt等の金属膜を基体上に蒸着して作製
される。
窓位置は焦点上ではビーム強度が強すぎる場合もあるの
で、ここでは焦点位置より少し離している。
で、ここでは焦点位置より少し離している。
第3図は実施例の窓の大きさを説明する図である。
図は窓位置におけるビームラインに垂直な平面内で、
21は露光面積に対応する面積(点線)、23はSRの
断面積(斜線部)、24は必要とする窓の大きさ(実線
)を示す、また、矢印は振°動の幅を示す。
21は露光面積に対応する面積(点線)、23はSRの
断面積(斜線部)、24は必要とする窓の大きさ(実線
)を示す、また、矢印は振°動の幅を示す。
実施例の窓では、窓自身の振動機構を必要としないで、
従来例と同程度の窓面積で同一露光面積が得られること
になる。
従来例と同程度の窓面積で同一露光面積が得られること
になる。
本発明による結像系の導入により、パターン解像誤差は
多くなるが、放射光露光装置においては精度上充分の余
裕がありその程度の誤差は問題にならない。
多くなるが、放射光露光装置においては精度上充分の余
裕がありその程度の誤差は問題にならない。
以上説明したように本発明によれば9発散した放射光を
少なくとも1度結像させることにより。
少なくとも1度結像させることにより。
露光面積に対する窓面積を小さくすることができる。
従って2発光点側を高真空に保って、大面積の露光が可
能となる。
能となる。
第1図(1)、 (2)は本発明を説明するXwA露光
装置の平面図と集光鏡のA−A断面図。 第2図(1)、 (2)は本発明の一実施例を説明する
ビームラインの平面図と側面図。 第3図は実施例の窓の大きさを説明する図。 第4図は放射光を説明する模式斜視図。 第5図は従来例の窓の大きさを説明する図である。 図において。 11は電子周回軌道。 12は電子蓄積リング。 13は発光点。 14は放射光。 15はX線透過窓。 16は真空室。 17は集光鏡。 18は試料。 19はX線マスク。 20は露光室。 21は露光面積に対応する面積(点線)。 23は放射光の断面積(斜線部)。 24は必要とする窓の大きさ(実線) (1)平面図 (2) 1i・1面図室f!倒の
X 第2 図 !53図 第5図 か」す先のf+硯図 第4 図
装置の平面図と集光鏡のA−A断面図。 第2図(1)、 (2)は本発明の一実施例を説明する
ビームラインの平面図と側面図。 第3図は実施例の窓の大きさを説明する図。 第4図は放射光を説明する模式斜視図。 第5図は従来例の窓の大きさを説明する図である。 図において。 11は電子周回軌道。 12は電子蓄積リング。 13は発光点。 14は放射光。 15はX線透過窓。 16は真空室。 17は集光鏡。 18は試料。 19はX線マスク。 20は露光室。 21は露光面積に対応する面積(点線)。 23は放射光の断面積(斜線部)。 24は必要とする窓の大きさ(実線) (1)平面図 (2) 1i・1面図室f!倒の
X 第2 図 !53図 第5図 か」す先のf+硯図 第4 図
Claims (1)
- 一端がX線源に接続され、他端にX線透過窓を持つ真
空室と、該真空室内に設置され、X線源より放射する一
方向に拡がったX線ビームを該X線透過窓近傍で焦点を
結ばせる集光鏡とを有することを特徴とするX線露光装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62260908A JPH01102400A (ja) | 1987-10-16 | 1987-10-16 | X線露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62260908A JPH01102400A (ja) | 1987-10-16 | 1987-10-16 | X線露光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01102400A true JPH01102400A (ja) | 1989-04-20 |
Family
ID=17354432
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62260908A Pending JPH01102400A (ja) | 1987-10-16 | 1987-10-16 | X線露光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01102400A (ja) |
-
1987
- 1987-10-16 JP JP62260908A patent/JPH01102400A/ja active Pending
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