JP7876331B2 - 異物除去方法、形成方法、物品の製造方法、異物除去装置、システム、およびテンプレート - Google Patents

Description

本発明は、異物除去方法、形成方法、物品の製造方法、異物除去装置、システム、およびテンプレートに関する。

半導体デバイスやＭＥＭＳ等の製造では、半導体基板などの部材の洗浄が行われる。従来では、当該部材の洗浄に、メガソニック洗浄や二流体洗浄、薬液を用いたＲＣＡ洗浄などが適用されている。これらの洗浄原理としては、基板上に付着した異物を流体力による物理力を利用して除去する洗浄方法（特許文献１参照）と、薬液の化学的作用（例えばエッチング効果）を利用して異物をリフトオフ的に除去する洗浄方法（特許文献２参照）とが挙げられる。また、部材の洗浄方法として、特許文献３－４に、部材上に固体膜を形成して当該固体膜内に部材上の異物を包含させた後に薬液を用いて当該固体膜を除去する固相洗浄方法が記載されている。

特開平８－３１８１８１号公報 特開２００７－２５８４６２号公報 特許第６７６５４８８号公報 特許第６４８０２１９号公報 特許第５１２１５４９号公報 特許第５９８２９９６号公報

昨今、半導体デバイス等の製造におけるパターンの微細化の進展に伴い、半導体基板などの部材の洗浄において、粒子径が非常に小さい異物（例えば数十ｎｍ以下）をも当該部材から除去することが望まれている。しかしながら、特許文献１に記載されたように流体力を用いる洗浄方法では、部材上に付着した粒子径の小さい異物やポリマ等の不要物を除去するために流体力を増加させると、部材に下地層（下地パターン）として形成されている微細構造が破損することがある。同様に、特許文献２に記載されたように薬液の化学的作用を用いる洗浄方法においても、部材の下地層へのダメージが生じうる。したがって、上記の洗浄方法は、粒子径の小さい異物等の除去に関して適用限界を迎えつつある。また、特許文献３－４に記載された固相洗浄方法では、薬液を用いて固体膜を溶解（除去）する際に、異物が部材上に再付着することがあるとともに、廃液処理などの環境負荷およびコスト負担が大きいという課題がある。

そのため、部材の洗浄方法として、薬液等を用いずに、インプリント方式を用いて部材上の異物を除去する固相洗浄方法（ドライ固相洗浄方法とも呼ばれることがある）が注目されている。一例として、特許文献５には、ダミーウェハ上に塗布された樹脂にテンプレートを押し付け、当該樹脂を硬化させた後に当該樹脂からテンプレートを離すことにより、テンプレート上の異物を除去する固相洗浄方法が記載されている。また、特許文献６には、異物を除去する対象のモールド上に塗布された樹脂に平坦化部材を接触させて樹脂膜を形成するとともに、当該樹脂膜を硬化し、樹脂膜から平坦化部材を剥離した後に、モールドから樹脂膜を剥離する固相洗浄方法が記載されている。このようなインプリント方式を用いた固相洗浄方法では、部材上の異物を効率的に除去することが望まれている。

本発明は、部材上の異物を効率的に除去することが可能な技術を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の一側面としての異物除去方法は、第１部材上の異物を除去する異物除去方法であって、前記第１部材上に組成物を供給する供給工程と、前記供給工程で前記第１部材上に供給された前記組成物が前記第１部材の目標範囲にわたって拡がり、前記目標範囲内の異物が前記組成物に取り込まれるように、前記第１部材上の前記組成物に第２部材を押し付ける押付工程と、前記押付工程の後、前記第１部材上の前記組成物と前記第２部材とが接触している状態で前記組成物を硬化する硬化工程と、前記硬化工程の後、前記第２部材と前記組成物とが貼り付いている状態で前記第１部材から前記第２部材を分離させることにより、前記第１部材の前記目標範囲から前記組成物を分離する分離工程と、を含み、前記目標範囲は、前記第１部材のベベル部の少なくとも一部を含み、前記供給工程において、液状の前記組成物は、前記第１部材のうち前記ベベル部以外の部分に供給される、ことを特徴とする。

本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。

本発明によれば、例えば、部材上の異物を効率的に除去することが可能な技術を提供することができる。

第１実施形態の異物除去方法を示すフローチャート 第１実施形態の異物除去方法の各工程を時系列で説明するための模式図 押付工程での課題を説明するための図 テンプレートの構成例を示す図 第１実施形態の異物除去装置の構成例を示す模式図 第２実施形態の異物除去方法の各工程を時系列で説明するための模式図 異物除去装置と形成装置とを備えるシステムの構成例を示す模式図 物品の製造方法を説明するための図

以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。なお、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。

本明細書及び添付図面では、異物を除去する対象の部材の表面（上面）に平行な方向をＸＹ平面とするＸＹＺ座標系で方向を示す。ＸＹＺ座標系におけるＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸のそれぞれに平行な方向をＸ方向、Ｙ方向及びＺ方向とし、Ｘ軸周りの回転、Ｙ軸周りの回転及びＺ軸周りの回転のそれぞれを、θＸ、θＹ及びθＺとする。Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸に関する制御及び駆動（移動）は、それぞれ、Ｘ軸に平行な方向、Ｙ軸に平行な方向、Ｚ軸に平行な方向に関する制御又は駆動（移動）を意味する。また、θＸ軸、θＹ軸、θＺ軸に関する制御又は駆動は、それぞれ、Ｘ軸に平行な軸周りの回転、Ｙ軸に平行な軸周りの回転、Ｚ軸に平行な軸周りの回転に関する制御又は駆動を意味する。

＜第１実施形態＞
本発明に係る第１実施形態の異物除去方法について説明する。本実施形態の異物除去方法は、部材上（第１部材）上の異物を除去する方法であり、具体的には、薬液を用いずに当該部材上の異物を除去する固相洗浄方法（所謂、ドライ固相洗浄方法）である。

［異物除去方法］
以下、本実施形態の異物除去方法（固相洗浄方法）について、図１～図２を参照しながら説明する。図１は、本実施形態の異物除去方法を示すフローチャートである。また、図２は、本実施形態の異物除去方法の各工程を時系列で説明するための模式図である。なお、図１～図２に示す例は、あくまで代表例であり、図１～図２に示す例に限定されるものではない。

まず、ステップＳ１１（準備工程）において、異物を除去する対象の部材１（第１部材）を準備する。以下では、異物を除去する対象の部材１を「対象部材１」と表記することがある。準備工程は、対象部材１上の異物を除去する異物除去装置内に当該対象部材１を搬入する工程として理解されてもよい。異物除去装置の構成例については後述する。

対象部材１は、図２（ａ）に示すように、例えば、半導体デバイスやフラットパネルディスプレイを製造するためのリソグラフィ工程によってパターンが形成される基板でありうる。当該基板としては、パターン（下地パターン）が形成された半導体ウエハやＭＥＭＳウエハ、パワー半導体ウエハ、ディスプレイ用ガラス基板（ガラスプレート）やバイオ素子などが挙げられる。ここで、本実施形態では、対象部材１として基板を適用する例を説明するが、対象部材１は、リソグラフィ工程において基板上にパターンを形成するために用いられる原版であってもよい。当該原版としては、ＥＵＶ露光マスク、半導体露光マスク、半導体インプリントモールド（テンプレート）、ＭＥＭＳ露光マスク、パワー系半導体露光用マスク、ディスプレイ露光用マスクなどが挙げられる。なお、ＭＥＭＳは、Micro Electro Mechanical Systemの略であり、ＥＵＶは、Extreme Ultravioletの略である。

図２（ａ）の例では、対象部材１のパターン部１ａに既に形成されているパターン３（下地パターン）のトップ面（上面）やボトム面（底面）、および対象部材１の周縁部１ｂに、様々なサイズの異物２（パーティクル）が付着している。特に、３０ｎｍ以下の粒子径を有する極微小異物やパターン３のボトム面に付着している異物は、メガソニック洗浄や二流体洗浄などの従来の洗浄方法では除去することが困難である。ここで、パターン部１ａは、対象部材１のうちパターン３が形成されている部分（領域）を示している。本実施形態では、パターン部１ａに形成されているパターン３は、凹部と凸部とが繰り返し（例えば周期的に）設けられた凹凸パターンとして構成されている。また、周縁部１ｂは、パターン部１ａを取り囲む端部であり、本実施形態では、ベベル加工（例えば面取り加工）が行われている部分（領域）を示している。以下では、対象部材１の周縁部１ｂを「ベベル部１ｂ」と表記することがある。

次に、ステップＳ１２（供給工程）において、図２（ｂ）に示すように、対象部材１上の異物２を取り込んで内包させるための組成物４を対象部材１上に供給する。組成物４は、流動性を有している状態（即ち、液体の状態）で対象部材１上に供給される。また、組成物４は、対象部材１（ベベル部１ｂ）の外側にはみ出すことを回避するとの観点から、対象部材１のベベル部１ｂ上に供給されないように、即ち、対象部材１のパターン部１ａ上のみ（即ち、ベベル部以外の部分）に供給されるとよい。

組成物４としては、硬化用のエネルギが与えられることにより硬化する硬化性組成物（例えば、樹脂）が用いられる。硬化性組成物は、光の照射により、あるいは、加熱により硬化する組成物である。これらのうち、光の照射により硬化する光硬化性組成物（光硬化性樹脂）は、少なくとも重合性化合物と光重合開始剤とを含有し、必要に応じて非重合性化合物または溶剤を更に含有してもよい。重合性化合物とは、光重合開始剤から発生した重合因子（ラジカル等）と反応し、連鎖反応（重合反応）によって高分子化合物からなる膜を形成する化合物である。このような重合性化合物として、例えばラジカル重合性化合物が挙げられ、アクリロイル基またはメタクリロイル基を１つ以上有する化合物、すなわち（メタ）アクリル化合物であることが好ましい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマ成分などの群から選択される少なくとも一種である。なお、組成物４の粘度（２５℃における粘度）は、例えば、１ｍＰａ・ｓ以上１００ｍＰａ・ｓ以下である。

本実施形態の場合、組成物４は、インクジェット法により組成物４を吐出する装置を用いて対象部材１上に供給（塗布）されうる。但し、対象部材１上への組成物４の供給方法（塗布方法）は、インクジェット法に限られるものではなく、対象部材１上への組成物４の供給量（例えば、組成物４の塗布膜厚）が制御できる方法であればよい。例えば、組成物４は、ディスペンサ塗布、スピン塗布、スクリーンやグラビア、オフセット印刷などの各種印刷方法、ディッピング塗布などを用いて対象部材１上に供給されてもよい。

また、対象部材１上への組成物４の供給量は、対象部材１に付着している異物２のサイズに基づいて、後述する押付工程を経て対象部材１上に形成される組成物４の膜厚が異物２のサイズより厚くなるように決定（設定）されるとよい。異物２のサイズは、対象部材１に付着した異物２のサイズを事前に計測（検査）することにより得られる計測値であってもよいし、これまでの経験則に基づく計算（シミュレーション）から得られる予測値であってもよい。

ここで、対象部材１の表面（上面）は、対象部材１と組成物４との間に気泡が巻き込まれないように、および／または、対象部材１上を組成物４が拡がり易くなるように、できるだけ濡れ性が高いことが好ましい。つまり、対象部材１と組成物４との接触角をできるだけ小さくすることが好ましい。当該接触角の許容範囲は、２度以下であることが好ましく、１度以下であることがより好ましい。

そのため、供給工程（ステップＳ１２）の前に、組成物４に対して対象部材１の表面を親液化させる処理（親液化処理）が対象部材１に対して行われるとよい。親液化処理は、対象部材１上の有機コンタミ成分を除去する処理を含む。親液化処理としては、ベーキング、プラズマアッシング処理、大気圧プラズマ処理、アルカリ若しくはオゾン水洗浄などが挙げられる。本実施形態では、簡便な装置構成で実現することができる大気圧プラズマ処理が親液化処理として用いられうる。対象部材１が十分に親液性である場合には親液化処理を省略することができる。親液化処理を行う際には、対象部材１の表面層にダメージを与えない範囲で極表層のコンタミ成分を除去するようエッチング量を選択することが好ましい。このように対象部材１の表面を予め親液化した後に対象部材１上に組成物４を供給することにより、対象部材１とそれに付着した異物２との間の狭いチャネル（隙間）に毛管力で組成物４を浸透しやすくすることができる。なお、親液化処理は、準備工程（ステップＳ１１）の前、例えば対象部材１が異物除去装置内に搬入される前に、異物除去装置の外部装置によって行われてもよい。また、後述する分離工程（ステップＳ１５）で対象部材１と組成物４とを分離（剥離）し易くするための分離層（例えばフッ素系）が、供給工程（ステップＳ１２）の前に対象部材１上に形成されてもよい。

次に、ステップＳ１３（押付工程）において、組成物４が対象部材１の目標範囲にわたって拡がるように、対象部材１上の組成物４にテンプレート５を押し付ける。具体的には、押付工程は、図２（ｃ）に示すように、供給工程で対象部材１上に供給された組成物４にテンプレート５を接触させた後、図２（ｄ）に示すように、テンプレート５によって組成物４を対象部材１上で押し拡げる。このとき、対象部材１の目標範囲にわたって組成物４が拡がり、目標範囲内の異物２が組成物４内に取り込まれるように、対象部材１上の組成物４にテンプレート５が押し付けられる。なお、押付工程は、対象部材１とテンプレート５とを相対的に駆動する駆動機構によって実行されうる。

対象部材１の目標範囲は、異物の除去を行うべき範囲であり、パターン部１ａに加えて、ベベル部１ｂの少なくとも一部を含みうる。本実施形態の場合、目標範囲は、ベベル部１ｂの全体を含む範囲、即ち、対象部材１の表面（上面）の全体に設定される。また、テンプレート５は、供給工程で対象部材１上に供給された組成物４を対象部材１上で押し拡げたり、後述する硬化工程で硬化した組成物４を対象部材１上から分離（剥離）したりするためのハンドルの役割を担う部材（第２部材）である。テンプレート５は、対象部材１の端部（エッジ）やベベル部１ｂの全体を効果的に洗浄するため、対象部材１（目標範囲）より大きいサイズで構成されるとよい。

押付工程では、図３（ａ）に示すように、テンプレート５と対象部材１とが相対的に傾いた状態でテンプレート５を対象部材１上の組成物４に押し付けると、対象部材１の目標範囲の全体にわたって組成物４を押し拡げることが困難になりうる。その結果、図３（ｂ）に示すように、後述する分離工程を経た後においても、対象部材１（例えばベベル部１ｂ）上に異物２が残存することがある。また、対象部材１の目標範囲から組成物４がはみ出し、その組成物４のはみ出し部分が分離工程後に対象部材１上に異物として残存することもある。

そのため、本実施形態の押付工程では、対象部材１の目標範囲の全体にわたって組成物４が拡がるように、テンプレート５と対象部材１との平行度、および／または、対象部材１上の組成物４に対するテンプレート５の押付力が制御されうる。当該平行度および／または当該押付力は、対象部材１の目標範囲から組成物４がはみ出さないように制御されてもよい。例えば、テンプレート５と対象部材１との平行度は、テンプレート５の押付面５ａと対象部材１の上面とが平行になるように、テンプレート５と対象部材１との相対姿勢（相対傾き）を調整することによって制御されうる。テンプレート５の押付面５ａとは、対象部材１上の組成物４に押し付けられる面（例えば下面）である。なお、当該平行度および当該押付力は、対象部材１とテンプレート５とを相対的に駆動する駆動機構によって制御されうる。

また、本実施形態の押付工程では、図２（ｄ）に示すように、撮影部１６によって対象部材１上での組成物４の拡がりを観察しながら、対象部材１上の組成物４に対するテンプレート５の押し付け（例えば、平行度および／または押付力）を制御してもよい。撮影部１６は、例えばカメラ１６ａと観察光学系１６ｂとを含み、対象部材１の目標範囲の全体が撮影視野に収まるように構成されうる。これにより、対象部材１の目標範囲にわたって組成物４が拡がるように、および／または、対象部材１の目標範囲から組成物４がはみ出さないように、対象部材の組成物４に対するテンプレート５の押し付けを制御することができる。ここで、押付工程は、撮影部１６での観察結果に限られず、時間管理によって制御してもよい。

次に、ステップＳ１４（硬化工程）において、図２（ｅ）に示すように、対象部材１上の組成物４とテンプレート５とが接触している状態で組成物４にエネルギ７を付与することにより、当該組成物４を硬化させる。例えば、組成物４として光硬化性樹脂（例えば紫外硬化型モノマー）が用いられている場合には、エネルギ７としての光（紫外光）をテンプレート５を介して組成物４に照射（付与）する。この場合、テンプレート５は、石英など、光（紫外光）を透過することができる材料で構成されるとよい。ここで、組成物４は、紫外光の照射によって硬化する材料に限られず、Ｘ線や可視光などの他のエネルギを照射することによって重合反応が生じて硬化する材料であってもよいし、熱エネルギによって硬化する材料であってもよい。

次に、ステップＳ１５（分離工程）において、図２（ｆ）に示すように、硬化工程で硬化した組成物４とテンプレート５とが貼り付いている状態でテンプレート５と対象部材１との間隔を広げることにより、対象部材１から組成物４を分離（剥離）させる。つまり、異物２が取り込まれている硬化後の組成物４とテンプレート５とが貼り付いている状態で、テンプレート５を当該組成物４とともに対象部材１から分離させる。このような分離工程を用いることで、対象部材１上の異物２を効率的に且つ簡易な処理で除去すること、即ち、対象部材１の洗浄を効果的に行うことができ、スループットの点でも有利になりうる。

ここで、上記の分離工程を行うためには、テンプレート５と組成物４との密着性が、対象部材１と組成物４との密着性より高い必要がある。そのため、押付工程（ステップＳ１３）の前に、テンプレート５と組成物４との密着性を向上させる前処理がテンプレート５に対して行われるとよい。当該前処理は、組成物４に密着する密着膜（密着層）をテンプレート５の表面（押付面５ａ）に形成（塗布）する膜形成処理を含みうる。膜形成処理は、スプレイ法、蒸着、スピン塗布など一般的な薄膜形成方法によって行われうる。前処理（塗布処理）は、異物除去装置にテンプレート５が搬入される前に、異物除去装置の外部装置によって行われてもよい。

また、テンプレート５の表面（押付面５ａ）は、押付工程においてテンプレート５と組成物４との間に気泡が巻き込まれないように、および／または、テンプレート５上を組成物４が拡がり易くなるように、できるだけ濡れ性が高いことが好ましい。つまり、押付工程におけるテンプレート５と対象部材１上の組成物４との接触角をできるだけ小さくすることが好ましい。テンプレート５と組成物４との接触角の許容範囲は、２度以下であることが好ましく、１度以下であることがより好ましく、対象部材１と組成物４との接触角より０．５～１度程度小さいとよい。例えば、対象部材１上にフッ素系の分離層が形成されている場合には、対象部材１と組成物４との接触角が前述の許容範囲を満たさないため、テンプレート５と組成物４との接触角を１度以下としてテンプレート５上での組成物４の拡がり速度を増加させるとよい。

そのため、押付工程（ステップＳ１３）の前に、組成物４に対してテンプレート５の表面（押付面５ａ）を親液化させる処理（親液化処理）がテンプレート５に対して行われてもよい。親液化処理は、テンプレート５の表面（押付面５ａ）上の有機コンタミ成分を除去する処理を含む。親液化処理としては、ベーキング、大気圧プラズマ処理やアッシング処理、アルカリ若しくはオゾン水洗浄などが挙げられる。本実施形態では、簡便な装置構成で実現することができる大気圧プラズマ処理が除去処理として用いられうる。このようにテンプレート５の表面（押付面５ａ）を親液化することにより、押付工程においてテンプレート５と組成物４との接触角を小さくし、テンプレート５上で組成物４を拡がり易くすることができる。なお、親液化処理は、テンプレート５が異物除去装置内に搬入される前に、異物除去装置の外部装置によって行われてもよい。

［テンプレートの構成］
以下、本実施形態の異物除去方法で使用されるテンプレート５の構成例について説明する。図４は、テンプレート５の構成例を示す図である。図４（ａ）は、テンプレート５を下方（－Ｚ方向側）から見た図であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）に示すテンプレート５のＡ－Ａ断面図である。

本実施形態の異物除去方法で使用されるテンプレート５は、押付面５ａが平坦面となるように構成されてもよいが、押付工程（ステップＳ１３）において組成物４を対象部材１の目標範囲にわたって効率的に拡げることができるように構成されているとよい。例えば、押付工程（ステップＳ１３）では、組成物４の拡がりが対象部材１のエッジに近づくほど、対象部材１のベベル部１ｂによってテンプレート５と対象部材１との間隔が広がるため、組成物４の拡がり速度が小さくなる。そのため、テンプレート５は、押付面５ａに、押付工程での組成物４の拡がりをガイド（補助）するように放射状に延伸した複数の第１溝部５ｂを有する。複数の第１溝部５ｂは、テンプレート５の押付面５ａのうち、対象部材１のベベル部１ｂに対応する位置に配置されうる。

各第１溝部５ｂの幅Ｗは、組成物４に対して所定の毛管力が発生可能な幅に設定されるとよく、数十μｍ～数百ｎｍに設定されうる。各第１溝部５ｂの放射方向の長さＬは、対象部材１のベベル部１ｂの長さより長くなるように設定されるとよく、例えば１ｍｍ以上に設定されうる。一例として、テンプレート５の各第１溝部５ｂは、幅Ｗが１００ｎｍ、長さＬが２ｍｍ、深さが１００ｎｍに構成される。このような複数の第１溝部５ｂをテンプレート５に設けることにより、各第１溝部５ｂで発生する毛管力を用いて、組成物４を対象部材１の目標範囲にわたって効率的に拡げることができる。

また、テンプレート５は、押付面５ａに、押付工程での組成物４の拡がりを停止させるように枠状に構成された第２溝部５ｃを有していてもよい。第２溝部５ｃは、対象部材１の目標範囲の外周（例えば、対象部材１のエッジ）に対応する位置に配置されうる。図４の例では、円形状の対象部材１の全体が目標範囲であるため、テンプレート５の第２溝部５ｃは、対象部材１のエッジに沿った周状（例えば円形状）に構成されている。このような第２溝部をテンプレート５に設けることにより、対象部材１の目標範囲内で組成物４の拡がりを停止させ、当該目標範囲の外側に組成物４がはみ出すことを回避することができる。

［異物除去装置の構成］
以下、本実施形態の異物除去装置１０の構成例について説明する。図５は、本実施形態の異物除去装置１０の構成例を示す模式図である。本実施形態の異物除去装置１０は、図１～図２を用いて前述した異物除去方法を実行することによって対象部材１上の異物を除去する装置である。異物除去装置１０は、例えば、ステージ１１と、保持部１２と、供給部１３と、第１処理部１４と、第２処理部１５と、撮影部１６と、硬化部１７と、制御部１８とを含みうる。制御部１８は、例えばＣＰＵやＭＰＵ等のプロセッサ或いはロジック回路、メモリ等の記憶部を有するコンピュータによって構成され、異物除去装置１０の各部を制御することにより、対象部材１上の異物を除去する異物除去処理を制御する。また、制御部１８は、外部装置と通信するための通信部を有してもよい。なお、ＣＰＵは、Central Processing Unitの略であり、ＭＰＵは、Micro Processing Unitの略である。

ステージ１１は、異物を除去する対象の対象部材１（第１部材）を真空力や静電力で保持するとともに、ベースプレートＢＰ上をＸＹ方向に移動可能に構成される。つまり、ステージ１１は、対象部材１を保持してＸＹ方向に駆動する機構である。本実施形態の場合、ステージ１１は、ＸＹ方向のみに対象部材１を駆動するように構成されているが、Ｚ方向や各軸の回転方向にも対象部材１を駆動するように構成されてもよい。また、保持部１２は、テンプレート５（第２部材）を真空力や静電力で保持するとともに、テンプレート５をＺ方向に駆動する機構である。本実施形態の場合、保持部１２は、Ｚ方向のみにテンプレート５を駆動するように構成されているが、ＸＹ方向や各軸の回転方向にもテンプレート５を駆動するように構成されてもよい。ここで、ステージ１１および保持部１２は、対象部材１とテンプレート５とを相対的に駆動する駆動機構（駆動部）を構成しうる。

供給部１３は、液状の組成物４を対象部材１上に供給（吐出、塗布）する機構である。供給部１３により対象部材１上に組成物４を供給する際には、ステージ１１によって供給部１３の下方に対象部材１が配置される。また、第１処理部１４は、対象部材１に対して親液化処理を行う機構である。第１処理部１４により対象部材１の親液化処理を行う際には、ステージ１１によって第１処理部１４の下方に対象部材１が配置される。第２処理部１５は、テンプレート５に対して膜形成処理および親液化処理を行う機構である。本実施形態の第２処理部１５は、ベースプレートＢＰ上をＸＹ方向に移動可能な移動機構１９によって支持されている。そして、第２処理部１５によってテンプレート５の膜形成処理および親液化処理を行う際には、移動機構１９によってテンプレート５の下方に第２処理部１５が配置される。

撮影部１６は、前述の押付工程において対象部材１上での組成物４の拡がりを観察（撮影）するための機構である。撮影部１６は、例えば、カメラ１６ａ（撮像素子）と観察光学系１６ｂとを含みうる。図５の例では、撮影部１６は、ミラーＭＲおよびテンプレート５を介して、対象部材１上での組成物４の拡がりを撮影するように構成されている。また、硬化部１７は、前述の硬化工程において対象部材１上の組成物４を硬化するための機構である。硬化部１７は、例えば、組成物４を硬化させるエネルギ（例えば紫外光）を射出するエネルギ源１７ａと、エネルギ源１７ａから射出されたエネルギを対象部材１上の組成物４に照射する照射光学系１７ｂとを含みうる。図５の例では、硬化部１７は、ミラーＭＲおよびテンプレート５を介して、対象部材１上の組成物４にエネルギを照射することにより当該組成物４を硬化させる。

［異物除去装置の動作］
以下、本実施形態の異物除去装置１０の動作例について説明する。異物除去装置１０の一連の動作は、制御部１８が各部に信号を送信することで実行される。

（対象部材の搬入から供給工程までの動作）
まず、不図示の搬送機構によって対象部材１がステージ１１上に搬送され、対象部材１がステージ１１によって保持される（準備工程）。そして、ステージ１１により対象部材１を駆動することで第１処理部１４の下方に対象部材１が配置された後、第１処理部１４によって対象部材１の親液化処理が行われる。第１処理部１４は、対象部材１上の有機コンタミ成分を除去することができるベーキング、プラズマアッシング処理、大気圧プラズマ処理、アルカリ若しくはオゾン水洗浄などから適宜選択される処理を親液化処理として実行することができる。

次に、ステージ１１により対象部材１を駆動することで供給部１３の下方に対象部材１が配置された後、供給部１３によって対象部材１上に液状の組成物４が供給される（供給工程）。供給部１３は、インクジェット法、ディスペンサ法、印刷法などから適宜選択される方式で組成物４を対象部材１上に供給することができる。なお、図５の例では、第１処理部１４および供給部１３が異物除去装置１０の構成要素として設けられているが、第１処理部１４および／または供給部１３は、異物除去装置１０の外部要素（外部装置）として設けられてもよい。この場合、異物除去装置１０の外部において親液化処理および／または組成物４の供給が行われた対象部材１が、異物除去装置１０内に搬入されうる。

ここで、供給部１３によって対象部材１上に供給する組成物４の供給量について説明する。制御部１８は、対象部材１に付着している異物のサイズを示す情報（以下では、異物情報と表記することがある）を取得する。異物情報は、外部の検査装置によって対象部材１上の異物のサイズを計測することで得られる異物の代表サイズを示す情報を含みうる。異物の代表サイズとは、例えば、対象部材１に付着している異物の最大サイズであってもよいし、平均サイズであってもよい。複数の対象部材１がある場合には、各対象部材１について代表サイズを得てもよいが、スループットの観点から、複数の対象部材１の中からサンプル（代表）として抜き取られた幾つかの対象部材１から代表サイズを得てもよい。この場合、抜き取られた幾つかの対象部材１上の異物の最大サイズあるいは平均サイズが、代表サイズとして用いられうる。

また、制御部１８は、対象部材１に形成されているパターン３の高さ（例えば凹凸高さ）を示す情報（以下では、パターン情報を表記することがある）を取得する。パターン情報は、対象部材１のパターン３の高さの計測結果を示す情報であってもよいし、対象部材１のパターン３の設計情報であってもよい。

そして、制御部１８は、異物情報およびパターン情報に基づいて、前述の押付工程を経て対象部材１とテンプレート５との間に形成される組成物４の膜厚Ｔが以下の式（１）を満たすように、組成物４の供給量を決定する。式（１）における「α」は、１～１００の間で適宜設定されうるが、本実施形態では、硬化工程での組成物４の硬化収縮と異物のサイズの計測精度を鑑みてα＝１．５とした。制御部１８は、決定した組成物４の供給量に応じた指示信号を供給部１３に送信することによって供給部１３を制御する。
Ｔ＝（異物の最大サイズ＋パターン３の高さ）×α，α＞１ ・・・（１）

（テンプレートの搬入から押付工程までの動作）
不図示の搬送機構によってテンプレート５が保持部１２上に搬送され、テンプレート５が保持部１２によって保持される。そして、移動機構１９により第２処理部１５をテンプレート５の下方に配置された後、第２処理部１５によってテンプレート５の膜形成処理が行われる。膜形成処理は、テンプレート５と組成物４との密着性を向上させるための密着膜（密着層）をテンプレート５の押付面５ａに形成する処理であり、例えば、シランカップリング処理、シラザン処理、有機薄膜の成膜などの表面処理を含みうる。このような密着膜をテンプレート５の押付面５ａに形成すると、前述の分離工程においてテンプレート５と組成物４とを密着させ、テンプレート５を組成物４とともに対象部材１から完全に分離（剥離）することができる。つまり、対象部材１から異物を効率的に且つ確実に除去することが可能となる。なお、組成物４の成分やテンプレート５の構成・材料によっては、密着膜の形成を省略してもよい。

次に、第２処理部１５によってテンプレート５の親液化処理が行われる。第２処理部１５は、テンプレート５上の有機コンタミ成分を除去することができるベーキング、プラズマアッシング処理、大気圧プラズマ処理、アルカリ若しくはオゾン水洗浄などから適宜選択される処理を親液化処理として実行することができる。なお、前述の密着層表面が十分に親液性である場合には親液化処理を省略することができる。親液化処理を行う際には、密着層にダメージを与えない範囲で極表層のコンタミ成分を除去するようエッチング量を選択することが好ましい。また、図５の例では、第２処理部１５が異物除去装置１０の構成要素として設けられているが、第２処理部１５は、異物除去装置１０の外部要素（外部装置）として設けられてもよい。この場合、異物除去装置１０の外部において膜形成処理および／または親液化処理が行われたテンプレート５が、異物除去装置１０内に搬入されうる。

次に、ステージ１１により対象部材１を駆動することでテンプレート５の下方に対象部材１が配置（位置決め）された後、保持部１２によりテンプレート５を下降し、テンプレート５を対象部材１上の組成物４に押し付ける（押付工程）。押付工程の時間（即ち、対象部材１上で組成物を拡げている時間）は、対象部材１の目標範囲内の異物を組成物４が十分に包み込むことができるように、組成物４の材料や性質等に応じて適宜設定されうる。

押印工程では、撮影部１６によって対象部材１上での組成物４の拡がりの均一性／不均一性を観察しながら、対象部材１上の組成物４に対するテンプレート５の押し付け（例えば、平行度および／または押付力）が制御されうる。例えば、制御部１８は、撮影部１６から取得される画像に対して公知の画像処理を行い、組成物４の外周および／または対象部材１のエッジを検出することにより、対象部材１上での組成物４の拡がりの均一性／不均一性を観察（監視）することができる。そして、制御部１８は、組成物４の拡がりの不均一性を検出した場合には、当該不均一性が補正されるように、ステージ１１および保持部１２によってテンプレート５と対象部材１との相対姿勢、および／または、テンプレート５の押付力を制御する。これにより、対象部材１の目標範囲にわたって組成物４を均一に拡げ、当該目標範囲に含まれるベベル部１ｂ上の異物をも確実に除去することが可能となる。

また、押付工程では、テンプレート５と対象部材１との間に巻き込まれた気泡の消失を促進するため、および／または、酸素阻害による組成物４の硬化不良を回避するためのガスを、保持部１２に設けられた気体供給ノズル（不図示）から導入してもよい。当該ガスとしては、例えばＨｅ、Ｈ_２及びそれらの混合ガスが挙げられる。但し、テンプレート５と組成物４との間に気泡が巻き込まれたとしても、テンプレート５と組成物４との密着性に問題がない場合には、気体供給ノズルからのガスの導入を行わなくてもよい。

（硬化工程から剥離工程までの動作）
押付工程により対象部材１の目標範囲にわたって組成物４が拡がったら、組成物４の硬化を指示する信号が制御部１８から硬化部１７に送信される。硬化部１７は、当該信号の受信に応じて、組成物４を硬化させるエネルギ（例えば紫外光）をエネルギ源１７ａから射出し、照射光学系１７ｂ、ミラーＭＲおよびテンプレート５を介して組成物４に当該エネルギを照射する（硬化工程）。これにより、テンプレート５と対象部材１との間の組成物４を硬化することができる。

エネルギ源１７ａは、射出するエネルギがテンプレート５を透過することができるように材料と波長との組み合わせが適切に選択されうる。本実施形態では、テンプレート５が石英により構成されており、エネルギ源１７ａから射出されるエネルギとして波長３６５ｎｍの紫外光が採用される。なお、エネルギ源１７ａから射出されるエネルギとしては、波長３６５ｎｍの紫外光に限定されるものではなく、テンプレート５や組成物４の材料に応じて、可視光、波長３６５ｎｍ以外の紫外光、赤外光、Ｘ線、放射線、電子線などが採用されてもよい。

ここで、硬化工程では、組成物４が十分に硬化することができるように、即ち、組成物４が目標硬度に硬化するように、組成物４に照射するエネルギ強度（光強度）および照射時間（露光時間）が適宜設定されうる。組成物４の硬化速度は、周囲雰囲気における酸素の量によって変わりうるため、周辺雰囲気における酸素の量をセンサ等で検知し、その検知結果に基づいて、エネルギ強度および／または照射時間が設定されてもよい。

上記の工程により、対象部材１上の組成物４は、毛管力および濡れ性により対象部材１の目標範囲にわたって拡がって目標範囲の異物を取り込む（包み込む）とともに、硬化した際の収縮（硬化収縮）により対象部材１から分離可能な状態となる。

次に、保持部１２によりテンプレート５を上昇させ、テンプレート５を対象部材１から分離させる（分離工程）。このとき、テンプレート５と硬化した組成物４とが貼り付いている状態となるため、テンプレート５とともに組成物４が対象部材１から分離される。テンプレートと対象部材１とを分離する速度は、対象部材１のパターンが破損されないように設定されうる。このようにテンプレート５を組成物４とともに対象部材１から分離することで、対象部材１上の異物を効率的に且つ簡易な処理で除去することができ、スループットの点でも有利になりうる。

ここで、テンプレート５および組成物４を対象部材１から分離する際、対象部材１が帯電し（剥離帯電と呼ばれる）、周囲の異物を静電気力で引き付けてしまうことがある。そのため、不図示のイオナイザーを用いてテンプレート５、組成物４および／または対象部材１を除電しながら分離工程を実行するとよい。なお、分離工程を行った後のテンプレート５には組成物４が貼り付いているため、新たな対象部材１に対して異物除去処理を行う場合には、テンプレート５の交換または洗浄が行われうる。

分離工程が終了したら、不図示の搬送機構によって対象部材１がステージ１１から分離されて搬出される。また、不図示の搬送機構によってテンプレート５が保持部１２から分離されて搬出される。ここで、対象部材１をステージ１１から分離する際、および／または、テンプレート５を保持部１２から分離する際には、不図示のイオナイザーを用いて除電するとよい。

上述したように、本実施形態の異物除去方法では、対象部材１上に液状の組成物４を供給した後、対象部材１の目標範囲にわたって組成物４が拡がり、目標範囲内の異物が組成物４に取り込まれるようにテンプレート５を当該組成物４に押し付ける。そして、テンプレート５と対象部材１上の組成物４とが接触している状態で当該組成物４を硬化した後、テンプレート５と硬化した組成物４とが貼り付いている状態で、テンプレート５を組成物４とともに対象部材１から分離する。これにより、対象部材１上の異物２を効率的に且つ簡易な処理で除去することができ、スループットの点でも有利になりうる。

＜第２実施形態＞
本発明に係る第２実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態を基本的に引き継ぐものであり、以下で説明する事項以外は第１実施形態に従いうる。

ウエハや基板などの対象部材１のベベル部１ｂ（周縁部）には、後続のリソグラフィ工程でのパターン形成に対して影響が小さいエッジ領域が含まれることがある。このようなエッジ領域は、エッジ・エクスクルージョン領域（以下では、ＥＥ領域と表記することがある）と呼ばれることがあり、当該パターン形成における異物の有無の評価を除外する領域として理解されてもよい。

図６は、本実施形態の異物除去方法の各工程を時系列で説明するための模式図である。図６（ａ）～（ｆ）で示される工程は、前述した図２（ａ）～（ｆ）で示される工程にそれぞれ対応しており、第１実施形態における図２（ａ）～（ｆ）と同様の工程である。但し、図６（ａ）～（ｆ）では、図２（ａ）～（ｆ）に対し、対象部材１の目標範囲が異なる。

本実施形態では、対象部材１の目標範囲（異物の除去を行うべき範囲）が、ＥＥ領域８を含まないように設定される。即ち、対象部材１の目標範囲は、パターン部１ａと、ベベル部１ｂのうちＥＥ領域８を除く部分とを含む範囲に設定される。ここで、ＥＥ領域８を考慮した場合に用いられるテンプレート５は、対象部材１の目標範囲より大きいサイズに設定されうるが、対象部材１自体より小さいサイズであってもよい。テンプレート５のハンドリングをし易くするとの観点からは、テンプレート５は、対象部材１と同じサイズ、或いは、対象部材１より大きいサイズであるとよい。

＜第３実施形態＞
本発明に係る第３実施形態について説明する。本実施形態では、第１実施形態で説明した異物除去装置１０を備えるシステム１００について説明する。本実施形態は、第１実施形態を基本的に引き継ぐものであり、以下で説明する事項以外は第１実施形態に従いうる。また、本実施形態は、第２実施形態を引き継いでもよい。

図７は、本実施形態のシステム１００の構成例を示す模式図である。本実施形態のシステム１００は、異物除去装置１０と形成装置２０とを備える。本実施形態のシステム１００では、異物除去装置１０と形成装置２０とが搬送装置３０によってインライン接続されており、異物除去装置１０において異物が除去された対象部材１が搬送装置３０によって形成装置２０に搬入される。

異物除去装置１０は、第１実施形態で説明したように、対象部材１上の異物を除去する装置である。対象部材１は、前述したように、形成装置２０でパターンが形成される基板、および／または、形成装置２０で基板上に転写されるパターンを有する原版でありうる。また、形成装置２０は、異物除去装置１０で異物が除去された対象部材１を用いて基板上にパターンを形成する装置である。本実施形態の形成装置２０は、原版のパターンを基板上に転写するリソグラフィ装置として構成されうる。例えば、対象部材１が基板である場合には、形成装置２０は、異物除去装置１０で異物が除去された基板上にパターンを転写する。対象部材１が原版である場合には、形成装置２０は、異物除去装置１０で異物が除去された原版のパターンを基板上に転写する。形成装置２０を構成するリソグラフィ装置としては、原版（マスク、レチクル）を通過したパターン光で基板を露光する露光装置や、原版（モールド）を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置などが挙げられる。

次に、本実施形態のシステム１００の動作例について説明する。ここでは、異物除去装置１０で異物が除去される対象部材１が基板であり、形成装置２０がインプリント装置である例を説明する。

システム１００には、不図示のコータディベロッパ装置から基板が搬入される。コータディベロッパ装置は、システム１００における異物除去装置１０および形成装置２０とインライン化されていてもよいし、スタンドアロンであってもよいが、異物の付着や汚染の観点からはインライン化が好ましい。コータディベロッパ装置では、基板上にＳＯＣ／ＳＯＧなどのマスク材が塗布され、その基板はインライン化された異物除去装置１０に運ばれる。

本実施形態のシステム１００では、形成装置２０（インプリント装置）に基板が搬入される前に、異物除去装置１０により基板の異物除去処理が行われる。当該異物除去処理は、第１実施形態で説明したとおりであるため、ここでの説明を省略する。異物除去装置１０により異物除去処理が行われた基板は、異物除去装置１０とインライン接続された形成装置２０に搬送されてパターン形成処理（インプリント処理）が行われる。インプリント処理では、基板上にインプリント材を供給した後、微細な凹凸パターンが形成された石英製のモールド（テンプレート）を基板上のインプリント材に接触させる。そして、基板上のインプリント材とモールドとが接触している状態で当該インプリント材を硬化させた後、基板上の硬化したインプリント材からモールドを分離（剥離）させる。これにより、モールドのパターンが基板上のインプリント材に転写され、インプリント材の硬化物で構成されたパターンを基板上に形成することができる。

このインプリント処理では、基板上に異物が存在（付着）していると、一例として８０ｎｍ以下程度の無機異物が存在していると、２０ｎｍ程度の凹凸パターンを有するモールドが破損してしまうことがある。一旦モールドが破損すると、当該モールドを用いる以降のインプリント処理において、基板上に形成されるインプリント材のパターンに欠陥が形成されてしまう。そのため、基板や原版（モールド）の異物管理は非常に重要な問題である。本実施形態の異物除去装置１０は、装置構成が簡便で非常に小さな異物まで除去することができるため、こうした課題を解決する方法として非常に好適である。

ここで、本実施形態のシステム１００において、異物除去装置１０で異物除去処理を行った後に、形成装置２０（インプリント装置）でパターン形成処理（インプリント処理）を行った。その結果、欠陥密度ＤＤ（個／ｃｍ^２）の増加量ΔＤＤが１個／ｃｍ^２となるまでの基板流動数が、異物除去装置１０の有無により、数ロットから数百ロットまで飛躍的に増加することが確認された。

＜物品の製造方法の実施形態＞
本発明の実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、対象部材上の異物を除去する異物除去工程と、基板上にパターンを形成する形成工程と、形成工程でパターンが形成された基板を加工する加工工程と、加工工程で加工された基板から物品を製造する製造工程とを含む。異物除去工程では、上記の異物除去方法を用いて対象部材上の異物が除去される。対象部材は、形成工程でパターンが形成される基板、および／または、形成工程で基板上に転写されるパターンを有する原版である。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。

形成工程で基板上にパターンを形成する形成装置としてインプリント装置が用いられる場合、インプリント装置によって成形される硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、ＭＥＭＳ、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＭＲＡＭのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、ＬＳＩ、ＣＣＤ、イメージセンサ、ＦＰＧＡのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。

硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。

次に、物品の具体的な製造方法について説明する。ここでは、インプリント装置（インプリント処理）を用いる例を説明する。図８（ａ）に示すように、絶縁体等の被加工材２ｚが表面に形成されたシリコンウェハ等の基板１ｚを用意し、続いて、インクジェット法等により、被加工材２ｚの表面にインプリント材３ｚを付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材３ｚが基板上に付与された様子を示している。

図８（ｂ）に示すように、インプリント用の型４ｚを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材３ｚに向け、対向させる。図８（ｃ）に示すように、インプリント材３ｚが付与された基板１ｚと型４ｚとを接触させ、圧力を加える。インプリント材３ｚは型４ｚと被加工材２ｚとの隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギとして光を型４ｚを通して照射すると、インプリント材３ｚは硬化する。

図８（ｄ）に示すように、インプリント材３ｚを硬化させた後、型４ｚと基板１ｚを引き離すと、基板１ｚ上にインプリント材３ｚの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、型の凹部が硬化物の凸部に、型の凸部が硬化物の凹部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材３ｚに型４ｚの凹凸パターンが転写されたことになる。なお、不図示の厚さ数十ｎｍ程度のＲＬＴ部（Residual Layer Thickness、残膜厚と呼ばれることがある）が硬化物の凹部に残る。

図８（ｅ）に示すように、硬化物のパターンを耐エッチングマスクとしてＲＬＴ部を含めてエッチングを行うと、被加工材２ｚの表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝５ｚとなる。図８（ｆ）に示すように、硬化物のパターンを除去すると、被加工材２ｚの表面に溝５ｚが形成された物品を得ることができる。ここでは硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。

＜実施形態のまとめ＞
本明細書の開示は、以下の異物除去方法、形成方法、物品の製造方法、異物除去装置、システム、およびテンプレートを含む。

（項目１）
第１部材上の異物を除去する異物除去方法であって、
前記第１部材上に組成物を供給する供給工程と、
前記供給工程で前記第１部材上に供給された前記組成物が前記第１部材の目標範囲にわたって拡がり、前記目標範囲内の異物が前記組成物に取り込まれるように、前記第１部材上の前記組成物に第２部材を押し付ける押付工程と、
前記押付工程の後、前記第１部材上の前記組成物と前記第２部材とが接触している状態で前記組成物を硬化する硬化工程と、
前記硬化工程の後、前記第２部材と前記組成物とが貼り付いている状態で前記第１部材から前記第２部材を分離させることにより、前記第１部材の前記目標範囲から前記組成物を分離する分離工程と、
を含むことを特徴とする異物除去方法。

（項目２）
前記目標範囲は、前記第１部材のベベル部の少なくとも一部を含む、ことを特徴とする項目１に記載の異物除去方法。

（項目３）
前記供給工程において、液状の前記組成物は、前記第１部材のうち前記ベベル部以外の部分に供給される、ことを特徴とする項目２に記載の異物除去方法。

（項目４）
前記押付工程において、前記供給工程で前記第１部材上に供給された前記組成物が前記目標範囲にわたって拡がるように、前記第１部材と前記第２部材との平行度を制御する、ことを特徴とする項目１乃至３のいずれか１項に記載の異物除去方法。

（項目５）
前記押付工程において、前記供給工程で前記第１部材上に供給された前記組成物が前記目標範囲にわたって拡がるように、前記第１部材上の前記組成物に対する前記第２部材の押付力を制御する、ことを特徴とする項目１乃至４のいずれか１項に記載の異物除去方法。

（項目６）
前記押付工程において、前記供給工程で前記第１部材上に供給された前記組成物が前記目標範囲にわたって拡がるように、前記第１部材上での前記組成物の拡がりを観察しながら、前記第１部材上の組成物に対する前記第２部材の押し付けを制御する、ことを特徴とする項目１乃至５のいずれか１項に記載の異物除去方法。

（項目７）
前記供給工程の前に、液状の前記組成物に対して前記第１部材の表面を親液化させる処理を前記第１部材に行う工程を更に含む、ことを特徴とする項目１乃至６のいずれか１項に記載の異物除去方法。

（項目８）
前記押付工程の前に、前記組成物と前記第２部材との密着性を向上させる処理を前記第２部材に行う工程を更に含む、ことを特徴とする項目１乃至７のいずれか１項に記載の異物除去方法。

（項目９）
前記第２部材は、前記組成物に押し付けられる押付面を有するとともに、前記押付工程での前記組成物の拡がりをガイドするように放射状に延伸した複数の溝部を前記押付面に有する、ことを特徴とする項目１乃至８のいずれか１項に記載の異物除去方法。

（項目１０）
前記第２部材は、前記押付工程での前記組成物の拡がりを停止させる枠状の第２溝部を前記押付面に更に有する、ことを特徴とする項目９に記載の異物除去方法。

（項目１１）
前記第１部材は、パターンが形成される基板である、ことを特徴とする項目１乃至１０のいずれか１項に記載の異物除去方法。

（項目１２）
前記第１部材は、基板上にパターンを形成するために用いられる原版である、ことを特徴とする項目１乃至１０のいずれか１項に記載の異物除去方法。

（項目１３）
基板上にパターンを形成する形成方法であって、
項目１乃至１２のいずれか１項に記載の異物除去方法を用いて、第１部材上の異物を除去する異物除去工程と、
基板上にパターンを形成する形成工程と、
を含み、
前記異物除去工程が行われる前記第１部材は、前記形成工程でパターンが形成される前記基板、および／または、前記基板上に転写されるパターンを有する原版である、ことを特徴とする形成方法。

（項目１４）
項目１３に記載の形成方法を用いて基板上にパターンを形成する工程と、
パターンが形成された前記基板を加工する工程と、
加工された前記基板から物品を製造する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。

（項目１５）
第１部材上の異物を除去する異物除去装置であって、
前記第１部材上に液状の組成物を供給する供給部と、
前記第１部材と第２部材とを相対的に駆動する駆動部と、
前記組成物を硬化する硬化部と、
前記第１部材上の異物を除去する異物除去処理を制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記異物除去処理として、
前記供給部により前記第１部材上に液状の組成物を供給する供給工程と、
前記供給工程で前記第１部材上に供給された前記組成物が前記第１部材の目標範囲にわたって拡がり、前記目標範囲内の異物が前記組成物に取り込まれるように、前記駆動部により前記第１部材上の前記組成物に前記第２部材を押し付ける押付工程と、
前記押付工程の後、前記第１部材上の前記組成物と前記第２部材とが接触している状態で、前記硬化部により前記組成物を硬化する硬化工程と、
前記硬化工程の後、前記第２部材と前記組成物とが貼り付いている状態で前記駆動部により前記第１部材から前記第２部材を分離させることにより、前記第１部材の前記目標範囲から前記組成物を分離する分離工程と、
を実行する、ことを特徴とする異物除去装置。

（項目１６）
第１部材上の異物を除去する項目１５に記載の異物除去装置と、
基板上にパターンを形成する形成装置と、
を備え、
前記異物除去装置により異物が除去される前記第１部材は、前記形成装置によりパターンが形成される前記基板、および／または、前記基板上に転写されるパターンを有する原版である、ことを特徴とするシステム。

（項目１７）
部材上に供給された組成物を前記部材上で押し拡げるためのテンプレートであって、
前記部材上の前記組成物に押し付けられる押付面を有するとともに、前記部材上での前記組成物の拡がりをガイドするように放射状に延伸した複数の溝部を前記押付面に有する、ことを特徴とするテンプレート。

発明は上記実施形態に制限されるものではなく、発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、発明の範囲を公にするために請求項を添付する。

１：対象部材（第１部材）、４：組成物、５：テンプレート（第２部材）、１０：異物除去装置、１１：ステージ、１２：保持部、１３：供給部、１６：撮影部、１７：硬化部、１８：制御部、２０：形成装置

Claims (15)

1. 第１部材上の異物を除去する異物除去方法であって、
   前記第１部材上に組成物を供給する供給工程と、
   前記供給工程で前記第１部材上に供給された前記組成物が前記第１部材の目標範囲にわたって拡がり、前記目標範囲内の異物が前記組成物に取り込まれるように、前記第１部材上の前記組成物に第２部材を押し付ける押付工程と、
   前記押付工程の後、前記第１部材上の前記組成物と前記第２部材とが接触している状態で前記組成物を硬化する硬化工程と、
   前記硬化工程の後、前記第２部材と前記組成物とが貼り付いている状態で前記第１部材から前記第２部材を分離させることにより、前記第１部材の前記目標範囲から前記組成物を分離する分離工程と、を含み、
   前記目標範囲は、前記第１部材のベベル部の少なくとも一部を含み、
   前記供給工程において、液状の前記組成物は、前記第１部材のうち前記ベベル部以外の部分に供給される、ことを特徴とする異物除去方法。
2. 前記押付工程において、前記供給工程で前記第１部材上に供給された前記組成物が前記目標範囲にわたって拡がるように、前記第１部材と前記第２部材との平行度を制御する、ことを特徴とする請求項１に記載の異物除去方法。
3. 前記押付工程において、前記供給工程で前記第１部材上に供給された前記組成物が前記目標範囲にわたって拡がるように、前記第１部材上の前記組成物に対する前記第２部材の押付力を制御する、ことを特徴とする請求項１に記載の異物除去方法。
4. 前記押付工程において、前記供給工程で前記第１部材上に供給された前記組成物が前記目標範囲にわたって拡がるように、前記第１部材上での前記組成物の拡がりを観察しながら、前記第１部材上の組成物に対する前記第２部材の押し付けを制御する、ことを特徴とする請求項１に記載の異物除去方法。
5. 前記供給工程の前に、液状の前記組成物に対して前記第１部材の表面を親液化させる処理を前記第１部材に行う工程を更に含む、ことを特徴とする請求項１に記載の異物除去方法。
6. 前記押付工程の前に、前記組成物と前記第２部材との密着性を向上させる処理を前記第２部材に行う工程を更に含む、ことを特徴とする請求項１に記載の異物除去方法。
7. 前記第２部材は、前記組成物に押し付けられる押付面を有するとともに、前記押付工程での前記組成物の拡がりをガイドするように放射状に延伸した複数の溝部を前記押付面に有する、ことを特徴とする請求項１に記載の異物除去方法。
8. 前記第２部材は、前記押付工程での前記組成物の拡がりを停止させる枠状の第２溝部を前記押付面に更に有する、ことを特徴とする請求項７に記載の異物除去方法。
9. 前記第１部材は、パターンが形成される基板である、ことを特徴とする請求項１に記載の異物除去方法。
10. 前記第１部材は、基板上にパターンを形成するために用いられる原版である、ことを特徴とする請求項１に記載の異物除去方法。
11. 基板上にパターンを形成する形成方法であって、
    請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の異物除去方法を用いて、第１部材上の異物を除去する異物除去工程と、
    基板上にパターンを形成する形成工程と、
    を含み、
    前記異物除去工程が行われる前記第１部材は、前記形成工程でパターンが形成される前記基板、および／または、前記基板上に転写されるパターンを有する原版である、ことを特徴とする形成方法。
12. 請求項１１に記載の形成方法を用いて基板上にパターンを形成する工程と、
    パターンが形成された前記基板を加工する工程と、
    加工された前記基板から物品を製造する工程と、
    を含むことを特徴とする物品の製造方法。
13. 第１部材上の異物を除去する異物除去装置であって、
    前記第１部材上に液状の組成物を供給する供給部と、
    前記第１部材と第２部材とを相対的に駆動する駆動部と、
    前記組成物を硬化する硬化部と、
    前記第１部材上の異物を除去する異物除去処理を制御する制御部と、
    を備え、
    前記制御部は、前記異物除去処理として、
    前記供給部により前記第１部材上に液状の組成物を供給する供給工程と、
    前記供給工程で前記第１部材上に供給された前記組成物が前記第１部材の目標範囲にわたって拡がり、前記目標範囲内の異物が前記組成物に取り込まれるように、前記駆動部により前記第１部材上の前記組成物に前記第２部材を押し付ける押付工程と、
    前記押付工程の後、前記第１部材上の前記組成物と前記第２部材とが接触している状態で、前記硬化部により前記組成物を硬化する硬化工程と、
    前記硬化工程の後、前記第２部材と前記組成物とが貼り付いている状態で前記駆動部により前記第１部材から前記第２部材を分離させることにより、前記第１部材の前記目標範囲から前記組成物を分離する分離工程と、を実行し、
    前記目標範囲は、前記第１部材のベベル部の少なくとも一部を含み、
    前記供給工程において、液状の前記組成物は、前記第１部材のうち前記ベベル部以外の部分に供給される、ことを特徴とする異物除去装置。
14. 第１部材上の異物を除去する請求項１３に記載の異物除去装置と、
    基板上にパターンを形成する形成装置と、
    を備え、
    前記異物除去装置により異物が除去される前記第１部材は、前記形成装置によりパターンが形成される前記基板、および／または、前記基板上に転写されるパターンを有する原版である、ことを特徴とするシステム。
15. 部材上に供給された組成物を前記部材上で押し拡げるためのテンプレートであって、
    前記部材上の前記組成物に押し付けられる押付面を有するとともに、前記部材上での前記組成物の拡がりをガイドするように放射状に延伸した複数の第１溝部と、前記押付面の外周縁近傍に枠状に設けられた第２溝部とを前記押付面に有し、
    前記第２溝部は、前記部材の外周に対応する位置に設けられ、前記組成物が前記第２溝部の外側に拡がることを抑制する、ことを特徴とするテンプレート。