JP7437161B2 - フローセル - Google Patents

フローセル Download PDF

Info

Publication number
JP7437161B2
JP7437161B2 JP2019571401A JP2019571401A JP7437161B2 JP 7437161 B2 JP7437161 B2 JP 7437161B2 JP 2019571401 A JP2019571401 A JP 2019571401A JP 2019571401 A JP2019571401 A JP 2019571401A JP 7437161 B2 JP7437161 B2 JP 7437161B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
primer
cleavable
region
functionalized
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2019571401A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2021512587A (ja
Inventor
エス フィッシャー ジェフリー
ディー マザー ブライアン
キャンデラリア ロジャート バシガルポ マリア
フラートン ジャスティン
ヴィンセント リュドヴィク
ジェー クラフト ルイス
ホン サンキ
ボヤノフ ボヤン
シェーン ボーエン エム
パク サン
エヌ ジョージ ウェイン
エイ ブラウン アンドリュー
ユアン ダジュン
Original Assignee
イラミーナ インコーポレーテッド
イルミナ ケンブリッジ リミテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by イラミーナ インコーポレーテッド, イルミナ ケンブリッジ リミテッド filed Critical イラミーナ インコーポレーテッド
Publication of JP2021512587A publication Critical patent/JP2021512587A/ja
Priority to JP2022092251A priority Critical patent/JP2022141628A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7437161B2 publication Critical patent/JP7437161B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C12BIOCHEMISTRY; BEER; SPIRITS; WINE; VINEGAR; MICROBIOLOGY; ENZYMOLOGY; MUTATION OR GENETIC ENGINEERING
    • C12QMEASURING OR TESTING PROCESSES INVOLVING ENZYMES, NUCLEIC ACIDS OR MICROORGANISMS; COMPOSITIONS OR TEST PAPERS THEREFOR; PROCESSES OF PREPARING SUCH COMPOSITIONS; CONDITION-RESPONSIVE CONTROL IN MICROBIOLOGICAL OR ENZYMOLOGICAL PROCESSES
    • C12Q1/00Measuring or testing processes involving enzymes, nucleic acids or microorganisms; Compositions therefor; Processes of preparing such compositions
    • C12Q1/68Measuring or testing processes involving enzymes, nucleic acids or microorganisms; Compositions therefor; Processes of preparing such compositions involving nucleic acids
    • C12Q1/6869Methods for sequencing
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F220/00Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F220/02Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
    • C08F220/52Amides or imides
    • C08F220/54Amides, e.g. N,N-dimethylacrylamide or N-isopropylacrylamide
    • C08F220/56Acrylamide; Methacrylamide
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04Polysiloxanes
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J19/00Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J19/0046Sequential or parallel reactions, e.g. for the synthesis of polypeptides or polynucleotides; Apparatus and devices for combinatorial chemistry or for making molecular arrays
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F212/00Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an aromatic carbocyclic ring
    • C08F212/02Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical
    • C08F212/04Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical containing one ring
    • C08F212/06Hydrocarbons
    • C08F212/08Styrene
    • C08F212/10Styrene with nitriles
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F299/00Macromolecular compounds obtained by interreacting polymers involving only carbon-to-carbon unsaturated bond reactions, in the absence of non-macromolecular monomers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04Polysiloxanes
    • C08G77/14Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C12BIOCHEMISTRY; BEER; SPIRITS; WINE; VINEGAR; MICROBIOLOGY; ENZYMOLOGY; MUTATION OR GENETIC ENGINEERING
    • C12NMICROORGANISMS OR ENZYMES; COMPOSITIONS THEREOF; PROPAGATING, PRESERVING, OR MAINTAINING MICROORGANISMS; MUTATION OR GENETIC ENGINEERING; CULTURE MEDIA
    • C12N15/00Mutation or genetic engineering; DNA or RNA concerning genetic engineering, vectors, e.g. plasmids, or their isolation, preparation or purification; Use of hosts therefor
    • C12N15/09Recombinant DNA-technology
    • C12N15/10Processes for the isolation, preparation or purification of DNA or RNA
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C12BIOCHEMISTRY; BEER; SPIRITS; WINE; VINEGAR; MICROBIOLOGY; ENZYMOLOGY; MUTATION OR GENETIC ENGINEERING
    • C12NMICROORGANISMS OR ENZYMES; COMPOSITIONS THEREOF; PROPAGATING, PRESERVING, OR MAINTAINING MICROORGANISMS; MUTATION OR GENETIC ENGINEERING; CULTURE MEDIA
    • C12N15/00Mutation or genetic engineering; DNA or RNA concerning genetic engineering, vectors, e.g. plasmids, or their isolation, preparation or purification; Use of hosts therefor
    • C12N15/09Recombinant DNA-technology
    • C12N15/10Processes for the isolation, preparation or purification of DNA or RNA
    • C12N15/1003Extracting or separating nucleic acids from biological samples, e.g. pure separation or isolation methods; Conditions, buffers or apparatuses therefor
    • C12N15/1006Extracting or separating nucleic acids from biological samples, e.g. pure separation or isolation methods; Conditions, buffers or apparatuses therefor by means of a solid support carrier, e.g. particles, polymers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C12BIOCHEMISTRY; BEER; SPIRITS; WINE; VINEGAR; MICROBIOLOGY; ENZYMOLOGY; MUTATION OR GENETIC ENGINEERING
    • C12NMICROORGANISMS OR ENZYMES; COMPOSITIONS THEREOF; PROPAGATING, PRESERVING, OR MAINTAINING MICROORGANISMS; MUTATION OR GENETIC ENGINEERING; CULTURE MEDIA
    • C12N15/00Mutation or genetic engineering; DNA or RNA concerning genetic engineering, vectors, e.g. plasmids, or their isolation, preparation or purification; Use of hosts therefor
    • C12N15/09Recombinant DNA-technology
    • C12N15/11DNA or RNA fragments; Modified forms thereof; Non-coding nucleic acids having a biological activity
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C12BIOCHEMISTRY; BEER; SPIRITS; WINE; VINEGAR; MICROBIOLOGY; ENZYMOLOGY; MUTATION OR GENETIC ENGINEERING
    • C12QMEASURING OR TESTING PROCESSES INVOLVING ENZYMES, NUCLEIC ACIDS OR MICROORGANISMS; COMPOSITIONS OR TEST PAPERS THEREFOR; PROCESSES OF PREPARING SUCH COMPOSITIONS; CONDITION-RESPONSIVE CONTROL IN MICROBIOLOGICAL OR ENZYMOLOGICAL PROCESSES
    • C12Q1/00Measuring or testing processes involving enzymes, nucleic acids or microorganisms; Compositions therefor; Processes of preparing such compositions
    • C12Q1/68Measuring or testing processes involving enzymes, nucleic acids or microorganisms; Compositions therefor; Processes of preparing such compositions involving nucleic acids
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C12BIOCHEMISTRY; BEER; SPIRITS; WINE; VINEGAR; MICROBIOLOGY; ENZYMOLOGY; MUTATION OR GENETIC ENGINEERING
    • C12QMEASURING OR TESTING PROCESSES INVOLVING ENZYMES, NUCLEIC ACIDS OR MICROORGANISMS; COMPOSITIONS OR TEST PAPERS THEREFOR; PROCESSES OF PREPARING SUCH COMPOSITIONS; CONDITION-RESPONSIVE CONTROL IN MICROBIOLOGICAL OR ENZYMOLOGICAL PROCESSES
    • C12Q1/00Measuring or testing processes involving enzymes, nucleic acids or microorganisms; Compositions therefor; Processes of preparing such compositions
    • C12Q1/68Measuring or testing processes involving enzymes, nucleic acids or microorganisms; Compositions therefor; Processes of preparing such compositions involving nucleic acids
    • C12Q1/6806Preparing nucleic acids for analysis, e.g. for polymerase chain reaction [PCR] assay
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0046Photosensitive materials with perfluoro compounds, e.g. for dry lithography
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/038Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/075Silicon-containing compounds
    • G03F7/0755Non-macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/075Silicon-containing compounds
    • G03F7/0757Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/165Monolayers, e.g. Langmuir-Blodgett
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/00274Sequential or parallel reactions; Apparatus and devices for combinatorial chemistry or for making arrays; Chemical library technology
    • B01J2219/00277Apparatus
    • B01J2219/00279Features relating to reactor vessels
    • B01J2219/00306Reactor vessels in a multiple arrangement
    • B01J2219/00313Reactor vessels in a multiple arrangement the reactor vessels being formed by arrays of wells in blocks
    • B01J2219/00315Microtiter plates
    • B01J2219/00317Microwell devices, i.e. having large numbers of wells
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/00274Sequential or parallel reactions; Apparatus and devices for combinatorial chemistry or for making arrays; Chemical library technology
    • B01J2219/00277Apparatus
    • B01J2219/00497Features relating to the solid phase supports
    • B01J2219/00527Sheets
    • B01J2219/00529DNA chips
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/00274Sequential or parallel reactions; Apparatus and devices for combinatorial chemistry or for making arrays; Chemical library technology
    • B01J2219/00583Features relative to the processes being carried out
    • B01J2219/00603Making arrays on substantially continuous surfaces
    • B01J2219/00605Making arrays on substantially continuous surfaces the compounds being directly bound or immobilised to solid supports
    • B01J2219/00608DNA chips
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/00274Sequential or parallel reactions; Apparatus and devices for combinatorial chemistry or for making arrays; Chemical library technology
    • B01J2219/00583Features relative to the processes being carried out
    • B01J2219/00603Making arrays on substantially continuous surfaces
    • B01J2219/00605Making arrays on substantially continuous surfaces the compounds being directly bound or immobilised to solid supports
    • B01J2219/00614Delimitation of the attachment areas
    • B01J2219/00617Delimitation of the attachment areas by chemical means
    • B01J2219/00619Delimitation of the attachment areas by chemical means using hydrophilic or hydrophobic regions
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/00274Sequential or parallel reactions; Apparatus and devices for combinatorial chemistry or for making arrays; Chemical library technology
    • B01J2219/00583Features relative to the processes being carried out
    • B01J2219/00603Making arrays on substantially continuous surfaces
    • B01J2219/00605Making arrays on substantially continuous surfaces the compounds being directly bound or immobilised to solid supports
    • B01J2219/00614Delimitation of the attachment areas
    • B01J2219/00621Delimitation of the attachment areas by physical means, e.g. trenches, raised areas
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/00274Sequential or parallel reactions; Apparatus and devices for combinatorial chemistry or for making arrays; Chemical library technology
    • B01J2219/00718Type of compounds synthesised
    • B01J2219/0072Organic compounds
    • B01J2219/00722Nucleotides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C12BIOCHEMISTRY; BEER; SPIRITS; WINE; VINEGAR; MICROBIOLOGY; ENZYMOLOGY; MUTATION OR GENETIC ENGINEERING
    • C12QMEASURING OR TESTING PROCESSES INVOLVING ENZYMES, NUCLEIC ACIDS OR MICROORGANISMS; COMPOSITIONS OR TEST PAPERS THEREFOR; PROCESSES OF PREPARING SUCH COMPOSITIONS; CONDITION-RESPONSIVE CONTROL IN MICROBIOLOGICAL OR ENZYMOLOGICAL PROCESSES
    • C12Q2565/00Nucleic acid analysis characterised by mode or means of detection
    • C12Q2565/50Detection characterised by immobilisation to a surface
    • C12Q2565/513Detection characterised by immobilisation to a surface characterised by the pattern of the arrayed oligonucleotides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C12BIOCHEMISTRY; BEER; SPIRITS; WINE; VINEGAR; MICROBIOLOGY; ENZYMOLOGY; MUTATION OR GENETIC ENGINEERING
    • C12QMEASURING OR TESTING PROCESSES INVOLVING ENZYMES, NUCLEIC ACIDS OR MICROORGANISMS; COMPOSITIONS OR TEST PAPERS THEREFOR; PROCESSES OF PREPARING SUCH COMPOSITIONS; CONDITION-RESPONSIVE CONTROL IN MICROBIOLOGICAL OR ENZYMOLOGICAL PROCESSES
    • C12Q2565/00Nucleic acid analysis characterised by mode or means of detection
    • C12Q2565/50Detection characterised by immobilisation to a surface
    • C12Q2565/518Detection characterised by immobilisation to a surface characterised by the immobilisation of the nucleic acid sample or target
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C12BIOCHEMISTRY; BEER; SPIRITS; WINE; VINEGAR; MICROBIOLOGY; ENZYMOLOGY; MUTATION OR GENETIC ENGINEERING
    • C12QMEASURING OR TESTING PROCESSES INVOLVING ENZYMES, NUCLEIC ACIDS OR MICROORGANISMS; COMPOSITIONS OR TEST PAPERS THEREFOR; PROCESSES OF PREPARING SUCH COMPOSITIONS; CONDITION-RESPONSIVE CONTROL IN MICROBIOLOGICAL OR ENZYMOLOGICAL PROCESSES
    • C12Q2565/00Nucleic acid analysis characterised by mode or means of detection
    • C12Q2565/50Detection characterised by immobilisation to a surface
    • C12Q2565/537Detection characterised by immobilisation to a surface characterised by the capture oligonucleotide acting as a primer
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/30Hydrogen technology
    • Y02E60/50Fuel cells

Description

関連出願の相互参照
本出願は、2018年6月29日に出願された米国仮出願第62/692,511号および2018年10月9日に出願された米国仮出願第62/743,373号の利益を主張し、その各々の内容は、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
配列表の参照
配列EFS-ウェブを通じて提出された配列表は、その全体を参照して組み込まれている。ファイル名はILI172APCT_IP-1806-PCT_Sequence_Listing_ST25.txt、ファイルサイズは551バイト、ファイル作成日は2019年5月20日である。
核酸を配列決定するためのいくつかの利用可能なプラットフォームは、合成による配列決定アプローチを利用する。このアプローチを用いて、発生期のストランドが合成され、そして成長するストランドへの各モノマー(単量体)(例えば、ヌクレオチド)の付加が、光学的および/または電子的に検出される。鋳型(テンプレート)ストランドは発生期ストランドの合成を方向づけるので、合成の間に成長ストランドに添加された一連のヌクレオチドモノマーから鋳型DNAの配列を推測することができる。いくつかの例において、ペアエンド(対末端)配列決定が使用され得、ここで、順方向ストランドが配列決定され、そして除去され、次いで、逆方向ストランドが構築され、そして配列決定される。
イントロダクション
本明細書に開示される第1の態様は、基材と、基材上の第1の領域に結合した第1のプライマーセットであって、切断不可能な第1のプライマーおよび切断可能な第2のプライマーを含む第1のプライマーセットと、基材上の第2の領域に結合した第2のプライマーセットであって、切断可能な第1のプライマーおよび切断不可能な第2のプライマーを含む第2のプライマーセットとを含むフローセルである。
第1の態様の一例では、第1の領域は、第1の官能基を有する材料を含み、第2の領域は、第1の官能基とは異なった第2の官能基を有する材料を含む。
第1の態様の一例では、フローセルは、第1のプライマーセットを第2のプライマーセットから分離するギャップをさらに含む。
第1の態様の一例では、基材は、間隙領域によって分離された凹部を含み、凹部のそれぞれは、第1の部分に位置する第1の領域と、第2の部分に位置する第2の領域とを含む。この例の1つのバージョンでは、フローセルは、第1の領域を第2の領域から分離するギャップをさらに含むことができる。この例の別のバージョンでは、第1の領域と第2の領域とが部分的に重なり合う。この例のさらに別のバージョンでは、第1および第2の部分は、異なる深さを有する。この実施例のさらなるバージョンでは、第1および第2の領域は、ブロック共ポリマー(ブロックコポリマー)の異なるブロックである。
第1の態様の一例では、基材は、間隙領域によって分離された凹部を含み、凹部のそれぞれは、第1の領域を含み、第2の領域は、間隙領域の少なくともいくつかの上に位置する。
第1の態様の一例では、第1の領域は、第1のポリマーを含み、第1のプライマーセットは、第1のポリマーにグラフト(移植)され、第2の領域は、第2のポリマーを含み、第2のプライマーセットは、第2のポリマーにグラフトされる。この実施形態の1つの態様では、フローセルは、第1のプライマーセット上および第1のポリマー上に保護塗装をさらに含む。この実施形態の別の態様では、第1のポリマーは、基材上の第1の層であり、第2のポリマーは、第1の層上の第2の層であり、フローセルは、第2の層上のパッシベーション(不動態化)樹脂と、パッシベーション樹脂、第2のポリマー、および第1のポリマーに画定された特徴(形状)とをさらに含み、第1および第2のプライマーセットのそれぞれは、特徴のそれぞれで露出される。
第1の態様の一例では、基材は、間隙領域によって分離された凹部を含み、凹部のそれぞれは、第1の領域が位置する第1の部分と、第2の部分とを含み、フローセルは、第2の部分に位置するビーズ(ビード)をさらに含み、第2の領域は、ビーズの表面にある。
第1の態様の一例では、切断可能な第1のプライマーは第1の切断部位を含み、切断可能な第2のプライマーは第2の切断部位を含み、第1および第2の切断部位は同一タイプである。この例の1つのバージョンでは、切断不可能な第1のプライマー、切断可能な第2のプライマー、切断可能な第1のプライマー、および切断可能な第2のプライマーのそれぞれは、それぞれのリンカーを含み、第1の切断可能なプライマーの第1の切断部位は、そのリンカーに沿って位置し、第2の切断可能なプライマーの第2の切断部位は、そのリンカーに沿って位置する。
第1の態様の一例では、切断可能な第1のプライマーは第1の切断部位を含み、切断可能な第2のプライマーは第2の切断部位を含み、第1および第2の切断部位は異なるタイプである。この例の1つのバージョンでは、切断不可能な第1のプライマー、切断可能な第2のプライマー、切断可能な第1のプライマー、および切断可能な第2のプライマーのそれぞれは、それぞれのリンカーを含み、第1の切断可能なプライマーの第1の切断部位は、そのリンカーに沿って位置し、第2の切断可能なプライマーの第2の切断部位は、そのリンカーに沿って位置する。
第1の態様の一例では、第1のプライマーセットは、第1の保持体構造に結合され、第1の領域は、第1の保持体構造に結合された第1の捕捉部位であり、第2のプライマーセットは、第1の保持体構造とは異なった第2の保持体構造に結合され、第2の領域は、第2の保持体構造に結合された第2の捕捉部位である。
本明細書に開示された第1の態様の任意の特徴は、任意の望ましい方法および/または構成で一緒に組み合わせることができることを理解されたい。
本明細書に開示される第2の態様は、第1の基材と、第1の基材に結合した第1のプライマーセットであって、切断不可能な第1のプライマーおよび切断可能な第2のプライマーを含む第1のプライマーセットと、第1の基材に対向する第2の基材と、第2の基材に結合した第2のプライマーセットとを含み、第2のプライマーセットは、切断可能な第1のプライマーおよび切断不可能な第2のプライマーを含むフローセルである。
第2の態様の任意の特徴は、任意の望ましい方法で一緒に組み合わせることができることを理解されたい。さらに、第1の態様および/または第2の態様の特徴の任意の組み合わせが、一緒に使用されてもよく、および/または本明細書で開示された例の任意のものと組み合わせられてもよいことを理解されたい。
本明細書に開示される第3の態様は、間隙領域によって分離された凹部を含む基材と、第1のポリマー層のいくつかの官能基がキャップされる、凹部のそれぞれの中の第1のポリマー層と、凹部のそれぞれの中の第1のポリマー層の他の官能基に結合された第1のプライマーセットと、間隙領域上の第2のポリマー層と、流体キャリアを含むプライミング流体と、第1のプライマーセットとは異なった第2のプライマーセットとを含む、フローセルを含むキットである。
第3の態様の例では、第1のプライマーセットは、切断不可能な第1のプライマーおよび切断可能な第2のプライマーを含み、第2のプライマーセットは、切断可能な第1のプライマーおよび切断不可能な第2のプライマーを含む。
第3の態様の任意の特徴は、任意の望ましい方法で一緒に組み合わせることができることを理解されたい。さらに、第3の態様および/または第2の態様および/または第1の態様の特徴の任意の組み合わせが、一緒に使用されてもよく、および/または本明細書で開示される例の任意のものと組み合わせられてもよいことを理解されたい。
本明細書に開示される第4の態様は、フローセルに鋳型流体を導入することを含む方法であって、フローセルは、間隙領域によって分離された凹部を含む基材と、凹部のそれぞれの中における第1のポリマー層であって、露出した官能基がキャップされている第1のポリマー層と、凹部のそれぞれの中の第1のポリマー層に結合し、切断可能な第1のプライマーセットおよび切断不可能な第2のプライマーを含む第1のプライマーセットと、間隙領域上の第2のポリマー層とを含み、これにより、鋳型流体からの鋳型が増幅されて凹部の少なくともいくつかの中にクラスターを形成し、切断不可能な第1のプライマーおよび切断可能な第2のプライマーを含むプライミング流体をフローセルに導入し、これにより、切断不可能な第1のプライマーおよび切断可能な第2のプライマーが第2のポリマー層にグラフトされ、クラスターから切断不可能な第1のプライマーおよび切断可能な第2のプライマーへのブリッジ増幅(bridgeamplification)を開始し、これにより、間隙領域の少なくともいくつかの上に第2のクラスターを形成する、方法である。
第4の態様の任意の特徴は、任意の望ましい方法で一緒に組み合わせることができることを理解されたい。さらに、第4の態様および/または第3の態様および/または第2の態様および/または第1の態様の特徴の任意の組み合わせが、一緒に使用されてもよく、および/または本明細書で開示される例の任意のものと組み合わせられてもよいことを理解されたい。
本明細書に開示される第5の態様は、間隙領域によって分離された凹部を含む基材と、凹部のそれぞれにある第1のポリマー層と、第1のポリマー層に取り付けられた第1のプライマーセットであって、切断可能な第1のプライマーおよび切断不可能な第2のプライマーを含む第1のプライマーセットと、第1のポリマー層上および第1のプライマーセット上の任意の光学保護塗装層と、間隙領域上の第2のポリマー層と、第2のポリマー層に取り付けられた第2のプライマーセットであって、切断不可能な第1のプライマーおよび切断可能な第2のプライマーを含む第2のプライマーセットと、を含むフローセルに鋳型流体を導入するステップであって、これにより、鋳型流体からの鋳型が増幅されて、凹部の少なくともいくつかおよび間隙領域の少なくともいくつかにクラスターを形成するステップと、切断可能な第1のプライマーおよび切断可能な第2のプライマーを切断するステップとを含む、方法である。
第5の態様の任意の特徴は、任意の望ましい方法で一緒に組み合わせることができることを理解されたい。さらに、第5の態様および/または第3の態様および/または第2の態様および/または第1の態様の特徴の任意の組み合わせが、一緒に使用されてもよく、および/または本明細書で開示される例の任意のものと組み合わせられてもよいことを理解されたい。
本明細書に開示される第6の態様は、保持体と、保持体上のパターン化(パターニング/パターン形成)された樹脂であって、間隙領域によって分離された第1の凹部および第2の凹部を含み、第1の凹部は、第2の凹部よりも小さい開口部寸法を有する、パターン化された樹脂と、第1の凹部の少なくともいくつかに取り付けられた第1のプライマーセットと、第2の凹部の少なくともいくつかにそれぞれ配置された官能基を有するビーズとを含み、官能基を有するビーズは、コア構造の表面に取り付けられた第2のプライマーセットを含み、第2のプライマーセットは、第1のプライマーセットとは異なっている、フローセルである。
第6の態様では、官能基を有するビーズのコア構造は、二酸化ケイ素、超常磁性物質、ポリスチレン、およびアクリル酸塩からなる群から選択される。
第6の態様の一例では、パターン化された樹脂は、多面体オリゴマーシルセスキオキサン樹脂(POSS)ベースの樹脂、エポキシ樹脂、ポリ(エチレングリコール)樹脂、ポリエーテル樹脂、アクリル樹脂、アクリル酸塩樹脂、メタクリレート樹脂、およびこれらの組み合わせからなる群から選択される。
第6の態様の一例では、フローセルは、第1の凹部および第2の凹部にポリマーをさらに含み、第1のプライマーセットは、第1の凹部の少なくともいくつかのポリマーに結合される。この例の1つのバージョンでは、官能基を有するビーズは、第2の凹部の少なくともいくつかのポリマー上に配置される。この例の別のバージョンでは、第1のプライマーセットはまた、第2の凹部の少なくともいくつかのポリマーに結合され、官能基を有するビーズは、第2の凹部の少なくともいくつかの第1のプライマーセット上に配置される。
第6の態様の例では、第1のプライマーセットは、第1のプライマーおよびウラシル修飾された第2のプライマーを含み、第2のプライマーセットは、ウラシル修飾された第1のプライマーおよび第2のプライマーを含む。
本明細書に開示された第6の態様の任意の特徴は、任意の望ましい方法および/または構成で一緒に組み合わせることができることを理解されたい。
本明細書に開示される第7の態様は、保持体と、保持体上のパターン化された樹脂であって、間隙領域によって分離された凹部を含むパターン化された樹脂と、凹部の少なくともいくつかに取り付けられた第1のプライマーセットと、第1のプライマーセットの少なくともいくつかのプライマーが露出されるように、凹部の少なくともいくつかに配置された官能化されたビーズとを含み、官能化されたビーズは、コア構造の表面に取り付けられた第2のプライマーセットを含み、第2のプライマーセットは、第1のプライマーセットとは異なっている、フローセルである。
第7の態様の一例では、凹部のそれぞれは、官能基を有するビーズの直径より大きいかまたは等しい第1の開口部寸法を有する第1の部分と、官能基を有するビーズの直径より小さい第2の開口部寸法を有する第2の部分とを含み、官能基を有するビーズは、凹部の少なくともいくつかのそれぞれの第1の部分に配置される。
第7の態様の一例では、官能基を有するビーズのコア構造は、二酸化ケイ素、超常磁性物質、ポリスチレン、およびアクリル酸塩からなる群から選択される。
第7の態様の一例では、パターン化された樹脂は、多面体オリゴマーシルセスキオキサン樹脂(POSS)ベースの樹脂、エポキシ樹脂、ポリ(エチレングリコール)樹脂、ポリエーテル樹脂、アクリル樹脂、アクリル酸塩樹脂、メタクリレート樹脂、およびこれらの組み合わせからなる群から選択される。
第7の態様の一例では、フローセルは、凹部においてポリマーをさらに含む。この局面の1つのバージョンにおいて、第1のプライマーセットは、官能基を有するビーズによって占有されていないポリマーの部分に結合される。このバージョンの一例では、第1のプライマーセットは、凹部においてポリマーに結合され、官能基を有するビーズは、第1のプライマーセットのいくつかの他のプライマー上に配置される。
本明細書に開示された第7の態様の任意の特徴は、任意の望ましい方法および/または構成で一緒に組み合わせることができることを理解されたい。
本明細書に開示される第8の態様は、保持体上のパターン化された樹脂の凹部にポリマーを選択的に適用(塗布)することと、第1のプライマーセットを少なくともいくつかの凹部にポリマーにグラフトすることと、第1のプライマーセットをグラフトする前後に、i)少なくともいくつかの凹部のそれぞれの一部に、またはii)少なくともいくつかの凹部よりも大きい開口部寸法を有する第2の凹部に官能基を有するビーズを堆積させることとを含み、官能基を有するビーズは、コア構造の表面に結合された第2のプライマーセットを含み、第1および第2のプライマーセットが異なっている、方法である。
第8の態様の実施形態では、官能基を有するビーズを堆積させる前に、該方法は、第2のプライマーセットをコア構造に結合させることによって官能基を有するビーズを形成することをさらに含む。
第8の態様の一例では、凹部の少なくともいくつかのそれぞれの部分は、官能基を有するビーズのそれぞれの直径より大きいかまたは等しい開口部寸法を有し、凹部の少なくともいくつかは、部分と相互接続された第2の部分を含み、第2の部分は、官能基を有するビーズのそれぞれの直径より小さい第2の開口部寸法を有し、官能基を有するビーズは、サイズ排除凹部の少なくともいくつかのそれぞれの部分に自己集合(セルフアセンブル)する。
第8の態様の一実施形態では、方法は、前記ポリマーを選択的に適用する前に、前記保持体上に樹脂を堆積させるステップと、ナノインプリントリソグラフィを用いて前記樹脂をパターン化するステップとによって、前記パターン化された樹脂を前記保持体上に形成するステップとをさらに含む。
第8の態様の任意の特徴は、任意の望ましい方法で一緒に組み合わせることができることを理解されたい。さらに、第8の態様および/または第7の態様および/または第6の態様および/または第1の態様の特徴の任意の組み合わせが、一緒に使用されてもよく、かつ/または本明細書で開示される例の任意のものと組み合わせられてもよいことを理解されたい。
本明細書に開示される第9の態様は、保持体と、保持体上のパターン化された樹脂であって、間隙領域によって分離された凹部を含むパターン化された樹脂と、凹部におけるパターン化された樹脂上のブロック共ポリマーであって、ブロック共ポリマーの各ブロックが、他の各ブロックのブロック特異的官能基とは異なるブロック特異的官能基を有する、ブロック共ポリマーと、ブロックのうちの少なくとも1つのブロック特異的官能基に結合されたプライマーとを含む、フローセルである。
第9の態様の一例では、パターン化された樹脂は、多面体オリゴマーシルセスキオキサン樹脂(POSS)ベースの樹脂、エポキシ樹脂、ポリ(エチレングリコール)樹脂、ポリエーテル樹脂、アクリル樹脂、アクリル酸塩樹脂、メタクリレート樹脂、およびこれらの組み合わせからなる群から選択される。この実施例の1つのバージョンでは、パターン化された樹脂はPOSSベースの樹脂であり、POSSベースの樹脂は架橋エポキシPOSS樹脂である。本実施例の別のバージョンでは、ブロック共ポリマーは、ブロック特異的官能基としてアミノ基を有するアクリルアミドモノマーを含む第1のブロックと、ブロック特異的官能基としてアジド基を有するアジドアセトアミドペンチルアクリルアミドモノマーを含む第2のブロックとを含む。この他の例では、ブロック共ポリマーは、
であり、
式中、Rは水素またはポリマー開始種末端基であり、nは1~10,000の範囲であり、mは1~10,000の範囲である。この実施別のバージョンの形態では、ブロック共ポリマーは、
であり、
式中、nは1~10,000の範囲であり、mは1~10,000の範囲である。
第9の態様では、パターン化された樹脂は、非晶質フッ素ポリマーである。この実施形態の一態様では、ブロック共ポリマーは、ブロック特異的官能基としてトリフルオロメチル基を有するモノマーを含む第1のブロックと、ブロック特異的官能基としてプライマーグラフト官能基を有するモノマーを含む第2のブロックとを含む。
第9の態様の一例では、ブロック共ポリマーは、ブロック特異的官能基としてプライマーグラフト化官能基を有するモノマーを含む第1のブロックと、第1および第2のブロックの相分離を駆動するための相互作用パラメータを調整するためのモノマーを含む第2のブロックとを含む。この実施形態の一態様では、プライマーグラフト化官能基はアジド基であり、第2のブロックのモノマーのブロック特異的官能基は、アミノ基、アルコール基、アリール基、および荷電基からなる群から選択される。
第9の態様の一例では、ブロック共ポリマーは、第1のブロック、第2のブロック、および第3のブロックを含む三元共ポリマーであり、第1のブロックのブロック特異的官能基は、パターン化された樹脂に結合され、第2のブロックのブロック特異的官能基は、プライマーに結合され、第3のブロックのブロック特異的官能基は、前記プライマーとは別の他のプライマーまたは酵素に結合される。
第9の態様の一例では、ブロック共ポリマーは、第1のブロック、第2のブロック、および第3のブロックを含む三元共ポリマーであり、第1のブロックのブロック特異的官能基は、パターン化された樹脂に結合され、第2のブロックのブロック特異的官能基は、プライマーに結合され、第3のブロックのブロック特異的官能基は、ブロック共ポリマーの表面自由エネルギーに影響を及ぼすか、またはブロック共ポリマーの安定性に影響を及ぼす。
第9の態様の一例では、凹部は、ウェルおよびトレンチからなる群から選択される。
第9の態様では、パターン化された樹脂およびブロック共ポリマーは、それぞれ、約25mN/m~約50mN/mの表面自由エネルギーを有する。
本明細書に開示された第9の態様の任意の特徴は、任意の望ましい方法および/または形状で一緒に組み合わせることができることを理解されたい。さらに、第9の態様および/または第1の態様の特徴の任意の組み合わせが、一緒に使用されてもよく、および/または本明細書で開示された例の任意のものと組み合わせられてもよいことを理解されたい。
本明細書に開示される第10の態様は、保持体と、保持体上のパターン化された多面体オリゴマーシルセスキオキサン(POSS)ベースの樹脂と、間隙領域によって分離された凹部を含むパターン化されたPOSSベースの樹脂と、凹部におけるパターン化されたPOSSベースの樹脂上の分離されたブロック共ポリマーであって、分離されたブロック共ポリマーの一方のブロックが、パターン化されたPOSSベースの樹脂に結合された官能基を有し、分離されたブロック共ポリマーの他方のブロックが別の官能基を有する、ブロック共ポリマーと、当該別の官能基に結合されたプライマーと、を有するフローセルである。
第10の態様では、分離されたブロック共ポリマーは、
(式中、nは1~10,000の範囲であり、mは1~10,000の範囲である。)
(式中、Rは水素またはポリマー開始種末端基であり、nは1~10,000の範囲であり、mは1~10,000の範囲である。)、
からなる群から選択される。
本明細書に開示された第10の態様の任意の特徴は、任意の望ましい方法および/または構成で一緒に組み合わせることができることを理解されたい。さらに、第10の態様および/または第9の態様および/または第1の態様の特徴の任意の組み合わせが、一緒に使用されてもよく、および/または本明細書で開示される例の任意のものと組み合わせられてもよいことを理解されたい。
本明細書に開示された第11の態様は、間隙領域によって分離された凹部を含むパターン化された樹脂を形成するために樹脂をパターン化することと、パターン化された樹脂上にブロック共ポリマーを含む溶液を導入することであって、ブロック共ポリマーの各ブロックがブロック共ポリマーの他の各ブロックのブロック特異的官能基とは異なったブロック特異的官能基を有し、溶液を溶媒蒸気焼鈍に曝し、それによってブロック共ポリマー相が凹部において分離し、自己集合し、ブロックの少なくとも1つのブロック特異的官能基にプライマーをグラフトする、方法である。
第11の態様の実施形態では、樹脂をパターン化することは、ナノインプリントリソグラフィを含む。
第11の態様の実施形態では、ブロック共ポリマーを含む溶液は、約0.04~約0.30の範囲のフロリ-ハギンズ相互作用パラメータを有する。
第11の態様の例において、グラフト化の前に、該方法は、凹部における相分離および自己集合(自己組織化)ブロック共ポリマーを含むパターン化された樹脂を硬化工程に曝すことをさらに含む。
本明細書に開示された第11の態様の任意の特徴は、任意の望ましい方法および/または構成で一緒に組み合わせることができることを理解されたい。さらに、第11の態様および/または第10の態様および/または第9の態様および/または第1の態様の特徴の任意の組み合わせが、一緒に使用されてもよく、かつ/または本明細書で開示される例の任意のものと組み合わせられてもよいことを理解されたい。
本明細書に開示される第12の態様は、基材上に第1の官能化層を適用するステップと、第1の官能化層をパターン化し、それによってフォトレジストによって覆われた第1の官能化領域を形成するステップと、フォトレジストおよび基材の部分上に第2の官能化層を適用するステップと、フォトレジストおよびその上の第2の官能化層のいずれかをリフトオフするステップと、第2の官能化層の一部を除去し、それによって第1の官能化領域に近接する第2の官能化領域を形成するステップと、第1のプライマーセットを第1の官能化層または第1の官能化領域におよび第2のプライマーセットに第2の官能化層または第2の官能化領域に結合させるステップであって、第1のプライマーセットが第2のプライマーセットとは異なっているステップと、を含む方法である。
第12の態様の例では、第1のプライマーセットの結合は、第1の官能化層が適用される前に、切断不可能な第1のプライマーおよび切断可能な第2のプライマーを第1の官能化層に予めグラフトすることを含み、第2のプライマーセットの結合は、第2の官能化層が適用される前に、切断可能な第1のプライマーおよび切断不可能な第2のプライマーを第2の官能化層に予めグラフトすることを含む。
第12の態様の例では、第1のプライマーセットの結合は、その適用後に、切断不可能な第1のプライマーおよび切断可能な第2のプライマーを第1の官能化層にグラフトすることを含み、第2のプライマーセットの結合は、その適用後に、切断可能な第1のプライマーおよび切断不可能な第2のプライマーを第2の官能化層にグラフトすることを含む。
第12の態様の一例では、方法は、第1の自己集合単層(単分子層)を第1の官能化領域上に、第2の自己集合単分子層を第2の官能化領域上にそれぞれ堆積させることをさらに含み、第1のプライマーセットの結合は、切断不可能な第1のプライマーおよび切断可能な第2のプライマーを第1の自己集合単層にグラフトすることを含み、第2のプライマーセットの結合は、切断可能な第1のプライマーおよび切断不可能な第2のプライマーを第2の自己集合単層にグラフトすることを含む。
第12の態様の一例では、除去することは、第1の官能化領域上に第2のフォトレジストを適用し、第2の官能化領域になる第2の官能化層の第2の部分を適用することと、第2の官能化層の一部をエッチングすることとを含む。
第12の態様の一例では、基材は、保持体上に樹脂を含み、樹脂は、間隙領域によって分離された凹部を含み、第1の官能化領域は、各凹部の第1の部分上にあり、第2の官能化層は、各凹部の第2の部分上および間隙領域上にあり、除去することは、間隙領域から第2の官能化層を研磨することを含む。
第12の態様の一例では、基材は、保持体上の樹脂を含み、樹脂は、間隙領域によって分離されたマルチレベル凹部を含み、第1の官能化領域は、それぞれのマルチレベル凹部の第1のレベルにあり、第2の官能化層を適用する前に、フォトレジストおよび樹脂の一部分上に犠牲層を適用するステップと、樹脂の一部分から犠牲層を除去するステップと、多層の凹部から樹脂の領域を除去して、第1の官能化領域に近接する領域を生成するステップと、第2の官能化層が、フォトレジスト上の犠牲層上、領域上、および間隙領域上に適用されるステップと、をさらに含む。
本明細書に開示された第12の態様の任意の特徴は、任意の望ましい方法および/または構成で一緒に組み合わせることができることを理解されたい。さらに、第12の態様および/または第1の態様および/または第2の態様の特徴の任意の組み合わせは、本明細書で開示される例の任意のものと組み合わせることができることを理解されたい。
本明細書に開示される第13の態様は、第1の基材部分が露出(露光)されるように基材上に第1のフォトレジストを適用するステップと、フォトレジストおよび第1の基材部分上に第1の官能化層を適用するステップと、フォトレジストおよびその上の第1の官能化層のいずれかをリフトオフするステップと、それによって第1の基材部分上に第1の官能化領域を形成するステップと、第1の官能化領域上および基材上に第2のフォトレジストを適用して第1の官能化領域に隣接する第2の基材部分を露出するステップと、第2のフォトレジストおよび第2の基材部分上に第2の官能化層を適用するステップと、第2のフォトレジストおよびその上の第2の官能化層のいずれかをリフトオフするステップと、それによって第1の官能化領域に隣接する第2の官能化領域を形成するステップと、第1のプライマーセットを第1の官能化層または第1の官能化領域におよび第2のプライマーセットを第2の官能化層または第2の官能化領域に結合させるステップであって、第1のプライマーセットが第2のプライマーセットとは異なっているステップと、を含む。
第13の態様の例では、第1のプライマーセットの結合は、第1の官能化層が適用される前に、切断不可能な第1のプライマーおよび切断可能な第2のプライマーを第1の官能化層に予めグラフトすることを含み、第2のプライマーセットの結合は、第2の官能化層が適用される前に、切断可能な第1のプライマーおよび切断不可能な第2のプライマーを第2の官能化層に予めグラフトすることを含む。
第13の態様の例では、第1のプライマーセットの結合は、その適用後に、切断不可能な第1のプライマーおよび切断可能な第2のプライマーを第1の官能化層にグラフトすることを含み、第2のプライマーセットの結合は、その適用後に、切断可能な第1のプライマーおよび切断不可能な第2のプライマーを第2の官能化層にグラフトすることを含む。
第13の態様の一例では、方法は、第1の自己集合単層を第1の官能化領域上に、第2の自己集合単層を第2の官能化領域上にそれぞれ堆積させることをさらに含み、第1のプライマーセットの結合は、切断不可能な第1のプライマーおよび切断可能な第2のプライマーを第1の自己集合単層にグラフトすることを含み、第2のプライマーセットの結合は、切断可能な第1のプライマーおよび切断不可能な第2のプライマーを第2の自己集合単層にグラフトすることを含む。
本明細書に開示された第13の態様の任意の特徴は、任意の望ましい方法および/または構成で一緒に組み合わせることができることを理解されたい。さらに、第13の態様および/または第1の態様および/または第2の態様の特徴の任意の組み合わせは、本明細書で開示される例の任意のものと組み合わせることができることを理解されたい。
本明細書に開示される第14の態様は、間隙領域によって分離されたトレンチおよびトレンチのそれぞれの第1の部分における犠牲材料領域を含む基板上に第1の官能化層を適用するステップと、第1の官能化層をパターン化して、各トレンチの第2の部分においてフォトレジストによって覆われた第1の官能化領域を形成するステップと、犠牲材料領域を除去して、各トレンチの第1の部分を露出させるステップと、第2の官能化層を、間隙領域上に、第1の部分上に、フォトレジスト上に、適用するステップと、フォトレジストおよびその上の任意の第2の官能化層をリフトオフするステップと、任意の第2の官能化層を間隙領域から除去し、これにより、第2の官能化領域を、各トレンチの第1の部分に残すステップと、少なくとも実質的にトレンチに垂直な空間的に分離されたストライプのパターンで第2のフォトレジストを適用するステップと、空間的に分離されたストライプ間に露出された第1の官能化領域および第2の官能化領域の部分を除去するステップと、第2のフォトレジストを除去するステップと、第1のプライマーセットを第1の官能化層または第1の官能化領域におよび第2のプライマーセットを第2の官能化層または第2の官能化領域に結合させるステップであって、第1のプライマーセットが第2のプライマーセットとは異なっているステップと、を含む。
第14の態様の例では、第1のプライマーセットの結合は、第1の官能化層が適用される前に、切断不可能な第1のプライマーおよび切断可能な第2のプライマーを第1の官能化層に予めグラフトすることを含み、第2のプライマーセットの結合は、第2の官能化層が適用される前に、切断可能な第1のプライマーおよび切断不可能な第2のプライマーを第2の官能化層に予めグラフトすることを含む。
第14の態様の例では、第1のプライマーセットの結合は、その適用後に、切断不可能な第1のプライマーおよび切断可能な第2のプライマーを第1の官能化層にグラフトすることを含み、第2のプライマーセットの結合は、その適用後に、切断可能な第1のプライマーおよび切断不可能な第2のプライマーを第2の官能化層にグラフトすることを含む。
第14の態様の一例では、基材は、各トレンチの第2の部分に第2の犠牲材料領域を含み、基材、犠牲材料領域、および第2の犠牲材料領域は、異なるエッチング率(速度)を有し、第1の官能化層を適用する前に、該方法は、各トレンチの第2の部分から第2の犠牲材料領域を除去することをさらに含む。本実施例の1つのバージョンは、第2の犠牲材料領域を除去する前に、方法は、間隙領域によって分離されたトレンチを含む基材上に犠牲材料を適用することと、犠牲材料の領域が各トレンチの各サイドウォールに直接隣接して残るように犠牲材料の一部を除去することと、第2の犠牲材料を基材上および犠牲材料領域上に適用することと、第2の犠牲材料の領域が各犠牲材料領域に直接隣接して残るように第2の犠牲材料の一部を除去することと、第2の犠牲材料領域の間の任意の空間を充填するために材料を適用することとによって、犠牲材料領域および第2の犠牲材料領域を形成することをさらに含む。本バージョンの一実施例では、基材は多層基材であり、トレンチは多層基材の最表層に画定され、該材料および最表層は同じである。
本明細書に開示された第14の態様の任意の特徴は、任意の望ましい方法および/または構成で一緒に組み合わせることができることを理解されたい。さらに、第14の態様および/または第1の態様および/または第2の態様の特徴の任意の組み合わせは、本明細書で開示される例の任意のものと組み合わせることができることを理解されたい。
本明細書に開示される第15の態様は、第1の間隙領域によって分離された凹部を含む基板に犠牲材料を適用することを含み、各凹部は、ステップ部分によって画定される深い部分および浅い部分を含み、犠牲層(犠牲材料の層)は、深い部分を部分的に充填し、犠牲層の一部分および基板の一部分を順次除去して、犠牲層の残りの部分と少なくとも実質的に同じ高さである第2の間隙領域を形成し、犠牲層の残りの部分に隣接する領域を形成するステップ部分を除去するステップと、第2の間隙領域、犠牲層の残りの部分、および領域上に第1の官能化層を適用するステップと、第1の官能化層にフォトレジストを適用するステップと、フォトレジストの一部分および下にある第1の官能化層の部分を除去して、犠牲層の残りの部分および第2の間隙領域が露出されるようにし、その上にフォトレジストの第2の部分を有する第1の官能化層をその領域に残すステップと、犠牲層の残りの部分を除去してから第1の官能化層の部分に隣接する第2の領域を形成するステップと、第2の官能化層をその領域に適用し、それによって第2の官能化領域を形成するステップと、フォトレジストの第2の部分をリフトオフし、それによって第1の官能化領域を形成するステップと、第1のプライマーセットを第1の官能化層または第1の官能化領域に結合させ、第2のプライマーセットを第2の官能化層または第2の官能化領域に結合させ、第1のプライマーセットは第2のプライマーセットとは異なるステップと、を含む。
第15の態様の一例では、第2の官能化層は、フォトレジストの第2の部分および第2の間隙領域にも適用され、第2の官能化層の第1の部分は、フォトレジストの第2の部分と共に除去され、方法は、第2の間隙領域から第2の官能化層を研磨することをさらに含む。
第15の態様の例では、第1のプライマーセットの結合は、第1の官能化層が適用される前に、切断不可能な第1のプライマーおよび切断可能な第2のプライマーを第1の官能化層に予めグラフトすることを含み、第2のプライマーセットの結合は、第2の官能化層が適用される前に、切断可能な第1のプライマーおよび切断不可能な第2のプライマーを第2の官能化層に予めグラフトすることを含む。
第15の態様の例では、第1のプライマーセットの結合は、その適用後に、切断不可能な第1のプライマーおよび切断可能な第2のプライマーを第1の官能化層にグラフトすることを含み、第2のプライマーセットの結合は、その適用後に、切断可能な第1のプライマーおよび切断不可能な第2のプライマーを第2の官能化層にグラフトすることを含む。
本明細書に開示された第15の態様の任意の特徴は、任意の望ましい方法および/または構成で一緒に組み合わせることができることを理解されたい。さらに、第15の態様および/または第1の態様および/または第2の態様の特徴の任意の組み合わせは、本明細書で開示される例の任意のものと組み合わせることができることを理解されたい。
本明細書に開示される第16の態様は、保持体と、保持体上の第1の官能化層と、第1の官能化層上の第2の官能化層と、第2の官能化層上のパッシベーション層とを含み、それによってパッシベーション層の間隙領域によって分離された特徴部分を形成し、第1および第2の官能化層のそれぞれの領域が各特徴部分で露出され、第1のプライマーセットを第1の官能化層または第1の官能化領域に結合させ、第2のプライマーセットを第2の官能化層または第2の官能化領域に結合させ、第1のプライマーセットは第2のプライマーセットとは異なる、多層基材をインプリント(刻印)することを含む方法である。
第16の態様の例において、第1のプライマーセットの結合は、第1の官能化層が多層基材に組み込まれる前に、切断不可能な第1のプライマーおよび切断可能な第2のプライマーを第1の官能化層に予めグラフトすることを含み、第2のプライマーセットの結合は、第2の官能化層が多層基材に組み込まれる前に、切断可能な第1のプライマーおよび切断不可能な第2のプライマーを第2の官能化層に予めグラフトすることを含む。
第16の態様の例では、第1のプライマーセットの結合は、切断不可能な第1のプライマーおよび切断可能な第2のプライマーを各凹部の第1の官能化領域にグラフトすることを含み、第2のプライマーセットの結合は、切断可能な第1のプライマーおよび切断不可能な第2のプライマーを各凹部の第2の官能化領域にグラフトすることを含む。
本明細書に開示された第16の態様の任意の特徴は、任意の望ましい方法および/または形状で一緒に組み合わせることができることを理解されたい。さらに、第16の態様および/または第1の態様および/または第2の態様の特徴の任意の組み合わせは、本明細書で開示される例の任意のものと組み合わせることができることを理解されたい。
本明細書に開示される第17の態様は、第1の樹脂をインプリントして、段差部分によって画定される深い部分と浅い部分とを含む凹部を形成するステップであって、第1の樹脂が第2の樹脂上に配置される犠牲層上に配置される犠牲層と、第1の樹脂の第1の部分および深い部分の下にある犠牲層の一部をエッチングし、それによって第2の樹脂の一部を露出させるステップと、段差部分をエッチングして、犠牲層の第2の部分を露出させるステップと、第1の官能化層を第2の樹脂の部分に適用して、第1の官能化領域を形成するステップと、犠牲層の第2の部分を除去し、これにより、第2の樹脂の第2の部分を露出させるステップと、第2の官能化層を第2の樹脂の第2の部分に適用して、第2の官能化領域を形成するステップと、第1のプライマーセットを第1の官能化層または第1の官能化領域に結合させ、第2のプライマーセットを第2の官能化層または第2の官能化領域に結合させ、第1のプライマーセットは第2のプライマーセットとは異なるステップと、を含む方法である。
第17の態様の一例では、第2の官能化層の適用中に、第2の官能化層は、凹部を取り囲む間隙領域上に堆積され、第1の官能化領域上に堆積されず、方法は、間隙領域から第2の官能化層を研磨することをさらに含む。
本明細書に開示された第17の態様の任意の特徴は、任意の望ましい方法および/または構成で一緒に組み合わせることができることを理解されたい。さらに、第17の態様および/または第1の態様および/または第2の態様の特徴の任意の組み合わせは、本明細書で開示される例の任意のものと組み合わせることができることを理解されたい。
本明細書に開示される第18の態様は、第1のプライマーセットを第1の保持体構造に結合させるステップと、第2のプライマーセットを第2の保持体構造に結合させるステップであって、第2のプライマーセットおよび第2の保持体構造が、第1のプライマーセットおよび第1の保持体構造とは異なっているステップと、第1の保持体構造に選択的に結合する複数の第1の捕捉部位および第2の保持体構造に選択的に結合する複数の第2の捕捉部位を有する基材面に第1および第2の保持体構造をロードするステップとを含む方法である。
本明細書に開示された第18の態様の任意の特徴は、任意の望ましい方法および/または構成で一緒に組み合わせることができることを理解されたい。さらに、第18の態様および/または第1の態様および/または第2の態様の特徴の任意の組み合わせは、本明細書で開示される例の任意のものと組み合わせることができることを理解されたい。
本開示の例の特徴は、以下の詳細な説明および図面を参照することによって明らかになり、図面において、同様の参照番号は、おそらく同一ではないが、同様の構成要素に対応する。簡潔にするために、先に説明した機能を有する符号または特徴は、それらが現れる他の図面と関連して説明されてもよいし、説明されなくてもよい。
図1A~1Dは、基材上の第1および第2の領域に結合した第1および第2のプライマーセットの異なる例示的な模式図である。 図2は、基材面上の第1および第2の領域の例示的な概略断面図である。 図3Aおよび図3Bは、それぞれ、凹部における第1および第2の領域の例示的な概略断面図および上面図である。 図4A~4Cは、凹部における第1および第2の領域の異なる例示的な概略断面図である。 図5は、凹部における第1の領域および基材面上の第2の領域の例示的な概略断面図である。 図6A~6Bは、凹部における第1の領域と基材面上の第2の領域の例示的な概略断面図および上面図である。 図7A~図7Gは、例示的な凹部における第1の領域と基材面上の第2の領域の例とを含む例示的なフローセルの製造方法の一例を一緒に示す概略断面図である。 図8A~8Fは、凹部における第1の領域および基材面上の第2の領域の例を含む別の例示的なフローセルを作製するための別の実施例を共に示す概略断面図である。 図9は、凹部における第1の領域と、凹部に配置されたビーズの一部としての第2の領域との例示的な概略断面図である。 図10は、別個の基材に取り付けられた第1および第2のプライマーセットの例示的な概略断面図である。 図11A~11Cは、保持体上のパターン化された樹脂の一実施例の形成を共に示す概略斜視図である。図11A、図11B、および図11Dは、保持体上のパターン化された樹脂の別の実施例の形成を共に示す概略斜視図である。 図12は、本明細書で開示される方法の一例を示すフロー図である。 図13A~13Dは、図11Cのパターン化された基材を使用して、本明細書に開示される方法の一例を共に描写する概略斜視図である。 図14は、図13Dの線4-4に沿った断面図である。 図15A~図15Dは、図11Cのパターン化された基材を用いて本明細書に開示された他の実施形態を共に示す概略斜視図である。 図16は、図15Dの6-6線に沿った断面図である。 図17A~図17Dは、図11Dのパターン化された基材を使用して本明細書に開示される方法の一例を共に示す概略斜視図である。 図18は、図17Dの線8-8に沿った断面図である。 図19A~図19Dは、図11Dのパターン化された基材を用いて本明細書に開示された他の実施例を共に示す概略斜視図である。 図20は、図19Dの10-10線に沿った断面図である。 図21は、本明細書で開示される方法の別の例を示すフロー図である。 図22A~22Eは、本明細書に開示される他の方法の一例を共に示す概略斜視図である。図22Fは、図22Eに示されるフローセルの例示的な凹部の拡大図であり、凹部は、1つのブロックにグラフトされたブロック共ポリマーおよびプライマーを含む。 図23Aおよび23Bは、凹部および周囲の間隙領域の例の概略上面図であり、ブロック共ポリマーの異なる例は、自己集合され、凹部において相分離され、ここで、各々の図は、ブロックの異なる模様を示す。 図24は、本明細書に開示されるフローセルの一例の概略斜視図を示す。 図25Aおよび25Bは、トリブロック共ポリマーを含む、本明細書中に開示されるフローセルの異なる例を描写する概略断面図である。 図26A~26Hは、図2に示される例示的な領域を形成するための例示的な方法を共に示す模式図である。 図27A~27Fは、図2に示される例示的な領域を形成するための別の例示的な方法を共に示す模式図である。 図28A~28Gは、図3A、3Bに示される例示的な領域を形成するための例示的な方法を共に示す模式図である。 図29A~29Hは、図3A、3Bに示される例示的な領域を形成するための別の例示的な方法を共に示す模式図である。 図30A~30Fは、図3A、3Bに示される例示的な領域を形成するためのさらに例示的な方法を共に示す模式図である。 図31A~31Iは、図3A、3Bに示される例示的な領域を形成するための例示的な方法を共に示す模式図である。 図32A~32Fは、図4Cに示される例示的な領域を形成するための例示的な方法を共に示す模式図である。 図33Aは、本明細書に開示される領域の別の例を形成するための例示的な方法の模式図である。図33Bは、領域を示す、図33Aの凹部のうちの1つの上面図である。 図34A~34Sは、トレンチにおける例示的な領域を形成するための例示的な方法を共に示す概略図である。 図35は、官能化された保持体構造の例を概略的に示す。 図36Aおよび36Bは、図35の官能化保持体構造を使用して例示的領域を形成するための例示的方法を共に示す模式図である。 図37Aおよび37Bは、図35の官能化保持体構造を使用して例示的領域を形成するための例示的方法を共に示す模式図である。 図38Aおよび38Bは、ブロック共ポリマーの別の例を含む例示的な方法を共に示す模式図である。 図39Aは、間隙領域によって分離された直径50μmの凹部を有するフローセル基板の走査型電子顕微鏡(SEM)画像であり、その上に予めグラフトされたポリマー層が堆積されている。図39Bは、予備グラフトポリマー層上に堆積された防護層を有する図39Aのフローセル基材のSEM像である。図39Cは、間隙領域から防護層を除去するためのエッチング後の図39Bのフローセル基材のSEM像である。 図40Aおよび40Bは、同時ペアエンド読み取り(図40A)および順次ペアエンド読み取り(図40B)のためのデータ分析を示す。 図41A~41Gは、図2に示される例示的な領域を形成するための別の例示的な方法を共に示す概略図である。 図42A~42Hは、図2に示される例示的な領域を形成するためのさらに別の例示的な方法を共に示す概略図である。
本明細書中に開示されるフローセルの例は、核酸配列決定のために使用され得る。
フローセルのいくつかは、フローセル基材の別領域に結合した異なるプライマーセットを含む。これらの例では、切断(線状化)ケミストリーが異なる領域で直交するようにプライマーセットを制御することができる。直交切断ケミストリーは、異なるセットの異なるプライマーに結合した同一の切断部位を通して、または異なるセットの異なるプライマーに結合した異なる切断部位を通して実現することができる。これにより、基材の1つの領域にフォワード(順方向)ストランドのクラスターを生成することができ、基材の別の領域にリバース(逆方向)ストランドのクラスターを生成することができる。一例では、領域は互いに直接隣接している。別の例では、領域間の任意の空間は、クラスター化が2つの領域にまたがることができるほど十分に小さい。本明細書に開示されるフローセル構成のいくつかでは、フォワードおよびリバースストランドは、空間的に分離され、これは、それぞれの読み取りの同時の塩基呼び出しを可能にしながら、両方の読み取りから蛍光信号を分離する。したがって、本明細書に開示されるフローセルのいくつかの例は、同時のペアエンド読み取りが得られることを可能にする。
フローセルの他の例は、同時ペアエンド読み取りを得るために使用され得るか;または順次ペアエンド読み取りを得るために使用され得、ここで、フォワードストランドが配列決定され、そして除去され、次いで、リバースストランドが配列決定され、そして除去される。これらの他の例では、フローセル保持体上のパターン化された樹脂は、パターン化された樹脂の凹部において方向付けられた自己集合を受けるブロック共ポリマーでコーティングされる。パターン化された樹脂は、ブロック共ポリマーの配置のためのガイドとしての役割を果たす。制御された条件下で、ブロック共ポリマーは特異的ドメインに自己集合する。本明細書中に開示される例のいくつかにおいて、ドメインの官能性は、1つ以上のドメインがパターン化された樹脂と反応し得、そして1つ以上の他のドメインがプライマーをグラフトし得るように、直交するように制御される。いくつかの例では、ドメインの官能性を制御して、そのドメインの特性を変更することができる。これらの例示的なフローセルは、光学的または非光学的検出方法での使用に好適であり得る。
定義
本明細書で使用される用語は、別段の指定がない限り、関連技術におけるそれらの通常の意味をとることを理解されたい。本明細書で使用されるいくつかの用語およびそれらの意味を以下に示す。
単数形「1つ(a)」、「1つ(an)」、および「前記(the)」は、文脈が明らかにそうでないことを示さない限り、複数の指示対象を含む。
用語含む(comprising)、含む(including)、からなる(containing)およびこれらの用語の様々な形状は、互いに同義であり、等しく広いことを意味する。
用語「上部」、「下部」、「下側」、「上側」などは、本明細書では、フローセルおよび/またはフローセルの様々な構成要素を説明するために使用される。これらの方向を示す用語は、具体的な配向性を意味するものではなく、構成要素間の相対的な配向性を示すために使用されることを理解されたい。方向を示す用語の使用は、本明細書に開示される実施例を任意の具体的な配向性に限定すると解釈されるべきではない。
「アクリルアミドモノマー」は、構造を有するモノマー、またはその構造を有するアクリルアミド基を含むモノマーである。アクリルアミド基を含むモノマーとしては、例えば、
が挙げられる。
他のアクリルアミドモノマーを使用してもよい。
アルデヒドは、本明細書中で使用される場合、カルボニル中心(すなわち、酸素に二重結合した炭素)を含み、炭素原子もまた水素に結合した構造-CHOおよびR基(例えば、アルキルまたは他の側鎖)を有する官能基を含む有機化合物である。アルデヒドの一般構造は、
である。
本明細書中で使用される場合、「アルキル」は、完全に飽和した(すなわち、二重結合または三重結合を含まない)直鎖または分岐鎖状炭化水素鎖を指し、アルキル基は、1~20個の炭素原子を有し得る。例示的なアルキル基には、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、第三ブチル、ペンチル、ヘキシルなどが含まれる。例として、「C1~4アルキル」という名称は、アルキル鎖中に1~4個の炭素原子が存在すること、すなわち、アルキル鎖は、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、n-ブチル、イソブチル、sec-ブチル、およびt-ブチルからなる群より選択されることを示す。
本明細書中で使用される場合、「アルケニル」は、1つ以上の二重結合を含む直鎖または分岐鎖状炭化水素鎖をいう。アルケニル基は、2~20個の炭素原子を有することができる。例示的なアルケニル基には、エテニル、プロペニル、ブテニル、ペンテニル、ヘキセニルなどが含まれる。
本明細書中で使用される場合、「アルキン」または「アルキニル」は、1つ以上の三重結合を含む直鎖または分枝鎖炭化水素鎖をいう。アルキニル基は、2~20個の炭素原子を有していてもよい。
本明細書中で使用される場合、「アリール」は、環骨格に炭素のみを含む芳香環または環系(すなわち、2つの隣り合う炭素原子を共有する2つ以上の縮合環)をいう。アリールが環系である場合、系中の全ての環は芳香族である。アリール基は、6~18個の炭素原子を有することができる。アリール基の例には、フェニル、ナフチル、アズレニル、およびアントラセニルが含まれる。
「アミノ」官能基は、-NR基を指し、ここで、RおよびRは、本明細書中で定義されるように、水素

C1~6アルキル、C2~6アルケニル、C2~6アルキニル、C3~7カルボシクリル、C6~10アリール、5~10員ヘテロアリール、および5~10員ヘテロシクリルからそれぞれ独立して選択される。
本明細書中で使用される場合、用語「取り付けられた」は、2つのものが、直接的または間接的のいずれかで、互いに接合され、固定され、接着され、連結され、または結合される状態をいう。例えば、凹部に取り付けられたビーズは、凹部に物理的に閉じ込められてもよい。別の例では、核酸を、共有結合または非共有結合によって官能化ポリマーに結合させることができる。共有結合は、原子間で電子の一対を共有することを特徴とする。非共有結合は、一対の共有を伴わない物理的な結合であり、例えば、水素結合、イオン結合、ファンデルワールス力、親水性相互作用および疎水性相互作用を含むことができる。さらに別の例では、プライマーは、保持体構成を介して基材上の領域に結合させることができる。
「アジド(azide)」または「アジド(azido)」官能基は、-Nを指す。
官能基を有するビーズの「ビーズ」または「コア構造」という用語は、剛性または半剛性の材料から作られた小さな本体を指す。本体は、例えば、球形、楕円形、微小球形、または規則的または不規則な寸法を有するかどうかにかかわらず他の認識された粒子形状として特徴付けられる形状を有することができる。ビーズ/コア構造に役立つ例示的な材料には、ガラス;アクリル酸、ポリスチレンなどのプラスチック、またはスチレンと別の材料とのコポリマー、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリブチレン、ポリウレタン、またはポリテトラフルオロエチレン(Teflon(登録商標)、Chemours製);アガロースまたはセファロースなどの多糖または架橋多糖;ナイロン;ニトロセルロース;ケイ素および改質ケイ素を含む樹脂;シリカまたはシリカベースの材料;炭素繊維、金属;無機ガラス;光ファイバ束、または様々な他のポリマーが含まれるが、これらに限定されない。ビーズ/コア構造の例には、制御された気孔ガラスビーズ、常磁性ビーズ、トリアゾル、セファロースビーズ、ナノ結晶、および、例えば、Bangs Laboratories、Fishers Ind.のマイクロスフェアディテクションガイドに記載されているような検出当業者で公知の他のものが含まれる。ビーズはまた、プライマーに結合し得る官能基を有するポリマーで被覆され得る。
「ブロック共ポリマー」は、2つ以上のモノマーが一緒にクラスター化し、繰り返し単位のブロックを形成する場合に形成されるコポリマーである。各ブロックは、隣り合うブロックに存在しない少なくとも1つの特徴および/または少なくとも1つのブロック特異的官能基を有するべきである。本明細書に開示される実施例では、ブロック共ポリマーは、特定の焼鈍条件に曝されると、構成ポリマーブロックのミクロ相分離によって、ナノメートルスケールの寸法で規則正しいドメインに自己集合することができる。ブロック共ポリマーの具体例については、後述する。
「ブロック特異的官能基」は、パターン化された樹脂との反応、プライマーの結合、ミクロ相分離を駆動するための相互作用パラメータの調整、ブロック共ポリマーの特性の変更などのような、特定の機能性を有するブロックポリマーの特定のブロックにおける原子および/または結合の部分を指す。本明細書で開示されるいくつかの例では、それぞれのブロックは、様々なブロック特異的官能基を含む。以下、それぞれのブロック固有官能基の具体例についてさらに説明する。
本明細書で使用されるように、「結合領域」は、別の物質に結合されるべき保持体上の領域を指し、別の物質は、例として、スペーサー層、蓋、別の基材など、またはそれらの組み合わせ(例えば、スペーサー層および蓋)であってもよい。結合領域で形成される結合は、化学結合(上述のようである)または機械的結合(例えば、ファスナなどを使用する)であってもよい。
本明細書で使用される「捕捉部位」は、官能化された保持体組織の局在化を可能にする化学的性質で物理的に修飾および/または修飾されたフローセル表面の一部を指す。一例では、捕捉部位は、化学的捕捉剤を含むことができる。
本明細書中で使用される場合、「カルボシクリル」は、環系骨格中に炭素原子のみを含む非芳香族環または環系を意味する。カルボシクリルが環系である場合、2つ以上の環が、縮合、架橋、またはスピロ連結様式で一緒に結合され得る。カルボシクリルは、環系中の少なくとも1つの環が芳香族でないという条件で、任意の程度の飽和度を有し得る。したがって、カルボシクリルには、シクロアルキル、シクロアルケニル、およびシクロアルキニルが含まれる。カルボシクリル基は、3~20個の炭素原子を有してもよい。カルボシクロ環の例には、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘキセニル、2,3-ジヒドロ-インデン、ビシクロ[2.2.2]オクタニル、アダマンチル、およびスピロ[4.4]ノナニルが含まれる。
本明細書で使用される「カルボン酸」または「カルボキシル」という語は、本明細書で使用される場合、-COOHを指す。
「化学捕捉剤」は、標的分子(例えば、官能化保持体構造)に結合、保持、または結合することができる物質、分子、または部分である。1つの例示的な化学捕捉剤は、標的分子の標的核酸の少なくとも一部に相補的であるか、または標的分子に結合した捕捉核酸(例えば、捕捉オリゴヌクレオチド)を含む。さらに別の例示的な化学捕捉剤は、標的分子(または標的分子に結合した連結部分)に結合することができる受容体-配位子結合対(例えば、アビジン、ストレプトアビジン、ビオチン、レクチン、炭水化物、核酸結合蛋白質、エピトープ、抗体など)の部材を含む。化学的捕集剤のもう一つの例は、標的分子と共に静電相互作用、水素結合、または同価結合を形成することができる化学試薬である(例えば、チオール‐ジスルフィド交換、クリック化学、ディール‐アルダー等)。
本明細書中で使用される場合、「シクロアルキレン」は、2つの結合点を介して分子の残りの部分に結合している完全に飽和したカルボシクリル環または環系を意味する。
本明細書中で使用される場合、「シクロアルケニル」または「シクロアルケン」は、少なくとも1つの二重結合を有するカルボシクリル環または環系を意味し、環系中の環は芳香族ではない。例としては、シクロヘキセニルまたはシクロヘキセンおよびノルボルネニルまたはノルボルネンが挙げられる。また、本明細書中で使用される場合、「ヘテロシクロアルケニル」または「ヘテロシクロアルケン」は、環骨格中に少なくとも1つのヘテロ原子を有するカルボシクリル環または環系であって、環系中に環が芳香族ではないものを意味する。
本明細書で使用する「シクロアルキニル」または「シクロアルキン」とは、少なくとも1つの三重結合を有するカルボシクリル環または環系を意味し、環系中に環が芳香族ではない。例はシクロオクチンである。他の例はビシクロノインである。本明細書で使用する「ヘテロシクロアルキニル」または「ヘテロシクロアルキン」とは、少なくとも1つの三重結合を有し、環系中に環が芳香族ではない、環骨格中に少なくとも1つのヘテロ原子を有するカルボシクリル環または環系を意味する。
本明細書で使用される「堆積」という用語は、任意の適切な適用技術を指し、これは、手動であっても自動であってもよく、いくつかの例では、表面性状の改変をもたらす。一般に、蒸着は、蒸着技術、塗装技術、グラフト技術などを使用して行うことができる。いくつかの具体例は、化学蒸着(CVD)、スプレーコーティング(例えば、超音波スプレーコーティング)、スピンコーティング、ダンクまたはディップ法、ドクターブレードコーティング、パドルディスペンシング、フロースルーコーティング、エアロゾルプリンティング、スクリーンプリンティング、マイクロコンタクトプリンティング、インクジェットプリンティングなどを含む。
本明細書で使用されるように、「凹部」という語は、基材またはパターン化された樹脂の間隙領域によって少なくとも部分的に取り囲まれた面開口を有する基材またはパターン化された樹脂における個別の凹状形状(特徴部)を指す。凹部は、例えば、円形、楕円形、正方形、多角形、星形(任意の個数の頂点を有する)等を含む様々な形状のいずれかを表面における開口部に有することができる。表面と直交する凹部の断面は、湾曲、正方形、多角形、双曲線、円錐状、角度等であってもよい。例として、凹部は、ウェルまたは2つの相互接続されたウェルとすることができる。また、凹部は、隆起部、階段形状等のような、より複雑なアーキテクチャを有してもよい。
用語「各々」は、アイテムのコレクションに関して使用される場合、コレクションにおける個々のアイテムを識別することを意図するが、必ずしもコレクションにおけるあらゆるイテムを指すわけではない。例外は、明示的な開示または文脈が明らかにそうでないことを指示する場合に発生する可能性がある。
用語「エポキシ」(グリシジルまたはオキシラン基とも呼ばれる)は、本明細書で使用される場合、
または
を指す。
本明細書で使用される「フローセル」という語は、反応を行うことができるチャンバ(すなわち、流路)と、チャンバに試薬を送達するための入口と、チャンバから試薬を除去するための出口とを有する容器を意味することを意図している。いくつかの例では、チャンバは、チャンバ内で起こる反応の検出を可能にする。例えば、チャンバ/流路は、凹部におけるアレイ、光学的に標識された分子などの光学的検出を可能にする1つ以上の透明な表面を含むことができる。
本明細書中で使用される場合、「流路」は、液状試料を選択的に受容し得る、2つの結合された構成要素の間に規定される領域であり得る。いくつかの例では、流路は、パターン化された樹脂と蓋との間に画定されてもよく、したがって、パターン化された樹脂に画定された1つまたは複数の凹部と連通してもよい。
「官能化保持体構造」とは、本明細書に開示されるプライマーセットの1つがその表面に結合している剛性または半剛性材料から作製された小型本体を指す。本体は、例えば、球形、楕円形、微小球形、または規則的または不規則な寸法を有するかどうかにかかわらず他の認識された粒子形状として特徴付けられる形状を有することができる。本体に役立つ例示的な材料には、ガラス;アクリル酸、ポリスチレンなどのプラスチック、またはスチレンと別の材料とのコポリマー、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリブチレン、ポリウレタン、またはポリテトラフルオロエチレン(Teflon(登録商標)、Chemours製);アガロースまたはセファロースなどの多糖または架橋多糖;ナイロン;ニトロセルロース;ケイ素および改質ケイ素を含む樹脂;シリカまたはシリカベースの材料、炭素繊維、金属;無機ガラス;光ファイバ束、または様々な他のポリマーが含まれるが、これらに限定されない。
本明細書中で使用される場合、「ヘテロアリール」は、環骨格中に1つ以上のヘテロ原子、すなわち、炭素以外の元素(窒素、酸素およびイオウを含むが、これらに限定されない)を含有する芳香族環または環系(すなわち、2つ以上の隣り合う原子を共有する2つ以上の縮合環)をいう。ヘテロアリールが環系である場合、系中の全ての環は芳香族である。ヘテロアリール基は、5~18リング部材を有することができる。
本明細書中で使用される場合、「ヘテロシクリル」は、環骨格中に少なくとも1つのヘテロ原子を含む非芳香族環または環系を意味する。複素環は、融合、架橋またはスピロ連結様式で一緒に結合され得る。複素環は、環系中の少なくとも1つの環が芳香族でないことを条件として、任意の程度の飽和度を有することができる。環系において、ヘテロ原子は、非芳香環または芳香環のいずれかで存在し得る。ヘテロシクリル基は、3~20リング部材(すなわち、炭素原子およびヘテロ原子を含む、環骨格を構成する原子の数)を有し得る。いくつかの例では、ヘテロ原子は、O、N、またはSである。
本明細書で使用される「ヒドラジン」または「ヒドラジニル」という語は、-NHNH基を指す。
本明細書で使用する「ヒドラゾン」または「ヒドラゾニル」という語は、本明細書で使用する場合、

基を指し、
およびRが、本明細書で定義するように、水素、C1~6アルキル、C2~6アルケニル、C2~6アルキニル、C3~7カルボシクリル、C6~10アリール、5~10員ヘテロアリール、および5~10員ヘテロシクリルからそれぞれ独立して選択される。
本明細書中で使用される「ヒドロキシ」または「ヒドロキシル」は-OH基を意味する。
本明細書で使用される「間隙領域」という語は、例えば、基材、パターン化された樹脂、または凹部を分離する他の保持体の面積を指す。例えば、間隙領域は、アレイの1つの凹部をアレイの別の凹部から分離することができる。互いに分離された2つの凹部は、離散的であってもよく、すなわち、互いに物理的接触を欠いていてもよい。多くの例では、間隙領域は連続的であるが、凹部は、例えば、他の点では連続的な表面に画定された複数の凹部の場合のように、不連続である。他の例では、間隙領域および特徴部(フィーチャ)は、例えば、それぞれの間隙領域によって分離された複数のトレンチの場合のように、離散的である。間隙領域によって提供される分離は、部分的または完全な分離であり得る。間隙領域は、表面に画定された凹部の表面材料とは異なる表面材料を有することができる。例えば、凹部は、その中にポリマーおよび第1のプライマーセットを有することができ、間隙領域は、その上にポリマーおよび第2のプライマーセットを有することができる。別の例では、アレイの凹部は、その中にビーズを有することができ、間隙領域は、その上にビーズを有さない。
本明細書中で使用される「ニトリルオキシド」は、Rが本明細書中で定義される「RC≡N+O-」基を意味する。ニトリルオキシドを調製する例には、クロラミド-Tでの処理による、またはイミドイルクロリド[RC(Cl)=NOH]に対する塩基の作用による、またはヒドロキシルアミンとアルデヒドとの間の反応からの、アルドキシムからのin situ生成が含まれる。
本明細書で使用される「ニトロン」は、
基であり、
ここで、R、R、およびRが、本明細書で定義されるRおよびR基のいずれかであり得る。
本明細書中で使用される場合、「ヌクレオチド」は、窒素を含む複素環塩基、糖、および1つ以上のリン酸基を含む。ヌクレオチドは、核酸配列のモノマー単位である。RNAでは、糖はリボースであり、DNAでは、糖はデオキシリボース、すなわち、リボースの2’位に存在する水酸基を欠く糖である。窒素含有複素環塩基(すなわち、核酸塩基)は、プリン塩基またはピリミジン塩基であり得る。プリン塩基には、アデニン(A)およびグアニン(G)、ならびにそれらの修飾誘導体またはアナログが含まれる。ピリミジン塩基には、シトシン(C)、チミン(T)、およびウラシル(U)、ならびにそれらの修飾誘導体またはアナログが含まれる。デオキシリボースのC-1原子はピリミジンのN-1またはプリンのN-9に結合している。核酸類似体は、改変されたリン酸骨格、糖、または核酸塩基のいずれかを有し得る。核酸アナログの例には、例えば、ペプチド核酸(PNA)などのユニバーサル塩基またはリン酸-糖骨格アナログが含まれる。
「パターン化された樹脂」は、その中に規定された凹部を有することができる任意のポリマーを指す。樹脂をパターン化するための樹脂および技術の具体例は、以下でさらに説明される。本明細書で開示されるいくつかの例では、パターン化された樹脂は、その上に自己集合するためのブロック共ポリマーのためのガイド鋳型として機能することができる。ポリマーを「ガイド鋳型」にする特性の具体例は、以下でさらに説明される。
本明細書中で使用される場合、「プライマー」は、一本鎖核酸配列(例えば、一本鎖DNAまたは一本鎖RNA)として定義される。本明細書中で増幅プライマーと呼ばれるいくつかのプライマーは、鋳型増幅およびクラスター生成のための起点として役立つ。本明細書中で配列決定プライマーと呼ばれる他のプライマーは、DNAまたはRNA合成の開始点として役立つ。プライマーの5’末端は、ポリマーの官能基またはビーズ面とのカップリング反応を可能にするように修飾することができる。プライマー長は、任意の数の塩基長であってよく、様々な非天然ヌクレオチドを含むことができる。例えば、配列決定プライマーは、10~60塩基、または20~40塩基の範囲の短いストランドである。
本明細書で使用される「スペーサー層」は、2つの成分を互いに結合する材料を指す。いくつかの例では、スペーサー層は、結合を助ける放射線吸収材料であってもよく、または結合を助ける放射線吸収材料と接してもよい。
「溶媒焼鈍」または「溶媒蒸気焼鈍」は、ポリマーの上に飽和蒸気(すなわち、溶媒雰囲気)を生成するために、ポリマー(例えば、フィルムまたは層の形成で)を密閉されたエンクロージャ内の過剰の溶媒に曝すことを含む。ポリマーフィルムまたは層は、室温(例えば、約18℃~約25℃)または高温で保持され得、これは、ポリマーを膨潤させ、そしてその鎖易動度を増加させる。
用語「基材」は、フローセルの種々の成分(例えば、ポリマー、プライマーなど)が添加され得る構造をいう。基材は、ウェハ、パネル、矩形板、ダイス、または好適な形態であってもよい。基材は、一般に剛性であり、水溶液に不溶である。基材は、凹部を改質するために使用されるか、または凹部に存在する薬品に対して不活性であってもよい。例えば、基材は、ポリマーを形成するため、プライマーを結合させるためなどに使用される化学物質に対して不活性であり得る。基材は、単層であってもよいし、多積層構造(例えば、保持体上に保持体およびパターン化された樹脂を含む)であってもよい。好適な基材の例を以下にさらに説明する。
「チオール」官能基は、-SHを指す。
ここで用いられているように、「テトラジン」および「テトラジニル」という用語は、4つの窒素原子を含む6員ヘテロアリール基を指す。テトラジンは、任意に置換されていてもよい。
本明細書で使用される「テトラゾール」は、4個の窒素原子を含む5員複素環基を指す。テトラゾールは、任意に置換されていてもよい。
同時ペアエンド読み出しシーケンスのためのフローセル
本明細書中に開示されるフローセルの例は、基材;基材上の第1の領域に結合した第1のプライマーセットであって、切断不可能な第1のプライマーおよび切断可能な第2のプライマーを含む第1のプライマーセット;および基材上の第2の領域に結合した第2のプライマーセットであって、切断可能な第1のプライマーおよび切断不可能な第2のプライマーを含む第2のプライマーセットを含む。
適切な基材の例としては、エポキシシロキサン、ガラスおよび修正機能性ガラス、プラスチック(アクリル、ポリスチレンおよびスチレン他の材料の共重合物、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリブチレン、ポリウレタン、ポリテトラフルオロエチレン(ChemoursからのTEFLON(登録商標)など)、環状オレフィン/シクロオレフィンポリマー(ゼオン社からのZEONOR(登録商標)など)、ポリイミド等を含む)、ナイロン、セラミック/セラミック酸化物、シリカ、溶融シリカ、またはシリカベースの材料、ケイ酸アルミニウム、シリコンと修飾シリコン(例えば、ホウ素をドープしたp+シリコン)、窒化シリコン(Si)、酸化ケイ素(SiO)、五酸化タンタル(Ta)または他の酸化タンタル(TaO)、酸化ハフニウム(HaO)、カーボン、金属、無機ガラスなどなどが挙げられる。基材はまた、マルチ積層構造であってもよい。多重積層構造のいくつかの例としては、ガラスまたはケイ素が挙げられ、その表面には、酸化タンタルまたは別のセラミックス酸化物の塗装層がある。マルチ積層構造の他の例は、パターン化された樹脂をその上に有する下にある保持体(例えば、ガラスまたはケイ素)を含む。多層基材の他の例としては、シリコン-オン-絶縁材(SOI)基材が挙げられる。
一実施形態では、基材は、約2mm~約300mmの範囲の径、または最大約10フィート(~3メートル)までの最大寸法を有する長方形の板またはパネルを有することができる。一実施形態では、基材は、約200mm~約300mmの範囲の径を有するウェハである。別の実施形態では、基材は、約0.1mm~約10mmの幅を有するダイスである。例示的な寸法が提供されたが、適切な寸法を有する基材が使用されてもよいことを理解されたい。別の例として、300ミリメートルの円形ウェハよりも大きい表面積を有する長方形の保持体であるパネルを使用することができる。
フローセルのいくつかの例において、第1のプライマーセットは、基材上の第1の領域に結合され、第2のプライマーセットは、基材上の第2の領域に結合される。図1A~図1Dは、別領域14、16に結合したプライマーセット12A、12A’、12B、12B’、12C、12C’、および12D、12D’の異なる形状を示す。
第1のプライマーセット12A、12B、12Cおよび12Dの各々は、切断不可能な第1のプライマー18または18’および切断可能な第2のプライマー20または20’を含み;第2のプライマーセット12A’、12B’、12C’および12D’の各々は、切断可能な第1のプライマー19および切断不可能な第2のプライマー21を含む。
切断不可能な第1のプライマー18または18’および切断可能な第2のプライマー20または20’は、例えば、切断不可能な第1のプライマー18または18’が順方向増幅プライマーであり、切断可能な第2のプライマー20または20’が逆方向増幅プライマーである場合、または切断可能な第2のプライマー20または20’が順方向増幅プライマーであり、切断不可能な第1のプライマー18または18’が逆方向増幅プライマーである場合、オリゴ一対である。第1のプライマーセット12A、12B、12C、および12Dの各例において、切断可能な第2のプライマー20または20’は切断部位22を含むが、切断不可能な第1のプライマー18または18’は切断部位22を含まない。
切断可能な第1のプライマー19または19’および切断不可能な第2のプライマー21または21’もまたオリゴペアであり、例えば、切断可能な第1のプライマー19または19’は順方向増幅プライマーであり、切断不可能な第2のプライマー21または21’は逆方向増幅プライマーであるか、または切断不可能な第2のプライマー21または21’は順方向増幅プライマーであり、切断可能な第1のプライマー19または19’は逆方向増幅プライマーである。第2のプライマーセット12A’、12B’、12C’および12D’の各例において、切断可能な第1のプライマー19または19’は、切断部位22’または23を含み、一方、切断不可能な第2のプライマー21または21’は、切断部位22’または23を含まない。
第1のプライマーセット12A、12B、12C、12Dの切断不可能な第1のプライマー18または18’および第2のプライマーセット12A’、12B’、12C’および12D’の切断可能な第1のプライマー19または19’は、切断可能な第1のプライマー19または19’がヌクレオチド配列またはヌクレオチド配列に結合したリンカー24’に組み込まれた切断部位22’または23を含むことを除いて、同じヌクレオチド配列(例えば、両方とも順方向増幅プライマーである)を有することを理解されたい。同様に、第1のプライマーセット12A、12B、12C、12Dの切断可能な第2のプライマー20または20’および第2のプライマーセット12A’、12B’、12C’および12D’の切断不可能な第2のプライマー21または21’は、切断可能な第2のプライマー20または20’がヌクレオチド配列またはヌクレオチド配列に結合したリンカー24に組み込まれた切断部位22を含むことを除いて、同じヌクレオチド配列を有する(例えば、両方とも逆増幅プライマーである)。
第1のプライマー18および19または18’および19’が順方向増幅プライマーである場合、第2のプライマー20および21または20’および21’は逆方向プライマーであり、逆もまた同様であることが理解されるべきである。
切断不可能なプライマー18、21または18’、21’の例としては、P5およびP7プライマーが挙げられ、その例は、例えば、HISEQ(商標)、HISEQX(商標)、MISEQ(商標)、MISEQDX(商標)、MINISEQ(商標)、NEXTSEQ(商標)、NEXTSEQDX(商標)、NOVASEQ(商標)、ISEQTM、GENOMEANALYZER(商標)、および他の機器プラットフォームなどのシーケンシングのためにIlluminaInc.が販売する市販のフローセルの表面上で使用される。P5およびP7プライマーは、捕捉および/または増幅目的のための普遍的な配列を有する。一例において、P5およびP7プライマーは、以下を含む:

P5:5’→3’
AATGATACGGCGACCACCGA(配列番号1)
P7:5’→3’
CAAGCAGAAGACGGCATACGA(配列番号2)

P5およびP7プライマーは、切断部位22、22’、23を含まないので、切断不可能プライマー18、21または18’、21’である。任意の適切な普遍的配列が、切断不可能なプライマー18、21または18’、21’として使用され得ることが理解されるべきである。
切断可能なプライマー19、20または19’、20’の例には、それぞれの核酸配列(例えば、図1Aおよび図1C)に、または切断可能なプライマー19、20または19’、20’をそれぞれの領域16、14に結合させるリンカー24’、24に組み込まれたそれぞれの切断部位22、22’、23を有するP5およびP7(または他の普遍的配列)プライマーが含まれる(図1Bおよび図1D)。適切な切断部位22、22’、23の例には、酵素的に切断可能な核酸塩基または化学的に切断可能な核酸塩基、修飾された核酸塩基、またはリンカー(例えば、核酸塩基間)が含まれる。酵素的に切断可能な核酸塩基は、グリコシラーゼおよびエンドヌクレアーゼ、またはエキソヌクレアーゼとの反応によって切断されやすくてもよい。切断可能な核酸塩基の1つの具体例は、デオキシウラシル(dU)であり、これは、USER酵素によって標的化され得る。例えば、ウラシル塩基は、P5プライマー(P5U)またはP7プライマー(P7U)の3’末端から7番目の塩基の位置に組み込むことができる。他の非塩基性部位も使用することができる。化学的に切断可能な核酸塩基、修飾された核酸塩基、またはリンカーの例には、ビシナルジオール、ジスルフィド、シラン、アゾベンゼン、光切断可能な基、アリルT(アリル官能性を有するチミンヌクレオチド類似体)、アリルエーテル、またはアジド官能性エーテルが含まれる。
それぞれのプライマーセット12Aおよび12A’または12Bおよび12B’または12Cおよび12C’または12Dおよび12D’は、基材上のそれぞれの領域14または16に結合される。いくつかの例では、領域14、16は、同じ表面化学を有し、本明細書に記載される技術のいずれかを使用して、領域14上にプライマー18、20または18’、20’の1つのセットを、そして領域16上にプライマー19、21または19’、21’の別のセットをグラフトし得る。他の例では、領域14または16は、それぞれのプライマー18、20または18’、20’または19、21または19’、21’と選択的に反応することができる様々な表面化学物質(例えば、官能基)を含む。これらの他の例では、第1の領域14は第1の官能基を有し、第2の領域16は第1の官能基とは異なった第2の官能基を有する。
前述のように、図1A~図1Dは、別領域14、16に結合したプライマーセット12A、12A’、12B、12B’、12C、12C’、および12D、12D’の異なる構成を示す。より具体的には、図1A~図1Dは、使用され得るプライマー18、20および19、21または18’、20’および19’、21’の異なる形状を示す。
図1Aに示される例において、プライマーセット12Aおよび12A’のプライマー18、20および19、21は、例えば、リンカー24、24’なしで、領域14および16に直接結合される。領域14は、プライマー18、20の5’末端に末端基を固定化することができる表面官能基を有していてもよい。同様に、領域16は、プライマー19、21の5’末端に末端基を固定化することができる表面官能基を有することができる。一例では、領域14とプライマー18、20との間の固定化化学(固定化ケミストリー)、および領域16とプライマー19、21との間の固定化化学は、プライマー18、20または19、21が所望の領域14または16に選択的に結合するように異なっていてもよい。別の例では、固定化化学は、領域14、16およびそれぞれのプライマー18、20または19、21について同じであってもよく、一度に1つのプライマーセット12A、12A’をグラフトするために、パターン化技術が使用されてもよい。さらに別の例では、領域14、16を形成するために適用される材料は、それに予めグラフトされたそれぞれのプライマー18、20または19、21を有してもよく、したがって、固定化化学は、同じであっても異なっていてもよい。
この例では、固定化は、それぞれのプライマー18および20または19および21の5’末端におけるそれぞれの領域14または16への一点共有結合によるものであってもよい。領域14、16では、当該技術分野で公知の任意の適切な共有結合手段を使用することができる。使用され得る末端プライマーの例としては、アルキン末端プライマー、テトラジン末端プライマー、アジド末端プライマー、アミノ末端プライマー、エポキシまたはグリシジル末端プライマー、チオホスフェート末端プライマー、チオール末端プライマー、アルデヒド末端プライマー、ヒドラジン末端プライマー、ホスホラミダイト末端プライマー、およびトリアゾリンジオン末端プライマーが挙げられる。いくつかの具体例では、スクシンイミジル(NHS)酸エステル末端プライマーは、領域14および/または16の表面でアミンと反応させてもよく、アルデヒド末端プライマーは、領域14および/または16の表面でヒドラジンと反応させてもよく、またはアルキン末端プライマーは、領域14および/または16の表面でアジドと反応させてもよく、またはアジド末端プライマーは、領域14および/または16の表面でアルキンまたはDBCO(ジベンゾシクロオクチン)させてもよく、またはアミノ末端プライマーは、領域14および/または16の表面で活性化カルボキシレート基またはNHSエステルと反応させてもよく、またはチオール末端プライマーは、領域14および/または16の表面でアルキル化反応物(例えば、ヨードアセトアミンまたはマレイミド)と反応させてもよく、ホスホラミダイト末端プライマーは、領域14および/または16の表面でチオエーテルと反応させてもよく、またはビオチン修飾プライマーは、領域14および/または16の表面でストレプトアビジンと反応させてもよい。
また、図1Aに示される例において、切断可能なプライマー20、19の各々の切断部位22、22’は、プライマー20、19の配列に組み込まれる。この例では、同じタイプの切断部位22、22’が、それぞれのプライマーセット12A、12A’の切断可能なプライマー20、19において使用される。例えば、切断部位22、22’はウラシル塩基であり、切断可能なプライマー20、19はP5UおよびP7Uである。この例では、オリゴペア18、20の切断不可能プライマー18はP7であってもよく、オリゴペア19、21の切断不可能プライマー21はP5であってもよい。したがって、この例では、第1のプライマーセット12AはP7、P5Uを含み、第2のプライマーセット12A’はP5、P7Uを含む。プライマーセット12A、12A’は、反対側の線形化化学を有し、これは、増幅、クラスター生成、および線形化の後、順方向鋳型ストランドが1つの領域14または16上に形成されること、および反転ストランドが他の領域16または14上に形成されることを可能にする。
図1Bに示される例において、プライマーセット12Bおよび12B’のプライマー18’、20’および19’、21’は、例えば、リンカー24、24’を介して領域14および16に結合される。領域14は、プライマー18’、20’の5’末端にリンカー24を固定することができる表面官能基を有することができる。同様に、領域16は、プライマー19’、21’の5’末端にリンカー24’を固定することができる表面官能基を有することができる。一例では、領域14およびリンカー24のための固定化化学、ならびに領域16およびリンカー24’のための固定化化学は、プライマー18’、20’または19’、21’が所望の領域14または16に選択的にグラフトされるように、異なっていてもよい。別の例において、固定化化学は、領域14、16およびリンカー24、24’について同じであり得、そして本明細書中に開示される任意の適切な技術が、一度に1つのプライマーセット12B、12B’をグラフトするために使用され得る。さらに別の例では、領域14、16を形成するために適用される材料は、予めグラフトされたそれぞれのプライマー18’、20’および19’、21’を有していてもよく、したがって、固定化化学は、同じであっても異なっていてもよい。好適なリンカー24、24’の例としては、核酸リンカー(例えば、10ヌクレオチド以下)または非核酸リンカー(例えば、ポリエチレングリコール鎖、アルキル基もしくは炭素鎖、ビシナルジオールを有する脂肪族リンカー、ペプチドリンカーなど)が挙げられ得る。核酸リンカーの例は、ポリTスペーサーであるが、他のヌクレオチドもまた使用され得る。一実施形態では、スペーサーは、6T~10Tスペーサーである。以下は、非核酸リンカー(ここで、Bは核酸塩基であり、「オリゴ」はプライマーである)を含むヌクレオチドのいくつかの例である:

図1Bに示される例において、プライマー18’、19’は、同じ配列および同じまたは異なるリンカー24、24’を有する。プライマー18’は切断不可能であるが、プライマー19’はリンカー24’に組み込まれた切断部位22’を含む。また、この例では、プライマー20’、21’は、同じ配列(例えば、P7)および同じまたは異なるリンカー24、24’を有する。プライマー21’は切断不可能であり、プライマー20’はリンカー24に組み込まれた切断部位22を含む。切断可能なプライマー20’、19’の各々のリンカー24、24’において、同じタイプの切断部位22、22’が使用される。例えば、切断部位22、22’は、核酸リンカー24、24’に組み込まれるウラシル塩基であってもよい。プライマーセット12B、12B’は、反対側の線形化化学を有し、これは、増幅、クラスター生成、および線形化の後、順方向鋳型ストランドが1つの領域14または16上に形成されること、および逆方向ストランドが他の領域16または14上に形成されることを可能にする。
図1Cに示される例は、異なるタイプの切断部位22、23が、それぞれのプライマーセット12C、12C’の切断可能プライマー20、19において使用されることを除いて、図1Aに示される例と同様である。例として、2つの異なる酵素的切断部位を使用してもよく、2つの異なる化学的切断部位を使用してもよく、または1つの酵素的切断部位および1つの化学的切断部位を使用してもよい。それぞれの切断可能なプライマー20、19において使用され得る異なる切断部位22、23の例としては、ビシナルジオール、ウラシル、アリルエーテル、ジスルフィド、制限酵素部位、および8-オキソグアニンの任意の組み合わせが挙げられる。
図1Dに示される例は、異なるタイプの切断部位22、23が、それぞれのプライマーセット12D、12D’の切断可能なプライマー20’、19’に結合したリンカー24、24’において使用されることを除いて、図1Bに示される例と同様である。切断可能なプライマー20、19に結合したリンカー24、24’のそれぞれにおいて使用され得る異なる切断部位22、23の例としては、ビシナルジオール、ウラシル、アリルエーテル、ジスルフィド、制限酵素部位、および8-オキソグアニンの任意の組み合わせが挙げられる。
図1A~図1Dに示される実施例のいずれにおいても、プライマー18、20および19、21または18’、20’および19’、21’の領域14、16への取り付け部材は、プライマー18、20および19、21または18’、20’および19’、21’の鋳型特定部位を、その同族鋳型へのアニーリングのために自由に残し、そしてプライマー伸長のために3’水酸基を自由に残す。
領域14、16は、異なるプライマーセット12A、12A’、または12B、12B’、または12C、12C’、または12D、12D’が結合している基材上の異なる領域を表す。領域14、16は、異なった官能基の材料を含むことができる。いくつかの例では、様々な官能基は、基材の表面に導入された基材または官能基の表面官能基であるか、または基材上に堆積される別の構成要素(例えば、ポリマー層、ビーズなど)の官能基であってもよい。
いくつかの例では、領域14、16は化学的に同じであり、本明細書に開示される任意の技術を使用して、それぞれのセット12Aおよび12A’、または12Bおよび12B’、または12Cおよび12C’、または12Dおよび12D’のプライマー18、20および19、21、または18’、20’および19’、21’をそれぞれの領域14、16に順次結合させてもよい。
領域14、16が化学的に同じである一例では、領域14、16の両方が同じポリマー層を含む。ポリマー層は、液体および気体に対して透過性である半剛性ポリマー材料であってもよい。ポリマー層の例は、ポリ(N-(5-アジドアセトアミジルペンチル)アクリルアミド-co-アクリルアミド、PAZAMなどのアクリルアミドコポリマーを含む。PAZAMおよびアクリルアミドコポリマーのいくつかの他の形態は、以下の構造(I)で表される:
ここで、
は、アジド、置換されていてもよいアミノ、置換されていてもよいアルケニル、置換されていてもよいヒドラゾン、置換されていてもよいヒドラジン、カルボキシル、ヒドロキシ、置換されていてもよいテトラゾール、置換されていてもよいテトラジン、ニトリルオキシド、ニトロン、およびチオールからなる群より選択され、
は、Hまたは任意に置換されたアルキルであり、
、RおよびRは、それぞれ独立して、Hおよび置換されていてもよいアルキルからなる群から選択され、
-(CH-のそれぞれを任意に置換することができ、
pは、1~50の範囲の整数であり、
nは1~50,000の範囲の整数であり、
mは1~100,000の範囲の整数である。
当業者は、構造(I)における繰り返し「n」および「m」特徴の配置が代表的であり、モノマーサブユニットが、ポリマー構造中に任意の順序で存在し得る(例えば、ランダム、ブロック、パターン化、またはそれらの組み合わせ)ことを認識する。
PAZAMの分子量は、約10kDa~約1500kDaの範囲であってもよく、または具体例では、約312kDaであってもよい。
いくつかの例では、PAZAMは直鎖状ポリマーである。いくつかの他の例では、PAZAMは、軽度に架橋されたポリマーである。
他の例では、ポリマー26は、構造(I)の変形であってもよい。一例では、アクリルアミド単位は、N,N-ジメチルアクリルアミド

で置き換えることができる。本実施例では、式(I)中のアクリルアミド単位を

で置き換えることができ、ここで、R、RおよびRがそれぞれHであり、RおよびRがそれぞれメチル基である(アクリルアミドの場合のようにHの代わりに)。この例では、qは、1~100,000の範囲の整数であってもよい。別の例では、アクリルアミド単位に加えて、N,N-ジメチルアクリルアミドを使用することができる。この実施形態では、構造(I)は、繰り返される「n」および「m」の特徴に加えて、
を含むことができ、ここで、R、RおよびRがそれぞれHであり、RおよびRがそれぞれメチル基であることを含むことができる。この例では、qは、1~100,000の範囲の整数であってもよい。
別の例のポリマーとして、構造(I)における繰り返し「n」特徴は、構造(II):
を有する複素環式アジド基を含むモノマーで置き換えられてもよく、ここで、RはHまたはC1~C4アルキルであり;RはHまたはC1~C4アルキルであり;Lは、炭素、酸素、および窒素からなる群から選択される2~20原子を有する直鎖状鎖、ならびに鎖中の炭素および任意の窒素原子上の10個の任意の置換基を含むリンカーであり;Eは、炭素、酸素、および窒素からなる群から選択される1~4個の原子、ならびに鎖中の炭素および任意の窒素原子上の任意の置換基を含む直鎖状鎖であり;Aは、Nに結合したHまたはC1~C4アルキルを有するN置換アミドであり;およびZは、窒素を含む複素環である。Zの例には、単一の環状構造または融合構造として存在する5~10環状メンバー(ringmember)が含まれる。
さらに別の例として、ポリマーは、構造(III)および(IV):

のそれぞれの繰り返し単位を含んでもよく、
ここで、R1a、R1b、R2aおよびR2bは、それぞれ独立して、水素、任意に置換されたアルキルまたは任意に置換されたフェニルから選択され、各R3aおよびR3bは、独立して、水素、任意に置換されたアルキル、任意に置換されたフェニル、または任意に置換されたC7~C14アラルキルから選択され、各LおよびLは、独立して、任意に置換されたアルキレンリンカーまたは任意に置換されたヘテロアルキレンリンカーから選択される。
第1および第2のプライマーセット12A、12A’または12B、12B’または12C、12C’または12D、12D’と相互作用するように官能化されている限り、他の分子を使用してポリマー層を形成してもよいことを理解されたい。好適なポリマー層の他の例には、アガロースなどのコロイド構造;またはゼラチンなどのポリマーメッシュ構造;またはポリアクリルアミドポリマーおよびコポリマーなどの架橋高分子構造、シランフリーアクリルアミド(SFA)、またはSFAのアジドール化版が含まれる。好適なポリアクリルアミドポリマーの例は、アクリルアミドおよびビニル基を含むアクリル酸またはアクリル酸から、または[2+2]光環状付加反応を形成するモノマーから合成することができる。好適なポリマー層のさらに他の例には、アクリルアミドとアクリル酸塩との混合共ポリマーが含まれる。星形ポリマー、星形または星形ブロックポリマー、デンドリマーなどの分枝ポリマーも使用することができる。
他の例では、領域14、16は化学的に異なる。例えば、領域14は、第1のプライマーセット12A、12B、12C、12Dのプライマー18、20または18’、20’を固定することができる表面官能基を有することができ、領域16は、第2のプライマーセット12A’、12B’、12C’、12D’のプライマー19、21または19’、21’を固定することができる様々な表面官能基を有することができる。
領域14、16が化学的に異なっている1つの実施形態では、ブロック共ポリマーが使用される。この実施例では、ブロック共ポリマーは、2つの異なったブロックを含み、一方は、第1のプライマーセット12A、12B、12C、12Dのプライマー18、20または18’、20’に結合することができるプライマーグラフト官能基を有し、他方は、第2のプライマーセット12A’、12B’、12C’、12D’のプライマー19、21または19’、21’に結合することができるプライマーグラフト官能基を有する。プライマーグラフト化官能基の例は、アジド/アジド、任意に置換されたアミノ、任意に置換されたアルケニル、アルデヒド、任意に置換されたヒドラゾン、任意に置換されたヒドラジン、カルボキシル、ヒドロキシ、任意に置換されたテトラゾール、任意に置換されたテトラジン、ニトリルオキシド、ニトロン、チオール、およびこれらの組み合わせからなる群から選択される。
化学的に別領域14、16の他の例には、金およびPAZAM、金およびアルミニウム、2つの異なる表面官能基を有するシラン(例えば、アジドおよびアミン)、金上のチオール自己集合単層、ならびにアルミニウムまたは酸化ハフニウム、SiOおよびTa、エポキシおよびTa上のホスホネート自己集合単層、アジド基を含む第1のポリマー、ならびにアミン基、SiOおよび銅、またはエポキシおよび銅を含む第2のポリマーが含まれる。いくつかの例が提供されたが、化学的に別領域14、16の他の組み合わせが使用されてもよいことが理解されるべきである。
領域14、16はまた、異なる物理的構成を有してもよい。図2~図6Bは、これらの構造の異なる例を示す。これらの例では、基材26は、ガラス、シリコンなどのような単一の層/材料として示されている。しかしながら、これらの例示的な構成のいずれかと共に多層基材を使用できることを理解されたい。例えば、これらの例のいずれかは、保持体上に形成された保持体およびパターン化された樹脂を含むことができる。
図2は、領域14、16が基材26の表面Sの様々な領域に配置されている例を示している。
図2に図示例を作製するための1つの例示的な方法が、図26A~図26Hに示される。プライマーセット12A、12A’または12B、12B’または12C、12C’または12D、12D’は、この説明を通して言及されているが、明確にするために示されているのではない。
図26Aに示されるように、第1の官能化層60が基材26上に適用される。第1の官能化層60は、ポリマー(PAZAM)、シラン、金属(金、アルミなど)、または第1のプライマーの組12A、12B、12C、12Dに結合することができる官能基を有する任意の他の物質であってもよい。第1の官能化層60は、本明細書に記載される技術のいずれかを使用して堆積されてもよい。
使用される第1の官能化層60に応じて、基材26は、シラン化またはプラズマアッシングを使用して活性化されて、第1の官能化層60と反応することができる表面基を生成することができる。シラン化およびプラズマアッシングの例は、図13Aを参照してより詳細に説明される。次いで、第1の官能化層60は、本明細書に記載される技術のいずれかを使用して堆積されてもよい。使用される材料に応じて、第1の官能化層60を硬化させることもできる。
図26Bおよび図26Cでは、次に、第1の官能化層60をパターン化して、フォトレジスト62によって覆われた第1の官能化領域(領域14)を形成する。一例では、フォトレジスト62はネガ型フォトレジストである(露出領域は不溶性になる)。適切なネガ型フォトレジストの例には、エポキシ系SU-8フォトレジスト(MicroChemicalsから入手可能)が含まれる。フォトレジスト62は、第1の官能化層60に適用され、特定の波長の光に選択的に露光されて不溶性部分(62で示す)を形成し、現像液溶液に曝して可溶性部分を除去する。別の例では、フォトレジスト62はポジ型フォトレジストである(露光領域は可溶性になる)。適切なポジ型フォトレジストの例としては、MICROPOSIT(登録商標)S1800シリーズまたはAZ(登録商標)1500シリーズが挙げられ、これらは両方ともMicroChemicalsから入手可能である。フォトレジスト62を基材26に適用し、ある波長の光に選択的に露光して可溶性領域を形成し、現像液溶液に曝して可溶性部分を除去し、不溶性領域(62で示す)を残す。他の例では、フォトレジスト62は、該領域(例えば、62)を形成するためにパターン化されたナノインプリントリソグラフィ樹脂で置き換えることができる。
図26Cに示すように、次に、第1の官能化層60の露出部分(例えば、フォトレジスト62によって覆われていない部分)を、例えば、エッチングまたは別の適切な技法によって除去することができる。
図26Dに示すように、次いで、任意の好適な蒸着技術を用いて、フォトレジスト62上及び基材26の一部(例えば、露出表面S)上に、第2の官能化層64を適用する。使用する材料に応じて、第2の官能化層64も硬化させることができる。
次に、図26Eに示すように、フォトレジスト62をリフトオフして、その上の第2の官能化層64のいずれかを除去することができる。
図26Fおよび図26Gでは、第2の官能化層64の一部が除去される。この部分を除去するために、第2のフォトレジスト62’を適用し、露光し、現像して、不溶性領域(62’で示す)が第1の官能化領域14と、i)第1の官能化領域14に隣接し、ii)第2の官能化領域16になる第2の官能化層64の望ましい部分とを覆うようにする。フォトレジスト62’が形成されると、第2の官能化層64の露出部分(例えば、フォトレジスト62’によって覆われていない部分)を、例えば、エッチングまたは他の適切な技術によって除去することができる。
次に、図26Hに示すように、フォトレジスト62’をリフトオフして、第1および第2の官能化領域14、16を露出させる。
いくつかの例において、プライマー18、20または18’、20’(図26A~図26Hには示されていない)は、第1の官能化層60に予めグラフトされ得、したがって、第1の官能化領域14に結合される。同様に、プライマー19、21または19’、21’(図26A~図26Hには示さず)は、第2の官能化層64に予めグラフトされ得、したがって、第2の官能化領域16に結合される。これらの実施例では、追加のプライマーグラフトは行われない。
他の例では、プライマー18、20または18’、20’は、第1の官能化層60に予めグラフトされていない。これらの実施例において、プライマー18、20または18’、20’は、第1の官能化層60が適用された後にグラフトされ得る(例えば、図26Aで)。領域14、16が異なった官能基を有する場合、プライマー18、20または18’、20’は、領域16の表層官能基にグラフトされないので、該方法の最後に(例えば、図26Hで)グラフトされ得る。
同様に、プライマー19、21または19’、21’は、第2の官能化層64に予めグラフトされていなくてもよい。これらの実施例において、プライマー19、21または19’、21’は、第2の官能化層64が適用された後にグラフトされ得る(例えば、図26Dで)。領域14、16が異なった官能基を有する場合、プライマー19、21または19’、21’は、領域14の表層官能基にグラフトされないので、該方法の最後に(例えば、図26Hで)グラフトされ得る。
この方法の間にグラフト化が行われる場合、グラフト化は、フロースルー析出(例えば、一時的に結合された蓋を使用して)、ダンクコーティング、スプレーコーティング、パドルディスペンシングによって、またはプライマー18、20もしくは18’、20’を領域14に結合させるか、またはプライマー19、21もしくは19’、21’を領域16に結合させる別の好適な方法によって達成され得る。これらの例示的な技術の各々は、プライマー溶液または混合物を利用し得、これは、プライマー18、20または18’、20’、19、21または19’、21’水、緩衝液、および触媒を含み得る。いずれのグラフト化方法においても、プライマー18、20または18’、20’は領域14の反応性基と反応し、またはプライマー19、21または19’、21’は領域16の反応性基と反応し、基材26に対する親和性を有さない。
図26A~図26Hには示されていないが、この例示的な方法は、第1の自己集合単層(SAM)を第1の官能化領域14上に堆積させるステップと、第2の自己集合単層(SAM)を第2の官能化領域16上に堆積させるステップとをさらに含むことができる。例えば、領域14は金であり、第1のSAMは、プライマー18、20または18’、20’に結合することができる金およびアジド基に結合することができるチオール基を含む。別の例では、領域16は、酸化ハフニウムまたは酸化アルミニウムであり、第2のSAMは、酸化ハフニウムまたは酸化アルミニウムに結合することができるホスホネート基と、プライマー19、21または19’、21’に結合することができるアミン基とを含む。自己集合単層を使用する例では、プライマーセット12A、12A’または12B、12B’または12C、12C’または12D、12D’は、SAMSが形成された後にグラフトされる。
図2に図示例を作製するための別の例示的な方法が、図27A~図27Fに示される。プライマーセット12A、12A’または12B、12B’または12C、12C’または12D、12D’は、本明細書を通して言及されているが、明確にするために示されているのではない。
図27Aに示すように、第1の基材部66が露出したままになるように、第1のフォトレジスト62が基材26上に適用される。この例では、フォトレジスト62は、ポジ型フォトレジスト(露光領域が可溶性になる)またはネガ型フォトレジスト(露光領域が不溶性になる)とすることができる。フォトレジスト62はまた、領域(例えば、62)を形成するためにパターン化されるナノインプリントリソグラフィ樹脂で置き換えられてもよい。
図27Bに示されるように、第1の官能化層60は、本明細書に記載される技術のいずれかを使用して、フォトレジスト62上および第1の基材部66上に堆積されてもよい。場合によっては、第1の官能化層60を硬化させることもできる。
次に、図27Cに示すように、フォトレジスト62をリフトオフして、その上の第1の官能化層60のいずれかを除去することができる。これにより、基材面Sに形成された範囲14が残る。
第2のフォトレジスト62’を適用し、露光し、現像して、不溶分領域(62’で示す)が、第1の官能化領域14に近接する第2の基材部68を除いて、第1の官能化領域14および基材26を覆うようにする。
図27Eに示すように、次に、任意の適当な堆積技術を用いて、場合によっては硬化させて、フォトレジスト62’上及び第2の基材部68上に、第2の官能化層64を適用する。
次に、図27Fに示すように、フォトレジスト62’をリフトオフして、その上の第2の官能化層64のいずれかを除去することができる。これにより、第1および第2の官能化領域14、16が露出される。
いくつかの例において、プライマー18、20または18’、20’(図27A~図27Fには示されていない)は、第1の官能化層60に予めグラフトされ得、したがって、第1の官能化領域14に結合される。同様に、プライマー19、21または19’、21’(図27A~図27Fには示されていない)は、第2の官能化層64に予めグラフトされ得、したがって、第2の官能化領域16に結合される。これらの実施例では、追加のプライマーグラフトは行われない。
他の例では、プライマー18、20または18’、20’は、第1の官能化層60に予めグラフトされていない。これらの実施例において、プライマー18、20または18’、20’は、第1の官能化層60が適用された後にグラフトされ得る(例えば、図27Bまたは27Cで)。領域14、16が異なった官能基を有する場合、プライマー18、20または18’、20’は、領域16の表層官能基にグラフトされないので、該方法の最後に(例えば、図27Fで)グラフトされ得る。
同様に、プライマー19、21または19’、21’は、第2の官能化層64に予めグラフトされていなくてもよい。これらの実施例において、プライマー19、21または19’、21’は、第2の官能化層64が適用された後にグラフトされ得る(例えば、図27Eで)。領域14、16が異なった官能基を有する場合、プライマー19、21または19’、21’は、領域14の表層官能基にグラフトされないので、該方法の最後に(例えば、図27Fで)グラフトされ得る。
グラフトがこの方法の間に行われる場合、グラフトは、本明細書中に開示される任意のグラフト技術を使用して達成され得る。いずれのグラフト化方法においても、プライマー18、20または18’、20’は領域14の反応性基と反応し、またはプライマー19、21または19’、21’は領域16の反応性基と反応し、基材26に対する親和性を有さない。
図27A~図27Fには示されていないが、この例示的な方法は、第1の自己集合単層(SAM)を第1の官能化領域14上に堆積させるステップと、第2の自己集合単層(SAM)を第2の官能化領域16上に堆積させるステップとをさらに含むことができる。自己集合単層を使用する例では、プライマーセット12A、12A’または12B、12B’または12C、12C’または12D、12D’は、SAMSが形成された後にグラフトされる。
図2に示される例を作製するためのさらに別の例示的な方法が、図41A~図41Gに示される。プライマーセット12A、12A’または12B、12B’または12C、12C’または12D、12D’は、この説明を通して言及されているが、明確にするために示されているのではない。
基材26は、本明細書に開示される基材の任意の例であってもよい。図示されていないが、基材は、保持体上のパターン化されていない樹脂(例えば、ガラス保持体上のナノインプリントリソグラフィ樹脂、または本明細書で説明される樹脂54および保持体52の任意の他の例、「ビーズベースフローセル」の部を参照されたい)を含む多層基材であってもよいことを理解されたい。
図41Aに示すように、本実施例では、基材26上に犠牲金属層98を適用する。例えば、多層基材のナノインプリントリソグラフィ樹脂/レジストは、酸素プラズマに曝され、次いで、犠牲金属層98は、任意の好適な金属析出技術を用いて堆積されてもよい。例えば、犠牲金属層98は、スパッタ法を用いて堆積される。犠牲金属層98の例は、アルミまたは銅を含み、層98は、約10nm~約100nmの範囲の厚さを有することができる。
図41Bに示されるように、レジストが犠牲金属層98に適用され、その中にマルチレベル(複数の高さ)またはマルチ深さ(複数の深さ)を有する凹部を画定するようにパターン化される。パターン化された樹脂は符号54’で示されている。この実施形態では、樹脂は、任意のナノインプリントリソグラフィ樹脂とすることができる。一例では、樹脂は、スピンコーティングされ、軟ベークされ、次いでスタンプされ、硬化されて(例えば、紫外線硬化を使用して)、深い部分70と、部分的にパターン化された樹脂54’の段差部分74によって画定される浅い部分72とを含むマルチレベルまたはマルチ深さの凹部を画定する。
次いで、ウェットエッチングまたはドライエッチングを使用して、深い部分70の下にある基材26の一部分100(例えば、多層基材のパターン化されていない樹脂またはガラスの一部分)および浅い部分72の下にある犠牲金属層98の一部分102を露出させることができる。露出した部分を図41Cに示す。ウェットエッチングの一例では、銅犠牲金属層98を除去するために、FeClを使用することができる。ウェットエッチングの別の実施形態では、アルミニウム犠牲金属層98を除去するためにKOHを使用することができる。ドライエッチングの一例では、まず、パターン化された樹脂54’の残留分を除去するために酸素プラズマが使用され、次に、アルミニウム犠牲金属層98をエッチングするために、ClプラズマとBClプラズマの組合せが使用される。酸素プラズマを再び使用して、露出部分100および102を洗浄することができる。この例では、深さD1(例えば、浅い部分72の深さ)およびD2(例えば、深い部分70の底部から段差部分74の頂部まで)、ならびに犠牲金属層98の厚さD3は、部分100および102を露出させるために、エッチング中に材料54’および98のそれぞれの所望の厚さが除去されるように、同一または類似(例えば、互いの1nm以内)であってもよい。
図41Dに示されるように、第1の官能化層60は、残りのパターン化された樹脂54’、基材26の露出部分100、および犠牲金属層98の露出部分102上に堆積されてもよい。第1の官能化層60は、任意の実施例であってもよく、本明細書に記載される任意の技術を使用して堆積されてもよい。場合によっては、第1の官能化層60も硬化される。
図41Eでは、基材26の別の部分104を露出させるために、ウェットエッチングを使用して、第1の官能化層60の一部および犠牲金属層98の別の部分を選択的に除去する。ウェットエッチングは、本明細書に記載されるように実行されてもよい。使用されるエッチャントは、犠牲金属層98をエッチングすることができ、したがって、第1の官能化層60を持ち上げることができる。
図41Fに示されるように、次に、第2の官能化層64が、露出部分104上および第1の官能化層60上に適用される。第2の官能化層64には、任意の適切な堆積技術を使用することができる。本明細書に開示される例示的な方法のいずれにおいても、堆積が高イオン強度下(例えば、10×PBS、NaCl、KClなどの存在下)で行われる場合、第2の官能化層64は、第1の官能化層60上に析出しないか、または第1の官能化層60に結合しない。したがって、第2の官能化層64は、第1の官能化層60に混入せず、領域16を残す。
次に、図41Gに示すように、残りのパターン化された樹脂54をリフトオフして、その上の第1の官能化層60のいずれかを除去することができる。このリフトオフプロセスは、超音波処理を用いてジメチルスルホキシド(DMSO)中で、またはアセトン中で、またはNMP(N-メチル-2-ピロリドン)ベースのストリッパを用いて行うことができる。次いで、残りの犠牲金属層98を露出させ、本明細書に記載のようにウェットエッチングを使用して除去することができる。部分的には、犠牲金属層98が領域14、16の下方に存在しないので、領域14、16は、ウェットエッチング後に基材面上にそのまま残る。
いくつかの例において、プライマー18、20または18’、20’(図41A~図41Gには示されていない)は、第1の官能化層60に予めグラフトされ得、したがって、第1の官能化領域14に結合される。同様に、プライマー19、21または19’、21’(図41A~図41Gには示さず)は、第2の官能化層64に予めグラフトされ得、したがって、第2の官能化領域16に結合される。これらの実施例では、追加のプライマーグラフトは行われない。
他の例では、プライマー18、20または18’、20’は、第1の官能化層60に予めグラフトされていない。これらの実施例において、プライマー18、20または18’、20’は、第1の官能化層60が適用された後に(例えば、図41Dで)グラフトされ得る。領域14、16が異なった官能基を有する場合、プライマー18、20または18’、20’は、領域16の表層官能基にグラフトされないので、該方法の最後に(例えば、図41Gで)グラフトされ得る。
同様に、プライマー19、21または19’、21’は、第2の官能化層64に予めグラフトされていなくてもよい。これらの実施例において、プライマー19、21または19’、21’は、第2の官能化層64が適用された後にグラフトされ得る(例えば、図41Fで)。領域14、16が異なった官能基を有する場合、プライマー19、21または19’、21’は、領域14の表層官能基にグラフトされないので、該方法の最後に(例えば、図41Gで)グラフトされ得る。
この方法の間にグラフト化が行われる場合、グラフト化は、フロースルー堆積(例えば、一時的に結合された蓋を使用して)、ダンクコーティング、スプレーコーティング、パドルディスペンシングによって、またはプライマー18、20もしくは18’、20’を領域14に結合させるか、またはプライマー19、21もしくは19’、21’を領域16に結合させる別の好適な方法によって達成され得る。これらの例示的な技術の各々は、プライマー溶液または混合物を利用し得、これは、プライマー18、20または18’、20’、19、21または19’、21’水、緩衝液、および触媒を含み得る。いずれのグラフト化方法においても、プライマー18、20または18’、20’は領域14の反応性基と反応し、またはプライマー19、21または19’、21’は領域16の反応性基と反応し、基材26に対する親和性を有さない。
図2に図示例を作製するためのさらに別の例示的な方法が、図42A~図42Hに示される。ここでも、プライマーセット12A、12A’または12B、12B’または12C、12C’または12D、12D’は、本明細書全体を通して言及されているが、明確にするために示されていない。
基材26は、本明細書に開示される基材の任意の例であってもよい。図41A~図41Gで説明した実施形態と同様に、基材は、保持体上にパターン化されていない樹脂を含む多層基材であってもよい。
図42Aに示すように、本実施例では、基材26上に犠牲金属層98を適用する。犠牲金属層98は、例示的な物質のいずれであってもよく、図41Aに関して説明された例のいずれかによって堆積されてもよい。
図42Bに示されるように、レジストが犠牲金属層98に適用され、その中にマルチレベルまたはマルチ深さの凹部を画定するようにパターン化される。パターン化された樹脂は符号54’で示されている。この実施形態では、樹脂は、任意のナノインプリントリソグラフィ樹脂とすることができる。一例では、樹脂は、スピンコーティングされ、軟ベークされ、次いでスタンプされ、硬化されて(例えば、紫外線硬化を使用して)、深い部分70と、部分的にパターン化された樹脂54’の段差部分74によって画定される浅い部分72とを含むマルチレベルまたはマルチ深さの凹部を画定する。
次いで、ウェットエッチングまたはドライエッチングを使用して、深い部分70の下にある基材26の一部分100(例えば、多層基材のパターン化されていない樹脂の一部分)および浅い部分72の下にある犠牲金属層98の一部分102を露出させることができる。露出部分100および102は、図42Cに示される。ウェットエッチングまたはドライエッチングは、図41Cを参照して説明したように実行することができる。
図42Dに示すように、第1の官能化層60は、残りのパターン化された樹脂54’、基材26の露出部分100、および犠牲金属層98の露出部分102上に堆積させることができる。第1の官能化層60は、任意の実施例であってもよく、本明細書に記載される任意の技術を使用して堆積されてもよい。場合によっては、第1の官能化層60を硬化させることもできる。
図42Eおよび図42Fでは、次に、第1の官能化層60をパターン化して、フォトレジスト62によって覆われた第1の官能化領域(領域14)を形成する。この例では、フォトレジスト62はネガ型フォトレジストである。フォトレジスト62は、第1の官能化層60に適用され、特定の波長の光に選択的に露光されて不溶性部分を形成し、現像液溶液に露出されて可溶性部分を除去することができる。残りのフォトレジスト62は、深い部分70における部分100上にある第1の官能化層60の部分上に配置される。
図42Fに示すように、次に、第1の官能化層60の露出部分(例えば、フォトレジスト62によって覆われていない部分)を、例えば、エッチングまたは別の適切な技法によって除去することができる。このエッチングプロセス(例えば、酸素プラズマ)はまた、パターン化された樹脂54’の一部およびフォトレジスト62の一部を除去する。別のエッチング工程では、浅い部分72(図42B参照)の下にあった犠牲金属層98が除去される。この例では、図41Cを参照して説明したようなウェットエッチングまたはドライエッチングを使用することができる。この工程は、基材26の他の一部104を露出させる。
図42Gに示すように、次に、任意の適当な堆積技術を用いて、樹脂54’、フォトレジスト62、及び基材26の露出部分104の露出部分に第2の官能化層64を適用する。一実施例では、第2の官能化層64は、フォトレジスト62上に堆積されてもよいが、フォトレジスト62が持ち上げられると、フォトレジスト62とともに除去されてもよい。
図42Hに示されるように、残りのパターン化された樹脂54’およびフォトレジスト62は、次いで、リフトオフされ得、それは、その上の第2の官能化層64のいずれかを除去する。このリフトオフプロセスは、超音波処理を用いてジメチルスルホキシド(DMSO)中で、またはアセトン中で、またはメチルピロリドン(N-メチル-2-ピロリドン)ベースのストリッパを用いて行うことができる。次いで、残りの犠牲金属層98を露出させ、本明細書に記載のようにウェットエッチングを使用して除去することができる。部分的には、犠牲金属層98が領域14、16の下方に存在しないので、領域14、16は、ウェットエッチング後に基材面上にそのまま残る。
いくつかの例において、プライマー18、20または18’、20’(図42A~図42Hには示されていない)は、第1の官能化層60に予めグラフトされ得、したがって、第1の官能化領域14に結合される。同様に、プライマー19、21または19’、21’(図42A~図42Hには示さず)は、第2の官能化層64に予めグラフトされ得、したがって、第2の官能化領域16に結合される。これらの実施例では、追加のプライマーグラフトは行われない。
他の例では、プライマー18、20または18’、20’は、第1の官能化層60に予めグラフトされていない。これらの実施例において、プライマー18、20または18’、20’は、第1の官能化層60が適用された後に(例えば、図42Dで)グラフトされ得る。領域14、16が異なった官能基を有する場合、プライマー18、20または18’、20’は、領域16の表層官能基にグラフトされないので、該方法の最後に(例えば、図42Hで)グラフトされ得る。
同様に、プライマー19、21または19’、21’は、第2の官能化層64に予めグラフトされていなくてもよい。これらの実施例において、プライマー19、21または19’、21’は、第2の官能化層64が適用された後にグラフトされ得る(例えば、図42Gで)。領域14、16が異なった官能基を有する場合、プライマー19、21または19’、21’は、領域14の表層官能基にグラフトされないので、該方法の最後に(例えば、図42Hで)グラフトされ得る。
この方法の間にグラフト化が行われる場合、グラフト化は、フロースルー析出(例えば、一時的に結合された蓋を使用して)、ダンクコーティング、スプレーコーティング、パドルディスペンシングによって、またはプライマー18、20もしくは18’、20’を領域14に結合させるか、またはプライマー19、21もしくは19’、21’を領域16に結合させる別の好適な方法によって達成され得る。これらの例示的な技術の各々は、プライマー溶液または混合物を利用し得、これは、プライマー18、20または18’、20’、19、21または19’、21’水、緩衝液、および触媒を含み得る。いずれのグラフト化方法においても、プライマー18、20または18’、20’は領域14の反応性基と反応し、またはプライマー19、21または19’、21’は領域16の反応性基と反応し、基材26に対する親和性を有さない。
図2に示す例示的な領域14、16は、マイクロコンタクトプリンティングまたはインクジェットプリンティングなどの直接印刷技術を使用して形成することもできる。これらの方法は、約1μm~約50μmなどのミクロンスケールで領域を生成することが望ましい場合に特に好適であり得る。
図2に示される実施例では、基材表面Sを横切って複数セットの分離された領域14、16をアレイ状に形成し得ることが理解される。分離されたセットにおける領域14、16が隣り合っていれば、多種多様なレイアウトを用いることができる。
図3A~図6Bは、領域14、16の少なくとも一方が基材26に画定された凹部28に位置する様々な例を示す。凹部28は、単層基材(例えば、基材26)で形成されてもよいし、多層基材の最表層で形成されてもよい。
凹部28は、フォトリソグラフィー、ナノインプリントリソグラフィ(NIL)、スタンピング技術、エンボス加工技術、成形技術、マイクロエッチング技術などの任意の適切な技術を使用して形成することができる。
図3A~図6Bの各々には単一の凹部28が示されているが、フローセルは、間隙領域30によって分離された複数の凹部28を含むことができ、凹部28の各々は、第1の部分に位置する第1の領域14と、第2の部分に位置する第2の領域16とを含むことを理解されたい。なおさらに、本明細書に開示される例のいくつかは、異なるサイズを有する凹部28Aおよび28B(例えば、図11Cを参照のこと)、または相互接続されるが異なるサイズを有する2つの部分34、34’を含む凹部28C(例えば、図11Dを参照のこと)を含む。凹部28に関する以下の説明は、本明細書に開示される凹部28、28A、28B、28Cの任意の例に適用可能であることを理解されたい。
規則的パターン、繰り返しのパターン、および非規則的パターンを含む、凹部28の多くの異なるレイアウトを想定することができる。例えば、凹部28は、密にパッキングし、濃度を向上させるために、六角形の格子状に配置されている。他のレイアウトは、例えば、直線(すなわち、矩形)レイアウト(図24参照)、三角形レイアウトなどを含むことができる。いくつかの例では、レイアウトまたはパターンは、行および列にある凹部28のx-yフォーマットとすることができる。いくつかの他の例では、レイアウトまたはパターンは、凹部28および/または間隙領域30の繰り返し配列であってもよい。さらに他の例では、レイアウトまたはパターンは、凹部28および/または間隙領域30のランダムな配列であってもよい。パターンは、ストライプ、スワール、線、三角形、長方形、円、弧、チェック、プライド、対角線、矢印、正方形、および/またはクロスハッチを含むことができる。
レイアウトまたはパターンは、定義された領域における凹部28の密度(すなわち、凹部28の数)に関して特徴付けられてもよい。例えば、凹部28は、約200万/mmの密度で存在してもよい。密度は、例えば、少なくとも約100/mm、少なくとも約1,000/mm、少なくとも約10万/mm、少なくとも約100万/mm、少なくとも約200万/mm、少なくとも約500万/mm、少なくとも約1000万/mm、少なくとも約5000万/mm、またはそれ以上の密度を含む様々な密度に調整することができる。代替的に又は追加的に、密度は、約5000万/mm以下、約1000万/mm以下、約500万/mm以下、約200万/mm以下、約100万/mm以下、約10万/mm以下、約1000/mm以下、約100/mm以下に調整することができる。さらに、凹部28の密度は、上記の範囲から選択された、下側の値の1つと上側の値の1つとの間とすることができることを理解されたい。例として、高密度アレイは、約100nm未満だけ分離された凹部28を有することを特徴とすることができ、中密度アレイは、約400nm~約1μm(1000nm)だけ分離された凹部28を有することを特徴とすることができ、低密度アレイは、約1μmを超えて分離された凹部28を有することを特徴とすることができる。例示的な密度が提供されたが、任意の好適な密度を有する基材が使用されてもよいことを理解されたい。
凹部28のレイアウトまたはパターンは、平均ピッチ、すなわち、凹部28の中心から隣接する凹部28の中心までの間隔(中心間間隔)、または1つの凹部28の縁から隣接する凹部28の縁までの間隔(縁から縁までの間隔)に関して特徴付けられてもよいし、代替的に特徴付けられてもよい。パターンは、平均ピッチの周りの変動係数が小さくなるように規則的であってもよく、またはパターンは、変動係数が比較的大きくなり得る非規則的であってもよい。いずれの場合も、平均ピッチは、例えば、少なくとも約10nm、約0.1μm、約0.5μm、約1μm、約5μm、約10μm、約100μm、またはそれ以上であり得る。あるいは、またはさらに、平均ピッチは、例えば、多くとも約100μm、約10μm、約5μm、約1μm、約0.5μm、約0.1μm、またはそれ以下であり得る。凹部28の特定のパターンの平均ピッチは、下側の値のうちの1つと、上記の範囲から選択された上側の値のうちの1つとの間とすることができる。一例では、凹部28は、約1.5μmのピッチ(中心間間隔)を有する。例示的な平均ピッチ値が提供されたが、他の平均ピッチ値が使用されてもよいことが理解されるべきである。
図3A~図6Bに図示例では、凹部28はウェルである。ウェルは、マイクロウェルまたはナノウェルであってもよい。各ウェルのサイズは、その体積、ウェル開口面積、深さ、および/または直径によって特徴付けることができる。
各ウェルは、液体を閉じ込めることができる任意の体積を有することができる。最小限または最大限の体積は、例えば、処理量(例えば、多重性)、分解能、分析物組成物、またはフローセルの下流での使用に予想される分析物反応性に適応するように選択することができる。例えば、体積は、少なくとも約1×10-3μm、少なくとも約1×10-2μm、少なくとも約0.1μm、少なくとも約1μm、少なくとも約10μm、少なくとも約100μm、またはそれ以上とすることができる。あるいは、またはさらに、体積は、多くとも約1×10μm、多くとも約1×10μm、多くとも約100μm、多くとも約10μm、多くとも約1μm、多くとも約0.1μm、またはそれ以下であり得る。領域14、16は、ウェルの体積の全部または一部を満たすことができることを理解されたい。例えば、個々のウェル中のポリマー層の体積は、上記で特定した値より大きくても、小さくても、またはその間であってもよい。
表面上の各ウェル開口部によって占められる面積は、ウェル体積について上述したものと同様の基準に基づいて選択することができる。例えば、表面上の各ウェル開口部の表面積は、少なくとも約1×10-3μm、少なくとも約1×10-2μm、少なくとも約0.1μm、少なくとも約1μm、少なくとも約10μm、少なくとも約100μm、またはそれ以上とすることができる。代替的に又は追加的に、面積は、最大約1×10μm、最大約100μm、最大約10μm、最大約1μm、最大約0.1μm、約1×10-2μm、又はそれ未満であってもよい。各ウェル開口部によって占められる面積は、上記で特定された値より大きくても、小さくても、またはその間であってもよい。
各ウェル(または任意の他の種類の凹部28)の深さは、少なくとも約0.1μm、少なくとも約1μm、少なくとも約10μm、少なくとも約100μm、またはそれ以上とすることができる。あるいは、またはさらに、深さは、最大で約1×10μm、最大で約100μm、最大で約10μm、最大で約1μm、最大で約0.1μm、またはそれ以下であり得る。各ウェル(または他の凹部28)の深さは、上記で特定された値より大きくても、小さくても、またはその間であってもよい。
いくつかの例では、各ウェル(または他の凹部28)の直径は、少なくとも約50nm、少なくとも約0.1μm、少なくとも約0.5μm、少なくとも約1μm、少なくとも約10μm、少なくとも約100μm、またはそれ以上とすることができる。あるいは、またはさらに、直径は、多くとも約1×10μm、多くとも約100μm、多くとも約10μm、多くとも約1μm、多くとも約0.5μm、多くとも約0.1μm、またはそれ以下(例えば、約50nm)であり得る。各ウェル(または他の凹部28)の直径は、上記で特定された値より大きくても、小さくても、またはその間であってもよい。
凹部28がトレンチである場合(例えば、図34Hを参照)、トレンチおよび間隙領域の両方は、直線構成を有することができる。各トレンチの深さは、少なくとも約0.02μm(20nm)、少なくとも約0.1μm(100nm)、少なくとも約1μm、少なくとも約10μm、少なくとも約100μm、またはそれ以上とすることができる。あるいは、またはさらに、深さは、最大で約1×10μm、最大で約100μm、最大で約10μm、最大で約1μm、最大で約0.1μm、またはそれ以下であり得る。各トレンチの深さは、上記で指定された値より大きくても、小さくても、またはその間であってもよい。
いくつかの例では、各トレンチの幅は、少なくとも約0.02μm、少なくとも約0.1μm、少なくとも約0.5μm、少なくとも約1μm、少なくとも約10μm、少なくとも約100μm、またはそれ以上とすることができる。あるいは、またはさらに、幅は、多くとも約1×10μm、多くとも約100μm、多くとも約10μm、多くとも約1μm、多くとも約0.5μm、多くとも約0.1μm、またはそれ以下(例えば、約50nm)であり得る。各トレンチの幅は、上記で指定された値より大きくても、小さくても、またはその間であってもよい。
図3Aおよび図3Bは、それぞれ、領域14、16が凹部28の異なる領域に位置する例の断面図および上面図を示す。この例では、領域14、16は、凹部28において互いに直接隣接している。
図3Aおよび図3Bに図示例を作製するための1つの例示的な方法が、図28Aから図28Gに示される。プライマーセット12A、12A’または12B、12B’または12C、12C’または12D、12D’は、本明細書を通して言及されているが、明確にするために示されていない。さらに、図3Aおよび図3Bは、単一層基材26に画定された凹部28を示し、一方、例示的な方法は、多層基材の保持体52上のパターン化された樹脂54’に画定された凹部28を示す。この方法は、単層基材で使用されてもよいことを理解されたい。
この実施形態では、多層基材は、保持体52上に(パターン化された)樹脂54’を含む。樹脂54(例えば、「ビーズベースフローセル」の部を参照)、保持体52、および本明細書に記載の樹脂54をパターン化するための方法の任意の例を使用することができる。
図28Aに示すように、パターン化された樹脂54’に形成された凹部28は、隣接する凹部28を互いに分離する間隙領域30に隣接している。図28Bに示されるように、第1の官能化層60は、本明細書に記載される技術のいずれかを使用して、パターン化された樹脂54’上に適用される(例えば、堆積されるか、または堆積され、硬化される)。
図28Cおよび図28Dでは、次に、第1の官能化層60をパターン化して、フォトレジスト62によって覆われた第1の官能化領域(領域14)を形成する。この例では、フォトレジスト62は、ネガ型フォトレジスト(露光領域が不溶性になる)またはポジ型フォトレジスト(露光領域が可溶性になる)とすることができる。フォトレジスト62は、第1の官能化層60に適用され、ある波長の光に選択的に露光されて不溶性または可溶性部分を形成し、現像液溶液に露出されて可溶性部分を除去する。他の例では、フォトレジスト62は、ナノインプリントリソグラフィ樹脂で置き換えることができる。図28Cに示すように、この例では、フォトレジスト62は、凹部28の第1の部分76上にある第1の官能化層60の部分(例えば、領域14になる層60の部分)を覆い、凹部28の第2の部分78上にある第1の官能化層60の第2の部分を覆わない。
図28Dに示すように、次に、第1の官能化層60の露出部分(例えば、フォトレジスト62によって覆われていない部分)を、例えば、エッチングまたは別の適切な技法によって除去することができる。これにより、凹部28の第2の部分78および間隙領域30が露出する。
図28Eに示すように、第2の官能化層64は、次に、任意の好適な結合技術を用いて(物質に応じて硬化を伴って、または伴わずに)、フォトレジスト62上に、および凹部28の第2の部分78上および間隙領域30上を含む、基材26の部分(例えば、露出表面S)上に適用される。
次に、図28Fに示すように、フォトレジスト62をリフトオフして、その上の第2の官能化層64のいずれかを除去することができる。
図28Gでは、第2の官能化層64の一部が除去される。特に、第2の官能化層64は、間隙領域30から除去される。この例では、除去することは、第2の官能化層64(および存在し得る第1の官能化層60のいずれか)を間隙領域30から研磨することを含む。
研磨工程は、緩やかな化学スラリー液(例えば、研磨剤、緩衝剤、キレート剤、界面活性剤、および/または分散剤を含む)を用いて実施することができ、これは、下にある基材26またはパターン化された樹脂54’にこれらの領域で有害な影響を及ぼすことなく、間隙領域30から第2の官能化層64(および存在し得る第1の官能化層60のいずれか)を除去することができる。あるいは、研磨粒子を含まない溶液で研磨を行ってもよい。
化学スラリー液は、間隙領域30の表面を研磨するために化学機械研磨系で使用することができる。研磨ヘッド/パッドまたは他の研磨ツールは、凹部28における領域14、16を少なくとも実質的に無傷のままにしながら、間隙領域30から第2の官能化層64(および存在し得る第1の官能化層60のいずれか)を研磨することができる。一例として、研磨ヘッドは、Strasbaugh ViPRRII研磨ヘッドであってもよい。
洗浄および乾燥工程は、研磨後に実行されてもよい。洗浄工程は、水浴および音波処理を利用してもよい。恒温水槽は、約22℃~約30℃の範囲の比較的低い温度に維持することができる。乾燥工程は、スピン乾燥、または別の適切な技術による乾燥を含み得る。
いくつかの例では、プライマー18、20または18’、20’(図28A~図28Gには示されていない)は、第1の官能化層60に予めグラフトされてもよく、したがって、第1の官能化領域14に結合される。同様に、プライマー19、21または19’、21’(図28A~図28Gには示さず)は、第2の官能化層64に予めグラフトされ得、したがって、第2の官能化領域16に結合される。これらの実施例では、追加のプライマーグラフトは行われない。
他の例では、プライマー18、20または18’、20’は、第1の官能化層60に予めグラフトされていない。これらの実施例において、プライマー18、20または18’、20’は、第1の官能化層60が適用された後にグラフトされ得る(例えば、図28Bで)。領域14、16が異なった官能基を有する場合、プライマー18、20または18’、20’は、領域16の表層官能基にグラフトされないので、該方法の最後に(例えば、図28Gで)グラフトされ得る。
同様に、プライマー19、21または19’、21’は、第2の官能化層64に予めグラフトされていなくてもよい。これらの実施例において、プライマー19、21または19’、21’は、第2の官能化層64が適用された後にグラフトされ得る(例えば、図28Eで)。領域14、16が異なった官能基を有する場合、プライマー19、21または19’、21’は、領域14の表層官能基にグラフトされないので、該方法の最後に(例えば、図28Gで)グラフトされ得る。
グラフトがこの方法の間に行われる場合、グラフトは、本明細書中に開示される任意のグラフト技術を使用して達成され得る。いずれのグラフト化方法においても、プライマー18、20または18’、20’は領域14の反応性基と反応し、またはプライマー19、21または19’、21’は領域16の反応性基と反応し、パターン化された樹脂54’に対する親和性を有さない。
図28A~図28Gには示されていないが、この例示的な方法は、第1の自己集合単層(SAM)を第1の官能化領域14上に堆積させるステップと、第2の自己集合単層(SAM)を第2の官能化領域16上に堆積させるステップとをさらに含むことができる。自己集合単層を使用する例では、プライマーセット12A、12A’または12B、12B’または12C、12C’または12D、12D’は、SAMSが形成された後にグラフトされる。
図3Aおよび図3Bに図示例を作製するための別の例示的な方法が、図29Aから図29Hに示される。プライマーセット12A、12A’または12B、12B’または12C、12C’または12D、12D’は、本明細書を通して言及されているが、明確にするために示されていない。さらに、図3Aおよび図3Bは、単一層基材26に画定された凹部28を示し、一方、例示的な方法は、多層基材の保持体52上のパターン化された樹脂54’に画定された凹部28’を示す。この方法は、単層基材で使用されてもよいことを理解されたい。
この実施形態では、多層基材は、保持体52上に(パターン化された)樹脂54’を含む。図29Aに示すように、パターン化された樹脂54’に形成された凹部28’は、隣接する凹部28’を互いに分離する間隙領域30に隣接している。凹部28’は、深い部分70と、パターン化された樹脂54’の段差部分74によって部分的に画定される浅い部分72とを含む、マルチレベルまたはマルチ深さの凹部である。
この実施形態では、犠牲層が凹部28’における深部70を少なくとも部分的に充填するように、犠牲層がパターン化された樹脂54’上に適用される。例示的な犠牲層76は、該方法で使用される樹脂54’およびフォトレジスト62とは異なったエッチング率を有する任意の物質である。適切な犠牲層材料76の例には、シリコン、アルミニウム、ネガティブまたは正フォトレジスト、銅などが含まれる。これらの材料は、本明細書中に開示される任意の適切な技術を使用して堆積され得る。図示されていないが、深部70の少なくとも一部に堆積されることに加えて、犠牲層は、間隙領域30および段差部分74上に堆積されてもよく、または凹部28’を完全に充填してもよいことを理解されたい。
次に、犠牲層の一部と樹脂54’の一部とが連続的に除去される。犠牲層は、最初にエッチバックされ、間隙領域30および段差部分74から除去され、深い部分70における犠牲層の残りの部分(図29Bに符号80で示す)は、段差部分74と実質的に同じ高さになる。図29Bに示すように、樹脂54’のいくつかの部分が除去される。例えば、樹脂54’の一部を除去して、犠牲層80の残りの部分と実質的に同じ高さの新しい(第2の)間隙領域30’を形成し、樹脂54’を除去して段差部分74を除去する。段差部分74を取り除くと、犠牲層80の残りの部分の隣に凹部28’の領域/部分76が形成される。
図29Cに示されるように、第1の官能化層60は、犠牲層80の残りの部分、面積/部分76、および(第2の)格子間面積30’上に適用される。次に、図29Dに示すように、フォトレジスト62を第1の官能化層60上に適用する。
次いで、フォトレジスト62の一部および下にある第1の官能化層60を除去して、犠牲層80の残りの部分および間隙領域30’を露出させることができる。これを図29Eに示す。この除去プロセスは、フォトレジスト62の部分および下にある第1の官能化層60を選択的に除去するが、犠牲層80の残りの部分を除去しないエッチング液でエッチングすることによって達成することができる。本実施例では、ウェットエッチングは、NaOH、KOH、TMAH(テトラメチルアンモニウムヒドロキシド)などの基本現像液液を用いて行ってもよいし、酸素プラズマを用いてドライエッチングを行ってもよい。本実施例では、犠牲層80の残りの部分が露出した時点でエッチングを停止する。これにより、第1の官能化層60の第2の部分(例えば、領域14)が残り、その上の領域/部分76にフォトレジストの第2の部分62’’を有する。
図29Fに示すように、次に、犠牲層80の残りの部分を除去して、第1の官能化層60の第2の部分(例えば、領域14)に隣接する第2の領域/部分78を露出させる。この除去プロセスは、残りの犠牲層76を選択的に除去するが、その上にフォトレジストの第2の部分62’’を有する第1の官能化層60の第2の部分(例えば、領域14)を除去しないエッチング液でエッチングすることによって達成することができる。例として、アルミニウム犠牲層80は、酸性または基本条件で除去することができ、銅犠牲層80は、FeClを使用して除去することができ、フォトレジスト犠牲層80は、アセトンなどの有機溶媒を使用して、または塩基性(pH)条件で除去することができ、シリコン犠牲層80は、塩基性(pH)条件で除去することができる。
図29Gに示すように、次いで、任意の適切な析出(および適用可能な場合には硬化)技術を使用して、第2の官能化層64が面積/部分78に適用される。これにより、第2の官能化領域16が形成される。図29Gに示されるように、第2の官能化層64はまた、フォトレジストの第2の部分62’’上および間隙領域30上に適用され得る。
図29Gに示されるように、フォトレジストの第2の部分62’’は、次いで、リフトオフされ得、これはまた、その上の第2の官能化層64のいずれかを除去する。これにより、第1の官能化領域14が形成される。研磨は、間隙領域30’から第2の官能化層64を除去するために実行されてもよい。
図29A~29Hに示す例はフォトレジスト62を含むが、第2の官能化層64が第1の官能化層60に接着しない場合、フォトレジスト62を省略することができることを理解されたい。さらに、犠牲層80が、第1の官能化層60が接着しない透明材料である場合、犠牲層80は除去されず、領域16が犠牲層80上に形成されてもよい。
いくつかの例において、プライマー18、20または18’、20’(図29A~図29Hには示されていない)は、第1の官能化層60に予めグラフトされ得、したがって、第1の官能化領域14に結合される。同様に、プライマー19、21または19’、21’(図29A~図29Hには示さず)は、第2の官能化層64に予めグラフトされ得、したがって、第2の官能化領域16に結合される。これらの実施例では、追加のプライマーグラフトは行われない。
他の例では、プライマー18、20または18’、20’は、第1の官能化層60に予めグラフトされていない。これらの実施例において、プライマー18、20または18’、20’は、第1の官能化層60が適用された後に(例えば、図29Cで)グラフトされ得る。領域14、16が異なった官能基を有する場合、プライマー18、20または18’、20’は、領域16の表層官能基にグラフトされないので、該方法の最後に(例えば、図29Hで)グラフトされ得る。
同様に、プライマー19、21または19’、21’は、第2の官能化層64に予めグラフトされていなくてもよい。これらの実施例において、プライマー19、21または19’、21’は、第2の官能化層64が適用された後にグラフトされ得る(例えば、図29Gで)。領域14、16が異なった官能基を有する場合、プライマー19、21または19’、21’は、領域14の表層官能基にグラフトされないので、該方法の最後に(例えば、図29Hで)グラフトされ得る。
グラフトがこの方法の間に行われる場合、グラフトは、本明細書中に開示される任意のグラフト技術を使用して達成され得る。いずれのグラフト化方法においても、プライマー18、20または18’、20’は領域14の反応性基と反応し、またはプライマー19、21または19’、21’は領域16の反応性基と反応し、パターン化された樹脂54’に対する親和性を有さない。
図29A~図29Hには示されていないが、この例示的な方法は、第1の自己集合単層(SAM)を第1の官能化領域14上に堆積させるステップと、第2の自己集合単層(SAM)を第2の官能化領域16上に堆積させるステップとをさらに含むことができる。自己集合単層を使用する例では、プライマーセット12A、12A’または12B、12B’または12C、12C’または12D、12D’は、SAMSが形成された後にグラフトされる。
図3Aおよび図3Bに図示例を作製するためのさらに別の例示的な方法が、図30A~図30Fに示される。プライマーセット12A、12A’または12B、12B’または12C、12C’または12D、12D’は、本明細書を通して言及されているが、明確にするために示されていない。さらに、図3Aおよび図3Bは、単一層基材26に画定された凹部28’を示し、一方、例示的な方法は、多層基材の保持体52上のパターン化された樹脂54’に画定された凹部28’を示す。この方法は、単層基材で使用されてもよいことを理解されたい。
図30Aに示すように、この実施形態では、多層基材は、保持体52上のパターン化されていない樹脂54と、樹脂54上の犠牲層80とを含む。樹脂54、保持体52、および犠牲層80の任意の例を使用することができる。
図30Bに示されるように、追加の樹脂が犠牲層80に適用され、その中に凹部28’を画定するようにパターン化される。追加の樹脂は、樹脂54と同じであっても異なっていてもよい。凹部28’は、深い部分70と、部分的にパターン化された樹脂54’の段差部分74によって画定される浅い部分72とを含む、マルチレベルまたはマルチ深さの凹部である。
図30Cに示すように、(深い部分70に隣接した)パターン化された樹脂54’の第1の部分と、深い部分70の下にある犠牲層80の部分とがエッチングされる。これにより、樹脂54の一部82が露出する。一例では、パターン化された樹脂54’は、犠牲層80の下にある部分を露出させるために異方性酸素プラズマを使用してエッチングされてもよく、次いで、犠牲層80の部分は、例えば、BC1およびClプラズマを使用して除去されてもよい。
図30Dに示すように、パターン化された樹脂54’の段差部分74は、例えば、酸素プラズマを用いてエッチング除去される。これにより、段差部分74の下にある犠牲層80が露出する。使用されるエッチャントは、樹脂54’をエッチングすることができるが、犠牲層80をエッチングすることはできない。したがって、犠牲層80はエッチストップとして作用し、したがって、犠牲層80の部分102’が露出される。
樹脂54’がエッチングされると、最初の間隙領域30が短くなり得ることが理解されるべきである。このようにして、間隙領域30’が形成される。
また、図30Dに示されるように、第1の官能化層60は、堆積(および場合によっては硬化)されてもよい。第1の官能化層60は、犠牲層80の露出部分102’に接着しなくてもよいが、樹脂54の部分82と、凹部28’を囲む間隙領域30’とに接着する。
次いで、犠牲層80の露出部分102’を(例えば、材料に応じて塩基性溶液またはFeClを使用して)エッチング除去することができ、第2の官能化層64を堆積(および材料に応じて硬化)することができる。図30Eに示されるように、第2の官能化層64は、樹脂54の新たに露出された部分(部分102’が除去された部分)に適用される。一実施形態では、第1の官能化層60は、第2の官能化層64に対する親和性を有さず、したがって、第2の官能化層64は、第1の官能化層60上に堆積しない。この方法の例では、図30Fに示すように、第1の官能化層60を間隙領域30’から除去するために研磨を行うことができる。
図30A~図30Fの方法のいくつかの例において、プライマー18、20または18’、20’(図30A~図30Fには示されていない)は、第1の官能化層60に予めグラフトされ得、したがって、第1の官能化領域14に結合される。同様に、プライマー19、21または19’、21’(図30A~図30には示されていない)は、第2の官能化層64に予めグラフトされ得、したがって、第2の官能化領域16に結合される。これらの実施例では、追加のプライマーグラフトは行われない。
他の例では、プライマー18、20または18’、20’は、第1の官能化層60に予めグラフトされていない。これらの実施例において、プライマー18、20または18’、20’は、第1の官能化層60が適用された後に(例えば、図30Aまたは30Dで)グラフトされ得る。領域14、16が異なった官能基を有する場合、プライマー18、20または18’、20’は、領域16の表層官能基にグラフトされないので、該方法の最後に(例えば、図30Fで)グラフトされ得る。
同様に、プライマー19、21または19’、21’は、第2の官能化層64に予めグラフトされていなくてもよい。これらの実施例において、プライマー19、21または19’、21’は、第2の官能化層64が適用された後にグラフトされ得る(例えば、図30Eで)。領域14、16が異なった官能基を有する場合、プライマー19、21または19’、21’は、領域14の表層官能基にグラフトされないので、該方法の最後に(例えば、図30Fで)グラフトされ得る。
グラフトがこの方法の間に行われる場合、グラフトは、本明細書中に開示される任意のグラフト技術を使用して達成され得る。いずれのグラフト化方法においても、プライマー18、20または18’、20’は領域14の反応性基と反応し、またはプライマー19、21または19’、21’は領域16の反応性基と反応し、パターン化された樹脂54’に対する親和性を有さない。
図30A~図30Fには示されていないが、この例示的な方法は、第1の自己集合単層(SAM)を第1の官能化領域14上に堆積させるステップと、第2の自己集合単層(SAM)を第2の官能化領域16上に堆積させるステップとをさらに含むことができる。自己集合単層を使用する例では、プライマーセット12A、12A’または12B、12B’または12C、12C’または12D、12D’は、SAMSが形成された後にグラフトされる。
図3Aおよび図3Bに図示例を作製するためのさらに別の例示的な方法が、図31A~図31Iに示される。プライマーセット12A、12A’または12B、12B’または12C、12C’または12D、12D’は、この説明を通して言及されているが、明確にするために示されていない。さらに、図3Aおよび図3Bは、単一層基材26に画定された凹部28’を示し、一方、例示的な方法は、多層基材の保持体52上のパターン化された樹脂54’に画定された凹部28’を示す。この方法は、単層基材で使用されてもよいことを理解されたい。
図31Aに示すように、多層基材は、保持体52上に(パターン化された)樹脂54’を含む。パターン化された樹脂54’に形成された凹部28’は、隣接する凹部28’を互いに分離する間隙領域30に隣接している。凹部28’は、深い部分70と、パターン化された樹脂54’の段差部分74によって部分的に画定される浅い部分72とを含む、マルチレベルまたはマルチ深さの凹部である。
図31Bに示されるように、第1の官能化層60は、パターン化された樹脂54’上に適用される。第1の官能化層60は、本明細書に開示される例のいずれかであってもよく、本明細書に記載される技術のいずれかを使用して堆積されてもよい。
図31Cおよび図31Dでは、次に、第1の官能化層60をパターン化して、フォトレジスト62によって覆われた第1の官能化領域(領域14)を形成する。この例では、フォトレジスト62はネガ型フォトレジストである(露光された領域は不溶性になる)。図31Cに示すように、フォトレジスト62は、第1の官能化層60に適用され、ある波長の光に選択的に露光されて不溶性部分を形成し(図31Dに62で示す)、現像液溶液に露出されて可溶性部分を除去する。図31Dに示すように、次に、第1の官能化層60の露出部分(例えば、フォトレジスト62によって覆われていない部分)を、例えば、エッチングまたは別の適切な技法によって除去することができる。第1の官能化層60の残りの部分(例えば、領域14)は、各マルチレベル凹部の第1のレベル(高さ)にある。この実施形態では、第1のレベルは、保持体52上の深部70にある。
この例では、フォトレジスト62及び樹脂54’の部分(例えば、間隙領域30、段差部分74の表面)上に犠牲層84が適用される。犠牲層84を図31Eに示す。樹脂54’に対してエッチング差を有する任意の材料を犠牲層84として使用することができる。一例では、アルミニウムを犠牲層84として使用することができる。
図31Fに示すように、犠牲層84は樹脂54’の部分から除去される。犠牲層84を最初にエッチバックして、間隙領域30および段差部分74から除去し、犠牲層の残りの部分(図31Fに符号84’で示す)が深い部分70のフォトレジスト62上に残るようにすることができる。
次いで、樹脂54’の領域(具体的には段差領域74)を多層の凹部28’から除去して、第1の官能化領域14に近接する領域/部分78(例えば、フォトレジスト62の下にある第1の官能化層60の部分および犠牲層84’の残りの部分)を形成する。このプロセスはまた、間隙領域30の一部を除去し、新たな間隙領域30’をもたらすことができる。この除去工程は、樹脂54’を選択的に除去するが、犠牲層84’の残りの部分を除去しない、酸素プラズマのようなエッチャントでエッチングすることによって達成される。
図31Hに示すように、次いで、任意の適切な堆積技術を使用して、犠牲層84の残りの部分上、面積/部分78上、および間隙面積30’上に、第2の官能化層64が適用される。
図31Iに示されるように、フォトレジスト62は、次いで、リフトオフされ得、これはまた、犠牲層84’の残りの部分およびその上の第2の官能化層64のいずれかを除去する。間隙領域30’上の第2の官能化層64のいずれも、研磨によって除去することもできる。
図31A~図31Iの方法のいくつかの例において、プライマー18、20または18’、20’(図31A~図31Iには示されていない)は、第1の官能化層60に予めグラフトされ得、したがって、第1の官能化領域14に結合される。同様に、プライマー19、21または19’、21’(図31A~図31Iには示されていない)は、第2の官能化層64に予めグラフトされ得、したがって、第2の官能化領域16に結合される。これらの実施例では、追加のプライマーグラフトは行われない。
他の例では、プライマー18、20または18’、20’は、第1の官能化層60に予めグラフトされていない。これらの実施例では、プライマー18、20または18’、20’は、第1の官能化層60が適用された後に(例えば、図31Bで)グラフトされ得る。領域14、16が異なった官能基を有する場合、プライマー18、20または18’、20’は、領域16の表層官能基にグラフトされないので、該方法の最後に(例えば、図31Iで)グラフトされ得る。
同様に、プライマー19、21または19’、21’は、第2の官能化層64に予めグラフトされていなくてもよい。これらの実施例において、プライマー19、21または19’、21’は、第2の官能化層64が適用された後にグラフトされ得る(例えば、図31Hで)。領域14、16が異なった官能基を有する場合、プライマー19、21または19’、21’は、領域14の表層官能基にグラフトされないので、該方法の最後に(例えば、図31Iで)グラフトされ得る。
グラフトがこの方法の間に行われる場合、グラフトは、本明細書中に開示される任意のグラフト技術を使用して達成され得る。いずれのグラフト化方法においても、プライマー18、20または18’、20’は領域14の反応性基と反応し、またはプライマー19、21または19’、21’は領域16の反応性基と反応し、パターン化された樹脂54’に対する親和性を有さない。
図31A~図31Iには示されていないが、この例示的な方法は、第1の自己集合単層(SAM)を第1の官能化領域14上に堆積させるステップと、第2の自己集合単層(SAM)を第2の官能化領域16上に堆積させるステップとをさらに含むことができる。自己集合単層を使用する例では、プライマーセット12A、12A’または12B、12B’または12C、12C’または12D、12D’は、SAMSが形成された後にグラフトされる。
図31A~図31Iに示される例における処理の全体を通して、マルチレベル凹部28’は、図3Aに示されるように、単一レベル凹部28になる。
図4A~4Cは、凹部28の異なる部分に位置する領域14、16の異なる例を示す。
図4Aでは、領域14、16の間に間隙36がある。このように、フローセルのこの例は、第1のプライマーセット12A、12B、12C、12D(領域14で、図4Aには示されていない)と第2のプライマーセット12A’、12B’、12C’、12D’(領域16で、図4Bには示されていない)とを分離するギャップ36を含む。一例では、ギャップ36は、領域14、16が形成されるそれぞれのポリマー部間の空間である。図31A~図31Iに示す方法のいずれも、ギャップ36を形成するように変更することができる。ギャップ36は、ゼロより大きい任意の測定可能な長さを有することができる。一例では、ギャップ36は1nmより大きい。一例では、ギャップは、約1nm~約10nmの範囲である。
図4Bでは、領域14、16は部分的に重なり合っている。重複領域38は、プライマー18、20または18’、20’およびプライマー19、21または19’、21’の両方がグラフトされる領域である。一例では、この重複領域38は、プライマー18、20または18’、20’がグラフトされたとき、およびプライマー19、21または19’、21’がグラフトされたときに、ポリマー層32の同じ部分を露出させることによって、パターン化およびグラフトプロセスの間に形成され得る。別の例において、この重複領域38は、別々にグラフトされたプライマー18、20または18’、20’およびプライマー19、21または19’、21’が、プロセスの間またはプロセスの後に物理的に重複または相互拡散する場合に形成され得る。
図4Cでは、それぞれの領域14、16が生成される凹部28’の第1および第2の部分は、異なる深さを有する。凹部28’の一方の部分が凹部28’の他方の部分よりも深い限り、本明細書に記載の凹部深さのいずれかを使用することができる。凹部28’が、例えば、ナノインプリンティング、エッチングなどによって形成されるとき、異なる深さが生成されてもよい。
図4Cに図示例を作製するための1つの例示的な方法が、図32A~図32Fに示される。プライマーセット12A、12A’または12B、12B’または12C、12C’または12D、12D’は、この説明を通して言及されているが、明確にするために示されていない。さらに、図4Cは、単一層基材26に画定された凹部28’を示し、一方、例示的な方法は、多層基材の保持体52上のパターン化された樹脂54’に画定された凹部28’を示す。この方法は、単層基材で使用されてもよいことを理解されたい。
図32Aに示すように、多層基材は、保持体52上に(パターン化された)樹脂54’を含む。パターン化された樹脂54’に形成された凹部28’は、隣接する凹部28’を互いに分離する間隙領域30に隣接している。凹部28’は、深い部分70と、パターン化された樹脂54’の段差部分74によって部分的に画定される浅い部分72とを含む、マルチレベルまたはマルチ深さの凹部である。
図32Bに示されるように、第1の官能化層60は、パターン化された樹脂54’上に適用される。第1の官能化層60は、本明細書に開示される例のいずれかであってもよく、本明細書に記載される技術のいずれかを使用して堆積されてもよく、適切であれば、硬化されてもよい。
図32Cおよび図32Dでは、次に、第1の官能化層60をパターン化して、フォトレジスト62によって覆われた第1の官能化領域(領域14)を形成する。この例では、フォトレジスト62は、ネガ型フォトレジストまたはポジ型フォトレジストである。図32Cに示されるように、フォトレジスト62は、第1の官能化層60に適用され、不溶性領域または可溶性領域(使用されるレジストに依存する)を形成するために特定の波長の光に選択的に露光され、可溶性部分を除去するために現像液溶液に露光される。図32Dに示すように、次に、第1の官能化層60の露出部分(例えば、フォトレジスト62によって覆われていない部分)を、例えば、エッチングまたは別の適切な技法によって除去することができる。ここで、第1官能化膜60及び樹脂54’はエッチング差を有することができる。第1の官能化層60の残りの部分(例えば、領域14)は、各マルチレベル凹部の第1のレベルにある。この実施形態では、第1の高さは、樹脂54’上の深部70にある。
図32Eに示すように、次に、任意の好適な蒸着技術を用いて、樹脂54’の露出部分(例えば、間隙領域30及び段差領域74)に第2の官能化層64を適用する。材料に応じて、第2の官能化層64も硬化させることができる。一実施形態では、フォトレジスト62は、第2の官能化層64に対する親和性を有さず、したがって、第2の官能化層64は、フォトレジスト62上に堆積しない。別の例では、第2の官能化層64は、フォトレジスト62上に堆積されてもよいが、フォトレジスト62がリフトオフされることによって除去されてもよい。
図32Fに示されるように、フォトレジスト62はその後解放され、場合によっては、第2の官能化層64のいずれかをも取り除くことができる。間隙領域30上の第2の官能化層64のいずれも、研磨によって除去することもできる。
図32A~図32Fの方法のいくつかの例において、プライマー18、20または18’、20’(図32A~図32Fには示されていない)は、第1の官能化層60に予めグラフトされ得、したがって、第1の官能化領域14に結合される。同様に、プライマー19、21または19’、21’(図32A~図32Fには示さず)は、第2の官能化層64に予めグラフトされ得、したがって、第2の官能化領域16に結合される。これらの実施例では、追加のプライマーグラフトは行われない。
他の例では、プライマー18、20または18’、20’は、第1の官能化層60に予めグラフトされていない。これらの実施例において、プライマー18、20または18’、20’は、第1の官能化層60が適用された後にグラフトされ得る(例えば、図32Bで)。領域14、16が異なった官能基を有する場合、プライマー18、20または18’、20’は、領域16の表層官能基にグラフトされないので、該方法の最後に(例えば、図32Fで)グラフトされ得る。
同様に、プライマー19、21または19’、21’は、第2の官能化層64に予めグラフトされていなくてもよい。これらの実施例において、プライマー19、21または19’、21’は、第2の官能化層64が適用された後にグラフトされ得る(例えば、図32Eで)。領域14、16が異なった官能基を有する場合、プライマー19、21または19’、21’は、領域14の表層官能基にグラフトされないので、該方法の最後に(例えば、図32Fで)グラフトされ得る。
グラフトがこの方法の間に行われる場合、グラフトは、本明細書中に開示される任意のグラフト技術を使用して達成され得る。いずれのグラフト化方法においても、プライマー18、20または18’、20’は領域14の反応性基と反応し、またはプライマー19、21または19’、21’は領域16の反応性基と反応し、パターン化された樹脂54’に対する親和性を有さない。
図32A~図32Fには示されていないが、この例示的な方法は、第1の自己集合単層(SAM)を第1の官能化領域14上に堆積させるステップと、第2の自己集合単層(SAM)を第2の官能化領域16上に堆積させるステップとをさらに含むことができる。自己集合単層を使用する例では、プライマーセット12A、12A’または12B、12B’または12C、12C’または12D、12D’は、SAMSが形成された後にグラフトされる。
図5、図6Aおよび図6Bは、基材26が間隙領域30によって分離された凹部28を含み、凹部の各々が第1の領域14を含み、第2の領域16が間隙領域30の少なくともいくつかの上に位置する様々な例を示す。このように、これらの例では、領域14の一方は凹部28に位置し、領域16の他方は凹部28に隣接する基材面S上に位置する。図5に示す実施形態では、基材面S上の領域16は、凹部28の隣にある。図6Aおよび6Bに示される例では、基材面S上の領域16が凹部28を取り囲んでいる。次に、図7A~図7Gおよび図8A~図8Fに関連して、基材面Sの少なくとも一部上の凹部28の領域14、16のうちの一方および領域16、14のうちの他方を作製するための例示的な方法を説明する。
図6Aおよび6Bに示される例を作製するための1つの例示的な方法を図7A~7Gに示す。図7Aに示すように、該方法は、間隙領域30によって分離された複数の凹部28を有する基材26を利用する。この例示的な方法では、図3Aおよび図3Bに関連して説明したように、ポリマー層32が基材26上に堆積され、間隙領域30から研磨される。これにより、ポリマー層32は、間隙領域30上ではなく、凹部28に残る。領域14が凹部28にあることが望ましい場合、プライマー18、20または18’、20’は、本明細書に開示される例のいずれかを使用してグラフトされてもよい。領域16が凹部28にあることが望ましい場合、プライマー19、21または19’、21’は、本明細書に開示される例のいずれかを用いてグラフトされてもよい。図7Bに示される例において、プライマー18、20または18’、20’は、ポリマー層32にグラフトされる。プライマー18、20または18’、20’は、図7Bに示すように、凹部28のポリマー層32にグラフトし、間隙領域30にグラフトしないことを理解されたい。
本方法のいくつかの例では、基材26(凹部28に形成された領域14または16を有する)は、キャッピング剤に曝される。キャッピング剤は、ポリマー層32の未反応官能基(例えば、プライマー18、20または18’、20’’と反応していない官能基)と反応して、後続の処理中にこれらの官能基を非機能性にすることができる化学種を含む。このプロセスは、その後に堆積されるポリマー層32’が領域14に接着する能力を低下させる可能性がある。換言すれば、ポリマー層32とその後に堆積されるポリマー層32’との間の相互作用は、ポリマー層32に接着するポリマー層32’がほとんどまたは全くないように低減される。これは、次に、続いて堆積されるプライマー(例えば、19、21または19’、21’)が、面積14を覆う面積にグラフトする能力を低下させる。
ポリマー層32がアジド官能基を含む実施例では、キャッピング剤中の化学種は、ホスフィンなどの還元剤であってもよい。ホスフィンの例は、トリス(ヒドロキシプロピル)ホスフィンである。ポリマー層32の未反応アジドは、ホスフィンによって還元され、追加のプライマーグラフト化のために機能しなくなる。
図7Cに示すように、この方法は、次に、第2のポリマー層32’を堆積させることを含む。ポリマー層32’は、ポリマー層32に使用されるものと同じポリマーであってもよく、またはポリマー層32に使用されるものとは異なるタイプのポリマーであってもよい。一例では、第1のポリマー32および第2のポリマー32’のそれぞれは、PAZAMなどのアクリルアミドコポリマーである。ポリマー層32’は、間隙領域30を単独で被覆してもよく、または間隙領域30に加えて領域14の少なくともいくつかを被覆してもよい。ポリマー層32’が領域14を少なくとも部分的に被覆するかどうかは、ポリマー層32に使用されるキャッピング剤に依存する。
この実施形態では、切断不可能な第1の鋳型鎖40および切断可能な第2の鋳型鎖42を含む鋳型ポリヌクレオチドストランドを、それぞれプライマー18または18’および20、20’を用いて領域14に形成することができる。鋳型ポリヌクレオチド鎖生成の最初に、ライブラリー鋳型は、任意の核酸試料(例えば、DNA試料またはRNA試料)から調製され得る。核酸試料は、一本鎖、同様の大きさ(例えば、<1000bp)のDNAまたはRNA断片に断片化され得る。調製中、これらのフラグメントの末端にアダプターを付加することができる。減少したサイクル増幅によって、異なるモチーフ(例えば、配列決定結合部位、指数、および領域14におけるプライマー18または18’および20、20’に相補的である領域)が、アダプターに導入され得る。最終ライブラリー鋳型は、DNAまたはRNA断片および両端のアダプターを含む。いくつかの例において、単一の核酸試料由来のフラグメントは、それに付加された同じアダプターを有する。
複数のライブラリー鋳型を基材26に導入することができる。これは、フローセルに鋳型流体を導入することを含み得る。鋳型流体は、液体キャリアおよび複数のライブラリー鋳型を含み得る。基材26は凹部28に領域14の配列を含むので、多数のライブラリー鋳型が、例えば、その中に固定化された2つのタイプのプライマー18、18’または20、20’のうちの1つにハイブリダイズされる。
次に、クラスター生成を実行することができる。クラスター生成の間、鋳型流体からの鋳型は、少なくともいくつかの凹部28にクラスターを形成するために増幅される。クラスター生成の一例において、ライブラリー鋳型は、ハイブリダイズしたプライマー18、18’または20、20’から、高フィデリティーDNAポリメラーゼを用いて3’伸長によりコピーされる。元のライブラリー鋳型は変性され、領域14に固定化されたコピーを残す。等温ブリッジ増幅を用いて、固定化されたコピーを増幅することができる。例えば、コピーされた鋳型は、隣り合う相補的プライマー20、20’または18、18’にハイブリダイズするためにループし、ポリメラーゼは、コピーされた鋳型をコピーして二本鎖橋梁を形成し、これらは変性されて2本の一本鎖ストランドを形成する。これらの2つのストランドは、隣り合う相補的プライマー20、20’または18、18’上でループし、かつハイブリダイズし、再度伸長されて、2つの新しい二本鎖ループを形成する。このプロセスを、等温変性および増幅のサイクルによって各鋳型コピーについて繰り返し、密なクローンクラスターを作製する。二本ストランド橋梁の各々のクラスターは変性され、図7Dに示されるように、切断不可能な第1のプライマー18、18’に結合した切断不可能な第1の鋳型ストランド40、および切断可能な第2のプライマー20、20’に結合した切断可能な第2の鋳型ストランド42を生じる。プライマーの切断性が、それに結合した鋳型鎖の切断性を駆動することが理解されるべきである。切断可能な第2のプライマー20、20’に結合した第2の鋳型鎖42は切断部位22を含むので、切断可能な第2の鋳型鎖42は切断可能である。このクラスター化の例は、ブリッジ増幅であり、実行され得る増幅の一例である。排除増幅(Examp)ワークフロー(Illumina Inc.)のような他の増幅技術が使用されてもよいことが理解されるべきである。
第2のポリマー層32’にはプライマー18、18’または20、20’がグラフトされていないので、増幅プロセスは個々の凹部28を越えて延在しないことを理解されたい。
次に、プライミング流体を基材26に導入することができる。プライミング流体は、液体キャリアと、凹部28に導入された第1のプライマーセット12A、12B、12C、12Dとは異なる第2のプライマーセット12A’、12B’、12C’、12D’とを含む。プライミング流体中の液体キャリアは、クリックケミストリーを支持することができる任意の液体、例えば、リン酸緩衝生理食塩水(PBS)、生理食塩水-クエン酸ナトリウム(SSC)、炭酸塩ベースの緩衝液などであってもよい。この例では、プライミング流体中のプライマーセットは、プライマー19または19’および21または21’を含む。プライマーセット12A’、12B’、12C’、12D’(プライマー19または19’および21または21’を含む)を最初にグラフトして凹部28に領域16を形成する場合、プライミング流体はプライマーセット12A、12B、12C、12D(プライマー18または18’および20または20’を含む)を含むことができることを理解されたい。
プライミング流体中のプライマー19または19’および21または21’は、間隙領域30の上にある第2のポリマー層32’にグラフトしてもよい。第2のポリマー層32’はポリマー層32に接着しないので、部分14で増幅が行われ、下にあるポリマー層32の官能基が非機能性にされているので、プライマー19または19’および21または21’は露出したポリマー層32にグラフトしないかもしれない。
図7Eに示されるように、グラフト化プライマー19または19’および21または21’は、領域16を形成する間隙領域30を覆う第2のポリマー層32’に結合する。
次いで、さらなる増幅が行われ得る。例えば、ブリッジ部増幅は、間隙領域の少なくともいくつかの上に第2のクラスターを形成するために、クラスターからグラフトプライマー19または19’および21または21’に開始され得る。このラウンドの増幅の間、切断不可能な第1の鋳型鎖40は、隣接する相補的プライマー21、21’の上をループし、これにハイブリダイズし、一方、切断可能な第2の鋳型鎖42は、隣接する相補的プライマー19、19’の上をループし、これにハイブリダイズする。それぞれのストランド40、42は、2つの新たな二本鎖ループを形成するように延長される。このプロセスは、等温変性および増幅のサイクルによって各鋳型コピーについて繰り返され、凹部28から間隙領域30へと成長する密なクローンクラスターを作製する。二本鎖橋梁のそれぞれのさらなるクラスターが変性され、その結果、図7Fに示されるように、切断不可能な第2のプライマー21、21’に結合した切断不可能な第2の鋳型鎖44、および切断可能な第1のプライマー19、19’に結合した切断可能な第1の鋳型鎖46が生じる。切断可能な第1のプライマー19、19’に結合した切断可能な第1の鋳型鎖46は、切断部位22’または23を含むので、切断可能な第1の鋳型鎖46は切断可能である。
切断不可能な第1の鋳型ストランド40が順方向ストランドである場合、切断不可能な第2の鋳型ストランド44は逆方向ストランドであり、切断不可能な第1の鋳型ストランド40が逆方向ストランドである場合、切断不可能な第2の鋳型ストランド44は順方向ストランドであることを理解されたい。同様に、切断可能な第1の鋳型ストランド46が順方向ストランドである場合、切断可能な第2の鋳型ストランド42は逆方向ストランドであり、切断可能な第1の鋳型ストランド46が逆方向ストランドである場合、切断可能な第2の鋳型ストランド42は順方向ストランドである。
次いで、切断可能な第1および第2の鋳型鎖46、42は、切断部位22、22’または22、23に依存して、薬剤または酵素的切断剤を導入することによって除去され得る。図7Gに示すように、切断後、切断不可能な第1の鋳型鎖40は、凹部28の領域14に残り、切断不可能な第2の鋳型鎖44は、間隙領域30の領域16に残る。切断が行われた後の一実施形態では、領域14は順方向ストランドを含み、領域16は逆方向ストランドを含む。
図5、6Aおよび6Bに示される例を作製するための別の例示的な方法が、図8A~8Gに示される。図8Aに示すように、該方法は、間隙領域30によって分離された複数の凹部28を有する基材26を利用する。この実施例では、ポリマー層32は、凹部28および間隙領域30上に存在するように、基材26上に堆積される。領域14が凹部28にあることが望ましい場合、プライマー18、20または18’、20’は、本明細書に開示される例のいずれかを使用してグラフトされてもよい。領域16が凹部28にあることが望ましい場合、プライマー19、21または19’、21’は、本明細書に開示される例のいずれかを用いてグラフトされてもよい。図8Bに示される例において、プライマー18、20または18’、20’は、ポリマー層32にグラフトされる。プライマー18、20または18’、20’は、図8Bに示されるように、基材26全体にわたってポリマー層32にグラフトすることが理解されるべきである。
本実施例の方法では、図8Cに示すように、プライマーセット12A、12B、12C、12Dがグラフトされたポリマー層32上に保護塗装48を堆積させる。保護塗装48は、リフトオフレジストであってもよい。この種の保護塗装48は、スピンオンされ、硬化され、その後、処理中の所望の時点で除去されてもよい。保護塗装48は、水溶性塗装であってもよい。
次いで、エッチングを行って、プライマーセット12A’、12B’、12C’、12D’を含む領域16を生成することが望ましい間隙領域30を露出させることができる。例えば、凹部28に隣接する基材面Sの孤立した部分をエッチングにより露出させて、図5に示す例を形成してもよい。別の例として、凹部28全体を囲む基材面Sの一部をエッチングにより露出させて、図6Aおよび6Bにしめされる実施例を形成してもよい。図8Dは、間隙領域30を露出させるためにエッチングが行われた後の基材26の一例を示す。ここで、プラズマエッチングは、大気または酸素ガスを用いて行ってもよい。
次いで、この例示的な方法は、基材表面Sの露出部分をシラン化することを含むことができ、シラン化は、密着性促進剤を基材表面Sに導入して、第2のポリマー層32’がそれに接着するのを助ける。
次に、第2のポリマー層32’が堆積される。図8Eに示されるように、第2のポリマー層32’は、基材面Sの露出部分(例えば、間隙領域30)および保護塗装48上に堆積されてもよい。この例示的な方法では、ポリマー層32’は、ポリマー層32で使用されるものと同じポリマーであってもよく、またはポリマー層32で使用されるものとは異なるタイプのポリマーであってもよい。
図8Fに示されるように、第2のプライマーセット12A’、12B’、12C’、12D’のプライマー19、19’および21、21’は、次いで、ポリマー層32’にグラフトされて、領域16を生成し得る。グラフトは、本明細書に記載の方法のいずれかを用いて行うことができる。別の例では、ポリマー層32’は、プライマー19、19’および21、21’で予めグラフトされてもよい。
図示されていないが、この例示的な方法は、保護塗装48を除去することを含むことができることを理解されたい。例えば、リフトオフ法を用いて、保護塗装48と、その上の任意のポリマー層32’およびプライマー19、19’および21、21’とを除去することができる。保護塗装48が水溶性である場合、取り除くことは、塗装48を水に再溶解することを含み得、これはまた、任意の上にあるポリマー層32’およびプライマー19、19’および21、21’を取り除く。保護塗装を取り除くと、領域14のプライマー18、18’および20、20’のすべてが露出し、領域16のプライマー19、19’および21、21’のすべてが露出する。
図8A~図8Fには示されていないが、複数のライブラリー鋳型を基材26に導入することができることを理解されたい。基材26は凹部28に領域14の配列を含むので、多数のライブラリー鋳型が、例えば、その中に固定化された2つのタイプのプライマー18、18’または20、20’のうちの1つにハイブリダイズされる。この例では、基材26はまた、少なくともいくつかの間隙領域30上に領域16の配列を含むので、多数のライブラリー鋳型が、例えば、その中に固定化された2つの型のプライマー19、19’または21、21’のうちの1つにハイブリダイズされる。次いで、本明細書に記載されるように、クラスター生成を実行することができる。切断可能な鋳型の切断はまた、切断可能な第1のプライマー19、19’および切断可能な第2のプライマー20、20’を切断することによって行われ得る。
図9は、凹部28の異なる部分に位置する領域14、16の別例を示す。この例では、領域14または16の一方は、凹部28に配置されたビーズ50の一部である。ビーズ50は、コア構造49と、コア構造49の表面にある領域16とを含む。この例では、領域16は、コア構造49の表面に本質的に存在する官能基、または任意の好適な官能化技術(例えば、化学反応、コア構造49と反応性基含有ポリマーとの塗装など)によってコア構造49の表面に組み込まれた官能基を含むことができる。
図9には単一の凹部28が示されているが、いくつかの例では、基材26は、間隙領域30によって分離された複数の凹部28を含み、凹部のそれぞれは、第1の領域14が位置する第1の部分と、第2の部分とを含み、フローセルは、第2の部分に位置するビーズ50をさらに含み、第2の領域16は、ビーズの表面にあることを理解されたい。この例のいくつかの変形例が、「ビーズベースフローセル」のセクションの図11A~図20を参照して本明細書でさらに説明される。
図10は、領域14、16のさらに別の構成例を示す。この実施形態では、領域14、16は、別個の基材26、26’上に配置されている。このように、このフローセルの例示は、第1の基材26、第1の基材26に付属する第1のプライマーセット12A、第1のプライマーセットは切断不可能な第1のプライマーセット18、18’および切断可能な第2のプライマー20、20’を含み、第1の基材26に対向する第2の基材26であって、第2のプライマーセット12A’が第2の基材26’に結合され、第2のプライマーセット12A’が切断可能な第1のプライマー19、19’および切断不可能な第2のプライマー21、21’を含む。このフローセルを作製するための一方法の例として、基材26、26’の各々は、ポリマー層(例えば、32、図10には示さず)でコーティングされ得、第1のプライマーセット12A(または12B、12C、または12D)は、基材26の一方にグラフトされ得、そして第2のプライマーセット12A’(または12B’、12C’、または12D’)は、基材26’の他方にグラフトされ得る。
それぞれの基材面S上に示されているが、領域14、16は、代替的に、それぞれの基材26、26’の凹部28に配置されてもよいことを理解されたい。この例では、ポリマー層は、凹部28および間隙領域30上に堆積され、次いで、研磨によって間隙領域30から除去されてもよい。第1のプライマーセット12A(または12B、12C、または12D)は、一方の基材26の凹部28にグラフトされてもよく、第2のプライマーセット12A’ (または12B’、12C’、または12D’)は、他方の基材26’の凹部にグラフトされてもよい。
この実施形態では、基材26、26’は、鋳型のシーディングおよびクラスター化が成功裏に実行されるように、極めて接近した範囲にあることが望ましい場合がある。例えば、「近接」とは、2つの基材26、26’間の間隔が約100μm以下であることを意味する。別の実施形態では、2つの基材26、26’間の間隔は、約10μm~約90μmの範囲である。
別個の基材26、26’上に配置される代わりに、第1および第2の領域14、16ならびにプライマーセット12A、12A’、または12B、12B’、または12C、12C’、または12D、12D’は、基材面S上でマクロ分離されてもよく、または互いにマクロ分離された別個の凹部28に存在してもよい。マクロ分離とは、領域14、16が少なくとも5μmだけ互いに分離されていることを意味する。一例では、領域14、16は、約5μm~約100μmの範囲の距離だけ互いに分離されている。
図33Aは、領域14、16のさらに別の例示的な構成を示す。この実施形態では、第1および第2の官能化層60、64は、多層基材の樹脂部に一体化される。図33Aに示すように、この多層基材は、保持体52と、保持体52上の第1の官能化層60と、第1の官能化層60上の第2の官能化層64と、第2の官能化層64上のパッシベーション層86とを含む。
この実施形態では、第1および第2の官能化層60、64は、それぞれのプライマーセット12A、12A’、または12B、12B’、または12C、12C’、または12D、12D’に結合することができる面官能基を有するか、または導入することができる任意のナノインプリントリソグラフィ樹脂とすることができる。一実施形態では、層60はエポキシ基で官能化されてもよく、層64はアミン基で官能化されてもよい。
層60、64の樹脂は、それぞれのプライマーセット12A、12A’、または12B、12B’、または12C、12C’、または12D、12D’が、図33Aに示される多層基材が形成される前に、層60、64に予めグラフトされる場合、同じであり得る。この方法のこれらの例では、第1の官能化層60が多層基材に組み込まれる前に、第1のプライマーセット12A、12B、12C、12D(例えば、切断不可能な第1のプライマー18、18’および切断不可能な第2のプライマー20、20’)を第1の官能化層60に予めグラフトすることができ、第2の官能化層64が多層基材に組み込まれる前に、第2のプライマーセット12A’、12B’、12C’、12D’(例えば、切断可能な第1のプライマー19、19’および切断不可能な第2のプライマー21、21’)を第2の官能化層66に予めグラフトすることができる。
層(予めグラフトされているか否かにかかわらず)は、本明細書に開示される例のいずれかを使用して、保持体52上に堆積されてもよい。
プライマーがインプリント後にグラフトされる場合、層60、64は、少なくとも、それぞれのプライマーセット12A、12A’、または12B、12B’、または12C、12C’、または12D、12D’に結合し得る異なった表面官能基を有することが理解されるべきである。本明細書中に開示される樹脂のいずれかが使用され得る。
パッシベーション層86は、インプリントすることができる任意の疎水性層とすることができる。例として、パッシベーション層86は、フッ素化ポリマー、過フッ素化ポリマー、シリコンポリマー、およびそれらの混合物からなる群から選択される。例として、パッシベーション層86は、非晶質フッ素ポリマー(AGC ChemicalsからのCYTOP(登録商標)におけるものを含む商業的に入手可能な例であり、以下の末端官能基のうちの1つを有する:A型:-COOH、M型:-CONH-Si(OR)またはS型:-CF)、ポリテトラフルオロエチレン(その商業的に入手可能な例はChemoursからのテフロン(登録商標)である)、パリレン、フッ素化炭化水素、フルオロアクリルコポリマー(その商業的に入手可能な例はCytonixからのFLUOROPEL(登録商標))。パッシベーション層86は、本明細書に開示される例のいずれかを使用して保持体52上に堆積されてもよい。
図33Aに示されるように、該方法のこの例は、多層基材をインプリントすることを含み、それによって、パッシベーション層86の間隙領域30によって分離された特徴部(例えば、凹部28)を形成し、第1および第2の官能化層のそれぞれの領域14、16が、各特徴部/凹部28において露出される。単一の特徴/凹部28の露光領域14、16およびパッシベーション層86の周囲の間隙領域30が、図33Bの上面図から示されている。各領域14、16について、特徴部/凹部28は、傾斜した底部または段差領域、または層60の一部および層64の一部の両方を特徴部/凹部28の上部から露出させる幾何学的形状の他の変形を有する。
多層基材をインプリントするために、ナノインプリントリソグラフィ金型または加工(ワーキング)スタンプ56が樹脂54の層に押し付けられて、層60、64、68に特徴部のインプリントを生成する。言い換えれば、層60、64、68の各々は、加工スタンプ56の張出し部によって、へこんだり、穿孔されたりする。次に、層60、64、68は、加工スタンプ56を所定の位置にして硬化される。硬化は、可視光照射または紫外(UV)照射などの化学線、またはフォトレジストを使用する場合には約240nm~380nmの範囲の波長の照射に露光することによって、または熱硬化性レジストを使用する場合には熱に露出することによって達成することができる。硬化は、重合および/または架橋結合を促進し得る。一例として、硬化は、ソフトベーク(例えば、溶媒を除去するための)およびハードベークを含む複数の段階を含むことができる。ソフトベークは、約50℃~約150℃の範囲のより低い温度で行うことができる。ハードベークの持続時間は、約100℃~約300℃の範囲の温度で約5秒~約10分間続くことができる。ソフトベーキングおよび/またはハードベーキングに使用することができるデバイスの例には、ホットプレート、オーブンなどが含まれる。
硬化後、加工スタンプ56は解放される。これにより、層60、64、68に地形的特徴、すなわち凹部28が形成される。
上述のように、プライマー18、20または18’、20’(図33Aまたは図33Bには示されていない)は、第1の官能化層60に予めグラフトされてもよく、したがって、第1の官能化領域14に結合され、プライマー19、21または19’、21’(図33Aまたは図33Bには示されていない)は、第2の官能化層64に予めグラフトされてもよく、したがって、第2の官能化領域16に結合される。これらの実施例では、追加のプライマーグラフトは行われない。
他の例では、プライマー18、20または18’、20’および/またはプライマー19、21または19’、21’は、それぞれ、第1の官能化層60および第2の官能化層64に予めグラフトされていない。これらの実施例では、領域14、16は異なった官能基を有し、プライマー18、20または18’、20’およびプライマー19、21または19’、21’はインプリント後にグラフトされてもよい。
グラフトがインプリント後に行われる場合、グラフトは、本明細書中に開示される任意のグラフト技術を使用して達成され得る。いずれのグラフト法においても、プライマー18、20または18’、20’は領域14の反応性基と反応し、またはプライマー19、21または19’、21’は領域16の反応性基と反応し、パッシベーション層86に対する親和性を有さない。
上述のように、凹部28のいくつかの例は、トレンチの形成であってもよい。図34Sは、領域14、16がトレンチ28’’に形成される領域14、16のさらに別の例示的な構成を(上面図から)示す。
図34Aに示すように、多層基材は、保持体52上に(パターン化された)樹脂54’を含む。パターン化された樹脂54’に画定されたトレンチ28’’(例えば、NIL樹脂、SiOなど)は、隣接するトレンチ28’’を互いに分離する間隙領域30に隣接する(例えば、多数のトレンチ28’’の上面図を示す図34Hを参照)。
図34Bに示されるように、犠牲層84が樹脂54’(例えば、間隙領域30およびトレンチ28’’)上に適用される。樹脂54’および使用される第2の犠牲層88に対してエッチング差を有する任意の物質を犠牲層84として使用することができる。一例では、犠牲層84は、シリコン、アルミニウム、またはクロムである。
図34Cに示すように、犠牲層84は樹脂54’の部分から除去される。この実施形態では、犠牲層84は、犠牲材料84’’の領域が各トレンチ28’’の各サイドウォール90に直接的に隣接して残るようにエッチングされ、エッチング後、間隙領域30および各トレンチ28’’の底部が露出される。
図34Dに示されるように、第2の犠牲層88は、犠牲材料84’’の領域上、および樹脂54’の任意の露出領域(例えば、間隙領域30およびトレンチ28’’の底部)上に適用される。樹脂54’および使用される第2の犠牲層84に対してエッチング差を有する任意の物質を第2の犠牲層88として使用することができる。例えば、層84がシリコンである場合、層88はアルミニウムまたはクロムであってもよい。
犠牲層84、88は、本明細書に記載の堆積技術のいずれかを使用して適用することができる。
図34Eに示されるように、第2の犠牲層88は、犠牲材料84’’の領域および樹脂54’’の部分から除去される。この例では、第2の犠牲層88は、第2の犠牲材料88’’の領域が犠牲材料領域84’’のそれぞれのすぐ隣に残るようにエッチングされてもよく、この例では、エッチング後、間隙領域30および各トレンチ28’’の別の(より小さい)底部が露出される。
図34F(上面図を示す)に示すように、材料92が堆積されて、第2の犠牲材料領域84’’間の任意の空間を充填し、換言すれば、追加の材料92は、各トレンチ28’’の底部を覆い、第2の犠牲材料88’の領域を完全に分離する。追加の材料92は、樹脂54’と同じ材料とすることができる。例えば、二酸化ケイ素が樹脂54’として使用される場合、追加の材料92は二酸化ケイ素であってもよい。追加の材料92は、そのトレンチ28’’よりも小さい、新しいトランシェ28’’(領域14、16が定義される)を定義するのに役立つ。この領域は、)。
この方法の例では、図34Gに示すように、間隙領域30’から追加の材料92を除去するために研磨を行うことができる。
図34Hは、2つの犠牲材料/層84’’、88’’で充填されたトレンチ28’’’の上面図を示し、示されるように、犠牲材料/層84’’、88’’の各々は、各トレンチ28’’’の長手に延在する。
図34Iは、2つの犠牲材料/層84’’、88’’で充填されたトレンチ28’’’の1つの断面図を示す。
図34Jに示すように、犠牲材料領域84’’は、トレンチ28’’’の各々の一部から除去され、これは、第1の官能化領域14が形成される領域/部分76を露出させ、犠牲材料領域84’’はエッチングされてもよく、このエッチングプロセスは、異なったエッチング率のために、樹脂54’または第2の犠牲材料領域88’に影響を及ぼさない。
図34Kでは、第1の官能化層60が、間隙領域30、面積76、および第2の犠牲材料面積88’上に適用される。第1の官能化層60は、本明細書に開示される例のいずれかであってもよく、本明細書に記載される技術のいずれかを使用して堆積されてもよい。
図34KLおよび図34Mでは、次に、第1の官能化層60をパターン化して、面積/部分76にフォトレジスト62によって覆われた第1の官能化面積(面積14)を形成する。フォトレジスト62およびその下の第1の官能化層60は、間隙領域30および第2の犠牲材料領域88’をエッチストップとして使用して、研磨またはエッチング除去することができる。これにより、トレンチ28’’’の領域/部分76に、フォトレジスト62によって覆われた第1の官能化領域14が形成される。
図34Nに示すように、第2の犠牲材料領域88’は、各トレンチ28’’’の一部から除去される。これにより、第2の官能化領域16が形成される領域/部分78が露出する。第2の犠牲材料領域88’はエッチングされてもよく、このエッチングプロセスは、異なったエッチング率のために樹脂54’またはフォトレジスト62に影響を及ぼさない。第1の官能化層60の露出部分は、このエッチングプロセス中に除去することができる。
図34Oでは、第2の官能化層64が、間隙領域30、面積78、フォトレジスト62、および面積14の任意の露出部分上に適用される。第2の官能化層64は、本明細書に開示される例のいずれかであってもよく、本明細書に記載される技術のいずれかを使用して堆積されてもよい。
次に、図34Pにおいて、フォトレジスト62をリフトオフして、その上の第2の官能化層64のいずれかを除去することができる。本明細書に開示される実施例のいずれにおいても、超音波処理は、フォトレジスト剥離またはリフトオフプロセスの効率を改善するために行われてもよい。
図34Qでは、間隙領域30を研磨して、その上の第2の官能化層64のいずれかを除去することができる。図34Qに示すように、領域14、16は、トレンチ28’’’のそれぞれの領域に形成されるが、領域14、16は、(図34Rに示すように)トレンチ28’’’の長手に延在することを理解されたい。領域14、16のこの構成は、本明細書中に開示されるプライマーセット12A、12A’、または12B、12B’、または12C、12C’、または12D、12D’を使用して、同時対合末端読み取り配列決定のために使用され得る。
図34Rでは、第2のフォトレジスト62’を適用(および露光および現像)して、トレンチ28’’’に少なくとも実質的に垂直な空間的に分離されたストライプのパターンを形成する。このパターンは、図34Rに示されるように、空間的に分離されたストライプの間に露出される第1の官能化領域14および第2の官能化領域14の部分を残す。空間的に分離されたストライプの間に露出された第1の官能化領域14および第2の官能化領域16の部分が除去され(例えば、エッチングによって)、次いで、空間的に分離されたストライプ(第2のフォトレジスト62’)が除去される(例えば、エッチングによって)。図34Sに示されるように、空間的に分離されたストライプ(第2のフォトレジスト62’)の下にある領域14、16は、空間的に分離されたストライプ(第2のフォトレジスト62’)の除去後も無傷のままである。本実施例では、それぞれの領域14、16は、トレンチ28’’’に沿って分離された対である。
いくつかの実施例では、プライマー18、20または18’、20’(図34A~図34Sには示されていない)は、第1の官能化層60に予めグラフトされ得、したがって、第1の官能化領域14に結合される。同様に、プライマー19、21または19’、21’(図34A~図34Sには示されていない)は、第2の官能化層64に予めグラフトされ得、したがって、第2の官能化領域16に結合される。これらの実施例では、追加のプライマーグラフトは行われない。
他の実施例では、プライマー18、20または18’、20’は、第1の官能化層60に予めグラフトされていない。これらの実施例において、プライマー18、20または18’、20’は、第1の官能化層60が適用された後に(例えば、図34Kで)グラフトされ得る。領域14、16が異なった官能基を有する場合、プライマー18、20または18’、20’は、領域16の表層官能基にグラフトされないので、該方法の最後に(例えば、図34Sで)グラフトされ得る。
同様に、プライマー19、21または19’、21’は、第2の官能化層64に予めグラフトされていなくてもよい。これらの実施例において、プライマー19、21または19’、21’は、第2の官能化層64が適用された後にグラフトされ得る(例えば、図34Oで)。領域14、16が異なった官能基を有する場合、プライマー19、21または19’、21’は、領域14の表層官能基にグラフトされないので、該方法の最後に(例えば、図34Sで)グラフトされ得る。
グラフトがこの方法の間に行われる場合、グラフトは、本明細書中に開示される任意の例を使用して行われ得る。いずれのグラフト化方法においても、プライマー18、20または18’、20’は領域14の反応性基と反応し、またはプライマー19、21または19’、21’は領域16の反応性基と反応し、樹脂54’に対する親和性を有さない。
フローセルのさらに別の実施例では、領域14、16は、図35に示されるように、それぞれの官能化保持体構造93、94上に形成されてもよい。官能化保持体構造93、94は、本明細書に開示されるそれぞれのプライマーセット12A、12A’、または12B、12B’、または12C、12C’、または12D、12D’を結合させることができる面官能基を有する。本明細書に開示されるコア構造49の任意の例が、官能化保持体構造93、94のために使用されてもよい。種々のプライマーセット12A、12A’、または12B、12B’、または12C、12C’、または12D、12D’を結合させることができる、本明細書中に開示される任意の表層官能基もまた、使用され得る。官能化保持体構成93、94は、例えば、官能基を有するビーズ50を形成するために本明細書に開示される一方法(複数可)を使用して形成されてもよい(「ビーズベースフローセル」の部を参照されたい)。
いくつかの実施例では、官能化保持体構造93、94はまた、様々な形状を有してもよい。いくつかの例では、それぞれの形状は、基材(本明細書に記載されるような単層または多層基材であってもよい)の表面S上または表面Sに画定された捕捉部位95、96(図36A、図36B、図37A、および図37Bに示される)の形状にそれぞれ対応する。例えば、官能化保持体構造93、94は、それぞれ、ウェル捕捉部位95、96(後述)と同じ形を有することができる。種々の形状は、官能化された保持体構造93が相補的な形状のウェル捕捉部位95に物理的に捕捉されるようになり、官能化された保持体構造94が相補的な形状のウェル捕捉部位96に物理的に捕捉されるようになるのを助ける。
いくつかの実施例では、官能化保持体構造93、94は、異なった捕捉ケミストリーを有することもできる。捕捉ケミストリーは、基材表面S上の望ましい位置に取り付けることを可能にする構造93,94を可能にするケミストリーであり、いくつかの実施例では、官能化された保持体構造93,94の捕捉ケミストリーが、それぞれの官能化された保持体構造93,94を受け取ることを可能にする捕捉サイト95,96の捕捉ケミストリーとそれぞれ対応する。例えば、官能化保持体構造93および捕捉部位95は、それぞれ、1つの型の受容体-配位子結合対のメンバーを含み得、一方、官能化保持体構造94および捕捉部位96は、それぞれ、異なった型の受容体-配位子結合対のメンバーを含み得る。種々の化学的性質は、官能化保持体構造93、94(およびそれぞれの領域14、16)が基材面S上の所望の領域で捕捉されることに耐えるのを助けることができる。
捕捉部位95、96は、それぞれの官能化保持体93、94を基材26(または多層基材の樹脂54’)上に固定化することが物理的および/または化学的に可能である。捕捉部位95、96は、隣接領域14、16を有することが望ましい任意の適切な位置に配置することができる。基材26を横切る捕捉部位95、96の位置は、均一であってもよく(図36Aおよび36Bを参照のこと)、または不均一であってもよい。捕捉部位95、96は、捕捉部位95、96(例えば、斑点、ウェル、張出し部など)の構成、および捕捉部位95、96によって捕捉される官能化保持体93、94の種類に少なくとも部分的に依存し得る、任意の好適な形、幾何学的形状および寸法を有し得る。
いくつかの実施例では、捕捉部位95、96は、基材面Sの一部に適用される様々な化学捕捉剤である。本明細書に開示される化学捕捉剤の任意の例を使用することができる。一例では、それぞれの化学捕捉剤は、マイクロコンタクト印刷、または別の適切な技法を使用して、所望の位置に堆積させることができる。
他の実施例では、捕捉部位95、96は、基材26(または樹脂54’)の表面Sに画定されるそれぞれのウェルを含む。ウェルは、使用される基材(例えば、単層または多層)に応じて、エッチングまたはインプリントを使用して形成することができる。ウェルは、凹部28について本明細書に記載したものなど、任意の適切な形状および幾何学的形状を有することができる。
いくつかの実施例では、ウェルは、追加の化学捕捉剤を添加されない。これらの実施例では、開口部寸法は、それぞれの官能化保持体93、94が(例えば、形に基づいて)対応するウェルに自己集合することを可能にする。他の例では、ウェルは、それに添加されるそれぞれの化学捕捉剤を有する。
捕捉部位95、96の他の例には、ウェルおよびその表面に化学捕捉剤を有する捕捉ビーズが含まれる。捕捉ビーズは、ウェルに適合するようにサイズ決定され得る。いくつかの例では、捕捉ビーズは、隣り合う間隙領域30、30’と同一平面上にあるか、またはわずかに上に延在してもよく、その結果、そこに最終的に結合する官能化保持体構造93、94は、ウェルに閉じ込められない。例えば、捕捉ビーズは、二酸化ケイ素、超常磁性物質、ポリスチレン、およびアクリル酸塩からなる群から選択される。本明細書中に開示される化学捕捉剤の任意の例は、捕捉ビーズの表面上で使用され得、そして捕捉ビーズがウェルに導入される前に捕捉ビーズ上にコーティングされ得る。これらの捕捉部位95、96のウェルおよびビーズの構成は、官能化保持体93、94(結合された場合)が、互いに近接する領域14、16を形成するようなものであり得る。
捕捉部位95、96のウェルの深さは、化学捕捉剤がそこに導入されるべきかどうか、および捕捉ビーズがそこに導入されるべきかどうかに依存して変化し得る。深さは、少なくともこれらの材料を収容するように選択することができる(すなわち、材料はウェルに収容される)。一例では、ウェルの深さは、約1nm~約5ミクロンの範囲である。
別の例として、捕捉部位95、96は、基材26(または樹脂54’)に規定される張出し部を含む。張出し部は、隣り合う面から外側(上方)に延びる三次元構造である。張出し部は、エッチング、フォトリソグラフィー、インプリントなどによって生成することができる。
張出し部捕捉部位95、96には任意の適当な三次元形状を使用することができるが、少なくとも実質的に扁平状な上面を有する形状が望ましい場合がある。例示的な張出し部形状は、球、円柱、立方体、多角形プリズム(例えば、直角プリズム、六角形プリズムなど)などを含む。
それぞれの張出し部捕捉部位95、96の上面には、様々な化学捕捉剤を適用することができる。本明細書に開示される化学捕捉剤の任意の例が使用されてもよく、任意の結合技術が、化学捕捉剤を張出し部の上面に適用するために使用されてもよい。
捕捉部位95、96は、捕捉剤、ウェルなどの両方であると記載されているが、捕捉部位95、96のタイプの任意の組み合わせが、フローセル上で一緒に使用され得る(例えば、捕捉剤およびウェル)ことが理解されるべきである。
図36Aでは、表面S上の捕捉部位95、96は異なる形状を有する。それぞれ対応する形状を有する官能化保持体構造93、94がフローセルにロードされると(図36B)、官能化保持体構造93、94は、物理的な排除および/または捕捉ケミストリーのいずれかによって自己集合し、その結果、官能化保持体構造93が捕捉部位95に結合し、官能化保持体構造94が捕捉部位96に結合する。
図37Aでは、表面S上の捕捉部位95、96も異なる形状を有するが、図36Aに図示例とは異なるように配置される。それぞれ対応する形状を有する官能化保持体構造93、94がフローセルにロードされると(図37B)、官能化保持体構造93、94は、物理的な排除および/または捕捉ケミストリーのいずれかによって自己集合し、その結果、官能化保持体構造93が捕捉部位95に結合し、官能化保持体構造94が捕捉部位96に結合する。
図36Bおよび図37Bに示される両方の構成は、基材面Sを横切る独立した位置に領域14、16の配列をもたらす。
図2~図10、図33A、図34S、図36B、および図37Bは、基材26(または樹脂54’)に接合された蓋を有さないフローセルの領域14、16の様々な構成を示す。図示されていないが、フローセルは、間隙領域30、30’の少なくとも一部に結合された蓋を有することができることを理解されたい。いくつかの例において、蓋は、プライマーセット12A、12A’、または12B、12B’、または12C、12C’、または12D、12D’のグラフト化の前または後に結合され得る。蓋がプライマーグラフトの前に結合される場合、フロースルー処理がグラフトのために使用され得ることが理解されるべきである。フロースルー処理において、プライマー溶液または混合物は、それぞれのインプットポート(図示せず)を通ってフローチャネル(蓋と間隙領域30、30’との間に規定される)に導入され得、プライマー18、18’、20、20’、19、19’、21、21’がそれぞれの領域14、16に結合するのに十分な時間(すなわち、インキュベーション期間)、フローチャネルに維持され得、次いで、それぞれのアウトプットポート(図示せず)から除去され得る。プライマー18、18’、20、20’、19、19’、21、21’の結合後、追加の流体は、今や官能化された凹部および流路を洗浄するために、流路を通って導かれてもよい。
蓋は、単一の流路または複数の流体的に分離された流路を画定するように、間隙領域30上に配置されてもよい。
蓋は、基材26に向けられる励起光に対して透明な任意の物質であってもよい。例として、蓋は、ガラス(例えば、ホウケイ酸塩、溶融シリカなど)、プラスチックなどであってもよい。好適な瑚珪酸ガラスの商業的に入手可能な例は、ショットノースアメリカ社から入手可能なD263(登録商標)である。好適なプラスチック材料、すなわちシクロオレフィンポリマーの市販の例は、ゼオンケミカルズ(Zeon Chemicals)L.P.から入手可能なゼオノア(登録商標)製品である。
いくつかの例では、蓋は、蓋が接合される間隙領域30の一部の形に対応するサイドウォールと一体的に形成されてもよい。例えば、凹部は、実質的に平坦な(例えば、上部)部分および実質的に平坦な部分から延びるサイドウォールを形成するために、透明なブロックにエッチングされてもよい。エッチングされた塊が間隙領域30に取り付けられると、凹部は流路となる。他の例では、サイドウォール(複数可)および蓋は、互いに結合される別個の構成要素であってもよい。例えば、蓋は、少なくとも実質的に平坦な外装と、流路の一部(例えば、天板部)を画定する少なくとも実質的に平坦な内面とを有する実質的に矩形の塊であってもよい(間隙領域30の一部に接合されると)。ブロックは、間隙領域30の一部に接合され、流路のサイドウォールを形成するサイドウォール上に取り付けられてもよい(例えば、接合されてもよい)。この実施形態では、サイドウォールは、スペーサー層(後述)について本明細書に記載される材料のいずれかを含むことができる。
蓋は、レーザー接合、拡散接合、陽極接合、共晶接合、プラズマ活性化接合、ガラスフリット接合、または当技術分野で知られている他の方法など、任意の好適な技法を使用して接合することができる。例えば、蓋を間隙領域30の一部に結合するために、スペーサー層が使用されてもよい。スペーサー層は、間隙領域30の少なくとも一部と蓋とを一緒に封止する任意の物質であってもよい。
一例では、スペーサー層は、蓋および/または基材26(または、例えば、基材26のパターン化された樹脂)によって透過される波長の放射を吸収する放射吸収材であってもよい。次に、吸収エネルギーは、スペーサー層と蓋との間、およびスペーサー層と基材26との間の結合を形成する。この放射線吸収物質の例は、デュポン(米国)からの黒色KAPTON(登録商標)(カーボンブラックを含むポリイミド)であり、これは約1064nmで吸収する。ポリイミドは、天然のポリイミド物質によって著しく吸収されるもの(例えば、480nm)に波長を変えなければならないことを除いて、カーボンブラックを加えることなく使用することができることを理解されたい。別の例として、ポリイミドCEN JPは、532nmの光で照射された場合に結合され得る。スペーサー層が放射線吸収材である場合、スペーサー層は、スペーサー層が所望の接合領域に接触するように、蓋と間隙領域30の一部との間のインタフェースに配置されてもよい。適当な波長のレーザーエネルギがインタフェースに印加される(すなわち、放射線吸収物質が照射される)間に、圧力が適用されてもよい(例えば、約100psiの圧)。レーザーエネルギは、好適な結合を達成するために、上から及び下からの両方からインタフェースに印加されてもよい。
別の実施例では、スペーサー層は、それに接する放射線吸収材を含むことができる。放射線吸収材は、スペーサー層と蓋との間のインタフェース、並びにスペーサー層と間隙領域30の一部との間のインタフェースに適用することができる。例えば、スペーサー層は、ポリイミドであってもよく、別個の放射線吸収物質は、カーボンブラックであってもよい。この実施例では、別個の放射線吸収材は、スペーサー層と蓋との間、およびスペーサー層と間隙領域30の一部との間に結合を形成するレーザーエネルギを吸収する。この実施形態では、適当な波長のレーザーエネルギがインタフェースに印加されている間(すなわち、放射線吸収物質が照射されている間)、それぞれのインタフェースで圧迫を加えることができる。
同時ペアエンドシーケンシング方法
本明細書中に記載されるプライマーセット12A、12A’、または12B、12B’、または12C、12C’、または12D、12D’を含むフローセルの任意の例は、同時ペアエンド配列決定において使用され得、ここで、順方向および逆方向ストランド(例えば、ストランド40および44)は、同時に読み出される。
切断不可能な第1の鋳型鎖40のクラスターが領域14に生成され、切断不可能な第2の鋳型鎖44のクラスターが領域16に生成されると(図7C~図7Gを参照して説明される)、遊離末端は、望ましくないプライミングを防ぐためにブロックされ得る。残存する任意のプライマーの遊離末端もまた、ブロックされ得ることが理解されるべきである。
これらの方法では、未切断の第1の鋳型鎖40および未切断の第2の鋳型鎖44にそれぞれハイブリダイズすることができる配列決定プライマーを含む組み込み混合物を添加することができる。それぞれの鋳型鎖40、44に沿った配列決定プライマーの伸長をモニターして、鋳型鎖40、44中のヌクレオチドの配列を決定する。基礎となる化学的処理は、重合(例えば、ポリメラーゼ酵素によって触媒される)またはライゲーション(例えば、リガーゼ酵素によって触媒される)であり得る。特定のポリメラーゼベースのプロセスにおいて、蛍光標識されたヌクレオチドは、それぞれの配列決定プライマーに付加されたヌクレオチドの順序およびタイプの検出が鋳型の配列を決定するために使用され得るように、鋳型依存的な様式でそれぞれの配列決定プライマーに付加される。例えば、合成サイクルによって第1の配列決定を開始するために、1つ以上の標識されたヌクレオチド、DNAポリメラーゼなどが、フローセルに/を通って送達され得、ここで、配列決定プライマー伸長は、標識されたヌクレオチドが、それぞれの鋳型40、44に相補的である発生期ストランドに組み込まれることを引き起こす。取り込み有害事象は、それぞれの鋳型40、44で生成された蛍光シグナルの実質的な物理的重複なしに、画像化有害事象を通してタンデムに検出することができる。これにより、それぞれの鋳型40、44で同時に塩基を呼び出すことができる。画像化事象の間、イルミネーションシステム(図示せず)は、フローセルに励起光を提供し得、画像は、捕捉および分析され得る。例として、照度は、レーザー、発光ダイオード、平面導波路などを用いて達成されてもよい。
いくつかの実施例において、蛍光標識されたヌクレオチドは、ヌクレオチドがそれぞれの鋳型40、44に付加されると、さらなるプライマー伸長を終結する可逆的終結特性をさらに含み得る。例えば、可逆的停止部分を有するヌクレオチドアナログは、鋳型40、44に付加され得、その結果、その部分を除去するために脱ブロッキング剤が送達されるまで、その後の伸長が起こり得ない。したがって、可逆的終結を使用する例では、脱ブロッキング試薬をフローセルなどに送達することができる(検知が起こった後)。
洗浄は、様々な流体送達工程の間に行うことができる。次いで、配列決定サイクルをn時間繰り返して、鋳型をnヌクレオチド伸長させ、それによって長さnの配列を検出することができる。
ペアエンド配列決定は、ユーザがフラグメントの両端を配列決定し、高品質で整列可能な配列データを生成することを可能にする。ペア末端配列決定は、ゲノム再配列および反復配列エレメント、ならびに遺伝子融合および新規転写物の検出を容易にする。1つの例示的なペアエンド配列決定方法が詳細に記載されているが、本明細書中に記載されるフローセルは、遺伝子型決定のために、または他の化学的および/または生物学的適用において、他の配列決定プロトコルとともに利用され得ることが理解されるべきである。別例では、本明細書に開示されるフローセルは、オンセルライブラリ生成のために使用されてもよい。
キット
本明細書中に記載されるフローセルの任意の例は、キットの一部であり得る。
キットのいくつかの例には、フローセル、鋳型混合/流体、および組み込み混合物が含まれる。フローセルのこれらの例は、それに結合するプライマーセット12A、12A’、または12B、12B’、または12C、12C’、または12D、12D’の両方を有する。鋳型混合物/流体は、配列決定される鋳型を含み、組み込み混合物は、切断不可能な第1の鋳型鎖40および切断不可能な第2の鋳型鎖44(鋳型を使用して形成される)にそれぞれハイブリダイズすることができる配列決定プライマーを含む。
キットの他の例には、本明細書に記載のフローセルおよびプライミング流体が含まれる。フローセルのこれらの例は、それに結合する1つのプライマーセット12A、12B、12C、または12Dを有しており、プライミング流体を使用して、他方のプライマーセット12A’、12B’、12C’、または12D’を導入することができる。このキットの一実施例では、フローセルは、間隙領域30によって分離された凹部28を含む基材26と、各凹部内のいくつかの官能基がキャップされている第1のポリマー層32と、凹部28の各々内の第1のポリマー層32の他の官能基に結合された第1のプライマーセット12A、12B、12C、または12Dと、間隙領域30上の第2のポリマー層32’とを含み、プライミング流体は、流体キャリアと、第1のプライマーセット12A、12B、12C、または12Dとは異なった第2のプライマーセット12A’、12B’、12C’、または12D’とを含む。この例示的なキットはまた、鋳型混合物および組み込み混合物を含み得る。
ビーズベースのフローセル
図9は、領域14または16の一方がビーズ50の一部であるフローセルの1つの構成を示す。このセクションは、このフローセル構成のための様々な例および方法を説明する。
本明細書に開示されるこのフローセル10A(図13Dおよび14)、10B(図15Dおよび16)、10C(図17Dおよび18)、10D(図19Dおよび20)の例は、保持体52上の保持体52およびパターン化された樹脂54’、54’’を含み、パターン化された樹脂は、間隙領域30によって分離された凹部28A、28Bまたは28Cを含む。凹部28A、28B、または28Cを形成するために樹脂54をパターン化する方法の一例を、図11Aから11Dまでにともに示す。より具体的には、図11A~11Cは、凹部28A、28B、の形成を示し、図11A、11B、11Dは、凹部28Cの形成を示す。
図11Aは、保持体52を示し、図11Bは、保持体52上に堆積された樹脂54を示す。本明細書に記載される基材12の任意の実施例が、保持体52のために使用されてもよい。
好適な樹脂54のいくつかの例は、多面体オリゴマーシルセスキオキサン樹脂(POSS)ベースの樹脂、エポキシ樹脂、ポリ(エチレングリコール)樹脂、ポリエーテル樹脂、アクリル樹脂、アクリル酸塩樹脂、メタクリレート樹脂、およびこれらの組み合わせからなる群から選択される。いくつかの例が提供されたが、硬化され得る任意の樹脂が使用され得ると考えられる。
本明細書で使用する「多面体オリゴマーシルセスキオキサン」(POSS)および「POSSベースの樹脂」という用語は、シリカ(SiO)とシリコン(RSiO)との間の混成中間体(RSiO1.5)である成分組成を指す。POSSの例は、Kehagias et al.,Microelectronic Engineering 86 (2009), pp.776-778に記載されているものであることができ、その全体が参照により組み込まれる。化合物は、化学式[RSiO3/2を有する有機ケイ素化合物であり、ここで、R基は、同一であっても異なっていてもよい。この配合物は、モノマー単位として、1つ以上の異なったケージまたはコア構造を含んでいてもよい。場合によっては、構造は、以下の多八面体のケージまたはコア構造を含む。場合によっては、多面体構造は、以下のようなT構造であってもよく、
によって表される。このモノマー単位は、典型的には、8アームの官能基R~Rを有する。
モノマー単位は、以下のような、10個のケイ素原子および10個のR基(例えば、T10と称される)を有するケージ構造を有し得るか、または12個のケイ素原子および12個のR基(例えば、T12と称される)を有するケージ構造
を有し得る。POSSベースの物質は、T、T14またはT16ケージ構造を含むことができる。平均ケージ含有量は、合成中に調整することができ、および/または精製的な方法によって制御することができ、本明細書に開示される実施例では、モノマー単位のケージサイズの分布を使用することができる。例として、ケージ構造のいずれかは、使用される合計POSSモノマー単位の約30%~約100%の範囲の量で存在し得る。POSSベースの材料は、開いたケージ構造および部分的に開いたケージ構造とともに、ケージ構造の混合物であってもよい。したがって、POSSベースの樹脂前駆体または樹脂は、シルセスキオキサン構成の混合物であってもよいエポキシPOSS材料を含んでもよい。例えば、本明細書中に記載される任意のPOSS材料は、別個のPOSSケージと、非別個のシルセスキオキサン構造および/または不完全に縮合した別個の構造(例えば、ポリマー、ラダーなど)との混合物であり得る。したがって、部分的に縮合した材料は、本明細書に記載されるように、いくつかのケイ素頂点にエポキシR基を含むが、いくつかのケイ素原子は、R基で置換されず、代わりにOH基で置換され得る。いくつかの例では、POSS材料は、以下のような様々な形状の混合物を含む:
(a)


(b)


および/または(c)。

本明細書に開示される実施例のいくつかでは、R~RまたはR10またはR12の少なくとも1つは、エポキシを含み、したがって、POSSは、エポキシPOSSと呼ばれる。いくつかの例では、8、10、または12個のアーム、またはR基などのアームの大部分は、エポキシ基を含む。他の例では、R~RまたはR10またはR12は同じであり、したがって、R~RまたはR10またはR12の各々はエポキシ基を含む。さらに他の例では、R~R、R10、またはR12は同じではなく、したがって、R~R、R10、またはR12のうちの少なくとも1つはエポキシを含み、R~R、R10、またはR12のうちの少なくとも1つは非エポキシ官能基である。非エポキシ官能基は、(a)エポキシ基に対して直角に反応性である(すなわち、エポキシ基とは異なった条件下で反応する)、樹脂を増幅プライマー、ポリマー、または重合剤に結合させるためのハンドルとして働く反応性基、または(b)樹脂の機械的または機能的特性、例えば、表面エネルギー調節を調節する基であってもよい。いくつかの例では、非エポキシ官能基は、アジド(azide)/アジド(azido)、チオール、ポリ(エチレングリコール)、ノルボルネン、テトラジン、アミノ、水酸基、アルキニル、ケトン、アルデヒド、エステル基、アルキル、アリール、アルコキシ、およびハロアルキルからなる群から選択される。いくつかの態様では、非エポキシ官能基は、樹脂の表面エネルギーを増大させるように選択される。これらの他の実施例では、エポキシ基対非エポキシ基の比率は、7:1~1:7、または9:1~1:9、または11:1~1:11の範囲である。実施例のいずれにおいても、二置換または一置換(末端)エポキシ基は、紫外(UV)光および酸を用いた開始時にモノマー単位が重合して架橋マトリックスになることを可能にする。いくつかの態様では、エポキシPOSSは末端エポキシ基を含む。このタイプのPOSSの例は、以下の構造:
を有するグリシジルPOSSである。
エポキシPOSSはまた、1つ以上の官能基R~RまたはR10またはR12として、樹脂またはコアまたはケージ構造に組み込まれた、制御されたラジカル重合(CRP)剤および/または別の目的の官能基を含む、改質エポキシPOSSであってもよい。
本明細書に開示されるPOSSベースの樹脂の他の例では、R~RまたはR10またはR12のそれぞれは、アクリル酸塩、メタクリレート、エチレングリコール、または短ポリエチレングリコール鎖(最大50繰り返し単位)などの任意の非エポキシ基を含む。ラジカル重合することができる任意の非エポキシPOSS一量体を使用することができる。一例は、以下の構造:
を有するメタクリルPOSSケージ混合物である。
別の例は、以下の構造:
を有するPEG-POSSケージ混合物である。
PEG-POSSの例では、Rグループの末端メチル基(CH)をXに置き換えてもよいが、ここでXはアクリル基、メタクリル基、または別の適当な末端基である。
他の樹脂54を使用することもできる。例としては、(非POSS)エポキシ樹脂、ポリ(エチレングリコール)樹脂、ポリエーテル樹脂(開環エポキシであってもよい)、アクリル樹脂、アクリレート樹脂、メタクリレート樹脂、およびこれらの組み合わせが挙げられる。例として、エポキシおよびアクリレートモノマーを含む樹脂が使用され得るか、またはエポキシおよびエチレンモノマーを含む樹脂が使用され得る。
好適な樹脂54の別の例は、非晶質フッ素ポリマーである。商業的に入手可能な非晶質(非結晶)フッ素ポリマーの例は、BellexからのCYTOP(登録商標)である。
図11Bに示すように、樹脂54は保持体52上に堆積される。例えば、樹脂54の堆積は、化学蒸着、ディップ法、ダンクコーティング、スピンコーティング、スプレーコーティング、パドルディスペンシング、超音波スプレーコーティング、ドクターブレードコーティング、エアロゾルプリンティング、スクリーンプリンティング、マイクロコンタクトプリンティング、またはインクジェットプリンティングを含む。
次いで、堆積された樹脂54は、本明細書に記載されたパターン化技術のいずれかを用いてパターン化される。図11Bに示す実施形態では、ナノインプリントリソグラフィを使用して樹脂54をパターン化する。樹脂54を堆積させた後、ソフトベークして余分な溶剤を除去することができる。ナノインプリントリソグラフィ金型または加工スタンプ56を樹脂54の層に押し付けて、樹脂54上にインプリントを生成する。言い換えれば、樹脂54は、加工スタンプ56の張出し部によって、へこんだり、穿孔されたりする。次いで、樹脂54は、加工スタンプ56を所定の位置にして硬化させることができる。硬化は、可視光照射または紫外(UV)照射などの化学線、またはフォトレジストを使用する場合には約240nm~380nmの範囲の波長の照射に曝すことによって、または熱硬化性レジストを使用する場合には熱に曝すことによって達成することができる。硬化は、重合および/または架橋を促進し得る。一例として、硬化は、ソフトベーク(例えば、溶媒を除去するための)およびハードベーキングを含む複数の段階を含むことができる。ソフトベーキングは、約50℃~約150℃の範囲のより低い温度で行うことができる。ハードベーキングの持続時間は、約100℃~約300℃の範囲の温度で約5秒~約10分間続くことができる。ソフトベーキングおよび/またはハードベーキングに使用することができるデバイスの例には、ホットプレート、オーブンなどが含まれる。
硬化後、加工スタンプ56は解放される。これにより、樹脂54に地形的特徴、すなわち凹部28Aおよび28Bまたは28Cが形成される。図11Cに示すように、凹部28Aおよび28Bが形成された樹脂54は、パターン化された樹脂54’と呼ばれる。図11Dに示すように、凹部28Cが形成された樹脂54は、パターン化された樹脂54’’と呼ばれ、パターン化された樹脂54’、54’’は、硬化を完了し、インプリントされたトポグラフィを固定するために、さらにハードベーキングに供される。いくつかの例では、ハードベーキングは、約60℃~約300℃の範囲の温度で行うことができる。
図11Cに示される凹部28Aおよび28Bは、異なるサイズを有する。この例では、「異なったサイズ」は、凹部28Bのいくつかが他の凹部28Aのいくつかよりも小さい開口部寸法を有することを意味し、この例では、「開口部寸法」は、パターン化された樹脂54’上の各凹部開口部によって占められる面積および/またはパターン化された樹脂54’上の各凹部開口部の径を指す。図11Cに示される例では、各凹部28Bの開口部の面積および直径は、各凹部28Aの開口部の面積および直径よりも小さい。より大きな凹部28Aの開口部の面積および直径は、そこに導入されるビーズ50の粒径(例えば、直径)に依存する。より小さい凹部28Bの開口部の面積及び径は、ビーズ50の粒径よりも小さい。これらの開口寸法は、ビーズ50が、サイズ排除によって凹部28Bではなく、凹部28A内に自己集合することを可能にする。
図11Dに示される凹部28Cは、相互接続されるが異なるサイズを有する2つの部分34、34’を含む。この例では、「異なったサイズ」とは、凹部28Cの各々の部分34’が部分34よりも小さい開口部寸法を有することを意味し、また、この例では、「開口部寸法」は、パターン化された樹脂54上の各部分開口部によって占められる面積、および/またはパターン化された樹脂54’’上の各部分開口部の径を指す。図11Dに示す実施形態では、各部分34’の開口部の面積および直径は、各部分34の開口部の面積および直径よりも小さい。より大きい部分34の開口部の面積および直径は、そこに導入されるビーズ50の粒径(例えば、直径)に依存する。小さな部分34’の開口部の面積及び径は、ビーズ50の粒径よりも小さい。これらの開口部の寸法は、ビーズ50が、サイズ排除によって部分34’ではなく部分34に自己集合することを可能にする。
表面上のそれぞれの凹部開口部または部分開口部の表面積の例は、少なくとも約1×10-3μm、少なくとも約1×10-2μm、少なくとも約0.1μm、少なくとも約1μm、少なくとも約10μm、少なくとも約100μm、またはそれ以上とすることができる。あるいは、またはさらに、面積は、最大で約1×10μm、最大で約100μm、最大で約10μm、最大で約1μm、最大で約0.1μm、最大で約1×10-2μm、またはそれ以下であってもよい。いくつかの例では、各凹部28A、28Bまたは部分34、34’の直径は、少なくとも約50nm、少なくとも約0.1μm、少なくとも約0.5μm、少なくとも約1μm、少なくとも約10μm、少なくとも約100μm、またはそれ以上とすることができる。あるいは、またはさらに、直径は、多くとも約1×10μm、多くとも約100μm、多くとも約10μm、多くとも約1μm、多くとも約0.5μm、多くとも約0.1μm、またはそれ以下(例えば、約50nm)であり得る。それぞれの凹部開口部または部分開口部の面積および径は、上記で特定した値より大きくても、小さくても、またはその間であってもよい。凹部28Aの開口部の面積および直径が凹部28Bの開口部の面積および直径よりも大きい限り、または凹部28Cの部分34の開口部の面積および直径が凹部28Cの部分34’の開口部の面積および直径よりも大きい限り、任意の望ましい面積および直径を使用することができる。
規則的なパターン、反復パターン、および非規則的なパターンを含む、凹部28Aおよび28Bまたは28Cの多くの異なるレイアウトを想定することができる。例えば、凹部28A、28B、28Cは、密接にパッキングし、密度を改善するために、六角形の格子状に配置されている。他のレイアウトとしては、例えば、凹部28Aまたは部分34が機能化ビーズ50(例えば、図13C、14などに示されるように、その上に形成された領域16を有するコア構造49)を受容することができる限り、例えば、直線(すなわち、矩形)レイアウト、三角形レイアウトなどが挙げられ得る。いくつかの例では、レイアウトまたはパターンは、行および列にある凹部28Aおよび28Bまたは28Cのx-yフォーマットとすることができる。いくつかの他の例では、レイアウトまたはパターンは、凹部28Aおよび28Bまたは28Cおよび/または間隙領域30の繰り返し配列であってもよい。さらに他の例では、レイアウトまたはパターンは、凹部28Aおよび28Bまたは28Cおよび/または間隙領域30のランダムな配列であってもよい。パターンは、ストライプ、スワール、線、三角形、長方形、円、弧、小切手、プライド、対角線、矢印、正方形、および/またはクロスハッチを含むことができる。
凹部28Aおよび28Bまたは28Cのレイアウトまたはパターンは、本明細書に記載されるように、密度および/または平均ピッチに関して特徴付けられ得ることが理解されるべきである。
さらに、凹部28Aおよび28Bまたは28Cは、任意の適切な深さを有してもよい。
図11Cに示されるパターン化された樹脂54’または図11Dに示されるパターン化された樹脂54’’を使用するフローセルの例を作製するための方法100の例は、図12に示される。図12Cに示されるように、方法100は、保持体52(参照番号102)上のパターン化された樹脂54’または54’’の凹部28A、28Bまたは28Cにポリマー32を選択的に適用すること;第1のプライマーセット12A、12B、12C、12Dを、凹部28A、28Bまたは28C(参照番号104)の少なくともいくつかでポリマー32にグラフトすること;および第1のプライマーセット12A、12B、12C、12Dをグラフトする前または後に、i)凹部28Cの少なくともいくつかのそれぞれの一部、またはii)少なくともいくつかの凹部28Bより大きい開口寸法を有する第2の凹部28Aにおいて、官能基を有するビーズ50を堆積することを含み、
官能基を有するビーズ50はコア構造49の表面に取り付けられた第2のプライマーセット12A’、12B’、12C’、12D’を含み、第1および第2のプライマーセット12A、12A’または12B、12B’、または12C、12C’、または12D、12D’は異なる。凹部28A、28Bを含むこの方法100の異なる例を、図13A~13Dおよび14ならびに図15A~15D、16を参照してさらに説明する。凹部28Cを含むこの方法100の異なる例を、図17A~図17Dおよび図18ならびに図19A~19D、20を参照してさらに説明する。
図13Aは、より大きな凹部28Aおよびより小さな凹部28Bを含む、パターン化された樹脂54’を示す。凹部16Aおよび16Bの深さは、明確化のために省略されている。
図13Bは、凹部28Aおよび28Bの各々へのポリマー32の選択的適用を示す。ポリマー32の選択的適用は、間隙領域30および凹部28A、28B内の露出表面の活性化、活性化された間隙領域30上および凹部28A、28B内にポリマー32を堆積させること、および間隙領域30からポリマー32を除去することを含む、複数のプロセスを含み得る。
いくつかの例では、活性化は、パターン化された樹脂54’の間隙領域30と、凹部28A、28B内に露出された保持体52の領域とを含む表面をシラン化することを含む。シラン化は、任意のシランまたはシラン誘導体を使用して達成することができる。シランまたはシラン誘導体の選択は、シランまたはシラン誘導体とポリマー32との間に共有結合を形成することが望ましい場合があるので、形成されるポリマー32に部分的に依存し得る。シランまたはシラン誘導体を結合させるために使用される方法は、使用されるシランまたはシラン誘導体に依存して変化し得る。いくつかの例を本明細書に記載する。
好適なシラン化方法の例には、蒸着(例えば、YES法)、スピンコーティング、または他の堆積方法が含まれる。
YESCVDオーブンを使用する実施例では、パターン化された樹脂54’をその上に有する保持体52は、CVDオーブン内に配置される。チャンバを排気し、次いでシラン化サイクルを開始することができる。サイクルの間、シランまたはシラン誘導体の容器は、適切な温度(例えば、ノルボルネンシランについて約120℃)に維持されてもよく、シランまたはシラン誘導体蒸気ラインは、適切な温度(例えば、ノルボルネンシランについて約125℃)に維持されてもよく、真空ラインは、適切な温度(例えば、約145℃)に維持されてもよい。
別の例では、シランまたはシラン誘導体(例えば、液状ノルボルネンシラン)は、ガラス瓶の内部に堆積され、パターン化された樹脂54’を有する保持体52を有するガラスバキュームデシケータの内部に配置されてもよい。次いで、デシケータを約15mTorr~約30mTorrの範囲の圧力まで排気し、約60℃~約125℃の範囲の温度でオーブン内に配置することができる。シラン化を進行させ、次いで乾燥器を炉から取り出し、冷却し、大気中で排気する。
蒸着、YES法および/または真空デシケータは、多種のシランまたはシラン誘導体、例えばシクロアルケン不飽和部分を含むシランまたはシラン誘導体、例えばノルボルネン、ノルボルネン誘導体(例えば、炭素原子の1つの代わりに酸素または窒素を含む(ヘテロ)ノルボルネン)、トランスシクロオクテン、トランスシクロオクテン誘導体、トランスシクロペンテン、トトランスシクロヘプテン、トランス-シクロノネン、ビシクロ[3.3.1]ノン-1-エン、ビシクロ[4.3.1]dec-1(9)-エン、ビシクロ[4.2.1]ノン-1(8)-エン、およびビシクロ[4.2.1]ノン-1-エンなどと共に使用することができる。これらのシクロアルケンのいずれも、例えば、水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、シクロアルキル、シクロアルケニル、シクロアルキニル、アリール、ヘテロアリール、ヘテロアリシクリル、アラルキル、または(ヘテロアリシクリル)アルキルなどのR基で置換することができる。ノルボルネン誘導体の一例としては、[(5-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-エニル)エチル]トリメトキシシランが挙げられる。他の例として、シランまたはシラン誘導体が、シクロオクチン、シクロオクチン誘導体、またはビシクロノニン(例えば、ビシクロ[6.1.0]ノン4-インまたはその誘導体、ビシクロ[6.1.0]ノン2-イン、またはビシクロ[6.1.0]ノン3-イン)などのシクロアルキン不飽和部分を含む場合、これらの方法を使用することができる。これらのシクロアルキンは、本明細書中に記載されるR基のいずれかで置換され得る。
シラン又はシラン誘導体の結合は、間隙領域30及び凹部28A、28Bの両方に活性化表面を形成する。
次いで、ポリマー層32は、本明細書に記載されるように適用されてもよい。例として、ポリマー(例えば、PAZAM)は、スピンコーティング、またはディッピングもしくはディップコーティング、または陽圧もしくは陰圧下での官能化分子のフロー、または別の好適な技術を使用して堆積されてもよい。ポリマー層32を形成するために堆積されたポリマーは、混合物中に存在してもよい。例えば、混合物は、水中またはエチルアルコールと水の混合物中のPAZAMを含む。
コーティングされた後、ポリマーを含む混合物はまた、硬化工程にさらされて、パターン化された樹脂54’の活性化された間隙領域30を横切って、そして凹部28A、28B中にポリマー層32を形成し得る。一例では、硬化は、室温(例えば、約25℃)~約95℃の範囲の温度で、約1ミリ秒~約数日の範囲の時間にわたって行うことができる。別の例では、時間は、10秒~少なくとも24時間の範囲であってもよい。さらに別の例では、時間は、約5分~約2時間の範囲であってもよい。
活性化された(この例ではシラン化された)表面へのポリマー層32の結合は、共有結合を介してもよい。共有結合は、種々の使用の間に最終的に形成されるフローセルの寿命を通して、凹部28B中に少なくとも第1のプライマーセット12A、12B、12C、12Dを維持するのに有用である。以下は、活性化された(例えば、シラン化された)表面とポリマー層32との間で起こり得る反応のいくつかの例である。
シランまたはシラン誘導体が不飽和部分としてノルボルネンまたはノルボルネン誘導体を含む場合、ノルボルネンまたはノルボルネン誘導体は、i)PAZAMのアジド(azide)/アジド(azido)基との1,3-双極性環化付加反応を受けることができ、ii)PAZAMに結合したテトラジン基とのカップリング反応を受けることができ、PAZAMに結合したヒドラゾン基との環化付加反応を受けることができ、PAZAMに結合したテトラゾール基とのフォトクリック反応を受けることができ、またはPAZAMに結合したニトリルオキシド基との環化付加を受けることができる。
シランまたはシラン誘導体が不飽和部分としてシクロオクチンまたはシクロオクチン誘導体を含む場合、シクロオクチンまたはシクロオクチン誘導体は、i)PAZAMのアジド(azide)/アジド(azido)との歪み促進アジド-アルキン1,3-環化付加(SPAAC)反応を受けるか、またはii)PAZAMに結合したニトリルオキシド基との歪み促進アルキン-ニトリルオキシド環化付加反応を受けることができる。
シランまたはシラン誘導体が、不飽和部分としてビシクロノニンを含む場合、ビシクロノニンは、二環系における歪みのために、PAZAMに結合したアジドまたはニトリルオキシドによる同様のSPAACアルキン環化付加を受けることができる。
他の例では、シラン化ではなくプラズマアッシングを使用して、間隙領域30および凹部28A、28B内の保持体52の露出表面を活性化することができる。プラズマアッシング後、ポリマーを含有する混合物は、プラズマアッシングされた表面上に直接スピンコーティング(または他の方法で堆積)され、次いで硬化されてポリマー層32を形成することができる。本実施例では、プラズマアッシングにより、表面活性化剤(例えば、ヒドロキシル(C-OHまたはSi-OH)および/またはカルボキシル基)が生成され、それらは、凹部28A、28Bにおける、間隙領域30および保持体52の露出表面にポリマーを接着させることができる。これらの例では、ポリマー26は、プラズマアッシングによって生成された表面基と反応するように選択される。
活性化がシラン化またはプラズマアッシングを介して行われるかどうかにかかわらず、活性化された間隙領域30からポリマー層32を除去するために、研磨を行うことができる。研磨は、本明細書に記載されるように実行されてもよい。いくつかの例では、研磨はまた、間隙領域30に隣接するシランまたはシラン誘導体を除去しても、しなくてもよい。これらのシラン化された部分が完全に除去されると、下にあるパターン化された樹脂54’が露出されることが理解されるべきである。
図13Cに示すように、方法100のこの例では、官能基を有するビーズ50が凹部28A内に堆積される。それぞれの官能基を有するビーズ50は、コア構造49と、コア構造49の表面に結合した第2のプライマーセット12A’、12B’、12C’、12D’とを含む。第2のプライマーセット12A’、12B’、12C’、12D’は、本明細書中に記載されるように、第1のプライマーセット12A、12B、12C、12Dとは異なる。プライマーセット12A、12A’または12B、12B’または12C、12C’または12D、12D’の任意の例が使用され得る。
コア構造49は、ビーズ/コア構造について本明細書で言及される例のいずれかであってもよい。例えば、官能基を有するビーズ50のコア構造49は、二酸化ケイ素、超常磁性物質、ポリスチレン、およびアクリル酸塩からなる群から選択される。コア構造49は、第2のプライマー組12A’、12B’、12C’、12D’への共有結合のために、その表面上に反応性基を有することができる。このような反応性基の例としては、カルボン酸、第一級脂肪族アミン、芳香族アミン、芳香族クロロメチル(例えば、ベンジルクロライドビニル)、アミド、ヒドラジド、アルデヒド、水酸基、チオール、およびエポキシが挙げられる。これらの反応性基は、コア構造49の表面に本質的に存在してもよく、または任意の好適な官能化技術(例えば、化学反応、コア構造49と反応性基含有ポリマーとのコーティングなど)によってコア構造49の表面に組み込まれてもよい。固有の反応性基またはその付加された反応性基または塗装を有するコア構造49は、領域16を画定する。
ビーズ50を利用する本明細書中に開示される実施例において、1つのプライマーセット12A、12B、12C、12Dまたは12A’、12B’、12C’、12D’は、播種後に生じる任意の伸長を阻害する3’末端のリン酸ブロック基で官能化され得る。最初の伸長が起こると(他のプライマーセット12A’、12B’、12C’、12D’または12A、12B、12C、12D’で)、リン酸ブロックプライマーセット12A、12B、12C、12Dまたは12A’、12B’、12C’、12D’に播種された任意のストランドと共にリン酸基が除去され、2つのプライマーグループ12A、12B、12C、12Dおよび12A’、12B’、12C’、12D’の間の増幅が進行する。この方法は、1つのプライマーセット12A、12B、12C、12Dまたは12A’、12B’、12C’、12D’のみが最初に伸長可能であるので、ポリクローン性率を減少させるのに役立つ。
図13Aから13Dまでには示されていないが、官能化されたビーズ50を堆積する前に、方法100は、第2プライマーセット12A’、12B’、12C’、12D’をコア構造49に結合することにより官能化されたビーズ50を形成することを含んでいる。官能化は、アジド(例えば、スクシンイミジル(NHS)酸エステル)末端プライマーをコア構造49の表面上のヒドラジンと反応させること、またはアルキン末端プライマーをコア構造の表面上のアジドと反応させること、またはアミノ末端プライマーをコア構造49の表面上の活性化カルボキシレート基もしくはNHS酸エステルに反応させること、またはチオール末端プライマーをアルキル化反応物(例えば、ヨードアセトアミンもしくはマレイミド)、チオエーテルを有するホスホラミダイト末端プライマー、またはコア構造49の表面上のストレプトアビジンを有するビオチン修飾プライマーと反応させることを含む、任意の好適な技術を使用して行うことができる。いくつかの核酸プライマー19、19’、21、21’は、カオトロピック剤(KI、NI、またはNaSCN)の存在下でシリカビーズ上に捕捉され得る。具体的には、例えば、ジベンゾシクロオクチン(アルキンを含むDBCO)末端プライマーを銅フリークリックグラフトに用いることができる。
官能化されたビーズ50は、任意の好適な技術を用いて、パターン化された樹脂54’上に堆積されてもよい。一例として、官能基を有するビーズ50は、液状キャリア(例えば、水)中で混合され得、これは、パターン化された樹脂54’の表面上にロードされ得る。別の実施形態では、官能化されたビーズ50は、パターン化された樹脂54’をその上に有する保持体52も含む振とう機内で、50μm~150μmのスチールビーズと共にビーズ50を振とうすることによって、凹部28A内に強制的に埋め込まれてもよい。官能基を有するビーズ50のサイズ、並びに凹部28A及び28Bのサイズのために、サイズ排除は、官能基を有するビーズ50がより小さい凹部28Bに入ることを妨げ、1つの官能基を有するビーズ50が1つの凹部28Aに自己集合することを可能にする。官能化されたビーズ50は、それぞれの凹部28Aに物理的に閉じ込められてもよい。あるいは、官能基を有するビーズ50は、例えば、ストレプトアビジン/ビオチンリンカーを介して、それぞれの凹部28Aに化学的に結合されてもよい。
図13Dに示されるように、凹部28Bは、次いで、第1のプライマーセット12A、12B、12C、12Dで官能化され得る。プライマー18、18’および20、20’は、本明細書中に開示される例のいずれかであり得、そしてポリマー層32の反応性基に結合し得る官能基を含む。凹部28A内のポリマー層32は官能基を有するビーズ50で覆われているので、凹部28A内のポリマー層32は露出されず、したがって、その反応性基は、第1のプライマーセット12A、12B、12C、12Dとの反応に利用できない。
プライマー18、18’および20、20’は、本明細書中に示される例のいずれかであり得、そして互いに異なり、そしてプライマー19、19’および21、21’とは異なる。例えば、プライマー21、19がP5およびP7Uプライマーを含む場合、プライマー20、18はP5UおよびP7プライマーを含み得る。この例では、第1のプライマーセット12Aは、切断不可能な第1のプライマー18(例えば、P7)および切断可能な(例えば、ウラシル修飾された)第2のプライマー(例えば、P5U)を含み、第2のプライマーセット12A’は、切断可能な(例えば、ウラシル修飾された)第1のプライマー19(例えば、P7U)および切断不可能な第2のプライマー21(例えば、P5)を含む。本明細書中で議論されるように、プライマーセット12A、12A’または12B、12B’または12C、12C’または12D、12D’の化学は、直交し、これは、両方のプライマー集団(セット12A、12A’または12B、12B’または12C、12C’または12D、12D’)にわたる増幅、および生成された鋳型ストランドのいくつか(例えば、42、46)を切断し、同じ(順方向または逆方向)鋳型ストランド40または44を特定の領域14または16に残すことを可能にする。これにより、判別可能なリード1信号とリード2信号とを同時に得ることができる。
プライマー18、18’および20、20’を凹部28B内のポリマー層32にグラフトするために、グラフト化処理を実施することができる。一例では、フロースルー堆積(例えば、一時的に結合された蓋を使用する)、ダンクコーティング、スプレーコーティング、パドルディスペンシング、または、凹部28Bにおけるポリマー層32にプライマー18,18,20’および20’を結合する別の適当な方法によってグラフト化が達成されるであろう。これらの例示的な技術のそれぞれは、プライマー溶液または混合物を利用してもよく、プライマー、水、緩衝液、および触媒を含んでもよい。
官能化されたビーズ50は、この実施形態では、凹部28Aに導入される前に官能化され、したがって、ダンクケミストリーと反応しないので、ダンクコーティングを使用することができる。ダンクコーティングは、図13Cに示されるように、保持体52(その上にパターン化された樹脂54’および凹部28A内の官能化されたビーズ50を有する)を一連の温調槽に浸漬することを含み得る。浴槽はまた、流量制御されてもよく、および/または窒素ブランケットで覆われてもよい。槽は、プライマー溶液または混合物を含んでもよい。種々の槽を通して、プライマー18、18’および20、20’は、ポリマー層32の反応性基に結合する。例えば、保持体52は、プライマー18、18’および20、20’を結合させるために反応が起こるプライマー溶液またはプライマー混合物を含む第1の槽に導入され、次いで、洗浄のために追加の槽に移動される。槽から槽への移動は、ロボットアームを伴ってもよいし、手動で行ってもよい。また、乾式系をダンクコーティングに使用することもできる。
スプレーコーティングは、図13Cに示されるように、プライマー溶液または混合物を保持体52上に直接的に噴霧することによって達成され得る(その上にパターン化された樹脂54’および凹部28A内に官能化されたビーズ50を有する)。スプレーコーティングされたウェハは、約0℃~約70℃の範囲の温度で、約4分~約60分の範囲の時間インキュベートされ得る。インキュベーション後、プライマー溶液または混合物を希釈し、例えばスピンコーターを用いて除去することができる。
パドルディスペンシングは、プールおよびスピンオフ法に従って行うことができ、従って、スピンコーターを用いて行うことができる。プライマー溶液または混合物は、図13Cに示されるように(パターン化された樹脂54’および凹部28A内の官能化されたビーズ50と共に)、保持体52に適用され得る(手動でまたは自動化された工程を介して)。適用されたプライマー溶液または混合物は、官能基を有するビーズ50および間隙領域30を含む表面全体に適用または広げることができる。プライマーコーティングされた基材は、約0℃~約80℃の範囲で約2分~約60分間インキュベートすることができる。インキュベーション後、プライマー溶液または混合物を希釈し、例えばスピンコーターを用いて除去することができる。
いずれのグラフト化方法でも、プライマー18、18’および20、20’は、凹部28B内の露出したポリマー層32の反応性基と反応し、官能基を有するビーズ50またはパターン化された樹脂54’の間隙領域30に対する親和性を有さない。したがって、プライマー18、18’および20、20’は、凹部28B内のポリマー層32に選択的にグラフトする。
図14は、図13Dに描かれたフローセル10Aの部分の断面図である。フローセル10Aは、保持体52と、保持体52上のパターン化された樹脂54’であって、間隙領域30によって分離された第1の凹部28Bおよび第2の凹部28Aを含むパターン化された樹脂54’と、第2の凹部28Aよりも小さな開口部寸法を有する第1の凹部28Bと、第1の凹部28Bの少なくともいくつかにそれぞれ取り付けられた第1のプライマーセット12A、12B、12C、または12D(プライマー18、18’および20、20’を含む)と、第2の凹部28Aの少なくともいくつかにそれぞれ配置された官能基を有するビーズ50とを含み、官能基を有するビーズ50は、コア構造49の表面に取り付けられた第2のプライマーセット12A’、12B’、12C’、または12D’(プライマー19、19’および21、21’を含む)を含み、第2のプライマーセット12A’、12B’、12C’、または12D’は、第1のプライマーセット12A、12B、12C、または12Dとは異なっている。図13Dおよび14に示す例では、ポリマー層32は、第1の凹部28Bおよび第2の凹部28Aに存在し、第1のプライマーセット12A、12B、12C、または12Dは、第1の凹部28Bの少なくともいくつかのポリマー層32に結合される。また、図13Dおよび14に示す例では、官能基を有するビーズ50は、第2の凹部28Aの少なくともいくつかのポリマー層32上に配置される。
図15A~図15Dを参照すると、凹部28A、28Bを含む方法100の別の例が示されている。図15Aは、より大きな凹部28Aおよびより小さな凹部28Bを含む、パターン化された樹脂54’を描写する。凹部28Aおよび28Bの深さは、明確にするために省略されている。
図15Bは、凹部28Aおよび28Bの各々におけるポリマー層32を示す。ポリマー層32は、本明細書に記載されるように選択的に適用されてもよく、これには、間隙領域30および凹部28A、28B内の露出表面を活性化すること、活性化した間隙領域30上および凹部28A、28B内にポリマー層32を堆積させること、および間隙領域30からポリマー層32を除去することが含まれてもよい。
本実施例では、図15Cに示されるように、プライマーセット12A、12B、12C、12D(プライマー18、18’および20、20’を含む)は、次に、凹部28A、28Bの各々のポリマー層32にグラフトされる。官能化されたビーズ50は導入されていないので、凹部28A、28Bの各々のポリマー層32は露出され、従って、その反応性基は、第1のプライマーセット12A、12B、12C、12Dとの反応のために利用可能である。グラフトは、図13Dを参照して記載される技術のいずれかを使用して達成され得る。ポリマー層32は、凹部28A、28Bの各々において露出されるので、プライマー18、18’および20、20’は、凹部28A、28Bの各々にグラフトされ得る。
図15Dに示されるように、官能基を有するビーズ50は、次いで、凹部28A(ポリマー層32およびプライマーセット12A、12B、12C、12Dをその中に有する)に導入され得る。官能化されたビーズ50は、任意の好適な技術を用いて、パターン化された樹脂54’上に堆積されてもよい。官能基を有するビーズ50のサイズ、並びに凹部28A及び28Bのサイズのために、サイズ排除は、官能基を有するビーズ50がより小さい凹部28Bに入ることを妨げ、1つの官能基を有するビーズ50が1つの凹部28Aに自己集合することを可能にする。この例では、官能基を有するビーズ50は、それぞれの凹部28Aに物理的に閉じ込められてもよい。あるいは、この例では、官能基を有するビーズ50は、例えば、ストレプトアビジン/ビオチンリンカーを介して、それぞれの凹部28Aに化学的に結合されてもよい。
図16は、図15Dに示されるフローセル10Bの部分の断面図である。フローセル10Bは、保持体52と、保持体52上のパターン化された樹脂54’であって、間隙領域30によって分離された第1の凹部28Bおよび第2の凹部28Aを含むパターン化された樹脂54’と、第2の凹部28Aよりも小さな開口部寸法を有する第1の凹部28Bと、第1の凹部28Bの少なくともいくつかにそれぞれ結合された第1のプライマーセット12A、12B、12C、12D(プライマー18、18’および20、20’を含む)と、第2の凹部28Aの少なくともいくつかにそれぞれ配置された官能化ビーズ50とを含み、官能化ビーズ50は、コア構造49の表面に結合された第2のプライマーセット12A’、12B’、12C’、12D’(プライマー19、19’および21、21’を含む)を含み、第2のプライマーセット12A’、12B’、12C’、12D’は、第1のプライマーセット12A、12B、12C、12Dとは異なっている。図15Dおよび16に示される例では、ポリマー層32は、第1の凹部28Bおよび第2の凹部28Aに存在し、第1のプライマーセット12A、12B、12C、12Dは、第1の凹部28Bおよび第2の凹部28Aにおいてポリマー層32に結合される。次いで、この例では、官能基を有するビーズ50は、第2の凹部28Aの少なくともいくつかにおける第1のプライマーセット12A、12B、12C、12D(プライマー18、18’および20、20’を含む)上に配置される。
図17A~図17Dを参照すると、凹部28Cを含む方法100の一例が示されている。
図17Aは、凹部28Cを含むパターン化された樹脂54’’を示す。凹部28Cの各々は、より大きな部分34とより小さな部分34’とを含む。凹部28Cの深さ(図11Dに示す)は、明確にするために省略されている。
図17Bは、凹部28Cの各々におけるポリマー層32を示す。図17Bに示すように、各凹部28Cの大きい方の部分34と小さい方の部分34’の両方には、適用されたポリマー層32を有する。ポリマー層32は、本明細書に記載されるように選択的に適用されてもよく、これは、一例では、間隙領域30および凹部28C内の露出表面を活性化すること、活性化間隙領域30上および凹部28C内にポリマー層32を堆積させること、および間隙領域30からポリマー層32を除去することを含んでもよい。
図17Cに示されるように、方法100本実施例では、官能基を有するビーズ50は、凹部28Cのより大きな部分34に堆積される。本明細書中に記載される官能基を有するビーズ50のいずれかが、本実施例において使用され得る。
官能化されたビーズ50(プライマー19、19’および21、21’を含む)は、本明細書中に記載されるような任意の好適な技術を使用して、パターン化された樹脂54’’上に堆積され得る。官能基を有するビーズ50のサイズおよび部分34および34’のサイズのために、サイズ排除は、官能基を有するビーズ50がより小さな部分34’に入ることを妨げ、そして1つの官能基を有するビーズ50が各凹部28Cの1つのより大きな部分34に自己集合することを可能にする。本実施例では、官能基を有するビーズ50は、それぞれのより大きな部分34に物理的に捕捉されてもよく、または、例えばストレプトアビジン/ビオチンリンカーを介して、それぞれのより大きな部分34に化学的に結合されてもよい。
図17Dに示されるように、凹部28Cのより小さい部分34’は、次いで、第1のプライマーセット12A、12B、12C、12Dで官能化され得る。官能基を有するビーズ5のプライマー19、19’および21、21’とは異なり、それらと直交するように選択される限り、本明細書に記載されるプライマー18、18’および20、20’の任意の例が使用され得る。本実施例では、凹部28Cのより大きい部分34のポリマー層32は、官能基を有するビーズ50で覆われており、したがって、凹部28Cのより大きい部分34のポリマー層32は、露出されていない。したがって、ポリマー反応性基は、第1のプライマーセット12A、12B、12C、12Dとの反応には利用できない。より小さな部分34’のポリマー反応性基は露出したままであり、したがって第1のプライマーセット12A、12B、12C、12Dとの反応に利用可能である。プライマー18、18’および20、20’の、より小さい部分34’におけるポリマー層32へのグラフト化は、図13Dを参照して記載される技術のいずれかを使用して達成され得る。
図18は、図17Dに示されるフローセル10Cの部分の断面図である。フローセル10Cは、保持体52と、保持体52上のパターン化された樹脂54’’であって、間隙領域30によって分離された凹部28Cを含むパターン化された樹脂54’’と、凹部28Cの少なくともいくつかに結合された第1のプライマーセット12A、12B、12C、12D(プライマー18、18’および20、20’を含む)と、第1のプライマーセット12A、12B、12C、12Dの少なくともいくつかのプライマー18、18’および20、20’が露出されるように、凹部28Cの少なくともいくつかに配置された官能化されたビーズ50と、を含み、官能化されたビーズ50は、コア構造49の表面に結合された第2のプライマーセット12A’、12B’、12C’、12D’を含み、第2のプライマーセット12A’、12B’、12C’、12D’は、第1のプライマーセット12A、12B、12C、12Dとは異なっている。図17Dおよび18に示される例では、凹部28Cの各々が、官能基を有するビーズ50の直径より大きいかまたは等しい第1の開口部寸法を有する第1の部分34と、官能基を有するビーズ50の直径より小さい第2の開口部寸法を有する第2の部分34’とを含み、官能基を有するビーズ50は、凹部28Cの少なくともいくつかの各々の第1の部分34に配置される。また、図に図示例においても、同様である。17Dおよび18、ポリマー層32は凹部28Cに存在し、第1のプライマーセット12A、12B、12C、12Dは、官能基を有するビーズ50によって占有されていないポリマー層32の部分(すなわち、凹部28Cのより小さい部分34’におけるポリマー層32の部分)に結合される。
図19A~図19Dを参照すると、凹部28Cを含む方法100の別の例が示されている。凹部28Cの各々は、より大きな部分34とより小さな部分34’とを含む。凹部28Cの深さ(図11Dに示す)は、明確にするために省略されている。
図19Bは、凹部28Cの各々におけるポリマー層32を示す。図19Bに示すように、各凹部28Cの大きい方の部分34と小さい方の部分34’の両方には、適用されたポリマー層32を有する。ポリマー層32は、本明細書に記載されるように選択的に適用されてもよく、この例では、間隙領域30および凹部28C内の露出表面を活性化すること、活性化した間隙領域30上および凹部28C内にポリマー層32を堆積させること、および間隙領域30からポリマー層32を除去することを含んでもよい。
本実施例では、図19Cに示されるように、プライマーセット12A、12B、12C、12D(プライマー18、18’および20、20’を含む)は、次いで、凹部28Cの各々においてポリマー層32にグラフトされる。官能基を有するビーズ50が導入されていないので、凹部28Cの各部分34、34’のポリマー層32が露出され、したがって、その反応性基が、第1のプライマーセット12A、12B、12C、12Dとの反応に利用可能である。グラフトは、図13Dを参照して記載される技術のいずれかを使用して達成され得る。ポリマー層32は、凹部28Cの各部分34、34’において露出されるので、プライマー18、18’および20、20’は、各部分34、34’の各々にグラフトされ得る。
図19Dに示されるように、官能基を有するビーズ50は、次いで、(ポリマー層32およびプライマーセット12A、12B、12C、12Dをその中に有する)凹部28Cのより大きな部分34に導入され得る。官能化されたビーズ50は、任意の好適な技術を用いて、パターン化された樹脂54’’上に堆積されてもよい。官能化されたビーズ50のサイズおよび部分34および34’のサイズのために、サイズ排除は、官能化されたビーズ50がより小さい部分34’に入ることを妨げ、そして1つの官能化されたビーズ50が1つのより大きい部分34に自己集合することを可能にする。この例では、官能基を有するビーズ50は、それぞれのより大きな部分34に物理的に捕捉されてもよく、または、例えばストレプトアビジン/ビオチンリンカーを介して、それぞれのより大きな部分34に化学的に結合されてもよい。
図20は、図19Dに描かれたフローセル10Dの部分の断面図である。フローセル10Dは、保持体52と、保持体52上のパターン化された樹脂54’’であって、間隙領域30によって分離された凹部28Cを含むパターン化された樹脂54’’と、凹部28Cの少なくともいくつかに結合された第1のプライマーセット12A、12B、12C、12D(プライマー18、18’および20、20’を含む)と、第1のプライマーセット12A、12B、12C、12Dの少なくともいくつかのプライマー18、18’および20、20’が露出されるように凹部28Cの少なくともいくつかに配置された官能化されたビーズ50と、を含み、官能化されたビーズ50は、コア構造49の表面に結合された第2のプライマーセット12A’、12B’、12C’、12D’を含み、第2のプライマーセット12A’、12B’、12C’、12D’は、第1のプライマーセット12A、12B、12C、12Dとは異なっている。図19Dおよび20に示される例では、凹部28Cの各々は、官能基を有するビーズ50の直径より大きいかまたは等しい第1の開口部寸法を有する第1の部分34と、官能基を有するビーズ50の直径より小さい第2の開口部寸法を有する第2の部分34’とを含み、官能基を有するビーズ50は、凹部28Cの少なくともいくつかの各々の第1の部分34に配置される。また、図19Dおよび20においても示されるように、ポリマー層32は凹部28Cに存在し、第1のプライマーセット12A、12B、12C、12Dは凹部28Cのポリマー層32に結合し、官能基を有するビーズ50は第1のプライマーセット12A、12B、12C、12Dのプライマー18、18’および20、20’のいくつか(すなわち、凹部28Cのより大きい部分34のポリマー層32に結合したプライマー18、18’および20、20’)に配置される。
例示的なフローセル10A、10B、10C、10Dは、それに結合された蓋なしで示されている。図示されていないが、フローセル10A、10B、10C、10Dは、記載されているように、間隙領域30の少なくとも一部に結合された蓋を有してもよい。いくつかの例では、フローセル10A、10B、10C、10Dが形成された後に蓋を接合することができる。
フローセル10A、10B、10C、10Dは、しばしば合成による配列決定(SBS)、環状アレイ配列決定、ライゲーションによる配列決定、パイロシークエンシングなどと呼ばれる技術を含む、種々の配列決定アプローチまたは技術において使用され得る。1つの特定の例において、フローセル10A、10B、10C、10Dは、鋳型流体/混合物に曝露され得、そして増幅は、本明細書中に記載されるように実施されて、切断不可能な第1の鋳型鎖40、切断可能な第1の鋳型鎖46、切断不可能な第2の鋳型鎖44、切断可能な第2の鋳型鎖42を生成し得る。切断が行われ得、次いで、本明細書中に開示される同時対合末端配列決定方法が行われ得る。
フローセル10A、10B、10C、10Dで使用される技術のいずれにおいても、プライマーセット12A、12A’または12B、12B’または12C、12C’または12D、12D’は、凹部28Aまたは28Bまたは凹部28Cの部分34または34’に存在し、間隙領域30には存在しないので、増幅および配列決定は、凹部28Aおよび28Bまたは28Cに制限される。
ブロック共ポリマーベースのフローセル
本明細書に開示されるフローセルのいくつかの例は、パターン化された樹脂を含む多層基材と共に使用されるブロック共ポリマーを含む。これらの例は、図21~図25Bを参照して説明される。
これらの実施例では、パターン化された樹脂(例えば、54’)は、ナノインプリントリソグラフィなどの「トップダウン」アプローチを使用して製造することができる。トップダウンアプローチは、高密度、低ピッチ、および小さなナノ特徴を有する凹部28の配列を生成することができる。「ボトムアップ」アプローチであるブロック共ポリマーの有向自己集合と組み合わせると、さらに小さな特徴(サブリソグラフィサイズのドメインを有する)を凹部28内に形成することができる。より高いクラスター密度を得ることができるので、小さな特徴部が望ましい場合がある。より高いクラスター密度は、所与のユニット領域からより多くの塩基を読み取ることができることを意味し、これは、パターン化されたフローセルからの遺伝的収率を増加させる。さらに、非グラフト化領域(例えば、間隙領域30)は、小さな特徴を取り囲み、これは、ブロック共ポリマーにグラフト化されたプライマーへのより大きなアクセシビリティーを可能にする。そのようなものとして、プライマーの利用が増加し得る。
これらの実施例では、ブロック共ポリマーは、パターン化された樹脂の凹部28内で自己集合され、凹部28間の間隙領域30には自己集合されない。したがって、間隙領域30から材料を除去するための追加の処理は含まれない。
フローセルのこれらの実施例は、保持体52と、保持体52上のパターン化された樹脂であって、間隙領域30によって分離された凹部28を含むパターン化された樹脂と、凹部28内のパターン化された樹脂上のブロック共ポリマーであって、ブロック共ポリマーの各ブロックが、ブロック共ポリマーの他の各ブロックのブロック特異的官能基とは異なったブロック特異的官能基を有するものと、ブロックの少なくとも1つのブロック特異的官能基に結合されたプライマーとを含む。いくつかの例では、プライマーは、ブロック共ポリマーの1つのブロックに結合した切断不可能なプライマー18、18’および21、21’を含み、フローセルは、1つのブロックに結合した順方向鋳型ストランド、次いで逆方向鋳型ストランドを連続的に配列決定することを含むペアエンド配列決定技術において使用され得る。他の実施例では、本明細書中に開示されるそれぞれのプライマーセット12A、12A’、または12B、12B’、または12C、12C’、または12D、12D’は、ブロック共ポリマーの異なるブロックに結合される。この例では、1つのブロックはプライマー18、18’および20、20’を含み、別のブロックはプライマー19、19’および21、21’を含む。フローセルの本実施例は、本明細書中に開示される同時ペアエンド配列決定技術において使用され得る。
フローセルの一部の例を図22Eおよび23に示し、本明細書でさらに説明される。
フローセルの一例を作製するための方法200の一例を図21に示す。図21に示すように、該方法100は、間隙領域30によって分離された凹部28を含むパターン化された樹脂を形成するために樹脂をパターン化すること(符号202)、パターン化された樹脂上にブロック共ポリマーを含む溶液を導入すること(ブロック共ポリマーの各ブロックはブロック共ポリマーの他の各ブロックのブロック特異的官能基とは異なったブロック特異的官能基を有する)(符号204)、溶液を溶媒蒸気焼鈍に曝し、それによってブロック共ポリマー相が分離し、凹部28内で自己集合すること(符号206)、およびブロックの少なくとも1つのブロック特異的官能基にプライマーをグラフトすること(符号208)を含む。この方法200は、図22A~22Eを参照してさらに説明される。
図22Aは、保持体52を示し、図22Bは、保持体52上に堆積された樹脂54Aを示す。本明細書に記載の保持体52の任意の例を使用することができる。本ブロック共ポリマーでは、樹脂54Aは、その中に規定された凹部28(図22C)を有することができ、また、後に堆積されるブロック共ポリマー58(図22Cと図22Dとの間の「BCP」)のためのガイド鋳型として作用することができる。したがって、フォトリソグラフィー、ナノインプリントリソグラフィ、スタンピング技術、エンボス加工技術、モールディング技術、マイクロエッチング技術、プリント技術などを使用してパターン化することができる任意の樹脂54Aを使用することができる。さらに、樹脂54Aは、パターン化された後(すなわち、パターン化された樹脂54A’)、その上に堆積されるブロック共ポリマー58と同じ範囲内にある表面エネルギーを有するべきである。例えば、樹脂54A/パターン化された樹脂54A’およびブロック共ポリマー58は、それぞれ、約25mN/m~約50mM/mの範囲内の表面エネルギーを有する。
パターン化され、誘導鋳型として作用することができる樹脂54Aのいくつかの例は、多面体オリゴマーシルセスキオキサン樹脂(POSS)ベースの樹脂、エポキシ樹脂、ポリ(エチレングリコール)樹脂、ポリエーテル樹脂、アクリル樹脂、アクリル酸塩樹脂、メタクリレート樹脂、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される。いくつかの例が提供されたが、ラジカル硬化され得る任意の樹脂が使用され得ると考えられる。本明細書に開示される樹脂54のいずれも、樹脂54Aに使用することができる。
図22Aと図22Bとの間に示されるように、樹脂54Aは、保持体52上に堆積される。該方法200の一例では、樹脂44の堆積は、化学蒸着、化学蒸着、ディップ法、ダンクコーティング、スピンコーティング、スプレーコーティング、パドルディスペンシング、超音波スプレーコーティング、ドクターブレードコーティング、エアロゾルプリンティング、スクリーンプリンティング、マイクロコンタクトプリンティング、またはインクジェットプリンティングを含む。
次いで、堆積された樹脂54は、本明細書に記載されたパターン化技術のいずれかを用いてパターン化される。図22Aと図22Bとの間に示される実施例では、ナノインプリントリソグラフィを使用して樹脂54をパターン化する。樹脂54を堆積させた後、ソフトベークして余分な溶剤を除去することができる。ナノインプリントリソグラフィ金型または加工スタンプ56を樹脂54に押し付けて、樹脂54上にインプリントを生成する。言い換えれば、樹脂54は、加工スタンプ56の張出し部によって、へこんだり、穿孔されたりする。次いで、樹脂54は、加工スタンプ56を所定の位置にして硬化させることができる。硬化は、可視光照射または紫外(UV)照射などの化学線、またはフォトレジストを使用する場合には約240nm~380nmの範囲の波長の照射に露光することによって、または熱硬化性レジストを使用する場合には熱に露光することによって達成することができる。硬化は、重合および/または架橋を促進し得る。一例として、硬化は、ソフトベーク(例えば、溶媒を除去するための)およびハードベークを含む複数の段階を含むことができる。ソフトベークは、約50℃~約150℃の範囲のより低い温度で行うことができる。ハードベークの持続時間は、約100℃~約300℃の範囲の温度で約5秒~約10分間続くことができる。ソフトベーキングおよび/またはハードベーキングに使用することができるデバイスの例には、ホットプレート、オーブンなどが含まれる。
硬化後、加工スタンプ56は解放される。これにより、樹脂54に地形的特徴、すなわち凹部16が形成される。図22Cに示すように、凹部28が形成された樹脂54は、パターン化された樹脂54’と呼ばれる。パターン化された樹脂54’は、硬化を完了し、インプリントされたトポグラフィを固定するために、さらにハードベーキングに供されてもよい。いくつかの例では、ハードベーキングは、約60℃~約300℃の範囲の温度で行うことができる。
図22Cに示すように、パターン化された樹脂54’は、その中に画定された凹部28と、隣り合う凹部28を分離する間隙領域30とを含む。本明細書に開示される例では、凹部28は、ブロック共ポリマー(BCP)58およびプライマー18、21で官能化されるようになり(図22F)、間隙領域20の一部は、結合のために使用され得るが、ブロック共ポリマー58またはプライマー18、21を有さない。
図22Cに示されるように、パターン化された樹脂54’は、次に、凹部28内に相分離ブロック共ポリマー58(ブロック58Aおよび58Bを含む)を形成するためのプロセスにさらされてもよい。図22Cと図22Dとの間に示されるように、ブロック共ポリマー58の溶液は、パターン化された樹脂54’上に堆積され、ブロック共ポリマー58の各ブロック58A、58Bは、ブロック共ポリマー58の他の各ブロック58B、58Aのブロック特異的官能基とは異なったブロック特異的官能基を有する。ここで、ブロック共ポリマー58の様々な例を説明する。
ブロック共ポリマー58は、少なくとも2つの異なったモノマーから構成されるヘテロポリマーである。一実施形態では、ブロック共ポリマー58は、ブロック特異的官能基としてプライマーグラフト化官能基を有するモノマーを含む第1のブロック58Aと、第1および第2のブロックの相分離を駆動するために相互作用パラメータを調整するモノマーを含む第2のブロック58Bとを含む。この実施形態では、第2のブロック58Bのモノマーはまた、パターン化された樹脂54’と反応する(したがって、それに結合する)ことができるブロック特異的官能基を含むことができる。パターン化された樹脂54’と反応する(したがって、それに結合する)ことができるブロック特異的官能基は、本明細書では樹脂結合官能基と呼ばれる。第1および第2の名称は、本ブロック共ポリマーにおいて特定の順序を示すものではなく、任意のブロックが、相互作用パラメータを調整するためのプライマーグラフト化官能基または官能基を含み得ることを理解されたい。例えば、第1のブロック58Aは、プライマー(例えば、18、21)をグラフトすることができ、第1および第2のブロックの相分離を駆動するために相互作用パラメータを調整することができるブロック特異的官能基を有するモノマーを含むことができ、第2のブロック58Bは、樹脂結合官能基を有するモノマーを含むことができる。別の例では、第1のブロック58Aは、プライマー(例えば、18、21)をグラフトし、樹脂54’に結合することができるブロック特異的官能基を有するモノマーを含むことができ、第2のブロック58Bは、第1および第2のブロックの相分離を駆動するために相互作用パラメータを調整することができるモノマーを含むことができる。
本明細書中に開示されるブロック共ポリマー58の任意の例において、プライマーグラフト化官能基は、アジド(azide)/アジド(azido)、任意に置換されたアミノ、任意に置換されたアルケニル、アルデヒド、任意に置換されたヒドラゾン、任意に置換されたヒドラジン、カルボキシル、ヒドロキシ、任意に置換されたテトラゾール、任意に置換されたテトラジン、ニトリルオキシド、ニトロン、チオール、およびこれらの組み合わせからなる群より選択される。多数のプライマーグラフト官能基が単一のブロックに含まれる場合、異なったプライマーが単一のブロックに結合され得る。異なるプライマーグラフト化官能基が異なるブロックに含まれる場合、異なるプライマーが異なるブロックに結合され得る。
プライマーグラフト官能基は、プライマーの5’末端に結合した官能基と反応することができる。例えば、ビシクロ[6.1.0]ノン4-イン(BCN)末端プライマーは、歪み促進触媒フリークリックケミストリーを介して、ブロック共ポリマー58のアジドプライマーグラフト官能基によって捕捉され得る。別の例として、アルキン末端プライマーは、銅触媒クリックケミストリーを介して、ブロック共ポリマー58のアジドプライマーグラフト官能基によって捕捉され得る。さらに別の例として、ノルボルネン末端プライマーは、ブロック共ポリマー58のテトラジンプライマーグラフト化官能基との触媒フリー環歪み促進クリック反応を受けることができる。
例えば、プライマーグラフト化官能基は、アクリルアミドモノマーに結合したアジド基である。このモノマーの例は、アジドアセトアミドペンチルアクリルアミドである。別の実施例では、プライマーグラフト化官能基は、ベンゼン含有モノマーに結合したアジド基である。このモノマーの2つの例には、アジ化ベンジルまたはアジド官能化スチレン(例えば、


)が含まれる。
本明細書に開示されるブロック共ポリマー58のいずれの例においても、樹脂結合官能基は、アミノ基、アルコール基、アリール基、および荷電基からなる群から選択される。好適なアニオン性荷電基には、硫酸塩またはカルボン酸が含まれる。好適なカチオン性荷電基には、アンモニウム、グアニジニウム、またはイミダゾリウムが含まれる。他の例では、樹脂結合官能基は、トリフルオロメチル基(-CF)であってもよい。本明細書に開示されるブロック共ポリマー18のさらに別の実施形態では、樹脂結合官能基を含むモノマーは、SiO(CHなどのシロキサンモノマーであってもよい。
例えば、樹脂結合官能基は、アクリルアミドモノマーに結合したアミノ基である。このモノマーの例は、


である。本実施例では、(窒素間の)エチル橋梁は、プロピル基橋梁またはモノマーの所望の機能を妨害しない任意の他の橋梁な長さで置き換えることができる。例えば、橋梁長は、16個までの炭素原子であってもよい。別の実施例では、樹脂結合官能基は、スチレンモノマーの一アリール基である。(共有結合のための)他の樹脂結合基は、樹脂14がどのように官能化されるかに依存する。例えば、樹脂がエポキシ基を含む場合、アミンまたはアルコールは、好適な樹脂結合官能基であり得る。
ブロック共ポリマー58のいくつかの例には、プライマーグラフト化官能基および樹脂結合官能基が含まれる。これらの基は、グラフトされるプライマー(例えば18、21、18、20、18’、20’、または19、21、または21’)に依存し、かつ、ブロック共ポリマー58に接着されるパターン化された樹脂54’に、それぞれまたは部分的に基づいてもよい。以下は、プライマーグラフト化官能基および樹脂結合官能基の両方を含むブロック共ポリマー58のいくつかの例である。
パターン化された樹脂54’がエポキシPOSSである実施例では、ブロック共ポリマー58は、ブロック特異的官能基としてアミノ基を有するアクリルアミドモノマーを含む第1のブロック58Aと、ブロック特異的官能基としてアジド基を有するアジドアセトアミドペンチルアクリルアミドモノマーを含む第2のブロック58Bとを含む。本実施例では、第1のブロック58Aは、樹脂結合官能基を含み、第2のブロック58Bは、プライマーグラフト化官能基を含むが、第2のブロック58Bは、樹脂結合官能基としても機能し得る。このブロック共ポリマー18の具体例は、



であり、
式中、Rは水素またはポリマー開始種末端基であり、nは1~10,000の範囲であり、mは1~10,000の範囲である。ポリマー開始種末端基の例には、可逆的付加開裂移動(RAFT)末端基、原子移動ラジカル重合(ATRP)末端基、ニトロキシド媒介ラジカル重合(NMP)末端基、テトラメチルエチレンジアミン(TEMED)末端基、またはフリーラジカル重合(FRP)末端基が含まれる。別の例において、nおよびmは、独立して、約1~約1,000の範囲である。
パターン化された樹脂54’がエポキシPOSSである別の実施例では、ブロック共ポリマー58は、そのブロック特異的官能基としてアリール基を有するスチレンモノマーを含む第1のブロック58Aと、そのブロック特異的官能基としてアジドを有するアジド官能化スチレンを含む第2のブロック58Bとを含む。本実施例では、第1のブロック58Aは、樹脂結合官能基を含み、第2のブロック58Bは、プライマーグラフト化官能基を含むが、第2のブロック58Bは、樹脂結合官能基としても機能し得る。このブロック共ポリマー58の具体的な例は、


であり、
式中、nは1~10,000の範囲であり、mは1~10,000の範囲である。別の実施例において、nおよびmは、独立して、約1~約1,000の範囲である。
パターン化された樹脂54’がエポキシPOSSであるさらに別の実施例では、ブロック共ポリマー58は、アジドをそのブロック特異的官能基として有するアジド官能化スチレンを含む第1のブロック58Aと、シロキサンをそのブロック特異的官能基として有するシロキサンモノマーを含む第2のブロック58Bとを含む。本実施例では、第1のブロック58Aは、プライマーグラフト化官能基を含むが、第1のブロック58Aは、樹脂結合官能基として機能することもでき、第2のブロック58Bは、樹脂結合官能基を含む。このブロック共ポリマー58の具体的な例は、


であり、
式中、nは1~10,000の範囲であり、mは1~10,000の範囲である。別の例において、nおよびmは、独立して、約1~約1,000の範囲である。
パターン化された樹脂54’が非晶質フッ素ポリマー(例えば、CYTOP(登録商標))である場合、ブロック共ポリマー58は、そのブロック特異的官能基としてトリフルオロメチル基を有するモノマーを含む第1のブロック58Aと、そのブロック特異的官能基としてプライマーグラフト化および樹脂グラフト化官能基を有するモノマーを含む第2のブロック58Bとを含む。このブロック共ポリマー58の一例では、第2のブロック58Bは、アジドアセトアミドペンチルアクリルアミドモノマーを含み、第1のブロック58A(この例では、表面エネルギー変更官能基であってもよい)は、フッ素化アクリル酸塩またはフッ素化アクリルアミドであってもよい。このブロック共ポリマー18の具体例は、


ように構成され、
式中、nは1~10,000の範囲であり、mは1~10,000の範囲である。別の実施例において、nおよびmは、独立して、約1~約1,000の範囲である。このブロック共ポリマー58(非晶質フッ素ポリマーと共に使用するのに適している)の別の実施例では、第2のブロック58Bは、アジド官能化スチレンを含み、第1のブロック58A(この例では、表面エネルギー変更官能基)は、アクリル酸トリフルオロエチルであってもよい。このブロック共ポリマー58の具体的な構成は、


であり、
式中、nは1~10,000の範囲であり、mは1~10,000の範囲である。別の実施例において、nおよびmは、独立して、約1~約1,000の範囲である。
本明細書中に開示されるブロック共ポリマー58はまた、ブロック58Aおよび/または58Bのそれぞれの機能を妨害しない1つ以上の他のモノマー(例えば、プライマーグラフト、樹脂結合、相分離など)を含み得ることがさらに理解される。追加のブロックの追加のモノマー(および特に追加のモノマーのブロック特異的官能基)は、ブロック共ポリマー58の表面自由エネルギーに影響を及ぼす/変更させる、ブロック共ポリマー58の安定性に影響を及ぼす、別のプライマーを結合させる、および/または酵素を結合させるように選択することができる。表面自由エネルギーに影響を及ぼす/変更させることができるモノマーの例には、アクリル酸塩モノマー(例えば、アクリル酸トリフルオロエチルまたはトリフルオロエチルメタクリレート)またはトリフルオロエチルアクリルアミドのトリフルオロメチル基が含まれる。酵素を結合することができるモノマーの例には、以下のブロック特異的官能基:N-ヒドロキシスクシンイミド(NHS)-官能化酵素と反応することができるチオール、アミン、またはアルコールが含まれ得る。酵素または他の生体分子を結合させるために、他の官能基が使用され得ることが理解されるべきである。そのようなものとして、ブロック共ポリマー58のいくつかの例は、三元共ポリマーであり、これは、図24Aおよび図24Bに関してさらに詳細に議論される。
上述したように、方法200では、ブロック共ポリマー58の溶液が、(図22Cと図22Dとの間に示されるように)パターン化された樹脂54’上に導入される。溶液は、トルエンなどの適当な溶媒中のブロック共ポリマー58の希釈溶液(例えば、約0.01重量%~約10重量%の範囲)であってもよい。ブロック共ポリマー58液は、スピンコーティングなどの任意の好適な技術を用いて堆積されてもよい。
ブロック共ポリマー58が自己集合し、トポロジー的にパターン化された保持体(例えば、パターン化された樹脂54’)上でミクロ相分離を受けるために、ブロック共ポリマーを含む溶液は、下にあるパターン化された樹脂54’との高ハギンズ相互作用パラメータを有することである。例えば、ブロック共ポリマー58の溶液は、約0.04~約0.30の範囲のフロリ-ハギンズ(Flory-Huggins)相互作用パラメータを有する。別の実施形態では、ブロック共ポリマー58の溶液は、約0.26のフロリ-ハギンズ相互作用パラメータを有する。
パターン化された樹脂54’上の堆積されたままのブロック共ポリマー58は、次いで、溶剤焼鈍にさらされる。溶剤焼鈍に使用される溶剤の気体、温度、及び時間は、使用されるブロック共ポリマー58に依存し、特に、ブロック共ポリマー58が凹部28に自己集合し、ミクロ相がそれぞれのブロック58A及び58Bに分離する状態に依存する。一例では、溶媒蒸気はトルエンであり、温度は室温(例えば、約14℃~約25℃)であり、時間は約3時間である。溶剤の選択、焼鈍時間、および焼鈍温度は、ブロック共ポリマーに依存することを理解されたい。いくつかの適当な溶媒は、トルエン、ヘプタン、高級アルカンおよびそれらの混合物であってもよい。この時期及び気温は、凹部28内のモルフォロジーに影響を及ぼすので、制御することができる。例えば、焼鈍時間は、1分~180分、またはさらに長く、例えば、約3時間~約48時間の範囲であってもよく、アニーリング温度は、18℃~約250℃の範囲であってもよい。
溶媒焼鈍の結果として、ブロック共ポリマー58は、凹部16内に自己集合し(従って、間隙領域30上には存在しない)、また、隔離されたドメイン、すなわちブロック58A、58Bに相分離する。図2Dでは、分離されたブロック58A、58Bは、円形または螺旋パターンを有するが、このパターンは、使用されるブロック共ポリマー58に依存し得る。ブロック共ポリマー58のパターンの他の例は、例えば、図23Aおよび23Bに示されている。図23Aは、凹部28および周囲の間隙領域30の一部の上面図であり、凹部28内のブロック共ポリマー58は、フィンガープリントパターンを示すブロック58Aおよび58Bに相分離する。図23Bは、凹部28および周囲の間隙部30の一部の上面図であり、凹部28内のブロック共ポリマー58は、ラインパターンを示すブロック58Aおよび58Bに相分離する。ブロック58A、58Bは、サブリソグラフィサイズドメインを有する。
溶媒焼鈍の間、樹脂結合官能基を含むブロック58Aまたは58Bは、パターン化された樹脂54’と反応することができ、したがって、パターン化された樹脂54’に結合することができる。
図示されていないが、メソッド200のいくつかの実施例では、凹部28内の相分離および自己集合ブロック共ポリマー58A、58Bを含むパターン化された樹脂54’は、追加の硬化処理にさらされる。硬化は、先に記載したように行うことができる。
図22Dと22Eとの間に示されるように、グラフト化処理は、プライマー(順次ペアエンド配列決定のための18、21または18’、21’)または(同時ペアエンド配列決定のための18、20または18’、20’および19、21または19’、21’)を、凹部28におけるブロック58Aおよび/または58(B)の任意のプライマーグラフト官能基にグラフトために実施される。
一実施例では、グラフト化は、フロースルー堆積(例えば、一時的に結合した蓋を使用して)、ダンクコーティング,スプレーコーティング、パドルディスペンシングによって、またはプライマー(順次ペアエンド配列決定のための18、21もしくは18’、21’)、または(同時ペアエンド配列決定のための18、20もしくは18’、20’および19、21もしくは19’、21’、21’)を、ブロック58Aおよび/または58Bのプライマーグラフト化官能基に結合させる別の好適な方法によって達成され得る。同時ペアエンド配列決定の例において、プライマー18、20または18’、20’は、一方のブロック58Aにグラフトされ得、そしてプライマー19、21または19’、21’は、他方のブロック58Bにグラフトされ得る。これらの例示的な技術の各々は、本明細書に記載されるように実施され得、プライマー溶液または混合物を利用し得、これは、プライマー、水、緩衝液、および触媒を含み得る。
プライマー(順次ペアエンド配列決定のための非切断性プライマー18、21または18’、21’)または(同時ペアエンド配列決定のための非切断性/切断性プライマー対18、20または18’、20’および19、21または19’、21’)は、プライマー-グラフト化官能基を含むブロック58Aおよび/または58(B)に結合することが理解されるべきである。図22Eおよび22Fに示される例において、プライマー18、21は、ブロック58Aにではなく、ブロック58Bに結合される。本実施例では、ブロック58Aは、第1および第2のブロック58A、58Bの相分離を駆動するために相互作用パラメータに寄与している可能性があり、また、樹脂取り付け官能基を介してパターン化された樹脂54’に取り付けることもできる。
ここで図24を参照すると、2つのブロック58Aおよび58Bに分離されたブロック共ポリマー58相を有する別の実施例が示されている。本実施例は、2つの異なるプライマーセット(一方はプライマー18、18’および20、20’を含み、他方はプライマー19、19’および21、21’を含む)が、それぞれのブロック58A、58Bに結合される。この実施例は、本明細書中に記載されるように、配列決定の間に、同時ペアエンド読み取りを可能にする。本実施例では、それぞれのブロック58A、58Bの各々は、それぞれのプライマーセットを結合させることができるプライマーグラフト化官能基を含む。
上述のように、ブロック共ポリマー58のいくつかは三元共ポリマーであり、ここで、各々のブロックは、異なったブロック特異的官能基を含む。一例では、ブロック共ポリマー58は、第1のブロック、第2のブロック、および第3のブロックを含む三元共ポリマーであり、第1のブロックのブロック特異的官能基は、パターン化された樹脂に結合され(すなわち、樹脂結合官能基である)、第2のブロックのブロック特異的官能基は、プライマーに結合され(すなわち、プライマーグラフト官能基である)、第3のブロックのブロック特異的官能基は、i)第2のブロックのブロック特異的官能基に結合されたプライマーとは異なり、またはii)酵素(例えば、NEXTERA(商標)トランスポソーム)に結合される。相分離三元共ポリマーの例を図25Aに示す。この実施例では、分離された三元共ポリマーは、ブロック58A、58B、58Cを含み、58Aは、プライマーグラフト官能基を含み、58Bは、樹脂結合官能基を含み、および/またはブロック共ポリマーの表面自由エネルギーに影響を及ぼし、および/またはブロック共ポリマーの安定性に影響を及ぼし、58Cは、異なったプライマーグラフト官能基または酵素結合官能基を含む。示されるように、ブロック58Aは、プライマー18、18’および20、20’を含む第1のプライマーセット12A、12B、12C、12Dを結合し、そしてブロック58Cは、プライマー19、19’および21、21’を含む第2のプライマーセット12A’、12B’、12C’、12D’を結合する。この例では、ブロック58Aは領域14として機能し、ブロック58Cは領域16として機能する。別の例では、領域14、16は、互いに直接隣接するブロック(例えば、58Aおよび58Bまたは58Bおよび58C)であってもよい。
別の実施形態では、ブロック共ポリマー58は、第1のブロック、第2のブロック、および第3のブロックを含む三元共ポリマーであり、第1のブロックのブロック特異的官能基は、パターン化された樹脂54’(すなわち、樹脂結合官能基)に結合され、第2のブロックのブロック特異的官能基は、プライマー(すなわち、プライマーグラフト官能基)に結合され、第3のブロックのブロック特異的官能基は、ブロック共ポリマーの表面自由エネルギーに影響を及ぼすか、またはブロック共ポリマーの安定性に影響を及ぼす。相分離三元共ポリマーの例を図25Bに示す。本実施例では、分離された三元共ポリマーは、ブロック58A、58B、58Cを含み、58Aは、樹脂結合官能基を含み、58Bは、ブロック共ポリマーの表面自由エネルギーに影響を及ぼすか、またはブロック共ポリマーの安定性に影響を及ぼし、58Cは、プライマーグラフト官能基を含む。この実施例では、切断不可能なプライマー18、21が結合しており、したがって、この実施例は、順次ペアエンド配列決定に特に適している可能性がある。
図38Aおよび図38Bは、共に、ブロック共ポリマー58’を含む別の例示的な方法を示す。この実施例では、ブロック共ポリマー58’は層状ブロック共ポリマーである。層状ブロック共ポリマーは、種々のブロック58A’および58B’が、下にある材料54B、54Cおよび保持体52に並行になるように、一方が他方の上に積層されるように、自己集合する。ラメラブロック共ポリマーの例には、複素環式アジド単位を含むコポリマーが含まれる。材料54B、54Cは、本明細書に記載の樹脂54A、シラン、またはシラン化樹脂の様々な例であってもよく、ブロック共ポリマー58’の自己集合を誘導するように選択されてもよい。制御された条件下で、ブロック共ポリマー58’は、下にある材料54B、54C上に層状になっている特異的ドメイン/ブロック58A’および58B’に自己集合する。図38Aおよび38Bに図示される例では、アニーリングの結果として、ドメイン/ブロック58A’および58B’は、ブロック58’Bが1つの領域(上にある材料54B)の表面で露出され、他のブロック58A’が別の領域(上にある材料54C)の表面で露出されるように、自己集合する。ブロック58B’は、プライマー18、18’および20、20’を含む第1のプライマーセット12A、12B、12C、12Dを結合させることができるプライマー結合官能基を含むことができ、ブロック58A’は、プライマー19、19’および21、21’を含む第2のプライマーセット12A’、12B’、12C’、12D’を結合させることができる様々なプライマー結合官能基を含むことができる。この例では、ブロック58B’は領域14として働き、ブロック58A’は領域16として働く。
ブロック共ポリマー58、58’を含むフローセルは、しばしば合成による配列決定(SBS)、環状アレイ配列決定、ライゲーションによる配列決定、パイロシークエンシングなどと呼ばれる技術を含む、種々の配列決定アプローチまたは技術において使用され得る。これらの例のいくつかでは、相分離ブロック58A、58B、58Cおよび結合プライマー(順次ペアエンド配列決定のための非開裂性プライマー18、21または18’、21’)または(同時ペアエンド配列決定のための非開裂性/開裂性プライマー対18、20または18’、20’および19、21または19’、21’)が凹部28に存在し、間隙領域30には存在しないので、増幅は凹部28に限定される。
一例として、合成による配列決定(SBS)反応は、HiSeq(商標)、HiSeqX(商標)、MiSeq(商標)、MiSeqDX(商標)、MiNISeq(商標)、NovaSeq(商標)、NextSeqDX(商標)または他のあらゆるIllumina Inc.(SanDIego, CA)からのシーケンサーシステム上ではしさせることができる。SBSでは、核酸鋳型(例えば、配列決定鋳型)に沿った配列決定プライマーの伸長は、鋳型中のヌクレオチドの配列を決定するためにモニターされる。基礎となる化学的処理は、重合(例えば、ポリメラーゼ酵素によって触媒される)またはライゲーション(例えば、リガーゼ酵素によって触媒される)であり得る。特定のポリメラーゼベースのSBS処理において、蛍光標識されたヌクレオチドは、配列決定プライマーに付加されたヌクレオチドの順序および型の検出が鋳型の配列を決定するために使用され得るように、鋳型依存的な様式で配列決定プライマーに付加される(それによってプライマーを伸長する)。
例えば、第1のSBSサイクルを開始するために、1つ以上の標識ヌクレオチド、DNAポリメラーゼなどを、切断不可能プライマー18、21または18’、21’(順次ペアエンド配列決定のため)に結合したフォワードまたはリバースストランドのアレイ、または切断不可能/切断可能プライマー対18、20または18’、20’(同時ペアエンド配列決定のため)に結合したフォワードおよびリバースストランドの両方を収容する流路などに/を通って送達することができ、配列決定プライマー伸長が標識ヌクレオチドを組み込ませる場合、画像化事象を通して検出することができる。撮像イベントの間、イルミネーションシステム(図示せず)は、官能化された凹部に励起光を提供することができる。
これらの実施例では、ヌクレオチドは、ヌクレオチドが付加されるとさらなるプライマー伸長を終結させる可逆的終結特性をさらに含むことができ、脱ブロッキング剤を使用して配列決定を続けることができる。洗浄は、様々な流体送達工程の間に行うことができる。次いで、SBSサイクルをn回繰り返して、配列決定プライマーをnヌクレオチドにより伸長させ、それによって長さnの配列を検出することができる。
SBSが詳細に記載されているが、本明細書に記載されるフローセルは、遺伝子型決定のために、または他の化学的および/または生物学的適用において、他の配列決定プロトコルとともに利用され得ることが理解されるべきである。
本開示をさらに説明するために、本明細書に実施例を示す。これらの実施例は、例示の目的で提供され、本開示の範囲を限定するものとして解釈されるべきではないことが理解されるべきである。
実施例
実施例1
予めグラフトされたP7およびP5Uプライマーを有するPAZAMを、高さ約400nmおよび直径約350nmのピラー特徴部を有するフローセル基材上に堆積させた。堆積させたプレグラフトPAZAM層の一部のスキャニングエレクトロン組織写真(SEM)画像を図39Aに示す。この第1のグラフトPAZAM層上にリフトオフレジストを堆積させて、本明細書に記載の保護層の一例を形成した。堆積した保護層の一部のSEM画像を図39Bに示す。次いで、エッチングを行って、ピラー状特徴部の上部から保護層および第1のグラフトPAZAM層を除去した。エッチング後の基材の一部のSEM像を図39Cに示す。PAZAMを、ピラー特徴部の上部および残りの保護層上に堆積させて、第2のPAZAM層を形成した。第2のPAZAM層をP5およびP7Uプライマーでグラフトした。
リフトオフプロセスを使用して、第1のグラフトPAZAM層から保護層および第2のグラフトPAZAM層のいずれかを除去した。
同じゲノム(ヒトゲノム由来)由来のライブラリーフラグメントをフローセルに導入した。ライブラリーフラグメントは、インデックス配列、すなわちリード1およびリード2と共に、P7プライマー配列のP5に相補的な部分を含んだ。ライブラリーフラグメントを播種し、ブリッジ増幅を用いてクラスター化を行った。次いで、同時ペアエンド配列決定を行った。
ピラー特徴部と隣接領域との間の境界領域において、全てのリードの約34%が対になっていることが見出された。
リードを単一の位置から抽出し、ゲノムに整列させた。図40Aは、同時ペアエンドリードであるように帰属される2つのR1リード(R1およびR1’)を示す。
フローセルはまた、順次ペアエンド合成(順方向ストランド配列決定および除去、続いて逆方向ストランド配列決定)によって処理した。図40Bは、図40Aからの結果を示し、順次ペアエンド合成からの第2のリード(R2)は、それが同時ペアエンドリードのペアに実際に一致することを示すためにフリップされている。R2のクリップされた部分は、品質低下に起因する可能性があり、一方、R1リードは、より高品質のクリップされていないリードである。これらの結果は、本明細書中に開示される方法が、同時に生成されたペア(図40A)を使用して、標準的なペアエンド配列決定(図40B)に対する当量インフォメーションを生成し得ることを実証する。
さらに、ライブラリーフラグメントの挿入サイズの分布は、同時ペアエンド配列決定と順次(標準)ペアエンド配列決定のデータに基づいて大まかに当量であった。これらの結果は、同時に生成された一対を使用して、本明細書中に開示される方法が、標準的な一ペアエンド配列決定に対する当量のインフォメーションを生成し得ることをさらに実証する。
実施例2
PAZAMを平面フローセル基材上に堆積させ、P7およびP5Uプライマーでグラフトした。保護層(Shipley1813フォトレジスト)を、この第1のグラフトPAZAM層の上に堆積させた。紫外線を、フォトマスクを通して使用して、保護層の規定された部分を露光し、次いで溶媒中で現像し、保護層の50μmの円形パッドを残した。大気プラズマを用いて、間隙領域の第1グラフトPAZAM層の露出部分をエッチング除去したが、保護パッドの下の部分は無傷のままであった。次いで、PAZAMの第2の層を、間隙領域上および残りの保護層上に堆積させた。次いで、この第2の堆積PAZAMを、P5およびP7Uプライマーでグラフトした。
リフトオフプロセスを使用して、第1のグラフトPAZAM層から保護層および第2のグラフトPAZAM層のいずれかを除去した。
同じゲノム(ヒトゲノム由来)由来のライブラリーフラグメントをフローセルに導入した。ライブラリーフラグメントは、インデックス配列、すなわちリード1およびリード2と共に、P7プライマー配列のP5に相補的な部分を含んだ。ライブラリーフラグメントを播種し、ブリッジ増幅を用いてクラスター化を行った。次いで、同時ペアエンド配列決定を行った。
第1のグラフトされたPAZAMと第2のグラフトされたPAZAMとの間の境界領域において、全てのリードの約2.2%が対になっていることが見出された。これは、2つのリードが互いに2μm以内であり、ゲノムにおいて互いに2kb以内であったことを意味した。
注記事項
前述の概念と、以下でより詳細に論じられる追加の概念とのすべての組み合わせ(そのような概念が相互に矛盾しないという条件で)が、本明細書で開示される本発明の対象の一部であると考えられることを理解されたい。特に、本発明の最後に現れる特許請求の範囲に記載された対象の全ての組み合わせは、本明細書に開示された本発明の対象の一部であると考えられる。同様に当然のことながら、本明細書に明示的に用いられ、参照として組み込まれている任意の開示にも現れるであろう専門用語は、本明細書に開示された特定の概念と最も整合する意味を有するものとする。
本明細書全体を通して、「一実施例」、「別の例」、「1つの例」などへの言及は、実施例と関連して説明される特定の要素(例えば、特性、構成、および/または特性)が、本明細書で説明される少なくとも1つの例に含まれ、他の例に存在しても存在しなくてもよいことを意味する。さらに、任意の例について記載された要素は、文脈が明確にそうでないことを指示しない限り、様々な例において任意の適切な方法で組み合わされてもよいことが理解されるべきである。
本明細書で提供される範囲は、記載された範囲、および記載された範囲内の任意の値またはサブ範囲を、そのような値またはサブ範囲が明示的に列挙されたかのように含むことを理解されたい。例えば、約400nm~約1μm(1000nm)の範囲は、約400nm~約1μmの明示的に列挙された限界を含むだけでなく、約708nm、約945.5nmなどのような個々の値、および約425nm~約825nm、約550nm~約940nmなどのようなサブ範囲を含むと解釈されるべきである。さらに、「約」および/または「実質的に」が値を記述するために利用される場合、それらは、記載された値からのわずかな変動(+/-10%まで)を包含することを意味する。
いくつかの実施例を詳細に説明したが、開示された実施例は変更されてもよいことを理解されたい。したがって、前述の説明は、非限定的であると考えられるべきである。

Claims (51)

  1. 基材と、
    該基材上の第1の領域に結合した第1のプライマーセットであって、切断不可能な第1のプライマーおよび切断可能な第2のプライマーを含む第1のプライマーセットと、
    前記基材上の第2の領域に結合した第2のプライマーセットであって、切断可能な第1のプライマーおよび切断不可能な第2のプライマーを含む第2のプライマーセットと、
    を含み、
    前記第1の領域は、前記第1のプライマーセットのプライマーを固定化することができる第1の官能基を有する材料を含み、
    前記第2の領域は、前記第1の官能基とは異なり、かつ、前記第2のプライマーセットのプライマーを固定化することができる第2の官能基を有する材料を含み、
    前記第1のプライマーセットおよび前記第2のプライマーセットのうち、一方が切断不可能な順方向増幅プライマーと切断可能な逆増幅プライマーのセットであり、他方が切断可能な順方向増幅プライマーと切断不可能な逆増幅プライマーのセットである、フローセル。
  2. 前記第1のプライマーセットを前記第2のプライマーセットから分離するギャップをさらに含む、請求項1に記載のフローセル。
  3. A)前記基材は、間隙領域によって分離された凹部を含み、
    該凹部のそれぞれは、
    第1の部分に位置する前記第1の領域と、
    第2の部分に位置する前記第2の領域と、
    を含み、または、
    B)前記基材は、間隙領域によって分離された凹部を含み、
    前記凹部の各々は、
    第1の部分に位置する前記第1の領域と、
    第2の部分に位置する前記第2の領域と、
    を含み、
    i)前記第1の領域を前記第2の領域から分離するギャップをさらに含み、もしくは
    ii)前記第1の領域と前記第2の領域とが部分的に重なり合い、もしくは
    iii)前記第1の部分と第2の部分とが異なる深さを有し、もしくは
    iv)前記第1の領域および前記第2の領域は、ブロック共ポリマーの異なるブロックである、または、
    C)前記基材は、間隙領域によって分離された凹部を含み、
    前記凹部の各々は、前記第1の領域を含み、
    前記第2の領域は、前記間隙領域の少なくともいくつかの上に位置する、請求項1に記載のフローセル。
  4. 前記第1の領域は第1のポリマーを含み、前記第1のプライマーセットは前記第1のポリマーにグラフトされ、
    前記第2の領域は第2のポリマーを含み、前記第2のプライマーセットは前記第2のポリマーにグラフトされる、請求項1に記載のフローセル。
  5. i)前記フローセルが、前記第1のプライマーセット上および前記第1のポリマー上に保護塗装をさらに含み、または
    ii)
    前記第1のポリマーは、前記基材上の第1の層であり、
    前記第2のポリマーは、前記第1の層上の第2の層であり、
    前記第2の層上の不動態化樹脂と、該不動態化樹脂、前記第2のポリマーおよび前記第1のポリマーに画定された地形的特徴と、をさらに含み、
    前記第1のプライマーセットおよび第2のプライマーセットのそれぞれが、前記地形的特徴のそれぞれにおいて露出される、請求項4に記載のフローセル。
  6. 前記基材は、間隙領域によって分離された凹部を含み、
    該凹部の各々は、
    前記第1の領域が位置する第1の部分と、
    2の部分と、
    を含み、
    該第2の部分に位置するビーズをさらに含み、
    前記第2の領域は、前記ビーズの表面にある、請求項1に記載のフローセル。
  7. i)前記切断可能な第1のプライマーが第1の切断部位を含み、前記切断可能な第2のプライマーが第2の切断部位を含み、前記第1の切断部位および第2の切断部位が同一のタイプである、請求項1に記載のフローセル。
  8. 記切断不可能な第1のプライマー、前記切断可能な第2のプライマー、前記切断可能な第1のプライマーおよび前記切断不可能な第2のプライマーのそれぞれは、前記基材のそれぞれの領域に対してプライマーを結合しているそれぞれのリンカーを含み、
    前記切断可能な第1のプライマーの前記第1の切断部位は、そのリンカーに組み込まれ、
    前記切断可能な第2のプライマーの前記第2の切断部位は、そのリンカーに組み込まれる、請求項7に記載のフローセル。
  9. 前記切断可能な第1のプライマーが第1の切断部位を含み、前記切断可能な第2のプライマーが第2の切断部位を含み、前記第1および第2の切断部位が異なるタイプである、請求項7に記載のフローセル。
  10. 記切断不可能な第1のプライマー、前記切断可能な第2のプライマー、前記切断可能な第1のプライマー、および前記切断不可能な第2のプライマーのそれぞれは、前記基材のそれぞれの領域に対してプライマーを結合しているそれぞれのリンカーを含み、
    前記第1の切断可能なプライマーの前記第1の切断部位は、そのリンカーに組み込まれ、
    前記第2の切断可能なプライマーの前記第2の切断部位は、そのリンカーに組み込まれる、請求項9に記載のフローセル。
  11. 前記第1のプライマーセットは、第1の保持体構造により前記基材の前記第1の領域に結合され、
    前記第1の領域は、前記第1の保持体構造に結合した第1の捕捉部位を含み、
    前記第2のプライマーセットは、前記第1の保持体構造とは異なった第2の保持体構造に結合され、
    前記第2の領域は、前記第2の保持体構造により前記基材の前記第2の領域に結合された第2の捕捉部位を含む、請求項1に記載のフローセル。
  12. 第1の基材と
    該第1の基材に結合した第1のプライマーセットであって、切断不可能な第1のプライマーおよび切断可能な第2のプライマーを含む第1のプライマーセットと、
    前記第1の基材に対向する第2の基材と、
    該第2の基材に結合した第2のプライマーセットであって、切断可能な第1のプライマーおよび切断不可能な第2のプライマーを含む第2のプライマーセットと、
    を含み、
    前記第1の領域は、前記第1のプライマーセットのプライマーを固定化することができる第1の官能基を有する材料を含み、
    前記第2の領域は、前記第1の官能基とは異なり、かつ、前記第2のプライマーセットのプライマーを固定化することができる第2の官能基を有する材料を含み、
    前記第1のプライマーセットおよび前記第2のプライマーセットのうち、一方が切断不可能な順方向増幅プライマーと切断可能な逆増幅プライマーのセットであり、他方が切断可能な順方向増幅プライマーと切断不可能な逆増幅プライマーのセットである、フローセル。
  13. 間隙領域によって分離された凹部を含む基材と、
    前記凹部の各々の第1のポリマー層であって、いくつかの官能基がキャップされている、第1のポリマー層と、
    前記凹部の各々の第1のポリマー層の他の官能基に取り付けられた第1のプライマーセットと、
    前記間隙領域上の、前記第1のポリマー層とは異なる第2のポリマー層と、
    流体キャリアと、前記第1のプライマーセットとは異なる第2のプライマーセットと、を含むプライミング液と、
    を含むフローセル、を含み、
    前記第1のプライマーセットは、切断不可能な第1のプライマーおよび切断可能な第2のプライマーを含み、
    前記第2のプライマーセットは、切断可能な第1のプライマーおよび切断不可能な第2のプライマーを含み、
    前記第1のプライマーセットおよび前記第2のプライマーセットのうち、一方が切断不可能な順方向増幅プライマーと切断可能な逆増幅プライマーのセットであり、他方が切断可能な順方向増幅プライマーと切断不可能な逆増幅プライマーのセットである
    キット。
  14. フローセルへの鋳型流体を導入することを含む方法であって、
    前記フローセルは、
    間隙領域によって分離された凹部を含む基材と、
    前記凹部の各々における第1のポリマー層であって、露出した官能基がキャップされている第1のポリマー層と、
    前記凹部の各々における前記第1のポリマー層に結合された第1のプライマーセットであって、切断可能な第1のプライマーおよび切断不可能な第2のプライマーを含む第1のプライマーセットと、
    前記間隙領域上の、前記第1のポリマー層とは異なる第2のポリマー層と、
    を備え、
    これにより、前記鋳型流体からの鋳型が増幅されて、前記凹部の少なくともいくつかにクラスターを形成し、
    切断不可能な第1のプライマーおよび切断可能な第2のプライマーを含む、第2のプライマーセットを含むプライミング液を前記フローセルに導入し、これにより、前記切断不可能な第1のプライマーおよび前記切断可能な第2のプライマーを前記第2のポリマー層にグラフトし、
    前記クラスターから前記切断不可能な第1のプライマーおよび前記切断可能な第2のプライマーへのブリッジ増幅を開始し、これにより、前記間隙領域の少なくともいくつかに第2のクラスターを形成し、
    前記第1のプライマーセットおよび前記第2のプライマーセットのうち、一方が切断不可能な順方向増幅プライマーと切断可能な逆増幅プライマーのセットであり、他方が切断可能な順方向増幅プライマーと切断不可能な逆増幅プライマーのセットである、方法。
  15. フローセルに鋳型流体を導入し、
    前記フローセルは、
    間隙領域によって分離された凹部を含む基材と、
    前記凹部の各々における第1のポリマー層と、
    前記第1のポリマー層結合された第1のプライマーセットであって、切断可能な第1のプライマーおよび切断不可能な第2のプライマーを含む第1のプライマーセットと、
    前記第1のポリマー層上および前記第1のプライマーセット上の任意の保護塗装層と、
    前記間隙領域上の、前記第1のポリマー層とは異なる第2のポリマー層と、
    前記第2のポリマー層に結合した第2のプライマーセットであって、切断不可能な第1のプライマーおよび切断可能な第2のプライマーを含む第2のプライマーセットと、
    を備え、
    これにより、前記鋳型流体からの鋳型が増幅されて、前記凹部の少なくともいくつかおよび前記間隙領域の少なくともいくつかにクラスターを形成し、
    前記切断可能な第1のプライマーおよび前記切断可能な第2のプライマーを切断し、
    前記第1のプライマーセットおよび前記第2のプライマーセットのうち、一方が切断不可能な順方向増幅プライマーと切断可能な逆増幅プライマーのセットであり、他方が切断可能な順方向増幅プライマーと切断不可能な逆増幅プライマーのセットである、方法。
  16. 保持体と、
    該保持体上のパターン化された樹脂であって、間隙領域によって分離された第1の凹部および第2の凹部を含み、前記第1の凹部は前記第2の凹部よりも小さい開口部寸法を有する、パターン化された樹脂と、
    前記第1の凹部の少なくともいくつかに結合した第1のプライマーセットと、
    前記第2の凹部の少なくともいくつかにそれぞれ配置された官能基を有するビーズであって、コア構造の表面に結合した第2のプライマーセットを含み、該第2のプライマーセットは、前記第1のプライマーセットとは異なっている、官能基を有するビーズと、
    を備え、前記第1のプライマーセットは、切断不可能な第1のプライマーおよび切断可能な第2のプライマーを含み、前記第2のプライマーセットは、切断可能な第1のプライマーおよび切断不可能な第2のプライマーを含み、
    前記第1のプライマーセットは、前記第1の凹部の少なくともいくつかにおいて、前記第1のプライマーセットのプライマーを固定化することができる第1の官能基を有する材料に結合しており、
    前記官能基を有するビーズのコア構造の表面は、前記第1の官能基とは異なり、かつ、前記第2のプライマーセットのプライマーを固定化することができる第2の官能基を有する材料を含み、
    前記第1のプライマーセットおよび前記第2のプライマーセットのうち、一方が切断不可能な順方向増幅プライマーと切断可能な逆増幅プライマーのセットであり、他方が切断可能な順方向増幅プライマーと切断不可能な逆増幅プライマーのセットである、フローセル。
  17. a)前記官能基を有するビーズの前記コア構造が、二酸化ケイ素、超常磁性物質、ポリスチレン、およびアクリル酸塩からなる群から選択され、または
    b)前記パターン化された樹脂が、多面体オリゴマーシルセスキオキサン樹脂(POSS)ベースの樹脂、エポキシ樹脂、ポリ(エチレングリコール)樹脂、ポリエーテル樹脂、アクリル樹脂、アクリル酸塩樹脂、メタクリレート樹脂、およびこれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項16に記載のフローセル。
  18. 前記フローセル記第1の凹部および前記第2の凹部にポリマーをさらに含み、前記第1のプライマーセットが、前記第1の凹部の少なくともいくつかにおいて前記ポリマーの前記第1の官能基に結合される、請求項16に記載のフローセル。
  19. i)前記官能基を有するビーズが、前記第2の凹部の少なくともいくつかにおいて前記ポリマー上に配置され、または
    ii)前記第1のプライマーセットは、第2の凹部の少なくともいくつかにおいても前記ポリマーに結合され、
    前記官能基を有するビーズは、前記第2の凹部の少なくともいくつかにおいて前記第1のプライマーセット上に配置され、または
    iii)前記第1のプライマーセットは、第1のプライマーおよびウラシル修飾された第2のプライマーを含み、
    前記第2のプライマーセットは、ウラシル修飾された第1のプライマーおよび第2のプライマーを含む、請求項18に記載のフローセル。
  20. 保持体と、
    該保持体上のパターン化された樹脂であって、間隙領域によって分離された凹部を含むパターン化された樹脂と、
    少なくともいくつかの前記凹部に結合した第1のプライマーセットと、
    前記第1のプライマーセットの少なくともいくつかのプライマーが露出するように前記凹部の少なくともいくつかに配置された、官能基を有するビーズであって、コア構造の表面に結合した第2のプライマーセットを含み、該第2のプライマーセットが前記第1のプライマーセットとは異なっている、官能基を有するビーズと、
    を含み、前記第1のプライマーセットは、切断不可能な第1のプライマーおよび切断可能な第2のプライマーを含み、前記第2のプライマーセットは、切断可能な第1のプライマーおよび切断不可能な第2のプライマーを含み、
    前記第1のプライマーセットは、前記凹部の少なくともいくつかにおいて、前記第1のプライマーセットのプライマーを固定化することができる第1の官能基を有する材料に結合しており、
    前記官能基を有するビーズのコア構造の表面は、前記第1の官能基とは異なり、かつ、前記第2のプライマーセットのプライマーを固定化することができる第2の官能基を有する材料を含み、
    前記第1のプライマーセットおよび前記第2のプライマーセットのうち、一方が切断不可能な順方向増幅プライマーと切断可能な逆増幅プライマーのセットであり、他方が切断可能な順方向増幅プライマーと切断不可能な逆増幅プライマーのセットである、フローセル。
  21. a)前記凹部の各々は、官能基を有するビーズの直径より大きいかまたは等しい第1の開口部寸法を有する第1の部分と、前記官能基を有するビーズの直径より小さい第2の開口部寸法を有する第2の部分とを含み、
    前記官能基を有するビーズは、前記凹部の少なくともいくつかの各々の前記第1の部分に配置され、または
    b)前記官能基を有するビーズの前記コア構造が、二酸化ケイ素、超常磁性物質、ポリスチレン、およびアクリル酸塩からなる群から選択され、または
    c)前記パターン化された樹脂が、多面体オリゴマーシルセスキオキサン樹脂(POSS)ベースの樹脂、エポキシ樹脂、ポリ(エチレングリコール)樹脂、ポリエーテル樹脂、アクリル樹脂、アクリル酸塩樹脂、メタクリレート樹脂、およびこれらの組み合わせからなる群より選択される、
    請求項20に記載のフローセル。
  22. i)前記凹部に、前記第1の官能基を定義するポリマーをさらに含み、または
    ii)前記凹部におけるポリマーをさらに含み、前記第1のプライマーセットが、前記官能基を有するビーズによって占有されていない前記ポリマーの一部分に結合され、または
    iii)前記凹部におけるポリマーをさらに含み、前記第1のプライマーセットは、前記官能基を有するビーズが占めていないポリマーの一部に結合し、かつ、前記第1のプライマーセットは、前記凹部における前記ポリマーに結合され、前記官能基を有するビーズは、前記第1のプライマーセットの他のいくつかのプライマー上に配置される、
    請求項20に記載のフローセル。
  23. 保持体上のパターン化された樹脂の凹部にポリマーを選択的に適用し、
    第1のプライマーセットを少なくともいくつかの前記凹部において前記ポリマーにグラフトし、
    前記第1のプライマーセットをグラフトする前後に、
    i)少なくともいくつかの前記凹部の各々の一部に、または
    ii)少なくともいくつかの前記凹部よりも大きい開口部寸法を有する第2の凹部に、官能基を有するビーズを堆積し、
    該官能基を有するビーズは、コア構造の表面に結合された第2のプライマーセットを含み、前記第1のプライマーセットと第2のプライマーセットとは異なっており、
    前記第1のプライマーセットは、切断不可能な第1のプライマーおよび切断可能な第2のプライマーを含み、前記第2のプライマーセットは、切断可能な第1のプライマーおよび切断不可能な第2のプライマーを含み、
    前記ポリマーは、前記第1のプライマーセットのプライマーを固定化することができる第1の官能基を提供し、
    前記官能基を有するビーズのコア構造の表面は、前記第1の官能基とは異なり、かつ、前記第2のプライマーセットのプライマーを固定化することができる第2の官能基を有する材料を含み、
    前記第1のプライマーセットおよび前記第2のプライマーセットのうち、一方が切断不可能な順方向増幅プライマーと切断可能な逆増幅プライマーのセットであり、他方が切断可能な順方向増幅プライマーと切断不可能な逆増幅プライマーのセットである、方法。
  24. i)前記官能基を有するビーズを堆積させる前に、前記第2のプライマーセットを前記コア構造の表面に結合させることによって、前記官能基を有するビーズを形成することをさらに含み、または
    i)少なくともいくつかの前記凹部の各々の一部は、前記官能基を有するビーズの各々の径より大きいかまたは等しい開口部寸法を有し、
    前記凹部の少なくともいくつかは、前記一部と相互接続された第2の部分を含み、前記第2の部分は、前記官能基を有するビーズの各々の直径よりも小さい第2の開口部寸法を有し、
    前記官能基を有するビーズは、サイズ排除によって前記凹部の少なくともいくつかの各々の前記一部に自己集合し、または
    ii)前記ポリマーを選択的に適用する前に、
    前記保持体上に樹脂を堆積し、
    ナノインプリントリソグラフィを使用して前記樹脂をパターン化することにより、
    前記保持体上に前記パターン化された樹脂を形成することをさらに含む、請求項23に記載の方法。
  25. 保持体と、
    該保持体上のパターン化された樹脂であって、間隙領域によって分離された凹部を含むパターン化された樹脂と、
    前記凹部におけるパターン化された樹脂上のブロック共ポリマーであって、該ブロック共ポリマーの他の各ブロックのブロック特異的官能基とは異なるブロック特異的官能基を有するブロック共ポリマーの各ブロックと、
    プライマーが前記ブロック特異的官能基に結合するように、切断不可能な第1のプライマーおよび切断可能な第2のプライマーを含む第1のプライマーセットと、切断可能な第1のプライマーと切断不可能な第2のプライマーを含む第2のプライマーセットと、を含み、
    第1のブロック特異的官能基は、前記第1のプライマーセットのプライマーを固定化することができ、第2のブロック特異的官能基は、前記第2のプライマーセットのプライマーを固定化することができ
    前記第1のプライマーセットおよび前記第2のプライマーセットのうち、一方が切断不可能な順方向増幅プライマーと切断可能な逆増幅プライマーのセットであり、他方が切断可能な順方向増幅プライマーと切断不可能な逆増幅プライマーのセットである、フローセル。
  26. 前記パターン化された樹脂が、多面体オリゴマーシルセスキオキサン樹脂(POSS)ベースの樹脂、エポキシ樹脂、ポリ(エチレングリコール)樹脂、ポリエーテル樹脂、アクリル樹脂、アクリル酸塩樹脂、メタクリレート樹脂、およびこれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項25に記載のフローセル。
  27. 前記パターン化された樹脂がPOSSベースの樹脂であり、該POSSベースの樹脂が架橋エポキシPOSS樹脂である、請求項26に記載のフローセル。
  28. i)前記ブロック共ポリマーが、
    そのブロック特異的官能基としてアミノ基を有するアクリルアミドモノマーを含む第1のブロックと、
    そのブロック特異的官能基としてアジド基を有するアジドアセトアミドペンチルアクリルアミドモノマーを含む第2のブロックと、
    を含み、または
    ii)前記ブロック共ポリマーが、
    であり、
    Rは水素またはポリマー開始種末端基であり、
    nは1~10,000の範囲であり、
    mは1~10,000の範囲であり、または
    iii)前記ブロック共ポリマーが、
    であり、
    nは1~10,000の範囲であり、
    mは1~10,000の範囲である、請求項27に記載のフローセル。
  29. 前記パターン化された樹脂が
    i)非晶質フッ素ポリマーであり、または
    ii)非晶質フッ素ポリマーであり、かつ、
    前記ブロック共ポリマーが
    そのブロック特異的官能基としてトリフルオロメチル基を有するモノマーを含む第1のブロックと、
    そのブロック特異的官能基としてプライマーグラフト官能基を有するモノマーを含む第2のブロックと、
    を含む、請求項28に記載のフローセル。
  30. 前記ブロック共ポリマーが、
    そのブロック特異的官能基としてプライマーグラフト化官能基を有するモノマーを含む第1のブロックと、
    前記第1のブロックおよび第2のブロックの相分離を促進するための相互作用パラメータを調整するためのモノマーを含む第2のブロックと、
    を含む、請求項28に記載のフローセル。
  31. (A)前記プライマーグラフト官能基はアジド基であり、
    前記第2のブロックのモノマーの前記ブロック特異的官能基は、アミノ基、アルコール基、アリール基、および荷電基からなる群から選択される、または、
    (B)前記ブロック共ポリマーは、第1のブロック、第2のブロック、および第3のブロックを含む三元共ポリマーであり、
    前記第1のブロックの前記ブロック特異的官能基は、前記パターン化された樹脂に結合し、
    前記第2のブロックの前記ブロック特異的官能基は、前記プライマーに結合し、
    前記第3のブロックのブロック特異的官能基は、前記プライマーとは別のプライマーまたは酵素に結合する、または、
    (C)前記ブロック共ポリマーは、第1のブロック、第2のブロック、および第3のブロックを含む三元共ポリマーであり、
    前記第1のブロックの前記ブロック特異的官能基は、前記パターン化された樹脂に結合し
    前記第2のブロックの前記ブロック特異的官能基は、前記プライマーに結合し、
    前記第3のブロックの前記ブロック特異的官能基は、前記ブロック共ポリマーの表面自由エネルギーに影響を及ぼすか、または前記ブロック共ポリマーの安定性に影響を及ぼす、請求項30に記載のフローセル。
  32. i)前記凹部は、ウェルおよびトレンチからなる群から選択される、または、
    ii)前記パターン化された樹脂および前記ブロック共ポリマーは、それぞれ、約25mN/m~約50mN/mの表面自由エネルギーを有する、請求項25に記載のフローセル。
  33. 保持体と、
    該保持体上のパターン化された多面体オリゴマーシルセスキオキサン(POSS)ベースの樹脂であって、間隙領域によって分離された凹部を含むパターン化されたPOSSベースの樹脂と、
    前記凹部における前記パターン化されたPOSSベースの樹脂上の分離されたブロック共ポリマーであって、前記分離されたブロック共ポリマーの一方のブロックが前記パターン化されたPOSSベースの樹脂に結合した官能基を有し、前記分離されたブロック共ポリマーの他方のブロックが他の官能基を有する、分離されたブロック共ポリマーと、
    プライマーが官能基に結合するように、切断不可能な第1のプライマーおよび切断可能な第2のプライマーを含む第1のプライマーセットと、切断可能な第1のプライマーと切断不可能な第2のプライマーを含む第2のプライマーセットと、
    を含み、
    前記分離されたブロック共ポリマーの一方のブロックは、前記第1のプライマーセットのプライマーを固定化することができる第1の官能基を提供し、
    前記分離されたブロック共ポリマーの他方のブロックは、前記第1の官能基とは異なり、かつ、前記第2のプライマーセットのプライマーを固定化することができる第2の官能基を提供し、
    前記第1のプライマーセットおよび前記第2のプライマーセットのうち、一方が切断不可能な順方向増幅プライマーと切断可能な逆増幅プライマーのセットであり、他方が切断可能な順方向増幅プライマーと切断不可能な逆増幅プライマーのセットである、フローセル。
  34. 前記分離されたブロック共ポリマーが、
    i)
    nは1~10,000の範囲であり、かつ
    mは1~10,000の範囲である、および
    ii)
    Rは水素またはポリマー開始種末端基であり、
    nは1~10,000の範囲であり、かつ
    mは1~10,000の範囲である、
    からなる群から選択される、請求項33に記載のフローセル。
  35. 間隙領域によって分離された凹部を含むパターン化された樹脂を形成するための樹脂をパターン化し、
    ブロック共ポリマーの各ブロックが該ブロック共ポリマーの他の各ブロックのブロック特異的官能基とは異なるブロック特異的官能基を有する、パターン化された前記樹脂上にブロック共ポリマーを含む溶液を導入し、
    該溶液を溶媒蒸気焼鈍に曝し、これにより、前記ブロック共ポリマー相が分離し、前記凹部において自己集合し、
    プライマーが前記ブロック特異的官能基にグラフトされるように、ブロックに第1のプライマーセットをグラフトし、前記第1のプライマーセットは、切断不可能な第1のプライマーおよび切断可能な第2のプライマーを含み、ブロックに第2のプライマーセットをグラフトし、前記第2のプライマーセットは、切断可能な第1のプライマーおよび切断不可能な第2のプライマーを含み、
    第1のブロック特異的官能基は前記第1のプライマーセットのプライマーを固定化することができ、第2のブロック特異的官能基は前記第2のプライマーセットのプライマーを固定化することができ
    前記第1のプライマーセットおよび前記第2のプライマーセットのうち、一方が切断不可能な順方向増幅プライマーと切断可能な逆増幅プライマーのセットであり、他方が切断可能な順方向増幅プライマーと切断不可能な逆増幅プライマーのセットである、方法。
  36. i)前記樹脂をパターン化することは、ナノインプリントリソグラフィを含み、または
    ii)前記ブロック共ポリマーを含む前記溶液が、約0.04~約0.30の範囲のフロリー-ハギンズ相互作用パラメータを有し、または
    iii)前記グラフトの前に、前記凹部において相分離および自己集合ブロック共ポリマーを含む前記パターン化された樹脂を、硬化プロセスに曝すことをさらに含む、請求項35に記載の方法。
  37. 基材上への第1の官能化層を適用し、
    該第1の官能化層をパターン化し、これにより、フォトレジストによって覆われた第1の官能化領域を形成し、
    前記フォトレジストおよび前記基材の一部の上に第2の官能化層を適用し、ここで、前記第1の官能化層は前記第2の官能化層とは異なり、
    前記フォトレジストおよびその上の任意の前記第2の官能化層をリフトオフし、
    前記第2の官能化層の一部を除去し、これにより、前記第1の官能化領域に隣接する第2の官能化領域を形成し、
    第1のプライマーセットを前記第1の官能化層または前記第1の官能化領域に結合させ、第2のプライマーセットを前記第2の官能化層または前記第2の官能化領域に結合させ、前記第1のプライマーセットは前記第2のプライマーセットとは異なり、前記第1のプライマーセットは、切断不可能な第1のプライマーおよび切断可能な第2のプライマーを含み、前記第2のプライマーセットは、切断可能な第1のプライマーおよび切断不可能な第2のプライマーを含み、
    前記第1のプライマーセットおよび前記第2のプライマーセットのうち、一方が切断不可能な順方向増幅プライマーと切断可能な逆増幅プライマーのセットであり、他方が切断可能な順方向増幅プライマーと切断不可能な逆増幅プライマーのセットである、方法。
  38. i)前記除去は、
    前記第1の官能化領域上に第2のフォトレジストを適用し、前記第2の官能化領域となる前記第2の官能化層の第2の部分を適用し、
    前記第2の官能化層の前記一部をエッチングする、
    ことを含む、または
    ii)
    a)前記基材は保持体上に樹脂を備え、
    該樹脂は、間隙領域によって分離された凹部を備え、
    前記第1の官能化領域は、各凹部の第1の部分上にあり、
    前記第2の官能化層は、各凹部の第2の部分の上および前記間隙領域の上にあり、
    前記除去は、前記第2の官能化層を前記間隙領域から研磨する、もしくは
    b)前記基材は保持体上の樹脂を含み、
    前記樹脂は、間隙領域によって分離された多層の凹部を含み、
    前記第1の官能化領域は、各多層の凹部の第1のレベルにあり、前記第2の官能化層を適用する前に、
    前記方法は、さらに、
    前記フォトレジストおよび前記樹脂の一部の上に犠牲層を適用するステップと、
    前記樹脂の前記一部から前記犠牲層を除去するステップと、
    前記多層の凹部から前記樹脂の領域を除去して、前記第1の官能化領域に近接する領域を形成するステップと、
    を含み、
    前記第2の官能化層が、前記フォトレジスト上の前記犠牲層、前記領域上、および前記間隙領域上に適用される、
    請求項37に記載の方法。
  39. 第1の基材部が露光されるように基材上に第1のフォトレジストを適用し、
    該フォトレジストおよび前記第1の基材部上に第1の官能化層を適用し、
    前記フォトレジストおよびその上の前記第1の官能化層のいずれかをリフトオフし、これにより、前記第1の基材部上に第1の官能化領域を形成し、
    該第1の官能化領域に隣接する第2の基材部が露光されるように、前記第1の官能化領域上および前記基材上に第2のフォトレジストを適用し、
    前記第2のフォトレジストおよび前記第2の基材部上に第2の官能化層を適用し、ここで、前記第1の官能化層は前記第2の官能化層とは異なり、
    前記第2のフォトレジストおよびその上の前記第2の官能化層のいずれかをリフトオフし、これにより、前記第1の官能化領域に隣接する第2の官能化領域を形成し、
    第1のプライマーセットを前記第1の官能化層または前記第1の官能化領域に結合させ、第2のプライマーセットを前記第2の官能化層または前記第2の官能化領域に結合させ、前記第1のプライマーセットは前記第2のプライマーセットとは異なり、前記第1のプライマーセットは、切断不可能な第1のプライマーおよび切断可能な第2のプライマーを含み、前記第2のプライマーセットは、切断可能な第1のプライマーおよび切断不可能な第2のプライマーを含み、
    前記第1のプライマーセットおよび前記第2のプライマーセットのうち、一方が切断不可能な順方向増幅プライマーと切断可能な逆増幅プライマーのセットであり、他方が切断可能な順方向増幅プライマーと切断不可能な逆増幅プライマーのセットである、方法。
  40. 前記第1の官能化領域上の第1の自己集合単層および前記第2の官能化領域上の第2の自己集合単層をそれぞれ堆積することをさらに含み、
    前記第1のプライマーセットの結合は、切断不可能な第1のプライマーおよび切断可能な第2のプライマーを前記第1の自己集合単層にグラフトすることを含み、
    前記第2のプライマーセットの結合は、切断可能な第1のプライマーおよび切断不可能な第2のプライマーを前記第2の自己集合単層にグラフトすることを含む、請求項38または39に記載の方法。
  41. 間隙領域によって分離されたトレンチと、該トレンチの各々の第1の部分における犠牲材料領域とを含む基材上に第1の官能化層を適用し、
    前記第1の官能化層をパターン化し、これにより、前記トレンチの各々の第2の部分にフォトレジストによって覆われた第1の官能化領域を形成し、
    前記トレンチの各々の前記第1の部分を露出させるために前記犠牲材料領域を除去し、
    前記間隙領域上、前記第1の部分上、および前記フォトレジスト上に第2の官能化層を適用し、
    前記フォトレジストおよびその上の前記第2の官能化層のいずれかをリフトオフし、
    前記第2の官能化層のいずれかを前記間隙領域から除去し、これにより、第2の官能化領域が前記トレンチの各々の前記第1の部分に残り、
    前記トレンチに少なくとも実質的に垂直な空間的に分離されたストライプのパターンで第2のフォトレジストを適用し、
    前記空間的に分離されたストライプの間に露出された前記第1の官能化領域および前記第2の官能化領域の部分を除去し、
    前記第2のフォトレジストを除去し、
    第1のプライマーセットを前記第1の官能化層または前記第1の官能化領域に結合させ、第2のプライマーセットを前記第2の官能化層または前記第2の官能化領域に結合させ、前記第1のプライマーセットは前記第2のプライマーセットとは異なり、前記第1のプライマーセットは、切断不可能な第1のプライマーおよび切断可能な第2のプライマーを含み、前記第2のプライマーセットは、切断可能な第1のプライマーおよび切断不可能な第2のプライマーを含み、
    前記第1のプライマーセットおよび前記第2のプライマーセットのうち、一方が切断不可能な順方向増幅プライマーと切断可能な逆増幅プライマーのセットであり、他方が切断可能な順方向増幅プライマーと切断不可能な逆増幅プライマーのセットである、方法。
  42. 前記基材は、前記トレンチの各々の前記第2の部分に第2の犠牲材料領域を含み、
    前記基材、前記犠牲材料領域、および前記第2の犠牲材料領域は、異なったエッチング率を有し、
    前記第1の官能化層を適用する前に、前記トレンチの各々の第2の部分から前記第2の犠牲材料領域を除去することをさらに含む、請求項41に記載の方法。
  43. 前記第2の犠牲材料領域を除去する前に、
    前記間隙領域によって分離された前記トレンチを含む前記基材上への前記犠牲材料を適用し、
    前記犠牲材料の一部を除去して、犠牲材料の領域が各トレンチの各サイドウォールに直接的に隣接して残るようにし、
    前記基材上および前記犠牲材料領域上に第2の犠牲材料を適用し、
    該第2の犠牲材料の領域が前記犠牲材料領域のそれぞれに直接隣接して残るように、前記第2の犠牲材料の一部を除去し、
    前記第2の犠牲材料領域間の任意の空間を充填するために材料を適用する、
    ことにより、前記犠牲材料領域および前記第2の犠牲材料領域を形成することをさらに含む、請求項42に記載の方法。
  44. 前記基材は多層基材であり、
    前記トレンチは前記多層基材の最表層に画定され、前記材料および前記最表層は同じである、請求項43に記載の方法。
  45. 第1の間隙領域によって分離された凹部を含む基材に犠牲材料を適用するステップであって、それぞれの凹部は、段差部分によって画定された深い部分と浅い部分とを含み、前記犠牲材料の層である犠牲層は、前記深い部分を部分的に充填する、ステップと、
    前記犠牲層の一部および前記基材の一部を連続的に除去して、前記犠牲層の残りの部分と少なくとも実質的に同じ高さである第2の間隙領域を形成し、段差部分を除去して、前記犠牲層の残りの部分に隣接する領域を形成する、ステップと、
    前記第2の間隙領域、前記犠牲層の残りの部分、および前記領域上に第1の官能化層を適用するステップと、
    該第1の官能化層上にフォトレジストを適用するステップと、
    前記犠牲層の残りの部分および前記第2の間隙領域が露出されるように、および前記フォトレジストの第2の部分をその上に有する前記第1の官能化層の一部がその領域に残るように、フォトレジストの一部および前記第1の官能化層の下にある部分を除去するステップと、
    前記犠牲層の残りの部分を除去して、前記第1の官能化領域の前記部分に隣接する第2の領域を形成するステップと、
    前記領域に第2の官能化層を適用し、これにより、第2の官能化領域を形成するステップであって、前記第1の官能化層は前記第2の官能化層とは異なるステップと、
    前記フォトレジストの前記第2の部分をリフトオフし、これにより、第1の官能化領域を形成し、
    第1のプライマーセットを前記第1の官能化層または前記第1の官能化領域に結合させ、第2のプライマーセットを前記第2の官能化層または前記第2の官能化領域に結合させるステップであって、前記第1のプライマーセットは前記第2のプライマーセットとは異なるものである、ステップと、
    を含み、前記第1のプライマーセットは、切断不可能な第1のプライマーおよび切断可能な第2のプライマーを含み、前記第2のプライマーセットは、切断可能な第1のプライマーおよび切断不可能な第2のプライマーを含み、
    前記第1のプライマーセットおよび前記第2のプライマーセットのうち、一方が切断不可能な順方向増幅プライマーと切断可能な逆増幅プライマーのセットであり、他方が切断可能な順方向増幅プライマーと切断不可能な逆増幅プライマーのセットである、方法。
  46. 前記第2の官能化層は、前記フォトレジストの前記第2の部分および前記第2の間隙領域にも適用され、
    前記第2の官能化層の第1の部分は、前記フォトレジストの前記第2の部分と共に除去され、
    前記第2の間隙領域から前記第2の官能化層を研磨することをさらに含む、請求項45に記載の方法。
  47. 保持体と、
    該保持体の上の第1の官能化層と、
    該第1の官能化層の上の第2の官能化層であって、ここで、前記第1の官能化層は前記第2の官能化層とは異なる、第2の官能化層と、
    該第2の官能化層の上の不動態化層と、
    を備える多層基材をインプリントする方法であって、
    これにより、前記不動態化層の間隙領域によって分離された特徴を形成し、前記第1および第2の官能化層の領域のそれぞれが、各特徴において露出され、
    第1のプライマーセットを前記第1の官能化層または前記第1の官能化層の領域に結合させ、第2のプライマーセットを前記第2の官能化層または前記第2の官能化層の領域に結合させ、前記第1のプライマーセットは前記第2のプライマーセットとは異なるものであり、前記第1のプライマーセットは、切断不可能な第1のプライマーおよび切断可能な第2のプライマーを含み、前記第2のプライマーセットは、切断可能な第1のプライマーおよび切断不可能な第2のプライマーを含み、
    前記第1のプライマーセットおよび前記第2のプライマーセットのうち、一方が切断不可能な順方向増幅プライマーと切断可能な逆増幅プライマーのセットであり、他方が切断可能な順方向増幅プライマーと切断不可能な逆増幅プライマーのセットである、方法。
  48. i)前記第1のプライマーセットの結合は、前記第1の官能化層が前記多層基材に組み込まれる前に、切断不可能な第1のプライマーおよび切断可能な第2のプライマーを前記第1の官能化層に予めグラフトすることを含み、
    前記第2のプライマーセットの結合は、前記第2の官能化層が前記多層基材に組み込まれる前に、切断可能な第1のプライマーおよび切断不可能な第2のプライマーを前記第2の官能化層に予めグラフトすることを含む、または
    ii)前記第1のプライマーセットの結合は、切断不可能な第1のプライマーおよび切断可能な第2のプライマーを各凹部の前記第1の官能化領域にグラフトすることを含み、
    前記第2のプライマーセットの結合は、切断可能な第1のプライマーおよび切断不可能な第2のプライマーを各凹部の前記第2の官能化領域にグラフトすることを含む、請求項39、41、43、45、または47に記載の方法。
  49. 第1の樹脂をインプリントして、深い部分と、段差部分によって画定される浅い部分とを含む凹部を形成し、前記第1の樹脂は、第2の樹脂上に配置される犠牲層の上に配置され、
    前記第1の樹脂の第1の部分と、前記深い部分の下にある犠牲層の一部とをエッチングし、これにより、前記第2の樹脂の一部を露出させ、
    前記段差部分をエッチングし、これにより、前記犠牲層の第2の部分を露出させ、
    前記第1の官能化層を前記第2の樹脂の一部に適用して第1の官能化領域を形成し、
    前記犠牲層の前記第2の部分を除去し、これにより、前記第2の樹脂の第2の部分を露出させ、
    第2の官能化層を前記第2の樹脂の前記第2の部分に適用して、第2の官能化領域を形成し、ここで、前記第1の官能化層は前記第2の官能化層とは異なり、
    第1のプライマーセットを前記第1の官能化層または前記第1の官能化領域に結合させ、第2のプライマーセットを前記第2の官能化層または前記第2の官能化領域に結合させ、前記第1のプライマーセット前記は第2のプライマーセットとは異なるものであり、前記第1のプライマーセットは、切断不可能な第1のプライマーおよび切断可能な第2のプライマーを含み、前記第2のプライマーセットは、切断可能な第1のプライマーおよび切断不可能な第2のプライマーを含み、
    前記第1のプライマーセットおよび前記第2のプライマーセットのうち、一方が切断不可能な順方向増幅プライマーと切断可能な逆増幅プライマーのセットであり、他方が切断可能な順方向増幅プライマーと切断不可能な逆増幅プライマーのセットである、方法。
  50. 前記第2の官能化層の適用中に、前記第2の官能化層は、前記凹部を囲む間隙領域上に堆積され、前記第1の官能化領域上に堆積されず、
    前記間隙領域から前記第2の官能化層を研磨することをさらに含む、請求項49に記載の方法。
  51. 第1のプライマーセットを第1の保持体構造により基材の第1の領域に結合させ、
    第2のプライマーセットを第2の保持体構造により前記基材の第2の領域に結合させ、
    該第2のプライマーセットおよび前記第2の保持体構造は、前記第1のプライマーセットおよび前記第1の保持体構造とは異なり、前記第1のプライマーセットは、切断不可能な第1のプライマーおよび切断可能な第2のプライマーを含み、前記第2のプライマーセットは、切断可能な第1のプライマーおよび切断不可能な第2のプライマーを含み、
    前記第1の保持体構造に選択的に結合する複数の第1の捕捉部位および前記第2の保持体構造に選択的に結合する複数の第2の捕捉部位を有する基材面に前記第1および第2の保持体構造をロードすることを含み、
    前記第1の領域は、前記第1のプライマーセットのプライマーを固定化することができる第1の官能基を有する材料を含み、
    前記第2の領域は、前記第1の官能基とは異なり、かつ、前記第2のプライマーセットのプライマーを固定化することができる第2の官能基を有する材料を含み、
    前記第1のプライマーセットおよび前記第2のプライマーセットのうち、一方が切断不可能な順方向増幅プライマーと切断可能な逆増幅プライマーのセットであり、他方が切断可能な順方向増幅プライマーと切断不可能な逆増幅プライマーのセットである、方法。
JP2019571401A 2018-06-29 2019-06-07 フローセル Active JP7437161B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022092251A JP2022141628A (ja) 2018-06-29 2022-06-07 フローセル

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201862692511P 2018-06-29 2018-06-29
US62/692,511 2018-06-29
US201862743373P 2018-10-09 2018-10-09
US62/743,373 2018-10-09
PCT/US2019/036105 WO2020005503A1 (en) 2018-06-29 2019-06-07 Flow cells

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022092251A Division JP2022141628A (ja) 2018-06-29 2022-06-07 フローセル

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2021512587A JP2021512587A (ja) 2021-05-20
JP7437161B2 true JP7437161B2 (ja) 2024-02-22

Family

ID=68985182

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019571401A Active JP7437161B2 (ja) 2018-06-29 2019-06-07 フローセル
JP2022092251A Pending JP2022141628A (ja) 2018-06-29 2022-06-07 フローセル

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022092251A Pending JP2022141628A (ja) 2018-06-29 2022-06-07 フローセル

Country Status (19)

Country Link
US (4) US11124829B2 (ja)
EP (1) EP3814530A4 (ja)
JP (2) JP7437161B2 (ja)
KR (2) KR20220086697A (ja)
CN (2) CN110656036A (ja)
AU (2) AU2019275675A1 (ja)
BR (1) BR112019028058A2 (ja)
CA (1) CA3064690A1 (ja)
CL (1) CL2019003786A1 (ja)
CO (1) CO2019014781A2 (ja)
CR (1) CR20190591A (ja)
IL (1) IL271441A (ja)
MX (1) MX2019015848A (ja)
PE (1) PE20220773A1 (ja)
PH (1) PH12019502897A1 (ja)
RU (1) RU2763555C2 (ja)
SG (1) SG11201912113XA (ja)
TW (1) TWI721450B (ja)
WO (1) WO2020005503A1 (ja)

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CR20190591A (es) * 2018-06-29 2020-02-26 Illumina Cambridge Ltd Cubetas de lectura
WO2021127357A2 (en) * 2019-12-20 2021-06-24 Illumina, Inc. Flow cells
BR112021026701A2 (pt) * 2020-01-27 2022-08-02 Illumina Inc Kit, sistema e célula de fluxo
WO2021154648A2 (en) * 2020-01-27 2021-08-05 Illumina, Inc. Kit, system, and flow cell
US20210339457A1 (en) * 2020-04-24 2021-11-04 Illumina Cambridge Limited Flow cells
IL299439A (en) * 2020-09-29 2023-02-01 Illumina Inc Flow cell manufacturing methods
MX2022014809A (es) * 2020-09-29 2023-03-14 Illumina Inc Celdas de flujo y metodos para hacer las mismas.
US20230295455A1 (en) * 2020-10-20 2023-09-21 Illumina, Inc. Flow cells
CA3183716A1 (en) * 2020-12-10 2022-06-16 Lewis Kraft Image sensor structures and related methods
CA3201762A1 (en) * 2020-12-15 2022-06-23 Neil BRAHMA Flow cell coating methods
US20220228210A1 (en) * 2020-12-30 2022-07-21 10X Genomics, Inc. Molecular array generation using photoresist
EP4330428A1 (en) * 2021-04-30 2024-03-06 Illumina Cambridge Limited Flow cell and methods
US20220379305A1 (en) * 2021-05-31 2022-12-01 Illumina, Inc. Flow cells and methods for making the same
CN117460836A (zh) * 2021-05-31 2024-01-26 伊鲁米纳公司 流通池和方法
US20220382147A1 (en) * 2021-05-31 2022-12-01 Illumina, Inc. Flow cells and methods for making the same
WO2023278739A1 (en) * 2021-07-02 2023-01-05 Illumina, Inc. Flow cells
WO2023069927A1 (en) * 2021-10-20 2023-04-27 Illumina, Inc. Methods for capturing library dna for sequencing
WO2023075852A1 (en) * 2021-10-28 2023-05-04 Illumina, Inc. Flow cells and methods for making the same
WO2023075851A1 (en) * 2021-10-28 2023-05-04 Illumina, Inc. Flow cells and methods for making the same
AU2022409487A1 (en) 2021-12-16 2024-01-18 Illumina, Inc. Hybrid clustering
WO2023114394A1 (en) * 2021-12-17 2023-06-22 Illumina, Inc. Orthogonal hybridization
TW202335738A (zh) * 2021-12-21 2023-09-16 美商伊路米納有限公司 流體槽及其製造方法
US20230330617A1 (en) * 2021-12-27 2023-10-19 Illumina, Inc. Flow cell surface patterning
TW202335739A (zh) * 2021-12-27 2023-09-16 美商伊路米納有限公司 流體槽表面圖案化
AU2023227364A1 (en) * 2022-03-01 2024-01-18 Illumina, Inc. Functionalized nanostructures and flow cell depressions
US20230350297A1 (en) * 2022-03-22 2023-11-02 Illumina Cambridge Limited Methods for making flow cell surfaces
US20230302422A1 (en) * 2022-03-22 2023-09-28 Illumina, Inc. Chemical planar array
WO2023183764A1 (en) 2022-03-22 2023-09-28 Illumina Cambridge Limited Substrate with orthogonally functional nanodomains
US20230416435A1 (en) * 2022-06-07 2023-12-28 Illumina, Inc. Enhancing clustering efficiency and kinetics
WO2024006799A1 (en) * 2022-06-29 2024-01-04 10X Genomics, Inc. Covalent attachment of splint oligonucleotides for molecular array generation using ligation
WO2024003100A1 (en) * 2022-06-30 2024-01-04 Illumina Cambridge Limited Sequencing nanoparticles and methods of making the same
WO2024042149A1 (en) * 2022-08-26 2024-02-29 Illumina Cambridge Limited Flow cells with swellable resin
JP2024033616A (ja) * 2022-08-30 2024-03-13 富士フイルム株式会社 モールド及び構造物の製造方法
WO2024057007A1 (en) * 2022-09-16 2024-03-21 Illumina, Inc. Reusable flow cells having signal intensity retention, methods of retaining signal intensity in reusable flow cells and reagents and kits therefor
WO2024061799A1 (en) 2022-09-19 2024-03-28 Illumina, Inc. Deformable polymers comprising immobilised primers
WO2024073599A1 (en) * 2022-09-29 2024-04-04 Nautilus Subsidiary, Inc. Preparation of array surfaces for single-analyte processes

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018119101A1 (en) 2016-12-22 2018-06-28 Illumina, Inc. Flow cell package and method for making the same
WO2018119063A1 (en) 2016-12-22 2018-06-28 Illumina, Inc. Arrays with quality control tracers

Family Cites Families (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6133436A (en) 1996-11-06 2000-10-17 Sequenom, Inc. Beads bound to a solid support and to nucleic acids
US6429027B1 (en) 1998-12-28 2002-08-06 Illumina, Inc. Composite arrays utilizing microspheres
US6238868B1 (en) * 1999-04-12 2001-05-29 Nanogen/Becton Dickinson Partnership Multiplex amplification and separation of nucleic acid sequences using ligation-dependant strand displacement amplification and bioelectronic chip technology
US20060275782A1 (en) 1999-04-20 2006-12-07 Illumina, Inc. Detection of nucleic acid reactions on bead arrays
US7335153B2 (en) 2001-12-28 2008-02-26 Bio Array Solutions Ltd. Arrays of microparticles and methods of preparation thereof
WO2008000031A1 (en) 2006-06-28 2008-01-03 Swinburne University Of Technology Bead immobilisation method and bead arrays made thereby
JP2008109864A (ja) * 2006-10-30 2008-05-15 Hitachi Ltd 遺伝子配列解析システム
US8597492B2 (en) 2007-01-30 2013-12-03 The Florida International University Board Of Trustees Nanoscale DNA detection system using species-specific and/or disease-specific probes for rapid identification
US7790350B2 (en) * 2007-07-30 2010-09-07 International Business Machines Corporation Method and materials for patterning a neutral surface
JP5283924B2 (ja) * 2008-02-21 2013-09-04 株式会社日立製作所 核酸増幅用デバイス
EP2286217B1 (en) * 2008-03-31 2015-02-18 Pacific Biosciences of California, Inc. Single molecule loading methods and compositions
US8114301B2 (en) 2008-05-02 2012-02-14 Micron Technology, Inc. Graphoepitaxial self-assembly of arrays of downward facing half-cylinders
WO2010003132A1 (en) 2008-07-02 2010-01-07 Illumina Cambridge Ltd. Using populations of beads for the fabrication of arrays on surfaces
JP5457222B2 (ja) 2009-02-25 2014-04-02 エフ.ホフマン−ラ ロシュ アーゲー 小型化ハイスループット核酸分析
WO2012009721A1 (en) 2010-07-16 2012-01-19 Elitech Holding B.V. Orthogonal nucleic acid affinity pairs
WO2012106072A2 (en) * 2011-02-03 2012-08-09 Illumina, Inc. Methods for minimizing sequence specific bias
US9299381B2 (en) 2011-02-07 2016-03-29 Wisconsin Alumni Research Foundation Solvent annealing block copolymers on patterned substrates
US9926596B2 (en) * 2011-05-27 2018-03-27 Genapsys, Inc. Systems and methods for genetic and biological analysis
WO2012170936A2 (en) 2011-06-09 2012-12-13 Illumina, Inc. Patterned flow-cells useful for nucleic acid analysis
US8778849B2 (en) 2011-10-28 2014-07-15 Illumina, Inc. Microarray fabrication system and method
GB201202519D0 (en) * 2012-02-13 2012-03-28 Oxford Nanopore Tech Ltd Apparatus for supporting an array of layers of amphiphilic molecules and method of forming an array of layers of amphiphilic molecules
WO2013123125A1 (en) 2012-02-17 2013-08-22 President And Fellows Of Harvard College Assembly of nucleic acid sequences in emulsions
GB201212775D0 (en) * 2012-07-18 2012-08-29 Dna Electronics Ltd Sensing apparatus and method
US9087699B2 (en) * 2012-10-05 2015-07-21 Micron Technology, Inc. Methods of forming an array of openings in a substrate, and related methods of forming a semiconductor device structure
US9683230B2 (en) * 2013-01-09 2017-06-20 Illumina Cambridge Limited Sample preparation on a solid support
US9512422B2 (en) 2013-02-26 2016-12-06 Illumina, Inc. Gel patterned surfaces
EP2971279B1 (en) * 2013-03-15 2019-11-13 The Trustees of Princeton University Methods and devices for high throughput purification
KR102266002B1 (ko) 2013-07-01 2021-06-16 일루미나, 인코포레이티드 촉매-무함유 표면 작용화 및 중합체 그라프팅
ES2719579T3 (es) 2013-07-03 2019-07-11 Illumina Inc Sistema para secuenciación por síntesis ortogonal
CA2920390A1 (en) 2013-08-30 2015-03-05 Illumina, Inc. Manipulation of droplets on hydrophilic or variegated-hydrophilic surfaces
RU2539038C1 (ru) * 2013-11-02 2015-01-10 Общество с ограниченной ответственностью "Гамма" Способ секвенирования днк и устройство для его осуществления (варианты)
US10537889B2 (en) * 2013-12-31 2020-01-21 Illumina, Inc. Addressable flow cell using patterned electrodes
TWI561919B (en) * 2014-03-15 2016-12-11 Univ Texas Ordering block copolymers
JP6472208B2 (ja) * 2014-10-24 2019-02-20 株式会社日立ハイテクノロジーズ 核酸搬送制御デバイス及びその製造方法、並びに核酸シーケンシング装置
MY182476A (en) * 2014-11-11 2021-01-25 Illumina Cambridge Ltd Methods and arrays for producing and sequencing monoclonal clusters of nucleic acid
CA2974632A1 (en) * 2015-02-04 2016-08-11 The University Of British Columbia Methods and devices for analyzing particles
CN107924121B (zh) * 2015-07-07 2021-06-08 亿明达股份有限公司 经由纳米压印的选择性表面图案化
ES2945607T3 (es) 2015-07-17 2023-07-04 Illumina Inc Láminas de polímero para aplicaciones de secuenciación
US9962701B2 (en) * 2015-12-28 2018-05-08 Qiagen Sciences, Llc Flowcells with microretainers and particle separators for discrete seeding microspots
WO2017201198A1 (en) 2016-05-18 2017-11-23 Illumina, Inc. Self assembled patterning using patterned hydrophobic surfaces
WO2018022944A1 (en) * 2016-07-27 2018-02-01 Massachusetts Institute Of Technology BLOCK CO-POLY(METAL ORGANIC NANOSTRUCTURES) (BCPMONs) AND USES THEREOF
US10329610B2 (en) 2016-08-02 2019-06-25 Damoun Nashtaali Paired-end sequencing method
CA3046532A1 (en) * 2016-12-22 2018-06-28 Illumina, Inc. Arrays including a resin film and a patterned polymer layer
CN117219572A (zh) * 2016-12-23 2023-12-12 英特尔公司 高级光刻和自组装装置
AU2018281745B2 (en) * 2017-06-05 2022-05-19 Becton, Dickinson And Company Sample indexing for single cells
WO2019079653A1 (en) * 2017-10-19 2019-04-25 Ultima Genomics, Inc. METHODS OF TREATING APPARATUSED END SEQUENCES
CR20190591A (es) * 2018-06-29 2020-02-26 Illumina Cambridge Ltd Cubetas de lectura
EP3911686A4 (en) * 2019-01-14 2023-02-08 Illumina, Inc. FLOW CELL WITH A HETEROPOLYMER
EP4077726A1 (en) * 2019-12-16 2022-10-26 Illumina, Inc. Kits and flow cells
WO2021127357A2 (en) * 2019-12-20 2021-06-24 Illumina, Inc. Flow cells
US20220154177A1 (en) * 2020-11-16 2022-05-19 Illumina, Inc. Functionalized plasmonic nanostructures

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018119101A1 (en) 2016-12-22 2018-06-28 Illumina, Inc. Flow cell package and method for making the same
WO2018119063A1 (en) 2016-12-22 2018-06-28 Illumina, Inc. Arrays with quality control tracers

Also Published As

Publication number Publication date
TW202012623A (zh) 2020-04-01
AU2021203672A1 (en) 2021-07-01
RU2763555C2 (ru) 2021-12-30
JP2022141628A (ja) 2022-09-29
KR20220086697A (ko) 2022-06-23
CA3064690A1 (en) 2019-12-29
AU2021203672B2 (en) 2022-09-08
WO2020005503A1 (en) 2020-01-02
US20210139975A1 (en) 2021-05-13
SG11201912113XA (en) 2020-01-30
CO2019014781A2 (es) 2020-04-13
CL2019003786A1 (es) 2020-07-31
PE20220773A1 (es) 2022-05-16
US20230002822A1 (en) 2023-01-05
CN110656036A (zh) 2020-01-07
CN212476738U (zh) 2021-02-05
KR102406439B1 (ko) 2022-06-08
EP3814530A4 (en) 2022-03-23
KR20200017430A (ko) 2020-02-18
US11124829B2 (en) 2021-09-21
US11384392B2 (en) 2022-07-12
RU2019145084A3 (ja) 2021-07-02
US20230332224A1 (en) 2023-10-19
IL271441A (en) 2020-01-30
CR20190591A (es) 2020-02-26
US20210024991A1 (en) 2021-01-28
MX2019015848A (es) 2020-08-03
US11680292B2 (en) 2023-06-20
TWI721450B (zh) 2021-03-11
PH12019502897A1 (en) 2020-10-26
RU2019145084A (ru) 2021-07-02
BR112019028058A2 (pt) 2020-07-14
EP3814530A1 (en) 2021-05-05
JP2021512587A (ja) 2021-05-20
AU2019275675A1 (en) 2020-01-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7437161B2 (ja) フローセル
US20210190675A1 (en) Flow cells
US11512339B2 (en) Arrays including a resin film and a patterned polymer layer
JP2023544469A (ja) フローセル及びそれを作製するための方法
JP2023544468A (ja) フローセルを作製するための方法
JP2022518642A (ja) フローセル
US20220259406A1 (en) Resin composition and flow cells incorporating the same
KR20240015675A (ko) 플로우 셀 및 방법
NZ759939A (en) Flow Cells
US20240091782A1 (en) Flow cells
US20230259034A1 (en) Flow cells and methods for making the same
US20240123448A1 (en) Flow cells and methods for making the same
US20240132954A1 (en) Resin composition and flow cells incorporating the same

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200721

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200721

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210713

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20211011

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20220208

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220607

C60 Trial request (containing other claim documents, opposition documents)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60

Effective date: 20220607

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220608

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20220608

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20220624

C21 Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21

Effective date: 20220628

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20220805

C211 Notice of termination of reconsideration by examiners before appeal proceedings

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C211

Effective date: 20220809

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20231201

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20240209

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7437161

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150