JP7465173B2 - 磁気センサ回路 - Google Patents

Description

本発明は、磁気センサ回路に関する。

磁気センサ回路は、端子数の制限から動作検査用のモード（以下、「テストモード」とする）へ投入するためのテスト端子を既存の端子と兼用して構成されることがある。例えば、テスト端子と出力端子とを兼用した磁気センサ回路が提案されている（例えば、特許文献１参考）。

特許文献１に記載される磁界検出装置では、通常動作する通常モードからテストモードへ遷移させる等のモードを遷移させる信号（以下、「モード遷移信号」とする）を出力端子から強制的に入力する。モード遷移信号は、通常モードでは起こり得ないレベルにある。入力された信号のレベルに基づいてモード遷移信号が磁界検出装置に入力された旨が検出されると、通常モードからテストモードへ遷移する。

特開２００９－３１２２５号公報

しかしながら、特許文献１に記載される磁界検出装置のような磁気センサ回路では、出力端子に短絡等が生じた際に、意図せずにテストモードに投入されてしまうことがあった。
本発明は、上述した事情を考慮し、意図しないモードの遷移を低減可能な磁気センサ回路を提供することを目的とする。

本発明に係る磁気センサ回路は、第１の方向の磁束密度を検出し、検出される前記第１の方向の磁束密度に基づく第１のセンサ信号を出力する第１の磁気センサと、前記第１の方向と直交する第２の方向の磁束密度を検出し、検出される前記第２の方向の磁束密度に基づく第２のセンサ信号を出力する第２の磁気センサと、モード信号が入力されるモード信号入力端と、前記第１のセンサ信号が入力される第１のセンサ信号入力端と、前記第２のセンサ信号が入力される第２のセンサ信号入力端とを有し、前記第１のセンサ信号に基づき、ローレベル及びハイレベルを互いに遷移する第１の検出信号を出力する一方、前記第２のセンサ信号に基づき、ローレベル及びハイレベルを互いに遷移する第２の検出信号を出力する通常モードと、前記通常モードとは異なる所定の動作を行うテストモードと、を互いに遷移可能な信号処理回路と、前記通常モードでは前記第１の検出信号が入力される一方、前記テストモードではテスト信号が入力され、入力される前記第１の検出信号又は前記テスト信号に基づく第１の出力電圧を出力する第１のドライバと、前記通常モードでは前記第２の検出信号が入力される一方、前記テストモードでは前記テスト信号が入力され、入力される前記第２の検出信号又は前記テスト信号に基づく第２の出力電圧を出力する第２のドライバと、入力される前記第１の出力電圧及び前記第２の出力電圧の電圧レベルの遷移パターンに応じた複数個の異なる信号レベルを有する前記モード信号を生成する電圧監視回路と、を備えることを特徴とする。

本発明によれば、意図しないモードの遷移を低減することができる。

実施形態に係る磁気センサ回路の第１の構成例を示す回路図である。 第１の方向の磁束密度に対する第１のセンサ信号を示す特性図である。 第２の方向の磁束密度に対する第２のセンサ信号を示す特性図である。 実施形態に係る磁気センサ回路における電圧監視回路の構成例を示す回路図である。 実施形態に係る磁気センサ回路の通常モードにおける、第１の方向の磁束密度、第２の方向の磁束密度、第１の出力電圧、第２の出力電圧、第１のモード信号及び第２のモード信号の時間推移を示す説明図である。 （Ａ）は実施形態に係る磁気センサ回路のテストモードにおける第１の出力電圧の時間推移を示す説明図、（Ｂ）は実施形態に係る磁気センサ回路のテストモードにおける第２の出力電圧の時間推移を示す説明図、（Ｃ）は実施形態に係る磁気センサ回路のテストモードにおける第１のモード信号の時間推移を示す説明図、（Ｄ）は実施形態に係る磁気センサ回路のテストモードにおける第２のモード信号の時間推移を示す説明図である。 テストモードにおける動作に関わる信号のうち、第１の出力電圧、第２の出力電圧、第１の立ち上がりエッジ検出信号、第１の立ち下がりエッジ検出信号、第２の立ち上がりエッジ検出信号及び第２の立ち下がりエッジ検出信号の時間推移を説明する説明図である。 第１のテストモードにおける動作に関わる信号のうち、第１の出力電圧、第２の出力電圧、リセット信号、第１のクロック信号、第２のクロック信号、第１のモード信号及び第２のモード信号の時間推移を説明する説明図である。 実施形態に係る磁気センサ回路の第２の構成例を示す回路図である。 ３個の出力電圧入力端と、２個のモード信号を出力する出力端と、を有する電圧監視回路の変形例を示す回路図である。 ２個の出力電圧入力端を有する電圧監視回路の変形例を示す回路図である。 ３個の出力電圧入力端を有する電圧監視回路の変形例を示す回路図である。

以下、本発明の実施形態に係る磁気センサ回路を、図面を参照して説明する。
図１は、実施形態に係る磁気センサ回路の一例（第１の構成例）である磁気センサ回路１０の回路図である。図１に示されるＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸は、ＸＹＺ三次元直交座標系におけるＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸である。従って、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸は、互いに直交する関係がある。

図２は磁束密度Ｂｘに対する第１の検出信号としての電圧Ｖｘを示す特性図である。図３は磁束密度Ｂｚに対する第２の検出信号としての電圧Ｖｚを示す特性図である。

磁気センサ回路１０には、通常動作する通常モードと、少なくとも１個のテストモードとが切り替え可能に設定されている。磁気センサ回路１０は、検出可能範囲内に存在する磁束密度のＸ軸方向成分である磁束密度Ｂｘ及びＺ軸方向成分である磁束密度Ｂｚを検出し、磁束密度Ｂｘに応じた第１の出力電圧Ｖｏ１及び磁束密度Ｂｚに応じた第２の出力電圧Ｖｏ２を出力可能に構成されている。

磁気センサ回路１０は、磁気センサ１１，１２と、信号処理回路２０と、ドライバ３１，３２と、電圧監視回路４０と、を備えている。また、磁気センサ回路１０は、電源端子１，２と、出力端子５１，５２と、を備えている。電源端子１には、第１の電源電圧である電圧ＶＤＤが供給されている。電源端子２には、第２の電源電圧である電圧ＶＳＳが供給されている。

第１の磁気センサとしての磁気センサ１１は、第１の方向としてのＸ軸方向の磁束密度Ｂｘを検出し、検出される磁束密度Ｂｘに基づく第１のセンサ信号Ｓｓ１を出力する出力端を有している。

第２の磁気センサとしての磁気センサ１２は、第２の方向としてのＺ軸方向の磁束密度Ｂｚを検出し、検出される磁束密度Ｂｚに基づく第２のセンサ信号Ｓｓ２を出力する出力端を有している。

信号処理回路２０は、第１のセンサ信号入力端としての入力端２０ａと、第２のセンサ信号入力端としての入力端２０ｂと、モード信号入力端としての入力端２０ｄと、を有している。また、信号処理回路２０は、第１の検出信号を出力する出力端２０ｅと、第２の検出信号を出力する出力端２０ｆと、を有している。

第１の検出信号及び第２の検出信号は、それぞれ、第１のセンサ信号Ｓｓ１及び第２のセンサ信号Ｓｓ２に基づき、信号処理回路２０によって、生成される。第１の検出信号及び第２の検出信号は、ローレベル（図２以降の図において「Ｌ」と表記する）及びハイレベル（図２以降の図において「Ｈ」と表記する）を互いに遷移する論理信号である。第１の検出信号としての電圧Ｖｘ及び第２の検出信号としての電圧Ｖｚは、それぞれ、ヒステリシス特性を示す（図２及び図３参照）。

第１のドライバとしてのドライバ３１は、電圧Ｖｘが入力される入力端と、この入力端に入力される電圧Ｖｘに基づいて第１の出力電圧Ｖｏ１を出力する出力端と、を有している。ドライバ３１の出力端は、出力端子５１と接続されている。

第２のドライバとしてのドライバ３２は、電圧Ｖｚが入力される入力端と、この入力端に入力される電圧Ｖｚに基づいて第２の出力電圧Ｖｏ２を出力する出力端と、を有している。ドライバ３２の出力端は、出力端子５２と接続されている。

電圧監視回路４０は、第１の出力電圧Ｖｏ１及び第２の出力電圧Ｖｏ２がそれぞれ入力される入力端４０ａ及び入力端４０ｂと、を有している。入力端４０ａ及び入力端４０ｂは、それぞれ、ドライバ３１の出力端及びドライバ３２の出力端と接続されている。入力端４０ａ、ドライバ３１の出力端及び出力端子５１の接続点は、ノードＮ１である。入力端４０ｂ、ドライバ３２の出力端及び出力端子５２の接続点は、ノードＮ２である。

また、電圧監視回路４０は、第１の出力電圧Ｖｏ１に基づいて生成された第１のモード信号Ｓｍ１を出力する出力端４０ｅと、第２の出力電圧Ｖｏ２に基づいて生成された第２のモード信号Ｓｍ２を出力する出力端４０ｆと、を有している。

第１のモード信号Ｓｍ１及び第２のモード信号Ｓｍ２は、それぞれ、ローレベル及びハイレベルを互いに遷移する信号である。第１の出力電圧Ｖｏ１及び第２の出力電圧Ｖｏ２は、電圧監視回路４０によって、それぞれ、電圧Ｖｘ及び電圧Ｖｚに基づき生成される。

出力端子５１，５２は、それぞれ、電圧監視回路４０における出力電圧入力端としての入力端４０ａ，４０ｂと接続されており、端子群を構成している。出力端子５１，５２は、外部回路（図を省略）と接続可能に構成されている。また、出力端子５１は、接続される外部回路へ第１の出力電圧Ｖｏ１を供給可能に構成されている。出力端子５２は、接続される外部回路へ第２の出力電圧Ｖｏ２を供給可能に構成されている。

図４は、電圧監視回路４０の構成例を示す回路図である。
電圧監視回路４０は、出力電圧入力端としての入力端４０ａ，４０ｂと、第１の出力電圧Ｖｏ１及び第２の出力電圧Ｖｏ２に基づいて、それぞれ、第１のモード信号Ｓｍ１及びモード信号Ｓｍ２を生成するモード信号生成回路４０ｄと、出力端４０ｅ，４０ｆと、を有している。

モード信号生成回路４０ｄは、第１のエッジ検出回路４１ａ及び第２のエッジ検出回路４１ｂと、判定回路４３と、信号生成回路としてのラッチ回路４５ａ，４５ｂと、を有している。

第１のエッジ検出回路４１ａは、入力端４０ａと接続される出力電圧入力端と、判定回路４３の第１の入力端と接続される第１の出力端と、判定回路４３の第２の入力端と接続される第２の出力端と、を含んでいる。

第１のエッジ検出回路４１ａは、第１の出力電圧Ｖｏ１の立ち上がりエッジ及び立ち下がりエッジを検出し、検出した立ち上がりエッジに対応する第１の立ち上がりエッジ検出信号ＤＴＲ１及び検出した立ち下がりエッジに対応する第１の立ち下がりエッジ検出信号ＤＴＦ１を生成するように構成されている。

第２のエッジ検出回路４１ｂは、第１のエッジ検出回路４１ａに対して信号処理の対象となる出力電圧が第２の出力電圧Ｖｏ２である点で異なるが、その構成は第１のエッジ検出回路４１ａと同様である。すなわち、第２のエッジ検出回路４１ｂは、第２の出力電圧Ｖｏ２の立ち上がりエッジ及び立ち下がりエッジを検出し、検出した立ち上がりエッジに対応する第２の立ち上がりエッジ検出信号ＤＴＲ２及び検出した立ち下がりエッジに対応する第２の立ち下がりエッジ検出信号ＤＴＦ２を生成するように構成されている。

判定回路４３は、第１の入力端から第６の入力端と、ＲＳＴ出力端と、ＣＬＫ１出力端と、ＣＬＫ２出力端と、を含んでいる。判定回路４３において、第１の入力端から第６の入力端は、それぞれ、次のように接続されている。

第１の入力端は、第１のエッジ検出回路４１ａの第１の出力端と接続されている。第２の入力端は、第１のエッジ検出回路４１ａの第２の出力端と接続されている。第３の入力端は、入力端４０ａと接続されている。第４の入力端は、第２のエッジ検出回路４１ｂの第１の出力端と接続されている。第５の入力端は、第２のエッジ検出回路４１ｂの第２の出力端と接続されている。第６の入力端は、入力端４０ｂと接続されている。

判定回路４３は、第１の立ち上がりエッジ検出信号ＤＴＲ１、第１の立ち下がりエッジ検出信号ＤＴＦ１、第２の立ち上がりエッジ検出信号ＤＴＲ２及び第２の立ち下がりエッジ検出信号ＤＴＦ２に基づいて特定の遷移パターンの有無を判定し、判定結果を示す判定結果信号としての第１のクロック信号ＣＬＫ１、第２のクロック信号ＣＬＫ２及びリセット信号ＲＳＴを生成するように構成されている。

判定回路４３に設定される特定の遷移パターン（以下、「特定遷移パターン」とする）は、複数個のパターンを含んでいる。判定回路４３に設定可能な特定遷移パターンの最大個数Ｘは、判定回路４３に入力される出力電圧の個数であるｎ（自然数）に依存する。具体的にはＸ＝２ⁿが成立する。第１の出力電圧Ｖｏ１及び第２の出力電圧Ｖｏ２が入力される判定回路４３、すなわちｎ＝２の判定回路４３は、最大で４（＝２²）パターンが設定可能である。

ここで、判定回路４３に設定可能な４個の遷移パターンを、第１のパターンから第４のパターンとする。
例えば、第１のパターンは、第１の出力電圧Ｖｏ１の電圧レベル及び第２の出力電圧Ｖｏ２の電圧レベルの両方が所定時間以内にローレベルからハイレベルへ遷移するパターンである。当該所定時間は、同時とみなす時間幅であり、予め設定される。
第２のパターンは、当該所定時間以内に、第１の出力電圧Ｖｏ１の電圧レベルがローレベルからハイレベルへ遷移し、第２の出力電圧Ｖｏ２の電圧レベルがハイレベルからローレベルへ遷移するパターンである。
第３のパターンは、当該所定時間以内に、第１の出力電圧Ｖｏ１の電圧レベルがハイレベルからローレベルへ遷移し、第２の出力電圧Ｖｏ２の電圧レベルがローレベルからハイレベルへ遷移するパターンである。
第４のパターンは、第１の出力電圧Ｖｏ１の電圧レベル及び第２の出力電圧Ｖｏ２の電圧レベルの両方が所定時間以内にハイレベルからローレベルへ遷移するパターンである。

第１のラッチ回路４５ａ及び第２のラッチ回路４５ｂは、いわゆるＤラッチ回路で構成されており、電源供給端子４７から電源供給を受けている。第１のラッチ回路４５ａは、ＣＬＫ１出力端と接続される入力端子（Ｄ端子）と、判定回路４３のＲＳＴ出力端と接続されるＲ端子と、出力端４０ｅと接続される出力端子（Ｑ端子）と、を含んでいる。第２のラッチ回路４５ｂは、ＣＬＫ２出力端と接続される入力端子（Ｄ端子）と、判定回路４３のＲＳＴ出力端と接続されるＲ端子と、出力端４０ｆと接続される出力端子（Ｑ端子）と、を含んでいる。

上述した磁気センサ回路１０の作用及び効果について説明する。まず、磁気センサ回路１０の通常モードにおける動作を説明する。

図５は、磁気センサ回路１０の通常モードにおける、磁束密度Ｂｘ、磁束密度Ｂｚ、出力電圧Ｖｏ１、出力電圧Ｖｏ２、第１のモード信号Ｓｍ１及びモード信号Ｓｍ２の時間推移を示す説明図である。

通常モードでは、磁気センサ回路１０の周囲に、位相が９０度ずれた交番磁界が形成されている。磁気センサ回路１０が検出する磁束密度Ｂｘ及び磁束密度Ｂｚは、互いに最大振幅及び周期が同じ正弦波として検出される。また、磁束密度Ｂｘ及び磁束密度Ｂｚは位相が９０度ずれている。

図５に例示される磁束密度Ｂｘ，Ｂｚについて、時間ｔ＝０（ゼロ）以降ｔ７以前（０≦ｔ≦ｔ７）に着目して説明する。磁束密度Ｂｘ，Ｂｚは時間ｔ＝０から時間ｔ＝ｔ６までの期間を１周期とする正弦波である。ここで、磁束密度Ｂopx，Ｂopzは、それぞれ、磁束密度Ｂｘ，Ｂｚの動作点である。磁束密度Ｂrpx，Ｂrpzは、それぞれ、磁束密度Ｂｘ，Ｂｚの復帰点である。また、磁束密度Ｂｘ，Ｂｚ＞０はＳ極を表し、磁束密度Ｂｘ，Ｂｚ＜０はＮ極を表している。

磁束密度Ｂｘは、時間ｔ＝０で０（ゼロ）である。その後、磁束密度Ｂｘは、Ｓ極の磁束密度が増加していき、時間ｔ＝ｔ１で磁束密度Ｂopx、時間ｔ＝ｔ２で最大値となる。時間ｔ＝ｔ２より後では、磁束密度Ｂｘは、Ｓ極の磁束密度が減少していき、時間ｔ＝ｔ３で磁束密度Ｂopx、その後０に到達する（ｔ３＜ｔ＜ｔ４）。

磁束密度Ｂｘは、０に到達後、極性が反転してＮ極の磁束密度が増加していき、時間ｔ＝ｔ４で磁束密度Ｂrpxとなり、さらにＮ極の磁束密度が最大値となった後（ｔ４＜ｔ＜ｔ５）、Ｎ極の磁束密度が減少していき、時間ｔ＝ｔ５で磁束密度Ｂrpx、時間ｔ＝ｔ６で０となる。以降は、時間ｔ＝０以降ｔ＝ｔ６まで（０≦ｔ＜ｔ６）の増減を周期的に繰り返す。従って、時間ｔ＝ｔ６からｔ１が経過した、時間ｔ＝ｔ７（＝ｔ６＋ｔ１）で、磁束密度Ｂｘは、磁束密度Ｂopxとなる。

磁束密度Ｂｚは、例えば、磁束密度Ｂｘに対して位相が９０度遅れている。すなわち、磁束密度Ｂｚは、時間ｔ＝０でＮ極の磁束密度が最大値となり、その後、時間の経過とともにＮ極の磁束密度が減少していき、時間ｔ＝ｔ１で磁束密度Ｂrpz、時間ｔ＝ｔ２で０に到達する。磁束密度Ｂｚは、０に到達後、極性が反転してＳ極の磁束密度が増加していき、時間ｔ＝ｔ３で磁束密度Ｂopzとなる。

時間ｔ＝ｔ３より後、Ｓ極の磁束密度は、さらに増加して最大値となった後（ｔ３＜ｔ＜ｔ４）、減少に転じて、時間ｔ＝ｔ４で磁束密度Ｂopz、その後０に到達する（ｔ４＜ｔ＜ｔ５）。磁束密度Ｂｚは、０に到達後、極性が反転してＮ極の磁束密度が増加していき、時間ｔ＝ｔ５で磁束密度Ｂrpz、となり、さらに時間ｔ＝ｔ６でＮ極の磁束密度が最大値となる。時間ｔ＝ｔ６以降は、時間ｔ＝０以降ｔ６まで（０≦ｔ＜ｔ６）の増減を周期的に繰り返す。従って、時間ｔ＝ｔ６からｔ１が経過した時間ｔ＝ｔ７（＝ｔ６＋ｔ１）で、磁束密度Ｂｚは、磁束密度Ｂrpzとなる。

磁気センサ１１は、磁束密度Ｂｘを検出し、検出した磁束密度Ｂｘに対応する第１のセンサ信号Ｓｓ１を信号処理回路２０へ伝送する。磁気センサ１２は、磁束密度Ｂｚを検出し、検出した磁束密度Ｂｚに対応する第２のセンサ信号Ｓｓ２を信号処理回路２０へ伝送する。

信号処理回路２０は、第１のセンサ信号Ｓｓ１を受け取ると、第１のセンサ信号Ｓｓ１に対応する磁束密度Ｂｘに応じた電圧Ｖｘをドライバ３１へ伝送する。

電圧Ｖｘは、時間ｔが０≦ｔ＜ｔ１、ｔ４≦ｔ＜ｔ６を満たす期間では、ハイレベルとなる。一方、電圧Ｖｘは、時間ｔがｔ１≦ｔ＜ｔ４を満たす期間では、ローレベルとなる。

また、信号処理回路２０は、第２のセンサ信号Ｓｓ２を受け取ると、第２のセンサ信号Ｓｓ２に対応する磁束密度Ｂｚに応じた電圧Ｖｚをドライバ３２へ伝送する。電圧Ｖｚは、時間ｔが０≦ｔ＜ｔ３、ｔ５≦ｔ＜ｔ６を満たす期間では、ハイレベルとなる。一方、電圧Ｖｚは、時間ｔがｔ３≦ｔ＜ｔ５を満たす期間では、ローレベルとなる。

ドライバ３１は第１の検出信号としての電圧Ｖｘを受け取ると、第１の検出信号に基づいて第１の出力電圧Ｖｏ１を出力端子５１及び電圧監視回路４０へ伝送する。ドライバ３２は第２の検出信号としての電圧Ｖｚを受け取ると、第２の検出信号に基づいて第２の出力電圧Ｖｏ２を出力端子５２及び電圧監視回路４０へ伝送する。

第１の出力電圧Ｖｏ１及び第２の出力電圧Ｖｏ２は、ローレベルとハイレベルとが周期的に遷移する。第１の出力電圧Ｖｏ１は、時間ｔが０≦ｔ＜ｔ６の期間、すなわち１周期において、０≦ｔ＜ｔ１の期間ではハイレベルを維持し、時間ｔ＝ｔ１でローレベルに遷移し、ｔ１≦ｔ＜ｔ４の期間ではローレベルを維持し、時間ｔ＝ｔ４でハイレベルに遷移し、ｔ４≦ｔ＜ｔ６の期間でハイレベルを維持する。

第２の出力電圧Ｖｏ２は、時間ｔが０≦ｔ＜ｔ６の期間、すなわち１周期において、時間ｔが０≦ｔ＜ｔ３の期間ではハイレベルを維持し、時間ｔ＝ｔ３でローレベルに遷移し、ｔ３≦ｔ＜ｔ５の期間ではローレベルを維持し、時間ｔ＝ｔ５でハイレベルに遷移し、ｔ５≦ｔ＜ｔ６の期間でハイレベルを維持する。

時間ｔ＝ｔ６以降における第１の出力電圧Ｖｏ１及び第２の出力電圧Ｖｏ２の推移は、時間ｔが０≦ｔ＜ｔ６の期間における第１の出力電圧Ｖｏ１及び第２の出力電圧Ｖｏ２の推移と同様である。すなわち、時間ｔが０≦ｔ＜ｔ６の期間における第１の出力電圧Ｖｏ１及び第２の出力電圧Ｖｏ２の電圧レベルの遷移が、周期的に繰り返される。

上述したように、通常モードが選択されている状況下では、第１の出力電圧Ｖｏ１の周期は、第２の出力電圧Ｖｏ２の周期と同じである。また、通常モードが選択されている状況下では、第１の出力電圧Ｖｏ１は、第２の出力電圧Ｖｏ２に対して１／４周期ずれているため、両出力電圧の電圧レベルは、同時に遷移することはない。

第１の出力電圧Ｖｏ１は、電圧監視回路４０及び出力端子５１を介して外部回路（図示省略）へ供給される。第２の出力電圧Ｖｏ２は、電圧監視回路４０及び出力端子５２を介して外部回路へ供給される。

電圧監視回路４０は、入力される第１の出力電圧Ｖｏ１及び第２の出力電圧Ｖｏ２の遷移パターンに応じた第１のモード信号Ｓｍ１及び第２のモード信号Ｓｍ２を生成し、第１，２のモード信号Ｓｍ１，Ｓｍ２を信号処理回路２０へ伝送する。複数個のモード信号としての第１のモード信号Ｓｍ１及び第２のモード信号Ｓｍ２は、それぞれ、ローレベル及びハイレベルの異なる信号レベルを有している。

信号処理回路２０は、電圧監視回路４０から、第１のモード信号Ｓｍ１及び第２のモード信号Ｓｍ２が入力されると、入力された第１のモード信号Ｓｍ１及び第２のモード信号Ｓｍ２を、例えば、１個の２ビット信号として認識する。従って、信号処理回路２０は、１個の通常モードと、最大３個の異なるテストモードとを認識することができる。

例えば、通常モードと、第１，２のモード信号Ｓｍ１，Ｓｍ２が両方ともローレベルとが対応付けられている場合、通常モード実行時では、図５に例示されるように、時間ｔが０≦ｔ＜ｔ６の期間において、第１，２のモード信号Ｓｍ１，Ｓｍ２は、両方ともローレベルで出力される。

次に、１個の通常モードと、テストモードの一例として、第１，２，３のテストモードＴＭ１，ＴＭ２，ＴＭ３からなる３個のテストモードが設定された磁気センサ回路１０のテストモードにおける動作を説明する。

１個の通常モードと、３個のテストモードとが設定される磁気センサ回路１０では、第１，２の出力電圧Ｖｏ１，Ｖｏ２の電圧レベルの遷移パターンから４個の特定遷移パターンが、電圧監視回路４０、より詳しくは判定回路４３に設定されている。

判定回路４３に設定される４個の特定遷移パターンは、上述した第１～４のパターンである。４個の特定遷移パターンとしての第１～４のパターンは、モード信号Ｓｍ１，Ｓｍ２の信号レベルと対応付けられている。また、信号処理回路２０には、モード信号Ｓｍ１，Ｓｍ２の信号レベルと、１個の通常モード及び第１，２，３のテストモードＴＭ１，ＴＭ２，ＴＭ３の４個のモードとが対応付けられている。ここでは、第１～４のパターン、モード信号Ｓｍ１，Ｓｍ２の信号レベル及びモードの対応付けの一例として、次の対応付けの場合を説明する。

第１のパターンは、ハイレベルのモード信号Ｓｍ１及びローレベルのモード信号Ｓｍ２と対応付けられている。ハイレベルのモード信号Ｓｍ１及びローレベルのモード信号Ｓｍ２は、第１のテストモードＴＭ１と対応付けられている。すなわち、第１のパターンは、第１のテストモードＴＭ１と対応付けられている。
第２のパターンは、ローレベルのモード信号Ｓｍ１及びハイレベルのモード信号Ｓｍ２と対応付けられている。ローレベルのモード信号Ｓｍ１及びハイレベルのモード信号Ｓｍ２は、第２のテストモードＴＭ２と対応付けられている。すなわち、第２のパターンは、第２のテストモードＴＭ２と対応付けられている。
第３のパターンは、ハイレベルのモード信号Ｓｍ１及びハイレベルのモード信号Ｓｍ２と対応付けられている。ハイレベルのモード信号Ｓｍ１及びハイレベルのモード信号Ｓｍ２は、第３のテストモードＴＭ３と対応付けられている。第３のパターンは、第３のテストモードＴＭ３と対応付けられている。
第４のパターンは、ローレベルのモード信号Ｓｍ１及びローレベルのモード信号Ｓｍ２と対応付けられている。ローレベルのモード信号Ｓｍ１及びローレベルのモード信号Ｓｍ２は、通常モードと対応付けられている。すなわち、第４のパターンは、通常モードと対応付けられている。

図６（Ａ）及び図６（Ｂ）は、それぞれ、磁気センサ回路１０のテストモードにおける第１の出力電圧Ｖｏ１及び第２の出力電圧Ｖｏ２の時間推移を示す説明図である。図６（Ｃ）及び図６（Ｄ）は、それぞれ、第１のモード信号Ｓｍ１及び第２のモード信号Ｓｍ２の時間推移を示す説明図である。

テストモードにモードを切り替えるに先立ち、外部回路を含む検査装置が、出力端子５１，５２に接続される。検査装置は、所定の磁場を発生する機能及び外部から第１の出力電圧Ｖｏ１及び第２の出力電圧Ｖｏ２を印加する機能と、を有している。検査装置は、所定の磁場又は外部から第１の出力電圧Ｖｏ１及び第２の出力電圧Ｖｏ２を印加することによって、電圧監視回路４０に、特定遷移パターンで電圧レベルが遷移する第１の出力電圧Ｖｏ１及び第２の出力電圧Ｖｏ２を供給する。

検査装置が、時間ｔ＝ｔ１０でハイレベルからローレベルへ遷移する第１，２の出力電圧Ｖｏ１，Ｖｏ２を、それぞれ、出力端子５１，５２に強制的に印加する。時間ｔ＝ｔ１０で、ハイレベルからローレベルへ遷移する第１，２の出力電圧Ｖｏ１，Ｖｏ２は、出力端子５１，５２から入力されると、電圧監視回路４０へ伝送される。

電圧監視回路４０は、時間ｔ＝ｔ１０で、ハイレベルからローレベルへ遷移する第１，２の出力電圧Ｖｏ１，Ｖｏ２を受け取ると、第１のパターンと対応付けられているモード信号Ｓｍ１，Ｓｍ２を生成し、信号処理回路２０へ伝送する。信号処理回路２０へ伝送されるモード信号Ｓｍ１，Ｓｍ２は、それぞれ、ハイレベル及びローレベルである。

信号処理回路２０は、ハイレベルのモード信号Ｓｍ１及びローレベルのモード信号Ｓｍ２を受け取ると、モード信号Ｓｍ１，Ｓｍ２の信号レベルに対応付けられているモードである第１のテストモードＴＭ１へ磁気センサ回路１０のモードを遷移させる。第１のテストモードＴＭ１が選択されている磁気センサ回路１０は、第１のテストとして、予め設定された内容に従って動作する。予め設定された動作の内容は、例えば、通常モード選択時よりも高速な基準クロックで動作させる、及び通常モード選択時よりも高い内部電源電圧が供給される等、通常モードとは異なる動作の内容である。

続いて、検査装置は、時間ｔ＝ｔ１１で、ローレベルからハイレベルへ遷移する第１，２の出力電圧Ｖｏ１，Ｖｏ２を、それぞれ、出力端子５１，５２に強制的に印加する。時間ｔ＝ｔ１１で、ローレベルからハイレベルへ遷移する第１，２の出力電圧Ｖｏ１，Ｖｏ２は、出力端子５１，５２から入力されると、電圧監視回路４０へ伝送される。

電圧監視回路４０は、時間ｔ＝ｔ１１で、ローレベルからハイレベルへ遷移する第１，２の出力電圧Ｖｏ１，Ｖｏ２を受け取ると、第４のパターンと対応付けられているモード信号Ｓｍ１，Ｓｍ２を生成し、信号処理回路２０へ伝送する。

信号処理回路２０は、時間ｔ＝ｔ１１で、第４のパターンと対応付けられているモード信号Ｓｍ１，Ｓｍ２を受け取ると、モード信号Ｓｍ１，Ｓｍ２の信号レベルに対応付けられている通常モードへ磁気センサ回路１０のモードを遷移させる。

続いて、検査装置は、時間ｔ＝ｔ１３で、磁気センサ回路１０を第２のテストモードＴＭ２へ遷移させるのに先立ち、時間ｔ＝ｔ１３より前のタイミングである時間ｔ＝ｔ１２で、ハイレベルからローレベルへ遷移する第１の出力電圧Ｖｏ１を出力端子５１から強制的に印加する。

続いて、検査装置は、時間ｔ＝ｔ１３で、ローレベルからハイレベルへ遷移する第１の出力電圧Ｖｏ１及びハイレベルからローレベルへ遷移する第２の出力電圧Ｖｏ２を、それぞれ、出力端子５１及び出力端子５２から強制的に印加する。

電圧監視回路４０は、時間ｔ＝ｔ１３で、ローレベルからハイレベルへ遷移する第１の出力電圧Ｖｏ１及びハイレベルからローレベルへ遷移する第２の出力電圧Ｖｏ２を受け取ると、第２のパターンと対応付けられているモード信号Ｓｍ１，Ｓｍ２を生成し、信号処理回路２０へ伝送する。

信号処理回路２０は、時間ｔ＝ｔ１３で、第２のパターンと対応付けられているモード信号Ｓｍ１，Ｓｍ２を受け取ると、第２のテストモードＴＭ２へ磁気センサ回路１０のモードを遷移させる。第２のテストモードＴＭ２が選択されている磁気センサ回路１０は、第２のテストとして、予め設定された内容に従って動作する。第２のテストとして予め設定された動作は、通常モード及び第１のテストとは異なる動作である。

続いて、検査装置は、時間ｔ＝ｔ１５で、磁気センサ回路１０を通常モードへ遷移させるのに先立ち、時間ｔ＝ｔ１５より前のタイミングであって第２のテストモードＴＭ２で実行されるテスト工程が完了した後の時間ｔ＝ｔ１４で、ハイレベルからローレベルへ遷移する第１の出力電圧Ｖｏ１を出力端子５１から強制的に印加する。時間ｔ＝ｔ１４，ｔ１５における磁気センサ回路１０の動作は、それぞれ、時間ｔ＝ｔ１２，ｔ１１における磁気センサ回路１０の動作と同様である。

続いて、検査装置は、時間ｔ＝ｔ１７で磁気センサ回路１０を第３のテストモードＴＭ３へ遷移させるのに先立ち、時間ｔ＝ｔ１５より後かつ時間ｔ＝ｔ１７より前のタイミングである時間ｔ＝ｔ１６で、ハイレベルからローレベルへ遷移する第２の出力電圧Ｖｏ２を出力端子５２から強制的に印加する。

続いて、検査装置は、時間ｔ＝ｔ１７で、ハイレベルからローレベルへ遷移する第１の出力電圧Ｖｏ１及びローレベルからハイレベルへ遷移する第２の出力電圧Ｖｏ２を、それぞれ、出力端子５１及び出力端子５２から強制的に印加する。

電圧監視回路４０は、時間ｔ＝ｔ１７で、ハイレベルからローレベルへ遷移する第１の出力電圧Ｖｏ１及びローレベルからハイレベルへ遷移する第２の出力電圧Ｖｏ２を受け取ると、第３のパターンと対応付けられているモード信号Ｓｍ１，Ｓｍ２を生成し、信号処理回路２０へ伝送する。

信号処理回路２０は、時間ｔ＝ｔ１７で、第３のパターンと対応付けられているモード信号Ｓｍ１，Ｓｍ２を受け取ると、第３のテストモードＴＭ３へ磁気センサ回路１０のモードを遷移させる。第３のテストモードＴＭ３が選択されている磁気センサ回路１０は、第３のテストとして予め設定された動作は、通常モード及び第１，２のテストとは異なる動作である。

続いて、検査装置は、時間ｔ＝ｔ１９で、磁気センサ回路１０を通常モードへ遷移させるのに先立ち、時間ｔ＝ｔ１９より前のタイミングであって第３のテストモードＴＭ３で実行されるテスト工程が完了した後の時間ｔ＝ｔ１８で、ハイレベルからローレベルへ遷移する第２の出力電圧Ｖｏ２を出力端子５２から強制的に印加する。時間ｔ＝ｔ１９における磁気センサ回路１０の動作は、時間ｔ＝ｔ１１，ｔ１５における磁気センサ回路１０の動作と同様である。

次に、第１のテストモードＴＭ１と通常モードとの遷移を例にして、モード信号生成回路４０ｄの動作を説明する。なお、第１のテストモードＴＭ１及び通常モード、モード信号Ｓｍ１，Ｓｍ２の信号レベル並びに特定遷移パターン（第１のモード及び第４のモード）の対応付けは、上述した例と同じ場合を説明する。

図７は、第１のテストモードＴＭ１における動作に関わる信号のうち、第１の出力電圧Ｖｏ１、第２の出力電圧Ｖｏ２、第１の立ち上がりエッジ検出信号ＤＴＲ１、第１の立ち下がりエッジ検出信号ＤＴＦ１、第２の立ち上がりエッジ検出信号ＤＴＲ２及び第２の立ち下がりエッジ検出信号ＤＴＦ２の時間推移を説明する説明図である。

図８は、第１のテストモードＴＭ１における動作に関わる信号のうち、第１の出力電圧Ｖｏ１、第２の出力電圧Ｖｏ２、リセット信号ＲＳＴ、第１のクロック信号ＣＬＫ１、第２のクロック信号ＣＬＫ２、第１のモード信号Ｓｍ１及び第２のモード信号Ｓｍ２の時間推移を説明する説明図である。

ここで、図７及び図８は、図示可能な領域の関係で２図に分けられている。図７に示される第１の出力電圧Ｖｏ１、第２の出力電圧Ｖｏ２、時間軸ｔ及び時間ｔ＝ｔ２１～ｔ３４は、図８に示される第１の出力電圧Ｖｏ１、第２の出力電圧Ｖｏ２、時間軸ｔ及び時間ｔ＝ｔ２１～ｔ３４と、それぞれ、同じ内容である。

まず、第１の出力電圧Ｖｏ１に対して、第２の出力電圧Ｖｏ２の遅延が生じていない場合の動作を説明する。第１の出力電圧Ｖｏ１に対して、第２の出力電圧Ｖｏ２の遅延が生じていない場合の動作は、時間ｔ＝ｔ２１以降ｔ２４以前の時間帯の動作であり、遅延時間ｔｄ１＝０の場合の動作である。

時間ｔ＝ｔ２１において、第１，２の出力電圧Ｖｏ１，Ｖｏ２の電圧レベルが共にハイレベルからローレベルに遷移する。すると、第１のエッジ検出回路４１ａは、第１の出力電圧Ｖｏ１の立ち下がりエッジを検出し、時間ｔｄの間、第１の立ち下がりエッジ検出信号ＤＴＦ１をハイレベルに遷移させる。第２のエッジ検出回路４１ｂは、第２の出力電圧Ｖｏ２の立ち下がりエッジを検出し、時間ｔｄの間、第２の立ち下がりエッジ検出信号ＤＴＦ２をハイレベルに遷移させる。この時間ｔｄは、上述した所定時間、すなわち同時とみなす時間幅に対応している。

また、判定回路４３は、ローレベルの第１の立ち上がりエッジ検出信号ＤＴＲ１、ハイレベルの第１の立ち下がりエッジ検出信号ＤＴＦ１、ローレベルの第２の立ち上がりエッジ検出信号ＤＴＲ２及びハイレベルの第２の立ち下がりエッジ検出信号ＤＴＦ２に基づいて第１のパターンが有りと判定する。

判定回路４３は、特定遷移パターンの有無と判定結果に対応する第１のクロック信号ＣＬＫ１、第２のクロック信号ＣＬＫ２及びリセット信号ＲＳＴを出力する。判定回路４３は、第１のパターンが有りと判定すると、第１のパターン「有」の判定結果を示す判定結果信号として、ハイレベルの第１のクロック信号ＣＬＫ１及びローレベルのリセット信号ＲＳＴを第１のラッチ回路４５ａへ、ローレベルの第２のクロック信号ＣＬＫ２及びローレベルのリセット信号ＲＳＴを第２のラッチ回路４５ｂへ、伝送する。

第１のラッチ回路４５ａは、判定回路４３からハイレベルの第１のクロック信号ＣＬＫ１及びローレベルのリセット信号ＲＳＴを受け取り、第１のモード信号Ｓｍ１をハイレベルに遷移させる。

時間ｔ＝ｔ２１から時間ｔｄの間、第１のエッジ検出回路４１ａは、第１の立ち下がりエッジ検出信号ＤＴＦ１のハイレベルを継続する。第２のエッジ検出回路４１ｂは、第２の立ち下がりエッジ検出信号ＤＴＦ２のハイレベルを継続する。判定回路４３は、第１のクロック信号ＣＬＫ１のハイレベルを継続する。

時間ｔ＝ｔ２１から時間ｔｄが経過した時間ｔ＝ｔ２２において、第１，２のエッジ検出回路４１ａ，４１ｂは、それぞれ、第１，２の立ち下がりエッジ検出信号ＤＴＦ１，ＤＴＦ２をハイレベルからローレベルへ遷移させる。一方、第１のラッチ回路４５ａは、第１のモード信号Ｓｍ１のハイレベルを継続する。

続いて、時間ｔ＝ｔ２３において、第１，２の出力電圧Ｖｏ１，Ｖｏ２の電圧レベルが共にローレベルからハイレベルに遷移する。すると、第１のエッジ検出回路４１ａは、第１の出力電圧Ｖｏ１の立ち上がりエッジを検出し、時間ｔｄの間、第１の立ち上がりエッジ検出信号ＤＴＲ１をハイレベルに遷移させる。第２のエッジ検出回路４１ｂは、第２の出力電圧Ｖｏ２の立ち上がりエッジを検出し、時間ｔｄの間、第２の立ち上がりエッジ検出信号ＤＴＲ２をハイレベルに遷移させる。

また、判定回路４３は、ハイレベルの第１の立ち上がりエッジ検出信号ＤＴＲ１、ローレベルの第１の立ち下がりエッジ検出信号ＤＴＦ１、ハイレベルの第２の立ち上がりエッジ検出信号ＤＴＲ２及びローレベルの第２の立ち下がりエッジ検出信号ＤＴＦ２に基づいて第４のパターンが有りと判定する。

判定回路４３は、第４のパターンが有りと判定すると、第４のパターン「有」の判定結果を示す判定結果信号として、ローレベルの第１のクロック信号ＣＬＫ１及びハイレベルのリセット信号ＲＳＴを第１のラッチ回路４５ａへ、ローレベルの第２のクロック信号ＣＬＫ２及びハイレベルのリセット信号ＲＳＴを第２のラッチ回路４５ｂへ、伝送する。第１のラッチ回路４５ａは、判定回路４３からハイレベルのリセット信号ＲＳＴを受け取り、第１のモード信号Ｓｍ１をローレベルに遷移させる。

時間ｔ＝ｔ２３から時間ｔｄの間、第１のエッジ検出回路４１ａは、第１の立ち上がりエッジ検出信号ＤＴＲ１のハイレベルを継続する。第２のエッジ検出回路４１ｂは、第２の立ち上がりエッジ検出信号ＤＴＲ２のハイレベルを継続する。

時間ｔ＝ｔ２３から時間ｔｄが経過した時間ｔ＝ｔ２４において、第１，２のエッジ検出回路４１ａ，４１ｂは、それぞれ、第１，２の立ち上がりエッジ検出信号ＤＴＲ１，ＤＴＲ２をハイレベルからローレベルへ遷移させる。判定回路４３は、リセット信号ＲＳＴをハイレベルからローレベルへ遷移させる。

続いて、第１の出力電圧Ｖｏ１に対して、第２の出力電圧Ｖｏ２が所定時間以内で遅延している場合の動作を説明する。第１の出力電圧Ｖｏ１に対して、第２の出力電圧Ｖｏ２が所定時間以内で遅延している場合の動作は、時間ｔ＝ｔ２５以降ｔ２９以前の時間帯の動作であり、遅延時間ｔｄ１が時間ｔｄ以下の場合（ｔｄ１≦ｔｄ）の動作である。

時間ｔ＝ｔ２５において、第１の出力電圧Ｖｏ１の電圧レベルがハイレベルからローレベルに遷移する。すると、第１のエッジ検出回路４１ａは、第１の出力電圧Ｖｏ１の立ち下がりエッジを検出し、時間ｔｄの間、第１の立ち下がりエッジ検出信号ＤＴＦ１をハイレベルに遷移させる。

時間ｔ＝ｔ２５から遅延時間ｔｄ１遅れた時間ｔ＝ｔ２６において、第２の出力電圧Ｖｏ２の電圧レベルがハイレベルからローレベルに遷移する。すると、第２のエッジ検出回路４１ｂは、第２の出力電圧Ｖｏ２の立ち下がりエッジを検出し、時間ｔｄの間、第２の立ち下がりエッジ検出信号ＤＴＦ２をハイレベルに遷移させる。

また、時間ｔ＝ｔ２６において、判定回路４３は、時間ｔ＝ｔ２５に受け取ったローレベルの第１の立ち上がりエッジ検出信号ＤＴＲ１及びハイレベルの第１の立ち下がりエッジ検出信号ＤＴＦ１と、時間ｔ＝ｔ２６に受け取ったローレベルの第２の立ち上がりエッジ検出信号ＤＴＲ２及びハイレベルの第２の立ち下がりエッジ検出信号ＤＴＦ２と、に基づいて第１のパターンが有りと判定する。

判定回路４３は、第１のパターンが有りと判定すると、第１のパターン「有」の判定結果を示す判定結果信号として、ハイレベルの第１のクロック信号ＣＬＫ１及びローレベルのリセット信号ＲＳＴを第１のラッチ回路４５ａへ、ローレベルの第２のクロック信号ＣＬＫ２及びローレベルのリセット信号ＲＳＴを第２のラッチ回路４５ｂへ、伝送する。第１のラッチ回路４５ａは、判定回路４３からハイレベルの第１のクロック信号ＣＬＫ１及びローレベルのリセット信号ＲＳＴを受け取り、第１のモード信号Ｓｍ１をハイレベルに遷移させる。

第１のエッジ検出回路４１ａは、時間ｔ＝ｔ２５から時間ｔｄの間、第１の立ち下がりエッジ検出信号ＤＴＦ１のハイレベルを継続する。第２のエッジ検出回路４１ｂは、時間ｔ＝ｔ２６から時間ｔｄの間、第２の立ち下がりエッジ検出信号ＤＴＦ２のハイレベルを継続する。判定回路４３は、第１の立ち下がりエッジ検出信号ＤＴＦ１がハイレベルを継続する時間ｔ＝ｔ２５から時間ｔｄの間、すなわち時間ｔ＝ｔ２６から時間ｔｄ－ｔｄ１の間、第１のクロック信号ＣＬＫ１のハイレベルを継続する。

続いて、時間ｔ＝ｔ２５から時間ｔｄ後の時間であり、時間ｔ＝ｔ２６から時間ｔｄ－ｔｄ１後の時間である時間ｔ＝ｔ２７において、第１のエッジ検出回路４１ａは、第１の立ち下がりエッジ検出信号ＤＴＦ１をハイレベルからローレベルへ遷移させる。判定回路４３は、第１のクロック信号ＣＬＫ１をハイレベルからローレベルへ遷移させる。一方、第１のラッチ回路４５ａは、第１のモード信号Ｓｍ１のハイレベルを継続する。さらに、時間ｔ＝ｔ２６から時間ｔｄ経過後に、第２のエッジ検出回路４１ｂは、第２の立ち下がりエッジ検出信号ＤＴＦ２をハイレベルからローレベルへ遷移させる。

続いて、時間ｔ＝ｔ２８において、第１，２の出力電圧Ｖｏ１，Ｖｏ２の電圧レベルが共にローレベルからハイレベルに遷移する。時間ｔ＝ｔ２８における第１，２の出力電圧Ｖｏ１，Ｖｏ２の電圧レベルの遷移は、上述した時間ｔ＝ｔ２３における第１，２の出力電圧Ｖｏ１，Ｖｏ２の電圧レベルの遷移と同じである。時間ｔ＝ｔ２８における第１，２のエッジ検出回路４１ａ，４１ｂ、判定回路４３及び第１，２のラッチ回路４５ａ，４５ｂは、上述した時間ｔ＝ｔ２３における第１，２のエッジ検出回路４１ａ，４１ｂ、判定回路４３及び第１，２のラッチ回路４５ａ，４５ｂとそれぞれ同様に動作する。

続いて、時間ｔ＝ｔ２９において、第１，２のエッジ検出回路４１ａ，４１ｂは、それぞれ、第１，２の立ち上がりエッジ検出信号ＤＴＲ１，ＤＴＲ２をハイレベルからローレベルへ遷移させる。判定回路４３は、リセット信号ＲＳＴをハイレベルからローレベルへ遷移させる。

続いて、第１の出力電圧Ｖｏ１に対して、第２の出力電圧Ｖｏ２が所定時間を超えて遅延している場合の動作を説明する。第１の出力電圧Ｖｏ１に対して、第２の出力電圧Ｖｏ２が所定時間を超えて遅延している場合の動作は、時間ｔ＝ｔ３０以降ｔ３４以前の時間帯の動作であり、遅延時間ｔｄ２が時間ｔｄよりも大きい場合（ｔｄ２＞ｔｄ）の動作である。

時間ｔ＝ｔ３０において、第１の出力電圧Ｖｏ１の電圧レベルがハイレベルからローレベルに遷移する。すると、第１のエッジ検出回路４１ａは、第１の出力電圧Ｖｏ１の立ち下がりエッジを検出し、時間ｔｄの間、第１の立ち下がりエッジ検出信号ＤＴＦ１をハイレベルに遷移させる。続いて、時間ｔ＝ｔ３０から時間ｔｄ遅れた時間ｔ＝ｔ３１において、第１のエッジ検出回路４１ａは、第１の立ち下がりエッジ検出信号ＤＴＦ１をローレベルに遷移させる。

時間ｔ＝ｔ３０から遅延時間ｔｄ２遅れた時間ｔ＝ｔ３２において、第２の出力電圧Ｖｏ２の電圧レベルがハイレベルからローレベルに遷移する。すると、第２のエッジ検出回路４１ｂは、第２の出力電圧Ｖｏ２の立ち下がりエッジを検出し、時間ｔｄの間、第２の立ち下がりエッジ検出信号ＤＴＦ２をハイレベルに遷移させる。

続いて、時間ｔ＝ｔ３２において、判定回路４３は、時間ｔ＝ｔ３０に受け取ったローレベルの第１の立ち上がりエッジ検出信号ＤＴＲ１及びハイレベルの第１の立ち下がりエッジ検出信号ＤＴＦ１と、時間ｔ＝ｔ３１に受け取ったローレベルの第１の立ち下がりエッジ検出信号ＤＴＦ１と、時間ｔ＝ｔ３２に受け取ったローレベルの第２の立ち上がりエッジ検出信号ＤＴＲ２及びハイレベルの第２の立ち下がりエッジ検出信号及びＤＴＦ２と、に基づいて特定遷移パターンが無いと判定する。

この判定結果は、第１の出力電圧Ｖｏ１の電圧レベルがハイレベルからローレベルに遷移した時間ｔ＝ｔ３０から時間ｔｄよりも大きな時間が経過した時間ｔ＝ｔ３２において第２の出力電圧Ｖｏ２の電圧レベルがハイレベルからローレベルに遷移しているためである。すなわち、第１のパターンが、所定時間以内に発生しなかったためである。

判定回路４３は、時間ｔ＝ｔ３２において、特定遷移パターンが無いと判定すると、特定遷移パターン「無」の判定結果を示す判定結果信号として、ローレベルの第１のクロック信号ＣＬＫ１及びローレベルのリセット信号ＲＳＴを第１のラッチ回路４５ａへ、ローレベルの第２のクロック信号ＣＬＫ２及びローレベルのリセット信号ＲＳＴを第２のラッチ回路４５ｂへ、伝送する。

続いて、時間ｔ＝ｔ３３において、第１，２の出力電圧Ｖｏ１，Ｖｏ２の電圧レベルが共にローレベルからハイレベルに遷移する。時間ｔ＝ｔ３３における第１，２の出力電圧Ｖｏ１，Ｖｏ２の電圧レベルの遷移は、上述した時間ｔ＝ｔ２３，２８における第１，２の出力電圧Ｖｏ１，Ｖｏ２の電圧レベルの遷移と同じである。時間ｔ＝ｔ３３における第１，２のエッジ検出回路４１ａ，４１ｂ、判定回路４３及び第１，２のラッチ回路４５ａ，４５ｂは、上述した時間ｔ＝ｔ２３，２８における第１，２のエッジ検出回路４１ａ，４１ｂ、判定回路４３及び第１，２のラッチ回路４５ａ，４５ｂとそれぞれ同様に動作する。

続いて、時間ｔ＝ｔ３４において、第１，２のエッジ検出回路４１ａ，４１ｂは、それぞれ、第１，２の立ち上がりエッジ検出信号ＤＴＲ１，ＤＴＲ２をハイレベルからローレベルへ遷移させる。判定回路４３は、リセット信号ＲＳＴをハイレベルからローレベルへ遷移させる。

次に、本実施形態に係る磁気センサ回路の他の構成例（変形例）について説明する。
図９は、本実施形態に係る磁気センサ回路の一例（第２の構成例）である磁気センサ回路７０の回路図である。

磁気センサ回路７０は、互いに直交する３軸（Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸）の磁気検出軸を有して構成されている点で、互いに直交する２軸（Ｘ軸、Ｚ軸）の磁気検出軸を有する磁気センサ回路１０と相違する。

磁気センサ回路７０は、磁気センサ回路１０に対して、磁気センサ１３及びドライバ３３をさらに備えるとともに、信号処理回路２０の代わりに信号処理回路１２０を、電圧監視回路４０の代わりに電圧監視回路６０を、備えて構成されている点で相違する。磁気センサ回路７０において、上記相違点以外の点は、磁気センサ回路１０と同様である。信号処理回路１２０及び電圧監視回路６０は、それぞれ、信号処理回路２０及び電圧監視回路４０に対して、３軸の磁気検出軸に対応可能に構成されている。

第３の磁気センサとしての磁気センサ１３は、第３の方向としてのＹ軸方向の磁束密度を検出し、検出される磁束密度に基づく第３のセンサ信号Ｓｓ３を出力する出力端を有している。

信号処理回路１２０は、第１，２，３のセンサ信号入力端としての入力端１２０ａ，１２０ｂ，１２０ｃと、モード信号入力端としての入力端１２０ｄと、出力端１２０ｅ～１２０ｇと、を有している。第３のセンサ信号入力端としての入力端１２０ｃ、入力端１２０ｄの一部及び出力端１２０ｇが、信号処理回路２０に対して追設されている。

信号処理回路１２０は、入力端１２０ｃから第３のセンサ信号Ｓｓ３を受け取り、第３のセンサ信号Ｓｓ３に基づいて、第３の検出信号を生成し、出力端１２０ｇからドライバ３３へ送る。第３の検出信号は、第１，２の検出信号と同様に、ローレベル及びハイレベルを互いに遷移する論理信号であり、ヒステリシス特性を示す。

また、信号処理回路１２０は、入力端１２０ｄから３個のモード信号、すなわち第１，２，３のモード信号Ｓｍ１，Ｓｍ２，Ｓｍ３を受け取る。入力端１２０ｄは、入力端２０ｄに対して、第３のモード信号Ｓｍ３を含むモード信号のモード信号入力端として構成されている。信号処理回路１２０は、３個のモード信号である第１，２，３のモード信号Ｓｍ１，Ｓｍ２，Ｓｍ３を３ビット信号として受け取る。信号処理回路１２０は、通常モードを含めて最大で８（＝２³）パターンを設定可能である。

第３のドライバとしてのドライバ３３は、第３の検出信号の電圧が入力される入力端と、この入力端に入力される電圧に基づいて第３の出力電圧Ｖｏ３を出力する出力端と、を有している。ドライバ３３の出力端は、出力端子５３と接続されている。

電圧監視回路６０は、３個の検出軸用に機能拡張されたモード信号生成回路（図を省略）を有しており、入力される３個の出力電圧の電圧レベルの遷移パターンに応じた複数個の異なる信号レベルを有する３個のモード信号を生成可能に構成される。電圧監視回路６０は、第１，２，３の出力電圧Ｖｏ１，Ｖｏ２，Ｖｏ３がそれぞれ入力される入力端６０ａ，６０ｂ，６０ｃと、第１，２，３のモード信号Ｓｍ１，Ｓｍ２，Ｓｍ３を出力する出力端６０ｄ，６０ｅ，６０ｆと、を有している。

入力端６０ａ，６０ｂ，６０ｃは、それぞれ、ドライバ３１，３２，３３の各出力端と接続されている。出力端６０ｄ，６０ｅ，６０ｆは、入力端１２０ｄと接続されている。

出力端子５３は、ドライバ３３の出力端及び出力電圧入力端としての入力端６０ｃと接続されている。ドライバ３３の出力端、出力端子５３及び入力端６０ｃの接続点は、ノードＮ３である。

磁気センサ回路７０において、出力端子５１，５２，５３は、端子群を構成している。端子群を構成する一端子である出力端子５３は、外部回路（図を省略）と接続可能であって、接続される外部回路へ第３の出力電圧Ｖｏ３を供給可能に構成されている。

磁気センサ回路７０では、磁気センサ回路１０と同様に、電圧監視回路６０に、特定遷移パターンで電圧レベルが遷移する第１，２，３の出力電圧Ｖｏ１，Ｖｏ２，Ｖｏ３を供給することによって、通常モードとテストモードとを遷移させる。すなわち、検査装置は、所定の磁場を印加する又は出力端子５１，５２，５３に第１，２，３の出力電圧Ｖｏ１，Ｖｏ２，Ｖｏ３を強制的に印加することによって、磁気センサ回路７０のモードを切り替える。

また、互いに直交する３軸の磁気検出軸を有する磁気センサ回路においては、３個の出力電圧入力端と、２個のモード信号を出力する出力端と、電圧監視機能を有する主回路と、を有する３入力２出力の電圧監視回路を備えていてもよい。３入力２出力の電圧監視回路では、３個の入力、すなわち第１，２，３の出力電圧Ｖｏ１，Ｖｏ２，Ｖｏ３から選択可能な２個の出力電圧を出力可能に構成される。

図１０は、３入力２出力の電圧監視回路の一例である電圧監視回路６０Ａを示す回路図である。

電圧監視回路６０Ａは、例えば、入力される第１，２，３の出力電圧Ｖｏ１，Ｖｏ２，Ｖｏ３から主回路へ供給する２個の出力電圧を選択する選択回路６１と、主回路に供給される２個の出力電圧に基づいて２個のモード信号を出力する出力端を有する電圧監視回路４０と、を有している。

選択回路６１は、電圧監視回路６０Ａの３個の出力電圧入力端としての入力端６０Ａａ，６０Ａｂ，６０Ａｃを有している。選択回路６１は、入力端６０Ａａ，６０Ａｂ，６０Ａｃからそれぞれ入力される第１，２，３の出力電圧Ｖｏ１，Ｖｏ２，Ｖｏ３から主回路へ供給する２個の出力電圧を選択する。２個の出力電圧を選択するための回路例としては、例えば、入力端６０Ａａ，６０Ａｂ，６０Ａｃと接続する２個若しくは非接続とする１個を切替可能なスイッチ又は第１，２，３の出力電圧Ｖｏ１，Ｖｏ２，Ｖｏ３から２個を選択又は１個を除外する論理演算を実行する論理回路等がある。

電圧監視回路４０は、電圧監視回路６０Ａにおいて、電圧監視回路６０Ａの主回路及び電圧監視回路６０Ａの出力端として機能する。

本実施形態において、磁気センサ回路１０，７０は、モード信号を２ビット信号として受け取る信号処理回路２０を備えているが、モード信号を１ビット信号として受け取る信号処理回路２０を備えていてもよい。また、磁気センサ回路１０が備える電圧監視回路は、必ずしも電圧監視回路４０に限定されない。磁気センサ回路７０が備える電圧監視回路は、電圧監視回路６０，６０Ａに限定されない。

磁気センサ回路１０，７０が備える電圧監視回路は、１個の通常モードと少なくとも１個のテストモードとを含んでいればよい。従って、磁気センサ回路１０は、４個以下の複数個、すなわち２個、３個又は４個のモード信号を出力可能に構成される電圧監視回路を備えていればよい。また、磁気センサ回路７０は、８個以下の複数個、すなわち２個から８個の何れかの個数のモード信号を出力可能に構成される電圧監視回路を備えていればよい。

図１１及び図１２は、それぞれ、電圧監視回路１４０及び電圧監視回路１６０を示す回路図である。

磁気センサ回路１０は、２個のモード信号である第１，２のモード信号Ｓｍ１，Ｓｍ２を出力する電圧監視回路４０の代わりに、例えば、４個の出力端１４０ｄ，１４０ｅ，１４０ｆ，１４０ｇを有し、出力端１４０ｄ，１４０ｅ，１４０ｆ，１４０ｇからそれぞれ１ビット信号であるモード信号Ｓｍ０，Ｓｍ１，Ｓｍ２，Ｓｍ３を出力する電圧監視回路１４０を有していてもよい（図１１参照）。

磁気センサ回路７０は、３個のモード信号である第１，２，３のモード信号Ｓｍ１，Ｓｍ２，Ｓｍ３を出力する電圧監視回路６０の代わりに、例えば、８個の出力端１６０ｄ，１６０ｅ，１６０ｆ，１６０ｇ，１６０ｈ，１６０ｉ，１６０ｊ，１６０ｋを有し、出力端１６０ｄ～１６０ｋからそれぞれ１ビット信号であるモード信号Ｓｍ０～Ｓｍ７を出力する電圧監視回路１６０を有していてもよい（図１２参照）。

以上、本実施形態に係る磁気センサ回路によれば、２個又は３個の出力電圧の電圧レベルの遷移に基づいて、通常モード及び少なくとも１個のテストモードを含む複数個のモード間で、現在のモードを維持する又は他のモードに遷移するように構成されている。従って、本実施形態に係る磁気センサ回路は、例えば、出力端子５１，５２，５３の間で短絡が生じたとしても、誤ったテストモードへ投入を回避することができる等、従来の磁気センサ回路よりも、偶発的なモードの遷移、すなわち、意図しないモードの遷移を低減することができる。

また、本実施形態に係る磁気センサ回路は、２個又は３個の出力電圧のレベルの遷移に基づく遷移パターンと複数個のモードの各々とを対応させることができる。従って、本実施形態に係る磁気センサ回路によれば、１個のテストモードのみならず、複数個のテストモードを設定可能である。例えば、２個の出力電圧のレベルの遷移パターンは、最大４個なので、本実施形態に係る磁気センサ回路には、１個のテストモードのみならず、３個以下の複数個（２個又は３個）のテストモードを設定可能である。

なお、本発明は、上述した実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階では、上述した例以外にも様々な形態で実施することが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更をすることができる。

また、上述した実施形態では、磁気センサ回路１０，７０が通常モードからテストモード、テストモードから通常モードへの遷移を説明したが、モード間の遷移はこれに限定されない。複数のテストモードを含む磁気センサ回路１０，７０では、例えば、第１のテストモードＴＭ１から第２のテストモードＴＭ２へ直接遷移させることも可能である。すなわち、テストモード間でモードを遷移させる場合に、通常モードを経由することなく遷移可能である。

上述した実施形態では、磁気センサ回路７０が、２個の独立したモード信号Ｓｍ１，Ｓｍ２を出力する電圧監視回路６０Ａを備えている例を説明したが、電圧監視回路６０Ａから出力される２個の独立したモード信号は、必ずしもモード信号Ｓｍ１，Ｓｍ２でなくてもよい。電圧監視回路６０Ａから出力される２個の独立したモード信号は、モード信号Ｓｍ１～Ｓｍ３から任意に選択可能な２個とすることができる。

例えば、２個の出力電圧として第１，３の出力電圧Ｖｏ１，Ｖｏ３を選択するように構成されている電圧監視回路６０Ａは、モード信号Ｓｍ１，Ｓｍ３を出力可能である。また、２個の出力電圧として第２，３の出力電圧Ｖｏ２，Ｖｏ３を選択するように構成されている電圧監視回路６０Ａは、モード信号Ｓｍ２，Ｓｍ３を出力可能である。

上述した実施形態では、検査装置が、第１，２の出力電圧Ｖｏ１，Ｖｏ２を、それぞれ、出力端子５１，５２に強制的に印加する場合を説明したが、これに限定されない。検査装置は、所定の磁場を発生させてもよい。すなわち、所定の磁場による磁束密度Ｂｘ，Ｂｚを磁気センサ回路１０に付与することで、第１，２の出力電圧Ｖｏ１，Ｖｏ２を、それぞれ、出力端子５１，５２に強制的に印加した場合と等価な動作をさせてもよい。

本実施形態では、２個の出力電圧の電圧レベルが所定時間以内に遷移したことを判定可能な構成例として判定回路４３を説明している。上述した判定回路４３は、第１の出力電圧Ｖｏ１の電圧レベルの遷移が生じた時点（以下、「第１の遷移点」とする）を基準点とし、この基準点から第２の出力電圧Ｖｏ２の電圧レベルの遷移が生じた時点（以下、「第２の遷移点」とする）までの遅延時間が所定時間以内であるか否かを判定する一例である。

判定回路４３は、第２の遷移点を基準点とし、この基準点から第１の遷移点までの遅延時間が所定時間以内であるか否かを判定するように構成されていてもよい。換言すれば、判定回路４３は、第１の遷移点を基準点とし、この基準点から第２の遷移点までの先行時間が所定時間以内であるか否かを判定するように構成されていてもよい。

さらに、判定回路４３は、基準点を第１の遷移点とするか第２の遷移点とするかを切替可能なスイッチを有していてもよい。基準点を第１の遷移点とするか第２の遷移点とするかを切替可能な判定回路４３においては、基準点を第１の遷移点とする場合の遅延時間と、基準点を第２の遷移点とする場合の遅延時間とは、同じ長さに設定されてもよいし、異なる長さに設定されてもよい。

また、本実施形態では、基準点を第１の遷移点とする場合に設定されるテストモードと基準点を第２の遷移点とする場合に設定されるテストモードとが同じ内容の場合を説明した。しかしながら、基準点を第１の遷移点とする場合に設定されるテストモードと基準点を第２の遷移点とする場合に設定されるテストモードとは、異なる内容でもよい。この場合に磁気センサ回路１０，７０に設定可能なテストモードの個数は、出力電圧のレベルの遷移パターンの個数に対して２倍数にすることができる。

上述した実施形態又はその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１０，７０ 磁気センサ回路
１１ 磁気センサ（第１の磁気センサ）
１２ 磁気センサ（第２の磁気センサ）
１３ 磁気センサ（第３の磁気センサ）
２０，１２０ 信号処理回路
２０ａ，１２０ａ 入力端（第１のセンサ信号入力端）
２０ｂ，１２０ｂ 入力端（第２のセンサ信号入力端）
１２０ｃ 入力端（第３のセンサ信号入力端）
２０ｄ，１２０ｄ 入力端（モード信号入力端）
２０ｅ，２０ｆ，１２０ｅ，１２０ｆ，１２０ｇ 出力端
３１ ドライバ（第１のドライバ）
３２ ドライバ（第２のドライバ）
３３ ドライバ（第３のドライバ）
４０，６０，６０Ａ 電圧監視回路
４０ａ，４０ｂ，６０ａ，６０ｂ，６０ｃ，６０Ａａ，６０Ａｂ，６０Ａｃ 入力端（出力電圧入力端）
４０ｄ，６０ｄ モード信号生成回路
４０ｅ，４０ｆ，６０ｅ，６０ｆ，６０ｇ 出力端
４１ａ エッジ検出回路（第１のエッジ検出回路）
４１ｂ エッジ検出回路（第２のエッジ検出回路）
４３ 判定回路
４５ａ，４５ｂ ラッチ回路（信号生成回路）
Ｓｓ１，Ｓｓ２，Ｓｓ３ 第１のセンサ信号、第２のセンサ信号、第３のセンサ信号
Ｖｘ，Ｖｚ，Ｖｙ 第１の検出信号、第２の検出信号、第３の検出信号
Ｖｏ１，Ｖｏ２，Ｖｏ３ 第１の出力電圧、第２の出力電圧、第３の出力電圧
Ｓｍ０～Ｓｍ７ モード信号

Claims (7)

1. 第１の方向の磁束密度を検出し、検出される前記第１の方向の磁束密度に基づく第１のセンサ信号を出力する第１の磁気センサと、
   前記第１の方向と直交する第２の方向の磁束密度を検出し、検出される前記第２の方向の磁束密度に基づく第２のセンサ信号を出力する第２の磁気センサと、
   モード信号が入力されるモード信号入力端と、前記第１のセンサ信号が入力される第１のセンサ信号入力端と、前記第２のセンサ信号が入力される第２のセンサ信号入力端とを有し、前記第１のセンサ信号に基づき、ローレベル及びハイレベルを互いに遷移する第１の検出信号を出力する一方、前記第２のセンサ信号に基づき、ローレベル及びハイレベルを互いに遷移する第２の検出信号を出力する通常モードと、前記通常モードとは異なる所定の動作を行うテストモードと、を互いに遷移可能な信号処理回路と、
   前記通常モードでは前記第１の検出信号が入力される一方、前記テストモードではテスト信号が入力され、入力される前記第１の検出信号又は前記テスト信号に基づく第１の出力電圧を出力する第１のドライバと、
   前記通常モードでは前記第２の検出信号が入力される一方、前記テストモードでは前記テスト信号が入力され、入力される前記第２の検出信号又は前記テスト信号に基づく第２の出力電圧を出力する第２のドライバと、
   入力される前記第１の出力電圧及び前記第２の出力電圧の電圧レベルの遷移パターンに応じた複数個の異なる信号レベルを有する前記モード信号を生成する電圧監視回路と、
   を備えることを特徴とする磁気センサ回路。
2. 前記電圧監視回路は、前記第１の出力電圧及び前記第２の出力電圧が入力される出力電圧入力端と、
   前記出力電圧入力端から入力される前記第１の出力電圧の電圧レベルの遷移と前記出力電圧入力端から入力される前記第２の出力電圧の電圧レベルの遷移とが所定時間以内に生じる遷移パターンから２個から４個の何れかの個数の特定遷移パターンが設定されており、前記特定遷移パターンの設定個数と同数であって、それぞれ異なる信号レベルを有する前記モード信号を生成するモード信号生成回路と、
   前記モード信号生成回路によって生成された前記モード信号を出力する出力端と、
   を有する請求項１記載の磁気センサ回路。
3. 前記モード信号生成回路は、入力される前記第１の出力電圧の立ち上がりエッジ及び立ち下がりエッジを検出し、検出した立ち上がりエッジに対応する第１の立ち上がりエッジ検出信号及び検出した立ち下がりエッジに対応する第１の立ち下がりエッジ検出信号を生成する第１のエッジ検出回路と、
   入力される前記第２の出力電圧の立ち上がりエッジ及び立ち下がりエッジを検出し、検出した立ち上がりエッジに対応する第２の立ち上がりエッジ検出信号及び検出した立ち下がりエッジに対応する第２の立ち下がりエッジ検出信号を生成する第２のエッジ検出回路と、
   前記第１の立ち上がりエッジ検出信号、前記第１の立ち下がりエッジ検出信号、前記第２の立ち上がりエッジ検出信号及び前記第２の立ち下がりエッジ検出信号に基づいて前記特定の遷移パターンの有無を判定し、判定結果を示す判定結果信号を生成する判定回路と、
   前記判定結果信号に基づいて前記モード信号を生成する信号生成回路と、
   を有する請求項２記載の磁気センサ回路。
4. 前記判定回路は、前記第１の出力電圧の電圧レベル及び前記第２の出力電圧の電圧レベルの両方が前記所定時間以内にローレベルからハイレベルへ遷移する第１のパターンと、前記所定時間以内に、前記第１の出力電圧の電圧レベルがローレベルからハイレベルへ遷移し、前記第２の出力電圧の電圧レベルがハイレベルからローレベルへ遷移する第２のパターンと、前記所定時間以内に、前記第１の出力電圧の電圧レベルがハイレベルからローレベルへ遷移し、前記第２の出力電圧の電圧レベルがローレベルからハイレベルへ遷移する第３のパターンと、前記第１の出力電圧の電圧レベル及び前記第２の出力電圧の電圧レベルの両方が前記所定時間以内にハイレベルからローレベルへ遷移する第４のパターンの４パターンのうち設定された２個から４個の前記特定の遷移パターンの有無を判定するように構成される請求項３記載の磁気センサ回路。
5. 前記第１の方向及び前記第２の方向と直交する第３の方向の磁束密度を検出し、検出される前記第３の方向の磁束密度に基づく第３のセンサ信号を出力する第３の磁気センサと、
   前記通常モードでは第３の検出信号が入力される一方、前記テストモードでは前記テスト信号が入力され、入力される前記第３の検出信号又は前記テスト信号に基づく第３の出力電圧を出力する第３のドライバと、を備え、
   前記信号処理回路は、前記第３のセンサ信号が入力される第３のセンサ信号入力端を有し、前記第３のセンサ信号に基づきローレベル及びハイレベルを互いに遷移する第３の検出信号を、前記第１の検出信号及び前記第２の検出信号とともに出力する通常モードと、前記テストモードと、を互いに遷移可能に構成され、
   前記電圧監視回路は、入力される前記第１の出力電圧、前記第２の出力電圧及び前記第３の出力電圧の電圧レベルの遷移パターンに応じた複数個の異なる信号レベルを有する前記モード信号を生成可能に構成されることを特徴とする請求項１記載の磁気センサ回路。
6. 前記電圧監視回路は、前記第１の出力電圧、前記第２の出力電圧及び前記第３の出力電圧が入力される出力電圧入力端と、
   前記出力電圧入力端から入力される前記第１の出力電圧の電圧レベルの遷移、前記出力電圧入力端から入力される前記第２の出力電圧の電圧レベルの遷移及び前記出力電圧入力端から入力される前記第３の出力電圧の電圧レベルの遷移が所定時間以内に生じる遷移パターンから２個から８個の何れかの個数の特定遷移パターンが設定されており、前記特定遷移パターンの設定個数と同数であって、それぞれ異なる信号レベルを有する前記モード信号を生成するモード信号生成回路と、
   生成された前記モード信号を出力する出力端と、を有する請求項５記載の磁気センサ回路。
7. 前記電圧監視回路は、前記出力電圧入力端から入力される前記第１の出力電圧、前記第２の出力電圧及び前記第３の出力電圧のうち、２個の出力電圧を選択する選択回路をさらに有し、
   前記特定遷移パターンは、前記選択回路によって選択された２個の出力電圧の電圧レベルの前記遷移パターンのうち、２個から４個の何れかの個数が設定される請求項６記載の磁気センサ回路。