JP7441490B2 - プリント基板の加工方法 - Google Patents

Description

本発明は、各種電子機器、例えば携帯電話に使用されている電子部品（多数の単位部品）を得るためのプリント基板の加工方法に関する。

特許文献１及び特許文献２は、マトリックス状の多数の単位部品を得るための多列型プリント基板の加工方法を含む点では、本願発明と同一の技術分野のものである。ここで、特許文献１の加工方法の内容と問題点を簡単に指摘する。

特許文献１は、「多列型プリント基板の製造方法」ではあるが、該製造方法の中に、ブラスト加工を主とする多列型プリント基板の加工方法が開示されている。

すなわち、特許文献１の多列型プリント基板の加工方法は、（ａ）平坦状の基板材料の一側上面と一側下面にそれぞれ銅層を有する母材を準備する工程（例えば市販されている物を購入して加工の準備をする）と、（ｂ）前記銅層を介して該母材の両面に、「第１のドライフィルムシジスト」と称する一対の保護膜を形成する工程と、（ｃ）保護膜の回転対称の部位（表面と裏面）に環状実体部分及び該環状実体部分の外周から半径外方向に延びる放射状連結部分をそれぞれ形成する複数種類の開口部、つまり、環状実体部分の内壁面を形成する第１の開口部と、＋形状連結部分を介して環状実体部分の外壁面を形成する第２の開口部を形成する開口部形成工程と、（ｄ）前記複数種類の開口部を通して前記母材の一側上面と一側下面の銅層をエッチング加工により除去する銅箔部剥離工程と、（ｅ）この銅箔部剥離工程を経た後に、例えば車両用道路のトンネルを造る場合と同様に、前記一側上面及び一側下面の両方向から前記銅層が除去された前記基板材料の露出部分にサンドブラスト加工により貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、（ｆ）加えて、前記サンドブラスト加工により、前記開口部とは別個の導通用ビアホールを同時に形成するビアホール形成工程とを含むものである。

前記特許文献１の加工方法は、その明細書本文の発明の課題及び効果を参酌すると、加工精度の向上、品質の劣化防止、コストを抑えながら生産性の向上を図るというものである。

しかしながら、前記（ｅ）の貫通孔形成工程及び（ｆ）のビアホール形成工程を理解する限り、サンドブラスト加工により、母材に複数種類の開口部（微細加工孔）を開ける場合には、前記母材の上面側と下面側の両方にそれぞれ砥粒を噴射する複数のサンドブラスト加工装置を配設しなければならない、母材の基板材料の一方の面側（例えば上面側）からサンドブラスト加工により略半分程度掘り込み、一方、前記基板材料の他方の面側（例えば下面側）からサンドブラスト加工により略半分程度掘り込み、それにより、複数種類の開口部を貫通状態にするのであるから、作業工程が増える等の問題点があった。

本発明は、基本的には特許文献１と技術的原理は同様であるが、少なくとも特許文献１の前記問題点を解消することである。すなわち、母材の基板材料に複数種類の開口部を貫通状態に形成する場合に、特定方向からのみサンドブラスト加工を実施し、これにより加工時間を短縮化し、もって、マトリックス状の多数の単位部品の量産性を図ることである。なお、特許文献２の図３にも、特許文献１の同じ加工方法が開示されている。

また、特許文献３は基板の粗面化方法であるが、例えば保護膜形成工程Ａと、ブラストマスク被着工程Ｂと、耐エッチング性膜形成工程Ｃと、ブラストマスク除去工程Ｄと、テクスチャ窪み形成工程Ｅとから成る（を有する）基板の粗面化方法が記載されている。したがって、前記Ａ～Ｅ工程は、公知乃至周知技術であると言える。

特許第６２９６４０７号公報 特許第６５３７１４９号公報 特許第５２２０２３７号公報

本発明は、基本的には特許文献１と技術的原理は同様であるが、少なくとも特許文献１の問題点を解消し、量産性を向上させることである。なお、本発明は、多列型ではない不規則パターンのプリント基板加工にも適用した場合においても、同様である。

第２の目的は、母材の絶縁基材に対してサンドブラスト加工方法により貫通孔を形成する際に、保護膜及び耐エッチング膜が切削されないようにすることである（耐ブラスト性の向上）。第３の目的は、太陽電池の製造に相応しい多列型プリント基板の加工方法を提案することである。その他の目的は、例えば母材の銅層に保護膜を被着する際、保護膜の硬度を適宜に調整することができることである。

本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は次の説明を添付図面と照らし合わせて読むと、より完全に明らかになるであろう。ただし、図面はもっぱら解説のためのものであって、本発明の技術的範囲を限定するものではない。

本発明のプリント基板の加工方法は、平坦状の基板材料の一側上面と一側下面にそれぞれ銅層を有する母材に、前記銅層を介して該母材の両面に一対の保護膜を被着する保護膜被着工程と、前記各保護膜の回転対称の部位に環状実体部分及び該環状実体部分の外周から半径外方向に延びる複数の連結部分をそれぞれ形成する複数種類の形状と大きさの開口部を形成する開口部形成工程と、前記複数種類の開口部を通して前記母材の一側上面と一側下面の銅層をエッチング加工により除去する銅箔部剥離工程と、この銅箔部剥離工程を経た後に、前記一側上面又は一側下面のいずれか一方から前記銅層が除去された前記基板材料の露出部分にサンドブラスト加工により貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、然る後に、前記一側上面及び一側下面に残っている一対の保護膜を除去する保護膜除去工程を含み、前記保護膜被着工程では、保護膜を被着する際、処理装置の制御部の温度調整手段が、記憶部に格納されている温度情報に基づき、熱硬化性樹脂の温度調整をすることを特徴とする（ここでは「本件発明１」とする）。

また本発明のプリント基板の加工方法は、母材の両面に一対の保護膜を被着する保護膜被着工程と、前記各保護膜の回転対称の部位に環状実体部分及び該環状実体部分の外周から半径外方向に延びる複数の連結部分をそれぞれ形成する複数種類の形状と大きさの開口部を形成する開口部形成工程と、前記母材の一側上面又は一側下面のいずれか一方から前記母材の露出部分にサンドブラスト加工により貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、前記一側上面及び一側下面に残っている一対の保護膜を除去する保護膜除去工程と、前記開口部を有する母材の一側上面及び一側下面及び導通用ビアホールに導体を設けることにより前記両面に電極を形成する電極形成工程を含み、前記保護膜被着工程では、保護膜を被着する際、処理装置の制御部の温度調整手段が、記憶部に格納されている温度情報に基づき、熱硬化性樹脂の温度調整をすることを特徴とする（ここでは「本件発明２」とする）。

上記本件発明１又は本件発明２に於いて、前記開口部形成工程する過程又は前記開口部を形成する過程とは別に導通用ビアホールを形成する工程が存在し、該導通用ビアホールを形成する場合には、前記一側上面又は一側下面のいずれか一方からレーザにより導通用ビアホールを形成することを特徴とする（補正後の請求項２及び請求項６）。

なお、「レーザ」は、例えば個体レーザと称されるもの、気体レーザと称されるもの、紫外線レーザや赤外線レーザと称されるもの、ｆθレンズとガルバノメータを組み合わせたもの、及びこれらの類のもの等、新規又は公知の照射手段が含まれる。

（ａ）特許文献１は、サンドブラスト装置を母材の表側と上側にそれぞれ複数台設置しなければならない、母材の絶縁基板に貫通孔を形成する際にその表側と上側の両方向からサンドブラスト加工をしなければならないので、作業工程あるいは作業時間が増える等の問題点があった所、請求項１に記載の発明は、この特許文献１のこのような問題点を解消することができる。

（ｂ）請求項２に記載の発明は、開口部形成工程する場合には、母材の一側上面又は一側下面のいずれか一方からレーザを導通用ビアホールに相当する部位に当てることにより、導通用ビアホールを形成するので、前記（ａ）の効果をそれなりに実現することができる。

（ｃ）請求項３に記載の発明は、少なくとも前記複数種類の開口部を形成する場合には、母材をその位置で反転させる母材反転工程が含まれているので、前記（ａ）の効果（時間の短縮性）を確実に実現することができる。

（ｄ）請求項４に記載の発明は、単位部品の一つを拡大した場合、前記開口部形成工程における複数種類の開口部の一方を構成する環状実体部分の内周壁側の中心開口部は平面視非真円形状であり、一方、前記環状実体部分の外周壁側の周辺開口部は前記中心開口部の中心点を基準にして該環状実体部分の外周壁から四方に延びる＋型の連結部分をそれぞれ挟むようにして合計４つ形成され、これらの周辺開口部は、それぞれ全体として平面視略尖がり帽状の形状をしている。したがって、段落００２９に記載しているように、より多くの単位製品部１ｎを得ることができる。なお、実施形態では、中心開口部４の形状は、好ましくは楕円形状である。その理由は、環状実体部分の内周壁側の中心開口部を平面視非真円形状（例えば陸上のトラック形状、あるいは小判型形状）にすると、エアーブラスト加工装置から噴射される砥粒が保護膜の目的部位に衝突したとしても、砥粒が非真円形の最長直径方向の内壁面に沿って滑らかな状態で流れるので、保護膜の垂直端面が切削され難くなるものと推測される。

（ｅ）なお、補正後の請求項１及び請求項５に記載の各発明は、母材の表面に保護膜を被着する際、保護膜の硬度を適宜に調整することができる。すなわち、保護膜被着工程では、保護膜を被着する際、処理装置の制御部の温度調整手段が、記憶部に格納されている温度情報に基づき、熱硬化性樹脂の温度調整をするができるので、所望する硬さの保護膜を銅層に張設することができる。

（ｆ）補正後の請求項５に記載の発明は、保護膜除去工程の後に、保護膜除去した母材の表面面に電極を設ける電極形成工程が含まれているが、例えば母材が多結晶シリコン基板である場合には、保護膜除去工程で前記保護膜を除去した部分は略平面形状部分となっていることから、微細な凹凸に基づく電極切れを防止することが可能となる。これにより、例えば太陽電池の製造に相応しいプリント基板の加工方法を提案することができる。

（ｇ）なお、補正後の請求項６に記載の発明は、請求項２に記載の発明と同様の効果がある。

図１乃至図１１は本発明の第１実施形態を示す各説明図。図１２は本発明の第２実施形態を示す本発明説明図。
例えば多列型プリント基板のマトリックス状の多数の単位部品を、便宜的に２個拡大した平面視からの概略説明図。 図１の単位部品を、便宜的に１個のみ示した概略説明図。 母材１の概略断面説明図。 全体の工程図。 保護膜被着工程Ａの説明図。 開口部形成工程Ｂの説明図。 銅箔部剥離工程Ｃの説明図。 説明の便宜上の貫通孔形成工程Ｄの説明図。 保護膜除去工程Ｅの説明図。 電極形成工程Ｆの説明図。 保護膜被着工程Ａにおける保護膜用温度調整装置の概略ブロック図。 本発明の第２実施形態を示す本発明説明図。

図１乃至図１１は、本発明の第１実施形態の多列型プリント基板の加工方法Ｙ（以下、ここでは「加工方法Ｙ」という。）の各説明図である。なお、実施形態では、多列型プリント基板の加工方法を一例にして説明するが、多列型ではない不規則パターンのプリント基板加工にも適用することができる。

まず図１は特許文献１の図１の（ｂ）と同様である。特許文献１の「単位製品部１ｎ」に関する詳細な説明を割愛するために、ここでは、図１及び図２を参照して、多列型プリント基板Ｘ（図４参照）の「単位製品部１ｎ」の形態（構成）を説明する。

まず、図１及び図２に於いて、符号１ｎは単位製品部である（符号１ｎは特許文献１と同じ）。この単位製品部１ｎは、環状実体部分２と、この環状実体部分２の左右の外壁面の中央部および前後（図面を基準にして図２の上方を前、下方を後とする）の外壁面の中央部に半径外方向にそれぞれ延びる合計４つの連結部分３と、前記環状実体部分２の内周壁で囲まれた中心開口部（特許文献１では第１の開口部）４と、前記環状実体部分２を形成する合計４つの周辺開口部（特許文献１では第２の開口部）５とから成る。

付言すると、図２で示すように、単位部品１ｎの一つを拡大した場合、後述の開口部形成工程Ｂにおける複数種類の形状と大きさの開口部４、５の一方を構成する環状実体部分２の内周壁側の中心開口部４は、平面視非真円形状であり、一方、前記環状実体部分２の外周壁側の周辺開口部５は、前記中心開口部４の中心点を基準にして該環状実体部分２の外周壁２ａから四方に延びる＋型の連結部分３をそれぞれ挟むようにして合計４つ形成され、これらの周辺開口部５は、それぞれ全体として三つの角部分がそれぞれアールの略尖がり帽状の幾何学形状（例えばチャィナーハット形状）である。

したがって、多列型プリント基板Ｘは、平坦状の基板材料を含み、かつ、多数の単位製品部１ｎが格子状（マトリックス状）に配列されている。なお、周辺開口部５を略尖がり帽状或いはチャィナーハット形状にすると、より多くの単位製品部１ｎを得ることができる。

次に、図３は母材１の概略断面説明図である。母材１は、周知の如く、絶縁性の平坦状の基板材料１ａと、この平坦状の基板材料１ａの一側上面と一側下面にそれぞれ設けられた銅層１ｂ、１ｂとから成る。母材１は市販されているものである。であるから、本発明の加工方法Ｙは、この母材１が前提となる。

基板材料１ａ及び銅層１ｂについては、特許文献１の段落００３１に記載の通りである。普通一般に〈基板とは〉ベースとなる部材のことであるが、基板の形状、大きさ、材質、基板の用途は特に限定しない。

以下、図４乃至図１０を参照にして「加工方法Ｙ」を説明する。まず、図４は加工方法Ｙの全体の工程図である。この図４に於いて、Ａは保護膜被着工程、Ｂは開口部形成工程、Ｃは銅箔部剥離工程（銅箔部エッチング工程もしくは銅箔部剥離工程）、Ｄはサンドブラスト加工方法による貫通孔形成工程、Ｅ保護膜除去工程は、そして、Ｆは配線パターン形成工程である。

図５は保護膜被着工程Ａを示す。この保護膜被着工程Ａでは、平坦状の基板材料１ａの一側上面と一側下面にそれぞれ銅層１ｂ、１ｂを有する母材１に、前記銅層１ｂ、１ｂを介して該母材の両面に一対の保護膜１１、１１を被着する。〈被着とは〉被せるようにして付けることであり、例えば食べ物がサランラップで覆うように被せる場合に被着の用語が用いられているが、この実施形態では、保護膜（レジストマスクやレジストフィルムと称されるもの）１１を表側の銅層１ｂと裏側の銅層１ｂにそれぞれ除去可能に設けることである。

保護膜１１は、普通一般にサンドブラスト、エッチング性等の処理を施す際、被処理物（例えば基板）の上面（例えば表面）の一部を絶縁性の樹脂などで保護する。この保護膜を処理後に剥離することで被処理物の所望する部分のみを加工することが可能となる。それ故に、保護膜１１は、母材（基板）１を加工する当業者の技術分野に於いて、「レジスト（抵抗）」と称され、特許文献１でも「レジストマスク」の用語が用いられている（特許第６２９６４０７号公報の請求項２）。

実施形態の保護膜１１は、熱酸化法により成膜された膜厚１００ｎｍの酸化シリコン膜（ＳｉＯ２、ＳｉＯ）が用いられている。もちろん、これに限定するものではなく、例えば塩ビ系の熱可塑性レジスト、窒化シリコン膜（ＳｉＮ）、酸化窒化シリコン膜（ＳｉＯＮ）、アモルファスシリコン膜（а－Ｓｉ）、ダイアモンドライクカーボン膜等でもＯＫである。

また実施形態では、後述する処理装置が、制御部、記憶部、温度調整手段等を有し（図１１参照）、熱酸化法により保護膜１１を塗布した後、適当な硬度にしている。したがって、母材１の銅層１ｂに保護膜１１を被着あるいは形成する際、保護膜１１の硬度を自動的に調整すること、及び所望時に保護膜１１を加圧・熱溶着することができる。なお、〈形成とは〉形作ることで、ここでは母材１の表面と裏面の銅層１ｂ、１ｂに、それぞれ耐エッチング膜に相当する保護膜１１を膜状に略全体的に形作ることを意味する。それ故に、「被着」と同じである。

図６は開口部形成工程Ｂを示す。この開口部形成工程Ｂでは、マトリックス状の多数の単位部品１ｎを得るために、前記各保護膜１１、１１の回転対称の部位に環状実体部分２及び該環状実体部分の外周から半径外方向に延びる複数の連結部分３をそれぞれ形成する複数種類の形状と大きさの開口部４，５を形成する。

なお、実施形態では、前記開口部を形成する過程又は前記開口部形成する過程とは別に導通用ビアホールを形成する工程が存在し、該導通用ビアホールを形成する場合には、前記一側上面又は一側下面のいずれか一方からレーザにより導通用ビアホールを形成する。この導通用ビアホール６は、例えば図２で示すように前記開口部４，５よりも小径で、平面視円形の小孔貫通孔である。また、導通用ビアホールは適宜部位に形成することができる。

前記複数種類の開口部４，５は、図１及び図２で示したように、二種類あり、一方を構成する環状実体部分２の内周壁側の中心開口部４は、平面視非真円形状（例えば楕円形状）であり、また前記環状実体部分２の外周壁側の周辺開口部５は、前記中心開口部４の中心点を基準にして該環状実体部分２の外周壁２ａから四方に延びる＋型の連結部分３をそれぞれ挟むようにして合計４つ形成され、これらの周辺開口部５は、前述したように（段落００２８、段落００２９）、それぞれ全体として平面視多角形状の幾何学形状をしている。

二種類の形状と大きさの開口部４，５を形成する場合には、保護膜１１を形成した後、パターニングをし、又はパターニングをしないで、従来の露光方式、レーザ、サンドブラストなどの加工法によって行われる。

実施形態の開口部形成工程Ｂでは、保護膜１１は感光性樹脂で出来ているので、エッチングして開口部を形成することができる。また例えば母材１の一側上面（例えば表面）又は一側下面（例えば裏面）のいずれか一方から単数又は複数のレーザを複数種類の形状と大きさの開口部４、５に相当する部位及び導通用ビアホール６に相当する部位にそれぞれ当てることにより、前記複数種類の開口部４、５及び導通用ビアホール６をそれぞれ形成することもできる。この場合、加工方法如何によっては、母材をその位置で反転させる母材反転工程が含まれる。もちろん、従来の露光方式で行う場合には、母材反転工程は不要で、一度に短時間で母材１の一側上面（例えば表面）及び一側下面（例えば裏面）に凹所を形成することができる。

ところで、導通用ビアホール６は貫通孔なので、母材反転工程は不要であるが、母材反転工程を含む場合には、母材反転工程前又は母材反転工程後のいずれの時に行っても良い。もちろん、レーザ加工方法に代えて、ダイシングマシーン又はサンドブラスト加工方法により、保護膜（例えばドライファルム）に対して一方向からのみ凹所を形成しても良い。なお、ダイシングマシーン又はサンドブラスト加工方法による場合には、母材１を反転させるのが好ましい。

図７は銅箔部剥離工程Ｃを示す。この銅箔部剥離工程Ｃでは、前記複数種類の形状と大きさの開口部４、５を通して母材１の一側上面と一側下面の銅層１ｂ、１ｂをエッチング加工により除去する。図６で示した開口部形成工程Ｂでは、二種類の開口部４，５を形成するが、これらの開口部（微細穴）４，５の奥側には、銅層１ｂ、１ｂが露呈した状態となっている。付言すると、耐エッチング性膜（銅層１ｂ、１ｂ）は、開口部（微細穴）４，５を有する保護膜１１で被われていることから、該保護膜（レジストマスク）１１に覆われていない部分、つまり、微細隙間にエッチングを施す。なお、〈エッチング（ｅｔｃｈｉｎｇ）とは〉、被処理材料（例えばウエーハー）の全面又は特定の開所に形成された膜（例えば保護膜１１）が、所定の深さ除去される表面加工のことで、液相中で行われるウエットエッチングと、気相中で行われるドライエッッチングとがある。

実施形態では、エッチングとしては、例えばＮａＯＨやＫＯＨ等のアルカリ性水溶液を用いた湿式エッチングを実施する。この場合開口部（微細穴）４，５に連通状態となる窪み７は、開口部（微細穴）４，５に対応する凹所となる。エッチングの方法としては、アルカリ性水溶液を用いた湿式エッチングに限らず、フッ酸硝酸混合物を用いた湿式エッチングを用いてもよいし、乾式エッチングを用いてもよい。

なお、銅箔部剥離の用語を使用しているのは、保護膜１１が耐エッチング性膜（残存している銅層１ｂ、１ｂ）１２の上に被着しており、この耐エッチング性膜１２は、保護膜（レジストマスク）１１の有る部分は除去されず、保護膜（レジストマスク）１１の無い部分（開口部４，５に対応する部分）のみが除去されるからである。

図８は貫通孔形成工程Ｄを示す。この貫通孔形成工程Ｄでは、銅箔部剥離工程Ｃを経た後に、母材１の一側上面又は一側下面のいずれか一方から銅層１ｂ、１ｂが除去された基板材料１ａの露出部分にサンドブラスト加工により貫通孔１３を形成する。また第１実施形態では、加工の時期を特に問わないが、貫通孔形成工程Ｄと略同時に平面視円形のビアホール６を形成する場合にも、母材１の一側上面又は一側下面のいずれか一方からサンドブラスト加工より貫通小孔を形成する。

ここでは「サンドブラスト加工装置（以下、「ブラスト加工装置」という）を図示しないが、普通一般にブラスト加工装置は、砥粒を収納した砥粒タンクと、この砥粒タンクと噴射ノズルに連結された砥粒供給ホースと、圧縮空気を圧送する圧縮空気ホースと、この圧縮空気ホースの先端部に連結された前記噴射ノズルと、前記圧縮空気ホースに設けられた空気圧調整弁、前記砥粒タンクを支持する支持台等を有し、前記噴射ノズルの先細り形状の噴射部が、例えば母材１の一側上面から銅層１ｂ、１ｂが除去された基板材料１ａの露出部分に対して向けられる。

なお、図８は説明の便宜上凹所の幅が大きいものと、小さいものを同時に描いているが、例えば凹所の幅が大きいものを形成する場合、ノズルからのサンド（粒子）拡散状態は一定の幅であり、開口部の大きさによりブラストの幅が変わるものではない。付言すると、前記大小の凹所は、例えば図８の矢印で示すように、基材が一定幅のブラストのシャワーの下を通過するときに、前記大小の凹所が同時に又は異時にそれぞれ加工される。

図９は保護膜除去工程Ｅを示す。この保護膜除去工程Ｅでは、前記一側上面及び一側下面に残っている一対の保護膜を除去する。ここで〈除去とは〉取り除くことであるから、残っている保護膜１１を全部除去することである。保護膜１１の取り外し方は特に限定しないが、開口部形成工程Ｂで用いた第１の砥粒よりも粒形が細かい第２の砥粒を用いたり、又は洗浄したり、あるいは又ブラシを用いたりして残っている保護膜１１を除去する。

図１０は配線パターン形成工程Ｆを示す。この配線パターン形成工程Ｆでは、公知の技術、例えば特許文献１、特許文献２に記載されているように、第２のドライフィルムレジストを設ける工程～エッチング膜を除去する工程を含む第２の加工方法により、母材１の一側上面及び一側下面にそれぞれ配線パターンＰ１、Ｐ２を形成する。この場合、前記配線パターンＰ１、Ｐ２は、導通用ビアホールに導体１ｃを設けることにより、層間接続が行われる。

最後に図１１は、制御部、記憶部、温度調整手段等を有する処理装置の構成（ここでは「温度調整装置Ｚ」という）を概略的に示す。温度調整装置Ｚは、入力部２０、制御部２１、記憶部２２、表示部２３、熱硬化樹脂用の温度調整手段２４及び樹脂塗布手段２５を含む。その他特に図示しないが、処理装置は、演算機能、計時機能等を有する。

しかして、温度調整装置Ｚの記憶部２２には、購入した母材の識別情報（例えば母材０００１、母材００１０、母材００１１等）、熱硬化性樹脂１９の種別番号（樹脂ａ、樹脂ｂ、樹脂ｃなど）、温度情報（例えば１５０度、１５５度、１６０度など）、時間情報（ｔ１、ｔ２、ｔ３など）が格納され、これらの情報はそれぞれ紐付されている。

付言すると、今仮に、樹脂ａが「塩ビ系の熱可塑性樹脂」である場合には、入力部２０に、該樹脂ａの情報を入れると、処理機構は入力されたデータ、記憶部２２の紐付情報等により、算術論理演算や比較などを行い、制御部２１は温度調整手段２４を制御する。したがって、例えば塩ビ系の熱可塑性樹脂ａを、１６０度で、約２０分間温め、適当な硬度を有するゴム状（半硬化状態：プリプレグの状態）にすることが可能となる。

この欄では、図１２を参照にして、第１の実施形態と主に異なる第２の実施形態について、簡単に説明する。なお、第２実施形態を説明するに当って、第１実施形態と同一の部分には同一の符号を付して重複する説明を割愛する。

この第２実施形態の多列型プリント基板の加工方法Ｙ１は、母材の両面に銅層を有しない「絶縁基材のみ」の母材１Ａを用いて、例えば太陽電池用の多列型プリント基板Ｘ１を得るために考え出されたものである。

しかして、加工方法Ｙ１は、母材１Ａの両面に一対の保護膜１１を被着する保護膜被着工程Ａ１と、前記各保護膜１１、１１の回転対称の部位に環状実体部分２及び該環状実体部分の外周から半径外方向に延びる複数の連結部分３をそれぞれ形成する複数種類の形状と大きさの開口部４、５並びに該開口部とは別個の導通用ビアホール６を形成する開口部形成工程Ｂ１と、前記母材１Ａの一側上面又は一側下面のいずれか一方から前記母材１Ａの露出部分にサンドブラスト加工により貫通孔１３を形成する貫通孔形成工程Ｄ１と、前記一側上面及び一側下面に残っている一対の保護膜を除去する保護膜除去工程Ｅ１と、適当な時に、前記開口部を有する母材の一側上面及び一側下面及び導通用ビアホールに導体を設けることにより前記両面に電極Ｐ１、Ｐ１を形成する電極形成工程はＦ１を含み、前記保護膜被着工程Ａ１では、保護膜を被着する際、処理装置の制御部２１の温度調整手段２４が、記憶部２２に格納されている温度情報に基づき、熱硬化性樹脂１９の温度調整をする。

なお、この電極形成工程はＦ１でも第１実施形態の配線パターン形成工程Ｆと同様に導通用ビアホールに導体を設けることにより層間接続を行う。導体は、例えば導電性ペーストと称されるものなので、前記電極Ｐ１、Ｐ１は塗布手段により形成される。

上記構成に於いて、第１実施形態と同様に、開口部形成工程Ｂ１又はその前後の工程に於いて、前記母材１Ａの側上面又は一側下面のいずれか一方からレーザを導通用ビアホールに相当する部位に当てることにより、導通用ビアホールを形成するのが好ましい。付言すると、この第２実施形態に於いても、前記開口部形成工程する過程又は前記開口部４、５を形成する過程とは別に導通用ビアホールを形成する工程が存在し、該導通用ビアホール６を形成する場合には、前記一側上面又は一側下面のいずれか一方からのみレーザにより形成する。

本発明は、各種電子機器、例えば携帯電話に使用されている電子部品（マトリックス状の多数の単位部品）を得るための多列型プリント基板又は多列型ではない不規則パターンのプリント基板加工の技術分野で利用することができる。なお、保護膜１１を母材１の両面に形成する場合には、熱プレス工程を含むが、この熱プレス工程では、図示しないプレス押え板を母材１の両面側にそれぞれ一対配設するのが好ましい。

Ｘ、Ｘ１…例えば多列型プリント基板、
Ｐ１、Ｐ２…配線パターン又は電極、
Ｙ、Ｙ１…加工方法、
１、１Ａ…母材、
１ｎ…単位製品部、
２…環状実体部分、
３…連結部分、
４…中心開口部、
５…周辺開口部、
６…導通用ビアホール、
１１…保護膜、
１２…耐エッチング性膜（残存している銅層１ｂ、１ｂ）、
１３…貫通孔、
２１…制御部、
２２…記憶部、
２４…温度調整手段、
２５…樹脂塗布手段、
Ａ、Ａ１…保護膜被着工程、
Ｂ、Ｂ１…開口部形成工程、
Ｃ…銅箔部剥離工程、
Ｄ、Ｄ１…貫通孔形成工程、
Ｅ、Ｅ１…保護膜除去工程、
Ｆ…配線パターン形成工程、
Ｆ１…電極形成工程。

Claims (6)

1. 平坦状の基板材料の一側上面と一側下面にそれぞれ銅層を有する母材に、前記銅層を介して該母材の両面に一対の保護膜を被着する保護膜被着工程と、前記各保護膜の回転対称の部位に環状実体部分及び該環状実体部分の外周から半径外方向に延びる複数の連結部分をそれぞれ形成する複数種類の形状と大きさの開口部を形成する開口部形成工程と、前記複数種類の開口部を通して前記母材の一側上面と一側下面の銅層をエッチング加工により除去する銅箔部剥離工程と、この銅箔部剥離工程を経た後に、前記一側上面又は一側下面のいずれか一方から前記銅層が除去された前記基板材料の露出部分にサンドブラスト加工により貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、然る後に、前記一側上面及び一側下面に残っている一対の保護膜を除去する保護膜除去工程を含み、前記保護膜被着工程では、保護膜を被着する際、処理装置の制御部の温度調整手段が、記憶部に格納されている温度情報に基づき、熱硬化性樹脂の温度調整をする、プリント基板の加工方法。
2. 請求項１のプリント基板の加工方法に於いて、前記開口部を形成する過程又は前記開口部形成する過程とは別に導通用ビアホールを形成する工程が存在し、該導通用ビアホールを形成する場合には、前記一側上面又は一側下面のいずれか一方からレーザにより導通用ビアホールを形成することを特徴とするプリント基板の加工方法。
3. 請求項１のプリント基板の加工方法に於いて、少なくとも前記複数種類の開口部を形成する場合には、母材をその位置で反転させる母材反転工程が含まれていることを特徴とするプリント基板の加工方法。
4. 請求項１のプリント基板の加工方法に於いて、前記開口部形成工程における複数種類の開口部の一方を構成する環状実体部分の内周壁側の中心開口部は平面視非真円形状であり、一方、前記環状実体部分の外周壁側の周辺開口部は前記中心開口部の中心点を基準にして該環状実体部分の外周壁から四方に延びる＋型の連結部分をそれぞれ挟むようにして合計４つ形成され、これらの周辺開口部は、それぞれ全体として平面視略尖がり帽状の形状をしていることを特徴とするプリント基板の加工方法。
5. 母材の両面に一対の保護膜を被着する保護膜被着工程と、前記各保護膜の回転対称の部位に環状実体部分及び該環状実体部分の外周から半径外方向に延びる複数の連結部分をそれぞれ形成する複数種類の形状と大きさの開口部を形成する開口部形成工程と、前記母材の一側上面又は一側下面のいずれか一方から前記母材の露出部分にサンドブラスト加工により貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、前記一側上面及び一側下面に残っている一対の保護膜を除去する保護膜除去工程と、前記開口部を有する母材の一側上面及び一側下面及び導通用ビアホールに導体を設けることにより前記両面に電極を形成する電極形成工程を含み、前記保護膜被着工程では、保護膜を被着する際、処理装置の制御部の温度調整手段が、記憶部に格納されている温度情報に基づき、熱硬化性樹脂の温度調整をする、プリント基板の加工方法。
6. 請求項５のプリント基板の加工方法に於いて、前記開口部を形成する過程又は前記開口部形成する過程とは別に導通用ビアホールを形成する工程が存在し、該導通用ビアホールを形成する場合には、前記一側上面又は一側下面のいずれか一方からレーザにより導通用ビアホールを形成することを特徴とする多列型プリント基板の加工方法。

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