JP7585350B2 - ウエハ搬送用基板 - Google Patents

Description

本開示は、半導体ウエハ測定に関し、より詳細には半導体ウエハ測定に用いるウエハ搬送用基板に関する。

従来、半導体製造過程においては、半導体形成に関わるプロセスが全て終了した段階で、半導体ウエハ上に形成された素子の電気的測定が行われる。電気的測定はチャック上に半導体ウエハを真空引きで固定しプローブを所望のパッドに当てて行われる。大量の測定を行う場合は、多ピンを備えるプローブカードとオートプローバを使用する方法が広く用いられている。

特開２０００-１４７０６７号公報 特開２００２-１５１５５５号公報

半導体ウエハは加工上特に端部分において半導体ウエハに素子形成が不良となるエリアが存在する。不良エリアも含め全てエリアを測定することは測定スループットの低下につながるため避けることが望ましい。このため有効エリアのみ正確に測定する手法が必要になる。

素子形成のプロセスにおいて不良エリアを視認できない場合も存在する。図１は、半導体ウエハ１０及び半導体ウエハ上に形成されたパターン１１及び有効エリア１２（太線の矩形内の白地部分）を示す図である。通常半導体ウエハ上の素子形成において隣り合うショットには完全に同一パターンが形成されている。半導体ウエハ上にプローブコンタクト位置を決めるマークがない場合、視認によりプローブコンタクト位置を決定する必要がある。オートプローバではカメラの画角の制限により半導体ウエハの全体を一度にみることはできないため、部分的な画像からプローブコンタクト位置を決める必要がある。

図２（ａ）は、半導体ウエハ上に形成されたパターン１１の有効エリア１２および測定エリア１３（濃灰色部分）が一致した状態を示す図である。図２（ｂ）は、半導体ウエハ上に形成されたパターン１１の有効エリア１２および測定エリア１３が不一致の状態を示す図である。図２（ａ）の状態において測定を行うことが望ましいが、測定エリアの画像では有効エリア１２の区別がつかない場合に図２（ｂ）の状態において有効エリアではない箇所を測定してしまう事象が起こりうる。有効エリアと異なるエリアを測定してしまった場合、再測定による測定スループットの低下や、誤判定による製造スループットの低下・出荷後不良のおそれがある。

このため、プローブコンタクト位置を所望の位置に位置決めするアライメント手法が必須となる。

特許文献１では位置決め用のガイドピンを備える方法が提案されている。しかしこの方法ではオートプローバがチャックを移動させた際位置決めピンの破損や位置決めピンによるプローブカードの破損が発生するため、オートプローバによる大量測定系への適用が困難である。特許文献２ではカメラにより濃淡を検知しアライメントする方法が提案されている。しかしこの方法は同一パターンが並ぶ場合に特定のショットを判別できないため追加工が必要となる。ショット識別番号を半導体ウエハ上に形成することは、レチクルや露光過程の追加等が必要となり製造効率を大きく損なうため、光半導体など小口径のウエハに特許文献２の方法を適用することは製造スループットを下げる要因となる。

本開示は、このような問題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、半導体ウエハの追加工をすることなく、特定のショットを認識することを可能にする、半導体ウエハ測定に用いる半導体ウエハ搬送用基板を提供することにある。

上述した課題を解決するために、本発明に係る

とを有することを特徴とする。

以上説明したように、本発明の一実施形態によれば、半導体ウエハの追加工をすることなく、特定のショットを認識することが可能となる。また、本発明の一実施形態のる半導体ウエハ搬送用基板を用いて測定を行うため、ウエハに直接触れる必要がなくなり作業時のハンドリングが容易になる。

プローブコンタクト位置を位置決めするアライメントマークは、ショットの特定に使用されるものであるため、数μｍ単位の精度を必要とせず、プローバのウエハを映すカメラ（チャックカメラ）で視認できればよく、簡易な加工で実施可能である。

本開示により特に研磨後の半導体ウエハ等必ず搬送用基板が必要となる半導体ウエハではより効率的にプローブのアライメントを行うことができる。オートプローバだけでなくマニュアル操作によりウエハ上の素子を測定する場合も目的のショットの特定が容易になる。

図１は、半導体ウエハ、該半導体ウエハ上に形成されたパターン、及び有効エリアを示す図である。 図２（ａ）は、半導体ウエハ上に形成されたパターンの有効エリアと測定エリアとが一致した状態を示す図であり、図２（ｂ）は、半導体ウエハ上に形成されたパターンの有効エリアと測定エリアとが不一致の状態を示す図である。 図３は、本発明の一実施形態の半導体ウエハ搬送用基板を示す図である。 図４は、本発明の一実施形態の半導体ウエハ搬送用基板に載置された半導体ウエハ上の複数のプローブコンタクト位置へプローブをコンタクトさせる方法を説明するための図である。 図５は本発明の一実施形態の半導体ウエハ搬送用基板を示す図である。 図６（ａ）は、本発明の一実施形態の半導体ウエハ搬送用基板を示す図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）のＶＩｂ－ＶＩｂ断面線における断面図であり、一実施形態における導体ウエハアライメント用ガイドを示す図である。 図７は本発明の一実施形態の半導体ウエハ搬送用基板を示す図である。 図８は、本発明の一実施形態の半導体ウエハ搬送用基板を説明するための図である。 図９は、本発明の一実施形態の半導体ウエハ搬送用基板を示す図である。

以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について詳細に説明する。図面中の同一または類似の符号は、同一または類似の要素を示し、繰り返しの説明を省略する場合がある。以下の各種実施形態の説明において用いる数値は例示であり、本発明の要旨を逸脱しない範囲において他の数値を用いてもよい。

（第１の実施形態）
図３は、本実施形態の半導体ウエハ搬送用基板２０を示す図である。図３に示すように半導体ウエハ搬送用基板２０は、半導体ウエハ所定位置２３に半導体ウエハを載置して搬送するために用いられる。半導体ウエハ搬送用基板２０は、縁の位置に、すなわち半導体ウエハを載置したときに半導体ウエハの外周に相当する位置に、プローブコンタクト位置２１の上下左右となる４つ箇所にプローブコンタクト位置を決定するマーク２２を備える。半導体ウエハ搬送用基板２０は、半導体ウエハ所定位置２３の周囲の少なくとも一部に隣接した位置に半導体ウエハアライメント用ガイド２４を備え、真空引きにより半導体ウエハを固定するための少なくとも１つ以上の真空引き用穴２５を備える。真空引き用穴２５の位置はチャック側の構造により決定されるものであり、構造上真空引きが可能であれば半導体ウエハの中央に相当する位置になくてもよい。

半導体ウエハ所定位置２３を決定する半導体ウエハアライメント用ガイド２４により半導体ウエハと半導体ウエハ搬送用基板２０上に形成されたプローブコンタクト位置を決定するマーク２２との相対位置は決定される。電気的測定を行う際、半導体ウエハ搬送用基板２０上に半導体ウエハアライメント用ガイド２４に従い半導体ウエハを載置した状態でプローバのチャックに半導体ウエハ搬送用基板２０を乗せ、真空引きで半導体ウエハ及び半導体ウエハ搬送用基板２０を固定する。プローブのアライメントの際は、載置した半導体ウエハの外周のプローブコンタクト位置を決定するマーク２２をカメラにより確認し、半導体ウエハ搬送用基板２０上のプローブコンタクト位置を決定するマーク２２から規定の距離をオートプローバで移動することにより、正確なショット（すなわち、黒星印で示すプローブコンタクト位置２１）にプローブをコンタクトさせることができる。ショットに移動後、半導体素子の測定用パッドへの正確なプローブコンタクトは、プローブとウエハの合成画像から目視での位置調整により実施する。このため、プローブコンタクト位置を決定するマーク２２に数μｍ単位の精度は不要である。

上述した課題を解決するために、本発明に係る

大量のプローブを備えるプローブカードを用いて測定を行う場合、プローブコンタクト位置２１に合わせるプローブは針群の中のどの針でもよい。

図４を参照して、本実施形態の半導体ウエハ搬送用基板２０に載置された半導体ウエハ上の複数の所望の位置（プローブコンタクト位置２１）へプローブをコンタクトさせる方法を以下に述べる。本実施形態では、半導体ウエハ上の所望の４つの素子に対して同時にプローブをコンタクトさせることを想定して、その方法を説明する。今、図４に記載のように、半導体ウエハ上の所望の４か所にある素子に対して同時にプローブをコンタクトさせるものとする。プローブカードは４か所の素子に必要なプローブを備えているものとする。半導体ウエハまたは半導体ウエハ搬送用基板２０が、何のマークや目印（プローブコンタクト位置を決定するマーク２２等）を備えていない場合は、使用するプローバに付属するカメラの画角次第では、半導体ウエハ上の一部しか観察することができないため、半導体ウエハ上の所望の４つの素子がそれぞれどの位置にあるかを特定することは難しい。

本実施形態の半導体ウエハ搬送用基板２０によれば、最初に使用するプローバに付属するカメラを用いて半導体ウエハ搬送用基板２０上のプローブコンタクト位置を決定するマーク２２を検出する。次いで、検出されたプローブコンタクト位置を決定するマーク２２から規定の距離をオートプローバで移動する。これにより、正確なショットにプローブをコンタクトさせることができる。所望の４つの素子に対し任意の測定を終えた後、引き続き別の４つの素子の測定を行いたい場合は、半導体ウエハ上の任意の素子間の相対位置の情報（既知の情報）を用い、半導体ウエハを載置した半導体ウエハ搬送用基板２０またはプローブを移動させれば、再度任意の別の４つ素子に対して測定を行うことが可能である。例えば図４の黒星印で示したプローブコンタクト位置２１にある素子と点線星印で示した黒星印で示したプローブコンタクト位置２１’にある素子との間の相対距離の情報（既知の情報）を用いれば、プローブコンタクト位置２１にある４つの素子を測定した後、再びプローブコンタクト位置を決定するマーク２２を用いてアライメントすることなく、半導体ウエハを載置した半導体ウエハ搬送用基板２０またはプローブを移動させて、点線星印で示したプローブコンタクト位置２１’にある４つの素子を測定できる。

このように、本実施形態の半導体ウエハ搬送用基板２０によれば、使用するプローバおよび付属するカメラの画角によらず、半導体ウエハの任意の複数の素子に対して容易にプローブをコンタクトさせ測定を行うことができる。結果、より効率的なプローブのアライメント及び測定を実現することができる。

また、本実施形態の半導体ウエハ搬送用基板２０に複数のプローブコンタクト位置を決定するマーク２２があれば、複数のプローブコンタクト位置を決定するマーク２２のそれぞれのマークに対してプローブコンタクト位置２１を指定することができる。半導体ウエハ上の所望の４つの素子に対して個別にプローブをコンタクトさせて測定することを想定して、その方法を、図４を参照して説明する。図４において、４か所のプローブコンタクト位置２１に対してそれぞれｘ軸方向またはｙ軸方向に所定の距離はなれた位置に、すなわち半導体ウエハ搬送用基板２０の縁の位置であって載置される半導体ウエハの外周に相当する位置に、プローブコンタクト位置を決定するマーク２２を用意する。プローブをコンタクトさせる際は、それぞれのプローブコンタクト位置を決定するマーク２２から所定の距離（ｘ軸方向またはｙ軸方向）だけプローブを移動させれば、１つの半導体ウエハに対して異なる位置にプローブを正確にコンタクトさせることができる。複数のプローブコンタクト位置２１とプローブコンタクト位置を決定するマーク２２との間の距離は、事前に把握していればそれぞれ異なっていても構わない。この結果、１つの半導体ウエハに対し異なる複数の素子を任意に指定してプローブのアライメント及び測定が可能となり、より効率的な電気的測定が可能となる。

（第２の実施形態）
次に、図５（ａ）および（ｂ）を参照して、プローブコンタクト位置を決定するマーク２２について述べる。

図５（ａ）および（ｂ）は、本実施形態の半導体ウエハ搬送用基板２０を示す図である。半導体ウエハ搬送用基板２０は、縁の部分位置に、すなわち半導体ウエハを載置したときに半導体ウエハの外周に相当する位置に、プローブコンタクト位置を決定するマーク２２を備える。半導体ウエハ搬送用基板２０は、半導体ウエハ所定位置２３の周囲の少なくとも一部に隣接した位置に半導体ウエハアライメント用ガイド２４を備え、真空引きにより半導体ウエハを固定するための少なくとも１つ以上の真空引き用穴２５を備える。半導体ウエハ所定位置を決定するマークである半導体ウエハアライメント用ガイド２４により半導体ウエハと半導体ウエハ搬送用基板２０上に形成されたプローブコンタクト位置を決定するマーク２２との相対位置は決定される。

オートプローバの所定の距離を移動する機能を用いれば図５（ａ）に示すようにプローブコンタクト位置を決定するマーク２２は１つでもよい。例えばプローブコンタクト位置を決定するマーク２２から所望のショット（プローブコンタクト位置２１）までのｙ方向距離を事前に確認しておく。半導体ウエハ搬送用基板２０の縁の部分に、すなわち載置される半導体ウエハの上方または下方の位置に、半導体ウエハにおける所望のショットのｘ軸位置を示すアライメントマーク（プローブコンタクト位置を決定するマーク２２）を用意しておく。プローブコンタクト位置を決定するマーク２２により示される所望のショットのｘ軸位置から確認しておいた距離分ｙ軸方向にプローブを移動させて、所望のショットにプローブをコンタクトさせることが可能となる。ただしこの方法だとプローブを移動した後に、半導体ウエハ搬送用基板上のプローブコンタクト位置を決定するマーク２２を用いてプローブが正しいｙ軸位置に来ているかどうかの確認をすることができない。つまり、プローブのｙ軸方向の移動量の入力ミスが起きたことに気づき難い。

このため、図５（ｂ）に示すように、載置される半導体ウエハの上方または下方の位置にプローブコンタクト位置のｘ軸方向のプローブコンタクト位置を決定するマーク２２を少なくとも１つ用意し、および載置される半導体ウエハの左方または右方の位置にプローブコンタクト位置のｙ軸方向のプローブコンタクト位置を決定するマーク２２を少なくとも１つ用意しておく。プローブコンタクト位置２１にプローブをアライメントした後、チャックカメラでｘ軸方向およびｙ軸方向に移動して（チャックカメラでｘ軸方向の画像およびｙ軸方向の画像を取得して）、プローブコンタクト位置を決定するマーク２２（ｘ軸方向およびｙ軸方向）とプローブコンタクト位置２１との相対位置を再確認することにより、プローブを正しいショットにアライメントできているかを確認することができる。

プローブコンタクト位置を決定するマーク２２はショットの識別ができればよいので、ショットサイズより小さければマークとして機能を果たすことが可能である。ショットサイズは作製するデバイスにより大きく異なるが概ねマークの縦の長さおよび横の長さが１ｍｍ以内であればショットの識別するマークの役割を果たすことができる。カメラによる目視（カメラにより取得した画像を介する目視）の観点からサイズが小さすぎるマークは実用に不向きであるためプローブコンタクト位置を決定するマーク２２のサイズは縦横１００μｍ以上であることが望ましい。

本実施形態の半導体ウエハ搬送用基板２０により、目的のショットに正確にプローブを移動してコンタクトさせることができる。また、プローブのアライメント後にも視認により正確にアライメントできているかを確認することができる。

（第３の実施形態）
次に図６（ａ）および（ｂ）を参照して、半導体ウエハ搬送用基板２０に載置される半導体ウエハの位置を決定するガイドである半導体ウエハアライメント用ガイド２４について述べる。

図６（ａ）は、本実施形態の半導体ウエハ搬送用基板２０を示す図である。半導体ウエハ搬送用基板２０の縁の部分に、すなわち載置される半導体ウエハの外周に相当する位置に、プローブコンタクト位置を決定するマークを備える。半導体ウエハ搬送用基板２０は、半導体ウエハ所定位置２３の周囲の少なくとも一部に隣接した位置に半導体ウエハアライメント用ガイド２４を備え、真空引きにより半導体ウエハを固定するための少なくとも１つの真空引き用穴２５を備える。半導体ウエハ所定位置２３を決定するマークである半導体ウエハアライメント用ガイド２４により半導体ウエハと半導体ウエハ搬送用基板２０上に形成されたプローブコンタクト位置を決定するマーク２２との相対位置は決定される。

半導体ウエハアライメント用ガイド２４を用いる目的は半導体ウエハ所定位置を一意に決めることで、半導体ウエハと半導体ウエハ搬送用基板２０上のプローブコンタクト位置を決定するマーク２２との相対位置を固定することにある。図６（ａ）の例は、半導体ウエハのオリフラの長さと同じ長さを有する半導体ウエハアライメント用ガイド２４を載置される半導体ウエハのオリフラに相当する位置に配することにより半導体ウエハ所定位置の上下及び左右の位置を決定している。図６（ａ）に示すように半導体ウエハ所定位置を一意に決定できれば半導体ウエハアライメント用ガイド２４は半導体ウエハの周囲について１か所だけでもよい。図６（ｂ）のように半導体ウエハアライメント用ガイド２４は、穴加工でも凸形状でもよい。特に凸形状の場合、凸部への半導体ウエハの突き当てにより上下方向（ｙ軸方向）を決定できるためアライメントが容易になる。図３および４に示すように載置される半導体ウエハの上下に半導体ウエハアライメント用ガイド２４がある場合も凸形状であれば同様にアライメントが容易になる。図６（ｂ）では凹凸形状について述べたが、半導体ウエハ搬送用基板２０上の半導体ウエハ所定位置２３を一意に決めることができれば半導体ウエハアライメント用ガイド２４の形態は印字でも多孔加工でも構わない。

本実施形態の半導体ウエハ搬送用基板２０により、より簡易に半導体ウエハ搬送用基板２０上の半導体ウエハ所定位置２３を決定することが可能となる。本実施形態の半導体ウエハ搬送用基板２０の要素を、他の実施形態の要素の代替または追加として用いてもよい。

（第４の実施形態）
次に図７を参照して、半導体ウエハ所定位置２３を決定するマークが真空引き用穴を兼ねる場合について述べる。

図７は、本実施形態の半導体ウエハ搬送用基板２０を示す図である。半導体ウエハ搬送用基板２０には、載置される半導体ウエハのサイズと同寸の多孔エリア２６が形成されている。多孔エリア２６には、真空引きにより半導体ウエハを固定するための多数の真空引き用穴が配列されている。半導体ウエハ搬送用基板２０の縁の部分に、すなわち載置される半導体ウエハの外周に相当する位置に、プローブコンタクト位置を決定するマーク２２を備える。半導体ウエハ所定位置を決定するマークである半導体ウエハアライメント用ガイド２４としてウエハサイズと同寸の多孔エリア２６が形成されている。多孔エリア２６内の多数の真空引き用穴の少なくとも一部は、半導体ウエハ所定位置２３の周囲の少なくとも一部に隣接する位置に設けられているので、他の実施形態において説明した半導体ウエハアライメント用ガイド２４として機能する。この多孔エリア２６により半導体ウエハと半導体ウエハ搬送用基板２０上に形成されたプローブコンタクト位置を決定するマーク２２との相対位置は決定される。

このように、載置される半導体ウエハのサイズと同寸の多孔エリア２６を半導体ウエハ所定位置２３に形成した半導体ウエハ搬送用基板２０を用いれば、多孔エリア２６に沿って半導体ウエハを位置決めすることができ、更に半導体ウエハを真空引きすることも可能となる。多孔エリア２６内の真空引き用穴は、半導体ウエハの位置決め及び真空引きができれば、図７のように多孔エリア２６全体に均一な配列で形成されていなくてもよい。また真空引き用穴の形状は真空引きが可能であれば円形・楕円形・その他形状を問わない。

本実施形態の半導体ウエハ搬送用基板２０により、より少ない加工で、半導体ウエハと半導体ウエハ搬送用基板２０上に形成されたプローブコンタクト位置を決定するマーク２２との相対位置を決定することができる。本実施形態の半導体ウエハ搬送用基板２０の要素を、他の実施形態の要素の代替または追加として用いてもよい。例えば、本実施形態の半導体ウエハ搬送用基板２０に、図６を参照して説明した半導体ウエハアライメント用ガイド２４を追加してもよい。

（第５の実施形態）
次に通信用光デバイス等に使用される赤外光を透過する材料を用いて半導体ウエハ搬送用基板２０を作製する場合について述べる。

図８は、第５の実施形態の半導体ウエハ搬送用基板２０を示す図である。図８に示す半導体ウエハ搬送用基板２０は、赤外光を透過する材料を用いて作製された基盤である。図８には、半導体ウエハ搬送用基板２０に載置された半導体ウエハ３０も示されている。図８は、半導体ウエハ搬送用基板２０の主面に垂直な方向（ｚ軸方向）に直行する方向（ｘ軸方向）の断面図である。図８には、半導体ウエハ搬送用基板２０の裏面側に測定用入射光３２の光源３４が示されるとともに、半導体ウエハ搬送用基板２０の表面側に測定用プローブ３３が示されている。半導体ウエハ搬送用基板２０は、真空引き用穴２５と半導体ウエハアライメント用ガイド２４とを備える。半導体ウエハ搬送用基板２０は、ｘｙ平面に、プローブコンタクト位置を決定するマーク２２（不図示）を備える。半導体ウエハ搬送用基板２０の上の半導体ウエハ所定位置２３（不図示）に載置された半導体ウエハ３０の各ショットには、半導体ウエハ３０の裏面からの光を受光する構造をもつ受光素子３１が作製されている。光を用いない電気的測定は上記実施形態によてい前述した方法によりプローブをアライメントして行う。光を用いない電気的測定の後、半導体ウエハ搬送用基板２０上から半導体ウエハ３０を動かすことなく、半導体ウエハ搬送用基板２０の裏面から測定用入射光３２を入射し、受光素子３１と電気的に接続している測定用プローブ３３により受光特性を評価する。

本実施形態の半導体ウエハ搬送用基板２０により、半導体ウエハ搬送用基板２０から半導体ウエハ３０を移動させることなく半導体ウエハ３０上の光デバイス（受光素子３１など）の光学的測定を実施することができる。半導体ウエハ搬送用基板２０に半導体ウエハ３０を載置したまま半導体ウエハ３０上の光デバイスの光学測定に移行できることで、半導体ウエハ搬送用基板２０から測定系へ移動させる際のハンドリングが容易になり測定スループットの向上及び破損防止につなげることができる。赤外光を透過する材料としてＳｉ、ＳｉＣ、ＳｉＮ、サファイア等が挙げられるが、赤外光を透過する材料であれば前述したもの以外でも構わない。

（第６の実施形態）
次に図９を参照して、プローブコンタクト位置を決定するマークについて述べる。

図９は、第６の実施形態の半導体ウエハ搬送用基板２０を示す図である。図９に示す半導体ウエハ搬送用基板２０は、半導体ウエハ所定位置２３の周囲の少なくとも一部に隣接した位置に半導体ウエハアライメント用ガイド２４を備え、真空引きにより半導体ウエハを固定するための少なくとも１つの真空引き用穴２５を備える。半導体ウエハ所定位置２３を決定するマークである半導体ウエハアライメント用ガイド２４により半導体ウエハと半導体ウエハ搬送用基板２０上に形成されたマーク４１（以下に説明する数字等）の相対位置は決定される。半導体ウエハ搬送用基板２０上には単導体ウエハ全体をカバーできる範囲に格子状模様４０が形成されている。格子状模様４０中の各線には数字等のマーク４１が割り当てられている。割り当てられた数字等のマーク４１を視認することにより格子状模様４０中の各線を識別可能にすることにより、半導体ウエハ搬送用基板２０の全てが画角に収まらず一部しか映し出されていない画像からも現在の視認位置を特定できる。このような半導体ウエハ搬送用基板２０を用いてプローブコンタクト位置を決定する場合は、例えば横線６、縦線３の交点のショットをプローブコンタクト位置に設定する、といったように格子状模様４０中の番号によりプローブコンタクト位置を指定すればよい。半導体ウエハ搬送用基板２０の全面に格子状模様４０が形成され及び格子状模様４０中の各線に数字等のマーク４１が割り振られていれば、同じインチでプローブコンタクト位置の異なる半導体ウエハにも同じ半導体ウエハ搬送用基板２０を用いて格子状模様４０中の数字等のマーク４１を必要に応じて変更することによりプローブコンタクト位置の指定が可能である。

格子状模様４０中の各線を識別可能であればマーク４１は数字等でなくても構わない。格子状模様４０中の線自体の種類を変えてもよい。線自体が例えば太線・点線・二重線の順番になっている等、近接する線と区別可能であれば線自体の種類をマーク４１としてもよい。格子状模様４０中の各線の端の部分のみ種類を変えてもよい。

ショットは基本的に半導体基板のオリフラに対して平行・垂直に並んでいるため、格子状模様４０中の各線は基本的にはオリフラに平行・垂直である方が利便性は高い。ただしショットが識別可能であれば格子状模様４０中の各線はオリフラに平行・垂直でなくても構わない。

本実施形態の半導体ウエハ搬送用基板２０により、格子状模様４０中の各線で指定可能な半導体ウエハ上の任意のショットをプローブコンタクト位置として指定することができる。

Claims (7)

1. 測定対象である素子が作りこまれた複数のチップが形成されたウエハを搬送するためのウエハ搬送用基板であって、
   前記ウエハ搬送用基板に載置されたウエハを真空引きするための真空引き用穴と、
   前記ウエハ搬送用基板に載置されたウエハの所定位置を決定するウエハアライメント用ガイドと、
   プローブコンタクト位置を決定するマークと、
   を備え、
   前記プローブコンタクト位置を決定するマークは、前記ウエハ搬送用基板上の格子状模様中の各線を識別可能とするマークである、ウエハ搬送用基板。
2. 前記プローブコンタクト位置を決定するマークを２つ以上備える、
   請求項１に記載のウエハ搬送用基板。
3. 測定対象である素子が作りこまれた複数のチップが形成されたウエハを搬送するためのウエハ搬送用基板であって、
   前記ウエハ搬送用基板に載置されたウエハを真空引きするための真空引き用穴と、
   前記ウエハ搬送用基板に載置されたウエハの所定位置を決定するウエハアライメント用ガイドと、
   プローブコンタクト位置を決定するマークと、
   を備え、
   前記プローブコンタクト位置を決定するマークは、前記ウエハ搬送用基板上の格子状模様中の各線であり、前記各線の少なくとも一部が、互いに区別される種類の線で描かれている、ウエハ搬送用基板。
4. 前記プローブコンタクト位置を決定するマークのサイズは、縦の長さおよび横の長さが１００μｍ以上１ｍｍ以内である、請求項１から３のいずれか一項に記載のウエハ搬送用基板。
5. 前記ウエハアライメント用ガイドは、前記ウエハ搬送用基板に対して凸状である、請求項１または３に記載のウエハ搬送用基板。
6. 前記真空引き用穴が前記ウエハアライメント用ガイドとして機能する、請求項１または３に記載のウエハ搬送用基板。
7. 赤外光を透過する材料で形成された、請求項１または３に記載のウエハ搬送用基板。

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