JP2020062009A - 細胞培養基材、細胞培養基材の製造方法、及びスフェロイドの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
[1] 基材と、前記基材上に被覆された刺激応答性高分子とを有する細胞培養基材であって、前記刺激応答性高分子は水不溶性ブロックセグメント及び刺激応答性ブロックセグメントを有するブロック共重合体であり、前記細胞培養基材は下記(A)及び(B)の2つの領域を有することを特徴とする細胞培養基材。
(A)細胞増殖性及び刺激応答性を有し、面積0.001〜5mm2の島状の領域。
(B)前記(A)領域に隣接し、細胞増殖性を有しない領域。
[2] 前記(A)領域が、下記(A1)及び(A2)の2つの領域からなり、前記(B)領域が、下記(B1)及び(B2)の2つの領域からなるものであることを特徴とする前記[1]に記載の細胞培養基材。
(A1)細胞増殖性領域
(A2)刺激応答性領域
(B1)基材接着領域
(B2)刺激応答性領域
[3] 前記(A)領域が、細胞増殖性の領域中に直径10〜500nmの温度応答性領域が分散してなるものであるか、又は、細胞増殖性を有しない温度応答性の領域中に直径10〜500nmの細胞増殖性の領域が分散してなるものであることを特徴とする、前記[1]又は[2]に記載の細胞培養基材。
[4] 細胞増殖性の領域と、細胞増殖性を有しない領域の2つの領域を有する基材と、前記基材上に形成された刺激応答性高分子を含む層を有し、前記層の平均粗さ/層厚の比が0.5以上1以下であることを特徴とする、前記[1]〜[3]のいずれかに記載の細胞培養基材。
[5] 前記刺激応答性高分子が水不溶性ブロックセグメント及び90wt%を超える刺激応答性ブロックセグメントを有するブロック共重合体であることを特徴とする前記[4]に記載の細胞培養基材。
[6] 前記(A)領域がプラズマ処理領域であることを特徴とする前記[1]〜[5]のいずれかに記載の細胞培養基材。
[7] 多能性幹細胞のスフェロイド形成用であることを特徴とする、前記[1]〜[6]のいずれかに記載の細胞培養基材。
[8] 以下の(1)及び(2)工程を有することを特徴とする前記[1]〜[7]のいずれかに記載の細胞培養基材の製造方法。
(1)細胞増殖性を有しない基材の表面に、細胞増殖性を有し、面積0.001〜5mm2の島状の領域を形成する工程。
(2)基材の表面に、刺激応答性物質による層を形成する工程。
[9] 前記(1)工程において、細胞増殖性を有しない基材の表面に、プラズマ処理、UV処理、コロナ処理のいずれか、またはこれらの複数の組み合わせによって、細胞増殖性を有する領域を形成することを特徴とする、前記[8]に記載の細胞培養基材の製造方法。
[10] 前記(1)工程で用いる基材が細胞接着性を有するが細胞増殖性を有しないものであることを特徴とする、前記[8]又は[9]に記載の細胞培養基材の製造方法。
[11] 前記(1)工程が、面積0.001〜10mm2の穴を有する表面保護フィルムを基材に貼付する工程を有することを特徴とする、前記[9]又は[10]に記載の細胞培養基材の製造方法。
[12] 以下の(i)〜(iii)工程を経ることを特徴とするスフェロイドの製造方法。
(i)前記[1]〜[8]のいずれかに記載の細胞培養基材に細胞を播種する工程。
(ii)前記播種された細胞を培養し、前記細胞培養基材上に接着した細胞のコロニーを形成する工程。
(iii)外部刺激を与えることにより前記コロニーの少なくとも一部分を細胞培養基材から剥離し、細胞のスフェロイドを形成する工程。
(A)細胞増殖性及び刺激応答性を有し、面積0.001〜5mm2の島状の領域。
(B)前記(A)領域に隣接し、細胞増殖性を有しない領域。
(A2)刺激応答性領域
(B1)基材接着領域
(B2)刺激応答性領域
ここで、「基材接着領域」とは、細胞培養基材に被覆された成分が基材に接着している領域を示す。刺激応答性領域は細胞増殖性を低下させる効果を有することから、(A)領域が(A1)及び(A2)の2つの領域からなることにより、細胞培養基材に接着させて増殖させることが難しい多能性幹細胞のスフェロイド形成及び刺激応答による細胞培養基材からの剥離を好適に行うことができる。また、(B)領域が(B1)を有することにより、細胞培養基材に被覆された成分を基材に強固に固定化するのに好適である。さらに、(B)領域が(B2)領域を有することにより、多能性幹細胞が(B)領域で増殖するのを抑制し、均一なスフェロイドを形成するのに好適である。(A1)及び(A2)、(B1)及び(B2)領域は、細胞培養基材表面の原子間力顕微鏡像又は透過型電子顕微鏡像を測定し、各領域に存在する主成分を判定することで確認可能である。例えば、細胞増殖性の単量体単位と刺激応答性の単量体単位からなる共重合体を被覆した場合、各領域に存在する単量体単位を、原子間力顕微鏡像における位相像や、透過型電子顕微鏡像におけるコントラストから判定可能である。
(1)細胞増殖性を有しない基材の表面に、細胞増殖性を有する、面積0.001〜5mm2の島状の領域を形成する工程。
(2)基材の表面に、刺激応答性物質による層を形成する工程。
(i)前記細胞培養基材に細胞を播種する工程。
(ii)前記播種された細胞を培養し、前記細胞培養基材上に接着した細胞のコロニーを形成する工程。
(iii)外部刺激を与えることにより前記コロニーを細胞培養基材から剥離し、細胞のスフェロイドを形成する工程。
<重合体の組成>
核磁気共鳴測定装置(日本電子(株)製、商品名JNM−GSX400)を用いたプロトン核磁気共鳴分光(1H−NMR)スペクトル分析、又は核磁気共鳴測定装置(ブルカー製、商品名AVANCEIIIHD500)を用いたカーボン核磁気共鳴分光(13C−NMR)スペクトル分析より求めた。
<重合体の分子量、分子量分布>
重量平均分子量(Mw)、数平均分子量(Mn)および分子量分布(Mw/Mn)は、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー(GPC)によって測定した。GPC装置は東ソー(株)製 HLC−8320GPCを用い、カラムは東ソー(株)製 TSKgel Super AWM−Hを2本用い、カラム温度を40℃に設定し、溶離液は10mMトリフルオロ酢酸ナトリウムを含む1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロー2−イソプロパノールまたは10mM臭化リチウムを含むN,N−ジメチルホルムアミドを用いて測定した。測定試料は1.0mg/mLで調製して測定した。分子量の検量線は、分子量既知のポリメタクリル酸メチル(Polymer Laboratories Ltd.製)を用いた。
<重合体の層厚>
基材に被覆された重合体の層厚は、AFM装置((株)島津製作所製SPM−9600)によって測定した。カンチレバーはBL−AC40TS−C2を用い、表面にピンセットで傷を入れ、傷の深さを測定することで重合体の層厚を測定した。
[実施例1]
試験管に、4−シアノ−4−[(ドデシルスルファニルチオカルボニル)スルファニル]ペンタノイックアシッド0.40g(0.1mmol)、n−ブチルメタクリレート7.11g(50mmol)、アゾビス(イソブチロニトリル)33mg(0.2mmol)を加え、1,4−ジオキサン50mLに溶解した。窒素バブリングにより30分脱気を行った後、70℃で24時間反応させた。反応終了後、反応溶媒をロータリーエバポレーターにて減圧留去し、反応溶液を濃縮した。濃縮液をメタノール250mLに注ぎ、析出した黄色油状物質を回収して減圧乾燥し、n−ブチルメタクリレート重合体を得た。
[実施例2]
実施例1におけるメタルマスクとして0.5mm×1mmの長方形の穴を複数有するものを用い、その他は実施例1と同様にして細胞培養基材を作製した。
[実施例3]
実施例1におけるメタルマスクとして直径0.5mmの円形の穴を複数有するものを用い、その他は実施例1と同様にして細胞培養基材を作製した。
[実施例4]
実施例1におけるメタルマスクとして直径0.2mmの円形の穴を複数有するものを用い、また、プラズマイオンボンバーダPIB−20の代わりに、ウシオ電機(株)製の商品名VUVアライナーを使用し、その他は実施例1と同様にして細胞培養基材を作製した。
実施例1と同様に細胞培養を行い、細胞播種から24時間後、96時間後、144時間後に、位相差顕微鏡で細胞の様子を観察し、いずれの場合においてもパターニングの形状に沿って細胞接着ならびに増殖を確認し、新しい前記培地に交換を行った。細胞播種から144時間後の培地交換の後、基材を室温で20分間冷却し、基材側面を手で叩いた。サイズが均一で、球状のスフェロイドを回収することができた。回収したスフェロイドの粒径を測定し、粒径のばらつき(粒径の標準偏差/平均粒径)を求めたところ、6.6%であり、ばらつきの小さなものであった。
[実施例5]
実施例1におけるメタルマスクとして直径0.5mmの円形の穴を複数有するものを用い、また、プラズマイオンボンバーダPIB−20の代わりに、ウシオ電機(株)製の商品名VUVアライナーを使用し、その他は実施例1と同様にして細胞培養基材を作製した。
実施例1と同様に細胞培養を行い、細胞播種から24時間後、96時間後、144時間後に、位相差顕微鏡で細胞の様子を観察し、いずれの場合においてもパターニングの形状に沿って細胞接着ならびに増殖を確認し、新しい前記培地に交換を行った。細胞播種から144時間後の培地交換の後、基材を室温で20分間冷却し、基材側面を手で叩いて細胞を剥離した後、さらに1日培養を行った。サイズが均一で、球状のスフェロイドを回収することができた。回収したスフェロイドの粒径を測定し、粒径のばらつき(粒径の標準偏差/平均粒径)を求めたところ、14.2%であり、ばらつきの小さなものであった。
[実施例6]
実施例1におけるメタルマスクの代わりに、表面保護フィルム(日東電工製E−MASK)にレーザー加工により直径0.2mmの円形の穴を複数形成したものを用い、基材にこの表面保護フィルムを貼り付けてプラズマ処理を行った後、表面保護フィルムを剥離した。その後、実施例1と同様にブロック共重合体の被覆を行い、細胞培養基材を作製した。
[実施例7]
実施例1におけるメタルマスクとして直径0.2mmの円形の穴を複数有するものを用い、その他は実施例1と同様にして細胞培養基材を作製した。
[実施例8]
実施例1におけるメタルマスクとして直径0.2mmの円形の穴を複数有するものを用い、また、下記方法でブロック共重合体の合成及び被覆を行った。
[比較例1]
実施例1においてプラズマ処理を行わず、その他は実施例1と同様にして細胞培養基材を作製した。細胞増殖性の領域が存在しないため、iPS細胞は播種から24時間後に死滅しており、スフェロイドは形成できなかった。
[比較例2]
実施例1においてブロック共重合体を被覆せず、その他は実施例1と同様にして細胞培養基材を作製した。刺激応答性の領域が存在しないため、コロニーは基材から剥離せず、スフェロイドは回収できなかった。また、コロニーの形状も不均一なものであった。
[比較例3]
実施例1においてパターニングを行わず、基材の全ての領域にプラズマ処理を行い、その他は実施例1と同様にして細胞培養基材を作製した。コロニーのサイズや形状が不均一であった。回収したスフェロイドの粒径を測定し、粒径のばらつき(粒径の標準偏差/平均粒径)を求めたところ、36.5%であり、ばらつきの大きなものであった。
[比較例4]
実施例1におけるメタルマスクとして直径4mmの円形の穴を多数有するものを用い、その他は実施例1と同様にして細胞培養基材を作製した。コロニーのサイズや形状が不均一であった。回収したスフェロイドの粒径を測定し、粒径のばらつき(粒径の標準偏差/平均粒径)を求めたところ、31.1%であり、ばらつきの大きなものであった。
[比較例5]
表面に凹凸形状が施され、さらに細胞非接着性の表面を有する市販のスフェロイド形成用細胞培養容器(AGCテクノグラス(株)製、商品名EZSPHERE)を使用し、実施例1と同様にして細胞播種を行い、浮遊培養でスフェロイドを形成した。形成されたスフェロイドは概ね球状であったものの、複数のスフェロイドが凝集した凝集物が複数観察された。回収したスフェロイドの粒径を測定し、粒径のばらつき(粒径の標準偏差/平均粒径)を求めたところ、22.3%であり、ばらつきの大きなものであった。
[参考例]
実施例1における(A)領域及び(B)領域のゼータ電位を以下の方法で測定した。直径10cmの細胞増殖性を有しないディッシュの全面をプラズマ照射装置((株)真空デバイス製、商品名プラズマイオンボンバーダPIB−20)を用いてプラズマ処理(20Paガス圧下、導電電流20mA、照射時間10秒間)を行うことで、基材全面をプラズマ処理した。このプラズマ処理基材と、前記プラズマ処理を施していない基材それぞれに、実施例1と同様の方法でブロック共重合体を被覆することで、基材全面が実施例1の(A)領域である試料と、基材全面が実施例1の(B)領域である試料をそれぞれ作製した。これらの基材のゼータ電位を測定し((株)アントンパール製SurPASSを使用)、(B)領域のゼータ電位は(A)領域よりも8mV大きな値であった。
B (B)領域
1 基材
2 刺激応答性高分子
10 細胞培養基材
20 細胞
21 コロニー
22 スフェロイド
Claims (12)
- 基材と、前記基材上に被覆された刺激応答性高分子とを有する細胞培養基材であって、前記刺激応答性高分子は水不溶性ブロックセグメント及び刺激応答性ブロックセグメントを有するブロック共重合体であり、前記細胞培養基材は下記(A)及び(B)の2つの領域を有することを特徴とする細胞培養基材。
(A)細胞増殖性及び刺激応答性を有し、面積0.001〜5mm2の島状の領域。
(B)前記(A)領域に隣接し、細胞増殖性を有しない領域。 - 前記(A)領域が、下記(A1)及び(A2)の2つの領域からなり、前記(B)領域が、下記(B1)及び(B2)の2つの領域からなるものであることを特徴とする請求項1に記載の細胞培養基材。
(A1)細胞増殖性領域
(A2)刺激応答性領域
(B1)基材接着領域
(B2)刺激応答性領域 - 前記(A)領域が、細胞増殖性の領域中に直径10〜500nmの温度応答性領域が分散してなるものであるか、又は、細胞増殖性を有しない温度応答性の領域中に直径10〜500nmの細胞増殖性の領域が分散してなるものであることを特徴とする、請求項1又は2に記載の細胞培養基材。
- 細胞増殖性の領域と、細胞増殖性を有しない領域の2つの領域を有する基材と、前記基材上に形成された刺激応答性高分子を含む層を有し、前記層の平均粗さ/層厚の比が0.5以上1以下であることを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載の細胞培養基材。
- 前記刺激応答性高分子が水不溶性ブロックセグメント及び90wt%を超える刺激応答性ブロックセグメントを有するブロック共重合体であることを特徴とする請求項4に記載の細胞培養基材。
- 前記(A)領域がプラズマ処理領域であることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の細胞培養基材。
- 多能性幹細胞のスフェロイド形成用であることを特徴とする、請求項1〜6のいずれかに記載の細胞培養基材。
- 以下の(1)及び(2)工程を有することを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の細胞培養基材の製造方法。
(1)細胞増殖性を有しない基材の表面に、細胞増殖性を有し、面積0.001〜5mm2の島状の領域を形成する工程。
(2)基材の表面に、刺激応答性物質による層を形成する工程。 - 前記(1)工程において、細胞増殖性を有しない基材の表面に、プラズマ処理、UV処理、コロナ処理のいずれか、またはこれらの複数の組み合わせによって、細胞増殖性を有する領域を形成することを特徴とする、請求項8に記載の細胞培養基材の製造方法。
- 前記(1)工程で用いる基材が細胞接着性を有するが細胞増殖性を有しないものであることを特徴とする、請求項8又は9に記載の細胞培養基材の製造方法。
- 前記(1)工程が、面積0.001〜10mm2の穴を有する表面保護フィルムを基材に貼付する工程を有することを特徴とする請求項9又は10に記載の細胞培養基材の製造方法。
- 以下の(i)〜(iii)工程を経ることを特徴とするスフェロイドの製造方法。
(i)請求項1〜8のいずれかに記載の細胞培養基材に細胞を播種する工程。
(ii)前記播種された細胞を培養し、前記細胞培養基材上に接着した細胞のコロニーを形成する工程。
(iii)外部刺激を与えることにより前記コロニーの少なくとも一部分を細胞培養基材から剥離し、細胞のスフェロイドを形成する工程。
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