JP7478625B2 - 基板洗浄装置、基板処理装置、基板洗浄方法及びデバイスを製造する方法 - Google Patents
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- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims description 334
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 225
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 20
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 320
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 33
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 29
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 13
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 10
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 7
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- 239000002699 waste material Substances 0.000 claims description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 17
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 6
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 5
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 3
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- SWXQKHHHCFXQJF-UHFFFAOYSA-N azane;hydrogen peroxide Chemical compound [NH4+].[O-]O SWXQKHHHCFXQJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000000110 cooling liquid Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- CABDFQZZWFMZOD-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrochloride Chemical compound Cl.OO CABDFQZZWFMZOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XEMZLVDIUVCKGL-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;sulfuric acid Chemical compound OO.OS(O)(=O)=O XEMZLVDIUVCKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000012886 linear function Methods 0.000 description 1
- 238000005461 lubrication Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- FWFGVMYFCODZRD-UHFFFAOYSA-N oxidanium;hydrogen sulfate Chemical compound O.OS(O)(=O)=O FWFGVMYFCODZRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67046—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly scrubbing means, e.g. brushes
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
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- H01L21/67706—Mechanical details, e.g. roller, belt
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Description
そのため従来より、より高度な基板洗浄技術を実現するべく開発・提案がなされてきた。
また、一般に、近年、デバイスの線幅サイズが微小化している中で、例えば基板表面に高アスペクト比のトレンチが存在する場合における湿式洗浄後の基板において、湿式処理後の乾燥中の毛細管力の発生に起因するスティクションが、基板上に形成された半導体デバイス構造内に形成されたフィーチャ間に発生することが1つの課題になってきている等、基板表面上における表面状態管理の必要性は高まっている。そこで、これに対応するため、基板表面上への液供給量の制御を高精度で行う必要がある等、基板洗浄装置に求められる技術的な高度化のニーズも高まっている。
基板を洗浄するための洗浄部材を回転可能に保持する軸受部を有する保持部と、
少なくとも一部が前記保持部の内部に設けられ、前記保持部の内部を通過して前記洗浄部材内に第1液体を供給する第1供給部と、
前記軸受部に第2液体を供給する第2供給部と、
を備え、
前記保持部には、前記保持部の内部に貯留する液体を排出するための排出口を有する排出部が設けられ、
前記排出部には、前記排出口から排出される液体の流量を計測する流量計が設けられている。
基板を洗浄するための洗浄部材を回転可能に保持する軸受部を有する保持部と、
少なくとも一部が前記保持部の内部に設けられ、前記保持部の内部を通過して前記洗浄部材内に第1液体を供給する第1供給部と、
前記軸受部に第2液体を供給する第2供給部と、
を備え、
前記保持部には、前記保持部の内部から液体を排出するための排出口が設けられ、
前記排出口から排出される排液の排液量信号 に基づき、前記第1液体の供給流量を制御する制御部を備える。
前記第1供給部は、前記第1液体の供給流量を制御するための制御部を有し、
前記制御部は、前記流量計により計測される排液の流量が前記2液体の供給流量に対して変化があった場合に、その変化量に基づいて、前記第1液体の供給流量を制御する。
前記制御部は、前記排液の流量が増加した場合には、前記第1液体の供給流量を増加させる。
前記制御部は、前記排液の流量が増加した場合には、前記第1液体の供給流量を減少させる。
前記制御部は、前記第1液体の供給流量と前記第2液体の供給流量との和から前記排液の流量を減算して、前記洗浄部材内に供給される第1液体の流量を推定する。
前記制御部は、推定された第1液体の流量に基づいて、前記洗浄部材のセルフクリーニングのタイミング、前記洗浄部材の交換のタイミング、およびブレークインの完了タイミングのうちの少なくとも1つを特定する。
前記軸受部は、軸方向に並んで配置された2つ以上の軸受部材を有し、
前記第2供給部は、前記軸受部材の軸方向の間に前記第2液体を供給する。
前記第1供給部が前記第1液体を前記洗浄部材内に供給していないときにも、前記第2供給部が前記第2液体を前記軸受部に供給する。
前記保持部は、前記洗浄部材とともに回転し、前記第2液体を前記軸受部に供給するための1つ以上の孔部が設けられた回転部を有する。
基板を研磨する基板研磨装置と、
研磨後の基板を洗浄する基板洗浄装置と、
を備え、
前記基板洗浄装置は、
前記基板を洗浄するための洗浄部材を回転可能に保持する軸受部を有する保持部と、
少なくとも一部が前記保持部の内部に設けられ、前記保持部の内部を通過して前記洗浄部材内に第1液体を供給する第1供給部と、
前記軸受部に第2液体を供給する第2供給部と、
を備え、
前記保持部には、前記保持部の内部に貯留する液体を排出するための排出口を有する排出部が設けられ、
前記排出部には、前記排出口から排出される液体の流量を計測する流量計が設けられている。
基板を研磨する基板研磨装置と、
研磨後の基板を洗浄する基板洗浄装置と、
を備え、
前記基板洗浄装置は、
前記基板を洗浄するための洗浄部材を回転可能に保持する軸受部を有する保持部と、
少なくとも一部が前記保持部の内部に設けられ、前記保持部の内部を通過して前記洗浄部材内に第1液体を供給する第1供給部と、
前記軸受部に第2液体を供給する第2供給部と、
を備え、
前記保持部には、前記保持部の内部から液体を排出するための排出口が設けられ、
前記排出口から排出される排液の排液量信号に基づき、前記第1液体の供給流量を制御する制御部を備える。
基板を洗浄するための洗浄部材を回転可能に保持する軸受部を有する保持部と、
少なくとも一部が前記保持部の内部に設けられ、前記保持部の内部を通過して前記洗浄部材内に第1液体を供給する第1供給部と、
前記軸受部に第2液体を供給する第2供給部と、
を備え、
前記保持部には、前記保持部の内部に貯留する液体を排出するための排出口を有する排出部が設けられ、
前記排出部には、前記排出口から排出される液体の流量を計測する流量計が設けられている、基板洗浄装置において、前記第1供給部からの前記第1液体の供給流量を制御する方法であって、
前記流量計により計測される排液の流量を取得するステップと、
前記流量計により計測される排液の流量が前記2液体の供給流量に対して変化があった場合に、その変化量に基づいて、前記第1液体の供給流量を制御するステップと、
を含む。
洗浄部材を回転可能に軸受部で保持するステップと、
前記洗浄部材を回転させながら基板に接触させて前記基板を洗浄する処理を複数枚の基板に対して実施するステップと、を含む、連続的に複数枚の基板を洗浄する方法であって、
前記方法は、
(1)前記軸受部を有する保持部には、第1液体を保持部の内部に供給する第1供給部と、前記洗浄部材内の流路と接続して第1液体を前記洗浄部材に導入する接続口と、内部に貯留する液体を排出するための排出口を有する排出部とが設けられており、前記第1供給部から、前記保持部の内部にある接続口を通過して前記洗浄部材内に第1液体を供給するステップと、
(2)第2供給部から前記軸受部に軸受部を冷却・潤滑する第2液体を供給するステップと、
(3)前記排出部に設けられている流量計により前記排出口から排出される排液の流量を計測するステップと、
(4)前記流量計により計測される排液の流量が所定の閾値を超えた場合には、排液の流量が所定の閾値以下となるように、前記第1供給部からの前記第1液体の供給流量を変化させる制御信号を生成するステップと、
を含む。
デバイスの製造方法であって、
第13または14の態様に係る方法によって基板を洗浄するステップを含んでなり、
前記基板を洗浄するステップを実行するために準備される前記基板は、処理開始前に予め表面に液体が付着した状態の基板である。
他方で、第1液体の排液量をゼロにしようと第1液体の供給流量を減少させる制御を行おうとすると、洗浄部材41内に本来必要な量だけ第1液体が供給されないおそれがあった。
さらに別の実施態様では、排液量の「増加傾向(傾き)を検知」(=すなわち、排液量の液量を時間変化でプロットしたときの曲線の傾き値(微分値)が、閾値を超えたか否かを判定)したうえで、さらに、排液量が所定の閾値を超えたか否かを検知して、両方に合致する場合のみを、「排液の流量が増加した」と判定して第1液体の供給流量を増加させるようにしてもよい。このように2つの判定ステップで「排液の流量が増加」したか否かを検知するようにすれば誤判定を防ぐことができる。
さらに別の実施態様では、排液量の「増加傾向(傾き)を検知」(=すなわち、排液量の液量を時間変化でプロットしたときの曲線の傾き値(微分値)が、閾値を超えたか否かを判定)したうえで、さらに、排液量が所定の閾値を超えたか否かを検知して、両方に合致する場合のみを、「排液の流量が増加した」と判定して第1液体の供給流量を減少させるようにしてもよい。このように2つの判定ステップで「排液の流量が増加」したか否かを検知するようにすれば誤判定を防ぐことができる。
また、例えば基板を縦向きに保持しながら基板洗浄する際の基板洗浄装置にも適用することができる。また、各実施の形態および変形例は、処理内容を矛盾させない範囲で適宜組み合わせることが可能である。
10 ハウジング
12 ロードポート
14a~14d 研磨ユニット(基板研磨装置)
16 洗浄装置
16 第1洗浄ユニット(基板洗浄装置)
18 第2洗浄ユニット(基板洗浄装置)
20 乾燥ユニット
22 第1搬送ロボット
24 搬送ユニット
26 第2搬送ロボット
28 第3搬送ロボット
30 制御装置
40 基板洗浄装置
41 洗浄部材
42 保持部
42a 回転体
42b 筐体
42c 外側部材
42d 内側部材
42e 密閉部
43 第1供給部
43a 第1供給管
43b 第1調整弁
43c 第1流量計
43d コンピュータ
44 第2供給部
44a 第2供給管
44b 第2調整弁
44c 第2流量計
44d オリフィス
45 排出部
45a 排出口
46 流量計
47 制御部
48 駆動部
50 軸受部
50a 軸受部材
50b 軸受部材
50c カラー
Claims (15)
- 基板を洗浄するための洗浄部材を回転可能に保持する軸受部を有する保持部と、
少なくとも一部が前記保持部の内部に設けられ、前記保持部の内部を通過して前記洗浄部材内に第1液体を供給する第1供給部と、
前記軸受部に第2液体を供給する第2供給部と、
を備え、
前記保持部には、前記保持部の内部に貯留する液体を排出するための排出口を有する排出部が設けられ、
前記排出部には、前記排出口から排出される液体の流量を計測する流量計が設けられている
ことを特徴とする基板洗浄装置。 - 基板を洗浄するための洗浄部材を回転可能に保持する軸受部を有する保持部と、
少なくとも一部が前記保持部の内部に設けられ、前記保持部の内部を通過して前記洗浄部材内に第1液体を供給する第1供給部と、
前記軸受部に第2液体を供給する第2供給部と、
を備え、
前記保持部には、前記保持部の内部から液体を排出するための排出口が設けられ、
前記排出口から排出される排液の排液量信号に基づき、前記第1液体の供給流量を制御する制御部を備えた
ことを特徴とする基板洗浄装置。 - 前記第1供給部は、前記第1液体の供給流量を制御するための制御部を有し、
前記制御部は、前記流量計により計測される排液の流量に変化があった場合に、その変化量に基づいて、前記第1液体の供給流量を制御する
ことを特徴とする請求項1に記載の基板洗浄装置。 - 前記制御部は、前記排液の流量が増加した場合には、前記第1液体の供給流量を増加させる
ことを特徴とする請求項3に記載の基板洗浄装置。 - 前記制御部は、前記排液の流量が増加した場合には、前記第1液体の供給流量を減少させる
ことを特徴とする請求項3に記載の基板洗浄装置。 - 前記制御部は、前記第1液体の供給流量と前記第2液体の供給流量との和から前記排液の流量を減算して、前記洗浄部材内に供給される第1液体の流量を推定する
ことを特徴とする請求項3~5のいずれかに記載の基板洗浄装置。 - 前記制御部は、推定された第1液体の流量に基づいて、前記洗浄部材のセルフクリーニングのタイミング、前記洗浄部材の交換のタイミング、およびブレークインの完了タイミングのうちの少なくとも1つを特定する、
ことを特徴とする請求項6に記載の基板洗浄装置。 - 前記軸受部は、軸方向に並んで配置された2つ以上の軸受部材を有し、
前記第2供給部は、前記軸受部材の軸方向の間に前記第2液体を供給する、
ことを特徴とする請求項1~7のいずれかに記載の基板洗浄装置。 - 前記第1供給部が前記第1液体を前記洗浄部材内に供給していないときにも、前記第2供給部が前記第2液体を前記軸受部に供給する、
ことを特徴とする請求項1~8のいずれかに記載の基板洗浄装置。 - 前記保持部は、前記洗浄部材とともに回転し、前記第2液体を前記軸受部に供給するための1つ以上の孔部が設けられた回転部を有する、
ことを特徴とする請求項1~9のいずれかに記載の基板洗浄装置。 - 基板を研磨する基板研磨装置と、
研磨後の基板を洗浄する基板洗浄装置と、
を備え、
前記基板洗浄装置は、
前記基板を洗浄するための洗浄部材を回転可能に保持する軸受部を有する保持部と、
少なくとも一部が前記保持部の内部に設けられ、前記保持部の内部を通過して前記洗浄部材内に第1液体を供給する第1供給部と、
前記軸受部に第2液体を供給する第2供給部と、
を備え、
前記保持部には、前記保持部の内部に貯留する液体を排出するための排出口を有する排出部が設けられ、
前記排出部には、前記排出口から排出される液体の流量を計測する流量計が設けられている
ことを特徴とする基板処理装置。 - 基板を研磨する基板研磨装置と、
研磨後の基板を洗浄する基板洗浄装置と、
を備え、
前記基板洗浄装置は、
前記基板を洗浄するための洗浄部材を回転可能に保持する軸受部を有する保持部と、
少なくとも一部が前記保持部の内部に設けられ、前記保持部の内部を通過して前記洗浄部材内に第1液体を供給する第1供給部と、
前記軸受部に第2液体を供給する第2供給部と、
を備え、
前記保持部には、前記保持部の内部から液体を排出するための排出口が設けられ、
前記排出口から排出される排液の排液量信号に基づき、前記第1液体の供給流量を制御する制御部を備えた
ことを特徴とする基板処理装置。 - 基板を洗浄するための洗浄部材を回転可能に保持する軸受部を有する保持部と、
少なくとも一部が前記保持部の内部に設けられ、前記保持部の内部を通過して前記洗浄部材内に第1液体を供給する第1供給部と、
前記軸受部に第2液体を供給する第2供給部と、
を備え、
前記保持部には、前記保持部の内部に貯留する液体を排出するための排出口を有する排出部が設けられ、
前記排出部には、前記排出口から排出される液体の流量を計測する流量計が設けられている、基板洗浄装置において、前記第1供給部からの前記第1液体の供給流量を制御する方法であって、
前記流量計により計測される排液の流量を取得するステップと、
前記流量計により計測される排液の流量に変化があった場合に、その変化量に基づいて、前記第1液体の供給流量を制御するステップと、
を含むことを特徴とする方法。 - 洗浄部材を回転可能に軸受部で保持するステップと、
前記洗浄部材を回転させながら基板に接触させて前記基板を洗浄する処理を複数枚の基板に対して実施するステップと、を含む、連続的に複数枚の基板を洗浄する方法であって、
前記方法は、
(1)前記軸受部を有する保持部には、第1液体を保持部の内部に供給する第1供給部と、前記洗浄部材内の流路と接続して第1液体を前記洗浄部材に導入する接続口と、内部に貯留する液体を排出するための排出口を有する排出部とが設けられており、前記第1供給部から、前記保持部の内部にある接続口を通過して前記洗浄部材内に第1液体を供給するステップと、
(2)第2供給部から前記軸受部に軸受部を冷却・潤滑する第2液体を供給するステップと、
(3)前記排出部に設けられている流量計により前記排出口から排出される排液の流量を計測するステップと、
(4)前記流量計により計測される排液の流量が所定の閾値を超えた場合には、排液の流量が所定の閾値以下となるように、前記第1供給部からの前記第1液体の供給流量を変化させる制御信号を生成するステップと、
を含むことを特徴とする方法。 - デバイスの製造方法であって、
請求項13または請求項14のいずれか1項の方法によって基板を洗浄するステップを含んでなり、
前記基板を洗浄するステップを実行するために準備される前記基板は、処理開始前に予め表面に液体が付着した状態の基板である、
デバイスの製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020142163A JP7478625B2 (ja) | 2020-08-25 | 2020-08-25 | 基板洗浄装置、基板処理装置、基板洗浄方法及びデバイスを製造する方法 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022037821A JP2022037821A (ja) | 2022-03-09 |
JP7478625B2 true JP7478625B2 (ja) | 2024-05-07 |
Family
ID=80358943
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020142163A Active JP7478625B2 (ja) | 2020-08-25 | 2020-08-25 | 基板洗浄装置、基板処理装置、基板洗浄方法及びデバイスを製造する方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220068669A1 (ja) |
JP (1) | JP7478625B2 (ja) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2020096087A (ja) | 2018-12-13 | 2020-06-18 | 株式会社荏原製作所 | 基板洗浄装置 |
JP2020113670A (ja) | 2019-01-15 | 2020-07-27 | 株式会社ディスコ | 洗浄ユニット |
JP2020127009A (ja) | 2019-02-04 | 2020-08-20 | 株式会社荏原製作所 | 洗浄部材取付部、洗浄部材アセンブリ及び基板洗浄装置 |
JP2021125581A (ja) | 2020-02-06 | 2021-08-30 | 株式会社ディスコ | 洗浄装置 |
-
2020
- 2020-08-25 JP JP2020142163A patent/JP7478625B2/ja active Active
-
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- 2021-08-17 US US17/403,881 patent/US20220068669A1/en active Pending
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Publication number | Publication date |
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JP2022037821A (ja) | 2022-03-09 |
US20220068669A1 (en) | 2022-03-03 |
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