JP7439306B2 - 金属材料中のエッジにおけるクラック検出のための方法および装置 - Google Patents
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Description
-S10:金属材料中に磁場を発生させるために送信コイルへ第1の大きさを有する電流を送るステップと、
-S20:磁場が、金属材料中で測定されることが望まれる最も深いクラック深さよりも深く侵入したことが推定されるときに、電流が第2の大きさを得るように電流を制御するステップと、
-S30:受信コイルによって磁場を検出するステップと、それによって、検出された磁場が、受信コイル中に信号を発生させる、
-S40:第2の大きさを得るための電流の制御による任意の乱れが終わったことが推定された第1の時点で信号の第1の信号値を決定するステップと、
-S50:第1の時点の後の第2の時点で信号の第2の信号値を決定するステップと、
-S60:第2の時点の後の第3の時点で信号の第3の信号値を決定するステップと、
-S70:信号値の以下の組合せ、すなわち、第1の信号値と第2の信号値、第2の信号値と第3の信号値、および第1の信号値と第3の信号値のうちの少なくとも2つの間の特性関係を決定することによって第1、第2、および第3の信号値に基づいてクラックの可能性のある存在およびそのクラック深さを決定するステップと、ここにおいて、信号値の少なくとも2つの組合せ間の特性関係は、エッジの位置およびエッジの曲率の半径から独立している、を備える。
少なくとも1つの例示実施形態によれば、方法は、
- 基準位置に対してのエッジの位置に基づいてエッジ位置パラメータを確立するステップと、
- エッジの曲率の半径に基づいて半径パラメータを確立するステップと、をさらに備え、
特性関係は、エッジ位置パラメータおよび半径パラメータから独立している。
- クラックを有し、半径パラメータの第1の半径基準値およびエッジ位置パラメータの第1のエッジ基準値を有する金属材料のための第1の基準信号を確立するステップと、
- クラックを有さず、半径パラメータの第1の半径基準値およびエッジ位置パラメータの第1のエッジ基準値を有する金属材料のための第2の基準信号を確立するステップと、
- クラックを有さず、第1の半径基準値を有し、第1のエッジ基準値に対してのエッジ位置パラメータの所定の変化を伴う金属材料のための第3の基準信号を確立するステップと、
- クラックを有さず、第1のエッジ基準値を有し、第1の半径基準値に対しての半径パラメータの所定の変化を伴う金属材料のための第4の基準信号を確立するステップと、をさらに備える。
- 第2の受信コイルによって磁場を検出するステップと、それによって、この検出された磁場が、第2の受信コイル中に信号に発生させる、
- 第1および第2の受信コイルに対してのエッジの位置と金属材料の表面からの距離とをそれぞれ決定するステップと、をさらに備える。
- 金属材料中に磁場を発生させるように配置された送信コイルと、
- 磁場を検出するように配置された受信コイルと、
- 金属材料中に磁場を発生させるための送信コイルへ第1の大きさを有する電流を送るように配置された信号発生器と、
- 磁場が金属材料中で測定されることが望まれる最も深いクラック深さよりも深く侵入したことが推定されるときに電流が第2の大きさを得るように信号発生器を制御するように配置された制御ユニットと、
- 受信コイルによって検出される磁場によって生成される信号を受信し、第2の大きさを得るための電流の制御による任意の乱れが終わったことが推定された第1の時点で信号の第1の信号値を決定するように配置されたコンピューティング装置と、を備え、
コンピューティング装置は、第1の時点の後の第2の時点で信号の第2の信号値を決定し、第2の時点の後の第3の時点で信号の第3の信号値を決定するようにさらに配置され、
ここにおいて、コンピューティング装置は、信号値の以下の組合せ、すなわち、第1の信号値と第2の信号値、第2の信号値と第3の信号値、および第1の信号値と第3の信号値のうちの少なくとも2つの間の特性関係を決定することによって第1、第2、および第3の信号値に基づいてクラックの可能性のある存在およびそのクラック深さを決定するようにさらに配置される。
以下に、出願当初の特許請求の範囲に記載の事項を、そのまま、付記しておく。
[1] 金属材料(M)のエッジ(E)におけるクラック(C)を決定する方法であって、前記エッジ(E)は、半径(R)を備えた曲率を有し、前記方法は、
- 前記金属材料(M)中に磁場を発生させるために送信コイル(3)へ第1の大きさ(I1)を有する電流を送るステップと(S10)と、
- 前記磁場が、前記金属材料(M)中で測定されることが望まれる最も深いクラック深さよりも深く侵入したことが推定されるときに、前記電流が第2の大きさ(I2)を得るように前記電流を制御するステップ(S20)と、
- 受信コイル(5)によって前記磁場を検出するステップ(S30)と、ここで、検出された磁場が、前記受信コイル(5)中に信号(S(t))を発生させ、
- 前記第2の大きさを得るための前記電流の制御によるいずれの乱れも止まったことが推定された第1の時点(t1)で前記信号の第1の信号値(St1)を決定するステップ(S40)と、
- 前記第1の時点(t1)の後の第2の時点(t2)で前記信号の第2の信号値(St2)を決定するステップ(S50)と、
- 前記第2の時点(t2)の後の第3の時点(t3)で前記信号の第3の信号値(St3)を決定するステップ(S60)と、
- 信号値の以下の組合せ、すなわち、前記第1の信号値(St1)と前記第2の信号値(St2)、前記第2の信号値(St2)と前記第3の信号値(St3)、及び前記第1の信号値(St1)と前記第3の信号値(St3)のうちの少なくとも2つの間の特性関係を決定することによって前記第1、第2、及び第3の信号値(St1、St2、St3)に基づいてクラックの存在の可能性及びそのクラック深さを決定するステップ(S70)と、を備える方法。
[2] 前記金属材料(M)の前記エッジ(E)の外側に前記送信コイル(3)の少なくとも一部を設けるステップ(S5)をさらに備える、[1]に記載の方法。
[3] 前記第3の時点(t3)は、前記エッジの前記曲率の半径変化のいずれの影響も止まったことが推定された時点である、[1]又は[2]に記載の方法。
[4] クラックの存在の可能性及びそのクラック深さを決定する前記ステップ(S70)は、前記特性関係を対応する基準信号と比較することを備える、[1]から[3]のいずれか一項に記載の方法。
[5]- 基準位置に対しての前記エッジの位置に基づいてエッジ位置パラメータを確立するステップ(S62)と、
- 前記エッジの前記曲率の前記半径に基づいて半径パラメータを確立するステップ(S63)と、
をさらに備え、
前記特性関係は、前記エッジ位置パラメータ及び前記半径パラメータから独立している、[1]から[4]のいずれか一項に記載の方法。
[6]- クラックを有し、前記半径パラメータの第1の半径基準値及び前記エッジ位置パラメータの第1のエッジ基準値を有する金属材料のための第1の基準信号(Sa(t))を確立するステップと、
- クラックを有さず、前記半径パラメータの前記第1の半径基準値及び前記エッジ位置パラメータの前記第1のエッジ基準値を有する金属材料のための第2の基準信号(Sb(t))を確立するステップ(S64)と、
- クラックを有さず、前記第1の半径基準値を有し、前記第1のエッジ基準値に対しての前記エッジ位置パラメータの所定の変化を伴う金属材料のための第3の基準信号(Sc(t))を確立するステップ(S65)と、
- クラックを有さず、前記第1のエッジ基準値を有し、前記第1の半径基準値に対しての前記半径パラメータの所定の変化を伴う金属材料のための第4の基準信号(Sd(t))を確立するステップ(S66)と、
をさらに備える、[4]に従属する[5]に記載の方法。
[7] クラックの可能性のある存在及びそのクラック深さを決定する前記ステップ(S70)は、前記第1、第2、第3、及び/又は第4の基準信号(Sa(t)、Sb(t)、Sc(t)、Sd(t))の対応する信号値に関する前記特性関係を使用することを含む、[6]に記載の方法。
[8] 前記エッジ位置パラメータは、基準位置に対しての前記エッジの位置を表し、又は基準位置に対しての前記エッジの位置に対応し、前記半径パラメータは、前記エッジの曲率の半径を表し、又は前記エッジの曲率の半径に対応する、[6]又は[7]に記載の方法。
[9] 前記第1、第2、及び第3の時点は、別々の時点である、[1]から[8]のいずれか一項に記載の方法。
[10] 前記受信コイル(5)は、第1の受信コイル(5)であり、
- 第2の受信コイル(6)によって前記磁場を検出するステップ(S35)と、ここで、検出された磁場が、前記第2の受信コイル(6)中に信号(Sr(t))を発生させ、
- 前記第1及び第2の受信コイル(5、6)に対する前記金属材料(M)の前記エッジ(E)の位置及び表面(19)からの距離をそれぞれ決定するステップ(S37)と、をさらに備える、[1]から[9]のいずれか一項に記載の方法。
[11] 金属材料(M)のエッジ(E)におけるクラック(C)を決定するための装置(1、1’)であって、前記エッジは、半径(R)を備えた曲率を有し、
- 前記金属材料中に磁場を発生させるように配置された送信コイル(3)と、
- 前記磁場を検出するように配置された受信コイル(5)と、
- 前記金属材料中に前記磁場を発生させるための、前記送信コイルへ第1の大きさ(I1)を有する電流を送るように配置された信号発生器(7)と、
- 前記磁場が前記金属材料中で測定されることが望まれる最も深いクラック深さよりも深く侵入したことが推定されるときに前記電流が第2の大きさ(I2)を得るように前記信号発生器を制御するように構成された制御ユニット(9)と、
- 前記受信コイル(5)によって検出される磁場によって生成される信号(S(t))を受信し、前記第2の大きさを得るための前記電流の制御によるいずれの乱れも止まったことが推定された第1の時点(t1)で前記第1の時点(t1)における前記信号の第1の信号値(St1)を決定するように構成されたコンピューティング装置(12)と、を備え、
前記コンピューティング装置は、前記第1の時点の後の第2の時点(t2)で前記信号の第2の信号値(St2)を決定し、前記第2の時点の後の第3の時点(t3)で前記信号の第3の信号値(St3)を決定するようにさらに構成され、
ここにおいて、前記コンピューティング装置は、信号値の以下の組合せ、すなわち、前記第1の信号値(St1)と前記第2の信号値(St2)、前記第2の信号値(St2)と前記第3の信号値(St3)、及び前記第1の信号値(St1)と前記第3の信号値(St3)のうちの少なくとも2つの間の特性関係を決定することによって、前記第1、第2、及び第3の信号値(St1、St2、St3)に基づいて、クラック(C)の存在の可能性及びそのクラック深さ(CD)を決定するようにさらに構成されている、装置(1、1’)。
[12] 送信コイルが、動作時に、少なくともその一部が前記金属材料の前記エッジの外側に配置されるように構成されている、[11]に記載の装置。
[13] 前記送信コイルは、動作時に、少なくともその一部が前記金属材料の前記エッジの内側に配置されるように構成されている、[12]に記載の装置。
[14] 前記コンピューティング装置は、前記エッジの曲率の半径変化のいずれの影響も止まったことが推定された時点である前記第3の時点(t3)で前記第3の信号値(St3)を決定するように構成されている、[11]から[13]のいずれか一項に記載の装置。
[15] 前記コンピューティング装置は、前記第1の時点(t1)、前記第2の時点(t2)、及び前記第3の時点(t3)において、それぞれ、前記第1の信号値(St1)、前記第2の信号値(St2)、及び前記第3の信号値(St3)を決定するように構成されており、ここにおいて、前記第1、第2、及び第3の時点(t1、t2、t3)は、別々の時点である、[11]から[14]のいずれか一項に記載の装置。
[16] 前記受信コイル(5)は第1の受信コイル(5)であり、前記装置は第2の受信コイル(6)をさらに備え、ここにおいて、前記コンピューティング装置は、前記第2の受信コイル(6)によって検出された磁場によって生成された信号(Sr(t))を受信するようにさらに構成され、前記第1又は第2の受信コイル(5、6)に対する前記金属材料の前記エッジの位置及び表面(19)からの距離を決定するように構成されている、[11]から[15]のいずれか一項に記載の装置。
Claims (14)
- 金属材料(M)のエッジ(E)におけるクラック(C)を決定する方法であって、前記エッジ(E)は、半径(R)を備えた曲率を有し、前記方法は、
- 前記金属材料(M)中に磁場を発生させるために送信コイル(3)へ第1の大きさ(I1)を有する電流を送るステップと(S10)と、
- 前記磁場が、前記金属材料(M)中で測定されることが望まれる最も深いクラック深さよりも深く侵入したことが推定されるときに、前記電流が第2の大きさ(I2)を得るように前記電流を制御するステップ(S20)と、
- 受信コイル(5)によって前記磁場を検出するステップ(S30)と、ここで、検出された磁場が、前記受信コイル(5)中に信号(S(t))を発生させ、
- 前記第2の大きさを得るための前記電流の制御によるいずれの乱れも止まったことが推定された第1の時点(t1)で前記信号の第1の信号値(St1)を決定するステップ(S40)と、
- 前記第1の時点(t1)の後の第2の時点(t2)で前記信号の第2の信号値(St2)を決定するステップ(S50)と、
- 前記第2の時点(t2)の後の第3の時点(t3)で前記信号の第3の信号値(St3)を決定するステップ(S60)と、
- 信号値の以下の組合せ、すなわち、前記第1の信号値(St1)と前記第2の信号値(St2)、前記第2の信号値(St2)と前記第3の信号値(St3)、及び前記第1の信号値(St1)と前記第3の信号値(St3)のうちの少なくとも2つの間の特性関係を決定することによって前記第1、第2、及び第3の信号値(St1、St2、St3)に基づいてクラックの存在の可能性及びそのクラック深さを決定するステップ(S70)と、を備え、
前記金属材料(M)の前記エッジ(E)の外側に前記送信コイル(3)の少なくとも一部を設けるステップ(S5)をさらに備える、方法。 - 前記第3の時点(t3)は、前記エッジの前記曲率の半径変化のいずれの影響も止まったことが推定された時点である、請求項1に記載の方法。
- クラックの存在の可能性及びそのクラック深さを決定する前記ステップ(S70)は、前記特性関係を対応する基準信号と比較することを備える、請求項1又は2に記載の方法。
- - 基準位置に対しての前記エッジの位置に基づいてエッジ位置パラメータを確立するステップ(S62)と、
- 前記エッジの前記曲率の前記半径に基づいて半径パラメータを確立するステップ(S63)と、
をさらに備え、
前記特性関係は、前記エッジ位置パラメータ及び前記半径パラメータから独立している、請求項1から3のいずれか一項に記載の方法。 - - クラックを有し、前記半径パラメータの第1の半径基準値及び前記エッジ位置パラメータの第1のエッジ基準値を有する金属材料のための第1の基準信号(Sa(t))を確立するステップと、
- クラックを有さず、前記半径パラメータの前記第1の半径基準値及び前記エッジ位置パラメータの前記第1のエッジ基準値を有する金属材料のための第2の基準信号(Sb(t))を確立するステップ(S64)と、
- クラックを有さず、前記第1の半径基準値を有し、前記第1のエッジ基準値に対しての前記エッジ位置パラメータの所定の変化を伴う金属材料のための第3の基準信号(Sc(t))を確立するステップ(S65)と、
- クラックを有さず、前記第1のエッジ基準値を有し、前記第1の半径基準値に対しての前記半径パラメータの所定の変化を伴う金属材料のための第4の基準信号(Sd(t))を確立するステップ(S66)と、
をさらに備える、請求項3に従属する請求項4に記載の方法。 - クラックの可能性のある存在及びそのクラック深さを決定する前記ステップ(S70)は、前記第1、第2、第3、及び/又は第4の基準信号(Sa(t)、Sb(t)、Sc(t)、Sd(t))の対応する信号値に関する前記特性関係を使用することを含む、請求項5に記載の方法。
- 前記エッジ位置パラメータは、基準位置に対しての前記エッジの位置を表し、又は基準位置に対しての前記エッジの位置に対応し、前記半径パラメータは、前記エッジの曲率の半径を表し、又は前記エッジの曲率の半径に対応する、請求項5又は6に記載の方法。
- 前記第1、第2、及び第3の時点は、別々の時点である、請求項1から7のいずれか一項に記載の方法。
- 前記受信コイル(5)は、第1の受信コイル(5)であり、
- 第2の受信コイル(6)によって前記磁場を検出するステップ(S35)と、ここで、検出された磁場が、前記第2の受信コイル(6)中に信号(Sr(t))を発生させ、
- 前記第1及び第2の受信コイル(5、6)に対する前記金属材料(M)の前記エッジ(E)の位置及び表面(19)からの距離をそれぞれ決定するステップ(S37)と、をさらに備える、請求項1から8のいずれか一項に記載の方法。 - 金属材料(M)のエッジ(E)におけるクラック(C)を決定するための装置(1、1’)であって、前記エッジは、半径(R)を備えた曲率を有し、
- 前記金属材料中に磁場を発生させるように配置された送信コイル(3)と、
- 前記磁場を検出するように配置された受信コイル(5)と、
- 前記金属材料中に前記磁場を発生させるために前記送信コイルへ第1の大きさ(I1)を有する電流を送るように構成された信号発生器(7)と、
- 前記磁場が前記金属材料中で測定されることが望まれる最も深いクラック深さよりも深く侵入したことが推定されるときに前記電流が第2の大きさ(I2)を得るように前記信号発生器を制御するように構成された制御ユニット(9)と、
- 前記受信コイル(5)によって検出される磁場によって生成される信号(S(t))を受信し、前記第2の大きさを得るための前記電流の制御によるいずれの乱れも止まったことが推定された第1の時点(t1)で前記第1の時点(t1)における前記信号の第1の信号値(St1)を決定するように構成されたコンピューティング装置(12)と、を備え、
前記コンピューティング装置は、前記第1の時点の後の第2の時点(t2)で前記信号の第2の信号値(St2)を決定し、前記第2の時点の後の第3の時点(t3)で前記信号の第3の信号値(St3)を決定するようにさらに構成され、
ここにおいて、前記コンピューティング装置は、信号値の以下の組合せ、すなわち、前記第1の信号値(St1)と前記第2の信号値(St2)、前記第2の信号値(St2)と前記第3の信号値(St3)、及び前記第1の信号値(St1)と前記第3の信号値(St3)のうちの少なくとも2つの間の特性関係を決定することによって、前記第1、第2、及び第3の信号値(St1、St2、St3)に基づいて、クラック(C)の存在の可能性及びそのクラック深さ(CD)を決定するようにさらに構成されており、前記送信コイルが、動作時に、少なくともその一部が前記金属材料の前記エッジの外側に配置されるように構成されている、装置(1、1’)。 - 前記送信コイルは、動作時に、少なくともその一部が前記金属材料の前記エッジの内側に配置されるように構成されている、請求項10に記載の装置。
- 前記コンピューティング装置は、前記エッジの曲率の半径変化のいずれの影響も止まったことが推定された時点である前記第3の時点(t3)で前記第3の信号値(St3)を決定するように構成されている、請求項10又は11に記載の装置。
- 前記コンピューティング装置は、前記第1の時点(t1)、前記第2の時点(t2)、及び前記第3の時点(t3)において、それぞれ、前記第1の信号値(St1)、前記第2の信号値(St2)、及び前記第3の信号値(St3)を決定するように構成されており、ここにおいて、前記第1、第2、及び第3の時点(t1、t2、t3)は、別々の時点である、請求項10から12のいずれか一項に記載の装置。
- 前記受信コイル(5)は第1の受信コイル(5)であり、前記装置は第2の受信コイル(6)をさらに備え、ここにおいて、前記コンピューティング装置は、前記第2の受信コイル(6)によって検出された磁場によって生成された信号(Sr(t))を受信するようにさらに構成され、前記第1又は第2の受信コイル(5、6)に対する前記金属材料の前記エッジの位置及び表面(19)からの距離を決定するように構成されている、請求項10から13のいずれか一項に記載の装置。
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