JP7410975B2 - 量子チップ、量子プロセッサ及び量子コンピュータ - Google Patents
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Description
中規模の量子チップに含まれる量子ビットの数は50~100である。量子コンピューティングの応用の1つは、量子システムをシミュレートすることである。十数個の量子ビットのみを有する量子システムは、大量のスーパーコンピュータリソースを消費する可能性がある。システムに50個の量子ビットが含まれると仮定すると、該システムの状態を記述するために250=1015の複素振幅が必要である。複素振幅を128ビットの精度で記憶する場合、各振幅を記憶するには256ビット又は32バイトが必要である。合計32×1015バイトの情報は、約32000TBであり、既存のコンピュータの能力を遥かに超えている。同一の精度レベルの90ビットには32×1027バイトが必要である。
「フリップチップパッケージング法」とも称され、チップパッケージング技術の1つである。基板にチップを直接配置し、ワイヤボンディング(wire bonding)技術を使用してチップと基板上のパッド(pad、チップの入力/出力部分を意味する)とを接続する従来のチップパッケージング技術とは異なり、フリップチップパッケージング技術は、チップ接続点においてバンプ(bump)を成長し、表面が下に向かうようにチップを裏返して、パッケージング筐体又は配線基板(substrate)に直接接続することを意味する。該技術は、チップ加工の分野で広く使用されている。フリップチッププロセスにより加工されたチップは、フリップチップ(Flip Chip)と称される。
表面符号は、二次元の多様性で定義されたトポロジカル量子エラー訂正符号である。そのスタビライザー生成元(stabilizer generating element)は通常4個の量子ビットでサポートされ(境界で2個の量子ビットでサポートされ)、論理演算子は、ストリップクロスアレイの非自明チェーンである。表面符号の具体的な2次元構造は、図1に示すように、白い円1は、量子計算のためのデータ量子ビットを表し、黒い円2は、補助量子ビットを表す。白と斜線で塗りつぶされた正方形(又は三角形)は、物理量子ビットの量子状態でランダムに生成されたパウリ(Pauli)Z及びXの進化エラーをそれぞれ検出するための2つの異なるタイプのスタビライザー生成元を表す。本発明では、図1に示す表面符号化トポロジに対応する設計アーキテクチャを採用する。
を取得できる。ここで、
及び
はそれぞれ、異なる周波数ωq及びωrでの下部フィルタの等価インピーダンスであり、κrは、読み取りキャビティ内の光子減衰率を表し、Δは読み取りキャビティとビットとの周波数の差を表し、即ちΔ=ωq-ωr、
は、読み取りキャビティとビットとの結合強度を表す。Qf=30、ωr/2π=6.4625GHz、ωf/2π=6.5GHz、ωq/2π=5.5GHzの場合、
となる。なお、フィルタがない場合と比較して、κrT1は2桁で増幅することができる。κrT1は量子ビットのコヒーレンス時間を反映する。κrT1は2桁で増幅することは、回線による量子ビットの読み取り速度を確保しながら、量子ビットのコヒーレンス時間を約100倍に延長でき、より多くのゲート操作が可能になり、ゲートの忠実度の向上及び実用的な量子計算の基礎を築くことを意味する。
に記述される。ここで、ωqは、量子ビットの周波数であり、
は、LC発振回路の特性インピーダンスであり、
は、この時の量子ビットのグランドへの総静電容量であり、σz及びσyは、パウリz及びパウリy演算子である、3次元ユークリッド空間におけるスピンσのz軸及びy軸の投影成分を記述する。
は、縮小プランク定数である。ハミルトニアンから分かるように、回路に駆動電圧信号を印加することで、量子ビットを励起することができる。図6の(c)に示すように、量子ビットに二重接合がある場合(図では、1つの×で1つの接合を表す)、構成されたSQUIDは、臨界電流が外部磁場により変化するジョセフソン接合63と同等に見なしてもよく、そのエネルギーEjは外部磁場による変化は、
である。ここで、Φは、SQUIDを通過する磁束であり、
は、Φが0に等しい場合のジョセフソン接合63のエネルギーであり、Φ0=h/2eは、磁束量子(magnetic flux quantum)であり、hはプランク定数であり、
、eは電荷定数であり、e=1.602×10-19C。それに応じて、ωqの外部磁場の変化との関係は、
となる。ここで、Ecは、コンデンサの静電エネルギーであり、ビット内の接合の非対称性が小さいと想定される。
で表されてもよく、システムのハミルトニアンは、
である。ここで、Cは静電容量であり、Lはインダクタンスであり、
は、Φの微分であり、Iは電流であり、Φ及びqは、それぞれLC発振回路におけるインダクタLでの磁束、及びコンデンサCでの電荷を表し、両者は何れも共役変数である。Mは、ビット制御線と量子ビットとの間の相互インダクタンスである。
及び
により、ここで、a及び
は、LC発振回路におけるマイクロ波光子に対応するボソンの昇降演算子であり、ハミルトニアンを昇降演算子で書き直し、システムを2つのエネルギー準位に切り捨てると、次の式を得る。
Claims (13)
- 下部シートと、上部シートと、を含む量子チップであって、
前記上部シートには、量子ビットアレイが設けられ、前記量子ビットアレイは、M行×N列のアレイ構造となるように分布している複数の量子ビットを含み、M及びNは、1よりも大きい整数であり、
前記下部シートには、読み取りキャビティが設けられ、前記読み取りキャビティは、前記量子ビットの状態情報を取得し、
前記下部シートと前記上部シートとは、電気的に接続されており、
前記下部シートには、ビット制御線が設けられ、
前記ビット制御線は、マイクロ波制御信号及び直流バイアス信号を伝送し、
前記マイクロ波制御信号は、前記量子ビットが異なるエネルギー準位間を遷移するように駆動するために使用され、
前記直流バイアス信号は、前記量子ビットの周波数を調整するために使用され、
前記マイクロ波制御信号と前記直流バイアス信号とは、電流を使用して量子ビットの遷移を駆動するように同一の前記ビット制御線を共有する、量子チップ。 - 前記複数の量子ビットは、複数のデータ量子ビット及び複数の測定量子ビットを含み、
前記M行の各行について、前記データ量子ビットと前記測定量子ビットとは、1つずつ交互に配列され、
前記N列の各列について、前記データ量子ビットと前記測定量子ビットとは、1つずつ交互に配列されている、請求項1に記載の量子チップ。 - 前記M行のうちの各行は、N個の量子ビットを含み、
前記N列のうちの各列は、M個の量子ビットを含む、請求項1又は2に記載の量子チップ。 - 前記上部シートは、前記下部シートの上方に位置し、
前記読み取りキャビティは、前記下部シートの前記上部シートに対向する面に設けられ、
前記量子ビットは、前記上部シートの前記下部シートに対向する面に設けられている、請求項1乃至3の何れかに記載の量子チップ。 - 前記下部シートと前記上部シートとは、金属溶接点を介して電気的に接続されている、請求項1乃至4の何れかに記載の量子チップ。
- 前記下部シートには、フィルタが設けられ、
前記フィルタは、前記読み取りキャビティと結合され、
前記フィルタは、前記量子ビットのコヒーレンス時間を延長し、前記量子ビットの環境へのエネルギー緩和を低減させる、請求項1乃至5の何れかに記載の量子チップ。 - 前記フィルタと前記読み取りキャビティとは、誘導結合されている、請求項6に記載の量子チップ。
- 前記フィルタは、反射型読み取り方式を用いて前記量子ビットの状態情報を取得する、請求項6又は7に記載の量子チップ。
- 前記ビット制御線は、前記量子ビットとの相互インダクタンスを用いて、前記量子ビットが異なるエネルギー準位間を遷移するように駆動するために使用される、請求項1に記載の量子チップ。
- 前記下部シートの前記上部シートに対応する領域は、ビット制御信号間の分離性を増加させるように、被覆エアブリッジを用いる、請求項1乃至9の何れかに記載の量子チップ。
- 前記量子チップは、中規模の量子チップである、請求項1乃至10の何れかに記載の量子チップ。
- 請求項1乃至11の何れかに記載の量子チップを含む、量子プロセッサ。
- 請求項1乃至11の何れかに記載の量子チップを含む、量子コンピュータ。
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