JP2000012458A - ノズル及びスピンチャックを備える半導体素子製造装置 - Google Patents
ノズル及びスピンチャックを備える半導体素子製造装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 薬品液がウェーハにリバウンドすることを保
護するノズル及びスピンチャックを備える半導体素子製
造装置を提供する。 【解決手段】 チャンバー４６内にローディングされる
ウェーハＷを装着して回転するスピンチャック４２を設
け、このウェーハＷ上に半導体素子製造用の薬品液４３
を噴射する複数のノズル４４を有し、ウェーハＷ上に噴
射させた薬品液４３が遠心力によってチャンバー４６の
内壁に放出することを遮断できるようにウェーハＷの外
枠を囲みチャンバー４６の内側に設置されるボール４８
を備え、スピンチャック４２に装着するウェーハＷの上
面に所定の間隔を維持して離隔設置されるとともにノズ
ル４４の設置位置に配置されてノズル４４が貫通するホ
ールを複数形成したカバー５０を備える。また、カバー
５０は、上下移動が可能にチャンバー４６やボール４８
の上端部に付着する。
護するノズル及びスピンチャックを備える半導体素子製
造装置を提供する。 【解決手段】 チャンバー４６内にローディングされる
ウェーハＷを装着して回転するスピンチャック４２を設
け、このウェーハＷ上に半導体素子製造用の薬品液４３
を噴射する複数のノズル４４を有し、ウェーハＷ上に噴
射させた薬品液４３が遠心力によってチャンバー４６の
内壁に放出することを遮断できるようにウェーハＷの外
枠を囲みチャンバー４６の内側に設置されるボール４８
を備え、スピンチャック４２に装着するウェーハＷの上
面に所定の間隔を維持して離隔設置されるとともにノズ
ル４４の設置位置に配置されてノズル４４が貫通するホ
ールを複数形成したカバー５０を備える。また、カバー
５０は、上下移動が可能にチャンバー４６やボール４８
の上端部に付着する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はノズル及びスピンチ
ャックを備える半導体素子製造装置に係り、より詳しく
は、半導体素子の製造工程において薬品液を回転するウ
ェーハ上に噴射するノズル及びスピンチャックを備える
半導体素子製造装置に関する。
ャックを備える半導体素子製造装置に係り、より詳しく
は、半導体素子の製造工程において薬品液を回転するウ
ェーハ上に噴射するノズル及びスピンチャックを備える
半導体素子製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体素子は、ウェーハ上に絶縁
膜または金属膜等を多層に形成させながら、この多層に
形成される膜を半導体素子の特性に合った回路パターン
に形成することで製造されている。
膜または金属膜等を多層に形成させながら、この多層に
形成される膜を半導体素子の特性に合った回路パターン
に形成することで製造されている。
【０００３】ここで、これらの回路パターンは、主にフ
ォトリソグラフィー（Ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈ
ｙ）工程を実行して形成されている。このフォトリソグ
ラフィー工程は、まず、ウェーハ上にフォトレジスト
（Ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ）をコーティング（Ｃｏａｔ
ｉｎｇ）した後、回路パターンを予め設計して形成され
たフォトマスク（Ｐｈｏｔｏｍａｓｋ）をウェーハ上に
整列させ、その後、露光工程を実行してフォトレジスト
を選択的に露光させる。
ォトリソグラフィー（Ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈ
ｙ）工程を実行して形成されている。このフォトリソグ
ラフィー工程は、まず、ウェーハ上にフォトレジスト
（Ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ）をコーティング（Ｃｏａｔ
ｉｎｇ）した後、回路パターンを予め設計して形成され
たフォトマスク（Ｐｈｏｔｏｍａｓｋ）をウェーハ上に
整列させ、その後、露光工程を実行してフォトレジスト
を選択的に露光させる。
【０００４】続いて、露光が行われたフォトレジストの
部分を現像液（Ｄｅｖｅｌｏｐｅｒ）を使用して除去す
ることでフォトレジストパターンを形成し、このフォト
レジストパターンをエッチングマスクを使用して後続す
るエッチング工程（ＥｔｃｈｉｎｇＰｒｏｃｅｓｓ）を
実行することによりウェーハ上に回路パターンを形成す
る。
部分を現像液（Ｄｅｖｅｌｏｐｅｒ）を使用して除去す
ることでフォトレジストパターンを形成し、このフォト
レジストパターンをエッチングマスクを使用して後続す
るエッチング工程（ＥｔｃｈｉｎｇＰｒｏｃｅｓｓ）を
実行することによりウェーハ上に回路パターンを形成す
る。
【０００５】このようなフォトリソグラフィ工程におい
て、フォトレジストまたは現像液等のような半導体素子
製造工程を実行するための特定薬品液の噴射は、従来、
ノズル及びスピンチャックを備える半導体素子製造装置
を使用して実行することが一般的であった。図１は、こ
のような従来のノズル及びスピンチャックを備える半導
体素子製造装置を示す構成図である。
て、フォトレジストまたは現像液等のような半導体素子
製造工程を実行するための特定薬品液の噴射は、従来、
ノズル及びスピンチャックを備える半導体素子製造装置
を使用して実行することが一般的であった。図１は、こ
のような従来のノズル及びスピンチャックを備える半導
体素子製造装置を示す構成図である。
【０００６】図１に示したように、従来のノズル及びス
ピンチャックを備える半導体素子製造装置は、ウェーハ
Ｗを装着して所定の速度に回転させることができるスピ
ンチャック（ＳｐｉｎＣｈｕｃｋ）１２及びウェーハＷ
上に特定の薬品液１３を噴射させることができるノズル
（Ｎｏｚｚｌｅ）１４を備えている。
ピンチャックを備える半導体素子製造装置は、ウェーハ
Ｗを装着して所定の速度に回転させることができるスピ
ンチャック（ＳｐｉｎＣｈｕｃｋ）１２及びウェーハＷ
上に特定の薬品液１３を噴射させることができるノズル
（Ｎｏｚｚｌｅ）１４を備えている。
【０００７】ここで、ノズル１４は、工程ステップによ
ってその個数及び位置を変えて配置できるように形成し
ている。また、スピンチャック１２及びノズル１４を配
置したチャンバー（Ｃｈａｍｂｅｒ）１６の内壁には、
薬品液１３の放出を遮断するボール（Ｂｏｗｌ）１８が
設けてあり、スピンチャック１２に装着されるウェーハ
Ｗの外枠を囲むように形成されている。
ってその個数及び位置を変えて配置できるように形成し
ている。また、スピンチャック１２及びノズル１４を配
置したチャンバー（Ｃｈａｍｂｅｒ）１６の内壁には、
薬品液１３の放出を遮断するボール（Ｂｏｗｌ）１８が
設けてあり、スピンチャック１２に装着されるウェーハ
Ｗの外枠を囲むように形成されている。
【０００８】このような従来のノズル及びスピンチャッ
クを備える半導体素子製造装置を使用する場合、ウェー
ハＷ上に薬品液１３を噴射させた後にスピンチャック１
２を使用してウェーハＷを回転させるか、またはスピン
チャック１２を使用してウェーハＷを回転させながらウ
ェーハＷ上に薬品液１３を噴射するいずれかの方法によ
り薬品液１３を塗布する。
クを備える半導体素子製造装置を使用する場合、ウェー
ハＷ上に薬品液１３を噴射させた後にスピンチャック１
２を使用してウェーハＷを回転させるか、またはスピン
チャック１２を使用してウェーハＷを回転させながらウ
ェーハＷ上に薬品液１３を噴射するいずれかの方法によ
り薬品液１３を塗布する。
【０００９】ここで、ウェーハＷの回転は、薬品液１３
がウェーハＷの全面に均一に塗布されるようにするため
のものであり、同時に、ウェーハＷの周縁部に流れた薬
品液１３をウェーハＷの回転による遠心力によってボー
ル１８に放出するためのものである。従って、チャンバ
ー１６の内壁には、薬品液１３がチャンバー１６の内壁
に放出することを防止するためのボール１８が備えられ
ている。
がウェーハＷの全面に均一に塗布されるようにするため
のものであり、同時に、ウェーハＷの周縁部に流れた薬
品液１３をウェーハＷの回転による遠心力によってボー
ル１８に放出するためのものである。従って、チャンバ
ー１６の内壁には、薬品液１３がチャンバー１６の内壁
に放出することを防止するためのボール１８が備えられ
ている。
【００１０】このように従来のノズル及びスピンチャッ
クを備える半導体素子製造装置は、スピンチャック１２
に設置して回転させたウェーハＷ上に薬品液１３を噴射
して遠心力によって均一に塗布するとともに、余分な薬
品液１３をウェーハＷの外周から遠心力によりボール１
８に放射させてフォトレジストまたは現像液等の薬品液
を噴出することで効果的にフォトリソグラフィ工程を実
行していた。
クを備える半導体素子製造装置は、スピンチャック１２
に設置して回転させたウェーハＷ上に薬品液１３を噴射
して遠心力によって均一に塗布するとともに、余分な薬
品液１３をウェーハＷの外周から遠心力によりボール１
８に放射させてフォトレジストまたは現像液等の薬品液
を噴出することで効果的にフォトリソグラフィ工程を実
行していた。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ノズル及びスピンチャックを備える半導体素子製造装置
では、図１に示したように、回転するウェーハＷからボ
ール１８に放出される薬品液１３がボール１８で反射し
て散漫することにより、ウェーハＷ上に再び放射してし
まうリバウンド（Ｒｅｂｏｕｎｄ）が頻繁に発生してし
まう。このように、ウェーハＷ上にリバウンドする薬品
液１３は、主にパーティクル（Ｐａｒｔｉｃｌｅ）のソ
ース（Ｓｏｕｒｃｅ）として作用し、これらのパーティ
クルはパターンの形成時、パターンブリッジ及びプロフ
ァイル不良等の問題を誘発させてしまうという不具合が
あった。また、このような不良が発生したウェーハＷ
は、リジェクト（Ｒｅｊｅｃｔ）またはリワーク（Ｒｅ
ｗｏｒｋ）などを実行し、再び最初から薬品液を塗布す
る工程を実行しなければならないため、半導体素子の製
造による生産性が低下するという不具合があった。さら
に、前述したように、薬品液１３がリバウンディングす
ることで発生する不良を最小化するために、工程要素の
徹底的な管理、即ち、薬品液１３の粘度またはスピンチ
ャック１２の回転速度等の工程の制御変数を徹底的に管
理することが必要であり、このような工程の制御変数の
管理は半導体素子の製造工程に全般的に関連して行うた
め、これらの制御変数の制御範囲に一定な限界があると
いう不具合があった。
ノズル及びスピンチャックを備える半導体素子製造装置
では、図１に示したように、回転するウェーハＷからボ
ール１８に放出される薬品液１３がボール１８で反射し
て散漫することにより、ウェーハＷ上に再び放射してし
まうリバウンド（Ｒｅｂｏｕｎｄ）が頻繁に発生してし
まう。このように、ウェーハＷ上にリバウンドする薬品
液１３は、主にパーティクル（Ｐａｒｔｉｃｌｅ）のソ
ース（Ｓｏｕｒｃｅ）として作用し、これらのパーティ
クルはパターンの形成時、パターンブリッジ及びプロフ
ァイル不良等の問題を誘発させてしまうという不具合が
あった。また、このような不良が発生したウェーハＷ
は、リジェクト（Ｒｅｊｅｃｔ）またはリワーク（Ｒｅ
ｗｏｒｋ）などを実行し、再び最初から薬品液を塗布す
る工程を実行しなければならないため、半導体素子の製
造による生産性が低下するという不具合があった。さら
に、前述したように、薬品液１３がリバウンディングす
ることで発生する不良を最小化するために、工程要素の
徹底的な管理、即ち、薬品液１３の粘度またはスピンチ
ャック１２の回転速度等の工程の制御変数を徹底的に管
理することが必要であり、このような工程の制御変数の
管理は半導体素子の製造工程に全般的に関連して行うた
め、これらの制御変数の制御範囲に一定な限界があると
いう不具合があった。
【００１２】本発明はこのような課題を解決し、薬品液
を噴射するノズル及びスピンチャックを備えて半導体素
子を製造する工程で発生するパターン不良を最小化させ
ることができるノズル及びスピンチャックを備える半導
体素子製造装置を提供することを目的とする。
を噴射するノズル及びスピンチャックを備えて半導体素
子を製造する工程で発生するパターン不良を最小化させ
ることができるノズル及びスピンチャックを備える半導
体素子製造装置を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】前述した課題を解決する
ため、本発明によるノズル及びスピンチャックを備える
半導体素子製造装置は、チャンバー内にローディングさ
れるウェーハを装着して回転することができるスピンチ
ャックと、ウェーハ上に半導体素子の製造用薬品液を噴
射することができるノズルを含む薬品液供給手段と、ウ
ェーハ上に噴射した薬品液が遠心力によってチャンバー
の内壁に放出することを遮断できるようにウェーハの外
枠を囲みチャンバーの内側に設置されたボールと、スピ
ンチャックに装着されるウェーハの上面から所定の間隔
を維持するように離隔設置されて内部に前記ノズルを設
置する設置位置にノズルが貫通するホールが形成されて
いるカバーを備える。
ため、本発明によるノズル及びスピンチャックを備える
半導体素子製造装置は、チャンバー内にローディングさ
れるウェーハを装着して回転することができるスピンチ
ャックと、ウェーハ上に半導体素子の製造用薬品液を噴
射することができるノズルを含む薬品液供給手段と、ウ
ェーハ上に噴射した薬品液が遠心力によってチャンバー
の内壁に放出することを遮断できるようにウェーハの外
枠を囲みチャンバーの内側に設置されたボールと、スピ
ンチャックに装着されるウェーハの上面から所定の間隔
を維持するように離隔設置されて内部に前記ノズルを設
置する設置位置にノズルが貫通するホールが形成されて
いるカバーを備える。
【００１４】ここで、スピンチャックまたはカバーのい
ずれか一方には上下移動が可能に設置されることが好ま
しく、カバーはスピンチャックに装着されるウェーハの
上面と２ｍｍ〜３ｍｍの間隔を維持するように制御され
ることが好ましい。また、カバーにはノズルが貫通する
前記ホールがウェーハの半径方向に複数個形成されてい
るとともに、ノズルがウェーハの半径方向に往復移動す
るように長方形のホールを形成することが好ましい。
ずれか一方には上下移動が可能に設置されることが好ま
しく、カバーはスピンチャックに装着されるウェーハの
上面と２ｍｍ〜３ｍｍの間隔を維持するように制御され
ることが好ましい。また、カバーにはノズルが貫通する
前記ホールがウェーハの半径方向に複数個形成されてい
るとともに、ノズルがウェーハの半径方向に往復移動す
るように長方形のホールを形成することが好ましい。
【００１５】
【発明の実施の形態】次に、添付図面を参照して本発明
によるノズル及びスピンチャックを備える半導体素子製
造装置の実施の形態を詳細に説明する。図２は、本発明
によるノズル及びスピンチャックを備える半導体素子製
造装置の実施の形態を示す概略図である。また、図３
は、本発明によるノズル及びスピンチャックを備える半
導体素子製造装置の他の実施の形態を示す概略図であ
る。また、図４は、図３に示したカバーを示す斜視図で
ある。ここで、図２及び図３において、図２はカバーを
ボールの上端部に装着した場合を、図３はカバーをチャ
ンバーの上部の一側に付着した場合を各々示している。
によるノズル及びスピンチャックを備える半導体素子製
造装置の実施の形態を詳細に説明する。図２は、本発明
によるノズル及びスピンチャックを備える半導体素子製
造装置の実施の形態を示す概略図である。また、図３
は、本発明によるノズル及びスピンチャックを備える半
導体素子製造装置の他の実施の形態を示す概略図であ
る。また、図４は、図３に示したカバーを示す斜視図で
ある。ここで、図２及び図３において、図２はカバーを
ボールの上端部に装着した場合を、図３はカバーをチャ
ンバーの上部の一側に付着した場合を各々示している。
【００１６】図２に示すように、本発明によるノズル及
びスピンチャックを備える半導体素子製造装置の実施の
形態は、ウェーハＷを装着させて所定の速度に回転させ
ることができるスピンチャック４２と、このスピンチャ
ック４２に装着したウェーハＷ上にフォトレジスト、現
像液またはシンナー等のような薬品液４３を噴射させる
ノズル４４とを備えている。
びスピンチャックを備える半導体素子製造装置の実施の
形態は、ウェーハＷを装着させて所定の速度に回転させ
ることができるスピンチャック４２と、このスピンチャ
ック４２に装着したウェーハＷ上にフォトレジスト、現
像液またはシンナー等のような薬品液４３を噴射させる
ノズル４４とを備えている。
【００１７】ここで、ノズル４４は、薬品液４３が貯蔵
されている薬品液貯蔵タンク（図示しない）に接続され
ており、薬品液４３の噴射時、ウェーハＷ上の特定の位
置にノズル４４が配置され、水平及び垂直に移動して噴
射できるように形成するか、或いは、工程によって複数
個のノズルを特定の位置に垂直移動可能に形成するかの
いずれかによって配置されている。
されている薬品液貯蔵タンク（図示しない）に接続され
ており、薬品液４３の噴射時、ウェーハＷ上の特定の位
置にノズル４４が配置され、水平及び垂直に移動して噴
射できるように形成するか、或いは、工程によって複数
個のノズルを特定の位置に垂直移動可能に形成するかの
いずれかによって配置されている。
【００１８】例えば、フォトレジストを噴射するための
半導体素子製造装置には、フォトレジストを噴射する２
つのノズルを備え、フォトレジストの噴射時にウェーハ
Ｗの周縁部をリンス（Ｒｉｎｓｅ）するためにシンナー
（Ｔｈｉｎｎｅｒ）等のようなリンス液を噴射する一つ
のノズルを更に備え、全体的には３つのノズルを備えて
いる。
半導体素子製造装置には、フォトレジストを噴射する２
つのノズルを備え、フォトレジストの噴射時にウェーハ
Ｗの周縁部をリンス（Ｒｉｎｓｅ）するためにシンナー
（Ｔｈｉｎｎｅｒ）等のようなリンス液を噴射する一つ
のノズルを更に備え、全体的には３つのノズルを備えて
いる。
【００１９】そして、ウェーハＷの周囲には、薬品液４
３の噴射時、スピンチャック４２及びノズル４４等を備
えるチャンバー４６の内壁に、ウェーハＷ上に噴射した
薬品液４３が放出しないようにスピンチャック４２に装
着したウェーハＷの外枠を囲み、このウェーハＷの位置
より高い位置でフェンス（Ｆｅｎｃｅ）タイプに設置す
るボール４８が備えられている。ここで、ボール４８
は、多様な形態（形状）で配置することができるが、本
実施の形態ではその端部がウェーハＷが位置する中心部
に向けて所定の角度に傾くように形成されている。
３の噴射時、スピンチャック４２及びノズル４４等を備
えるチャンバー４６の内壁に、ウェーハＷ上に噴射した
薬品液４３が放出しないようにスピンチャック４２に装
着したウェーハＷの外枠を囲み、このウェーハＷの位置
より高い位置でフェンス（Ｆｅｎｃｅ）タイプに設置す
るボール４８が備えられている。ここで、ボール４８
は、多様な形態（形状）で配置することができるが、本
実施の形態ではその端部がウェーハＷが位置する中心部
に向けて所定の角度に傾くように形成されている。
【００２０】このように形成された本発明によるノズル
４４及びスピンチャック４２を備える半導体素子製造装
置を使用して工程を実行する場合、ウェーハＷ上に薬品
液４３を噴射させた後にスピンチャック４２を使用して
ウェーハＷを回転させるか、またはスピンチャック４２
を使用してウェーハＷを回転させながらウェーハＷ上に
薬品液４３を噴射させるいずれかの方法により薬品液４
３を塗布する。ここで、スピンチャック４２は、上下移
動が可能なように設置することが好ましい。
４４及びスピンチャック４２を備える半導体素子製造装
置を使用して工程を実行する場合、ウェーハＷ上に薬品
液４３を噴射させた後にスピンチャック４２を使用して
ウェーハＷを回転させるか、またはスピンチャック４２
を使用してウェーハＷを回転させながらウェーハＷ上に
薬品液４３を噴射させるいずれかの方法により薬品液４
３を塗布する。ここで、スピンチャック４２は、上下移
動が可能なように設置することが好ましい。
【００２１】また、本発明によるノズル４４及びスピン
チャック４２を備える半導体素子製造装置には、スピン
チャック４２上に装着されるウェーハＷと所定の間隔を
維持した位置に設置し、ボール４８の内壁からリバウン
ドする薬品液４３からウェーハＷを保護するカバー（Ｃ
ｏｖｅｒ）５０を備えている。
チャック４２を備える半導体素子製造装置には、スピン
チャック４２上に装着されるウェーハＷと所定の間隔を
維持した位置に設置し、ボール４８の内壁からリバウン
ドする薬品液４３からウェーハＷを保護するカバー（Ｃ
ｏｖｅｒ）５０を備えている。
【００２２】ここで、スピンチャック４２に装着される
ウェーハＷとカバー５０との間に維持する間隔は、ウェ
ーハＷ上に噴射する薬品液４３の最終的な厚さを考慮し
て決定し、特に、薬品液４３の中でフォトレジストをコ
ーティングするためにウェーハＷ上に噴射する厚さを基
準に約２ｍｍ以上の間隔を維持することが好ましく、本
実施の形態では３ｍｍの間隔を維持することができるよ
うにウェーハＷとカバー５０とを各々設置した。
ウェーハＷとカバー５０との間に維持する間隔は、ウェ
ーハＷ上に噴射する薬品液４３の最終的な厚さを考慮し
て決定し、特に、薬品液４３の中でフォトレジストをコ
ーティングするためにウェーハＷ上に噴射する厚さを基
準に約２ｍｍ以上の間隔を維持することが好ましく、本
実施の形態では３ｍｍの間隔を維持することができるよ
うにウェーハＷとカバー５０とを各々設置した。
【００２３】また、カバー５０は、スピンチャック４２
上にウェーハＷのローディングを効率的に行うために上
下移動ができるように設けることが好ましい。このよう
なカバー５０の上下移動は、一般的に、リフター（Ｌｉ
ｆｔｅｒ）装置のような移送装置を使用することができ
るが、ロボットアームにより上下移動及び水平移動が可
能に形成することもできる。このようなカバーを上下移
動する移送装置の設置及び移送装置は、本発明に従事す
る者であれば、チャンバー４６の内部または外部に選択
的に設置することができる。そして、本実施の形態で
は、図２にカバー５０をチャンバー４６の上側に設置す
る固定物（図示しない）の一側に付着手段５４によって
取り付けたものを示し、図３にはカバー６０をボール４
８の上側の端部に付着手段６４によって取り付けたもの
を示している。
上にウェーハＷのローディングを効率的に行うために上
下移動ができるように設けることが好ましい。このよう
なカバー５０の上下移動は、一般的に、リフター（Ｌｉ
ｆｔｅｒ）装置のような移送装置を使用することができ
るが、ロボットアームにより上下移動及び水平移動が可
能に形成することもできる。このようなカバーを上下移
動する移送装置の設置及び移送装置は、本発明に従事す
る者であれば、チャンバー４６の内部または外部に選択
的に設置することができる。そして、本実施の形態で
は、図２にカバー５０をチャンバー４６の上側に設置す
る固定物（図示しない）の一側に付着手段５４によって
取り付けたものを示し、図３にはカバー６０をボール４
８の上側の端部に付着手段６４によって取り付けたもの
を示している。
【００２４】ここで、図２及び図３に図示したカバー５
０またはカバー６０のいずれかの取り付けは、作業者が
工程実行時に任意に選択的して決定することができる。
また、カバー５０、６０は、スピンチャック４２に装着
するウェーハＷの直径を基準に多様に形成することがで
き、本実施の形態のように、ウェーハＷの直径と同一な
直径を備えるカバー５０、６０に形成することもでき
る。
０またはカバー６０のいずれかの取り付けは、作業者が
工程実行時に任意に選択的して決定することができる。
また、カバー５０、６０は、スピンチャック４２に装着
するウェーハＷの直径を基準に多様に形成することがで
き、本実施の形態のように、ウェーハＷの直径と同一な
直径を備えるカバー５０、６０に形成することもでき
る。
【００２５】また、カバー５０、６０には、薬品液４３
の噴射を考慮するため、カバー５０、６０が備えられた
状態でも薬品液４３を噴射することができるように、多
様な工程ステップに従って増加配置するノズル４４の個
数分、薬品液４３を噴射することができる位置にホール
５２を複数形成している。
の噴射を考慮するため、カバー５０、６０が備えられた
状態でも薬品液４３を噴射することができるように、多
様な工程ステップに従って増加配置するノズル４４の個
数分、薬品液４３を噴射することができる位置にホール
５２を複数形成している。
【００２６】即ち、本実施の形態は、図４に示すよう
に、薬品液４３を噴射するために配置されるノズル４４
の個数分、薬品液４３を噴射する位置にホール５２を形
成したカバー６０を備え、このカバー６０をボール４８
に装着する付着手段６４をさらに備えている。
に、薬品液４３を噴射するために配置されるノズル４４
の個数分、薬品液４３を噴射する位置にホール５２を形
成したカバー６０を備え、このカバー６０をボール４８
に装着する付着手段６４をさらに備えている。
【００２７】また、このようなカバー５０、６０は、ホ
ールの形状を多様に形成することができる。図５は、図
４に示したカバー６０の他の実施の形態を示す斜視図で
ある。図５に示すように、図４に示したカバーの他の実
施の形態は、一つのノズルがウェーハ上で水平移動しな
がら薬品液４３を噴射させることができるように、ホー
ル７２をウェーハの半径方向に略長方形に形成してい
る。ここで、図５では、カバー７０の付着手段が図示さ
れていないが、図４に示した付着手段６４などの手段を
含めて多様な形態に形成することができる。
ールの形状を多様に形成することができる。図５は、図
４に示したカバー６０の他の実施の形態を示す斜視図で
ある。図５に示すように、図４に示したカバーの他の実
施の形態は、一つのノズルがウェーハ上で水平移動しな
がら薬品液４３を噴射させることができるように、ホー
ル７２をウェーハの半径方向に略長方形に形成してい
る。ここで、図５では、カバー７０の付着手段が図示さ
れていないが、図４に示した付着手段６４などの手段を
含めて多様な形態に形成することができる。
【００２８】このようなカバー５０、６０、７０を備え
た本発明によるノズル及びスピンチャックを備える半導
体素子製造装置は、ウェーハＷ上にフォトレジストをコ
ーティングすることができる半導体素子製造装置、ウェ
ーハＷ上に現像液を噴射することができる半導体素子製
造装置、ウェーハＷ上に現像液を噴射することができる
半導体素子製造装置、またはシンナー等のようなリンシ
ング液を噴射することができる半導体素子製造装置等の
ように、薬品液の噴射装置とスピンチャックによるウェ
ーハの回転とを実行する場合には全て適用可能である。
た本発明によるノズル及びスピンチャックを備える半導
体素子製造装置は、ウェーハＷ上にフォトレジストをコ
ーティングすることができる半導体素子製造装置、ウェ
ーハＷ上に現像液を噴射することができる半導体素子製
造装置、ウェーハＷ上に現像液を噴射することができる
半導体素子製造装置、またはシンナー等のようなリンシ
ング液を噴射することができる半導体素子製造装置等の
ように、薬品液の噴射装置とスピンチャックによるウェ
ーハの回転とを実行する場合には全て適用可能である。
【００２９】そして、このカバー５０、６０、７０は、
薬品液４３のリバウンドによる洗浄の実行及びウェーハ
Ｗ上に噴射させる薬品液４３の確認等のような管理を効
率的に実行するため、透明な材質で形成することが好ま
しい。ここで、カバー５０、６０、７０に付着した薬品
液４３を除去するために使用する特定のケミカル（Ｃｈ
ｅｍｉｃａｌ）にあまり影響されないという材質を考慮
すると、透明なテフロン（ｔｅｆｌｏｎ）材質で形成す
ることが好ましい。
薬品液４３のリバウンドによる洗浄の実行及びウェーハ
Ｗ上に噴射させる薬品液４３の確認等のような管理を効
率的に実行するため、透明な材質で形成することが好ま
しい。ここで、カバー５０、６０、７０に付着した薬品
液４３を除去するために使用する特定のケミカル（Ｃｈ
ｅｍｉｃａｌ）にあまり影響されないという材質を考慮
すると、透明なテフロン（ｔｅｆｌｏｎ）材質で形成す
ることが好ましい。
【００３０】このように、本発明によるノズル及びスピ
ンチャックを備える半導体素子製造装置は、薬品液４３
がウェーハＷ上の全面に均一に噴射するようにウェーハ
Ｗを回転させる時、回転による遠心力によってボール４
８に放射されてリバウンドした薬品液４３がカバー５０
によってウェーハが汚染してしまうことを遮断すること
ができる。従って、本発明によるノズル及びスピンチャ
ックを備える半導体素子製造装置は、薬品液４３のリバ
ウンドによって発生するパーティクルにより発生するパ
ターン不良を最小化することができる。また、本発明に
よるノズル及びスピンチャックを備える半導体素子製造
装置によると、薬品液４３の粘度またはスピンチャック
４２の回転速度等のような工程実行による制御変数を調
節することなく、機械的装置の変形のみで薬品液４３の
リバウンドによる不良を効率的に防止することができ
る。
ンチャックを備える半導体素子製造装置は、薬品液４３
がウェーハＷ上の全面に均一に噴射するようにウェーハ
Ｗを回転させる時、回転による遠心力によってボール４
８に放射されてリバウンドした薬品液４３がカバー５０
によってウェーハが汚染してしまうことを遮断すること
ができる。従って、本発明によるノズル及びスピンチャ
ックを備える半導体素子製造装置は、薬品液４３のリバ
ウンドによって発生するパーティクルにより発生するパ
ターン不良を最小化することができる。また、本発明に
よるノズル及びスピンチャックを備える半導体素子製造
装置によると、薬品液４３の粘度またはスピンチャック
４２の回転速度等のような工程実行による制御変数を調
節することなく、機械的装置の変形のみで薬品液４３の
リバウンドによる不良を効率的に防止することができ
る。
【００３１】以上、本発明によるノズル及びスピンチャ
ックを備える半導体素子製造装置の実施の形態を詳細に
説明したが、本発明は前述の実施の形態に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で変更可能であ
る。例えば、ノズルを３箇所に配置した実施の形態を説
明したが、これに限定されるものではなく、ノズルを複
数設けることも可能である。
ックを備える半導体素子製造装置の実施の形態を詳細に
説明したが、本発明は前述の実施の形態に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で変更可能であ
る。例えば、ノズルを３箇所に配置した実施の形態を説
明したが、これに限定されるものではなく、ノズルを複
数設けることも可能である。
【００３２】
【発明の効果】本発明によるノズル及びスピンチャック
を備える半導体素子製造装置によると、薬品液の噴射
時、リバウンドによる不良の発生を最小化させることで
半導体素子の製造による生産性を向上する効果がある。
を備える半導体素子製造装置によると、薬品液の噴射
時、リバウンドによる不良の発生を最小化させることで
半導体素子の製造による生産性を向上する効果がある。
【図１】従来のノズル及びスピンチャックを備える半導
体素子製造装置を示す構成図。
体素子製造装置を示す構成図。
【図２】本発明によるノズル及びスピンチャックを備え
る半導体素子製造装置の実施の形態を示す概略図。
る半導体素子製造装置の実施の形態を示す概略図。
【図３】本発明によるノズル及びスピンチャックを備え
る半導体素子製造装置の他の実施の形態を示す概略図。
る半導体素子製造装置の他の実施の形態を示す概略図。
【図４】図３に示したカバーを示す斜視図。
【図５】図４に示したカバーの他の実施の形態を示す斜
視図。
視図。
Ｗ ウェーハ ４２ スピンチャック ４３ 薬品液 ４４ ノズル ４６ チャンバー ４８ ボール ５０ カバー ５２ ホール ５４ 付着手段
Claims (12)
- 【請求項１】 チャンバー内にローディングされるウェ
ーハを装着して回転することができるスピンチャック
と、 前記ウェーハ上に半導体素子の製造用薬品液を噴射する
ことができる少なくとも一つ以上のノズルを含む薬品液
供給手段と、 前記ウェーハ上に噴射した薬品液が遠心力によって前記
チャンバーの内壁に放出することを遮断できるように前
記ウェーハの外枠を囲み前記チャンバーの内側に設置さ
れたボールと、 前記スピンチャックに装着されるウェーハの上面から所
定の間隔を維持するように離隔設置され、内部に前記ノ
ズルを設置する設置位置に前記ノズルが貫通する少なく
とも一つ以上のホールが形成されているカバーと、を備
えてなることを特徴とするノズル及びスピンチャックを
備える半導体素子製造装置。 - 【請求項２】 前記スピンチャックは、上下移動が可能
に設置されていることを特徴とする請求項１に記載のノ
ズル及びスピンチャックを備える半導体素子製造装置。 - 【請求項３】 前記カバーは、上下移動が可能に設置さ
れていることを特徴とする請求項１に記載のノズル及び
スピンチャックを備える半導体素子製造装置。 - 【請求項４】 前記カバーは、前記スピンチャックに装
着されるウェーハの上面と、２ｍｍ〜３ｍｍの間隔を維
持するように制御されることを特徴とする請求項３に記
載のノズル及びスピンチャックを備える半導体素子製造
装置。 - 【請求項５】 前記ボール上部の内側壁は、前記ウェー
ハが位置する内側方向に傾斜するように形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載のノズル及びスピンチ
ャックを備える半導体素子製造装置。 - 【請求項６】 前記カバーには、前記ノズルが貫通する
前記ホールがウェーハの半径方向に複数個形成されてい
ることを特徴とする請求項１に記載のノズル及びスピン
チャックを備える半導体素子製造装置。 - 【請求項７】 前記カバーには、前記ノズルがウェーハ
の半径方向に往復移動するように長方形のホールが形成
されていることを特徴とする請求項１に記載のノズル及
びスピンチャックを備える半導体素子製造装置。 - 【請求項８】 前記カバーは、前記ボールの内側壁の上
端部に上下移動が可能に付着されていることを特徴とす
る請求項５に記載のノズル及びスピンチャックを備える
半導体素子製造装置。 - 【請求項９】 前記カバーは、前記チャンバーの上端部
で上下移動可能に装着されていることを特徴とする請求
項１に記載のノズル及びスピンチャックを備える半導体
素子製造装置。 - 【請求項１０】 前記カバーは、透明なテフロン（Ｔｅ
ｆｌｏｎ）材質で形成されることを特徴とする請求項１
に記載のノズル及びスピンチャックを備える半導体素子
製造装置。 - 【請求項１１】 前記薬品液は、フォトレジストである
ことを特徴とする請求項１に記載のノズル及びスピンチ
ャックを備える半導体素子製造装置。 - 【請求項１２】 前記カバーの縁には、リンス液を供給
するためのホールが形成されていることを特徴とする請
求項１に記載のノズル及びスピンチャックを備える半導
体素子製造装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1998P-21801 | 1998-06-11 | ||
| KR1019980021801A KR100282137B1 (ko) | 1998-06-11 | 1998-06-11 | 노즐 및 스핀척이 구비되는 반도체소자 제조장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000012458A true JP2000012458A (ja) | 2000-01-14 |
| JP4005257B2 JP4005257B2 (ja) | 2007-11-07 |
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ID=19539093
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06204399A Expired - Fee Related JP4005257B2 (ja) | 1998-06-11 | 1999-03-09 | ノズル及びスピンチャックを備える半導体素子製造装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JP4005257B2 (ja) |
| KR (1) | KR100282137B1 (ja) |
| TW (1) | TW409313B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019201075A (ja) * | 2018-05-15 | 2019-11-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW442336B (en) * | 1997-08-19 | 2001-06-23 | Tokyo Electron Ltd | Film forming method |
| KR100830394B1 (ko) * | 2001-12-14 | 2008-05-20 | 삼성전자주식회사 | 스핀 코팅 장치 |
| KR100800964B1 (ko) * | 2002-12-16 | 2008-02-05 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 감광막 현상 장치 |
| KR102069506B1 (ko) | 2014-12-22 | 2020-01-23 | 한화디펜스 주식회사 | 변형 가능한 캐터필러 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0669545B2 (ja) * | 1987-11-23 | 1994-09-07 | タツモ株式会社 | 塗布装置 |
| US5439519A (en) * | 1992-04-28 | 1995-08-08 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Solution applying apparatus |
| US5591264A (en) * | 1994-03-22 | 1997-01-07 | Sony Corporation | Spin coating device |
| KR970006793A (ko) * | 1995-07-05 | 1997-02-21 | 조래승 | 엔진성능 시험을 위한 냉각수 온도 제어장치 |
| JP3227642B2 (ja) * | 1995-10-13 | 2001-11-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布装置 |
-
1998
- 1998-06-11 KR KR1019980021801A patent/KR100282137B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1999
- 1999-03-09 JP JP06204399A patent/JP4005257B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1999-05-14 TW TW088107859A patent/TW409313B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-05-14 US US09/311,727 patent/US6234692B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019201075A (ja) * | 2018-05-15 | 2019-11-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
| CN110491799A (zh) * | 2018-05-15 | 2019-11-22 | 东京毅力科创株式会社 | 基片处理装置和基片处理方法 |
| KR20190130963A (ko) * | 2018-05-15 | 2019-11-25 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| JP7090468B2 (ja) | 2018-05-15 | 2022-06-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
| TWI791109B (zh) * | 2018-05-15 | 2023-02-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 基板處理裝置及基板處理方法 |
| CN110491799B (zh) * | 2018-05-15 | 2024-04-02 | 东京毅力科创株式会社 | 基片处理装置和基片处理方法 |
| KR102679000B1 (ko) * | 2018-05-15 | 2024-06-26 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW409313B (en) | 2000-10-21 |
| KR100282137B1 (ko) | 2001-03-02 |
| KR20000001502A (ko) | 2000-01-15 |
| JP4005257B2 (ja) | 2007-11-07 |
| US6234692B1 (en) | 2001-05-22 |
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