KR101425533B1 - 히팅용 발열체를 이용한 반도체 설비용 히팅 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명에서 히팅부재의 발열소자에 대한 수명과 효율을 높이고, 온도 조절에 대한 반응성을 높일 수 있는 히팅용 발열체 및 이를 이용한 반도체 설비용 히팅 장치를 개시한다.
본 발명에 따른 히팅용 발열체는, 크롬이 12wt% 내지 14wt%가 함유된 강철합금으로, 지르코늄(Zr : ZrO2)이 1wt% 내지 2wt%가 함유되고, 20㎛ 내지 30㎛ 두께의 세라믹 코팅 또는 불소수지(PTFE-Polytetrafluoroethylen) 코팅, 퀄츠(Quartz) 코팅 중 어느 하나의 보호막으로 이루어지고; 히팅용 발열체를 이용한 반도체 설비용 히팅 장치는, 파이프; 상기 파이프의 외주면 상으로 권취되는 유도코일; 및 상기 파이프 내부에 설치되어 상기 유도코일의 유도 자기장에 의해 발열되는 상기 히팅용 발열체로 구성되며; 상기 히팅용 발열체는 로드 형태를 갖고, 상기 파이프의 각 종단에는 케미컬 배관과 체결되기 위한 체결너트가 형성되며, 상기 히팅용 발열체의 일단에는 상기 파이프와 소정 거리 이격 설치되도록 유도하는 비전도성 재질의 지지대가 마련되는 것을 특징으로 한다. 따라서, 본 발명은 반도체 제조용 세정장비 등에서 사용되는 케미컬이 흐르는 배관 내에 설치 가능하도록 소형 구조로 제시함으로써, 설비의 용이성을 높일 수 있는 효과가 있다.

Description

히팅용 발열체를 이용한 반도체 설비용 히팅 장치{HEATING SYSTEM FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURE EQUIPMENT USING THE HEATING MEMBER}
본 발명은 히팅 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 용액의 배출관 외주부로 인덕션 코일을 권취하고, 용액의 배출관 내부로 보호막으로 코팅된 발열체를 장착함으로써, 반도체 설비로 적용되는 세정장치의 용액을 전자기유도현상에 의해 급속 가열할 수 있는 히팅용 발열체를 이용한 반도체 설비용 히팅 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 제조 공정에서 실리콘 웨이퍼의 표면에는 여러 가지 오염 물질이 발생하거나 잔존하게 된다. 이러한 여러 가지 오염 물질을 화학적 방법으로 제거하는 세정 공정 기술은 부착된 오염 물질을 순수(D.I. Water) 및 케미컬을 이용하여 제거한다. 이때, 세정 장치는 액상의 케미컬을 직접 또는 간접으로 가열하여 공정 조건에 맞는 고온의 케미컬을 사용하게 된다.
즉, 고온의 케미컬은 상온의 케미컬을 가열함으로써 얻어지게 되는데, 케미컬을 가열하는 방식에 따라 케미컬을 직접 가열하는 직접 가열 방식과, 케미컬을 간접적으로 가열하는 간접 가열 방식이 있다.
이 중 직접 가열 방식의 세정 장치는 열효율이 우수하지만 케미컬 용기(bath) 내에 장착된 히터 장치에 균열 또는 작은 구멍이 형성되어 케미컬 용기의 오염을 초래하여 웨이퍼의 품질에 치명적인 악영향을 줄 가능성이 있다. 따라서, 최근에는 직접 가열 방식보다는 간접 가열 방식의 세정 장치를 더 선호하여 채용하고 있는 추세이다.
웨이퍼 세정 장치에서의 간접 가열 방식의 히터 장치는 케미컬을 가열하기 위하여 케미컬 용기 내부에 복수 개(예를 들어, 3 ~ 4 개 정도)를 구비하여, 히터 장치를 이용하여 간접 가열 방식으로 케미컬을 가열하거나, 펌프와 필터를 경유하여 케미컬 용기 내부의 청정 상태를 높이기 위한 구조가 있는 경우에 펌프와 필터 의 사이에 히터 장치를 구비하여 간접 가열 방식으로 케미컬을 가열하기도 한다.
첨부된 특허문헌은 종래 반도체용 케미컬 히팅장치를 제시하고 있다. 이를 도 1에 근거하여 설명하면 다음과 같다.
도시된 바와 같이, 종래 히터 장치(100)는 연결선(112)이 신규한 나선 형태의 구조적인 특징을 갖는다. 그리고 상기 히터 장치(100)는 두 개의 전원 연결핀들(102)과, 히터 코일(110)과, 내부관(108)과, 외부관(106) 및 베이스 캡(104)을 포함한다. 상기 연결선(112)은 전원의 플러스 전극과 마이너스 전극에 각각 연결되고, 하나의 전원 연결핀(102)은 상기 히터 코일(112)의 일단에 다른 하나의 전원 연결핀(102)은 상기 연결선(112)의 일단에 연결된다.
상기 히터 코일(110)은 예를 들어, 철(Fe), 크롬(Cr), 니켈(Ni) 등의 금속으 로 구비되고, 전원으로부터 전기 에너지를 받아서 열 에너지로 변환하여 발열하도록 복수 회의 권선으로 구비되며, 타단에 상기 연결선(112)이 연결된다. 상기 내부관(108)은 내부에 상기 히터 코일(110)을 보호하도록 형성되고, 고온에 대한 내성을 갖는 재질(예를 들어, 석영 등)로 구비되어, 상기 히터 코일(110)로부터 발열되는 열에너지를 외부로 방출시키도록 형성된다.
상기 외부관(106)은 상기 내부관(108) 및 상기 연결선(112)을 내부에 구비되도록 하는 하우징으로 형성되고, 내부에 진공 상태가 유지하도록 상기 베이스 캡(104)과 유기적으로 결합된다.
상기 베이스 캡(104)은 상기 전원 연결핀들(102)과 상기 내부관(108)이 고정되도록 지지하고, 상기 외부관(106)과 결합한다. 그리고 상기 연결선(112)은 본 발명의 구조적인 특징에 따라 상기 내부관(108)과 상기 외부관(106) 사이의 공간에 상기 내부관(108)을 중심으로 하는 나선 형태로 형성된다.
이때 상기 연결선(112)은 적어도 1 회 이상 트위스트(twist)되는 형태로 구비되는 것이 바람직하며, 이러한 나선 구조에 의한 탄성으로 인하여 연결선(112)이 열을 받더라도 그 형태가 유지된다. 그러므로 상기 연결선(112)은 스프링과 같은 나선 구조의 탄성에 의하여 히터 코일(110)로부터 열을 받더라도 외부관(106)과의 접촉이 방지된다.
그러나, 전술한 바와 같이 종래 히팅 장치는 외부관(106) 내부에 히터 코일(110)을 구비하고, 히터 코일(110)의 양단부에 연결선(112)이 접속된 상태이다. 또한, 상기 연결선(112)은 전원 연결핀(102)과 전기적으로 접속된 구조를 가진다. 따라서, 상기 히팅 장치의 히터 코일(110)은 외부관(106) 내부에 설치됨에 따라 케미컬을 직접적으로 가열하지 못하여 불필요한 전력 소모가 발생하는 문제가 있다. 또한, 히팅 장치의 전원 연결핀(102)은 케미컬 내부에 존재하게 되고, 히팅 장치와 연결되는 배선을 통해 전원 연결핀(102)으로 전력 공급이 이루어지기 때문에, 케미컬과 직접적으로 맞닿는 전원 연결핀(102)은 부식 현상이 발생하여 케미컬의 순도를 저하시키는 문제가 있다. 이를 방지하기 위해서는 히팅 장치를 자주 교체하고 있는데, 이는 시스템 운용의 비효율성을 야기하는 문제로 대두되고 있다.
1. 대한민국 등록특허 10-0457794, 등록일자 2004년 11월 09일, 발명의 명칭 '반도체 제조 설비의 히터 장치'
본 발명은 이와 같은 문제점을 해결하기 위해 창출된 것으로, 본 발명의 목적은 히팅부재의 발열소자에 대한 수명과 효율을 높이고, 온도 조절에 대한 반응성을 높여 시스템 구조의 안정성과 시스템 제어의 편의성을 확보할 수 있는 히팅용 발열체를 이용한 반도체 설비용 히팅 장치를 제공함에 있다.
본 발명의 다른 목적은, 반도체 제조용 세정장비 등에서 사용되는 케미컬이 흐르는 배관 내에 설치 가능하도록 소형 구조로 제시함으로써, 설비의 용이성을 높일 수 있는 히팅용 발열체를 이용한 반도체 설비용 히팅 장치를 제공함에 있다.
본 발명의 또 다른 목적은, 케미컬에 의해 기존 히팅 코일 및 접속단자 사이에 균열 및 피막현상이 발생하여 케미컬의 오염을 초래하는 구조적 문제점을 해결하여, 케미컬의 오염도를 방지하고 히팅 장치의 수명을 높일 수 있는 히팅용 발열체를 이용한 반도체 설비용 히팅 장치를 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제1 관점에 따른 히팅용 발열체는, 반도체 공정에 적용되는 히팅 장치의 발열체 구조에 있어서, 크롬이 12wt% 내지 14wt%가 함유된 강철합금으로, 지르코늄(Zr : ZrO2)이 1wt% 내지 2wt%가 함유되고, 20㎛ 내지 30㎛ 두께의 세라믹 코팅 또는 불소수지(PTFE-Polytetrafluoroethylen), 퀄츠(Quartz)로 보호막을 형성하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 바람직한 실시 예에 따르면, 탄소(C), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo)이 각각 0.5wt% 미만으로 더 함유되는 것을 특징으로 한다.
한편, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제2 관점에 따른 히팅용 발열체를 이용한 반도체 설비용 히팅 장치는, 제 1 항에 따른 히팅용 발열체가 적용된 히팅장치에 있어서, 파이프; 상기 파이프의 외주면 상으로 권취되는 유도코일; 및 상기 파이프 내부에 설치되어 상기 유도코일의 유도 자기장에 의해 발열되는 상기 히팅용 발열체로 구성되며; 상기 히팅용 발열체는 로드 형태를 갖고, 상기 파이프의 각 종단에는 케미컬 배관과 체결되기 위한 체결너트가 형성되며, 상기 히팅용 발열체의 일단에는 상기 파이프와 소정 거리 이격 설치되도록 유도하는 비전도성 재질의 지지대가 마련되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 지지대는, 고강도 및 고내열성을 갖는 세라믹스(Ceramics) 또는 PTFE로 형성되며; 상기 히팅용 발열체의 외주 면으로 삽설되는 환형 결합부; 상기 환형 결합부의 외향으로 돌출 성형되는 적어도 두 개 이상의 레그를 포함하고, 상기 지지대는 상기 히팅용 발열체의 외주 면상으로 적어도 둘 이상 체결된 후, 상기 파이프의 내주면으로 가압 설치되는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 다른 실시 예로서 히팅용 발열체를 이용한 반도체 설비용 히팅 장치는, 제 1 항에 따른 히팅용 발열체가 적용된 히팅장치에 있어서, 케미컬 용기; 상기 케미컬 용기의 하부로 이격 설치되어 유도 자기장을 발산하는 원반형 코일; 및 상기 케미컬 용기의 안측 저면에 설치되고 원반형태를 갖는 상기 히팅용 발열체로 구성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에서 제시하는 히팅용 발열체를 이용한 반도체 설비용 히팅 장치는, 히팅부재의 발열소자에 대한 수명과 효율을 높이고, 온도 조절에 대한 반응성을 높여 시스템 구조의 안정성과 시스템 제어의 편의성을 확보할 수 있는 효과를 갖는다. 또한, 반도체 제조용 세정장비 등에서 사용되는 케미컬이 흐르는 배관 내에 설치 가능하도록 소형 구조로 제시함으로써, 설비의 용이성을 높일 수 있는 효과가 있다.
도 1은 종래 반도체용 히터 장치를 설명하기 위한 구성도이다.
도 2는 본 발명에 따른 발열체 구조를 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 히팅장치를 나타낸 분해 사시도이다.
도 4는 본 발명의 발열체 구조에 대한 실험 데이터이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시 예로 나타낸 히팅장치를 설명하는 사시도이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시 예를 첨부된 예시도면에 의거 상세히 설명하면 다음과 같다.
먼저, 본 발명에서 적용되는 히팅 방식은 인덕션 원리에 기반하고 있으며, 히팅을 하기 위한 발열체는 크롬 12wt% 내지 14wt%과, 지르코늄(Zr : ZrO2) 1wt% 내지 2wt%가 함유된 강철합금이다. 이에, 탄소(C), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo)이 소량 함유된다. 전술한 탄소(C), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo)의 함유는 유도체의 성질이나 효율에 큰 영향은 없으나 강도가 높고 외부충격에 강하기 때문에, 시스템의 안정성을 확보한다. 또한, 내화, 내열성이 크기 때문에 제품의 변형을 억제하게 된다.
상기 지르코늄(Zr)은 유전체의 물성을 보유함에 따라, 본 발명에서 제시하는 자기 유도의 효율을 높여 발열량을 극대화한다. 물론, 상기 지르코늄(Zr)의 함유량이 기준치를 넘을 경우 자기 유도가 상쇄되어 발열량이 격감하는 문제가 있다. 즉, 지르코늄(Zr)의 함유량이 2wt%를 넘을 경우 유전체의 물성이 강화되어 유도코일에 의해 야기되는 자기 유도성분이 감쇄되는데, 자기 유도에 의한 발열은 발열체의 내부 저항에 의해 발열하기 때문에 유전체의 물성이 클 경우 발열체 내부의 저항을 격감시켜 발열 유도효율이 저하되는 것이다.
도 2는 본 발명에 따른 발열체를 나타낸 단면도이며, 도 2의 (가)는 로드 형태의 발열체이고, 도 2의 (나)는 원반 형태의 발열체이다. 이러한 발열체의 내부에는 강철합금으로 크롬이 12wt% 내지 14wt%가 함유되고, 지르코늄(Zr : ZrO2)이 1wt% 내지 2wt%가 함유된 금속재질의 발열부(210)와, 상기 발열부(210)의 외주면 상으로 세라믹 코팅 또는 불소수지(PTFE-Polytetrafluoroethylen), 퀄츠(Quartz)로 보호막이 형성되며, 상기 세라믹 코팅은 내굴곡성, 내알칼리성, 내산성, 내유성, 내충격성, 접착력 등이 우수하여 부식 및 오염을 차단한다. 상기 세라믹 코팅은 20㎛ 내지 30㎛가 바람직하며, 코팅의 두께가 30㎛를 넘더라도 자기유도에 의한 발열 효율은 크게 변하지 않는다. 다만, 코팅 시 제조비용이 가중됨에 따라 본 발명에 따른 세라믹 코팅은 대략 20㎛ 내지 30㎛로 한다.
도 3은 본 발명에 따른 히팅 장치를 나타낸 사시도이다. 도시된 바와 같이, 히팅 장치(300)는 케미컬 배관의 임의의 위치에 체결되는 파이프(307)와, 상기 파이프(307)의 외주면 상으로 권취되는 유도코일(301)과, 상기 파이프(307) 내부에 설치되어 상기 유도코일(301)의 자기유도로부터 발열되는 발열체(200)로 구성된다.
이에, 상기 파이프(307)의 각 종단에는 케미컬 배관과 체결되기 위한 체결너트(303; 또는 피팅(FITTING))가 형성되며, 상기 발열체(200)의 일단에는 상기 파이프(307)와 소정 거리 이격 설치되도록 유도하는 비전도성 재질의 지지대(305)가 마련된다. 상기 지지대(305)는 고강도 및 고내열성을 갖는 세라믹스(Ceramics) 또는 PTFE가 사용되며, 상기 발열체(200)의 외주 면으로 삽설되는 환형 결합부(313)와, 상기 환형 결합부(313)의 외향으로 돌출 성형되는 적어도 두 개 이상의 레그(311)를 포함한다.
따라서, 상기 지지대(305)는 발열체(200)의 외주 면상으로 적어도 둘 이상 체결된 후, 상기 파이프(307)의 내주면으로 가압 설치된다. 여기서, 유도코일(301)의 자기 유도효율을 높이기 위해 상기 유도코일(301)의 권취 폭은 발열체(200)의 길이와 동일하도록 한다.
또한, 상기 유도코일(301)은 자기 유도를 위한 펄스형태의 전기적 신호를 제공받는데, 미도시된 제어장치에 의해 상기 유도코일(301)로 정격화된 전류 및 전압을 갖는 펄스 신호가 공급된다. 상기 제어장치는 펄스 신호의 주파수를 변경함으로써, 케미컬의 온도를 가변시키거나, 펄스 신호의 동일한 주파수를 기반으로 상기 전류 및 전압을 가변시켜 케미컬의 온도제어가 이루어질 수 있다.
여기서, 히팅 원리는 인덕터의 구동 원리와 동일하며, 유도코일(301)로 소정 펄스의 전류가 공급될 때, 전류에 의한 자기장이 형성되고 상기 자기장이 발열체(200)로 인가됨으로 인해 발열체(200)의 발열이 발생하는 원리이다.
그리고, 상기 발열체(200)의 발열 효율은 유도코일(301)로 공급되는 전류, 전압 및 주파수로부터 발열량이 높아지나, 유도코일(301)로 공급되는 전류, 전압 및 주파수를 동일한 조건으로 설정한 후, 발열체(200)의 재질에 따른 발열 효율을 측정할 필요가 있다.
도 4는 본 발명에 따른 히팅장치의 발열 효율을 나타낸 실험 데이터이다. 도시된 바와 같이, 본 실험에서는 크롬이 13wt% 함유된 강철함금을 사용하였으며, 탄소, 니켈, 몰리브덴 함유량은 0.5wt% 미만이 사용되었다. 이에, 지르코늄 함유량을 0wt% 내지 4.0wt%까지 0.5wt% 단위로 증가시킨 각 50개의 시료를 생산한 후, 1,200W의 공급전력을 유지하여 최대 발열온도 및 최대 발열 시까지 소요되는 시간을 측정하였다.
도시한 바와 같이, 지르코늄이 0wt%일 경우에는 최대 발열온도가 648.2℃로 측정되었으며, 이때 소요된 시간은 평균 6.5sec이다. 여기서, 시간 측정은 발열체로 공급되는 공급전력이 1,200W에 도달하는 시점부터 시간이 측정된 것으로, 실질적인 소요시간과는 다소 차이가 발생할 수 있다. 본 발명에서 적용되는 발열체(200)의 최대 발열온도는 680℃ 이상을 기준으로 하며, 최대발열 소요시간은 5sec 이내로 한다. 따라서, 첫 번째 실험에서 최대 발열온도 및 최대 발열온도 소요시간에서 모두 미달임을 확인하였다.
한편, 두 번째 실험에서는 지르코늄을 0.5wt%를 함유한 강철합금으로, 최대 발열온도는 683.7℃이고, 최대발열 소요시간은 5.7sec이다. 본 실험에서는 최대 발열온도는 정상범위에 포함되나 소요시간은 다소 긴 것으로 판단되어, 본 발명에서 적절한 범위로 인지되지 못하고 있다.
세 번째 실험에서는 지르코늄을 1wt% 함유된 강철합금으로 최대 발열온도는 693.3℃이고 최대발열 소요시간은 4.3sec로서 안정적인 범위에서 동작함을 알 수 있었다. 이외에, 네 번째 실험에서도 적절한 범위를 가지며, 이는 지르코늄이 1.5wt%로서 최대 발열온도가 702.7℃로 상승하였고, 최대발열 소요시간은 4.3sec로 낮아졌다.
다섯 번째 실험은 지르코늄을 2.0wt%를 함유한 강철합금으로 최대 발열온도는 708.7℃로 온도가 상승함을 알 수 있었으며, 최대발열 소요시간 또한 4.9sec로 기준치 범위에 포함되고 있었다. 그러나, 여섯 번째 실험에서는 지르코늄을 2.5wt%를 함유한 것으로, 최대 발열온도는 707.6℃로 높은 편이었으나, 최대발열 소요시간은 5.3sec로 기준치를 넘은 것으로 측정되었다.
일곱 번째 실험에서는 지르코늄이 3.0wt% 함유된 강철합금으로 최대발열 온도가 688.1℃로 기준치 범위에 존재하였으나, 최대발열 소요시간은 5.4sec로 기준치를 벗어나 지연되고 있음으로 인지되었다. 여덟 번째 실험은 지르코늄이 3.5wt%로서 최대 발열온도가 657.9℃로 낮아지고, 최대발열 소요시간은 5.7sec로 늘어남을 보이고 있어, 본 실험에서 또한 기준치를 벗어남을 알 수 있었다.
아홉 번째 실험은 지르코늄을 4.0wt% 함유한 것으로, 최대 발열온도는 638.5℃로서 기준치 이하이며, 최대발열 소요시간 또한 5.9sec로서 기준치를 벗어나고 있다. 따라서, 본 실험에서 인지되는 바와 같이, 지르코늄 함유량은 1wt% 내지 2wt%가 바람직한 것으로 인지되었다.
도 5는 본 발명의 다른 실시 예로 나타낸 사시도이며, 도 2에서 예시한 원반형태의 발열체를 사용하고 있다. 상기 원반형태의 발열체는 케미컬 용기에 적용되는 구조로서, 로드 형태로서 케미컬 배관용에 체결하는 구조와는 달리 용기 하부에 부착된다.
즉, 케미컬 용기(501)의 안측 저면에 원반형태의 발열체(503)를 구비하며, 상기 원반형태의 발열체(503)는 상기 케미컬 용기(501)의 하부로 이격 설치된 원반형 유도코일(505)에 의해 자기유도 방식에 따라 발열하며, 미도시된 제어장치에 의해 원반형 유도코일(505)의 제어가 이루어진다.
상기 원반형 유도코일(505)의 제어방식은 전술한 바와 같이 정격의 전류, 전압을 갖고 설정된 펄스형태의 주파수 신호를 공급함으로써, 원반형 유도코일(505)에 의해 유도 자기장을 형성한다. 이러한 유도 자기장은 원반형 발열체(503)로 전이되며, 유도 자기장에 의해 원반형 발열체(503)는 자체 발열이 이루어진다.
본 발명의 실시 예로서, 상기 원반형 발열체(503)는 케미컬 용기(501)의 안측 저면에 장착하고 있으나, 필요에 따라 원반형 발열체(503) 및 케미컬 용기(501)의 일체화가 가능할 것이다. 이는 원반형 발열체(503)의 상부에 원통형 구조의 케미컬 용기(501)를 부착하는 것으로, 제품 단가를 격감시킬 수 있을 것이다.
200 : 발열체 210 : 발열부
220 : 코팅부 300 : 히팅장치
301 : 유도코일 303 : 체결너트
305 : 지지대 307 : 파이프
311 : 레그 313 : 환형 결합부
501 : 케미컬 용기 503 : 원반형 발열체
505 : 원반형 유도코일

Claims (7)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 반도체 공정에 적용되는 히팅 장치의 발열체를 구비한 히팅장치에 있어서,
    상기 발열체는 크롬이 12wt% 내지 14wt%가 함유되고, 지르코늄(Zr : ZrO2)이 1wt% 내지 2wt%가 함유된 강철합금으로 그 외주면 상으로 20㎛ 내지 30㎛ 두께의 세라믹 코팅이 이루어지며, 상기 코팅은 세라믹 코팅, 불소수지(PTFE-Polytetrafluoroethylen) 코팅, 퀄츠(Quartz) 코팅 중 어느 하나이고;
    상기 히팅장치는 파이프;
    상기 파이프의 외주면 상으로 권취되는 유도코일; 및
    상기 파이프 내부에 설치되어 상기 유도코일의 유도 자기장에 의해 발열되는 상기 히팅용 발열체로 구성되며;
    상기 히팅용 발열체는 로드 형태를 갖고, 상기 파이프의 각 종단에는 케미컬 배관과 체결되기 위한 체결너트가 형성되며, 상기 히팅용 발열체의 일단에는 상기 파이프와 소정 거리 이격 설치되도록 유도하는 비전도성 재질의 지지대가 마련되는 것을 특징으로 하는 히팅용 발열체를 이용한 반도체 설비용 히팅장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 지지대는 고강도 및 고내열성을 갖는 세라믹스(Ceramics) 또는 PTFE(Polytetrafluoroethylene)로 성형되며;
    상기 히팅용 발열체의 외주 면으로 삽설되는 환형 결합부;
    상기 환형 결합부의 외향으로 돌출 성형되는 적어도 두 개 이상의 레그를 포함하고, 상기 지지대는 상기 히팅용 발열체의 외주 면상으로 적어도 둘 이상 체결된 후, 상기 파이프의 내주면으로 가압 설치되는 것을 특징으로 하는 히팅용 발열체를 이용한 반도체 설비용 히팅장치.
  5. 반도체 공정에 적용되는 히팅 장치의 발열체를 구비한 히팅장치에 있어서,
    상기 발열체는 크롬이 12wt% 내지 14wt%가 함유되고, 지르코늄(Zr : ZrO2)이 1wt% 내지 2wt%가 함유된 강철합금으로 그 외주면 상으로 20㎛ 내지 30㎛ 두께의 세라믹 코팅이 이루어지며, 상기 코팅은 세라믹 코팅, 불소수지(PTFE-Polytetrafluoroethylen) 코팅, 퀄츠(Quartz) 코팅 중 어느 하나이고;
    케미컬 용기;
    상기 케미컬 용기의 하부로 이격 설치되어 유도 자기장을 발산하는 원반형 코일; 및
    상기 케미컬 용기의 안측 저면에 설치되고 원반형태를 갖는 상기 히팅용 발열체로 구성되는 것을 특징으로 하는 히팅용 발열체를 이용한 반도체 설비용 히팅장치.
  6. 제 3 항 또는 제 5 항에 있어서,
    정격 전류, 전압에 기반하여 주파수 변환에 의해 발열 온도를 제어하는 것을 특징으로 하는 히팅용 발열체를 이용한 반도체 설비용 히팅장치.
  7. 제 3 항 또는 제 5 항에 있어서,
    정격 주파수에 기반하여, 전류 및 전압 변환에 의해 발열 온도를 제어하는 것을 특징으로 하는 히팅용 발열체를 이용한 반도체 설비용 히팅장치.





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