JP7422815B2 - 半導体スイッチング素子の駆動回路 - Google Patents
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Description
前記検出回路は、前記高圧側主端子に接続されたコンデンサとこのコンデンサに直列に、前記高電圧主端子側が陽極となるよう接続されたダイオードと、このダイオードに直列に接続された抵抗とを有し、前記抵抗の、ダイオードに接続された端子の反対側の端子は前記半導体スイッチング素子のゲートに接続されるとともに、前記コンデンサは、前記高圧側主端子と前記半導体スイッチング素子の低圧側主端子とに接続されている直流母線から充電されるよう構成されており、前記ダイオードと前記抵抗との接続点の電圧を前記帰還信号として出力し、
前記制御回路は、前記帰還信号に基づいて、前記半導体スイッチング素子の状態を診断し、もしくは前記ゲート駆動回路へ出力する信号を制御し、
前記ゲート駆動回路の出力であるゲート電流は、前記調整電流によって調整されるものである。
また、入力信号に同期して半導体スイッチング素子に対する駆動信号を出力する制御回路と、前記駆動信号に基づいて前記半導体スイッチング素子を駆動するゲート駆動回路とを備えた半導体スイッチング素子の駆動回路において、
前記ゲート駆動回路が前記半導体スイッチング素子をオフして電流を遮断する期間において、前記半導体スイッチング素子の高圧側主端子の電圧があらかじめ設定されたしきい値以上となった場合に帰還信号及び調整電流を出力する検出回路を備え、
前記制御回路は、前記帰還信号に基づいて、前記半導体スイッチング素子の状態を診断し、もしくは前記ゲート駆動回路へ出力する信号を制御し、
前記ゲート駆動回路の出力であるゲート電流は、前記調整電流によって調整されるよう構成されており、
直流母線間に前記半導体スイッチング素子が2個直列に接続され、各々の前記半導体スイッチング素子に対応する帰還信号及び調整電流を出力する各々の前記検出回路を備え、
各々の前記検出回路は、コンデンサとダイオードと電流検知器とを含み、
それぞれの前記コンデンサは、一方の端子が検出回路に対応した半導体スイッチング素子が接続されている前記直流母線に接続され、他方の端子が充電抵抗器を介して当該検出回路に対応した半導体スイッチング素子が接続されていない前記直流母線に接続されて充電されるものである。
本願の上記以外の目的、特徴、観点及び効果は、図面を参照する以下の詳細な説明から、さらに明らかになるであろう。
以下に、実施の形態1に係る半導体スイッチング素子の駆動回路について、図面に基づいて説明する。図1は、実施の形態1における半導体スイッチング素子の駆動回路の構成を示すブロック図、図2は、実施の形態1における半導体スイッチング素子の駆動回路の使用例を示す図、及び図3は、実施の形態1における半導体スイッチング素子の駆動回路における各部の波形を示す図である。なお、各図において、図中、同一、相当部分には同一符号を付している。
図4は、実施の形態2に係る半導体スイッチング素子の駆動回路における検出回路の構成例を示している。実施の形態2における検出回路2は、コンデンサ21とダイオード22の直列回路に、電流検知器としての抵抗8が接続されている。
図5は、実施の形態3に係る半導体スイッチング素子の駆動回路における検出回路の構成例を示している。実施の形態3では、P側、N側の1アームを形成したIGBT1a、1bを駆動する回路について説明する。信号源11は、絶縁されたスイッチング信号S1-1、S1-2を出力し、スイッチング信号S1-1はP側の制御回路3aに、スイッチング信号S1-2はN側の制御回路3bに、それぞれ入力される。
図6は、実施の形態4に係る半導体スイッチング素子の駆動回路における検出回路の構成例を示している。実施の形態4に係る半導体スイッチング素子の駆動回路は、並列接続された複数の半導体スイッチング素子としてのIGBT1a、1bと、各々のIGBT1a、1bに対応する帰還信号A-1、A-2及び調整電流B-1、B-2を出力する複数の検出回路2a、2bとを備えている。
実施の形態5では、複数のIGBTが並列接続された回路において、IGBTが部分劣化または部分故障している場合の診断方法について説明する。なお、実施の形態5における半導体スイッチング素子の駆動回路の構成は、上記実施の形態4と同様であるので図6を流用し、各構成要素の説明を省略する。
実施の形態6では、複数のIGBTが並列接続された回路において、いずれかのIGBTがオープン故障している場合の診断方法について説明する。なお、実施の形態6における半導体スイッチング素子の駆動回路の構成は、上記実施の形態4と同様であるので図6を流用し、各構成要素の説明を省略する。
図11は、実施の形態7における半導体スイッチング素子の駆動回路の構成例を示している。実施の形態7では、ゲート駆動回路4は、検出回路2から調整電流Bが入力され、調整電流B及びオン-オフ信号S2に基づいてIGBT1のゲート電流の大きさ及びタイミングのいずれか一方または両方を調整する。
図13は、実施の形態8における半導体スイッチング素子の駆動回路の構成例を示している。実施の形態8では、検出回路2とゲート駆動回路4の入力側が接続され、ゲート駆動回路4に入力されるオン-オフ信号S2は調整電流Bによって調整される。すなわち、ゲート駆動回路4は、調整電流Bに基づいて調整されたオン-オフ信号S2によってゲート電流Igを制御する。
従って、例示されていない無数の変形例が、本願明細書に開示される技術の範囲内において想定される。例えば、少なくとも1つの構成要素を変形する場合、追加する場合または省略する場合、さらには、少なくとも1つの構成要素を抽出し、他の実施の形態の構成要素と組み合わせる場合が含まれるものとする。
Claims (15)
- 入力信号に同期して半導体スイッチング素子に対する駆動信号を出力する制御回路と、前記駆動信号に基づいて前記半導体スイッチング素子を駆動するゲート駆動回路とを備えた半導体スイッチング素子の駆動回路において、
前記ゲート駆動回路が前記半導体スイッチング素子をオフして電流を遮断する期間において、前記半導体スイッチング素子の高圧側主端子の電圧があらかじめ設定されたしきい値以上となった場合に帰還信号及び調整電流を出力する検出回路を備え、
前記検出回路は、前記高圧側主端子に接続されたコンデンサとこのコンデンサに直列に、前記高圧側主端子側が陽極となるよう接続されたダイオードと、このダイオードに直列に接続された抵抗とを有し、前記抵抗の、ダイオードに接続された端子の反対側の端子は前記半導体スイッチング素子のゲートに接続されるとともに、前記コンデンサの電圧は、前記高圧側主端子と前記半導体スイッチング素子の低圧側主端子とに接続されている直流母線の電圧によって維持されるよう構成されており、前記ダイオードと前記抵抗との接続点の電圧を前記帰還信号として出力し、
前記制御回路は、前記帰還信号に基づいて、前記半導体スイッチング素子の状態を診断し、もしくは前記ゲート駆動回路へ出力する信号を制御し、
前記ゲート駆動回路の出力であるゲート電流は、前記調整電流によって調整されることを特徴とする半導体スイッチング素子の駆動回路。 - 前記ダイオードと前記抵抗との接続点の電圧は、前記ダイオードと前記抵抗との接続点の、前記半導体スイッチング素子の低圧側主端子の電位を基準とした電圧であることを特徴とする請求項1に記載の半導体スイッチング素子の駆動回路。
- 前記制御回路は、前記帰還信号に基づいて前記半導体スイッチング素子を流れる電流の大きさ及び変化率のいずれか一方または両方を推定し、前記半導体スイッチング素子の劣化または故障を診断することを特徴とする請求項2に記載の半導体スイッチング素子の駆動回路。
- 前記制御回路は、前記ゲート駆動回路が前記半導体スイッチング素子をオフして電流を遮断する期間において、前記帰還信号が検知されない場合に前記半導体スイッチング素子がオープン故障であると診断することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体スイッチング素子の駆動回路。
- 前記制御回路は、前記帰還信号に基づいて前記半導体スイッチング素子のスイッチングの前記駆動信号からの遅れ時間を推定し、前記半導体スイッチング素子の劣化または故障を診断することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体スイッチング素子の駆動回路。
- 前記制御回路は、前記半導体スイッチング素子の故障を検知した際、前記ゲート駆動回路の出力をオフに保持することを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の半導体スイッチング素子の駆動回路。
- 前記ゲート駆動回路は、ゲート抵抗を介して前記半導体スイッチング素子のゲートと前記検出回路の前記調整電流の出力側とに接続されることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の半導体スイッチング素子の駆動回路。
- 前記ゲート駆動回路は、前記駆動信号及び前記調整電流に基づいて前記半導体スイッチング素子のゲート電流の大きさ及びタイミングのいずれか一方または両方を調整することを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の半導体スイッチング素子の駆動回路。
- 前記検出回路の前記調整電流の出力は、前記ゲート駆動回路の負の制御電源に接続されていることを特徴とする請求項8に記載の半導体スイッチング素子の駆動回路。
- 前記検出回路の前記調整電流の出力は、前記ゲート駆動回路に入力され、前記ゲート駆動回路に入力される前記駆動信号は前記調整電流によって調整されることを特徴とする請求項1から9のいずれか1項に記載の半導体スイッチング素子の駆動回路。
- 並列接続された複数の前記半導体スイッチング素子と、各々の前記半導体スイッチング素子に対応する帰還信号及び調整電流を出力する複数の前記検出回路とを備えたことを特徴とする請求項1から10のいずれか1項に記載の半導体スイッチング素子の駆動回路。
- 前記制御回路は、各々の前記半導体スイッチング素子に対応する前記帰還信号に基づいて、各々の前記半導体スイッチング素子のゲート電流の大きさ及びタイミングのいずれか一方または両方を調整することを特徴とする請求項11に記載の半導体スイッチング素子の駆動回路。
- 各々の前記半導体スイッチング素子に対応した複数の前記ゲート駆動回路を備え、
各々の前記ゲート駆動回路は、対応する前記半導体スイッチング素子の前記駆動信号及び前記調整電流が入力され、前記駆動信号及び前記調整電流に基づいて各々の前記半導体スイッチング素子のゲート電流の大きさ及びタイミングのいずれか一方または両方を調整することを特徴とする請求項11に記載の半導体スイッチング素子の駆動回路。 - 入力信号に同期して半導体スイッチング素子に対する駆動信号を出力する制御回路と、前記駆動信号に基づいて前記半導体スイッチング素子を駆動するゲート駆動回路とを備えた半導体スイッチング素子の駆動回路において、
前記ゲート駆動回路が前記半導体スイッチング素子をオフして電流を遮断する期間において、前記半導体スイッチング素子の高圧側主端子の電圧があらかじめ設定されたしきい値以上となった場合に帰還信号及び調整電流を出力する検出回路を備え、
前記制御回路は、前記帰還信号に基づいて、前記半導体スイッチング素子の状態を診断し、もしくは前記ゲート駆動回路へ出力する信号を制御し、
前記ゲート駆動回路の出力であるゲート電流は、前記調整電流によって調整されるよう構成されており、
直流母線間に前記半導体スイッチング素子が2個直列に接続され、各々の前記半導体スイッチング素子に対応する帰還信号及び調整電流を出力する各々の前記検出回路を備え、
各々の前記検出回路は、直列に接続されたコンデンサとダイオードと抵抗とを含み、
各々の前記コンデンサは、一方の端子が各々の前記検出回路に対応した半導体スイッチング素子が接続されている前記直流母線に接続され、他方の端子が充電抵抗を介して当該検出回路に対応した半導体スイッチング素子が接続されていない前記直流母線に接続されて充電されることを特徴とする半導体スイッチング素子の駆動回路。 - 前記直流母線の正側の母線に接続された前記半導体スイッチング素子に対応した前記検出回路の前記コンデンサは、一端が前記正側の母線に接続され、第一の充電抵抗を介して他端が前記直流母線の負側の母線に接続され、前記直流母線の負側の母線に接続された前記半導体スイッチング素子に対応した前記検出回路の前記コンデンサは、一端が第二の充電抵抗を介して前記直流母線の正側の母線に接続され、他端が当該検出回路の前記抵抗に接続されて、各々の前記コンデンサは、各々の充電抵抗を介して、前記直流母線から充電されることを特徴とする請求項14に記載の半導体スイッチング素子の駆動回路。
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Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003199325A (ja) | 2001-11-05 | 2003-07-11 | Alstom | サージ電圧から電力コンポーネントを保護する装置 |
JP2003218675A (ja) | 2002-01-22 | 2003-07-31 | Hitachi Ltd | 半導体素子の駆動装置ならびにそれを用いた電力変換装置 |
JP2008539625A (ja) | 2005-04-28 | 2008-11-13 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | ツェナー電圧対称化を有する出力段 |
JP2014138476A (ja) | 2013-01-16 | 2014-07-28 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial System Corp | 過電圧保護回路 |
CN104702252A (zh) | 2013-12-10 | 2015-06-10 | 通用电气公司 | 开关模组、变换器及电能变换装置 |
JP2017050804A (ja) | 2015-09-04 | 2017-03-09 | 富士電機株式会社 | 半導体スイッチの保護回路 |
CN108387830A (zh) | 2018-01-16 | 2018-08-10 | 中国矿业大学 | 一种基于有源钳位反馈型的igbt过流检测装置及方法 |
JP2019135884A (ja) | 2018-02-05 | 2019-08-15 | 株式会社明電舎 | 電力変換装置 |
CN211089463U (zh) | 2019-10-28 | 2020-07-24 | 成都铁路机电配件厂 | 一种针对hxd2牵引功率模块的过压保护电路 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SE9500761D0 (sv) * | 1995-03-02 | 1995-03-02 | Abb Research Ltd | Skyddskrets för seriekopplade krafthalvledare |
CN101478143B (zh) * | 2008-12-19 | 2011-05-11 | 中国电力科学研究院 | 一种保护半导体器件串联运行的有源保护电路 |
JP6106072B2 (ja) * | 2013-12-09 | 2017-03-29 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 電力変換装置 |
CN104052048A (zh) * | 2014-07-10 | 2014-09-17 | 北京赛德高科铁道电气科技有限责任公司 | 一种igbt驱动的有源钳位电路 |
JP6362996B2 (ja) * | 2014-10-24 | 2018-07-25 | 株式会社日立製作所 | 半導体駆動装置ならびにそれを用いた電力変換装置 |
JP6749184B2 (ja) * | 2016-09-01 | 2020-09-02 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 半導体装置 |
CN108631557B (zh) * | 2017-03-20 | 2020-03-10 | 台达电子企业管理(上海)有限公司 | 绝缘栅双极型晶体管的栅极电压控制电路及其控制方法 |
CN108471304B (zh) * | 2018-03-29 | 2020-05-26 | 苏州汇川联合动力系统有限公司 | 功率开关的有源钳位电压应力抑制电路、方法及驱动电路 |
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003199325A (ja) | 2001-11-05 | 2003-07-11 | Alstom | サージ電圧から電力コンポーネントを保護する装置 |
JP2003218675A (ja) | 2002-01-22 | 2003-07-31 | Hitachi Ltd | 半導体素子の駆動装置ならびにそれを用いた電力変換装置 |
JP2008539625A (ja) | 2005-04-28 | 2008-11-13 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | ツェナー電圧対称化を有する出力段 |
JP2014138476A (ja) | 2013-01-16 | 2014-07-28 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial System Corp | 過電圧保護回路 |
CN104702252A (zh) | 2013-12-10 | 2015-06-10 | 通用电气公司 | 开关模组、变换器及电能变换装置 |
JP2017050804A (ja) | 2015-09-04 | 2017-03-09 | 富士電機株式会社 | 半導体スイッチの保護回路 |
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