JP7578359B2 - 載置台装置及び基板処理装置 - Google Patents

Description

本開示は、載置台装置及び基板処理装置に関する。

特許文献１には、第１のリフトピン挿通孔を備えたヒータープレートと、第２のリフトピン挿通孔を備えた温調ジャケットと、第１のリフトピンと、第２のリフトピンとを備える、基板載置機構が開示されている。第１のリフトピン挿通孔は、被処理基板載置面を有し、被処理基板を成膜温度に加熱する加熱体が埋設され、被処理基板載置面側に広径部を有し、被処理基板載置面の反対側に広径部よりも径が小さい狭径部を有している。第２のリフトピン挿通孔は、少なくともヒータープレートの被処理基板載置面以外の表面を覆うように形成され、温度が成膜温度未満の非成膜温度とされ、被処理基板載置面側に広径部を有し、被処理基板載置面の反対側に広径部よりも径が小さい狭径部を有している。第１のリフトピンは、第１のリフトピン挿通孔に挿通され、第１のリフトピン挿通孔の広径部に挿通可能な蓋部と、この蓋部に接続され、第１のリフトピン挿通孔の広径部及び狭径部の双方に挿通可能な軸部とを備えている。さらに、第２のリフトピンは、第２のリフトピン挿通孔に挿通され、第２のリフトピン挿通孔の広径部に挿通可能な蓋部と、この蓋部に接続され、第２のリフトピン挿通孔の広径部及び狭径部の双方に挿通可能な軸部とを備えている。

特開２００９－０６８０３７号公報

本開示は、基板が載置される載置面を備える載置台における、リフトピンが昇降するピン孔の周囲やリフトピンがコールドスポットとなり、載置面の温度が面内で不均一になることを抑制できる、載置台装置及び基板処理装置を提供する。

本開示の一態様による載置台装置は、
ピン孔を備え、基板が載置される載置面を備える載置台と、
前記ピン孔において昇降するリフトピンと、
前記リフトピンを昇降させる昇降機と、を有し、
前記載置台は、その内部において前記載置台を加熱する第１加熱部を備え、
前記リフトピンは、その内部もしくは周囲に前記リフトピンを加熱する第２加熱部を備えている。

本開示によれば、基板が載置される載置面を備える載置台における、リフトピンが昇降するピン孔の周囲やリフトピンがコールドスポットとなり、載置面の温度が面内で不均一になることを抑制できる。

実施形態に係る基板処理装置の一例を示す縦断面図である。 第１実施形態に係る載置台装置の一例を示す縦断面図である。 第１実施形態に係る載置台装置の他例を示す縦断面図である。 第１実施形態に係る載置台装置のさらに他例を示す縦断面図である。 第２実施形態に係る載置台装置の一例を示す縦断面図である。 第２実施形態に係る載置台装置の他例のうち、リフトピンと導電体とコイルの相対関係を示す模式図である。 第３実施形態に係る載置台装置の一例を示す縦断面図である。 第４実施形態に係る載置台装置の一例を示す縦断面図である。

以下、本開示の実施形態に係る載置台装置と基板処理装置について、添付の図面を参照しながら説明する。尚、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成要素については、同一の符号を付することにより重複した説明を省く場合がある。

［実施形態に係る基板処理装置と第１実施形態に係る載置台装置］
はじめに、図１乃至図４を参照して、本開示の実施形態に係る基板処理装置の一例と、第１実施形態に係る載置台装置の一例について説明する。ここで、図１は、実施形態に係る基板処理装置の一例を示す縦断面図である。また、図２は、基板処理装置を構成する、第１実施形態に係る載置台装置の一例を示す縦断面図であり、図３及び図４はいずれも、第１実施形態に係る載置台装置の他例を示す縦断面図である。

図１に示す基板処理装置１００は、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置やＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）装置等、成膜やスパッタリング、エッチングが実行可能な装置である。基板処理装置１００は、チャンバーである処理容器１０と、処理容器１０内に配設されて基板Ｗ（以下、基板Ｗの一例である半導体ウエハを「ウエハ」という）を載置しながら昇降する載置台装置５０とを有する。基板処理装置１００はさらに、処理容器１０に処理ガスやパージガスを供給する供給装置８０と、処理容器１０内から各種の処理ガスやパージガスを排気し、さらには処理容器１０内を真空引きして減圧する排気装置７０と、各装置を制御する制御装置９０とを有する。

載置台装置５０は、基板Ｗを載置し、ピン孔２０ｄを備える載置台２０と、ピン孔２０ｄの内部を昇降するリフトピン３１を備えるリフトピンユニット３０と、リフトピンユニット３０を昇降及び回転させる昇降ユニット４０とを有する。昇降ユニット４０を構成する昇降機４１を駆動することにより、載置台２０は、２点鎖線で示す搬送位置と、その上方の処理位置との間を上下に昇降することができる。ここで、搬送位置とは、処理容器１０の搬出入口１３から処理容器１０の内部に進入するウエハＷの搬送装置（図示せず）とリフトピン３１との間でウエハＷを受け渡す際に、載置台２０が待機する位置である。また、処理位置とは、ウエハＷに成膜等の処理が行われる位置である。尚、載置台装置５０についは以下で詳説する。また、基板処理装置は、以下で詳説する他の載置台装置５０Ａ乃至５０Ｃを備えていてもよい。

処理容器１０はアルミニウム等の金属により形成され、略円筒状を有する側壁１１と、平面視円形の底板１２とを有する。側壁１１には、ウエハＷを搬出入するための搬出入口１３が開設され、搬出入口１３はゲートバルブ１４により開閉自在となっている。処理容器１０の上方には、断面形状が略矩形状で円環状の排気ダクト１５が配設されている。排気ダクト１５には、内周面に沿ってスリット１５ａが形成されている。また、排気ダクト１５の外壁には、排気口１５ｂが形成されている。排気ダクト１５の上面には、処理容器１０の上方開口を塞ぐ天板１６が設けられている。天板１６と排気ダクト１５との当接界面にはシールリング１７が配設され、シールリング１７により天板１６と排気ダクト１５とが気密にシールされている。

天板１６の下面には、キャップ部材６１が取り付けられ、相互に対向するキャップ部材６１と載置台２０の間には、基板Ｗが処理される処理空間Ｓが形成される。例えば、キャップ部材６１は、天板１６に対してボルト等により取り付けられる。

キャップ部材６１の下面には、すり鉢状の凹部６２が設けられている。処理空間Ｓが形成される際の載置台２０の高さは、キャップ部材６１の凹部６２の最下端と、載置台２０の周囲に配設されるシールド部材２８の上端との間に隙間Ｓ１が形成されるように設定される。凹部６２には、例えば、処理空間Ｓの容積が可及的に小さくなるとともに、処理ガスをパージにて置換する際のガス置換性が良好になる形態が適用されるのが好ましい。

キャップ部材６１の中央には、処理空間Ｓへ処理ガスやパージガスを導入するためのガス導入路６５が形成される。ガス導入路６５は、キャップ部材６１の中央を貫通し、その下端が載置台２０上のウエハＷの中央と対向するように設けられている。また、キャップ部材６１の中央には流路形成部材６３が嵌め込まれており、流路形成部材６３によりガス導入路６５の上方は分岐され、それぞれ天板１６を貫通するガス導入路１６ａと連通している。

供給装置８０は、処理容器１０の内部において連続的に行われる、複数の処理に適用される複数の処理ガスやパージガスを個別的に供給する複数のガス供給源８１と、複数のガス供給源８１からの各処理ガスやパージガスを供給するための複数のガス供給配管８２とを有する。そして、ガス供給配管８２がガス導入路１６ａに連通している。尚、図１には、１つのガス供給源８１とガス供給配管８２のみを抽出して示している。各ガス供給配管には、開閉バルブと、マスフローコントローラのような流量制御器とが設けられており（いずれも図示せず）、開閉バルブとマスフローコントローラにより、ガス種の切り替えやガス流量の制御が実行される。

キャップ部材６１のガス導入路６５の下端の下方には、ガス導入路６５から吐出されたガスを処理空間Ｓに分散させるための分岐板６４が設けられている。分岐板６４は、支持棒６６を介してキャップ部材６１に固定されている。

排気装置７０は、処理容器１０の内部を排気し、所望の減圧雰囲気を形成する。排気装置７０は、排気ダクト１５の排気口１５ｂに接続されている排気配管７２と、排気配管７２に接続されている排気機構７１とを有し、排気機構７１は、ターボ分子ポンプやドライポンプ、圧力制御バルブ、開閉バルブ等を有する（いずれも図示せず）。排気処理に際しては、処理容器１０内のガスがスリット１５ａを介して排気ダクト１５に至り、排気ダクト１５から排気装置７０の排気機構７１により排気配管７２を介して排気される。処理容器１０内が高圧に設定される処理の際には、例えばドライポンプのみで排気を行う。一方、処理容器１０内が低圧に設定される処理の際には、ドライポンプとターボ分子ポンプとを併用して排気する。処理容器１０内には圧力センサ（図示せず）が設置されており、圧力センサの検出値に基づいて圧力制御バルブの開度が制御されることにより、処理容器１０内の圧力制御が行われる。

載置台装置５０を構成する載置台２０は、第１プレート２１と、第２プレート２２とを有する。円盤状の載置台２０の側面には、第１プレート２１の載置面２１ｅの外周領域と側面を覆う環状のシールド部材２８が、第１プレート２１と僅かな隙間を有して設けられている。シールド部材２８は、アルミナや石英等のセラミックスから形成されている。

第１プレート２１と第２プレート２２はいずれも、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等のセラミックス材料や、アルミニウムやニッケル合金等の金属材料にて形成されている。第１プレート２１と第２プレート２２がセラミックス材料により形成される場合は、第１プレート２１と第２プレート２２は焼結体となる。

図２に拡大して示すように、第１プレート２１は、平面視円形の天板２１ａと、天板２１ａの輪郭に沿う筒状の側壁２１ｂとを有する箱形の筒状を呈し、内側に非貫通凹部２１ｃを備えている。第１プレート２１がセラミックス材料により形成される場合、天板２１ａと筒状の側壁２１ｂは焼結にて一体に成形される。第１プレート２１は、例えば静電チャックとして機能する。

第２プレート２２は、第１プレート２１の側壁２１ｂの内径と同一もしくは略同一の外径を有する、２枚の第３プレート２３，２４が積層した積層体である。

第１プレート２１と第２プレート２２の間には、静電吸着機能を有する電極２５が配設され、電極２５は、第１プレート２１と第２プレート２２の少なくとも一方にろう付けにより取り付けられている。ここで、ろう付けの際のろうとしては、銀や銅、亜鉛、アルミニウム、チタン、ニッケルやそれらの合金等が適用できる。尚、図示を省略するが、電極２５は、給電線を介して直流電源に接続されており、給電線にはスイッチが介在している。このスイッチがオンされると、直流電源から電極２５に直流電圧が印加されることにより、クーロン力やジョンソンラーベック力が発生する。そして、これらクーロン力やジョンソンラーベック力により、ウエハＷが静電チャックである第１プレート２１の載置面２１ｅに静電吸着されるようになっている。

尚、第２プレート２２が２つの第３プレート２３，２４により形成されず、一つの第２プレートにて形成されてもよいし、３つ以上の第３プレートの積層体であってもよい。また、第１プレート２１と第２プレート２２の間に電極２５が配設される形態以外にも、これらの間にヒータ等の加熱部が配設される形態であってもよい。

載置面２１ｅには、熱電対（図示せず）等の温度センサが配設されており、温度センサが載置面２１ｅとウエハＷの温度を随時モニターしている。このモニター情報は制御装置９０に随時送信され、モニター情報に基づいて載置面２１ｅとウエハＷの温調制御が制御装置９０にて実行される。より具体的には、制御装置９０の内部に各種処理に応じた載置面２１ｅ（及びウエハＷ）の設定温度データが格納され、載置面２１ｅが設定温度に温調されるように、第１加熱部２６の温調制御が実行される。

一方、第２プレート２２を構成する２つの第３プレート２３，２４の間には、ヒータ等の第１加熱部２６が配設され、第１加熱部２６は、２つの第３プレート２３，２４の少なくとも一方にろう付けにより取り付けられている。ここで、第１加熱部２６は、タングステンやモリブデン、ニッケル、クロム、チタン、鉛、銀、白金、パラジウムやそれらの合金により形成できる。尚、第３プレート２３，２４の内部には、チラー等から供給される冷媒が流通する冷媒流路（図示せず）が内蔵されてもよい。

第１プレート２１の非貫通凹部２１ｃに第２プレート２２が収容された状態において、第１プレート２１と第２プレート２２の対応する位置にはそれぞれ、リフトピン３１が昇降する貫通孔２１ｄ、２２ｄが設けられている。そして、対応する貫通孔２１ｄ、２２ｄが連通することにより、載置台２０を貫通するピン孔２０ｄが形成される。例えば、図示例では、載置台２０に２つのピン孔２０ｄが形成され、各ピン孔２０ｄにリフトピン３１が昇降する形態を示しているが、ピン孔２０ｄやリフトピン３１の数は図示例に限定されない。

載置台装置５０を構成するリフトピンユニット３０は、複数（図示例は２つ）の細長のリフトピン３１と、複数のリフトピン３１を支持する支持部材３３とを有する。リフトピン３１の途中位置には鍔部３２が設けられており、リフトピン３１のうち、鍔部３２よりも上方の部分は、載置台２０のピン孔２０ｄに挿入される。図２に示すように、リフトピン３１のうち、鍔部３２よりも下側の部分が支持部材３３の挿入孔（図示せず）に対して上下にスライド自在に挿入される。尚、リフトピン３１のうち、鍔部３２よりも下側の部分は上側の部分よりも大径に設定されており、支持部材３３から上方に突出す上側の部分を安定的に支持する。

リフトピン３１や鍔部３２、支持部材３３はいずれも、例えばアルミナ等のセラミックスにより形成されている。例えば、平面視円形の支持部材３３において、その周方向に同等の間隔を有して３本もしくは４本のリフトピン３１が上下にスライド自在に支持部材３３に支持される形態が挙げられる。これらの形態では、載置台２０の対応する位置に、３つもしくは４つのピン孔２０ｄが設けられる。

図２に示すように、載置台２０に形成されるピン孔２０ｄは、リフトピン３１よりも大径であり、かつ鍔部３２よりも小径の内径を有している。

載置台装置５０を構成する昇降ユニット４０は、昇降機４１と、昇降機４１により昇降および回転される支持部材４２とを有する。支持部材４２は、リフトピンユニット３０を構成する支持部材３３の貫通孔３３ａに嵌合され、支持部材４２の上端が載置台２０（第３プレート２４）の下面に固定される。昇降機４１は、例えば、モータやエアシリンダ、もしくはこれらの組み合わせ機構等により形成される。

図１に示すように、処理容器１０の底板１２の中央には開口１２ａが開設され、開口１２ａに支持部材４２が挿通されている。

ここで、リフトピン３１の長さや鍔部３２の位置は、リフトピンユニット３０が処理位置にある状態において、以下の２つの条件を満たすように設定されている。その一つの条件は、リフトピン３１の上端が載置台２０の載置面２１ｅよりも上方に突出しないことである。図１及び図２では、リフトピン３１の上端は載置面２１ｅと略一致している。

また、他の一つの条件は、リフトピン３１の上端が載置台２０（第３プレート２４）の下面よりも上方に位置し、リフトピン３１の少なくとも一部が載置台２０のピン孔２０ｄに挿通されていることである。

図１に示すように、処理容器１０の底板１２の下方と昇降機４１との間には、支持部材４２が挿通される貫通孔４５ａを備えたフランジ４５が配設されている。そして、フランジ４５と底板１２との間における支持部材４２の周囲には、フランジ４５と底板１２を繋ぐベローズ４６が設けられている。

また、底板１２において、開口１２ａの側方には別途の開口１２ｂが開設されている。そして、載置台２０が図１における２点鎖線で示す搬送位置にある際に、リフトピン３１の下端を上方に押し出す押し出し部材３４と、押し出し部材３４を押し出す際に駆動する昇降機３５と、昇降機３５と押し出し部材３４を繋ぐ連絡部材３５ａが設けられている。押し出し部材３４は底板１２の上方に配設され、昇降機３５は底板１２の下方に配設され、連絡部材３５ａは開口１２ｂを挿通する。そして、底板１２と昇降機３５との間における連絡部材３５ａの周囲には、底板１２と昇降機３５を繋ぐベローズ３６が設けられている。

載置台２０が搬送位置にある際に、昇降機３５が駆動していない状態では、リフトピン３１はピン孔２０ｄの内部にある。一方、搬送装置（図示せず）によりウエハＷが載置台２０の載置面２１ｅの上方位置に搬送された際に、昇降機３５が駆動して押し出し部材３４を上方に押し上げる。そして、上方に押し上げられた押し出し部材３４にてリフトピン３１が上方に押し上げられることにより、リフトピン３１の上端が載置面２１ｅから突出し、ウエハＷが複数のリフトピン３１に受け渡される。次いで、昇降機３５が駆動して押し出し部材３４を降下させることにより、リフトピン３１がピン孔２０ｄの内部に収容され、載置面２１ｅにウエハＷが載置される。

第１加熱部２６を加熱して載置台２０を加熱し、排気装置７０を介して処理容器１０の内部を所望の減圧雰囲気とし、供給装置８０を介して処理空間Ｓに処理ガス等を供給することにより、ウエハＷの表面に成膜処理等が行われる。この際、載置台２０（の載置面２１ｅ）の温度は、例えば３００℃乃至８００℃程度に加熱される。この載置台２０の加熱に際し、載置台２０にはリフトピン３１が昇降するピン孔２０ｄが開設されていることから、このピン孔２０ｄの周囲が他の載置台２０の他の領域に比べて低温になる、所謂コールドスポットを形成し得る。載置面２１ｅにおいて、他の領域よりも相対的に温度の低いコールドスポットが形成されると、載置面２１ｅの温度に面内分布が生じ、載置面２１ｅに載置されるウエハＷの温度の面内均一性を図り難くなる。

そこで、載置台装置５０では、リフトピン３１の内部に、リフトピン３１を加熱する第２加熱部５５を備えている。ここで、第２加熱部５５は、例えば電気抵抗素子からなるヒータにより形成される。図示を省略するが、第２加熱部５５は給電線を介して直流電源に接続されており、給電線にはスイッチが介在している。このスイッチがオンされると、直流電源から第２加熱部５５に直流電圧が印加され、第２加熱部５５にてリフトピン３１が加熱される。尚、第１加熱部２６と同様に、第２加熱部５５も、例えば、タングステンやモリブデン、ニッケル、クロム、チタン、鉛、銀、白金、パラジウムやそれらの合金等により形成できる。

第２加熱部５５が電気抵抗素子にて形成されていることにより、第２加熱部５５は温度センサとしても機能し、載置面２１ｅにおけるピン孔２０ｄの周囲の温度をモニターできる。第２加熱部５５にてモニターされた情報は、載置面２１ｅに設けられている上記する別途の温度センサによるモニター情報と同様に、制御装置９０に随時送信されるようになっている。制御装置９０では、ピン孔２０ｄの周囲の温度を含めて、載置面２１ｅの全域が設定温度となるように、第１加熱部２６と第２加熱部５５を温調制御する。

一方、図３に示す載置台装置５０Ａは、導電体により形成される第２加熱部５６がリフトピン３１に埋設され、リフトピン３１の周囲において、金属製のコイル５７ｂが埋設された筒部材５７ａが配設されている構成を備えている。ここで、導電体の素材としては、カーボンやグラファイト（黒鉛）等が挙げられる。また、筒部材５７ａは、例えばアルミナ等のセラミックスにより形成されている。

図示を省略するが、コイル５７ｂは、給電線を介して高周波電源に接続されている。コイル５７ｂに高周波電流を流すことにより、導電体である第２加熱部５６には電磁誘導によって誘導電流（もしくは渦電流）が誘起される。そして、誘導電流によって加熱された第２加熱部５６により、リフトピン３１が加熱される。すなわち、図３に示す形態は、誘導加熱によりリフトピン３１を加熱する形態である。

一般に極細の電気抵抗素子に比べて、導電体は相対的に厚みのある例えば棒状の部材であることから、リフトピン３１の内部に埋め込み易く、従ってリフトピン３１の製作性が良好になる。

一方、図４に示す載置台装置５０Ｂは、載置台装置５０Ａと同様に、導電体により形成される第２加熱部５６がリフトピン３１に埋設されているが、コイル５７ｂが埋設された筒部材５７ａが載置台２０の下面２０ａに対して、ろう付けやねじ止めにより固定されている。

尚、図示を省略するが、導電体からなる第２加熱部５６がリフトピン３１の内部に埋設される形態の他にも、リフトピン３１の全体が導電体により形成され、従って、リフトピン３１の全体が第２加熱部である形態であってもよい。すなわち、このようにリフトピン３１の全体が第２加熱部である形態も、リフトピン３１の内部に第２加熱部が存在する形態に含まれるものとする。

制御装置９０は、基板処理装置１００の各構成装置、例えば、載置台２０に内蔵される第１加熱部２６やリフトピン３１に内蔵される第２加熱部５５、５６、供給装置８０、排気装置７０等の動作を制御する。制御装置９０は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）及びＲＡＭ（Random Access Memory）を有する。ＣＰＵは、ＲＡＭ等の記憶領域に格納されたレシピ（プロセスレシピ）に従い、所定の処理を実行する。レシピには、プロセス条件に対する基板処理装置１００の制御情報が設定されている。制御情報には、例えば、ガス流量や処理容器１０内の圧力、処理容器１０内の温度や静電チャックである第１プレート２１の載置面２１ｅの温度、プロセス時間等が含まれる。

尚、レシピ及び制御装置９０が適用するプログラムは、例えば、ハードディスクやコンパクトディスク、光磁気ディスク等に記憶されてもよい。また、レシピ等は、ＣＤ－ＲＯＭ、ＤＶＤ、メモリカード等の可搬性のコンピュータによる読み取りが可能な記憶媒体に収容された状態で制御装置９０にセットされ、読み出される形態であってもよい。制御装置９０はその他、コマンドの入力操作等を行うキーボードやマウス等の入力装置、基板処理装置１００の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等の表示装置、及びプリンタ等の出力装置といったユーザーインターフェイスを有している。

基板処理装置１００によれば、リフトピン３１が、リフトピン自身とピン孔２０ｄ周囲の載置台２０の温度を温調する第２加熱部５５、５６を内蔵することにより、載置面２１ｅの全域をコールドスポットを生じさせることなく、面内均一に加温することができる。また、リフトピン３１に第２加熱部５５、５６が内蔵されることから、製造効率が高く、装置の製造コスト増を抑制できる。さらに、第２加熱部５５が温度センサを兼用していることにより、装置の製造コスト増の抑制効果が一層高められる。

［第２実施形態に係る載置台装置］
次に、図５及び図６を参照して、第２実施形態に係る載置台装置の一例について説明する。ここで、図５は、基板処理装置を構成する、第２実施形態に係る載置台装置の一例を示す縦断面図であり、図６は、第２実施形態に係る載置台装置の他例のうち、リフトピンと導電体とコイルの相対関係を示す模式図である。

図示する載置台装置５０Ｃは、電気抵抗素子により形成される第２加熱部３７ｂが、リフトピン３１の周囲に取り付けられている構成を有する。

図示例では、鍔部３２の上方にリフトピン３１を包囲する筒部材３７ａが設けられ、筒部材３７ａの内部にヒータ等の第２加熱部３７ｂが内蔵されている。ここで、筒部材３７ａは、例えばアルミナ等のセラミックスから形成されている。

載置台装置５０Ｃでは、リフトピン３１の周囲に取り付けられている第２加熱部３７ｂがリフトピン３１を加熱し、加熱されたリフトピン３１がその周囲のピン孔２０ｄを加熱する。このことにより、載置面２１ｅの全域をコールドスポットを生じさせることなく、面内均一に加温することができる。また、リフトピン３１とは個別の筒部材３７ａに第２加熱部３７ｂが内蔵されることにより、より一層製造効率が高められ、装置の製造コスト増の抑制を図ることができる。

一方、図６に示すように、リフトピン３１の周囲に例えば筒状の導電体からなる第２加熱部５６Ａが配設され、第２加熱部５６Ａの周囲にコイル３８が配設される形態であってもよい。図示例の形態では、筒状の第２加熱部５６Ａと、コイル３８が埋設される筒部材３７Ａの双方が、支持部材３３の上面に固定される。

［第３実施形態に係る載置台装置］
次に、図７を参照して、第３実施形態に係る載置台装置の一例について説明する。ここで、図７は、基板処理装置を構成する、第３実施形態に係る載置台装置の一例を示す縦断面図である。

図示する載置台装置５０Ｄは、リフトピン３１とともにリフトピンユニット３０を構成する支持部材３３におけるリフトピン３１の周囲に、電気抵抗素子により形成される第２加熱部３９が配設されている構成を有する。

載置台装置５０Ｄでは、支持部材３３におけるリフトピン３１の周囲に配設されている第２加熱部３９が支持部材３３を介してリフトピン３１を加熱し、加熱されたリフトピン３１がその周囲のピン孔２０ｄを加熱する。このことにより、装置の製造コスト増の抑制を図りながら、載置面２１ｅの全域をコールドスポットを生じさせることなく、面内均一に加温することができる。

ここで、図示例の第２加熱部３９は、電気抵抗素子により形成されているが、図６に示すように、支持部材３３の内部において、リフトピン３１に近い側に例えば筒状の導電体からなる第２加熱部５６Ａが配設され、第２加熱部５６Ａの周囲にコイル３８が配設される。

［第４実施形態に係る載置台装置］
次に、図８を参照して、第４実施形態に係る載置台装置の一例について説明する。ここで、図８は、基板処理装置を構成する、第４実施形態に係る載置台装置の一例を示す縦断面図である。

図示する載置台装置５０Ｅは、載置台２０を構成する第１プレート２１におけるピン孔２０ｄの周囲に、電気抵抗素子により形成される第２加熱部２９が配設されている構成を有する。

載置台装置５０Ｅでは、第１プレート２１におけるピン孔２０ｄの周囲に配設されている第２加熱部２９が、ピン孔２０ｄの周囲を直接加熱するとともに、この放射熱によりリフトピン３１を加熱する。このことにより、装置の製造コスト増の抑制を図りながら、載置面２１ｅの全域をコールドスポットを生じさせることなく、面内均一に加温することができる。

ここで、図示例の第２加熱部２９は、電気抵抗素子により形成されているが、図６に示すように、第１プレート２１の内部において、リフトピン３１に近い側に例えば筒状の導電体からなる第２加熱部５６Ａが配設され、第２加熱部５６Ａの周囲にコイル３８が配設される。

さらにその他の形態として、図示を省略するが、載置台２０の下面におけるピン孔２０ｄの周囲に、例えば図４に示す筒部材がろう付けもしくはねじ止め等により固定され、筒部材の内部に電気抵抗素子により形成される第２加熱部が埋設される形態であってもよい。

上記実施形態に挙げた構成等に対し、その他の構成要素が組み合わされるなどした他の実施形態であってもよく、また、本開示はここで示した構成に何等限定されるものではない。この点に関しては、本開示の趣旨を逸脱しない範囲で変更することが可能であり、その応用形態に応じて適切に定めることができる。例えば、基板処理装置１００は、プラズマ処理装置であってもよい。具体的には、誘導結合型プラズマ（Inductive Coupled Plasma: ＩＣＰ）や電子サイクロトロン共鳴プラズマ（Electron Cyclotron resonance Plasma; ＥＣＰ）が挙げられる。また、ヘリコン波励起プラズマ（Helicon Wave Plasma; ＨＷＰ）や平行平板プラズマ（Capacitively coupled Plasma; ＣＣＰ）等が挙げられる。

２０ｄ：ピン孔
２０：載置台
２１ｅ：載置面
３１：リフトピン
４１：昇降機
２６：第１加熱部
２９，３７ｂ，３９，５５，５６，５６Ａ：第２加熱部
５０，５０Ａ，５０Ｂ，５０Ｃ，５０Ｄ，５０Ｅ：載置台装置
Ｗ：基板（ウエハ）

Claims (4)

1. ピン孔を備え、基板が載置される載置面を備える載置台と、
   前記ピン孔において昇降するリフトピンと、
   前記リフトピンを昇降させる昇降機と、を有し、
   前記載置台は、その内部において前記載置台を加熱する第１加熱部を備え、
   前記リフトピンは、その内部に前記リフトピンを加熱する第２加熱部を備えており、
   前記第２加熱部が棒状の導電体により形成され、
   複数の前記リフトピンが支持部材に支持され、前記支持部材が前記昇降機に固定されており、
   前記支持部材における前記リフトピンの周囲に、前記導電体に誘導電流を誘起するコイルが設けられており、
   前記ピン孔の周囲の温度を含めて、前記載置面の全域が設定温度となるように、前記第１加熱部と前記第２加熱部が温調制御される、載置台装置。
2. ピン孔を備え、基板が載置される載置面を備える載置台と、
   前記ピン孔において昇降するリフトピンと、
   前記リフトピンを昇降させる昇降機と、を有し、
   前記載置台は、その内部において前記載置台を加熱する第１加熱部を備え、
   前記リフトピンは、その内部に前記リフトピンを加熱する第２加熱部を備えており、
   前記第２加熱部が棒状の導電体により形成され、
   前記載置台の下面における前記ピン孔の周囲に、前記導電体に誘導電流を誘起するコイルが設けられており、
   前記ピン孔の周囲の温度を含めて、前記載置面の全域が設定温度となるように、前記第１加熱部と前記第２加熱部が温調制御される、載置台装置。
3. 基板を処理する処理容器と、
   載置台装置と、
   制御装置と、を有し、
   前記載置台装置は、
   ピン孔を備え、基板が載置される載置面を備える載置台と、
   前記ピン孔に挿通されて昇降するリフトピンと、
   前記リフトピンを昇降させる昇降機と、を有し、
   前記載置台は、その内部において前記載置台を加熱する第１加熱部を備え、
   前記リフトピンは、その内部に前記リフトピンを加熱する第２加熱部を備えており、
   前記第２加熱部が棒状の導電体により形成され、
   複数の前記リフトピンが支持部材に支持され、前記支持部材が前記昇降機に固定されており、
   前記支持部材における前記リフトピンの周囲に、前記導電体に誘導電流を誘起するコイルが設けられており、
   前記制御装置により、前記ピン孔の周囲の温度を含めて、前記載置面の全域が設定温度となるように、前記第１加熱部と前記第２加熱部の温調制御が実行される、基板処理装置。
4. 基板を処理する処理容器と、
   載置台装置と、
   制御装置と、を有し、
   前記載置台装置は、
   ピン孔を備え、基板が載置される載置面を備える載置台と、
   前記ピン孔に挿通されて昇降するリフトピンと、
   前記リフトピンを昇降させる昇降機と、を有し、
   前記載置台は、その内部において前記載置台を加熱する第１加熱部を備え、
   前記リフトピンは、その内部に前記リフトピンを加熱する第２加熱部を備えており、
   前記第２加熱部が棒状の導電体により形成され、
   前記載置台の下面における前記ピン孔の周囲に、前記導電体に誘導電流を誘起するコイルが設けられており、
   前記制御装置により、前記ピン孔の周囲の温度を含めて、前記載置面の全域が設定温度となるように、前記第１加熱部と前記第２加熱部の温調制御が実行される、基板処理装置。

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