JP7476393B2 - 光演算装置 - Google Patents
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Description
(光演算装置の構成)
本発明の第1の実施形態に係る光演算装置1について、図1を参照して説明する。図1において、(a)は、光演算装置1の断面図であり、(b)及び(c)は、光演算装置1が備える光変調素子11の平面図である。
光演算装置1の第1の変形例(以下、光演算装置1Aと記載する)について、図2を参照して説明する。図2は、光演算装置1Aの断面図である。
光演算装置1の第2の変形例(以下、光演算装置1Bと記載する)について、図3を参照して説明する。図3は、光演算装置1Bの断面図である。
光演算装置1の第3の変形例(以下、光演算装置1Cと記載する)について、図4を参照して説明する。図4は、光演算装置1Cの断面図である。
光演算装置1の第4の変形例(以下、光演算装置1Dと記載する)について、図5を参照して説明する。図5は、光演算装置1Dの断面図である。
光演算装置1の第5の変形例(以下、光演算装置1Eと記載する)について、図6を参照して説明する。図6は、光演算装置1Eの断面図である。
光演算装置1の第6の変形例(以下、光演算装置1Fと記載する)について、図7を参照して説明する。図7は、光演算装置1Fの断面図である。
光演算装置1の第7の変形例(以下、光演算装置1Gと記載する)について、図8を参照して説明する。図8は、光演算装置1Gの断面図である。なお、本変形例においては、N=2であると仮定する。
光演算装置1の第8の変形例(以下、光演算装置1Hと記載する)について、図9を参照して説明する。図9は、光演算装置1Hの断面図である。
光演算装置1の第9の変形例(以下、光演算装置1Iと記載する)について、図10を参照して説明する。図10は、光演算装置1Iの断面図である。
光演算装置1の第10の変形例(以下、光演算装置1Jと記載する)について、図11を参照して説明する。図11は、光演算装置1Jの断面図である。
光演算装置1の第11の変形例(以下、光演算装置1Kと記載する)について、図12を参照して説明する。図12は、光演算装置1Kの断面図である。
光演算装置1の第12の変形例(以下、光演算装置1Lと記載する)について、図13を参照して説明する。図13は、光演算装置1Lの断面図である。
(光演算装置の構成)
本発明の第2の実施形態に係る光演算装置2について、図14を参照して説明する。図14において、(a)は、光演算装置2の断面図であり、(b)は、光演算装置2が備える第1光変調素子21の平面図であり、(c)は、光演算装置2が備える第2光変調素子22の平面図である。
光演算装置2の第1の変形例(以下、光演算装置2Aと記載する)について、図15を参照して説明する。図15は、光演算装置2Aの断面図である。
光演算装置2の第2の変形例(以下、光演算装置2Bと記載する)について、図16を参照して説明する。図16は、光演算装置2Bの断面図である。
光演算装置2の第3の変形例(以下、光演算装置2Cと記載する)について、図17を参照して説明する。図17は、光演算装置2Cの断面図である。
セルC,C’,C”の第1の具体例であるセルC1について、図18及び図19を参照して説明する。図18は、セルC1の斜視図である。図19の(a)は、セルC1の断面図である。図19の(b)は、偏光板P11の平面図であって、偏光板P11の透過軸A11の向きを示す平面図である。また、セルCの第2の具体例であるセルC2について、図20を参照して説明する。図20の(a)は、セルC2の断面図である。図20の(b)は、偏光板P21,P22の平面図であって、偏光板P21,P22の透過軸A21,A22の向きを示す平面図である。
セルC1は、図18に示すように、基板C12と、ブロックC13と、スペーサ層C14と、磁化固定層C15と、電極C16と、電極C17と、を備えている。
基板C12は、ブロックC13と接する主面(x軸正方向側の主面)が光を正反射するように構成された板状部材である。基板C12の材料は、特に限定されないが、少なくとも主面は、光を反射する材料により構成されている。主面は、光を正反射するために、平坦に構成されていることが好ましい。第1の具体例では、基板C12として、主面にアルミニウムの薄膜が形成された石英ガラスを採用しているが、反射部材はアルミニウムに限定されず、アルミニウム以外の金属膜であってもよいし、誘電体多層膜であってもよい。また、基板C12は、これに限定されず、主面が鏡面になるように仕上げられた金属製又は半導体製の板状部材であってもよい。基板C12を構成する金属の例としては、アルミニウム及び銅が挙げられ、半導体の例としてはシリコンが挙げられる。
ブロックC13は、光L11に対して透光性を有する材料により構成されている。また、ブロックC13は、磁性原子を含んでいる。ブロックC13は、その磁化の状態が固定されていない。このためブロックC13は、スピンの注入によって容易に磁化率を変化させられる材料により構成されていればよい。ブロックC13を構成する材料としては、常磁性体や強磁性体などの種々の材料を用いることができる。より高い磁化率を達成するためには、室温(例えば25℃)において強磁性を示すように構成することが好ましく、スピン分極率が比較的高い強磁性体が好適に用いられる。スピン分極率は例えば50%以上であることが好ましい。本実施形態においては、ブロックC13を構成する材料としてCoFeBを採用している。しかし、これに限らず、CoFe、NiFe、Fe、Ni、Co等も好適に用いることが出来る。また、単一組成から成るブロックである必要はなく、上述の微粒子を添加した絶縁体(例えばアルミナやガラス)も採用することができる。
スペーサ層C14は、絶縁体により構成された層状部材である。スペーサ層C14は、ブロックC13と、後述する磁化固定層C15との間に介在し、ブロックC13と磁化固定層C15とを絶縁する。スペーサ層C14は、ブロックC13及び磁化固定層C15とともにトンネル接合を形成する。したがって、スペーサ層C14は、電流がトンネル可能な範囲内において、その厚みを適宜定めることができる。スペーサ層C14の典型的な厚みは、2nm以上3nm以下である。ただし、スペーサ層C14の厚みは、これに限定されない。スペーサ層C14は、良好なトンネル特性を示すために、ピンホールを含まず、且つ、厚みが均一な膜により構成されていることが好ましい。トンネル電流の担い手としてスピン偏極した電子を用いることにより、ブロックC13の磁化をより低い電力でより高速にスイッチングすることができる。このように、セルC1は、トンネル接合を用いたスピン注入型の位相変調器である。
磁化固定層C15は、導電性を有する強磁性体により構成された層状部材である。本実施形態において、磁化固定層C15は、面C131に対してスペーサ層C14を介して間接に設けられている。ただし、磁化固定層C15は、面131に対して直接に設けられていてもよい。
一対の電極である電極C16,C17は、何れも、導体により構成された層状部材である。本実施形態においては、電極C16,C17を構成する導体として銅を採用している。ただし、この導体は、銅に限定されない。この導体は、高い導電率を有することが好ましい。この導体の例としては、銅以外に、銀及び金が挙げられる。
セルCの第3の具体例であるセルC3について、図21及び図22を参照して説明する。図21は、セルC3の斜視図である。図22の(a)は、偏光板P31の平面図であって、偏光板P31の透過軸A31の向きを示す平面図である。図21の(b)は、セルC3の断面図である。また、セルCの第4の具体例であるセルC4について、図23を参照して説明する。図23の(a)は、偏光板P41,P42の平面図であって、偏光板P41,P42の透過軸A41,A42の向きを示す平面図である。図23の(b)は、セルC4の断面図である。
セルC3は、図21に示すように、基板C32と、ブロックC33と、スペーサ層C34と、磁化固定層C35と、電極C36と、電極C37と、を備えている。基板C32、ブロックC33、スペーサ層C34、磁化固定層C35、電極C36、及び、電極C37の各々は、それぞれ、セルC1の基板C12、ブロックC13、スペーサ層C14、磁化固定層C15、電極C16、及び、電極C17に対応している。ただし、セルC3においては、光L31が磁化固定層C35の主面と平行な光学有効面C371に入射する。したがって、セルC3は、面内磁化型の磁化固定層C35であって、磁化M35の方向が磁化固定層C35の主面の面内方向のうち、光L31の進行方向(z軸負方向)に対して略直交し、且つ、光L31の偏光方向(x軸方向)に対しても略直交する磁化固定層C35を備えている。このように、磁化固定層C35は、光L31が入射する方向を除けばセルC1の磁化固定層C15と同様に構成されている。光が入射する方向、換言すれば、光学有効面の法線方向がどの方向を向いているかについて、以下に説明する。
図22の(b)に示すように、セルC3において、光L31は、光学有効面C371に対して垂直なz軸方向から入射角の分だけx軸負方向に傾いた方向から、光学有効面C371に入射する。なお、光L31からみてセルC3の前段には偏光板P31が設けられている。光学有効面C371に入射した光は、ブロックC33の内部をスペーサ層C34に向かう方向(およそz軸負方向)に向かって伝搬し、ブロックC33とスペーサ層C34との界面において反射され、ブロックC33の内部を光学有効面C371に向かう方向(およそz軸正方向)に向かって伝搬し、光学有効面C371から光L32として出射される。光L32は、光学有効面C371に対して垂直なz軸方向から、入射角に対応した出射角の分だけx軸負方向に傾いた方向に向かって、光学有効面C371から出射される。なお、図22の(b)においては、ブロックC33の内部における光路の図示を省略している。第3の具体例において、入射角及び出射角は、10°である。ただし、入射角及び出射角は、10°に限定されず、適宜定めることができる。
セルC4においては、入射光である光L41の光路上に偏光板P41を設けるとともに、出射光である光L42の光路上に偏光板P42を設けている。偏光板P41の透過軸A41、及び、偏光板P42の透過軸A42は、図20の(a)に示すように、xy平面内においてx軸方向に対して平行に配向している。したがって、偏光板P41は、光L41の成分のうち偏光方向がx軸と平行な直線偏光のみを透過させ、光学有効面C471に入射させる。同様に、偏光板P41は、光学有効面C471から出射した光L42の成分のうち、偏光方向がx軸と平行な直線偏光のみを透過させる。
セルC,C’,C”の第5の具体例であるセルC5について、図24を参照して説明する。図24の(a)及び(b)は、セルC5の断面図である。図24の(c)及び(d)は、セルC5の平面図である。図24の(e)及び(f)は、偏光板P51の平面図であって、偏光板P51の透過軸A51の向きを示す平面図である。また、セルCの第6の具体例であるセルC6について、図25を参照して説明する。図25の(a)及び(b)は、セルC6の断面図である。図25の(c)及び(d)は、セルC6の平面図である。図25の(e)及び(f)は、偏光板P61,P62の平面図であって、偏光板P61,P62の透過軸A61,A62の向きを示す平面図である。なお、図25の(e)及び(f)には、光学有効面C571から出射され、且つ、偏光板P62を透過する前の光L62の偏光の様子を模式的に示している。
セルC5は、図24に図示を省略しているシリコン製の基板と、液晶層C53と、電極C56と、電極C57と、を備えているLCOS(Liquid Crystal On Silicon)である。基板の一方の主面の上には、電極C56、液晶層C53、及び、電極C57がこの順番で積層されている。図24においては、基板上に積層された電極C56、液晶層C53、及び、電極C57のみを図示している。
図24の(a)及び(c)には、液晶分子C53Lがx軸方向と平行に配向した第1の状態を示す。一方、図24の(b)及び(d)には、液晶分子C53Lがx軸方向から時計回り方向へ45°程度傾いて配向した第2の状態を示す。
セルC6においては、入射光である光L61の光路上に偏光板P61を設けるとともに、出射光である光L62の光路上に偏光板P62を設けている。偏光板P61の透過軸A61は、図25の(e),(f)に示すように、xy平面内においてx軸方向から反時計回り方向に45°回転した方向に配向している。一方、偏光板P62の透過軸A62は、図25の(e),(f)に示すように、xy平面内においてx軸方向から時計回り方向に45°回転した方向に配向している。
セルC,C’,C”の更なる具体例としては、デジタルマイクロミラーデバイス(Digital Micromiror Device, DMD)を用いたDMD型の強度変調器が挙げられる。DMDは、マイクロミラーの傾きを2つの状態に切り替えることができるので、所定の出射方向に着目した場合に、光の強度を変調することができる。
本発明の態様1に係る光演算装置は、変調量を独立に設定可能な複数のセルを含む光変調素子と反射体とを備えており、前記光変調素子には、N個(Nは2以上の自然数)の演算領域A1,A2,…,ANが設定されており、演算領域A1は、入射光を変調及び反射することによって光演算を行い、演算領域A1以外の各演算領域Ai(iは2以上N以下の自然数の各々)は、演算領域Ai-1にて変調及び反射された後、前記反射体にて反射された信号光を変調及び反射することによって光演算を行う。
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、上述した実施形態に開示された各技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
11 光変調素子
12 ミラー
12a ハーフミラー
13 発光部
14 受光部
15 制御部
16 媒質
17 分波器
18 合波器
19 偏光フィルタ
2 光演算装置
21 第1光変調素子
22 第2光変調素子
23 発光部
24 受光部
25 制御部
26 プリズム
27 光吸収体
28 第3光変調素子
29 プリズム
A1,A2,…,AN 演算領域
A1’,A2’,…,AN-1’ 演算領域
A1”,A2”,…,AN-1” 演算領域
L1,L2,…,LN 信号光
L1’,L2’,…,LN’ 信号光
L1”,L2”,…,LN” 信号光
Claims (9)
- 変調量を独立に設定可能な複数のセルを含む光変調素子と反射体とを備え、
前記光変調素子には、N個(Nは2以上の自然数)の演算領域A1,A2,…,ANが、前記光変調素子に対して固定されるように、設定されており、
演算領域A1は、入射光を変調及び反射することによって光演算を行い、
演算領域A1以外の各演算領域Ai(iは2以上N以下の自然数の各々)は、演算領域Ai-1にて変調及び反射された後、前記反射体にて反射された信号光を変調及び反射することによって光演算を行い、
前記反射体は、変調量を互いに独立に設定可能な複数のセルを含む他の光変調素子であり、
前記他の光変調素子には、N-1個の演算領域A1’,A2’,…,AN-1’が、前記反射体に対して固定されるように、設定されており、
前記他の光変調素子の各演算領域Ak’(kは1以上N-1以下の自然数の各々)は、前記光変調素子の演算領域Akにて変調及び反射された信号光を変調及び反射することによって、光演算を行う、
ことを特徴とする光演算装置。 - プリズムと受光部とを更に備え、
前記光変調素子は、前記プリズムの第1面に対向するように配置されており、
前記他の光変調素子は、前記プリズムの第2面に対向するように配置されており、
前記プリズムの第3面は、(1)前記光変調素子の各演算領域Akにて変調及び反射された信号光の一部を反射し、前記他の光変調素子の演算領域Ak’に導き、(2)前記他の光変調素子の各演算領域Ak’にて変調及び反射された信号光の一部を反射し、前記光変調素子の演算領域Ak+1に導き、
前記受光部は、前記光変調素子の各演算領域Akにて変調及び反射され、前記第3面を透過した信号光、及び、前記他の光変調素子の各演算領域Ak’にて変調及び反射され、前記第3面を透過した信号を検出する、
ことを特徴とする請求項1に記載の光演算装置。 - 変調量を独立に設定可能な複数のセルを含む光変調素子と反射体とを備え、
前記光変調素子には、N個(Nは2以上の自然数)の演算領域A1,A2,…,ANが、前記光変調素子に対して固定されるように、設定されており、
演算領域A1は、入射光を変調及び反射することによって光演算を行い、
演算領域A1以外の各演算領域Ai(iは2以上N以下の自然数の各々)は、演算領域Ai-1にて変調及び反射された後、前記反射体にて反射された信号光を変調及び反射することによって光演算を行い、
前記反射体は、変調量を互いに独立に設定可能な複数のセルを含む2つの他の光変調素子であり、
一方の他の光変調素子には、N-1個の演算領域A1’,A2’,…,AN-1’が、前記反射体に対して固定されるように、設定されており、
前記一方の他の光変調素子の各演算領域Ak’(kは1以上N-1以下の自然数の各々)は、前記光変調素子の演算領域Akにて変調及び反射された信号光を変調及び反射することによって、光演算を行い、
他方の他の光変調素子には、N-1個の演算領域A1”,A2”,…,AN-1”が、前記反射体に対して固定されるように、設定されており、
前記他方の他の光変調素子の各演算領域Ak”は、前記一方の他の光変調素子の演算領域Ak’にて変調及び反射された信号光を変調及び反射することによって、光演算を行う、
ことを特徴とする光演算装置。 - プリズムと受光部とを更に備え、
前記光変調素子は、前記プリズムの第1面に対向するように配置されており、
前記一方の他の光変調素子は、前記プリズムの第2面に対向するように配置されており、
前記他方の他の光変調素子は、前記プリズムの第3面に対向するように配置されており、
前記プリズムの第4面は、(1)前記光変調素子の各演算領域Akにて変調及び反射された信号光の一部を反射し、前記一方の他の光変調素子の演算領域Ak’に導き、(2)前記一方の他の光変調素子の各演算領域Ak’にて変調及び反射された信号光の一部を反射し、前記他方の他の光変調素子の演算領域Ak”に導き、(3)前記他方の光変調素子の各演算領域Ak”にて変調及び反射された信号光の一部を反射し、前記光変調素子の演算領域Ak+1に導き、
前記受光部は、前記光変調素子の各演算領域Akにて変調及び反射され、前記第4面を透過した信号光、前記一方の他の光変調素子の各演算領域Ak’にて変調及び反射され、前記第4面を透過した信号光、及び、前記他方の他の光変調素子の各演算領域Ak”にて変調及び反射され、前記第4面を透過した信号光を検出する、
ことを特徴とする請求項3に記載の光演算装置。 - 前記他の光変調素子の少なくとも1つの演算領域An’(nは1以上N以下の自然数の何れか)を構成する各セルは、当該演算領域An’に入射する信号光を、前記光変調素子の表面の法線に対する入射角と反射角とが異なるように、又は、前記法線及び入射光軸を含む入射平面と前記法線及び反射光軸を含む反射平面とが異なるように反射する、
ことを特徴とする請求項1~4の何れか一項に記載の光演算装置。 - 前記複数のセルの各々は、スピン注入型位相変調器、又は、スピン注入型強度変調器である、
ことを特徴とする請求項1~5の何れか一項に記載の光演算装置。 - 前記複数のセルの各々は、LCOS型位相変調器、又は、LCOS型強度変調器である、
ことを特徴とする請求項1~5の何れか一項に記載の光演算装置。 - 前記複数のセルの各々は、DMD型強度変調器である、
ことを特徴とする請求項1~5の何れか一項に記載の光演算装置。 - 複数のセルを含む光変調素子と反射体とを備え、
前記光変調素子には、N個(Nは2以上の自然数)の演算領域A1,A2,…,ANが
設定されており、
演算領域A1は、入射光を変調及び反射することによって光演算を行い、
演算領域A1以外の各演算領域Ai(iは2以上N以下の自然数の各々)は、演算領域Ai-1にて変調及び反射された後、前記反射体にて反射された信号光を変調及び反射することによって光演算を行い、
各演算領域Aj(jは1以上N以下の自然数の各々)による前記光演算は、前記光変調素子を構成する前記複数のセルのうち、該演算領域Ajを構成する複数のセルの各々にて変調及び反射された光を相互に干渉させることによって実現される、
ことを特徴とする光演算装置。
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