WO2024047938A1 - 二流体吐出装置、基板処理装置および二流体ノズル制御方法 - Google Patents

二流体吐出装置、基板処理装置および二流体ノズル制御方法 Download PDF

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WO2024047938A1
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gas
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fluid nozzle
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諄 甲盛
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株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B12/00—Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area
    • B05B12/02—Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area for controlling time, or sequence, of delivery
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B7/00—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent materials from two or more sources, e.g. of liquid and air, of powder and gas
    • B05B7/02—Spray pistols; Apparatus for discharge
    • B05B7/04—Spray pistols; Apparatus for discharge with arrangements for mixing liquids or other fluent materials before discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
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    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting

Definitions

  • the present invention relates to a two-fluid ejection device, a substrate processing device, and a two-fluid nozzle control method.
  • a processing nozzle In a substrate processing apparatus, a processing nozzle is moved between a processing position above the substrate and a standby position located outside the substrate in order to supply the processing liquid used for substrate processing to the substrate.
  • the supply of the processing liquid is stopped while the processing nozzle moves between the processing position and the standby position.
  • droplets of the processing liquid may fall from the processing nozzle due to the movement. Therefore, it is required to prevent the processing liquid from falling from the processing nozzle during movement of the processing nozzle.
  • Patent Document 1 describes that before moving the two-fluid nozzle, the liquid adhering to the two-fluid nozzle is removed by spraying gas from a droplet removal nozzle onto the two-fluid nozzle.
  • Patent Document 1 the processing liquid adhering to the outside of the two-fluid nozzle is removed by blowing gas from the outside of the two-fluid nozzle, but the processing liquid remaining in the two-fluid nozzle cannot be sufficiently removed. It was difficult. For this reason, droplets may fall from the two-fluid nozzle while the two-fluid nozzle is moving.
  • An object of the present invention is to provide a two-fluid ejection device, a substrate processing device, a two-fluid nozzle control method, and a substrate processing device control method that suppress droplets from falling from a two-fluid nozzle.
  • a two-fluid discharge device includes a two-fluid nozzle capable of discharging a liquid mixture of a liquid and a gas, a gas supply unit that supplies gas to the two-fluid nozzle, and a two-fluid nozzle that supplies a liquid to the two-fluid nozzle.
  • a control unit that controls the liquid supply unit, the gas supply unit, and the liquid supply unit to stop the gas supply after stopping the liquid supply when stopping the discharge of the mixed liquid from the two-fluid nozzle; Equipped with
  • a two-fluid nozzle control method is a two-fluid nozzle control method for controlling a substrate processing apparatus equipped with a two-fluid nozzle capable of discharging a mixed liquid of a liquid and a gas, a step of supplying a liquid to a fluid nozzle, a step of supplying a gas to a two-fluid nozzle, and a step of stopping the supply of gas after stopping the supply of liquid when stopping the discharge of the mixed liquid from the two-fluid nozzle. and, including.
  • FIG. 1 is a schematic perspective view for explaining the general configuration of a developing device according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view for explaining the configuration of a part of the liquid processing unit.
  • FIG. 3 is a first perspective view for explaining the configuration of the liquid processing unit.
  • FIG. 4 is a second perspective view for explaining the configuration of the liquid processing unit.
  • FIG. 5 is a perspective view of the nozzle arm unit.
  • FIG. 6 is a longitudinal sectional view of the nozzle arm unit cut along a predetermined vertical plane.
  • FIG. 7 is a longitudinal cross-sectional view showing an example of the structure of the Zuru.
  • FIG. 8 is a block diagram showing the configuration of the control section of the developing device.
  • FIG. 1 is a schematic perspective view for explaining the general configuration of a developing device according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view for explaining the configuration of a part of the liquid processing unit.
  • FIG. 3 is
  • FIG. 9 is a flowchart showing the basic operation during the development process of the substrate by the developing device.
  • FIG. 10 is a flowchart showing the pre-processing dispense process.
  • FIG. 11 is a flowchart showing the processing liquid supply process.
  • FIG. 12 is a timing chart showing the supply and stop of liquid and gas in the processing liquid supply process.
  • FIG. 13 is a diagram for explaining the configuration of a nozzle according to another embodiment.
  • substrates include FPD (Flat Panel Display) substrates used in liquid crystal display devices or organic EL (Electro Luminescence) display devices, semiconductor substrates, optical disk substrates, magnetic disk substrates, and magneto-optical disks.
  • FPD Fluorescence Panel Display
  • organic EL Electro Luminescence
  • semiconductor substrates semiconductor substrates
  • optical disk substrates optical disk substrates
  • magnetic disk substrates magnetic disk substrates
  • magneto-optical disks Refers to substrates, photomask substrates, ceramic substrates, solar cell substrates, etc.
  • a developing device will be described as an example of a substrate processing device.
  • the substrate to be subjected to development processing in this embodiment has a main surface and a back surface. Further, in the developing device according to the present embodiment, the back surface (lower surface) of the substrate is held with the main surface of the substrate facing upward and the back surface of the substrate facing downward, and the main surface ( Development processing is performed on the upper surface).
  • a photosensitive film after exposure processing is formed at least in the center of the main surface of the substrate.
  • This photosensitive film is, for example, a negative type photosensitive polyimide film.
  • An organic solvent containing cyclohexanone, cyclopentanone, or the like is used as a developer for dissolving the exposed negative photosensitive polyimide film.
  • an organic solvent containing isopropyl alcohol, propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), or the like is used as a rinsing liquid.
  • substrate development processing refers to dissolving a part of the photosensitive film formed on the main surface of the substrate by supplying a developer to the exposed photosensitive film. It means to do.
  • FIG. 1 is a schematic perspective view for explaining the schematic configuration of a developing device according to an embodiment of the present invention.
  • the developing device 1 basically has a configuration in which two liquid processing units LPA and LPB are housed in a housing CA.
  • the schematic shapes of the two liquid processing units LPA and LPB are shown by dotted lines. Details of the configuration of the liquid processing units LPA and LPB will be described later.
  • the housing CA has a substantially rectangular box shape that extends in one direction within a horizontal plane.
  • the first side wall plate 1w, the second side wall plate 2w, the third side wall plate 3w, the fourth side wall plate 4w, the floor plate 5w, and the ceiling plate 6w are attached to a frame (not shown). It is formed by being In the following description, a direction parallel to the direction in which the housing CA extends within the horizontal plane is appropriately referred to as a first direction D1, and a direction perpendicular to the first direction D1 within the horizontal plane is appropriately referred to as a second direction D2.
  • the two liquid processing units LPA and LPB are arranged on the floor plate 5w so as to be lined up in the first direction D1 within the housing CA.
  • the first and second side wall plates 1w and 2w have a rectangular plate shape, and are provided so as to be parallel to the up-down direction and the first direction D1 and to face each other.
  • the third and fourth side wall plates 3w and 4w have a rectangular plate shape, and are provided so as to be parallel to the up-down direction and the second direction D2 and to face each other.
  • Two loading/unloading ports ph are formed in the second side wall plate 2w for transporting substrates between the inside of the casing CA and the outside of the casing CA.
  • the two loading/unloading ports ph are respectively formed in two portions of the second side wall plate 2w that face the liquid processing units LPA, LPB in the second direction D2.
  • Two openings op1 are formed in the ceiling plate 6w so as to be lined up in the first direction D1.
  • the aperture ratio of the two openings op1 in the ceiling plate 6w is set to be sufficiently large to the same extent as when the entire upper end of the casing CA is open upward.
  • Two filters FL are provided above the ceiling plate 6w so as to respectively close the two openings op1 of the ceiling plate 6w. Note that the two filters FL may be provided directly under the ceiling plate 6w.
  • two filters FL are indicated by thick dashed lines.
  • the two filters FL are, for example, ULPA (Ultra Low Penetration Air) filters, and are attached to a frame or ceiling plate 6w (not shown) that constitutes the housing CA.
  • An air guide AG is provided on the ceiling plate 6w of the housing CA so as to surround the two filters FL.
  • the air guide AG is indicated by a chain double-dashed line.
  • a gas supply section 10 is provided outside the housing CA.
  • the gas supply section 10 is, for example, an air control unit, and adjusts air conditions such as temperature and humidity so as to satisfy predetermined conditions while the power of the developing device 1 is turned on. Further, the gas supply unit 10 supplies air whose condition has been adjusted to the air guide AG through the duct DU.
  • the air guide AG guides the air supplied from the gas supply section 10 to the two openings op1 of the ceiling plate 6w through the two filters FL. As a result, clean air whose temperature, humidity, etc. have been adjusted is supplied into the housing CA, and a downward air current is generated throughout the interior space SP of the housing CA.
  • a gas supply section 11a, a developer supply section 11b, and a rinse solution supply section 11c are provided outside the housing CA.
  • FIG. 1 shows an example in which the gas supply section 11a, the developer supply section 11b, and the rinse liquid supply section 11c are connected to the liquid processing unit LPB, the liquid processing unit LPA is also connected to another gas supply section. 11a, a developer supply section 11b, and a rinse solution supply section 11c are connected.
  • the gas supply section 11a includes a gas supply source. Thereby, gas is supplied to the liquid processing units LPA and LPB through the gas supply path 12a.
  • the developer supply section 11b includes a developer supply source. Thereby, the developer is supplied to the liquid processing units LPA and LPB through the developer supply path 12b.
  • the rinsing liquid supply section 11c includes a rinsing liquid supply source. Thereby, the rinse liquid is supplied to the liquid processing units LPA and LPB through the rinse liquid supply path 12c.
  • the gas supply path 12a, the developer supply path 12b, and the rinse liquid supply path 12c are indicated by dashed lines.
  • the gas supply path 12a, the developer supply path 12b, and the rinse liquid supply path 12c are configured by one or more pipes, valves, and the like.
  • the developing device 1 further includes a control section 90.
  • the control unit 90 includes, for example, a CPU (central processing unit), a memory, or a microcomputer, and includes liquid processing units LPA, LPB, a gas supply unit 11a, a developer supply unit 11b, and a rinsing liquid provided corresponding thereto. Controls the supply section 11c. Details of the control unit 90 will be described later.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view for explaining the configuration of part of the liquid processing units LPA and LPB in FIG. 1.
  • the liquid processing unit LPB includes a partition plate 100, a cylindrical member 200, a cup 40, a container 50, and a standby pod 500.
  • Container 50 Inside the housing CA, the container 50 is fixed on the floor plate 5w (FIG. 1).
  • Container 50 includes a side wall 51 and a bottom 52 .
  • the side wall portion 51 has an annular horizontal cross section, and is formed to extend in the vertical direction with a constant inner diameter and a constant outer diameter.
  • the bottom portion 52 is formed to close the lower end of the side wall portion 51.
  • Two through holes are formed in the bottom portion 52.
  • An exhaust pipe 61 is connected to a portion of the bottom portion 52 where one of the through holes is formed.
  • the exhaust pipe 61 guides the atmosphere inside the casing CA to an exhaust device (not shown) provided outside the casing CA.
  • the end (open end) of the exhaust pipe 61 is located above the bottom 52.
  • a drain pipe 62 is further connected to the bottom portion 52 at the other through-hole forming portion.
  • the drain pipe 62 guides the liquid (developer and rinse liquid) flowing from the cup 40 to the bottom of the container 50 during the development process of the substrate W to a drain device (not shown) provided outside the casing CA.
  • a drain device not shown
  • the end (open end) of the drain pipe 62 is located below the end of the exhaust pipe 61.
  • the substrate holding device 70 includes a suction holding section 71, a spin motor 72, and a motor cover 79.
  • the spin motor 72 is fixed on the bottom portion 52 so as to be located at the center of the container 50 in plan view.
  • the spin motor 72 is provided with a rotating shaft 73 extending upward.
  • a suction holding section 71 is provided at the upper end of the rotating shaft 73. The suction holding part 71 protrudes above the upper end of the container 50.
  • a suction device (not shown) is provided outside the container 50.
  • the suction holding section 71 is configured to be able to suction the central part of the back surface of the substrate W by operating a suction device.
  • the substrate W is held in a horizontal position above the container 50.
  • the spin motor 72 while the substrate W is suction-held by the suction-holding section 71, the substrate W is rotated in a horizontal position.
  • the motor cover 79 has a substantially bowl shape and is fixed to the container 50 so that most of its open diameter faces downward. With the rotating shaft 73 inserted into the through hole at the center of the upper end of the motor cover 79, the motor cover 79 has a fixed width that surrounds the spin motor 72 in the horizontal plane and the upper end portion of the spin motor 72 excluding the rotating shaft 73. It covers the space from above. A gap with a constant width is formed between the outer circumferential end of the motor cover 79 and the inner circumferential surface of the side wall portion 51.
  • the end of the exhaust pipe 61 is located inside the motor cover 79 in a plan view, and located above the lower end of the motor cover 79 in a side view. This prevents liquids (developer and rinse liquid) falling from above the container 50 from entering the exhaust pipe 61 during the development process of the substrate W.
  • the cup 40 is accommodated in the container 50.
  • the cup 40 is configured to be movable in the vertical direction within the container 50.
  • the cup 40 includes a cylindrical wall portion 41 and a liquid receiving portion 42 .
  • Each of the cylindrical wall portion 41 and the liquid receiving portion 42 has an annular horizontal cross section and is provided so as to extend at least in the vertical direction.
  • the cup 40 is configured to surround the substrate holding device 70 in plan view.
  • the outer diameter and inner diameter of the liquid receiver 42 gradually increase downward from the upper end of the liquid receiver 42.
  • the outer diameter of the lower end of the liquid receiver 42 (the maximum outer diameter of the liquid receiver 42) is smaller than the inner diameter of the side wall 51 of the container 50. Therefore, a gap with a constant width is formed between the outer peripheral end of the liquid receiving part 42 and the inner peripheral surface of the side wall part 51.
  • the cylindrical wall portion 41 has a constant inner diameter and a constant outer diameter, and is formed to extend upward from the upper end of the liquid receiving portion 42 .
  • the cylindrical member 200 has a cylindrical shape and is fixed to a part of the housing CA via a bracket (not shown).
  • the inner diameter of the cylindrical member 200 is larger than the outer diameter of the cylindrical wall portion 41 of the cup 40.
  • the partition plate 100 has a substantially disk shape and is attached to the cylindrical member 200 near the upper end of the cylindrical member 200 and in contact with the entire inner peripheral surface of the cylindrical member 200.
  • a rectangular nozzle opening 110 extending in the first direction D1 is formed approximately in the center of the partition plate 100.
  • the nozzle opening 110 faces the center portion of the substrate W held by the substrate holding device 70 during development processing of the substrate W.
  • a plurality of through holes are formed in the partition plate 100 so as to be distributed throughout the partition plate 100 except for the nozzle openings 110.
  • the elevating drive section includes a drive mechanism such as a motor or an air cylinder, and supports the cup 40 and moves the cup 40 up and down, thereby moving the cup 40 between the first state and the second state.
  • the first state indicates a state in which the cup 40 has been lowered to a position inside the container 50.
  • the second state indicates a state in which the upper end of the cup 40 has risen to a position above the lower end of the cylindrical member 200 (the state shown in FIG. 2).
  • the cup 40 is maintained in the first state when the substrate W is carried in and out of the liquid processing units LPA and LPB.
  • the substrate W carried in from the outside of the developing device 1 can be placed on the suction holding portions 71 of the liquid processing units LPA, LPB. Further, the substrate W placed on the suction holding section 71 of the liquid processing units LPA, LPB can be taken out and carried out to the outside of the developing device 1.
  • the inner peripheral surface of the liquid receiving portion 42 of the cup 40 surrounds the substrate W held by the substrate holding device 70 in a horizontal plane.
  • most of the developer and rinse liquid supplied to the substrate W from the plurality of nozzles 310 during the development process of the substrate W are received by the inner circumferential surface of the liquid receiving part 42 and guided to the container 50.
  • the cup 40 is maintained in the second state in each of the liquid processing units LPA and LPB, and the cover member 330 covers the nozzle opening 110 of the partition plate 100.
  • the internal space SP of the casing CA is divided into a processing space SPa and a non-processing space SPb by the partition plate 100, cylinder member 200, cover member 330, cup 40, and container 50 of the liquid processing units LPA and LPB. be done.
  • the processing space SPa is a space containing the substrate W held by the substrate holding device 70
  • the non-processing space SPb is a space surrounding the processing space SPa.
  • FIG. 3 is a first perspective view for explaining the configuration of the liquid processing unit LPB in FIG. 1.
  • the nozzle drive unit 400 is provided adjacent to the container 50 in the first direction D1.
  • the nozzle drive unit 400 includes a motor having a rotating shaft 401 and an actuator.
  • the actuator includes an air cylinder, a hydraulic cylinder, a motor, or the like, and supports the motor having a rotating shaft 401 on the floor plate 5w (FIG. 1) so that the motor can move in the vertical direction.
  • the rotation shaft 401 is located at the upper end of the nozzle drive section 400.
  • a standby pod 500 is further provided on the floor plate 5w (FIG. 1).
  • the nozzle drive unit 400 and the standby pod 500 are lined up in the second direction D2 at a position on the side of the container 50 with an interval between them.
  • the standby pod 500 has a box shape that extends a certain length in the second direction D2.
  • a plurality of standby holes 510 are formed in the upper surface of the standby pod 500 for accommodating injection parts 310d of a plurality of nozzles 310, which will be described later.
  • the nozzle arm unit 300 is attached to the upper end of the rotating shaft 401 of the nozzle drive section 400.
  • the nozzle arm unit 300 is attached to the upper end of the rotation shaft 401 and has a longitudinal shape that extends linearly in a direction different from the rotation shaft 401.
  • the nozzle arm unit 300 moves in the vertical direction. Further, when the motor of the nozzle drive section 400 operates, the nozzle arm unit 300 rotates in a horizontal plane around the rotation axis 401.
  • the plurality of nozzles 310 are held at a processing position P2 above the substrate W held by the substrate holding device 70 while the substrate W is subjected to development processing.
  • the plurality of nozzles 31 overlap the substrate W in a plan view.
  • FIG. 3 a state in which a plurality of nozzles 310 are located at a processing position P2 is shown.
  • the standby position P1 and the processing position P2 are each indicated by white arrows.
  • FIG. 4 is a second perspective view for explaining the configuration of the liquid processing unit LPB in FIG. 1.
  • the plurality of nozzles 310 of the nozzle arm unit 300 are held at a standby position P1 outside the substrate W held by the substrate holding device 70 while the development process is not performed on the substrate W. .
  • the standby position P1 and the processing position P2 are each indicated by white arrows. While the nozzle 310 is held at the standby position P1, the nozzle 310 is accommodated in the standby hole 510 of the standby pod 500.
  • an operation is performed to discharge the liquid remaining in the nozzle 310.
  • this operation will be referred to as pre-processing dispense processing. Details of the pre-processing dispense process will be described later.
  • the standby pod 500 includes a drain pipe (not shown) that discharges the liquid sprayed or dropped from the plurality of nozzles 310 to the outside of the housing CA when the nozzle arm unit 300 is located at the standby position P1. is connected. Further, the standby pod 500 is connected to an exhaust pipe (not shown) that exhausts the atmosphere inside the standby pod 500 to the outside of the casing CA.
  • the nozzle arm unit 300 mainly includes a plurality of (six in this example) nozzles 310, a support body 320, and a cover member 330.
  • FIG. 5 is a perspective view of the nozzle arm unit 300
  • FIG. 6 is a longitudinal cross-sectional view of the nozzle arm unit 300 cut along a predetermined vertical plane (a vertical plane parallel to the direction in which the nozzle arm unit 300 extends).
  • the cover member 330 is shown separated from other components so that the internal structure of the nozzle arm unit 300 can be easily understood.
  • illustrations of connections to each component of the piping PP which will be described later, are omitted.
  • the support body 320 is produced, for example, by appropriately bending a single metal plate that has been cut out or laser processed into a predetermined shape. Further, the support body 320 is formed to extend in one direction, and has one end portion 321 and the other end portion 322. Further, the support body 320 has a nozzle fixing portion 323 extending from near one end portion 321 toward the other end portion 322 .
  • the nozzle 310 includes three developer nozzles 311 for supplying a developer to the substrate W, and three rinsing solution nozzles 312 for supplying a rinse solution to the substrate W.
  • the support body 320 has a pipe fixing part 324 and two cover attachment parts 325.
  • the piping fixing part 324 is located near the other end part 322.
  • Each of the plurality of nozzles 310 is a two-fluid nozzle that can inject a mixture of liquid and gas.
  • the developer nozzle 311 includes a liquid introduction part 311a for introducing the developer into the developer nozzle 311, gas introduction parts 311b and 311c for introducing gas into the developer nozzle 311, and a mixed liquid. It has an injection part 311d that injects.
  • the rinsing liquid nozzle 312 includes a liquid introduction part 312a for introducing the rinsing liquid into the rinsing liquid nozzle 312, and gas introduction parts 312b and 312c for introducing gas into the rinsing liquid nozzle 312. and a spraying section 312d that sprays the mixed liquid.
  • the liquid introduction part 311a of the developer nozzle 311 is connected to one end of a pipe PP for supplying the developer to the developer nozzle 311. Further, one end of a pipe PP for supplying gas (nitrogen gas in this example) to the developer nozzle 311 is connected to the gas introduction portions 311b and 311c of the developer nozzle 311. Similarly, one end of a pipe PP for supplying the rinse liquid to the rinse liquid nozzle 312 is connected to the liquid introduction part 312a of the rinse liquid nozzle 312. Furthermore, one end of a pipe PP for supplying gas to the rinse liquid nozzle 312 is connected to the gas introduction portions 312b and 312c of the rinse liquid nozzle 312.
  • the pipe PP is made of a flexible resin material.
  • resin materials include PTFE (polytetrafluoroethylene), PVC (polyvinyl chloride), PPS (polyphenylene sulfide), and PFA (tetrafluoroethylene/perfluoroalkyl vinyl ether copolymer).
  • a part of each of the plurality of pipes PP is provided so as to extend from the liquid introduction part 311a and the gas introduction parts 311b, 311c of the developer nozzle 311 toward the pipe fixing part 324, and a part of each of the plurality of pipes PP is provided so as to extend toward the pipe fixing part 324. It is provided so as to extend toward the piping fixing part 324 from the introduction part 312a and the gas introduction parts 312b, 312c.
  • a plurality of pipes PP are bundled.
  • FIG. 5 a cross section of the pipe PP of the pipe fixing portion 324 is shown.
  • the plurality of pipes PP are fixed near the other end 322 of the support body 320.
  • a portion of the plurality of pipes PP extending from the pipe fixing part 324 to the outside of the support body 320 is housed inside the cylindrical binding member 391 in a bundled state.
  • the cylindrical binding member 391 is made of, for example, rubber or resin, and has flexibility.
  • the cover member 330 has a box shape with an open bottom. In the upper surface portion 331 of the cover member 330, through holes 331h are formed in two portions corresponding to the two cover attachment portions 325 of the support body 320.
  • a plurality of developer nozzles 311 and a rinse solution nozzle 312 are attached to the support body 320, a plurality of pipes PP are connected to the plurality of developer solution nozzles 311 and a rinse solution nozzle 312, and the plurality of pipes PP are fixed.
  • the cover member 330 is attached to the support body 320 in this state. In FIG. 5, the state of the cover member 330 when attached to the support body 320 is shown by a two-dot chain line.
  • the pipe fixing portion 324 is located between the other end portion 322 of the support body 320 and the other end surface portion 333 of the cover member 330.
  • the pipe fixing piece 329 bundles the plurality of pipes PP and fixes them to the pipe fixing part 324 so that the plurality of pipes PP pulled out from the cover member 330 do not contact the inner edge of the notch 333N of the other end surface part 333.
  • FIG. 7 is a longitudinal cross-sectional view showing an example of the configuration of the developer nozzle 311.
  • the developer nozzle 311 includes a main body portion 311A.
  • the main body part 311A has a liquid introduction part 311a and two gas introduction parts 311b and 311c.
  • the liquid introduction part 311a includes a cylindrical portion 3A and a bottom portion 3B provided at the lower end of the cylindrical portion 3A and having a collision surface 3b perpendicular to the axis of the cylindrical portion 3A.
  • the liquid introduction part 310a is attached to the main body part 311A so that the axis of the cylindrical part 3A coincides with the axis AX of the main body part 311A.
  • a flow path FPa is formed in the cylindrical portion 3A along a direction parallel to the axis AX, and a plurality of flow paths are formed in the bottom portion 3B along a direction perpendicular to the axis AX of the cylindrical portion 3A.
  • four channels are formed, and each of the four channels has an opening OP1 that communicates with the two-fluid mixing space MSP.
  • the two gas introduction portions 311b and 311c have a cylindrical shape extending in the axial direction, and the two gas introduction portions 311b and 311c extend from the upper surface of the main body portion 311A so that their respective axes are parallel to the axis AX of the cylindrical portion 3A of the liquid introduction portion 311a. can be attached to.
  • the liquid introduction part 311a is arranged between the two gas introduction parts 311b and 311c. Flow paths FPb and FPc extending in a direction parallel to the axes of the gas introduction parts 311b and 311c are formed in each of the gas introduction parts 311b and 311c.
  • the gas retention space GSP is a space surrounding the cylindrical part 3A of the liquid introduction part 311a, and is connected to the flow paths FPb and FPc of the two gas introduction parts 311b and 311c at the upper part, and is connected to the two-fluid mixing space MSP at the lower part. Connected.
  • the two-fluid mixing space MSP includes a two-fluid collision space MSP1 and a two-fluid derivation space MSP2.
  • the two-fluid collision space MSP1 is located between the gas retention space GSP and the two-fluid extraction space MSP2.
  • the two-fluid collision space MSP1 includes a space surrounding the bottom 3B of the liquid introduction part 311a, and is connected to the gas retention space GSP at the top and to the two-fluid extraction space MSP2 at the bottom.
  • the two-fluid outlet space MSP2 is a truncated conical space whose inner diameter gradually decreases downward.
  • the lower end of the two-fluid lead-out space MSP2 is connected to the injection part 310d.
  • the injection part 310d has an opening that opens the two-fluid outlet space MSP2 to the outside of the main body part 311A.
  • the liquid introduced into the liquid introduction part 311a travels from above to below through the flow path FPa formed in the cylindrical part 3A, and collides with the collision surface 3b formed in the bottom part 3B.
  • the liquid that has collided with the collision surface 3b is discharged from the opening OP1 of the liquid introduction part 310a into the two-fluid mixing space MSP through one of the plurality of channels formed in the bottom 3B.
  • the gases introduced into the gas introduction parts 311b and 311c travel from above to below through the flow paths FPb and FPc formed in the gas introduction parts 311b and 311c, and are discharged into the gas retention space GSP.
  • the gas inside the gas retention space GSP is discharged to the two-fluid mixing space MSP.
  • liquid and gas are mixed to generate a mixed liquid.
  • the mixed liquid passes through the two-fluid outlet space MSP2 and is injected from the injection part 310d to the outside of the main body part 311A.
  • FIG. 8 is a block diagram showing the configuration of the control unit 90 of the developing device 1 of FIG. 1.
  • the control section 90 includes a first elevation control section 91, a gas control section 92a, a liquid control section 92b, a first rotation control section 93, a suction control section 94, and a second elevation control section 95. and a second rotation control section 96.
  • the functions of each part of the control unit 90 in FIG. 8 are realized, for example, by the CPU executing a predetermined program stored in a memory.
  • the first lift control section 91 controls the operation of the lift drive sections of the liquid processing units LPA and LPB. Thereby, the cups 40 of each liquid processing unit LPA, LPB transition to the first state and the second state.
  • the gas control section 92a controls the operation of the gas supply section 11a corresponding to each of the liquid processing units LPA and LPB.
  • the liquid control section 92b controls the operation of the developer supply section 11b and the rinse solution supply section 11c corresponding to the liquid processing units LPA and LPB, respectively.
  • a mixture of a developer and gas is injected from three developer nozzles 311 among the plurality of nozzles 310 in each of the liquid processing units LPA and LPB, and a rinsing liquid mixture is injected from three developer nozzles 311 among the plurality of nozzles 310.
  • a liquid mixture of rinsing liquid and gas is injected from the nozzle 312.
  • the first rotation control section 93 controls the operation of the spin motors 72 of the liquid processing units LPA and LPB in FIG. 1. Further, the suction control unit 94 controls the operation of suction devices (not shown) of the liquid processing units LPA and LPB. As a result, each substrate holding device 70 holds the substrate W by suction in a horizontal position and rotates it.
  • the second elevation control section 95 and the second rotation control section 96 control the operation of the nozzle drive sections 400 of the liquid processing units LPA and LPB in FIG. 1. Specifically, the second elevation control section 95 controls the operation of the actuator of each nozzle drive section 400. The second rotation control section 96 controls the operation of a motor having a rotation shaft 401 of each nozzle drive section 400.
  • FIG. 9 is a flowchart showing the basic operation during the development process of the substrate W by the development device 1.
  • the substrate W to be processed is first carried into the liquid processing units LPA and LPB. Further, the substrate W is placed on the suction holding section 71 of the substrate holding device 70 .
  • the suction control section 94 in FIG. control step S1).
  • the first elevation control section 91 in FIG. 8 controls the elevation drive sections 49 of the liquid processing units LPA and LPB so that the cup 40 moves from the first state to the second state (step S2 ).
  • the pre-processing dispensing process is performed with the plurality of nozzles 310 accommodated in the standby hole 510 of the standby pod 500 (step S3).
  • the pre-processing dispense process will be described later.
  • the second elevation control section 95 and the second rotation control section 96 in FIG. 8 drive the nozzles of the liquid processing units LPA and LPB so that the nozzle arm unit 300 moves from the standby position P1 to the processing position P2. 400 (step S4).
  • the first rotation control unit 93 in FIG. 8 controls the spin motors 72 of the liquid processing units LPA and LPB so that the substrate W rotates around the rotation axis 73 (step S5).
  • step S6 the gas control section 92a and liquid control section 92b in FIG. 8 execute a processing liquid supply process.
  • the details of the processing liquid supply process will be described later, but it is a process in which a first mixed liquid of a developer and a gas and a second mixed liquid of a rinse liquid and a gas are supplied to the substrate W.
  • the first rotation control unit 93 in FIG. 8 dries the substrate W by continuing to rotate the substrate W. Further, the first rotation control unit 93 in FIG. 8 controls the spin motors 72 of the liquid processing units LPA and LPB so that the rotation of the substrate W is stopped after a certain period of time has passed from the end of the processing liquid supply process (step S7).
  • the second elevation control section 95 and the second rotation control section 96 in FIG. 8 drive the nozzles of the liquid processing units LPA and LPB so that the plurality of nozzles 310 move from the processing position P2 to the standby position P1. 400 (step S8). Thereby, the nozzle 310 is accommodated in the standby hole 510 of the standby pod 500.
  • the first elevation control section 91 in FIG. 8 controls the elevation drive sections 49 of the liquid processing units LPA and LPB so that the cup 40 transitions from the second state to the first state (step S9 ).
  • the suction control section 94 in FIG. 8 controls the suction devices 78 of the liquid processing units LPA and LPB so that the suction holding section 71 of the substrate holding device 70 releases the suction of the substrate W (step S10). .
  • the development process of the substrate W is completed.
  • the substrate W after the development process is carried out from the liquid processing units LPA, LPB.
  • Pre-processing dispensing process The liquid staying near the injection part 310d of the nozzle 310 comes into contact with air. The concentration of the liquid in the nozzle 310 may change due to volatilization of volatile components. Therefore, the pre-processing dispensing process is performed by the gas control unit 92a and liquid control unit 92b controlling the gas supply unit 11a, developer supply unit 11b, and rinse liquid supply unit 11c of the liquid processing units LPA and LPB.
  • FIG. 10 is a flowchart showing the pre-processing dispense process.
  • a rinsing liquid containing no gas is discharged into the standby pod 500 from each of the rinsing liquid nozzles 312 (step S31).
  • the supply of the developing solution and the rinsing solution is stopped (step S32). Specifically, the developer supply unit 11b stops supplying the developer to the three developer nozzles 311, and the rinsing liquid supply unit 11c stops supplying the rinsing liquid to the three rinsing liquid nozzles 312. .
  • step S34 gas is supplied to the three developing solution nozzles 311 and the three rinsing solution nozzles 312 (step S33).
  • the control unit 90 determines whether a predetermined time has elapsed (step S34).
  • the predetermined time may be set to a liquid ejection period T2, which will be described later.
  • the gas supply unit 11a stops supplying gas to the developer nozzle 311 and the rinse liquid nozzle 312 (step S35). Thereby, the developer and the rinse solution are prevented from remaining in the three developer nozzles 311 and the rinse solution nozzle 312. As a result, the concentration of the developer and the concentration of the rinse solution can be adjusted to appropriate levels.
  • FIG. 11 is a flowchart showing the processing liquid supply process.
  • FIG. 12 is a timing chart showing the supply and stop of liquid and gas in the processing liquid supply process.
  • the first stage of FIG. 12 shows the timing of supplying and stopping gas from the gas supply section 11a to the developer nozzle 311, and the second stage shows the timing of gas supply from the developer supply section 11b to the developer nozzle 311. The timing of developer supply and stop is shown.
  • the third stage of FIG. 11 shows the timing of supplying and stopping the gas from the gas supply section 11a to the rinse liquid nozzle 312, and the fourth stage shows the timing of supplying and stopping the gas from the gas supply section 11c to the rinse liquid nozzle 312. The timing of developer supply and stop is shown.
  • the processing liquid supply process will be described below with reference to FIGS. 11 and 12.
  • the processing liquid supply process is performed while the substrate W is rotating.
  • the time point at which the treatment liquid supply process starts is indicated as time t1.
  • the gas supply section 11a and the developer supply section 11b are turned on.
  • a first liquid mixture of a developer and gas is injected from the three developer nozzles 311 of the nozzles 310 (step S61).
  • the gas supply section 11a and the rinse liquid supply section 11c are turned on.
  • a second liquid mixture of the rinse liquid and gas is injected from the three rinse liquid nozzles 312 (step S62).
  • the first mixed liquid and the second mixed liquid are supplied to the substrate.
  • the rinsing liquid supply period T1 is predetermined.
  • step S63 the developer supply section 11b is turned off (step S63). Thereby, only gas is supplied into the three developer nozzles 311. As a result, the developer remaining in the three developer nozzles 311 (the two-fluid mixing space MSP of the developer nozzle 311 (see FIG. 7)) is discharged to the outside of the developer nozzle 311.
  • the control unit 90 determines whether the liquid ejection period T2 has elapsed since time t3 (step S64). If the liquid ejection period T2 has not elapsed since time t3, the liquid ejection operation continues to be performed. At time t4 when the liquid ejection period T2 has elapsed from time t3, the gas supply section 11a to the developer nozzle 311 is turned off (step S65).
  • the liquid ejection period T2 is a predetermined period.
  • the supply of the developer to the developer nozzle 311 is stopped, and then the gas is supplied to the developer nozzle 311.
  • the operation until the supply of the developer is stopped is called the operation for discharging the retained developer.
  • the control unit 90 determines whether the rinse liquid supply period T1 has elapsed since time t2 (step S66). If the rinsing liquid supply period T1 has not elapsed since time t2, the mixed liquid of the rinsing liquid and gas continues to be sprayed onto the substrate W from the three rinsing liquid nozzles 312. At time t5, when the rinse liquid supply period T1 has elapsed from time t2, the rinse liquid supply section 11c is turned off (step S67). Thereby, only gas is supplied into the rinse liquid nozzle 312. As a result, the rinse liquid remaining in the two-fluid mixing spaces MSP (see FIG. 7) of the three rinse liquid nozzles 312 is discharged to the outside of the rinse liquid nozzles 312.
  • the control unit 90 determines whether the liquid ejection period T2 has elapsed since time t5 (step S68). If the liquid ejection period T2 has not elapsed since time t5, the liquid ejection operation continues to be performed. At time t6, when the liquid ejection period T2 has elapsed from time t5, the gas supply section 11a is turned off (step S69). The processing liquid supply process ends after the operations from step S61 to step S69 described above.
  • the liquid ejection period T2 is determined based on the volume of the two-fluid mixing space MSP (see FIG. 7) that each of the developer nozzle 311 and the rinse liquid nozzle 312 has. Further, the liquid ejection period T2 may be determined based on the flow rate of gas supplied to the developer nozzle 311 and the rinse liquid nozzle 312. It is preferable that the liquid ejection period T2 is set to be greater than 0.1 seconds and smaller than 1.0 seconds, for example. More preferably, the liquid ejection period T2 is set to 0.5 seconds.
  • the second liquid mixture which is a mixture of the rinse liquid and gas, is supplied to the substrate W from the rinse liquid nozzle 312 during the rinse liquid supply period T1.
  • the operation of discharging the retained developer is performed.
  • gas is supplied to the developer nozzle 311, so that the developer accumulated in the developer nozzle 311 is removed from the outside. is discharged.
  • gas is supplied to the rinsing liquid nozzle 312, so that the rinsing liquid accumulated in the rinsing liquid nozzle 312 is It is discharged to the outside.
  • the supply of gas is stopped after the supply of liquid to the developer nozzle 311 and the rinse liquid nozzle 312 is stopped due to the liquid discharge operation.
  • the liquid that has not been ejected remains in the developer nozzle 311 and the rinse liquid nozzle 312.
  • gas is supplied to the developer nozzle 311 and the rinse solution nozzle 312, so that the liquid remaining in the developer solution nozzle 311 and the rinse solution nozzle 312 is transferred to the developer solution nozzle 311 and the rinse solution nozzle 312. depart from.
  • the liquid remaining in the developer nozzle 311 and the rinse solution nozzle 312 is suppressed from falling from the developer solution nozzle 311 and the rinse solution nozzle 312.
  • the liquid ejection period T2 is determined based on the volume of the two-fluid mixing space MSP, it becomes possible to discharge the liquid remaining in the developer nozzle 311 and the rinse liquid nozzle 312 more accurately.
  • gas is supplied to the developer nozzle 311 during the liquid discharge period T2 after the supply of the developer to the developer nozzle 311 is stopped, and the gas is supplied to the developer nozzle 311, and the rinsing liquid nozzle Gas is supplied to the rinse liquid nozzle 312 during a liquid discharge period T2 after the supply of the rinse liquid is stopped at 312.
  • gas introduction portions 311b, 311c (312b, 312c) for introducing gas into the developer nozzle 311 are provided.
  • the present invention is not limited thereto.
  • a single gas introduction part for introducing gas into the developer nozzle 311 may be provided.
  • the gas introduction parts 311b and 311c are connected to the gas retention space GSP in the developer nozzle 311, but are not connected to the two-fluid mixing space MSP where gas and liquid are mixed. You can leave it there.
  • the two-fluid mixing space MSP is formed in the developer nozzle 311, but the present invention is not limited to this.
  • FIG. 13 is a diagram for explaining the configuration of a developer nozzle 311 according to another embodiment. As shown in FIG. 13, the developer nozzle 311 according to another embodiment does not have the two-fluid mixing space MSP that the developer nozzle 311 shown in FIG. The gas and liquid are mixed.
  • the developer nozzle 311 includes a liquid introduction part 311a and a gas introduction member 311B.
  • a flow path FPa is formed along the axis AX of the liquid introduction part 311a.
  • a liquid discharge port a3 that opens the flow path FPa to the outside is formed at the lower end of the liquid introduction part 311a.
  • the liquid introduction part 311a is inserted into the gas introduction member 311B.
  • the gas introduction member 311B has a gas retention space GSP that surrounds a part of the liquid introduction part 311a by the inner wall of the gas introduction member 311B and the outer wall of the gas introduction part 311a.
  • a gas discharge port b3 that opens the gas retention space GSP to the outside is formed at the lower end of the gas introduction member 311B.
  • the gas outlet b3 surrounds the liquid outlet a3.
  • the diameter of the gas retention space GSP decreases toward the bottom in the vicinity of the gas discharge port b3.
  • a gas introduction portion 311b communicating with the gas retention space GSP is provided on the peripheral wall of the main body portion 311A.
  • the liquid discharged from the liquid discharge port a3 and the gas discharged from the gas discharge port b3 are mixed outside near the lower end of the developer nozzle 311, so that a mixed liquid is formed. generated, and the mixed liquid is injected.
  • the gas supply section 11a supplies gas to the rinsing liquid nozzle 312, and the rinsing liquid supplies the rinsing liquid to the rinsing liquid nozzle 312.
  • the supply unit 11c is turned on, the present invention is not limited thereto.
  • the gas supply section 11a and the rinse liquid supply section 11c may be turned on, for example, at time t3, which indicates the time when the supply of the developer to the developer nozzle 311 is stopped. In this case, when the liquid supplied to the substrate W is immediately switched from the developer to the rinse liquid in the treatment liquid supply process, the developer is supplied to the substrate W while the rinse liquid is being supplied. can be made as short as possible. Therefore, the throughput of the developing device 1 can be improved.
  • the developer nozzle 311 and the rinse liquid nozzle 312 are examples of two-fluid nozzles
  • the developer supply part 11b and the rinse liquid supply part 11c are examples of liquid supply parts
  • the two-fluid mixing space The MSP is an example of a mixing section
  • the suction holding section 71 is an example of a substrate support section
  • the developer nozzle 311 is an example of a first two-fluid nozzle
  • the rinse solution nozzle 312 is an example of a second two-fluid nozzle. This is an example of a nozzle.
  • a two-fluid ejection device includes: a two-fluid nozzle capable of discharging a mixture of liquid and gas; a gas supply unit that supplies the gas to the two-fluid nozzle; a liquid supply unit that supplies the liquid to the two-fluid nozzle; When controlling the gas supply unit and the liquid supply unit to stop discharging the mixed liquid from the two-fluid nozzle, a control unit that stops the supply of the gas after stopping the supply of the liquid; Be prepared.
  • the supply of gas to the two-fluid nozzle is stopped after the supply of liquid is stopped.
  • liquid that has not been ejected from the two-fluid nozzle remains.
  • gas is supplied to the two-fluid nozzle, so the liquid remaining in the two-fluid nozzle leaves the two-fluid nozzle.
  • the two-fluid nozzle includes a mixing part where the liquid and the gas are mixed, The time from when the supply of the liquid is stopped to when the supply of the gas is stopped may be determined based on the volume of the mixing section.
  • the time from when the supply of liquid is stopped to when the supply of gas is stopped is determined based on the volume of the mixing section, so that the two-fluid nozzle can be used more accurately. It becomes possible to drain the remaining liquid.
  • the substrate processing apparatus according to Section 3, a substrate support part that supports the substrate; further comprising: a nozzle drive unit configured to be able to move the two-fluid nozzle between a standby position located outside the substrate supported by the substrate support unit and a discharge position located above the substrate.
  • the control unit may stop the supply of the gas after stopping the supply of the liquid. You may stop.
  • the substrate processing apparatus includes a first two-fluid nozzle capable of discharging a first mixed liquid in which a developer as the liquid and the gas are mixed, and a second two-fluid nozzle in which a rinsing liquid as the liquid and the gas are mixed. a second two-fluid nozzle capable of discharging a mixed liquid of
  • the control unit controls the supply of the developer when stopping the discharge of the first mixed liquid from the first two-fluid nozzle in a development process in which a rinsing liquid is supplied after starting supply of the developer to the substrate.
  • the supply of the gas may be stopped after the gas is stopped.
  • the gas supply is started after the supply of the developer is stopped. will be stopped. Thereby, while the rinsing liquid is being supplied to the substrate, excess developer remaining in the first two-fluid nozzle is removed. Therefore, adhesion of the developer to the substrate can be avoided. As a result, development processing can be performed efficiently.
  • a two-fluid nozzle control method for controlling a substrate processing apparatus equipped with a two-fluid nozzle capable of discharging a mixed liquid of a liquid and a gas, the method comprising: supplying the liquid to the two-fluid nozzle; supplying the gas to the two-fluid nozzle; When stopping the discharge of the mixed liquid from the two-fluid nozzle, the method includes the step of stopping the supply of the gas after stopping the supply of the liquid.
  • the gas supply to the two-fluid nozzle is stopped after the liquid supply is stopped.
  • liquid that has not been ejected from the two-fluid nozzle remains.
  • gas is supplied to the two-fluid nozzle, so the liquid remaining in the two-fluid nozzle leaves the two-fluid nozzle.
  • the two-fluid nozzle control method described in Section 6 includes: The time from when the supply of the liquid is stopped until when the supply of the gas is stopped may be determined based on the volume of a mixing section in which the liquid and the gas of the two-fluid nozzle are mixed.
  • the time from when the liquid supply is stopped to when the gas supply is stopped is determined based on the volume of the mixing section. It becomes possible to drain the liquid remaining in the nozzle.
  • the substrate processing apparatus includes: a substrate support part that supports the substrate; A nozzle drive unit that moves the two-fluid nozzle between a standby position located outside the substrate supported by the substrate support and a processing position located above the substrate supported by the substrate support. and, The step of stopping the supply of gas includes, before the two-fluid nozzle is moved by the nozzle driving unit, stopping the supply of the liquid to the two-fluid nozzle, and then stopping the supply of the gas. .
  • the supply of liquid is stopped and then the supply of gas is stopped. Therefore, in the two-fluid nozzle, gas is supplied after the supply of liquid is stopped, so that excess developer remaining in the two-fluid nozzle is removed. As a result, it is possible to suppress the liquid from falling during movement of the nozzle.
  • the two-fluid nozzle includes a first two-fluid nozzle capable of discharging a first mixed liquid in which a developer and the gas are mixed, and a second two-fluid nozzle capable of discharging a second mixed liquid in which a rinsing liquid and the gas are mixed. a second two-fluid nozzle;
  • the step of stopping the gas supply includes stopping discharge of the first mixed liquid from the first two-fluid nozzle in a development process in which the rinsing liquid is supplied after starting the supply of the developer to the substrate.
  • the method includes the step of stopping the supply of the gas after stopping the supply of the developer.
  • dropping of droplets from the two-fluid nozzle is suppressed, thereby suppressing air pollution caused by volatilization of droplets. be able to. Thereby, it is possible to contribute to reducing pollution of the global environment.

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Abstract

二流体吐出装置は、二流体ノズルと、気体供給部と、液体供給部と、制御部と、を備える。二流体ノズルは、液体および気体が混合された混合液を吐出することが可能である。二流体ノズルにおいては、気体供給部から気体が供給される。また、二流体ノズルにおいては、液体供給部から液体が供給される。制御部は、気体供給部および液体供給部を制御することにより、二流体ノズルからの混合液の吐出を停止する場合、液体の供給を停止した後に気体の供給を停止する。

Description

二流体吐出装置、基板処理装置および二流体ノズル制御方法
　本発明は、二流体吐出装置、基板処理装置および二流体ノズル制御方法に関する。
　基板処理装置においては、基板の上方の処理位置と基板の外方に配置される待機位置との間を、基板処理に用いられる処理液を基板に供給するために処理用ノズルを移動させる。処理用ノズルが処理位置と待機位置との間を移動する間は処理液の供給は停止される。処理用ノズルが移動する場合、その移動により処理用ノズルから処理液の液滴が落下する場合がある。そこで、処理用ノズルの移動途中で処理用ノズルからの処理液の落下を防止することが求められる。
　特許文献１には、二流体ノズルを移動させる前に液滴除去ノズルから二流体ノズルに気体を吹き付けることにより、二流体ノズルに付着していた液体を除去することが記載されている。
国際公開第２００７／１３２６０９号公報
　しかしながら、特許文献１においては、二流体ノズルの外部から気体を吹き付けることにより二流体ノズルの外部に付着した処理液は除去されるが、二流体ノズルに残存する処理液を十分に除去することが困難であった。このため、二流体ノズルの移動中に二流体ノズルから液滴が落下する場合がある。
　本発明の目的は、二流体ノズルからの液滴の落下を抑制した二流体吐出装置、基板処理装置、二流体ノズル制御方法および基板処理装置制御方法を提供することである。
　（１）一態様に係る二流体吐出装置は、液体および気体が混合された混合液を吐出可能な二流体ノズルと、二流体ノズルに気体を供給する気体供給部と、二流体ノズルに液体を供給する液体供給部と、気体供給部および液体供給部を制御して、二流体ノズルからの混合液の吐出を停止する場合、液体の供給を停止した後に気体の供給を停止する制御部と、を備える。
　（２）他の態様に係る二流体ノズル制御方法は、液体および気体が混合された混合液を吐出可能な二流体ノズルを備えた基板処理装置を制御する二流体ノズル制御方法であって、二流体ノズルに液体を供給するステップと、二流体ノズルに気体を供給するステップと、二流体ノズルからの前記混合液の吐出を停止する場合、液体の供給を停止した後に気体の供給を停止するステップと、を含む。
　本発明によれば、二流体ノズルからの液滴の落下を抑制することが可能になる。
図１は本発明の一実施の形態に係る現像装置の概略構成を説明するための模式的斜視図である。 図２は液処理ユニットの一部の構成を説明するための模式的断面図である。 図３は液処理ユニットの構成を説明するための第１の斜視図である。 図４は液処理ユニットの構成を説明するための第２の斜視図である。 図５はノズルアームユニットの斜視図である。 図６はノズルアームユニットを所定の鉛直面で切断した縦断面図である。 図７はズルの構成の一例を示す縦断面図である。 図８は現像装置の制御部の構成を示すブロック図である。 図９は現像装置による基板の現像処理時の基本動作を示すフローチャートである。 図１０は処理前ディスペンス処理を示すフローチャートである。 図１１は処理液供給処理を示すフローチャートである。 図１２は処理液供給処理における液体および気体の供給および停止を示すタイミングチャートである。 図１３は他の実施の形態に係るノズルの構成を説明するための図である。
　以下、本発明の実施の形態に係る基板処理装置について図面を参照しつつ説明する。以下の説明において、基板とは、液晶表示装置または有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置等に用いられるＦＰＤ（Flat Panel Display）用基板、半導体基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板または太陽電池用基板等をいう。
　基板処理装置の一例として、現像装置を説明する。本実施の形態において現像処理の対象となる基板は、主面および裏面を有する。また、本実施の形態に係る現像装置においては、基板の主面が上方に向けられ、基板の裏面が下方に向けられた状態で、基板の裏面（下面）が保持され、基板の主面（上面）に現像処理が行われる。
　基板の主面の少なくとも中央部には露光処理後の感光性膜が形成されている。この感光性膜は、例えばネガ型の感光性ポリイミド膜である。露光されたネガ型の感光性ポリイミド膜を溶解する現像液として、シクロヘキサノンまたはシクロペンタノン等を含む有機溶剤が用いられる。また、リンス液として、イソプロピルアルコールまたはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）等を含む有機溶剤が用いられる。
　なお、本実施の形態において、「基板の現像処理」とは、基板の主面に形成された露光処理後の感光性膜に現像液を供給することにより、その感光性膜の一部を溶解することを意味する。
　（１）現像装置の構成
　図１は、本発明の一実施の形態に係る現像装置の概略構成を説明するための模式的斜視図である。図１に示すように、現像装置１は、基本的に筐体ＣＡ内に２つの液処理ユニットＬＰＡ，ＬＰＢが収容された構成を有する。図１では、２つの液処理ユニットＬＰＡ，ＬＰＢの概略形状が点線で示される。液処理ユニットＬＰＡ，ＬＰＢの構成の詳細については後述する。
　筐体ＣＡは、水平面内で一方向に延びる略直方体の箱形状を有する。具体的には、筐体ＣＡは、第１の側壁板１ｗ、第２の側壁板２ｗ、第３の側壁板３ｗ、第４の側壁板４ｗ、床板５ｗおよび天井板６ｗが図示しないフレームに取り付けられることにより形成される。以下の説明では、水平面内で筐体ＣＡが延びる方向に平行な方向を適宜第１の方向Ｄ１と呼び、水平面内で第１の方向Ｄ１に直交する方向を適宜第２の方向Ｄ２と呼ぶ。２つの液処理ユニットＬＰＡ，ＬＰＢは、筐体ＣＡ内で第１の方向Ｄ１に並ぶように床板５ｗ上に配置されている。
　第１および第２の側壁板１ｗ，２ｗは、矩形の板形状を有し、上下方向および第１の方向Ｄ１に平行でかつ互いに対向するように設けられている。第３および第４の側壁板３ｗ，４ｗは、矩形の板形状を有し、上下方向および第２の方向Ｄ２に平行でかつ互いに対向するように設けられている。
　第２の側壁板２ｗには、筐体ＣＡの内部と筐体ＣＡの外部との間で基板を搬送するための２つの搬入搬出口ｐｈが形成されている。２つの搬入搬出口ｐｈは、第２の側壁板２ｗのうち第２の方向Ｄ２において液処理ユニットＬＰＡ，ＬＰＢに対向する２つの部分にそれぞれ形成されている。天井板６ｗには、第１の方向Ｄ１に並ぶように、２つの開口ｏｐ１が形成されている。天井板６ｗにおける２つの開口ｏｐ１の開口率は、筐体ＣＡの上端全体が上方に開放されている状態と同じ程度に十分に大きく設定されている。
　天井板６ｗの２つの開口ｏｐ１をそれぞれ塞ぐように、天井板６ｗの上方に２つのフィルタＦＬが設けられている。なお、２つのフィルタＦＬは、天井板６ｗの直下に設けられてもよい。図１では、２つのフィルタＦＬが太い一点鎖線で示される。２つのフィルタＦＬは、例えばＵＬＰＡ（Ultra Low Penetration Air）フィルタであり、筐体ＣＡを構成する図示しないフレームまたは天井板６ｗに取り付けられている。筐体ＣＡの天井板６ｗ上には、２つのフィルタＦＬを取り囲むように空気ガイドＡＧが設けられている。図１では、空気ガイドＡＧが二点鎖線で示される。
　筐体ＣＡの外部には、気体供給部１０が設けられている。気体供給部１０は、例えばエアーコントロールユニットであり、現像装置１の電源がオンされている間、予め定められた条件を満たすように温度および湿度等の空気の状態を調整する。また、気体供給部１０は、状態が調整された空気をダクトＤＵを通して空気ガイドＡＧに供給する。この場合、空気ガイドＡＧは、気体供給部１０から供給された空気を、２つのフィルタＦＬを通して天井板６ｗの２つの開口ｏｐ１に導く。それにより、温度および湿度等が調整された清浄な空気が筐体ＣＡ内に供給され、筐体ＣＡの内部空間ＳＰの全体に下降気流が発生する。
　筐体ＣＡの外部には、気体供給部１１ａおよび現像液供給部１１ｂおよびリンス液供給部１１ｃが設けられている。図１においては、気体供給部１１ａ、現像液供給部１１ｂおよびリンス液供給部１１ｃが液処理ユニットＬＰＢに接続される例が示されているが、液処理ユニットＬＰＡについても、別の気体供給部１１ａ、現像液供給部１１ｂおよびリンス液供給部１１ｃが接続されている。気体供給部１１ａは、気体供給源を含む。それにより、気体供給経路１２ａを通して液処理ユニットＬＰＡ，ＬＰＢに気体が供給される。現像液供給部１１ｂは、現像液供給源を含む。それにより、現像液供給経路１２ｂを通して液処理ユニットＬＰＡ，ＬＰＢに現像液が供給される。リンス液供給部１１ｃは、リンス液供給源を含む。それにより、リンス液供給経路１２ｃを通して液処理ユニットＬＰＡ，ＬＰＢにリンス液が供給される。図１では、気体供給経路１２ａ、現像液供給経路１２ｂおよびリンス液供給経路１２ｃが一点鎖線で示される。なお、本実施の形態において、気体供給経路１２ａ、現像液供給経路１２ｂおよびリンス液供給経路１２ｃは、１または複数の配管およびバルブ等により構成される。
　現像装置１は、さらに制御部９０を有する。制御部９０は、例えばＣＰＵ（中央演算処理装置）およびメモリ、またはマイクロコンピュータを含み、液処理ユニットＬＰＡ，ＬＰＢおよびそれらにそれぞれ対応して設けられる気体供給部１１ａ、現像液供給部１１ｂおよびリンス液供給部１１ｃを制御する。制御部９０の詳細は後述する。
　（２）液処理ユニットの構成
　（２－１）液処理ユニットＬＰＡ，ＬＰＢの構成の概略
　図１の２つの液処理ユニットＬＰＡ，ＬＰＢは、一部の構成要素が第１の方向Ｄ１に直交する面（鉛直面）を基準として互いに対称となるように設けられる点を除いて、基本的に同じ構成を有する。したがって、以下の説明では特に言及しない限り２つの液処理ユニットＬＰＡ，ＬＰＢを代表して液処理ユニットＬＰＢの構成を説明する。
　図２は、図１の液処理ユニットＬＰＡ，ＬＰＢの一部の構成を説明するための模式的断面図である。図２に示すように、液処理ユニットＬＰＢは、区画板１００、筒部材２００、カップ４０、収容器５０および待機ポッド５００を含む。
　筐体ＣＡ内では、収容器５０が床板５ｗ（図１）上に固定される。収容器５０は、側壁部５１および底部５２を含む。側壁部５１は、円環形状の水平断面を有し、一定の内径および一定の外径で上下方向に延びるように形成されている。底部５２は、側壁部５１の下端を閉塞するように形成されている。
　底部５２には、２つの貫通孔が形成されている。底部５２の一方の貫通孔の形成部分に排気管６１が接続されている。排気管６１は、筐体ＣＡ内の雰囲気を、筐体ＣＡの外部に設けられる図示しない排気装置に導く。収容器５０において、排気管６１の端部（開口端）は底部５２よりも上方に位置する。
　また、底部５２には、他方の貫通孔の形成部分に排液管６２がさらに接続されている。排液管６２は、基板Ｗの現像処理時に、カップ４０から収容器５０の底部に流れる液体（現像液およびリンス液）を筐体ＣＡの外部に設けられる図示しない排液装置に導く。収容器５０において、排液管６２の端部（開口端）は排気管６１の端部よりも下方に位置する。
　収容器５０内には、基板保持装置７０の少なくとも下部が収容される。具体的には、基板保持装置７０は、吸着保持部７１、スピンモータ７２およびモータカバー７９を含む。スピンモータ７２は、平面視で収容器５０の中央に位置するように底部５２上に固定されている。スピンモータ７２には、上方に向かって延びるように回転軸７３が設けられている。回転軸７３の上端に吸着保持部７１が設けられている。吸着保持部７１は、収容器５０の上端よりも上方に突出している。
　収容器５０の外部には、図示しない吸引装置が設けられている。吸着保持部７１は、吸引装置が動作することにより基板Ｗの裏面中央部を吸着可能に構成されている。吸着保持部７１が基板Ｗの裏面中央部を吸着することにより、基板Ｗが収容器５０の上方の位置で水平姿勢で保持される。また、基板Ｗが吸着保持部７１により吸着保持された状態でスピンモータ７２が動作することにより、基板Ｗが水平姿勢で回転する。
　モータカバー７９は、略椀形状を有し、開放された径大部分が下方を向くように収容器５０に固定されている。モータカバー７９は、そのモータカバー７９の上端中央部の貫通孔に回転軸７３が挿入された状態で、回転軸７３を除くスピンモータ７２の上端部分と水平面内でスピンモータ７２を取り囲む一定幅の空間とを上方から覆っている。モータカバー７９の外周端部と側壁部５１の内周面との間には、一定幅の隙間が形成されている。
　ここで、上記の排気管６１の端部は、平面視でモータカバー７９の内側に位置し、側面視でモータカバー７９の下端よりも上方に位置する。それにより、基板Ｗの現像処理時に、収容器５０の上方から落下する液体（現像液およびリンス液）が排気管６１の内部に進入することが防止される。
　収容器５０内には、基板保持装置７０の下部に加えて、カップ４０の少なくとも下端が収容される。ここで、カップ４０は、収容器５０内で上下方向に移動可能に構成されている。また、カップ４０は、筒状壁部４１および液受け部４２を含む。筒状壁部４１および液受け部４２の各々は、円環形状の水平断面を有し、少なくとも上下方向に延びるように設けられている。カップ４０は、平面視で基板保持装置７０を取り囲むように構成されている。
　液受け部４２の外径および内径は、液受け部４２の上端から下方に向かうにつれて漸次拡大されている。液受け部４２の下端の外径（液受け部４２の最大外径）は、収容器５０の側壁部５１の内径よりも小さい。そのため、液受け部４２の外周端部と側壁部５１の内周面との間には、一定幅の隙間が形成されている。筒状壁部４１は、一定の内径および一定の外径で、液受け部４２の上端から上方に向かって延びるように形成されている。
　筒部材２００は、円筒形状を有し、図示しないブラケットを介して筐体ＣＡの一部に固定されている。筒部材２００の内径は、カップ４０の筒状壁部４１の外径よりも大きい。区画板１００は、略円板形状を有し、筒部材２００の上端部近傍でかつ筒部材２００の内周面全体に接するように、筒部材２００に取り付けられている。区画板１００の略中央部には、第１の方向Ｄ１に延びる長方形のノズル開口１１０が形成されている。ノズル開口１１０は、基板Ｗの現像処理時に、基板保持装置７０により保持される基板Ｗの中央部分に対向する。区画板１００には、複数の貫通孔（図示せず）がノズル開口１１０を除く区画板１００の全体に渡って分散するように形成されている。
　筐体ＣＡ内で収容器５０の近傍には昇降駆動部（図示せず）が設けられている。昇降駆動部は、モータまたはエアシリンダ等の駆動機構を含み、カップ４０を支持するとともにカップ４０を上下動させることにより、カップ４０を第１の状態と第２の状態とに移行させる。ここで、第１の状態とは、カップ４０が収容器５０の内部の位置まで下降した状態を示す。第２の状態とは、カップ４０の上端が筒部材２００の下端よりも上方の位置まで上昇した状態を示す（図２の状態）。
　現像装置１においては、液処理ユニットＬＰＡ，ＬＰＢに対する基板Ｗの搬入搬出時に、カップ４０が第１の状態で維持される。それにより、現像装置１の外部から搬入される基板Ｗを液処理ユニットＬＰＡ，ＬＰＢの吸着保持部７１上に載置することができる。また、液処理ユニットＬＰＡ，ＬＰＢの吸着保持部７１上に載置された基板Ｗを取り出し、現像装置１の外部に搬出することができる。
　カップ４０が第２の状態においてカップ４０の液受け部４２の内周面は、基板保持装置７０により保持される基板Ｗを水平面内で取り囲む。それにより、基板Ｗの現像処理時に複数のノズル３１０から基板Ｗに供給される現像液およびリンス液の大部分は、液受け部４２の内周面により受け止められて、収容器５０へ導かれる。
　一方、基板保持装置７０により保持される基板Ｗの現像処理時に、液処理ユニットＬＰＡ，ＬＰＢの各々において、カップ４０が第２の状態で維持されカバー部材３３０が区画板１００のノズル開口１１０を覆う。それにより、筐体ＣＡの内部空間ＳＰが、液処理ユニットＬＰＡ，ＬＰＢの区画板１００、筒部材２００、カバー部材３３０、カップ４０および収容器５０により、処理空間ＳＰａと非処理空間ＳＰｂとに区画される。処理空間ＳＰａは基板保持装置７０により保持される基板Ｗを含む空間であり、非処理空間ＳＰｂは処理空間ＳＰａを取り囲む空間である。
　図３は、図１の液処理ユニットＬＰＢの構成を説明するための第１の斜視図である。図３に示すように、図１の筐体ＣＡ内では、ノズル駆動部４００が第１の方向Ｄ１において収容器５０に隣り合うように設けられている。ノズル駆動部４００は、回転軸４０１を有するモータとアクチュエータとを含む。アクチュエータは、エアシリンダ、液圧シリンダまたはモータ等を含み、回転軸４０１を有するモータが上下方向に移動可能となるように、当該モータを床板５ｗ（図１）上に支持する。回転軸４０１は、ノズル駆動部４００の上端部に位置する。
　図１の筐体ＣＡ内では、床板５ｗ（図１）上に待機ポッド５００がさらに設けられている。ノズル駆動部４００および待機ポッド５００は、収容器５０の側方の位置で間隔をおいて第２の方向Ｄ２に並ぶ。待機ポッド５００は、第２の方向Ｄ２に一定長さ延びる箱形状を有する。待機ポッド５００の上面には、後述する複数のノズル３１０の噴射部３１０ｄを収容するための複数の待機孔５１０が形成されている。
　ノズル駆動部４００の回転軸４０１の上端部に、ノズルアームユニット３００が取り付けられている。ノズルアームユニット３００は、回転軸４０１の上端部に取り付けられた状態で、回転軸４０１とは異なる方向に直線状に延びる長手形状を有する。
　ノズル駆動部４００のモータが上下方向に移動すると、ノズルアームユニット３００は上下方向に移動する。また、ノズル駆動部４００のモータが動作すると、ノズルアームユニット３００は回転軸４０１を中心として水平面内で回転する。本実施の形態では、図３に示すように、複数のノズル３１０は、基板Ｗに対する現像処理が行われる間、基板保持装置７０により保持される基板Ｗの上方の処理位置Ｐ２で保持される。複数のノズル３１０が処理位置Ｐ２に位置する状態において、平面視で複数のノズル３１は基板Ｗと重なる。図３においては、複数のノズル３１０が処理位置Ｐ２に位置する状態が示される。なお、図３には、待機位置Ｐ１および処理位置Ｐ２がそれぞれ白抜きの矢印で示されている。
　図４は、図１の液処理ユニットＬＰＢの構成を説明するための第２の斜視図である。図４に示すように、ノズルアームユニット３００の複数のノズル３１０は、基板Ｗに対する現像処理が行われない間、基板保持装置７０により保持される基板Ｗの外方の待機位置Ｐ１で保持される。複数のノズル３１０が待機位置Ｐ１に位置する状態において、平面視で複数のノズル３１は基板Ｗと重ならない。なお、図４には、待機位置Ｐ１および処理位置Ｐ２がそれぞれ白抜きの矢印で示されている。ノズル３１０が待機位置Ｐ１で保持されている間、ノズル３１０が待機ポッド５００の待機孔５１０に収容される。本実施の形態においては、ノズル３１０内に滞留する液体を吐出する動作が行われる。以下、この動作を処理前ディスペンス処理と呼ぶ。処理前ディスペンス処理の詳細については、後述する。
　待機ポッド５００には、ノズルアームユニット３００が待機位置Ｐ１に位置する状態において、複数のノズル３１０から噴射された液体または落下した液体を筐体ＣＡの外部に排出する排液管（図示せず）が接続されている。また、待機ポッド５００には、当該待機ポッド５００内部の雰囲気を筐体ＣＡの外部に排出する排気管（図示せず）が接続されている。
　（２－２）ノズルアームユニット３００
　ノズルアームユニット３００は、主として、複数（本例では６個）のノズル３１０、支持体３２０およびカバー部材３３０から構成される。図５は、ノズルアームユニット３００の斜視図であり、図６は、ノズルアームユニット３００を所定の鉛直面（ノズルアームユニット３００が延びる方向に平行な鉛直面）で切断した縦断面図である。図５では、ノズルアームユニット３００の内部構造が理解しやすいように、カバー部材３３０が他の構成要素から分離された状態で示される。同様に、後述する配管ＰＰの各構成要素への接続の図示が省略される。
　支持体３２０は、例えば所定形状に切り抜き加工またはレーザ加工された一枚の金属板を適宜折り曲げ加工することにより作製される。また、支持体３２０は、一方向に延びるように形成され、一端部３２１および他端部３２２を有する。また、支持体３２０は、一端部３２１の近傍から他端部３２２に向かって延びるノズル固定部３２３を有する。ノズル３１０は、基板Ｗに現像液を供給するための３つの現像液用ノズル３１１と、基板Ｗにリンス液を供給するための３つのリンス液用ノズル３１２と、を含む。ノズル固定部３２３には、３つの現像液用ノズル３１１が所定間隔で配され、３つのリンス液用ノズル３１２が所定間隔で配置される。さらに、支持体３２０は、配管固定部３２４および２つのカバー取り付け部３２５を有する。配管固定部３２４は、他端部３２２の近傍に位置する。
　複数のノズル３１０各々は、液体および気体の混合液を噴射可能な二流体ノズルである。現像液用ノズル３１１は、当該現像液用ノズル３１１内に現像液を導入するための液体導入部３１１ａ、当該現像液用ノズル３１１内に気体を導入するための気体導入部３１１ｂ，３１１ｃおよび混合液を噴射する噴射部３１１ｄを有する。同様に、リンス液用ノズル３１２は、当該リンス液用ノズル３１２内にリンス液を導入するための液体導入部３１２ａ、当該リンス液用ノズル３１２内に気体を導入するための気体導入部３１２ｂ，３１２ｃおよび混合液を噴射する噴射部３１２ｄを有する。
　現像液用ノズル３１１の液体導入部３１１ａには、当該現像液用ノズル３１１に現像液を供給するための配管ＰＰの一端が接続される。また、現像液用ノズル３１１の気体導入部３１１ｂ，３１１ｃには、当該現像液用ノズル３１１に気体（本例では、窒素ガス）を供給するための配管ＰＰの一端が接続される。同様に、リンス液用ノズル３１２の液体導入部３１２ａには、当該リンス液用ノズル３１２にリンス液を供給するための配管ＰＰの一端が接続される。また、リンス液用ノズル３１２の気体導入部３１２ｂ，３１２ｃには、当該リンス液用ノズル３１２に気体を供給するための配管ＰＰの一端が接続される。
　配管ＰＰは、柔軟性を有する樹脂材料で形成される。このような樹脂材料としては、例えばＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）、ＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）、ＰＦＡ（テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体）等がある。
　複数の配管ＰＰの各々の一部は、現像液用ノズル３１１の液体導入部３１１ａおよび気体導入部３１１ｂ，３１１ｃから配管固定部３２４に向かって延びるように設けられ、リンス液用ノズル３１２が有する液体導入部３１２ａおよび気体導入部３１２ｂ，３１２ｃから配管固定部３２４に向かって延びるように設けられる。
　配管固定部３２４においては、複数の配管ＰＰが束ねられる。図５においては、配管固定部３２４の配管ＰＰの断面が示されている。これにより、複数の配管ＰＰが支持体３２０の他端部３２２近傍で固定される。複数の配管ＰＰのうち配管固定部３２４から支持体３２０の外方に延びる部分は、束ねられた状態で筒状結束部材３９１の内部に収容される。筒状結束部材３９１は、例えばゴムまたは樹脂で形成され、柔軟性を有する。
　カバー部材３３０は、下方が開放された箱形状を有する。カバー部材３３０の上面部３３１においては、支持体３２０の２つのカバー取り付け部３２５に対応する２つの部分に貫通孔３３１ｈが形成されている。
　支持体３２０に複数の現像液用ノズル３１１およびリンス液用ノズル３１２が取り付けられかつ複数の現像液用ノズル３１１およびリンス液用ノズル３１２に複数の配管ＰＰが接続されかつ複数の配管ＰＰが固定された状態で、支持体３２０にカバー部材３３０が取り付けられる。図５では、支持体３２０に取り付けられた場合のカバー部材３３０の状態が二点鎖線で示される。
　ここで、支持体３２０において、配管固定部３２４は、支持体３２０の他端部３２２とカバー部材３３０の他方端面部３３３との間に位置する。配管固定片３２９は、カバー部材３３０から引き出される複数の配管ＰＰが他方端面部３３３の切り欠き３３３Ｎの内縁に接触しないように、複数の配管ＰＰを束ね、配管固定部３２４に固定する。
　図６に示すように、支持体３２０にカバー部材３３０が取り付けられた状態で、液体導入部３１１ａ，３１２ａおよび気体導入部３１１ｂ，３１１ｃ，３１２ｂ，３１２ｃを除く複数のノズル３１０の大部分は、カバー部材３３０の下方に突出している。
　（２－３）現像液用ノズル３１１およびリンス液用ノズル３１２の構成
　現像液用ノズル３１１およびリンス液用ノズル３１２は、同じ構成を有する。以下の現像液用ノズル３１１およびリンス液用ノズル３１２の説明については、現像液用ノズル３１１およびリンス液用ノズル３１２を代表して現像液用ノズル３１１の構成を説明する。図７は、現像液用ノズル３１１の構成の一例を示す縦断面図である。現像液用ノズル３１１は、本体部３１１Ａを含む。本体部３１１Ａは、液体導入部３１１ａおよび２つの気体導入部３１１ｂ，３１１ｃを有する。液体導入部３１１ａは、円筒形状の円筒部３Ａと、円筒部３Ａの下端に設けられかつ円筒部３Ａの軸に垂直な衝突面３ｂを有する底部３Ｂと、を有する。図７の例では、液体導入部３１０ａは、円筒部３Ａの軸が本体部３１１Ａの軸ＡＸと一致するように本体部３１１Ａに取り付けられる。円筒部３Ａには、軸ＡＸに平行な方向に沿った流路ＦＰａが形成されており、底部３Ｂには、円筒部３Ａの軸ＡＸに垂直な方向に沿った複数の流路が形成されている。ここでは、４つの流路が形成されており、４つの流路それぞれは二流体混合空間ＭＳＰに連通する開口部ＯＰ１を有する。
　２つの気体導入部３１１ｂ，３１１ｃは、軸方向に延びる円筒形状であり、それぞれの軸が、液体導入部３１１ａの円筒部３Ａの軸ＡＸと平行となるように本体部３１１Ａの上面から本体部３１１Ａに取り付けられる。液体導入部３１１ａは、２つの気体導入部３１１ｂ，３１１ｃの間に配置される。気体導入部３１１ｂ，３１１ｃの各々には、気体導入部３１１ｂ，３１１ｃの軸に平行な方向に沿った流路ＦＰｂ，ＦＰｃが形成されている。
　本体部３１１Ａの内部には、気体滞留空間ＧＳＰおよび二流体混合空間ＭＳＰが上方からこの順に形成されている。気体滞留空間ＧＳＰは、液体導入部３１１ａの円筒部３Ａの周りを取り囲む空間であり、上方で２つの気体導入部３１１ｂ，３１１ｃの流路ＦＰｂ，ＦＰｃと接続され、下方で二流体混合空間ＭＳＰと接続される。
　二流体混合空間ＭＳＰは、二流体衝突空間ＭＳＰ１および二流体導出空間ＭＳＰ２を含む。二流体衝突空間ＭＳＰ１は、気体滞留空間ＧＳＰと二流体導出空間ＭＳＰ２との間に位置する。二流体衝突空間ＭＳＰ１は、液体導入部３１１ａの底部３Ｂを取り囲む空間を含み、上方で気体滞留空間ＧＳＰと接続され、下方で二流体導出空間ＭＳＰ２と接続される。二流体導出空間ＭＳＰ２は、内径が下方に向かって漸次減少する円錐台形状の空間である。二流体導出空間ＭＳＰ２の下端は、噴射部３１０ｄと接続される。噴射部３１０ｄは、二流体導出空間ＭＳＰ２を本体部３１１Ａの外部に開放する開口を有する。
　液体導入部３１１ａに導入される液体は、円筒部３Ａに形成された流路ＦＰａを上方から下方に進み、底部３Ｂに形成された衝突面３ｂに衝突する。衝突面３ｂに衝突した液体は、底部３Ｂに形成された複数の流路のいずれかを通って液体導入部３１０ａの開口部ＯＰ１から二流体混合空間ＭＳＰに排出される。
　一方、気体導入部３１１ｂ，３１１ｃそれぞれに導入される気体は、気体導入部３１１ｂ，３１１ｃに形成された流路ＦＰｂ，ＦＰｃを上方から下方に進み、気体滞留空間ＧＳＰに排出される。ここで、気体滞留空間ＧＳＰ内部の圧力が上昇することにより、気体滞留空間ＧＳＰ内部の気体が二流体混合空間ＭＳＰに排出される。二流体混合空間ＭＳＰの二流体衝突空間ＭＳＰ１において、液体と気体とが混合され、混合液が生成される。混合液は、二流体導出空間ＭＳＰ２を通って、噴射部３１０ｄから本体部３１１Ａの外部に噴射される。
　（３）現像装置１の制御部の構成
　図８は、図１の現像装置１の制御部９０の構成を示すブロック図である。図８に示すように、制御部９０は、第１の昇降制御部９１、気体制御部９２ａ、液体制御部９２ｂ、第１の回転制御部９３、吸引制御部９４、第２の昇降制御部９５および第２の回転制御部９６を含む。図８の制御部９０の各部の機能は、例えばＣＰＵがメモリに記憶された所定のプログラムを実行することにより実現される。
　第１の昇降制御部９１は、液処理ユニットＬＰＡ，ＬＰＢの昇降駆動部の動作を制御する。それにより、各液処理ユニットＬＰＡ，ＬＰＢのカップ４０が第１の状態と第２の状態とに移行する。気体制御部９２ａは、液処理ユニットＬＰＡ，ＬＰＢのそれぞれに対応する気体供給部１１ａの動作を制御する。液体制御部９２ｂは、液処理ユニットＬＰＡ，ＬＰＢのそれぞれに対応する現像液供給部１１ｂおよびリンス液供給部１１ｃの動作を制御する。それにより、各液処理ユニットＬＰＡ，ＬＰＢ内で複数のノズル３１０のうち３つの現像液用ノズル３１１から現像液と気体とを混合した混合液が噴射され、複数のノズル３１０のうち３つのリンス液用ノズル３１２からリンス液と気体とを混合した混合液が噴射される。
　第１の回転制御部９３は、図１の液処理ユニットＬＰＡ，ＬＰＢのスピンモータ７２の動作を制御する。また、吸引制御部９４は、液処理ユニットＬＰＡ，ＬＰＢの吸引装置（図示なし）の動作を制御する。それにより、各基板保持装置７０において基板Ｗが水平姿勢で吸着保持され、回転される。
　第２の昇降制御部９５および第２の回転制御部９６は、図１の液処理ユニットＬＰＡ，ＬＰＢのノズル駆動部４００の動作を制御する。具体的には、第２の昇降制御部９５は、各ノズル駆動部４００のアクチュエータの動作を制御する。第２の回転制御部９６は、各ノズル駆動部４００の回転軸４０１を有するモータの動作を制御する。
　（４）現像装置１の基本動作
　現像装置１の基本動作について説明する。現像装置１の基本動作は、制御部９０がメモリに記憶された所定のプログラムを実行することにより、制御部９０により実行される。図９は、現像装置１による基板Ｗの現像処理時の基本動作を示すフローチャートである。
　初期状態においては、気体供給部１０から現像装置１に温度および湿度等が調整された空気が供給されている。また、筐体ＣＡ内の雰囲気は、液処理ユニットＬＰＡ，ＬＰＢの排気管６１から図示しない排気装置に導かれている。筐体ＣＡ内には清浄な下降気流が形成されている。さらに、初期状態においては、カップ４０は、第１の状態で保持されているものとする。また、ノズルアームユニット３００は、待機位置Ｐ１に保持されているものとする。
　基板Ｗの現像処理の開始前には、まず、液処理ユニットＬＰＡ，ＬＰＢに処理対象となる基板Ｗが搬入される。また、基板保持装置７０の吸着保持部７１上に基板Ｗが載置される。基板Ｗの現像処理が開始されると、図８の吸引制御部９４は、基板保持装置７０の吸着保持部７１により基板Ｗが吸着されるように、液処理ユニットＬＰＡ，ＬＰＢの吸引装置７８を制御する（ステップＳ１）。
　次に、図８の第１の昇降制御部９１は、カップ４０が第１の状態から第２の状態へ移行するように、液処理ユニットＬＰＡ，ＬＰＢの昇降駆動部４９を制御する（ステップＳ２）。ここで、待機位置Ｐ１において、待機ポッド５００の待機孔５１０に複数のノズル３１０が収容された状態で、処理前ディスペンス処理が行われる（ステップＳ３）。処理前ディスペンス処理については、後述する。
　次に、図８の第２の昇降制御部９５および第２の回転制御部９６は、ノズルアームユニット３００が待機位置Ｐ１から処理位置Ｐ２に移動するように、液処理ユニットＬＰＡ，ＬＰＢのノズル駆動部４００を制御する（ステップＳ４）。次に、図８の第１の回転制御部９３は、基板Ｗが回転軸７３の周りで回転するように、液処理ユニットＬＰＡ，ＬＰＢのスピンモータ７２を制御する（ステップＳ５）。
　次に、図８の気体制御部９２ａおよび液体制御部９２ｂは、処理液供給処理を実行する（ステップＳ６）。処理液供給処理の詳細は後述するが、現像液と気体とを混合した第１の混合液およびリンス液と気体とを混合した第２の混合液を基板Ｗに供給する処理である。次に、図８の第１の回転制御部９３は、基板Ｗの回転を継続させることにより基板Ｗを乾燥させる。また、図８の第１の回転制御部９３は、処理液供給処理の終了から一定時間経過後に基板Ｗの回転が停止するように、液処理ユニットＬＰＡ，ＬＰＢのスピンモータ７２を制御する（ステップＳ７）。
　次に、図８の第２の昇降制御部９５および第２の回転制御部９６は、複数のノズル３１０が処理位置Ｐ２から待機位置Ｐ１に移動するように、液処理ユニットＬＰＡ，ＬＰＢのノズル駆動部４００を制御する（ステップＳ８）。それにより、ノズル３１０が待機ポッド５００の待機孔５１０に収容される。
　次に、図８の第１の昇降制御部９１は、カップ４０が第２の状態から第１の状態へ移行するように、液処理ユニットＬＰＡ，ＬＰＢの昇降駆動部４９を制御する（ステップＳ９）。最後に、図８の吸引制御部９４は、基板保持装置７０の吸着保持部７１による基板Ｗの吸着が解除されるように、液処理ユニットＬＰＡ，ＬＰＢの吸引装置７８を制御する（ステップＳ１０）。それにより、基板Ｗの現像処理が終了する。現像処理後の基板Ｗは、液処理ユニットＬＰＡ，ＬＰＢから搬出される。
　（５）処理前ディスペンス処理
　ノズル３１０の噴射部３１０ｄ付近に滞留している液体については、空気と接触する。ノズル３１０内の液体が揮発性の成分が揮発することにより、濃度が変化する場合がある。そこで、気体制御部９２ａおよび液体制御部９２ｂが液処理ユニットＬＰＡ，ＬＰＢの気体供給部１１ａ、現像液供給部１１ｂおよびリンス液供給部１１ｃを制御することにより、処理前ディスペンス処理が行われる。
　図１０は、処理前ディスペンス処理を示すフローチャートである。図１０の処理前ディスペンス処理においては、まず、複数のノズル３１０のうち３つの現像液用ノズル３１１から気体を含まない現像液が待機ポッド５００内に吐出されるとともに、複数のノズル３１０のうち３つのリンス液用ノズル３１２それぞれから気体を含まないリンス液が待機ポッド５００内に吐出される（ステップＳ３１）。次に、現像液およびリンス液の供給が停止される（ステップＳ３２）。具体的には、現像液供給部１１ｂが３つの現像液用ノズル３１１への現像液の供給を停止し、リンス液供給部１１ｃが３つのリンス液用ノズル３１２へのリンス液の供給を停止する。
　次に、３つの現像液用ノズル３１１および３つのリンス液用ノズル３１２に、気体が供給される（ステップＳ３３）。続けて、制御部９０は、予め定められた時間が経過した否かを判定する（ステップＳ３４）。なお、予め定められた時間は、後述する液体吐出期間Ｔ２に設定されてもよい。予め定められた時間が経過すると、気体供給部１１ａが現像液用ノズル３１１およびリンス液用ノズル３１２への気体の供給を停止する（ステップＳ３５）。それにより、３つの現像液用ノズル３１１およびリンス液用ノズル３１２内に現像液およびリンス液が滞留することが抑制される。その結果、現像液の濃度、リンス液の濃度を適切な状態にすることができる。
　また、現像液用ノズル３１１から現像液の吐出が終了した後の液体吐出期間Ｔ２の間、現像液用ノズル３１１に気体が供給されるので、現像液用ノズル３１１に蓄積された現像液が外部に排出される。同様に、リンス液用ノズル３１２からリンス液の吐出が終了した後の液体吐出期間Ｔ２の間、リンス液用ノズル３１２に気体が供給されるので、リンス液用ノズル３１２に蓄積されたリンス液が外部に排出される。したがって、ノズルが待機位置Ｐ1から処理位置Ｐ２に移動する間に、現像液用ノズル３１１から現像液の液滴の落下が抑制されるとともに、リンス液用ノズル３１２からリンス液の液滴の落下が防止される。
　（６）処理液供給処理
　気体制御部９２ａおよび液体制御部９２ｂが液処理ユニットＬＰＡ，ＬＰＢの気体供給部１１ａ、現像液供給部１１ｂおよびリンス液供給部１１ｃを制御することにより、処理液供給処理が行われる。
　図１１は、処理液供給処理を示すフローチャートである。図１２は、処理液供給処理における液体および気体の供給および停止を示すタイミングチャートである。図１２の第１段目に現像液用ノズル３１１に対する気体供給部１１ａからの気体の供給および停止のタイミングが示され、および第２段目に現像液用ノズル３１１に対する現像液供給部１１ｂからの現像液の供給および停止のタイミングが示される。図１１の第３段目に、リンス液用ノズル３１２に対する気体供給部１１ａからの気体の供給および停止のタイミングが示され、第４段目にリンス液用ノズル３１２に対するリンス液供給部１１ｃからの現像液の供給および停止のタイミングが示される。以下、図１１および図１２を用いて処理液供給処理を説明する。
　処理液供給処理は、基板Ｗが回転している状態で実行される。図１２においては、処理液供給処理が開始する時点が時刻ｔ１として示される。まず、時刻ｔ１において、気体供給部１１ａおよび現像液供給部１１ｂがオンされる。それにより、ノズル３１０のうち３つの現像液用ノズル３１１から現像液と気体とを混合した第１の混合液が噴射される（ステップＳ６１）。
　続いて、時刻ｔ１より後の時刻ｔ２において、気体供給部１１ａおよびリンス液供給部１１ｃがオンされる。それにより、３つのリンス液用ノズル３１２からリンス液と気体とを混合した第２の混合液が噴射される（ステップＳ６２）。時刻ｔ２以降は、第１の混合液と第２の混合液とが基板に供給される。以下、基板Ｗに対してリンス液と気体とを混合した第２の混合液が噴射される期間をリンス液供給期間Ｔ１と呼ぶ。本実施の形態において、リンス液供給期間Ｔ１は予め定められている。
　次に、時刻ｔ２より後の時刻ｔ３において、現像液供給部１１ｂがオフされる（ステップＳ６３）。それにより、３つの現像液用ノズル３１１内には、気体のみが供給される。その結果、３つの現像液用ノズル３１１内（現像液用ノズル３１１の二流体混合空間ＭＳＰ（図７参照））に滞留した現像液が現像液用ノズル３１１の外部に吐出される。
　制御部９０は、時刻ｔ３から液体吐出期間Ｔ２が経過したか否かを判定する（ステップＳ６４）。時刻ｔ３から液体吐出期間Ｔ２が経過していない場合、液体吐出動作が行われ続ける。時刻ｔ３から液体吐出期間Ｔ２が経過した時刻ｔ４において現像液用ノズル３１１に対する気体供給部１１ａがオフされる（ステップＳ６５）。
　液体吐出期間Ｔ２は、予め定められた期間である。以下、現像液用ノズル３１１が現像液と気体とを混合した第１の混合液を吐出している状態において現像液用ノズル３１１に現像液の供給を停止してから現像液用ノズル３１１に気体の供給を停止するまでの動作を滞留現像液吐出動作という。
　ここで、制御部９０は、時刻ｔ２からリンス液供給期間Ｔ１が経過したか否かを判定する（ステップＳ６６）。時刻ｔ２からリンス液供給期間Ｔ１が経過していない場合、基板Ｗに３つのリンス液用ノズル３１２からリンス液と気体とを混合した混合液が噴射され続ける。時刻ｔ２からリンス液供給期間Ｔ１が経過した時刻ｔ５において、リンス液供給部１１ｃがオフされる（ステップＳ６７）。それにより、リンス液用ノズル３１２内には、気体のみが供給される。その結果、３つのリンス液用ノズル３１２の二流体混合空間ＭＳＰ（図７参照））に滞留したリンス液がリンス液用ノズル３１２の外部に吐出される。
　制御部９０は、時刻ｔ５から液体吐出期間Ｔ２が経過したか否かを判定する（ステップＳ６８）。時刻ｔ５から液体吐出期間Ｔ２が経過していない場合、液体吐出動作が行われ続ける。時刻ｔ５から液体吐出期間Ｔ２が経過した時刻ｔ６で気体供給部１１ａがオフされる（ステップＳ６９）。上述した、ステップＳ６１～ステップＳ６９の動作を経て処理液供給処理が終了する。
　本実施の形態においては、液体吐出期間Ｔ２は、現像液用ノズル３１１およびリンス液用ノズル３１２それぞれが有する二流体混合空間ＭＳＰ（図７参照）の体積に基づいて定められる。また、液体吐出期間Ｔ２は、現像液用ノズル３１１およびリンス液用ノズル３１２に供給される気体の流量に基づいて定められてもよい。液体吐出期間Ｔ２は、例えば、０．１秒より大きく１．０秒より小さく設定されることが好ましい。液体吐出期間Ｔ２は、０．５秒に設定されることがより好ましい。
　上述したように、本実施の形態では、リンス液供給期間Ｔ１に、基板Ｗにリンス液用ノズル３１２からリンス液と気体とを混合した第２の混合液が供給される。リンス液供給期間Ｔ１の間に滞留現像液吐出動作が行われる。それにより、リンス液供給期間Ｔ１のうち滞留現像液吐出動作が終了した後の期間において基板Ｗに現像液用ノズル３１１から現像液の液滴の落下を抑制することが可能になる。その結果、基板Ｗへの現像液の液滴の落下を抑制しつつ、基板Ｗの清浄度を維持することが可能になる。
　また、現像液用ノズル３１１から現像液の吐出が終了した後の液体吐出期間Ｔ２の間、現像液用ノズル３１１に気体が供給されるので、現像液用ノズル３１１に蓄積された現像液が外部に排出される。同様に、リンス液用ノズル３１２からリンス液の吐出が終了した後の液体吐出期間Ｔ２の間、リンス液用ノズル３１２に気体が供給されるので、リンス液用ノズル３１２に蓄積されたリンス液が外部に排出される。したがって、ノズルが処理位置Ｐ２から待機位置Ｐ１に移動する間に、現像液用ノズル３１１から現像液の液滴の落下が抑制されるとともに、リンス液用ノズル３１２からリンス液の液滴の落下が防止される。
　（７）実施の形態の効果
　上記実施の形態によれば、液体吐出動作により現像液用ノズル３１１およびリンス液用ノズル３１２に対して、液体の供給が停止した後に気体の供給が停止する。この場合、液体の供給の停止により、吐出されなかった液体が現像液用ノズル３１１およびリンス液用ノズル３１２に残存する。この状態で、現像液用ノズル３１１およびリンス液用ノズル３１２に気体が供給されるので、現像液用ノズル３１１およびリンス液用ノズル３１２に残存した液体が現像液用ノズル３１１およびリンス液用ノズル３１２から離脱する。その結果、現像液用ノズル３１１およびリンス液用ノズル３１２において残存した液体が現像液用ノズル３１１およびリンス液用ノズル３１２から落下することが抑制される。
　また、液体吐出期間Ｔ２が二流体混合空間ＭＳＰの体積に基づいて定められるので、より正確に、現像液用ノズル３１１およびリンス液用ノズル３１２において残存した液体を排出することが可能になる。
　また、処理前ディスペンス処理および処理液供給処理において、現像液用ノズル３１１に現像液の供給が停止した後の液体吐出期間Ｔ２の間、現像液用ノズル３１１に気体が供給され、リンス液用ノズル３１２にリンス液の供給が停止した後の液体吐出期間Ｔ２の間、リンス液用ノズル３１２に気体が供給される。このため、３つの現像液用ノズル３１１および３つのリンス液用ノズル３１２が待機位置Ｐ１と処理位置Ｐ２との間を移動する間に、現像液用ノズル３１１およびリンス液用ノズル３１２において残存した液体が現像液用ノズル３１１およびリンス液用ノズル３１２から基板Ｗ上に落下することが抑制される。
　（８）他の実施の形態
　（８－１）上記実施の形態においては、現像液用ノズル３１１（リンス液用ノズル３１２）内に気体を導くための気体導入部３１１ｂ，３１１ｃ（３１２ｂ，３１２ｃ）を有するが、本発明はこれに限定されない。現像液用ノズル３１１内に気体を導くための単一の気体導入部を有してもよい。また、図７の例では、気体導入部３１１ｂ，３１１ｃは、現像液用ノズル３１１内の気体滞留空間ＧＳＰに接続されているが、気体と液体とが混合される二流体混合空間ＭＳＰに接続されていてもよい。さらに、図７の例においては、現像液用ノズル３１１に二流体混合空間ＭＳＰが形成されているが、本発明はこれに限定されない。
　図１３は、他の実施の形態に係る現像液用ノズル３１１の構成を説明するための図である。図１３に示すように、他の実施の形態に係る現像液用ノズル３１１は、図７に示した現像液用ノズル３１１が有する二流体混合空間ＭＳＰが形成されず、現像液用ノズル３１１の外部で気体と液体とが混合される。
　具体的には、他の実施の形態に係る現像液用ノズル３１１は、液体導入部３１１ａと、気体導入部材３１１Ｂとを含む。液体導入部３１１ａの軸ＡＸに沿って流路ＦＰａが形成されている。液体導入部３１１ａの下端には、流路ＦＰａを外部に開放する液体吐出口ａ３が形成されている。
　液体導入部３１１ａは、気体導入部材３１１Ｂ内に挿入されている。気体導入部材３１１Ｂは、気体導入部材３１１Ｂの内壁と気体導入部３１１ａの外壁とで液体導入部３１１ａの一部の周囲を囲む気体滞留空間ＧＳＰが形成されている。気体導入部材３１１Ｂの下端には、気体滞留空間ＧＳＰを外部に開放する気体吐出口ｂ３が形成されている。気体吐出口ｂ３は、液体吐出口ａ３の周辺を囲む。気体滞留空間ＧＳＰは、気体吐出口ｂ３近傍において、下方に向かうにつれて径小となっている。本体部３１１Ａの周壁には、気体滞留空間ＧＳＰに連通する気体導入部３１１ｂが設けられている。
　気体導入部３１１ｂに流路ＦＰｂを介して進入する窒素ガス等の気体は、気体滞留空間ＧＳＰに進入し、気体吐出口ｂ３近傍において流速が加速され、気体吐出口ｂ３より吐出される。
　図１３の現像液用ノズル３１１では、液体吐出口ａ３から吐出された液体と気体吐出口ｂ３から吐出された気体とが現像液用ノズル３１１の下端近傍の外部で混合されることにより混合液が生成され、当該混合液が噴射される。
　図１３の現像液用ノズル３１１に対して気体および液体の供給が停止した場合、液体吐出口ａ３付近に表面張力による液滴が残存する。そこで、気体吐出口ｂ３から気体が吐出されることにより、液体吐出口ａ３付近に残存する液滴が現像液用ノズル３１１から離脱する。
　（８－２）上記実施の形態の図１２に示される処理液供給処理においては、時刻ｔ２において、リンス液用ノズル３１２に対して気体を供給する気体供給部１１ａおよびリンス液を供給するリンス液供給部１１ｃがオンされるが、本発明はこれに限定されない。気体供給部１１ａおよびリンス液供給部１１ｃは、例えば、現像液用ノズル３１１に対して現像液の供給が停止する時点を示す時刻ｔ３にオンされてもよい。この場合、処理液供給処理において、基板Ｗに供給される液体を、現像液からリンス液に直ちに切り替える場合に、リンス液を供給している最中に現像液が基板Ｗに供給される時間をできるだけ短くすることができる。このため、現像装置１のスループットを向上することが可能になる。
　（９）請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
　以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明する。上記実施の形態では、現像液用ノズル３１１およびリンス液用ノズル３１２が二流体ノズルの例であり、現像液供給部１１ｂおよびリンス液供給部１１ｃが液体供給部の例であり、二流体混合空間ＭＳＰが混合部の例であり、吸着保持部７１が基板支持部の例であり、現像液用ノズル３１１が第１の二流体ノズルの例であり、リンス液用ノズル３１２が第２の二流体ノズルの例である。
　（１０）実施の形態の総括
　（第１項）一態様に係る二流体吐出装置は、
　液体および気体が混合された混合液を吐出可能な二流体ノズルと、
　前記二流体ノズルに前記気体を供給する気体供給部と、
　前記二流体ノズルに前記液体を供給する液体供給部と、
　前記気体供給部および前記液体供給部を制御して、前記二流体ノズルからの前記混合液の吐出を停止する場合、前記液体の供給を停止した後に前記気体の供給を停止する制御部と、を備える。
　第１項に記載の二流体吐出装置によれば、二流体ノズルに対して、液体の供給が停止した後に気体の供給が停止する。この場合、液体の供給の停止により、二流体ノズルから吐出されなかった液体が残存する。この状態で、二流体ノズルに気体が供給されるので、二流体ノズルに残存した液体が二流体ノズルから離脱する。その結果、二流体ノズルにおいて残存した液体が二流体ノズルから落下するのを抑制することが可能になる。
　（第２項）第１項に記載の二流体吐出装置において、
前記二流体ノズルは、前記液体および前記気体が混合される混合部を含み、
　前記液体の供給を停止してから前記気体の供給を停止するまでの時間は、前記混合部の体積に基づいて定められてもよい。
　第２項に記載の二流体吐出装置によれば、液体の供給を停止してから気体の供給を停止するまでの時間が混合部の体積に基づいて定められるので、より正確に、二流体ノズルにおいて残存した液体を排出することが可能になる。
　（第３項）他の態様に係る基板処理装置は、
第１項または第２項記載の前記二流体吐出装置を備える。
　第３項に記載の基板処理装置においては、二流体ノズルからの混合液の吐出が停止する際、二流体ノズルに残存した液体を排出することができるので、基板への液滴の落下を抑制することが可能になる。
　（第４項）第３項に記載の基板処理装置は、
　基板を支持する基板支持部と、
　前記基板支持部により支持された基板の外方に位置する待機位置と前記基板の上方に位置する吐出位置との間で前記二流体ノズルを移動可能に構成されたノズル駆動部と、をさらに備え、
　前記制御部は、前記ノズル駆動部により前記二流体ノズルが移動される前に、前記二流体ノズルからの前記混合液の吐出を停止する場合、前記液体の供給を停止した後に前記気体の供給を停止してもよい。
　第４項に記載の基板処理装置においては、二流体ノズルが移動する前に、液体の供給が停止された後に気体の供給が停止される。そのため、二流体ノズルにおいては、液体の供給が停止された後に気体が供給されるので、二流体ノズルに残存する余分な現像液が除去される。その結果、ノズル移動中に液体の落下を抑制することができる。
　（第５項）第３項または第４項に記載の基板処理装置は、
　前記二流体ノズルは、前記液体としての現像液と前記気体が混合された第１の混合液を吐出可能な第１の二流体ノズルと前記液体としてのリンス液と前記気体が混合された第２の混合液を吐出可能な第２の二流体ノズルとを含み、
　前記制御部は、基板に現像液の供給を開始した後にリンス液を供給する現像処理において、前記第１の二流体ノズルから前記第１の混合液の吐出を停止する場合、前記現像液の供給を停止した後に前記気体の供給を停止してもよい。
　第５項に記載の基板処理装置においては、基板の現像処理において、第１の二流体ノズルから第１の混合液の吐出が停止される場合、現像液の供給が停止された後に気体の供給が停止される。それにより、基板にリンス液が供給されている間に、第１の二流体ノズルに残存する余分な現像液が除去される。このため、基板への現像液の付着を回避することができる。その結果、効率的に現像処理を実行することができる。
　（第６項）他の態様に係る二流体ノズル制御方法は、
　液体および気体が混合された混合液を吐出可能な二流体ノズルを備えた基板処理装置を制御する二流体ノズル制御方法であって、
　前記二流体ノズルに前記液体を供給するステップと、
　前記二流体ノズルに前記気体を供給するステップと、
　前記二流体ノズルからの前記混合液の吐出を停止する場合、液体の供給を停止した後に前記気体の供給を停止するステップと、を含む。
　第６項に記載の二流体ノズル制御方法によれば、二流体ノズルに対して、液体の供給が停止した後に気体の供給が停止する。この場合、液体の供給の停止により、二流体ノズルから吐出されなかった液体が残存する。この状態で、二流体ノズルに気体が供給されるので、二流体ノズルに残存した液体が二流体ノズルから離脱する。その結果、二流体ノズルにおいて残存した液体が二流体ノズルから落下するのを抑制することが可能になる。
　（第７項）第６項に記載の二流体ノズル制御方法は、
　前記液体の供給を停止してから前記気体の供給を停止するまでの時間は、前記二流体ノズルの前記液体および前記気体が混合される混合部の体積に基づいて定められてもよい。
　第７項に記載の二流体ノズル制御方法によれば、液体の供給を停止してから気体の供給を停止するまでの時間が混合部の体積に基づいて定められるので、より正確に、二流体ノズルにおいて残存した液体を排出することが可能になる。
　（第８項）第６項または第７項に記載の二流体ノズル制御方法において、
　前記基板処理装置は、
　基板を支持する基板支持部と、
前記基板支持部により支持された前記基板の外方に位置する待機位置と前記基板支持部により支持された前記基板の上方に位置する処理位置との間で前記二流体ノズルを移動させるノズル駆動部と、を備え、
　前記気体の供給を停止するステップは、前記ノズル駆動部により前記二流体ノズルが移動される前に、前記二流体ノズルに前記液体の供給を停止した後に前記気体の供給を停止するステップを、含む。
　第８項に記載の二流体ノズル制御方法によれば、二流体ノズルが移動する前に、液体の供給が停止された後に気体の供給が停止される。そのため、二流体ノズルにおいては、液体の供給が停止された後に気体が供給されるので、二流体ノズルに残存する余分な現像液が除去される。その結果、ノズル移動中に液体の落下を抑制することができる。
　（第９項）第６項～第８項のいずれか一項に記載の二流体ノズル制御方法において、
　前記二流体ノズルは、現像液と前記気体が混合された第１の混合液を吐出可能な第１の二流体ノズルと、リンス液と前記気体が混合された第２の混合液を吐出可能な第２の二流体ノズルとを含み、
　前記気体の供給を停止するステップは、基板に前記現像液の供給を開始した後に前記リンス液を供給する現像処理において、前記第１の二流体ノズルから前記第１の混合液の吐出を停止する場合、前記現像液の供給を停止した後に前記気体の供給を停止するステップを含む。
　第９項に記載の二流体ノズル制御方法によれば、基板の現像処理において、第１の二流体ノズルから第１の混合液の吐出が停止される場合、現像液の供給が停止された後に気体の供給が停止される。それにより、基板にリンス液が供給されている間に、第１の二流体ノズルに残存する余分な現像液が除去される。このため、基板への現像液の付着を回避することができる。その結果、効率的に現像処理を実行することができる。
　上記一連の実施形態に係る二流体吐出装置、基板処理装置および二流体ノズル制御方法によれば、二流体ノズルからの液滴の落下が抑制されるので、液滴の揮発による大気汚染を抑制することができる。それにより、地球環境の汚染の低減に寄与することができる。

Claims (9)

  1. 液体および気体が混合された混合液を吐出可能な二流体ノズルと、
    　前記二流体ノズルに前記気体を供給する気体供給部と、
    　前記二流体ノズルに前記液体を供給する液体供給部と、
    　前記気体供給部および前記液体供給部を制御して、前記二流体ノズルからの前記混合液の吐出を停止する場合、前記液体の供給を停止した後に前記気体の供給を停止する制御部と、を備えた二流体吐出装置。
  2. 前記二流体ノズルは、前記液体および前記気体が混合される混合部を含み、
    　前記液体の供給を停止してから前記気体の供給を停止するまでの時間は、前記混合部の体積に基づいて定められる、請求項１記載の二流体吐出装置。
  3. 請求項１または２記載の前記二流体吐出装置を備えた、基板処理装置。
  4. 基板を支持する基板支持部と、
    　前記基板支持部により支持された基板の外方に位置する待機位置と前記基板の上方に位置する吐出位置との間で前記二流体ノズルを移動可能に構成されたノズル駆動部と、をさらに備え、
    　前記制御部は、前記ノズル駆動部により前記二流体ノズルが移動される前に、前記二流体ノズルからの前記混合液の吐出を停止する場合、前記液体の供給を停止した後に前記気体の供給を停止する、請求項３記載の基板処理装置。
  5. 前記二流体ノズルは、前記液体としての現像液と前記気体が混合された第１の混合液を吐出可能な第１の二流体ノズルと前記液体としてのリンス液と前記気体が混合された第２の混合液を吐出可能な第２の二流体ノズルとを含み、
    　前記制御部は、基板に前記現像液の供給を開始した後に前記リンス液を供給する現像処理において、前記第１の二流体ノズルから前記第１の混合液の吐出を停止する場合、前記現像液の供給を停止した後に前記気体の供給を停止する、請求項３または４記載の基板処理装置。
  6. 液体および気体が混合された混合液を吐出可能な二流体ノズルを備えた基板処理装置を制御する二流体ノズル制御方法であって、
    　前記二流体ノズルに前記液体を供給するステップと、
    　前記二流体ノズルに前記気体を供給するステップと、
    　前記二流体ノズルからの前記混合液の吐出を停止する場合、前記液体の供給を停止した後に前記気体の供給を停止するステップと、を含む、二流体ノズル制御方法。
  7. 前記液体の供給を停止してから前記気体の供給を停止するまでの時間は、前記二流体ノズルの前記液体および前記気体が混合される混合部の体積に基づいて定められる、請求項６記載の二流体ノズル制御方法。
  8. 前記基板処理装置は、
    　基板を支持する基板支持部と、
    前記基板支持部により支持された前記基板の外方に位置する待機位置と前記基板支持部により支持された前記基板の上方に位置する処理位置との間で前記二流体ノズルを移動させるノズル駆動部と、を備え、
    　前記気体の供給を停止するステップは、前記ノズル駆動部により前記二流体ノズルが移動される前に、前記二流体ノズルに前記液体の供給を停止した後に前記気体の供給を停止するステップを含む、請求項６または７記載の二流体ノズル制御方法。
  9. 前記二流体ノズルは、現像液と前記気体が混合された第１の混合液を吐出可能な第１の二流体ノズルと、リンス液と前記気体が混合された第２の混合液を吐出可能な第２の二流体ノズルと、を含み、
    　前記気体の供給を停止するステップは、基板に前記現像液の供給を開始した後に前記リンス液を供給する現像処理において、前記第１の二流体ノズルから前記第１の混合液の吐出を停止する場合、前記現像液の供給を停止した後に前記気体の供給を停止するステップを含む、請求項６～８のいずれか一項に記載の二流体ノズル制御方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59145065A (ja) * 1983-12-02 1984-08-20 Hitachi Ltd ２流体式スプレイノズル
WO2007132609A1 (ja) * 2006-05-15 2007-11-22 Tokyo Electron Limited 基板処理方法、基板処理装置および記録媒体
JP2013026381A (ja) * 2011-07-20 2013-02-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2021086994A (ja) * 2019-11-29 2021-06-03 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 現像装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59145065A (ja) * 1983-12-02 1984-08-20 Hitachi Ltd ２流体式スプレイノズル
WO2007132609A1 (ja) * 2006-05-15 2007-11-22 Tokyo Electron Limited 基板処理方法、基板処理装置および記録媒体
JP2013026381A (ja) * 2011-07-20 2013-02-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2021086994A (ja) * 2019-11-29 2021-06-03 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 現像装置

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