JP7472010B2 - 薄膜キャパシタ及びその製造方法 - Google Patents
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Description
10 容量絶縁膜
11 容量絶縁膜の一方の表面
12 容量絶縁膜の他方の表面
13 微小欠陥部
20 下部容量電極
21 下部容量電極の表面
30 上部容量電極
40 絶縁物
50 水分
Claims (7)
- 容量絶縁膜と、
前記容量絶縁膜の一方の表面を覆う第1の容量電極と、
前記容量絶縁膜の他方の表面を覆う第2の容量電極と、を備え、
前記第1の容量電極は、前記第2の容量電極よりも自然電位の低い卑な金属からなり、
前記容量絶縁膜に存在する微小欠陥部が前記第1の容量電極を構成する金属に由来する絶縁物によって閉塞されており、
前記第1の容量電極が鉄を含む合金からなり、前記絶縁物が酸化鉄を含むことを特徴とする薄膜キャパシタ。 - 前記微小欠陥部の底部における幅をLとし、前記第1の容量電極の表面を基準とした前記絶縁物の最大厚みをtとした場合、0.1nm≦t≦L×2を満たすことを特徴とする請求項1に記載の薄膜キャパシタ。
- 前記第1の容量電極を構成する金属の自然電位と前記第2の容量電極を構成する金属の自然電位の差は、0.1V以上、1.1V未満であることを特徴とする請求項1又は2に記載の薄膜キャパシタ。
- 下部容量電極の表面に容量絶縁膜を形成する第1の工程と、
前記容量絶縁膜の表面に上部容量電極を形成する第2の工程と、
ガルバニック腐食を促進させることにより、前記下部容量電極又は前記上部容量電極を構成する金属に由来する絶縁物によって前記容量絶縁膜に存在する微小欠陥部を閉塞する第3の工程と、を備えることを特徴とする薄膜キャパシタの製造方法。 - 前記第3の工程においては、水分の供給により前記ガルバニック腐食を促進させることを特徴とする請求項4に記載の薄膜キャパシタの製造方法。
- 前記第3の工程においては、加熱により前記ガルバニック腐食を促進させることを特徴とする請求項4又は5に記載の薄膜キャパシタの製造方法。
- 前記第3の工程においては、前記下部容量電極と前記上部容量電極の間に電圧を印加することにより前記ガルバニック腐食を促進させることを特徴とする請求項4乃至6のいずれか一項に記載の薄膜キャパシタの製造方法。
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