JP7480306B2 - 光学異方性層の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、光学異方性層の製造方法に関する。

屈折率異方性を持つ位相差層（光学異方性層）は、表示装置の反射防止膜、および、液晶表示装置の光学補償フィルムなど種々の用途に適用されている。
光学異方性層としては、特許文献１に記載されるように複数の層からなる積層型の光学異方性層が開示されている。

特許第５９６０７４３号公報

従来、特許文献１に記載されるような光学異方性層を製造する際には、積層する光学異方性層を１層毎に、塗布により形成するため、生産性が低く、コストが高くなるという課題があった。
また、塗布を繰り返す際に、塗布液のはじきが生じ、所望の光学異方性層を形成できない場合もあった。

本発明は、上記実情に鑑みて、液晶化合物の配向状態が固定されており、液晶化合物の配向状態が異なる領域を厚み方向に沿って複数有する光学異方性層の簡便な製造方法を提供することを課題とする。

本発明者らは、従来技術の問題点について鋭意検討した結果以下の構成により上記課題を解決できることを見出した。

（１） 重合性基を有する液晶化合物を含む組成物層を形成する工程１と、
組成物層に加熱処理を施して、組成物層中の液晶化合物を配向させる工程２と、
工程２の後、酸素濃度１体積％以上の条件下にて、組成物層に対して、光照射を５０秒間以下、かつ、３００ｍＪ／ｃｍ²以下で行う工程３と、
工程３の後、組成物層に、光照射時より高い温度で加熱処理を施す工程４と、
工程４の後、組成物層に対して硬化処理を施して、液晶化合物の配向状態が異なる領域を厚み方向に沿って複数有する光学異方性層を形成する工程５と、を有する、光学異方性層の製造方法。
（２） 組成物層が光重合開始剤および光増感剤からなる群から選択される感光材料を含み、
工程３における光照射の波長における感光材料のモル吸光係数が５０００Ｌ／（ｍｏｌ・ｃｍ）以下である、（１）に記載の光学異方性層の製造方法。
（３） 組成物層が、キラル剤を含み、
キラル剤が、光照射により螺旋誘起力が変化する感光性キラル剤を含む、（１）または（２）に記載の光学異方性層の製造方法。
（４） 液晶化合物の全質量に対する、キラル剤の合計含有量が、５．０質量％以下である、（３）に記載の光学異方性層の製造方法。
（５） 液晶化合物の全質量に対する、キラル剤の合計含有量が、５．０質量％超である、（３）に記載の光学異方性層の製造方法。
（６） 組成物層が、光照射により極性が変化する感光性化合物を含む、（１）または（２）に記載の光学異方性層の製造方法。
（７） 感光性化合物が、光照射により親水化する感光性化合物である、（６）に記載の光学異方性層の製造方法。
（８） 工程４における加熱処理の温度が、液晶化合物が等方相となる温度以上である、（１）または（２）に記載の光学異方性層の製造方法。

本発明によれば、液晶化合物の配向状態が固定されており、液晶化合物の配向状態が異なる領域を厚み方向に沿って複数有する光学異方性層の簡便な製造方法を提供できる。

本発明の光学異方性層の製造方法の第１実施態様の工程１Ａの一例を説明するための組成物層の断面図である。 本発明の光学異方性層の製造方法の第１実施態様の工程３Ａの一例を説明するための組成物層の断面図である。 本発明の光学異方性層の製造方法の第１実施態様の工程４Ａを実施した場合の一例を説明するための組成物層の断面図である。 キラル剤Ａおよびキラル剤Ｂの各々について、螺旋誘起力（ＨＴＰ：Helical Twisting Power）（μｍ^-1）×濃度（質量％）と光照射量（ｍＪ／ｃｍ²）との関係をプロットしたグラフの模式図である。 キラル剤Ａおよびキラル剤Ｂを併用した系において、加重平均螺旋誘起力（μｍ^-1）と光照射量（ｍＪ／ｃｍ²）との関係をプロットしたグラフの模式図である。 本発明の光学異方性層の製造方法の第１実施態様の工程１Ａの他の例を説明するための組成物層の断面図である。 本発明の光学異方性層の製造方法の第１実施態様の工程４Ａを実施した場合の他の例を説明するための組成物層の断面図である。 本発明の光学異方性層の製造方法の第２実施態様の工程３Ｂの一例を説明するための組成物層の断面図である。 本発明の光学異方性層の製造方法の第２実施態様の工程４Ｂの一例を説明するための組成物層の断面図である。 キラル剤Ａについて、螺旋誘起力（μｍ^-1）と光照射量（ｍＪ／ｃｍ²）との関係をプロットしたグラフの模式図である。 本発明の光学異方性層の製造方法の第３実施態様の工程３Ｃの一例を説明するための組成物層の断面図である。 本発明の光学異方性層の製造方法の第３実施態様の工程４Ｃの一例を説明するための組成物層の断面図である。 本発明の光学異方性層の製造方法の第４実施態様の工程３Ｄの一例を説明するための組成物層の断面図である。 本発明の光学異方性層の製造方法の第４実施態様の工程４Ｄの一例を説明するための組成物層の断面図である。 本発明の積層体の一実施態様を表す断面図である。 本発明の偏光子付き光学異方性層の一実施態様を表す断面図である。

以下、本発明について詳細に説明する。なお、本明細書において「～」を用いて表される数値範囲は、「～」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。まず、本明細書で用いられる用語について説明する。

遅相軸は、特別な断りがなければ、５５０ｎｍにおける定義である。

本発明において、Ｒｅ（λ）およびＲｔｈ（λ）は各々、波長λにおける面内のレタデーションおよび厚み方向のレタデーションを表す。特に記載がないときは、波長λは、５５０ｎｍとする。
本発明において、Ｒｅ（λ）およびＲｔｈ（λ）はＡｘｏＳｃａｎ（Ａｘｏｍｅｔｒｉｃｓ社製）において、波長λで測定した値である。ＡｘｏＳｃａｎにて平均屈折率（（ｎｘ＋ｎｙ＋ｎｚ）／３）と膜厚（ｄ（μｍ））を入力することにより、
遅相軸方向（°）
Ｒｅ（λ）＝Ｒ０（λ）
Ｒｔｈ（λ）＝（（ｎｘ＋ｎｙ）／２－ｎｚ）×ｄ
が算出される。
なお、Ｒ０（λ）は、ＡｘｏＳｃａｎで算出される数値として表示されるものであるが、Ｒｅ（λ）を意味している。

本明細書において、屈折率ｎｘ、ｎｙ、および、ｎｚは、アッベ屈折計（ＮＡＲ－４Ｔ、アタゴ（株）製）を使用し、光源にナトリウムランプ（λ＝５８９ｎｍ）を用いて測定する。また、波長依存性を測定する場合は、多波長アッベ屈折計ＤＲ－Ｍ２（アタゴ（株）製）にて、干渉フィルターとの組み合わせで測定できる。
また、ポリマーハンドブック（ＪＯＨＮ ＷＩＬＥＹ＆ＳＯＮＳ，ＩＮＣ）、および、各種光学フィルムのカタログの値を使用できる。主な光学フィルムの平均屈折率の値を以下に例示する：セルロースアシレート（１．４８）、シクロオレフィンポリマー（１．５２）、ポリカーボネート（１．５９）、ポリメチルメタクリレート（１．４９）、および、ポリスチレン（１．５９）。

本明細書中における「光」とは、活性光線または放射線を意味し、例えば、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線（ＥＵＶ光：Extreme Ultraviolet）、Ｘ線、紫外線、および電子線（ＥＢ：Electron Beam）などを意味する。なかでも、紫外線が好ましい。

本明細書では、「可視光」とは、３８０～７８０ｎｍの光のことをいう。また、本明細書では、測定波長について特に付記がない場合は、測定波長は５５０ｎｍである。
本明細書において、光学異方性層中において液晶化合物が捩れ配向している場合、その捩れ角は０°超３６０°未満であることが好ましい。なお、後述するコレステリック液晶相は、液晶化合物が螺旋状に配向した周期構造を有する相であり、捩れ角は３６０°以上である。

本発明の光学異方性層の製造方法の特徴点としては、所定の工程を実施している点が挙げられる。
後段で詳述するように、本発明においては、まず、組成物層中の液晶化合物を配向させる。形成される組成物層の基板側の一部の領域においては酸素濃度が低く、基板側とは反対側の表面側の他の領域においては酸素濃度が高い。そのため、このような組成物層に対して、所定の条件にて光照射を行うと酸素濃度が高い領域においては、液晶化合物の重合が進行しにくいのに対して、酸素濃度が低い領域においては、液晶化合物の重合が進行しやすい。液晶化合物の重合が進行しやすい領域においては、液晶化合物の配向状態が固定される。そして、光照射後に実施する加熱処理の際に、液晶化合物の重合が進行した領域においては液晶化合物の配向状態は変化しないが、液晶化合物の重合が進行しにくかった領域においては液晶化合物の配向状態が変化し、硬化処理の際に変化した配向状態が固定される。結果として、固定された液晶化合物の配向状態が異なる領域を厚み方向に沿って複数有する光学異方性層が製造される。

本発明の光学異方性層の製造方法は、
重合性基を有する液晶化合物を含む組成物層を形成する工程１と、
組成物層に加熱処理を施して、組成物層中の液晶化合物を配向させる工程２と、
工程２の後、酸素濃度１体積％以上の条件下にて、組成物層に対して、光照射を５０秒間以下、かつ、３００ｍＪ／ｃｍ²以下で行う工程３と、
工程３の後、組成物層に、光照射時より高い温度で加熱処理を施す工程４と、
工程４の後、組成物層に対して硬化処理を施して、液晶化合物の配向状態が異なる領域を厚み方向に沿って複数有する光学異方性層を形成する工程５と、を有する。
なお、上記工程５を実施することにより、液晶化合物の配向状態が固定化される。
後述するように、液晶化合物の配向状態が異なる領域を有する態様としては、後述するように、例えば、複数の領域のコレステリック液晶相の螺旋ピッチが互いに異なる態様、複数の領域の層表面に対する液晶化合物の配向方向の傾斜角が異なる態様、および、２つの領域のうち一方の領域が液晶化合物が等方相を示す状態を固定してなる領域で、他方の領域が液晶化合物が配向している配向状態を固定してなる領域である態様が挙げられる。
以下では、本発明の光学異方性層の製造方法の好適な態様毎に詳述する。

＜＜第１実施態様＞＞
本発明の光学異方性層の製造方法の第１実施態様は、以下の工程１Ａ～５Ａを有する。後述するように、第１実施態様においては、厚み方向に沿って延びる螺旋軸に沿って捩れ配向した液晶化合物の配向状態を固定してなる領域を有する光学異方性層が形成される。
工程１Ａ：光照射により螺旋誘起力が変化する感光性キラル剤を少なくとも含むキラル剤、および、重合性基を有する液晶化合物を含む組成物層を形成する工程
工程２Ａ：組成物層に加熱処理を施して、組成物層中の液晶化合物を配向させる工程
工程３Ａ：工程２Ａの後、酸素濃度１体積％以上の条件下にて、組成物層に対して、光照射を５０秒間以下、かつ、３００ｍＪ／ｃｍ²以下で行う工程
工程４Ａ：工程３Ａの後、組成物層に、光照射時より高い温度で加熱処理を施す工程
工程５Ａ：工程４Ａの後、組成物層に対して硬化処理を施して、液晶化合物の配向状態が異なる領域を厚み方向に沿って複数有する光学異方性層を形成する工程
後述するように、第１実施態様において、上記特性の光学異方性層を製造するためには、組成物層中におけるキラル剤の合計含有量（全てのキラル剤の総含有量）は、液晶化合物の全質量に対して、５．０質量％以下であることが好ましい。
以下、上記各工程の手順について詳述する。

＜工程１Ａ＞
工程１Ａは、光照射により螺旋誘起力が変化する感光性キラル剤を少なくとも含むキラル剤、および、重合性基を有する液晶化合物を含む組成物層を形成する工程である。本工程を実施することにより、後述する光照射処理が施される組成物層が形成される。
以下では、まず、本工程で使用される材料について詳述し、その後、工程の手順について詳述する。

（キラル剤）
工程１Ａの組成物層は、光照射により螺旋誘起力が変化する感光性キラル剤を少なくとも含むキラル剤を含む。まず、光照射により螺旋誘起力が変化する感光性キラル剤について詳述する。
なお、キラル剤の螺旋誘起力（ＨＴＰ）は、下記式（Ａ）で表される螺旋配向能力を示すファクターである。
式（Ａ） ＨＴＰ＝１／（螺旋ピッチの長さ（単位：μｍ）×液晶化合物に対するキラル剤の濃度（質量％））［μｍ^-1］
螺旋ピッチの長さとは、コレステリック液晶相の螺旋構造のピッチＰ（＝螺旋の周期）の長さをいい、液晶便覧（丸善株式会社出版）の１９６ページに記載の方法で測定できる。

光照射により螺旋誘起力が変化する感光性キラル剤（以下、単に「キラル剤Ａ」ともいう。）は、液晶性であっても、非液晶性であってもよい。キラル剤Ａは、一般に不斉炭素原子を含む場合が多い。なお、キラル剤Ａは、不斉炭素原子を含まない軸性不斉化合物または面性不斉化合物であってもよい。

キラル剤Ａは、光照射によって螺旋誘起力が増加するキラル剤であってもよいし、減少するキラル剤であってもよい。なかでも、光照射により螺旋誘起力が減少するキラル剤であることが好ましい。
なお、本明細書において「螺旋誘起力の増加および減少」とは、キラル剤Ａの初期（光照射前）の螺旋方向を「正」としたときの増減を表す。したがって、光照射により螺旋誘起力が減少し続け、０を超えて螺旋方向が「負」となった場合（つまり、初期（光照射前）の螺旋方向とは逆の螺旋方向の螺旋を誘起する場合）にも、「螺旋誘起力が減少するキラル剤」に該当する。

キラル剤Ａとしては、いわゆる光反応型キラル剤が挙げられる。光反応型キラル剤とは、キラル部位と光照射によって構造変化する光反応部位を有し、例えば、照射量に応じて液晶化合物の捩れ力を大きく変化させる化合物である。
光照射によって構造変化する光反応部位の例としては、フォトクロミック化合物（内田欣吾、入江正浩、化学工業、ｖｏｌ．６４、６４０ｐ，１９９９、内田欣吾、入江正浩、ファインケミカル、ｖｏｌ．２８（９）、１５ｐ，１９９９）などが挙げられる。また、上記構造変化とは、光反応部位への光照射により生ずる、分解、付加反応、異性化、ラセミ化、［２＋２］光環化および２量化反応などを意味し、上記構造変化は不可逆的であってもよい。また、キラル部位としては、例えば、野平博之、化学総説、Ｎｏ．２２液晶の化学、７３ｐ：１９９４に記載の不斉炭素などが相当する。

キラル剤Ａとしては、例えば、特開２００１－１５９７０９号公報の段落００４４～００４７に記載の光反応型キラル剤、特開２００２－１７９６６９号公報の段落００１９～００４３に記載の光学活性化合物、特開２００２－１７９６３３号公報の段落００２０～００４４に記載の光学活性化合物、特開２００２－１７９６７０号公報の段落００１６～００４０に記載の光学活性化合物、特開２００２－１７９６６８号公報の段落００１７～００５０に記載の光学活性化合物、特開２００２－１８００５１号公報の段落００１８～００４４に記載の光学活性化合物、特開２００２－３３８５７５号公報の段落００１６～００５５に記載の光学活性イソソルビド誘導体、特開２００２－０８０４７８号公報の段落００２３～００３２に記載の光反応型光学活性化合物、特開２００２－０８０８５１号公報の段落００１９～００２９に記載の光反応型カイラル剤、特開２００２－１７９６８１号公報の段落００２２～００４９に記載の光学活性化合物、特開２００２－３０２４８７号公報の段落００１５～００４４に記載の光学活性化合物、特開２００２－３３８６６８号公報の段落００１５～００５０に記載の光学活性ポリエステル、特開２００３－０５５３１５号公報の段落００１９～００４１に記載のビナフトール誘導体、特開２００３－０７３３８１号公報の段落０００８～００４３に記載の光学活性フルギド化合物、特開２００３－３０６４９０号公報の段落００１５～００５７に記載の光学活性イソソルビド誘導体、特開２００３－３０６４９１号公報の段落００１５～００４１に記載の光学活性イソソルビド誘導体、特開２００３－３１３１８７号公報の段落００１５～００４９に記載の光学活性イソソルビド誘導体、特開２００３－３１３１８８号公報の段落００１５～００５７に記載の光学活性イソマンニド誘導体、特開２００３－３１３１８９号公報の段落００１５～００４９に記載の光学活性イソソルビド誘導体、特開２００３－３１３２９２号公報の段落００１５～００５２に記載の光学活性ポリエステル／アミド、ＷＯ２０１８／１９４１５７号公報の段落００１２～００５３に記載の光学活性化合物、および、特開２００２－１７９６８２号公報の段落００２０～００４９に記載の光学活性化合物などが挙げられる。

キラル剤Ａとしては、なかでも、光異性化部位を少なくとも有する化合物が好ましく、光異性化部位は光異性化可能な二重結合を有することがより好ましい。上記光異性化可能な二重結合を有する光異性化部位としては、光異性化が起こりやすく、かつ、光照射前後の螺旋誘起力差が大きいという点で、シンナモイル部位、カルコン部位、アゾベンゼン部位またはスチルベン部位が好ましく、さらに可視光の吸収が小さいという点で、シンナモイル部位、カルコン部位またはスチルベン部位がより好ましい。なお、光異性化部位は、上述した光照射によって構造変化する光反応部位に該当する。

また、キラル剤Ａは、初期（光照射前）の螺旋誘起力が高く、かつ、光照射による螺旋誘起力の変化量がより優れる点で、トランス型の光異性化可能な二重結合を有していることが好ましい。
また、キラル剤Ａは、初期（光照射前）の螺旋誘起力が低く、かつ、光照射による螺旋誘起力の変化量がより優れる点で、シス型の光異性化可能な二重結合を有していることが好ましい。

キラル剤Ａは、ビナフチル部分構造、イソソルビド部分構造（イソソルビドに由来する部分構造）、および、イソマンニド部分構造（イソマンニドに由来する部分構造）から選ばれるいずれかの部分構造を有していることが好ましい。なお、ビナフチル部分構造、イソソルビド部分構造、および、イソマンニド部分構造とは、各々以下の構造を意図する。
ビナフチル部分構造中の実線と破線が平行している部分は、一重結合または二重結合を表す。なお、以下に示す構造において、＊は、結合位置を表す。

キラル剤Ａは、重合性基を有していてもよい。重合性基の種類は特に制限されず、付加重合反応が可能な官能基が好ましく、重合性エチレン性不飽和基または環重合性基がより好ましく、（メタ）アクリロイル基、ビニル基、スチリル基、または、アリル基がさらに好ましい。

キラル剤Ａとしては、式（Ｃ）で表される化合物が好ましい。
式（Ｃ） Ｒ－Ｌ－Ｒ
Ｒは、それぞれ独立に、シンナモイル部位、カルコン部位、アゾベンゼン部位、および、スチルベン部位からなる群から選択される少なくとも１つの部位を有する基を表す。
Ｌは、式（Ｄ）で表される構造から２個の水素原子を除いた形成される２価の連結基（上記ビナフチル部分構造から２個の水素原子を除いて形成される２価の連結基）、式（Ｅ）で表される２価の連結基（上記イソソルビド部分構造からなる２価の連結基）、または、式（Ｆ）で表される２価の連結基（上記イソマンニド部分構造からなる２価の連結基）を表す。
式（Ｅ）および式（Ｆ）中、＊は結合位置を表す。

工程１Ａにおいては、上述したキラル剤Ａが少なくともが用いられる。工程１Ａは、キラル剤Ａを２種以上用いる態様であってもよいし、少なくとも１種のキラル剤Ａと少なくとも１種の光照射により螺旋誘起力が変化しないキラル剤（以下、単に「キラル剤Ｂ」ともいう。）とを用いる態様であってもよい。
キラル剤Ｂは、液晶性であっても、非液晶性であってもよい。キラル剤Ｂは、一般に不斉炭素原子を含む場合が多い。なお、キラル剤Ｂは、不斉炭素原子を含まない軸性不斉化合物または面性不斉化合物であってもよい。
キラル剤Ｂは重合性基を有していてもよい。重合性基の種類としては、キラル剤Ａが有していてもよい重合性基が挙げられる。
キラル剤Ｂとしては、公知のキラル剤を使用できる。
キラル剤Ｂは、上述したキラル剤Ａと逆向きの螺旋を誘起するキラル剤であることが好ましい。つまり、例えば、キラル剤Ａにより誘起する螺旋が右方向の場合には、キラル剤Ｂにより誘起する螺旋は左方向となる。

キラル剤Ａおよびキラル剤Ｂのモル吸光係数は特に制限されないが、後述する工程３Ａで照射される光の波長（例えば、３６５ｎｍ）におけるモル吸光係数は１００～１００，０００Ｌ／（ｍｏｌ・ｃｍ）が好ましく、５００～５０，０００Ｌ／（ｍｏｌ・ｃｍ）がより好ましい。

組成物層中のキラル剤Ａおよびキラル剤Ｂの各含有量は、形成しようとする光学異方性層の特性（例えば、レタデーションや波長分散）に応じて適宜設定され得る。なお、光学異方性層中の液晶化合物の捩れ角はキラル剤Ａおよびキラル剤Ｂの種類およびその添加濃度に大きく依存するため、これらを調節することによって液晶化合物の配向状態を制御することができる。

第１実施態様において、組成物層中におけるキラル剤の合計含有量（全てのキラル剤の総含有量）は特に制限されないが、液晶化合物の配向状態を制御しやすい点で、液晶化合物の全質量に対して、５．０質量％以下が好ましく、４．０質量％以下がより好ましく、２．０質量％以下がさらに好ましい。下限は特に制限されないが、０．０１質量％以上が好ましく、０．０２質量％以上がより好ましく、０．０５質量％がさらに好ましい。

キラル剤中におけるキラル剤Ａの含有量は特に制限されないが、液晶化合物の配向状態を制御しやすい点で、キラル剤の全質量に対して、５～９５質量％が好ましく、１０～９０質量％がより好ましい。

（液晶化合物）
工程１Ａの組成物層は、重合性基を有する液晶化合物を含む。
液晶化合物の種類については、特に制限されない。一般的に、液晶化合物はその形状から、棒状タイプ（棒状液晶化合物）と円盤状タイプ（ディスコティック液晶化合物）とに分類できる。さらに、液晶化合物は、低分子タイプと高分子タイプとの分類できる。高分子とは一般に重合度が１００以上のものを指す（高分子物理・相転移ダイナミクス，土井 正男著，２頁，岩波書店，１９９２）。本発明では、いずれの液晶化合物を用いることもできるが、棒状液晶化合物またはディスコティック液晶化合物を用いるのが好ましく、棒状液晶化合物を用いるのがより好ましい。２種以上の棒状液晶化合物、２種以上のディスコティック液晶化合物、または、棒状液晶化合物とディスコティック液晶化合物との混合物を用いてもよい。
なお、棒状液晶化合物としては、例えば、特表平１１－５１３０１９号公報の請求項１や特開２００５－２８９９８０号公報の段落００２６～００９８に記載のものを好ましく用いることができる。
ディスコティック液晶化合物としては、例えば、特開２００７－１０８７３２号公報の段落００２０～００６７や特開２０１０－２４４０３８号公報の段落００１３～０１０８に記載のものを好ましく用いることができる。

液晶化合物が有する重合性基の種類は特に制限されず、付加重合反応が可能な官能基が好ましく、重合性エチレン性不飽和基または環重合性基がより好ましく、（メタ）アクリロイル基、ビニル基、スチリル基、または、アリル基がさらに好ましい。

なお、本発明にて製造される光学異方性層は、重合性基を有する液晶化合物（重合性基を有する棒状液晶化合物またはディスコティック液晶化合物）が重合などによって固定されて形成された層であり、層となった後はもはや液晶性を示す必要はない。

組成物層中における液晶化合物の含有量は特に制限されないが、液晶化合物の配向状態を制御しやすい点で、組成物層の全質量に対して、６０質量％以上が好ましく、７０質量％以上がより好ましい。上限は特に制限されないが、９９質量％以下が好ましく、９７質量％以下がより好ましい。

（その他の成分）
組成物層は、上記キラル剤および液晶化合物以外の他の成分を含んでいてもよい。
例えば、組成物層は、重合開始剤を含んでいてもよい。組成物層が重合開始剤を含む場合、より効率的に重合性基を有する液晶化合物の重合が進行する。
重合開始剤としては公知の重合開始剤が挙げられ、光重合開始剤、および、熱重合開始剤が挙げられ、光重合開始剤が好ましい。特に、後述する工程５Ａにおいて照射される光に感光する重合開始剤が好ましい。

重合開始剤は、工程３Ａにおいて照射される光の波長のうち最大となるモル吸光係数が、工程５Ａにおいて照射される光の波長のうち最大となるモル吸光係数に対して、０．１倍以下であることが好ましい。
また、重合開始剤の工程３Ａにおける光照射の波長におけるモル吸光係数は、所定の光学異方性層が形成されやすい点で、５０００Ｌ／（ｍｏｌ・ｃｍ）以下が好ましく、４０００Ｌ／（ｍｏｌ・ｃｍ）以下がより好ましく、３０００Ｌ／（ｍｏｌ・ｃｍ）以下がさらに好ましい。下限は特に制限されず、０Ｌ／（ｍｏｌ・ｃｍ）が好ましいが、３０Ｌ／（ｍｏｌ・ｃｍ）以上の場合が多い。
組成物層中における重合開始剤の含有量は特に制限されないが、組成物層の全質量に対して、０．０１～２０質量％が好ましく、０．５～１０質量％がより好ましい。

組成物層は、光増感剤を含んでいてもよい。
光増感剤の種類は特に制限されず、公知の光増感剤が挙げられる。
なお、光増感剤の工程３Ａにおける光照射の波長におけるモル吸光係数は、所定の光学異方性層が形成されやすい点で、５０００Ｌ／（ｍｏｌ・ｃｍ）以下が好ましく、４８００Ｌ／（ｍｏｌ・ｃｍ）以下がより好ましく、４５００Ｌ／（ｍｏｌ・ｃｍ）以下がさらに好ましい。下限は特に制限されず、０Ｌ／（ｍｏｌ・ｃｍ）が好ましいが、３０Ｌ／（ｍｏｌ・ｃｍ）以上の場合が多い。
組成物層中における光増感剤の含有量は特に制限されないが、組成物層の全質量に対して、０．０１～２０質量％が好ましく、０．５～１０質量％がより好ましい。

組成物層は、重合性基を有する液晶化合物とは異なる重合性モノマーを含んでいてもよい。重合性モノマーとしては、ラジカル重合性化合物、および、カチオン重合性化合物が挙げられ、多官能性ラジカル重合性モノマーが好ましい。重合性モノマーとしては、例えば、特開２００２－２９６４２３号公報中の段落００１８～００２０に記載の重合性モノマーが挙げられる。
組成物層中の重合性モノマーの含有量は特に制限されないが、液晶化合物全質量に対して、１～５０質量％が好ましく、５～３０質量％がより好ましい。

組成物層は、界面活性剤を含んでいてもよい。界面活性剤としては、従来公知の化合物が挙げられるが、フッ素系化合物が好ましい。具体的には、例えば、特開２００１－３３０７２５号公報中の段落００２８～００５６に記載の化合物、および、特願２００３－２９５２１２号公報中の段落００６９～０１２６に記載の化合物が挙げられる。

組成物層は、ポリマーを含んでいてもよい。ポリマーとしては、セルロースエステルが挙げられる。セルロースエステルとしては、特開２０００－１５５２１６号公報中の段落０１７８に記載のものが挙げられる。
組成物層中のポリマーの含有量は特に制限されないが、液晶化合物全質量に対して、０．１～１０質量％が好ましく、０．１～８質量％がより好ましい。

組成物層は、上記以外にも、液晶化合物を水平配向状態または垂直配向状態とするために、水平配向または垂直配向を促進する添加剤（配向制御剤）を含んでいてもよい。

（基板）
後述するように、組成物層を形成する際には、基板上に組成物層を形成することが好ましい。
基板は、組成物層を支持する板である。
基板としては、透明基板が好ましい。なお、透明基板とは、可視光の透過率が６０％以上である基板を意図し、その透過率は８０％以上が好ましく、９０％以上がより好ましい。

基板の波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレタデーション値（Ｒｔｈ（５５０））は特に制限されないが、－１１０～１１０ｎｍが好ましく、－８０～８０ｎｍがより好ましい。
基板の波長５５０ｎｍにおける面内のレタデーション値（Ｒｅ（５５０））は特に制限されないが、０～５０ｎｍが好ましく、０～３０ｎｍがより好ましく、０～１０ｎｍがさらに好ましい。

基板を形成する材料としては、光学性能透明性、機械的強度、熱安定性、水分遮蔽性、および、等方性などに優れるポリマーが好ましい。
基板として用いることのできるポリマーフィルムとしては、例えば、セルロースアシレートフィルム（例えば、セルローストリアセテートフィルム（屈折率１．４８）、セルロースジアセテートフィルム、セルロースアセテートブチレートフィルム、セルロースアセテートプロピオネートフィルム）、ポリエチレンおよびポリプロピレンなどのポリオレフィンフィルム、ポリエチレンテレフタレートおよびポリエチレンナフタレートなどのポリエステルフィルム、ポリエーテルスルホンフィルム、ポリメチルメタクリレートなどのポリアクリルフィルム、ポリウレタンフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリスルホンフィルム、ポリエーテルフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリエーテルケトンフィルム、（メタ）アクリルニトリルフィルム、並びに、脂環式構造を有するポリマーのフィルム（ノルボルネン系樹脂（アートン：商品名、ＪＳＲ社製、非晶質ポリオレフィン（ゼオネックス：商品名、日本ゼオン社製）））が挙げられる。
なかでも、ポリマーフィルムの材料としては、トリアセチルセルロース、ポリエチレンテレフタレート、または、脂環式構造を有するポリマーが好ましく、トリアセチルセルロースがより好ましい。

基板には、種々の添加剤（例えば、光学的異方性調整剤、波長分散調整剤、微粒子、可塑剤、紫外線防止剤、劣化防止剤、剥離剤、など）が含まれていてもよい。

基板の厚みは特に制限されないが、１０～２００μｍが好ましく、１０～１００μｍがより好ましく、２０～９０μｍがさらに好ましい。また、基板は複数枚の積層からなっていてもよい。基板はその上に設けられる層との接着を改善するため、基板の表面に表面処理（例えば、グロー放電処理、コロナ放電処理、紫外線（ＵＶ）処理、火炎処理）を実施してもよい。
また、基板の上に、接着層（下塗り層）を設けてもよい。
また、基板には、搬送工程でのすべり性を付与したり、巻き取った後の裏面と表面の貼り付きを防止したりするために、平均粒径が１０～１００ｎｍ程度の無機粒子を固形分質量比で５～４０質量％混合したポリマー層を基板の片側に配置してもよい。

基板は、いわゆる仮支持体であってもよい。つまり、本発明の製造方法を実施した後、基板を光学異方性層から剥離してもよい。

また、基板の表面に直接ラビング処理を施してもよい。つまり、ラビング処理が施された基板を用いてもよい。ラビング処理の方向は特に制限されず、液晶化合物を配向させたい方向に応じて、適宜、最適な方向が選択される。
ラビング処理は、ＬＣＤ（liquid crystal display）の液晶配向処理工程として広く採用されている処理方法を適用できる。即ち、基板の表面を、紙、ガーゼ、フェルト、ゴム、ナイロン繊維、または、ポリエステル繊維などを用いて一定方向に擦ることにより、配向を得る方法を用いることができる。

基板上には、配向膜が配置されていてもよい。
配向膜は、有機化合物（好ましくはポリマー）のラビング処理、無機化合物の斜方蒸着、マイクログルーブを有する層の形成、または、ラングミュア・ブロジェット法（ＬＢ膜）による有機化合物（例、ω－トリコサン酸、ジオクタデシルメチルアンモニウムクロライド、ステアリル酸メチル）の累積のような手段で形成できる。
さらに、電場の付与、磁場の付与、または、光照射（好ましくは偏光）により、配向機能が生じる配向膜も知られている。
配向膜は、ポリマーのラビング処理により形成することが好ましい。

配向膜に含まれるポリマーとしては、例えば、特開平８－３３８９１３号公報中の段落００２２に記載のメタクリレート系共重合体、スチレン系共重合体、ポリオレフィン、ポリビニルアルコールおよび変性ポリビニルアルコール、ポリ（Ｎ－メチロールアクリルアミド）、ポリエステル、ポリイミド、酢酸ビニル共重合体、カルボキシメチルセルロース、並びに、ポリカーボネートが挙げられる。また、シランカップリング剤をポリマーとして用いることもできる。
なかでも、水溶性ポリマー（例、ポリ（Ｎ－メチロールアクリルアミド）、カルボキシメチルセルロース、ゼラチン、ポリビニルアルコール、変性ポリビニルアルコール）が好ましく、ゼラチン、ポリビニルアルコールまたは変性ポリビニルアルコールがより好ましく、ポリビニルアルコールまたは変性ポリビニルアルコールがさらに好ましい。

上述したように、配向膜は、配向膜形成材料である上記ポリマーおよび任意の添加剤（例えば、架橋剤）を含む溶液を基板上に塗布した後、加熱乾燥（架橋させ）し、ラビング処理することにより形成できる。

（工程１Ａの手順）
工程１Ａでは、上述した成分を含む組成物層を形成するが、その手順は特に制限されない。例えば、上述したキラル剤および重合性基を有する液晶化合物を含む組成物を基板上に塗布して、必要に応じて乾燥処理を施す方法（以下、単に「塗布方法」ともいう。）、および、別途組成物層を形成して基板上に転写する方法が挙げられる。なかでも、生産性の点からは、塗布方法が好ましい。
以下、塗布方法について詳述する。

塗布方法で使用される組成物には、上述したキラル剤、重合性基を有する液晶化合物、および、その他必要に応じて用いられる他の成分（例えば、重合開始剤、重合性モノマー、界面活性剤、および、ポリマーなど）が含まれる。
組成物中の各成分の含有量は、上述した組成物層中の各成分の含有量となるように調整されることが好ましい。

塗布方法は特に制限されず、例えば、ワイヤーバーコーティング法、押し出しコーティング法、ダイレクトグラビアコーティング法、リバースグラビアコーティング法、および、ダイコーティング法が挙げられる。
なお、必要に応じて、組成物の塗布後に、基板上に塗布された塗膜を乾燥する処理を実施してもよい。乾燥処理を実施することにより、塗膜から溶媒を除去できる。

塗膜の膜厚は特に制限されないが、０．１～２０μｍが好ましく、０．２～１５μｍがより好ましく、０．５～１０μｍがさらに好ましい。

＜工程２Ａ＞
工程２Ａは、組成物層に加熱処理を施して、組成物層中の液晶化合物を配向させる工程である。本工程を実施することにより、組成物層中の液晶化合物が所定の配向状態となる。
加熱処理の条件としては、使用される液晶化合物に応じて最適な条件が選択される。
なかでも、加熱温度としては、２５～２５０℃の場合が多く、４０～１５０℃の場合がより多く、５０～１３０℃の場合がさらに多い。
加熱時間としては、０．１～６０分間の場合が多く、０．２～５分間の場合がより多い。

工程２Ａによって得られる液晶化合物の配向状態は、上述したキラル剤の螺旋誘起力に応じて変わる。
例えば、後述するように、厚み方向に沿って延びる螺旋軸に沿って捩れ配向した液晶化合物の配向状態を固定してなる第１領域と、ホモジニアス配向した液晶化合物の配向状態を固定してなる第２領域とを、厚み方向に沿って有する光学異方性層を形成するためには、工程１Ａにより形成される組成物層中のキラル剤の加重平均螺旋誘起力の絶対値は、０．０～１．９μｍ^-1であることが好ましく、０．０～１．５μｍ^-1であることがより好ましく、０．０～１．０μｍ^-1であることがさらに好ましく、０．０～０．５μｍ^-1であることが特に好ましく、０．０～０．０２μｍ^-1であることがより特に好ましく、ゼロが最も好ましい。
組成物層中のキラル剤の加重平均螺旋誘起力の絶対値が上記範囲である場合、工程２Ａを実施すると、組成物中の液晶化合物は、ホモジニアス配向しているか、組成物層中の液晶化合物が厚み方向に沿って延びる螺旋軸に沿って捩れ配向している。

なお、キラル剤の加重平均螺旋誘起力とは、組成物中に２種以上のキラル剤が含まれる場合に、組成物層中に含まれる各キラル剤の螺旋誘起力と各キラル剤の組成物層中における濃度（質量％）との積を組成物層中におけるキラル剤の合計濃度（質量％）で除した値の合計値を表す。例えば、２種類のキラル剤（キラル剤Ｘおよびキラル剤Ｙ）を併用した場合、下記式（Ｂ）により表される。
式（Ｂ） 加重平均螺旋誘起力（μｍ^-1）＝（キラル剤Ｘの螺旋誘起力（μｍ^-1）×組成物層中におけるキラル剤Ｘの濃度（質量％）＋キラル剤Ｙの螺旋誘起力（μｍ^-1）×組成物層中におけるキラル剤Ｙの濃度（質量％））／（組成物層中におけるキラル剤Ｘの濃度（質量％）＋組成物層中におけるキラル剤Ｙの濃度（質量％））
ただし、上記式（Ｂ）において、キラル剤の螺旋方向が右巻きの場合、その螺旋誘起力は正の値とする。また、キラル剤の螺旋方向が左巻きの場合、その螺旋誘起力は負の値とする。つまり、例えば、螺旋誘起力が１０μｍ^-1のキラル剤の場合、上記キラル剤により誘起される螺旋の螺旋方向が右巻きであるときは、螺旋誘起力を１０μｍ^-1として表す。一方、上記キラル剤により誘起される螺旋の螺旋方向が左巻きであるときは、螺旋誘起力を－１０μｍ^-1として表す。

工程１Ａにより形成される組成物層中のキラル剤の加重平均螺旋誘起力の絶対値が０である場合には、図１に示すように、基板１０上に、液晶化合物ＬＣがホモジニアス配向した組成物層１２が形成される。なお、図１は、基板１０と組成物層１２との断面の概略図である。なお、図１に示す組成物層１２にはキラル剤Ａとキラル剤Ｂとが同濃度で存在しており、キラル剤Ａにより誘起される螺旋方向が左巻きであり、キラル剤Ｂにより誘起される螺旋方向が右巻きであるとする。また、キラル剤Ａの螺旋誘起力の絶対値と、キラル剤Ｂの螺旋誘起力の絶対値は同じとする。
本明細書において、ホモジニアス配向とは、液晶化合物の分子軸（例えば、棒状液晶化合物の場合には長軸が該当）が組成物層表面に対して水平に、かつ、同一方位に配列している状態（光学的一軸性）をいう。
ここで、水平とは、厳密に水平であることを要求するものでなく、組成物層内の液晶化合物の平均分子軸が組成物層の表面とのなす傾斜角が２０度未満の配向を意味するものとする。
また、同一方位とは、厳密に同一方位であることを要求するものでなく、面内の任意の２０か所の位置で遅相軸の方位を測定したとき、２０か所での遅相軸の方位のうちの遅相軸方位の最大差（２０個の遅相軸方位のうち、差が最大となる２つの遅相軸方位の差）が１０°未満であることを意味するものとする。

なお、図１においては液晶化合物ＬＣがホモジニアス配向した態様について述べたが、液晶化合物が所定の配向状態となっていればこの態様には制限されず、例えば、後段で詳述するように、組成物層の厚み方向に沿って延びる螺旋軸に沿って液晶化合物が捩れ配向した態様であってもよい。

＜工程３Ａ＞
工程３Ａは、工程２Ａの後、酸素濃度１体積％以上の条件下にて、組成物層に対して、光照射を５０秒間以下、かつ、３００ｍＪ／ｃｍ²以下で行う工程である。以下では、図面を用いて本工程の機構を説明する。なお、以下では図１に示した組成物層１２に対して工程３Ａを実施した例を代表例として説明する。
図２に示すように、工程３Ａでは酸素濃度１体積％以上の条件下にて、基板１０の組成物層１２側とは反対側の方向（図２中の白抜き矢印の方向）から光照射を行う。なお、図２では光照射は基板１０側から実施されているが、組成物層１２側から実施されてもよい。
その際、組成物層１２の基板１０側の下側領域１２Ａと、基板１０側とは反対側の上側領域１２Ｂとを比較すると、上側領域１２Ｂの表面のほうが空気側にあるため、上側領域１２Ｂ中の酸素濃度が高く、下側領域１２Ａ中の酸素濃度は低い。そのため、組成物層１２に対して光照射がなされると、下側領域１２Ａにおいては液晶化合物の重合が進行しやすく、液晶化合物の配向状態が固定される。なお、下側領域１２Ａにおいてもキラル剤Ａが存在しており、キラル剤Ａも感光し、螺旋誘起力が変化する。しかしながら、下側領域１２Ａでは液晶化合物の配向状態が固定されているため、後述する、光照射された組成物層に対して加熱処理を施す工程４Ａを実施しても、液晶化合物の配向状態の変化は生じない。
また、上側領域１２Ｂにおいては酸素濃度が高いため、光照射がなされても、液晶化合物の重合が酸素により阻害され、重合が進行しにくい。そして、上側領域１２Ｂにおいてもキラル剤Ａが存在しているため、キラル剤Ａが感光し、螺旋誘起力が変化する。そのため、後述する工程４Ａを実施すると、変化した螺旋誘起力に沿って液晶化合物の配向状態が変化する。
つまり、工程３Ａを実施することにより、組成物層の基板側の領域（下側領域）においては液晶化合物の配向状態の固定化が進行しやすい。また、組成物層の基板側と反対側の領域（上側領域）においては、液晶化合物の配向状態の固定化は進行しづらく、かつ、感光したキラル剤Ａに応じて螺旋誘起力が変化した状態となる。

工程３Ａは、酸素濃度１体積％以上の条件下にて実施される。なかでも、光学異方性層中において液晶化合物の配向状態が異なる領域が形成しやすい点で、酸素濃度は２体積％以上が好ましく、５体積％以上がより好ましい。上限は特に制限されないが、１００体積％が挙げられる。

工程３Ａにおける光照射の時間は、５０秒間以下であり、所定の光学異方性層が形成されやすい点および生産性の点から、３０秒間以下が好ましく、１０秒間以下がより好ましい。下限は特に制限されないが、液晶化合物の硬化の点から、０．１秒間以上が好ましく、０．２秒間以上がより好ましい。
工程３Ａにおける光照射の照射量は、３００ｍＪ／ｃｍ²以下であり、所定の光学異方性層が形成されやすい点および生産性の点から、２５０ｍＪ／ｃｍ²以下が好ましく、２００ｍＪ／ｃｍ²以下がより好ましい。下限は特に制限されないが、液晶化合物の硬化の点から、１ｍＪ／ｃｍ²以上が好ましく、５ｍＪ／ｃｍ²以上がより好ましい。
光照射の時間および照射量が上記要件を満たさない場合、所定の光学異方性層が形成できない。
なお、第１実施態様における工程３Ａでの光照射は、１５～７０℃（好ましくは、２５～５０℃）にて実施されることが好ましい。

光照射に使用される光は、キラル剤Ａが感光する光であればよい。つまり、光照射に使用される光は、キラル剤Ａの螺旋誘起力を変化させる活性光線または放射線であれば特に制限されず、例えば、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線、Ｘ線、紫外線、および、電子線が挙げられる。なかでも、紫外線が好ましい。

＜工程４Ａ＞
工程４Ａは、工程３Ａの後、組成物層に、光照射時より高い温度で加熱処理を施す工程である。本工程を実施することにより、光照射が施された組成物層中のキラル剤Ａの螺旋誘起力が変化した領域において、液晶化合物の配向状態が変化する。より具体的には、本工程は、工程３Ａの後の組成物層に対して、照射時より高い温度で加熱処理を施して、工程３Ａで固定されていない組成物層中の液晶化合物を配向させる工程である。
以下では、図面を用いて本工程の機構を説明する。

上述したように、図１に示した組成物層１２に対して工程３Ａを実施すると、下側領域１２Ａにおいては液晶化合物の配向状態が固定されるのに対して、上側領域１２Ｂでは液晶化合物の重合は進行しづらく、液晶化合物の配向状態が固定されていない。また、上側領域１２Ｂにおいてはキラル剤Ａの螺旋誘起力が変化している。このようなキラル剤Ａの螺旋誘起力の変化が生じると、光照射前の状態と比較すると、上側領域１２Ｂにおいて液晶化合物を捩じる力が変化している。この点をより詳細に説明する。
上述したように、図１に示す組成物層１２にはキラル剤Ａとキラル剤Ｂとが同濃度で存在しており、キラル剤Ａにより誘起される螺旋方向が左巻きであり、キラル剤Ｂにより誘起される螺旋方向が右巻きである。また、キラル剤Ａの螺旋誘起力の絶対値と、キラル剤Ｂの螺旋誘起力の絶対値は同じである。よって、光照射を行う前の組成物層中のキラル剤の加重平均螺旋誘起力は０である。
上記の態様を図４に示す。図４においては、縦軸が「キラル剤の螺旋誘起力（μｍ^-1）×キラル剤の濃度（質量％）」を表し、その値がゼロから離れるほど、螺旋誘起力が大きくなる。まず、光照射を行う前の組成物層中のキラル剤Ａとキラル剤Ｂとの関係は、光照射量が０の時点に該当し、「キラル剤Ａの螺旋誘起力（μｍ^-1）×キラル剤Ａの濃度（質量％）」の絶対値と、「キラル剤Ｂの螺旋誘起力（μｍ^-1）×キラル剤Ｂの濃度（質量％）」の絶対値とが等しい状態に該当する。つまり、左巻きを誘起するキラル剤Ａと右巻きを誘起するキラル剤Ｂとの両者の螺旋誘起力は相殺されている。
このような状態の上側領域１２Ｂにおいて光照射が行われ、図４に示すように、光照射量によってキラル剤Ａの螺旋誘起力が減少する場合、図５に示すように、上側領域１２Ｂにおけるキラル剤の加重平均螺旋誘起力は大きくなり、右巻きの螺旋誘起力が強くなる。つまり、液晶化合物の螺旋を誘起する螺旋誘起力は、照射量が大きいほど、キラル剤Ｂが誘起する螺旋の方向（＋）に螺旋誘起力が大きくなる。
そのため、このような加重平均螺旋誘起力の変化が生じている工程３Ａ後の組成物層１２に対して、加熱処理を施して液晶化合物の再配向を促すと、図３に示すように、上側領域１２Ｂにおいては、組成物層１２の厚み方向に沿って延びる螺旋軸に沿って液晶化合物ＬＣが捩れ配向する。
一方で、上述したように、組成物層１２の下側領域１２Ａにおいては工程３Ａの際に液晶化合物の重合が進行して液晶化合物の配向状態が固定されているため、液晶化合物の再配向は進行しない。
上記のように、工程４Ａを実施することにより、組成物層の厚み方向に沿って、液晶化合物の配向状態が異なる領域が複数形成される。

なお、上記図４および５においては、キラル剤Ａとして光照射により螺旋誘起力が減少するキラル剤を用いた態様について説明したが、この態様には制限されない。例えば、キラル剤Ａとして光照射により螺旋誘起力が増加するキラル剤を用いてもよい。その場合、光照射によりキラル剤Ａの誘起する螺旋誘起力が大きくなり、キラル剤Ａの誘起する旋回方向に液晶化合物が捩れ配向することになる。
また、上記図４および５においては、キラル剤Ａとキラル剤Ｂとを併用する態様について説明したが、この態様には制限されない。例えば、２種のキラル剤Ａを用いる態様であってもよい。具体的には、左巻きを誘起するキラル剤Ａ１と、右巻きを誘起するキラル剤Ａ２とを併用する態様であってもよい。キラル剤Ａ１およびＡ２は、それぞれ独立に、螺旋誘起力が増加するキラル剤であってもよいし、螺旋誘起力が減少するキラル剤であってもよい。例えば、左巻きを誘起するキラル剤であって、光照射により螺旋誘起力が増加するキラル剤と、右巻きを誘起するキラル剤であって、光照射により螺旋誘起力が減少するキラル剤とを併用してもよい。

加熱処理は、光照射時より高い温度で実施する。
加熱処理の温度と、光照射時の温度との差は、５℃以上が好ましく、１０～１１０℃がより好ましく、２０～１１０℃がより好ましい。

加熱処理の温度は、光照射時の温度より高く、組成物層中の固定されていない液晶化合物を配向させる温度であることが好ましく、より具体的には、３５～２５０℃の場合が多く、５０～１５０℃の場合がより多く、５０℃超１５０℃以下の場合がさらに多く、６０～１３０℃の場合が特に多い。
加熱時間としては、０．０１～６０分間の場合が多く、０．０３～５分間の場合がより多い。

また、光照射後の組成物層中のキラル剤の加重平均螺旋誘起力の絶対値は特に制限されないが、光照射後の組成物層中のキラル剤の加重平均螺旋誘起力と光照射前の加重平均螺旋誘起力との差の絶対値が、０．０５μｍ^-1以上が好ましく、０．０５～１０．０μｍ^-1がより好ましく、０．１～１０．０μｍ^-1がさらに好ましい。

＜工程５Ａ＞
工程５Ａは、工程４Ａの後、組成物層に対して硬化処理を施して、液晶化合物の配向状態が異なる領域を厚み方向に沿って複数有する光学異方性層を形成する工程である。本工程を実施することにより、組成物層中の液晶化合物の配向状態が固定され、結果として所定の光学異方性層が形成される。なお、例えば、上述した図３に示す組成物層１２に対して硬化処理が施された場合には、厚み方向に沿って延びる螺旋軸に沿って捩れ配向した液晶化合物の配向状態を固定してなる第１領域と、ホモジニアス配向した液晶化合物の配向状態を固定してなる第２領域とを、厚み方向に沿って有する光学異方性層が形成される。

硬化処理の方法は特に制限されず、光硬化処理および熱硬化処理が挙げられる。なかでも、光照射処理が好ましく、紫外線照射処理がより好ましい。
紫外線照射には、紫外線ランプなどの光源が利用される。
光（例えば、紫外線）の照射量は特に制限されないが、一般的には、１００～８００ｍＪ／ｃｍ²程度が好ましい。
光照射の際の雰囲気は特に制限されず、光照射は空気下で実施されてもよいし、光照射は不活性雰囲気下で実施されてもよい。特に、光照射は、酸素濃度１体積％未満で実施されることが好ましい。

硬化処理として光硬化処理を実施した場合、光硬化時の温度条件は特に制限されず、工程４Ａの液晶化合物の配向状態が保持される温度であればよく、工程４Ａの加熱処理の温度と光硬化処理の際の温度との差は、１００℃以内が好ましく、８０℃以内がより好ましい。
なお、工程４Ａの加熱処理の温度と光硬化処理の際の温度とは同じであるか、または、光硬化処理の際の温度のほうがより低い温度であることが好ましい。

硬化処理を実施して得られる光学異方性層では、液晶化合物の配向状態が固定されている。
なお、本明細書において、「固定した」状態は、液晶化合物の配向が保持された状態が最も典型的、且つ、好ましい態様である。それだけには制限されず、具体的には、通常０～５０℃、より過酷な条件下では－３０～７０℃の温度範囲において、層に流動性が無く、また、外場もしくは外力によって配向形態に変化を生じさせることなく、固定された配向形態を安定に保ち続けることができる状態であることがより好ましい。
なお、光学異方性層においては、最終的に層中の組成物がもはや液晶性を示す必要はない。

光学異方性層の厚みは特に制限されないが、０．０５～１０μｍが好ましく、０．１～８．０μｍがより好ましく、０．２～６．０μｍがさらに好ましい。

上述した図３に示す態様においては、厚み方向に沿って延びる螺旋軸に沿って右回りに捩れ配向した液晶化合物の配向状態を固定してなる第１領域と、ホモジニアス配向した液晶化合物の配向状態を固定してなる第２領域とを、厚み方向に沿って有する光学異方性層が作製されるが、本発明は上記態様に制限されない。
例えば、液晶化合物の捩れ配向は、左捩じれであってもよい。つまり、液晶化合物の捩れ配向の向きは左捩じれ（反時計回りの捩れ）であっても、右捩れ（時計回りの捩れ）であってもよい。
また、上記第２領域における液晶化合物の配向状態としては、ホモジニアス配向以外の配向であってもよく、液晶化合物が棒状液晶化合物である場合、その配向状態としては、例えば、ネマチック配向（ネマチック相を形成している状態）、スメクチック配向（スメクチック相を形成している状態）、コレステリック配向（コレステリック相を形成している状態）、および、ハイブリッド配向が挙げられる。液晶化合物がディスコティック液晶化合物である場合、その配向状態としては、ネマチック配向、カラムナー配向（カラムナー相を形成している状態）、および、コレステリック配向が挙げられる。
なお、液晶化合物の配向状態の特定方法としては、公知の方法が挙げられる。例えば、光学異方性層の断面を偏光顕微鏡にて観察して、液晶化合物の配向状態を特定する方法が挙げられる。

また、図３に示す態様においては、光学異方性層は２つの液晶化合物の配向状態の異なる領域を有していたが、本発明は上記態様に制限されず、光学異方性層は、液晶化合物の配向状態が異なる領域を３つ以上有していてもよい。
光学異方性層が２つの液晶化合物の配向状態の異なる領域を有する場合、２つの領域のうちの厚みの薄い領域の厚みに対する、２つ領域のうちの厚みの厚い領域の厚みの比は特に制限されないが、１超９以下が好ましく、１超４以下がより好ましい。
なお、２つの領域の厚みが同じ場合は、上記比は１となる。

また、第１実施態様における光学異方性層は、厚み方向に沿って延びる螺旋軸に沿って捩れ配向した液晶化合物の配向状態を固定してなる第１領域と、厚み方向に沿って延びる螺旋軸に沿って第１領域とは異なる捩れ角度で、捩れ配向した液晶化合物の配向状態を固定してなる第２領域とを、厚み方向に沿って有する光学異方性層であってもよい。
上記のような、液晶化合物の捩れ角の角度が異なる領域を形成する方法としては、例えば、上述した工程１Ａにより形成される組成物層中のキラル剤の加重平均螺旋誘起力の絶対値を大きく（例えば、０μｍ^-1超）する方法が挙げられる。工程１Ａにより形成される組成物層中のキラル剤の加重平均螺旋誘起力の絶対値が大きい場合、まず、図６に示すように、工程２が実施された組成物層１２０中において、厚み方向に沿って延びる螺旋軸に沿って液晶化合物が捩れ配向している。このような組成物層に対して、上述した工程を実施すると、酸素濃度が低い組成物層中の領域（図７中の下側領域１２０Ａ）においては液晶化合物の捩れ配向がそのまま固定されるのに対して、酸素濃度が高い組成物層中の領域（図７中の上側領域１２０Ｂ）において螺旋誘起力が変化して、工程５Ａを実施した後に、結果として、液晶化合物の捩れ角の角度が異なる領域を形成することができる。

第１実施態様における光学異方性層中の光学特性は特に制限されず、用途に応じて最適な値が選択される。以下、一例として、上述した手順によって作製される、厚み方向に沿って延びる螺旋軸に沿って捩れ配向した液晶化合物の配向状態を固定してなる第１領域と、ホモジニアス配向した液晶化合物の配向状態を固定してなる第２領域とを、厚み方向に沿って有する光学異方性層の場合について詳述する。
上記光学異方性層の第１領域の厚みをｄ１、波長５５０ｎｍで測定した第１領域の屈折率異方性をΔｎ１とした場合、光学異方性層を円偏光板に好適に適用できる点で、第１領域は以下の式（１Ａ－１）を満たすことが好ましい。
式（１Ａ－１） １００ｎｍ≦Δｎ１ｄ１≦２４０ｎｍ
なかでも、式（１Ａ－２）を満たすことがより好ましく、式（１Ａ－３）を満たすことがさらに好ましい。
式（１Ａ－２） １２０ｎｍ≦Δｎ１ｄ１≦２２０ｎｍ
式（１Ａ－３） １４０ｎｍ≦Δｎ１ｄ１≦２００ｎｍ

第１領域における液晶化合物の捩れ角の絶対値は特に制限されないが、光学異方性層を円偏光板に好適に適用できる点で、５０～１１０°が好ましく、６０～１００°がより好ましい。
なお、まず、液晶化合物が捩れ配向するとは、第１領域の厚み方向を軸として、第１領域の一方の表面（図３中の基板１０側の表面）から他方の表面（図３中の基板１０側とは反対側の表面）までの液晶化合物が捩れることを意図する。よって、上記捩れ角は、第１領域の一方の表面における液晶化合物の分子軸（棒状液晶化合物の場合には長軸）と、第１領域の他方の表面における液晶化合物の分子軸とのなす角度を意味する。
捩れ角の測定方法は、Ａｘｏｍｅｔｒｉｃｓ社のＡｘｏｓｃａｎを用い同社の装置解析ソフトウェアを用いて測定する。

また、上記光学異方性層の第２領域の厚みをｄ２、波長５５０ｎｍで測定した第２領域の屈折率異方性をΔｎ２とした場合、光学異方性層を円偏光板に好適に適用できる点で、第２領域は以下の式（２Ａ－１）を満たすことが好ましい。
式（２Ａ－１） １００ｎｍ≦Δｎ２ｄ２≦２４０ｎｍ
なかでも、式（２Ａ－２）を満たすことがより好ましく、式（２Ａ－３）を満たすことがさらに好ましい。
式（２Ａ－２） １２０ｎｍ≦Δｎ２ｄ２≦２２０ｎｍ
式（２Ａ－３） １４０ｎｍ≦Δｎ２ｄ２≦２００ｎｍ

第２領域は、ホモジニアス配向した液晶化合物の配向状態を固定してなる領域である。ホモジニアス配向の定義は、上述した通りである。

なお、Δｎ１ｄ１とΔｎ２ｄ２との差は特に制限されないが、光学異方性層を円偏光板に好適に適用できる点で、－５０～５０ｎｍが好ましく、－３０～３０ｎｍがより好ましい。

また、第１実施態様における光学異方性層中の厚み方向に沿って延びる螺旋軸に沿って捩れ配向した液晶化合物の配向状態を固定してなる領域が２つ含まれ、一方の領域を領域Ａおよび他方の領域を領域Ｂとする場合、領域Ａの厚みをｄＡ、波長５５０ｎｍで測定した領域Ａの屈折率異方性層をΔＡとした場合、領域Ａは、光学異方性層を円偏光板に好適に適用できる点で、以下の式（３Ａ－１）を満たすことが好ましい。
式（３Ａ－１） ２０５ｎｍ≦ΔｎＡｄＡ≦３４５ｎｍ
なかでも、式（３Ａ－２）を満たすことがより好ましく、式（３Ａ－３）を満たすことがさらに好ましい。
式（３Ａ－２） ２２５ｎｍ≦ΔｎＡｄＡ≦３２５ｎｍ
式（３Ａ－３） ２４５ｎｍ≦ΔｎＡｄＡ≦３０５ｎｍ

領域Ａにおける液晶化合物の捩れ角の絶対値は特に制限されないが、光学異方性層を円偏光板に好適に適用できる点で、０°超６０°以下が好ましく、１０～５０°がより好ましい。

領域Ｂの厚みをｄ２、波長５５０ｎｍで測定した領域Ｂの屈折率異方性をΔｎＢとした場合、光学異方性層を円偏光板に好適に適用できる点で、領域Ｂは以下の式（４Ａ－１）を満たすことが好ましい。
式（４Ａ－１） ７０ｎｍ≦ΔｎＢｄＢ≦２１０ｎｍ
なかでも、式（４Ａ－２）を満たすことがより好ましく、式（４Ａ－３）を満たすことがさらに好ましい。
式（４Ａ－２） ９０ｎｍ≦ΔｎＢｄＢ≦１９０ｎｍ
式（４Ａ－３） １１０ｎｍ≦ΔｎＢｄＢ≦１７０ｎｍ

領域Ｂにおける液晶化合物の捩れ角の絶対値は特に制限されないが、光学異方性層を円偏光板に好適に適用できる点で、５０～１１０°が好ましく、６０～１００°がより好ましい。

また、上記態様のように、本発明の光学異方性層の製造方法の第１実施態様にて形成される光学異方性層が厚み方向に沿って液晶化合物の配向状態が異なる領域を２つ有する場合（以下、２つの領域を領域Ｘおよび領域Ｙという。）、領域Ｘの領域Ｙ側の表面での遅相軸と、領域Ｙの領域Ｘ側の表面での遅相軸とは平行となる場合が多い。

第１実施態様における光学異方性層中の光学特性に関しては上述した態様に制限されず、例えば、光学異方性層が厚み方向に沿って液晶化合物の配向状態が異なる領域を２つ有する場合、２つの領域がそれぞれ特許第５９６０７４３号に記載の第１光学異方性層および第２光学異方性層の光学特性（液晶化合物の捩れ角、Δｎｄ、ＲｅＢ、遅相軸の関係）を満たすことが好ましい。
また、他の態様として、光学異方性層が厚み方向に２つの領域を有する場合、２つの領域が特許第５７５３９２２号に記載の第１光学異方性層および第２光学異方性層の光学特性（液晶化合物の捩れ角、Δｎ１ｄ１、Δｎ２ｄ２、遅相軸の関係）を満たすことが好ましい。

第１実施態様における光学異方性層は、逆波長分散性を示すことが好ましい。
つまり、光学異方性層の波長４５０ｎｍで測定した面内レタデーションであるＲｅ（４５０）と、光学異方性層の波長５５０ｎｍで測定した面内レタデーションであるＲｅ（５５０）と、光学異方性層の波長６５０ｎｍで測定した面内レタデーションのであるＲｅ（６５０）とは、Ｒｅ（４５０）≦Ｒｅ（５５０）≦Ｒｅ（６５０）の関係にあることが好ましい。

第１実施態様における光学異方性層の光学特性は特に制限されないが、λ／４板として機能することが好ましい。
λ／４板は、ある特定の波長の直線偏光を円偏光に（または、円偏光を直線偏光に）変換する機能を有する板であり、特定の波長λｎｍにおける面内レタデーションＲｅ（λ）がＲｅ（λ）＝λ／４を満たす板（光学異方性層）のことをいう。
この式は、可視光域のいずれかの波長（例えば、５５０ｎｍ）において達成されていればよいが、波長５５０ｎｍにおける面内レタデーションＲｅ（５５０）が、１１０ｎｍ≦Ｒｅ（５５０）≦１８０ｎｍの関係を満たすことが好ましい。

＜＜第２実施態様＞＞
本発明の光学異方性層の製造方法の第２実施態様は、以下の工程１Ｂ～５Ｂを有する。後述するように、第２実施態様においては、コレステリック液晶相を固定してなる領域を有する光学異方性層が形成される。
工程１Ｂ：光照射により螺旋誘起力が変化する感光性キラル剤を少なくとも含むキラル剤、および、重合性基を有する液晶化合物を含む組成物層を形成する工程
工程２Ｂ：組成物層に加熱処理を施して、組成物層中の液晶化合物を配向させて、コレステリック液晶相を形成する工程
工程３Ｂ：工程２Ｂの後、酸素濃度１体積％以上の条件下にて、組成物層に対して、光照射を５０秒間以下、かつ、３００ｍＪ／ｃｍ²以下で行う工程
工程４Ｂ：工程３Ｂの後、組成物層に、光照射時より高い温度で加熱処理を施す工程
工程５Ｂ：工程４Ｂの後、組成物層に対して硬化処理を施して、液晶化合物の配向状態が異なる領域を厚み方向に沿って複数有する光学異方性層を形成する工程
後述するように、第２実施態様において、上記特性の光学異方性層を製造するためには、組成物層中におけるキラル剤の合計含有量（全てのキラル剤の総含有量）は、液晶化合物の全質量に対して、５．０質量％超であることが好ましい。
第１実施態様と、第２実施態様との違いは、主に、キラル剤の含有量の点が挙げられる。
以下、上記各工程の手順について詳述する。

＜工程１Ｂ＞
工程１Ｂは、光照射により螺旋誘起力が変化する感光性キラル剤を少なくとも含むキラル剤、および、重合性基を有する液晶化合物を含む組成物層を形成する工程である。本工程を実施することにより、後述する光照射処理が施される組成物層が形成される。
組成物層に含まれるキラル剤（キラル剤Ａおよびキラル剤Ｂ）および液晶化合物は、工程１Ａで説明した通りである。
また、組成物層には、上述した工程１Ａで説明したように、キラル剤および液晶化合物以外のその他の成分を含んでいてもよい。

工程１Ｂにおいて、後述する工程２Ｂにおいてコレステリック液晶相が形成されるように、組成物層中にキラル剤が含まれる。
第２実施態様において、組成物層中におけるキラル剤の合計含有量（全てのキラル剤の総含有量）は特に制限されないが、液晶化合物の配向状態を制御しやすい点で、液晶化合物の全質量に対して、５．０質量％超が好ましく、５．５質量％以上がより好ましく、６．０質量％以上がさらに好ましい。上限は特に制限されないが、２５質量％以下が好ましく、２０質量％以下がより好ましく、１５質量％以下がさらに好ましい。

キラル剤中におけるキラル剤Ａの含有量は特に制限されないが、液晶化合物の配向状態を制御しやすい点で、キラル剤の全質量に対して、５～９５質量％が好ましく、１０～９０質量％がより好ましい。

工程１Ｂにより形成される組成物層中のキラル剤の螺旋誘起力の絶対値は、１０μｍ^-1以上が好ましく、１５μｍ^-1以上がより好ましく、２０μｍ^-1以上がさらに好ましい。上限は特に制限されないが、２５０μｍ^-1以下の場合が多く、２００μｍ^-1以下の場合が多い。
また、組成物中に２種以上のキラル剤が含まれる場合、工程１Ｂにより形成される組成物層中のキラル剤の加重平均螺旋誘起力の絶対値は、上記範囲内であることが好ましい。
組成物層中のキラル剤の螺旋誘起力または螺旋誘起力の絶対値が上記範囲である場合、工程２Ｂによって、組成物中の液晶化合物がコレステリック配向している。
加重平均螺旋誘起力の定義は、上述した通りである。

工程１Ｂにおける組成物層の形成方法は、上述した工程１Ａにおける組成物層の形成方法と同様の形成方法が挙げられる。

＜工程２Ｂ＞
工程２Ｂは、組成物層に加熱処理を施して、組成物層中の液晶化合物を配向させて、コレステリック液晶相を形成する工程である。本工程を実施することにより、組成物層中の液晶化合物が所定の配向状態となる。
加熱処理の条件としては、使用される液晶化合物に応じて最適な条件が選択される。
なかでも、加熱温度としては、２５～２５０℃の場合が多く、４０～１５０℃の場合がより多く、５０～１３０℃の場合がさらに多い。
加熱時間としては、０．１～６０分間の場合が多く、０．２～５分間の場合がより多い。

＜工程３Ｂ＞
工程３Ｂは、工程２Ｂの後、酸素濃度１体積％以上の条件下にて、組成物層に対して、光照射を５０秒間以下、かつ、３００ｍＪ／ｃｍ²以下で行う工程である。以下では、図面を用いて本工程の機構を説明する。なお、図８に示す態様は、液晶化合物はコレステリック液晶相を形成している態様に該当する。
図８に示すように、工程３Ｂでは酸素濃度１体積％以上の条件下にて、基板１０の組成物層２２０側とは反対側の方向（図８中の白抜き矢印の方向）から光照射を行う。なお、図８では光照射は基板１０側から実施されているが、組成物層２２０側から実施されてもよい。
その際、組成物層２２０の基板１０側の下側領域２２０Ａと、基板１０側とは反対側の上側領域２２０Ｂとを比較すると、上側領域２２０Ｂの表面のほうが空気側にあるため、上側領域２２０Ｂ中の酸素濃度が高く、下側領域２２０Ａ中の酸素濃度は低い。そのため、組成物層２２０に対して光照射がなされると、下側領域２２０Ａにおいては液晶化合物の重合が進行しやすく、液晶化合物の配向状態が固定される。なお、下側領域２２０Ａにおいてもキラル剤Ａが存在しており、キラル剤Ａも感光し、螺旋誘起力が変化する。しかしながら、下側領域２２０Ａでは液晶化合物の配向状態が固定されているため、後述する、光照射された組成物層に対して加熱処理を施す工程４Ｂを実施しても、液晶化合物の配向状態の変化は生じない。
また、上側領域２２０Ｂにおいては酸素濃度が高いため、光照射がなされても、液晶化合物の重合が酸素により阻害され、重合が進行しにくい。そして、上側領域２２０Ｂにおいてもキラル剤Ａが存在しているため、キラル剤Ａが感光し、螺旋誘起力が変化する。そのため、後述する工程４Ｂを実施すると、変化した螺旋誘起力に沿って液晶化合物の配向状態が変化する。
つまり、工程３Ｂを実施することにより、組成物層の基板側の領域（下側領域）においては液晶化合物の配向状態の固定化が進行しやすい。また、組成物層の基板側と反対側の領域（上側領域）においては、液晶化合物の配向状態の固定化は進行しづらく、かつ、感光したキラル剤Ａに応じて螺旋誘起力が変化した状態となる。

工程３Ｂにおける光照射の各種条件（酸素濃度、照射時間、照射量など）は、上述した工程３Ａにおける光照射の各種条件と同じである。

＜工程４Ｂ＞
工程４Ｂは、工程３Ｂの後、組成物層に、光照射時より高い温度で加熱処理を施す工程である。本工程を実施することにより、光照射が施された組成物層中のキラル剤Ａの螺旋誘起力が変化した領域において、液晶化合物の配向状態が変化する。より具体的には、本工程は、工程３Ｂの後の組成物層に対して、照射時より高い温度で加熱処理を施して、工程３Ｂで固定されていない組成物層中の液晶化合物を配向させる工程である。
以下では、図面を用いて本工程の機構を説明する。

上述したように、図８に示した組成物層２２０に対して工程３Ｂを実施すると、下側領域２２０Ａにおいては液晶化合物の配向状態が固定されるのに対して、上側領域２２０Ｂでは液晶化合物の重合は進行しづらく、液晶化合物の配向状態が固定されていない。また、上側領域２２０Ｂにおいてはキラル剤Ａの螺旋誘起力が変化している。このようなキラル剤Ａの螺旋誘起力の変化が生じると、光照射前の状態と比較すると、上側領域２２０Ｂにおいて液晶化合物を捩じる力が変化している。この点をより詳細に説明する。
なお、以下の説明においては、組成物層２２０に、誘起される螺旋方向が左巻きであり、光照射によって螺旋誘起力が減少するキラル剤Ａが含まれる場合について詳述する。
このような状態の上側領域２２０Ｂにおいて光照射が行われ、図１０に示すように、光照射量によってキラル剤Ａの螺旋誘起力が減少する場合、上側領域２２０Ｂにおけるキラル剤の螺旋誘起力は小さくなる。
そのため、このような螺旋誘起力の変化が生じている工程３Ｂ後の組成物層２２０に対して、加熱処理を施して液晶化合物の再配向を促すと、図９に示すように、上側領域２２０Ｂにおいては、コレステリック液晶層の螺旋ピッチが大きくなる。
一方で、上述したように、組成物層２２０の下側領域２２０Ａにおいては工程３Ｂの際に液晶化合物の重合が進行して液晶化合物の配向状態が固定されているため、液晶化合物の再配向は進行しない。
上記のように、工程４Ｂを実施することにより、組成物層の厚み方向に沿って、螺旋ピッチが異なるコレステリック液晶相が複数形成される。

なお、上記図８および９においては、キラル剤Ａとして光照射により螺旋誘起力が減少するキラル剤を用いた態様について説明したが、この態様には制限されない。例えば、キラル剤Ａとして光照射により螺旋誘起力が増加するキラル剤を用いてもよい。
また、上記図８および９においては、キラル剤Ａとして誘起される螺旋方向が左巻きであるキラル剤を用いた態様について説明したが、この態様には制限されない。例えば、キラル剤Ａとして誘起される螺旋方向が右巻きであるキラル剤を用いてもよい。
また、上記図８および９においては、１種のキラル剤Ａのみを使用する態様について説明したが、この態様には制限されない。例えば、２種のキラル剤Ａを用いる態様であってもよいし、キラル剤Ａとキラル剤Ｂとを併用する態様であってもよい。

加熱処理は、光照射時より高い温度で実施する。
加熱処理の温度と、光照射時の温度との差は、５℃以上が好ましく、１０～１１０℃がより好ましく、２０～１１０℃がより好ましい。

加熱処理の温度は、光照射時の温度より高く、組成物層中の固定されていない液晶化合物を配向させる温度であることが好ましく、より具体的には、４０～２５０℃の場合が多く、５０～１５０℃の場合がより多く、５０℃超１５０℃以下の場合がさらに多く、６０～１３０℃の場合が特に多い。
加熱時間としては、０．０１～６０分間の場合が多く、０．０３～５分間の場合がより多い。

また、光照射後の組成物層中のキラル剤の螺旋誘起力の絶対値は特に制限されないが、光照射後の組成物層中のキラル剤の螺旋誘起力と光照射前の螺旋誘起力との差の絶対値が、０．０５μｍ^-1以上が好ましく、０．０５～１０．０μｍ^-1がより好ましく、０．１～１０．０μｍ^-1がさらに好ましい。
なお、組成物中に２種以上のキラル剤が含まれる場合、光照射後の組成物層中のキラル剤の加重平均螺旋誘起力と光照射前の加重平均螺旋誘起力との差の絶対値が、０．０５μｍ^-1以上が好ましく、０．０５～１０．０μｍ^-1がより好ましく、０．１～１０．０μｍ^-1がさらに好ましい。

＜工程５Ｂ＞
工程５Ｂは、工程４Ｂの後、組成物層に対して硬化処理を施して、液晶化合物の配向状態が異なる領域を厚み方向に沿って複数有する光学異方性層を形成する工程である。本工程を実施することにより、組成物層中の液晶化合物の配向状態が固定され、結果として所定の光学異方性層が形成される。なお、本工程を実施することにより、コレステリック液晶相を固定してなる光学異方性層であって、厚み方向に沿って、コレステリック液晶相の螺旋ピッチが異なる複数の領域を有する光学異方性層が形成される。形成される各領域中における螺旋ピッチの長さは、一定である場合が多い。つまり、本工程を実施することにより、コレステリック液晶相を固定してなる光学異方性層であって、厚み方向に沿って、コレステリック液晶相の螺旋ピッチが異なる複数の領域を有し、各領域における螺旋ピッチが一定である光学異方性層を形成できる。

工程５Ｂでの硬化処理の方法としては、工程５Ａでの硬化処理の方法が挙げられる。
光学異方性層の厚みは特に制限されないが、０．０５～１０μｍが好ましく、０．１～８．０μｍがより好ましく、０．２～６．０μｍがさらに好ましい。

上記方法によって形成される、コレステリック液晶相を固定してなる光学異方性層であって、厚み方向に沿って、コレステリック液晶相の螺旋ピッチが異なる複数の領域を有する光学異方性層において、各領域のコレステリック液晶相由来の選択反射中心波長は異なる。例えば、光学異方性層は、厚み方向に沿って、青色光を反射するコレステリック液晶相が固定されてなる領域と、緑色光を反射するコレステリック液晶相が固定されてなる領域とを有する光学異方性層であってもよいし、厚み方向に沿って、緑色光を反射するコレステリック液晶相が固定されてなる領域と、赤色光を反射するコレステリック液晶相が固定されてなる領域とを有する光学異方性層であってもよい。
なお、本明細書において、選択反射中心波長とは、対象となる物（部材）における透過率の極小値をＴ_min（％）とした場合、下記の式で表される半値透過率：Ｔ_１／２（％）を示す２つの波長の平均値のことを言う。
半値透過率を求める式： Ｔ_１／２＝１００－（１００－Ｔ_min）÷２
また可視光のうち、４２０ｎｍ以上５００ｎｍ未満の波長域の光は青色光（Ｂ光）であり、５００ｎｍ以上６００ｎｍ未満の波長域の光は緑色光（Ｇ光）であり、６００ｎｍ以上７００ｎｍ未満の波長域の光は赤色光（Ｒ光）である。

また、図９に示す態様においては、光学異方性層は２つの液晶化合物の配向状態の異なる領域を有していたが、本発明は上記態様に制限されず、光学異方性層は、液晶化合物の配向状態が異なる領域を３つ以上有していてもよい。上記のように、液晶化合物配向状態が異なる領域を３つ以上有する光学異方性層は、例えば、工程３Ｂの条件を変更して複数回実施することにより、形成できる。
上記のような光学異方性層としては、例えば、厚み方向に沿って、青色光を反射するコレステリック液晶相が固定されてなる領域と、緑色光を反射するコレステリック液晶相が固定されてなる領域と、赤色光を反射するコレステリック液晶相が固定されてなる領域とを有する光学異方性層が挙げられる。

＜＜第３実施態様＞＞
本発明の光学異方性層の製造方法の第３実施態様は、以下の工程１Ｃ～５Ｃを有する。後述するように、第３実施態様においては、液晶化合物の配向方向が層表面に対して傾斜または垂直に配向している液晶化合物の配向状態を固定してなる領域を有する光学異方性層が形成される。
工程１Ｃ：光照射により極性が変化する感光性化合物、および、重合性基を有する液晶化合物を含む組成物層を形成する工程
工程２Ｃ：組成物層に加熱処理を施して、組成物層中の液晶化合物を配向させる工程
工程３Ｃ：工程２Ｃの後、酸素濃度１体積％以上の条件下にて、組成物層に対して、光照射を５０秒間以下、かつ、３００ｍＪ／ｃｍ²以下で行う工程
工程４Ｃ：工程３Ｃの後、組成物層に、光照射時より高い温度で加熱処理を施す工程
工程５Ｃ：工程４Ｃの後、組成物層に対して硬化処理を施して、液晶化合物の配向状態が異なる領域を厚み方向に沿って複数有する光学異方性層を形成する工程
第３実施態様においては、後述するように、光照射により極性が変化する感光性化合物が使用されている。
以下、上記各工程の手順について詳述する。

＜工程１Ｃ＞
工程１Ｃは、光照射により極性が変化する感光性化合物、および、重合性基を有する液晶化合物を含む組成物層を形成する工程である。本工程を実施することにより、後述する光照射処理が施される組成物層が形成される。
組成物層に含まれる液晶化合物は、工程１Ａで説明した通りである。
また、組成物層には、上述した工程１Ａで説明したように、その他の成分を含んでいてもよい。

（光照射により極性が変化する感光性化合物）
工程１Ｃの組成物層は、光照射により極性が変化する感光性化合物（以下、「特定感光性化合物」ともいう。）を含む。
光照射により極性が変化する感光性化合物とは、光照射の前後で極性が変化する化合物である。後述するように、このような特定感光性化合物を含む組成物層に対して工程１Ｃの光照射を行うと、組成物層中の空気側の領域において特定化合物の極性が変化して、工程４Ｃを実施するとその極性の変化に伴って、液晶化合物の配向方向が層表面に対して傾斜または垂直となる。

特定感光性化合物の極性の変化は、親水化する変化でもよいし、疎水化する変化でもよい。なかでも、液晶化合物の配向方向が層表面に対して傾斜または垂直に配向している液晶化合物の配向状態を容易に形成できる点からは、親水化する変化が好ましい。
光照射により親水化する特定感光性化合物としては、光照射によって親水性基を生じる基を有する化合物が好ましい。親水性基の種類は特に制限されず、カチオン性基、アニオン性基、および、ノニオン性基のいずれであってもよく、より具体的には、カルボン酸基、スルホン酸基、ホスホン酸基、アミノ基、アンモニウム基、アミド基、チオール基、および、ヒドロキシ基が挙げられる。

特定感光性化合物は、フッ素原子またはケイ素原子を有することが好ましい。特定感光性化合物が上記原子を有する場合、組成物層の表面付近に特定感光性化合物が偏在しやすくなり、所望の光学異方性層が形成されやすくなる。

特定感光性化合物としては、式（Ｘ）で表される化合物が好ましい。

上記式（Ｘ）中、
Ｔは、ｎ＋ｍ価の芳香族炭化水素基を表し、
Ｓｐは、単結合または２価の連結基を表し、
Ｈｂは、炭素数が４～３０のフッ素置換アルキル基を表し、
ｍは、１～４の整数を表し、
ｎは、１～４の整数を表し、
Ａは、下記式（Ｙ）で表される基を表し、

上記式（Ｙ）中、
Ｒ₁～Ｒ₅は、それぞれ独立して、水素原子または１価の置換基を表し、
＊は、結合部位を表す。
なお、上記式（Ｘ）中、上記Ｓｐ、上記Ｈｂ、または上記Ａが各々複数個存在する場合、複数個存在するＳｐ同士、複数個存在するＨｂ同士、または複数個存在するＡ同士は、各々同一であっても異なっていてもよい。

上記式（Ｘ）中、Ｔは、ｎ＋ｍ価の芳香族炭化水素基を表す。
上記芳香族炭化水素基は、芳香族炭化水素環から水素原子をｎ＋ｍ個除いた基であれば特に制限されないが、炭素数が６～２２であることが好ましく、６～１４であることがより好ましく、６～１０であることがさらに好ましい。芳香族炭化水素基は、ベンゼン環であることが特に好ましい。
なお、上記芳香族炭化水素基は、－Ｓｐ－Ｈｂで表される基、および、－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－Ａで表される基以外にさらに置換基を有していてもよい。置換基としては、例えば、アルキル基（例えば、炭素数１～８のアルキル基）、アルコキシ基（例えば、炭素数１～８のアルコキシ基）、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、および、ヨウ素原子）、シアノ基、および、アシルオキシ基（例えば、アセトキシ基）が挙げられる。

上記式（Ｘ）中、Ｓｐは、単結合または２価の連結基を表し、２価の連結基であることが好ましい。
上記２価の連結基としては、特に制限されないが、直鎖もしくは分岐のアルキレン基（好ましくは炭素数１～２０、より好ましくは炭素数１～１０、さらに好ましくは炭素数１～６）、直鎖もしくは分岐のアルケニレン基（好ましくは炭素数２～２０、より好ましくは炭素数２～１０、さらに好ましくは炭素数２～６）、直鎖もしくは分岐のアルキニレン基（好ましくは炭素数２～２０、より好ましくは炭素数２～１０、さらに好ましくは炭素数２～６）、または、これらにおいて１つまたは２つ以上の－ＣＨ₂－が下記に示す「２価の有機基」で置換された基からなる群から選択される連結基であることが好ましい。
上記２価の連結基としては、なかでも、溶解性をより向上させる点から、１つまたは２つ以上の－ＣＨ₂－が下記に示す「２価の有機基」で置換された炭素数１～１０のアルキレン基が好ましい。
（２価の有機基）
上記２価の有機基としては、－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－、－ＯＣ（＝Ｏ）－、－Ｃ（＝Ｏ）Ｓ－、－ＳＣ（＝Ｏ）－、－ＮＲ₆Ｃ（＝Ｏ）－、または、－Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ₆－が挙げられる。上記の中でも、親水化がより進行する点から、－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－、－ＯＣ（＝Ｏ）－、－Ｃ（＝Ｏ）Ｓ－、またはＳＣ（＝Ｏ）－がより好ましく、－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－、またはＯＣ（＝Ｏ）－がさらに好ましく、－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－、またはＯＣ（＝Ｏ）－が特に好ましい。
また、上記Ｒ₆は、水素原子、または炭素数が１～６のアルキル基を表す。
なお、上記２価の連結基中に、上記２価の有機基が含まれる場合、上記２価の有機基同士が隣接しないことが好ましい。

上記式（Ｘ）中、Ｈｂは、炭素数が４～３０のフッ素置換アルキル基を表す。
Ｈｂは、炭素数４～２０であることが好ましく、炭素数４～１０であることがより好ましい。ここで、フッ素置換アルキル基は、水素原子が全てフッ素原子で置換されたパーフルオロアルキル基であってもよいし、水素原子の一部がフッ素原子で置換されているフルオロアルキル基であってもよい。また、フッ素置換アルキル基は、鎖状、分岐状および環状のいずれであってもよいが、鎖状または分岐状が好ましく、鎖状がより好ましい。
フッ素置換アルキル基としては、なかでも、パーフルオロアルキル基である構造が好ましい。

上記式（Ｘ）において、－Ｓｐ－Ｈｂで表される基の好適態様を以下に例示する。
なお、以下の例示において、＊はＴとの連結位置を示す。
（Ｃ_pＦ_2p+1）－（ＣＨ₂）_q－Ｏ－（ＣＨ₂）_r－Ｏ－＊
（Ｃ_pＦ_2p+1）－（ＣＨ₂）_q－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－（ＣＨ₂）_r－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－＊
（Ｃ_pＦ_2p+1）－（ＣＨ₂）_q－ＯＣ（＝Ｏ）－（ＣＨ₂）_r－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－＊
（Ｃ_pＦ_2p+1）－（ＣＨ₂）_q－ＯＣ（＝Ｏ）－（ＣＨ₂）_r－ＯＣ（＝Ｏ）－＊
上記の－Ｓｐ－Ｈｂで表される基において、ｐは４～３０であることが好ましく、４～２０であることがより好ましく、４～１０であることがさらに好ましい。ｑは０～６であることが好ましく、０～４であることがより好ましく、０～３であることがさらに好ましい。ｒは１～６であることが好ましく、１～４であることがより好ましく、１～３であることがさらに好ましい。
また、パーフルオロ基以外の部分の炭素数の合計は１０以下が好ましい。

上記式（Ｘ）中、ｎおよびｍは、それぞれ独立して、１～４の整数を表す。
親水化がより進行する点から、ｎは、２以上であることが好ましい。ｍは、１～３であることが好ましく、２であることがより好ましい。

上記式（Ｘ）中、Ａは、上記式（Ｙ）で表される基を表す。
以下、式（Ｙ）について説明する。

上記式（Ｙ）中、Ｒ₁～Ｒ₅は、それぞれ独立して、水素原子または１価の置換基を表す。Ｒ₁～Ｒ₅が表す１価の置換基は特に制限されない。

Ｒ₁～Ｒ₄が表す１価の置換基としては、例えば、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、および、ヨウ素原子）、水酸基、シアノ基、置換または無置換のアミノ基（－Ｎ（Ｒ_A）₂で表され、２つのＲ_Aはそれぞれ独立して水素原子または１価の有機基（１価の有機基としては、例えば、炭素数１～５のアルキル基）を表す。）、炭素数１～８のアルコキシ基（例えば、メトキシ基およびエトキシ基）、炭素数２～８のアミド基（例えば、－Ｎ（Ｒ_B）Ｃ（＝Ｏ）Ｒ_C（Ｒ_Bは水素原子または１価の有機基（１価の有機基としては、例えば、炭素数１～５のアルキル基）を表し、Ｒ_Cは１価の有機基（１価の有機基としては、例えば、炭素数１～５のアルキル基）を表す。）、または、－Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒ_D）₂（２つのＲ_Dはそれぞれ独立して水素原子または１価の有機基（例えば、炭素数１～５のアルキル基）を表す。））、炭素数２～８のアルコキシカルボニル基（例えば、－Ｃ（＝Ｏ）ＯＣＨ₃）、炭素数２～８のアシルオキシ基（例えば、－ＯＣ（＝Ｏ）ＣＨ₃）、および、－Ｓｐ_A－Ｈｂ_Aが挙げられる。

上記Ｓｐ_A、および上記Ｈｂ_Aは、上記式（Ｘ）のＳｐおよびＨｂと各々同義であり、その好ましい態様も同じである。なお、式（Ｙ）において、Ｒ₁～Ｒ₄のうち複数個が－Ｓｐ_A－Ｈｂ_Aを表す場合、複数個存在するＳｐ_A同士および複数個存在するＨｂ_A同士は、各々同一であっても異なっていてもよい。

なかでも、上記Ｒ₁～Ｒ₄としては、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、アルコキシ基、－ＮＨ₂、－ＮＨ（ＣＨ₃）、－Ｎ（ＣＨ₃）₂、－Ｃ（＝Ｏ）ＯＣＨ₃、－ＯＣ（＝Ｏ）ＣＨ₃、－ＮＨＣ（＝Ｏ）ＣＨ₃、－Ｎ（ＣＨ₃）Ｃ（＝Ｏ）ＣＨ₃、または、－Ｓｐ_A－Ｈｂ_Aが好ましい。
特に、露光による式（Ｘ）で表される化合物の分解速度をより速めて親水化がより進行する、および／または、配向性をより高める点から、上記Ｒ₁～Ｒ₄は、それぞれ独立して、－ＯＣＨ₃またはＳｐ_A－Ｈｂ_Aがより好ましい。－ＯＣＨ₃である場合には、その構造中にエーテル酸素を含む（特に、式（Ｙ）中のベンゼン環に結合する位置がエーテル酸素である）ため、露光による式（Ｘ）で表される化合物の分解速度がより速まり、親水化がより進行する傾向がある。一方、－Ｓｐ_A－Ｈｂ_Aである場合には、Ｈｂ_Aの存在によって配向性がより高まる傾向がある。なお、Ｓｐ_Aがその構造中にエーテル酸素を含む場合（特に、Ｓｐ_A中のＨｂ_Aと結合する側とは反対側の末端（言い換えると式（Ｙ）のベンゼン環と連結する側の末端）にエーテル酸素が含まれる場合）は、上記－ＯＣＨ₃と同様に、分解速度が速まる効果が得られる。

さらに、露光による式（Ｘ）で表される化合物の分解速度をより一層速めて親水化がより進行する点からは、上記Ｒ₁～Ｒ₄のうち少なくとも２つが、それぞれ独立して、－ＯＣＨ₃またはＳｐ_B－Ｈｂ_Bであることが好ましく、Ｒ₂およびＲ₃が、それぞれ独立して、－ＯＣＨ₃またはＳｐ_B－Ｈｂ_Bであることがより好ましい。
ここで、Ｓｐ_Bは、－ＣＨ₂－が－Ｏ－で置換された炭素数１～１０のアルキレン基を表す。なかでも、上述のとおり、Ｓｐ_B中のＨｂ_Bと結合する側とは反対側の末端（言い換えると式（Ｙ）のベンゼン環と連結する側の末端）にエーテル酸素が含まれる場合には、分解速度が速まる効果がより顕著に得られ、親水化がより進行する。なお、上記アルキレン基中の－ＣＨ₂－が複数の－Ｏ－で置換される場合、－Ｏ－同士は隣接しないことが好ましい。上記アルキレン基は、炭素数１～７であることがより好ましく、炭素数１～６であることがさらに好ましく、炭素数１～４であることが特に好ましい。また、アルキレン基は、直鎖および分岐のいずれであってもよいが、直鎖であることが好ましい。

上記Ｈｂ_Bは、炭素数が４～３０のフッ素置換アルキル基を表す。上記Ｈｂ_Bの好適態様については、上述した式（Ｘ）のＨｂと同様である。
なお、式（Ｙ）において、Ｒ₁～Ｒ₄のうち複数個が－Ｓｐ_B－Ｈｂ_Bを表す場合、複数個存在するＳｐ_B同士および複数個存在するＨｂ_B同士は、各々同一であっても異なっていてもよい。

なかでも、露光による式（Ｘ）で表される化合物の分解速度をより速めて親水化がより進行し、且つ、配向性をより高める点から、上記Ｒ₁～Ｒ₄のうち少なくとも２つが－Ｓｐ_B－Ｈｂ_Bであることが好ましく、Ｒ₂およびＲ₃のいずれもが－Ｓｐ_B－Ｈｂ_Bであることがより好ましい。特に、上記－Ｓｐ_B－Ｈｂ_Bとしては、下記式（Ｚ）で表される構造が好ましい。
式（Ｚ） （Ｃ_pＦ_2p+1）－（ＣＨ₂）_q－Ｏ－（ＣＨ₂）_r－Ｏ－＊
式（Ｚ）中、ｐは４～３０であることが好ましく、４～２０であることがより好ましく、４～１０であることがさらに好ましい。ｑは０～５であることが好ましく、０～４であることがより好ましく、０～３であることがさらに好ましい。ｒは１～５であることが好ましく、１～４であることがより好ましく、１～３であることがさらに好ましい。

上記式（Ｙ）において、Ｒ₅は、水素原子、メチル基、エチル基、または芳香族基であることが好ましい。
芳香族基としては、特に制限されないが、炭素数６～１４であることが好ましく、６～１０であることがより好ましく、フェニル基であることがさらに好ましい。
上記Ｒ₅は、なかでも、露光による式（Ｘ）で表される化合物の分解速度をより速めて親水化がより進行する点から、メチル基、エチル基、または芳香族基が好ましく、エチル基または芳香族基がより好ましく、芳香族基がさらに好ましい。

また、上記式（Ｙ）において、＊は、上記式（Ｘ）中のＣ（＝Ｏ）Ｏ－との結合部位を表す。

上記式（Ｘ）で表される化合物は、分子構造が対称性を有するものであってもよいし、対称性を有しないものであってもよい。なお、ここでいう対称性とは、点対称、線対称、および、回転対称のいずれかに該当するものを意味し、非対称とは点対称、線対称、および、回転対称のいずれにも該当しないものを意味する。

また、上記式（Ｘ）で表される化合物において、上記Ｓｐ、上記Ｈｂ、または上記Ａが各々複数個存在する場合、複数個存在するＳｐ同士、複数個存在するＨｂ同士、または複数個存在するＡ同士は、各々同一であっても異なっていてもよい。

組成物層中の特定感光性化合物の含有量は、形成しようとする光学異方性層の特性（例えば、レタデーションや波長分散）に応じて適宜設定され得る。
なかでも、所定の構造の光学異方性層がより形成しやすい点で、特定感光性化合物の含有量は、液晶化合物の全質量に対して、０．０１～１０質量％が好ましく、０．０５～５質量％がより好ましい。

工程１Ａでは、上述した成分を含む組成物層を形成するが、その手順は特に制限されない。例えば、上述した特定感光性化合物および重合性基を有する液晶化合物を含む組成物を基板上に塗布して、必要に応じて乾燥処理を施す方法（以下、単に「塗布方法」ともいう。）、および、別途組成物層を形成して基板上に転写する方法が挙げられる。なかでも、生産性の点からは、塗布方法が好ましい。
以下、塗布方法について詳述する。

塗布方法で使用される組成物には、上述した特定感光性化合物、重合性基を有する液晶化合物、および、その他必要に応じて用いられる他の成分（例えば、重合開始剤、重合性モノマー、界面活性剤、および、ポリマーなど）が含まれる。
組成物中の各成分の含有量は、上述した組成物層中の各成分の含有量となるように調整されることが好ましい。

塗布方法は特に制限されず、例えば、ワイヤーバーコーティング法、押し出しコーティング法、ダイレクトグラビアコーティング法、リバースグラビアコーティング法、および、ダイコーティング法が挙げられる。
なお、必要に応じて、組成物の塗布後に、基板上に塗布された塗膜を乾燥する処理を実施してもよい。乾燥処理を実施することにより、塗膜から溶媒を除去できる。

塗膜の膜厚は特に制限されないが、０．１～２０μｍが好ましく、０．２～１５μｍがより好ましく、０．５～１０μｍがさらに好ましい。

＜工程２Ｃ＞
工程２Ｃは、組成物層に加熱処理を施して、組成物層中の液晶化合物を配向させる工程である。本工程を実施することにより、組成物層中の液晶化合物が所定の配向状態となる。なお、後述する図１１に示すように、例えば、工程２Ｃを実施することにより、組成物中において液晶化合物はホモジニアス配向する。
加熱処理の条件としては、使用される液晶化合物に応じて最適な条件が選択される。
なかでも、加熱温度としては、２５～２５０℃の場合が多く、４０～１５０℃の場合がより多く、５０～１３０℃の場合がさらに多い。
加熱時間としては、０．１～６０分間の場合が多く、０．２～５分間の場合がより多い。

＜工程３Ｃ＞
工程３Ｃは、工程２Ｃの後、酸素濃度１体積％以上の条件下にて、組成物層に対して、光照射を５０秒間以下、かつ、３００ｍＪ／ｃｍ²以下で行う工程である。以下では、図面を用いて本工程の機構を説明する。なお、以下では、組成物層に、光照射により親水化する化合物が含まれる場合を一例として説明する。図１１中、組成物層において、液晶化合物ＬＣはホモジニアス配向している。
図１１に示すように、工程３Ｃでは酸素濃度１体積％以上の条件下にて、基板１０の組成物層３２０側とは反対側の方向（図１１中の白抜き矢印の方向）から光照射を行う。なお、図１１では光照射は基板１０側から実施されているが、組成物層３２０側から実施されてもよい。
その際、組成物層３２０の基板１０側の下側領域３２０Ａと、基板１０側とは反対側の上側領域３２０Ｂとを比較すると、上側領域３２０Ｂの表面のほうが空気側にあるため、上側領域３２０Ｂ中の酸素濃度が高く、下側領域３２０Ａ中の酸素濃度は低い。そのため、組成物層３２０に対して光照射がなされると、下側領域３２０Ａにおいては液晶化合物の重合が進行しやすく、液晶化合物の配向状態が固定される。なお、下側領域３２０Ａにおいても特定感光性化合物が存在しており、特定感光性化合物も感光し、親水化が進行する。しかしながら、下側領域３２０Ａでは液晶化合物の配向状態が固定されているため、後述する、光照射された組成物層に対して加熱処理を施す工程４Ｃを実施しても、液晶化合物の配向状態の変化は生じない。
また、上側領域３２０Ｂにおいては酸素濃度が高いため、光照射がなされても、液晶化合物の重合が酸素により阻害され、重合が進行しにくい。そして、上側領域３２０Ｂにおいても特定感光性化合物が存在しているため、特定感光性化合物が感光し、親水化が進行する。そのため、後述する工程４Ｃを実施すると、変化した極性の影響を受けて、液晶化合物の配向状態が変化する。
つまり、工程３Ｃを実施することにより、組成物層の基板側の領域（下側領域）においては液晶化合物の配向状態の固定化が進行しやすい。また、組成物層の基板側と反対側の領域（上側領域）においては、液晶化合物の配向状態の固定化は進行しづらく、かつ、感光した特定感光性化合物に応じて極性が変化した状態となる。

工程３Ｃにおける光照射の各種条件（酸素濃度、照射時間、照射量など）は、上述した工程３Ａにおける光照射の各種条件と同じである。

＜工程４Ｃ＞
工程４Ｃは、工程３Ｃの後、組成物層に、光照射時より高い温度で加熱処理を施す工程である。本工程を実施することにより、光照射が施された組成物層中の特定感光性化合物により極性が変化した領域において、液晶化合物の配向状態が変化する。より具体的には、本工程は、工程３Ｃの後の組成物層に対して、照射時より高い温度で加熱処理を施して、工程３Ｃで固定されていない組成物層中の液晶化合物を配向させる工程である。
以下では、図面を用いて本工程の機構を説明する。

上述したように、図１１に示した組成物層３２０に対して工程３Ｃを実施すると、下側領域３２０Ａにおいては液晶化合物の配向状態が固定されるのに対して、上側領域３２０Ｂでは液晶化合物の重合は進行しづらく、液晶化合物の配向状態が固定されていない。また、上側領域３２０Ｂにおいては特定感光性化合物が感光して、親水化している。このような極性の変化が生じると、光照射前の状態と比較すると、上側領域３２０Ｂにおいて液晶化合物の配向方向が影響をうける。この点をより詳細に説明する。なお、上述したように、以下では、組成物層に、光照射により親水化する特定感光性化合物が含まれる場合を一例として説明する。
組成物層に光照射により親水化する特定感光性化合物が含まれる場合には、図１２に示すように、工程４Ｃを実施すると、上側領域３２０Ｂにおいて液晶化合物が垂直配向（ホメオトロピック配向）する。特に、特定感光性化合物が組成物層の表面付近に存在する場合には、液晶化合物が垂直配向しやすくなる。
一方で、上述したように、組成物層３２０の下側領域３２０Ａにおいては工程３Ｃの際に液晶化合物の重合が進行して液晶化合物の配向状態が固定されているため、液晶化合物の再配向は進行しない。
上記のように、工程４Ｃを実施することにより、配向方向が層表面に対して傾斜または垂直に配向している液晶化合物を含む領域が形成される。

なお、上記図１１においては、液晶化合物が垂直配向している態様について説明したが、この態様には制限されない。例えば、液晶化合物が傾斜配向している態様であってもよい。

加熱処理は、光照射時より高い温度で実施する。
加熱処理の温度と、光照射時の温度との差は、５℃以上が好ましく、１０～１１０℃がより好ましく、２０～１１０℃がより好ましい。

加熱処理の温度は、光照射時の温度より高く、組成物層中の固定されていない液晶化合物を配向させる温度であることが好ましく、より具体的には、４０～２５０℃の場合が多く、５０～１５０℃の場合がより多く、５０℃超１５０℃以下の場合がさらに多く、６０～１３０℃の場合が特に多い。
加熱時間としては、０．０１～６０分間の場合が多く、０．０３～５分間の場合がより多い。

＜工程５Ｃ＞
工程５Ｃは、工程４Ｃの後、組成物層に対して硬化処理を施して、液晶化合物の配向状態が異なる領域を厚み方向に沿って複数有する光学異方性層を形成する工程である。本工程を実施することにより、組成物層中の液晶化合物の配向状態が固定され、結果として所定の光学異方性層が形成される。なお、本工程を実施することにより、厚み方向に沿って、層表面に対する液晶化合物の配向方向の傾斜角が異なる領域を複数有する光学異方性層が形成される。特に、本工程を実施することにより、厚み方向に沿って、垂直配向(ホメオトロピック配向)または傾斜配向した液晶化合物の配向状態を固定してなる領域と、水平配向（ホモジニアス配向）した液晶化合物の配向状態を固定してなる領域とを有する光学異方性層を形成できる。

工程５Ｃでの硬化処理の方法としては、工程５Ａでの硬化処理の方法が挙げられる。
光学異方性層の厚みは特に制限されないが、０．０５～１０μｍが好ましく、０．１～８．０μｍがより好ましく、０．２～６．０μｍがさらに好ましい。

第３実施態様における光学異方性層中の光学特性は特に制限されず、用途に応じて最適な値が選択される。以下、一例として、上述した手順によって作製される、ホメオトロピック配向した液晶化合物の配向状態を固定してなる第１領域と、ホモジニアス配向した液晶化合物の配向状態を固定してなる第２領域とを、厚み方向に沿って有する光学異方性層の場合について詳述する。

上記光学異方性層の第１領域の厚みをｄ１、波長５５０ｎｍで測定した第１領域の面内の屈折率異方性をΔｎ１とした場合、光学異方性層を円偏光板に好適に適用できる点および液晶表示装置の光学補償板として適用した際に斜め方向の光漏れを低減できる点で、第１領域は以下の式（１Ｃ－１）を満たすことが好ましい。
式（１Ｃ－１） ０ｎｍ≦Δｎ１ｄ１≦３０ｎｍ
なかでも、式（１Ｃ－２）を満たすことがより好ましい。
式（１Ｃ－２） ０ｎｍ≦Δｎ１ｄ１≦２０ｎｍ
光学異方性層の第１領域の波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレタデーションは－１５０～－２０ｎｍが好ましく、－１２０～－２０ｎｍがより好ましい。

また、上記光学異方性層の第２領域の厚みをｄ２、波長５５０ｎｍで測定した第２領域の面内の屈折率異方性をΔｎ２とした場合、光学異方性層を円偏光板に好適に適用できる点や液晶表示装置の光学補償板に好適に適用できる点で、第２領域は以下の式（２Ｃ－１）を満たすことが好ましい。つまり、第２領域の波長５５０ｎｍにおける面内レタデーションは、１００～１８０ｎｍであることが好ましい。
式（２Ｃ－１） １００ｎｍ≦Δｎ２ｄ２≦１８０ｎｍ
なかでも、式（２Ｃ－２）を満たすことがより好ましい。
式（２Ｃ－２） １１０ｎｍ≦Δｎ２ｄ２≦１７０ｎｍ
なお、屈折率異方性Δｎ２とは、第１領域の屈折率異方性を意味する。

第３実施態様における光学異方性層は、逆波長分散性を示すことが好ましい。
つまり、光学異方性層の波長４５０ｎｍで測定した面内レタデーションであるＲｅ（４５０）と、光学異方性層の波長５５０ｎｍで測定した面内レタデーションであるＲｅ（５５０）と、光学異方性層の波長６５０ｎｍで測定した面内レタデーションのであるＲｅ（６５０）とは、Ｒｅ（４５０）≦Ｒｅ（５５０）≦Ｒｅ（６５０）の関係にあることが好ましい。

第３実施態様における光学異方性層の光学特性は特に制限されないが、λ／４板として機能することや液晶表示装置の光学補償板として機能することが好ましい。
λ／４板は、ある特定の波長の直線偏光を円偏光に（または、円偏光を直線偏光に）変換する機能を有する板であり、特定の波長λｎｍにおける面内レタデーションＲｅ（λ）がＲｅ（λ）＝λ／４を満たす板（光学異方性層）のことをいう。
この式は、可視光域のいずれかの波長（例えば、５５０ｎｍ）において達成されていればよいが、波長５５０ｎｍにおける面内レタデーションＲｅ（５５０）が、１００ｎｍ≦Ｒｅ（５５０）≦１８０ｎｍの関係を満たすことが好ましい。

＜＜第４実施態様＞＞
本発明の光学異方性層の製造方法の第４実施態様は、以下の工程１Ｄ～５Ｄを有する。後述するように、第４実施態様においては、液晶化合物が配向している配向状態（例えば、水平配向状態）を固定してなる領域と、液晶化合物が配向していない状態（液晶化合物の等方相）を固定してなる領域とを、厚み方向に沿って、有する光学異方性層が形成される。
工程１Ｄ：重合性基を有する液晶化合物を含む組成物層を形成する工程
工程２Ｄ：組成物層に加熱処理を施して、組成物層中の液晶化合物を配向させる工程
工程３Ｄ：工程２Ｄの後、酸素濃度１体積％以上の条件下にて、組成物層に対して、光照射を５０秒間以下、かつ、３００ｍＪ／ｃｍ²以下で行う工程
工程４Ｄ：工程３Ｄの後、組成物層に、光照射時より高く、かつ、液晶化合物が等方相となる温度以上で加熱処理を施し工程
工程５Ｄ：工程４Ｄの後、組成物層に対して硬化処理を施して、液晶化合物の配向状態が異なる領域を厚み方向に沿って複数有する光学異方性層を形成する工程
以下、上記各工程の手順について詳述する。

＜工程１Ｄ＞
工程１Ｄは、重合性基を有する液晶化合物を含む組成物層を形成する工程である。本工程を実施することにより、後述する光照射処理が施される組成物層が形成される。
組成物層に含まれる液晶化合物は、工程１Ａで説明した通りである。
また、組成物層には、上述した工程１Ａで説明したように、液晶化合物以外のその他の成分を含んでいてもよい。

工程１Ａでは、上述した成分を含む組成物層を形成するが、その手順は特に制限されない。例えば、上述した重合性基を有する液晶化合物を含む組成物を基板上に塗布して、必要に応じて乾燥処理を施す方法（以下、単に「塗布方法」ともいう。）、および、別途組成物層を形成して基板上に転写する方法が挙げられる。なかでも、生産性の点からは、塗布方法が好ましい。
以下、塗布方法について詳述する。

塗布方法で使用される組成物には、上述した、重合性基を有する液晶化合物、および、その他必要に応じて用いられる他の成分（例えば、重合開始剤、重合性モノマー、界面活性剤、および、ポリマーなど）が含まれる。
組成物中の各成分の含有量は、上述した組成物層中の各成分の含有量となるように調整されることが好ましい。

塗布方法は特に制限されず、例えば、ワイヤーバーコーティング法、押し出しコーティング法、ダイレクトグラビアコーティング法、リバースグラビアコーティング法、および、ダイコーティング法が挙げられる。
なお、必要に応じて、組成物の塗布後に、基板上に塗布された塗膜を乾燥する処理を実施してもよい。乾燥処理を実施することにより、塗膜から溶媒を除去できる。

塗膜の膜厚は特に制限されないが、０．１～２０μｍが好ましく、０．２～１５μｍがより好ましく、０．５～１０μｍがさらに好ましい。

＜工程２Ｄ＞
工程２Ｄは、組成物層に加熱処理を施して、組成物層中の液晶化合物を配向させる工程である。本工程を実施することにより、組成物層中の液晶化合物が所定の配向状態となる。なお、後述する図１３に示すように、例えば、工程２Ｄを実施することにより、組成物中において液晶化合物はホモジニアス配向する。
加熱処理の条件としては、使用される液晶化合物に応じて最適な条件が選択される。
なかでも、加熱温度としては、２５～２５０℃の場合が多く、４０～１５０℃の場合がより多く、５０～１３０℃の場合がさらに多い。
加熱時間としては、０．１～６０分間の場合が多く、０．２～５分間の場合がより多い。

＜工程３Ｄ＞
工程３Ｄは、工程２Ｄの後、酸素濃度１体積％以上の条件下にて、組成物層に対して、光照射を５０秒間以下、かつ、３００ｍＪ／ｃｍ²以下で行う工程である。以下では、図面を用いて本工程の機構を説明する。図１３中、組成物層において、液晶化合物ＬＣはホモジニアス配向している。
図１３に示すように、工程３Ｄでは酸素濃度１体積％以上の条件下にて、基板１０の組成物層４２０側とは反対側の方向（図１３中の白抜き矢印の方向）から光照射を行う。なお、図１３では光照射は基板１０側から実施されているが、組成物層４２０側から実施されてもよい。
その際、組成物層４２０の基板１０側の下側領域４２０Ａと、基板１０側とは反対側の上側領域４２０Ｂとを比較すると、上側領域４２０Ｂの表面のほうが空気側にあるため、上側領域４２０Ｂ中の酸素濃度が高く、下側領域４２０Ａ中の酸素濃度は低い。そのため、組成物層４２０に対して光照射がなされると、下側領域４２０Ａにおいては液晶化合物の重合が進行しやすく、液晶化合物の配向状態が固定される。そのため、後述する、光照射された組成物層に対して加熱処理を施す工程４Ｄを実施しても、液晶化合物の配向状態の変化は生じない。
また、上側領域４２０Ｂにおいては酸素濃度が高いため、光照射がなされても、液晶化合物の重合が酸素により阻害され、重合が進行しにくい。そのため、後述する工程４Ｄを実施すると、液晶化合物の配向状態が変化する。
つまり、工程３Ｄを実施することにより、組成物層の基板側の領域（下側領域）においては液晶化合物の配向状態の固定化が進行しやすい。また、組成物層の基板側と反対側の領域（上側領域）においては、液晶化合物の配向状態の固定化は進行しづらく、後述する工程４Ｄによって液晶化合物の配向状態が変化した状態となる。

工程３Ｄにおける光照射の各種条件（酸素濃度、照射時間、照射量など）は、上述した工程３Ａにおける光照射の各種条件と同じである。

＜工程４Ｄ＞
工程４Ｄは、工程３Ｄの後、組成物層に、光照射時より高く、かつ、液晶化合物が等方相となる温度以上で加熱処理を施す工程である。本工程を実施することにより、組成物層中の液晶化合物の配向状態が固定されていない上側領域において、液晶化合物が等方相を示す。
以下では、図面を用いて本工程の機構を説明する。

上述したように、図１３に示した組成物層４２０に対して工程３Ｄを実施すると、下側領域４２０Ａにおいては液晶化合物の配向状態が固定されるのに対して、上側領域４２０Ｂでは液晶化合物の重合は進行しづらく、液晶化合物の配向状態が固定されていない。
そのため、工程４Ｄを実施すると、図１４に示すように、上側領域４２０Ｂにおいては液晶化合物の重合が進行していないため、液晶化合物の配向状態が崩れ、等方相となる。
一方で、上述したように、組成物層４２０の下側領域４２０Ａにおいては工程３Ｄの際に液晶化合物の重合が進行して液晶化合物の配向状態が固定されているため、液晶化合物の再配向は進行しない。
上記のように、工程４Ｄを実施することにより、厚み方向に沿って、液晶化合物の配向状態（例えば、水平配向状態）を固定してなる領域と、液晶化合物が配向していない状態（液晶化合物の等方相）を固定してなる領域とを有する光学異方性層が形成される。

加熱処理は、光照射時の温度より高く、かつ、液晶化合物が等方相となる温度以上で実施する。
加熱処理の温度と、光照射時の温度との差は、５℃以上が好ましく、１０～１１０℃がより好ましく、２０～１１０℃がより好ましい。

加熱処理の温度は、光照射時の温度より高く、組成物層中の固定されていない液晶化合物を等方相とする温度であることが好ましく、より具体的には、４０～２５０℃の場合が多く、５０～１５０℃の場合がより多く、５０℃超１５０℃以下の場合がさらに多く、６０～１３０℃の場合が特に多い。
加熱時間としては、０．０１～６０分間の場合が多く、０．０３～５分間の場合がより多い。

＜工程５Ｄ＞
工程５Ｄは、工程４Ｄの後、組成物層に対して硬化処理を施して、液晶化合物の配向状態が異なる領域を厚み方向に沿って複数有する光学異方性層を形成する工程である。本工程を実施することにより、組成物層中の液晶化合物の配向状態が固定され、結果として所定の光学異方性層が形成される。

工程５Ｄでの硬化処理の方法としては、工程５Ａでの硬化処理の方法が挙げられる。
光学異方性層の厚みは特に制限されないが、０．０５～１０μｍが好ましく、０．１～８．０μｍがより好ましく、０．２～６．０μｍがさらに好ましい。

なお、上記図１３および１４においては、厚み方向に沿って、水平配向している液晶化合物の配向状態を固定してなる領域と、液晶化合物が等方相を示す状態を固定してなる領域とを有する光学異方性層の態様について説明したが、液晶化合物が等方相を示す状態を固定してなる領域が含まれていれば、この態様には制限されない。
例えば、液晶化合物の配向状態としては、液晶化合物が棒状液晶化合物である場合、その配向状態としては、例えば、ネマチック配向（ネマチック相を形成している状態）、スメクチック配向（スメクチック相を形成している状態）、コレステリック配向（コレステリック相を形成している状態）、および、ハイブリッド配向が挙げられる。液晶化合物がディスコティック液晶化合物である場合、その配向状態としては、ネマチック配向、カラムナー配向（カラムナー相を形成している状態）、および、コレステリック配向が挙げられる。
より具体的には、厚み方向に沿って、垂直配向している液晶化合物の配向状態を固定してなる領域と、液晶化合物が等方相を示す状態を固定してなる領域とを有する光学異方性層を形成してもよい。また、厚み方向に沿って、液晶化合物を用いて形成されたコレステリック液晶相を固定してなる領域と、液晶化合物が等方相を示す状態を固定してなる領域とを有する光学異方性層を形成してもよい。

第４実施態様における光学異方性層の光学特性は特に制限されないが、λ／４板として機能することが好ましい。
λ／４板は、ある特定の波長の直線偏光を円偏光に（または、円偏光を直線偏光に）変換する機能を有する板であり、特定の波長λｎｍにおける面内レタデーションＲｅ（λ）がＲｅ（λ）＝λ／４を満たす板（光学異方性層）のことをいう。
この式は、可視光域のいずれかの波長（例えば、５５０ｎｍ）において達成されていればよいが、波長５５０ｎｍにおける面内レタデーションＲｅ（５５０）が、１１０ｎｍ≦Ｒｅ（５５０）≦１８０ｎｍの関係を満たすことが好ましい。

＜＜用途＞＞
光学異方性層は種々の部材と組み合わせることができる。
例えば、上記光学異方性層は、他の光学異方性層と組み合わせてもよい。つまり、図１５に示すように、基板１０と、上述した製造方法により製造される光学異方性層２０と、他の光学異方性層２２とを含む積層体２４を作製してもよい。なお、図１５に記載の積層体２４は基板１０を含んでいるが、積層体中に基板は含まれていなくてもよい。
他の光学異方性層は特に制限されず、例えば、Ａプレート（ポジティブＡプレートおよびネガティブＡプレート）およびＣプレート（ポジティブＣプレートおよびネガティブＣプレート）が挙げられる。なかでも、後述する種々の用途（例えば、円偏光板）に適用しやすい点で、Ｃプレートが好ましい。
Ｃプレートの波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレタデーションの絶対値の範囲は特に制限されないが、５～３００ｎｍが好ましく、１０～２００ｎｍがより好ましい。

なお、本明細書において、ＡプレートおよびＣプレートは以下のように定義される。
Ａプレートは、ポジティブＡプレート（正のＡプレート）とネガティブＡプレート（負のＡプレート）との２種があり、フィルム面内の遅相軸方向（面内での屈折率が最大となる方向）の屈折率をｎｘ、面内の遅相軸と面内で直交する方向の屈折率をｎｙ、厚み方向の屈折率をｎｚとしたとき、ポジティブＡプレートは式（Ａ１）の関係を満たすものであり、ネガティブＡプレートは式（Ａ２）の関係を満たすものである。なお、ポジティブＡプレートはＲｔｈが正の値を示し、ネガティブＡプレートはＲｔｈが負の値を示す。
式（Ａ１） ｎｘ＞ｎｙ≒ｎｚ
式（Ａ２） ｎｙ＜ｎｘ≒ｎｚ
なお、上記「≒」とは、両者が完全に同一である場合だけでなく、両者が実質的に同一である場合も包含する。「実質的に同一」とは、例えば、（ｎｙ－ｎｚ）×ｄ（ただし、ｄはフィルムの厚みである）が、－１０～１０ｎｍ、好ましくは－５～５ｎｍの場合も「ｎｙ≒ｎｚ」に含まれ、（ｎｘ－ｎｚ）×ｄが、－１０～１０ｎｍ、好ましくは－５～５ｎｍの場合も「ｎｘ≒ｎｚ」に含まれる。
Ｃプレートは、ポジティブＣプレート（正のＣプレート）とネガティブＣプレート（負のＣプレート）との２種があり、ポジティブＣプレートは式（Ｃ１）の関係を満たすものであり、ネガティブＣプレートは式（Ｃ２）の関係を満たすものである。なお、ポジティブＣプレートはＲｔｈが負の値を示し、ネガティブＣプレートはＲｔｈが正の値を示す。
式（Ｃ１） ｎｚ＞ｎｘ≒ｎｙ
式（Ｃ２） ｎｚ＜ｎｘ≒ｎｙ
なお、上記「≒」とは、両者が完全に同一である場合だけでなく、両者が実質的に同一である場合も包含する。「実質的に同一」とは、例えば、（ｎｘ－ｎｙ）×ｄ（ただし、ｄはフィルムの厚みである）が、０～１０ｎｍ、好ましくは０～５ｎｍの場合も「ｎｘ≒ｎｙ」に含まれる。

上記積層体の製造方法は特に制限されず、公知の方法が挙げられる。例えば、本発明の製造方法により得られる光学異方性層と、他の光学異方性層（例えば、Ｃプレート）とを積層して、積層体を得る方法が挙げられる。上記積層の方法としては、別途作製した他の光学異方性層を本発明の製造方法により得られる光学異方性層上に貼合してもよいし、本発明の製造方法により得られる光学異方性層上に他の光学異方性層を形成するための組成物を塗布して他の光学異方性層を形成してもよい。

また、本発明の製造方法にて得られる光学異方性層は、偏光子と組み合わせてもよい。つまり、図１６に示すように、基板１０と、上述した製造方法により製造される光学異方性層２０と、偏光子２６とを含む偏光子付き光学異方性層２８を作製してもよい。図１６においては、基板１０上に偏光子２６が配置されるが、この態様には制限されず、光学異方性層２０上に偏光子２６が配置されていてもよい。
また、図１６に記載の偏光子付き光学異方性層２８は基板１０を含んでいるが、偏光子付き光学異方性層中に基板は含まれていなくてもよい。

光学異方性層と偏光子とを積層する際の位置関係は特に制限されないが、光学異方性層が、厚み方向に沿って延びる螺旋軸に沿って捩れ配向した液晶化合物の配向状態を固定してなる第１領域と、ホモジニアス配向した液晶化合物の配向状態を固定してなる第２領域とを、厚み方向に沿って有する場合、第２領域の面内遅相軸と偏光子の吸収軸とのなす角度の絶対値は、光学異方性層を円偏光板などに好適に適用できる点で、５～２５°が好ましく、１０～２０°がより好ましい。
また、上記第２領域の面内遅相軸と偏光子の吸収軸のなす角度が負の時は、第１領域での液晶化合物の捩れ角度も負であることが好ましく、上記第２領域の面内遅相軸と偏光子の吸収軸のなす角度が正の時は、第１領域での液晶化合物の捩れ角度も正であることが好ましい。
なお、上記面内遅相軸と偏光子のなす角度が負である場合とは、偏光子側から視認した際に、偏光子の吸収軸を基準にして面内遅相軸の回転角度が時計回りの場合を意味し、上記面内遅相軸と偏光子のなす角度が正である場合とは、偏光子側から視認した際に、偏光子の吸収軸を基準にして面内遅相軸の回転角度が反時計回りの場合を意味する。
また、液晶化合物の捩れ角度に関しては、表面側（手前側）にある液晶化合物の配向方向を基準に、奥側の液晶化合物の配向方向が時計回り（右回り）の時を負、反時計回り（左回り）の時を正として表す。

偏光子は、自然光を特定の直線偏光に変換する機能を有する部材であればよく、例えば、吸収型偏光子が挙げられる。
偏光子の種類は特に制限はなく、通常用いられている偏光子を利用でき、例えば、ヨウ素系偏光子、二色性染料を利用した染料系偏光子、および、ポリエン系偏光子が挙げられる。ヨウ素系偏光子および染料系偏光子は、一般に、ポリビニルアルコールにヨウ素または二色性染料を吸着させ、延伸することで作製される。
なお、偏光子の片面または両面には、保護膜が配置されていてもよい。

上記偏光子付き光学異方性層の製造方法は特に制限されず、公知の方法が挙げられる。例えば、本発明の製造方法により得られる光学異方性層と、偏光子とを積層して、偏光子付き光学異方性層を得る方法が挙げられる。

なお、上記では光学異方性層と偏光子とを積層する態様について述べたが、本発明においては、上述した積層体と偏光子とを積層して、偏光子付き積層体を製造してもよい。

光学異方性層は種々の用途に適用できる。例えば、光学異方性層は円偏光板に好適に適用でき、上記偏光子付き光学異方性層を円偏光板として用いることもできる。
上記構成を有する円偏光板は、液晶表示装置（ＬＣＤ）、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、エレクトロルミネッセンスディスプレイ（ＥＬＤ）、および、陰極管表示装置（ＣＲＴ）のような画像表示装置の反射防止用途に好適に用いられ、表示光のコントラスト比を向上させることができる。
例えば、有機ＥＬ表示装置の光取り出し面側に本発明の円偏光板を用いた態様が挙げられる。この場合、外光は偏光膜によって直線偏光となり、次に光学異方性層を通過することで、円偏光となる。これが金属電極にて反射された際に円偏光状態が反転し、再び光学異方性層を通過した際に、入射時から９０°傾いた直線偏光となり、偏光膜に到達して吸収される。結果として、外光の影響を抑制することができる。

なかでも、上述した偏光子付き光学異方性層または偏光子付き積層体は、有機ＥＬ表示装置に適用されることが好ましい。つまり、偏光子付き光学異方性層または偏光子付き積層体は、有機ＥＬ表示装置の有機ＥＬパネル上に配置され、反射防止用途に適用されることが好ましい。
有機ＥＬパネルは、陽極、陰極の一対の電極間に発光層もしくは発光層を含む複数の有機化合物薄膜を形成した部材であり、発光層のほか正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、および、保護層などを有してもよく、またこれらの各層はそれぞれ他の機能を備えたものであってもよい。各層の形成にはそれぞれ種々の材料を用いることができる。

光学異方性層は液晶表示装置の光学補償板にも好適に適用でき、上記偏光子付き光学異方性層を液晶表示装置の光学補償板として用いることもできる。
液晶表示装置に利用される液晶セルは、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｂｅｎｄ）モード、ＩＰＳ（Ｉｎ－Ｐｌａｎｅ－Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ－Ｆｉｅｌｄ－Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、または、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モードが好ましいが、これらに限定されるものではない。

上記偏光子付き光学異方層をＩＰＳモードまたはＦＦＳモードの液晶表示装置の光学補償板として用いる場合は、光学異方性層が図１２に示す態様のように、ホモジニアス配向（水平配向）した液晶化合物の配向状態を固定してなる領域とホメオトロピック配向（垂直配向）した液晶化合物の配向状態を固定してなる領域を有することが好ましい。この場合、ホモジニアス配向（水平配向）した液晶化合物の配向状態を固定してなる領域の面内遅相軸と、偏光子の吸収軸とのなす角が直交または平行であることが好ましく、具体的には、ホモジニアス配向（水平配向）した液晶化合物の配向状態を固定してなる領域の面内遅相軸と、偏光子の吸収軸とのなす角が０～５°または８５～９５°であることがより好ましい。
ここで、ホモジニアス配向（水平配向）した液晶化合物の配向状態を固定してなる領域の「面内遅相軸」は、ホモジニアス配向（水平配向）した液晶化合物の配向状態を固定してなる領域の面内において屈折率が最大となる方向を意味し、偏光子の「吸収軸」は、吸光度の最も高い方向を意味する。
また、上記偏光子付き光学異方層をＩＰＳモードまたはＦＦＳモードの液晶表示装置の光学補償板として用いる場合は、偏光子、ホメオトロピック配向（垂直配向）した液晶化合物の配向状態を固定してなる領域、ホモジニアス配向（水平配向）した液晶化合物の配向状態を固定してなる領域、および、液晶セルの順に配置されるか、または、偏光子、ホモジニアス配向（水平配向）した液晶化合物の配向状態を固定してなる領域、ホメオトロピック配向（垂直配向）した液晶化合物の配向状態を固定してなる領域、および、液晶セルの順で配置されることが好ましい。

以下に実施例と比較例を挙げて本発明の特徴をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、および、処理手順などは、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更できる。したがって、本発明の範囲は以下に示す具体例により制限的に解釈されるべきものではない。

＜実施例１＞
（セルロースアシレートフィルム（基板）の作製）
下記組成物をミキシングタンクに投入し、攪拌して、さらに９０℃で１０分間加熱した。その後、得られた組成物を、平均孔径３４μｍのろ紙および平均孔径１０μｍの焼結金属フィルターでろ過して、ドープを調製した。ドープの固形分濃度は２３．５質量％であり、可塑剤の添加量はセルロースアシレートに対する割合であり、ドープの溶剤は塩化メチレン／メタノール／ブタノール＝８１／１８／１（質量比）である。

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セルロースアシレートドープ
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セルロースアシレート（アセチル置換度２．８６、粘度平均重合度３１０）
１００質量部
糖エステル化合物１（化学式（Ｓ４）に示す） ６．０質量部
糖エステル化合物２（化学式（Ｓ５）に示す） ２．０質量部
シリカ粒子分散液（ＡＥＲＯＳＩＬ Ｒ９７２、日本アエロジル（株）製）
０．１質量部
溶剤（塩化メチレン／メタノール／ブタノール）
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上記で作製したドープを、ドラム製膜機を用いて流延した。０℃に冷却された金属支持体上に接するようにドープをダイから流延し、その後、得られたウェブ（フィルム）を剥ぎ取った。なお、ドラムはＳＵＳ製であった。

流延されて得られたウェブ（フィルム）を、ドラムから剥離後、フィルム搬送時に３０～４０℃で、クリップでウェブの両端をクリップして搬送するテンター装置を用いてテンター装置内で２０分間乾燥した。引き続き、ウェブをロール搬送しながらゾーン加熱により後乾燥した。得られたウェブにナーリングを施した後、巻き取った。
得られたセルロースアシレートフィルムの膜厚は４０μｍであり、波長５５０ｎｍにおける面内レタデーションＲｅ（５５０）は１ｎｍ、波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレタデーションＲｔｈ（５５０）は２６ｎｍであった。

（光学異方性層の形成）
上記で作製したセルロースアシレートフィルムに連続的にラビング処理を施した。このとき、長尺状のフィルムの長手方向と搬送方向は平行であり、フィルムの長手方向（搬送方向）とラビングローラーの回転軸とのなす角度は８０°とした。フィルムの長手方向（搬送方向）を９０°とし、フィルム側から観察してフィルム幅手方向を基準（０°）に時計回り方向を正の値で表すと、ラビングローラーの回転軸は１０°にある。言い換えれば、ラビングローラーの回転軸の位置は、フィルムの長手方向を基準に、反時計回りに８０°回転させた位置である。

上記ラビング処理した長尺状のセルロースアシレートフィルムを基板として、ギーサー塗布機を用いて、下記の組成の棒状液晶化合物を含む光学異方性層形成用組成物（１）を塗布して、組成物層を形成した（工程１Ａに該当）。なお、工程１Ａにおける組成物層中のキラル剤の加重平均螺旋誘起力の絶対値は、０．０μｍ^-1であった。
次に、得られた組成物層を８０℃で６０秒間加熱した（工程２Ａに該当）。この加熱により組成物層の棒状液晶化合物が所定の方向に配向した。
その後、酸素を含む空気（酸素濃度：約２０体積％）下、４０℃にて、３６５ｎｍＬＥＤランプ（アクロエッジ（株）製）を使用して紫外線を組成物層に５秒間照射した（照射量：１３ｍＪ／ｃｍ²）（工程３Ａに該当）。
続いて、得られた組成物層を８０℃で１０秒間加熱した（工程４Ａに該当）。
その後、窒素パージを行って、酸素濃度１００体積ｐｐｍとして、８０℃にて、メタルハライドランプ（アイグラフィックス（株）製）を使用して紫外線を組成物層に照射し（照射量：５００ｍＪ／ｃｍ²）、液晶化合物の配向状態を固定した光学異方性層を形成した（工程５Ａに該当）。このようにして光学フィルム（Ｆ－１）を作製した。

なお、光学異方性層形成用組成物（１）中における左捩れキラル剤（Ｌ１）の３６５ｎｍにおけるモル吸光係数は４０Ｌ／（ｍｏｌ・ｃｍ）であり、このキラル剤のＨＴＰは、３６５ｎｍの光を照射（１３ｍＪ／ｃｍ²）しても、照射前と比べて、変化が無かった。
右捩れキラル剤（Ｒ１）の３６５ｎｍにおけるモル吸光係数は３８，４５０Ｌ／（ｍｏｌ・ｃｍ）であり、このキラル剤のＨＴＰは、３６５ｎｍの光を照射（１３ｍＪ／ｃｍ²）すると、照射前と比べて、３５μｍ^-1減少した。
光重合開始剤（Ｉｒｇａｃｕｒｅ８１９）の３６５ｎｍにおけるモル吸光係数は８６０Ｌ／（ｍｏｌ・ｃｍ）であった。

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光学異方性層形成用組成物（１）
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下記の棒状液晶化合物（Ａ） ８０質量部
下記の棒状液晶化合物（Ｂ） １０質量部
下記の重合性化合物（Ｃ） １０質量部
エチレンオキサイド変性トリメチロールプロパントリアクリレート
（Ｖ＃３６０、大阪有機化学（株）製） ４質量部
光重合開始剤（Ｉｒｇａｃｕｒｅ８１９、ＢＡＳＦ社製） ３質量部
下記の左捩れキラル剤（Ｌ１） ０．４３質量部
下記の右捩れキラル剤（Ｒ１） ０．３８質量部
下記のポリマー（Ａ） ０．０８質量部
下記のポリマー（Ｂ） ０．５０質量部
メチルイソブチルケトン １１６質量部
プロピオン酸エチル ４０質量部
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棒状液晶化合物（Ａ）（以下、化合物の混合物）

棒状液晶化合物（Ｂ）

重合性化合物（Ｃ）

左捩れキラル剤（Ｌ１）

右捩れキラル剤（Ｒ１）

ポリマー（Ａ）（式中、各繰り返し単位に記載の数値は、全繰り返し単位に対する各繰り返しの含有量（質量％）を表す。）

ポリマー（Ｂ）（式中、各繰り返し単位に記載の数値は、全繰り返し単位に対する各繰り返しの含有量（質量％）を表す。）

上記で作製した光学フィルム（Ｆ－１）をラビング方向と平行に切削し、偏光顕微鏡で光学異方性層を断面方向から観察した。光学異方性層の厚みは２．７μｍであり、光学異方性層の基板側の厚み（ｄ２）１．３μｍの領域（第２領域）は捩れ角の無いホモジニアス配向であり、光学異方性層の空気側（基板と反対側）の厚み（ｄ１）１．４μｍの領域（第１領域）は液晶化合物が捩れ配向していた。
なお、Ａｘｏｍｅｔｒｉｃｓ社のＡｘｏｓｃａｎ、および、同社の解析ソフトウェア（Ｍｕｌｔｉ－Ｌａｙｅｒ Ａｎａｌｙｓｉｓ）を用いて、光学フィルム（Ｆ－１）の光学特性を求めた。第２領域の波長５５０ｎｍにおけるΔｎ２と厚みｄ２との積（Δｎ２ｄ１）は１７３ｎｍ、液晶化合物の捩れ角は０°であり、フィルムの長手方向に対する液晶化合物の配向軸角度は、基板に接する側が－１０°、第１領域に接する側が－１０°であった。
また、第１領域の波長５５０ｎｍにおけるΔｎ１と厚みｄ１との積（Δｎ１ｄ１）は１８４ｎｍ、液晶化合物の捩れ角度は７５°であり、フィルムの長手方向に対する液晶化合物の配向軸角度は、第２領域に接する側が－１０°、空気側が－８５°であった。
なお、光学異方性層に含まれる液晶化合物の配向軸角度は、フィルムの長手方向を基準の０°として、光学異方性層の表面側からフィルムを観察し、時計回り（右回り）の時を負、反時計回り（左回り）の時を正として表してある。
また、ここで液晶化合物の捩れ構造は、光学異方性層の表面側から基板を観察し、表面側（手前側）にある液晶化合物の配向方向を基準に、基板側（奥側）の液晶化合物の配向方向が時計回り（右回り）の時を負、反時計回り（左回り）の時を正として表してある。

（偏光子の作製）
厚み８０μｍのポリビニルアルコール（ＰＶＡ）フィルムを、ヨウ素濃度０．０５質量％のヨウ素水溶液中に３０℃で６０秒間浸漬して染色した。次に、得られたフィルムをホウ酸濃度４質量％濃度のホウ酸水溶液中に６０秒間浸漬している間に元の長さの５倍に縦延伸した後、５０℃で４分間乾燥させて、厚み２０μｍの偏光子を得た。

（偏光子保護フィルムの作製）
市販のセルロースアシレート系フィルムのフジタックＴＧ４０ＵＬ（富士フイルム（株）製）を準備し、１．５モル／リットルで５５℃の水酸化ナトリウム水溶液中に浸漬した後、水で十分に水酸化ナトリウムを洗い流した。その後、０．００５モル／リットルで３５℃の希硫酸水溶液に得られたフィルムを１分間浸漬した後、水に浸漬し希硫酸水溶液を十分に洗い流した。最後に、得られたフィルムを１２０℃で十分に乾燥させて、表面を鹸化処理した偏光子保護フィルムを作製した。

（円偏光板の作製）
前述の偏光子保護フィルムの作製と同様に、上記で作製した光学フィルム（Ｆ－１）を鹸化処理し、光学フィルム（Ｆ－１）に含まれる基板面に、前述の偏光子および前述の偏光子保護フィルムをポリビニルアルコール系接着剤を用いて連続的に貼り合せ、長尺状の円偏光板（Ｐ－１）を作製した。つまり、円偏光板（Ｐ－１）は、偏光子保護フィルム、偏光子、基板、および、光学異方性層をこの順で有していた。
なお、偏光子の吸収軸は円偏光板の長手方向と一致しており、偏光子の吸収軸に対する第２領域の面内遅相軸の回転角度は１０°であり、偏光子の吸収軸に対する第１領域の第２領域側とは反対側の表面の面内遅相軸の回転角度は８５°であった。
なお、上記面内遅相軸の回転角度は、偏光子側から光学異方性層を観察して、円偏光板の長手方向を基準の０°とし、反時計回り方向に正、時計回りに負の角度値をもって表してある。

＜実施例２＞
（アルカリ鹸化処理）
前述のセルロースアシレートフィルムを、温度６０℃の誘電式加熱ロールを通過させ、フィルム表面温度を４０℃に昇温した後に、フィルムのバンド面に下記に示す組成のアルカリ溶液を、バーコーターを用いて塗布量１４ｍｌ／ｍ²で塗布し、１１０℃に加熱した（株）ノリタケカンパニーリミテド製のスチーム式遠赤外ヒーターの下に、１０秒間搬送した。続いて、同じくバーコーターを用いて、純水を３ｍｌ／ｍ²塗布した。次いで、ファウンテンコーターによる水洗とエアナイフによる水切りを３回繰り返した後に、７０℃の乾燥ゾーンに１０秒間搬送して乾燥し、アルカリ鹸化処理したセルロースアシレートフィルムを作製した。

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アルカリ溶液
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水酸化カリウム ４．７質量部
水 １５．８質量部
イソプロパノール ６３．７質量部
界面活性剤：Ｃ₁₄Ｈ₂₉Ｏ（ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ）₂₀Ｈ １．０質量部
プロピレングリコール １４．８質量部
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（配向膜の形成）
セルロースアシレートフィルムのアルカリ鹸化処理を行った面に、下記組成の配向膜塗布液を＃１４のワイヤーバーで連続的に塗布した。６０℃の温風で６０秒間、さらに１００℃の温風で１２０秒間乾燥した。

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配向膜塗布液
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下記に示す変性ポリビニルアルコール ２８質量部
クエン酸エステル（ＡＳ３、三共化学（株）製） １．２質量部
光重合開始剤(Ｉｒｇａｃｕｒｅ２９５９、ＢＡＳＦ社製) ０．８４質量部
グルタルアルデヒド ２．８質量部
水 ６９９質量部
メタノール ２２６質量部
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（変性ポリビニルアルコール）

（光学異方性層の形成）
上記で作製した配向膜に連続的にラビング処理を施した。このとき、長尺状のフィルムの長手方向と搬送方向は平行であり、フィルムの長手方向（搬送方向）とラビングローラーの回転軸とのなす角度は４５°とした。フィルムの長手方向（搬送方向）を９０°とし、フィルム側から観察してフィルム幅手方向を基準（０°）に時計回り方向を正の値で表すと、ラビングローラーの回転軸は１３５°にある。言い換えれば、ラビングローラーの回転軸の位置は、フィルムの長手方向を基準に、反時計回りに４５°回転させた位置である。

上記ラビング処理した配向膜付きセルロースアシレートフィルムを基板として、ギーサー塗布機を用いて、下記の組成の棒状液晶化合物を含む光学異方性層形成用組成物（２）を塗布して、組成物層を形成した（工程１Ｃに該当）。
次に、得られた組成物層を１２０℃で８０秒間加熱した（工程２Ｃに該当）。この加熱により組成物層の棒状液晶化合物が所定の方向に配向した。
その後、酸素を含む空気（酸素濃度：約２０体積％）下、４０℃にて、３６５ｎｍＬＥＤランプ（アクロエッジ（株）製）を使用して紫外線を組成物層に５秒間照射した（照射量：３０ｍＪ／ｃｍ²）（工程３Ｃに該当）。
続いて、得られた組成物層を９０℃で１０秒間加熱した（工程４Ｃに該当）。
その後、窒素パージを行って、酸素濃度１００体積ｐｐｍとして、５５℃にて、メタルハライドランプ（アイグラフィックス（株）製）を使用して紫外線を組成物層に照射し（照射量：５００ｍＪ／ｃｍ²）、液晶化合物の配向状態を固定した光学異方性層を形成した（工程５Ｃに該当）。このようにして光学フィルム（Ｆ－２）を作製した。

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光学異方性層形成用組成物（２）
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上記の棒状液晶化合物（Ａ） ２０質量部
下記の棒状液晶化合物（Ｄ） ４０質量部
下記の棒状液晶化合物（Ｅ） ４０質量部
エチレンオキサイド変性トリメチロールプロパントリアクリレート
（Ｖ＃３６０、大阪有機化学（株）製） ４質量部
光重合開始剤（Ｉｒｇａｃｕｒｅ８１９、ＢＡＳＦ社製） ３質量部
上記のポリマー（Ａ） ０．０８質量部
下記の感光性化合物（Ａ） ０．４質量部
下記のイオン性化合物（Ａ） ３．０質量部
メチルエチルケトン １５６質量部
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棒状液晶化合物（Ｄ）

棒状液晶化合物（Ｅ）

感光性化合物（Ａ）

イオン性化合物（Ａ）

なお、光学異方性層形成用組成物（２）中における感光性化合物（Ａ）は、３６５ｎｍの光を照射（３０ｍＪ／ｃｍ²）すると、親水性のカルボキシル基を有す分解物（Ａ）を生じた。

分解物（Ａ）

上記で作製した光学フィルム（Ｆ－２）をラビング方向と平行に切削し、偏光顕微鏡で光学異方性層を断面方向から観察した。光学異方性層の厚みは４．３μｍであり、光学異方性層の基板側の厚み３．０μｍの領域（第２領域）はホモジニアス配向であり、光学異方性層の空気側（基板と反対側）の厚み１．３μｍの領域（第１領域）は液晶化合物がホメオトロピック配向していた。
なお、Ａｘｏｍｅｔｒｉｃｓ社のＡｘｏｓｃａｎ、および、同社の解析ソフトウェア（Ｍｕｌｔｉ－Ｌａｙｅｒ Ａｎａｌｙｓｉｓ）を用いて、光学フィルム（Ｆ－２）の光学特性を求めた。第２領域の波長５５０ｎｍにおける面内レタデーション（Δｎ２ｄ２）は１４０ｎｍであり、フィルムの長手方向に対する面内遅相軸の角度は－４５°であった。また、第１領域の波長５５０ｎｍにおける面内レタデーション（Δｎ１ｄ１）は０ｎｍ、第１領域の波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレタデーションは－６０ｎｍであった。
なお、面内遅相軸の角度は、フィルムの長手方向を基準の０°として、光学異方性層の表面側から基板を観察し、時計回り（右回り）の時を負、反時計回り（左回り）の時を正として表してある。

（円偏光板の作製）
実施例１と同様に、上記で作製した光学フィルム（Ｆ－２）を鹸化処理し、光学フィルム（Ｆ－２）に含まれる基板面に、前述の偏光子および前述の偏光子保護フィルムをポリビニルアルコール系接着剤を用いて連続的に貼り合せ、長尺状の円偏光板（Ｐ－２）を作製した。つまり、円偏光板（Ｐ－２）は、偏光子保護フィルム、偏光子、基板、および、光学異方性層をこの順で有していた。
なお、偏光子の吸収軸は円偏光板の長手方向と一致しており、偏光子の吸収軸に対する第２領域の面内遅相軸の回転角度は４５°であった。
なお、上記面内遅相軸の回転角度は、偏光子側から光学異方性層を観察して、円偏光板の長手方向を基準の０°とし、反時計回り方向に正、時計回りに負の角度値をもって表してある。

＜実施例３＞
（光学異方性層の形成）
実施例１で作製したセルロースアシレートフィルムに、連続的にラビング処理を施した。このとき、長尺状のフィルムの長手方向と搬送方向は平行であり、フィルムの長手方向（搬送方向）とラビングローラーの回転軸とのなす角度は４５°であった。なお、フィルムの長手方向（搬送方向）を９０°とし、セルロースアシレートフィルム側から観察してセルロースアシレートフィルムの幅方向を基準（０°）に反時計回り方向を正の値で表すと、ラビングローラーの回転軸は１３５°であった。言い換えれば、ラビングローラーの回転軸の位置は、セルロースアシレートフィルムの長手方向を基準に、時計回りに４５°回転させた位置であった。

上記ラビング処理したセルロースアシレートフィルムを基板として、ギーサー塗布機を用いて、下記の組成の棒状液晶化合物を含む光学異方性層形成用組成物（３）を塗布して、組成物層を形成した（工程１Ｄに該当）。
次に、得られた組成物層を８０℃で６０秒間加熱した（工程２Ｄに該当）。この加熱により組成物層の棒状液晶化合物が所定の方向に配向した。
その後、酸素を含む空気（酸素濃度：約２０体積％）下、４０℃にて、３６５ｎｍＬＥＤランプ（アクロエッジ（株）製）を使用して紫外線を組成物層に５秒間照射した（照射量：５０ｍＪ／ｃｍ²）（工程３Ｄに該当）。
続いて、得られた組成物層を１２０℃で１０秒間加熱した（工程４Ｄに該当）。なお、光学異方性層形成用組成物（３）中の棒状液晶化合物の等方相への相転移温度は、１１０℃であった。
その後、窒素パージを行って、酸素濃度１００体積ｐｐｍとして、１２０℃にて、メタルハライドランプ（アイグラフィックス（株）製）を使用して紫外線を組成物層に照射し（照射量：５００ｍＪ／ｃｍ²）、液晶化合物の配向状態を固定した光学異方性層を形成した（工程５Ｄに該当）。このようにして光学フィルム（Ｆ－３）を作製した。

なお、光重合開始剤（Ｉｒｇａｃｕｒｅ９０７）の３６５ｎｍにおけるモル吸光係数は１４０Ｌ／（ｍｏｌ・ｃｍ）であった。

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光学異方性層形成用組成物（３）
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上記の棒状液晶化合物（Ａ） ８０質量部
上記の棒状液晶化合物（Ｂ） １０質量部
上記の重合性化合物（Ｃ） １０質量部
エチレンオキサイド変性トリメチロールプロパントリアクリレート
（Ｖ＃３６０、大阪有機化学（株）製） ４質量部
光重合開始剤（Ｉｒｇａｃｕｒｅ９０７、ＢＡＳＦ社製） ３質量部
上記のポリマー（Ａ） ０．０８質量部
上記のポリマー（Ｂ） ０．５０質量部
メチルイソブチルケトン １１６質量部
プロピオン酸エチル ４０質量部
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上記で作製した光学フィルム（Ｆ－３）をラビング方向と平行に切削し、偏光顕微鏡で光学異方性層を断面方向から観察した。光学異方性層の厚みは２．７μｍであり、光学異方性層の基板側の厚み１．１μｍの領域（第２領域）はホモジニアス配向であり、光学異方性層の空気側（基板と反対側）の厚み１．６μｍの領域（第１領域）は液晶化合物が等方状態（アイソトロピック相）であった。
なお、Ａｘｏｍｅｔｒｉｃｓ社のＡｘｏｓｃａｎ、および、同社の解析ソフトウェア（Ｍｕｌｔｉ－Ｌａｙｅｒ Ａｎａｌｙｓｉｓ）を用いて、光学フィルム（Ｆ－３）の光学特性を求めた。第２領域の波長５５０ｎｍにおける面内レタデーション（Δｎ２ｄ２）は１４０ｎｍであり、面内遅相軸は－４５°であった。また、第１領域の波長５５０ｎｍにおける面内レタデーション（Δｎ１ｄ１）は０ｎｍ、厚み方向のレタデーションは０ｎｍであった。
なお、面内遅相軸の角度は、フィルムの長手方向を基準の０°として、光学異方性層の表面側から基板を観察し、時計回り（右回り）の時を負、反時計回り（左回り）の時を正として表してある。

（円偏光板の作製）
実施例１と同様に、上記で作製した光学フィルム（Ｆ－３）を鹸化処理し、光学フィルム（Ｆ－３）に含まれる基板面に、前述の偏光子および前述の偏光子保護フィルムをポリビニルアルコール系接着剤を用いて連続的に貼り合せ、長尺状の円偏光板（Ｐ－３）を作製した。つまり、円偏光板（Ｐ－３）は、偏光子保護フィルム、偏光子、基板、および、光学異方性層をこの順で有していた。
なお、偏光子の吸収軸は円偏光板の長手方向と一致しており、偏光子の吸収軸に対する第２領域の面内遅相軸の回転角度は４５°であった。
なお、上記面内遅相軸の回転角度は、偏光子側から光学異方性層を観察して、円偏光板の長手方向を基準の０°とし、反時計回り方向に正、時計回りに負の角度値をもって表してある。

＜実施例４＞
（光学異方性層の形成）
実施例１で作製したセルロースアシレートフィルムに、連続的にラビング処理を施した。このとき、長尺状のフィルムの長手方向と搬送方向は平行であり、フィルムの長手方向（搬送方向）とラビングローラーの回転軸とのなす角度は９０°であった。

上記ラビング処理したセルロースアシレートフィルムを基板として、ギーサー塗布機を用いて、下記の組成の棒状液晶化合物を含む光学異方性層形成用組成物（４）を塗布して、組成物層を形成した（工程１Ｂに該当）。なお、工程１Ｂにおける組成物層中のキラル剤の加重平均螺旋誘起力の絶対値は、３１μｍ^-1であった。
次に、得られた組成物層を１００℃で８０秒間加熱した（工程２Ｂに該当）。この加熱により組成物層の棒状液晶化合物が所定の方向に配向した。
その後、酸素を含む空気（酸素濃度：約２０体積％）下、４０℃にて、３６５ｎｍＬＥＤランプ（アクロエッジ（株）製）を使用して紫外線を組成物層に１０秒間照射した（照射量：１００ｍＪ／ｃｍ²）（工程３Ｂに該当）。
続いて、得られた組成物層を９０℃で１０秒間加熱した（工程４Ｂに該当）。
その後、窒素パージを行って、酸素濃度１００体積ｐｐｍとして、５５℃にて、メタルハライドランプ（アイグラフィックス（株）製）を使用して紫外線を組成物層に照射し（照射量：５００ｍＪ／ｃｍ²）、液晶化合物の配向状態を固定した光学異方性層を形成した（工程５Ｂに該当）。このようにして光学フィルム（Ｆ－４）を作製した。

なお、増感剤（カヤキュアーＤＥＴＸ）の３６５ｎｍにおけるモル吸光係数は４２００Ｌ／（ｍｏｌ・ｃｍ）であった。

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光学異方性層形成用組成物（４）
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上記の棒状液晶化合物（Ａ） ８０質量部
上記の棒状液晶化合物（Ｂ） １０質量部
上記の棒状液晶化合物（Ｃ） １０質量部
エチレンオキサイド変性トリメチロールプロパントリアクリレート
（Ｖ＃３６０、大阪有機化学（株）製） ４質量部
光重合開始剤（Ｉｒｇａｃｕｒｅ９０７、ＢＡＳＦ社製） ３質量部
増感剤（カヤキュアーＤＥＴＸ、日本化薬（株）製） １質量部
上記の右捩れキラル剤（Ｒ１） １１質量部
上記のポリマー（Ａ） ０．０８質量部
上記のポリマー（Ｂ） ０．５質量部
メチルイソブチルケトン １１７質量部
プロピオン酸エチル ３９質量部
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上記で作製した光学フィルム（Ｆ－４）をラビング方向と平行に切削し、ＳＥＭで光学異方性層を断面方向から観察した。光学異方性層の厚みは３．６μｍであり、光学異方性層の基板側の厚み１．８μｍの領域（第２領域）と、光学異方性層の空気側（基板と反対側）の厚み１．８μｍの領域（第１領域）を有しており、第２領域と第１領域とはそれぞれ螺旋ピッチの異なるコレステリック配向であった。
なお、積分反射率計を用いて、光学フィルム（Ｆ－４）の分光反射特性を求めた。第２領域に由来する４５０ｎｍを中心にした反射帯域と、第１領域に由来する６５０ｎｍを中心にした反射帯域を有する二帯域コレステリック液晶フィルムであることが確認できた。

＜比較例１＞
前述の実施例１において、３６５ｎｍＬＥＤランプによる照射を、酸素を含む空気（酸素濃度：約２０体積％）下で実施するかわりに、窒素パージ下（酸素濃度１００体積ｐｐｍ）で行った以外は、実施例１と同様の手順に従って、光学フィルム（Ｆ－１）の作製方法と同様にして、光学フィルム（Ｃ－１）を作製した。つまり、比較例１においては、工程３Ａを実施しなかった。
なお、上記実施例１と同様の手順に従って、光学異方性層の断面を観察したところ、得られた光学異方性層の厚み方向全域にわたってホモジニアス配向が形成されており、本発明の所望の効果が得られなかった。

＜比較例２＞
前述の実施例１において、４０℃にて、３６５ｎｍＬＥＤランプによる照射を行った後、８０℃に加熱せず、４０℃にて、メタルハライドランプを使用して紫外線照射を行った以外は、光学フィルム（Ｆ－１）の作製方法と同様にして、光学フィルム（Ｃ－２）を作製した。つまり、比較例２においては、工程４Ａを実施しなかった。
なお、上記実施例１と同様の手順に従って、光学異方性層の断面を観察したところ、得られた光学異方性層の厚み方向全域にわたってホモジニアス配向が形成されており、本発明の所望の効果が得られなかった。

＜比較例３＞
前述の実施例１において、工程３Ａにおける照射条件を、３６５ｎｍＬＥＤランプによる照射を１００秒間（照射量：１３ｍＪ／ｃｍ²）に変更した以外は、光学フィルム（Ｆ－１）の作製方法と同様にして、光学フィルム（Ｃ－３）を作製した。つまり、比較例３においては、実施例１と比較して、照射量は同じだが、照射時間を長くした。
なお、上記実施例１と同様の手順に従って、光学異方性層の断面を観察したところ、得られた光学異方性層の厚み方向全域にわたって捩れ配向が形成されており、本発明の所望の効果が得られなかった。

作製した光学異方性層の波長λにおける面内レタデーションＲｅ（λ）をＡｘｏｍｅｔｒｉｃｓ社製Ａｘｏｓｃａｎで測定した。結果を表１に示す。

＜有機ＥＬ表示装置の作製および表示性能の評価＞
（表示装置への実装）
有機ＥＬパネル搭載のＳＡＭＳＵＮＧ社製ＧＡＬＡＸＹ Ｓ４を分解し、円偏光板を剥離して、そこに上記の実施例で作製した円偏光板（Ｐ－１）～（Ｐ－３）を、偏光子保護フィルムが外側に配置されるように、表示装置に貼り合せた。

（表示性能の評価）
（正面方向）
作製した有機ＥＬ表示装置に黒表示をして、明光下において正面方向より観察し、色味づきを下記の基準で評価した。結果を表１に示す。
４：色味づきが全く視認されない。（許容）
３：色味づきがやや視認されるものの、わずか。（許容）
２：色味づきが視認されるが、反射光は小さく、使用上問題はない。（許容）
１：色味づきが視認され、反射光も大きく、許容できない。

（斜め方向）
作製した有機ＥＬ表示装置に黒表示をして、明光下において、極角４５°から蛍光灯を映し込んで、全方位から反射光を観察した。色味変化の方位角依存性を下記の基準で評価した。結果を表１に示す。
４：色味差が全く視認されない。（許容）
３：色味差が視認されるものの、ごくわずか。（許容）
２：色味差が視認されるが、反射光は小さく、使用上問題はない。（許容）
１：色味差が視認され、反射光も大きく、許容できない。

表１中、「面内レタデーション」は、光学異方性層の各波長における面内レタデーションを示す。

上記表１に示すように、各実施例中の光学異方性層の位相差は逆波長分散性を示し、この光学異方性層を有機ＥＬ表示装置に使用すると、色味づきと反射が抑制されることが確認された。

＜液晶表示装置の作製および表示性能の評価＞
（円偏光板の作製）
上記で作製した光学フィルム（Ｆ－１）を鹸化処理し、光学フィルム（Ｆ－１）に含まれる基板面に、前述の偏光子および前述の偏光子保護フィルムをポリビニルアルコール系接着剤を用いて貼り合せ、円偏光板（Ｐ－４）を作製した。このとき、偏光子の吸収軸と光学フィルム（Ｆ－１）の長手方向のなす角度が９０°となるように貼り合せた。すなわち、偏光子の吸収軸に対する第２領域の面内遅相軸の回転角度は１００°であり、偏光子の吸収軸に対する第１領域の第２領域側とは反対側の表面の面内遅相軸の回転角度は１７５°であった。
なお、上記面内遅相軸の回転角度は、偏光子側から光学異方性層を観察して、偏光子の吸収軸方向を基準の０°とし、反時計回り方向に正、時計回りに負の角度値をもって表してある。

（液晶表示装置１の作製）
以下のようにして、ＶＡモードの半透過型液晶表示装置１を作製した。液晶セルの配向膜はポリイミドを使用し、透過部のセルギャップは４．０μｍ、反射部のセルギャップはで２．０μｍとした。この空隔部に、誘電率異方性が負であるネマチック液晶を注入した。この液晶セルの上下基板に電圧を印加しないときは、ネマチック液晶は垂直に配向していた。また、電圧を印加した際は、方位が１８０°異なる２方向にネマチック液晶が傾斜するようにセル基板に突起を形成した。この液晶セルに電圧を印加し、白表示する際の波長５５０ｎｍにおける面内レタデーションは、透過部が２８０ｎｍ、反射部が１４０ｎｍであり、無印加で黒表示する際の波長５５０ｎｍにおける面内レタデーションは、透過部が０ｎｍ、反射部が０ｎｍであった。
この上下基板と該基板間に挟持された液晶層とからなる液晶セルに、上記作製した円偏光板（Ｐ－１）および円偏光板（Ｐ－４）を貼り合せて、半透過型液晶表示装置１を作製した。このとき、観察者側から、円偏光板（Ｐ－１）、液晶セル、円偏光板（Ｐ－４）、およびバックライトを、この順に配置した。また、円偏光板（Ｐ－１）は、観察者側から、偏光子および光学フィルム（Ｆ－１）がこの順となり、円偏光板（Ｐ－４）は、観察者側から、光学フィルム（Ｆ－１）および偏光子が、この順となるようにし、円偏光板（Ｐ－１）および円偏光板（Ｐ－４）に含まれる各々の偏光子の吸収軸のなす角度は９０°となるように配置した。また、上下基板に挟持されたネマチック液晶が傾斜した際、該ネマチック液晶の長軸を該セル基板に投影した方向（面内遅相軸）の回転角度は４５°であった。
なお、上記投影した方向（面内遅相軸）の回転角度は、円偏光板（Ｐ－１）側から液晶セルを観察して、偏光子の吸収軸方向を基準の０°とし、反時計回り方向に正、時計回りに負の角度値をもって表してある。

（円偏光板の作製）
特許６７７０６４９の実施例１、または実施例２５に記載の方法と同様にして、セルロースアシレートフィルム上に配向膜を形成し、さらにその上に、ディスコティック液晶化合物からなる光学異方性層Ｈ、または棒状液晶化合物からなる光学異方性層Ｑを作製した。このとき、下記のレタデーションと遅相軸角度となるように、塗布層の厚みとラビング角度を調整した。光学異方性層Ｈの波長５５０ｎｍにおける面内レタデーションは、２８０ｎｍであり、光学異方性層Ｑの波長５５０ｎｍにおける面内レタデーションは、１２０ｎｍであった。
続いて、光学異方性層Ｑ、光学異方性層Ｈ、前述の偏光子および前述の偏光子保護フィルムが、この順になるように粘着剤を用いて貼り合せて、円偏光板（Ｐ－５）を作製した。このとき、セルロースアシレートフィルムと配向膜は、光学異方性層Ｈおよび光学異方性層Ｑから剥離し、円偏光板には含まれないようにした。また、偏光子の吸収軸に対する光学異方性層Ｈの面内遅相軸の回転角度は－７５°であり、偏光子の吸収軸に対する光学異方性層Ｑの面内遅相軸の回転角度は－１５°となるように貼り合せた。
なお、上記面内遅相軸の回転角度は、偏光子側から光学異方性層を観察して、偏光子の吸収軸方向を基準の０°とし、反時計回り方向に正、時計回りに負の角度値をもって表してある。

（液晶表示装置２の作製）
以下のようにして、ＥＣＢモードの半透過型液晶表示装置２を作製した。液晶セルの配向膜はポリイミドで、ラビング方向は上下が平行となるようにした。透過部のセルギャップは４．０μｍ、反射部のセルギャップはで２．０μｍであり、この空隔部に、誘電率異方性が正であるネマチック液晶を注入した。この液晶セルに電圧印加した際の波長５５０ｎｍにおける面内レタデーションは、白表示時の透過部が２８０ｎｍ、白表示時の反射部が１４０ｎｍ、黒表示時の透過部が４０ｎｍ、黒表示時の反射部が２０ｎｍであった。また、電圧印加によって上下基板に挟持されたネマチック液晶が傾斜した際、該ネマチック液晶の長軸を該セル基板に投影した方向（面内遅相軸）は上記ラビング方向と一致していた。
この上下基板と該基板間に挟持された液晶層とからなる液晶セルに、上記作製した円偏光板（Ｐ－１）および円偏光板（Ｐ－５）を貼り合せて、半透過型液晶表示装置２を作製した。このとき、観察者側から、円偏光板（Ｐ－５）、液晶セル、円偏光板（Ｐ－１）、およびバックライトを、この順に配置した。また、円偏光板（Ｐ－５）は、観察者側から、偏光子、光学異方性層Ｈおよび光学異方性層Ｑがこの順となり、円偏光板（Ｐ－１）は、観察者側から、光学フィルム（Ｆ－１）および偏光子が、この順となるように配置した。また、円偏光板（Ｐ－５）および円偏光板（Ｐ－１）に含まれる各々の偏光子の吸収軸のなす角度は９０°となるようにし、液晶セルの配向膜に施したラビング方向と円偏光板（Ｐ－５）に含まれる光学異方性層Ｑの面内遅相軸方向のなす角度は０°となるように配置した。

（表示性能の評価）
上記作製したＶＡモードの半透過型液晶表示装置１とＥＣＢモードの液晶表示装置２の透過部および反射部について、印加電圧を調整して、黒表示と白表示の視認性を目視評価した。いずれの表示装置においても、良好な白／黒コントラストを示し、本実施例の光学異方性層が液晶表示装置に好適に用いることができることを確認した。

＜実施例５＞
（光学異方性層の形成）
実施例２で作製した配向膜に連続的にラビング処理を施した。このとき、長尺状のフィルムの長手方向と搬送方向は平行であり、フィルムの長手方向（搬送方向）とラビングローラーの回転軸とのなす角度は９０°とした。

上記ラビング処理した配向膜付きセルロースアシレートフィルムを基板として、ギーサー塗布機を用いて、下記の組成の棒状液晶化合物を含む光学異方性層形成用組成物（５）を塗布して、組成物層を形成した（工程１Ｃに該当）。
次に、得られた組成物層を１２０℃で８０秒間加熱した（工程２Ｃに該当）。この加熱により組成物層の棒状液晶化合物が所定の方向に配向した。
その後、酸素を含む空気（酸素濃度：約２０体積％）下、４０℃にて、３６５ｎｍＬＥＤランプ（アクロエッジ（株）製）を使用して紫外線を組成物層に５秒間照射した（照射量：３０ｍＪ／ｃｍ²）（工程３Ｃに該当）。
続いて、得られた組成物層を９０℃で１０秒間加熱した（工程４Ｃに該当）。
その後、窒素パージを行って、酸素濃度１００体積ｐｐｍとして、５５℃にて、メタルハライドランプ（アイグラフィックス（株）製）を使用して紫外線を組成物層に照射し（照射量：５００ｍＪ／ｃｍ²）、液晶化合物の配向状態を固定した光学異方性層を形成した（工程５Ｃに該当）。このようにして光学フィルム（Ｆ－５）を作製した。

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光学異方性層形成用組成物（５）
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下記の棒状液晶化合物（Ｆ） ４２質量部
下記の棒状液晶化合物（Ｇ） ４２質量部
下記の棒状液晶化合物（Ｈ） １２質量部
下記の棒状液晶化合物（Ｉ） ４質量部
ＮＫエステル Ａ－２００（新中村化学社製） １質量部
ハイソルブ ＭＴＥＭ（東邦化学工業社製） ２質量部
光重合開始剤（Ｉｒｇａｃｕｒｅ８１９、ＢＡＳＦ社製） ３質量部
上記のポリマー（Ａ） ０．０８質量部
上記の感光性化合物（Ａ） ０．４質量部
上記のイオン性化合物（Ａ） ３．０質量部
メチルエチルケトン １５６質量部
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棒状液晶化合物（Ｆ）

棒状液晶化合物（Ｇ）

棒状液晶化合物（Ｈ）

棒状液晶化合物（Ｉ）

上記で作製した光学フィルム（Ｆ－５）をラビング方向と平行に切削し、偏光顕微鏡で光学異方性層を断面方向から観察した。光学異方性層の厚みは４．３μｍであり、光学異方性層の基板側の厚み２．４μｍの領域（第２領域）はホモジニアス配向であり、光学異方性層の空気側（基板と反対側）の厚み１．９μｍの領域（第１領域）は液晶化合物がホメオトロピック配向していた。
なお、Ａｘｏｍｅｔｒｉｃｓ社のＡｘｏｓｃａｎ、および、同社の解析ソフトウェア（Ｍｕｌｔｉ－Ｌａｙｅｒ Ａｎａｌｙｓｉｓ）を用いて、光学フィルム（Ｆ－５）の光学特性を求めた。第２領域の波長５５０ｎｍにおける面内レタデーション（Δｎ２ｄ２）は１３０ｎｍであり、フィルムの長手方向に対する面内遅相軸の角度は０°であった。また、第１領域の波長５５０ｎｍにおける面内レタデーション（Δｎ１ｄ１）は０ｎｍ、第１領域の波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレタデーションは－１００ｎｍであった。
なお、面内遅相軸の角度は、フィルムの長手方向を基準の０°とする。

（液晶表示装置の光学補償板の作製）
上記で作製した光学フィルム（Ｆ－５）を鹸化処理し、光学フィルム（Ｆ－５）に含まれる光学異方性層面に、前述の偏光子および前述の偏光子保護フィルムをポリビニルアルコール系接着剤を用いて連続的に貼り合せ、長尺状の偏光板（Ｐ－６）を作製した。つまり、偏光板（Ｐ－６）は、偏光子保護フィルム、偏光子、光学異方性層、および、基板をこの順で有していた。
なお、偏光子の吸収軸は偏光板の長手方向と一致しており、偏光子の吸収軸に対する第２領域の面内遅相軸の回転角度は０°であった。
なお、上記面内遅相軸の回転角度は、偏光子側から光学異方性層を観察して、偏光板の長手方向を基準の０°とする。

（液晶表示装置３の作製）
市販の液晶表示装置（ｉＰａｄ（登録商標）、Ａｐｐｌｅ社製）（ＦＦＳモードの液晶セルを含む液晶表示装置）からの表側の偏光板を剥がして、上記作製した偏光板（Ｐ－６）を、光学フィルム側が液晶セル側に配置されるように、かつ、偏光子の吸収軸がバックライト側の偏光板中の偏光子の吸収軸と直交するように、２０μｍのアクリル系粘着剤で貼り合わせ、液晶表示装置３を作製した。

（表示性能の評価）
上記作製した液晶表示装置３について、印加電圧を調整して、黒表示と白表示の斜め方向の視認性を目視評価した。液晶表示装置３は良好な白／黒コントラストを示し、本実施例の光学異方性層が液晶表示装置の光学補償板に好適に用いることができることを確認した。

１０ 基板
１２，１２０，２２０，３２０，４２０ 組成物層
１２Ａ，１２０Ａ，２２０Ａ，３２０Ａ，４２０Ａ 下側領域
１２Ｂ，１２０Ｂ，２２０Ｂ，３２０Ｂ，４２０Ｂ 上側領域
２０ 光学異方性層
２２ 他の光学異方性層
２４ 積層体
２６ 偏光子
２８ 偏光子付き光学異方性層

Claims (7)

1. 光照射により螺旋誘起力が変化する感光性キラル剤を含むキラル剤を含み、かつ、重合性基を有する液晶化合物を含む組成物層を形成する工程１と、
   前記組成物層に加熱処理を施して、前記組成物層中の前記液晶化合物を配向させる工程２と、
   前記工程２の後、酸素濃度１体積％以上の条件下にて、前記組成物層に対して、光照射を５０秒間以下、かつ、３００ｍＪ／ｃｍ^２以下で行う工程３と、
   前記工程３の後、前記組成物層に、前記光照射時より高い温度で加熱処理を施す工程４と、
   前記工程４の後、前記組成物層に対して硬化処理を施して、前記液晶化合物の配向状態が異なる領域を厚み方向に沿って複数有する光学異方性層を形成する工程５と、を有する、光学異方性層の製造方法。
2. 前記液晶化合物の全質量に対する、前記キラル剤の合計含有量が、５．０質量％以下である、請求項１に記載の光学異方性層の製造方法。
3. 前記液晶化合物の全質量に対する、前記キラル剤の合計含有量が、５．０質量％超である、請求項１に記載の光学異方性層の製造方法。
4. 光照射により極性が変化する感光性化合物を含み、かつ、重合性基を有する液晶化合物を含む組成物層を形成する工程１と、
   前記組成物層に加熱処理を施して、前記組成物層中の前記液晶化合物を配向させる工程２と、
   前記工程２の後、酸素濃度１体積％以上の条件下にて、前記組成物層に対して、光照射を５０秒間以下、かつ、３００ｍＪ／ｃｍ^２以下で行う工程３と、
   前記工程３の後、前記組成物層に、前記光照射時より高い温度で加熱処理を施す工程４と、
   前記工程４の後、前記組成物層に対して硬化処理を施して、前記液晶化合物の配向状態が異なる領域を厚み方向に沿って複数有する光学異方性層を形成する工程５と、を有する、光学異方性層の製造方法。
5. 前記感光性化合物が、光照射により親水化する感光性化合物である、請求項４に記載の光学異方性層の製造方法。
6. 前記組成物層が光重合開始剤および光増感剤からなる群から選択される感光材料を含み、
   前記工程３における光照射の波長における前記感光材料のモル吸光係数が５０００Ｌ／（ｍｏｌ・ｃｍ）以下である、請求項１～５のいずれか１項に記載の光学異方性層の製造方法。
7. 前記工程４における前記加熱処理の温度が、前記液晶化合物が等方相となる温度以上である、請求項１～５のいずれか１項に記載の光学異方性層の製造方法。