JP2024000322A - シミュレーション装置、およびプログラム - Google Patents

Abstract

【課題】膜形成処理のパラメータセットの決定時間を短縮するために有利なシミュレーション技術を提供する。
【解決手段】膜形成処理における硬化性組成物の挙動を予測するシミュレーション装置は、第１計算方法と、該第１計算方法に比べて計算時間が短縮される第２計算方法とのうちから選択された計算方法により前記硬化性組成物の挙動計算を実行する処理部を有する。処理部は、膜形成処理の複数の仮パラメータセットのそれぞれを適用して第２計算方法により硬化性組成物の挙動計算を実行し、複数の仮パラメータセットのそれぞれのうち、挙動計算の結果が所定の評価基準を満たすパラメータセットを決定し、決定されたパラメータセットを適用して、第１計算方法により硬化性組成物の挙動計算を実行する。
【選択図】 図３

Description

本発明は、シミュレーション装置、およびプログラムに関する。

基板上に硬化性組成物を配置し、硬化性組成物を型と接触させ、硬化性組成物を硬化させることによって基板上に硬化性組成物からなる膜を形成する膜形成技術がある。このような膜形成技術は、インプリント技術や平坦化技術に適用される。インプリント技術では、パターン領域を有する型を用いて、基板上の硬化性組成物と型のパターン領域とを接触させて硬化性組成物を硬化させることによって基板上の硬化性組成物に型のパターンが転写される。平坦化技術では、平坦面を有する型を用いて、基板上の硬化性組成物と平坦面とを接触させて硬化性組成物を硬化させることによって平坦な上面を有する膜が形成される。

基板上には、硬化性組成物が液滴の状態で配置され、その後、硬化性組成物の液滴に型が押し付けられる。これにより、基板上の硬化性組成物の液滴が広がって硬化性組成物の膜が形成される。この際、厚さが均一な硬化性組成物の膜を形成することや膜に気泡が残存しないことなどが重要であり、これを実現するために、硬化性組成物の液滴の配置や硬化性組成物への型の押し付けの方法及び条件等が調整される。このような調整を、装置を用いた試行錯誤によって実現する場合、膨大な時間と費用とを必要とする。そこで、このような調整を支援するシミュレータの利用が望まれている。

特許文献１には、硬化性組成物の膜を形成する処理における該硬化性組成物の挙動をより短時間で計算するために有利なシミュレーション方法が記載されている。硬化性組成物の複数の液滴が１つの計算要素に収まるように複数の計算要素からなる計算格子を定義し、各計算要素内における硬化性組成物の挙動を、各計算要素内における硬化性組成物の状態に応じたモデルに従って求めることで計算の高速化を実現している。

このように、計算の高速化により、調整にシミュレーションが積極的に利用されるようになり、実機による試行錯誤の手間が軽減される。

特開２０２０－１２３７１９号公報

インプリント装置等の膜形成装置では、量産工程の前に、基板に供給する硬化性組成物の液滴（ドロップ）の量および配置をドロップレシピとして決定する工程がある。ドロップレシピの良否を確認するためには、実際にインプリントを行って硬化性組成物の未充填や浸み出しを確認する作業を行う。ドロップレシピを決定するためには、通常、ドロップレシピのパラメータを変更しながらこの確認作業が複数回行われることになる。

この確認作業の回数を減らすために、シミュレーションを用いてドロップレシピを決定する方法がある。実際にインプリントを実行することなく計算によってドロップレシピの良否を予測できるため、インプリントの回数が削減され、インプリント条件の集合であるパラメータセットの決定時間が短縮される効果がある。

充填シミュレーションによりドロップレシピを決定する手順は、計算結果を参照して次の計算条件を作成し、再度計算を行うループを複数回行う。そのため、配置や量の探索範囲を広くすると、計算回数が増加し、決定に時間がかかる問題がある。

従来の充填シミュレーションでは、主に組成物流動と型変形との流体構造に関する連成解析が行われる。この解析では、計算精度を上げるために複数の物理現象を考慮して計算が行われる。複数の物理現象を考慮した連成計算は、１回あたりの計算時間が長くなる傾向がある。ドロップの配置や量の優劣を決める際には必ずしもすべての計算において高精度な計算を行う必要はないため、簡易的な計算手法により１回の計算時間を短縮することが望まれる。

本発明は、膜形成処理のパラメータセットの決定時間を短縮するために有利なシミュレーション技術を提供する。

本発明の一側面によれば、基板の上に配置された硬化性組成物の複数の液滴と型とを接触させ、前記基板の上に前記硬化性組成物の膜を形成する膜形成処理における前記硬化性組成物の挙動を予測するシミュレーション装置であって、第１計算方法と、該第１計算方法に比べて計算時間が短縮される第２計算方法とのうちから選択された計算方法により前記硬化性組成物の挙動計算を実行する処理部を有し、前記処理部は、前記膜形成処理の複数の仮パラメータセットのそれぞれを適用して前記第２計算方法により前記硬化性組成物の挙動計算を実行し、前記複数の仮パラメータセットのそれぞれのうち、前記挙動計算の結果が所定の評価基準を満たすパラメータセットを決定し、前記決定されたパラメータセットを適用して、前記第１計算方法により前記硬化性組成物の挙動計算を実行する、ことを特徴とするシミュレーション装置が提供される。

本発明によれば、膜形成処理のパラメータセットの決定時間を短縮するために有利なシミュレーション技術を提供することができる。

膜形成装置及び情報処理装置の構成を示す図。 シミュレーションプログラムが有する２つの計算モードを説明する図。 第１実施形態におけるシミュレーションの計算手順を説明するフローチャート。 第２実施形態におけるＧＵＩの例を示す図。 第３実施形態におけるシミュレーションの計算手順を説明するフローチャート。

以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。なお、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。

＜第１実施形態＞
図１は、本発明の実施形態における膜形成装置ＩＭＰ及び情報処理装置１の構成を示す概略図である。膜形成装置ＩＭＰは、基板Ｓの上に配置された硬化性組成物ＩＭの複数の液滴と型Ｍとを接触させ、基板Ｓと型Ｍとの間の空間に硬化性組成物ＩＭの膜を形成する膜形成処理を実行する。膜形成装置ＩＭＰは、例えば、インプリント装置として構成されてもよいし、平坦化装置として構成されてもよい。ここで、基板Ｓと型Ｍとは相互に入れ替え可能であり、型Ｍの上に配置された硬化性組成物ＩＭの複数の液滴と基板Ｓとを接触させることで、型Ｍと基板Ｓとの間の空間に硬化性組成物ＩＭの膜を形成してもよい。

インプリント装置では、パターンを有する型Ｍを用いて、基板Ｓの上の硬化性組成物ＩＭに型Ｍのパターンが転写される。インプリント装置では、パターンが設けられたパターン領域ＰＲを有する型Ｍが用いられる。インプリント装置では、インプリント処理として、基板Ｓの上の硬化性組成物ＩＭと型Ｍのパターン領域ＰＲとを接触させ、基板Ｓのパターンを形成すべき領域と型Ｍとの間の空間に硬化性組成物ＩＭを充填させ、その後、硬化性組成物ＩＭを硬化させる。これにより、基板Ｓの上の硬化性組成物ＩＭに型Ｍのパターン領域ＰＲのパターンが転写される。インプリント装置では、例えば、基板Ｓの複数のショット領域のそれぞれに硬化性組成物ＩＭの硬化物からなるパターンが形成される。

平坦化装置では、平坦化処理として、平坦面を有する型Ｍを用いて、基板Ｓの上の硬化性組成物ＩＭと型Ｍの平坦面とを接触させ、硬化性組成物ＩＭを硬化させることによって、平坦な上面を有する膜が形成される。平坦化装置では、基板Ｓの全域をカバーする寸法（大きさ）を有する型Ｍが用いられる場合、基板Ｓの全域に硬化性組成物ＩＭの硬化物からなる膜が形成される。本実施形態では、具体例を提供するため、膜形成装置ＩＭＰがインプリント装置である場合について説明する。

硬化性組成物としては、硬化用のエネルギーが与えられることにより硬化する材料が使用される。硬化用のエネルギーとしては、電磁波や熱などが用いられる。電磁波は、例えば、その波長が１０ｎｍ以上１ｍｍ以下の範囲から選択される光、具体的には、赤外線、可視光線、紫外線などを含む。このように、硬化性組成物は、光の照射、あるいは、加熱により硬化する組成物である。光の照射により硬化する光硬化性組成物は、少なくとも重合性化合物と光重合開始剤とを含有し、必要に応じて、非重合性化合物または溶剤を更に含有してもよい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種である。硬化性組成物の粘度（２５℃における粘度）は、例えば、１ｍＰａ・ｓ以上１００ｍＰａ・ｓ以下である。

基板の材料としては、例えば、ガラス、セラミックス、金属、半導体、樹脂などが用いられる。必要に応じて、基板の表面に、基板とは別の材料からなる部材が設けられてもよい。基板は、例えば、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、石英ガラスを含む。

本明細書および添付図面では、基板Ｓの表面に平行な方向をＸＹ平面とするＸＹＺ座標系で方向を示す。ＸＹＺ座標系におけるＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸のそれぞれに平行な方向をＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向とし、Ｘ軸周りの回転、Ｙ軸周りの回転およびＺ軸周りの回転のそれぞれをθＸ、θＹおよびθＺとする。Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ軸に関する制御または駆動は、それぞれ、Ｘ軸に平行な方向、Ｙ軸に平行な方向、Ｚ軸に平行な方向に関する制御または駆動を意味する。また、θＸ軸、θＹ軸およびθＺ軸に関する制御又は駆動は、それぞれ、Ｘ軸に平行な軸の周りの回転、Ｙ軸に平行な軸の周りの回転、Ｚ軸に平行な軸の周りの回転に関する制御又は駆動を意味する。また、位置は、Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ軸の座標に基づいて特定される情報であり、姿勢は、θＸ軸、θＹ軸およびθＺ軸の値で特定される情報である。位置決めは、位置および／または姿勢を制御することを意味する。

膜形成装置ＩＭＰは、基板Ｓを保持する基板保持部ＳＨ、基板保持部ＳＨを駆動することで基板Ｓを移動させる基板駆動機構ＳＤ、および基板駆動機構ＳＤを支持する支持ベースＳＢを有する。また、膜形成装置ＩＭＰは、型Ｍを保持する型保持部ＭＨと、型保持部ＭＨを駆動することで型Ｍを移動させる型駆動機構ＭＤとを有する。

基板駆動機構ＳＤおよび型駆動機構ＭＤは、基板Ｓと型Ｍとの相対位置が調整されるように、基板Ｓおよび型Ｍの少なくとも一方を移動させる相対移動機構を構成する。かかる相対移動機構による基板Ｓと型Ｍとの相対位置の調整は、基板Ｓの上の硬化性組成物ＩＭと型Ｍとの接触のための駆動、および、基板Ｓの上の硬化した硬化性組成物ＩＭからの型Ｍの分離のための駆動を含む。また、相対移動機構による基板Ｓと型Ｍとの相対位置の調整は、基板Ｓと型Ｍとの位置合わせを含む。基板駆動機構ＳＤは、基板Ｓを複数の軸（例えば、Ｘ軸、Ｙ軸およびθＺ軸の３軸、好ましくは、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ軸、θＹ軸およびθＺ軸の６軸）に関して駆動するように構成されている。型駆動機構ＭＤは、型Ｍを複数の軸（例えば、Ｚ軸、θＸ軸およびθＹ軸の３軸、好ましくは、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ軸、θＹ軸およびθＺ軸の６軸）に関して駆動するように構成されている。

膜形成装置ＩＭＰは、基板Ｓと型Ｍとの間の空間に充填された硬化性組成物ＩＭを硬化させるための硬化部ＣＵを有する。硬化部ＣＵは、例えば、型Ｍを介して硬化性組成物ＩＭに硬化用のエネルギーを与えることによって、基板Ｓの上の硬化性組成物ＩＭを硬化させる。

膜形成装置ＩＭＰは、型Ｍの裏面側（基板Ｓに対面する面の反対側）に空間ＳＰを形成するための透過部材ＴＲを有する。透過部材ＴＲは、硬化部ＣＵからの硬化用のエネルギーを透過させる材料で構成され、基板Ｓの上の硬化性組成物ＩＭに対して硬化用のエネルギーを与えることを可能にする。

膜形成装置ＩＭＰは、空間ＳＰの圧力を制御することによって、型ＭのＺ軸方向への変形を制御する圧力制御部ＰＣを有する。例えば、圧力制御部ＰＣが空間ＳＰの圧力を大気圧よりも高くすることによって、型Ｍは、基板Ｓに向けて形状に変形する。

膜形成装置ＩＭＰは、基板Ｓの上に硬化性組成物ＩＭを配置、供給又または分配するためのディスペンサＤＳＰを有する。ただし、膜形成装置ＩＭＰには、他の装置によって硬化性組成物ＩＭが配置された基板Ｓが供給（搬入）されてもよい。この場合、膜形成装置ＩＭＰは、ディスペンサＤＳＰを有していなくてもよい。

膜形成装置ＩＭＰは、基板Ｓ（または基板Ｓのショット領域）と型Ｍとの位置ずれ（位置合わせ誤差）を計測するためのアライメントスコープＡＳを有していてもよい。

シミュレーション装置として機能する情報処理装置１は、膜形成装置ＩＭＰにおいて実行させる処理における硬化性組成物ＩＭの挙動を予測する計算を実行する。具体的には、情報処理装置１は、基板Ｓの上に配置された硬化性組成物ＩＭの複数の液滴と型Ｍとを接触させ、基板Ｓと型Ｍとの間の空間に硬化性組成物ＩＭの膜を形成する処理における硬化性組成物ＩＭの挙動を予測する計算を実行する。

情報処理装置１は、例えば、汎用または専用のコンピュータにシミュレーションプログラム２１を組み込むことによって構成される。また、情報処理装置１は、ＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｇａｔｅ Ａｒｒａｙの略。）などのＰＬＤ（Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｌｏｇｉｃ Ｄｅｖｉｃｅの略。）、または、ＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔの略。）によって構成されてもよい。

本実施形態において、情報処理装置１は、プロセッサ１０と、メモリ２０と、ディスプレイ３０と、入力デバイス４０とを有するコンピュータによって構成されうる。メモリ２０には、膜形成処理における硬化性組成物ＩＭの挙動を予測するためのシミュレーションプログラム２１が格納されている。プロセッサ１０は、メモリ２０に格納されたシミュレーションプログラム２１を読み出して実行することにより、膜形成処理における硬化性組成物ＩＭの挙動を予測するシミュレーションを行うことができる。なお、メモリ２０は、半導体メモリであってもよいし、ハードディスクなどのディスクであってもよいし、他の形態のメモリであってもよい。シミュレーションプログラム２１は、コンピュータによって読み取り可能なメモリ媒体に格納されてもよいし、電気通信回線などの通信設備を介して情報処理装置１に提供されてもよい。

プロセッサ１０は、膜形成処理のパラメータセットを取得する取得部として機能しうる。また、プロセッサ１０は、パラメータセットに基づいて、硬化性組成物の挙動をシミュレーション計算により求める処理部として機能しうる。プロセッサ１０は、更に、シミュレーション計算により得られた硬化性組成物の挙動を模擬したシミュレーション画像を表示するよう表示部（ディスプレイ３０）を制御する表示制御部としても機能しうる。

図２は、本実施形態におけるシミュレーションプログラム２１が有する２つの計算モードを説明する図である。この２つの計算モードは、第１計算方法に従い計算するモードと、第２計算方法に従い計算するモードを含み、それぞれ特徴がある。第１計算方法は、充填プロセスを高精度に計算する方法であり、詳細計算モード２０１として実行される。第２計算方法は、充填プロセスを高速に計算する手法であり、高速計算モード２０２として実行される。第２計算方法によれば、第１計算方法に比べて計算時間が短縮される。図２（ａ）には、詳細計算モード２０１および高速計算モード２０２を含むシミュレーションプログラム２１の概略構成図が示されている。

シミュレーションプログラム２１を情報処理装置１に搭載する目的の一つは、膜形成処理に関する最適なパラメータセットを低コストかつ短時間に求めるためである。例えば、型Ｍと基板Ｓとの間に硬化性組成物ＩＭが充填して膜が形成される過程において、膜内に気泡が残った状態で膜を硬化させてしまうと、欠陥となってしまう。したがって、最適なパラメータセットとは、このような膜内に気体がなるべく残らない、シミュレーションにおける膜形成処理のパラメータセットのことである。本実施形態では、膜形成装置ＩＭＰをベースに説明を行うため、パラメータセットをインプリント条件を定めるパラメータセットとして説明を行う。

パラメータセット２０３は、シミュレーションプログラム２１で使用する計算に必要な膜形成処理のパラメータの集合である。パラメータとしては、例えば、型Ｍのモデル情報、基板Ｓのモデル情報、駆動機構ＭＤの押印力、空間ＳＰに発生させる圧力、硬化性組成物ＩＭの液滴配置および液滴量がありうる。上記パラメータは代表的な例であり、その他のパラメータもありうる。なお、パラメータセット２０３は１つのファイルとして管理されうる。そのファイルは、情報処理装置１のメモリ２０に保存されてもよいし、外部のサーバに保存されていてもよい。したがってこの場合、「複数のパラメータセット」は複数のファイルとして管理されうる。パラメータセット２０３に含まれる各パラメータは、入力画面を介して作業者によって手動で入力されてもよい。

パラメータセット２０３を決定する手法として、実際にインプリントを行って試行錯誤を経て決定するものがある。具体的には、仮のパラメータセットを複数用意し、それぞれの仮パラメータセットを適用して型Ｍおよび基板Ｓを用いて実際にインプリントを行う。その後、生成した硬化性組物ＩＭの膜に発生する欠陥を計測することにより、最適なパラメータセットを求める。この手法は、実際に膜を作成して検査機で欠陥を調べるため、信頼性は高い。しかしながら、インプリントのための物品の手配や、情報処理装置１の外部にある検査装置で調べる工程など、コストや時間がかかる問題がある。

シミュレーションプログラム２１を用いたシミュレーションでは、プロセッサ１０は、仮パラメータセットを参照して計算に必要な情報を取得する。例えば、プロセッサ１０は、仮パラメータセットに含まれる型Ｍのモデル情報や基板Ｓのモデル情報から、型Ｍや基板Ｓの寸法や材質などの情報を取得する。また、プロセッサ１０は、仮パラメータセットに含まれる駆動機構ＭＤの押印力や空間ＳＰに発生させる圧力の情報から、型駆動機構ＭＤの動作シーケンスに関する情報を取得する。また、プロセッサ１０は、仮パラメータセットに含まれる硬化性組成物ＩＭの複数の液滴の配置および量などの情報から、計算対象となる液滴の位置情報や量を取得する。プロセッサ１０は、このように取得した情報からインプリント過程を計算し、シミュレートする。実際にインプリントを行わずに済むため、低いコストかつ短時間で最終的なパラメータセット２０３を決定することが可能となる。

次に、シミュレーションプログラム２１が備える２つの計算モードについて詳しく説明する。各計算モードにおいて、プロセッサ１０は、物理現象を計算するために計算格子２０４を作成する。計算格子２０４とは、計算対象とする現象を表す数学モデルを離散化するために使用するものである。計算対象とする物理現象によって、計算できる計算格子２０４は異なるため、複数の物理現象を計算する場合は複数の計算格子２０４を用意する必要がある。よって、計算モードによって用意する計算格子の種類は異なる。また、各計算モードによって同じ計算格子２０４を用いるにしても計算対象とする範囲も異なることがある。

詳細計算モード２０１では、プロセッサ１０は、充填シミュレーションにおいて想定する物理現象の多くを計算対象とした物理計算を行う。それら複数の物理計算を行うために、プロセッサ１０は、３つの計算格子２０４を使用する。計算格子Ａ２０４ａによって計算する物理現象の例は、硬化性組成物ＩＭの液滴に関する挙動である。計算格子Ｂ２０４ｂによって計算する物理現象の例は、型Ｍの変形（たわみ）である。計算格子Ｃ２０４ｃによって計算する物理現象の例は、型Ｍの裏面の閉空間ＳＰの圧力である。なお、各計算格子２０４で計算する物理現象は説明のために一例を示したものであり、実際の計算ではここで紹介した物理現象以外の計算も行われる。

詳細計算モード２０１では、複数の物理現象が連成して計算される。例えば、詳細計算モード２０１では、挙動計算は、硬化性組成物ＩＭの液滴の挙動と、型Ｍの変形と、型Ｍの裏面の閉空間ＳＰの圧力との関係性を求める連成計算を行うことを含む。具体的には、計算格子Ａ２０４ａと計算格子Ｂ２０４ｂでの連成計算と、計算格子Ｂ２０４ｂと計算格子Ｃ２０４ｃでの連成計算が行われる。これらの連成計算によって、計算格子２０４が異なる物理現象が互いに影響しあい、シミュレーションの予測精度が上がる。しかしながら、連成計算ではイタレーションによる複数回の線形計算の演算が行われるため、計算時間が長くなる傾向がある。

詳細計算モード２０１においては、図２（ｂ）に例示される評価領域２０５がパターン領域ＰＲの全面に設定される。ここで言う評価領域２０５とは、シミュレーションプログラム２１の計算対象のうちＸ方向およびＹ方向における平面の結果を評価する範囲である。シミュレーションプログラム２１による評価対象とする範囲を論じるときは、Ｘ方向およびＹ方向に限定した評価領域２０５によって計算対象とする範囲の大小を論じることにする。なお、評価領域２０５の範囲に応じて計算格子２０４の作成範囲が変わる。例えば、計算格子Ａ２０４ａにおいては、計算対象となる硬化性組成物ＩＭの液滴に応じて計算する範囲が変わる。

図２（ｂ）を参照して、詳細計算モード２０１における評価領域Ａ２０５ａの範囲を説明する。図２（ｂ）は、型Ｍを－Ｚ方向から見た図である。詳細計算モード２０１における評価領域２０５を、評価領域Ａ２０５ａとする。なお、図２（ｂ）ではパターン領域ＰＲと計算格子Ａ２０４ａの境界は重なって表示されている。評価領域Ａ２０５ａは、硬化性組成物ＩＭの全ての液滴が含まれる範囲に設定される。具体的には、硬化性組成物ＩＭの液滴をパターン領域ＰＲの範囲に分布させるため、評価領域Ａ２０５ａをパターン領域ＰＲの全面とする。例として挙げた計算格子Ａ２０４ａでは計算範囲が全ての硬化性組成物ＩＭの液滴となるため、全ての液滴を含む計算格子Ａ２０４ａが作成される。このように全液滴を計算対象とすることで、型Ｍの変形形状を計算する際に全液滴が及ぼす影響を考慮することができる。これにより、型Ｍの変形を精度良く求めることができるため、計算精度が向上する。

以上の説明のように、詳細計算モード２０１では計算精度を上げるための施策がとられているが、計算精度を上げる弊害として、計算時間が増加する。

次に、もう一つの計算モードである高速計算モード２０２について説明する。高速計算モード２０２では、詳細計算モード２０１を基準として計算内容を限定することで計算速度を速める。具体的には、高速計算モード２０２では、硬化性組成物ＩＭの配置や量を検討項目として、硬化性組成物ＩＭの膜に発生する気泡の発生に着目した計算が行われる。この計算手法は、微調整のような工程で効力を発揮する。例えば、ある特定の位置における硬化性組成物ＩＭの膜に発生する気泡に着目し、硬化性組成膜ＩＭの液滴配置および液滴量を微調整し、硬化性組成物ＩＭの膜内に発生する気体の増減を確認するような使い方に、高速計算モード２０２は有効である。硬化性組成物ＩＭの液滴配置や液滴量が異なる複数のパラメータセット２０３を用意しておき、高速計算モード２０２で複数のパラメータセット２０３のそれぞれを使用した計算を行うことで、発生する気泡の情報を定量的に比較することができる。本実施形態においては説明を簡単にするために、液滴配置の変更に着目して以降の説明を行う。

高速計算モード２０２では、詳細計算モード２０１で採用される計算手法を簡単な計算手法に置き換えることで計算時間の短縮を図る。気泡の閉じ込めを見ることに限定すると、前述した計算格子Ａ２０４ａでの液滴の挙動に関する計算は必須であるため、計算格子Ａ２０４ａでの計算は必須となる。しかし、計算格子Ｂ２０４ｂおよび計算格子Ｃ２０４ｃのうち、気泡の発生に関わりが強い物理現象は、型Ｍの変形形状を計算するたわみ計算である。型Ｍのたわみ計算は計算格子Ｂ２０４ｂで計算されるのだが、精度良く計算するためには、計算格子Ａ２０４ａおよび計算格子Ｃ２０４ｃとの連成計算を行うことが求められ、他の計算と比較して多大な計算時間を要する。そこで、高速計算モード２０２では、これらの連成計算に替えて、型Ｍのたわみ分布を数式２０６を用いて計算することで計算時間を短縮（演算量を低減）することができる。例えば、型Ｍは基板Ｓに向かって凸型に変形するため、型Ｍの中央部から硬化性樹脂ＩＭと接触が始まる。接触する面積は、駆動機構ＭＤの基板Ｓに対する位置情報から決まる。接触部を変形しない固定部とし、非接触部を変形する計算対象として考える。また、型Ｍの計算対象部には空間ＳＰに付与されている圧力が等分布でかかることにする。このように考えることで、円盤のたわみの公式を適用して、型Ｍのたわみ分布を数式２０６で表現することができる。このような所定モデル式である数式２０６に型Ｍのパラメータを適用することで簡易に型Ｍの変形を計算することができる。

なお、本実施形態では、数式２０６による置き換え例を示したが、予め得られた、過去に行った型Ｍのたわみ計算結果または計測による型Ｍのたわみの計測結果などを利用して型のたわみ（変形）を予測してもよい。具体的には、メモリ２０に計算結果または計測結果をデータベースとして登録しておき、これを参照する。これにより、計算は簡単になるため、計算時間の短縮を図ることができる。

一例において、高速計算モード２０２では、計算対象とする物理計算を減らして計算を行い、計算時間の短縮を図ることができる。前述のように、円盤のたわみの公式を適用して、型Ｍのたわみ分布を数式２０６で計算することにより、計算格子Ｂ２０４ｂと計算格子Ｃ２０４ｃが省略される。これは、計算格子Ｃ２０４ｃで計算していた型Ｍの裏面の閉空間ＳＰの圧力の計算を省略していることになり、その省略した計算にかかる時間が短縮される。このように高速計算モード２０２では、計算対象となる物理量が減ることにより、計算時間を短縮することができる。

一例において、高速計算モード２０２では、評価領域２０５を局所範囲にすることで計算時間の短縮を図ることができる。すなわち、第２計算方法による挙動計算の評価領域が、第１計算方法による挙動計算の評価領域の一部に限定されることにより、計算時間の短縮が図られる。高速計算モード２０２における評価領域２０５を、図２（ｂ）に例示されるような評価領域Ｂ２０５ｂとする。詳細計算モード２０１では評価領域Ａ２０５ａをパターン領域ＰＲの全面に設定して計算情報量を増やしていたが、高速計算モード２０２では評価する対象を限定させることで計算にかかる時間を短くする。具体的には、詳細計算モード２０１は硬化性組成物ＩＭの液滴すべてを評価対象としていたのに対し、高速計算モード２０２では、図２（ｂ）に示すように、着目するエリア近傍の液滴のみを評価対象とする評価領域Ｂ２０５ｂを指定する。例えば、液滴配置、型Ｍもしくは基板Ｓの形状、パターン領域ＰＲの角部などの、気泡が発生しやすい箇所が、評価領域Ｂ２０５ｂとして指定されうる。また、欠陥検査装置による計測や、他の解析で問題となる気泡が発生した場所などが、評価領域Ｂ２０５ｂとして指定されうる。詳細計算モード２０１の説明時に例として挙げた計算格子Ａ２０４ａにおいては、評価する液滴の範囲がこの範囲内の硬化性組成物ＩＭの液滴となるため、計算格子Ａ２０４ａが小さくなる。計算格子Ａ２０４ａが小さくなるということは、その分計算時間も短く済む。

以上の説明のように、高速計算モード２０２では、計算対象とする物理計算を減らし、かつ計算格子２０４での計算を簡単な計算手法に置き換え、かつ評価領域２０５を局所範囲にすることで、詳細計算モード２０１に比べて計算を大幅に高速化する。これにより、ドロップレシピ間で気泡欠陥に係る量の比較を短時間で行うことができる。

なお、本実施形態では、前述した通り、硬化性組成物ＩＭの液滴配置の決定に着目しているため、前述のような時間の短縮方法をとっている。高速計算モード２０２は、パラメータセット２０３に合わせて、時間短縮の方法を変えて使用される。

なお、ここでいう「詳細」および「高速」とは、本実施形態で登場する２つの計算モードを相対比較して名付けた名称である。例えば、詳細計算モード２０１は、シミュレーションプログラム２１が本来実行する標準の計算モードとしての位置づけられてもよい。その場合、その標準の計算モードに対して計算速度を向上させるような制限をかけ、それにより計算精度は落ちるものの計算速度を向上させたモードが、高速計算モードとして理解されてもよい。

パラメータの異なる複数のパラメータセット２０３を用意して、シミュレーションプログラム２１により、複数のパラメータセット２０３のそれぞれに対して計算が実行される。

仮に計算モードが１つしかない場合、計算数に比例して総計算時間が増える。これに対し、高速計算モード２０２のような短時間で計算が完了する計算モードで全ての計算を実行することで、詳細計算モードのような時間がかかる計算モードで計算すべきインプリント条件であるパラメータセットを絞りこむことができる。例えば、詳細計算モードの計算時間が２時間程度であり、高速計算モードの計算時間が１分程度である場合、その短縮される時間は歴然となる。よって、本実施形態のように２つの計算モードを用意して使い分けることで総計算時間の短縮を図ることができる。

図３は、本実施形態におけるシミュレーションの計算手順を説明するフローチャートである。このフローでは、複数のパラメータセットのそれぞれが高速計算モード２０２に適用されて高速計算が行われ、その結果に基づき詳細計算モード２０１に適用されるパラメータセットが決定される。なお、パラメータセット２０３の内容は、上述の図２に関する説明の内容を準じるものとする。

なお、図３のフローはプログラム処理による自動実行との相性が良い。シーケンスファイルのように一連の設定情報や作業手順を記述できるようなファイルが用意できるならば、シーケンスファイルを使用した自動実行を行うと作業効率が良くなる。本実施形態では自動実行するものとして説明を行う。

Ｓ３０１で、プロセッサ１０は、複数の仮パラメータセットの準備を行う。例えば、プロセッサ１０は、液滴配置が異なる複数の仮パラメータセットを準備する。また、この準備において評価領域２０５を指定することになる。評価領域２０５は高速計算モード２０２の計算対象を決めるものである。なお、評価領域２０５は複数あっても構わない。評価領域２０５が複数ある場合はその数に応じて、高速計算モード２０２での計算回数が増えるが、パラメータセット２０３の選定をより厳密に行うことができる。本実施形態では、後述する説明をより簡略にするために、評価領域２０５は１つとして説明を続ける。本実施形態では、用意する仮パラメータセットを１０セットとして説明を行う。この１０セットの仮パラメータセットの違いは、ここでは液滴配置のＸ座標およびＹ座標の違いとなる。

これらの仮パラメータセットは、作業者の入力操作を介してメモリ２０に登録されたものでもよい。あるいは、変更する液滴配置の条件を入力して、パラメータセットを自動生成するプログラムで作成してもよい。

Ｓ３０２で、プロセッサ１０は、計算モードを高速計算モード２０２に設定する。本実施形態において、シミュレーションプログラム２１は詳細計算モード２０１および高速計算モード２０２を備えているので、プロセッサ１０は、使用する計算モードを高速計算モード２０２に設定する。具体的には、シーケンスファイルに切り替えのコマンドが記述されており、プロセッサ１０が該コマンドを受け取って高速計算モード２０２に自動で切り替える。

Ｓ３０３で、プロセッサ１０は、高速計算モード２０２での計算を実行する。本ステップではＳ３０１で準備した複数の仮パラメータセットのそれぞれを適用して、高速計算モード２０２での計算を実行する。本実施形態では１０セットの仮パラメータセットを用意しているので、合計１０回の計算を行うことになる。計算の実行は自動であり、１０回の計算は連続で実行される。

Ｓ３０４で、プロセッサ１０は、計算結果リストを作成する。プロセッサ１０は、複数の仮パラメータセットのそれぞれに対する計算結果を、１つのファイルに計算結果リストとしてまとめてメモリ２０に保存する。保存する計算結果の種類は少なくとも、次のステップで紹介する閾値判定の評価項目を含む必要がある。本実施形態では１０セットの仮パラメータセットがあるため、１０セットの計算結果が計算リストに記述されている。また、本実施形態では、気泡欠陥の数および最大欠陥サイズが含まれているものとしてこの後の説明を行う。なお、計算リストの作成は自動で行われる。

Ｓ３０５で、プロセッサ１０は、パラメータセットの選定を行う。プロセッサ１０は、複数の仮パラメータセットのそれぞれのうち、高速計算モード２０２による挙動計算の結果が所定の評価基準を満たすパラメータセットを決定する。アルゴリズムの異なる複数の判定プログラム（モジュール）が複数備えられていて、そのうちから選択された１つの判定プログラムによってパラメータセットの決定が行われてもよい。複数の判定プログラムをメモリ２０にインストールしておき、そのうちのいずれか使用する方法をとってもよい。

計算結果はＳ３０４で既に計算結果リストとしてまとめられているため、Ｓ３０５では、計算結果リストを参照してパラメータセットの決定（選定）が行われる。複数の仮パラメータセットのそれぞれに対応した挙動計算の結果のうち、最大気泡欠陥サイズおよび気泡欠陥数の情報が参照される。

まず、判定プログラムによって計算結果を判定するための方針を立てる必要がある。上記所定の評価基準は、最大気泡欠陥サイズが許容値以下かつ気泡欠陥数が許容数以下であること、とすることができる。例えば、判定の第１優先を最大気泡欠陥サイズが許容値以下という条件とし、判定の第２優先を気泡欠陥数が許容数以下という条件とし、それらの条件に関して最良のものから１つ以上を選定するという方針とする。例えば、計算結果リストに登録されている仮パラメータセットが１０セットある場合、プロセッサ１０は、計算結果を１つずつ参照して上記条件を満たすパラメータセットを検索し、１０セットの中から所定数（例えば、１）のパラメータセットを選定する。なお、これらの判定は判定プログラムに従い自動で行われる。なお、判定の方針はここで説明した内容に限定されるものではなく、作業者が任意で設定できるものである。ここでのパラメータセットの候補の絞り込みは、短縮される計算時間に直結する。ここで候補に挙がったパラメータセットの数だけ、この後、詳細計算モード２０１の計算を行うからである。よって、選定されるパラメータセットの数は、なるべく少ない数であることが時間の観点では望まれるが、計算結果の評価という観点ではなるべく数を増やしたくなるので、慎重に数字を選ぶ必要がある。

また、方針（所定の評価基準）に合致するパラメータセットが無い場合もありうる。そのような場合は、方針に近いパラメータセットを選ぶようにしてもよいし、ここでフローを抜けて、後述する詳細計算モード２０１による計算を行わないようにしてもよい。

Ｓ３０６で、プロセッサ１０は、計算モードを詳細計算モード２０１に設定する。シミュレーションプログラム２１はＳ３０２で高速計算モード２０２に設定されているため、このステップで計算モードを切り替えて、詳細計算モード２０１に設定する。具体的には、シーケンスファイルに切り替えのコマンドが記述されており、プロセッサ１０がコマンドを受け取って詳細計算モード２０１に自動で切り替える。

Ｓ３０７では、プロセッサ１０は、詳細計算モード３０２で計算を実行する。ここではＳ３０５で選択したパラメータセットを適用して詳細計算モード２０１を実行する。Ｓ３０５においてパラメータセットを１セットに絞り込んでいる場合には、詳細計算モード２０１の計算結果は１個得られることになる。

得られた計算結果は、高速計算モード２０１による計算結果よりも詳細な情報であるため、最終的な気泡発生の情報のチェックとして利用されうる。また、気泡消失計算を行っているので、充填完了時間の評価のようなより多くの物理計算の結果を評価することもできる。これらが問題なければ、絞り込まれたパラメータセットをそのまま最終的なパラメータセットとして設定してもよいし、他のパラメータを決定するために再度フローを実行してもよい。これらの評価を繰り返し行って膜形成装置ＩＭＰで使用する最終的なパラメータセットを決定していくのが代表的な使用方法となる。

ここまで述べてきたステップを実行することで、複数の仮パラメータセットの全てに詳細計算モード２０１を適用するのではなく、高速計算モード２０２を使ってパラメータセットの候補を絞ることで詳細計算モード２０１の計算回数を減らすことができる。これにより、パラメータセットを決めるための総計算時間の短縮を図ることができる。

以上の説明のように、本実施形態によれば、シミュレーションプログラムは詳細な計算を行う計算モードと高速に計算を行う計算モードを含み、それらの特性を生かした計算の運用を行うことでシミュレーションにかかる時間を小さくすることができる。例えば、複数の仮パラメータセットを高速計算モードで計算してパラメータセットを絞りこみ、絞り込んだパラメータセットのみを詳細計算モードで実行することで、計算にかかる総計算時間を抑えることができる。

以上のように、シミュレーションの総計算時間を短縮することで、パラメータセットの決定にかかる時間を短縮する方法を提供することができる。

＜第２実施形態＞
第２実施形態では、膜形成処理のパラメータセットおよび計算方法についてのユーザ指示を受け付けるための選択肢を提示するとともに、挙動計算の実行開始のユーザ指示を受け付けるユーザインタフェースを利用して計算モードの切り替えが行われる。本実施形態において、そのようなユーザインタフェースは、情報処理装置１に設けられたディスプレイ３０を利用して実現される。ディスプレイ３０は、ＧＵＩ（Ｇｒａｐｈｉｃａｌ Ｕｓｅｒ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）を提供する。本実施形態では、作業者（ユーザ）がＧＵＩを介して、計算結果を目視で確認し、作業者が計算モードをマニュアルで切り替える。なお、第２実施形態は第１実施形態と多くの部分が重複する。よって、第２実施形態の説明は第１実施形態と異なる部分のみを説明する。

図４は、第２実施形態における情報処理装置１のディスプレイ３０に提供されるＧＵＩの例を示す図である。ディスプレイ３０に提供されるＧＵＩは、表示ウィンドウ４０１を含みうる。表示ウィンドウ４０１は様々な視覚情報を表示するための汎用的な表示ウィンドウである。また、ＧＵＩは、パラメータセット選択ウィンドウ４０２を含みうる。パラメータセット選択ウィンドウ４０２には、メモリ２０に登録されている複数のパラメータセットが表示されている。ユーザは、表示されている複数のパラメータセットのうちからいずれか１つ以上を、入力デバイス３０により選択可能である。なお、パラメータセットは複数選択が可能である。

ＧＵＩは更に、計算モード選択ウィンドウ４０３を含みうる。計算モード選択ウィンドウ４０３にはシミュレーションプログラム２１が備えている計算モードが表示される。前述した計算モードの手動切り替えはこの選択ウィンドウ４０３を介して行われうる。本実施例では詳細計算モード２０１と高速計算モード２０２を使用するため、２つの計算モードが表示されている。これは入力デバイス３０により選択可能である。ここで選択された計算モードで計算が実行される。

ＧＵＩは更に、計算結果表示ボタン４０４を含みうる。パラメータセット選択ウィンドウ４０３でパラメータセットが選択されている状態で計算結果表示ボタン４０４が押されると、表示ウィンドウ４０１に計算結果が表示される。

ＧＵＩは更に、計算実行ボタン４０５を含みうる。パラメータセット選択ウィンドウ４０３でパラメータセットが選択され、計算モード選択ウィンドウ４０５で計算モードがされた状態で計算実行ボタン４０５が押されたことに応答して、挙動計算が実行される。

複数の仮パラメータセットを用意し、それらを高速計算モード２０２で計算を行うところまでは第１実施形態と同様である。第２実施形態では、ＧＵＩを使用して詳細計算モード２０１の計算結果を取得することができる。パラメータセット選択ウィンドウ４０２で計算対象とするパラメータセット２０３が選択され、計算モード選択ウィンドウ４０３で高速計算モード２０２が選択した状態で、計算実行ボタン４０５が押されると、高速計算モード２０２による計算結果が得られる。

高速計算モード２０２の計算結果がある状態で、パラメータセット選択ウィンドウ４０２でパラメータセットが選択され、計算結果表示ボタン４０４が押されると、表示ウィンドウ４０１に計算結果が表示される。計算結果の表示方法は多数ありうるが、図４では、分布する気泡欠陥の大きさを示すカラーコンター、気泡の個数、気泡のＸＹ平面の最大面積、気泡のＸＹ平面の平均面積が表示されうる。これらの表示情報は設定により変更可能である。なお、ここで気泡の大きさを体積ではなく、ＸＹ平面で表示するのは、外部装置で硬化性組成物ＩＭの膜に発生する気泡を計測する時にＸＹ平面で計測を行うため、値を合わせる狙いがあるからである。

図４には１つのパラメータセットについての計算結果の情報が表示されているが、パラメータセット選択ウィンドウ４０２で複数のパラメータセットを選択することで、複数の計算結果を比較評価することも可能である。

これら計算結果の情報を作業者が確認して、詳細計算モード２０１で計算するパラメータセットを選択する。なお、計算結果を参照した知見から新たなパラメータセットを作成して、そのパラメータセットを使用して詳細計算モード２０１の計算候補としてもよい。

計算結果を参照した後、作業者がパラメータセット選択ウィンドウ４０２から詳細計算モードを実行するパラメータセット２０３を選択する。そして、計算モード選択ウィンドウ４０３の詳細計算モード２０１を選択する。その後、計算実行ボタン４０５を押すことで詳細計算モード２０１の計算が実行される。

以上の説明のように、本実施形態では、詳細計算モード２０１を行うパラメータセットを作業者の判断により手動で選択する方法を示した。第１実施形態は自動実行であるため、全体の計算速度を短くする効果は高い。これに対し本実施形態では、詳細計算モード２０１の計算前に作業者の確認が入るため、仮に自動化シーケンスの間違いがあった時に手戻りが少なくなることや、結果を見てからの柔軟な判断が可能になる。これらは使用する用途に応じて使い分けることが望まれる。

本実施形態においても、複数の仮パラメータセットを高速計算モードで計算してパラメータセットを絞りこみ、絞り込んだパラメータセットのみを詳細計算モードで実行することで、計算にかかる総計算時間を抑えることができる。

以上のように、シミュレーションの総計算時間を短縮することで、パラメータセットの決定にかかる時間を短縮する方法を提供することができる。

＜第３実施形態＞
第３実施形態では、詳細計算モード２０１の計算結果から得られた情報から評価領域２０５を選定して高速計算モード２０２の計算を実施する。具体的には、第３実施形態では、詳細計算モード２０２の計算結果から、あらかじめ問題となる範囲を特定して、その特定した範囲の情報から評価領域２０５を選定する。その後に改善を目的としたパラメータセットを複数セット準備して、高速計算モード２０２により計算を行う。問題となる範囲とは、例えば大きな気泡や気泡が集中して発生する個所などが挙げられる。

なお、第３実施形態は第１実施形態と多くの部分が重複する。よって、第３実施形態の説明は第１実施形態と異なる部分のみを説明する。

図５は、第３実施形態におけるシミュレーションの計算手順を説明するフローチャートである。
Ｓ５０１で、プロセッサ１０は、パラメータセットの準備を行う。本実施形態では、気泡欠陥の発生箇所が既知であるものとする。したがって、Ｓ５０１では、例えば膜形成装置ＩＭＰにおいて気泡欠陥が問題となったパラメータセットが準備される。

Ｓ５０２で、プロセッサ１０は、計算モードを詳細計算モード２０１に設定する。Ｓ５０３で、プロセッサ１０は、詳細計算モード２０１での計算を実行する。本ステップでは、Ｓ５０１で用意されたパラメータセットに従い１回の詳細計算モード２０１の計算が実行されることになる。本実施形態においては気泡発生個所が既に分かっているので、実際の現象と差がないかをこの段階でチェックすることができる。もし、差があるようであれば一度フローを中断して、Ｓ５０１で準備すべきパラメータセットを見直してもよい。

Ｓ５０４で、プロセッサ１０は、評価領域２０５の選定を行う。前述したように、評価領域２０５は、大きな気泡や、気泡が集中して発生する場所が候補となる。第１実施形態でも述べたが、評価領域２０５は１か所に限定する必要はなく、複数になっても構わない。しかし、評価する評価領域２０５の数が増えると計算時間が増えるため、注意が必要となる。

Ｓ５０５で、プロセッサ１０は、複数の仮パラメータセットの準備を行う。例えば、評価領域２０５の範囲で気泡発生の原因となりそうな硬化性組成物ＩＭの液滴のＸ座標あるいはＹ座標を変更したものを、複数用意する。なお、複数の仮パラメータセットを検討する必要があるため、Ｓ５０５では通常、複数のパラメータセットを用意することになる。

Ｓ５０６で、プロセッサ１０は、計算モードを高速計算モード２０２に設定する。Ｓ５０７で、プロセッサ１０は、高速計算モード２０２で計算を実行する。ここで、プロセッサ１０は、Ｓ５０５で用意された複数のパラメータセットを適用して高速計算モード２０２を実行する。

得られた計算結果を参照することで、硬化性組成物ＩＭの液滴の配置を変更した時の気泡の増減を予測することができる。最良のパラメータセットを用いて、詳細計算モード２０１で計算を実行して気泡の詳細なシミュレーション結果を得てもよいし、該パラメータセットを使用して実際に膜形成装置ＩＭＰでインプリントを行って気泡欠陥の減少効果を確認してもよい。

以上の説明のように本実施形態でも、高速計算モード２０２の計算を使用することで、詳細計算モード２０１の計算回数を抑えられるため、シミュレーションにかかる総計算時間を抑えることができる。

以上のように、シミュレーションの総計算時間を短縮することで、パラメータセットの決定にかかる時間を短縮する方法を提供することができる。

＜第４実施形態＞
今までの適用事例として膜形成装置ＩＭＰがインプリント装置である場合について説明してきた。しかし、本発明は、インプリント装置に類似した充填プロセスを持つ別の装置においても効果を発揮する。例えば上述した平坦化装置はその一つである。

適用先の具体例を挙げると、基板にデバイスプロセスで生じた０．５から１μｍ程度の凹凸をリソグラフィ技術の焦点深度に見合うところまで平坦にする（Ｐｌａｎａｒｉｚａｔｉｏｎ）際に適用できる。平坦化の方法の一つとして、平面の型と基板の間に樹脂の液滴をインクジェット技術によって塗布し、互いを押し付けることで基板上に平らな組成物の膜を形成して平坦化を実現する方法がある。このような平坦化を行う装置は平坦化処理のパラメータセットを決定する必要があり、この内容はインプリント装置と似ている。そのため、上述のプロセスに本発明を適用することができる。

（他の実施形態）
本発明は、上述の実施形態の１以上の機能を実現するプログラムを、ネットワーク又は記憶媒体を介してシステム又は装置に供給し、そのシステム又は装置のコンピュータにおける１つ以上のプロセッサがプログラムを読み出し実行する処理でも実現可能である。また、１以上の機能を実現する回路（例えば、ＡＳＩＣ）によっても実現可能である。

本明細書の開示は、少なくとも以下のシミュレーション装置およびプログラムを含む。
（項目１）
基板の上に配置された硬化性組成物の複数の液滴と型とを接触させ、前記基板の上に前記硬化性組成物の膜を形成する膜形成処理における前記硬化性組成物の挙動を予測するシミュレーション装置であって、
第１計算方法と、該第１計算方法に比べて計算時間が短縮される第２計算方法とのうちから選択された計算方法により前記硬化性組成物の挙動計算を実行する処理部を有し、
前記処理部は、
前記膜形成処理の複数の仮パラメータセットのそれぞれを適用して前記第２計算方法により前記硬化性組成物の挙動計算を実行し、
前記複数の仮パラメータセットのそれぞれのうち、前記挙動計算の結果が所定の評価基準を満たすパラメータセットを決定し、
前記決定されたパラメータセットを適用して、前記第１計算方法により前記硬化性組成物の挙動計算を実行する、
ことを特徴とするシミュレーション装置。
（項目２）
前記第１計算方法による挙動計算は、前記硬化性組成物の液滴の挙動と、前記型の変形と、前記型の裏面の空間の圧力との関係性を求める連成計算を行うことを含み、
前記第２計算方法による挙動計算は、前記連成計算に替えて、所定のモデル式に前記型のパラメータを適用することで前記型の変形を計算することを含む、
ことを特徴とする項目１に記載のシミュレーション装置。
（項目３）
前記第１計算方法による挙動計算は、前記硬化性組成物の液滴の挙動と、前記型の変形と、前記型の裏面の空間の圧力との関係性を求める連成計算を行うことを含み、
前記第２計算方法による挙動計算は、前記連成計算を行わずに、過去の前記型の変形の計算結果または前記型の変形の計測結果を用いて前記型の変形を予測することを含む、
ことを特徴とする項目１に記載のシミュレーション装置。
（項目４）
前記第２計算方法による挙動計算の評価領域が、前記第１計算方法による挙動計算の評価領域の一部に限定される、ことを特徴とする項目１から３のいずれか１項に記載のシミュレーション装置。
（項目５）
前記挙動計算の結果は、最大気泡欠陥サイズおよび気泡欠陥数の情報を含み、
前記所定の評価基準は、最大気泡欠陥サイズが許容値以下かつ気泡欠陥数が許容数以下であること、
を特徴とする項目１から４のいずれか１項に記載のシミュレーション装置。
（項目６）
基板の上に配置された硬化性組成物の複数の液滴と型とを接触させ、前記基板の上に前記硬化性組成物の膜を形成する膜形成処理における前記硬化性組成物の挙動を予測するシミュレーション装置であって、
第１計算方法と、該第１計算方法に比べて計算時間が短縮される第２計算方法とのうちから選択された計算方法により前記硬化性組成物の挙動計算を実行する処理部と、
前記膜形成処理のパラメータセットおよび計算方法についてのユーザ指示を受け付けるための選択肢を提示するとともに、挙動計算の実行開始のユーザ指示を受け付けるユーザインタフェースと、を有し、
前記処理部は、前記ユーザインタフェースを介して前記実行開始のユーザ指示が入力されたことに応答して、パラメータセットの選択肢から選択されたパラメータセットを適用して、前記第１計算方法および前記第２計算方法のうち計算方法の選択肢から選択された計算方法により、前記硬化性組成物の挙動計算を実行する、
ことを特徴とするシミュレーション装置。
（項目７）
前記ユーザインタフェースは、前記パラメータセットの選択肢からユーザが複数のパラメータセットを選択することが可能なように構成されており、
前記パラメータセットの選択肢から複数のパラメータセットがユーザにより選択され、かつ、前記計算方法の選択肢から前記第２計算方法がユーザにより選択された場合、前記処理部は、前記選択された複数のパラメータセットのそれぞれを適用して前記第２計算方法により前記硬化性組成物の挙動計算を実行する、
ことを特徴とする項目６に記載のシミュレーション装置。
（項目８）
前記ユーザインタフェースは、実行された挙動計算の結果を表示する表示ウィンドウを含み、
前記選択された複数のパラメータセットのそれぞれを適用して前記第２計算方法により前記硬化性組成物の挙動計算が実行された後、前記選択肢から前記複数のパラメータセットのうちの１つのパラメータセットがユーザにより選択されたことに応答して、前記表示ウィンドウは、該選択されたパラメータセットを適用して実行された挙動計算の結果を表示する、
ことを特徴とする項目７に記載のシミュレーション装置。
（項目９）
前記選択された複数のパラメータセットのそれぞれを適用して前記第２計算方法により前記硬化性組成物の挙動計算が実行された後、前記選択肢から前記複数のパラメータセットのうちの１つのパラメータセットがユーザにより選択され、かつ前記第１計算方法が選択された状態で、前記実行開始のユーザ指示が入力された場合、前記処理部は、前記選択されたパラメータセットを適用して前記第１計算方法により前記硬化性組成物の挙動計算を実行する、ことを特徴とする項目８に記載のシミュレーション装置。
（項目１０）
基板の上に配置された硬化性組成物の複数の液滴と型とを接触させ、前記基板の上に前記硬化性組成物の膜を形成する膜形成処理における前記硬化性組成物の挙動を予測するシミュレーション装置であって、
第１計算方法と、該第１計算方法に比べて計算時間が短縮される第２計算方法とのうちから選択された計算方法により前記硬化性組成物の挙動計算を実行する処理部を有し、
前記処理部は、
前記膜形成処理の仮パラメータセットを適用して前記第１計算方法により前記硬化性組成物の挙動計算を実行し、
前記仮パラメータセットに対する前記挙動計算の結果に基づいて評価領域を決定し、
前記決定された評価領域に対して、複数の仮パラメータセットのそれぞれを適用して前記第２計算方法により前記硬化性組成物の挙動計算を実行する、
ことを特徴とするシミュレーション装置。
（項目１１）
基板の上に配置された硬化性組成物の複数の液滴と型とを接触させ、前記基板の上に前記硬化性組成物の膜を形成する膜形成処理における前記硬化性組成物の挙動を予測するシミュレーション装置であって、
第１計算方法と、該第１計算方法に比べて計算時間が短縮される第２計算方法とのうちから選択された計算方法により前記硬化性組成物の挙動計算を実行する処理部を有する、
ことを特徴とするシミュレーション装置。
（項目１２）
コンピュータを、項目１から１１のいずれか１項に記載のシミュレーション装置における処理部として機能させるプログラム。

発明は上記実施形態に制限されるものではなく、発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、発明の範囲を公にするために請求項を添付する。

ＩＭＰ：膜形成装置、Ｓ：基板、ＩＭ：硬化性組成物、Ｍ：型、ＡＳ：アライメントスコープ、１：情報処理装置

Claims (12)

1. 基板の上に配置された硬化性組成物の複数の液滴と型とを接触させ、前記基板の上に前記硬化性組成物の膜を形成する膜形成処理における前記硬化性組成物の挙動を予測するシミュレーション装置であって、
   第１計算方法と、該第１計算方法に比べて計算時間が短縮される第２計算方法とのうちから選択された計算方法により前記硬化性組成物の挙動計算を実行する処理部を有し、
   前記処理部は、
   前記膜形成処理の複数の仮パラメータセットのそれぞれを適用して前記第２計算方法により前記硬化性組成物の挙動計算を実行し、
   前記複数の仮パラメータセットのそれぞれのうち、前記挙動計算の結果が所定の評価基準を満たすパラメータセットを決定し、
   前記決定されたパラメータセットを適用して、前記第１計算方法により前記硬化性組成物の挙動計算を実行する、
   ことを特徴とするシミュレーション装置。
2. 前記第１計算方法による挙動計算は、前記硬化性組成物の液滴の挙動と、前記型の変形と、前記型の裏面の空間の圧力との関係性を求める連成計算を行うことを含み、
   前記第２計算方法による挙動計算は、前記連成計算に替えて、所定のモデル式に前記型のパラメータを適用することで前記型の変形を計算することを含む、
   ことを特徴とする請求項１に記載のシミュレーション装置。
3. 前記第１計算方法による挙動計算は、前記硬化性組成物の液滴の挙動と、前記型の変形と、前記型の裏面の空間の圧力との関係性を求める連成計算を行うことを含み、
   前記第２計算方法による挙動計算は、前記連成計算を行わずに、過去の前記型の変形の計算結果または前記型の変形の計測結果を用いて前記型の変形を予測することを含む、
   ことを特徴とする請求項１に記載のシミュレーション装置。
4. 前記第２計算方法による挙動計算の評価領域が、前記第１計算方法による挙動計算の評価領域の一部に限定される、ことを特徴とする請求項１に記載のシミュレーション装置。
5. 前記挙動計算の結果は、最大気泡欠陥サイズおよび気泡欠陥数の情報を含み、
   前記所定の評価基準は、最大気泡欠陥サイズが許容値以下かつ気泡欠陥数が許容数以下であること、
   を特徴とする請求項１に記載のシミュレーション装置。
6. 基板の上に配置された硬化性組成物の複数の液滴と型とを接触させ、前記基板の上に前記硬化性組成物の膜を形成する膜形成処理における前記硬化性組成物の挙動を予測するシミュレーション装置であって、
   第１計算方法と、該第１計算方法に比べて計算時間が短縮される第２計算方法とのうちから選択された計算方法により前記硬化性組成物の挙動計算を実行する処理部と、
   前記膜形成処理のパラメータセットおよび計算方法についてのユーザ指示を受け付けるための選択肢を提示するとともに、挙動計算の実行開始のユーザ指示を受け付けるユーザインタフェースと、を有し、
   前記処理部は、前記ユーザインタフェースを介して前記実行開始のユーザ指示が入力されたことに応答して、パラメータセットの選択肢から選択されたパラメータセットを適用して、前記第１計算方法および前記第２計算方法のうち計算方法の選択肢から選択された計算方法により、前記硬化性組成物の挙動計算を実行する、
   ことを特徴とするシミュレーション装置。
7. 前記ユーザインタフェースは、前記パラメータセットの選択肢からユーザが複数のパラメータセットを選択することが可能なように構成されており、
   前記パラメータセットの選択肢から複数のパラメータセットがユーザにより選択され、かつ、前記計算方法の選択肢から前記第２計算方法がユーザにより選択された場合、前記処理部は、前記選択された複数のパラメータセットのそれぞれを適用して前記第２計算方法により前記硬化性組成物の挙動計算を実行する、
   ことを特徴とする請求項６に記載のシミュレーション装置。
8. 前記ユーザインタフェースは、実行された挙動計算の結果を表示する表示ウィンドウを含み、
   前記選択された複数のパラメータセットのそれぞれを適用して前記第２計算方法により前記硬化性組成物の挙動計算が実行された後、前記選択肢から前記複数のパラメータセットのうちの１つのパラメータセットがユーザにより選択されたことに応答して、前記表示ウィンドウは、該選択されたパラメータセットを適用して実行された挙動計算の結果を表示する、
   ことを特徴とする請求項７に記載のシミュレーション装置。
9. 前記選択された複数のパラメータセットのそれぞれを適用して前記第２計算方法により前記硬化性組成物の挙動計算が実行された後、前記選択肢から前記複数のパラメータセットのうちの１つのパラメータセットがユーザにより選択され、かつ前記第１計算方法が選択された状態で、前記実行開始のユーザ指示が入力された場合、前記処理部は、前記選択されたパラメータセットを適用して前記第１計算方法により前記硬化性組成物の挙動計算を実行する、ことを特徴とする請求項８に記載のシミュレーション装置。
10. 基板の上に配置された硬化性組成物の複数の液滴と型とを接触させ、前記基板の上に前記硬化性組成物の膜を形成する膜形成処理における前記硬化性組成物の挙動を予測するシミュレーション装置であって、
    第１計算方法と、該第１計算方法に比べて計算時間が短縮される第２計算方法とのうちから選択された計算方法により前記硬化性組成物の挙動計算を実行する処理部を有し、
    前記処理部は、
    前記膜形成処理の仮パラメータセットを適用して前記第１計算方法により前記硬化性組成物の挙動計算を実行し、
    前記仮パラメータセットに対する前記挙動計算の結果に基づいて評価領域を決定し、
    前記決定された評価領域に対して、複数の仮パラメータセットのそれぞれを適用して前記第２計算方法により前記硬化性組成物の挙動計算を実行する、
    ことを特徴とするシミュレーション装置。
11. 基板の上に配置された硬化性組成物の複数の液滴と型とを接触させ、前記基板の上に前記硬化性組成物の膜を形成する膜形成処理における前記硬化性組成物の挙動を予測するシミュレーション装置であって、
    第１計算方法と、該第１計算方法に比べて計算時間が短縮される第２計算方法とのうちから選択された計算方法により前記硬化性組成物の挙動計算を実行する処理部を有する、
    ことを特徴とするシミュレーション装置。
12. コンピュータを、請求項１から１１のいずれか１項に記載のシミュレーション装置における処理部として機能させるプログラム。

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