JP7479765B2 - 基準電圧回路 - Google Patents
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Description
VGS#32≧VDS#31s …(1)
を満たすように、構成されている。
基準電圧回路100では、基準電圧発生回路10が基準電圧VREFを発生させる。基準電圧VREFは出力ラインOLを通して出力端子Toへ供給される。また、出力制御回路30は、基準電圧VREFの出力端子Toへの供給を制御する。
VGS#42≧VDS#41s …(2)
を満たすように、構成されている。
VGS#52≧VDS#51s …(3)
を満たすように、構成されている。
1 電源供給端子(第1の電源供給端子)
2 接地端子(第2の電源供給端子)
10,20 基準電圧発生回路
11 PNPバイポーラトランジスタ(第1のダイオード)
12 PNPバイポーラトランジスタ(第2のダイオード)
13 抵抗(第1の抵抗)
15 抵抗(第2の抵抗)
16 抵抗(第3の抵抗)
21 NPNバイポーラトランジスタ(ダイオード)
22 NPNバイポーラトランジスタ(第1のバイポーラトランジスタ)
23 抵抗(第1の抵抗)
24 抵抗(第2の抵抗)
26 抵抗(第3の抵抗)
30,40 出力制御回路
31,41 デプレッション型NMOSトランジスタ(出力トランジスタ、第1のデプレッション型NMOSトランジスタ)
32,42 デプレッション型NMOSトランジスタ(安定化トランジスタ、第2のデプレッション型NMOSトランジスタ)
33,53 演算増幅器
46 NPNバイポーラトランジスタ(第2のバイポーラトランジスタ)
51 エンハンスメント型PMOSトランジスタ(出力トランジスタ)
52 デプレッション型PMOSトランジスタ(安定化トランジスタ)
OL 出力ライン
Claims (6)
- 基準電圧を発生させ、発生させた前記基準電圧を出力端子へ供給する出力ラインを有する基準電圧発生回路と、
制御電圧が入力されるゲートと、ドレインと、ソースと、を有する出力トランジスタと、前記出力トランジスタのソースと接続されるゲートと、ドレインと、前記出力トランジスタのドレインと接続されるソースと、を有する安定化トランジスタと、を有し、前記基準電圧の前記出力端子への供給を制御する出力制御回路と、を備え、
前記安定化トランジスタは、そのゲート・ソース間電圧が前記出力トランジスタの飽和領域におけるドレイン・ソース間電圧以上に構成されることを特徴とする基準電圧回路。 - 前記出力トランジスタは、第1のデプレッション型NMOSトランジスタであり、
前記安定化トランジスタは、第2のデプレッション型NMOSトランジスタであって、
前記第1のデプレッション型NMOSトランジスタは、前記制御電圧が入力されるゲートと、ドレインと、前記出力ラインに接続されるソースと、を有し、
前記第2のデプレッション型NMOSトランジスタは、前記第1のデプレッション型NMOSトランジスタのソースと接続されるゲートと、第1の電源電圧を供給する第1の電源供給端子に接続されるドレインと、前記第1のデプレッション型NMOSトランジスタのドレインと接続されるソースと、を有する請求項1に記載の基準電圧回路。 - 前記基準電圧発生回路は、それぞれ、第1端及び第2端を有する第1の抵抗、第2の抵抗及び第3の抵抗と、
前記第1の抵抗の第2端と接続されるアノードと、第2の電源電圧を供給する第2の電源供給端子に接続されるカソードと、を有する第1のダイオードと、
前記第3の抵抗の第2端と接続されるアノードと、前記第2の電源供給端子に接続されるカソードと、を有する第2のダイオードと、を有し、
前記出力制御回路は、前記第1の抵抗の第1端及び前記第2の抵抗の第2端と接続される反転入力端と、前記第2のダイオードのアノード及び前記第3の抵抗の第2端と接続される非反転入力端と、前記第1のデプレッション型NMOSトランジスタのゲートと接続され、前記制御電圧を供給する出力端とを含む演算増幅器と、をさらに有する請求項2に記載の基準電圧回路。 - 前記基準電圧発生回路は、カレントミラー回路を構成するダイオード及び第1のバイポーラトランジスタと、
前記出力ラインと接続される第1端と、前記ダイオードのアノードと接続される第2端と、を有する第1の抵抗と、
前記出力ラインと接続される第1端と、前記第1のバイポーラトランジスタのコレクタと接続される第2端と、を有する第2の抵抗と、
前記第1のバイポーラトランジスタのエミッタに接続される第1端と、第2の電源電圧を供給する第2の電源供給端子に接続される第2端と、を有する第3の抵抗と、を有し、
前記出力制御回路は、前記第2の抵抗の第2端及び前記第1のバイポーラトランジスタのコレクタに接続されるベースと、定電流源を介して接続される前記第1の電源供給端子及び前記第1のデプレッション型NMOSトランジスタのゲートと接続されるコレクタと、前記第2の電源供給端子に接続されるエミッタと、を有する第2のバイポーラトランジスタをさらに有する請求項2に記載の基準電圧回路。 - 前記出力トランジスタは、エンハンスメント型PMOSトランジスタであり、
前記安定化トランジスタは、デプレッション型PMOSトランジスタであって、
前記エンハンスメント型PMOSトランジスタは、前記制御電圧が入力されるゲートと、ドレインと、第1の電源電圧を供給する第1の電源供給端子に接続されるソースと、を有し、
前記デプレッション型PMOSトランジスタは、前記エンハンスメント型PMOSトランジスタのソースと接続されるゲートと、前記出力ラインに接続されるドレインと、前記エンハンスメント型PMOSトランジスタのドレインと接続されるソースと、を有し、そのゲート・ソース間電圧が前記エンハンスメント型PMOSトランジスタの飽和領域におけるドレイン・ソース間電圧以上に構成される請求項1に記載の基準電圧回路。 - 前記基準電圧発生回路は、それぞれ、第1端及び第2端を有する第1の抵抗、第2の抵抗及び第3の抵抗と、
前記第1の抵抗の第2端と接続されるアノードと、第2の電源電圧を供給する第2の電源供給端子に接続されるカソードと、を有する第1のダイオードと、
前記第3の抵抗の第2端と接続されるアノードと、前記第2の電源供給端子に接続されるカソードと、を有する第2のダイオードと、を有し、
前記出力制御回路は、前記第2のダイオードのアノード及び前記第3の抵抗の第2端と接続される反転入力端と、前記第1の抵抗の第1端及び前記第2の抵抗の第2端と接続される非反転入力端と、前記エンハンスメント型PMOSトランジスタのゲートと接続され、前記制御電圧を供給する出力端とを含む演算増幅器と、をさらに有する請求項5に記載の基準電圧回路。
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