JP7425947B1 - 細胞培養基材、細胞培養基材の製造方法、及びスフェロイドの製造方法 - Google Patents
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Landscapes
- Apparatus Associated With Microorganisms And Enzymes (AREA)
Abstract
Description
平面基材上にポリマー層を有する細胞培養基材であって、前記ポリマー層の表面における、大気中での算術平均粗さRaが0.8nm以下であり、水中での算術平均粗さRaが0.5~20.0nmである、細胞培養基材。
[2]
平面基材上にポリマー層を有する細胞培養基材であって、前記ポリマー層の表面における、大気中での算術平均粗さRaが0.8nm以下であり、水中での接触角が130度以上160度以下であり、式1で表される接触角ヒステリシスが20度以上である、細胞培養基材。
(式1)接触角ヒステリシス=(大気中での接触角)+(水中での接触角)-180(°)
[3]
ポリマー層の表面における、膜厚分布の標準偏差が40nm以下である、[1]又は[2]記載の細胞培養基材。
[4]
式2で表される算術平均粗さRaの差が0.5~20nmである、[1]~[3]いずれか記載の細胞培養基材。
(式2)算術平均粗さの差=(水中での算術平均粗さ)―(大気中での算術平均粗さ)(
nm)
[5]
ポリマー層の表面における水中での算術平均粗さRaが、前記ポリマー層の表面に水を接触させた直後及び24時間後においていずれも0.5~20.0nmである、[1]~[4]いずれか記載の細胞培養基材。
[6]
ポリマー層の表面における、SPMのフォースカーブ測定により評価した水中での弾性率が、0.01~10MPaである、[1]~[5]いずれか記載の細胞培養基材。
[7]
ポリマー層が、LogP(水/1-オクタノール分配係数)が0~10である疎水ユニット及び親水ユニットを有するコポリマーから形成される、[1]~[6]いずれか記載の細胞培養基材。
[8]
平面基材上にポリマー及び溶媒を含むコーティング剤をドロップキャストし、ポリマー層を形成する工程を含む、細胞培養基材の製造方法であって、前記細胞培養基材の前記ポリマー層の表面における、大気中での算術平均粗さRaが0.8nm未満であり、水中での算術平均粗さRaが0.5~20.0nmである、細胞培養基材の製造方法。
[9]
平面基材上にポリマー及び溶媒を含むコーティング剤をドロップキャストし、ポリマー層を形成する工程を含む、細胞培養基材の製造方法であって、前記細胞培養基材の前記ポリマー層の表面における、大気中での算術平均粗さRaが0.8nm未満であり、水中での接触角が130度以上160度以下であり、式1で表される接触角ヒステリシスが20度以上である、細胞培養基材の製造方法。
(式1)接触角ヒステリシス=(大気中での接触角)+(水中での接触角)―180(°)[10]
[1]又は[2]記載の細胞培養基材を用いて細胞を培養することにより、スフェロイドを形成する、スフェロイドの製造方法であって、前記スフェロイドが、直径50~250μmである、スフェロイドの製造方法。
[11]
式3で表わされる、ポリマー層の表面1cm2あたりのスフェロイドの形成指標が、0.2~1.4%である、[10]記載のスフェロイドの製造方法。
(式3)(ポリマー層の表面1cm2あたりのスフェロイドの形成指標)=[(スフェロイドの密度)÷(播種密度)]×100(%)
[12]
スフェロイドにおいて、Ki67の発現が陽性で、かつ、再播種72時間後の細胞増殖率が2倍以上である、[10]又は[11]記載のスフェロイドの製造方法。
[13]
スフェロイドにおいて、全体の細胞に対して内部の死細胞率が30%以下である、[10]~[12]いずれか記載のスフェロイドの製造方法。
[14]
スフェロイドを構成する細胞が、各種体細胞、癌細胞、体性幹細胞、胚性幹細胞、人工多能性幹細胞及びがん幹細胞からなる群から選ばれる少なくとも一種を含む、[10]~[13]いずれか記載のスフェロイドの製造方法。
[15]
[10]~[14]いずれか記載の細胞培養基材を具備する細胞培養容器。
本発明の細胞培養基材の一実施形態は、平面基材上にポリマー層を有する細胞培養基材であって、前記ポリマー層の表面における、大気中での算術平均粗さRaが0.8nm以下であり、水中での算術平均粗さRaが0.5~20.0nmである。
(式1)接触角ヒステリシス=(大気中での接触角)+(水中での接触角)-180(°)
平面基材とは、水平に静置することが可能な部材のことをいい、わずかな湾曲がある基材を除くものではないが、目視できる湾曲はないことが好ましい。また、平面基材の曲率半径は100mm以上であることがより好ましく、1000mm以上であることが更に好ましく、10000mm以上であることが特に好ましい。平面基材の形態は、成型体の一部、フィルム、不織布等であってよい。
平面基材の材質は特に限定されないが、セルロース、ポリオレフィン、ポリシクロオレフ
ィン、ポリエステル、無機ガラス、カーボン、シリコーン、AS樹脂(アクリロニトリル-スチレン共重合体)、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン樹脂、ポリ酢酸ビニル、ABS樹脂、ポリカーボネート樹脂、ビニルエーテル、ポリアセタール(POM)、ポリアミド、ポリフェニレンエーテル(PPE)、ポリアリールエーテル、ポリフェニレンスルファイド(PPS)、ポリスルホン(PS)、ポリエーテルサルフォン(PES)、ポリイミド(PI)、ポリアミド酸(PAA)、ポリアミドイミドアクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、ポリエーテルニトリル(PEN)樹脂等が挙げられ、樹脂であることが好ましく、中でもポリオレフィン、ポリシクロオレフィン、ポリスチレン樹脂がより好ましい。
本発明の細胞培養基材は、平面基材上にポリマー層を有する。
水中におけるポリマー層表面の安定性を維持したまま、スフェロイドを製造するための足場を構築するためには、大気中では平面基材/ポリマー層界面及びポリマー層/大気界面において、並びに、水中では基材/ポリマー層界面及びポリマー層/水界面において、ポリマーユニットの偏析制御が必要である。親水性ユニットと疎水性ユニットのバランスにより、基材側に偏析した疎水性ユニットがアンカー層としての役割を果たしながら、親水性ユニットは剥離することなく大気中及び水中で効率よく偏析することで、平均粗さRa及び接触角を一定の範囲内に制御しやすい。
ポリマー層の膜厚は、均一なポリマー層の形成とスフェロイドのサイズを過度に巨大化させないという観点から、10~500nmが好ましく、10~300nmがより好ましく、40~200nmが更に好ましい。
また、ポリマー層表面の膜厚の標準偏差は40nm以下であり、30nm以下であることが好ましく、20nm以下であることが更に好ましく、10nm以下であることが特に好ましい。
ポリマー層表面の大気中での算術平均粗さRaは、0.8nm以下であり、0.5nm以下であることが好ましく、0.3nm以下であることがより好ましい。大気中での算術平均粗さRaの上記範囲、及び上記膜厚の標準偏差は、ポリマー層表面のミクロ及びマクロな平滑性を担保するものであり、スフェロイドの製造における効率性、及び再現性を向上させるために重要である。平滑性が十分でなく、膜厚の標準偏差及び大気中での算術平均粗さRaが本発明の範囲を満たさない場合、細胞培養容器の一部でしかスフェロイドは形成されない。
(式2)算術平均粗さの差=(水中での算術平均粗さ)―(大気中での算術平均粗さ)(nm)
ポリマー層表面の水中接触角は、一実施形態においては130~160度であり、好ましくは140~155度であり、より好ましくは145~150度である。また、式1で表される接触角ヒステリシスは一実施形態においては20度以上であり、好ましくは30度以上である。
(式1)接触角ヒステリシス=(大気中での接触角)+(水中での接触角)―180(°)
ポリマー層表面における膜厚分布の標準偏差は、40nm以下であることが好ましく、35nm以下であることがより好ましく、30nm以下であることが更に好ましく、25nm以下であることが特に好ましい。膜厚分布の標準偏差が上記範囲であることにより、上記算術平均粗さと共にポリマー層表面の平滑性に寄与し、スフェロイドの製造における効率性、及び再現性を向上させる。
ポリマー層を形成するポリマーは、大気中及び水中における膜表面物性が上記特定の要件を満たすものであれば特に限定されない。ポリマー種としては例えば、アクリル系ポリマー、ビニル系ポリマー、ウレタン系ポリマー、エポキシ系ポリマー、ポリエステル、ポリアミドが挙げられ、モノマー種の選択幅や分子量制御の容易性、均一なポリマー層形成の簡便性の観点から、アクリル系ポリマーが好ましい。
ポリマー(A)は、親水ユニットとしてポリエチレンオキサイドを含む。ポリマー(A)は、水/1-オクタノール分配係数(LogPow:以下LogP)の平均値が0以上、2以下(以下、0~2)であるモノマーから形成されるアクリル系ポリマー部分(A1)とポリエチレンオキサイド(PEG)部分(A2)とを有することが好ましい。
れる。
また、mは、好ましくは15~200、より好ましくは20~100であり、nは、好ましくは3~50、より好ましくは4~30である。
なお、式(IB)又は(IC)の結合構造を有するポリマー(A)を得る際に、上述した「他の開始剤」も適宜併用することができる。また、連鎖移動剤も適宜使用できる。
次に、ポリマー(A)のアクリル系ポリマー部分(A1)の原料であるアクリル系モノマーについて説明する。なお、本発明において、アクリル系モノマーとは、アクリルモノマーとメタクリルモノマーの両方を意味する。
一方、LogPの平均値が2より高いアクリル系モノマーを用いて合成する場合、ポリマー(A)の水に対する溶解性は抑えられるものの、疎水性が高く、表面への親水部の偏析が阻害されて、請求範囲内の膜物性にならないため、スフェロイドを製造することができない。
LogPが0~2であり、官能基を有するモノマーとしては、カルボキシル基含有モノマ
ー、水酸基含有モノマー、エポキシ基含有モノマー、アミノ基含有モノマー、イソシアネート基含有モノマー等を使用することができる。
LogPが0~2の範囲外のモノマーの中で、架橋点となる官能基を有するモノマーとしては、例えば、マレイン酸等のカルボキシル基含有モノマー、4-ヒドロキシスチレン、N-ヒドロキシエチル(メタ)アクリルアミド等の水酸基含有モノマー等が挙げられる。
ポリマー(B)は、親水ユニットとして双性イオン構造を含む。双性イオン構造としては例えば、カルボキシベタイン、スルホベタイン等のベタイン構造やアミンオキシド基が挙げられる。ベタイン構造とは、正電荷と負電荷を同一分子内の隣り合わない位置に持ち、正電荷をもつ原子には解離しうる水素原子が結合していない構造を指す。
ベタイン構造を有するポリマー(BB)は下記一般式3~5で示される少なくともいずれかの構造単位を側鎖に有することが好ましい。
一般式3
一般式4
一般式5
(式中、R2は炭素数1~6のアルキレン基、R3、R4はそれぞれ独立して炭素数1~4のアルキル基、R5は炭素数1~4のアルキレン基、Xは酸素原子又はNH-、Yは-COO-又はSO3-、R7は水素原子又はメチル基、R8は炭素数1~6のアルキレン基又は炭素数1~6のヒドロキシアルキレン基、R10~R14のうち4つは、水素原子、炭素数1~6のアルキル基を表し、R10~R14のうちの1つはビニル系重合体の主鎖との結合位置を表し、R15は炭素数1~6のアルキレン基又は炭素数1~6のヒドロキシアルキレン基を表し、*はビニル系重合体の主鎖との結合位置を表す。)
(bb1)
一般式6
(bb2)
一般式7
(bb3)
一般式8
R1は水素原子又はメチル基、
R6は水素原子又はメチル基、
R9は水素原子又はメチル基、
R16~R20のうち4つは、水素原子、炭素数1~6のアルキル基を表し、R16~R20のうちの1つはCH2=C(R21)を表し、
R21は水素原子又はメチル基を表す。)
その他の記号は、化学式3~5と同様。)
モノマー(bb1)は、一般式6に示す通り、1分子中に1つのエチレン性不飽和基と、ベタイン構造とを有する。
このようなモノマーとしては、例えば、N-(メタ)アクリロイルオキシメチル-N,N-ジメチルアンモニウムメチル-A-カルボキシベタイン、N-(メタ)アクリロイルオキシエチル-N,N-ジメチルアンモニウムメチル-A-カルボキシベタイン、N-(メタ)アクリロイルオキシプロピル-N,N-ジメチルアンモニウムメチル-A-カルボキシベタイン、N-(メタ)アクリロイルオキシブチル-N,N-ジメチルアンモニウムメチル-A-カルボキシベタイン、N-(メタ)アクリロイルオキシメチル-N,N-ジエチルアンモニウムメチル-A-カルボキシベタイン、N-(メタ)アクリロイルオキシエチル-N,N-ジエチルアンモニウムメチル-A-カルボキシベタイン、N-(メタ)アクリロイルオキシプロピル-N,N-ジエチルアンモニウムメチル-A-カルボキシベタイン、N-(メタ)アクリロイルオキシブチル-N,N-ジエチルアンモニウムメチル-A-カルボキシベタイン、等のN-(メタ)アクリロイルオキシアルキル-N,N-ジアルキルアンモニウムアルキル-A-カルボキシベタイン;N-(メタ)アクリルアミドプロピル-N,N-ジメチルアンモニウムメチル-A-カルボキシベタイン、N-(メタ)アクリルアミドプロピル-N,N-ジエチルアンモニウムメチル-A-カルボキシベタイン、等のN-(メタ)アクリルアミドアルキル-N,N-ジアルキルアンモニウムアルキル-A-カルボキシベタイン;N-(メタ)アクリルアミドプロピル-N,N-ジメチルアンモニウムメチル-A-カルボキシベタイン、N-(メタ)アクリルアミドプロピル-N,N-ジエチルアンモニウムメチル-A-カルボキシベタイン、等のN-(メタ)アクリルアミドアルキル-N,N-ジアルキルアンモニウムアルキル-A-カルボキシベタイン;N-(メタ)アクリロイルオキシメチル-N,N-ジメチルアンモニウムメチル-A-スルホベタイン、N-(メタ)アクリロイルオキシメチル-N,N-ジメチルアンモニウムエチル-A-スルホベタイン、N-(メタ)アクリロイルオキシメチル-N,N-ジメチルアンモニウムプロピル-A-スルホベタイン、N-(メタ)アクリロイルオキシメチル-N,N-ジメチルアンモニウムブチル-A-スルホベタイン、N-(メタ)アクリロイルオキシエチル-N,N-ジメチルアンモニウムメチル-A-スルホベタイン、N-(メタ)アクリロイルオキシエチル-N,N-ジメチルアンモニウムエチル-A-スルホベタイン、N-(メタ)アクリロイルオキシエチル-N,N-ジメチルアンモニウムプロピル-A-スルホベタイン、N-(メタ)アクリロイルオキシエチル-N,N-ジメチルアンモニウムブチル-A-スルホベタイン、N-(メタ)アクリロイルオキシプピル-
N,N-ジメチルアンモニウムメチル-A-スルホベタイン、N-(メタ)クリロイルオキシプロピル-N,N-ジメチルアンモニウムエチル-A-スルホベタイン、N-(メタ)アクリロイルオキシプロピル-N,N-ジメチルアンモニウムプロピル-A-スルホベタイン、N-(メタ)アクリロイルオキシプロピル-N,N-ジメチルアンモニウムブチル-A-スルホベタイン、N-(メタ)クリロイルオキシブチル-N,N-ジメチルアンモニウムメチル-A-スルホベタイン、N-(メタ)アクリロイルオキシブチル-N,N-ジメチルアンモニウムエチル-A-スルホベタイン、N-(メタ)アクリロイルオキシブチル-N,N-ジメチルアンモニウムプロピル-A-スルホベタイン、N-(メタ)アクリロイルオキシブチル-N,N-ジメチルアンモニウムブチル-A-スルホベタイン、等のN-(メタ)アクリロイルオキシアルキル-N,N-ジメチルアンモニウムアルキル-A-スルホベタイン;N-(メタ)アクリロイルオキシメトキシメトキシ-N,N-ジメチルアンモニウムメチル-A-スルホベタイン、N-(メタ)アクリロイルオキシメトキシメトキシ-N,N-ジメチルアンモニウムエチル-A-スルホベタイン、N-(メタ)アクリロイルオキシメトキシメトキシ-N,N-メチルアンモニウムプロピル-A-スルホベタイン、N-(メタ)アクリロイルオキシメトキシメトキシ-N,N-ジメチルアンモニウムブチル-A-スルホベタイン、N-(メタ)アクリロイルオキシエトキシエトキシ-N,N-ジメチルアンモニウムメチル-A-スルホベタイン、N-(メタ)アクリロイルオキシエトキシエトキシ-N,N-ジメチルアンモニウムエチル-A-スルホベタイン、N-(メタ)アクリロイルオキシエトキシエトキシ-N,N-ジメチルアンモニウムプロピル-A-スルホベタイン、N-(メタ)アクリロイルオキシエトキシエトキシ-N,N-ジメチルアンモニウムブチル-A-スルホベタイン、N-(メタ)アクリロイルオキシプロポキシプロポキシ-N,N-ジメチルアンモニウムメチル-A-スルホベタイン、N-(メタ)アクリロイルオキシプロポキシプロポキシ-N,N-ジメチルアンモニウムエチル-A-スルホベタイン、N-(メタ)アクリロイルオキプロポキシプロポキシ-N,N-ジメチルアンモニウムプロピル-A-スルホベタイン、N-(メタ)アクリロイルオキシプロポキシプロポキシ-N,N-ジメチルアンモニウムブチル-A-スルホベタイン、N-(メタ)アクリロイルオキシブトキシブトキシ-N,N-ジメチルアンモニウムメチル-A-スルホベタイン、N-(メタ)アクリロイルオキシブトキシブトキシ-N,N-ジメチルアンモニウムエチル-A-スルホベタイン、N-(メタ)アクリロイルオキシブトキシブトキシ-N,N-ジメチルアンモニウムプロピル-A-スルホベタイン、N-(メタ)アクリロイルオキシブトキシブトキシ-N,N-ジメチルアンモニウムブチル-A-スルホベタイン、等のN-(メタ)アクリロイルオキシアルコキシアネルコキシ-N,N-ジメチルアンモニウムアルキル-A-スルホベタイン;N-(メタ)アクリルアミドプロピル-N,N-ジメチルアンモニウムプロピル-A-スルホベタイン、N-(メタ)アクリルアミドプロピル-N,N-ジメチルアンモニウムブチル-A-スルホベタイン等のN-(メタ)アクリルアミドアルキル-N,N-ジアルキルアンモニウムアルキル-A-スルホベタインが挙げられる。本発明において(メタ)アクリルと表記した場合、メタクリルもしくはアクリルであることを示す。
モノマー(bb2)も、一般式7に示す通り、1分子中に1つのエチレン性不飽和基と、ベタイン構造とを有する。このようなモノマーとしては、例えば、1-ビニル-3-(3-スルホプロピル)イミダゾリウム内部塩、1-ビニル-3-(3-スルホブチル)イミダゾリウム内部塩、1-ビニル-2-メチル-3-(3-スルホプロピル)イミダゾリウム内部塩、1-ビニル--メチル-3-(4-スルホブチル)イミダゾリウム内部塩等の1-ビニル-2-アルキル-3-(4-スルホアルキル)イミダゾリウム内部塩が挙げられる。
モノマー(bb3)も、一般式8に示す通り、1分子中に1つのエチレン性不飽和基と、ベタイン構造とを有する。このようなモノマーとしては、例えば、2-ビニル-1-(3-スルホプロピル)ピリジニウム内部塩、2-ビニル-1-(3-スルホブチル)ピリジニウム内部塩、等の2-ビニル-1-(3-スルホアルキル)ピリジニウム内部塩;4-ビニル-1-(3-スルホプロピル)ピリジニウム内部塩、4-ビニル-1-(3-スルホブチル)ピリジニウム内部塩、等の4-ビニル-1-(3-スルホアルキル)ピリジニウム内部塩が挙げられる。
ベタイン含有ポリマー(BB)を得る際に、モノマー(B1)~(B3)の他に、分配係数LogPが0~10であるモノマー(b1)を用いることができ、ポリマー(BB)は
、モノマー(b1)に基づく構造単位を含むことが好ましい。モノマー(b1)に基づく構造単位の導入により、極性が適切に制御され、水中での塗膜の安定性や細胞との疎水性相互作用が制御され、スフェロイドを効率的に形成しやすい足場を提供することができる。
ポリマー(BB)におけるベタイン構造の含有量は、好ましくは、2.00~8.00mmol/gであり、より好ましくは2.00~5.00mmol/gである。ポリマー(BB)のベタイン含有量が上記の範囲である場合、親水性に富むベタイン構造部分と疎水性に富む(メタ)アクリル系ポリマー部分のバランスにより、基材と細胞及び細胞同士の接着性を調整し、スフェロイドサイズが制御可能なため、内部壊死を防ぐことができる。加えて大気中では平面基材/ポリマー層界面及びポリマー層/大気界面において、並びに、水中では基材/ポリマー層界面及びポリマー層/水界面において、それぞれの界面エネルギーが低くなるように、ポリマーの各ユニット部分の偏析がおこるため、大気中及び水中における表面粗さ及び/又は接触角を調整することが可能である。
アミンオキシド基を有するポリマー(BA)におけるアミンオキシド基のイメージを下記一般式9にて示す。式中、R18、R19、R20は、それぞれ独立に有機基を表す。
一般式9
一般式10
一般式11
一般式12
(式中、Xは2価の結合基、又は直接結合、Yは0又は1、R1は炭素数1~6のアルキレン基、R2、R3はそれぞれ独立して炭素数1~4のアルキル基、R4は水素原子又はメチル基、R5~R9のうち4つは、水素原子又は炭素数1~6のアルキル基を表し、R5~R9のうちの1つはポリマーの主鎖との結合位置を表し、*はポリマーの主鎖との結合位置を表す。)
即ち、3級アミノ基含有不飽和モノマー(ba)をオキシド化した後に、他のモノマーと重合するか、あるいは3級アミノ基含有不飽和モノマー(ba)と他のモノマーとを重合した後にオキシド化する方法である。
オキシド化前の前駆体としての3級アミノ基含有不飽和モノマー(ba)のうち、一般式10の構造を形成するためものとしては、例えば、N,N-ジメチルアミノエチル(メタ)アクリレート、N,N-ジエチルアミノエチル(メタ)アクリレート、N,N-ジメチルアミノプロピル(メタ)アクリレート、N,N-ジエチルアミノプロピル(メタ)アクリレート、N,N-ジメチルアミノエチル(メタ)アクリルアミド、N,N-ジエチルアミノエチル(メタ)アクリルアミド、N,N-ジメチルアミノプロピル(メタ)アクリルアミド、N,N-ジエチルアミノプロピル(メタ)アクリルアミド、N,N-ジメチルアミノプロピオン酸ビニル、N,N-ジエチルアミノプロピオン酸ビニル、N,N-ジメチルアクリルアミド、N,N-ジメチルアリルアミン、P-ジメチルアミノメチルスチレン、P-ジメチルアミノエチルスチレン、P-ジエチルアミノメチルスチレン、P-ジエチルアミノエチルスチレン、N,N-ジメチルビニルアミン、N,N-ジエチルビニルアミン、N,N-ジフェニルビニルアミンが挙げられる。或いは、無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水シトラコン酸等の不飽和基含有酸無水物と、N,N-ジメチル-1,3-プロパンジアミン等との反応生成物、グリシジル(メタ)アクリレート等のエポキシ基含有不飽和化合物とN,N-ジメチル-1,3-プロパンジアミン等との反応生成物が挙げられる。
ポリマー(BA)を得る際に、前記モノマー(ba)の他に、1分子中に1つのエチレン性不飽和基と、炭素数1~22のアルキル基とを有するモノマー(B100)を用いることができる。モノマー(b1)に基づく構造の導入により極性等を調整することができる。これにより、培養面における、細胞に対する接着性を調整することができる。
重合前は3級アミノ基含有不飽和モノマー(ba)を含む溶液に、重合後は3級アミノ基含有不飽和モノマー(ba)を必須とするモノマーを重合したポリマーを含む溶液に、オキシド化剤を加えて20℃~100℃の範囲で0.1~100時間、好ましくは1~50時間反応させることによって、3級アミノ基をオキシド化することができる。
オキシド化剤としては、過酸化物又はオゾン等の酸化剤が用いられる。
過酸化物としては、過酸化水素、過硫酸アンモニウム、過硫酸ソーダ、過酢酸、メタクロロ過安息香酸、ベンゾイルパーオキシド、t-ブチルハイドロパーオキシド等が挙げられ、過酸化水素が好ましく、通常は水溶液の形で用いられる。程度の違いはあるが、過酸化物にはラジカル発生剤としての機能もあるため、3級アミノ基含有不飽和モノマー(ba)を必須の原料とする場合には、重合後にオキシド化することが好ましい。
で処理した後、使用することもできる。具体的には還元剤加処理、イオン交換処理、活性炭処理、金属触媒による処理等が挙げられる。得られたポリマー溶液はそのまま使用することもできるが、必要に応じて再沈殿、溶媒留去等の公知の方法でアミンオキシド基含有ポリマーを単離して使用することもできる。また、単離したアミンオキシド基含有ポリマーは、必要ならば再沈殿や、溶剤洗浄、膜分離、吸着処理等によってさらに精製できる。
本発明におけるポリマー(BA)におけるアミンオキシド基の含有量は、好ましくは、2.00~8.00mmol/gであり、より好ましくは2.00~5.00mmol/gである。アミンオキシド基の含有量が上記の範囲である場合、親水性に富むアミンオキシド部分と疎水性に富むアクリル系ポリマー部分のバランスにより、基材と細胞及び細胞同士の接着性を調整し、スフェロイドサイズが制御可能なため、内部壊死を防ぐことができる。加えて大気中では平面基材/ポリマー界面及びポリマー/大気界面において、並びに、水中では基材/ポリマー界面及びポリマー/水界面において、それぞれの界面エネルギーが低くなるように、ポリマーの各ユニット部分の偏析がおこるため、大気中及び水中の表面粗さ及び/又は接触角を調整することが可能である。
一方、3級アミノ基含有モノマーを必須とするモノマーを重合した後、得られたポリマーをオキシド化する場合は、アミンオキシド基含有量は下記式4によって算出できる。
(式4)
ポリマー(B)の重合には、ラジカル重合開始剤(以下、重合開始剤という)を使用することが好ましい。ラジカル重合を開始する能力を有するものであれば任意の開始剤、例えば公知の油溶性重合開始剤や水溶性重合開始剤を使用することができる。
これらは1種類又は2種類以上を混合して使用することができる。これら重合開始剤は、エチレン性不飽和モノマー100質量部に対して、0.1~10質量部の量を用いるのが好ましい。
ポリマー(C)は、水酸基を有する。ポリマー(C)は、構造単位(G)1molあたりに、1mol以上の水酸基を有することが好ましく、構造単位(G)1molあたりに、1mol以上の水酸基と、1molのアミド結合又はウレア結合とを有することがより好ましい。構造単位(G)の構造は、特に限定されず、用途に応じて任意に選択することができる。
アミド結合を有するものとしては、一般式13~16:
一般式13
一般式17
Rは、水素原子又は炭素数1~8のアルキル基を示し、
Yは、アミノ糖構造を示し、
**は、ポリマーの主鎖との結合位置を示す。
モノマー(c1)は水酸基を有するアクリル系モノマーである。例えば、2-ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2-ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、3-ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート等のアクリル酸またはメタクリル酸の炭素数2~4のヒドロキシアルキルエステル;ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリブチレングリコール等のポリエーテルポリオールと(メタ)アクリル酸等の不飽和カルボン酸とのモノエステル;グリシジル(メタ)アクリレート等を挙げることができる。これらのモノマーの中でも、アクリル酸またはメタクリル酸の炭素数2~4のヒドロキシアルキルエステルが好ましい。
モノマー(c2)は、例えば、カルボキシル基又はイソシアネート基を有するモノマー(cc1)と、アミノ糖類の(c’)とを反応させて得ることができる。カルボキシル基を有するモノマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸、(メタ)アクリル酸2-カルボキシエチル、あるいはエチレンオキサイドやプロピレンオキサイド等のアルキレンオキサイドの繰り返し付加した末端にカルボキシル基を導入するアルキレンオキサイド付加系コハク酸(メタ)アクリレート等が挙げられる。イソシアネート基を有するモノマーとしては、2-イソシアナトエチルアクリラート、2-イソシアナトエチルメタクリレートが挙げられる。モノマー(c2)の好ましい形態としては、下記の構造が挙げられる。
一般式19
一般式23
R及びR1は、水素原子又は炭素数1~8のアルキル基を示し、
Yは、アミノ糖構造を示す。
ポリマー(C)を得る際に、上記モノマー(c1)~(c2)以外の他のモノマーを用いることができる。他のモノマーを共重合することで、極性やTg、溶媒溶解性、ポリマー層の安定性等を制御することができる。
その他モノマーとしては、炭素数1~18のアルキル基を有するモノマー(c3)を用いることが、合成の容易さの観点から好ましい。より好ましくは、炭素数4~18のアルキル基を有するモノマーである。
さらに、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、プロピル(メタ)アクリレート等アルキル(メタ)アクリレート;イソボニル(メタ)アクリレート、メトキシエチル(メタ)アクリレート、エトキシエチル(メタ)アクリレート、プロポキシエチル(メタ)アクリレート、ブトキシエチル(メタ)アクリレート、エトキシプロピル(メタ)アクリレート等のアクリルエステル(メタ)アクリレート;フェニル(メタ)アクリレート、ベンジル(メタ)アクリレート、フェノキシエチル(メタ)アクリレート等の芳香族エステル(メタ)アクリレート;(メタ)アクリル酸アリル、(メタ)アクリル酸1-メチルアリル、(メタ)アクリル酸2-メチルアリル、(メタ)アクリル酸1-ブテ
ニル、(メタ)アクリル酸2-ブテニル、(メタ)アクリル酸3-ブテニル、(メタ)アクリル酸1,3-メチル-3-ブテニル、(メタ)アクリル酸2-クロルアリル、(メタ)アクリル酸3-クロルアリル、(メタ)アクリル酸O-アリルフェニル、(メタ)アクリル酸2-(アリルオキシ)エチル、(メタ)アクリル酸アリルラクチル、(メタ)アクリル酸シトロネリル、(メタ)アクリル酸ゲラニル、(メタ)アクリル酸ロジニル、(メタ)アクリル酸シンナミル、ジアリルマレエート、ジアリルイタコン酸、(メタ)アクリル酸ビニル、クロトン酸ビニル、オレイン酸ビニル、リノレン酸ビニル、(メタ)アクリル酸2-(2’-ビニロキシエトキシ)エチル等のエチレン性不飽和基含有(メタ)アクリル酸エステル類;パーフルオロメチルメチル(メタ)アクリレート、パーフルオロエチルメチル(メタ)アクリレート、2-パーフルオロブチルエチル(メタ)アクリレート、2-パーフルオロヘキシルエチル(メタ)アクリレート、2-パーフルオロオクチルエチル(メタ)アクリレート、2-パーフルオロイソノニルエチル(メタ)アクリレート、2-パーフルオロノニルエチル(メタ)アクリレート、2-パーフルオロデシルエチル(メタ)アクリレート、パーフルオロプロピルプロピル(メタ)アクリレート、パーフルオロオクチルプロピル(メタ)アクリレート、パーフルオロオクチルアミル(メタ)アクリレート、パーフルオロオクチルウンデシル(メタ)アクリレート等の炭素数1~20のパーフルオロアルキル基を有するパーフルオロアルキル基含有エチレン性不飽和モノマー等の(メタ)アクリレート系モノマー;2-ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2-ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、4-ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、2-(メタ)アクリロイロキシエチル-2-ヒドロキシエチルフタル酸、グリセロールモノ(メタ)アクリレート、4-ヒドロキシビニルベンゼン、1-エチニル-1-シクロヘキサノール、アリルアルコール、グリセリンモノ(メタ)アクリレート等の3つ以下の水酸基を有するモノマー;マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、シトラコン酸、又は、これらのアルキル若しくはアルケニルモノエステル、フタル酸Β-(メタ)アクリロキシエチルモノエステル、イソフタル酸Β-(メタ)アクリロキシエチルモノエステル、テレフタル酸Β-(メタ)アクリロキシエチルモノエステル、コハク酸Β-(メタ)アクリロキシエチルモノエステル、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、ケイ皮酸等のカルボン酸基、若しくはその無水物を有するモノマー;ビニルスルホン酸、スチレンスルホン酸等のスルホン酸基を有するモノマー;(2-ヒドロキシエチル)メタクリレートアシッドホスフェート等のリン酸基を有するモノマー;(メタ)アクリルアミド、N-ビニル-2-ピロリドン、N-メトキシメチル-(メタ)アクリルアミド、N-エトキシメチル-(メタ)アクリルアミド、N-プロポキシメチル-(メタ)アクリルアミド、N-ブトキシメチル-(メタ)アクリルアミド、N-ペントキシメチル-(メタ)アクリルアミド、N,N-ジ(メトキシメチル)アクリルアミド、N-エトキシメチル-N-メトキシメチルメタアクリルアミド、N,N-ジ(エトキシメチル)アクリルアミド、N-エトキシメチル-N-プロポキシメチルメタアクリルアミド、N,N-ジ(プロポキシメチル)アクリルアミド、N-ブトキシメチル-N-(プロポキシメチル)メタアクリルアミド、N,N-ジ(ブトキシメチル)アクリルアミド、N-ブトキシメチル-N-(メトキシメチル)メタアクリルアミド、N,N-ジ(ペントキシメチル)アクリルアミド、N-メトキシメチル-N-(ペントキシメチル)メタアクリルアミド、N,N-ジメチルアミノプロピルアクリルアミド、N,N-ジエチルアミノプロピルアクリルアミド、N,N-ジメチルアクリルアミド、N,N-ジエチルアクリルアミド、ダイアセトン(メタ)アクリルアミド等の1~3級アミド基を有するモノマー;(メタ)アクリル酸ジメチルアミノエチルメチルクロライド塩、トリメチル-3-(1-(メタ)アクリルアミド-1,1-ジメチルプロピル)アンモニウムクロライド、トリメチル-3-(1-(メタ)アクリルアミドプロピル)アンモニウムクロライド、及びトリメチル-3-(1-(メタ)アクリルアミド-1,1-ジメチルエチル)アンモニウムクロライド等の4級アミノ基を有するモノマー;ポリエチレングリコール(メタ)アクリレート、メトキシポリエチレングリコール(メタ)アクリレート、エトキシポリエチレングリコール(メタ)アクリレート、プロポキシポリエチレングリコール(メタ)アクリレート、N-ブトキシポリエチレングリコール(メタ)
アクリレート、N-ペンタキシポリエチレングリコール(メタ)アクリレート、フェノキシポリエチレングリコール(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコール(メタ)アクリレート、メトキシポリプロピレングリコール(メタ)アクリレート、エトキシポリプロピレングリコール(メタ)アクリレート、プロポキシポリプロピレングリコール(メタ)アクリレート、N-ブトキシポリプロピレングリコール(メタ)アクリレート、N-ペンタキシポリプロピレングリコール(メタ)アクリレート、フェノキシポリプロピレングリコール(メタ)アクリレート、ポリテトラメチレングリコール(メタ)アクリレート、メトキシポリテトラメチレングリコール(メタ)アクリレート、フェノキシテトラエチレングリコール(メタ)アクリレート、ヘキサエチレングリコール(メタ)アクリレート、メトキシヘキサエチレングリコール(メタ)アクリレート等のポリエーテル鎖を有するモノマー;ラクトン変性(メタ)アクリレート等のポリエステル鎖を有するエチレン性不飽和化合物等の側鎖に高分子構造を有する(メタ)アクリレート系モノマー;スチレン、A-メチルスチレン、2-メチルスチレン、クロロスチレン、アリルベンゼン、エチニルベンゼン等の芳香族ビニルモノマー;(メタ)アクリロニトリル等のニトリル基含有エチレン性不飽和モノマー;酢酸ビニル、酪酸ビニル、プロピオン酸ビニル、ヘキサン酸ビニル、カプリル酸ビニル、ラウリル酸ビニル、パルミチン酸ビニル、ステアリン酸ビニル等の脂肪酸ビニル系化合物;ブチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル等のビニルエーテル系エチレン性不飽和モノマー;酢酸アリル、シアン化アリル等のアリルモノマー;シアン化ビニル、ビニルシクロヘキサン、ビニルメチルケトン等のビニルモノマー;アセチレン、エチニルトルエン等のエチニルモノマーパーフルオロブチルエチレン、パーフルオロヘキシルエチレン、パーフルオロオクチルエチレン、パーフルオロデシルエチレン等のパーフルオロアルキル、アルキレン類等のパーフルオロアルキル基含有エチレン性不飽和化合物等の、(メタ)アクリレートではないエチレン性不飽和結合を有するモノマーが挙げられる。
ポリマー(C)の水酸基含有量は、15.00mmol/g未満であることが好ましく、3.00mmol/g以上、15.00mmol/g未満であることがより好ましい。
ポリマー(C)の水酸基含有量が上記の範囲である場合、親水性に富む部分と疎水性に富む(メタ)アクリル系ポリマー部分のバランスにより、基材と細胞及び細胞同士の接着性を調整し、スフェロイドサイズが制御可能なため、内部壊死を防ぐことができる。加えて、大気中では平面基材/ポリマー層界面及びポリマー層/大気界面において、並びに、水中では基材/ポリマー層界面及びポリマー層/水界面において、それぞれの界面エネルギーが低くなるように、ポリマーの各ユニット部分の偏析がおこるため、大気中及び水中の表面粗さ及び/又は接触角を調整することが可能である。その結果、培養面への細胞の接着を抑制でき、ポリマーの基材への密着性、及びスフェロイドの形成性を両立することができる。
ポリマー(C)中の水酸基含有量は、具体的には、下記式5によって算出できる。
水酸基含有量(mmol/g)=[{モノマー(c1)又はモノマーc2の質量(g)/モノマー(c1)又はモノマー(c2)の分子量(g/mol)}/ポリマー(C)の質量(g)]×構造単位Gあたりの水酸基数×1000
ポリマー(C)の重合においては、ラジカル重合開始剤(以下、重合開始剤という)を使用することが好ましい。重合開始剤としては、上記ポリマー(B)の説明における[重合開始剤]の欄で挙げたものを援用できる。
本発明の細胞培養基材の製造方法は特に限定されないが、ポリマーを含むコーティング剤を平面基材上にコーティングし、ポリマー層を形成する工程を含むことが好ましい。コーティング剤は、ポリマー、溶媒、及び、任意に架橋剤を含むことが好ましい。ポリマーの含有量は、コーティング剤の総質量中0.1~10質量%が好ましく、0.5~2.0質量%がより好ましい。この範囲であると、塗液の粘度が適切でハンドリング性がよく、形成された膜の膜厚及び均一性が良好となり、培地中での膜安定性も良好なポリマー層を形成することが容易となる。
コーティング剤に用いられる溶媒は、コーティングによりポリマー層を形成可能なものであり、かつ平面基材を浸食しないものであれば特に限定されないが、水、メタノール、エタノール、イソプロパノール、アセトン、メチルエチルケトン(MEK)、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等の溶媒、又はこれらのいずれか二種以上の混合溶媒等が挙げられ、均一なポリマー層形成の観点から、水、メタノール、エタノール、イソプロパノールからなる群より選ばれる一種以上であることが好ましい。また、コーティング剤の基材への濡れ性の観点から、混合溶媒のうち、より高表面張力の溶媒の含有率は、溶媒の総量中5~30質量%であることが好ましい。
コーティング方法は、特に限定されず、スピンコート;ドロップキャスト;ディップコート;刷毛、ローラ、スプレー、塗工機による塗工;等の方法が挙げられる。大気中及び水中での、算術平均粗さRa及び/又は接触角を所望の範囲に調整しやすい観点、及び後述の通り大量培養にも適用できる観点から、ドロップキャストが好ましい。
ドロップキャスト法とは、良溶媒で溶解した樹脂溶液を、平面基材に所定量滴下し、静置したまま溶剤を揮発させることで、基材上にポリマー層を簡便に形成させる手法である。特殊な装置は不要であり、樹脂溶液を保持することができる壁面があれば、塗工担体も特に制限されない方法である。そのため、塗工担体の種類やサイズに制限のある、一般的なスピンコート法と比較して、培養基材のポリマー層の大面積化が可能である。その結果、一度で培養できるスフェロイド数がポリマー層の面積に比例して向上するため、スフェロイドの大量製造が可能である。
本発明の細胞培養基材は、滅菌処理を行ってもよい。滅菌方法は特に限定されないが、高圧蒸気滅菌、エチレンオキサイドガス滅菌、ガンマ線滅菌や電子線滅菌等の放射線滅菌等が挙げられ、ガンマ線滅菌、又は電子線滅菌が好ましく、大量生産を行う場合は放射線透過性の点でガンマ線滅菌が特に好ましい。
本発明の細胞培養基材、又は本発明の細胞培養容器を具備する細胞培養容器によって細胞を培養することにより、スフェロイドを製造することができる。また、MCF-7(ヒト乳腺癌細胞)を初めとする細胞間の相互作用が弱くスフェロイド化しにくい細胞においても、基材-細胞間の相互作用を調整することにより活性の高い細胞を大量に製造することが可能である。
(式3)(ポリマー層の表面1cm2あたりのスフェロイドの形成指標)=[(スフェロイドの密度)÷(播種密度)]×100(%)
ポリマー(A)、(B)、及び(C)の質量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)によって標準ポリスチレン換算で計測した値を採用した。測定装置及び測定条件としては、下記条件1によることを基本とし、試料の溶解性等により条件2とした。ただし、重合体種によっては、さらに適宜適切なキャリア(溶離液)及びそれに適合したカラムを選定した。その他の事項については、JISK7252-1~4:2008に基づいた。なお、難溶の高分子化合物については下記条件の下、溶解可能な濃度で測定した。
また、ポリマー(B)の分子量測定が困難な場合は、アミンオキシド前駆体ポリマーの質量平均分子量をポリマー(B)の質量平均分子量とした。アミンオキシド前駆体ポリマーの質量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)によって標準ポリスチレン換算で計測した値を採用し、測定装置及び測定条件としては、下記条件3によった。
(条件1)
カラム:TOSOHTSKgelSuperHZM-H、
TOSOHTSKgelSuperHZ4000 及び
TOSOHTSKgelSuperHZ2000を連結したもの。
キャリア:テトラヒドロフラン
測定温度:40℃
キャリア流量:1.0mL/min
試料濃度:0.1質量%
検出器:RI(屈折率)検出器
注入量:0.1mL
(条件2)
カラム:TOSOHTSKgelSuperAWM-Hを2本連結したもの。
キャリア:10mMLiBr/N,N-ジメチルホルムアミド
測定温度:40℃
キャリア流量:1.0mL/min
試料濃度:0.1質量%
検出器:RI(屈折率)検出器
注入量:0.1mL
(条件3)
カラム:TOSOHTSKgelSuperAW4000、
TOSOHTSKgelSuperAW3000 及び
TOSOHTSKgelSuperAW2500を連結したもの。
キャリア:N,N-ジメチルホルムアミド(1L)、トリエチルアミン(3.04g)、LiBr(0.87g)の混合液
測定温度:40℃
キャリア流量:0.6mL/min
[製造例1-1]
ポリマー(A-1)
温度計、撹拌機、窒素導入管、還流冷却器、滴下管を備えた反応容器に、窒素気流下、有機溶媒としてMEK50部を仕込み、撹拌下80℃で30分加熱した。滴下管にモノマーとしてメトキシエチルアクリレートを50部、重合開始剤としてVPE0201(富士フイルム和光純薬株式会社:マクロアゾ開始剤)0.05部を仕込み、2時間かけて滴下した。滴下終了後5時間熟成させ、室温に冷却し反応を停止し、真空ポンプでエチルメチルケトン(MEK)を完全に揮発させた後、ポリマー(A-1)を得た。得られたポリマー(A-1)のMwは22.3万、PEGの割合は0.1質量%、モノマーの平均LogPは0.48であった。
ポリマー(A-2~18)
表1に示す組成に変更した以外は、製造例1-1と同様にして、ポリマー(A-2~18)を得た。
MEA:メトキシエチルアクリレート、LogP=0.48
THFA:テトラヒドロフルフリルアクリレート、LogP=0.78
ISTA:イソステアリルアクリレート、LogP=6.00
ST:スチレン、LogP=2.70
GLM:グリセリンモノメタクリレート、
BA:ブチルアクリレート、LogP=1.88
ADE200:ポリエチレングリコールジアクリレート
[製造例1-15]
ポリマー(B-1)
攪拌器、温度計、滴下ロート、還流器を備えた反応容器に、酢酸エチル100部を仕込み、内温を75℃に昇温し十分に窒素置換した。別途用意しておいた、2,2’-アゾジイソブチロニトリルを0.69部、モノマー(b2)としてN,N-ジメチルアミノエチルメタクリレートを300部、モノマー(b1)としてメタクリル酸ブチルを100部、混合したものを、内温を75℃に保ちながら3時間滴下を続け、さらに5時間撹拌を続けた。固形分測定によって転化率が98%超えたことを確認後、冷却して3級アミノ基を有するアミンオキシドポリマー前駆体の溶液を得た。
ポリマー(B-2~7、B-10、11)
表2に示す組成に変更した以外は、製造例1-15と同様にして、ポリマー(B-2~7、B-10、11)を得た。
(B-8、9)
表2に示す組成に変更した以外は、製造例1-15の、ポリマー(B-1)の前駆体を得る操作と同様にして、ポリマー(B-8、9)を得た。
DMAEMA:N,N-ジメチルアミノエチルメタクリレート
DMAPAA:N,N-ジメチルアミノプロピルアクリルアミド
VP:2-ビニルピリジン
VI:1-ビニルイミダゾール
BMA:メタクリル酸ブチル
MEA:2-メトキシエチルアクリレート
ST:スチレン
ISTA:イソステアリルクリレート
VMA-70ベヘニルアクリレート:
DMBS:N-メタクリロイルオキシエチル-N,N-ジメチルアンモニウムブチル-A-スルホベタイン
DMMC:N-メタクリロイルオキシエチル-N,N-ジメチルアンモニウムメチル-A-カルボベタイン
[製造例1-24]
攪拌機、窒素導入管、滴下管を備えた反応容器に、窒素気流下、有機溶媒としてトルエン40部仕込み、撹拌下80℃で30分加熱した。滴下管にモノマー(cc1)として2-イソシアナトエチルメタクリレート43部、モノマー(c3)としてメタクリル酸ブチルを20部、重合開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルを0.6部仕込み、2時間かけて滴下した。滴下終了後8時間熟成した。その後、室温に冷却し反応を停止した。
次に、化合物(c’)としてD-グルカミン43部及びエタノール40部を加え、室温で5時間反応させた。その後、ダイヤフラムポンプで溶剤を除去し、ポリマー(C-1)を得た。
(C-2、3、6)
表3に示す組成に変更した以外は、製造例1-24と同様にして、水酸基を含むポリマーC-2、3、6を得た。
(C-4)
攪拌機、窒素導入管、滴下管を備えた反応容器に、窒素気流下、有機溶媒としてDMF75部仕込み、撹拌下80℃で30分加熱した。滴下管にモノマー(c1)として2-ヒドロキシエチルメタクリレート100部、モノマー(c3)としてメタクリル酸ブチルを20部、重合開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルを0.6部仕込み、2時間かけて滴下した。滴下終了後8時間熟成した。その後、室温に冷却し反応を停止した。その後、ダイヤフラムポンプで溶剤を除去し、ポリマー(C-4)を得た。
(C-5)
表3に示す組成に変更した以外は、製造例1-27と同様にして、水酸基を含むポリマー(C-5)を得た。
MOI:2-イソシアナトエチルメタクリレート
AOI:2-イソシアナトエチルアクリラート
BMA:メタクリル酸ブチル
MEA:2-メトキシエチルアクリレート
HEMA:2-ヒドロキシエチルメタクリレート
[実施例1-1]
上記で得たポリマー(A-1)を、IPA/水=90/10質量部からなる混合溶媒で1質量%に希釈し、コーティング液(P-1)を調製した。
表4に示すポリマー及びポリマーの質量部に変更した以外は、実施例1-1と同様にして、コーティング液(P-2~37)を調製した。
(ポリマーのコーティング)
[実施例1-1]
直径35mmの細胞培養用ポリスチレンディッシュ(AGCテクノグラス株式会社)の底面に、上記で得たポリマーコーティング溶液(P-1)を、マイクロピペッターで200μL滴下し、25℃、RH=50%環境下で24時間乾燥させ、ドロップキャスト法によって、コーティング剤で底面が被覆された細胞培養基材を得た。
表4、5に示すポリマーコーティング液及びコーティング液濃度、ディッシュ直径に変更した以外は、実施例1-1と同様にして細胞培養基材を得た。
直径35mmの未処理ポリスチレンディッシュ(Asnol、アズワン株式会社)にポリマーコーティング溶液(P-2)を500μL滴下し、スピンコーター(ミカサ株式会社)を用いて、3000rpmで30秒間スピンコートした。その後、25℃環境下で24時間乾燥させ、スピンコート法によって、コーティング剤で底面が被覆された細胞培養基材を得た。
[比較例1-6]
直径35mmの細胞培養用ポリスチレンディッシュ(AGCテクノグラス株式会社)にポリマーコーティング溶液(P-2)を500μL滴下し、スピンコーター(ミカサ株式会社)を用いて、3000rpmで30秒間スピンコートした。その後、25℃環境下で24時間乾燥させ、スピンコート法によって、コーティング剤で底面が被覆された細胞培養基材を得た。
スフェロイド形成用シャーレPrime surface MS-90350(住友ベークライト)を用いた。
ポリマー未塗工の細胞培養用ポリスチレンディッシュ(AGCテクノグラス株式会社)を用いた。
U字底96ウェルプレートに、ポリマーコーティング液(P-5)を各ウェルに約0.5mLずつ注入した。これを吸引排出した後、50℃で3時間乾燥させることにより、コーティング剤で内面が被覆された細胞培養基材を得た。
[実施例1-1~30、比較例1-1~16]
上記で得た細胞培養基材を、透明フィルムで脱気包装し、ガンマ線照射(25kGy、コーガアイソトープ社)をすることで細胞培養基材に滅菌を施した。
(大気中での算術平均粗さ)
[実施例1-1~30、比較例1-1~9、1-11~16]
上記で得た細胞培養基材の壁面をプラスチックカッターで切削除去し、残った底面のポリマー層表面について、走査型プローブ顕微鏡(MFP-3D、オックスフォード・インストゥルメンツ株式会社)を用いて走査した。カンチレバーはAC-240TS-R3(ばね定数:2N/m)をホルダーにセットして、カンチレバーの共振周波数付近でチューニングを行なった後、表面を走査した。
・Scanarea:25μm×25μm
・Target Amplitude:4.0V
・Setpoint:2.0V
[実施例1-1~30、比較例1-1~9、1―11~16]
上記で得た細胞培養基材の壁面をプラスチックカッターで切削除去した後、残った底面のポリマー層表面をサンプルとした。100μLの精製水をサンプル上にこぼれないように滴下し、サンプル台に設置した。その後、走査型プローブ顕微鏡で表面を走査した。カンチレバーはBL-AC40-TS(ばね定数:0.09N/m)をホルダーにセットして、カンチレバーの共振周波数付近でチューニングを行なった後、表面を走査した。また、同様に作製したサンプルのポリマー層表面を24時間精製水に浸漬させた後、走査型プローブ顕微鏡を用いて同様の走査条件で表面を走査した。
・Scanarea:25μm×25μm
・Target Amplitude:4.0V
・Setpoint:2.0V
[実施例1-1~30、比較例1-1~9、1-11~16]
SPM画像解析ソフト(IGOR PRO 6、HULINKS INC.)を用いて、上記走査により得られた走査画像にFlatten処理を行なった後、走査画像全体の算術平均粗さRa(nm)を評価した。結果を表4、5に示す。
[実施例1-1~30、比較例1-1~9、1-11~16]
上記で得た細胞培養基材の壁面をプラスチックカッターで切削除去し、残った底面のポリマー層表面をサンプルとした。接触角計(DMS―401、協和界面科学株式会社)を用いて、水滴2μLを各サンプル上に5点滴下し、滴下から60秒後の接触角をθ/2法でカーブフィッティングすることで平均値を算出した。結果を表4、5に示す。
[実施例1-1~30、比較例1-1~9、1-11~16]
上記で得た細胞培養基材の壁面をプラスチックカッターで切削除去し、残った底面のポリ
マー層表面をサンプルとした。各サンプルにつき、三態系キットを用いて、水中(精製水)で2μLの気泡を基材表面に付着させ、60秒後の接触角を楕円フィッティング法でフィッティングすることで各5点の平均値を算出した。さらに、上記の大気中での接触角の値と水中接触角の値を以下の式1に代入することでヒステリシスを算出した。結果を表4、5に示す。
(式1)接触角ヒステリシス=(大気中での接触角)+(水中での接触角)―180(°)
[実施例1-1~30、比較例1-1~9、1-11~16]
上記で得た細胞培養基材の壁面をプラスチックカッターで切削除去した後、残った底面のポリマー層表面をサンプルとした。100μLの精製水の液滴をサンプル上にこぼれないように滴下し、サンプル台に設置した。その後、走査型プローブ顕微鏡でフォースカーブを測定することで、水中での弾性率を測定した。カンチレバーとしてNT_B500_V0030(ばね定数:0.2N/m)をホルダーにセットして、ばね定数のキャリブレーションを行なった後、弾性率を測定した。
・Scanarea:25μm×25μm
・Velocity:2.0μ/s
・Setpoint:1.0nN
・Scanpoint:16×16
[実施例1-1~30、比較例1-1~9、1-11~16]
SPM画像解析ソフト(IGOR PRO 6、HULINKS INC.)を用いて、上記測定で得られたフォースカーブのRetract CurveをJKRモデルでフィッティングすることで水中での弾性率を算出した。結果を表4、5に示す。
[実施例1-1~30、比較例1-1~9、1-11~16]
上記で得た細胞培養基材の壁面をプラスチックカッターで切削除去したサンプルにつき、エリプソメトリー(ALPHA-SE、ジェー・エー・ウーラムジャパン製(株))を用いて、以下の手順でディッシュ面内の膜厚の標準偏差を測定した。
測定するサンプルの射出成型の方向を揃えた後、ディッシュの中心を通る端部から端部まで0.5cmピッチの7点を、方向を変更して同様に繰り返し5回測定し、計35点の測定値から膜厚の標準偏差を算出した。結果を表4、5に示す。
<使用細胞>
(UCMSC)
UCMSC(ヒト臍帯マトリックス由来間葉系幹細胞;タカラバイオ社)1mLを37℃温水浴にて解凍した後、15mL遠心管中の5mLのDMEM-low glucose(10%FBS+1%PS入り)培地に加えた。その後、遠心分離を3分行ない、上清をアスピレートし、ペレットをタッピングした後、DMEM培地を5mL加えて細胞懸濁液を調製した。調製した細胞懸濁液を、5mLのDMEM培地が入ったAGCテクノグラス製のφ100mmのIWAKI接着処理ディッシュに添加し、細胞を播種した。
37℃、5%CO2にて、インキュベーターで3日培養した。培養3日目、1mLのトリプシンEDTA溶液を加え、37℃、CO2濃度5%で5分間静置し、接着細胞をディッシュから剥離し、DMEM培地10mLで細胞を回収した後、5.0×104cells/mLの細胞懸濁液を調製し、細胞解凍時と同様の操作で接着ディッシュに播種し、これを繰り返すことで継代を行なった。2継代目の細胞(パッセージ数:5)を評価に使用した。
BMSC(ヒト骨髄由来間葉系幹細胞)1mLを7℃温水浴にて解凍した後、15mL遠心管中の5mLのDMEM-low glucose(10%FBS+1%PS入り)培地に加えた。その後、遠心分離を3分行ない、上清をアスピレートし、ペレットをタッピングした後、DMEM培地を5mL加えて細胞懸濁液を調製した。調製した細胞懸濁液を、5mLのDMEM培地が入ったAGCテクノグラス製のφ100mmのIWAKI接着処理ディッシュに添加し、細胞を播種した。
37℃、5%CO2にて、インキュベーターで3日培養した。培養3日目、1mLのトリプシンEDTA溶液を加え、37℃、CO2濃度5%で5分間静置し、接着細胞をディッシュから剥離し、DMEM培地10mLで細胞を回収した後、5.0×104cells/mLの細胞懸濁液を調製し、細胞解凍時と同様の操作で接着ディッシュに播種し、これを繰り返すことで継代を行なった。パッセージ数36を評価に使用した。
HuH7(ヒト肝がん由来細胞株)1mLを37℃温水浴にて解凍した後、15mL遠心管中の5mLのDMEM-low glucose(10%FBS+1%PS入り)培地に加えた。その後、遠心分離を3分行ない、上清をアスピレートし、ペレットをタッピングした後、DMEM培地を5mL加えて細胞懸濁液を調製した。調製した細胞懸濁液を、5mLのDMEM培地が入ったAGCテクノグラス製のφ100mmのIWAKI接着処理ディッシュに添加し、細胞を播種した。
37℃、5%CO2にて、インキュベーターで3日培養した。培養3日目、1mLのトリプシンEDTA溶液を加え、37℃、CO2濃度5%で5分間静置し、接着細胞をディッシュから剥離し、DMEM培地10mLで細胞を回収した後、5.0×104cells/mLの細胞懸濁液を調製し、細胞解凍時と同様の操作で接着ディッシュに播種し、これを繰り返すことで継代を行なった。パッセージ数58を評価に使用した。
HepG2(ヒト肝がん由来細胞株)1mLを37℃温水浴にて解凍した後、15mL遠心管中の5mLのDMEM-low glucose(10%FBS+1%PS入り)培地に加えた。その後、遠心分離を3分行ない、上清をアスピレートし、ペレットをタッピングした後、DMEM培地を5mL加えて細胞懸濁液を調製した。調製した細胞懸濁液を、5mLのDMEM培地が入ったAGCテクノグラス製のφ100mmのIWAKI接着処理ディッシュに添加し、細胞を播種した。
37℃、5%CO2にて、インキュベーターで3日培養した。培養3日目、1mLのトリプシンEDTA溶液を加え、37℃、CO2濃度5%で5分間静置し、接着細胞をディッシュから剥離し、DMEM培地10mLで細胞を回収した後、5.0×104cells/mLの細胞懸濁液を調製し、細胞解凍時と同様の操作で接着ディッシュに播種し、これを繰り返すことで継代を行なった。パッセージ数18を評価に使用した。
C2C12(マウス筋芽細胞株)1mLを37℃温水浴にて解凍した後、15mL遠心管中の5mLのDMEM-high glucose(10%FBS+1%PS入り)培地に加えた。その後、遠心分離を3分行ない、上清をアスピレートし、ペレットをタッピングした後、DMEM培地を5mL加えて細胞懸濁液を調製した。調製した細胞懸濁液を、5mLのDMEM培地が入ったAGCテクノグラス製のφ100mmのIWAKI接着処理ディッシュに添加し、細胞を播種した。
37℃、5%CO2にて、インキュベーターで3日培養した。培養3日目、1mLのトリプシンEDTA溶液を加え、37℃、CO2濃度5%で5分間静置し、接着細胞をディッシュから剥離し、DMEM培地10mLで細胞を回収した後、5.0×104cells/mLの細胞懸濁液を調製し、細胞解凍時と同様の操作で接着ディッシュに播種し、これを繰り返すことで継代を行なった。パッセージ数20を評価に使用した。
NIH3T3(マウス線維芽細胞株)1mLを37℃温水浴にて解凍した後、15mL遠心管中の5mLのDMEM-low glucose(10%FBS+1%PS入り)培地に加えた。その後、遠心分離を3分行ない、上清をアスピレートし、ペレットをタッピングした後、DMEM培地を5mL加えて細胞懸濁液を調製した。調製した細胞懸濁液を、5mLのDMEM培地が入ったAGCテクノグラス製のφ100mmのIWAKI接着処理ディッシュに添加し、細胞を播種した。
37℃、5%CO2にて、インキュベーターで3日培養した。培養3日目、1mLのトリプシンEDTA溶液を加え、37℃、CO2濃度5%で5分間静置し、接着細胞をディッシュから剥離し、DMEM培地10mLで細胞を回収した後、5.0×104cells/mLの細胞懸濁液を調製し、細胞解凍時と同様の操作で接着ディッシュに播種し、これを繰り返すことで継代を行なった。パッセージ数15を評価に使用した。
HUVEC(ヒト臍帯静脈内皮細胞)1mLを37℃温水浴にて解凍した後、15mL遠心管中の5mLの内皮細胞増殖培地2(タカラバイオ社)に加えた。その後、遠心分離を3分行ない、上清をアスピレートし、ペレットをタッピングした後、DMEM培地を5mL加えて細胞懸濁液を調製した。調製した細胞懸濁液を、5mLの内皮細胞増殖培地が入ったAGCテクノグラス製のφ100mmのIWAKI接着処理ディッシュに添加し、細胞を播種した。
37℃、5%CO2にて、インキュベーターで3日培養した。培養3日目、1mLのトリプシンEDTA溶液を加え、37℃、CO2濃度5%で5分間静置し、接着細胞をディッシュから剥離し、DMEM培地10mLで細胞を回収した後、5.0×104cells/mLの細胞懸濁液を調製し、細胞解凍時と同様の操作で接着ディッシュに播種し、これを繰り返すことで継代を行なった。パッセージ数7を評価に使用した。
MCF-7(ヒト乳腺癌細胞)1mLを37℃温水浴にて解凍した後、15mL遠心管中の5mLのEMEM培地(10%FBS+1%PS入り)に加えた。その後、遠心分離を3分行ない、上清をアスピレートし、ペレットをタッピングした後、DMEM培地を5mL加えて細胞懸濁液を調製した。調製した細胞懸濁液を、5mLのDMEM-low glucose(10%FBS+1%PS入り)が入ったAGCテクノグラス製のφ100mmのIWAKI接着処理ディッシュに添加し、細胞を播種した。
37℃、5%CO2にて、インキュベーターで3日培養した。培養3日目、1mLのトリプシンEDTA溶液を加え、37℃、CO2濃度5%で5分間静置し、接着細胞をディッシュから剥離し、DMEM培地10mLで細胞を回収した後、5.0×104cells/mLの細胞懸濁液を調製し、細胞解凍時と同様の操作で接着ディッシュに播種し、これを繰り返すことで継代を行なった。パッセージ数35を評価に使用した。
[実施例2-1]
上記で準備した細胞UCMSCを、DMEM培地で懸濁して、播種密度:1.5×104cells/cm2の条件で、上記実施例で得られた細胞培養基材D-1に播種し、37℃、5%CO2にて、インキュベーターで3日培養することで、スフェロイドを得た。
表8に示した通りに細胞及び細胞培養基材を変更した以外には、実施例2-1と同様にして、スフェロイドを得た。細胞種が2種類の場合は、各細胞をDMEM培地で懸濁し、HUVEC:0.30×104cells/cm2、他細胞:1.2×104cells/cm2の播種密度条件で、上記実施例で得られた細胞培養基材に共に播種し、37℃、5%CO2にて、インキュベーターで3日培養することで、スフェロイドを得た。
[実施例2-1~57、比較例2-1~20]
製造したスフェロイドを、細胞観察装置(BioStudio-T、ニコンエンジニアリング株式会社)で、各細胞培養基材をフルスキャンすることで、細胞培養基材全体のスフェロイド又はシングルセルの画像を取得した。これら全ての画像を、画像解析ソフト(Imagej、NationalInstituteSofhealth)を用いて、二値化処理後、スフェロイド直径の平均値を算出した。結果を表6、7に示す。なお、スフェロイドを形成しなかったものについては、表中「-」で表している。
(評価基準)
〇:スフェロイド直径の平均値が50~250μm
×:スフェロイド直径の平均値が50μm未満又は250μmより大きい
製造したスフェロイドを、細胞観察装置(BioStudio-T、ニコンエンジニアリング株式会社)で、各細胞培養基材をフルスキャンすることで、細胞培養基材材全体のスフェロイド及びシングルセルの画像を取得した。その後、スフェロイド径の評価と同様に、二値化処理後に、全画像のスフェロイドの個数をカウントした後、スフェロイドの密度を算出し、その値を以下の式3に代入することで、スフェロイド形成指標を算出した。
(式3)(ポリマー層の表面1cm2あたりのスフェロイドの形成指標)=[(スフェロイドの密度)÷(播種密度)]×100(%)
(評価基準)
◎:スフェロイド形成指標が、0.6%以上
〇:スフェロイド形成指標が、0.2%~0.6%未満
×:スフェロイド形成指標が、0.2%未満
[実施例2-1~57、比較例2-1~20]
製造したスフェロイドについて、以下の手順live/deae染色を行った。製造したスフェロイドの懸濁溶液を、ピペッティングにより回収しセルストレーナー(pluri Strainer、pluriSelect)を通し、1.5mLチューブに培地で回収後、遠心分離することで、40μm以上の直径のスフェロイドを得た。その後、PBS×3回洗浄、遠心、上清除去を行ない、Double staining kit(同仁化学株式会社)を用いて染色後、96ウェルプレートに播種した。暗所で25℃、1時間でインキュベートした後、蛍光顕微鏡(BZ-X810、キーエンス株式会社)を用いてスフェロイドの内部壊死観察を行なった。Calcein-AMとPI(Propidiu m Iodide)の波長に対応する蛍光画像のZスタックを取得し、スフェロイド中心部のPI画像の輝度からスフェロイドに対する死細胞の面積割合を定量化した。結果を表8,9に示す。なお、なお、スフェロイドを形成しなかったものについては、表中「-」で表している。
(評価基準)
◎:0~10%
〇:10~30%
△:31~50%
×:51%以上
(増殖性マーカー発現量)
[実施例2-1~57、比較例2-1~20]
製造したスフェロイドの懸濁溶液を、ピペッティングにより回収しセルストレーナー(pluri Strainer、pluriSelect)を通し、遠心分離することで、40μm以上の直径のスフェロイドを得た。その後、回収したスフェロイドをPureLink(R)RNAMinikit(ThemoFisher株式会社)を用いてトータルRNAを抽出した。細胞が接着したものについては、回収せずディッシュをそのまま上記kitで処理し、トータルRNAを抽出した。抽出した全RNAをSuperScript IV VILO MasterMix(ThermoFisher社)とNuclease-FreeWater(ThermoFisher社)と抽出した各サンプルのRNA溶液を混合し、ThermalCyclerを用いて逆転写反応によりcDNAを合成した。cDNA合成の際は、サンプルの全RNA濃度が100ng/mLになるように調製した。その後、cDNA、目的遺伝子(Oct4、Sox2、Nanog)のTaqManprobe、TaqManFastAdvancedMasterMix(ThermoFisher製)を用い、PCRを実施した。温度サイクルは、以下のサイクルで行なった。データは、ΔΔCT比定量により解析した。データをGAPDHレベルに対して標準化し、比較例2-9(二次元培養)と比較した。
1)95℃30秒(1サイクル)
2)95℃5秒-60℃30秒(40サイクル)
3)95℃15秒
4)60℃30秒
5)95℃15秒
以下が使用した、目的遺伝子のtaqmanprobeである。
Ki67:Hs04260396_g1、ThermoFisher株式会社
結果を表8、9に示す。なお、スフェロイドを形成しなかったものについては、表中「-」で表している。
(評価基準)
・Ki67
◎:2<遺伝子発現量;i67に対して陽性となる、遺伝子発現量がかなり高い。
〇:1.5<遺伝子発現量≦2.0;Ki67に対して陽性となる、遺伝子発現量が高い。
△:1.0<遺伝子発現量≦1.5;Ki67に対して陽性となる、遺伝子発現量がやや高い。
×:遺伝子発現量≦1.0;Ki67に対して陰性となる。
[実施例2-1~57、比較例2-1~20]
製造したスフェロイドの懸濁溶液を、ピペッティングにより回収しセルストレーナー(pluri Strainer、pluriSelect)を通し、遠心分離することで、40μm以上の直径のスフェロイドを得た。その後、AGCテクノグラス製のφ35mmのIWAKI接着処理ディッシュに再播種し、37℃インキュベーター内で3日間培養した。培養後、トリプシンで5分処理し、DMEM培地で細胞を15mL遠沈管に回収した後、上清を除去した。Accumax(ナカライテスク)を1mL添加した後、37℃,1時間インキュベートすることで、スフェロイドを充分にシングルセルに解離させた。セルカウンタープレート(アズワン)で細胞数をカウントした。培養0日と3日(72時間)の細胞数から増殖率を評価した。なお、スフェロイドを形成しなかったものについては、表中「-」で表している。
(評価基準)
◎:増殖率が2.0倍以上となる。
〇:増殖率が1.5倍以上2.0倍未満である
△:増殖率が1倍以上1.5倍未満である。
×:増殖率が1倍未満である。
Claims (15)
- 平面基材上にポリマー層を有する細胞培養基材であって、前記ポリマー層の表面における、大気中での算術平均粗さRaが0.8nm以下であり、水中での算術平均粗さRaが0.5~20.0nmであり、前記ポリマー層を形成するポリマーが、下記ポリマー(A)、ポリマー(B)及びポリマー(C)からなる群より選ばれるいずれか一種以上である、細胞培養基材。
ポリマー(A):水/オクタノール分配係数LogPが-0.06~10であるアクリル系モノマー由来の構造単位とポリエチレンオキサイド部分とを含み、前記ポリエチレンオキサイド部分の質量割合が、0.1~10%であるポリマー。
ポリマー(B):水/オクタノール分配係数LogPが0~10であるモノマー由来の構造単位と、ベタイン構造を有するモノマー由来の構造単位又はアミンオキシド基を有する構造単位とを含み、前記ベタイン構造又は前記アミンオキシド基の含有量が、2.00~8.00mmol/gであるポリマー。
ポリマー(C):1molあたりに1mol以上の水酸基を含む構造単位(G)を含み、前記水酸基の含有量が、3.00mmol/g以上、15.00mmol/g未満であるポリマー。 - 平面基材上にポリマー層を有する細胞培養基材であって、前記ポリマー層の表面における、大気中での算術平均粗さRaが0.8nm以下であり、水中での接触角が130度以上160度以下であり、式1で表される接触角ヒステリシスが20度以上であり、前記ポリマー層を形成するポリマーが、下記ポリマー(A)、ポリマー(B)及びポリマー(C)からなる群より選ばれるいずれか一種以上である、細胞培養基材。
(式1)接触角ヒステリシス=(大気中での接触角)+(水中での接触角)-180(°)
ポリマー(A):水/オクタノール分配係数LogPが-0.06~10であるアクリル系モノマー由来の構造単位とポリエチレンオキサイド部分とを含み、前記ポリエチレンオキサイド部分の質量割合が、0.1~10%であるポリマー。
ポリマー(B):水/オクタノール分配係数LogPが0~10であるモノマー由来の構造単位と、ベタイン構造を有するモノマー由来の構造単位又はアミンオキシド基を有する構造単位とを含み、前記ベタイン構造又は前記アミンオキシド基の含有量が、2.00~8.00mmol/gであるポリマー。
ポリマー(C):1molあたりに1mol以上の水酸基を含む構造単位(G)を含み、前記水酸基の含有量が、3.00mmol/g以上、15.00mmol/g未満であるポリマー。 - ポリマー層の表面における、膜厚分布の標準偏差が40nm以下である、請求項1又は2記載の細胞培養基材。
- 式2で表される算術平均粗さRaの差が0.5~20nmである、請求項1又は2記載の細胞培養基材。
(式2)算術平均粗さの差=(水中での算術平均粗さ)-(大気中での算術平均粗さ)(nm) - ポリマー層の表面における水中での算術平均粗さRaが、前記ポリマー層の表面に水を接触させた直後及び24時間後においていずれも0.5~20.0nmである、請求項1又は2記載の細胞培養基材。
- ポリマー層の表面における、SPMのフォースカーブ測定により評価した水中での弾性率が、0.01~10MPaである、請求項1又は2記載の細胞培養基材。
- ポリマー層が、LogP(水/1-オクタノール水/オクタノール分配係数)が0~10である疎水ユニット及び親水ユニットを有するコポリマーから形成される、請求項1又は2記載の細胞培養基材。
- 平面基材上にポリマー及び溶媒を含むコーティング剤をドロップキャストし、ポリマー層を形成する工程を含む、細胞培養基材の製造方法であって、前記細胞培養基材の前記ポリマー層の表面における、大気中での算術平均粗さRaが0.8nm未満であり、水中での算術平均粗さRaが0.5~20.0nmであり、前記ポリマー層を形成するポリマーが、下記ポリマー(A)、ポリマー(B)及びポリマー(C)からなる群より選ばれるいずれか一種以上である、細胞培養基材の製造方法。
ポリマー(A):水/オクタノール分配係数LogPが-0.06~10であるアクリル系モノマー由来の構造単位とポリエチレンオキサイド部分とを含み、前記ポリエチレンオキサイド部分の質量割合が、0.1~10%であるポリマー。
ポリマー(B):水/オクタノール分配係数LogPが0~10であるモノマー由来の構造単位と、ベタイン構造を有するモノマー由来の構造単位又はアミンオキシド基を有する構造単位とを含み、前記ベタイン構造又は前記アミンオキシド基の含有量が、2.00~8.00mmol/gであるポリマー。
ポリマー(C):1molあたりに1mol以上の水酸基を含む構造単位(G)を含み、前記水酸基の含有量が、3.00mmol/g以上、15.00mmol/g未満であるポリマー。 - 平面基材上にポリマー及び溶媒を含むコーティング剤をドロップキャストし、ポリマー層を形成する工程を含む、細胞培養基材の製造方法であって、前記細胞培養基材の前記ポリマー層の表面における、大気中での算術平均粗さRaが0.8nm未満であり、水中での接触角が130度以上160度以下であり、式1で表される接触角ヒステリシスが20度以上であり、前記ポリマー層を形成するポリマーが、下記ポリマー(A)、ポリマー(B)及びポリマー(C)からなる群より選ばれるいずれか一種以上である、細胞培養基材の製造方法。
(式1)接触角ヒステリシス=(大気中での接触角)+(水中での接触角)―180(°)
ポリマー(A):水/オクタノール分配係数LogPが-0.06~10であるアクリル系モノマー由来の構造単位とポリエチレンオキサイド部分とを含み、前記ポリエチレンオキサイド部分の質量割合が、0.1~10%であるポリマー。
ポリマー(B):水/オクタノール分配係数LogPが0~10であるモノマー由来の構造単位と、ベタイン構造を有するモノマー由来の構造単位又はアミンオキシド基を有する構造単位とを含み、前記ベタイン構造又は前記アミンオキシド基の含有量が、2.00~8.00mmol/gであるポリマー。
ポリマー(C):1molあたりに1mol以上の水酸基を含む構造単位(G)を含み、前記水酸基の含有量が、3.00mmol/g以上、15.00mmol/g未満であるポリマー。 - 請求項1又は2記載の細胞培養基材を用いて細胞を培養することにより、スフェロイドを形成する、スフェロイドの製造方法であって、前記スフェロイドが、直径50~250μmである、スフェロイドの製造方法。
- 式3で表わされる、ポリマー層の表面1cm2あたりのスフェロイドの形成指標が、0.2~1.4%である、請求項10記載のスフェロイドの製造方法。
(式3)(ポリマー層の表面1cm2あたりのスフェロイドの形成指標)=[(スフェロイドの密度)÷(播種密度)]×100(%) - スフェロイドにおいて、Ki67の発現が陽性で、かつ、再播種72時間後の細胞増殖率が2倍以上である、請求項10記載のスフェロイドの製造方法。
- スフェロイドにおいて、全体の細胞に対して内部の死細胞率が30%以下である、請求項10記載のスフェロイドの製造方法。
- スフェロイドを構成する細胞が、各種体細胞、癌細胞、体性幹細胞、胚性幹細胞、人工多能性幹細胞及びがん幹細胞からなる群から選ばれる少なくとも一種を含む、請求項10記載のスフェロイドの製造方法。
- 請求項1又は2記載の細胞培養基材を具備する細胞培養容器。
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