JP4390623B2 - 薄膜形成方法 - Google Patents
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前記ステージの上方において水平移動自在に、かつ、薄膜形成液を滴下可能に設けられたノズルにより、薄膜形成液を前記半導体ウェーハの縁辺側から中心に向かってらせんを描くように滴下して、前記半導体ウェーハの上面に薄膜を形成する薄膜形成方法であって、前記半導体ウェーハの表面に滴下された前記薄膜形成液にレーザ光を照射して前記薄膜形成液の硬化を促進する薄膜形成方法において、前記半導体ウェーハの縁辺側から中心に向かってらせんを描くようにレーザ光を移動照射することを特徴とする。
11:ステージ
12a:スペーサ
12b:スペーサ
12c:スペーサ
13:ノズル
14:滴下開始時におけるノズル
15:フォトレジスト液
16:レーザ発信器
17:回転ステージ
10:シリコンウェーハ
20:滴下位置の軌跡
21:滴下位置の軌跡
22:滴下位置の軌跡
23:滴下位置の軌跡
Claims (2)
- ステージから突出するように設けられた複数の保持体で半導体ウェーハを該ステージから離隔した状態に保持し、
前記ステージの上方において水平移動自在に、かつ、薄膜形成液を滴下可能に設けられたノズルにより、薄膜形成液を前記半導体ウェーハの縁辺側から中心に向かってらせんを描くように滴下して、前記半導体ウェーハの上面に薄膜を形成する薄膜形成方法であって、前記半導体ウェーハの表面に滴下された前記薄膜形成液にレーザ光を照射して前記薄膜形成液の硬化を促進する薄膜形成方法において、
前記半導体ウェーハの縁辺側から中心に向かってらせんを描くようにレーザ光を移動照射することを特徴とする薄膜形成方法。 - 前記薄膜形成液を、前記半導体ウェーハの縁辺に沿って環状に滴下してから、前記半導体ウェーハの縁辺側から中心に向かってらせんを描くように滴下することを特徴とする請求項1に記載の薄膜形成方法。
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JP2004144153A JP4390623B2 (ja) | 2004-05-13 | 2004-05-13 | 薄膜形成方法 |
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