JP7468150B2 - 画像読取装置、画像形成装置及び異物検知方法 - Google Patents

Description

本発明は、画像読取装置、画像形成装置及び異物検知方法に関する。

従来、シートスルー方式のＡＤＦ（Auto Document Feeder）において、ＡＤＦ読取位置の背景部材の読取データの局所的なレベル変動に基づいて、ＡＤＦ読取位置のコンタクトガラスに付着した異物の有無を判断する技術が知られている。

例えば、特許文献１（特開２００８－１４７８１６号公報）に開示されている画像読み取り装置の場合、高濃度の異物（以降、黒異物と記載）、及び、低濃度の異物（以降、白異物と記載）の両方の有無を判断するために、背景部材として白色部材及び黒色部材（又はグレー色部材）を設ける。そして、これらの背景部材を入れ替えて、それぞれの読取データを取得し、白色部材及び黒色部材の各読取データの局所的なレベル変動をそれぞれ検出することで、黒異物及び白異物を検出する。

しかし、特許文献１に開示されている画像読み取り装置の場合、背景部材を入れ替えるための、入れ替え機構が必要となり、装置構成が複雑化する問題がある。

また、特許文献１に開示されている画像読み取り装置の場合、背景部材の入れ替えを行うため、黒異物及び白異物の検出に用いる各読取データを取得するまでに、時間を要する問題がある。

本発明は、上述の課題に鑑みてなされたものであり、簡素な構成で迅速に黒異物及び白異物の検出を可能とした画像読取装置、画像形成装置及び異物検知方法の提供を目的とする。

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、少なくとも第１の波長域及び第２の波長域の光を発光する光源と、第１の波長域及び第２の波長域の光の反射率がそれぞれ異なる背景部材と、第１の波長域の光及び第２の波長域の光が背景部材に照射されることにより生ずる反射光を受光して読取情報を形成する撮像部と、背景部材で反射され、撮像部で受光された、第１の波長域の光の反射光の読取情報の読取レベル差に基づいて、第１の異物の有無を検知し、背景部材で反射され、撮像部で受光された、第２の波長域の光の反射光の読取情報の読取レベル差に基づいて、第２の異物の有無を検知する異物検知部と、を有し、前記撮像部は、前記第１の波長域の光の反射光を受光する第１のラインセンサ、及び、前記第１のラインセンサの複数の受光素子が並設された方向である主走査方向に対して２次元的に直交する方向である副走査方向にずれた位置に、主走査方向が、前記第１のラインセンサの主走査方向に対して平行となるように設けられた、前記第２の波長域の光の反射光を受光する第２のラインセンサを有し、前記第１のラインセンサ及び前記第２のラインセンサの前記主走査方向の読取レベルの正規化に用いる基準情報を取得するための基準部材に対して、前記第１の波長域の光及び前記第２の波長域の光を照射し、前記異物検知部が、前記第１のラインセンサの読取情報の読取レベル差に基づいて、前記基準部材に付着している黒異物の有無を検知し、また、前記第２のラインセンサの読取情報の読取レベル差に基づいて、前記基準部材に付着している白異物の有無を検知する。

本発明によれば、簡素な構成で迅速に黒異物及び白異物を検出できるという効果を奏する。

図１は、第１の実施の形態の画像形成装置が備える画像読取部の断面図である。 図２は、第１の実施の形態の画像形成装置が備えるキャリッジの構成を示す図である。 図３は、第１の実施の形態の画像形成装置の要部のブロック図である。 図４は、普通紙と、ＡＤＦ背景部材及びＦＢ背景部材の分光反射特性を示す図である。 図５は、第１の実施の形態の画像形成装置の画像処理部のブロック図である。 図６は、異物による読取レベルの変動を示す図である。 図７は、第１の実施の形態の画像形成装置に設けられているラインセンサの構成を概略的に示す図である。 図８は、ＡＤＦ読取時における各ラインセンサの各読取位置を示す図である。 図９は、ＡＤＦ読取時に、キャリッジを副走査方向に移動させることで、各ラインセンサの読取位置で、それぞれ異物検知を行う様子を示す模式図である。 図１０は、第１の実施の形態の画像形成装置における異物検知動作の流れを示すフローチャートである。 図１１は、第２の実施の形態の画像形成装置に設けられている画像読取部の断面図である。 図１２は、ＣＩＳの構成を示す図である。 図１３は、ＣＩＳに設けられている光源の構成を示す図である。 図１４は、第２の画像形成装置に設けられているラインセンサの構成を示す図である。 図１５は、第３の実施の形態の画像形成装置に設けられているＡＤＦ背景部材又はＦＢ背景部材の分光反射率を示す図である。 図１６は、第３の実施の形態の画像形成装置に設けられている、赤外光に対して低反射率となるＡＤＦ背景部材又はＦＢ背景部材の読取レベルの変動を示す図である。 図１７は、第４の実施の形態の画像形成装置において、キャリッジで基準部材の読み取りを行っている様子を示す図である。

以下、添付図面を参照して、実施の形態となる画像形成装置の説明をする。

［第１の実施の形態］
（機械構成）
図１は、第１の実施の形態の画像形成装置が備える画像読取部１０２の断面図である。この図１に示すように、画像読取部１０２は、キャリッジ２００を備える。また、画像読取部１０２は、ＡＤＦ（Auto Document Feeder）部１０５の読取時に、直上を原稿が通過するＡＤＦコンタクトガラス２３０、及び、フラットベッド（ＦＢ）読取時に、直上に原稿を置くＦＢコンタクトガラス２６０を備える。

また、画像読取部１０２は、読取レベルの主走査方向（図１の紙面に対して垂直方向）のムラの正規化（シェーディング補正）に使用する基準情報を読み取るための基準部材２５０を備える。また、画像読取部１０２は、キャリッジ２００を副走査方向（図１の紙面の左右方向）に移動させるための駆動機構１９０及びスキャナモータ２８０を備えている。

ＡＤＦ部１０５は、ＡＤＦ背景部材２４０及びＦＢ背景部材２７０を備える。ＡＤＦ背景部材２４０及びＦＢ背景部材２７０は、背景部材の一例である。ＡＤＦ背景部材２４０は、ＡＤＦコンタクトガラス２３０と対向する位置に設けられている。ＦＢ背景部材２７０は、ＦＢコンタクトガラス２６０と対向する位置に設けられている。また、一例ではあるが、ＡＤＦ背景部材２４０及びＦＢ背景部材２７０は、例えば金属又はプラスチック等により形成された板状部材に、白色等の所定の色の塗料を塗布して形成されている。

（キャリッジの構成）
図２は、キャリッジ２００の構成を示す図である。読み取りに使用するキャリッジ２００は、光源２１０、ラインセンサ２２０（撮像部の一例）、ミラー群２１１及びレンズ２１２を有している。

このようなキャリッジ２００は、原稿、ＡＤＦ背景部材２４０又はＦＢ背景部材２７０に対して光源２１０からの光を照射することで得られた反射光を、ミラー群２１１及びレンズ２１２を介してラインセンサ２２０に導光する。ラインセンサ２２０は、反射光を電気信号に変換することで、原稿、ＡＤＦ背景部材２４０又はＦＢ背景部材２７０の主走査方向（図２の紙面に対して垂直方向）の情報の読み取りを行う。

ＡＤＦ部１０５を用いて原稿の読み取りを行う場合、原稿は、副走査方向（図２の左右方向）に移動される。ラインセンサ２２０は、原稿又はＡＤＦ背景部材２４０の副走査方向の情報の読み取りを行う。また、フラットベッド読み取りにおいては、キャリッジモータ２８０を回転駆動することで、駆動機構１９０を介してキャリッジ２００を副走査方向（図２の左右方向）に駆動する。これにより、ラインセンサ２２０で、原稿又はＦＢ背景部材２７０の副走査方向の情報を読み取りが行われる。

光源２１０は、第１の波長域の一例である可視波長域の光（可視光）及び第２の波長域の一例である近赤外波長域の光（近赤外光）を照射可能となっている。これに対応して、ラインセンサ２２０は、可視光及び近赤外光を読み取り可能となっている。

ここで、ＡＤＦコンタクトガラス２３０上に異物が存在する場合、原稿又はＡＤＦ背景部材２４０の情報が遮られることで、異物が情報としてラインセンサ２２０に読み取られる。同様に、ＦＢコンタクトガラス２６０上に異物が存在する場合、原稿又はＦＢ背景部材２６０の情報が遮られることで、異物が情報としてラインセンサ２２０に読み取られる。

特に、ＡＤＦ部１０５による原稿読み取りにおいては、キャリッジ２００を固定し原稿を搬送することで原稿全体を読み取る。これにより、ラインセンサ２２０によるＡＤＦコンタクトガラス２３０上の読取位置も固定されるため、出力画像の副走査方向全域に異物の情報が重畳する。

なお、「異物」とは、ＡＤＦコンタクトガラス２３０又はＦＢコンタクトガラス２６０上に存在する紙粉、付箋、ステープラーの針、修正液、インク、糊等の様々な異物である。

（電気構成）
図３は、第１の実施の形態の画像形成装置の要部のブロック図である。この図３に示すように、画像形成装置は、画像形成部１００と、報知部１０１と、図１の外観構成を有する画像読取部１０２と、画像処理部１０３を備える。また。画像形成装置は、画像処理部１０３の処理に用いる画像データ及び所定の画像処理を施した画像データを一時的に蓄積する画像メモリ１０４を備える。ＣＰＵ（Center Processing Unit）１０６は、ＲＯＭ（Read Only Memory）等の記憶部に記憶されているプログラムに基づいて、画像形成部１００、報知部１０１、画像読取部１０２及び画像処理部１０３を制御する。ＡＤＦ部１０５は、ＣＰＵ１０６と情報通信を行うことで原稿搬送タイミングを調整して原稿搬送を行う。

画像形成部１００は、画像処理部１０３により所定の画像処理を施した画像データに対して、印字処理を実行することで印刷画像を形成する。

報知部１０１としては、例えばモニタ装置又はスピーカ部等を用いることができる。後述するが、ＣＰＵ１０６は、上述の「異物」が検知されると、モニタ装置に対して異物検知のメッセージ又は清掃を促すメッセージを表示し、又は、スピーカ部を介して「異物」が検知されたことを示す電子音又は音声メッセージを出力制御する。

（媒質による分光反射特性の違い）
次に、図４は、媒質による分光反射特性の違いを示す図である。この図４は、画像読取部１０２の読取対象である、原稿として一般的に用いられる普通紙と、ＡＤＦ背景部材２４０及びＦＢ背景部材２７０の分光反射特性を示す図である。図４中、点線のグラフが、普通紙の分光反射特性のグラフであり、実線のグラフが、ＡＤＦ背景部材２４０及びＦＢ背景部材２７０の分光反射特性のグラフである。

この図４からわかるように、可視波長域においては、白色背景であるＡＤＦ背景部材２４０及びＦＢ背景部材２７０の反射率は普通紙より高いが、近赤外（ＮＩＲ）波長域においては、ＡＤＦ背景部材２４０及びＦＢ背景部材２７０の反射率は普通紙より低い。

画像読取部１０２は、ラインセンサ２２０による画素毎の読取レベルのばらつきを補正するために、基準部材２５０の読取レベルを基準とし、画素毎に読取レベルを正規化する。また、画像読取部１０２は、原稿（例えば普通紙）を読み取った際に、正規化後の読取レベルを所定の値に調整する（以降、これらを合わせてシェーディング補正と呼ぶ）。このため、白色背景を使用したＡＤＦ背景部材２４０及びＦＢ背景部材２７０のシェーディング補正後の読取レベルは、可視光に対して所定の値より高く、近赤外光に対して所定の値より低くなる。

また、ＡＤＦ背景部材２４０、ＦＢ背景部材２７０、ＡＤＦコンタクトガラス２３０又はＦＢコンタクトガラス２６０上に高濃度の異物（黒異物）が存在する場合、可視光に対する読取レベル差が大きく現れる。また、ＡＤＦ背景部材２４０、ＦＢ背景部材２７０、ＡＤＦコンタクトガラス２３０又はＦＢコンタクトガラス２６０上に低濃度の異物（白異物）が存在する場合、赤外光に対する読取レベル差が大きく現れる。

このようなことから、実施の形態の画像形成装置は、可視光に対するシェーディング補正後の読取レベル差に基づいて黒異物を検知し、赤外光に対するシェーディング補正後の読取レベル差に基づいて白異物を検知する。詳しくは、後述する。

（画像処理部の構成）
図５は、画像処理部１０２のブロック図である。この図５に示すように、画像処理部１０３は、異物を検知するためのゴミ検知部４０１を有する。ゴミ検知部４０１は、可視光の読取画像に対して異物検知を行う可視光ゴミ検知部４１１、及び、近赤外光の読取画像に対して異物検知を行う近赤外光ゴミ検知部４１２を備える。可視光ゴミ検知部４１１及び近赤外光ゴミ検知部４１２は、異物検知部の一例である。

（異物による読取レベルの変動）
図６は、異物による読取レベルの変動を示す図である。このうち、図６（ａ）は、可視光による黒異物及び白異物の読取レベルの変動を示す図である。また、図６（ｂ）は、近赤外光による黒異物及び白異物の読取レベルの変動を示す図である。

図６（ａ）に示すように、可視光によるＡＤＦ背景部材２４０又はＦＢ背景部材２７０と黒異物の読取レベルの差は大きいため、可視光を用いることで黒異物の検知は容易となる。これに対して、可視光によるＡＤＦ背景部材２４０又はＦＢ背景部材２７０と白異物の読取レベルの差は小さいため、可視光による白異物の検知は困難となる。

一方、図６（ｂ）に示すように、近赤外光によるＡＤＦ背景部材２４０又はＦＢ背景部材２７０と黒異物の読取レベルの差は小さいため、近赤外光による黒異物の検知は困難となる。これに対して、近赤外光によるＡＤＦ背景部材２４０又はＦＢ背景部材２７０と白異物の読取レベルの差は大きいため、近赤外光を用いることで、白異物の検知は容易となる。

このようなことから、第１の実施の形態の画像形成装置は、可視光ゴミ検知部４１１が、可視光照射時の読み取りレベル差に基づいて黒異物を検知し、近赤外光ゴミ検知部４１２が、近赤外光照射時の読み取りレベル差に基づいて白異物を検知している。

すなわち、可視光ゴミ検知部４１１により、ラインセンサ２２０の各画素のうち、所定の閾値以下の画素が検知された場合に、ＣＰＵ１０６は、その画素の読取位置に黒異物が付着していると判断する（図６（ａ）参照）。また、近赤外光ゴミ検知部４１２により、ラインセンサ２２０の各画素のうち、所定の閾値以上の画素が検知された場合に、ＣＰＵ１０６は、その画素の読取位置に白異物が付着していると判断する（図６（ｂ）参照）。

または、可視光ゴミ検知部４１１及び近赤外光ゴミ検知部４１２により、特定画素の読取レベルと、この特定画素の周辺に位置する各周辺画素の読取レベルとの差分が、所定の閾値以上であることが検出された場合に、ＣＰＵ１０６が、特定画素の読取位置に異物が付着していると判断してもよい。

（ラインセンサ構成）
次に、図７は、ラインセンサ２２０の構成を概略的に示す図である。上述のように、ラインセンサ２２０は、可視光及び近赤外光を読み取り可能となっている。具体的には、図７に示すように、ラインセンサ２２０は、可視光のうち、赤色光（Ｒ）を読み取るＲラインセンサ２２１、可視光のうち、緑色光（Ｇ）を読み取るＧラインセンサ２２２、及び、可視光のうち、青色光（Ｂ）を読み取るＢラインセンサ２２３を有している。また、ラインセンサ２２０は、近赤外光を読み取る赤外ラインセンサ２２４を有している。

Ｒラインセンサ２２１、Ｇラインセンサ２２２及びＢラインセンサ２２３は、第１のラインセンサの一例である。また、赤外ラインセンサ２２４は、第２のラインセンサの一例である。Ｒラインセンサ２２１、Ｇラインセンサ２２２、Ｂラインセンサ２２３及び赤外ラインセンサ２２４は、それぞれ主走査方向が平行となるように、副走査方向にずれて設けられている。

（ＡＤＦ読取時における各ラインセンサの読取位置）
図８は、ＡＤＦ読取時における各ラインセンサ２２１～２２４の各読取位置を示す図である。ＡＤＦ部１０５を用いた原稿読取時においては、キャリッジ２００を固定し、原稿を搬送することで原稿全体の読み取りを行う。このため、ラインセンサ２２０によるＡＤＦコンタクトガラス２３０上の読取位置も固定される。

しかし、図７に示したように、各ラインセンサ２２１～２２４は、副走査方向（原稿の搬送方向）に、物理的に離れて配置されている。このため、図８に示すように、各ラインセンサ２２１～２２４に対応したＡＤＦ読取時の読取位置であるＡＤＦ読取位置（Ｒ）２５１、ＡＤＦ読取位置（Ｇ）２５２、ＡＤＦ読取位置（Ｂ）２５３、ＡＤＦ読取位置（赤外）２５４も、副走査方向（原稿の搬送方向）にずれている。

従って、キャリッジ２００を固定したままでは、ＡＤＦ読取位置（Ｒ）２５１、ＡＤＦ読取位置（Ｇ）２５２、ＡＤＦ読取位置（Ｂ）２５３に付着した黒異物は検知可能であるが、白異物は検知困難となる。また、ＡＤＦ読取位置（赤外）２５４に付着した白異物は検知可能であるが、黒異物は検知困難となる。

各ラインセンサ２２１～２２４のうち、複数のラインセンサに跨る大きさの異物であれば問題なく検知可能であるが、異物が、ラインセンサ２２１～２２４のいずれかのみに跨る大きさの場合、正しい検知が困難となる。

（キャリッジ移動によるゴミ検知）
図９は、ＡＤＦ読取時に、キャリッジ２００を副走査方向に移動させることで、各ラインセンサ２２１～２２４の読取位置で、それぞれ異物検知を行う様子を示す模式図である。キャリッジ２００は、キャリッジモータ２８０を回転駆動することで、駆動機構１９０を介して副走査方向（原稿の搬送方向）に移動制御される。

具体的には、図９（ａ）は、赤外ラインセンサ２２４による読取位置が、ＡＤＦ読取位置（赤外）２５４にある状態を示している。この状態で、可視光及び赤外光を同時に点灯する(時間差で点灯してもよい)。そして、赤外ラインセンサ２２４で、赤外光に基づき、赤外光用のＡＤＦ読み取り位置(赤外)２５４のＡＤＦ白色背景部材２４０の読み取りを行う。また、赤外ラインセンサ２２４に対して副走査方向に沿って順に設けられているＢラインセンサ２２３，Ｇラインセンサ２２２、及び、Ｒラインセンサ２２１で、可視光に基づき、ＡＤＦ読み取り位置(Ｂ)２５３、ＡＤＦ読み取り位置(Ｇ)２５２、及び、ＡＤＦ読み取り位置(Ｒ)２５２のＡＤＦ白色背景部材２４０の読み取りを行う。

これにより、赤外ラインセンサ２２４で、ＡＤＦ白色背景部材２４０の赤外光用のＡＤＦ読み取り位置(赤外)２５４に付着している白異物の検知を行うことができる。また、Ｂラインセンサ２２３、Ｇラインセンサ２２２、及び、Ｒラインセンサ２２１で、ＡＤＦ白色背景部材２４０のＡＤＦ読み取り位置(Ｂ)２５３、ＡＤＦ読み取り位置(Ｇ)２５２、及び、ＡＤＦ読み取り位置(Ｒ)２５２に付着している黒異物の検知を行うことができる。

次に、キャリッジ２００を移動させ、赤外ラインセンサ２２４によるＡＤＦ白色背景部材２４０の読取位置を、ＡＤＦ読取位置（Ｂ）２５３（図９（ｂ））→ＡＤＦ読取位置（Ｇ）２５２（図９（ｃ））→ＡＤＦ読取位置（Ｒ）２５１（図９（ｄ））の順に移動させる。そして、ＡＤＦ読取位置（Ｂ）２５３、ＡＤＦ読取位置（Ｇ）２５２及びＡＤＦ読取位置（Ｒ）２５１で、赤外光に基づくＡＤＦ白色背景部材２４０の読み取りを行う。これにより、各ＡＤＦ読取位置２５１～２５４の全ての読取位置で、白異物の検知を行うことができる。

次に、キャリッジ２００を移動させ、赤外ラインセンサ２２４によるＡＤＦ白色背景部材２４０の初期の読取位置(図９(ａ)に示すＡＤＦ読取位置(赤外)２５４)に、Ｂラインセンサ２２３、Ｇラインセンサ２２２、及び、Ｒラインセンサ２２１を順に移動させる。そして、Ｂラインセンサ２２３、Ｇラインセンサ２２２、及び、Ｒラインセンサ２２１で、可視光に基づき、ＡＤＦ読取位置(赤外)２５４のＡＤＦ白色背景部材２４０の読み取りを行う。これにより、ＡＤＦ読取位置(赤外)２５４の黒異物の検知を行うことができる。

なお、この例では、Ｂラインセンサ２２３、Ｇラインセンサ２２２、及び、Ｒラインセンサ２２１を、それぞれＡＤＦ読取位置(赤外)２５４に移動させて黒異物の検知を行うこととした。しかし、Ｂラインセンサ２２３、Ｇラインセンサ２２２、及び、Ｒラインセンサ２２１のうち、少なくとも一つのラインセンサをＡＤＦ読取位置(赤外)２５４に移動させて黒異物の検知を行ってもよい。これにより、異物検知に要する時間を短縮化できる。ただ、例えば赤色の異物は、Ｒラインセンサ２２１で検知することは困難である。このため、Ｂラインセンサ２２３、Ｇラインセンサ２２２、及び、Ｒラインセンサ２２１でそれぞれ検知を行うことで、黒異物の検知精度の向上を図ることができる。

このようにキャリッジ２００を移動制御して、各ラインセンサ２２１～２２４で、ＡＤＦ白色背景部材２４０の各読取位置２５１～２５４の読み取りを行うことで、異物が一部のラインセンサのみにまたがる程度の大きさであっても、各読取位置２５１～２５４の黒異物及び白異物を正しく検知できる。

（異物検知動作の流れ）
図１０は、このような異物検知の流れを示すフローチャートである。このフローチャートを用いて異物検知動作を再度説明すると、まず、ＣＰＵ１０６は、光源２１０を発光制御して、可視光及び赤外光をＡＤＦ白色背景部材２４０に照射する(ステップＳ１)。

次に、赤外ラインセンサ２２４で、ＡＤＦ白色背景部材２４０のＡＤＦ読取位置(赤外)２５４の読み取りを行う(図６(ｂ)参照)。また、Ｂラインセンサ２２３、Ｇラインセンサ２２２、及び、Ｒラインセンサ２２１で、ＡＤＦ白色背景部材２４０のＡＤＦ読取位置（Ｂ）２５３、ＡＤＦ読取位置（Ｇ）２５２及びＡＤＦ読取位置（Ｒ）２５１の読み取りを行う((図６(ａ)参照)、ステップＳ２)。

次に、図５に示した可視光ごみ検知部４１１が、可視光による読み取り結果に基づいて、ＡＤＦ読取位置（Ｂ）２５３、ＡＤＦ読取位置（Ｇ）２５２及びＡＤＦ読取位置（Ｒ）２５１の黒異物の検知を行い、この検知結果をＣＰＵ１０６に通知する(ステップＳ３)。

この時点で、ＡＤＦ読取位置（Ｂ）２５３、ＡＤＦ読取位置（Ｇ）２５２及びＡＤＦ読取位置（Ｒ）２５１の黒異物の検知は完了する。ＡＤＦ読取位置（赤外）２５４の黒異物の検知は、後述するステップＳ７及びステップＳ８で実行される。

次に、図５に示した近赤外光ゴミ検知部４１２が、赤外光による読み取り結果に基づいて、ＡＤＦ読取位置（赤外）２５４の白異物の検知を行い(図６(ｂ)参照)、この検知結果をＣＰＵ１０６に通知する(ステップＳ４)。

次に、ＣＰＵ１０６が、キャリッジ２００を移動制御して、赤外ラインセンサ２２４によるＡＤＦ白色背景部材２４０の読取位置を、ＡＤＦ読取位置（Ｂ）２５３（図９（ｂ））→ＡＤＦ読取位置（Ｇ）２５２（図９（ｃ））→ＡＤＦ読取位置（Ｒ）２５１（図９（ｄ））の順に移動させる。そして、ＡＤＦ読取位置（Ｂ）２５３、ＡＤＦ読取位置（Ｇ）２５２及びＡＤＦ読取位置（Ｒ）２５１で、赤外光に基づくＡＤＦ白色背景部材２４０の読み取りを行う(ステップＳ５)。これにより、近赤外光ゴミ検知部４１２により、各ＡＤＦ読取位置２５１～２５４の全ての読取位置で白異物の検知を行われ(図６(ｂ)参照)、各読取位置の検知結果がＣＰＵ１０６に通知される。

ＡＤＦ読取位置（Ｂ）２５３、ＡＤＦ読取位置（Ｇ）２５２及びＡＤＦ読取位置（Ｒ）２５１で それぞれ赤外ラインセンサ２２４による読取動作が行われたと判別されると(ステップＳ６：Ｙｅｓ)、ステップＳ７に処理が進む。

ステップＳ７では、ＣＰＵ１０６が、キャリッジ２００を移動制御することで、赤外ラインセンサ２２４によるＡＤＦ白色背景部材２４０の初期の読取位置(図９(ａ)に示すＡＤＦ読取位置(赤外)２５４)に、Ｂラインセンサ２２３、Ｇラインセンサ２２２、及び、Ｒラインセンサ２２１を順に移動させる。

可視光ごみ検知部４１１は、Ｂラインセンサ２２３、Ｇラインセンサ２２２、及び、Ｒラインセンサ２２１による、ＡＤＦ読取位置(赤外)２５４のＡＤＦ白色背景部材２４０の読み取り結果に基づいて、ＡＤＦ読取位置(赤外)２５４の黒異物の検知を行い(図６(ａ)参照)、この検知結果をＣＰＵ１０６に通知する(ステップＳ８)。

次に、ＣＰＵ１０６は、可視光ゴミ検知部４１１及び近赤外光ゴミ検知部４１２からの検知結果に基づいて、白異物又は黒異物が検知されたか否かを判別する（ステップＳ９）。白異物又は黒異物が検知されないと判別された場合（ステップＳ９：Ｎｏ）、そのまま図１０のフローチャートの全処理を終了する。

これに対して、白異物又は黒異物が検知された場合（ステップＳ９：Ｙｅｓ）、ＣＰＵ１０６は、図３に示す報知部１０１を介して、ユーザに対して、白異物又は黒異物が検知されたことを示す報知制御を行う（ステップＳ１０）。例えば、報知部１０１がモニタ装置である場合、ＣＰＵ１０６は、異物検知のメッセージ又はＡＤＦコンタクトガラス２３０等の清掃を促すメッセージを表示制御する。また、報知部１０１がスピーカ装置である場合、「異物」が検知されたこと、又は、ＡＤＦコンタクトガラス２３０等の清掃が必要となったこと等を示す電子音又は音声メッセージを出力制御する。これにより、ＡＤＦコンタクトガラス２３０等を、異物の無い状態に復帰させることができ、異物の写りこみの無い画像の形成を可能とすることができる。

なお、ＡＤＦ読取位置（Ｂ）２５３、ＡＤＦ読取位置（Ｇ）２５２及びＡＤＦ読取位置（Ｒ）２５１で、赤外光に基づくＡＤＦ白色背景部材２４０の読み取りを行う際に(ステップＳ４、Ｓ５)、赤外ラインセンサ２２４によるＡＤＦ白色背景部材２４０の初期の読取位置(図９(ａ)に示すＡＤＦ読取位置(赤外)２５４)が、Ｂラインセンサ２２３、Ｇラインセンサ２２２、又は、Ｒラインセンサ２２１の読取位置と一致する場合は、ステップＳ７及びステップＳ８の各処理を同時に実行してもよい。これにより、異物検知動作の実施時間を短縮することができる。

（第１の実施の形態の効果）
以上の説明から明らかなように、第１の実施の形態の画像形成装置は、２つの異なる波長域の光に対して読取レベルに差を生ずる部材で形成されたＡＤＦ背景部材２４０（又はＦＢ背景部材２７０）を、２つの波長域の光で読み取る。これにより、一方の波長域の光では、ＡＤＦ背景部材２４０の読取レベルに対する黒異物の読取レベルの差が大きく現れる。このため、一方の波長域の光で、黒異物を検知できる。また、他方の波長域の光では、ＡＤＦ背景部材２４０の読取レベルに対する白異物の読取レベルの差が大きく現れる。このため、他方の波長域の光で、白異物を検知できる。

このような第１の実施の形態の画像形成装置は、２つの異なる波長域の光でＡＤＦ背景部材２４０（又はＦＢ背景部材２７０）を読み取ることで得られた読み取りレベルに基づいて、黒異物及び白異物を検知する。このため、それぞれ光学特性の異なる２種類の背景部材を入れ替えるための入れ替え機構等を不要とすることができ、ＡＤＦ背景部材２４０、ＦＢ背景部材２７０、コンタクトガラス２３０又はコンタクトガラス２６０に付着した黒異物及び白異物の両方の検知を、簡単な装置構成で可能とすることができる。

また、背景部材の入れ替えを不要とすることができるため、読取データの取得及び異物検知を、短時間で行うことができる。

（第２の実施の形態）
次に、第２の実施の形態の画像形成装置の説明をする。この第２の実施の形態の画像形成装置は、固定焦点のＣＩＳ（コンタクトイメージセンサ）を画像読取部１０２に設けた例である。この点以外は、上述の第１の実施の形態と同様である。このため、以下、第１の実施の形態に対する差異の説明のみ行い、重複説明は省略する。

図１１は、第２の実施の形態の画像形成装置に設けられている画像読取部１０２の断面図である。この図１１に示すように、画像読取部１０２には、ＣＩＳ３００が設けられている。ＣＩＳ３００は、上述のキャリッジ２００と同様に、駆動機構１９０を介して図９（ａ）～図９（ｄ）に示したように移動制御され、原稿の他、ＡＤＦ背景部材２４０（又はＦＢ背景部材２７０）の読み取りに使用される。

図１２は、ＣＩＳ３００の構成を示す図である。この図１２に示すように、ＣＩＳ３００は、光源３１０、ラインセンサ３２０及びレンズ３１２を有している。また、ＣＩＳ３００は、ＡＤＦコンタクトガラス２３０（又はＦＢコンタクトガラス２６０）を介してＡＤＦ背景部材２４０（又はＦＢ背景部材２７０）に対向する位置に設けられている。

このようなＣＩＳ３００は、原稿、ＡＤＦ背景部材２４０又はＦＢ背景部材２７０に対して光源３１０からの光を照射し、その反射光を、レンズ３１２を介してラインセンサ３２０で受光する。これにより、ラインセンサ３２０は、原稿、ＡＤＦ背景部材２４０又はＦＢ背景部材２７０の主走査方向（図１２の紙面に対して垂直方向）の情報の読み取りを行う。

ＡＤＦ読取においては、ラインセンサ３２０により、副走査方向（図１２の紙面の左右方向）に搬送される原稿、又は、ＡＤＦ背景部材２４０の副走査方向の情報が読み取られる。また、フラットベッド読取においては、キャリッジモータ２８０及び駆動機構１９０により、ＣＩＳ３００が副走査方向（図１２の左右方向）に移動され、ラインセンサ３２０により、原稿又はＦＢ背景部材２７０の副走査方向の情報が読み取られる。

図１３は、ＣＩＳ３００に設けられている光源３１０の構成を示す図である。この図１３に示すように、光源３１０は、赤（Ｒ）の波長域の光を照射するＲ光源３１１、緑（Ｇ）の波長域の光を照射するＧ光源３１２、青（Ｂ）の波長域の光を照射するＢ光源３１３、及び、近赤外光を照射する赤外光源３１４を有している。

それぞれの光源３１１～３１４は、一つずつ順番に点灯制御され、又は、複数の光源が同時に点灯制御される。

図１４は、ラインセンサ３２０の構成を示す図である。ラインセンサ３２０は、モノクロラインセンサ３２１を有している。モノクロラインセンサ３２１は、図１４（ａ）～図１４（ｃ）に示すように可視光の、ＲＧＢの各色の光に感度特性を有すると共に、図１４（ｄ）に示すように、近赤外光（ＮＩＲ）に感度特性を有している。

図１５は各光源を点灯させた場合の、ラインセンサ３２０の動作を示す図である。光源３１０のＲ光源３１１のみが点灯された場合、モノクロラインセンサ３２１で、原稿又はＡＤＦ背景部材２４０の赤（Ｒ）の波長域の情報が読み取られる。また、光源３１０のＧ光源３１２のみが点灯された場合、モノクロラインセンサ３２１で、原稿又はＡＤＦ背景部材２４０の緑（Ｇ）の波長域の情報が読み取られる。また、光源３１０のＢ光源３１３のみが点灯された場合、モノクロラインセンサ３２１で、原稿又はＡＤＦ背景部材２４０の青（Ｂ）の波長域の情報が読み取られる。また、また、光源３１０の赤外光源３１４のみが点灯された場合、モノクロラインセンサ３２１で、ＡＤＦ背景部材２４０等の、赤外光の波長域の情報が読み取られる。

これにより、上述と同様に、可視光に基づくＡＤＦ背景部材２４０等の読取レベルのレベル差に基づいて黒異物を検知でき、また、赤外光に基づくＡＤＦ背景部材２４０等の読取レベルのレベル差に基づいて白異物を検知できる。

また、ＡＤＦによる原稿読取では、ＣＩＳ３００を固定して原稿を副走査方向に搬送して、原稿全体の読み取りを行うため、ラインセンサ３２０によるコンタクトガラス２３０上の読取位置も固定される。しかし、この第２の実施の形態の場合、ラインセンサ３２０は、図１４に示したように、モノクロラインセンサ３２１のみで読み取るため、図８を用いて説明したような各ラインセンサの読取位置のずれは存在しない。このため、第２の実施の形態の場合、ＣＩＳ３００を固定した状態でＡＤＦ読取位置に付着した白異物及び黒異物を検知することができる。

すなわち、第２の実施の形態の場合、ＣＩＳ３００の移動を不要とすることができるため、さらに短時間で異物を検知可能とすることができる。

（第３の実施の形態）
次に、第３実施の形態の画像形成装置の説明をする。この第３の実施の形態の画像形成装置は、赤外光に対して低反射率の背景部材を設けた例である。この点以外は、上述の各実施の形態と同様である。このため、以下、上述の各実施の形態に対する差異の説明のみ行い、重複説明は省略する。

図１５は、第３の実施の形態の画像形成装置に設けられているＡＤＦ背景部材２４０又はＦＢ背景部材２７０の分光反射率を示す図である。この図１５は、点線のグラフが、普通紙における、可視光及び赤外光に対する分光反射率を示すグラフである。また、実線のグラフが、第３の実施の形態の画像形成装置に設けられているＡＤＦ背景部材２４０又はＦＢ背景部材２７０における、可視光及び赤外光に対する分光反射率を示すグラフである。

この図１５に示すように、第３の実施の形態の画像形成装置の場合、ＡＤＦ背景部材２４０又はＦＢ背景部材２７０は、一般的に用いられる白色背景と比較して、近赤外光に対して、より低い反射率を有している。

図１６は、赤外光に対して低反射率となるＡＤＦ背景部材２４０又はＦＢ背景部材２７０の読取レベルの変動を示す図である。このうち、図１６（ａ）は、可視光によるＡＤＦ背景部材２４０又はＦＢ背景部材２７０の読取レベルの変動を示す図であり、図１６（ｂ）は、赤外光によるＡＤＦ背景部材２４０又はＦＢ背景部材２７０の読取レベルの変動を示す図である。

この図１６と図６を比較してわかるように、近赤外光に対して低い反射率を有するＡＤＦ背景部材２４０又はＦＢ背景部材２７０を用いることで、白異物に対する読取レベル差を大きくすることができる。このため、第３の実施の形態の画像形成装置の場合、赤外光を用いた白異物の検知精度の向上を図ることができる（白異物を、より検知し易くすることができる）。

（第４の実施の形態）
次に、第４実施の形態の画像形成装置の説明をする。上述の各実施の形態は、ＡＤＦ背景部材２４０、ＦＢ背景部材２７０、コンタクトガラス２３０又はコンタクトガラス２６０に付着した異物を検知する例であった。これに対し、第４の実施の形態の画像形成装置は、背景部材２５０に対して付着した異物を検知する例である。なお、この点以外は、第４実施の形態の画像形成装置は、上述の各実施の形態と同様である。このため、以下、上述の各実施の形態に対する差異の説明のみ行い、重複説明は省略する。

図１７は、第４の実施の形態の画像形成装置において、キャリッジ２００で基準部材２５０の読み取りを行っている様子を示す図である。基準部材２５０の読み取りを行う場合も、上述と同様に、可視光を基準部材２５０に照射して、ＲＧＢの各ラインセンサ２２１～２２３の読取レベル差に基づいて、基準部材２５０に付着している黒異物を検知する。また、赤外光を基準部材２５０に照射して、赤外ラインセンサ２２４の読取レベルの差に基づいて、基準部材２５０に付着している白物を検知する。これにより、簡単な構成で両方の異物を検知できる等、上述と同様の効果を得ることができる。

また、基準部材２５０の読取情報は、シェーディング補正に用いられている。このため、図５に示した可視光ゴミ検知部４１１及び近赤外光ゴミ検知部４１２は、シェーディング補正を施していない基準部材２５０の読取情報の読取レベル差に基づいて、黒異物又は白異物の検知を行う。これにより、基準部材２５０に対する正確な異物検知を実行できる。

なお、図１７は、フラットベッド読取及びＡＤＦ読取の両方に用いられるキャリッジ２００を用いて、基準部材２５０の異物検知を行う例であるが、キャリッジ２００の代わりにＣＩＳ３００を用いる構成でもよい。この場合でも、上述と同様の効果を得ることができる。

また、例えばＡＤＦの両面同時読取で使用される、ＡＤＦ読取専用のキャリッジ又はＣＩＳを用いて、基準部材２５０の異物検知を行ってもよい。

（変形例）
最後に、上述の実施の形態は、一例として提示したものであり、本発明の範囲を限定することは意図していない。この新規な実施の形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことも可能である。

例えば、上述の実施の形態の説明では、光源として、可視光及び赤外光を設けると共に、可視光用のラインセンサ２２１～２２３及び赤外光用のラインセンサ２２４を設けることとした。しかし、赤外光の代りに紫外光を用い、赤外光用のラインセンサ２２４の代りに、図４に示した１ｎｍ～４００ｎｍの波長の紫外光を受光可能な紫外光用のラインセンサを設けてもよい。この場合、図６を用いて説明したように、可視光照射時の読み取りレベルに基づいて黒異物を検知し、紫外光照射時の読み取りレベルに基づいて白異物を検知することとなる。各異物の検知の仕方は、上述と同様であり、上述と同じ効果を得ることができる。

また、例えば赤色光（Ｒ）及び青色光（Ｂ）等のように、それぞれ異なる波長域の２つの可視光を用いて、各異物を検知してもよい。

また、可視光で黒異物を検知し、赤外光又は紫外光で白異物を検知してもよいし、可視光で白異物を検知し、赤外光又は紫外光で黒異物を検知してもよい。

このような実施の形態及び実施の形態の変形は、発明の範囲や要旨に含まれると共に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。

１００ 画像形成部
１０１ 報知部
１０２ 画像読取部
１０３ 画像処理部
１０４ 画像メモリ
１０５ ＡＤＦ部
１０６ ＣＰＵ
１９０ 駆動機構
２００ キャリッジ
２１０ 光源
２２０ ラインセンサ
２２１ Ｒラインセンサ
２２２ Ｇラインセンサ
２２３ Ｂラインセンサ
２２４ 赤外ラインセンサ
２３０ ＡＤＦコンタクトガラス
２４０ ＡＤＦ背景部材
２５０ 基準部材
２５１ ＲラインセンサによるＡＤＦ読取位置
２５２ ＧラインセンサによるＡＤＦ読取位置
２５３ ＢラインセンサによるＡＤＦ読取位置
２５４ 赤外ラインセンサによるＡＤＦ読取位置
２６０ ＦＢコンタクトガラス
２７０ ＦＢ背景部材
２８０ スキャナモータ
３００ ＣＩＳ
４０１ ゴミ検知部
４１１ 可視光ゴミ検知部
４１２ 赤外光ゴミ検知部

特開２００８－１４７８１６号公報

Claims (13)

1. 少なくとも第１の波長域及び第２の波長域の光を発光する光源と、
   前記第１の波長域及び前記第２の波長域の光の反射率がそれぞれ異なる背景部材と、
   前記第１の波長域の光及び前記第２の波長域の光が前記背景部材に照射されることにより生ずる反射光を受光して読取情報を形成する撮像部と、
   前記背景部材で反射され、前記撮像部で受光された、前記第１の波長域の光の反射光の読取情報の読取レベル差に基づいて、第１の異物の有無を検知し、前記背景部材で反射され、前記撮像部で受光された、前記第２の波長域の光の反射光の読取情報の読取レベル差に基づいて、第２の異物の有無を検知する異物検知部と、
   を有し、
   前記撮像部は、前記第１の波長域の光の反射光を受光する第１のラインセンサ、及び、前記第１のラインセンサの複数の受光素子が並設された方向である主走査方向に対して２次元的に直交する方向である副走査方向にずれた位置に、主走査方向が、前記第１のラインセンサの主走査方向に対して平行となるように設けられた、前記第２の波長域の光の反射光を受光する第２のラインセンサを有し、
   前記第１のラインセンサ及び前記第２のラインセンサの前記主走査方向の読取レベルの正規化に用いる基準情報を取得するための基準部材に対して、前記第１の波長域の光及び前記第２の波長域の光を照射し、前記異物検知部が、前記第１のラインセンサの読取情報の読取レベル差に基づいて、前記基準部材に付着している黒異物の有無を検知し、また、前記第２のラインセンサの読取情報の読取レベル差に基づいて、前記基準部材に付着している白異物の有無を検知すること
   を特徴とする画像読取装置。
2. 少なくとも第１の波長域及び第２の波長域の光を発光する光源と、
   前記第１の波長域及び前記第２の波長域の光の反射率がそれぞれ異なる背景部材と、
   前記第１の波長域の光及び前記第２の波長域の光が前記背景部材に照射されることにより生ずる反射光を受光して読取情報を形成する撮像部と、
   前記背景部材で反射され、前記撮像部で受光された、前記第１の波長域の光の反射光の読取情報の読取レベル差に基づいて、第１の異物の有無を検知し、前記背景部材で反射され、前記撮像部で受光された、前記第２の波長域の光の反射光の読取情報の読取レベル差に基づいて、第２の異物の有無を検知する異物検知部と、
   を有し、
   前記撮像部は、前記第１の波長域の光の反射光を受光する第１のラインセンサ、及び、前記第１のラインセンサの複数の受光素子が並設された方向である主走査方向に対して２次元的に直交する方向である副走査方向にずれた位置に、主走査方向が、前記第１のラインセンサの主走査方向に対して平行となるように設けられた、前記第２の波長域の光の反射光を受光する第２のラインセンサを有し、
   前記光源は、前記第１の波長域の光として可視光を発光する第１の光源を有すると共に、前記第２の波長域の光として赤外光又は紫外光を発光する第２の光源を有し、
   前記第１のラインセンサは、前記第１の光源からの前記可視光の反射光を受光し、前記第２のラインセンサは、前記第２の光源からの前記赤外光又は前記紫外光の反射光を受光し、
   前記異物検知部は、前記第１のラインセンサによる、前記可視光の読取情報の読取レベル差に基づいて黒異物の検知を行い、前記第２のラインセンサによる、前記赤外光又は前記紫外光の読取情報の読取レベル差に基づいて白異物の検知を行うこと
   を特徴とする画像読取装置。
3. 少なくとも第１の波長域及び第２の波長域の光を発光する光源と、
   前記第１の波長域及び前記第２の波長域の光の反射率がそれぞれ異なる背景部材と、
   前記第１の波長域の光及び前記第２の波長域の光が前記背景部材に照射されることにより生ずる反射光を受光して読取情報を形成する撮像部と、
   前記背景部材で反射され、前記撮像部で受光された、前記第１の波長域の光の反射光の読取情報の読取レベル差に基づいて、第１の異物の有無を検知し、前記背景部材で反射され、前記撮像部で受光された、前記第２の波長域の光の反射光の読取情報の読取レベル差に基づいて、第２の異物の有無を検知する異物検知部と、
   を有し、
   前記撮像部は、前記第１の波長域の光の反射光及び前記第２の波長域の光の反射光を受光するラインセンサを有し、
   前記光源は、前記第１の波長域の光として可視光を発光する第１の光源を有すると共に、前記第２の波長域の光として赤外光又は紫外光を発光する第２の光源を有し、
   前記ラインセンサは、前記第１の光源からの前記可視光の反射光、及び、前記第２の光源からの前記赤外光又は前記紫外光の反射光を受光し、
   前記異物検知部は、前記ラインセンサによる、前記可視光の読取情報の読取レベル差に基づいて黒異物の検知を行い、前記赤外光又は前記紫外光の読取情報の読取レベル差に基づいて白異物の検知を行うこと
   を特徴とする画像読取装置。
4. 前記撮像部は、前記第１の波長域の光の反射光を受光する第１のラインセンサ、及び、前記第１のラインセンサの複数の受光素子が並設された方向である主走査方向に対して２次元的に直交する方向である副走査方向にずれた位置に、主走査方向が、前記第１のラインセンサの主走査方向に対して平行となるように設けられた、前記第２の波長域の光の反射光を受光する第２のラインセンサを有すること
   を特徴とする請求項３に記載の画像読取装置。
5. 前記第１のラインセンサ及び前記第２のラインセンサの前記主走査方向の読取レベルの正規化に用いる基準情報を取得するための基準部材に対して、前記第１の波長域の光及び前記第２の波長域の光を照射し、異物検知部が、前記第１のラインセンサの読取情報の読取レベル差に基づいて、前記基準部材に付着している前記第１の異物の有無を検知し、また、前記第２のラインセンサの読取情報の読取レベル差に基づいて、前記基準部材に付着している前記第２の異物の有無を検知すること
   を特徴とする請求項４に記載の画像読取装置。
6. 前記光源は、前記第１の波長域の光として可視光を発光する第１の光源を有すると共に、前記第２の波長域の光として赤外光又は紫外光を発光する第２の光源を有し、
   前記第１のラインセンサは、前記第１の光源からの前記可視光の反射光を受光し、前記第２のラインセンサは、前記第２の光源からの前記赤外光又は前記紫外光の反射光を受光し、
   前記異物検知部は、前記第１のラインセンサによる、前記可視光の読取情報の読取レベル差に基づいて黒異物の検知を行い、前記第２のラインセンサによる、前記赤外光又は前記紫外光の読取情報の読取レベル差に基づいて白異物の検知を行うこと
   を特徴とする請求項１、４、５のいずれか一項に記載の画像読取装置。
7. 前記第１のラインセンサは、前記可視光の赤色の光を受光する赤色用ラインセンサ、前記可視光の緑色の光を受光する緑色用ラインセンサ、及び、前記可視光の青色の光を受光する青色用ラインセンサを有し、
   前記第１のラインセンサの前記赤色用ラインセンサ、前記緑色用ラインセンサ、前記青色用ラインセンサ及び前記第２のラインセンサは、それぞれ主走査方向が平行となるように、前記副走査方向にずれて設けられており、
   前記赤色用ラインセンサ、前記緑色用ラインセンサ、前記青色用ラインセンサ及び前記第２のラインセンサの読取位置を、前記副走査方向に沿って移動させる駆動機構を、さらに備えること
   を特徴とする請求項２または６に記載の画像読取装置。
8. 前記撮像部は、前記第１の波長域の光の反射光及び前記第２の波長域の光の反射光を受光するラインセンサを有すること
   を特徴とする請求項１または２に記載の画像読取装置。
9. 前記背景部材は、可視光に対して高い反射率を有し、赤外光又は紫外光に対して低い反射率を有すること
   を特徴とする請求項１から請求項８のうち、いずれか一項に記載の画像読取装置。
10. 請求項１から請求項９のうち、いずれか一項に記載の画像読取装置と、
    前記撮像部からの読取情報に基づいて、画像情報を形成する画像形成部と、
    を有する画像形成装置。
11. 光源から、少なくとも第１の波長域及び第２の波長域の光を発光する発光ステップと、
    前記第１の波長域及び前記第２の波長域の光の反射率がそれぞれ異なる背景部材に対して、前記第１の波長域の光及び前記第２の波長域の光が照射されることにより生ずる反射光を撮像部で受光して読取情報を形成する撮像ステップと、
    異物検知部が、前記背景部材で反射され、前記撮像部で受光された、前記第１の波長域の光の反射光の読取情報の読取レベル差に基づいて、第１の異物の有無を検知し、前記背景部材で反射され、前記撮像部で受光された、前記第２の波長域の光の反射光の読取情報の読取レベル差に基づいて、第２の異物の有無を検知する異物検知ステップと、
    を有し、
    前記撮像部は、前記第１の波長域の光の反射光を受光する第１のラインセンサ、及び、前記第１のラインセンサの複数の受光素子が並設された方向である主走査方向に対して２次元的に直交する方向である副走査方向にずれた位置に、主走査方向が、前記第１のラインセンサの主走査方向に対して平行となるように設けられた、前記第２の波長域の光の反射光を受光する第２のラインセンサを有し、
    前記第１のラインセンサ及び前記第２のラインセンサの前記主走査方向の読取レベルの正規化に用いる基準情報を取得するための基準部材に対して、前記第１の波長域の光及び前記第２の波長域の光を照射し、前記異物検知部が、前記第１のラインセンサの読取情報の読取レベル差に基づいて、前記基準部材に付着している黒異物の有無を検知し、また、前記第２のラインセンサの読取情報の読取レベル差に基づいて、前記基準部材に付着している白異物の有無を検知すること
    を特徴とする異物検知方法。
12. 光源から、少なくとも第１の波長域及び第２の波長域の光を発光する発光ステップと、
    前記第１の波長域及び前記第２の波長域の光の反射率がそれぞれ異なる背景部材に対して、前記第１の波長域の光及び前記第２の波長域の光が照射されることにより生ずる反射光を撮像部で受光して読取情報を形成する撮像ステップと、
    異物検知部が、前記背景部材で反射され、前記撮像部で受光された、前記第１の波長域の光の反射光の読取情報の読取レベル差に基づいて、第１の異物の有無を検知し、前記背景部材で反射され、前記撮像部で受光された、前記第２の波長域の光の反射光の読取情報の読取レベル差に基づいて、第２の異物の有無を検知する異物検知ステップと、
    を有し、
    前記撮像部は、前記第１の波長域の光の反射光を受光する第１のラインセンサ、及び、前記第１のラインセンサの複数の受光素子が並設された方向である主走査方向に対して２次元的に直交する方向である副走査方向にずれた位置に、主走査方向が、前記第１のラインセンサの主走査方向に対して平行となるように設けられた、前記第２の波長域の光の反射光を受光する第２のラインセンサを有し、
    前記光源は、前記第１の波長域の光として可視光を発光する第１の光源を有すると共に、前記第２の波長域の光として赤外光又は紫外光を発光する第２の光源を有し、
    前記第１のラインセンサは、前記第１の光源からの前記可視光の反射光を受光し、前記第２のラインセンサは、前記第２の光源からの前記赤外光又は前記紫外光の反射光を受光し、
    前記異物検知ステップは、前記第１のラインセンサによる、前記可視光の読取情報の読取レベル差に基づいて黒異物の検知を行い、前記第２のラインセンサによる、前記赤外光又は前記紫外光の読取情報の読取レベル差に基づいて白異物の検知を行うこと
    を特徴とする異物検知方法。
13. 光源から、少なくとも第１の波長域及び第２の波長域の光を発光する発光ステップと、
    前記第１の波長域及び前記第２の波長域の光の反射率がそれぞれ異なる背景部材に対して、前記第１の波長域の光及び前記第２の波長域の光が照射されることにより生ずる反射光を撮像部で受光して読取情報を形成する撮像ステップと、
    異物検知部が、前記背景部材で反射され、前記撮像部で受光された、前記第１の波長域の光の反射光の読取情報の読取レベル差に基づいて、第１の異物の有無を検知し、前記背景部材で反射され、前記撮像部で受光された、前記第２の波長域の光の反射光の読取情報の読取レベル差に基づいて、第２の異物の有無を検知する異物検知ステップと、
    を有し、
    前記撮像部は、前記第１の波長域の光の反射光及び前記第２の波長域の光の反射光を受光するラインセンサを有し、
    前記光源は、前記第１の波長域の光として可視光を発光する第１の光源を有すると共に、前記第２の波長域の光として赤外光又は紫外光を発光する第２の光源を有し、
    前記ラインセンサは、前記第１の光源からの前記可視光の反射光、及び、前記第２の光源からの前記赤外光又は前記紫外光の反射光を受光し、
    前記異物検知ステップは、前記ラインセンサによる、前記可視光の読取情報の読取レベル差に基づいて黒異物の検知を行い、前記赤外光又は前記紫外光の読取情報の読取レベル差に基づいて白異物の検知を行うこと
    を特徴とする異物検知方法。

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