JP7489483B2 - 蒸着制御装置およびそれを用いるディスプレイ製造方法 - Google Patents

蒸着制御装置およびそれを用いるディスプレイ製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP7489483B2
JP7489483B2 JP2022557992A JP2022557992A JP7489483B2 JP 7489483 B2 JP7489483 B2 JP 7489483B2 JP 2022557992 A JP2022557992 A JP 2022557992A JP 2022557992 A JP2022557992 A JP 2022557992A JP 7489483 B2 JP7489483 B2 JP 7489483B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
deposition
sensor
injection path
source
control device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2022557992A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2023519284A (ja
Inventor
クォン ムン イル
クァン ハン スン
チョル キム ヘ
チュン ファン ビュン
ヘ リー スン
ヨン チャ ス
Original Assignee
アルファ プラス カンパニー リミテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by アルファ プラス カンパニー リミテッド filed Critical アルファ プラス カンパニー リミテッド
Publication of JP2023519284A publication Critical patent/JP2023519284A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7489483B2 publication Critical patent/JP7489483B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/542—Controlling the film thickness or evaporation rate
    • C23C14/545—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on deposited material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B11/00—Automatic controllers
    • G05B11/01—Automatic controllers electric
    • G05B11/36—Automatic controllers electric with provision for obtaining particular characteristics, e.g. proportional, integral, differential
    • G05B11/42—Automatic controllers electric with provision for obtaining particular characteristics, e.g. proportional, integral, differential for obtaining a characteristic which is both proportional and time-dependent, e.g. P. I., P. I. D.
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Description

本発明は蒸着制御装置およびそれを用いるディスプレイ製造方法に関する。より詳しくは蒸着レートを測定するセンシング部の蒸着センサおよびセンサ駆動装置は動かず、蒸着測定位置制御機構のみを移動して、特定のノズルから噴射される蒸着物質に対するレートのみを測定する蒸着制御装置およびそれを用いるディスプレイ製造方法に関する。
最近、輝度特性および視野角特性に優れ、液晶表示装置とは異なり、別途の光源部を求めない有機発光表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ Ｄｉｓｐｌａｙ：ＯＬＥＤ）が次世代の平板表示装置として注目を浴びている。有機発光表示装置は別途の光源を必要としないので、軽量化および薄型に製作することができる。また、有機発光表示装置は低い消費電力、高い輝度および高い反応速度などの特性を有する。
有機発光表示装置はアノード、有機発光層およびカソードを含む有機発光素子を含む。有機発光素子はアノードとカソードからそれぞれ正孔および電子が注入されて励起子（ｅｘｃｉｔｏｎ）を形成し、励起子が基底状態に転移して発光される。
有機発光表示装置を製造するための蒸着装置は、基板上に蒸着物質を提供する蒸着源および基板に蒸着される蒸着物質の厚さを測定するためのセンシング部を含む。センシング部は蒸着センサを含み、蒸着センサは蒸着源から蒸発する蒸着物質の蒸発量および蒸着速度を測定する。蒸着センサで測定された蒸発量および蒸着速度（あるいはレート）に応じて基板に蒸着される蒸着物質の厚さが決定される。したがって、基板に形成される蒸着厚さを均一にするために、正確な蒸着レートの測定が必要である。この時、大面積基板で基板内の蒸着厚さの均一度を高めるために複数の蒸着源が蒸着に使用される場合、蒸着センサは測定対象蒸着源から噴射される蒸着物質の蒸発量および蒸着レートを独立的に測定する。
本発明が解決しようとする技術的課題は、測定センサでない、測定センサ外側の少なくとも一部を囲む蒸着測定位置制御機構の移動により、測定対象蒸着源から噴射された蒸着物質のみを選択して該当蒸着物質レートを効率的に測定して制御する蒸着制御装置を提供することにある。
本発明が解決しようとする他の技術的課題は、測定センサでない、測定センサ外側の少なくとも一部を囲む蒸着測定位置制御機構の移動により、測定対象蒸着源から噴射された蒸着物質のみを選択して該当蒸着物質レートを効率的に測定して制御する蒸着制御装置を用いたディスプレイ製造方法を提供することにある。
本発明の技術的課題は、以上で言及した技術的課題に制限されず、言及されていない他の技術的課題は以下の記載から当業者に明確に理解されることができる。
前記技術的課題を達成するための本発明のいくつかの実施形態による蒸着制御装置は、蒸着物質を第１噴射経路に沿って噴射する第１蒸着源、蒸着物質を第２噴射経路に沿って噴射する第２蒸着源と、蒸着物質の蒸着厚さを測定する蒸着センサ、および第１開口部と第２開口部を含む第１蒸着測定位置制御機構を含み、第１蒸着測定位置制御機構を移動して、第１噴射経路が第１開口部を通過して蒸着センサと出会う。
いくつかの実施形態による蒸着制御装置は、第１蒸着測定位置制御機構を移動して、第２噴射経路が第２開口部を通過して蒸着センサと出会う。
いくつかの実施形態による蒸着制御装置は、第１蒸着測定位置制御機構を移動させるモータ駆動軸、およびモータ駆動軸の位置を感知する駆動軸位置センサをさらに含む。
いくつかの実施形態による蒸着制御装置は、蒸着センサを駆動するセンサ駆動装置、センサ駆動装置と駆動軸位置センサを制御して、蒸着レートを計算するコントローラ、蒸着レートをＰＩＤ演算してＰＩＤ演算値を生成するＰＩＤ演算器、およびＰＩＤ演算値を用いて電源を生産する電源供給器をさらに含む。
いくつかの実施形態による蒸着制御装置は、電源供給器は第１電源供給器と第２電源供給器を含み、第１電源供給器は第１蒸着源に第１電源を供給し、第２電源供給器は第２蒸着源に第２電源を供給する。
いくつかの実施形態による蒸着制御装置は、第１蒸着源と第２蒸着源は蒸着物質を加熱するそれぞれの第１ヒータと第２ヒータを含む。
いくつかの実施形態による蒸着制御装置は、第１蒸着源は蒸着物質を加熱する第３ヒータをさらに含む。
いくつかの実施形態による蒸着制御装置は、第１蒸着源と連結され、蒸着物質を第１噴射経路に噴射する第１ノズル、および第２蒸着源と連結され、蒸着物質を第２噴射経路に噴射する第２ノズルをさらに含む。
いくつかの実施形態による蒸着制御装置は、第１蒸着源と連結され、蒸着物質を第３噴射経路に噴射する第３ノズルをさらに含む。
いくつかの実施形態による蒸着制御装置は、第３開口部と第４開口部を含む第２蒸着測定位置制御機構をさらに含み、第２蒸着測定位置制御機構が移動して、第１噴射経路が第１開口部と第３開口部をすべて通過して蒸着センサと出会うか、第２噴射経路が第２開口部と第４開口部をすべて通過して蒸着センサと出会う。
前記技術的課題を達成するための本発明のいくつかの実施形態による蒸着制御装置は、蒸着物質を第１噴射経路に沿って噴射する第１蒸着源、蒸着物質を第２噴射経路に沿って噴射する第２蒸着源、蒸着物質の蒸着厚さを測定する蒸着センサ、およびパイプと連結された蒸着測定位置制御機構を含み、蒸着測定位置制御機構を移動して、第１噴射経路がパイプを通過して蒸着センサと出会う。
いくつかの実施形態による蒸着制御装置は、蒸着測定位置制御機構を移動して、第２噴射経路がパイプを通過して蒸着センサと出会う。
いくつかの実施形態による蒸着制御装置は、蒸着測定位置制御機構を移動させるモータ駆動軸、およびモータ駆動軸の位置を感知する駆動軸位置センサをさらに含む。
いくつかの実施形態による蒸着制御装置は、蒸着センサを駆動するセンサ駆動装置、センサ駆動装置と駆動軸位置センサを制御して、蒸着レートを計算するコントローラ、蒸着レートをＰＩＤ演算してＰＩＤ演算値を生成するＰＩＤ演算器、およびＰＩＤ演算値を用いて電源を生産する電源供給器をさらに含む。
いくつかの実施形態による蒸着制御装置は、電源供給器は第１電源供給器と第２電源供給器を含み、第１電源供給器は第１蒸着源に第１電源を供給し、第２電源供給器は第２蒸着源に第２電源を供給する。
いくつかの実施形態による蒸着制御装置は、第１蒸着源と第２蒸着源は蒸着物質を加熱するそれぞれの第１ヒータと第２ヒータを含む。
いくつかの実施形態による蒸着制御装置は、第１蒸着源は蒸着物質を加熱する第３ヒータをさらに含む。
いくつかの実施形態による蒸着制御装置は、第１蒸着源と連結され、蒸着物質を第１噴射経路に噴射する第１ノズル、および第２蒸着源と連結され、蒸着物質を第２噴射経路に噴射する第２ノズルをさらに含む。
いくつかの実施形態による蒸着制御装置は、第１蒸着源と連結され、蒸着物質を第３噴射経路に噴射する第３ノズルをさらに含む。
前記技術的課題を達成するための本発明のいくつかの実施形態によるディスプレイ製造方法は、蒸着制御装置を用いて基板に蒸着物質を蒸着するディスプレイ製造方法において、基板を移送し、蒸着制御装置と基板が所定間隔離隔した状態で、蒸着制御装置によって蒸発した蒸着物質を基板上に蒸着し、蒸着物質が蒸着された基板を回送することを含み、蒸着物質を蒸着することは蒸着制御装置により蒸着物質の蒸着レートを周期的に測定することを含み、蒸着制御装置は、蒸着物質を第１噴射経路に沿って噴射する第１蒸着源、蒸着物質を第２噴射経路に沿って噴射する第２蒸着源、蒸着物質の蒸着厚さを測定する蒸着センサ、および第１開口部と第２開口部を含む蒸着測定位置制御機構を含み、蒸着測定位置制御機構を移動して、第１噴射経路が第１開口部を通過して蒸着センサと出会う。
前記技術的課題を達成するための本発明のいくつかの実施形態によるディスプレイ製造方法は、蒸着制御装置を用いて基板に蒸着物質を蒸着するディスプレイ製造方法において、基板を移送し、蒸着制御装置と基板が所定間隔離隔した状態で、蒸着制御装置によって蒸発した蒸着物質を基板上に蒸着し、蒸着物質が蒸着された基板を回送することを含み、蒸着物質を蒸着することは蒸着制御装置により蒸着物質の蒸着レートを周期的に測定することを含み、蒸着制御装置は、蒸着物質を第１噴射経路に沿って噴射する第１蒸着源、蒸着物質を第２噴射経路に沿って噴射する第２蒸着源、蒸着物質の蒸着厚さを測定する蒸着センサ、およびパイプと連結された蒸着測定位置制御機構を含み、蒸着測定位置制御機構を移動して、第１噴射経路がパイプを通過して蒸着センサと出会う。
その他実施形態の具体的な内容は詳細な説明および図面に含まれている。
本発明の蒸着制御装置および蒸着制御装置の動作方法は、センシング部の蒸着測定位置制御機構を効率的に移動し、複数の蒸着源から蒸発する蒸着物質の蒸着レートを位置が固定された１個の蒸着センサから独立的に測定して制御することができる。また、複数の蒸着源から蒸発する蒸着物質の蒸着レートを独立的に制御して大面積基板で基板内の蒸着厚さの均一度を向上させることができる。
いくつかの実施形態による蒸着制御装置を含むディスプレイ製造装置を示す例示的な図である。 いくつかの実施形態による蒸着制御装置を示す例示的な図である。 いくつかの実施形態によるセンシング部３００を示す例示的な図である。 いくつかの実施形態による他のセンシング部３００－２を示す他の例示的な図である。 いくつかの実施形態による図４の蒸着測定位置制御機構３１０－２の例示的な分解図である。 いくつかの実施形態による図２の蒸着制御装置により、蒸着レートが独立的に測定される原理を説明するための例示的な図である。 いくつかの実施形態による制御部２００が蒸着レートを測定する例示的なグラフである。 いくつかの実施形態による他の蒸着制御装置を示す例示的な図である。 いくつかの実施形態による図８の蒸着制御装置により、蒸着レートを測定する原理を説明するための例示的な図である。 いくつかの実施形態による蒸着制御装置の動作方法を説明するための例示的な流れ図である。 いくつかの実施形態による蒸着制御装置を示す例示的な図である。 いくつかの実施形態による他の蒸着制御装置のセンシング部３００－３を示す例示的な図である。 いくつかの実施形態による図１２のセンシング部３００－３の例示的な分解図である。 いくつかの実施形態による他の蒸着制御装置を示す例示的な図である。 いくつかの実施形態による他の蒸着制御装置の動作方法を説明するための例示的な流れ図である。 いくつかの実施形態による蒸着制御装置によって、基板に蒸着された蒸着物質の厚さを測定した例示的なグラフである。 従来の蒸着制御装置によって、基板に蒸着された蒸着物質の厚さを測定した他の例示的なグラフである。
本発明の利点および特徴、並びにこれらを達成する方法は添付する図面と共に詳細に後述している実施形態を参照すると明確になる。しかし、本発明は、以下で開示する実施形態に限定されるものではなく互いに異なる多様な形態で実現されることができ、本実施形態は、単に本発明の開示を完全にし、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供するものであり、本発明は請求項の範疇によってのみ定義される。図面で層および領域の相対的な大きさは説明の明瞭性のために誇張されたものであり得る。明細書全体にわたって同一参照符号は同一構成要素を指すものとする。
一つの素子（ｅｌｅｍｅｎｔｓ）が他の素子と「接続された（ｃｏｎｎｅｃｔｅｄ ｔｏ）」または「カップリングされた（ｃｏｕｐｌｅｄ ｔｏ）」と称される場合は、他の素子と直接連結またはカップリングされた場合または中間に他の素子が介在する場合をすべて含む。反面、一つの素子が他の素子と「直接接続された（ｄｉｒｅｃｔｌｙ ｃｏｎｎｅｃｔｅｄ ｔｏ）」または「直接カップリングされた（ｄｉｒｅｃｔｌｙ ｃｏｕｐｌｅｄ ｔｏ）」と称される場合は中間に他の素子を介在しない場合を示す。
明細書全体にわたって同一参照符号は同一構成要素を指すものとする。「および／または」は言及されたアイテムのそれぞれおよび一つ以上のすべての組み合わせを含む。
素子（ｅｌｅｍｅｎｔｓ）または層が他の素子または層「上（ｏｎ）」「の上（ｏｎ）」と称される場合は他の素子または層の真上だけでなく中間に他の層または他の素子が介在する場合をすべて含む。反面、素子が「直接上（ｄｉｒｅｃｔｌｙ ｏｎ）」または「真上」と称される場合は中間に他の素子または層を介在しない場合を示す。
第１、第２などが多様な素子、構成要素および／またはセクションを叙述するために使われるが、これらの素子、構成要素および／またはセクションはこれらの用語によって制限されないのはもちろんである。これらの用語は単に一つの素子、構成要素またはセクションを他の素子、構成要素またはセクションと区別するために使用する。したがって、以下で言及される第１素子、第１構成要素または第１セクションは本発明の技術的思想内で第２素子、第２構成要素または第２セクションであり得るのはもちろんである。
本明細書で使用された用語は実施形態を説明するためのものであり、本発明を制限しようとするものではない。本明細書で、単数形は文面で特記しない限り、複数形も含む。明細書で使用される「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅｓ）」および／または「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」は言及された構成要素、段階、動作および／または素子は一つ以上の他の構成要素、段階、動作および／または素子の存在または追加を排除しない。
他に定義のない限り、本明細書で使用されるすべての用語（技術的および科学的用語を含む）は、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に共通して理解される意味で使用される。また、一般的に使用される辞典に定義されている用語は明白に特に定義されていない限り理想的にまたは過度に解釈されない。
図１はいくつかの実施形態による蒸着制御装置を含むディスプレイ製造装置を示す例示的な図である。
図１を参照すると、いくつかの実施形態による蒸着制御装置を含むディスプレイ製造装置は真空チャンバ３０内に配置された基板Ｓ、蒸着部１００、およびセンシング部３００と制御部２００を含む。
真空チャンバ３０は外部から異物が流入することを防ぐ。また、真空チャンバ３０は基板Ｓ上に形成される蒸着物質が蒸着部１００から噴射される時、噴射経路（例えば、Ｒ１～Ｒ３）の直進性を確保させるために真空チャンバ３０の内部を高真空状態に維持させる。参考までに、噴射経路は本図面に制限されず、より多くの噴射経路を有することができる。
蒸着部１００はディスプレイを製造するために蒸着物質を加熱して薄膜製造対象物質を気化させる。この時、蒸着部１００は各開始点がｘ軸方向に基板Ｓと平行するように一列に配置される第１噴射経路Ｒ１、第２噴射経路Ｒ２、または第３噴射経路Ｒ３を介して基板Ｓに噴射する。基板Ｓは図面に示していないが、支持手段によって固定され得る。また、基板Ｓは図面に示していないが、移送手段によってｙ軸方向に移送されることもできる。
蒸着領域（２０，ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ａｒｅａ）は蒸着物質がそれぞれの第１噴射経路Ｒ１、第２噴射経路Ｒ２、または第３噴射経路Ｒ３を介して噴射されて基板Ｓ上に生成される領域であり得る。
第１ないし第３噴射経路Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３に対応する蒸着領域２０は互いに離隔していることが図示されているが、説明の便宜性のためのものであり、これに制限されるものではない。例えば、第１噴射経路Ｒ１および第２噴射経路Ｒ２の少なくとも一部は重なり得る。これにより、基板Ｓ上の蒸着領域２０の少なくとも一部は第１噴射経路Ｒ１および第２噴射経路Ｒ２を介して移動した蒸着物質を含むことができる。
ディスプレイ製造装置の動作信頼性を向上させるためには、蒸着領域２０を形成する蒸着物質の厚さの均一度が向上しなければならない。蒸着領域２０を形成する蒸着物質の厚さの均一度を向上させるために、センシング部３００は蒸着部１００から噴射される蒸着物質のレート（あるいは速度）を各噴射経路別に独立的に測定して制御する必要がある。
センシング部３００は蒸着部１００から噴射される蒸着物質のレートを測定するために、第１噴射経路Ｒ１ないし第３噴射経路Ｒ３を介して噴射されるそれぞれの蒸着物質に対して独立的にレートを測定する。
例えば、センシング部３００は第１噴射経路Ｒ１を介して噴射される蒸着物質のレート測定の正確度を高めるために、第２噴射経路Ｒ２および第３噴射経路Ｒ３を介して噴射される蒸着物質の流入を防がなければならない。または、センシング部３００は第２噴射経路Ｒ２を介して噴射される蒸着物質のレート測定の正確度を高めるために、第１噴射経路Ｒ１および第３噴射経路Ｒ３を介して噴射される蒸着物質の流入を防がなければならない。または、センシング部３００は第３噴射経路Ｒ３を介して噴射される蒸着物質のレート測定の正確度を高めるために、第１噴射経路Ｒ１および第２噴射経路Ｒ２を介して噴射される蒸着物質の流入を防がなければならない。
この時、センシング部３００内の測定センサおよびセンサ駆動装置を移動して該当噴射経路の蒸着物質レートを測定する場合に、重い測定センサおよびセンサ駆動装置の重量の移動により、ディスプレイ製造装置に加重される負荷が高くなる。
したがって、いくつかの実施形態による蒸着制御装置を含むディスプレイ製造装置で、センシング部３００内の測定センサおよびセンサ駆動装置は固定される。そして、測定センサの少なくとも一部を囲む蒸着測定位置制御機構の移動により、ディスプレイ製造装置のセンシング部３００は測定対象蒸着物質の噴射経路のみを選別して測定することができる。これにより、ディスプレイ製造装置の動作周期が迅速になり、制御部２００によるセンシング部３００の制御がより一層精密になる。また、大きな重量の蒸着センサ３４０およびセンサ駆動装置３５０が移動しないので、ディスプレイ製造装置に加重される負荷が減少する。
以下では、いくつかの実施形態による蒸着制御装置の構成および動作について詳しく調べる。以下では説明の便宜上、基板Ｓ、蒸着領域２０、および真空チャンバ３０は図面から省略して説明する。
図２はいくつかの実施形態による蒸着制御装置を示す例示的な図である。参考までに、図２は２個の蒸着源１１２，１２２のみを示した。
図１および図２を参照すると、いくつかの実施形態による蒸着制御装置１は蒸着部１００、制御部２００、およびセンシング部３００を含む。
いくつかの実施形態による蒸着部１００は第１蒸着源１１２と第２蒸着源１２２を含む。第１蒸着源１１２と第２蒸着源１２２は有機物質または無機物質を含むことができる。
第１蒸着源１１２と第２蒸着源１２２は基板Ｓに蒸着される蒸着用薄膜の特性によってセラミックなど非金属性材質または金属性材質からなる。また、第１蒸着源１１２と第２蒸着源１２２は所定の直径を有する円筒形状の筒形状であるか、所定の断面積を有する多角形形状を有することもできる。これに加えて、第１蒸着源１１２と第２蒸着源１２２はエッジ部分で発生する応力を最小化するためにエッジ部分が丸い形状を有することができる。
第１蒸着源１１２と第２蒸着源１２２はそれぞれ第１ヒータ１１４と第２ヒータ１２４を含む。第１ヒータ１１４と第２ヒータ１２４それぞれは、第１蒸着源１１２と第２蒸着源１２２それぞれに含まれた蒸着物質を加熱させることができる。第１ヒータ１１４と第２ヒータ１２４は制御部２００から受信した信号により第１蒸着源１１２と第２蒸着源１２２それぞれに含まれた蒸発物質を一定温度に加熱することができる。
また、第１蒸着源１１２と第２蒸着源１２２それぞれは蒸着物質を第１噴射経路Ｒ１に噴射する第１ノズル１１６と蒸着物質を第２噴射経路Ｒ２に噴射する第２ノズル１２６と連結される。第１ノズル１１６と第２ノズル１２６はそれぞれ第１蒸着源１１２および第２蒸着源１２２と単一構成で形成されることができ、別の構成で脱着可能なように結合されることもできる。
第１蒸着源１１２および第２蒸着源１２２が蒸着物質を収容した収容空間と連動するように、第１ノズル１１６と第２ノズル１２６は噴射口が形成される。鉛直方向への噴射口の断面形状は本図面に制限されず、噴射口は蒸着される蒸着用薄膜の特性によって多様な形状を有することができる。いくつかの実施形態によれば、第１ノズル１１６と第２ノズル１２６は高さ方向に出口に行くほど直径が小さくなるベンチュリ（ｖｅｎｔｕｒｉ）ノズルであり得る。他のいくつかの実施形態によれば、第１ノズル１１６と第２ノズル１２６の管路中間が管路端部の断面積より小さい直径であるオリフィス（ｏｒｉｆｉｃｅ）ノズルであり得る。それぞれの噴射経路Ｒ１，Ｒ２はそれぞれのノズル１１６，１２６に対応する。
蒸着物質は第１噴射経路Ｒ１あるいは第２噴射経路Ｒ２のいずれか一つの経路を介してセンシング部３００内の蒸着センサ３４０に伝達される。例えば、第１ノズル１１６から噴射された蒸着物質が第１噴射経路Ｒ１に沿って蒸着センサ３４０に伝達されると、第２ノズル１２６から噴射された蒸着物質は蒸着センサ３４０に伝達されない。逆に、第２ノズル１２６から噴射された蒸着物質が第２噴射経路Ｒ２に沿って蒸着センサ３４０に伝達されると、第１ノズル１１６から噴射された蒸着物質は蒸着センサ３４０に伝達されない。
すなわち、測定しようとする蒸着物質のレートを正確に測定するために、いくつかの実施形態による蒸着制御装置１は、測定対象であるノズルから噴射された測定対象蒸着物質に対してのみセンシング部３００を介して伝達されることができる。しかし、いくつかの実施形態による蒸着制御装置１は、測定対象でないノズルから噴射された蒸着物質はセンシング部３００に伝達されないように制御することができる。この時、蒸着制御装置１でセンシング部３００の蒸着センサ３４０およびセンサ駆動装置３５０が測定対象蒸着物質の経路に沿って移動せず、蒸着測定位置制御機構３１０が移動することによって、蒸着制御装置１の作動周期がはやくなる。また、相対的に重い重量を有する蒸着センサ３４０およびセンサ駆動装置３５０が移動しないので、蒸着制御装置１に負荷が少なく形成されて蒸着制御装置１の耐久性が増大する。蒸着測定位置制御機構３１０の移動は後のセンシング部３００に係る説明により詳しく記述する。
本図面の蒸着部１００は例示的に示すものであり、蒸着部１００内の蒸着源の形状と個数などは本図面に制限されない。
いくつかの実施形態によるセンシング部３００は、蒸着物質のレートあるいは厚さを測定する蒸着センサ３４０、蒸着センサ３４０を駆動するセンサ駆動装置３５０を含む。また、いくつかの実施形態によるセンシング部３００は蒸着センサ３４０に噴射される蒸着物質を選別して通過させる蒸着測定位置制御機構３１０を含む。また、いくつかの実施形態によるセンシング部３００は蒸着測定位置制御機構３１０を移動させるモータ駆動軸３７０、モータ駆動軸３７０の位置変化を感知する駆動軸位置センサ３３０を含む。
蒸着センサ３４０は例えば、ＱＣＭ（Ｑｕａｒｔｚ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｍｉｃｒｏｂａｌａｎｃｅ）センサであり得るが、これに制限されるものではない。ＱＣＭセンサの場合、ＱＣＭセンサ内の水晶振動子（図示せず）が圧電効果によって一定周波数で振動することができる。この時、蒸着物質が水晶振動子に蒸着されることにより、水晶振動子の周波数に変化が生じ得る。このような周波数変化により蒸着物質のレート（あるいは速度）、および／または蒸着物質が蒸着領域に蒸着される蒸着厚さを測定することができる。
センサ駆動装置３５０は蒸着センサ３４０を含むか、蒸着センサ３４０と連結されて蒸着センサ３４０を交換することができる。
蒸着測定位置制御機構３１０は蒸着センサ３４０の測定対象蒸着物質のみを蒸着センサ３４０に伝達させるために、複数の開口部を含むことができる。これについて、図３により詳しく調べる。
図３はいくつかの実施形態によるセンシング部３００を示す例示的な図である。
図２および図３を参照すると、蒸着測定位置制御機構３１０は第１開口部３２２と第２開口部３２４を含むことができる。開口部の個数および形状は本図面によって制限されるものではなく、蒸着測定位置制御機構３１０は多様な形状および個数を含むことができる。
蒸着測定位置制御機構３１０はモータ駆動軸３７０と連結され、モータ駆動軸３７０と共に回転する。この時、蒸着測定位置制御機構３１０は蒸着センサ３４０が測定しようとする対象蒸着物質のみが蒸着センサ３４０に到達するように、開口部と蒸着センサ３４０を一定方向に羅列することができる。
例えば、蒸着センサ３４０が第１蒸着源１１２から噴射された蒸着物質のレートあるいは蒸着厚さを測定する場合を仮定する。この時、蒸着測定位置制御機構３１０をモータ駆動軸３７０により回転させて、第１開口部３２２と蒸着センサ３４０は並んで整列する。第１開口部３２２と蒸着センサ３４０が整列すると、第１蒸着源１１２から噴射された蒸着物質が第１噴射経路Ｒ１を介して移動して、第１開口部３２２を通過して蒸着センサ３４０と出会う。この時、第２蒸着源１２２から噴射された蒸着物質が噴射される第２噴射経路Ｒ２は第１開口部３２２を通過できず、蒸着センサ３４０と出会えない。
すなわち、第２蒸着源１２２から噴射された蒸着物質が噴射される第２噴射経路Ｒ２は蒸着測定位置制御機構３１０の第１開口部３２２を除いた残りの領域と出会うことができる。
他の例としては、蒸着センサ３４０が第２蒸着源１２２から噴射された蒸着物質のレートあるいは蒸着厚さを測定する場合を仮定する。この時、蒸着測定位置制御機構３１０をモータ駆動軸３７０により回転させて、第２開口部３２４と蒸着センサ３４０は並んで整列する。第２開口部３２４と蒸着センサ３４０が整列すると、第２蒸着源１２２から噴射された蒸着物質が第２噴射経路Ｒ２を介して移動して、第２開口部３２４を通過して蒸着センサ３４０と出会う。この時、第１蒸着源１１２から噴射された蒸着物質が噴射される第１噴射経路Ｒ１は第２開口部３２４を通過できず、蒸着センサ３４０と出会えない。
すなわち、第１蒸着源１１２から噴射された蒸着物質が噴射される第１噴射経路Ｒ１は蒸着測定位置制御機構３１０の第２開口部３２４を除いた残りの領域と出会うことができる。
いくつかの実施形態による蒸着制御装置１で、蒸着センサ３４０が測定しようとする対象蒸着物質のみが蒸着センサ３４０に到達する正確性を高めるために、センシング部３００は複数の蒸着測定位置制御機構を用いることができる。複数の蒸着測定位置制御機構を用いた例を図４により説明する。
図４はいくつかの実施形態による他のセンシング部３００－２を示す他の例示的な図である。
図４を参照すると、蒸着測定位置制御機構３１０－２は第１蒸着測定位置制御機構３１２と第２蒸着測定位置制御機構３１４を含む。蒸着測定位置制御機構３１０－２に含まれたサブ蒸着測定位置制御機構の個数はこれに制限されない。
第１蒸着測定位置制御機構３１２は図３のように第１開口部３２２と第２開口部３２４を含むことができる。また、第２蒸着測定位置制御機構３１４は第３開口部３２６と第４開口部３２８を含むことができる。開口部の個数および形状は本図面によって制限されるものではなく、第１蒸着測定位置制御機構３１２および第２蒸着測定位置制御機構３１４は多様な形状および個数の開口部を含むことができる。
第１蒸着測定位置制御機構３１２はモータ駆動軸３７０と連結され、モータ駆動軸３７０と共に回転することができる。この時、第１蒸着測定位置制御機構３１２と第２蒸着測定位置制御機構３１４は第１距離Ｄ１だけ離隔し、モータ駆動軸３７０と連結されることができる。したがって、モータ駆動軸３７０の回転により、第１蒸着測定位置制御機構３１２と第２蒸着測定位置制御機構３１４が共に回転することができる。いくつかの実施形態による、第１蒸着測定位置制御機構３１２と第２蒸着測定位置制御機構３１４は第１開口部３２２と第３開口部３２６が平行するように連結されることができる。また、第１蒸着測定位置制御機構３１２と第２蒸着測定位置制御機構３１４は第２開口部３２４と第４開口部３２８が平行するように連結されることができる。
この時、蒸着センサ３４０が測定しようとする対象蒸着物質のみが蒸着センサ３４０に到達するように、第１蒸着測定位置制御機構３１２および第２蒸着測定位置制御機構３１４の開口部と蒸着センサ３４０は一定方向に羅列されることができる。
例えば、蒸着センサ３４０が第１蒸着源１１２から噴射された蒸着物質のレートあるいは蒸着厚さを測定する場合を仮定する。この時、第１蒸着測定位置制御機構３１２と第２蒸着測定位置制御機構３１４はモータ駆動軸３７０により回転し、第１開口部３２２および第３開口部３２６は蒸着センサ３４０と並んで整列する。第１開口部３２２および第３開口部３２６が蒸着センサ３４０と整列すると、第１蒸着源１１２から噴射された蒸着物質が第１噴射経路Ｒ１を介して噴射され、第１開口部３２２および第３開口部３２６を通過して蒸着センサ３４０と出会う。この時、第２蒸着源１２２から噴射された蒸着物質が噴射される第２噴射経路Ｒ２は第１開口部３２２および／または第３開口部３２６を通過できず、蒸着センサ３４０と出会えない。
すなわち、第２蒸着源１２２から噴射された蒸着物質が噴射される第２噴射経路Ｒ２は第１蒸着測定位置制御機構３１２の第１開口部３２２を除いた残りの領域および／または第２蒸着測定位置制御機構３１４の第３開口部３２６を除いた残りの領域と出会うことができる。
他の例としては、蒸着センサ３４０は第２蒸着源１２２から噴射された蒸着物質のレートあるいは蒸着厚さを測定する場合を仮定する。この時、第１蒸着測定位置制御機構３１２と第２蒸着測定位置制御機構３１４はモータ駆動軸３７０により回転し、第２開口部３２４および第４開口部３２８は蒸着センサ３４０と並んで整列する。第２開口部３２４および第４開口部３２８が蒸着センサ３４０と整列すると、第２蒸着源１２２から噴射された蒸着物質が第２噴射経路Ｒ２を介して噴射され、第２開口部３２４および第４開口部３２８を通過して蒸着センサ３４０と出会う。この時、第１蒸着源１１２から噴射された蒸着物質が噴射される第１噴射経路Ｒ１は第２開口部３２４および／または第４開口部３２８を通過できず、蒸着センサ３４０と出会えない。
すなわち、第１蒸着源１１２から噴射された蒸着物質が噴射される第１噴射経路Ｒ１は第１蒸着測定位置制御機構３１２の第２開口部３２４を除いた残りの領域および／または第２蒸着測定位置制御機構３１４の第４開口部３２８を除いた残りの領域と出会うことができる。
図５はいくつかの実施形態による図４の蒸着測定位置制御機構３１０－２の例示的な分解図である。
図５を参照すると、第１蒸着測定位置制御機構３１２と第２蒸着測定位置制御機構３１４は第１距離Ｄ１で互いに離隔して連結され、第１距離Ｄ１は任意に設定することができる。また、いくつかの実施形態による蒸着測定位置制御機構は上述した二つの蒸着測定位置制御機構に制限されず、三個、四個、それ以上であり得る。
再び図２を参照すると、センシング部３００が蒸着センサ３４０により測定しようとする噴射経路を介して噴射された測定物質を、蒸着測定位置制御機構３１０を移動させて調節して正確に選択することができる。この時、蒸着測定位置制御機構３１０は駆動軸位置センサ３３０により、現在のモータ駆動軸３７０の位置を把握することができる。駆動軸位置センサ３３０が把握した現在のモータ駆動軸３７０の位置に基づいて、現在の測定対象蒸着物質がどの噴射経路を介して入ってくるのかを確認することができる。また、測定対象蒸着物質を変更する必要が生じると、駆動軸位置センサ３３０によりモータ駆動軸３７０が移動し、蒸着測定位置制御機構３１０を移動させることができる。
センシング部３００の動作は制御部２００により制御される。より詳しくは、センシング部３００のコントローラ２０２が駆動軸位置センサ３３０から測定対象蒸着物質を判断して、モータ駆動軸３７０の位置を制御することができる。また、センシング部３００のコントローラ２０２が測定対象蒸着物質を判断して、測定対象蒸着物質を測定するための測定時間を設定することができる。
コントローラ２０２は蒸着センサ３４０を交換するかどうかを判断して、センサ駆動装置３５０に蒸着センサ３４０の交換命令を伝達する。コントローラ２０２はまた、蒸着センサ３４０を介して受信された蒸着物質の情報を用いて、蒸着レートを算出する。図６により、コントローラ２０２が蒸着レートを独立的に測定する原理について具体的に調べる。
図６はいくつかの実施形態による図２の蒸着制御装置により、蒸着レートが独立的に測定される原理を説明するための例示的な図である。
図６を参照して、蒸着センサ３４０が第１噴射経路Ｒ１を介して噴射された蒸着物質のレートを測定する原理と第２噴射経路Ｒ２を介して噴射された蒸着物質のレートを測定する原理について説明する。
説明の便宜上、蒸着測定位置制御機構は図面では省略し、それぞれの噴射経路を介して噴射された蒸着物質は蒸着測定位置制御機構の移動により蒸着センサ３４０に到達した蒸着物質であることを仮定して説明する。
ここで、第１仮想線Ｌ１は第１蒸着源１１２および第１ノズル１１６が基板に向かって立てられた方向と並んだ仮想線である。第２仮想線Ｌ２は第２蒸着源１２２および第２ノズル１２６が基板に向かって立てられた方向と並んだ仮想線である。第３仮想線Ｌ３は蒸着物質が蒸着センサ３４０と出会う面と垂直な仮想線である。
先に、蒸着センサ３４０が第１蒸着源１１２から噴射された蒸着物質のレートを測定する原理について説明する。
第１噴射経路Ｒ１を介して噴射される蒸着物質は第１仮想線Ｌ１と第１噴射角θ１を形成して蒸着センサ３４０に噴射される。この時、第１噴射経路Ｒ１を介して噴射された蒸着物質は第３仮想線Ｌ３と第１受信角φ１を形成して蒸着センサ３４０と出会う。これにより、第１蒸着源１１２から噴射された蒸着物質のレートＧ１は下記の［数１］のように表現することができる。
［数１］において、Ｋ１は比例係数であり、第１ノズル１１６の中心から第１仮想線Ｌ１方向に１メートル離れた基板上地点（ｒ１＝１ｍ）での第１ノズル１１６による蒸着レートに該当し、第１ヒータ１１４の温度が高くなるほど大きな値を有するようになる。ｎ１は第１ノズル１１６から噴射される蒸着物質の蒸発分布指数である。
次に、蒸着センサ３４０が第２蒸着源１２２から噴射された蒸着物質のレートを測定する原理について説明する。
第２噴射経路Ｒ２を介して噴射される蒸着物質は第２仮想線Ｌ２と第２噴射角θ２を形成して蒸着センサ３４０に噴射される。この時、第２噴射経路Ｒ２を介して噴射された蒸着物質は第３仮想線Ｌ３と第２受信角φ２を形成して蒸着センサ３４０と出会う。これにより、第２蒸着源１２２から噴射された蒸着物質のレートＧ２は下記の［数２］のように表現することができる。
［数２］において、Ｋ２は比例係数であり、第２ノズル１２６の中心から第２仮想線Ｌ２方向に１メートル離れた基板上地点（ｒ２＝１ｍ）での第２ノズル１２６による蒸着レートに該当し、第２ヒータ１２４の温度が高くなるほど大きな値を有するようになる。ｎ２は第２ノズル１２６から噴射される蒸着物質の蒸発分布指数である。
図７はいくつかの実施形態による制御部２００が蒸着レートを測定する例示的なグラフである。
図２および図７を参照すると、第１区間Ｐ１の間、蒸着センサ３４０が第１蒸着源１１２から噴射された蒸着物質のレート（例えば、［数１］のＧ１）を求めて、第２区間Ｐ２の間、蒸着センサ３４０が第２蒸着源１２２から噴射された蒸着物質のレート（例えば、［数２］のＧ２）を求めることができる。
第１区間Ｐ１および第２区間Ｐ２はコントローラ２０２が設定する測定時間に応じて変わる。
コントローラ２０２は第１区間Ｐ１および第２区間Ｐ２それぞれでの蒸着レート平均を求める。
参考までに、図２のコントローラ２０２はこれに制限されず、第１区間Ｐ１で蒸着レート平均を求めるコントローラと、第２区間Ｐ２で蒸着レート平均を求めるコントローラに区分して構成することができる。
蒸着センサ３４０でそれぞれ測定される蒸着物質のレート（例えば、［数１］のＧ１，［数２］のＧ２）と別の測定により得られる第１噴射角θ１、第１受信角φ１、第１ノズル１１６の蒸発分布指数ｎ１、第２噴射角θ２、第２受信角φ２、第２ノズル１３６の蒸発分布指数ｎ２などの定数値を上述した［数１］と［数２］に代入すると、比例係数Ｋ１とＫ２が算出される。
図１および図６を参照すると、通常のディスプレイ製造装置における基板は、第１仮想線Ｌ１と第２仮想線Ｌ２に垂直に配置されるので、基板上に蒸着される蒸着物質の厚さ均一度は比例係数Ｋ１とＫ２が決定する。したがって、基板上の厚さ均一度を最小化するＫ１，Ｋ２値になるように、蒸着センサ３４０によりそれぞれ測定される蒸着物質のレート（例えば、数式１のＧ１，数式２のＧ２）値を制御すると、基板Ｓ上に蒸着される蒸着物質の厚さ均一度を向上させることができる。
再び図２を参照すると、コントローラ２０２により計算された蒸着レートをそれぞれの第１ＰＩＤ演算器２１２と第２ＰＩＤ演算器２２２に伝送することができる。
第１ＰＩＤ演算器２１２はコントローラ２０２から受信した第１噴射経路Ｒ１を介して噴射された蒸着物質のレートを用いて、ＰＩＤ演算を行って第１ＰＩＤ演算値を生成する。その後、第１ＰＩＤ演算器２１２は第１ＰＩＤ演算値を第１電源供給器２１４に伝達して第１蒸着源１１２に伝達される電力を調節することができる。
同様に、第２ＰＩＤ演算器２２２はコントローラ２０２から受信した第２噴射経路Ｒ２を介して噴射された蒸着物質のレートを用いて、ＰＩＤ演算を行って第２ＰＩＤ演算値を生成する。その後、第２ＰＩＤ演算器２２２は第２ＰＩＤ演算値を第２電源供給器２２４に伝達して第２蒸着源１２２に伝達される電力を調節することができる。
その後、それぞれの第１ＰＩＤ演算器２１２および第２ＰＩＤ演算器２２２から第１ＰＩＤ演算値および第２ＰＩＤ演算値の受信を受けた第１電源供給器２１４と第２電源供給器２２４はそれぞれ第１蒸着源１１２と第２蒸着源１２２に供給される電源を伝達することができる。
参考までに、図２の第１ＰＩＤ演算器２１２と第２ＰＩＤ演算器２２２はこれに制限されず、第１ＰＩＤ演算器２１２と第２ＰＩＤ演算器２２２を一つのＰＩＤ演算器にマージ（ｍｅｒｇｅ）することができる。すなわち、一つのＰＩＤ演算器内でそれぞれの噴射経路を介して噴射された蒸着物質のレートを用いてそれぞれのＰＩＤ演算が行われることができる。
第１電源供給器２１４と第２電源供給器２２４それぞれから電源の供給を受けた第１蒸着源１１２と第２蒸着源１２２はそれぞれ第１ヒータ１１４と第２ヒータ１２４により蒸着物質を加熱し、再び蒸着物質を第１ノズル１１６および第２ノズル１２６を介して噴射する。
参考までに、図２の第１電源供給器２１４と第２電源供給器２２４はこれに制限されず、一つの電源供給器にマージ（ｍｅｒｇｅ）することができる。すなわち、一つの電源供給器を介してそれぞれ第１蒸着源１１２と第２蒸着源１２２に供給される電源を伝達することができる。
以下の図８ではいくつかの実施形態による図１の蒸着制御装置と他のいくつかの実施形態による蒸着制御装置について説明する。蒸着物質のレート測定方法は上述した内容と同様であるので、以下では上述した説明と重複する説明は省略して差異点を中心に説明する。
図８はいくつかの実施形態による他の蒸着制御装置を示す例示的な図である。
図８を参照すると、いくつかの実施形態による蒸着制御装置２の蒸着部１００－２が図２の蒸着部１００と異なる。すなわち、いくつかの実施形態による蒸着制御装置２は第１噴射経路Ｒ１を介して噴射される蒸着物質と第２噴射経路Ｒ２を介して噴射される蒸着物質が一つの蒸着源１１２から噴射されることができる。
いくつかの実施形態による蒸着源１１２内には複数のヒータを含む。例えば、蒸着源１１２は第１ヒータ１１４と第２ヒータ１２４を含み、第１噴射経路Ｒ１を介して噴射される蒸着物質と第２噴射経路Ｒ２を介して噴射される蒸着物質それぞれを加熱させる。
いくつかの実施形態による蒸着源１１２は第１ノズル１１６および第２ノズル１２６と連結され、それぞれの第１ノズル１１６および第２ノズル１２６は第１噴射経路Ｒ１を介して噴射される蒸着物質と第２噴射経路Ｒ２を介して噴射される蒸着物質を蒸着センサ３４０に噴射することができる。
図９はいくつかの実施形態による図８の蒸着制御装置により、蒸着レートを測定する原理を説明するための例示的な図である。
図９を参照すると、一つの蒸着源１１２を介して複数の噴射経路に蒸着物質を噴射する場合の蒸着レート測定原理について説明する。図６では複数の蒸着源から噴射される蒸着物質の蒸着レート測定原理について説明したが、蒸着源の形態が異なるだけであり、図９の蒸着レートの測定原理は図６と同一であるので説明を省略する。
図１０はいくつかの実施形態による蒸着制御装置の動作方法を説明するための例示的な流れ図である。
参考までに、いくつかの実施形態によるディスプレイ製造方法には図１０で説明した蒸着制御装置の動作前に基板を移送し、蒸着制御装置の動作後に基板を回送する動作が含まれることができる。
図２および図１０を参照すると、先に、駆動軸位置センサ３３０により、モータ駆動軸３７０の位置を把握して（Ｓ１００）測定対象蒸着物質の蒸着レートを周期的に測定する。
その後、モータ駆動軸３７０の位置に基づいて、蒸着測定位置制御機構３１０を通過して蒸着センサ３４０に伝達される測定対象蒸着物質を噴射する測定対象ノズルが決定され、測定対象蒸着物質を測定するための測定時間が設定される（Ｓ１１０）。
先立って設定された測定時間の間の測定対象ノズルから噴射される蒸着物質の蒸着レートをコントローラ２０２により計算する（Ｓ１２０）。
コントローラ２０２により、設定された測定時間の間の計算された蒸着物質の蒸着レートに基づいて、ＰＩＤ演算器（２１２および／または２２２）がＰＩＤ演算値を生成する（Ｓ１３０）。
電源供給器（２１４および／または２２４）はＰＩＤ演算値を受信して、電源を生成する（Ｓ１４０）。
電源供給器（２１４および／または２２４）により生成された電源は蒸発源（１１２および／または１２２）またはヒータ（１１４および／または１２４）に伝達されてそれぞれに電源を供給する。
図１１はいくつかの実施形態による蒸着制御装置を示す例示的な図である。
図１１を参照すると、図２のセンシング部３００とは異なり、センシング部３００－３の蒸着測定位置制御機構３１０－３にパイプ３６０が連結される。また、蒸着測定位置制御機構３１０－３内に蒸着センサ３４０およびセンサ駆動装置３５０が配置される。
いくつかの実施形態による図２、図８の蒸着制御装置は蒸着測定位置制御機構内の開口部を介して、測定対象蒸着物質を選別的に蒸着センサ３４０に通過させたが、いくつかの実施形態による図１１の蒸着制御装置６は蒸着測定位置制御機構３１０－３に連結されたパイプ３６０を介して、測定対象蒸着物質を選別的に蒸着センサ３４０に通過させることができる。
いくつかの実施形態による蒸着制御装置６がパイプ３６０を介して測定対象蒸着物質を選別的に蒸着センサ３４０に通過させる動作を図１２により詳しく調べる。
図１２はいくつかの実施形態による他の蒸着制御装置のセンシング部３００－３を示す例示的な図である。
図１１および図１２を参照すると、蒸着センサ３４０とセンサ駆動装置３５０は固定され、蒸着測定位置制御機構３１０－３がＭ１およびＭ２方向に動く。参考までに、図面には１８０度回転することだけが示されているが、これは説明の便宜のためのものであり、蒸着測定位置制御機構３１０－３は３６０度回転することも可能である。
蒸着測定位置制御機構３１０－３がＭ１およびＭ２方向に動くことに応じて、パイプ３６０もＭ１およびＭ２方向に動く。すなわち、蒸着測定位置制御機構３１０－３の動きにより、パイプ３６０の位置を変化させて、測定対象蒸着物質のみをパイプ３６０内に入射させることができる。パイプ３６０の形状は本図面に制限されない。
例えば、蒸着センサ３４０が第１蒸着源１１２から噴射された蒸着物質のレートあるいは蒸着厚さを測定しようとする場合、蒸着測定位置制御機構３１０をモータ駆動軸３７０により回転させて第１噴射経路Ｒ１がパイプ３６０を通過するようにする。その後、第１蒸着源１１２から噴射された蒸着物質が第１噴射経路Ｒ１を介して噴射され、パイプ３６０を通過して蒸着センサ３４０と出会う。この時、第２蒸着源１２２から噴射された蒸着物質が噴射される第２噴射経路Ｒ２はパイプ３６０を通過できず、蒸着センサ３４０と出会えない。
すなわち、第２蒸着源１２２から噴射された蒸着物質が噴射される第２噴射経路Ｒ２は蒸着測定位置制御機構３１０－３のパイプ３６０を除いた残りの領域と出会うことができる。
他の例としては、蒸着センサ３４０が第２蒸着源１２２から噴射された蒸着物質のレートあるいは蒸着厚さを測定しようとする場合、蒸着測定位置制御機構３１０をモータ駆動軸３７０により回転させて第２噴射経路Ｒ２がパイプ３６０を通過するようにする。その後、第２蒸着源１２２から噴射された蒸着物質が第２噴射経路Ｒ２を介して噴射され、パイプ３６０を通過して蒸着センサ３４０と出会う。この時、第１蒸着源１１２から噴射された蒸着物質が噴射される第１噴射経路Ｒ１はパイプ３６０を通過できず、蒸着センサ３４０と出会えない。
すなわち、第１蒸着源１１２から噴射された蒸着物質が噴射される第１噴射経路Ｒ１は蒸着測定位置制御機構３１０－３のパイプ３６０を除いた残りの領域と出会うことができる。
図１３はいくつかの実施形態による図１２のセンシング部３００－３の例示的な分解図である。
図１３を参照すると、モータ駆動軸３７０の回転により、蒸着測定位置制御機構３１０－３が移動する。
以下の図１４では蒸着制御装置の互いに異なるいくつかの実施形態について説明する。蒸着物質のレート測定方法は上述した内容と同様であるので、以下では上述した説明と重複する説明は省略して差異点を中心に説明する。
図１４はいくつかの実施形態による他の蒸着制御装置を示す例示的な図である。
図１４を参照すると、いくつかの実施形態による蒸着制御装置７の蒸着部１００－２が図１１の蒸着部１００と異なる。すなわち、いくつかの実施形態による蒸着制御装置７は第１噴射経路Ｒ１を介して噴射される蒸着物質と第２噴射経路Ｒ２を介して噴射される蒸着物質が一つの蒸着源１１２から噴射されることができる。
いくつかの実施形態による蒸着源１１２内には複数のヒータを含む。例えば、蒸着源１１２は第１ヒータ１１４と第２ヒータ１２４を含み、第１噴射経路Ｒ１を介して噴射される蒸着物質と第２噴射経路Ｒ２を介して噴射される蒸着物質それぞれを加熱させる。
いくつかの実施形態による蒸着源１１２は第１ノズル１１６および第２ノズル１２６と連結され、それぞれの第１ノズル１１６および第２ノズル１２６は第１噴射経路Ｒ１を介して噴射される蒸着物質と第２噴射経路Ｒ２を介して噴射される蒸着物質を蒸着センサ３４０に噴射することができる。
図１５はいくつかの実施形態による他の蒸着制御装置の動作方法を説明するための例示的な流れ図である。
参考までに、いくつかの実施形態によるディスプレイ製造方法には図１０で説明した蒸着制御装置の動作前に基板を移送し、蒸着制御装置の動作後に基板を回送する動作が含まれることができる。
図１１および図１５を参照すると、先に、パイプ３６０の位置を把握して（Ｓ２００）測定対象蒸着物質の蒸着レートを周期的に測定する。
その後、パイプ３６０の位置に基づいて、蒸着測定位置制御機構３１０－３を通過して蒸着センサ３４０に伝達される測定対象蒸着物質を噴射する測定対象ノズルが決定され、測定対象蒸着物質を測定するための測定時間が設定される（Ｓ２１０）。
先立って設定された測定時間の間の測定対象ノズルから噴射される蒸着物質の蒸着レートをコントローラ２０２により計算する（Ｓ２２０）。
コントローラ２０２により、設定された測定時間の間の計算された蒸着物質の蒸着レートに基づいて、ＰＩＤ演算器（２１２および／または２２２）がＰＩＤ演算値を生成する（Ｓ２３０）。
電源供給器（２１４および／または２２４）はＰＩＤ演算値を受信して、電源を生成する（Ｓ２４０）。
電源供給器（２１４および／または２２４）により生成された電源は蒸発源（１１２および／または１２２）またはヒータ（１１４および／または１２４）に伝達されてそれぞれに電源を供給する。
図１６はいくつかの実施形態による蒸着制御装置によって、基板に蒸着された蒸着物質の厚さを測定した例示的なグラフである。
図１、図１１および図１６を参照して、基板Ｓがｘ軸方向の幅１１００ｍｍを有することを仮定する。また、基板Ｓ下部の蒸着部１００内に４個の蒸着源がｘ軸方向に並んで離隔して配置されたことを仮定する。
いくつかの実施形態による蒸着制御装置により、蒸着部１００内に含まれた４個の蒸着源から噴射されるそれぞれの蒸着物質のレートを測定して制御することができる。
この時、図１６のグラフは基板上に蒸着された蒸着物質の厚さ（図１６のグラフの縦軸）を基板Ｓのｘ軸方向（図１６のグラフの横軸）に沿って測定した例示的なグラフである。
上述した数式１と数式２を参照すると、４個の蒸着源それぞれに該当する比例係数Ｋ１、Ｋ２、Ｋ３、Ｋ４が存在する。この時、４個の蒸着源それぞれに該当する比例係数の比率がＫ１：Ｋ２：Ｋ３：Ｋ４＝２：１：１：２になるようにすることができる。すなわち、４個の蒸着源それぞれから噴射される蒸着物質のレートをいくつかの実施形態による蒸着制御装置により独立的に測定して制御することによって、蒸着厚さの均一度が厚さの平均値を基準として±２％以内の結果を有することができる。
図１７は従来の蒸着制御装置によって、基板に蒸着された蒸着物質の厚さを測定した他の例示的なグラフである。
図１７を参照すると、基板はｘ軸方向の幅１１００ｍｍを有する。また、基板下部の蒸着部内に４個の蒸着源がｘ軸方向に並んで離隔して配置されたことを仮定する。
従来の蒸着制御装置により、蒸着部内に含まれた４個の蒸着源から噴射されるそれぞれの蒸着物質のレートを測定して制御することができる。
この時、図１７のグラフは四個の蒸着源のいずれか一つの蒸着源の蒸着レートを測定して制御する。また、残りの三個の蒸着源には前記いずれか一つの蒸着源に印加される電力値に一定に比例する電力値が印加されることができる。
図１７のグラフは前記のような条件で基板に蒸着物質を蒸着した場合、基板上に蒸着された蒸着物質の厚さ（図１７のグラフの縦軸）を基板のｘ軸方向（図１７のグラフの横軸）に沿って測定した例示的なグラフである。
４個の蒸着源それぞれから噴射される蒸着物質のレートを従来の蒸着制御装置により測定して制御することによって、蒸着厚さの均一度が厚さの平均値を基準として±５％以内の結果を有することができる。
これにより、図１６を用いて調べたいくつかの実施形態による蒸着制御装置により測定された蒸着厚さの均一度が図１７を用いて調べた従来の蒸着制御装置により測定された蒸着厚さの均一度よりもより均一であることがわかる。
以上、添付する図面を参照して本発明の実施形態について説明したが、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく互いに異なる多様な形態で製造することができ、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者は、本発明の技術的思想や必須の特徴を変更せず他の具体的な形態で実施できることを理解することができる。したがって、上記一実施形態はすべての面で例示的なものであり、限定的なものではないと理解しなければならない。

Claims (15)

  1. 基板上に、蒸着物質を第１噴射経路に沿って噴射する第１蒸着源と、
    前記基板上に、前記蒸着物質を第２噴射経路に沿って噴射する第２蒸着源と、
    前記蒸着物質の蒸着厚さを測定する蒸着センサと、
    第１開口部と第２開口部を含む第１蒸着測定位置制御機構と、
    前記第１蒸着測定位置制御機構を移動させるモータ駆動軸と、
    前記モータ駆動軸の位置を感知する駆動軸位置センサと、
    前記蒸着センサを駆動するセンサ駆動装置と、
    前記センサ駆動装置と前記駆動軸位置センサを制御して、設定された時間の間測定される前記蒸着センサの信号値から前記第１蒸着源と前記第２蒸着源によるそれぞれの蒸着レートを計算するコントローラと、
    前記蒸着レートをＰＩＤ演算してＰＩＤ演算値を生成するＰＩＤ演算器と、
    前記ＰＩＤ演算値を用いて、前記第１蒸着源と前記第２蒸着源にそれぞれ供給される電源を生産する電源供給器と、を含み、
    前記蒸着物質が前記第１噴射経路および前記第２噴射経路に沿って前記基板上に同時に噴射される間、前記第１蒸着測定位置制御機構を移動して、前記第１噴射経路が前記第１開口部を通過して前記蒸着センサと出会い、
    前記第１蒸着測定位置制御機構を移動して、前記第２噴射経路が前記第２開口部を通過して前記蒸着センサと出会う、蒸着制御装置。
  2. 前記電源供給器は第１電源供給器と第２電源供給器を含み、
    前記第１電源供給器は前記第１蒸着源に第１電源を供給し、
    前記第２電源供給器は前記第２蒸着源に第２電源を供給する、請求項１に記載の蒸着制御装置。
  3. 前記第１蒸着源と前記第２蒸着源は前記蒸着物質を加熱するそれぞれの第１ヒータと第２ヒータを含む、請求項１に記載の蒸着制御装置。
  4. 前記第１蒸着源は前記蒸着物質を加熱する第３ヒータをさらに含む、請求項３に記載の蒸着制御装置。
  5. 前記第１蒸着源と連結され、前記蒸着物質を前記第１噴射経路に噴射する第１ノズルと、
    前記第２蒸着源と連結され、前記蒸着物質を前記第２噴射経路に噴射する第２ノズルをさらに含む、請求項１に記載の蒸着制御装置。
  6. 前記第１蒸着源と連結され、前記蒸着物質を第３噴射経路に噴射する第３ノズルをさらに含む、請求項５に記載の蒸着制御装置。
  7. 第３開口部と第４開口部を含む第２蒸着測定位置制御機構をさらに含み、
    前記第２蒸着測定位置制御機構が移動して、
    前記第１噴射経路が前記第１開口部と前記第３開口部をすべて通過して前記蒸着センサと出会うか、前記第２噴射経路が前記第２開口部と前記第４開口部をすべて通過して前記蒸着センサと出会う、請求項１に記載の蒸着制御装置。
  8. 基板上に、蒸着物質を第１噴射経路に沿って噴射する第１蒸着源と、
    前記基板上に、前記蒸着物質を第２噴射経路に沿って噴射する第２蒸着源と、
    前記蒸着物質の蒸着厚さを測定する蒸着センサと、
    パイプと連結された蒸着測定位置制御機構と、
    前記蒸着測定位置制御機構を移動させるモータ駆動軸と、
    前記モータ駆動軸の位置を感知する駆動軸位置センサと、
    前記蒸着センサを駆動するセンサ駆動装置と、
    前記センサ駆動装置と前記駆動軸位置センサを制御して、設定された時間の間測定される前記蒸着センサの信号値から前記第１蒸着源と前記第２蒸着源によるそれぞれの蒸着レートを計算するコントローラと、
    前記蒸着レートをＰＩＤ演算してＰＩＤ演算値を生成するＰＩＤ演算器と、
    前記ＰＩＤ演算値を用いて、前記第１蒸着源と前記第２蒸着源にそれぞれ供給される電源を生産する電源供給器と、を含み、
    前記蒸着物質が前記第１噴射経路および前記第２噴射経路に沿って前記基板上に同時に噴射される間、前記蒸着測定位置制御機構を移動して、前記第１噴射経路が前記パイプを通過して前記蒸着センサと出会い、
    前記蒸着測定位置制御機構を移動して、前記第２噴射経路が前記パイプを通過して前記蒸着センサと出会う、蒸着制御装置。
  9. 前記電源供給器は第１電源供給器と第２電源供給器を含み、
    前記第１電源供給器は前記第１蒸着源に第１電源を供給し、
    前記第２電源供給器は前記第２蒸着源に第２電源を供給する、請求項８に記載の蒸着制御装置。
  10. 前記第１蒸着源と前記第２蒸着源は前記蒸着物質を加熱するそれぞれの第１ヒータと第２ヒータを含む、請求項８に記載の蒸着制御装置。
  11. 前記第１蒸着源は前記蒸着物質を加熱する第３ヒータをさらに含む、請求項１０に記載の蒸着制御装置。
  12. 前記第１蒸着源と連結され、前記蒸着物質を前記第１噴射経路に噴射する第１ノズルと、
    前記第２蒸着源と連結され、前記蒸着物質を前記第２噴射経路に噴射する第２ノズルをさらに含む、請求項８に記載の蒸着制御装置。
  13. 前記第１蒸着源と連結され、前記蒸着物質を第３噴射経路に噴射する第３ノズルをさらに含む、請求項１２に記載の蒸着制御装置。
  14. 蒸着制御装置を用いて基板に蒸着物質を蒸着するディスプレイ製造方法において、
    前記基板を移送し、
    前記蒸着制御装置と前記基板が所定間隔離隔した状態で、前記蒸着制御装置によって蒸発した前記蒸着物質を前記基板上に蒸着し、
    前記蒸着物質が蒸着された前記基板を回送することを含み、
    前記蒸着物質を蒸着することは前記蒸着制御装置により前記蒸着物質の蒸着レートを周期的に測定することを含み、
    前記蒸着制御装置は、
    前記基板上に、蒸着物質を第１噴射経路に沿って噴射する第１蒸着源と、
    前記基板上に、前記蒸着物質を第２噴射経路に沿って噴射する第２蒸着源と、
    前記蒸着物質の蒸着厚さを測定する蒸着センサと、
    第１開口部と第２開口部を含む蒸着測定位置制御機構と、
    前記蒸着測定位置制御機構を移動させるモータ駆動軸と、
    前記モータ駆動軸の位置を感知する駆動軸位置センサと、
    前記蒸着センサを駆動するセンサ駆動装置と、
    前記センサ駆動装置と前記駆動軸位置センサを制御して、設定された時間の間測定される前記蒸着センサの信号値から前記第１蒸着源と前記第２蒸着源によるそれぞれの蒸着レートを計算するコントローラと、
    前記蒸着レートをＰＩＤ演算してＰＩＤ演算値を生成するＰＩＤ演算器と、
    前記ＰＩＤ演算値を用いて、前記第１蒸着源と前記第２蒸着源にそれぞれ供給される電源を生産する電源供給器と、を含み、
    前記蒸着物質が前記第１噴射経路および前記第２噴射経路に沿って前記基板上に同時に噴射される間、前記蒸着測定位置制御機構を移動して、前記第１噴射経路が前記第１開口部を通過して前記蒸着センサと出会い、
    前記蒸着測定位置制御機構を移動して、前記第２噴射経路が前記第２開口部を通過して前記蒸着センサと出会う、ディスプレイ製造方法。
  15. 蒸着制御装置を用いて基板に蒸着物質を蒸着するディスプレイ製造方法において、
    前記基板を移送し、
    前記蒸着制御装置と前記基板が所定間隔離隔した状態で、前記蒸着制御装置によって蒸発した前記蒸着物質を前記基板上に蒸着し、
    前記蒸着物質が蒸着された前記基板を回送することを含み、
    前記蒸着物質を蒸着することは前記蒸着制御装置により前記蒸着物質の蒸着レートを周期的に測定することを含み、
    前記蒸着制御装置は、
    前記基板上に、蒸着物質を第１噴射経路に沿って噴射する第１蒸着源と、
    前記基板上に、前記蒸着物質を第２噴射経路に沿って噴射する第２蒸着源と、
    前記蒸着物質の蒸着厚さを測定する蒸着センサと、
    パイプと連結された蒸着測定位置制御機構と、
    前記蒸着測定位置制御機構を移動させるモータ駆動軸と、
    前記モータ駆動軸の位置を感知する駆動軸位置センサと、
    前記蒸着センサを駆動するセンサ駆動装置と、
    前記センサ駆動装置と前記駆動軸位置センサを制御して、設定された時間の間測定される前記蒸着センサの信号値から前記第１蒸着源と前記第２蒸着源によるそれぞれの蒸着レートを計算するコントローラと、
    前記蒸着レートをＰＩＤ演算してＰＩＤ演算値を生成するＰＩＤ演算器と、
    前記ＰＩＤ演算値を用いて、前記第１蒸着源と前記第２蒸着源にそれぞれ供給される電源を生産する電源供給器と、を含み、
    前記蒸着物質が前記第１噴射経路および前記第２噴射経路に沿って前記基板上に同時に噴射される間、前記蒸着測定位置制御機構を移動して、前記第１噴射経路が前記パイプを通過して前記蒸着センサと出会い、
    前記蒸着測定位置制御機構を移動して、前記第２噴射経路が前記パイプを通過して前記蒸着センサと出会う、ディスプレイ製造方法。
JP2022557992A 2020-03-31 2021-02-23 蒸着制御装置およびそれを用いるディスプレイ製造方法 Active JP7489483B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200038726A KR102262617B1 (ko) 2020-03-31 2020-03-31 증착 제어 장치 및 이를 이용하는 디스플레이 제조 방법
KR10-2020-0038726 2020-03-31
PCT/KR2021/002249 WO2021201436A1 (ko) 2020-03-31 2021-02-23 증착 제어 장치 및 이를 이용하는 디스플레이 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2023519284A JP2023519284A (ja) 2023-05-10
JP7489483B2 true JP7489483B2 (ja) 2024-05-23

Family

ID=76414989

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022557992A Active JP7489483B2 (ja) 2020-03-31 2021-02-23 蒸着制御装置およびそれを用いるディスプレイ製造方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7489483B2 (ja)
KR (1) KR102262617B1 (ja)
CN (1) CN115210403B (ja)
WO (1) WO2021201436A1 (ja)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140076232A1 (en) 2012-09-17 2014-03-20 Samsung Display Co., Ltd. Deposition apparatus

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63219582A (ja) * 1987-03-06 1988-09-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 膜厚分布測定方法
JP2005206896A (ja) * 2004-01-23 2005-08-04 Tokki Corp 膜厚モニタ並びに蒸着装置
JP2005281858A (ja) * 2004-03-03 2005-10-13 Sanyo Electric Co Ltd 堆積厚測定方法、材料層の形成方法、堆積厚測定装置および材料層の形成装置
KR20060064794A (ko) * 2004-12-09 2006-06-14 엘지전자 주식회사 석영 크리스털 센서
JP4583200B2 (ja) * 2005-02-17 2010-11-17 日立造船株式会社 蒸着装置
KR100684739B1 (ko) * 2005-11-22 2007-02-20 삼성에스디아이 주식회사 유기물 증착장치
KR100670065B1 (ko) * 2005-11-29 2007-01-16 삼성에스디아이 주식회사 두께 측정 장치 및 이를 이용한 진공 증착기
KR20080114305A (ko) * 2007-06-27 2008-12-31 두산메카텍 주식회사 증발량 조절 유닛과, 이를 포함하는 증착 장치 및 증발량제어 방법
JP2009185344A (ja) * 2008-02-07 2009-08-20 Sony Corp 蒸着方法、蒸着装置、および表示装置の製造方法
JP2009299158A (ja) * 2008-06-16 2009-12-24 Seiko Epson Corp 蒸着装置及び蒸着方法
KR101140766B1 (ko) * 2010-07-14 2012-05-03 김정희 진공증착기의 증착박막 두께 측정센서부
JP2012126938A (ja) * 2010-12-14 2012-07-05 Ulvac Japan Ltd 真空蒸着装置及び薄膜の製造方法
KR101097593B1 (ko) * 2011-03-11 2011-12-22 주식회사 선익시스템 박막의 두께 제어의 정확도 향상을 위한 박막 증착 장치
JP2012216374A (ja) * 2011-03-31 2012-11-08 Hitachi High-Technologies Corp 真空蒸着装置、真空蒸着方法、および、有機ｅｌ表示装置の製造方法
KR20140105670A (ko) * 2013-02-22 2014-09-02 삼성디스플레이 주식회사 유기 박막 두께 측정 유닛 및 이를 구비한 유기 박막 증착 장치
KR101449447B1 (ko) * 2013-03-18 2014-10-14 주식회사 선익시스템 증착챔버의 센서 이동장치
KR101957467B1 (ko) * 2013-04-24 2019-03-12 주식회사 선익시스템 증착두께 측정장치
KR20150145933A (ko) * 2014-06-20 2015-12-31 주식회사 선익시스템 증착두께 측정장치 및 이를 구비한 증착장치
KR20160055448A (ko) * 2014-11-10 2016-05-18 주식회사 선익시스템 두께 측정용 보조 센서를 포함하는 박막 증착 장치
KR102092251B1 (ko) * 2015-01-06 2020-03-23 주식회사 원익아이피에스 증착시스템
CN105349960B (zh) * 2015-10-27 2017-11-24 京东方科技集团股份有限公司 一种遮挡装置及其遮挡方法和蒸镀系统
KR102022449B1 (ko) * 2017-09-28 2019-11-04 (주)선익시스템 증착률측정장치 및 이를 구비한 증착장치
CN108179386B (zh) * 2017-12-27 2020-04-17 上海超导科技股份有限公司 脉冲激光镀膜装置
KR102464829B1 (ko) * 2017-12-28 2022-11-09 주식회사 선익시스템 증착막 두께 측정 모듈에서 qcm센서의 신호전달 구조
KR20200014100A (ko) * 2018-07-31 2020-02-10 캐논 톡키 가부시키가이샤 증발 레이트 측정 장치, 증발 레이트 측정 장치의 제어 방법, 성막 장치, 성막 방법 및 전자 디바이스의 제조방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140076232A1 (en) 2012-09-17 2014-03-20 Samsung Display Co., Ltd. Deposition apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
CN115210403A (zh) 2022-10-18
JP2023519284A (ja) 2023-05-10
KR102262617B1 (ko) 2021-06-09
WO2021201436A1 (ko) 2021-10-07
CN115210403B (zh) 2024-02-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5280542B2 (ja) 蒸着装置及びこれを利用する蒸着方法
KR101172275B1 (ko) 기화 장치 및 이의 제어 방법
US20100092665A1 (en) Evaporating apparatus, apparatus for controlling evaporating apparatus, method for controlling evaporating apparatus and method for using evaporating apparatus
JP2007291506A (ja) 成膜方法
JP7211793B2 (ja) 蒸発レート測定装置、蒸発レート測定装置の制御方法、成膜装置、成膜方法及び電子デバイスを製造する方法
TWI568872B (zh) 蒸鍍裝置
US20140076232A1 (en) Deposition apparatus
KR101488203B1 (ko) 성막 장치 및 성막 방법
JP7489483B2 (ja) 蒸着制御装置およびそれを用いるディスプレイ製造方法
JP2012219377A (ja) 大容量薄膜形成用蒸着装置
KR101578655B1 (ko) 분사노즐 어셈블리 및 이를 포함하는 증발원
KR101979360B1 (ko) 증착량 측정 장치, 이를 포함하는 증착 장치 및 발광 표시장치 제조방법
TWI429772B (zh) A vapor deposition apparatus, a vapor deposition method, and a memory medium of a memory program
JP2004091919A (ja) 薄膜形成装置及び薄膜形成方法
TWI431831B (zh) 製造有機半導體的裝置
US20130340679A1 (en) Vacuum deposition device
US8632635B2 (en) Vapor deposition apparatus and vapor deposition method
CN105296928A (zh) 线光源及具备此线光源的薄膜蒸镀装置
JP4583200B2 (ja) 蒸着装置
JP6502528B2 (ja) 発振水晶のための拡散バリア、堆積速度を測定するための測定アセンブリ及びその方法
KR102123824B1 (ko) 박막증착장치 및 그 제어방법
JP5197277B2 (ja) 蒸着装置及び蒸着方法
JP2004247113A (ja) 有機電界発光素子の製造装置及び有機電界発光素子の製造方法
JP6036270B2 (ja) 蒸着装置及び蒸着方法
JPH07331421A (ja) 真空蒸着装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220922

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20231017

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20240117

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20240423

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20240513

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7489483

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150