JP7689475B2 - 処理液収容容器、基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

Description

本開示は、処理液収容容器、基板処理装置及び基板処理方法に関する。

特許文献１は、送液機構により処理液を処理液供給路及びノズルを介して被処理体に供給する処理液供給装置を開示している。この処理液供給装置は、処理液供給路に設けられた開閉バルブと、開閉バルブとノズルとの間の処理液供給路に設けられ、処理液供給路の一部の断面積を変えて容積を調整するための流路調整部と、制御部と、を備えている。この制御部は、ノズルからの処理液の吐出を一時的に停止するために、流路調整部に対して、処理液供給路の一部の容積が第１の容積から、第１の容積よりも小さくゼロよりも大きい第２の容積となるように制御信号を出力すると共に、処理液供給路の一部の容積が第２の容積に調整された後、吐出が停止した処理液の通流が再開される前に処理液供給路が閉じられるように開閉バルブに対して制御信号を出力する。

特開２０１６－１３９６６５号公報

本開示にかかる技術は、処理液の供給経路におけるパーティクルの発生を抑制する。

本開示の一態様は、処理液を収容する処理液収容容器であって、前記処理液を貯留する容器本体と、前記容器本体に接続された処理液吸引部と、を備え、前記処理液吸引部は、中空部と、前記中空部の頂部に設けられた頂部開口と、前記中空部の底部に設けられた底部開口と、前記中空部の側部に設けられた、当該中空部内に気体を供給するための気体供給口と、前記中空部の側部に設けられた、当該中空部内の気体を排出するための気体排出口と、を有し、前記容器本体は、当該容器本体内に気体を供給するための他の気体供給口を有し、前記処理液吸引部は、前記処理液を吸引するための処理液吸引管を有し、前記処理液吸引管は、前記中空部の前記底部開口と前記容器本体とに接続されている。

本開示によれば、処理液の供給経路におけるパーティクルの発生を抑制する。

本実施形態にかかる基板処理装置の構成の概略を模式的に示す側面断面図である。 基板処理装置を構成する各部の機能を説明するための説明図である。 本実施形態にかかる処理液収容容器の構成の概略を模式的に示す斜視図である。 処理液収容容器及び気体の供給機構の説明図である。 中空部にノズルが挿入された状態を示す側面断面図である。 中空部内の気体の流れを模式的に示す側面断面図である。 中空部に供給される気体の循環構造の一例を示す説明図である。 処理液収容容器への処理液の充填方法を示す説明図である。

半導体デバイス等の製造プロセスには、レジストパターンを形成するためにレジスト液を基板に塗布する処理がある。この処理では、例えばスピンチャックに保持された半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という）を回転させながら、ウェハの中心部に処理液としてレジスト液を吐出する。レジスト液の吐出はノズルによって行われ、ノズルから吐出されるレジスト液は、レジスト液が収容されたレジスト収容容器から供給される。

ウェハに形成されるレジストパターンは微細化が進んでおり、レジストパターンのさらなる微細化に対応するためには、ウェハに付着し得るパーティクル量の低減が要求される。従来の塗布処理装置においては、例えば清浄度の高い部品を使用したり、あるいはレジスト液を吐出するノズルへのレジスト液の通液工程や、その後の塗布処理工程において、パーティクルの発生を抑制することでパーティクル量の低減を図っていた。

しかしながら、従来の塗布処理装置においては、レジスト収容容器からノズルまでのレジスト液の供給経路に、パーティクルの発生が懸念されるバルブやポンプが設置されているため、パーティクルの発生を抑制する観点からは改善の余地があった。

そこで、本開示にかかる技術は、処理液の供給経路におけるパーティクルの発生を抑制する。

以下、本実施形態にかかる処理液収容容器、基板処理装置及び基板処理方法について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

本実施形態にかかる処理液収容容器を説明するにあたり、まずは処理液収容容器を備える基板処理装置について説明する。図１は、本実施形態にかかる基板処理装置の構成の概略を模式的に示す側面断面図である。

本実施形態における基板処理装置は、基板としてのウェハＷに処理液としてのレジスト液を塗布するレジスト塗布装置１００である。レジスト塗布装置１００は、処理容器１０１を有し、処理容器１０１の側面には、ウェハＷの搬入出口（図示せず）が形成されている。処理容器１０１内には、基板保持部としてのスピンチャック１０２を有している。スピンチャック１０２は、ウェハＷを水平に保持する。スピンチャック１０２は、昇降自在な回転部１０３と接続され、回転部１０３はモータなどによって構成される回転駆動部１０４と接続されている。したがって、スピンチャック１０２上に保持されたウェハＷは、回転駆動部１０４の駆動によって回転可能である。

スピンチャック１０２の外側には、ウェハＷから飛散又は落下するレジスト液を受け止めて回収するカップ１０５が配置されている。カップ１０５の上面には、スピンチャック１０２に対するウェハＷの受け渡しの前後にウェハＷが通過する開口１０６が形成されている。カップ１０５の底部には、排液管１０７と排気管１０８が設けられている。排気管１０８は、排気ポンプなどの排気装置１０９に通じている。

処理容器１０１内には、ウェハＷの表面に向けてレジスト液を吐出するノズル１１０が配置されている。ノズル１１０は、例えばアームなどのノズル支持部１１１に設けられており、ノズル支持部１１１は駆動機構（図示せず）によって、図１中の破線で示した往復矢印Ａのように昇降自在であり、また破線で示した往復矢印Ｂのように水平移動自在である。ノズル１１０は、後述の制御部２００からの制御信号に基づいて液体の吸引と吐出が可能な構成を有している。なお、ノズル１１０の具体的な構成は、液体の吸引と吐出が可能な構成であれば特に限定されず、例えば公知の電動マイクロピペットをノズル１１０として適用することができる。

カップ１０５の外側には、レジスト液が収容されたレジスト収容部１２０と、ノズル１１０の清掃を行うノズル清掃部１３０を有している。なお、レジスト収容部１２０及びノズル清掃部１３０の説明は後述する。

レジスト塗布装置１００は、制御部２００を備えている。制御部２００は、例えばＣＰＵやメモリ等を備えたコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、レジスト塗布装置１００における各種処理を制御するプログラムが格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、当該記憶媒体Ｈから制御部２００にインストールされたものであってもよい。記憶媒体Ｈは一時的記憶媒体か非一時的記憶媒体かを問わない。プログラムの一部または全ては専用ハードウェア（回路基板）で実現してもよい。

図２は、レジスト塗布装置１００を構成する各部の機能を説明するための説明図である。ノズル１１０は、レジスト収容部１２０と、スピンチャック１０２（図２では図示せず）に保持されたウェハＷの上方と、ノズル清掃部１３０との間を移動可能である。

レジスト収容部１２０は、処理液収容容器としてのレジスト収容容器１（以下、「容器１」と記載する場合もある）を複数備えている。各容器１には、例えば種類の異なるレジスト液が収容されてもよいし、同一種類のレジスト液が収容されてもよい。あるいは、ウェハＷのプリウェット工程で使用されるシンナーなどの溶剤が収容されてもよい。容器１に収容される処理液の種類及び容器１の個数等は、基板処理装置で行う処理内容に応じて適宜変更される。

ノズル清掃部１３０は、ノズル１１０の表面に洗浄液を吹き付ける洗浄液吹付部１３１と、洗浄液が貯留する洗浄液貯留部１３２と、ノズル１１０の表面に気体を吹き付ける気体吹付部１３３を備えている。ノズル１１０は、例えばウェハＷに吐出するレジスト液の種類を変更する場合などの所定のタイミングにおいてノズル清掃部１３０に移動し、洗浄液吹付部１３１と洗浄液貯留部１３２と気体吹付部１３３を順に移動して清掃される。なお、ノズル１１０の清掃が不要である場合には、ノズル清掃部１３０を設けなくてもよい。

洗浄液吹付部１３１では、ノズル１１０の表面に、例えば純水などの洗浄液を吹き付けることによってノズル１１０の表面に付着したレジスト液が除去される。

洗浄液貯留部１３２では、例えば純水などの洗浄液にノズル１１０を浸漬させ、レジスト液の吸引と所定の吐出場所への吐出を繰り返し行うことによってノズル１１０の内部を洗浄する。なお、所定の吐出場所は、洗浄液貯留部１３２内であってもよいし、専用の吐出場所（図示せず）であってもよい。

気体吹付部１３３では、ノズル１１０の表面に例えば空気などの気体を吹き付けることによってノズル１１０の表面を乾燥させる。

なお、洗浄液吹付部１３１、洗浄液貯留部１３２及び気体吹付部１３３の具体的な構成は特に限定されない。例えば後述するようにレジスト吸引部２０の中空部２１内には気体が供給されるため、ノズル１１０を中空部２１内に挿入した状態で中空部２１内に気体を供給することによってノズル１１０の表面を乾燥させてもよい。この場合、中空部２１が気体吹付部１３３としても機能する。また例えば、洗浄液吹付部１３１を設けずに、洗浄液貯留部１３２でノズル１１０の表面を洗浄してもよい。

次に、容器１の構成の概略について説明する。図３は、本実施形態にかかる容器１の構成の概略を模式的に示す斜視図である。図４は、容器１及び容器１への気体の供給機構の説明図である。

容器１は、レジスト液を貯留する容器本体１０と、容器本体１０に接続されたレジスト吸引部２０を備えている。

容器本体１０は、例えばガラス瓶で構成され、上面には容器本体１０に気体を供給するための気体供給口１１が形成されている。気体供給口１１には、気体供給管１４０の一端が接続され、気体供給管１４０の他端は、例えば窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガスを供給する気体供給部１４１に接続されている。また、気体供給管１４０には、ガスフィルタ１４２が設けられていて、このガスフィルタ１４２によって、気体供給管１４０内を流れる気体中の不純物が除去される。気体供給管１４０内を流れる気体の流量は、制御部２００（図１）によって気体供給部１４１が制御されることで調節される。なお、容器本体１０に供給する気体の供給機構の構成は、本実施形態で説明した構成に限定されず、気体供給口１１に所定の気体を供給可能な構成であればよい。

レジスト吸引部２０は、中空状の球面体である中空部２１を備えている。中空部２１は、中空部２１の頂部に形成された頂部開口２２と、中空部２１の底部に形成された底部開口２３を備えている。頂部開口２２と底部開口２３の大きさは、ノズル１１０が通過可能な大きさであればよい。なお、中空部２１の形状は、球面体であることに限定されないが、後述のように中空部２１内に気体を供給する際に、中空部２１内における乱流の発生を抑制するためには、中空部２１の形状は球面体であることが好ましい。

中空部２１は、中空部２１内に気体を供給するための気体供給口２４と、中空部２１内の気体を排出するための気体排出口２５を有している。気体供給口２４及び気体排出口２５は、それぞれ中空部２１の側部に形成されている。なお、中空部２１内において乱流の発生を抑制する観点からは、気体排出口２５は、気体供給口２４と対向する位置に形成されていることが好ましい。

気体供給口２４には、気体供給管１５０の一端が接続され、気体供給管１５０の他端は、例えば窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガスを供給する気体供給部１５１に接続されている。また、気体供給管１５０には、ガスフィルタ１５２が設けられていて、このガスフィルタ１５２によって、気体供給管１５０内を流れる気体の不純物が除去される。気体供給管１５０内を流れる気体の流量は、制御部２００（図１）によって気体供給部１５１が制御されることで調節される。気体排出口２５には、中空部２１内に供給された気体が排出される気体排出管１５３が接続されている。

中空部２１の底部開口２３には、レジスト液を吸引するために設けられたレジスト吸引管２９が接続されている。レジスト吸引管２９は、中空部２１の底部開口２３から下方に延びて容器本体１０の下部に接続されている。本実施形態におけるレジスト吸引管２９は、底部開口２３と容器本体１０の底面１０ａの間に接続されている。

レジスト吸引管２９には、レジストフィルタ３０が設けられ、このレジストフィルタ３０によってレジスト吸引管２９内を通過するレジスト液中の不純物が除去される。なお、容器本体１０に貯留するレジスト液の清浄度が、ウェハＷに塗布するレジスト液として十分に高い清浄度である場合には、レジストフィルタ３０を設けなくてもよい。

中空部２１とレジストフィルタ３０の間には、レジスト吸引管２９内のレジスト液の液面を検知する液面センサ４０が設けられている。なお、液面の検知が可能であれば、液面センサ４０の具体的な構成は特に限定されない。

中空部２１には、中空部２１内の圧力を検知する圧力センサ５０が設けられている。なお、圧力の検知が可能であれば、圧力センサ５０の具体的な構成は特に限定されない。

図５に示すように、以上の構成を有する容器１においては、中空部２１に頂部開口２２と底部開口２３が形成されていることによって、中空部２１にノズル１１０を挿入してレジスト吸引管２９からレジスト液を吸引することができる。

ところで、中空部２１が設けられていない場合には、レジスト吸引管２９の上端からパーティクルが混入し、レジスト吸引管２９内のレジスト液及び容器本体１０内のレジスト液の清浄度が低下することが懸念される。一方、本実施形態にかかる容器１においては、図４に示す気体供給部１５１から気体が供給されることで、中空部２１内においては、図６中の矢印で示されるような気体の流れが形成される。このため、中空部２１の頂部開口２２から混入し得るパーティクルは、中空部２１内に生じている気体の流れによって、底部開口２３に到達する前に気体排出口２５から排出される。これにより、レジスト吸引管２９内のレジスト液にパーティクルが混入することを抑えることができ、レジスト液の清浄度を維持することができる。

また、中空部２１に気体が供給される容器１においては、中空部２１内に供給する気体の流量を調節することで、中空部２１内の圧力の調節が可能である。中空部２１内の圧力は、大気圧よりも高いことが好ましく、これによりレジスト液の揮発を抑制することができる。

上記の中空部２１内の圧力調節は、圧力センサ５０（図４）で測定される中空部２１内の圧力値に基づき、中空部２１への気体供給量を制御することで調節されることが好ましい。例えば中空部２１内の圧力が大気圧以下となった場合には、中空部２１内への気体供給量が増加するように気体供給部１５１を制御することで、レジスト液の揮発を抑制する効果を安定して得ることができる。

また、レジスト吸引管２９内のレジスト液を吸引すると、レジスト吸引管２９内のレジスト液の液面高さが低下するが、本実施形態における容器１では、容器本体１０の気体供給口１１（図４）から気体を供給することによって液面高さの調節が可能である。レジスト液の液面高さが一定の高さに維持されていれば、レジスト液の吸引の際に下降させるノズル１１０の下端位置を一定にすることが可能となる。これにより、レジスト液の液面高さに応じてノズル１１０の下降量を調節する必要がなくなり、ノズル１１０の移動制御を簡易化することができる。

上記の液面高さの調節は、液面センサ４０で検知されるレジスト吸引管２９内の液面高さに基づき、容器本体１０に気体を供給することによって調節されることが好ましい。例えば、液面センサ４０でレジスト液の液面高さの低下が検知された際に、気体供給部１４１を制御して容器本体１０に気体を供給することによって、液面高さを自動的に所定の高さまで上昇させることができる。

本実施形態におけるレジスト収容容器１は以上のように構成されている。なお、容器本体１０への気体供給機構や中空部２１への気体供給機構は、本実施形態で説明した構成に限定されない。例えば図７に示すように、中空部２１への気体供給機構は、中空部２１から排出された気体を再度中空部２１に供給する循環構造であってもよい。図７に示す例では、気体供給管１５０と気体排出管１５３が、例えば送風機のような気体供給部１５１を介して連結されることで循環配管が構成されている。

次に、レジスト液が充填されていない容器本体１０へのレジスト液の充填方法について説明する。図８は、レジスト充填方法の説明図である。

まず、図８（ａ）に示すように、容器本体１０の気体供給管１４０に例えば窒素ガスを供給する。このとき、容器本体１０に供給された窒素ガスは、レジスト吸引管２９を通り、レジスト吸引管２９の上端から排出される。ここで窒素ガスを供給し続けることにより、容器本体１０及びレジスト吸引管２９の内部雰囲気が窒素ガスに置換され、容器本体１０内の酸素や二酸化炭素、水分などが除去される。

次に、図８（ｂ）に示すように、レジスト吸引管２９の上端にレジスト液を注入する。このとき、気体供給管１４０への窒素ガスの供給を停止し、例えば排気ポンプ（図示せず）を用いて容器本体１０内の窒素ガスを排気する。これにより、レジスト吸引管２９が接続された容器本体１０の底面１０ａから、容器本体１０にレジスト液が流入する。そして、容器本体１０に所定量のレジスト液が貯留した後に、レジスト吸引管２９の上端へのレジスト液の注入を停止する。これにより、容器本体１０へのレジスト液の充填が完了する。

その後、図８（ｃ）に示すように、レジスト吸引管２９に中空部２１や気体供給管１５０、気体排出管１５３を取り付けて、図４に示すような容器１及び気体の供給機構を構成する。その状態の容器１をレジスト塗布装置１００の処理容器１０１内に配置することで、ウェハＷのレジスト塗布処理を行う準備が完了する。

次に、レジスト塗布装置１００によるレジスト塗布処理の方法について説明する。

まずスピンチャック１０２上にウェハＷを載置する。続いて、ノズル１１０をレジスト収容部１２０に移動させ、図５に示すように、中空部２１にノズル１１０を挿入する。そして、ノズル１１０の下端がレジスト吸引管２９内のレジスト液に浸漬するまでノズル１１０を下降させた後、ノズル１１０でレジスト液を吸引する。その後、中空部２１の外側までノズル１１０を上昇させる。

なお、レジスト液を吸引する工程においては、中空部２１に窒素ガスやアルゴンガスなどの気体が供給されているため、中空部２１の頂部開口２２から混入し得るパーティクルは、底部開口２３に到達する前に気体排出口２５から排出される。また、中空部２１内にノズル１１０が挿入された際も、中空部２１内に気体が供給され続けるため、ノズル１１０に付着するパーティクルが吹き飛ばされてパーティクル量の低減を図ることも可能である。

また、レジスト液を吸引する工程においては、ノズル１１０でレジスト液を吸引することによって、レジスト吸引管２９内のレジスト液の液面高さが低下する。レジスト液が充填された容器本体１０においては、容器本体１０への気体供給が停止した状態にあるが、液面センサ４０により液面高さの低下が検知された際には、液面高さが所定の高さまで上昇するように容器本体１０に自動的に気体が供給される。すなわち、ノズル１１０によるレジスト液の吸引後に低下した液面高さは、自動的に当初の液面高さまで上昇する。

次に、ノズル１１０をウェハＷの上方に移動させて、スピンチャック１０２上に保持されたウェハＷの中心部にレジスト液を吐出し、スピンチャック１０２を回転させてウェハＷにレジスト膜を形成する。

その後、必要に応じて、ノズル清掃部１３０にノズル１１０を移動させてノズル１１０の清掃を行う。

以上の工程を経て、ウェハＷに対するレジスト塗布処理が完了する。

従来のレジスト塗布装置においては、ノズルにレジスト液を供給するためにノズルにレジスト供給管が接続され、レジスト液の供給経路には、パーティクルの発生が懸念されるバルブやポンプ等が設置されていた。一方、本実施形態にかかるレジスト塗布装置１００においては、レジスト液の吸引と吐出が可能なノズル１１０を用い、レジスト収容容器１に収容されたレジスト液をノズル１１０で吸引することで、ウェハＷにレジスト液を吐出することが可能となる。

すなわち、本実施形態にかかるレジスト塗布装置１００は、ノズルへのレジスト液の供給機構の基本構造が従来のレジスト塗布装置と異なっていて、従来のレジスト塗布装置のレジスト液の供給経路に使用されていたバルブやポンプ等の部品が不要となる。したがって、ウェハＷに対するレジスト塗布処理を行う際に、レジスト収容容器１を使用することによって、レジスト液の供給経路におけるパーティクルの発生を抑制することができ、レジスト液の清浄度を従前より向上させることができる。

なお、本実施形態においては、レジスト塗布装置１００が備えるノズル１１０が１つであったが、ノズル１１０は複数であってもよい。例えば処理容器１０１内に２つのノズル１１０と、２つのスピンチャック１０２を設け、１つのスピンチャック１０２に対して１つのノズル１１０を割り当ててウェハＷにレジスト液を塗布するようにしてもよい。この構成のレジスト塗布装置１００においては、例えば２つのスピンチャック１０２の間にレジスト収容部１２０とノズル清掃部１３０が配置される。

また、前述の実施形態においては、容器本体１０に気体を供給してレジスト吸引管２９内のレジスト液の液面高さを調節したが、液面高さを調節せずにレジスト液の吸引が可能であれば、液面高さを行うための構成は不要である。例えば容器本体１０が、高さの低い容器であって、レジスト液の吸引時にノズル１１０の下端を容器本体１０の底部付近に位置させることができれば、容器本体１０内のレジスト液の液面高さを調節しなくてもレジスト液の吸引が可能である。この場合、例えば中空部２１の底部開口２３と、容器本体１０の気体供給口１１とが配管等で接続されることで容器１が構成される。

また、前述の実施形態においては、１つのノズル１１０でレジスト液の吸引と吐出を行う例について説明したが、例えば１つのノズル１１０でプリウェット液（シンナー等の有機溶剤）およびレジスト液の吸引と吐出を行うようにしてもよい。具体的には、レジスト収容部１２０の近傍にプリウェット液収容部（図示せず）を設け、ノズル１１０で、レジスト収容部１２０のレジスト液を吸引した後に、プリウェット液収容部のプリウェット液を吸引する。このとき、ノズル１１０の内部においては、レジスト液の液層とプリウェット液の液層が重なって形成され、ノズル１１０の先端側にプリウェット液の液層が存在する。そして、この状態のノズル１１０をウェハＷの上方に移動させて、ウェハＷの表面にプリウェット液を吐出し、その後にレジスト液を吐出する。このように、ノズル１１０でレジスト液の吸引、プリウェット液の吸引、プリウェット液の吐出、レジスト液の吐出を順に行うことで、ウェハＷのプリウェット工程とレジスト塗布工程を連続して行うことができる。

また、本開示にかかる処理液収容容器及び基板処理装置は、半導体ウェハ以外の処理対象基板、例えばＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）基板の処理装置にも適用できる

今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

１ レジスト収容容器
１０ 容器本体
２０ レジスト吸引部
２１ 中空部
２２ 頂部開口
２３ 底部開口
２４ 気体供給口
２５ 気体排出口
１００ レジスト塗布装置
１１０ ノズル
１４１ 気体供給部
１５１ 気体供給部
２００ 制御部
Ｗ ウェハ

Claims (19)

1. 処理液を収容する処理液収容容器であって、
   前記処理液を貯留する容器本体と、
   前記容器本体に接続された処理液吸引部と、を備え、
   前記処理液吸引部は、
   中空部と、
   前記中空部の頂部に設けられた頂部開口と、
   前記中空部の底部に設けられた底部開口と、
   前記中空部の側部に設けられた、当該中空部内に気体を供給するための気体供給口と、
   前記中空部の側部に設けられた、当該中空部内の気体を排出するための気体排出口と、を有し、
   前記容器本体は、当該容器本体内に気体を供給するための他の気体供給口を有し、
   前記処理液吸引部は、前記処理液を吸引するための処理液吸引管を有し、
   前記処理液吸引管は、前記中空部の前記底部開口と前記容器本体とに接続されている、処理液収容容器。
2. 前記中空部は、球面体である、請求項１に記載の処理液収容容器。
3. 前記気体排出口は、前記気体供給口と対向する位置に形成されている、請求項１又は２に記載の処理液収容容器。
4. 基板処理装置であって、
   処理液を収容する処理液収容容器と、
   前記処理液収容容器に気体を供給する気体供給部と、
   前記処理液の吸引と吐出が可能なノズルと、
   前記気体供給部及び前記ノズルの動作を制御する制御部と、を備え、
   前記処理液収容容器は、
   前記処理液を貯留する容器本体と、
   前記容器本体に接続された処理液吸引部と、を備え、
   前記処理液吸引部は、
   中空部と、
   前記中空部の頂部に設けられた頂部開口と、
   前記中空部の底部に設けられた底部開口と、
   前記中空部の側部に設けられた、当該中空部内に気体を供給するための気体供給口と、
   前記中空部の側部に設けられた、当該中空部内の気体を排出するための気体排出口と、を有し、
   前記制御部は、前記気体供給口に気体を供給しながら、前記ノズルを前記頂部開口及び前記底部開口に通過させて前記容器本体内の前記処理液を吸引し、吸引した前記処理液を基板に吐出する制御を実行するように構成されている、基板処理装置。
5. 前記制御部は、前記中空部内の圧力が大気圧より高くなるように前記気体供給口への気体供給量を調節する制御を実行するように構成されている、請求項４に記載の基板処理装置。
6. 前記中空部は、球面体である、請求項４又は５に記載の基板処理装置。
7. 前記気体排出口は、前記気体供給口と対向する位置に形成されている、請求項４～６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
8. 前記容器本体は、当該容器本体内に気体を供給するための他の気体供給口を有し、
   前記処理液吸引部は、前記処理液を吸引するための処理液吸引管を有し、
   前記処理液吸引管は、前記中空部の前記底部開口と前記容器本体とに接続され、
   前記制御部は、前記処理液吸引管内の前記処理液の液面の高さが所定の高さとなるように前記他の気体供給口に気体を供給する制御を実行するように構成されている、請求項４～７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
9. 前記気体供給口と前記気体排出口とを接続する循環配管を備え、
   前記気体供給部は、前記循環配管に気体を供給する構成を有している、請求項４～８のいずれか一項に記載の基板処理装置。
10. 前記ノズルの清掃を行うノズル清掃部を備え、
    前記ノズル清掃部は、洗浄液を貯留する洗浄液貯留部を有し、
    前記制御部は、前記洗浄液貯留部内の前記洗浄液を前記ノズルで吸引し、吸引した前記洗浄液を所定の吐出場所に吐出する制御を実行するように構成されている、請求項４～９のいずれか一項に記載の基板処理装置。
11. 前記ノズル清掃部は、前記ノズルの表面に洗浄液を吹き付ける洗浄液吹付部を有する、請求項１０に記載の基板処理装置。
12. 前記ノズル清掃部は、前記ノズルの表面に気体を吹き付ける気体吹付部を有する、請求項１０又は１１に記載の基板処理装置。
13. 基板処理方法であって、
    処理液を貯留する容器本体と、
    前記容器本体に接続された処理液吸引部と、を備え、
    前記処理液吸引部が、中空部と、
    前記中空部の頂部に設けられた頂部開口と、
    前記中空部の底部に設けられた底部開口と、
    前記中空部の側部に設けられた、当該中空部内に気体を供給するための気体供給口と、
    前記中空部の側部に設けられた、当該中空部内の気体を排出するための気体排出口と、を有する、処理液収容容器を用い、
    前記気体供給口に気体を供給しながら、前記処理液の吸引と吐出が可能なノズルを、前記頂部開口及び前記底部開口に通過させて前記容器本体内の前記処理液を吸引する工程と、
    吸引した前記処理液を基板に吐出する工程と、を有する、基板処理方法。
14. 前記処理液を吸引する工程において、前記中空部内の圧力が大気圧より高くなるように前記気体供給口への気体供給量を調節する、請求項１３に記載の基板処理方法。
15. 前記中空部は、球面体である、請求項１３又は１４に記載の基板処理方法。
16. 前記気体排出口は、前記気体供給口と対向する位置に形成されている、請求項１３～１５のいずれか一項に記載の基板処理方法。
17. 前記処理液吸引部は、前記処理液を吸引するための処理液吸引管を有し、
    前記処理液吸引管は、前記中空部の前記底部開口と前記容器本体とに接続され、
    前記処理液を吸引する工程において、前記処理液吸引管内の前記処理液の液面の高さが一定となるように前記容器本体に気体を供給する、請求項１３～１６のいずれか一項に記載の基板処理方法。
18. 前記処理液を吸引する工程において、前記気体排出口から排出された前記中空部内の前記気体を前記気体供給口に供給することで、前記中空部内に供給する前記気体を循環させる、請求項１３～１７のいずれか一項に記載の基板処理方法。
19. 前記ノズルで洗浄液を吸引し、吸引した前記洗浄液を所定の吐出場所に吐出することによって前記ノズルの清掃を行うノズル清掃工程を有する、請求項１３～１８のいずれか一項に記載の基板処理方法。

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