JP7462088B1 - 高周波モジュール及びフェーズドアレイアンテナモジュール - Google Patents
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Abstract
Description
図1に示すように、フェーズドアレイアンテナ装置100は、フェーズドアレイアンテナ101と、ビームフォーミングIC(BFIC)102と、アンテナコンバイナー(Combiner)103と、バンドパスフィルタ(BPF)104と、周波数変換IC(FCIC)105と、を備えている。
ビームフォーミングIC102は、ICパッケージ1(半導体パッケージ)であって、図2に示すように、基板2に実装されている。ICパッケージ1及び基板2は、高周波モジュール3を構成する。以下では、ビームフォーミングIC102をICパッケージ1とするが、周波数変換IC105をICパッケージ1としてもよい。
なお、高周波モジュール3における、再配線40,RFバンプ51及び内側金属パターン110の間のアイソレーションについては、シミュレーション等で事前に確認することもできるが、非常に工数がかかってしまう。したがって、本実施形態のように、GNDバンプ52を適切に配置し、高周波信号の漏れの対策を講じておくことにより、シミュレーションが不要となり、無駄な工数が削減できる。
なお、本実施形態では、第2RFバンプ51Bと内側金属パターン110とを結ぶ最短線分上には、GNDバンプ52を配置していないが、第1RFバンプ51Aと同様にGNDバンプ52を配置してもよい。なお、GNDバンプ52を配置しないことで、ICパッケージ1の小型化を図れる。
Claims (11)
- 平面上に複数のはんだバンプが配列されたICパッケージと、
前記ICパッケージを実装する実装面を有する基板と、を備え、
前記基板には、平面視で前記ICパッケージと重なる部分に配置された内側金属パターンが形成され、
前記複数のはんだバンプは、
高周波信号が通るRFバンプと、
電気的に接地されるGNDバンプと、を含み、
平面視で前記RFバンプと前記内側金属パターンとを結ぶ最短線分上に、前記GNDバンプが配置されている、
高周波モジュール。 - 前記RFバンプは、平面視で前記内側金属パターンの周囲に複数設けられており、
隣り合う前記RFバンプの間に、さらに前記GNDバンプが配置されている、
請求項1に記載の高周波モジュール。 - 前記RFバンプは、平面視で前記ICパッケージの最外縁に配置されている、
請求項1または2に記載の高周波モジュール。 - 前記RFバンプと前記内側金属パターンとを結ぶ最短線分の両端を延長した、該最短線分を含む直線上には、
前記RFバンプ、前記GNDバンプ、前記内側金属パターン、もう一つの前記GNDバンプ、もう一つの前記RFバンプが、この順に配置されている、
請求項1または2に記載の高周波モジュール。 - 前記ICパッケージは、
ICチップと、
平面視で前記ICチップを囲むモールド樹脂と、
前記ICチップ及び前記モールド樹脂の一方の面に形成された絶縁層と、
前記絶縁層に形成された前記複数のはんだバンプと、
前記絶縁層に形成され、前記ICチップを前記複数のはんだバンプに接続する再配線と、を備える、
請求項1または2に記載の高周波モジュール。 - 前記RFバンプと接続される前記再配線は、前記ICチップと前記モールド樹脂との境界を跨いで、平面視で前記モールド樹脂と重なる位置まで延び、前記RFバンプと接続されている、
請求項5に記載の高周波モジュール。 - 前記RFバンプと接続される前記再配線は、平面視で前記モールド樹脂と重なる位置において、前記GNDバンプの間を通り、前記RFバンプと接続されている、
請求項5に記載の高周波モジュール。 - 前記RFバンプと接続される前記再配線の両サイドには、前記GNDバンプと接続された前記再配線が配置されている、
請求項5に記載の高周波モジュール。 - 前記RFバンプは、一方のRFバンプが高周波信号を出力するとき、他方のRFバンプには前記ICパッケージで処理される前の高周波信号が入力される関係を有する、第1RFバンプ及び第2RFバンプを含み、
前記GNDバンプは、平面視で、少なくとも前記第1RFバンプと前記内側金属パターンとを結ぶ最短線分上に配置されている、
請求項1または2に記載の高周波モジュール。 - 前記内側金属パターンは、前記ICパッケージに電力を供給する電源パターンを含む、
請求項1または2に記載の高周波モジュール。 - 請求項1または2に記載の高周波モジュールと、
前記高周波モジュールと電気的に接続されたフェーズドアレイアンテナと、を備える、
フェーズドアレイアンテナモジュール。
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