JP7843626B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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Description
(4)支持体は、直線状に延びるように形成され、一端部および他端部を有し、複数のノズル固定部は、一端部から他端部に向かって間隔をおいて並び、第1の配管固定部は、支持体のうち、一端部よりも他端部に近くかつ複数のノズル固定部よりも他端部に近い部分に位置し、ノズル駆動部は、上下方向に延びるとともに、上端部が支持体の他端部に取り付けられ、支持体を回転させる回転軸を含んでもよい。
図1は、本発明の一実施の形態に係る現像装置の概略構成を説明するための模式的斜視図である。図1に示すように、現像装置1は、基本的に筐体CA内に2つの液処理ユニットLPA,LPBが収容された構成を有する。図1では、2つの液処理ユニットLPA,LPBの概略形状が点線で示される。液処理ユニットLPA,LPBの構成の詳細については後述する。
(1)液処理ユニットLPA,LPBの構成の概略
図1の2つの液処理ユニットLPA,LPBは、一部の構成要素が第1の方向D1に直交する面(鉛直面)を基準として互いに対称となるように設けられる点を除いて、基本的に同じ構成を有する。以下、2つの液処理ユニットLPA,LPBを代表して液処理ユニットLPAの構成を説明する。図2は図1の液処理ユニットLPAの構成を説明するための一部分解斜視図であり、図3は図2の液処理ユニットLPAの一部の構成を説明するための模式的平面図であり、図4は図2の液処理ユニットLPAの一部の構成を説明するための模式的縦断面図である。図2~図4では、処理対象の基板Wが点線で示される。
図1の筐体CA内では、収容器50が床板5w(図1)上に固定される。図2に示すように、収容器50は、側壁部51および底部52を含む。側壁部51は、円環形状の水平断面を有し、一定の内径および一定の外径で上下方向に延びるように形成されている。底部52は、側壁部51の下端を閉塞するように形成されている。
図1の筐体CA内では、ノズル駆動部400が第1の方向D1において収容器50に隣り合うように設けられている。ノズル駆動部400は、回転軸401を有するモータとアクチュエータとを含む。アクチュエータは、エアシリンダ、液圧シリンダまたはモータ等を含み、回転軸401を有するモータが上下方向に移動可能となるように、当該モータを床板5w(図1)上に支持する。回転軸401は、ノズル駆動部400の上端部に位置する。
回転軸401の上端部に、ノズルアームユニット300が取り付けられている。ノズルアームユニット300は、回転軸401の上端部に取り付けられた状態で、回転軸401とは異なる方向に直線状に延びる長手形状を有する。ノズルアームユニット300は、主として、複数(本例では6個)のノズル310、支持体320およびカバー部材330から構成される。
図7は図2の区画板100および筒部材200の外観斜視図であり、図8は図2の区画板100および筒部材200の平面図である。図7および図8に示すように、筒部材200は、円筒形状を有し、図示しないブラケットを介して筐体CA(図1)の一部に固定されている。筒部材200の内径は、カップ40の筒状壁部41(図3)の外径よりも大きい。また、筒部材200は、平面視で筒部材200の中心軸がカップ40の中心軸に一致するかまたはほぼ一致するように位置決めされている。それにより、例えばカップ40が上昇する場合には、カップ40と筒部材200との接触を防止しつつカップ40の上端部を筒部材200内に挿入することができる。
上記のように、ノズルアームユニット300は、ノズル駆動部400の回転軸401に取り付けられている。したがって、ノズル駆動部400のモータが上下方向に移動すると、ノズルアームユニット300は上下方向に移動する。また、ノズル駆動部400のモータが動作すると、ノズルアームユニット300は回転軸401を中心として水平面内で回転する。これにより、ノズルアームユニット300の複数のノズル310は、基板Wに対する現像処理が行われない間、基板保持装置70により保持される基板Wの側方の待機位置P1で保持される。また、複数のノズル310は、基板Wに対する現像処理が行われる間、基板保持装置70により保持される基板Wの上方の処理位置P2で保持される。図2に、待機位置P1および処理位置P2がそれぞれ白抜きの矢印で示される。
現像装置1においては、液処理ユニットLPA,LPBに対する基板Wの搬入搬出時に、カップ40が第1の状態で維持される。一方、基板保持装置70により保持される基板Wの現像処理時に、カップ40が第2の状態で維持される。カップ40の第1の状態および第2の状態について説明する。
基板Wの現像処理時には、カップ40が第2の状態に保持されるとともに、ノズルアームユニット300の複数のノズル310が処理位置P2に配置される。図15は、基板Wの現像処理時における現像装置1の模式的縦断面図である。図15に示すように、基板Wの現像処理時には、液処理ユニットLPA,LPBの各々において、複数のノズル310が処理位置P2(図12)に配置され、カバー部材330が区画板100のノズル開口110を覆う。それにより、筐体CAの内部空間SPが、液処理ユニットLPA,LPBの区画板100、筒部材200、カバー部材330、カップ40および収容器50により、処理空間SPaと非処理空間SPbとに区画される。処理空間SPaは基板保持装置70により保持される基板Wを含む空間であり、非処理空間SPbは処理空間SPaを取り囲む空間である。
図18は、図1の現像装置1の制御部90の構成を示すブロック図である。図18に示すように、制御部90は、第1の昇降制御部91、流体制御部92、第1の回転制御部93、吸引制御部94、第2の昇降制御部95および第2の回転制御部96を含む。図18の制御部90の各部の機能は、例えばCPUがメモリに記憶された所定のプログラムを実行することにより実現される。
現像装置1の基本動作について説明する。図19は、現像装置1による基板Wの現像処理時の基本動作を示すフローチャートである。初期状態においては、気体供給部10から現像装置1に温度および湿度等が調整された空気が供給されている。また、筐体CA内の雰囲気は、液処理ユニットLPA,LPBの排気管61から図示しない排気装置に導かれている。筐体CA内には清浄な下降気流が形成されている。さらに、初期状態においては、カップ40は、第1の状態で保持されているものとする。また、複数のノズル310は、待機位置P1に保持されているものとする。
(1)上記の現像装置1においては、複数のノズル310および複数の配管311,312の一部分が支持体320に支持された状態でカバー部材330に収容されている。それにより、複数のノズル310および複数の配管311,312の一部分をカバー部材330とともに一体的に取り扱うことができる。したがって、現像装置1における複数のノズル310および複数の配管311,312の取り扱い性が向上する。
(1)上記実施の形態に係る現像装置1においては、床板5wに非処理空間SPb内の雰囲気を筐体CAの外部に排出する排気部が設けられてもよい。この場合、基板Wの現像処理時には、処理空間SPa内の圧力が非処理空間SPb内の圧力よりも低い状態が維持されるように、処理空間SPaから排出される気体の排気量と、非処理空間SPbから排出される気体の排気量とを制御することが望ましい。
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明する。上記実施の形態では、基板保持装置70が基板保持部の例であり、複数のノズル310が複数のノズルの例であり、複数の配管311が複数の液配管の例であり、ノズルアームユニット300内に位置する複数の配管311の部分が複数の液配管の第1の部分の例であり、支持体320が支持体の例であり、カバー部材330が収容部材の例であり、処理位置P2が処理位置の例であり、待機位置P1が待機位置の例であり、ノズル駆動部400がノズル駆動部の例であり、現像装置1が基板処理装置の例である。
<8>参考形態
(1)参考形態に従う基板処理装置は、基板を保持する基板保持部と、基板保持部により保持された基板にそれぞれ処理液を供給する複数のノズルと、柔軟性を有するとともに複数のノズルにそれぞれ接続される第1の部分を有しかつ複数のノズルに処理液を供給する複数の液配管と、複数のノズルを支持するとともに複数の液配管の第1の部分を支持する支持体と、支持体に取り付けられ、複数のノズルから基板への処理液の供給を許容しつつ複数のノズルおよび複数の液配管の第1の部分を収容する収容部材と、支持体を移動または回転させることにより、基板保持部により保持された基板の上方の処理位置と基板保持部により保持された基板の外方の待機位置との間で複数のノズルを移動させるノズル駆動部とを備える。
その基板処理装置においては、複数のノズルおよび複数の液配管の第1の部分が収容部材に収容されるので、複数のノズルおよび複数の液配管の第1の部分を収容部材と一体的に取り扱うことができる。したがって、基板処理装置における複数のノズルおよび複数の液配管の取り扱い性が向上する。
また、処理位置と待機位置との間で複数のノズルが移動する場合に、支持体が移動または回転する。このとき、複数のノズルとともにそれらのノズルに接続された複数の液配管の第1の部分は、収容部材に収容されている。それにより、複数の液配管の第1の部分の変形可能な範囲は収容部材内に制限されるので、複数のノズルの移動時に、複数の液配管の第1の部分がそれぞれ大きく変形することが抑制される。したがって、複数の液配管がそれぞれ高い自由度で動くことに起因するパーティクルの発生および複数の液配管の短寿命化が低減される。
(2)支持体は、直線状に延びるように形成され、複数のノズルは、支持体が延びる方向に並ぶように支持体に取り付けられ、収容部材は、支持体に沿って延びるように形成されてもよい。
この場合、複数の液配管の第1の部分が支持体と平行に延びるように、複数の液配管の第1の部分を収容部材に収容することができる。これにより、収容部材の内部で複数の液配管に大きなあそびができることが抑制される。また、収容部材をコンパクト化することができる。
(3)支持体は、複数のノズルがそれぞれ固定される複数のノズル固定部と、複数の液配管の第1の部分が束ねられた状態で固定される第1の配管固定部とを含んでもよい。
この場合、複数の液配管の第1の部分は、複数のノズル固定部により固定された複数のノズルと支持体の第1の配管固定部とにより支持体に固定される。したがって、支持体が移動または回転する際に、複数の液配管の第1の部分がそれぞれ大きく変形することが抑制される。
(4)複数の液配管は、第1の部分から延びる第2の部分をさらに有し、基板処理装置は、複数の液配管の第2の部分を束ねるとともに束ねられた複数の液配管の第2の部分を覆うように形成された柔軟性を有する筒状結束部材と、筒状結束部材により束ねられた複数の液配管の第2の部分が固定される第2の配管固定部とをさらに備えてもよい。
この場合、支持体に固定されていない複数の液配管の第2の部分の取り扱い性が向上する。また、筒状結束部材が柔軟性を有するので、支持体の移動または回転の自由度が制限されない。
(5)基板処理装置は、内部空間を有し、内部空間に基板保持部、複数のノズル、複数の液配管、支持体、収容部材およびノズル駆動部を収容するチャンバと、基板保持部により基板が保持された状態で、チャンバの内部空間を基板保持部により保持された基板を含む処理空間と処理空間の少なくとも一部を取り囲む非処理空間とに区画する区画機構とをさらに備え、区画機構は、平面視で基板保持部により保持された基板を取り囲みかつ側面視で基板保持部により保持された基板に重なるように設けられ、処理空間を形成する処理カップと、処理カップの上方の位置に設けられ、平面視で処理位置に重なるように形成されたノズル開口を有する区画板とを含み、収容部材は、基板保持部により基板が保持されかつ複数のノズルが処理位置にある状態で、ノズルから基板への処理液の供給を許容しつつノズル開口を覆うように構成されてもよい。
この場合、複数のノズルが処理位置にありかつ基板に処理液が供給される際に、区画板のノズル開口が収容部材により覆われる。したがって、処理空間内の雰囲気が区画板のノズル開口から非処理空間に漏れ出ることが低減される。
(6)複数のノズルは、基板保持部により保持された基板に気体と処理液の液滴とを含む混合流体を噴射する1または複数の二流体ノズルを含んでもよい。この場合、気体と液体とを含む混合流体を用いた基板の処理が可能となる。
(7)基板処理装置は、1または複数の二流体ノズルに気体を供給する1または複数の気体配管をさらに備え、1または複数の気体配管は、1または複数の二流体ノズルに接続される第3の部分を有し、1または複数の気体配管の第3の部分は、支持体により支持されるとともに収容部材に収容されてもよい。この場合、二流体ノズルに気体が供給される。
(8)複数のノズルのうち少なくとも一部から基板に供給される処理液は、有機溶剤を含んでもよい。この場合、有機溶剤を含む処理液を用いた基板の処理が可能となる。
Claims (9)
- 基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部により保持された基板にそれぞれ処理液を供給する複数のノズルと、
柔軟性を有するとともに前記複数のノズルにそれぞれ接続される第1の部分を有しかつ前記複数のノズルに処理液を供給する複数の液配管と、
前記複数のノズルを支持するとともに前記複数の液配管の前記第1の部分を支持する支持体と、
前記支持体に取り付けられ、前記複数のノズルから基板への処理液の供給を許容しつつ前記複数のノズルおよび前記複数の液配管の前記第1の部分を収容する収容部材と、
前記支持体を移動または回転させることにより、前記基板保持部により保持された基板の上方の処理位置と前記基板保持部により保持された基板の外方の待機位置との間で前記複数のノズルを移動させるノズル駆動部とを備え、
前記支持体と前記収容部材とは、前記収容部材を前記支持体に対して取り付け可能かつ取り外し可能に構成された、基板処理装置。 - 前記支持体は、直線状に延びるように形成され、
前記複数のノズルは、前記支持体が延びる方向に並ぶように前記支持体に取り付けられ、
前記収容部材は、前記支持体に沿って延びるように形成された、請求項1記載の基板処理装置。 - 基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部により保持された基板にそれぞれ処理液を供給する複数のノズルと、
柔軟性を有するとともに前記複数のノズルにそれぞれ接続される第1の部分を有しかつ前記複数のノズルに処理液を供給する複数の液配管と、
前記複数のノズルを支持するとともに前記複数の液配管の前記第1の部分を支持する支持体と、
前記支持体に取り付けられ、前記複数のノズルから基板への処理液の供給を許容しつつ前記複数のノズルおよび前記複数の液配管の前記第1の部分を収容する収容部材と、
前記支持体を移動または回転させることにより、前記基板保持部により保持された基板の上方の処理位置と前記基板保持部により保持された基板の外方の待機位置との間で前記複数のノズルを移動させるノズル駆動部とを備え、
前記支持体は、
前記複数のノズルがそれぞれ固定される複数のノズル固定部と、
前記複数の液配管の前記第1の部分が束ねられた状態で固定される第1の配管固定部とを含む、基板処理装置。 - 前記支持体は、直線状に延びるように形成され、一端部および他端部を有し、
前記複数のノズル固定部は、前記一端部から前記他端部に向かって間隔をおいて並び、
前記第1の配管固定部は、前記支持体のうち、前記一端部よりも前記他端部に近くかつ前記複数のノズル固定部よりも前記他端部に近い部分に位置し、
前記ノズル駆動部は、上下方向に延びるとともに、上端部が前記支持体の前記他端部に取り付けられ、前記支持体を回転させる回転軸を含む、請求項3記載の基板処理装置。 - 前記複数の液配管は、前記第1の部分から延びる第2の部分をさらに有し、
前記基板処理装置は、
前記複数の液配管の前記第2の部分を束ねるとともに束ねられた前記複数の液配管の前記第2の部分を覆うように形成された柔軟性を有する筒状結束部材と、
前記筒状結束部材により束ねられた前記複数の液配管の前記第2の部分が固定される第2の配管固定部とをさらに備える、請求項3または4記載の基板処理装置。 - 内部空間を有し、前記内部空間に前記基板保持部、前記複数のノズル、前記複数の液配管、前記支持体、前記収容部材および前記ノズル駆動部を収容するチャンバと、
前記基板保持部により基板が保持された状態で、前記チャンバの内部空間を前記基板保持部により保持された基板を含む処理空間と前記処理空間の少なくとも一部を取り囲む非処理空間とに区画する区画機構とをさらに備え、
前記区画機構は、
平面視で前記基板保持部により保持された基板を取り囲みかつ側面視で前記基板保持部により保持された基板に重なるように設けられ、前記処理空間を形成する処理カップと、
前記処理カップの上方の位置に設けられ、平面視で前記処理位置に重なるように形成されたノズル開口を有する区画板とを含み、
前記収容部材は、前記基板保持部により基板が保持されかつ前記複数のノズルが前記処理位置にある状態で、前記ノズルから基板への処理液の供給を許容しつつ前記ノズル開口を覆うように構成された、請求項1~5のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記複数のノズルは、前記基板保持部により保持された基板に気体と前記処理液の液滴とを含む混合流体を噴射する1または複数の二流体ノズルを含む、請求項1~6のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記1または複数の二流体ノズルに気体を供給する1または複数の気体配管をさらに備え、
前記1または複数の気体配管は、前記1または複数の二流体ノズルに接続される第3の部分を有し、
前記1または複数の気体配管の前記第3の部分は、前記支持体により支持されるとともに前記収容部材に収容される、請求項7記載の基板処理装置。 - 前記複数のノズルのうち少なくとも一部から基板に供給される処理液は、有機溶剤を含む、請求項1~8のいずれか一項に記載の基板処理装置。
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Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000012458A (ja) | 1998-06-11 | 2000-01-14 | Samsung Electron Co Ltd | ノズル及びスピンチャックを備える半導体素子製造装置 |
| JP2002246292A (ja) | 2001-02-19 | 2002-08-30 | Tokyo Electron Ltd | 液処理方法及び液処理装置 |
| JP2002263554A (ja) | 2001-03-05 | 2002-09-17 | Tokyo Electron Ltd | 液供給装置 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4564280A (en) | 1982-10-28 | 1986-01-14 | Fujitsu Limited | Method and apparatus for developing resist film including a movable nozzle arm |
| JP3452795B2 (ja) * | 1997-05-07 | 2003-09-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布膜形成方法および塗布装置 |
| US6770151B1 (en) | 2001-07-13 | 2004-08-03 | Lam Research Corporation | Drying a substrate using a combination of substrate processing technologies |
| US6858091B2 (en) | 2001-07-13 | 2005-02-22 | Lam Research Corporation | Method for controlling galvanic corrosion effects on a single-wafer cleaning system |
| JP2007311446A (ja) | 2006-05-17 | 2007-11-29 | Realize Advanced Technology Ltd | 洗浄装置 |
| JP4845668B2 (ja) | 2006-10-17 | 2011-12-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 複合配管及び複合配管を備える塗布・現像処理装置 |
| KR20100041497A (ko) * | 2008-10-14 | 2010-04-22 | 세메스 주식회사 | 기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법 |
| JP5523062B2 (ja) * | 2008-11-20 | 2014-06-18 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP2011035133A (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-17 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置および液処理方法 |
| US8950414B2 (en) | 2009-07-31 | 2015-02-10 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage medium |
| KR20140071651A (ko) | 2012-12-04 | 2014-06-12 | 주식회사 디에이피 | 세정 장치 |
| US11056358B2 (en) * | 2017-11-14 | 2021-07-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Wafer cleaning apparatus and method |
| JP7179568B2 (ja) * | 2018-10-05 | 2022-11-29 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
| JP7335797B2 (ja) * | 2019-11-29 | 2023-08-30 | 株式会社Screenホールディングス | 現像装置 |
| KR102862397B1 (ko) * | 2020-09-18 | 2025-09-22 | 삼성전자주식회사 | 기판 세정 방법 및 그를 포함하는 기판 제조 방법 |
-
2022
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-
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000012458A (ja) | 1998-06-11 | 2000-01-14 | Samsung Electron Co Ltd | ノズル及びスピンチャックを備える半導体素子製造装置 |
| JP2002246292A (ja) | 2001-02-19 | 2002-08-30 | Tokyo Electron Ltd | 液処理方法及び液処理装置 |
| JP2002263554A (ja) | 2001-03-05 | 2002-09-17 | Tokyo Electron Ltd | 液供給装置 |
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