JPH01100097A - 透明窒化アルミニウム箔の製造法、透明窒化アルミニウム被覆の製造法、単結晶性透明窒化アルミニウム箔、および透明窒化アルミニウム被覆 - Google Patents
透明窒化アルミニウム箔の製造法、透明窒化アルミニウム被覆の製造法、単結晶性透明窒化アルミニウム箔、および透明窒化アルミニウム被覆Info
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- JPH01100097A JPH01100097A JP63232752A JP23275288A JPH01100097A JP H01100097 A JPH01100097 A JP H01100097A JP 63232752 A JP63232752 A JP 63232752A JP 23275288 A JP23275288 A JP 23275288A JP H01100097 A JPH01100097 A JP H01100097A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
- C30B29/403—AIII-nitrides
Landscapes
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- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、透明窒化アルミニウム箔の製造法、窒化アル
ミニウム被覆の製造法、単結晶性透明窒化アルミニウム
箔および透明窒化アルミニウム箔および透明窒化アルミ
ニウム被覆に関する。
ミニウム被覆の製造法、単結晶性透明窒化アルミニウム
箔および透明窒化アルミニウム箔および透明窒化アルミ
ニウム被覆に関する。
窒化アルミニウムからなる箔および被覆は、殊に耐高温
性材料（Ｈｏｃｈｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｍａｔｅｒｉａ
ｌ）として使用される。それというのも、窒化アルミニ
ウムは良好な特性、たと−えば高い熱伝導率、耐食性お
よび強度を有するからである。殊に耐熱性鋼またはそれ
らの合金は、６００℃よりも上の温度で有効に腐食を防
ぐことができる。
性材料（Ｈｏｃｈｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｍａｔｅｒｉａ
ｌ）として使用される。それというのも、窒化アルミニ
ウムは良好な特性、たと−えば高い熱伝導率、耐食性お
よび強度を有するからである。殊に耐熱性鋼またはそれ
らの合金は、６００℃よりも上の温度で有効に腐食を防
ぐことができる。
腐食に対する耐高温性保護剤として使用する場合には、
好ましくは窒化アルミニウム被覆が使用され；窒化アル
ミニウム箔は有利には、窒化アルミニウムが高い温度で
センサー用の窓材料として必要とされる場合に利用され
る。
好ましくは窒化アルミニウム被覆が使用され；窒化アル
ミニウム箔は有利には、窒化アルミニウムが高い温度で
センサー用の窓材料として必要とされる場合に利用され
る。
これまで窒化アルミニウム被覆は、たとえば費用のかか
るプラズマ吹付は法（Ｐｌｄｓｍａｓｐｒｉｔｚ−ｖｅ
ｒ ｆｄｈｒ ｅｎ ）により、アルミニウムを窒素
雰囲気中で１８００〜２０００℃で蒸発させるか、また
は２μ扉よりも小さい粒径な有する窒化アルミニウム粉
末を施与しかつ焼結させることにより製造された。
るプラズマ吹付は法（Ｐｌｄｓｍａｓｐｒｉｔｚ−ｖｅ
ｒ ｆｄｈｒ ｅｎ ）により、アルミニウムを窒素
雰囲気中で１８００〜２０００℃で蒸発させるか、また
は２μ扉よりも小さい粒径な有する窒化アルミニウム粉
末を施与しかつ焼結させることにより製造された。
窒化アルミニウム箔は、これまでたとえば窒化アルミニ
ウム粉末の高価な焼結法により製造された。
ウム粉末の高価な焼結法により製造された。
したがって、簡単かつ廉価に実施することができ、その
際窒化アルミニウム箔および窒化アルミニウム被覆が０
．０６μｍよりも低い粗度を有する平滑な表面を有する
ような、透明窒化アルミニウム箔ならびに窒化アルミニ
ウム被覆を製造する方法を提供するという課題が設定さ
れた。
際窒化アルミニウム箔および窒化アルミニウム被覆が０
．０６μｍよりも低い粗度を有する平滑な表面を有する
ような、透明窒化アルミニウム箔ならびに窒化アルミニ
ウム被覆を製造する方法を提供するという課題が設定さ
れた。
上記の課題は、本発明によれば、窒化アルミニウム箔が
単結晶からなり、かつ該窒化アルミニウム箔を、蒸発帯
域中でヨウ化アルミニウムのアンミン塩を蒸発させ、引
き続き分解帯域中で３８０〜５５０℃で加安分解（Ａｍ
ｍｏｎｏｌｙｓｅ）することＫよって得ることにより、
ならびに窒化アルミニウム被覆を、ヨウ化アルミニウム
のアンミン塩を蒸発帯域中で蒸発させ、引き続き分解帯
域中で５５０〜１２００℃の間の温度で加安分解するこ
とによって得ることにより解決される。
単結晶からなり、かつ該窒化アルミニウム箔を、蒸発帯
域中でヨウ化アルミニウムのアンミン塩を蒸発させ、引
き続き分解帯域中で３８０〜５５０℃で加安分解（Ａｍ
ｍｏｎｏｌｙｓｅ）することＫよって得ることにより、
ならびに窒化アルミニウム被覆を、ヨウ化アルミニウム
のアンミン塩を蒸発帯域中で蒸発させ、引き続き分解帯
域中で５５０〜１２００℃の間の温度で加安分解するこ
とによって得ることにより解決される。
本発明によれば、加安分解ないしはアンモノリシスのた
めの出発物質として、有利にはヘキサ−および／または
ペンタアンミンアルミニウムヨージドおよび／またはヘ
キサアンミンアルミニウムヨージドモノデンモニアケー
トが使用される。
めの出発物質として、有利にはヘキサ−および／または
ペンタアンミンアルミニウムヨージドおよび／またはヘ
キサアンミンアルミニウムヨージドモノデンモニアケー
トが使用される。
本発明によれば、ヨウ化アルミニウムのアンミン塩は、
蒸発帯域から酸素−および水不含の担持ガスを用いて、
分解帯域中に運搬することができる。
蒸発帯域から酸素−および水不含の担持ガスを用いて、
分解帯域中に運搬することができる。
本発明によれば担持ガスとして、アンモニア、貴ガス、
窒素、水素ならびにそれらの混合物を使用することがで
きる。
窒素、水素ならびにそれらの混合物を使用することがで
きる。
蒸発−および分解帯域を０．０１〜６バールの圧力下に
作業し、その際蒸発帯域を２００〜３８０℃、殊に３５
０〜６７０℃の間の温度に保持する場合に、良好な結果
が得もれる。
作業し、その際蒸発帯域を２００〜３８０℃、殊に３５
０〜６７０℃の間の温度に保持する場合に、良好な結果
が得もれる。
１変法は、蒸発帯域中でアンモニアを温度２００〜３８
０℃１殊に３５０〜！１７０℃でヨウ化アルミニウム上
へ導び（ことによってヨウ化アルミニウムのアンミン塩
を生成させ、かつ担持ガスとして過剰アンモニアを用い
て分解帯域に供給する場合に存在する。
０℃１殊に３５０〜！１７０℃でヨウ化アルミニウム上
へ導び（ことによってヨウ化アルミニウムのアンミン塩
を生成させ、かつ担持ガスとして過剰アンモニアを用い
て分解帯域に供給する場合に存在する。
窒化アルミニウム箔を分解帯域とじての加熱された石英
面に単結晶として析出させる場合、この窒化アルミニウ
ム箔は良好に剥離することができることが判明した。
面に単結晶として析出させる場合、この窒化アルミニウ
ム箔は良好に剥離することができることが判明した。
１変法は、ペンタアンミンアルミニウムヨージドを蒸発
帯域中で３５０〜３８０℃で、異種ガスの不在で蒸発さ
せ、かつ分解帯域中で３８０〜１２００℃で分解する場
合に存在する。
帯域中で３５０〜３８０℃で、異種ガスの不在で蒸発さ
せ、かつ分解帯域中で３８０〜１２００℃で分解する場
合に存在する。
本発明によれば、２０μｍまでの厚さおよび０．３ ｔ
ａよりも小さい、特に０．１μｍよりも小さい、殊ＫＯ
，０１μｍよりも小さい表面粗度を有する、結晶Ｃ軸が
箔平面に対して垂直に配置されている、単結晶性透明窒
化アルミニウム箔が製造される。
ａよりも小さい、特に０．１μｍよりも小さい、殊ＫＯ
，０１μｍよりも小さい表面粗度を有する、結晶Ｃ軸が
箔平面に対して垂直に配置されている、単結晶性透明窒
化アルミニウム箔が製造される。
本発明によれば、結晶Ｃ軸が被覆面に対して垂直に配置
されている、透明窒化アルミニウム被覆が製造される。
されている、透明窒化アルミニウム被覆が製造される。
このａ軸の配向は、Ｘ線撮影によりおよび偏光を考察す
る場合の挙動で決定された。走査型電子顕微鏡・撮影は
、窒化アルミニウム箔および窒化アルミニウム被覆が緻
密でありかつ極めて平滑な表面を有し、その粗度は０．
３μｍより小さ（、特に０．１μｍより小さく、殊に０
．０１μｍよりも小さいことを示した。
る場合の挙動で決定された。走査型電子顕微鏡・撮影は
、窒化アルミニウム箔および窒化アルミニウム被覆が緻
密でありかつ極めて平滑な表面を有し、その粗度は０．
３μｍより小さ（、特に０．１μｍより小さく、殊に０
．０１μｍよりも小さいことを示した。
第１図は、例１により製造された窒化アルミニウム箔の
Ｘ線撮影を示す。Ｘ線撮影では００２および１０３の反
射だけが顕著である。
Ｘ線撮影を示す。Ｘ線撮影では００２および１０３の反
射だけが顕著である。
第２図は、例１により得られた、粉砕した窒化アルミニ
ウム箔のＸ線図が示されている。このＸ線図の構造から
、単結晶のａ軸は箔軸に対して垂直に配置されているこ
とを知ることができる。
ウム箔のＸ線図が示されている。このＸ線図の構造から
、単結晶のａ軸は箔軸に対して垂直に配置されているこ
とを知ることができる。
この場合に、第１図および第２図において、縦軸はＸ線
回折の強さ（１％）を表わす。すなわちＸ線回折の強さ
は、面００２の最高測定の強さに対するものである。
回折の強さ（１％）を表わす。すなわちＸ線回折の強さ
は、面００２の最高測定の強さに対するものである。
横軸は回折角度（２θ）を示す。
数値１０３，１１０・・・等は、結晶中の面を表わす。
１０３は、面１０６をａ軸が距離１、ｂ軸が距離０、ａ
軸が距離３でそれぞれ通ることを意味する。それぞれの
単結晶は、その空間軸により規定することができる。こ
こでａ軸とは、水平方向の軸ａおよびｂに対して垂直に
配置されているような軸を意味する。
軸が距離３でそれぞれ通ることを意味する。それぞれの
単結晶は、その空間軸により規定することができる。こ
こでａ軸とは、水平方向の軸ａおよびｂに対して垂直に
配置されているような軸を意味する。
次の実施例は、本発明を詳説するために用いられるが、
本発明はこれに制限されるものではない。
本発明はこれに制限されるものではない。
例 １
窒化アルミニウム箔の製造（出発物質：ヘキサアンミン
アルミニウムヨージドモノアンモニアケート） ホウロウ引きの加熱可能な攪拌オートクレーブ中に、不
活性ガス（Ｎ２．Ａｒ）下にアルミニウム削片２７部お
よびヨウ化アンモニウム４６５部を装入した。オートク
レーブを排気した後に、アンモニア５６１部を送入した
。オートクレーブを密閉した後に、このオートクレーブ
を７５℃に加熱し、かつこの温度で９９時間放置した。
アルミニウムヨージドモノアンモニアケート） ホウロウ引きの加熱可能な攪拌オートクレーブ中に、不
活性ガス（Ｎ２．Ａｒ）下にアルミニウム削片２７部お
よびヨウ化アンモニウム４６５部を装入した。オートク
レーブを排気した後に、アンモニア５６１部を送入した
。オートクレーブを密閉した後に、このオートクレーブ
を７５℃に加熱し、かつこの温度で９９時間放置した。
３５バールの圧力が生じた。引き続き、このオートクレ
ーブを室温で常圧に放圧した。生成物は次の分析値を有
していた： Ａ−１０，１〒９ ＩＱ、＋５〒３
Ｎ１．２８９ ％したがって式： ％式％ に相当した。
ーブを室温で常圧に放圧した。生成物は次の分析値を有
していた： Ａ−１０，１〒９ ＩＱ、＋５〒３
Ｎ１．２８９ ％したがって式： ％式％ に相当した。
アルミニウムに対して、収率は９４％であった。
こうして製造されたＣ Ａｌ４ （ＮＨ３）６ ：］
Ｉ３ （ＮＨ３）を石英管中で６７５℃で蒸発させ、か
つＮＨ３ガスを用いて１．１バールで分解帯域に供給し
た。
Ｉ３ （ＮＨ３）を石英管中で６７５℃で蒸発させ、か
つＮＨ３ガスを用いて１．１バールで分解帯域に供給し
た。
この分解帯域中の温度は、４３０℃であった。
石英壁土には、透明な箔が形成し、この箔は室温に冷却
した後に、石英管から容易に剥離することができた。
した後に、石英管から容易に剥離することができた。
例 ２
窒化アルミニウム箔の製造（出発物質：ペンタアンミン
アルミニウムヨージド） アルミニウム削片２７部、ヨウ素３８１部および塩化ア
ンモニウム４部を、不活性ガス（Ｎ２゜Ａｒ ）下にオ
ートクレーブ中に装入し、かつ排気後にアンモニア５４
０部を供給した。オートクレーブを６２０℃に加熱し、
かつこの温度および圧力１８０パールで７時間保持した
。引き続き、このオートクレーブを温度６２０℃で曳常
圧に放圧した。
アルミニウムヨージド） アルミニウム削片２７部、ヨウ素３８１部および塩化ア
ンモニウム４部を、不活性ガス（Ｎ２゜Ａｒ ）下にオ
ートクレーブ中に装入し、かつ排気後にアンモニア５４
０部を供給した。オートクレーブを６２０℃に加熱し、
かつこの温度および圧力１８０パールで７時間保持した
。引き続き、このオートクレーブを温度６２０℃で曳常
圧に放圧した。
この生成物は次の分析値：
Ａｆ０．１８２ Ｉｏ、６１２ Ｎｏ、９８５
Ｘしたがって式： ％式％ に相当した。
Ｘしたがって式： ％式％ に相当した。
アルミニウムに対して、収率は８９チであった。
こうして製造されたペンタアンミンアルミニウムヨージ
ドを、石英管中で３７０℃で異種ガスなしに蒸発させた
。５００℃で、分解帯域中に透明な窒化アルミニウム箔
が形成し、これらの箔は室温で、石英壁から容易に剥離
することができた。
ドを、石英管中で３７０℃で異種ガスなしに蒸発させた
。５００℃で、分解帯域中に透明な窒化アルミニウム箔
が形成し、これらの箔は室温で、石英壁から容易に剥離
することができた。
例 ６
窒化アルミニウム被覆の製造（出発物質ヘキサアンミン
アルミニウムヨーシト） オートクレーブ中に、不活性ガス（Ｎ２．Ａｒ）下にア
ルミニウム剥片２７部、ヨウ化アンモニウム４６５部お
よび塩化アンモニウム４部を装入した。排気後に、アン
モニア５８０部を送入した。オートクレーブを密閉した
後に、このオートクレーブを１２０℃に加熱し、かつ圧
力９０バールで８時間保持した。その後に、このオート
クレーブを１２０℃で、常圧に放圧した。
アルミニウムヨーシト） オートクレーブ中に、不活性ガス（Ｎ２．Ａｒ）下にア
ルミニウム剥片２７部、ヨウ化アンモニウム４６５部お
よび塩化アンモニウム４部を装入した。排気後に、アン
モニア５８０部を送入した。オートクレーブを密閉した
後に、このオートクレーブを１２０℃に加熱し、かつ圧
力９０バールで８時間保持した。その後に、このオート
クレーブを１２０℃で、常圧に放圧した。
生成物は次の分析値を有していた：
／′ＪＡ０．１８１ ＩＯ，５９１Ｎｌ’１５６
Ｃ−’０．０１１５したがって式： ％式％ に相当した。
Ｃ−’０．０１１５したがって式： ％式％ に相当した。
アルミニウムに対して、収率は９２％であった。
こうして製造したヘキサアンミンアルミニウムヨーシト
を、石英管中で３７５℃で、ＮＨＮ 流中に蒸発させた
。分解帯域中に５６０℃で、酸化アルミニウム板を流動
方向に対して垂直に立てた。反応の終了した後に、Ａｌ
！２０７５板上にはつながりのある緻密な窒化アルミニ
ウム層が形成した。
を、石英管中で３７５℃で、ＮＨＮ 流中に蒸発させた
。分解帯域中に５６０℃で、酸化アルミニウム板を流動
方向に対して垂直に立てた。反応の終了した後に、Ａｌ
！２０７５板上にはつながりのある緻密な窒化アルミニ
ウム層が形成した。
例 ４
窒化アルミニウム被覆の製造（蒸発帯域中での出発物質
：ヨウ化アルミニウム） ベントａｙ社（（Ｆｉｒｍａ Ｖｅｎｔｒｏｎ ） 、
カールスルーエ（Ｋａｒｌｓｒｕｈｅ ）在〕の市販の
Ａｆ Ｉ ３を、ＶＡＷ社〔ボン（Ｂｏｎｎ ）在〕の
アルミニウム上で２回、蒸留した。ヨウ化アルミニウム
を、石英管中で３５０℃で蒸発させ、かつＮＨ３ガスと
反応させた。過剰ＮＨ３により、反応生成物を分解帯域
に供給し、かつここで６００℃で、酸化アルミニウム板
上に窒化アルミニウム層をつくった。この窒化アルミニ
ウム層は、つながりのある緻密なものであった。
：ヨウ化アルミニウム） ベントａｙ社（（Ｆｉｒｍａ Ｖｅｎｔｒｏｎ ） 、
カールスルーエ（Ｋａｒｌｓｒｕｈｅ ）在〕の市販の
Ａｆ Ｉ ３を、ＶＡＷ社〔ボン（Ｂｏｎｎ ）在〕の
アルミニウム上で２回、蒸留した。ヨウ化アルミニウム
を、石英管中で３５０℃で蒸発させ、かつＮＨ３ガスと
反応させた。過剰ＮＨ３により、反応生成物を分解帯域
に供給し、かつここで６００℃で、酸化アルミニウム板
上に窒化アルミニウム層をつくった。この窒化アルミニ
ウム層は、つながりのある緻密なものであった。
第１図は、例ＩＫより製゛造された窒化アルミニウム箔
のＸ線回折・回折強さの曲線図であり、第２図は例１に
より得られ、粉砕した窒化アルミニウム箔のＸ線回折角
・回折強さの曲線図である。
のＸ線回折・回折強さの曲線図であり、第２図は例１に
より得られ、粉砕した窒化アルミニウム箔のＸ線回折角
・回折強さの曲線図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、透明窒化アルミニウム箔を製造する方法において、
窒化アルミニウム箔が単結晶からなり、かつ該窒化アル
ミニウム箔を蒸発帯域中でヨウ化アルミニウムのアンミ
ン塩を蒸発させ、引き続き分解帯域中で３８０〜５５０
℃で加安分解することにより得ることを特徴とする、透
明窒化アルミニウム箔の製造法。 ２ 透明窒化アルミニウム被覆を製造する方法において
、窒化アルミニウム被覆を、蒸発帯域中でヨウ化アルミ
ニウムのアンミン塩を蒸発させ、引き続き分解帯域中で
５５０〜 １２００℃の間の温度で加安分解することにより得るこ
とを特徴とする、透明窒化アルミニウム被覆の製造法。 ３、加安分解のための出発物質として、ヘキサ−および
／またはペンタアンミンアルミニウムヨージドおよび／
またはヘキサアンミンアルミニウムヨージドモノアンモ
ニアケートを使用する、請求項１または２記載の方法。 ４、ヨウ化アルミニウムのアンミン塩を、蒸発帯域から
、酸素−および水不含の担持ガスを用いて分解帯域中に
運搬する、請求項１から３までのいずれか１項記載の方
法。 ５、蒸発−および分解帯域を０．０１〜３バールの加圧
下に運転し、その際蒸発帯域を２５０〜３８０℃の間の
温度に保持する、請求項１から４までのいずれか１項記
載の方法。 ６、ヨウ化アルミニウムのアンミン塩を、蒸発帯域中で
アンモニアを温度２００〜３８０℃でヨウ化アルミニウ
ム上へ導びくことによつて生成させ、担持ガスとして過
剰アンモニアを用いて分解帯域中に供給する、請求項１
または２記載の方法。 ７ 窒化アルミニウム箔を、分解帯域としての加熱され
た石英面に、単結晶として析出させる、請求項１および
３から６までのいずれか１項記載の方法。 ８ ペンタアンミンアルミニウムヨージドを、蒸発帯域
中で３５０〜３８０℃で、異種ガスの不在で蒸発させ、
かつ分解帯域中で３８０〜１２００℃で分解する、請求
項１または２記載の方法。 ９ ２０μｍまでの厚さおよび０．３μｍよりも小さい
表面粗度を有し、結晶Ｃ軸が箔平面に対して垂直に配置
されている、単結晶性透明窒化アルミニウム箔。 １０、結晶Ｃ軸が被覆面に対して垂直に配置されている
、透明窒化アルミニウム被覆。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3731455.6 | 1987-09-18 | ||
| DE19873731455 DE3731455A1 (de) | 1987-09-18 | 1987-09-18 | Verfahren zur herstellung von transparenten aluminiumnitrid-folien sowie -beschichtungen aus amminsalzen des aluminiumjodids |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01100097A true JPH01100097A (ja) | 1989-04-18 |
Family
ID=6336350
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63232752A Pending JPH01100097A (ja) | 1987-09-18 | 1988-09-19 | 透明窒化アルミニウム箔の製造法、透明窒化アルミニウム被覆の製造法、単結晶性透明窒化アルミニウム箔、および透明窒化アルミニウム被覆 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US4882136A (ja) |
| EP (1) | EP0307682B1 (ja) |
| JP (1) | JPH01100097A (ja) |
| KR (2) | KR890004982A (ja) |
| AT (1) | ATE82777T1 (ja) |
| DE (2) | DE3731455A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5573742A (en) * | 1987-10-29 | 1996-11-12 | Martin Marietta Corporation | Method for the preparation of high purity aluminum nitride |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3565704A (en) * | 1967-12-19 | 1971-02-23 | Westinghouse Electric Corp | Aluminum nitride films and processes for producing the same |
| US4095331A (en) * | 1976-11-04 | 1978-06-20 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Fabrication of an epitaxial layer diode in aluminum nitride on sapphire |
| US4152182A (en) * | 1978-05-15 | 1979-05-01 | International Business Machines Corporation | Process for producing electronic grade aluminum nitride films utilizing the reduction of aluminum oxide |
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-
1987
- 1987-09-18 DE DE19873731455 patent/DE3731455A1/de not_active Withdrawn
-
1988
- 1988-08-26 AT AT88113914T patent/ATE82777T1/de not_active IP Right Cessation
- 1988-08-26 EP EP88113914A patent/EP0307682B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1988-08-26 DE DE8888113914T patent/DE3876187D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1988-09-02 US US07/240,139 patent/US4882136A/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-09-02 US US07/240,095 patent/US4882135A/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-09-16 KR KR1019880011954A patent/KR890004982A/ko not_active Application Discontinuation
- 1988-09-16 KR KR1019880011955A patent/KR890005298A/ko not_active Application Discontinuation
- 1988-09-19 JP JP63232752A patent/JPH01100097A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR890004982A (ko) | 1989-05-11 |
| ATE82777T1 (de) | 1992-12-15 |
| DE3876187D1 (de) | 1993-01-07 |
| EP0307682A2 (de) | 1989-03-22 |
| DE3731455A1 (de) | 1989-03-30 |
| EP0307682A3 (en) | 1990-10-10 |
| US4882136A (en) | 1989-11-21 |
| US4882135A (en) | 1989-11-21 |
| KR890005298A (ko) | 1989-05-13 |
| EP0307682B1 (de) | 1992-11-25 |
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