JP7468563B2 - 2線式伝送器 - Google Patents

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Description

本発明は、2線式伝送器に関する。
2本の伝送線を介して外部回路に接続され、外部回路から供給される入力電圧及び電流信号を利用して動作する2線式伝送器が知られている(例えば特許文献1を参照)。
特開2012-99088号公報
特許文献1の2線式伝送器では、入力電圧が変動しても内部回路の回路電圧が一定に保たれるので、入力電圧が大きい(高い)ときに、外部回路からの電力を有効に利用することができない。
本発明の一側面は、外部回路からの電力を有効に利用することが可能な2線式伝送器を提供する。
一側面に係る2線式伝送器は、2本の伝送線を介して外部回路に接続され、外部回路から供給される入力電圧及び電流信号を利用して動作する2線式伝送器であって、センサの検出結果に応じて電流信号を制御する定電流回路と、入力電圧に応じて回路電圧を制御するシャントレギュレータ回路と、を備え、シャントレギュレータ回路は、入力電圧が大きくなるに従い回路電圧が大きくなるように、回路電圧を制御する。
本発明によれば、外部回路からの電力を有効に利用することが可能になる。
実施形態に係る2線式伝送器の概略構成の例を示す図である。 2線式伝送器の回路構成の例を示す図である。 回路構成の変形例を示す図である。 回路構成の変形例を示す図である。
以下、図面を参照しつつ実施形態について説明する。同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は適宜省略する。
図1は、実施形態に係る2線式伝送器の概略構成の例を示す図である。2線式伝送器100は、外部回路200に接続されて用いられる。
2線式伝送器100は、伝送線L1及び伝送線L2の2本の伝送線を介して、外部回路200に接続される。2線式伝送器100における伝送線L1及び伝送線L2との接続箇所を、ノードN11及びノードN12と称し図示する。
2線式伝送器100は、外部回路200から供給される電圧及び電流を利用して動作する。外部回路200から2線式伝送器100に供給される電圧を、入力電圧Vinと称し図示する。入力電圧Vinは、後述のノードN22を基準としたときのノードN11の電圧である。外部回路200から2線式伝送器100に供給される電流を、電流信号Ioutと称し図示する。電流信号Ioutは、伝送線L1からノードN11に向かって流れる電流である。詳細は後述するが、電流信号Ioutは、2線式伝送器100によって制御される。
外部回路200は、電源201と、抵抗器R1と含む。この例では、電源201は、電源電圧Ebを有する電圧源である。電源201及び抵抗器R1は、伝送線L1と伝送線L2との間に直列に接続される。
なお、接続は、矛盾の無い範囲において、電気的に接続されることを意味してよい。また、要素同士の間に接続されるとは、それらの要素の機能を妨げない範囲内において、他の要素を介して電気的に接続されることを含んでよい。
電流信号Ioutが抵抗器R1を流れることによって、抵抗器R1に電圧が発生する。この電圧を検出することで、2線式伝送器100によって制御される電流信号Ioutの大きさが検出される。このように電流信号Ioutを利用することで、2線式伝送器100から外部回路200に情報が伝送される。
2線式伝送器100は、センサ1と、入力電圧測定回路2と、信号処理回路3と、定電流回路4と、基準電圧処理回路5と、シャントレギュレータ回路6と、コンパレータ回路7とを含む。なお、センサ1は2線式伝送器100の外部に設けられてもよい。
センサ1は、物理量を検出する。物理量の例は、圧力、温度、流量等である。センサ1の例は圧力センサ、温度センサ、流量センサ等であり、2線式伝送器100の例は圧力伝送器、温度伝送器、流量伝送器等である。センサ1は、検出結果に対応するセンサ信号S1を生成して出力する。例えば、センサ1による検出値が大きくなるに従い、センサ信号S1の電圧が大きくなる。
入力電圧測定回路2は、入力電圧Vinに応じた電圧を測定する。この例では、入力電圧測定回路2は、ノードN11と後述のノードN22と間に接続され、入力電圧Vinに対応する電圧信号Vdを生成する。電圧信号Vdは、入力電圧測定回路2から信号処理回路3に送られ、信号処理回路3に入力される。
信号処理回路3は、種々の信号処理を実行可能に構成される。一例について述べると、信号処理回路3は、センサ1からのセンサ信号S1に対して、直線性補正等の処理を実行してから、後述の電流制御信号S2を生成する。信号処理回路3は、専用に設計された回路であってもよいし、汎用のマイクロコントローラ等を含んで構成されてもよい。図1に示される例では、信号処理回路3は、定電流回路4、基準電圧処理回路5及びシャントレギュレータ回路6を制御するためのさまざまな信号を生成する。
定電流回路4の制御について説明する。信号処理回路3は、センサ1からのセンサ信号S1に基づいて、定電流回路4に電流信号Ioutを制御させるための電流制御信号S2を生成する。電流制御信号S2は、信号処理回路3から定電流回路4に送られ、定電流回路4に入力される。
定電流回路4は、信号処理回路3からの電流制御信号S2に応じて、すなわちセンサ信号S1さらにいうとセンサ1の検出結果に応じて、電流信号Iout(の大きさ)を制御する。例えば、電流信号Ioutは、4mA~20mAの範囲内で制御される。センサ1の検出値が設定スパンに対して0%のときに、電流信号Ioutが4mAになるように制御される。センサ1の検出値が設定スパンに対して100%のときに、電流信号Ioutの大きさが20mAになるように制御される。換言すると、このような電流信号Ioutの制御が定電流回路4によって行われるように、信号処理回路3が電流制御信号S2を生成する。
図1に示される例では、定電流回路4は、ノードN11及びノードN12と、信号処理回路3、基準電圧処理回路5、シャントレギュレータ回路6及びコンパレータ回路7との間に接続される。定電流回路4を挟んでノードN11及びノードN12とは反対側のノードを、ノードN21及びノードN22と称し図示する。ノードN21及びノードN22の間に、センサ1、信号処理回路3、基準電圧処理回路5、シャントレギュレータ回路6及びコンパレータ回路7が並列に接続される。
なお、以下では、信号処理回路3、定電流回路4、基準電圧処理回路5、シャントレギュレータ回路6及びコンパレータ回路7等を、内部回路と称する場合もある。センサ1も内部回路の1つであってよい。
ノードN22は、内部回路に共通の基準電位(COM)を与える。ノードN22を基準としたときのノードN21の電圧を、回路電圧V1と称し図示する。回路電圧V1は、内部回路の動作電圧を与える。内部回路の動作電圧は、回路電圧V1そのものであってもよいし、回路電圧V1をDCDC(DC to DC)コンバータ等で降圧して得られた電圧であってもよい。また、定電流回路4からノードN21に向かって、電流信号Ioutに対応する電流が流れる。すなわち、内部回路は、それらの電圧及び電流を利用して動作する。なお、センサ1が、2線式伝送器100の外部にあって、2線式伝送器100に接続される場合、外部のセンサ1に対して回路電圧V1から電圧及び電流が供給される。
信号処理回路3による、基準電圧処理回路5及びシャントレギュレータ回路6の制御について説明する。信号処理回路3は、入力電圧測定回路2からの電圧信号Vdに基づいて、基準電圧処理回路5及びシャントレギュレータ回路6に回路電圧V1を制御させるための電圧制御信号Vs1を生成する。電圧制御信号Vs1は、信号処理回路3から基準電圧処理回路5に送られ、基準電圧処理回路5に入力される。
基準電圧処理回路5は、信号処理回路3からの電圧制御信号Vs1に基づいて、参照電圧信号Vrefを生成する。参照電圧信号Vrefは、基準電圧処理回路5からシャントレギュレータ回路6に送られ、シャントレギュレータ回路6に入力される。
シャントレギュレータ回路6は、入力電圧測定回路2によって測定された電圧に基づいて、回路電圧V1を制御する。この例では、シャントレギュレータ回路6は、参照電圧信号Vrefに応じて、すなわち電圧制御信号Vs1、電圧信号Vdさらにいうと入力電圧Vin(の大きさ)に応じて、回路電圧V1(の大きさ)を制御する。具体的に、シャントレギュレータ回路6は、参照電圧信号Vrefと回路電圧V1との比較結果に基づいて、回路電圧V1を制御する。シャントレギュレータ回路6は、入力電圧Vinが大きくなるに従い回路電圧V1が大きくなるように、回路電圧V1を制御する。換言すると、回路電圧V1の制御がシャントレギュレータ回路6によって行われるように、基準電圧処理回路5が参照電圧信号Vrefを生成し、また、信号処理回路3が電圧制御信号Vs1を生成する。
コンパレータ回路7は、回路電圧V1の異常検知に用いられる。詳細は後に図2を参照して説明する。
以上で説明した2線式伝送器100では、シャントレギュレータ回路6が、入力電圧Vinが大きくなるに従い回路電圧V1が大きくなるように、内部回路の回路電圧V1を制御する。回路電圧V1が大きくなると、その分、内部回路が利用可能な電力も大きくなる。従って、外部回路200からの電力を有効に利用することができる。
特許文献1の2線式伝送器では、外部回路200の電源201の電源電圧Ebが最小の場合に内部回路の動作が成り立つように、回路電圧V1が決められている。電源電圧Ebが大きくなり入力電圧Vinが大きくなっても、回路電圧V1の値は一定である。そのため、入力電圧Vinが大きくなった分の電力、より具体的に、入力電圧Vinに基づく電力と回路電圧V1に基づく電力との差の電力は、例えば定電流回路4内のトランジスタ(後述のトランジスタQ4に相当)で熱として消費されるだけである。入力電圧Vinが大きくなっても、内部回路が利用可能な電力は増えない。このような問題が、実施形態に係る2線式伝送器100によって対処される。
2線式伝送器100の具体的な回路構成の例について、図2を参照して説明する。
図2は、2線式伝送器の回路構成の例を示す図である。入力電圧測定回路2、定電流回路4、基準電圧処理回路5及びシャントレギュレータ回路6の回路構成が例示される。また、2線式伝送器100は、ダイオードD1と、基準電圧源PR1とを含む。なお、2線式伝送器100は、ダイオードD1が無くても動作可能であり、また、基準電圧源PR1さらには後述の抵抗器R6及び抵抗器R7が無くても、増幅器Q2の反転端子を基準電位(COM)と接続すれば動作可能である。
ダイオードD1は、伝送線L1からノードN11に向かって電流が流れるように、伝送線L1とノードN11との間に接続される逆流防止ダイオードである。基準電圧源PR1は、基準電圧VR1を出力する。基準電圧VR1は、基準電圧源PR1から定電流回路4に供給され、後述の抵抗器R6及び抵抗器R7によって分圧され、増幅器Q2の反転端子に入力される。
入力電圧測定回路2は、抵抗器R15と、抵抗器R16と、AD(Analog to Digital)コンバータ21とを含む。抵抗器R15及び抵抗器R16は、入力電圧Vinを分圧測定するための抵抗器であり、ノードN11とノードN22との間に直列に接続される。入力電圧Vinは、抵抗器R15及び抵抗器R16によって分圧され、電圧Vdivとなる。電圧Vdivは、ADコンバータ21に入力される。ADコンバータ21は、アナログの電圧Vdivをディジタルの電圧信号Vdに変換して出力する。先に説明したように、電圧信号Vdは、入力電圧測定回路2から信号処理回路3に送られ、信号処理回路3に入力される。
電圧VdivをADコンバータ21に入力することで、入力電圧Vinを直接ADコンバータ21に入力する場合よりも、ADコンバータ21の入力耐電圧を小さく(低く)することができる。ADコンバータ21の入力耐電圧が入力電圧Vinよりも大きい場合には、入力電圧Vinが直接ADコンバータ21に入力されてもよい。入力電圧Vinの分圧は不要であり、抵抗器R15及び抵抗器R16は無くてもよい。
また、ADコンバータ21の機能が、信号処理回路3に含まれていてもよい。その場合には、電圧Vdivが直接信号処理回路3に入力され、信号処理回路3内で電圧信号Vdが得られる。ADコンバータ21による変換は不要であり、ADコンバータ21は無くてもよい。抵抗器R15、抵抗器R16及びADコンバータ21のいずれもが無い場合、入力電圧測定回路2は、ノードN11と信号処理回路3とを接続する配線だけで構成されてよい。
図2には示されないが、抵抗器R16と並列に、コンデンサが接続されてよい。入力電圧Vinに含まれるノイズ等を低減し、ADコンバータ21に入力される電圧の短時間変動を抑制することができる。
定電流回路4は、DAコンバータ41と、抵抗器R3~抵抗器R8と、増幅器Q2と、トランジスタQ3と、トランジスタQ4と、ダイオード42とを含む。なお、ダイオード42が無くその部分が直接基準電位(COM)に接続されてもよい。
DAコンバータ41は、信号処理回路3からのディジタルの電流制御信号S2を、アナログの電圧信号Vaに変換して出力する。抵抗器R4は、DAコンバータ41と増幅器Q2の非反転端子との間に接続される。抵抗器R5は、抵抗器R4及び増幅器Q2の非反転端子の接続点と、ノードN12との間に接続される。抵抗器R3は、抵抗器R5及び抵抗器R7を挟んで増幅器Q2とは反対側において抵抗器R5及び抵抗器R7の間に接続される、増幅器Q2への帰還抵抗器である。DAコンバータ41によって出力された電圧信号Vaは、抵抗器R4と抵抗器R5と抵抗器R3とによって分圧され、増幅器Q2の非反転端子に入力される。
抵抗器R6は、基準電圧源PR1と増幅器Q2の反転端子との間に接続される。抵抗器R7は、増幅器Q2の反転端子と、ノードN22との間に接続される。基準電圧源PR1からの基準電圧VR1は、抵抗器R6及び抵抗器R7によって分圧され、増幅器Q2の反転端子に入力される。
増幅器Q2は、電圧信号Vaを抵抗器R4と、抵抗器R5と、抵抗器R3とによって分圧した電圧と、基準電圧VR1を抵抗器R6及び抵抗器R7で分圧した電圧との差(誤差)を検出する誤差増幅器である。この誤差に基づいて、増幅器Q2は、トランジスタQ3及びトランジスタQ4とともに内部回路を流れる電流を制御する。
トランジスタQ3は、NPN型のバイポーラトランジスタである。トランジスタQ3のベースは、増幅器Q2の出力端に接続される。トランジスタQ3のコレクタは、トランジスタQ4のべースに接続される。トランジスタQ3のエミッタは、ダイオード42を介して、ノードN12に接続される。ダイオード42は、トランジスタQ3のエミッタからノードN12に向かって電流が流れるように、トランジスタQ3のエミッタとノードN12との間に接続される。
トランジスタQ4は、PNP型のバイポーラトランジスタである。トランジスタQ4は、コレクタエミッタ間の電流が伝送線L1からシャントレギュレータ回路6に向かって流れるように、伝送線L1とシャントレギュレータ回路6との間に接続される。トランジスタQ4のベースは、トランジスタQ3のコレクタに接続される。トランジスタQ4のコレクタは、ノードN21に接続される。トランジスタQ4のエミッタは、ノードN11に接続される。トランジスタQ4のコレクタエミッタ間の電圧を、電圧Vceと称し図示する。回路電圧V1は、入力電圧Vinよりも電圧Vceだけ小さくなる。
抵抗器R8は、トランジスタQ4のコレクタとエミッタとの間に接続される。抵抗器R8は、トランジスタQ4に対して並列に接続される、内部回路を起動させるための起動抵抗器である。
トランジスタQ4のエミッタ電流の大きさを制御することで、電流信号Ioutの大きさが制御される。トランジスタQ4のエミッタ電流の大きさは、トランジスタQ4のベース電流によって制御される。トランジスタQ4のベース電流は、トランジスタQ3のコレクタ電流によって制御される。トランジスタQ3のコレクタ電流は、トランジスタQ3のベース電流によって制御される。トランジスタQ3のベース電流は、増幅器Q2によって制御される。増幅器Q2の非反転端子には、電圧信号Va、すなわち電流制御信号S2、センサ信号S1さらにいうとセンサ1の検出値に応じた電圧が入力される。例えばこのような回路構成により、電流信号Ioutが、センサ1の検出値に応じて制御される。
基準電圧処理回路5は、DAコンバータ51と、増幅器Q5と、抵抗器R10と、抵抗器R11とを含む。先にも述べたように、信号処理回路3からの電圧制御信号Vs1が、基準電圧処理回路5に供給される。電圧制御信号Vs1は、トランジスタQ4の電圧Vceが、トランジスタQ4が飽和しない所定電圧になるように、回路電圧V1をシャントレギュレータ回路6によって制御させるための信号である。所定電圧は、一定電圧(例えば2V)であってもよいし、一定でない電圧であってもよい。電圧制御信号Vs1は、回路電圧V1が内部回路の耐電圧を上回らないように制限されてもよい。
DAコンバータ51は、信号処理回路3からのディジタルの電圧制御信号Vs1を、アナログの電圧制御信号Vs2に変換して出力する。電圧制御信号Vs2は、増幅器Q5の非反転端子に入力され、また、後述のコンパレータ回路7の比較器Q8の反転端子に入力される。
抵抗器R10及び抵抗器R11は、増幅器Q5の出力端子とノードN22との間に直列に接続される。抵抗器R10及び抵抗器R11の間は、増幅器Q5の反転端子に接続される。これにより、増幅器Q5は、電圧制御信号Vs2を負帰還増幅する。増幅器Q5によって出力される電圧を、参照電圧信号Vrefと称し図示する。参照電圧信号Vrefは、この後で説明するシャントレギュレータ回路6の増幅器Q6の非反転端子に入力される。
シャントレギュレータ回路6は、この例では、トランジスタQ4の電圧Vceが所定電圧(例えば2V)になるように、及び、回路電圧V1が入力電圧VinよりもトランジスタQ4の電圧Vceだけ小さくなるように、回路電圧V1を制御する。シャントレギュレータ回路6は、抵抗器R13と、抵抗器R14と、増幅器Q6と、トランジスタQ7とを含む。
抵抗器R13及び抵抗器R14は、ノードN21とノードN22との間に直列に接続される。抵抗器R13は、ノードN21と増幅器Q6の反転端子との間に接続される。抵抗器R14は、増幅器Q6の反転端子とノードN22との間に接続される。回路電圧V1は、抵抗器R13及び抵抗器R14によって分圧され、増幅器Q6の反転端子に入力され、また、コンパレータ回路7の比較器Q8の非反転端子に入力される。
増幅器Q6の非反転端子には、基準電圧処理回路5の増幅器Q5からの参照電圧信号Vrefが入力される。増幅器Q6は、回路電圧V1を抵抗器R13及び抵抗器R14で分圧した電圧と、参照電圧信号Vrefとの差(誤差)に基づいて、トランジスタQ7とともに回路電圧V1を制御する誤差増幅器である。
トランジスタQ7は、PNP型のバイポーラトランジスタ又は電界効果トランジスタ(FET:Field Effect Transistor)であり、この例ではPNP型MOS(Metal Oxide Semiconductor)FETである。トランジスタQ7のゲート(G)は、増幅器Q6の出力端子に接続される。トランジスタQ7のソース(S)は、ノードN21に接続される。トランジスタQ7のドレイン(D)は、ノードN22に接続される。トランジスタQ7を流れる電流(ソースドレイン間の電流)が小さくなるに従い、回路電圧V1は大きくなる。トランジスタQ7を流れる電流は、トランジスタQ7のゲート電圧によって制御される。トランジスタQ7のゲート電圧は、増幅器Q6によって制御される。増幅器Q6の非反転端子には、参照電圧信号Vref、すなわち電圧制御信号Vs2、電圧制御信号Vs1、電圧信号Vdさらにいうと入力電圧Vinに対応する電圧が入力される。例えばこのような回路構成により、回路電圧V1が、入力電圧Vinに応じて制御される。
より具体的に、入力電圧Vinが大きくなるに従い、回路電圧V1が大きくなる。その結果、2線式伝送器100の内部回路が利用可能な電力が増える。例えば、回路電圧V1と電流信号Ioutとを乗じて求められる電力が利用可能である。先にも述べたように、内部回路において、回路電圧V1が、例えば図示しないDCDCコンバータ等で変換されてから用いられてよい。その場合は、DCDCコンバータの出力側(2次側)の電流が増加し、その分、利用可能な電力が増える。
コンパレータ回路7は、比較器Q8を含む。比較器Q8の非反転端子には、回路電圧V1を抵抗器R13及び抵抗器R14で分圧した電圧が入力される。比較器Q8の反転端子には、基準電圧処理回路5からの電圧、この例では電圧制御信号Vs2が入力される。電圧制御信号Vs2の代わりに参照電圧信号Vrefが入力されてもよい。比較器Q8は、それらの電圧を比較し、比較結果に応じた電圧(例えばロー電圧又はハイ電圧)を出力する。比較器Q8の出力電圧は、信号処理回路3に入力される。
回路電圧V1が低下すると、比較器Q8の非反転端子に入力される電圧が低下し、比較器Q8の出力電圧が反転する。信号処理回路3は、比較器Q8の出力電圧の反転を検出することにより、回路電圧V1の低下(異常)を検出する。例えば回路電圧V1の低下が続くと、内部回路が正常に動作しなくなったり停止したりする。信号処理回路3は、そのような事態に事前に対処するための処理、例えばセンサ信号S1の現在値を保持する等の処理を実行する。
2線式伝送器100が入力電圧測定回路2を含むので、信号処理回路3は、入力電圧Vinの異常を検知することもできる。例えば、入力電圧Vinが定電流回路4の耐電圧以上である場合に、入力電圧Vinの異常が検知される。入力電圧Vinの異常の検知結果は、2線式伝送器100から外部回路200に通知(アラーム通知)されてよい。この通知に、電流信号Ioutが用いられてよい。信号処理回路3は、電圧信号Vdに基づいて耐電圧値以上であると検知すると、電流信号Ioutの大きさが通常の4mA~20mAの範囲以外の大きさ(例えば3mA等)になるように、電流信号Ioutを制御する。外部回路200において通常の範囲外の電流信号Ioutが検出され、それによって入力電圧Vinの異常が通知される。外部回路200から2線式伝送器100への電圧、電流の供給が停止される、或いは入力電圧Vinを耐電圧値以下になるように低下させる等して、異常な入力電圧Vinが定電流回路4に印加される時間を短くすることができる。2線式伝送器100の故障確率の低減等の効果が得られる。
先にも述べたように、2線式伝送器100では、入力電圧Vinが大きくなると内部回路の回路電圧V1も大きくなり、従って、外部回路200からの電力を有効に利用することができる。計算の一例について述べる。
<計算の例>
条件は以下のとおりである。
(ア)電源電圧Ebの最小値=16.6V、最大値=42V
(イ)抵抗器R1の抵抗値=250Ω
(ウ)抵抗器R3の抵抗値=100Ω
(エ)ダイオードD1の順方向電圧=1V
(オ)抵抗器R15の抵抗値及び抵抗器R16の抵抗値の比率=9:1(Vdiv=Vin/10)
(カ)抵抗器R10の抵抗値は抵抗器R11の抵抗値よりも十分に小さい(増幅器Q5のゲイン=1)
(キ)抵抗器R13の抵抗値及び抵抗器R14の抵抗値の比率=9:1(V1=10Vref)
(ク)トランジスタQ4が飽和しないための電圧Vce=2V
トランジスタQ4の電圧Vceは、下記の式(1)のように、入力電圧Vinから回路電圧V1を減算することで計算される。
Vce=Vin-V1 (1)
入力電圧Vinは、電圧Vdivを用いて下記の式(2)のように計算される。
Vin=Vdiv×10 (2)
基準電圧処理回路5の増幅器Q5のゲインが1であるので、電圧制御信号Vs2と参照電圧信号Vrefとが等しい。また、シャントレギュレータ回路6のゲインが10であるので、回路電圧V1は、電圧制御信号Vs2を用いて下記の式(3)のように計算される。
V1=Vs2×10 (3)
上記の式(1)に、式(2)及び式(3)を代入し、さらにVce=2Vを代入すると、電圧制御信号Vs2は、下記の式(4)のように計算される。
Vs2=Vdiv-0.2 (4)
信号処理回路3は、上記の式(4)の電圧制御信号Vs2が得られるように、電圧制御信号Vs1を生成して出力する。これにより、電圧Vce=2Vを保ったまま、入力電圧Vinに比例して回路電圧V1を大きくすることができる。
利用可能な電力を計算する。電源電圧Eb=16.6V(最小値)、電流信号Iout=4mAの場合、入力電圧Vinは、下記の式(5)のように計算される。式中のEb_minは、電源電圧Ebの最小値である。R1及びR3は、抵抗器R1の抵抗値及び抵抗器R3の抵抗値である。
Vin=Eb_min-Iout×(R1+R3)-1V (5)
上記の式(5)に上述の条件に示される数値を代入すると、入力電圧Vinは14.2Vになる。回路電圧V1は、12.2Vに制御される。このときに利用可能な電力は、48.8mW(=V1×Iout)である。特許文献1の技術においても同様である。
一方で、電源電圧Eb=42V(最大値)、電流信号Iout=4mAの場合、上記の式(5)より、入力電圧Vinは39.6Vになる。回路電圧V1は37.6Vに制御される。利用可能な電力は、150.4mW(=V1×Iout)である。利用可能な電力は大きくなる。特許文献1の技術では、電源電圧Ebが大きくなっても回路電圧V1が変わらないので、利用可能な電力は48.8mWのままである。実施形態に係る2線式伝送器100によれば、特許文献1の技術と比較して、利用可能な電力を約3倍に増やすことができる。
同様の計算を電流信号Iout=20mAについて行うと、電源電圧Ebが最小値のときに利用可能な電力は、実施形態に係る2線式伝送器100及び特許文献1の技術のいずれにおいても172mWである。一方で、電源電圧Ebが最大値のときに利用可能な電力は、実施形態に係る2線式伝送器100では680mWになり、特許文献1の技術では172mWのままである。実施形態に係る2線式伝送器100によれば、特許文献1の技術と比較して、利用可能な電力を約4倍に増やすことができる。
2線式伝送器100の回路構成は、先に説明した図2の構成に限られない。いくつかの変形例について説明する。
<第1変形例>
図3は、回路構成の変形例を示す図である。図3に示される2線式伝送器100は、先に説明した図2の構成と比較して、とくに、基準電圧処理回路5を含まない点、入力電圧測定回路2が抵抗器R15に代えて基準電圧源REFを含む一方でADコンバータ21は含まない点、入力電圧測定回路2からの電圧Vdivが増幅器Q6の非反転端子に入力される点、増幅器Q6の反転端子がノードN21に接続される点において相違する。
基準電圧源REFの電圧を、基準電圧VREFと称し図示する。この例では、基準電圧源REFは、ツェナーダイオードである。基準電圧VREFは、先に説明したトランジスタQ4の電圧Vceと同じであってよい。入力電圧Vinよりも基準電圧VREFだけ小さい電圧が、電圧Vdivとして生成される。電圧Vdivは、シャントレギュレータ回路6の増幅器Q6の非反転端子に入力される。
シャントレギュレータ回路6の増幅器Q6は、回路電圧V1が電圧Vdivになるように、回路電圧V1を制御する。例えば基準電圧VREFが2Vであれば、トランジスタQ4の電圧Vceを2Vに保ったまま、入力電圧Vinに比例して回路電圧V1を大きくすることができる。
なお、図3に示される例では、電圧制御信号Vs2は、信号処理回路3によって直接生成される。ただし、先に説明した図2と同様に、信号処理回路3は、電圧制御信号Vs1を生成してもよい。信号処理回路3とコンパレータ回路7との間にDAコンバータ(図2のDAコンバータ51に相当)を設けることで、電圧制御信号Vs1が電圧制御信号Vs2に変換され、コンパレータ回路7の比較器Q8の反転端子に入力されてよい。
図3に示される2線式伝送器100によれば、先に図1及び図2を参照して説明したような基準電圧処理回路5を介した信号処理回路3によるシャントレギュレータ回路6の制御は不要である。従って、基準電圧処理回路5を不要にすることができる。また、入力電圧測定回路2のADコンバータ21(図2)も不要である。部品の削減効果が得られる。
<第2変形例>
図4は、回路構成の変形例を示す図である。図4に示される2線式伝送器100は、先に説明した図2の構成と比較して、とくに、基準電圧処理回路5を含まない点、入力電圧測定回路2がADコンバータ21を含まない点、入力電圧測定回路2からの電圧Vdivがシャントレギュレータ回路6の増幅器Q6の非反転端子に入力される点において相違する。
入力電圧測定回路2のゲインすなわち抵抗器R15の抵抗値及び抵抗器R16の抵抗値の比率、並びに、シャントレギュレータ回路6のゲインすなわち抵抗器R13の抵抗値及び抵抗器R14の抵抗値の比率を変えることにより、回路電圧V1が制御される。
例えば、入力電圧Vinを10V、抵抗器R15の抵抗値及び抵抗器R16の抵抗値の比率を9:1、シャントレギュレータ回路6の抵抗器R13の抵抗値及び抵抗器R14の抵抗値の比率を7:1とすると、電圧Vdiv、回路電圧V1及び電圧Vceは、下記の式(6)~式(8)のよう計算される。
Vdiv=Vin×1/10=1V (6)
V1=Vdiv×8=8V (7)
Vce=Vin-V1=2V (8)
トランジスタQ4の電圧Vceが2Vになり、回路電圧V1は、入力電圧Vinよりも2Vだけ小さい電圧に制御される。図4に示される2線式伝送器100の構成では、先に説明した図3の構成と比較して、シャントレギュレータ回路6の増幅器Q6の入力電圧を小さくすることができる。その分、低耐電圧の部品を使用することができる。
<他の変形例>
各信号の生成については、上記の実施形態に限らず、さまざまな手法が用いられてよい。例えば、上記実施形態では、電圧信号Va及び電圧制御信号Vs2の生成に、DAコンバータ41及びDAコンバータ51が用いられる場合を例に挙げて説明した。ただし、DAコンバータ41及びDAコンバータ51に代えて、例えば特許文献1に示されるようなPWM(Pulse Width Modulation)制御及びLPF(Low Pass Filter)が用いられてもよいし、他の種々の公知の手法が用いられてもよい。DAコンバータ41及びDAコンバータ51の機能が信号処理回路3内で実現されてもよい。
以上で説明した技術は、例えば次のように特定される。開示される技術の1つは、2線式伝送器100である。図1等を参照して説明したように、2線式伝送器100は、2本の伝送線L1及び伝送線L2を介して外部回路200に接続され、外部回路200から供給される入力電圧Vin及び電流信号Ioutを利用して動作する。2線式伝送器100は、センサ1の検出結果に応じて電流信号Ioutを制御する定電流回路4と、入力電圧Vinに応じて回路電圧V1を制御するシャントレギュレータ回路6と、を備える。シャントレギュレータ回路6は、入力電圧Vinが大きくなるに従い回路電圧V1が大きくなるように、回路電圧V1を制御する。
上記の2線式伝送器100によれば、入力電圧Vinが大きくなるに従い回路電圧V1が大きくなる。回路電圧V1が大きくなると、その分、内部回路が利用可能な電力も大きくなる。従って、外部回路200からの電力を有効に利用することができる。
図1、図2及び図4等を参照して説明したように、2線式伝送器100は、入力電圧Vinに応じた電圧を測定する入力電圧測定回路2を備え、シャントレギュレータ回路6は、入力電圧測定回路2によって測定された電圧に基づいて、回路電圧V1を制御してよい。例えばこのような入力電圧測定回路2による電圧測定結果を用いて、回路電圧V1を制御することができる。
図2等を参照して説明したように、定電流回路4は、コレクタエミッタ間の電流が伝送線L1からシャントレギュレータ回路6に向かって流れるように、伝送線L1とシャントレギュレータ回路6との間に接続されたトランジスタQ4を含み、シャントレギュレータ回路6は、定電流回路4のトランジスタQ4のコレクタエミッタ間の電圧Vceが所定電圧になるように、及び、回路電圧V1が入力電圧VinよりもトランジスタQ4のコレクタエミッタ間の電圧Vceだけ小さくなるように、回路電圧V1を制御してよい。これにより、トランジスタQ4の飽和を抑制しつつ、回路電圧V1を制御することができる。
図3等を参照して説明したように、入力電圧測定回路2は、入力電圧Vinから所定電圧(例えば基準電圧源REFの基準電圧VREF)だけ小さい電圧Vdivを生成し、シャントレギュレータ回路6は、回路電圧V1が入力電圧測定回路2によって生成された電圧Vdivになるように、回路電圧V1を制御してよい。これにより、例えば、シャントレギュレータ回路6に参照電圧信号Vrefを供給する基準電圧処理回路5を不要にすることができる。また、入力電圧測定回路2のADコンバータ21も不要である。部品の削減効果が得られる。なお、図4では、基準電圧処理回路5とADコンバータ21は不要になり、部品の削減効果が得られる。
L1 伝送線
L2 伝送線
100 2線式伝送器
1 センサ
2 入力電圧測定回路
R15 抵抗器
R16 抵抗器
21 ADコンバータ
REF 基準電圧源
3 信号処理回路
4 定電流回路
41 DAコンバータ
R4 抵抗器
R5 抵抗器
R6 抵抗器
R7 抵抗器
Q2 増幅器
Q3 トランジスタ
Q4 トランジスタ
R8 抵抗器
42 ダイオード
5 基準電圧処理回路
51 DAコンバータ
Q5 増幅器
R10 抵抗器
R11 抵抗器
6 シャントレギュレータ回路
R13 抵抗器
R14 抵抗器
Q6 増幅器
Q7 トランジスタ
7 コンパレータ回路
Q8 比較器
200 外部回路
201 電源
R1 抵抗器

Claims (4)

  1. 2本の伝送線を介して外部回路に接続され、前記外部回路から供給される入力電圧及び電流信号を利用して動作する2線式伝送器であって、
    センサの検出結果に応じて前記電流信号を制御する定電流回路と、
    前記入力電圧に応じて回路電圧を制御するシャントレギュレータ回路と、
    を備え、
    前記シャントレギュレータ回路は、前記入力電圧が大きくなるに従い前記回路電圧が大きくなるように、前記回路電圧を制御する、
    2線式伝送器。
  2. 前記入力電圧に応じた電圧を測定する入力電圧測定回路を備え、
    前記シャントレギュレータ回路は、前記入力電圧測定回路によって測定された電圧に基づいて、前記回路電圧を制御する、
    請求項1に記載の2線式伝送器。
  3. 前記定電流回路は、コレクタエミッタ間の電流が前記伝送線から前記シャントレギュレータ回路に向かって流れるように、前記伝送線と前記シャントレギュレータ回路との間に接続されたトランジスタを含み、
    前記シャントレギュレータ回路は、前記定電流回路の前記トランジスタのコレクタエミッタ間の電圧が所定電圧になるように、及び、前記回路電圧が前記入力電圧よりも前記トランジスタの前記コレクタエミッタ間の電圧だけ小さくなるように、前記回路電圧を制御する、
    請求項2に記載の2線式伝送器。
  4. 前記入力電圧測定回路は、前記入力電圧よりも前記所定電圧だけ小さい電圧を生成し、
    前記シャントレギュレータ回路は、前記回路電圧が前記入力電圧測定回路によって生成された電圧になるように、前記回路電圧を制御する、
    請求項3に記載の2線式伝送器。
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