JPH01100812A - 超伝導酸化物薄膜 - Google Patents

超伝導酸化物薄膜

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JPH01100812A
JPH01100812A JP62257106A JP25710687A JPH01100812A JP H01100812 A JPH01100812 A JP H01100812A JP 62257106 A JP62257106 A JP 62257106A JP 25710687 A JP25710687 A JP 25710687A JP H01100812 A JPH01100812 A JP H01100812A
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JP
Japan
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thin film
film
oxide
superconducting
oxide thin
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Pending
Application number
JP62257106A
Other languages
English (en)
Inventor
Masaaki Futamoto
二本 正昭
Yukio Honda
幸雄 本多
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Publication of JPH01100812A publication Critical patent/JPH01100812A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E40/00Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
    • Y02E40/60Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment

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  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
  • Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は高い超伝導臨界温度を持つ酸化物薄膜の保護膜
に係り、特に該酸化物薄膜に高い耐環境性を与え、良好
な超伝導特性を安定に保持させ得る保護膜に関する。
〔従来の技術〕
最近、Y−Ba−C:u酸化物などのペロブスカイト構
造を持つ酸化物材料が窒素の液化点(77゛K)以上の
高い超伝導臨界温度’(Tc)を持つことが明らかにさ
れた。ジョセフソン素子や半導体回路の導電膜にこの材
料を応用するには、薄膜状で基板に形成することが必要
であり、スパッタ法や真空蒸着法でこれら酸化物材料の
薄膜形成が試みられているにの様な技術の例は、ジャパ
ニーズ ジャーナル オブ アプライド フィジックス
 26巻、5号、(1987年)頁L709−L 71
0 (J apanese J ournal of 
AppliedPhysics、 Vol、26t N
o、5.  (1987)ppL709−L710)に
報じられている。
【発明が解決しようとする問題点〕
5rTi03 (100) 、 MgO,ZrO2やS
iなどの基板上に形成した Mz−M3[−Cu−0薄膜の超伝導特性、  (Tc
や臨界電流密度(Jc))の経時変化を測定した結果9
時間の経過につれてTcやJcの値が低下することが、
最近、本発明者らの実験で明らかになった。従来技術は
、この様な薄膜の特性劣化に対する充分な配慮がされて
おらず、超伝導酸化物薄膜を実際のデバイス等に応用し
ていくうえで信頼性が充分でないといった問題があった
。本発明の目的は、超伝導酸化物薄膜の特性の経時変化
を防ぐ方法を提供することにある。
〔間層点を解決するための手段〕
上記目的を達成するために、本発明では、第1図に示す
様に超伝導酸化物薄膜2の上に酸化物系の保護膜3を設
けることを特徴とする。
1は基板である。保護膜材料はBeO,MgOの群、T
iO2,ZrO2,HfO2の群、もしくは5c203
.Y2O3,R2O3(Rは希土類金属: L a g
 Ce g P r g N d t S mt E 
u eGd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Wb。
Luのいずれかである。)の群のいずれかの群から選ば
れた少なくとも1種の材料を用いることを特徴とする。
〔作用〕
M z −M 11− Cu −0系の酸化物薄膜の経
時変化による超伝導特性の劣化原因は、酸化物薄膜中か
らの酸素の脱離および空気中の水蒸気が酸化物薄膜と反
応するためである。このため本発明では、前述の様な酸
化物系の保護膜を設け、酸化物薄膜中からの酸素の脱離
と空気中の水蒸気との反応を防ぐ機能を持たせている。
保護膜としての条件は、酸素や水蒸気を通さないこと、
薄くても緻密で均質であること、超伝導酸化物薄膜に対
する付着強度が充分あること、超伝導酸化物薄膜と反応
し特性を劣化させないこと、保護膜そのものの化学的安
定性が大きいこと、などである、前述の保護膜材料は、
この様な条件を良く満すものである。
保護膜の形成方法は、スパッタ法、真空蒸着法などの成
膜法を、用いる。また、酸化物保護膜の構造は多結晶状
であっても良いが、緻密で均質にするには結晶粒の寸法
は小さい方が望ましく、さらに望ましくは非晶質状の方
が良い。非晶質状の保護膜では結晶粒界が存在しないの
で、酸素などの拡散を有効に防ぐことができる。
〔実施例〕
以下、本発明を実施例で説明する。
実施例1゜ 高周波スパッタ装置を用いて以下の手順でS rTio
 3(100)基板上に超伝導酸化物薄膜、および保護
膜を形成した。まず、ターゲツト材として’Y Ba 
x Cu 4.s OXなる組成の焼結体を用いて、5
rTiOa (100)基板を700℃に保ち、Ar+
10%0□ガスを3mTorr導入しながら高周波スパ
ッタを行ない0.6μm厚のY−Ba−Cu−0膜を形
成した。ついで、1気圧の酸素雰囲気中で試料を860
℃で2時間加熱後200℃まで徐冷した後、酸化物保護
膜を同様な条件で高周波スパッタ法で膜厚0.1μm形
成した。なお保護膜用の酸化物ターゲットは。
Bed、MgO,TiO2,ZrO2,HfO2゜5c
203.Y1O3,希土類の各酸化物R203(R=L
a、Ce、Pr、Nd、Sm。
Eu、Gd、Tbs  Dy、Ho、Er、Tm。
Y b @ L u ) A Q 1103 g S 
10 zのいずれかを用いた。また比較試料として、保
護膜を形成しない試料および樹脂をスピンコード法で0
.3μm厚形成した試料を準備した。
これらの各試料を、硫化水素0602%、亜硝酸0.0
1%を含み湿度90%、温度60℃の耐環境試験装置の
中に103時間放置し、放置後の試料の外観と超伝導特
性(Tcと70KにおけるJc)の検査を行った。検査
結果を表1に示す。
外観検査は200倍の光学顕微鏡で試料表面を検査した
とき、ピットやシミなどの異常が試料表面で認められた
割合が1%以下を0印、1〜10%をΔ印、10%を超
えた場合はx印で示した。超伝導特性の評価は、耐環境
試験の前後のTc。
Jeの変化率で示した。0%は変化が全くない場合、−
50%は例えばTcの値が半分に低下した場合を示す、
なお、Jcの変化でx印は70にでもはや超伝導特性を
示さず、Jcの測定ができなかった場合を示す。
表  1 表1から明らかなように、保護膜を設けない場合もしく
はAQ 203.SiOx、樹脂の保護膜を設けた場合
はTcの値が65%以上も減少し、70にでもはや超伝
導特性を示さなくなっているのに対し、Beoなどの酸
化物保護膜を設けた場合はTcの劣化も3%以下と小さ
く、Jcの劣化も20%以下にすることが出来た。また
、これら酸化物保護膜の厚さを増したり、あるいは上に
ポリイミド樹脂膜などを形成することによって、超伝導
特性の劣化を1%以下にすることもできた。
また、1種類の酸化物の代りにB e O−M g O
Ti02−HfO2,Y2O3−La2O3などの混合
酸化物を用いても、いずれも同様にTc。
Jcの劣化をそれぞれ3,20%以下に抑えることがで
きた。
実施例2゜ 実施例1と同様な方法でZrO□基板上にEr−Ba−
Cu−0膜を0.5膜m厚形し、類似の酸化処理を行っ
て超伝導酸化物薄膜を得た。
化学分析の結果、この膜の組成は Er Ba2  Cu3 0B、93であることがわか
った。
Tcは86に、70KにおけるJcはaxio’A /
 cm ”であった、この試料の表面に、ZrO2もし
くはY2O3から成る保護膜をスパッタ法、もしくは真
空蒸着法で厚さ0.05μm形成した、ZrO2もしく
は’y2o3膜は構造が析の結果。
粒径がLO〜25nm (ZrO2)、20〜43nm
(YzO3)の多結晶、スパッタ法で形成したそれぞれ
の膜は非晶質と判定された。これら411I類の試料を
実施例1と同様の耐環境試験を行なった。結果を表2に
示す。
表  2 表2より明らかなように、ZrO2,Y2O3のいずれ
の場合も多結晶質よりも非晶質膜の方が、その保護作用
が優れていることが確認された。これは、非晶質膜の方
には結晶粒界や析出物などの欠陥が多結晶膜に比べては
るかに少ないため、酸素の拡散や水蒸気、硫化水素ある
いは亜硝酸の超伝導酸化物薄膜表面への浸入が少ないた
めである。
本実施例では、保護膜材料としてZrO2とY2O3の
場合について述べたが、非晶質の性質から考えてB e
 Og M g O,Sc203など他の酸化物でも同
様の効果が期待できる。また、超伝導酸化物薄膜として
も、Y−Ba−Cu−0やEr−Ba−Cu−0に限ら
れず。
Ml−MII−Cu−0系の酸化物薄膜(Mx:少なく
とも1種の希土類金属、MH:少なくとも1種のアルカ
リ土類金属)に広く適用できることは容易に類推できる
ところである。
〔発明の効果〕
本発明によれば、優れた超伝導特性を示すMl−Ml[
−Cu−0系の酸化物薄膜の酸素の離脱による特性劣化
を防ぐと同時に水蒸気や亜硝酸などとM x −M x
 −Cu −0系の膜が反応して、変質、経時変化をす
る現象を防ぐことができる。
本発明で用いる保護膜は、超伝導酸化物薄膜と類似の酸
化物であり、両材料間の化学的な親和性が良く付着力を
高くできると同時に、超伝導酸化物薄膜から酸素を奪う
こともないので、保;iU!Aとして優れたものである
。また、第2の保護膜としてこの酸化物保護膜の上に樹
脂などをコーティングし、保護効果を一層確実にするこ
とも可能であり、本発明は優れた超伝導特性を示す薄膜
をデバイス等に応用していくうえで、極めて有効なもの
である。
【図面の簡単な説明】
第1図は1本発明による超伝導酸化物薄膜用の保護膜の
形成状態を示す断面図である。 1・・・基板、2・・・超伝導酸化物薄膜、3・・・保
護膜。 第7図 7=1に一版 2−一一ノ1どl嵯πΦ民ノーS腺 3−梯謀職

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、超伝導特性を示すM_ I −M_II−Cu−O系の
    酸化物薄膜(M_ I :少なくとも1種の希土類金属、
    M_II:少なくとも1種のアルカリ土類金属)と該酸化
    物薄膜上に形成された保護膜を有し、かつ該保護膜はB
    eO、MgOの群、TiO_2、ZrO_2、HfO_
    2の群、もしくはSc_2O_3、Y_2O_3、R_
    2O_3(R:希土類金属)の群のいずれかの群から選
    ばれた少なくとも1種の材料より成ることを特徴とする
    超伝導酸化物薄膜。 2、特許請求の範囲第1項記載の超伝導酸化物薄膜用に
    おいて、上記保護膜の結晶構造は非晶質である超伝導酸
    化物薄膜。
JP62257106A 1987-10-14 1987-10-14 超伝導酸化物薄膜 Pending JPH01100812A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5274249A (en) * 1991-12-20 1993-12-28 University Of Maryland Superconducting field effect devices with thin channel layer
CN101782106A (zh) * 2010-03-18 2010-07-21 苏州至顺表面科技有限公司 陶瓷涂层绝缘轴承及其制备方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5274249A (en) * 1991-12-20 1993-12-28 University Of Maryland Superconducting field effect devices with thin channel layer
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