JP7548201B2 - インダクタ部品およびインダクタ部品の製造方法 - Google Patents

インダクタ部品およびインダクタ部品の製造方法 Download PDF

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Description

本開示は、インダクタ部品およびインダクタ部品の製造方法に関する。
従来、インダクタ部品としては、特開２０１７－１１１８５号公報（特許文献１）に記載されたものがある。インダクタ部品は、磁性層を有する素体と、素体内に配置されたコイルと、コイルを覆う非磁性体の絶縁層とを備える。コイルは、積層された複数のスパイラル配線を有する。スパイラル配線は、１ターン以上である。絶縁層は、コイルの内磁路に相当する領域に孔部を有し、孔部内には素体の一部が設けられている。
特開２０１７－１１１８５号公報
ところで、従来のようなインダクタ部品において、０．５ターン以下のスパイラル配線を使用すると、以下の課題があることが分かった。０．５ターン以下のスパイラル配線は、１ターン以上のスパイラル配線よりも曲線部分が短く、巻回しきらない形状となるため、１ターン以上のスパイラル配線と比較して、スパイラル配線を覆う絶縁層と素体との接触面の向きに偏りが生じ、特定方向における絶縁層と素体との密着性が低減する可能性がある。このため、例えば、熱負荷などにより素体と絶縁層とが膨張または収縮したとき、膨張率の違いおよび上記特定方向の密着性の弱さに起因して絶縁層と素体の間に隙間が生じ、この隙間に水分が侵入して、インダクタ部品の劣化が促進する可能性がある。
そこで、本開示は、素体と絶縁層の密着性を向上し、信頼性を向上できるインダクタ部品およびインダクタ部品の製造方法を提供することにある。
前記課題を解決するため、本開示の一態様であるインダクタ部品は、
素体と、前記素体内に配置されたコイルと、前記コイルの少なくとも一部を覆う非磁性体の絶縁層とを備え、
前記素体は、第１方向に沿って順に積層された第１磁性層および第２磁性層を有し、
前記コイルは、前記第１磁性層と前記第２磁性層の間で前記第１方向に直交する平面に沿って延在する０．５ターン以下の小ターンインダクタ配線を有し、
前記小ターンインダクタ配線の延在方向に直交する第１断面において、
前記小ターンインダクタ配線は、前記第１方向を向く天面と、前記第１方向と逆方向の第２方向を向く底面と、前記第１方向に直交する第３方向を向く第１側面と、前記第３方向と逆方向の第４方向を向く第２側面とを有し、かつ、
前記絶縁層は、前記天面よりも前記第１方向に位置する天面部および前記底面よりも前記第２方向に位置する底面部のうちの少なくとも一方の部分と、前記第１側面を覆う第１側面部と、前記第２側面を覆う第２側面部と、前記少なくとも一方の部分から前記第１側面部よりも前記第３方向に突出する第１突出部と、前記少なくとも一方の部分から前記第２側面部よりも前記第４方向に突出する第２突出部とを有する。
ここで、小ターンインダクタ配線のターン数について、０．５ターン以下とは、コイルの軸方向からみて、小ターンインダクタ配線の両端部のそれぞれの中心とコイルの軸を結ぶときの中心角度が１８０°以下となる状態や、直線形状、ミアンダ形状といった周回しない状態をいう。
前記態様によれば、第１突出部と第２突出部とを有するので、第１突出部および第２突出部により絶縁層と素体との接触面積を増加でき、また、第１突出部および第２突出部を素体内に食い込ませることができる。これにより、絶縁層と素体との密着性が向上し、インダクタ部品の信頼性を向上できる。
好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、
前記小ターンインダクタ配線は、前記第１方向に沿って複数層存在し、
前記第１断面において、全ての前記第１突出部および前記第２突出部には、長さが異なるものが存在する。
前記実施形態によれば、一部の第１または第２突出部の長さを長くすることで、絶縁層と素体との密着性をより向上することができる。また、一部の第１または第２突出部の長さを短くすることで、磁路の磁気抵抗を小さくして、インダクタンスの取得効率を向上することができる。
好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、
前記小ターンインダクタ配線は、前記第１方向に沿って複数層存在し、
前記第１断面において、前記第１方向に位置する前記小ターンインダクタ配線ほど、前記第１突出部および前記第２突出部の長さは、短い。
前記実施形態によれば、第１と第２突出部の長さは、第１方向のインダクタ配線ほど短いので、第１方向に向かうほどコイルの磁路の面積が広がる。これにより、製造時にコイルの第１方向側から第２磁性層を第２方向に充填する際、コイルへの第２磁性層の充填が容易となり、充填率が向上してインダクタンスを向上することができる。
好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、前記第１断面において、前記第１突出部および前記第２突出部のうちの少なくとも一つは、前記第２方向に傾いている。
前記実施形態によれば、第１突出部および第２突出部のうちの少なくとも一つは、第２方向に傾いているので、製造時にコイルの第１方向側から第２磁性層を第２方向に充填する際、コイルへの第２磁性層の充填が円滑となる。また、突出部の第２方向への傾きにより、第２磁性層の充填後、第２磁性層の第１方向への抜けに対抗でき、絶縁層と素体との密着性をより向上できる。
好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、前記第１断面において、前記第１突出部および前記第２突出部のうちの少なくとも一つは、前記第１方向に傾いている。
前記実施形態によれば、第１突出部および第２突出部のうちの少なくとも一つは、第１方向に傾いているので、製造時にコイルの第２方向側から第１磁性層を第１方向に充填する際、コイルへの第１磁性層の充填が円滑となる。また、突出部の第１方向への傾きにより、第１磁性層の充填後、第１磁性層の第２方向への抜けに対抗でき、絶縁層と素体との密着性をより向上できる。
好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、
前記小ターンインダクタ配線は、前記第１方向に沿って複数層存在し、
前記コイルは、前記複数の小ターンインダクタ配線が直列に接続されて１ターン以上を構成し、
前記第１断面において、全ての前記第１突出部および前記第２突出部は、前記コイルの内磁路および外磁路の何れかに位置する。
前記実施形態によれば、絶縁層と素体との密着性をより向上できる。
好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、前記第１断面において、前記第１突出部の長さは、前記第２突出部の長さと異なる。
前記実施形態によれば、第１または第２突出部の一方の長さを長くすることで、絶縁層と素体との密着性をより向上することができる。また、第１または第２突出部の他方の長さを短くすることで、磁路の磁気抵抗を小さくして、インダクタンスの取得効率を向上することができる。
好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、
前記小ターンインダクタ配線は、前記第１方向に沿ってｎ（ｎ≧２）層存在し、
第１層の前記小ターンインダクタ配線を覆う前記絶縁層の材料は、第ｍ（２≦ｍ≦ｎ）層の前記小ターンインダクタ配線を覆う前記絶縁層の材料と異なる。
前記実施形態によれば、設計自由度を高くすることができる。例えば、第１層の小ターンインダクタ配線を覆う絶縁層の材料は、ベース基板との剥離や応力を重視して、選択されることが好ましい。一方、第ｍ層の小ターンインダクタ配線を覆う絶縁層の材料は、レーザやフォトリソ解像性、段差への被覆性などで選択されることが好ましい。
好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、
前記第１磁性層と前記第２磁性層は、磁性粉を含み、
前記第２磁性層の前記第１磁性層との接触面は、前記磁性粉の切断面を含み、前記第１磁性層の前記第２磁性層との接触面は、前記磁性粉の表面を含む。
ここで、磁性粉の表面とは、切断されていない磁性粉の表面をいい、例えば球面であり、切断面は含まれない。
前記実施形態によれば、第２磁性層の接触面を平坦にできるので、製造時に第１磁性層を第２磁性層に向かって充填する際に、第１磁性層に対して圧力を容易に伝達することができる。このため、第１磁性層の磁性粉の充填率を高くすることができ、その結果、インダクタンスが向上する。
好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、
前記絶縁層は、前記小ターンインダクタ配線を覆うとともに前記小ターンインダクタ配線の延在方向に沿って連続して延伸し、前記小ターンインダクタ配線を覆う第１部分と、前記小ターンインダクタ配線を覆わない第２部分とを有し、
前記第２部分の延在方向に直交する第２断面において、
前記第２部分は、
前記小ターンインダクタ配線の延在方向に対応した位置に存在する本体部と、
前記本体部よりも前記第１方向に位置する天面部および前記本体部よりも前記第２方向に位置する底面部のうちの少なくとも一方の部分と、
前記少なくとも一方の部分から前記本体部よりも前記第１方向に直交する第５方向に突出する第１突出部と、
前記少なくとも一方の部分から前記本体部よりも前記第５方向と逆方向の第６方向に突出する第２突出部と
を有する。
前記実施形態によれば、第１部分に加えて第２部分を設けているので、第２部分により絶縁層と素体との接触面積をさらに増加でき、また、第２部分の第１突出部および第２突出部を素体内に食い込ませることができる。これにより、絶縁層と素体との密着性がさらに向上し、インダクタ部品の信頼性をさらに向上できる。
また、第２部分のようなダミー絶縁層を設けることで、第１方向からみて、他のインダクタ配線を小ターンインダクタ配線の一部からずらして相対的に積層する場合、第１方向からみて、他のインダクタ配線を第１部分に加えて第２部分にも相対的に重ねることができ、インダクタ配線の平坦性を確保することができる。
好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、前記第１方向からみて前記小ターンインダクタ配線の少なくとも一部に重なる位置に他のインダクタ配線を備える。
前記実施形態によれば、他のインダクタ配線は、第１方向に直交する平面方向に無駄に広がらないため、素体の体積を大きくすることができる。
好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、前記第１方向において、前記小ターンインダクタ配線と同じ位置にある前記第１磁性層または前記第２磁性層は、前記第１方向に直交する方向からみたとき、前記他のインダクタ配線の一部に重なる。
前記実施形態によれば、磁性層（磁路）の体積を大きくすることができる。
好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、前記他のインダクタ配線の一部に重なる前記第１磁性層または前記第２磁性層は、前記他のインダクタ配線の前記第１方向に位置する第２磁性層である。
前記実施形態によれば、磁性層（磁路）の体積を大きくすることができる。製造時に第２磁性層の充填を行いやすい。
好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、前記他のインダクタ配線の一部に重なる前記第１磁性層または前記第２磁性層は、前記他のインダクタ配線の前記第２方向に位置する第１磁性層である。
前記実施形態によれば、磁性層（磁路）の体積を大きくすることができる。製造時に第１磁性層の充填を行いやすい。
好ましくは、インダクタ部品の製造方法の一実施形態では、
延在方向に直交する第１断面において、第１方向を向く天面と、前記第１方向と逆方向の第２方向を向く底面と、前記第１方向に直交する第３方向を向く第１側面と、前記第３方向と逆方向の第４方向を向く第２側面とを有する０．５ターン以下の小ターンインダクタ配線を形成する工程と、
前記第１断面において、前記天面よりも前記第１方向に位置する天面部および前記底面よりも前記第２方向に位置する底面部のうちの少なくとも一方の部分と、前記第１側面を覆う第１側面部と、前記第２側面を覆う第２側面部と、前記少なくとも一方の部分から前記第１側面部よりも前記第３方向に突出する第１突出部と、前記少なくとも一方の部分から前記第２側面部よりも前記第４方向に突出する第２突出部とを有するように、絶縁層を形成する工程と、
前記小ターンインダクタ配線および前記絶縁層を挟むように、第１磁性層および第２磁性層を前記第１方向に沿って積層して素体を形成する工程と
を備える。
前記実施形態によれば、絶縁層と磁性層の密着性が向上する。
好ましくは、インダクタ部品の製造方法の一実施形態では、
前記小ターンインダクタ配線を形成する工程は、さらに、前記第１方向からみて前記第１突出部または前記第２突出部と重複可能な位置にダミー配線を形成し、
前記小ターンインダクタ配線を形成する工程の後に、さらに、前記ダミー配線を除去する工程を備え、
前記素体を形成する工程は、さらに、前記ダミー配線を除去した位置に前記第１磁性層または前記第２磁性層を充填する。
前記実施形態によれば、第１突出部または第２突出部に密着する磁性層を低コストで製造することができる。
本開示の一態様であるインダクタ部品およびインダクタ部品の製造方法によれば、素体と絶縁層の密着性を向上し、信頼性を向上できる。
インダクタ部品の第１実施形態を示す平面図である。 図１のＡ－Ａ断面図である。 図１のＢ－Ｂ断面図である。 図２ＢのＡ部の拡大図である。 インダクタ部品の製法を説明する説明図である。 インダクタ部品の製法を説明する説明図である。 インダクタ部品の製法を説明する説明図である。 インダクタ部品の製法を説明する説明図である。 インダクタ部品の製法を説明する説明図である。 インダクタ部品の製法を説明する説明図である。 インダクタ部品の製法を説明する説明図である。 インダクタ部品の製法を説明する説明図である。 インダクタ部品の製法を説明する説明図である。 インダクタ部品の製法を説明する説明図である。 インダクタ部品の第２実施形態を示す断面図である。 インダクタ部品の第２実施形態を示す断面図である。 インダクタ部品の第３実施形態を示す断面図である。 インダクタ部品の第４実施形態を示す平面図である。 図７のＡ－Ａ断面図である。 インダクタ部品の製法を説明する説明図である。 インダクタ部品の製法を説明する説明図である。 インダクタ部品の製法を説明する説明図である。 インダクタ部品の製法を説明する説明図である。 インダクタ部品の製法を説明する説明図である。 インダクタ部品の製法を説明する説明図である。 インダクタ部品の製法を説明する説明図である。 インダクタ部品の製法を説明する説明図である。 インダクタ部品の製法を説明する説明図である。 インダクタ部品の製法を説明する説明図である。 インダクタ部品の製法を説明する説明図である。 インダクタ部品の第５実施形態を示す断面図である。 インダクタ部品の第６実施形態を示す断面図である。
以下、本開示の一態様であるインダクタ部品およびインダクタ部品の製造方法を図示の実施の形態により詳細に説明する。なお、図面は一部模式的なものを含み、実際の寸法や比率を反映していない場合がある。
＜第１実施形態＞
（構成）
図１は、インダクタ部品の第１実施形態を示す平面図である。図２Ａは、図１のＡ－Ａ断面図である。図２Ｂは、図１のＢ－Ｂ断面図である。
インダクタ部品１は、例えば、パソコン、ＤＶＤプレーヤー、デジタルカメラ、ＴＶ、携帯電話、カーエレクトロニクスなどの電子機器に搭載され、例えば全体として直方体形状の部品である。ただし、インダクタ部品１の形状は、特に限定されず、円柱状や多角形柱状、円錐台形状、多角形錐台形状であってもよい。
図１、図２Ａ、図２Ｂに示すように、インダクタ部品１は、素体１０と、素体１０内に配置されたコイル１５と、コイル１５の少なくとも一部を覆う非磁性体の絶縁層６０と、素体１０の第１主面１０ａから端面が露出するように素体１０内に設けられた第１垂直配線５１、第２垂直配線５２および第３垂直配線５３と、素体１０の第１主面１０ａにおいて露出する第１外部端子４１、第２外部端子４２および第３外部端子４３とを備える。図１では、便宜上、第１から第３外部端子４１～４３を二点鎖線で示す。
図中、インダクタ部品１の厚み方向をＺ方向とし、順Ｚ方向を上側、逆Ｚ方向を下側とする。インダクタ部品１のＺ方向に直交する平面において、インダクタ部品１の長手方向であり、第１外部端子４１および第２外部端子４２が並ぶ方向である長さ方向をＸ方向とし、長さ方向に直交する方向であるインダクタ部品１の幅方向をＹ方向とする。
素体１０は、第１主面１０ａおよび第２主面１０ｂと、第１主面１０ａと第２主面１０ｂの間に位置し第１主面１０ａと第２主面１０ｂを接続する第１側面１０ｃ、第２側面１０ｄ、第３側面１０ｅおよび第４側面１０ｆとを有する。
第１主面１０ａおよび第２主面１０ｂは、Ｚ方向に互いに反対側に配置され、第１主面１０ａは、順Ｚ方向に配置され、第２主面１０ｂは、逆Ｚ方向に配置される。第１側面１０ｃおよび第２側面１０ｄは、Ｘ方向に互いに反対側に配置され、第１側面１０ｃは、逆Ｘ方向に配置され、第２側面１０ｄは、順Ｘ方向に配置される。第３側面１０ｅおよび第４側面１０ｆは、Ｙ方向に互いに反対側に配置され、第３側面１０ｅは、逆Ｙ方向に配置され、第４側面１０ｆは、順Ｙ方向に配置される。
素体１０は、順Ｚ方向に沿って順に積層された第１磁性層１１および第２磁性層１２を有する。この「順に」とは、単に第１磁性層１１および第２磁性層１２の位置関係を示すだけであり、第１磁性層１１および第２磁性層１２の形成順とは関係ない。
第１磁性層１１および第２磁性層１２は、それぞれ、磁性粉と当該磁性粉を含有する樹脂とを含む。樹脂は、例えば、エポキシ系、フェノール系、液晶ポリマー系、ポリイミド系、アクリル系もしくはそれらを含む混合物からなる有機絶縁材料である。磁性粉は、例えば、ＦｅＳｉＣｒなどのＦｅＳｉ系合金、ＦｅＣｏ系合金、ＮｉＦｅなどのＦｅ系合金、または、それらのアモルファス合金である。したがって、フェライトからなる磁性層と比較して、磁性粉により直流重畳特性を向上でき、樹脂により磁性粉間が絶縁されるので、高周波でのロス（鉄損）が低減される。なお、磁性層は、フェライトや磁性粉の焼結体など、有機樹脂を含まない場合であってもよい。
コイル１５は、０．５ターン以下の第１インダクタ配線２１Ａと、０．５ターン以下の第２インダクタ配線２１Ｂとを有する。第１インダクタ配線２１Ａおよび第２インダクタ配線２１Ｂは、それぞれ、特許請求の範囲に記載の「小ターンインダクタ配線」に相当する。
第１インダクタ配線２１Ａおよび第２インダクタ配線２１Ｂは、第１磁性層１１と第２磁性層１２の間で順Ｚ方向に直交する平面に沿って延在する。具体的に述べると、第１磁性層１１は、第１インダクタ配線２１Ａおよび第２インダクタ配線２１Ｂの逆Ｚ方向に存在し、第２磁性層１２は、第１インダクタ配線２１Ａおよび第２インダクタ配線２１Ｂの順Ｚ方向および順Ｚ方向に直交する方向に存在する。
第１インダクタ配線２１Ａは、Ｚ方向から見たときに、Ｘ方向に沿って直線状に延在している。第２インダクタ配線２１Ｂは、Ｚ方向から見たときに、一部分がＸ方向に沿って直線状に延在し、その他の部分がＹ方向に沿って直線状に延在し、つまり、Ｌ字状に延在している。
第１、第２インダクタ配線２１Ａ，２１Ｂの厚みは、例えば、４０μｍ以上１２０μｍ以下であることが好ましい。第１、第２インダクタ配線２１Ａ，２１Ｂの実施例として、厚みが３５μｍ、配線幅が５０μｍ、配線間の最大スペースが２００μｍである。
第１インダクタ配線２１Ａおよび第２インダクタ配線２１Ｂは、導電性材料からなり、例えばＣｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌなどの低電気抵抗な金属材料からなる。本実施形態では、インダクタ部品１は、第１、第２インダクタ配線２１Ａ，２１Ｂを１層のみ備えており、インダクタ部品１の低背化を実現できる。なお、インダクタ配線は、シード層と電解めっき層との２層構成であってもよく、シード層として、ＴｉやＮｉを含んでいてもよい。
第１インダクタ配線２１Ａの第１端部２１ａは、第１垂直配線５１に電気的に接続され、第１インダクタ配線２１Ａの第２端部２１ｂは、第２垂直配線５２に電気的に接続される。つまり、第１インダクタ配線２１Ａは、第１、第２端部２１ａ，２１ｂに線幅の大きいパッド部を有し、パッド部において、第１、第２垂直配線５１，５２と直接接続されている。
第２インダクタ配線２１Ｂの第１端部２２ａは、第３垂直配線５３に電気的に接続され、第２インダクタ配線２１Ｂの第２端部２２ｂは、第２垂直配線５２に電気的に接続される。つまり、第２インダクタ配線２１Ｂは、第１端部２２ａにパッド部を有し、パッド部において、第３垂直配線５３と直接接続されている。第２インダクタ配線２１Ｂの第２端部２２ｂは、第１インダクタ配線２１Ａの第２端部２１ｂと共通である。
第１インダクタ配線２１Ａの第１端部２１ａと第２インダクタ配線２１Ｂの第１端部２２ａとは、Ｚ方向から見たときに、素体１０の第１側面１０ｃ側に位置する。第１インダクタ配線２１Ａの第２端部２１ｂと第２インダクタ配線２１Ｂの第２端部２２ｂとは、Ｚ方向から見たときに、素体１０の第２側面１０ｄ側に位置する。
第１インダクタ配線２１Ａの第１端部２１ａおよび第２インダクタ配線２１Ｂの第１端部２２ａのそれぞれに、第１引出配線２０１が接続され、第１引出配線２０１は、第１側面１０ｃから露出する。第１インダクタ配線２１Ａの第２端部２１ｂおよび第２インダクタ配線２１Ｂの第２端部２２ｂに、第２引出配線２０２が接続され、第２引出配線２０２は、第２側面１０ｄから露出する。
第１引出配線２０１および第２引出配線２０２は、インダクタ部品１の製造過程において、第１、第２インダクタ配線２１Ａ，２１Ｂの形状を形成後、追加で電解めっきを行う際の給電配線と接続される配線である。この給電配線によりインダクタ部品１を個片化する前のインダクタ基板状態において、追加で電解めっきを容易に行うことができ、配線間距離を狭くすることができる。また、追加で電解めっきを行うことで、第１、第２インダクタ配線２１Ａ，２１Ｂの配線間距離を狭くすることにより、第１、第２インダクタ配線２１Ａ，２１Ｂの磁気結合を高めることができる。また、第１引出配線２０１および第２引出配線２０２を設けることで、インダクタ部品１の個片化の際の素体１０の切断時に、強度を確保することができ、製造時の歩留まりを向上することができる。
第１から第３垂直配線５１～５３は、各インダクタ配線２１Ａ，２１ＢからＺ方向に延在し、第２磁性層１２の内部を貫通している。第１垂直配線５１は、第１インダクタ配線２１Ａの第１端部２１ａの上面から素体１０の第１主面１０ａまで延在し、第１垂直配線５１の端面は、素体１０の第１主面１０ａから露出する。第２垂直配線５２は、第１インダクタ配線２１Ａの第２端部２１ｂの上面から素体１０の第１主面１０ａまで延在し、第２垂直配線５２の端面は、素体１０の第１主面１０ａから露出する。第３垂直配線５３は、第２インダクタ配線２１Ｂの第１端部２２ａの上面から素体１０の第１主面１０ａまで延在し、第３垂直配線５３の端面は、素体１０の第１主面１０ａから露出する。
したがって、第１垂直配線５１、第２垂直配線５２、第３垂直配線５３は、第１インダクタ配線２１Ａ、第２インダクタ配線２１Ｂから上記第１主面１０ａから露出する端面まで、第１主面１０ａに直交する方向に直線状に伸びる。これにより、第１外部端子４１、第２外部端子４２、第３外部端子４３と、第１インダクタ配線２１Ａ、第２インダクタ配線２１Ｂとをより短い距離で接続することができ、インダクタ部品１の低抵抗化や高インダクタンス化を実現できる。第１から第３垂直配線５１～５３は、導電性材料からなり、例えば、インダクタ配線２１Ａ，２１Ｂと同様の材料からなる。
第１垂直配線５１は、絶縁層６０の内部を貫通するビア配線３５と、該ビア配線３５から上側に延在し、第２磁性層１２の内部を貫通する第１柱状配線３１とを有する。第２垂直配線５２は、絶縁層６０の内部を貫通するビア配線３５と、該ビア配線３５から上側に延在し、第２磁性層１２の内部を貫通する第２柱状配線３２とを有する。第３垂直配線５３は、絶縁層６０の内部を貫通するビア配線３５と、該ビア配線３５から上側に延在し、第２磁性層１２の内部を貫通する第３柱状配線３３とを有する。ビア配線３５は、柱状配線３１～３３よりも線幅（径、断面積）が小さい導体である。
第１から第３外部端子４１～４３は、素体１０の第１主面１０ａに設けられている。第１から第３外部端子４１～４３は、導電性材料からなり、例えば、低電気抵抗かつ耐応力性に優れたＣｕ、耐食性に優れたＮｉ、はんだ濡れ性と信頼性に優れたＡｕが内側から外側に向かってこの順に並ぶ３層構成である。
第１外部端子４１は、第１垂直配線５１の素体１０の第１主面１０ａから露出する端面に接触し、第１垂直配線５１と電気的に接続されている。これにより、第１外部端子４１は、第１インダクタ配線２１Ａの第１端部２１ａに電気的に接続される。第２外部端子４２は、第２垂直配線５２の素体１０の第１主面１０ａから露出する端面に接触し、第２垂直配線５２と電気的に接続されている。これにより、第２外部端子４２は、第１インダクタ配線２１Ａの第２端部２１ｂおよび第２インダクタ配線２１Ｂの第２端部２２ｂに電気的に接続される。第３外部端子４３は、第３垂直配線５３の端面に接触し、第３垂直配線５３と電気的に接続されて、第２インダクタ配線２１Ｂの第１端部２２ａに電気的に接続される。
絶縁層６０は、磁性体を含まない絶縁性材料からなる。絶縁層６０は、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、液晶ポリマーやこれらの組み合わせなどの有機樹脂や、ガラスやアルミナなどの焼結体、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜などの薄膜などである。
図２Ｂに示すように、第１インダクタ配線２１Ａおよび第２インダクタ配線２１Ｂの延在方向に直交する第１断面において、第１インダクタ配線２１Ａおよび第２インダクタ配線２１Ｂは、それぞれ、順Ｚ方向を向く天面２１１と、Ｚ方向を向く底面２１２と、逆Ｙ方向を向く第１側面２１３と、Ｙ方向を向く第２側面２１４とを有する。
順Ｚ方向は、特許請求の範囲に記載の「第１方向」に相当し、逆Ｚ方向は、特許請求の範囲に記載の「第１方向と逆方向の第２方向」に相当し、逆Ｙ方向は、特許請求の範囲に記載の「第１方向に直交する第３方向」に相当し、Ｙ方向は、特許請求の範囲に記載の「第３方向と逆方向の第４方向」に相当する。以下、第１～第４方向と記載することがある。
絶縁層６０は、天面２１１よりも第１方向に位置する天面部６１と、底面２１２よりも第２方向に位置する底面部６２と、第１側面２１３を覆う第１側面部６３と、第２側面２１４を覆う第２側面部６４と、天面部６１から第１側面部６３よりも第３方向に突出する天面側第１突出部６５と、天面部６１から第２側面部６４よりも第４方向に突出する天面側第２突出部６６と、底面部６２から第１側面部６３よりも第３方向に突出する底面側第１突出部６７と、底面部６２から第２側面部６４よりも第４方向に突出する底面側第２突出部６８とを有する。天面部６１は、天面２１１、第１側面部６３、第２側面部６４に接触し、底面部６２は、底面２１２、第１側面部６３、第２側面部６４に接触する。
上記構成によれば、第１突出部６５、６７と第２突出部６６、６８とを有するので、第１突出部６５、６７および第２突出部６６、６８により絶縁層６０と素体１０との接触面積を増加でき、また、第１突出部６５、６７および第２突出部６６、６８を素体１０内に食い込ませることができる。これにより、絶縁層６０と素体１０との密着性が向上し、インダクタ部品１の信頼性を向上できる。
具体的に述べると、第１、第２インダクタ配線２１Ａ、２１Ｂは、０．５ターン以下であり、１ターン以上のインダクタ配線よりも曲線部分が短く、巻回しきらない形状となる。このため、仮に、第１突出部６５、６７および第２突出部６６、６８を有していなければ、０．５ターン以下のインダクタ配線では、１ターン以上のインダクタ配線と比較して、インダクタ配線を覆う絶縁層と素体との接触面の向きに偏りが生じ、特定方向における絶縁層と素体との密着性が低減する可能性がある。
これに対して、第１突出部６５、６７および第２突出部６６、６８を有することで、第１、第２インダクタ配線２１Ａ、２１Ｂを覆う絶縁層６０と素体１０との接触面の向きの偏りを低減し、特定方向における絶縁層６０と素体１０との密着性を向上できる。
したがって、例えば、熱負荷などにより素体１０と絶縁層６０とが膨張または収縮しても、絶縁層６０と素体１０の間の隙間の発生を低減でき、この隙間への水分の侵入を阻止して、インダクタ部品１の劣化を抑制することができる。
好ましくは、第１断面において、第１突出部６５、６７の少なくとも１つの長さは、第２突出部６６、６８の少なくとも１つの長さと異なる。このとき、同一の絶縁層６０において、第１突出部６５、６７の少なくとも１つの長さが、第２突出部６６、６８の少なくとも１つの長さと異なっていてもよく、または、全ての絶縁層６０において、第１突出部６５、６７の少なくとも１つの長さが、第２突出部６６、６８の少なくとも１つの長さと異なっていてもよい。
上記構成によれば、第１または第２突出部の一方の長さを長くすることで、絶縁層６０と素体１０との密着性をより向上することができる。また、第１または第２突出部の他方の長さを短くすることで、磁路の磁気抵抗を小さくして、インダクタンスの取得効率を向上することができる。
好ましくは、第１断面において、第１突出部６５、６７の長さは、第２突出部６６、６８の長さと同じである。このとき、同一の絶縁層６０において、第１突出部６５、６７の長さが、第２突出部６６、６８の長さと同じであってもよく、または、全ての絶縁層６０において、第１突出部６５、６７の長さが、第２突出部６６、６８の長さと同じであってもよい。
上記構成によれば、第１および第２突出部の長さを同じにすることで、絶縁層６０を容易に製造することができる。
図３は、図２ＢのＡ部の拡大図である。図３に示すように、第１磁性層１１と第２磁性層１２は、それぞれ、磁性粉１００と磁性粉１００を含有する樹脂１０１とを含む。好ましくは、第２磁性層１２の第１磁性層１１との接触面１２ａは、磁性粉１００の切断面を含み、第１磁性層１１の第２磁性層１２との接触面１１ａは、磁性粉１００の表面を含む。
上記構成によれば、第２磁性層１２の接触面１２ａを平坦にできるので、製造時に第１磁性層１１を第２磁性層１２に向かって充填する際に、第１磁性層１１に対して圧力を容易に伝達することができる。このため、第１磁性層１１の磁性粉１００の充填率を高くすることができ、その結果、インダクタンスが向上する。
第１実施形態では、絶縁層は、天面部および底面部を有しているが、天面部および底面部のうちの少なくとも一方の部分を有していればよく、この少なくとも一方の部分から第１突出部および第２突出部が突出していればよい。
第１実施形態では、インダクタ配線は１層であるが、２層以上であってもよい。１層であればインダクタ部品の厚みを薄くできる。２層以上あればインダクタ配線の巻数を増やすことができるので、インダクタンスを高くすることができる。なお、インダクタ配線が２層以上ある場合は、少なくとも一つが小ターンインダクタ配線であればよい。すなわち、インダクタ配線の少なくとも一つが、０．５ターン以下であればよく、他のインダクタ配線は０．５ターンを超えていても、０．５ターン以下であってもよい。
ここで、例えばインダクタ配線を増やすとき、インダクタ配線は、１層、２層と順にｍ層（ｍは３以上の自然数）まで積層すればよい。このとき、第１方向（積層方向）は配線形状などによって決定できる。例えば、インダクタ配線はその製造プロセス上、底面は平面、天面は曲面となることが一般的である。そのため、インダクタ配線の曲面側に対して次の層が順に積層されるため、第１方向はインダクタ配線の平面側から曲面側に向かう方向と言える。例えば、インダクタ配線同士を接続するビア配線の径はその製造プロセス上、天面側の径が底面側の径よりも大きい。そのため、ビア配線の径が大きい方へ積層されるため、第１方向はビア配線の径が小さい側の接続面から径が大きい側の接続面へ向かう方向と言える。例えば、インダクタ配線がシード層を用いて形成される場合は、第１方向はシード層が存在する側からシード層が存在しない側に向かう方向と言える。また、上記の第１方向の決定方法は１層の場合でも適用することができる。
（製造方法）
次に、インダクタ部品１の製造方法について説明する。図４Ａから図４Ｊは、図１のＢ－Ｂ断面（図２Ｂ）に対応する。
図４Ａに示すように、ベース基板７０を準備する。ベース基板７０は、例えば、セラミックやガラス、シリコンなどの無機材料からなる。ベース基板７０の主面上に銅箔８０を設け、さらに、銅箔８０上に第１絶縁層７１を塗布して、第１絶縁層７１を硬化する。
図４Ｂに示すように、第１絶縁層７１上に、スパッタ法もしくは蒸着法などの公知の方法により、図示しないシード層（Ｔｉ／Ｃｕ）を形成する。その後、ＤＦＲ（ドライフィルムレジスト）７５を貼付け、フォトリソグラフィ工法を用いてＤＦＲ７５に所定パターンを形成する。
図４Ｃに示すように、シード層に給電しつつ、電解めっき法を用いて第１絶縁層７１上に第１インダクタ配線２１Ａおよび第２インダクタ配線２１Ｂとダミー配線８１とを形成する。その後、ＤＦＲ７５を剥離し、シード層をエッチングする。これにより、第１インダクタ配線２１Ａ、第２インダクタ配線２１Ｂおよびダミー配線８１の間に隙間を設ける。
図４Ｄに示すように、第１インダクタ配線２１Ａ、第２インダクタ配線２１Ｂおよびダミー配線８１の上に第２絶縁層７２を塗布して硬化する。このとき、第２絶縁層７２は、上記隙間にも充填される。その後、ダミー配線８１が露出するように、第２絶縁層７２をレーザ照射して開口部を形成する。このとき、第２絶縁層７２の一部がダミー配線８１に重複するようにする。この第２絶縁層７２の重複部分が、天面側第１突出部および天面側第２突出部に相当する。ここで、ダミー配線８１上の第２絶縁層７２の中央部は除去しなくてもよく、例えば、ダミー配線８１の外周に沿ってレーザ照射して環状の開口部を形成してもよい。これによりレーザ照射の時間を短縮できる。なお、ダミー配線８１上の第２絶縁層７２の中央部は、ダミー配線８１を除去する際にリフトオフされることで除去できる。
その後、図示しないが、第２絶縁層７２に第１インダクタ配線２１Ａおよび第２インダクタ配線２１Ｂの一部が露出するように開口部を形成し、第２絶縁層７２上にシード層を形成する。再度、ＤＦＲを貼付け、フォトリソグラフィ工法を用いてＤＦＲに所定パターンを形成する。所定パターンは、第１インダクタ配線２１Ａおよび第２インダクタ配線２１Ｂ上の第１柱状配線３１、第２柱状配線３２および第３柱状配線３３を設ける位置に対応した貫通孔である。電解めっきを用いて第１インダクタ配線２１Ａおよび第２インダクタ配線２１Ｂ上に、ビア配線３５、第１柱状配線３１、第２柱状配線３２および第３柱状配線３３を形成する。その後、ＤＦＲを剥離し、シード層をエッチングする。
そして、第１柱状配線３１、第２柱状配線３２および第３柱状配線３３を保護するようにＤＦＲを設け、その後、図４Ｅに示すように、ダミー配線８１をエッチングしてＤＦＲを剥離する。これにより、絶縁層６０の天面部６１、天面側第１突出部６５、天面側第２突出部６６、第１側面部６３および第２側面部６４を形成する。
図４Ｆに示すように、第１絶縁層７１の一部をレーザ照射して開口部を形成する。これにより、絶縁層６０の底面部６２、底面側第１突出部６７および底面側第２突出部６８を形成する。このとき、銅箔８０をレーザのストップ層として用いている。なお、銅箔８０を設けないで、ベース基板の一部分ごとにレーザで第１絶縁層７１を開口してもよく、または、初めからレーザやフォトリソなどのパターン加工によって第１絶縁層７１をパターニングしていてもよい。
図４Ｇに示すように、第２磁性層１２となる磁性シートを、ベース基板７０の主面の上方から第１インダクタ配線２１Ａおよび第２インダクタ配線２１Ｂに向けて圧着して、第１インダクタ配線２１Ａおよび第２インダクタ配線２１Ｂと第１柱状配線３１、第２柱状配線３２および第３柱状配線３３を第２磁性層１２により覆う。その後、第２磁性層１２の上面を研削し、第１柱状配線３１、第２柱状配線３２および第３柱状配線３３の端面を第２磁性層１２の上面から露出させる。
図４Ｈに示すように、ベース基板７０および銅箔８０を研磨により除去する。このとき、第１絶縁層７１の一部も除去してもよい。その後、第１インダクタ配線２１Ａおよび第２インダクタ配線２１Ｂの下方から第１インダクタ配線２１Ａおよび第２インダクタ配線２１Ｂに向けて第１磁性層１１となる他の磁性シートを圧着して、第１インダクタ配線２１Ａおよび第２インダクタ配線２１Ｂを第１磁性層１１により覆う。その後、第１磁性層１１を所定の厚みに研削する。
図４Ｉに示すように、切断線Ｄにてインダクタ部品１を個片化し、その後、第１外部端子４１、第２外部端子４２および第３外部端子４３を形成する。これにより、図４Ｊに示すように、インダクタ部品１を製造する。
以上、インダクタ部品の製造方法は、第１インダクタ配線２１Ａおよび第２インダクタ配線２１Ｂを形成する工程と、絶縁層６０を形成する工程と、素体１０を形成する工程とを備える。
第１インダクタ配線２１Ａおよび第２インダクタ配線２１Ｂを形成する工程では、延在方向に直交する第１断面において、天面と底面と第１側面と第２側面とを有する０．５ターン以下の第１インダクタ配線２１Ａおよび第２インダクタ配線２１Ｂを形成する。
絶縁層６０を形成する工程では、第１断面において、天面部６１と底面部６２と第１側面部６３と第２側面部６４と天面側第１突出部６５と天面側第２突出部６６と底面側第１突出部６７と底面側第２突出部６８とを有するように、絶縁層６０を形成する。
素体１０を形成する工程では、第１インダクタ配線２１Ａおよび第２インダクタ配線２１Ｂを挟むように、第１磁性層１１および第２磁性層１２を第１方向に沿って積層して素体１０を形成する。
上記構成によれば、絶縁層６０と磁性層１１，１２の密着性が向上する。
好ましくは、第１インダクタ配線２１Ａおよび第２インダクタ配線２１Ｂを形成する工程は、さらに、第１方向からみて第１突出部６５または第２突出部６６と重複可能な位置にダミー配線８１を形成する。第１インダクタ配線２１Ａおよび第２インダクタ配線２１Ｂを形成する工程の後に、さらに、ダミー配線８１を除去する工程を備える。素体１０を形成する工程は、さらに、ダミー配線８１を除去した位置に第２磁性層１２を充填する。なお、第２磁性層１２でなく、第１磁性層１１を充填してもよい。
上記構成によれば、第１突出部６５または第２突出部６６に密着する磁性層を低コストで製造することができる。
＜第２実施形態＞
図５Ａと図５Ｂは、インダクタ部品の第２実施形態を示す断面図である。第２実施形態は、第１実施形態とは、突出部の傾きが相違する。この相違する構成を以下に説明する。その他の構成は、第１実施形態と同じ構成であり、第１実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。
図５Ａに示すように、絶縁層６０Ａでは、第１断面において、天面側第１突出部６５および天面側第２突出部６６は、第２方向（逆Ｚ方向）に傾いている。天面側第１突出部６５および天面側第２突出部６６は、第１インダクタ配線２１Ａの天面２１１よりも第２方向に位置している。
上記構成によれば、天面側第１突出部６５および天面側第２突出部６６は、第２方向に傾いているので、製造時にコイル１５の第１方向側から第２磁性層１２を第２方向に充填する際、コイル１５への第２磁性層１２の充填が円滑となる。また、天面側第１突出部６５および天面側第２突出部６６の第２方向への傾きにより、第２磁性層１２の充填後、第２磁性層１２の第１方向への抜けに対抗でき、絶縁層６０Ａと素体１０との密着性をより向上できる。
なお、全ての第１突出部および第２突出部において、第１突出部および第２突出部のうちの少なくとも一つが、第２方向に傾いていればよい。
または、図５Ｂに示すように、絶縁層６０Ｂでは、第１断面において、底面側第１突出部６７および底面側第２突出部６８は、第１方向（Ｚ方向）に傾いていてもよい。底面側第１突出部６７および底面側第２突出部６８は、第１インダクタ配線２１Ａの底面２１２よりも第１方向に位置している。
上記構成によれば、底面側第１突出部６７および底面側第２突出部６８は、第１方向に傾いているので、製造時にコイル１５の第２方向側から第１磁性層１１を第１方向に充填する際、コイル１５への第１磁性層１１の充填が円滑となる。また、底面側第１突出部６７および底面側第２突出部６８の第１方向への傾きにより、第１磁性層１１の充填後、第１磁性層１１の第２方向への抜けに対抗でき、絶縁層６０Ｂと素体１０との密着性をより向上できる。
なお、全ての第１突出部および第２突出部において、第１突出部および第２突出部のうちの少なくとも一つが、第１方向に傾いていればよい。
＜第３実施形態＞
図６は、インダクタ部品の第３実施形態を示す断面図である。第３実施形態は、第１実施形態とは、絶縁層の構成が相違する。この相違する構成を以下に説明する。その他の構成は、第１実施形態と同じ構成であり、第１実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。
図６に示すように、絶縁層６０Ｃでは、第１実施形態の絶縁層６０の底面部６２、底面側第１突出部６７および底面側第２突出部６８が存在しない。つまり、絶縁層６０Ｃは、天面部６１と、底面部６２と、第１側面部６３と、第２側面部６４と、天面側第１突出部６５と、天面側第２突出部６６とから構成される。
上記構成によれば、第１実施形態と同様に、天面側第１突出部６５と天面側第２突出部６６とを有するので、天面側第１突出部６５および天面側第２突出部６６により絶縁層６０と素体１０との接触面積を増加でき、また、天面側第１突出部６５および天面側第２突出部６６を素体１０内に食い込ませることができる。これにより、絶縁層６０Ｃと素体１０との密着性が向上し、インダクタ部品の信頼性を向上できる。
また、絶縁層６０Ｃの体積を低減できるので、磁性層の体積を増加して、インダクタンスを向上できる。
上記構成のインダクタ部品の製造方法について説明する。
第１実施形態の図４Ｈにおいて、ベース基板７０および銅箔８０を研磨により除去するが、このとき、第１絶縁層を除去する。つまり、絶縁層の底面部、底面側第１突出部および底面側第２突出部を除去する。
なお、絶縁層において、第１実施形態の絶縁層の天面部、天面側第１突出部および天面側第２突出部を設けないで、底面部、第１側面部、第２側面部、底面側第１突出部および底面側第２突出部を設けるようにしてもよい。
＜第４実施形態＞
図７は、インダクタ部品の第４実施形態を示す平面図である。図８は、図７のＡ－Ａ断面図である。第４実施形態は、第１実施形態とは、主に、コイルおよび絶縁層の構成が相違する。この相違する構成を以下に説明する。その他の構成は、第１実施形態と同じ構成であり、第１実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。
図７と図８に示すように、インダクタ部品１Ｄでは、コイル１５Ｄは、第３インダクタ配線２１Ｄと第４インダクタ配線２２Ｄとを有する。第３インダクタ配線２１Ｄは、第４インダクタ配線２２Ｄの上方に配置されている。第３インダクタ配線２１Ｄは、０．５ターン以下であり、特許請求の範囲に記載の「小ターンインダクタ配線」に相当する。第４インダクタ配線２２Ｄは、１ターン以上のスパイラル形状であり、特許請求の範囲に記載の「他のインダクタ配線」に相当する。第４インダクタ配線２２Ｄは、第１方向からみて第３インダクタ配線２１Ｄの少なくとも一部に重なる。第４インダクタ配線２２Ｄは、第１方向に直交する平面方向に無駄に広がらないため、素体１０の体積を大きくすることができる。
第３インダクタ配線２１Ｄの外周端２３ｂは、その外周端２３ｂの上側の第１垂直配線５１を介して、第１外部端子４１に接続される。第３インダクタ配線２１Ｄの内周端２３ａは、その内周端２３ａの下側の図示しないビア配線を介して、第４インダクタ配線２２Ｄの内周端２４ａに接続される。第４インダクタ配線２２Ｄの外周端２４ｂは、その外周端２４ｂの上側の第２垂直配線５２を介して、第２外部端子４２に接続される。以上の構成により、第３インダクタ配線２１Ｄおよび第４インダクタ配線２２Ｄは、直列に接続されて、第１外部端子４１および第２外部端子４２と電気的に接続される。
素体１０の第１主面１０ａには、被覆膜５０が設けられている。被覆膜５０は、絶縁性材料からなる。被覆膜５０は、第１、第２外部端子４１、４２の端面を露出させている。被覆膜５０によって、第１外部端子４１と第２外部端子４２との間でショートすることを抑制することができる。
第３インダクタ配線２１Ｄおよび第４インダクタ配線２２Ｄは、絶縁層６０Ｄにより覆われている。絶縁層６０Ｄは、第３インダクタ配線２１Ｄを覆う第１絶縁部６１Ｄと、第４インダクタ配線２２Ｄを覆う第２絶縁部６２Ｄとを有する。第１方向において第３インダクタ配線２１Ｄと第４インダクタ配線２２Ｄの間には、第１絶縁部６１Ｄの一部が存在する。
第１絶縁部６１Ｄは、第３インダクタ配線２１Ｄを覆うとともに第３インダクタ配線２１Ｄの延在方向に沿って連続して延伸する。第１絶縁部６１Ｄは、第３インダクタ配線２１Ｄを覆う第１部分６１Ｄ１と、第３インダクタ配線２１Ｄを覆わない第２部分６１Ｄ２とを有する。
図８に示すように、第３インダクタ配線２１Ｄの延在方向に直交する第１断面において、第１部分６１Ｄ１は、第１実施形態と同様に、天面部６１と底面部６２と第１側面部６３と第２側面部６４と天面側第１突出部６５と天面側第２突出部６６と底面側第１突出部６７と底面側第２突出部６８とを有する。
第２部分６１Ｄ２の延在方向に直交する第２断面において、第２部分６１Ｄ２は、本体部９０と天面部９１と底面部９２と天面側第１突出部９５と天面側第２突出部９６と底面側第１突出部９７と底面側第２突出部９８とを有する。この実施形態では、第１断面と第２断面とは、同一断面である。
本体部９０は、第３インダクタ配線２１Ｄの延在方向に対応した位置に存在する。天面部９１は、本体部９０よりも第１方向に位置する。底面部９２は、本体部９０よりも第２方向に位置する。天面側第１突出部９５は、天面部９１から本体部９０よりも第１方向に直交する第５方向に突出する。天面側第２突出部９６は、天面部９１から本体部９０よりも第５方向と逆方向の第６方向に突出する。底面側第１突出部９７は、底面部９２から本体部９０よりも第５方向に突出する。底面側第２突出部９８は、底面部９２から本体部９０よりも第６方向に突出する。天面部９１は、本体部９０の上面に接触する。底面部９２は、本体部９０の下面に接触する。この実施形態では、第５方向とは、逆Ｙ方向であり、第３方向と同じである。第６方向とは、Ｙ方向であり、第４方向と同じである。
上記構成によれば、第１部分６１Ｄ１に加えて第２部分６１Ｄ２を設けているので、第２部分６１Ｄ２により絶縁層６０Ｄの第１絶縁部６１Ｄと素体１０との接触面積をさらに増加でき、また、第２部分６１Ｄ２の第１突出部９５、９７および第２突出部９６、９８を素体１０内に食い込ませることができる。これにより、絶縁層６０Ｄと素体１０との密着性がさらに向上し、インダクタ部品１Ｄの信頼性をさらに向上できる。
また、第２部分６１Ｄ２のようなダミー絶縁層を設けることで、第１方向からみて、第４インダクタ配線２２Ｄを第３インダクタ配線２１Ｄの一部からずらして相対的に積層する場合、第１方向からみて、第４インダクタ配線２２Ｄを第１部分６１Ｄ１に加えて第２部分６１Ｄ２にも相対的に重ねることができ、第３インダクタ配線２１Ｄおよび第４インダクタ配線２２Ｄの平坦性を確保することができる。
図８に示すように、第２絶縁部６２Ｄは、第４インダクタ配線２２Ｄの底面および側面に接触し、第４インダクタ配線２２Ｄの天面に接触しない。第４インダクタ配線２２Ｄの天面には、第１絶縁部６１Ｄの底面部６２および底面部９２が接触する。第２絶縁部６２Ｄは、第１絶縁部６１Ｄと同様に、底面側において第１突出部および第２突出部を有しているが、第１突出部および第２突出部を有していなくてもよい。
第４実施形態では、第２部分は、天面部および底面部を有しているが、天面部および底面部のうちの少なくとも一方の部分を有していればよく、この少なくとも一方の部分から第１突出部および第２突出部が突出していればよい。
第４実施形態では、第２部分の第１突出部および第２突出部は、水平方向に延在しているが、第１方向または第２方向に傾いていてもよい。
第４実施形態では、第３インダクタ配線は、第４インダクタ配線の上方に配置されているが、第３インダクタ配線は、第４インダクタ配線の下方に配置されていてもよい。
第４実施形態では、「他のインダクタ配線」としての第４インダクタ配線は、１ターン以上であるが、０．５ターンを超えていればよい。
（製造方法）
次に、インダクタ部品１の製造方法について説明する。図９Ａから図９Ｋは、図７のＡ－Ａ断面（図８）に対応する。
図９Ａに示すように、ベース基板７０を準備する。ベース基板７０は、例えば、セラミックやガラス、シリコンなどの無機材料からなる。ベース基板７０の主面上に第１絶縁層７１を塗布して、第１絶縁層７１を硬化する。
図９Ｂに示すように、第１絶縁層７１上に、スパッタ法もしくは蒸着法などの公知の方法により、図示しないシード層（Ｔｉ／Ｃｕ）を形成する。その後、図４Ｂと同様に、ＤＦＲ（ドライフィルムレジスト）を貼付け、フォトリソグラフィ工法を用いてＤＦＲに所定パターンを形成する。
そして、シード層に給電しつつ、電解めっき法を用いて第１絶縁層７１上に第４インダクタ配線２２Ｄと第１ダミー配線８１とを形成する。その後、ＤＦＲを剥離し、シード層をエッチングする。これにより、第４インダクタ配線２２Ｄと第１ダミー配線８１の間に隙間を設ける。
図９Ｃに示すように、第４インダクタ配線２２Ｄおよび第１ダミー配線８１の上に第２絶縁層７２を塗布して硬化する。このとき、第２絶縁層７２は、上記隙間にも充填される。その後、第１ダミー配線８１が露出するように、第２絶縁層７２をレーザ照射して開口部を形成する。このとき、第２絶縁層７２の一部が第１ダミー配線８１に重複するようにする。この第２絶縁層７２の重複部分が、底面側第１突出部および底面側第２突出部に相当する。なお、第１実施形態と同様に、ダミー配線８１上の第２絶縁層７２に環状の開口部を形成してもよい。これによりレーザ照射の時間を短縮できる。
その後、図示しないが、第２絶縁層７２に第４インダクタ配線２２Ｄの一部が露出するように開口部を形成し、第２絶縁層７２上にシード層を形成する。再度、ＤＦＲを貼付け、フォトリソグラフィ工法を用いてＤＦＲに所定パターンを形成する。所定パターンは、第４インダクタ配線２２Ｄ上の第３インダクタ配線２１Ｄおよび第２垂直配線５２を設ける位置に対応した貫通孔である。電解めっきを用いて第４インダクタ配線２２Ｄ上に、ビア配線３５を形成する。その後、ＤＦＲを剥離し、シード層をエッチングする。
図９Ｄに示すように、第１ダミー配線８１および第２絶縁層７２上に、スパッタ法もしくは蒸着法などの公知の方法により、図示しないシード層（Ｔｉ／Ｃｕ）を形成する。その後、図９Ｂと同様に、ＤＦＲ（ドライフィルムレジスト）を貼付け、フォトリソグラフィ工法を用いてＤＦＲに所定パターンを形成する。
そして、シード層に給電しつつ、電解めっき法を用いて第２絶縁層７２上に第３インダクタ配線２１Ｄと第２ダミー配線８２とを形成する。その後、ＤＦＲを剥離し、シード層をエッチングする。これにより、第３インダクタ配線２１Ｄと第２ダミー配線８２の間に隙間を設ける。
図９Ｅに示すように、第３インダクタ配線２１Ｄおよび第２ダミー配線８２の上に第３絶縁層７３を塗布して硬化する。このとき、第３絶縁層７３は、上記隙間にも充填される。その後、第２ダミー配線８２が露出するように、第３絶縁層７３をレーザ照射して開口部を形成する。このとき、第３絶縁層７３の一部が第２ダミー配線８２に重複するようにする。この第３絶縁層７３の重複部分が、天面側第１突出部および天面側第２突出部に相当する。なお、第２ダミー配線８２上の第３絶縁層７３も同様に、環状の開口部を形成してもよく、レーザ照射の時間を短縮できる。
その後、図示しないが、第３絶縁層７３に第３インダクタ配線２１Ｄの一部が露出するように開口部を形成し、第３絶縁層７３上にシード層を形成する。再度、ＤＦＲを貼付け、フォトリソグラフィ工法を用いてＤＦＲに所定パターンを形成する。所定パターンは、第３インダクタ配線２１Ｄ上の第１垂直配線５１を設ける位置に対応した貫通孔であり、さらに、第２垂直配線５２を設ける位置に対応した貫通孔である。電解めっきを用いて第３インダクタ配線２１Ｄ上に第１垂直配線５１を形成し、さらに、第２垂直配線５２を形成する。その後、ＤＦＲを剥離し、シード層をエッチングする。
そして、第１垂直配線５１および第２垂直配線５２を保護するようにＤＦＲを設け、その後、図９Ｆに示すように、第１ダミー配線８１および第２ダミー配線８２をエッチングしてＤＦＲを剥離する。これにより、第１部分６１Ｄ１および第２部分６１Ｄ２を含む第１絶縁部６１Ｄを形成する。つまり、第１部分６１Ｄ１の天面部６１、底面部６２、第１側面部６３、第２側面部６４、天面側第１突出部６５、天面側第２突出部６６、底面側第１突出部６７および底面側第２突出部６８を形成する。また、第２部分６１Ｄ２の本体部９０、天面部９１、底面部９２、天面側第１突出部９５、天面側第２突出部９６、底面側第１突出部９７および底面側第２突出部９８を形成する。
図９Ｇに示すように、第１絶縁層７１の一部およびベース基板７０の一部をレーザ照射して開口部を形成する。開口部は、コイルの磁路に対応した位置に設ける。
図９Ｈに示すように、第２磁性層１２となる磁性シートを、ベース基板７０の主面の上方から第３インダクタ配線２１Ｄおよび第４インダクタ配線２２Ｄに向けて圧着して、第３インダクタ配線２１Ｄおよび第４インダクタ配線２２Ｄと第１垂直配線５１および第２垂直配線５２を第２磁性層１２により覆う。その後、第２磁性層１２の上面を研削し、第１垂直配線５１および第２垂直配線５２の端面を第２磁性層１２の上面から露出させる。
その後、第２磁性層１２の上面に被覆膜５０を塗布する。そして、フォトリソグラフィ工法を用いて被覆膜５０を所定パターンに形成して硬化する。所定パターンは、第１と第２外部端子４１、４２に対応した位置に開口部を有する。開口部に第１と第２外部端子４１、４２を形成する。
図９Ｉに示すように、ベース基板７０を研磨により除去する。このとき、第１絶縁層７１の一部も除去してもよい。これにより、第２絶縁部６２Ｄを形成して、第１絶縁部６１Ｄとともに絶縁層６０Ｄを形成する。その後、第４インダクタ配線２２Ｄの下方から第４インダクタ配線２２Ｄに向けて第１磁性層１１となる他の磁性シートを圧着して、第４インダクタ配線２２Ｄを第１磁性層１１により覆う。その後、第１磁性層１１を所定の厚みに研削する。
図９Ｊに示すように、切断線Ｄにてインダクタ部品を個片化し、図９Ｋに示すように、インダクタ部品１Ｄを製造する。
＜第５実施形態＞
図１０は、インダクタ部品の第５実施形態を示す断面図である。図１０は、図８に対応する断面図である。第５実施形態は、第４実施形態とは、絶縁層の構成が相違する。この相違する構成を以下に説明する。その他の構成は、第４実施形態と同じ構成であり、第４実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。
図１０に示すように、インダクタ部品１Ｅでは、絶縁層６０Ｅは、第３インダクタ配線２１Ｄを覆う第１絶縁部６１Ｅと、第４インダクタ配線２２Ｄを覆う第２絶縁部６２Ｅとを有する。つまり、第１絶縁部６１Ｅは、第４実施形態の第１部分６１Ｄ１に相当し、第４実施形態の第２部分６１Ｄ２を含まない。第２絶縁部６２Ｅは、第４実施形態の第２絶縁部６２Ｄと同じ構成である。
第１方向において、第３インダクタ配線２１Ｄと同じ位置にある第２磁性層１２は、第１方向に直交する方向からみたとき、第４インダクタ配線２２Ｄの一部に重なる。これによれば、第２磁性層１２（コイルの磁路）の体積を大きくすることができる。
また、第４インダクタ配線２２Ｄの一部に重なる第２磁性層１２は、第４インダクタ配線２２Ｄの第１方向に位置する。これによれば、製造時に第２磁性層１２の充填を行いやすい。
なお、第１方向において、第３インダクタ配線と同じ位置に、第１磁性層が存在していてもよく、第１磁性層は、第１方向に直交する方向からみたとき、第４インダクタ配線の一部に重なることが好ましい。これによれば、第１磁性層１１（コイルの磁路）の体積を大きくすることができる。
このとき、第４インダクタ配線の一部に重なる第１磁性層は、第４インダクタ配線の第２方向に位置することが好ましい。これによれば、製造時に第１磁性層の充填を行いやすい。
＜第６実施形態＞
図１１は、インダクタ部品の第６実施形態を示す断面図である。図１１は、図８に対応する断面図である。第６実施形態は、第４実施形態とは、コイルおよび絶縁層の構成が相違する。この相違する構成を以下に説明する。その他の構成は、第４実施形態と同じ構成であり、第４実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。
図１１に示すように、インダクタ部品１Ｆでは、コイル１５Ｆは、第１方向に沿って積層される第５インダクタ配線２１Ｆおよび第６インダクタ配線２１Ｇを有する。第５インダクタ配線２１Ｆは、第６インダクタ配線２１Ｇの上方に配置されている。第５インダクタ配線２１Ｆおよび第６インダクタ配線２１Ｇは、それぞれ、０．５ターン以下であり、特許請求の範囲に記載の「小ターンインダクタ配線」に相当する。第５インダクタ配線２１Ｆおよび第６インダクタ配線２１Ｇは、直列に接続されて、第１外部端子４１および第２外部端子４２と電気的に接続される。
絶縁層６０Ｆは、第５インダクタ配線２１Ｆを覆う第１絶縁部６１Ｆと、第６インダクタ配線２１Ｇを覆う第２絶縁部６２Ｆとを有する。つまり、第１絶縁部６１Ｆおよび第２絶縁部６２Ｆは、それぞれ、第４実施形態の第１部分６１Ｄ１に相当し、第４実施形態の第２部分６１Ｄ２を含まない。
好ましくは、全ての第１突出部６５、６７および第２突出部６６、６８には、長さが異なるものが存在する。具体的に述べると、第１絶縁部６１Ｆの第１突出部６５、６７および第２突出部６６、６８と、第２絶縁部６２Ｆの第１突出部６５、６７および第２突出部６６、６８との中には、長さが異なるものが存在する。
上記構成によれば、一部の第１または第２突出部の長さを長くすることで、絶縁層と素体１０との密着性をより向上することができる。また、一部の第１または第２突出部の長さを短くすることで、磁路の磁気抵抗を小さくして、インダクタンスの取得効率を向上することができる。
好ましくは、第１方向に位置する第５インダクタ配線２１Ｆほど、第１突出部６５、６７および第２突出部６６、６８の長さは、短い。具体的に述べると、第１絶縁部６１Ｆの第１突出部６５、６７および第２突出部６６、６８の長さは、第２絶縁部６２Ｆの第１突出部６５、６７および第２突出部６６、６８の長さよりも短い。
上記構成によれば、第１突出部６５、６７および第２突出部６６、６８の長さは、第１方向に位置する第５インダクタ配線２１Ｆほど短いので、第１方向に向かうほどコイル１５Ｆの磁路の面積が広がる。これにより、製造時にコイル１５Ｆの第１方向側から第２磁性層１２を第２方向に充填する際、コイル１５Ｆへの第２磁性層１２の充填が容易となり、充填率が向上してインダクタンスを向上することができる。
好ましくは、コイル１５Ｆは、第５インダクタ配線２１Ｆおよび第６インダクタ配線２１Ｇが直列に接続されて１ターンを構成する。全ての第１突出部６５、６７および第２突出部６６、６８は、コイル１５Ｆの内磁路および外磁路の何れかに位置する。具体的に述べると、第１絶縁部６１Ｆの第１突出部６５、６７と第２絶縁部６２Ｆの第２突出部６６、６８とは、コイル１５Ｆの内磁路に位置する。第１絶縁部６１Ｆの第２突出部６６、６８と第２絶縁部６２Ｆの第１突出部６５、６７とは、コイル１５Ｆの外磁路に位置する。
上記構成によれば、絶縁層６０Ｆと素体１０との密着性をより向上できる。
好ましくは、第１層の第６インダクタ配線２１Ｇを覆う第２絶縁部６２Ｆの材料は、第２層の第５インダクタ配線２１Ｆを覆う第１絶縁部６１Ｆの材料と異なる。
上記構成によれば、設計自由度を高くすることができる。例えば、第２絶縁部６２Ｆの材料は、ベース基板との剥離や応力を重視して、選択されることが好ましい。一方、第１絶縁部６１Ｆの材料は、レーザやフォトリソ解像性、段差への被覆性などで選択されることが好ましい。
なお、小ターンインダクタ配線は、第１方向に沿って３層以上存在してもよい。また、コイルは、複数の小ターンインダクタ配線が直列に接続されて１ターン以上を構成していてもよい。また、小ターンインダクタ配線は、第１方向に沿ってｎ（ｎ≧２）層存在し、第１層の小ターンインダクタ配線を覆う絶縁層の材料は、第ｍ（２≦ｍ≦ｎ）層の小ターンインダクタ配線を覆う絶縁層の材料と異なっていてもよい。
なお、本開示は上述の実施形態に限定されず、本開示の要旨を逸脱しない範囲で設計変更可能である。例えば、第１から第６実施形態のそれぞれの特徴点を様々に組み合わせてもよい。
前記実施形態では、「インダクタ配線」とは、電流が流れた場合に磁性層に磁束を発生させることによって、インダクタ部品にインダクタンスを付与させるものであって、その構造、形状、材料などに特に限定はない。特に、実施形態のような平面上を延びる直線や曲線（スパイラル＝二次元曲線）に限られず、ミアンダ配線などの公知の様々な配線形状を用いることができる。
１、１Ｄ、１Ｅ、１Ｆ インダクタ部品
１０ 素体
１０ａ 第１主面
１０ｂ 第２主面
１１ 第１磁性層
１１ａ 接触面
１２ 第２磁性層
１２ａ 接触面
１５、１５Ｄ、１５Ｆ コイル
２１Ａ、２１Ｂ、２１Ｄ、２１Ｆ、２１Ｇ 第１、第２、第３、第５、第６インダクタ配線（小ターンインダクタ配線）
２１１ 天面
２１２ 底面
２１３ 第１側面
２１４ 第２側面
２２Ｄ 第４インダクタ配線（他のインダクタ配線）
３１、３２、３３ 第１、第２、第３柱状配線
３５ ビア配線
４１、４２、４３ 第１、第２、第３外部端子
５０ 被覆膜
５１、５２、５３ 第１、第２、第３垂直配線
６０、６０Ａ、６０Ｂ、６０Ｃ、６０Ｄ、６０Ｅ、６０Ｆ 絶縁層
６１ 天面部
６２ 底面部
６３ 第１側面部
６４ 第２側面部
６５ 天面側第１突出部
６６ 天面側第２突出部
６７ 底面側第１突出部
６８ 底面側第２突出部
６１Ｄ、６１Ｅ、６１Ｆ 第１絶縁部
６１Ｄ１、６１Ｄ２ 第１、第２部分
６２Ｄ、６２Ｅ、６２Ｆ 第２絶縁部
９０ 本体部
９１ 天面部
９２ 底面部
９５ 天面側第１突出部
９６ 天面側第２突出部
９７ 底面側第１突出部
９８ 底面側第２突出部
１００ 磁性粉
１０１ 樹脂

Claims (12)

  1. 素体と、前記素体内に配置されたコイルと、前記コイルの少なくとも一部を覆う非磁性体の絶縁層とを備え、
    前記素体は、第１方向に沿って順に積層された第１磁性層および第２磁性層を有し、
    前記コイルは、前記第１磁性層と前記第２磁性層の間で前記第１方向に直交する平面に沿って延在する０．５ターン以下の小ターンインダクタ配線を有し、
    前記小ターンインダクタ配線の延在方向に直交する第１断面において、
    前記小ターンインダクタ配線は、前記第１方向を向く天面と、前記第１方向と逆方向の第２方向を向く底面と、前記第１方向に直交する第３方向を向く第１側面と、前記第３方向と逆方向の第４方向を向く第２側面とを有し、かつ、
    前記絶縁層は、前記天面よりも前記第１方向に位置する天面部および前記底面よりも前記第２方向に位置する底面部のうちの少なくとも一方の部分と、前記第１側面を覆う第１側面部と、前記第２側面を覆う第２側面部と、前記少なくとも一方の部分から前記第１側面部よりも前記第３方向に突出する第１突出部と、前記少なくとも一方の部分から前記第２側面部よりも前記第４方向に突出する第２突出部とを有し、
    前記第１方向において前記小ターンインダクタ配線とは異なる位置に設けられた他のインダクタ配線を更に備え、
    前記第１方向からみて、前記他のインダクタ配線の一部は前記小ターンインダクタ配線に重なる位置にあり、前記他のインダクタ配線の一部以外は前記小ターンインダクタ配線から外れた位置にあり、
    前記絶縁層は、
    前記小ターンインダクタ配線の延在方向に沿って延伸し、前記小ターンインダクタ配線を覆う第１部分と、
    前記第１方向からみて前記他のインダクタ配線の一部以外に重なる位置にあり、前記他のインダクタ配線の延在方向に沿って前記第１部分に対して連続して延伸し、前記小ターンインダクタ配線を覆わない第２部分とを有し、
    前記第２部分の延在方向に直交する第２断面において、
    前記第２部分は、
    前記他のインダクタ配線の延在方向に対応した位置に存在する本体部と、
    前記本体部よりも前記第１方向に位置する天面部および前記本体部よりも前記第２方向に位置する底面部のうちの少なくとも一方の部分と、
    前記少なくとも一方の部分から前記本体部よりも前記第１方向に直交する第５方向に突出する第１突出部と、
    前記少なくとも一方の部分から前記本体部よりも前記第５方向と逆方向の第６方向に突出する第２突出部と
    を有する、インダクタ部品。
  2. 前記小ターンインダクタ配線は、前記第１方向に沿って複数層存在し、
    前記第１断面において、全ての前記第１突出部および前記第２突出部には、長さが異なるものが存在する、請求項１に記載のインダクタ部品。
  3. 前記小ターンインダクタ配線は、前記第１方向に沿って複数層存在し、
    前記第１断面において、前記第１方向に位置する前記小ターンインダクタ配線ほど、前記第１突出部および前記第２突出部の長さは、短い、請求項１または２に記載のインダクタ部品。
  4. 前記第１断面において、前記第１突出部および前記第２突出部のうちの少なくとも一つは、前記第２方向に傾いている、請求項１から３の何れか一つに記載のインダクタ部品。
  5. 前記第１断面において、前記第１突出部および前記第２突出部のうちの少なくとも一つは、前記第１方向に傾いている、請求項１から３の何れか一つに記載のインダクタ部品。
  6. 前記小ターンインダクタ配線は、前記第１方向に沿って複数層存在し、
    前記コイルは、前記複数の小ターンインダクタ配線が直列に接続されて１ターン以上を構成し、
    前記第１断面において、全ての前記第１突出部および前記第２突出部は、前記コイルの内磁路および外磁路の何れかに位置する、請求項１から５の何れか一つに記載のインダクタ部品。
  7. 前記第１断面において、前記第１突出部の長さは、前記第２突出部の長さと異なる、請求項１から６の何れか一つに記載のインダクタ部品。
  8. 前記小ターンインダクタ配線は、前記第１方向に沿ってｎ（ｎ≧２）層存在し、
    第１層の前記小ターンインダクタ配線を覆う前記絶縁層の材料は、第ｍ（２≦ｍ≦ｎ）層の前記小ターンインダクタ配線を覆う前記絶縁層の材料と異なる、請求項１から７の何れか一つに記載のインダクタ部品。
  9. 前記第１磁性層と前記第２磁性層は、磁性粉を含み、
    前記第２磁性層の前記第１磁性層との接触面は、前記磁性粉の切断面を含み、前記第１磁性層の前記第２磁性層との接触面は、前記磁性粉の表面を含む、請求項１から８の何れか一つに記載のインダクタ部品。
  10. 前記第１方向において、前記小ターンインダクタ配線と同じ位置にある前記第１磁性層または前記第２磁性層は、前記第１方向に直交する方向からみたとき、前記他のインダクタ配線の一部に重なる、請求項１から９のいずれか１項に記載のインダクタ部品。
  11. 前記他のインダクタ配線の一部に重なる前記第１磁性層または前記第２磁性層は、前記他のインダクタ配線の前記第１方向に位置する第２磁性層である、請求項１０に記載のインダクタ部品。
  12. 前記他のインダクタ配線の一部に重なる前記第１磁性層または前記第２磁性層は、前記他のインダクタ配線の前記第２方向に位置する第１磁性層である、請求項１０に記載のインダクタ部品。
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