JP7495838B2 - シミュレーション方法、シミュレーション装置、膜形成装置、物品の製造方法及びプログラム - Google Patents

Description

本発明は、シミュレーション方法、シミュレーション装置、膜形成装置、物品の製造方法及びプログラムに関する。

基板上に硬化性組成物を配置し、硬化性組成物を型と接触させ、硬化性組成物を硬化させることによって基板上に硬化性組成物からなる膜を形成する膜形成技術がある。このような膜形成技術は、インプリント技術や平坦化技術に適用される。インプリント技術では、パターンを有する型を用いて、基板上の硬化性組成物と型のパターンとを接触させて硬化性組成物を硬化させることによって基板上の硬化性組成物に型のパターンが転写される。平坦化技術では、平坦面を有する型を用いて、基板上の硬化性組成物と平坦面とを接触させて硬化性組成物を硬化させることによって平坦な上面を有する膜が形成される。

基板上には、硬化性組成物が液滴の状態で配置され、その後、硬化性組成物の液滴に型が押し付けられる。これにより、基板上の硬化性組成物の液滴が広がって硬化性組成物の膜が形成される。この際、厚さが均一な硬化性組成物の膜を形成することや膜に気泡が残存しないことなどが重要であり、これを実現するために、硬化性組成物の液滴の配置や硬化性組成物への型の押し付けの方法及び条件などが調整される。このような調整を、装置を用いた試行錯誤によって実現するためには、膨大な時間と費用とを必要とする。そこで、このような調整を支援するシミュレータの開発が望まれている。

特許文献１には、パターン形成面に配置された複数の液滴の濡れ広がり及び合一（液滴の接合）を予測するためのシミュレーション方法が開示されている。かかるシミュレーション方法では、基板上の硬化性硬化物の個々の液滴ごとに広がり形状を予測することで、軽量な計算を実現している。

特許第５５９９３５６号公報

インプリント処理では、硬化性組成物の液滴が濡れ広がって膜を形成する際に、気泡が膜に残存すると、かかる気泡が残存している部分（未充填部分）が欠陥となる。欠陥の発生を低減するためには、シミュレーションによって、気泡の発生を予測することが有効であり、気泡の発生を予測するためには、型や基板の局所的な形状を考慮し、且つ、液滴の相互作用を考慮した流体計算が必要となる。

しかしながら、このようなシミュレーションには、高い計算負荷を要することになるため、計算コストが上昇してしまう。また、計算コストが高いシミュレーションの対策として、計算領域を限定（指定）して計算を実施することで全体の計算コストを低減させることが考えられる。但し、計算領域を限定することで得られる効果は、計算領域を限定するユーザ（作業者）の力量（能力）に大きく左右され、例えば、ユーザのミスによって、計算のやり直しが発生して計算コストが上昇してしまうこともある。

本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、シミュレーションの精度を維持しながらも計算コストを低減することができるシミュレーション方法を提供することを例示的目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのシミュレーション方法は、第１部材の上に配置された硬化性組成物の複数の液滴と第２部材とを接触させ、前記第１部材と前記第２部材との間の空間に前記硬化性組成物の膜を形成する処理における前記硬化性組成物の挙動を予測するシミュレーション方法であって、前記挙動を第２精度で予測する第２シミュレーションの対象範囲である第２範囲を決定する第１工程と、前記第２範囲に対して前記第２シミュレーションを実行する第２工程と、前記第２シミュレーションの結果を表示する第３工程と、を有し、前記第１工程では、前記第１部材の設計情報、前記第２部材の設計情報、前記硬化性組成物の複数の液滴の配置情報、前記硬化性組成物の複数の液滴と接触する前記第２部材の接触面の位置情報、及び、前記第２範囲を含み前記第２範囲よりも大きい第１範囲に対して前記第２精度よりも低い第１精度で実行された第１シミュレーションの結果に関する情報のうちの少なくとも１つの情報に基づいて、前記第２範囲を決定することを特徴とする。

本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される実施形態によって明らかにされるであろう。

本発明によれば、例えば、シミュレーションの精度を維持しながらも計算コストを低減することができるシミュレーション方法を提供することができる。

本発明の実施形態における膜形成装置及びシミュレーション装置の構成を示す概略図である。 シミュレーション装置のディスプレイに提供されるユーザインターフェースの一例を示す図である。 第１実施形態におけるシミュレーション方法の概略を示す図である。 第１実施形態におけるシミュレーション方法を説明するためのフローチャートである。 第２実施形態におけるシミュレーション方法を説明するためのフローチャートである。 ボロノイ図の一例を示す図である。 第３実施形態におけるシミュレーション方法を説明するためのフローチャートである。 物品の製造方法を説明するための図である。

以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。なお、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。更に、添付図面においては、同一もしくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。

図１は、本発明の実施形態における膜形成装置ＩＭＰ及びシミュレーション装置１の構成を示す概略図である。膜形成装置ＩＭＰは、基板Ｓの上に配置された硬化性組成物ＩＭの複数の液滴と型Ｍとを接触させ、基板Ｓと型Ｍとの間の空間に硬化性組成物ＩＭの膜を形成する処理を実行する。膜形成装置ＩＭＰは、例えば、インプリント装置として構成されてもよいし、平坦化装置として構成されてもよい。ここで、基板Ｓと型Ｍとは相互に入れ替え可能であり、型Ｍの上に配置された硬化性組成物ＩＭの複数の液滴と基板Ｓとを接触させることで、型Ｍと基板Ｓとの間の空間に硬化性組成物ＩＭの膜を形成してもよい。従って、包括的には、膜形成装置ＩＭＰは、第１部材の上に配置された硬化性組成物ＩＭの複数の液滴と第２部材とを接触させ、第１部材と第２部材との間の空間に硬化性組成物ＩＭの膜を形成する処理を実行する装置である。本実施形態では、第１部材を基板Ｓとし、第２部材を型Ｍとして説明するが、第１部材を型Ｍとし、第２部材を基板Ｓとしてもよい。この場合、以下の説明における基板Ｓと型Ｍとを相互に入れ替えればよい。

インプリント装置では、パターンを有する型Ｍを用いて、基板Ｓの上の硬化性組成物ＩＭに型Ｍのパターンが転写される。インプリント装置では、パターンが設けられたパターン領域ＰＲを有する型Ｍが用いられる。インプリント装置では、インプリント処理として、基板Ｓの上の硬化性組成物ＩＭと型Ｍのパターン領域ＰＲとを接触させ、基板Ｓのパターンを形成すべき領域と型Ｍとの間の空間に硬化性組成物ＩＭを充填させ、その後、硬化性組成物ＩＭを硬化させる。これにより、基板Ｓの上の硬化性組成物ＩＭに型Ｍのパターン領域ＰＲのパターンが転写される。インプリント装置では、例えば、基板Ｓの複数のショット領域のそれぞれに硬化性組成物ＩＭの硬化物からなるパターンが形成される。

平坦化装置では、平坦化処理として、平坦面を有する型Ｍを用いて、基板Ｓの上の硬化性組成物ＩＭと型Ｍの平坦面とを接触させ、硬化性組成物ＩＭを硬化させることによって、平坦な上面を有する膜が形成される。平坦化装置では、基板Ｓの全域をカバーする寸法（大きさ）を有する型Ｍが用いられる場合、基板Ｓの全域に硬化性組成物ＩＭの硬化物からなる膜が形成される。

硬化性組成物としては、硬化用のエネルギーが与えられることにより硬化する材料が使用される。硬化用のエネルギーとしては、電磁波や熱などが用いられる。電磁波は、例えば、その波長が１０ｎｍ以上１ｍｍ以下の範囲から選択される光、具体的には、赤外線、可視光線、紫外線などを含む。このように、硬化性組成物は、光の照射、或いは、加熱により硬化する組成物である。光の照射により硬化する光硬化性組成物は、少なくとも重合性化合物と光重合開始剤とを含有し、必要に応じて、非重合性化合物又は溶剤を更に含有してもよい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種である。硬化性組成物の粘度（２５℃における粘度）は、例えば、１ｍＰａ・ｓ以上１００ｍＰａ・ｓ以下である。

基板の材料としては、例えば、ガラス、セラミックス、金属、半導体、樹脂などが用いられる。必要に応じて、基板の表面に、基板とは別の材料からなる部材が設けられてもよい。基板は、例えば、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、石英ガラスを含む。

本明細書及び添付図面では、基板Ｓの表面に平行な方向をＸＹ平面とするＸＹＺ座標系で方向を示す。ＸＹＺ座標系におけるＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸のそれぞれに平行な方向をＸ方向、Ｙ方向及びＺ方向とし、Ｘ軸周りの回転、Ｙ軸周りの回転及びＺ軸周りの回転のそれぞれをθＸ、θＹ及びθＺとする。Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸に関する制御又は駆動は、それぞれ、Ｘ軸に平行な方向、Ｙ軸に平行な方向、Ｚ軸に平行な方向に関する制御又は駆動を意味する。また、θＸ軸、θＹ軸、θＺ軸に関する制御又は駆動は、それぞれ、Ｘ軸に平行な軸の周りの回転、Ｙ軸に平行な軸の周りの回転、Ｚ軸に平行な軸の周りの回転に関する制御又は駆動を意味する。また、位置は、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸の座標に基づいて特定される情報であり、姿勢は、θＸ軸、θＹ軸及びθＺ軸の値で特定される情報である。位置決めは、位置及び／又は姿勢を制御することを意味する。

膜形成装置ＩＭＰは、基板Ｓを保持する基板保持部ＳＨと、基板保持部ＳＨを駆動することで基板Ｓを移動させる基板駆動機構ＳＤと、基板駆動機構ＳＤを支持するベースＳＢとを有する。また、膜形成装置ＩＭＰは、型Ｍを保持する型保持部ＭＨと、型保持部ＭＨを駆動することで型Ｍを移動させる型駆動機構ＭＤとを有する。

基板駆動機構ＳＤ及び型駆動機構ＭＤは、基板Ｓと型Ｍとの相対位置が調整されるように、基板Ｓ及び型Ｍの少なくとも一方を移動させる相対移動機構を構成する。かかる相対移動機構による基板Ｓと型Ｍとの相対位置の調整は、基板Ｓの上の硬化性組成物ＩＭと型Ｍとの接触のための駆動、及び、基板Ｓの上の硬化した硬化性組成物ＩＭからの型Ｍの分離のための駆動を含む。また、相対移動機構による基板Ｓと型Ｍとの相対位置の調整は、基板Ｓと型Ｍとの位置合わせを含む。基板駆動機構ＳＤは、基板Ｓを複数の軸（例えば、Ｘ軸、Ｙ軸及びθＺ軸の３軸、好ましくは、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ軸、θＹ軸及びθＺ軸の６軸）に関して駆動するように構成されている。型駆動機構ＭＤは、型Ｍを複数の軸（例えば、Ｚ軸、θＸ軸及びθＹ軸の３軸、好ましくは、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ軸、θＹ軸及びθＺ軸の６軸）に関して駆動するように構成されている。

膜形成装置ＩＭＰは、基板Ｓと型Ｍとの間の空間に充填された硬化性組成物ＩＭを硬化させるための硬化部ＣＵを有する。硬化部ＣＵは、例えば、型Ｍを介して硬化性組成物ＩＭに硬化用のエネルギーを与えることによって、基板Ｓの上の硬化性組成物ＩＭを硬化させる。

膜形成装置ＩＭＰは、型Ｍの裏面側（基板Ｓに対面する面の反対側）に空間ＳＰを形成するための透過部材ＴＲを有する。透過部材ＴＲは、硬化部ＣＵからの硬化用のエネルギーを透過させる材料で構成され、基板Ｓの上の硬化性組成物ＩＭに対して硬化用のエネルギーを与えることを可能にする。

膜形成装置ＩＭＰは、空間ＳＰの圧力を制御することによって、型ＭのＺ軸方向への変形を制御する圧力制御部ＰＣを有する。例えば、圧力制御部ＰＣが空間ＳＰの圧力を大気圧よりも高くすることによって、型Ｍは、基板Ｓに向けて凸形状に変形する。

膜形成装置ＩＭＰは、基板Ｓの上に硬化性組成物ＩＭを配置、供給又は分配するためのディスペンサＤＳＰを有する。但し、膜形成装置ＩＭＰには、他の装置によって硬化性組成物ＩＭが配置された基板Ｓが供給（搬入）されてもよい。この場合、膜形成装置ＩＭＰは、ディスペンサＤＳＰを有していなくてもよい。

膜形成装置ＩＭＰは、基板Ｓ（又は基板Ｓのショット領域）と型Ｍとの位置ずれ（位置合わせ誤差）を計測するためのアライメントスコープＡＳを有していてもよい。

シミュレーション装置１は、膜形成装置ＩＭＰにおいて実行させる処理における硬化性組成物ＩＭの挙動を予測する計算を実行する。具体的には、シミュレーション装置１は、基板Ｓの上に配置された硬化性組成物ＩＭの複数の液滴と型Ｍとを接触させ、基板Ｓと型Ｍとの間の空間に硬化性組成物ＩＭの膜を形成する処理における硬化性組成物ＩＭの挙動を予測する計算を実行する。

シミュレーション装置１は、例えば、汎用又は専用のコンピュータにシミュレーションプログラム２１を組み込むことによって構成される。また、シミュレーション装置１は、ＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｇａｔｅ Ａｒｒａｙの略。）などのＰＬＤ（Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｌｏｇｉｃ Ｄｅｖｉｃｅの略。）、又は、ＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔの略。）によって構成されてもよい。

シミュレーション装置１は、本実施形態では、プロセッサ１０と、メモリ２０と、ディスプレイ３０と、入力デバイス４０とを有するコンピュータにおいて、メモリ２０にシミュレーションプログラム２１が格納されることによって構成される。メモリ２０は、半導体メモリであってもよいし、ハードディスクなどのディスクであってもよいし、他の形態のメモリであってもよい。シミュレーションプログラム２１は、コンピュータによって読み取り可能なメモリ媒体に格納されて、又は、電気通信回線などの通信設備を介してシミュレーション装置１に提供されてもよい。

本発明のシミュレーション方法及びシミュレーション装置は、基板と型との間の空間に硬化性組成物の膜を形成する処理、例えば、インプリント処理における硬化性組成物の挙動のシミュレーションに関するものである。以下、各実施形態において、シミュレーション装置１によって実行されるシミュレーション方法について具体的に説明する。

＜第１実施形態＞
図２は、本実施形態におけるシミュレーション方法に関連して、シミュレーション装置１のディスプレイ３０に提供（表示）されるユーザインターフェースの一例を示す図である。本実施形態では、図２に示すように、ユーザがディスプレイ３０に提供されるユーザインターフェースを参照しながら、入力デバイス４０を介して必要な情報を入力することで、硬化性組成物ＩＭの挙動を予測するシミュレーションが実行される。

例えば、シミュレーションの条件（以下、「シミュレーション条件」と称する）を入力する場合、設定ファイル２０１を予め作成してメモリ２０に格納する。設定ファイル２０１は、シミュレーションするインプリント処理の条件を統合して管理するファイルである。設定ファイル２０１には、設定条件として、型Ｍの設計情報を含む型設計ファイル２０２と、基板Ｓの設計情報を含む基板設計ファイル２０３と、硬化性組成物ＩＭの液滴の吐出量や配置を示す液滴配置ファイル２０４とが指定されている。

なお、本実施形態では、説明を簡略化するために、設定ファイル２０１に指定されるインプリント処理の条件に関する設定条件として、３つの具体的なファイル（型設計ファイル２０２、基板設計ファイル２０３、液滴配置ファイル２０４）を示した。但し、本実施形態で示していないインプリント処理の条件についても、設定条件としてファイルを作成し、メモリ２０に格納してライブラリを構成してもよい。

設定ファイル２０１で指定する各ファイルは、通常、メモリ２０に予め格納されているファイルを用いる。このように、複数のファイルをメモリ２０に格納してライブラリ化することで、解析条件の設定を容易にすることが可能となる。設定ファイル２０１で指定した各ファイルのファイル名は、条件表示ウィンドウ２０５に表示される。また、ビジュアルウィンドウ２０６には、設定ファイル２０１の誤入力を防止するために、設定ファイル２０１に関する画像情報が表示される。

また、設定ファイル２０１には、シミュレーション条件も設定される。シミュレーション条件には、例えば、基板Ｓの上に配置された硬化性組成物ＩＭに型Ｍを押し付ける際の力（押印力）や硬化性組成物ＩＭに型Ｍを押し付けている時間（充填時間）などのインプリントに関係する情報が設定される。

また、設定ファイル２０１には、計算モードも設定される。計算モードとは、シミュレーションの工程を決めたものであり、計算モードに従ってシミュレーション（の各工程の計算）が実行される。

シミュレーションを実行する際には、条件表示ウィンドウ２０５及びビジュアルウィンドウ２０６に表示される情報をユーザ（作業者）が確認し、かかる情報に問題がなければ、例えば、ユーザが実行ボタンを操作することによって、シミュレーションが実行される。
シミュレーションの結果は、ビジュアルウィンドウ２０６に表示される。なお、ビジュアルウィンドウ２０６は、図２に示す大きさ、形状及び数に限定されるものではなく、シミュレーションの結果として表示する対象に応じて、大きさ、形状及び数を自由に変更してディスプレイ３０に表示される。

図３（ａ）乃至図３（ｃ）は、本実施形態におけるシミュレーション方法の概略を示す図である。図３（ａ）乃至図３（ｃ）を参照して、本実施形態におけるシミュレーション方法におけるシミュレーション（計算手法）について説明する。図３（ａ）は、型Ｍのパターン領域ＰＲと基板Ｓとを重ねて＋Ｚ方向から見た状態を示し、図３（ｂ）及び図３（ｃ）は、後述するシミュレーション範囲３０６を拡大して－Ｙ方向から見た状態を示している。また、図３（ｂ）は、第１シミュレーション（計算手法）の概略を示し、図３（ｃ）は、第２シミュレーション（計算手法）の概略を示している。ここで、型Ｍのパターン領域ＰＲとは、硬化性組成物ＩＭと接触する型Ｍの接触面である。

図３（ａ）乃至図３（ｃ）に示すように、型Ｍのパターン領域ＰＲには、型側マーク３０１が設けられている。型側マーク３０１は、基板Ｓに対する位置決めやインプリント処理後の位置計測などの複数の用途に用いられるマークである。例えば、型側マーク３０１は、ＴＴＭ（Ｔｈｒｏｕｇｈ ｔｈｅ ｍｏｌｄ）アライメントスコープで検出されるマークであって、型Ｍと基板Ｓとのアライメント（位置合わせ）に用いられる。なお、型Ｍには、多くのマークやパターンが設けられているが、図３（ａ）乃至図３（ｃ）では、型側マーク３０１以外のマークやパターンの図示を省略している。

基板Ｓには、基板側マーク３０５が設けられている。基板側マーク３０５は、例えば、型Ｍを介して、ＴＴＭアライメントスコープで検出され、型Ｍと基板Ｓとのアライメントに用いられる。なお、基板Ｓには、多くのマークやパターンが設けられているが、図３（ａ）乃至図３（ｃ）では、基板側マーク３０５以外のマークやパターンの図示を省略している。

型Ｍと基板Ｓとの間には、硬化性組成物ＩＭの液滴３０２が配置されている。図３（ａ）に示す液滴３０２の大きさや数は、説明を容易にするために簡易化しているが、実際には、多数の液滴３０２が型Ｍと基板Ｓとの間に配置される。

本実施形態では、硬化性組成物ＩＭの挙動を予測する精度が互いに異なる２つのシミュレーション、即ち、第１シミュレーション及び第２シミュレーションが用いられる。第１シミュレーションは、硬化性組成物ＩＭの挙動を第１精度で予測する簡易的な計算手法であり、第２シミュレーションは、硬化性組成物ＩＭの挙動を第１精度よりも高い第２精度で予測する詳細な計算手法である。第１シミュレーションは、図３（ｂ）に示すように、第１計算格子３０３を用いて硬化性組成物ＩＭの挙動を予測（計算）し、第２シミュレーションは、図３（ｃ）に示すように、第２計算格子３０４を用いて硬化性組成物ＩＭの挙動を予測（計算）する。ここで、第１計算格子３０３及び第２計算格子３０４は、計算の単位を示す計算要素の集合体である。図３（ｂ）及び図３（ｃ）において、格子を構成するように配置された複数の微小な矩形の各々が計算要素である。一般的な手法では、硬化性組成物ＩＭの液滴３０２の挙動を解析するために、硬化性組成物ＩＭの液滴３０２の寸法よりも十分に小さい計算要素からなる計算格子が定義される。そして、各計算要素に対応した型Ｍのパターン情報が抽出され、硬化性組成物ＩＭの液滴３０２の挙動は、硬化性組成物ＩＭの液滴３０２の体積が各々の計算要素の体積に対して占める割合として表現される。

シミュレーション範囲３０６は、シミュレーションを実行する範囲を示している。本実施形態では、計算コスト（計算負荷）を低減するために、シミュレーションを実行する範囲、即ち、シミュレーション範囲３０６を限定する。本実施形態では、第１シミュレーションは、型Ｍのパターン領域ＰＲの全面をシミュレーション範囲とすることを想定している。但し、ここでは、図を簡略に示すために、第１シミュレーションを実行する範囲をシミュレーション範囲３０６として説明する。

第１シミュレーションは、簡易的な計算手法であるため、第２シミュレーションと比較して、シミュレーション範囲３０６に定義される計算格子の数が少ない。例えば、液滴３０２を、型Ｍと基板Ｓとを繋ぐ１つの柱とみなして流体的な挙動を簡易化して計算する場合は、シミュレーションで用いる第１計算格子３０３の数は、比較的少なくてもよい。また、第１シミュレーションでは、計算を簡易的にするために、微小空間である型側マーク３０１及び基板側マーク３０５に定義される計算格子を省略して計算する。第１シミュレーションでは、計算格子の数を少なく抑えることで計算コストを低減しているため、基板Ｓの上の硬化性組成物ＩＭの複数の液滴が配置される領域（型Ｍのパターン領域ＰＲの全体）をシミュレーション範囲として計算することが可能である。

第２シミュレーションは、詳細な計算手法であるため、硬化性組成物ＩＭの液滴３０２が結合する流体的な挙動を計算することを想定している。例えば、型Ｍ（のパターン領域ＰＲ）と基板Ｓとの間の空間での液滴３０２の流体的な挙動を計算する場合には、型Ｍと基板Ｓとの間の空間に、比較的多数の計算格子を定義しなければならない。また、型側マーク３０１に流入する液滴３０２の挙動（充填）を計算する場合は、型側マーク３０１にも計算格子を定義する必要がある。

型側マーク３０１は凹部で構成され、型側マーク３０１に硬化性組成物ＩＭが充填されることで、インプリント処理後に、硬化性組成物ＩＭの膜に型側マーク３０１に対応する凸部が形成される。液滴３０２の直径は約数百μｍ程度であるのに対し、型側マーク３０１の線幅は数μｍから数十μｍの範囲であるため、型側マーク３０１（凹部）の空間は非常に小さい。従って、型側マーク３０１における硬化性組成物ＩＭの充填性を計算する場合には、型側マーク３０１や基板Ｓと型Ｍとの間の空間に細かい計算格子を定義しなければならない。換言すれば、第２シミュレーションにおいて硬化性組成物ＩＭの挙動を予測する際に定義される第２計算格子３０４の数は、第１シミュレーションにおいて硬化性組成物ＩＭの挙動を予測する際に定義される第１計算格子３０３の数よりも多い。このように、計算格子の数が多くなることは、計算コストの上昇に繋がるため、基板Ｓの上の硬化性組成物ＩＭの複数の液滴が配置される領域（型Ｍのパターン領域ＰＲの全体）をシミュレーション範囲とすることは困難となる。

本実施形態におけるシミュレーション方法では、第１シミュレーションと第２シミュレーションとを組み合わせて硬化性組成物ＩＭの挙動を予測する。第１シミュレーションは、型Ｍのパターン領域ＰＲの全体をシミュレーション範囲として、液滴３０２の広がり、液滴３０２の間に閉じ込められた気体の分布、閉じ込められた気体の圧力分布などを計算する。一方、第２シミュレーションは、第１シミュレーションの結果を引用して、硬化性組成物ＩＭの挙動をより詳細に計算する。

上述したように、第２シミュレーションは、計算コストが非常に高い計算手法であるため、型Ｍのパターン領域ＰＲの全体をシミュレーション範囲とするのは現実的ではない。そこで、第２シミュレーションを実行するシミュレーション範囲３０６を、硬化性組成物ＩＭの挙動（液滴３０２の広がり）が特異になる領域、具体的には、充填不良が生じる領域に限定することで、計算コストを低減させる。例えば、型側マーク３０１の周辺の領域を、第２シミュレーションを実行するシミュレーション範囲３０６とする。

型Ｍのパターン領域ＰＲにおける型側マーク３０１の位置は、型Ｍの設計情報を含む型設計ファイル２０２から得ることができる。そこで、型設計ファイル２０２から型側マーク３０１の位置情報を抽出して、型側マーク３０１の位置の周辺の領域にシミュレーション範囲３０６を限定して第２シミュレーションを実行する。型側マーク３０１から離れた領域に配置されている液滴３０２の流動性を考慮しても、それに要する計算コストに対する計算精度の向上が小さいため、第２シミュレーションを実行するシミュレーション範囲３０６を限定することが計算コストの低減に繋がる。

図４を参照して、第１実施形態におけるシミュレーション方法について説明する。本実施形態では、硬化性組成物ＩＭの挙動として、型側マーク３０１における硬化性組成物ＩＭの充填性を予測する場合を例に説明する。

Ｓ４０１において、シミュレーション装置１は、シミュレーション条件を決定する。ここでは、シミュレーション条件として、膜形成装置ＩＭＰ、型Ｍ、基板Ｓ及びディスペンサＤＳＰなどに関する情報を決定する。このような情報を設定ファイル２０１に反映させるため、情報がメモリ２０に格納されているかを確認し、情報がメモリ２０に格納されていない場合には、入力デバイス４０を介して、情報をメモリ２０に格納する。

Ｓ４０２において、シミュレーション装置１は、設定ファイル２０１を作成する。Ｓ４０２で作成された設定ファイル２０１はメモリ２０に格納され、シミュレーションプログラム２１が実行されることになる。また、本実施形態では、設定ファイル２０１には、型側マーク３０１における硬化性組成物ＩＭの充填性を評価する計算モードを設定する。このような計算モードは、型設計ファイル２０２に含まれている型側マーク３０１の座標情報（位置情報）を参照し、かかる座標情報に基づいて、第２シミュレーションを実行するシミュレーション範囲を設定する。このような計算モードを設定することで、シミュレーションの設定が最適化される仕組みがシミュレーションプログラム２１には設けられている。

Ｓ４０３において、シミュレーション装置１は、第１シミュレーションを実行する（第４工程）。第１シミュレーションは、上述したように、計算コストが小さいため、本実施形態では、型Ｍのパターン領域ＰＲの全体における液滴３０２の挙動を把握することを目的として実行される。従って、第１シミュレーションは、型Ｍのパターン領域ＰＲの全体をシミュレーション範囲として実行される。第１シミュレーションでは、液滴３０２の全体の広がり、液滴３０２の間に閉じ込められる気泡の分布などを計算（予測）する。また、第１シミュレーションの結果を第２シミュレーションで参照することで、第２シミュレーションの計算コストを低減することが可能となる。第１シミュレーションを実行するシミュレーション範囲を型Ｍのパターン領域ＰＲの全体としているのは、この時点で、第２シミュレーションを実行するシミュレーション範囲が不確定であることも理由の１つである。

Ｓ４０４において、シミュレーション装置１は、第２シミュレーションを実行するシミュレーション範囲を決定する。このように、硬化性組成物ＩＭの挙動を第１精度で予測する第１シミュレーションを実行する第１範囲に含まれ、硬化性組成物ＩＭの挙動を第１精度よりも高い第２精度で予測する第２シミュレーションを実行する第２範囲を決定する（第１工程）。本実施形態では、硬化性組成物ＩＭの充填性を評価する計算モードが設定されているため、型設計ファイル２０２を参照して型側マーク３０１の計算対象領域（第２シミュレーションを実行するシミュレーション範囲）をビジュアルウィンドウ２０６に表示する。

なお、本実施形態では、型側マーク３０１を含む領域を、第２シミュレーションを実行するシミュレーション範囲として決定しているが、基板側マーク３０５に関する情報から第２シミュレーションを実行するシミュレーション範囲を決定することも可能である。設定ファイル２０１に、基板側マーク３０５を対象とする計算モードを設定することで、基板設計ファイル２０３に含まれる基板側マーク３０５の座標情報（位置情報）を参照して、第２シミュレーションを実行するシミュレーション範囲を決定することができる。また、基板側マーク３０５の座標情報に限らず、基板設計ファイル２０３に含まれるその他のマークやパターンなどの情報を参照することができる。

また、第１シミュレーションの結果から第２シミュレーションを実行するシミュレーション範囲を決定する計算モードを設定してもよい。本実施形態では、第１シミュレーションを実行することで、液滴３０２の間に閉じ込められる気泡の分布を計算することができる。従って、第１シミュレーションの結果、例えば、気泡の数や大きさなどを参照して、異常な箇所、具体的には、充填不良が生じる領域を特定し、かかる領域を含むように、第２シミュレーションを実行するシミュレーション範囲を決定してもよい。

本実施形態では、型側マーク３０１に関する情報のみから第２シミュレーションを実行するシミュレーション範囲を決定しているが、これに限定されるものではない。例えば、型側マーク３０１に関する情報のみではなく、基板側マーク３０５に関する情報や第１シミュレーションの結果を組み合わせて、第２シミュレーションを実行するシミュレーション範囲を決定することも可能である。

なお、第２シミュレーションを実行するシミュレーション範囲は、シミュレーションプログラム２１で自動的に決定してもよい。また、シミュレーションプログラム２１で仮決定（提案）されたシミュレーション範囲を、ユーザの入力に応じて調整することで、第２シミュレーションを実行するシミュレーション範囲を決定してもよい。第２シミュレーションを実行するシミュレーション範囲を自動的に決定する場合には、ユーザの入力を待つ時間を短縮することができるため、計算コストの向上に繋がる。また、第２シミュレーションを実行するシミュレーション範囲をユーザが調整する場合には、例えば、第１シミュレーションの結果を参照することができるため、より適切なシミュレーション範囲を決定することができる。

Ｓ４０５において、シミュレーション装置１は、Ｓ４０４で決定されたシミュレーション範囲に対して、第２シミュレーションを実行する（第２工程）。第２シミュレーションを実行するシミュレーション範囲を自動的に決定する場合には、ユーザは、シミュレーション範囲を手動で設定及び調整する必要がないため、Ｓ４０４の工程やＳ４０５の工程を意識しなくてよい。従って、第２シミュレーションを実行する上で更なる効率化を図ることができる。

Ｓ４０６において、シミュレーション装置１は、Ｓ４０３で実行された第１シミュレーションの結果やＳ４０５で実行された第２シミュレーションの結果をビジュアルウィンドウ２０６に表示する（第３工程）。本実施形態では、型側マーク３０１における硬化性組成物ＩＭの充填性を評価する計算モードが設定されているため、第２シミュレーションの結果をビジュアルウィンドウ２０６に表示する。但し、第２シミュレーションの結果とともに、第１シミュレーションの結果をビジュアルウィンドウ２０６に表示してもよい。

本実施形態によれば、計算コストの高い第２シミュレーションを実行するシミュレーション範囲を最適に決定することができるため、シミュレーションの精度を維持しながらも計算コストを低減することができる。また、ユーザのミスを最小限に抑えて、シミュレーションを実行することができる。このように、本実施形態におけるシミュレーション方法は、シミュレーションの精度を維持し、且つ、計算コストを抑えることを実現することができる。

なお、本実施形態では、型Ｍの設計情報に基づいて、第２シミュレーションを実行するシミュレーション範囲を決定する場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。例えば、基板Ｓの設計情報、硬化性組成物ＩＭの複数の液滴の配置情報、型Ｍのパターン領域ＰＲの位置情報、及び、第１シミュレーションの結果に関する情報のうち少なくとも１つに基づいて、シミュレーション範囲を決定してもよい。

また、型Ｍの設計情報、基板Ｓの設計情報、硬化性組成物ＩＭの複数の液滴の配置情報及び型Ｍのパターン領域ＰＲの位置情報のうち少なくとも１つに基づいて、シミュレーション範囲を決定する場合には、Ｓ４０３と並行してＳ４０４及びＳ４０５を行ってもよい。なお、Ｓ４０３、Ｓ４０４及びＳ４０５の順に行う場合には、上述した情報に基づいてシミュレーション範囲を仮決定し、その後、第１シミュレーションの結果に関する情報に基づいて、仮決定されたシミュレーション範囲を調整してもよい。

＜第２実施形態＞
図５を参照して、第２実施形態におけるシミュレーション方法について説明する。本実施形態では、硬化性組成物ＩＭの挙動として、型Ｍのパターン領域ＰＲのエッジ部における硬化性組成物ＩＭの染み出し又は未充填を予測する場合を例に説明する。また、本実施形態では、液滴配置ファイル２０４を用いて第２シミュレーションを実行するシミュレーション範囲を決定する。具体的には、液滴配置ファイル２０４からボロノイ図を作成し、硬化性組成物ＩＭの液滴（の広がり）の粗密を参照する。

Ｓ６０１において、シミュレーション装置１は、シミュレーション条件を決定する。Ｓ６０１は、図４に示すＳ４０１と同様であるため、ここでの詳細な説明は省略する。

Ｓ６０２において、シミュレーション装置１は、設定ファイル２０１を作成する。本実施形態では、設定ファイル２０１には、ボロノイ図の液滴の面積情報及び位置情報から第２シミュレーションを実行するシミュレーション範囲を決定する計算モードを設定する。かかる計算モードでは、型Ｍのパターン領域ＰＲの全体のボロノイ図を作成した後に、硬化性組成物ＩＭの液滴の位置情報からパターン領域ＰＲのエッジ部の近傍の液滴に限定して第２シミュレーションを実行するシミュレーション範囲を決定する。

Ｓ６０３において、シミュレーション装置１は、ボロノイ図を作成する。ここで、ボロノイ図は、型Ｍと基板Ｓとの間に配置される複数の液滴３０２の位置を母点として、型Ｍのパターン領域ＰＲにおける点がどの母点に近いかによって領域分けされた図である。また、ボロノイ図は、複数の液滴３０２とそれぞれの液滴３０２に対応する領域とによって構成されている図である。また、ボロノイ図の作成は、第１実施形態で説明した第１シミュレーションを実行することに相当する（第４工程）。ここでは、型Ｍのパターン領域ＰＲにおける液滴３０２に対応する領域の面積を全て把握するため、パターン領域ＰＲの全体を対象としてボロノイ図を作成する。ボロノイ図を作成する際に、各液滴３０２が配置される位置の座標情報と各液滴３０２に対応する領域の面積情報とが数値化され、メモリ２０にリスト化される。座標情報と面積情報とをボロノイ図として可視化するのは、ビジュアルウィンドウ２０６を介して、ユーザが液滴配置を確認しやすくするためである。

図６は、Ｓ６０３で作成されるボロノイ図５０１の一例を示す図である。ボロノイ図５０１は、液滴配置ファイル２０４に含まれる液滴配置情報に基づき作成される。また、本実施形態では、上述したように、型Ｍのパターン領域ＰＲの全体のボロノイ図５０１が作成されるが、図６では、パターン領域ＰＲのエッジ部５０２（角部）を抽出して示している。

エッジ部５０２は、硬化性組成物ＩＭが形成する膜の端部、即ち、型Ｍのパターン領域ＰＲの最外周となる部分である。なお、エッジ部５０２は、型設計ファイル２０２又は基板設計ファイル２０３を参照することで、その座標情報を得ることができる。

ボロノイ図５０１から、複数の液滴３０２のそれぞれが広がる領域が予測され、液滴３０２の粗密を把握することができる。図６を参照するに、大きな面積の領域は、液滴３０２の配置が粗であり、小さな面積の領域は、液滴３０２の配置が密である。通常、ディスペンサＤＳＰからの液滴３０２の吐出量は一定であるため、小さな面積の領域では、液滴３０２の高さが高く、大きな面積の領域では、液滴３０２の高さが低くなる。また、大きな面積の領域では、硬化性組成物ＩＭの未充填が懸念され、小さな面積の領域では、硬化性組成物ＩＭの染み出しが懸念される。従って、液滴３０２の面積が他と極端に異なる部分に対して、第２シミュレーションを実行することで、計算コストを抑制することができる。

Ｓ６０４において、シミュレーション装置１は、第２シミュレーションを実行するシミュレーション範囲を決定する（第１工程）。本実施形態では、Ｓ６０３で作成したボロノイ図５０１（液滴３０２の粗密）から、メモリ２０に格納されているリストと照らし合わせて、型Ｍのパターン領域ＰＲのエッジ部５０２の周辺を、第２シミュレーションを実行するシミュレーション範囲として決定する。Ｓ６０４で決定されたシミュレーション範囲は、ビジュアルウィンドウ２０６に表示され、ユーザは、ビジュアルウィンドウ２０６を介して、第２シミュレーションを実行するシミュレーション範囲を確認することができる。また、ビジュアルウィンドウ２０６に表示されたシミュレーション範囲を、ユーザの入力に応じて調整可能にしてもよい。

Ｓ６０５において、シミュレーション装置１は、Ｓ６０４で決定されたシミュレーション範囲に対して、第２シミュレーションを実行する（第２工程）。

Ｓ６０６において、シミュレーション装置１は、Ｓ６０５で実行された第２シミュレーションの結果をビジュアルウィンドウ２０６に表示する（第３工程）。本実施形態では、型Ｍのパターン領域ＰＲのエッジ部５０２からの硬化性組成物ＩＭの染み出し又は未充填が発生している箇所がビジュアルウィンドウ２０６に表示される。

本実施形態によれば、計算コストの高い第２シミュレーションを実行するシミュレーション範囲を最適に決定することができるため、シミュレーションの精度を維持しながらも計算コストを低減することができる。また、ユーザのミスを最小限に抑えて、シミュレーションを実行することができる。このように、本実施形態におけるシミュレーション方法は、シミュレーションの精度を維持し、且つ、計算コストを抑えることを実現することができる。

＜第３実施形態＞
図７を参照して、第３実施形態におけるシミュレーション方法について説明する。本実施形態では、外部計測装置である顕微鏡を用いて、インプリント処理を経て基板Ｓの上に形成された硬化性組成物ＩＭの膜に発生した気泡などの欠陥の位置を特定する。そして、このようにして特定された位置に基づいて、欠陥が多く発生している箇所に対して第１シミュレーションを実行する。

Ｓ７０１において、シミュレーション装置１は、シミュレーション条件を決定する。Ｓ７０１は、図４に示すＳ４０１と同様であるため、ここでの詳細な説明は省略する。

Ｓ７０２において、シミュレーション装置１は、設定ファイル２０１を作成する。本実施形態では、設定ファイル２０１には、後述する欠陥情報に基づいて第１シミュレーションを実行するシミュレーション範囲を決定する計算モードを設定する。このように、本実施形態では、基板Ｓの上に硬化性組成物ＩＭの膜を形成したときのインプリント条件が設定ファイル２０１に反映されていることが重要になる。

Ｓ７０３において、シミュレーション装置１は、基板Ｓの上に形成された硬化性組成物ＩＭの膜に発生した欠陥の位置を示す欠陥情報を取得する。欠陥情報は、インプリント処理を実行して形成された硬化性組成物ＩＭの膜を計測した結果に関する情報であって、例えば、基板Ｓの上に形成された硬化性組成物ＩＭの膜を顕微鏡で計測することで取得される。この際、欠陥の面積と座標情報とをリスト化してメモリ２０に格納する。リスト化する範囲は、型Ｍのパターン領域ＰＲの全体とする。

Ｓ７０４において、シミュレーション装置１は、第１シミュレーションを実行するシミュレーション範囲を決定する。このように、硬化性組成物ＩＭの挙動を予測する第１シミュレーションを実行する第１範囲（型Ｍのパターン領域ＰＲの全体）に含まれ、第１範囲よりも小さい第２範囲（欠陥が派生している箇所を含む範囲）を決定する（第１工程）。本実施形態では、Ｓ７０３で取得された欠陥情報に基づいて、メモリ２０に格納されているリストと照らし合わせて、欠陥が発生している箇所を、第１シミュレーションを実行するシミュレーション範囲として決定する。本実施形態では、これらの情報をビジュアルウィンドウ２０６に表示することなく、第１シミュレーションを実行するように、設定ファイル２０１に設定している。従って、ユーザによるシミュレーション範囲の調整は入らず、シミュレーションプログラム２１に従ってシミュレーション範囲が自動的に決定され、第１シミュレーションが自動的に開始される。このため、第１シミュレーションを実行する上で更なる効率化を図ることができる。また、欠陥が発生している箇所が限定的な領域である場合には、型Ｍのパターン領域ＰＲの全体に対して第１シミュレーションを実行する必要はなく、シミュレーション範囲を限定することができるため、計算コストを低減することができる。

Ｓ７０５において、シミュレーション装置１は、Ｓ７０４で決定されたシミュレーション範囲に対して、第１シミュレーションを実行する（第２工程）。

Ｓ７０６において、シミュレーション装置１は、Ｓ７０５で実行された第１シミュレーションの結果をビジュアルウィンドウ２０６に表示する（第３工程）。本実施形態では、硬化性組成物ＩＭの挙動として、欠陥が発生している箇所に関する情報がビジュアルウィンドウ２０６に表示される。本実施形態では、顕微鏡で取得された欠陥情報と、第１シミュレーションの結果とを相対比較することができるため、欠陥の発生の原因が特定しやすくなる。

このように、本実施形態では、インプリント処理を実行して形成された硬化性組成物ＩＭの膜を計測した結果に関する情報に基づいて、第１シミュレーションを実行するシミュレーション範囲を決定する。これにより、第１シミュレーションを実行するシミュレーション範囲を、目的に適合した範囲で的確に決定することができるため、シミュレーションの精度を維持しながらも計算コストを低減することができる。また、ユーザのミスを最小限に抑えて、シミュレーションを実行することができる。このように、本実施形態におけるシミュレーション方法は、シミュレーションの精度を維持し、且つ、計算コストを抑えることを実現することができる。

本発明は、上述の実施形態の１つ以上の機能を実現するプログラムを、ネットワーク又は記憶媒体を介してシステム又は装置に供給し、そのシステム又は装置のコンピュータにおける１つ以上のプロセッサがプログラムを読出し実行する処理でも実現可能である。また、１つ以上の機能を実現する回路（例えば、ＡＳＩＣ）によっても実現可能である。

シミュレーション装置１が組み込まれた膜形成装置ＩＭＰは、第１部材の上に配置された硬化性組成物と第２部材とを接触させ第１部材の上に硬化性組成物の膜を形成する処理を、シミュレーション装置１による硬化性組成物の挙動の予測に基づいて制御する。

実施形態の物品製造方法は、上述したシミュレーション方法を繰り返しながら第１部材の上に配置された硬化性組成物と第２部材とを接触させ第１部材の上に該化性組成物の膜を形成する処理の条件を決定する工程と、該条件に従って該処理を実行する工程とを含む。ここまでは、型がパターンを有する形態について説明したが、本発明は、基板がパターンを有する形態にも適用できる。

図８（ａ）乃至図８（ｆ）には、物品の製造方法のより具体的な例が示されている。図８（ａ）に示すように、絶縁体などの被加工材が表面に形成されたシリコンウエハなどの基板を用意し、続いて、インクジェット法などにより、被加工材の表面にインプリント材（硬化性組成物）を付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材が基板上に付与された様子を示している。

図８（ｂ）に示すように、インプリント用の型を、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材に向け、対向させる。図８（ｃ）に示すように、インプリント材が付与された基板と型とを接触させ、圧力を加える。インプリント材は、型と被加工材との隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光を型を介して照射すると、インプリント材は硬化する。

図８（ｄ）に示すように、インプリント材を硬化させた後、型と基板を引き離すと、基板上にインプリント材の硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、型の凹部が硬化物の凸部に、型の凸部が硬化物の凹部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材に型の凹凸のパターンが転写されたことになる。

図８（ｅ）に示すように、硬化物のパターンを耐エッチングマスクとしてエッチングを行うと、被加工材の表面のうち、硬化物がない、或いは、薄く残存した部分が除去され、溝となる。図８（ｆ）に示すように、硬化物のパターンを除去すると、被加工材の表面に溝が形成された物品を得ることができる。ここでは、硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子などに含まれる層間絶縁用の膜、即ち、物品の構成部材として利用してもよい。

発明は上記実施形態に制限されるものではなく、発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、発明の範囲を公にするために請求項を添付する。

１：シミュレーション装置 １０：プロセッサ ２０：メモリ ２１：シミュレーションプログラム ３０：ディスプレイ ４０：入力デバイス

Claims (14)

1. 第１部材の上に配置された硬化性組成物の複数の液滴と第２部材とを接触させ、前記第１部材と前記第２部材との間の空間に前記硬化性組成物の膜を形成する処理における前記硬化性組成物の挙動を予測するシミュレーション方法であって、
   前記挙動を第２精度で予測する第２シミュレーションの対象範囲である第２範囲を決定する第１工程と、
   前記第２範囲に対して前記第２シミュレーションを実行する第２工程と、
   前記第２シミュレーションの結果を表示する第３工程と、
   を有し、
   前記第１工程では、前記第１部材の設計情報、前記第２部材の設計情報、前記硬化性組成物の複数の液滴の配置情報、前記硬化性組成物の複数の液滴と接触する前記第２部材の接触面の位置情報、及び、前記第２範囲を含み前記第２範囲よりも大きい第１範囲に対して前記第２精度よりも低い第１精度で実行された第１シミュレーションの結果に関する情報のうちの少なくとも１つの情報に基づいて、前記第２範囲を決定することを特徴とするシミュレーション方法。
2. 前記第１工程では、前記少なくとも１つの情報に基づいて、前記第１部材の上の前記硬化性組成物の複数の液滴が配置される領域において充填不良が生じる領域を特定し、当該充填不良が生じる領域を含むように前記第２範囲を決定することを特徴とする請求項１に記載のシミュレーション方法。
3. 前記第１工程の前に、前記第１範囲に対して前記第１シミュレーションを実行する第４工程を更に有することを特徴とする請求項１又は２に記載のシミュレーション方法。
4. 前記第３工程では、前記第１シミュレーションの結果も表示することを特徴とする請求項３に記載のシミュレーション方法。
5. 前記第１工程は、
   前記第１部材の設計情報、前記第２部材の設計情報、前記硬化性組成物の複数の液滴の配置情報、及び、前記硬化性組成物の複数の液滴と接触する前記第２部材の接触面の位置情報のうちの少なくとも１つの情報に基づいて、前記第２範囲を仮決定する工程と、
   前記第１シミュレーションの結果に関する情報に基づいて、仮決定された前記第２範囲を調整することで前記第２範囲を決定する工程と、
   を含むことを特徴とする請求項１に記載のシミュレーション方法。
6. 前記第１工程は、
   前記少なくとも１つの情報に基づいて、前記第２範囲を仮決定する工程と、
   仮決定された前記第２範囲をユーザの入力に応じて調整することで前記第２範囲を決定する工程と、
   を有することを特徴とする請求項１に記載のシミュレーション方法。
7. 前記第２シミュレーションにおいて前記挙動を予測する際に定義される計算格子の数は、前記第１シミュレーションにおいて前記挙動を予測する際に定義される計算格子の数よりも多いことを特徴とする請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載のシミュレーション方法。
8. 前記第２シミュレーションにおいて前記挙動を予測する際の計算負荷は、前記第１シミュレーションにおいて前記挙動を予測する際の計算負荷よりも大きいことを特徴とする請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載のシミュレーション方法。
9. 第１部材の上に配置された硬化性組成物の複数の液滴と第２部材とを接触させ、前記第１部材と前記第２部材との間の空間に前記硬化性組成物の膜を形成する処理における前記硬化性組成物の挙動を予測するシミュレーション方法であって、
   前記挙動を予測するシミュレーションの対象範囲である第２範囲を決定する第１工程と、
   前記第２範囲に対して前記シミュレーションを実行する第２工程と、
   前記シミュレーションの結果を表示する第３工程と、
   を有し、
   前記第１工程では、前記処理を実行して形成された前記硬化性組成物の膜を計測した結果に関する情報に基づいて、前記第２範囲を決定し、
   前記シミュレーションは、前記第２範囲を含む前記第２範囲よりも大きい第１範囲に対して実行可能であることを特徴とするシミュレーション方法。
10. 第１部材の上に配置された硬化性組成物の複数の液滴と第２部材とを接触させ、前記第１部材と前記第２部材との間の空間に前記硬化性組成物の膜を形成する処理における前記硬化性組成物の挙動を予測するシミュレーション装置であって、
    前記挙動を第２精度で予測する第２シミュレーションの対象範囲である第２範囲を決定し、
    前記第２範囲に対して前記第２シミュレーションを実行し、
    前記第２シミュレーションの結果を表示し、
    前記第２範囲を決定する際に、前記第１部材の設計情報、前記第２部材の設計情報、前記硬化性組成物の複数の液滴の配置情報、前記硬化性組成物の複数の液滴と接触する前記第２部材の接触面の位置情報、及び、前記第２範囲を含み前記第２範囲よりも大きい第１範囲に対して前記第２精度よりも低い第１精度で実行された第１シミュレーションの結果に関する情報のうちの少なくとも１つの情報に基づいて、前記第２範囲を決定することを特徴とするシミュレーション装置。
11. 第１部材の上に配置された硬化性組成物の複数の液滴と第２部材とを接触させ、前記第１部材と前記第２部材との間の空間に前記硬化性組成物の膜を形成する処理における前記硬化性組成物の挙動を予測するシミュレーション装置であって、
    前記挙動を予測するシミュレーションの対象範囲である第２範囲を決定し、
    前記第２範囲に対して前記シミュレーションを実行し、
    前記シミュレーションの結果を表示し、
    前記第２範囲を決定する際に、前記処理を実行して形成された前記硬化性組成物の膜を計測した結果に関する情報に基づいて、前記第２範囲を決定し、
    前記シミュレーションは、前記第２範囲を含む前記第２範囲よりも大きい第１範囲に対して実行可能であることを特徴とするシミュレーション装置。
12. 請求項１０又は１１に記載のシミュレーション装置が組み込まれた膜形成装置であって、
    第１部材の上に配置された硬化性組成物の複数の液滴と第２部材とを接触させ、前記第１部材と前記第２部材との間の空間に前記硬化性組成物の膜を形成する処理を、前記シミュレーション装置による前記硬化性組成物の挙動の予測に基づいて制御する、
    ことを特徴とする膜形成装置。
13. 請求項１乃至９のうちいずれか１項に記載のシミュレーション方法を繰り返しながら、第１部材の上に配置された硬化性組成物の複数の液滴と第２部材とを接触させ、前記第１部材と前記第２部材との間の空間に前記硬化性組成物の膜を形成する処理の条件を決定する工程と、
    前記条件に従って前記処理を実行する工程と、
    を含むことを特徴とする物品の製造方法。
14. 請求項１乃至９のうちいずれか１項に記載のシミュレーション方法をコンピュータに実行させることを特徴とするプログラム。

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