JP7470309B2 - 半導体パッケージ、半導体パッケージ中間体、再配線層チップ、再配線層チップ中間体、半導体パッケージの製造方法及び半導体パッケージ中間体の製造方法 - Google Patents
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Description
[1] 半導体パッケージであって、
インターポーザと、
前記インターポーザと隣り合う再配線層チップと、
前記インターポーザ及び前記再配線層チップに重なる半導体素子と、を備え、
前記再配線層チップは、前記半導体素子が重なる面を含む再配線要素と、前記再配線要素における前記半導体素子が重なる面の反対側に位置する面に取り付けられ、樹脂を含む第1モールド樹脂層とを含み、
前記再配線要素は、絶縁性を有する絶縁層及び前記絶縁層に覆われる第1再配線層を含み、前記第1再配線層は、前記再配線要素における前記半導体素子が重なる面に少なくとも一部が位置する第1導電部を含み、
前記インターポーザは、前記インターポーザにおける前記半導体素子が重なる面に位置する第2導電部を含む第2再配線層を含み、
前記半導体素子は、前記第1導電部及び前記第2導電部に電気的に接続する、半導体パッケージ。
前記支持キャリアは、前記インターポーザ及び前記再配線層チップから剥離可能である、[1]に記載の半導体パッケージ。
前記インターポーザと隣り合う再配線層チップと、
前記インターポーザ及び前記再配線層チップを支持する支持キャリア基板と、を備え、
前記再配線層チップは、再配線要素と、前記再配線要素に取り付けられ、樹脂を含むモールド樹脂層とを含み、前記再配線層チップは、前記モールド樹脂層が前記支持キャリア基板に接する状態で前記支持キャリア基板に取り付けられ、
前記支持キャリア基板は、前記インターポーザ及び前記再配線層チップから剥離可能であり、
前記再配線要素は、絶縁性を有する絶縁層及び前記絶縁層に覆われる第1再配線層を含み、前記第1再配線層は、前記再配線要素における前記モールド樹脂層が取り付けられる面の反対側に位置する面に少なくとも一部が位置する第1導電部を含み、前記インターポーザは、前記支持キャリア基板に向く面の反対側に位置する面に位置する第2導電部を含む第2再配線層を含む、半導体パッケージ中間体。
前記第2面に取り付けられ、樹脂を含むモールド樹脂層と、を備える、再配線層チップ。
前記第2面に取り付けられ、樹脂を含むモールド樹脂層部分と、前記第1面に接合するチップキャリア基板と、を備える、再配線層チップ中間体。
前記インターポーザ及び前記再配線層チップに重なるように半導体素子を搭載する工程と、を備え、
前記再配線層チップは、前記半導体素子が重なる面を含む再配線要素と、前記再配線要素における前記半導体素子が重なる面の反対側に位置する面に取り付けられ、樹脂を含む第1モールド樹脂層とを含み、
前記再配線要素は、絶縁性を有する絶縁層及び前記絶縁層に覆われる第1再配線層を含み、前記第1再配線層は、前記再配線要素における前記半導体素子が重なる面に少なくとも一部が位置する第1導電部を含み、前記インターポーザは、前記インターポーザにおける前記半導体素子が重なる面に位置する第2導電部を含む第2再配線層を含み、
前記搭載する工程で、前記半導体素子を、前記第1導電部及び前記第2導電部に電気的に接続する、半導体パッケージの製造方法。
前記支持キャリア基板上にインターポーザを形成する工程と、
前記インターポーザと隣り合うように再配線層チップを前記支持キャリア基板に取り付ける工程と、を備え、
前記再配線層チップは、再配線要素と、前記再配線要素に取り付けられ、樹脂を含むモールド樹脂層とを含み、前記再配線層チップは、前記モールド樹脂層が前記支持キャリア基板に接する状態で前記支持キャリア基板に取り付けられ、
前記支持キャリア基板は、前記インターポーザ及び前記再配線層チップから剥離可能であり、
前記再配線要素は、絶縁性を含む絶縁層及び前記絶縁層に覆われる第1再配線層を含み、前記第1再配線層は、前記再配線要素における前記モールド樹脂層が取り付けられる面の反対側に位置する面に少なくとも一部が位置する第1導電部を含み、前記インターポーザは、前記支持キャリア基板に向く面の反対側に位置する面に位置する第2導電部を含む第2再配線層を含む、半導体パッケージ中間体の製造方法。
(2)第1モールド樹脂層32のヤング率は、絶縁層33のヤング率よりも大きい。
(3)第1モールド樹脂層32の曲げ剛性は、絶縁層33の曲げ剛性よりも大きい。
(4)第1モールド樹脂層32の厚さは、絶縁層33の厚さよりも大きい。
まず、測定装置であるBRUKER社製の「TI950 TriboIndenter」に、第1モールド樹脂層32及び絶縁層33を設置する。この際、再配線層チップ30が半導体パッケージ1に組み込まれている場合は、切断により再配線層チップ30が切り出され、上記測定装置に設置される。また、再配線層チップ30が半導体パッケージ1に組み込まれる前であれば、組み込み前の再配線層チップ30が上記測定装置に設置される。
そして、第1モールド樹脂層32又は絶縁層33の側面において、ナノインデンテーション法による測定を開始する。この際、圧子が、第1モールド樹脂層32又は絶縁層33の側面における任意の厚さ方向の中間の位置で、面方向に10秒間かけて深さ100nmに到達するまで押し込まれ、その状態で5秒間保持された後、10秒間かけて押し込み深さ0nmまで除荷される。この押し込みは、第1モールド樹脂層32と、絶縁層33とで別々に行われる。これにより、測定対象のヤング率が演算される。上記圧子としては、対面角142.3°のダイヤモンド圧子(バーコビッチ圧子 TI-0039)が用いられる。
また、再配線層チップ30の物性と、インターポーザ20の物性とが近い場合には、両者の物性の違いに起因して半導体パッケージ1が変形することが抑制され、平坦性が維持しやすくなり、半導体パッケージ1を大型化しやすくなる。この観点で、再配線層チップ30における第1モールド樹脂層32及び絶縁層33と、インターポーザ20におけるインターポーザ絶縁層22とは、同じ樹脂を含んでもよい。
図17は、再配線層チップ30の一変形例を示す図である。図17に示す変形例にかかる再配線層チップ30は、第1モールド樹脂層32に形成された貫通孔32Aに位置する貫通電極32Eをさらに有する。貫通電極32Eは、第1再配線層34に電気的に接続されている。
30の製造方法を説明する図である。
図30は、半導体パッケージ1が搭載される製品の例を示す図である。半導体パッケージ1は、様々な製品において利用され得る。例えば、ノート型パーソナルコンピュータ110、タブレット端末120、携帯電話130、スマートフォン140、デジタルビデオカメラ150、デジタルカメラ160、デジタル時計170、サーバ等に搭載される。
1M…半導体パッケージ中間体
14…貫通電極
15…第2配線
16…パッド
20…インターポーザ
20A…第1表面
20B…第2表面
20E…第2導電部
20M…インターポーザ層
21…貫通部
22…インターポーザ絶縁層
22A…貫通孔
24…第2再配線層
30…再配線層チップ
30’…組み込み前再配線層チップ
30A…第1表面
30B…第2表面
30E…第1導電部
31…再配線要素
31M…再配線要素部分
31A…第1面
31B…第2面
32…第1モールド樹脂層
32M…第1モールド樹脂層部分
32A…貫通孔
32E…貫通電極
33…絶縁層
33M…絶縁層
34…第1再配線層
34M…再配線層群
35…第1配線
36…接着層
37…パッド
38…チップキャリア
38M…チップキャリア基板
39…剥離層
39M…剥離層
40…第1の半導体素子
45…第2の半導体素子
50…支持キャリア
50P…支持キャリア基板
51…剥離層
51M…剥離層
60…第2モールド樹脂層
60M…第2モールド樹脂層部分
70…第2絶縁層
110…ノート型パーソナルコンピュータ
120…タブレット端末
130…携帯電話
140…スマートフォン
150…デジタルビデオカメラ
160…デジタルカメラ
170…デジタル時計
180…サーバ
300…再配線層チップ中間体
D1…第1方向
D2…第2方向
D3…第3方向
Claims (24)
- インターポーザと、
前記インターポーザと隣り合う再配線層チップと、
前記インターポーザと再配線層チップとが隣り合う方向と交差する厚さ方向に、前記インターポーザ及び前記再配線層チップに重なる半導体素子と、を備え、
前記再配線層チップは、前記半導体素子が重なる第1面を含む再配線要素と、前記再配線要素における前記第1面の反対側に位置する第2面に取り付けられ前記厚さ方向に直交する方向に延び拡がり、樹脂からなるか、又は、樹脂とフィラーとからなる第1モールド樹脂層とを含み、
前記再配線要素は、絶縁性を有する絶縁層及び前記絶縁層に覆われる第1再配線層を含み、前記第1再配線層は、前記再配線要素の前記第1面に少なくとも一部が位置する第1導電部を含み、
前記インターポーザは、前記インターポーザにおける前記半導体素子が重なる面に位置する第2導電部を含む第2再配線層を含み、
前記半導体素子は、前記第1導電部及び前記第2導電部に電気的に接続する、半導体パッケージ。 - 前記第1モールド樹脂層は、前記第2面のみに取り付けられている、請求項1に記載の半導体パッケージ。
- 前記絶縁層は、前記第1再配線層における前記第1面の側の面以外の面を覆っている請求項1に記載の半導体パッケージ。
- 前記第1再配線層は、長手方向に直交する方向での断面が矩形であり、矩形をなす四辺のうちの一辺のみが前記絶縁層の外部に露出している第1配線を含む、請求項1又は3に記載の半導体パッケージ。
- 前記インターポーザ及び前記再配線層チップを介して前記半導体素子と向き合う位置に配置され、前記インターポーザ及び前記再配線層チップを支持する支持キャリアをさらに備え、
前記支持キャリアは、前記インターポーザ及び前記再配線層チップから剥離可能である、請求項1に記載の半導体パッケージ。 - 前記インターポーザ及び前記再配線層チップを覆い且つ前記インターポーザ及び前記再配線層チップに取り付けられ、前記半導体素子を保持する第2モールド樹脂層をさらに備える、請求項1に記載の半導体パッケージ。
- 前記第1モールド樹脂層の線膨張率は、前記絶縁層の線膨張率よりも小さい、請求項1に記載の半導体パッケージ。
- 前記第1モールド樹脂層のヤング率は、前記絶縁層のヤング率よりも大きい、請求項1に記載の半導体パッケージ。
- 前記第1モールド樹脂層の曲げ剛性は、前記絶縁層の曲げ剛性よりも大きい、請求項1に記載の半導体パッケージ。
- 前記第1モールド樹脂層の厚さは、前記絶縁層の厚さよりも大きい、請求項1に記載の半導体パッケージ。
- 前記第1モールド樹脂層は、前記樹脂に分散された粒状のフィラーを含む、請求項1に記載の半導体パッケージ。
- 前記フィラーの熱伝導率は、前記樹脂の熱伝導率よりも大きい、請求項11に記載の半導体パッケージ。
- 前記フィラーは、無機材料で形成される、請求項11に記載の半導体パッケージ。
- 前記フィラーの色は、黒である、請求項11に記載の半導体パッケージ。
- 前記再配線層チップは、前記第1モールド樹脂層に形成された貫通孔に位置する貫通電極をさらに含む、請求項1に記載の半導体パッケージ。
- 前記第1導電部は第1配線を含み、前記第2導電部は第2配線を含み、
前記第1配線の線幅は、前記第2配線の線幅よりも小さい、請求項1に記載の半導体パッケージ。 - 前記第1導電部は第1配線を含み、前記第1配線の線幅は、10μm以下である、請求項1に記載の半導体パッケージ。
- 前記第1モールド樹脂層が含む前記樹脂は、エポキシ樹脂、ポリイミド、アクリル、ビスマレイミド、ポリベンゾオキサゾール、及びベンゾシクロブテンのうちの少なくともいずれかである、請求項1に記載の半導体パッケージ。
- インターポーザと、
前記インターポーザと隣り合う再配線層チップと、
前記インターポーザ及び前記再配線層チップを支持する支持キャリア基板と、を備え、
前記再配線層チップは、第1面及び前記第1面の反対側に位置する第2面を含む再配線要素と、前記再配線要素の前記第2面に取り付けられ前記インターポーザと前記再配線層チップとが隣り合う方向に延び拡がり、樹脂からなるか、又は、樹脂とフィラーとからなるモールド樹脂層とを含み、前記再配線層チップは、前記モールド樹脂層が前記支持キャリア基板に接する状態で前記支持キャリア基板に取り付けられ、
前記支持キャリア基板は、前記インターポーザ及び前記再配線層チップから剥離可能であり、
前記再配線要素は、絶縁性を有する絶縁層及び前記絶縁層に覆われる第1再配線層を含み、前記第1再配線層は、前記再配線要素の前記第1面に少なくとも一部が位置する第1導電部を含み、前記インターポーザは、前記支持キャリア基板に向く面の反対側に位置する面に位置する第2導電部を含む第2再配線層を含む、半導体パッケージ中間体。 - 絶縁性を有する絶縁層及び前記絶縁層に覆われる再配線層を含み、第1面及び前記第1面の反対側に位置する第2面を含み、前記再配線層が前記第1面に少なくとも一部が位置する導電部を含む再配線要素と、
前記第2面に取り付けられ前記第1面と前記第2面とが向き合う厚さ方向と直交する方向に延び拡がり、樹脂からなるか、又は、樹脂とフィラーとからなるモールド樹脂層と、を備える、再配線層チップ。 - 前記モールド樹脂層における前記第2面に取り付けられる面の反対側に位置する面に取り付けられる接着層をさらに備え、前記接着層は、感熱接着性又は感光接着性又は感圧接着性を有する、請求項20に記載の再配線層チップ。
- 絶縁性を有する絶縁層及び前記絶縁層に覆われる複数の再配線層を含み、第1面及び前記第1面の反対側に位置する第2面を含み、各前記再配線層が前記第1面に少なくとも一部が位置する導電部を含む再配線要素部分と、
前記第2面に取り付けられ前記第1面と前記第2面とが向き合う厚さ方向に直交する方向に延び拡がり、樹脂からなるか、又は、樹脂とフィラーとからなるモールド樹脂層部分と、
前記第1面に接合するチップキャリア基板と、を備える、再配線層チップ中間体。 - インターポーザと隣り合うように再配線層チップを配置する工程と、
前記インターポーザと再配線層チップとが隣り合う方向と交差する厚さ方向に、前記インターポーザ及び前記再配線層チップに重なるように半導体素子を搭載する工程と、を備え、
前記再配線層チップは、前記半導体素子が重なる第1面を含む再配線要素と、前記再配線要素における前記第1面の反対側に位置する第2面に取り付けられ前記厚さ方向に直交する方向に延び拡がり、樹脂からなるか、又は、樹脂とフィラーとからなる第1モールド樹脂層とを含み、
前記再配線要素は、絶縁性を有する絶縁層及び前記絶縁層に覆われる第1再配線層を含み、前記第1再配線層は、前記再配線要素の前記第1面に少なくとも一部が位置する第1導電部を含み、前記インターポーザは、前記インターポーザにおける前記半導体素子が重なる面に位置する第2導電部を含む第2再配線層を含み、
前記搭載する工程で、前記半導体素子を、前記第1導電部及び前記第2導電部に電気的に接続する、半導体パッケージの製造方法。 - 支持キャリア基板を準備する工程と、
前記支持キャリア基板上にインターポーザを形成する工程と、
前記インターポーザと隣り合うように再配線層チップを前記支持キャリア基板に取り付ける工程と、を備え、
前記再配線層チップは、第1面及び前記第1面の反対側に位置する第2面を含む再配線要素と、前記再配線要素の前記第2面に取り付けられ前記インターポーザと前記再配線層チップとが隣り合う方向に延び拡がり、樹脂からなるか、又は、樹脂とフィラーとからなるモールド樹脂層とを含み、前記再配線層チップは、前記モールド樹脂層が前記支持キャリア基板に接する状態で前記支持キャリア基板に取り付けられ、
前記支持キャリア基板は、前記インターポーザ及び前記再配線層チップから剥離可能であり、
前記再配線要素は、絶縁性を含む絶縁層及び前記絶縁層に覆われる第1再配線層を含み、前記第1再配線層は、前記再配線要素の前記第1面に少なくとも一部が位置する第1導電部を含み、前記インターポーザは、前記支持キャリア基板に向く面の反対側に位置する面に位置する第2導電部を含む第2再配線層を含む、半導体パッケージ中間体の製造方法。
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