JP7435543B2 - レーザ溶接システム及びレーザ溶接制御方法 - Google Patents

レーザ溶接システム及びレーザ溶接制御方法 Download PDF

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Description

本発明はレーザ溶接システム及びレーザ溶接制御方法に関する。
特許文献1には、監視用光ビームの材料表面からの反射光を受光素子で受光し、この受光素子の溶融加工中での出力の変化を検出して、溶融加工中の材料の溶融状態を監視する技術が開示されている。
特開平7-284931号公報
発明者らは、レーザ溶接システムに関し、以下の問題点を見出した。
レーザ溶接において溶融池から発生するスパッタは、異物として付着・混入して溶接部材に悪影響を及ぼす虞があるため、スパッタの発生はできる限り抑制したい。
しかしながら、特許文献1に開示された技術を用いて溶融池を監視するだけでは、レーザ溶接におけるスパッタの発生を効果的に抑制できなかった。
本発明は、このような事情に鑑みなされたものであって、スパッタの発生をより効果的に抑制可能なレーザ溶接システムを提供するものである。
本発明の一態様に係るレーザ溶接システムは、
溶接対象物にレーザビームを照射するレーザ照射部と、
前記レーザビームの照射によって、前記溶接対象物に形成された溶融池の温度分布を測定する温度分布測定部と、
前記温度分布測定部によって測定された前記溶融池の温度分布に基づいて、前記溶融池の対流状態を解析する対流解析部と、
前記レーザビームの照射条件を制御するレーザ制御部と、を備え、
前記制御部は、
前記対流解析部によって解析された前記溶融池の対流状態が予め定められたスパッタ発生モードに該当する場合、
前記溶融池の対流状態が前記スパッタ発生モードから外れるように、前記レーザビームの照射条件を変更するものである。
本発明の一態様に係るレーザ溶接システムでは、溶融池の温度分布を測定する温度分布測定部と、温度分布測定部によって測定された溶融池の温度分布に基づいて、溶融池の対流状態を解析する対流解析部と、を備える。そして、制御部は、対流解析部によって解析された溶融池の対流状態が予め定められたスパッタ発生モードに該当する場合、溶融池の対流状態がスパッタ発生モードから外れるように、レーザビームの照射条件を変更する。
そのため、本発明の一態様に係るレーザ溶接システムは、スパッタの発生をより効果的に抑制できる。
前記溶融池のスパッタ発生状況を撮像するための撮像部と、前記撮像部によって撮像された前記溶融池のスパッタ発生状況と、前記対流解析部によって解析された前記溶融池の対流状態とを紐付けて記憶する記憶部と、をさらに備え、前記記憶部に紐付けて記憶された前記スパッタ発生状況と前記対流状態とに基づいて、前記スパッタ発生モードが予め定められていてもよい。
本発明の一態様に係るレーザ溶接制御方法は、
レーザビームの照射によって溶接対象物に形成された溶融池の温度分布を測定するステップと、
測定された前記温度分布に基づいて、前記溶融池の対流状態を解析するステップと、
解析された前記溶融池の対流状態が、予め定められたスパッタ発生モードに該当する場合、前記溶融池の対流状態が前記スパッタ発生モードから外れるように、前記レーザビームの照射条件を変更するステップと、を備えたものである。
本発明の一態様に係るレーザ溶接制御方法では、レーザビームの照射によって溶接対象物に形成された溶融池の温度分布を測定し、測定された溶融池の温度分布に基づいて、溶融池の対流状態を解析する。そして、溶融池の対流状態がスパッタ発生モードに該当する場合、溶融池の対流状態がスパッタ発生モードから外れるように、レーザビームの照射条件を変更する。
そのため、本実施形態に係るレーザ溶接制御方法では、スパッタの発生をより効果的に抑制できる。
前記溶融池のスパッタ発生状況を撮像するステップと、撮像された前記溶融池のスパッタ発生状況と、解析された前記溶融池の対流状態とを紐付けて記憶するステップと、を備え、紐付けて記憶された前記スパッタ発生状況と前記対流状態とに基づいて、前記スパッタ発生モードを予め定めておいてもよい。
本発明により、スパッタの発生をより効果的に抑制可能なレーザ溶接システムを提供できる。
第1の実施形態に係るレーザ溶接システムを示すブロック図である。 ガルバノスキャナ102の模式構成図である。 温度分布測定部103による溶融池MPの温度分布の実際の測定結果の一例を示す図である。 対流解析部104による溶融池MPの対流状態の解析結果の一例を示す図である。 第1の実施形態に係るレーザ溶接制御方法を示すフローチャートである。
以下、本発明を適用した具体的な実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。但し、本発明が以下の実施形態に限定される訳ではない。また、説明を明確にするため、以下の記載及び図面は、適宜、簡略化されている。
(第1の実施形態)
<レーザ溶接システムの構成>
まず、図1を参照して、第1の実施形態に係るレーザ溶接システムについて説明する。
図1は、第1の実施形態に係るレーザ溶接システムを示すブロック図である。図1に示すように、本実施形態に係るレーザ溶接システムでは、重ね合わされた2枚の金属板M1、M2の上方からレーザビームLBを照射することによって、2枚の金属板M1、M2に跨がる溶融池MPを形成し、2枚の金属板M1、M2を溶接する。
図1に示すように、本実施形態に係るレーザ溶接システムは、レーザ発振器101、ガルバノスキャナ102、温度分布測定部103、対流解析部104、撮像部105、記憶部106、及びレーザ制御部107を備えている。
なお、当然のことながら、図1及びその他の図面に示した右手系xyz直交座標は、構成要素の位置関係を説明するための便宜的なものである。通常、z軸正向きが鉛直上向き、xy平面が水平面であり、図面間で共通である。
溶接対象物である金属板M1、M2は、何ら限定されないが、例えば銅、アルミニウムあるいはそれらの合金からなる板である。金属板M1、M2は、例えば同種金属から構成されるが、異種金属から構成されてもよい。
なお、図1に示す例は、2枚の金属板M1、M2の重ね合わせ溶接であるが、何ら限定されず、突き合わせ溶接その他の溶接でもよい。
レーザ発振器101は、レーザ制御部107から出力された制御信号に基づくレーザ出力で、レーザビームLBを発振する。レーザ発振器101から出力されたレーザビームLBは、ガルバノスキャナ102に入力される。
レーザ発振器101及びガルバノスキャナ102は、溶接対象物である金属板M1、M2にレーザビームLBを照射するレーザ照射部を構成する。
ガルバノスキャナ102は、レーザ制御部107から出力された制御信号に基づいて、溶接対象物である金属板M1、M2上を走査しながら、金属板M1、M2にレーザビームLBを照射する。レーザ制御部107から出力された制御信号に基づいて、例えば、ガルバノスキャナ102から照射されるレーザビームLBの径、スキャン速度、軌跡が決定される。
ここで、図2は、ガルバノスキャナ102の模式構成図である。なお、図2に示すガルバノスキャナ102の構成はあくまでも一例であって、ガルバノスキャナ102の構成は、当該構成に限定されない。
図2に示すガルバノスキャナ102は、ダイクロイックミラーDM、ミラーMR、レンズL1を備えている。ここで、ダイクロイックミラーDMは、レーザビームLBを反射して熱放射光TRを透過する。レーザ発振器101から入射したレーザビームLBは、ダイクロイックミラーDM及びミラーMRを反射した後、レンズL1によって集光され、ガルバノスキャナ102から出射される。
ガルバノスキャナ102から出射されたレーザビームLBが、金属板M1、M2に照射され、溶融池MPが形成される。
他方、図2に示すように、溶融池MPから放出された熱放射光TRは、ガルバノスキャナ102を介して、温度分布測定部103に入射する。より詳細には、ガルバノスキャナ102において、レンズL1を介してミラーMRを反射した後、ダイクロイックミラーDMを透過した熱放射光TRが、温度分布測定部103に入射する。
図1に戻って、説明を続ける。
温度分布測定部103は、溶融池MPから放出された熱放射光TRの強度に基づいて、溶融池MPの温度分布を逐次測定する。溶融池MPにおいて温度が高い程、溶融池MPから放出される熱放射光TRの強度も高くなる。
ここで、図3は、温度分布測定部103による溶融池MPの温度分布の実際の測定結果の一例を示す図である。図3の例では、金属板M1、M2はいずれも銅板(融点:1085℃)である。図3では、上側(z軸正方向側)から測定した温度分布であるため、金属板M1の温度分布を示している。図3では、金属板M1の温度分布が色によって示されている。
なお、図3では、所々、測定温度の数値が示されている。また、図3における破線は、レーザビームLBの照射位置を示す基準線である。
対流解析部104は、温度分布測定部103によって測定された温度分布の逐次変化に基づいて、溶融池MPの対流状態を解析する。対流解析部104が実行する対流解析には、特に限定されないが、例えば市販の熱流体解析プログラムを使用できる。市販の熱流体解析プログラムとしては、例えばSTAR-CCM+(登録商標)やFLOW-3D(登録商標)を挙げることができる。対流解析部104によって解析された溶融池MPの対流状態は、記憶部106に記憶される。
なお、図示されていないが、対流解析部104は、例えばCPU(Central Processing Unit)などの演算部と、熱流体解析プログラムやデータ等が格納されたRAM(Random Access Memory)、ROM(Read Only Memory)等の記憶部と、を備えている。すなわち、対流解析部104は、コンピュータとしての機能を有しており、上記熱流体解析プログラムに基づいて解析処理を行う。
そのため、図1に示す対流解析部104は、ハードウェア的には、上記CPU、記憶部、その他の回路等によって構成でき、ソフトウェア的には、記憶部に格納された熱流体解析プログラムなどによって実現できる。すなわち、対流解析部104は、ハードウェア、ソフトウェア、あるいは両者の組み合わせによって、様々な形態で実現できる。
ここで、図4は、対流解析部104による溶融池MPの対流状態の解析結果の一例を示す図である。図4の例では、金属板M1、M2はいずれも銅板であるため、金属板M1、M2は一体に示されている。図4は、金属板M1、M2のxz断面における溶融池MPの対流状態を示している。溶融池MP内に示される矢印が、対流の方向を示し、矢印の色が流速の大きさを示している。
図1に示すように、撮像部105は、溶融池MPのスパッタ発生状況を撮像する。撮像部105は、例えば高速度カメラであって、レーザビームLBを照射中に溶融池MPから発生するスパッタを撮像する。撮像部105によって撮像されたスパッタ発生状況は、レーザ制御部107に対して出力されると共に、記憶部106に記憶される。
撮像部105によって撮像されたスパッタ発生状況は、その際に対流解析部104によって解析された対流状態と紐付けて記憶部106に記憶される。そして、当該スパッタ発生状況に基づいて、レーザ制御部107が対流状態の判定に用いるスパッタ発生モードが予め定められる。そのため、撮像部105は、実際に溶接する際には必須ではなく、本実施形態に係るレーザ溶接システムにおいても必須ではない。
図1に示すように、記憶部106は、撮像部105によって撮像された溶融池MPのスパッタ発生状況と、対流解析部104によって解析された溶融池MPの対流状態とを紐付けて記憶する。
なお、記憶部106は、上述の対流解析部104又は後述するレーザ制御部107に設けられていてもよい。
図1に示すように、レーザ制御部107は、対流解析部104によって解析された溶融池MPの対流状態に基づいて、レーザ発振器101及びガルバノスキャナ102を制御する。すなわち、レーザ制御部107は、レーザビームLBの照射条件を制御する。上述の通り、レーザ制御部107は、レーザ発振器101によって発振されるレーザビームLBの出力(レーザ出力)を制御する。また、レーザ制御部107は、ガルバノスキャナ102から照射されるレーザビームLBの径、スキャン速度、軌跡を制御する。
ここで、レーザ制御部107は、対流解析部104によって解析された対流状態が、予め定められたスパッタ発生モードに該当するか否か判定する。ここで、スパッタ発生モードとは、スパッタが発生し易い対流状態である。スパッタ発生モードは、記憶部106に紐付けて記憶された溶融池MPのスパッタ発生状況と対流状態とに基づいて、例えばレーザ制御部107によって予め定められている。
そして、レーザ制御部107は、対流状態がスパッタ発生モードに該当すると判定した場合、対流状態がスパッタ発生モードから外れるように、レーザビームLBの照射条件を変更する。換言すると、レーザ制御部107は、対流状態がスパッタ発生モードに該当すると判定した場合、対流状態が非スパッタ発生モードに移行するように、レーザビームLBの照射条件を変更する。ここで、非スパッタ発生モードとは、スパッタが発生し難い対流状態すなわちスパッタ発生モードから外れた対流状態である。
レーザ制御部107は、対流状態がスパッタ発生モードに該当すると判定した場合、例えばレーザ出力、レーザビームLBの径、スキャン速度、軌跡の少なくともいずれか一つを変更する。
他方、レーザ制御部107は、対流状態がスパッタ発生モードに該当しないと判定した場合、レーザビームLBの照射条件を変更せずに、そのまま維持する。
なお、図示されていないが、レーザ制御部107は、例えばCPU(Central Processing Unit)などの演算部と、各種制御プログラムやデータ等が格納されたRAM(Random Access Memory)、ROM(Read Only Memory)等の記憶部と、を備えている。すなわち、レーザ制御部107は、コンピュータとしての機能を有しており、上記制御プログラムに基づいて各種制御処理を行う。
そのため、図1に示すレーザ制御部107は、ハードウェア的には、上記CPU、記憶部、その他の回路等によって構成でき、ソフトウェア的には、記憶部に格納された各種制御プログラムなどによって実現できる。すなわち、レーザ制御部107は、ハードウェア、ソフトウェア、あるいは両者の組み合わせによって、様々な形態で実現できる。
以上に説明した通り、本実施形態に係るレーザ溶接システムは、溶融池MPの温度分布を測定する温度分布測定部103と、温度分布測定部103によって測定された溶融池MPの温度分布に基づいて、溶融池MPの対流状態を解析する対流解析部104と、を備える。そして、レーザ制御部107は、対流解析部104によって解析された溶融池MPの対流状態が、スパッタ発生モードに該当する場合、溶融池MPの対流状態がスパッタ発生モードから外れるように、レーザビームLBの照射条件を変更する。そのため、本実施形態に係るレーザ溶接システムでは、スパッタの発生をより効果的に抑制できる。
<レーザ溶接制御方法>
次に、図5を参照して、本実施形態に係るレーザ溶接制御方法について説明する。図5は、第1の実施形態に係るレーザ溶接制御方法を示すフローチャートである。
まず、図5に示すように、レーザビームLBの照射によって溶接対象物である金属板M1、M2に形成された溶融池MPの温度分布を、温度分布測定部103が測定する(ステップST1)。
次に、図5に示すように、温度分布測定部103によって測定された溶融池MPの温度分布に基づいて、対流解析部104が溶融池MPの対流状態を解析する(ステップST2)。
次に、図5に示すように、レーザ制御部107は、対流解析部104によって解析された対流状態が、スパッタ発生モードに該当するか否か判定する(ステップST3)。
ここで、スパッタ発生モードは、記憶部106に紐付けて記憶された溶融池MPのスパッタ発生状況と対流状態とに基づいて、例えばレーザ制御部107によって予め定められている。
対流状態がスパッタ発生モードに該当すると判定した場合(ステップST3YES)、レーザ制御部107は、対流状態がスパッタ発生モードから外れるように、レーザビームLBの照射条件を変更する(ステップST4)。具体的には、レーザ制御部107は、レーザ出力、レーザビームLBの径、スキャン速度、軌跡の少なくともいずれか一つを変更する。
対流状態がスパッタ発生モードに該当しないと判定した場合(ステップST3NO)、レーザ制御部107は、レーザビームLBの照射条件を変更せずに、そのまま維持し、ステップST1に戻る。すなわち、レーザ制御部107は、対流状態がスパッタ発生モードに該当すると判定するまで、レーザビームLBの照射条件を変更せずに、そのまま維持し続ける。
以上に説明した通り、本実施形態に係るレーザ溶接制御方法では、レーザビームLBの照射によって溶接対象物に形成された溶融池MPの温度分布を測定し、当該温度分布に基づいて、溶融池MPの対流状態を解析する。そして、当該対流状態がスパッタ発生モードに該当する場合、溶融池MPの対流状態がスパッタ発生モードから外れるように、レーザビームLBの照射条件を変更する。そのため、本実施形態に係るレーザ溶接制御方法では、スパッタの発生をより効果的に抑制できる。
上述の例において、プログラムは、コンピュータに読み込まれた場合に、実施形態で説明された1又はそれ以上の機能をコンピュータに行わせるための命令群(又はソフトウェアコード)を含む。プログラムは、非一時的なコンピュータ可読媒体又は実体のある記憶媒体に格納されてもよい。限定ではなく例として、コンピュータ可読媒体又は実体のある記憶媒体は、random-access memory(RAM)、read-only memory(ROM)、フラッシュメモリ、solid-state drive(SSD)又はその他のメモリ技術、CD-ROM、digital versatile disc(DVD)、Blu-ray(登録商標)ディスク又はその他の光ディスクストレージ、磁気カセット、磁気テープ、磁気ディスクストレージ又はその他の磁気ストレージデバイスを含む。プログラムは、一時的なコンピュータ可読媒体又は通信媒体上で送信されてもよい。限定ではなく例として、一時的なコンピュータ可読媒体又は通信媒体は、電気的、光学的、音響的、又はその他の形式の伝搬信号を含む。
なお、本発明は上記実施形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。
101 レーザ発振器
102 ガルバノスキャナ
103 温度分布測定部
104 対流解析部
105 撮像部
106 記憶部
107 レーザ制御部
DM ダイクロイックミラー
L1 レンズ
LB レーザビーム
MR ミラー
M1、M2 金属板
MP 溶融池
TR 熱放射光

Claims (4)

  1. 溶接対象物にレーザビームを照射するレーザ照射部と、
    前記レーザビームの照射によって、前記溶接対象物に形成された溶融池の温度分布を測定する温度分布測定部と、
    前記温度分布測定部によって測定された前記溶融池の温度分布に基づいて、前記溶融池の対流状態を解析する対流解析部と、
    前記レーザビームの照射条件を制御するレーザ制御部と、を備え、
    前記レーザ制御部は、
    前記対流解析部によって解析された前記溶融池の対流状態が、予め定められたスパッタ発生モードに該当する場合、
    前記溶融池の対流状態が前記スパッタ発生モードから外れるように、前記レーザビームの照射条件を変更する、
    レーザ溶接システム。
  2. 前記溶融池のスパッタ発生状況を撮像するための撮像部と、
    前記撮像部によって撮像された前記溶融池のスパッタ発生状況と、前記対流解析部によって解析された前記溶融池の対流状態とを紐付けて記憶する記憶部と、をさらに備え、
    前記記憶部に紐付けて記憶された前記スパッタ発生状況と前記対流状態とに基づいて、前記スパッタ発生モードが予め定められている、
    請求項1に記載のレーザ溶接システム。
  3. レーザビームの照射によって溶接対象物に形成された溶融池の温度分布を測定するステップと、
    測定された前記溶融池の温度分布に基づいて、前記溶融池の対流状態を解析するステップと、
    解析された前記溶融池の対流状態が、予め定められたスパッタ発生モードに該当する場合、前記溶融池の対流状態が前記スパッタ発生モードから外れるように、前記レーザビームの照射条件を変更するステップと、を備えた、
    レーザ溶接制御方法。
  4. 前記溶融池のスパッタ発生状況を撮像するステップと、
    撮像された前記溶融池のスパッタ発生状況と、解析された前記溶融池の対流状態とを紐付けて記憶するステップと、を備え、
    紐付けて記憶された前記スパッタ発生状況と前記対流状態とに基づいて、前記スパッタ発生モードを予め定めておく、
    請求項3に記載のレーザ溶接制御方法。
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