JP7408881B2 - 接合型ウェーハの剥離方法 - Google Patents
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Description
第一の実施形態では、主に、硬化型接合材としてシリコーン樹脂を用いる場合を例示して説明する。
第二の実施形態では、主に、硬化型接合材としてBCBを用いる場合を例示して説明する。第一の実施形態と類似する工程については、図1~7を参照し、接合型ウェーハの剥離について図9を参照する。
n型のGaAs出発基板10上に、n型のGaAsバッファ層11積層後、n型のGaxIn1-xP(0.4≦x≦0.6)第一エッチストップ層12を0.3μm、n型のGaAs第二エッチストップ層13を0.3μm、n型の(AlyGa1-y)xIn1-xP(0.4≦x≦0.6, 0<y≦1)第一クラッド層14を1.0μm、ノンドープの(AlyGa1-y)xIn1-xP(0.4≦x≦0.6, 0≦y≦0.6)活性層15、p型の(AlyGa1-y)xIn1-xP(0.4≦x≦0.6, 0<y≦1)第二クラッド層16を1.0μm、p型のGaInP中間層17を0.1μm、p型のGaP窓層18を4μm、順次成長したエピタキシャル機能層19としての発光素子構造を有するエピタキシャルウェーハ100を準備した。(図1参照)
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n型のGaAs出発基板上に、n型のGaAsバッファ層積層後、n型のGaxIn1-xP(0.4≦x≦0.6)第一エッチストップ層を0.3μm、n型のGaAs第二エッチストップ層を0.3μm、n型の(AlyGa1-y)xIn1-xP(0.4≦x≦0.6, 0<y≦1)第一クラッド層を1.0μm、ノンドープの(AlyGa1-y)xIn1-xP(0.4≦x≦0.6, 0≦y≦0.6)活性層、第二導電型の(AlyGa1-y)xIn1-xP(0.4≦x≦0.6, 0<y≦1)第二クラッド層を1.0μm、p型のGaInP中間層を0.1μm、p型のGaP窓層18を4.0μm、順次成長したエピタキシャル機能層として発光素子構造を有するエピタキシャルウェーハを準備した。
(1)デバイス構造部が硬化型接合材の硬化物層を介して支持体に接合された接合型ウェーハであって、レーザー光の照射によるデバイス構造部の剥離に用いられる接合型ウェーハ。
(2)前記デバイス構造部が、赤色LEDチップである(1)記載の接合型ウェーハ。
(3)前記デバイス構造部が、AlGaInP系材料を含む(1)記載の接合型ウェーハ。
(4)前記硬化物層の厚みは、0.1~1.0μmである(1)記載の接合型ウェーハ。
(5)前記硬化物層の厚みは、0.4~0.6μmである(2)記載の接合型ウェーハ。
(6)前記デバイス構造部は、エピタキシャル成長用出発基板が除去されたエピタキシャル機能層を有する(1)記載の接合型ウェーハ。
(7)前記硬化型接合材は、ベンゾシクロブテン、ポリイミド、フッ素樹脂、エポキシ樹脂及びシリコーン樹脂からなる群より選択される少なくとも一つを含む(1)記載の接合型ウェーハ。
(8)前記支持体は、サファイア基板、SiC基板、合成石英基板、石英基板、ガラス基板、LiTaO3基板及びLiNbO3基板からなる群より選択される少なくとも一つを有する(1)記載の接合型ウェーハ。
(9)前記デバイス構造部が、AlGaInP系材料を含む赤色LEDチップであり、
前記硬化物層の厚みは、0.1~1.0μmであり、
前記デバイス構造部は、エピタキシャル成長用出発基板が除去されたエピタキシャル機能層を有し、
前記硬化型接合材は、ベンゾシクロブテン、ポリイミド、フッ素樹脂、エポキシ樹脂及びシリコーン樹脂からなる群より選択される少なくとも一つを含み、
前記支持体は、サファイア基板、SiC基板、合成石英基板、石英基板、ガラス基板、LiTaO3基板及びLiNbO3基板からなる群より選択される少なくとも一つを有する(1)記載の接合型ウェーハ。
(10)前記デバイス構造部が、AlGaInP系材料を含む赤色LEDチップであり、
前記硬化物層の厚みは、0.4~0.6μmであり、
前記デバイス構造部は、エピタキシャル成長用出発基板が除去されたエピタキシャル機能層を有し、
前記硬化型接合材は、ベンゾシクロブテンを含み、
前記支持体は、サファイア基板を有する(1)記載の接合型ウェーハ。
(11)デバイス構造部が硬化型接合材の硬化物層を介して支持体と接合された接合型ウェーハから前記支持体を剥離する接合型ウェーハの剥離方法であって、
前記接合型ウェーハの支持体側からレーザー光を照射することにより、前記デバイス構造部と前記支持体を分離させることを特徴とする接合型ウェーハの剥離方法。
(12)デバイス構造部が硬化型接合材の硬化物層を介して支持体と接合された接合型ウェーハから前記支持体を剥離する、分離されたデバイス構造部の製造方法であって、
前記接合型ウェーハの支持体側からレーザー光を照射することにより、前記デバイス構造部と前記支持体を分離させることを特徴とする、分離されたデバイス構造部の製造方法。
(13)デバイス構造部が硬化型接合材の硬化物層を介して支持体に接合された接合体であって、レーザー光の照射によるデバイス構造部の剥離に用いられる接合体。
(14)デバイス構造部が硬化型接合材の硬化物層を介して支持体と接合された接合体から、前記支持体を剥離する接合体の剥離方法であって、
前記接合体の支持体側からレーザー光を照射することにより、前記デバイス構造部と前記支持体を分離させることを特徴とする接合体の剥離方法。
(15)デバイス構造部が硬化型接合材の硬化物層を介して支持体と接合された接合体から前記支持体を剥離する、分離されたデバイス構造部の製造方法であって、
前記接合体の支持体側からレーザー光を照射することにより、前記デバイス構造部と前記支持体を分離させることを特徴とする、分離されたデバイス構造部の製造方法。
(U1)エピタキシャル機能層の片方の面に極性の異なる2つ以上の電極を有したデバイス構造部を有し、前記デバイス構造部が硬化型接合材で異種基板からなる支持体と接合された接合型ウェーハから、前記支持体を剥離する接合型ウェーハの剥離システムであって、
前記接合型ウェーハにレーザー発振器から発振されたレーザー光を照射することにより、前記硬化型接合材及び/又は前記硬化型接合材と接触する前記デバイス構造部の表面の少なくとも一部にレーザー光を吸収させ、前記硬化型接合材及び/又は前記デバイス構造部の表面を分解することで、前記デバイス構造部と前記支持体を分離させる機構を有することを特徴とする接合型ウェーハの剥離システム。
(U2)前記エピタキシャル機能層を、発光素子構造を有するものとすることを特徴とする(U1)に記載の接合型ウェーハの剥離システム。
(U3)前記エピタキシャル機能層を、AlGaInP系材料を含むものとすることを特徴とする(U1)又は(U2)に記載の接合型ウェーハの剥離システム。
(U4)前記硬化型接合材を、熱硬化性、UV硬化性、及び、常温硬化性のいずれかの硬化特性を有するものとすることを特徴とする(U1)又は(U2)に記載の接合型ウェーハの剥離システム。
(U5)前記硬化型接合材を、ベンゾシクロブテン、ポリイミド、フッ素樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂のいずれか1つを含むものとすることを特徴とする請求項(U1)又は(U2)に記載の接合型ウェーハの剥離システム。
(U6)前記エピタキシャル機能層を、エピタキシャル成長用出発基板が除去されているものとすることを特徴とする(U1)又は(U2)に記載の接合型ウェーハの剥離システム。
(U7)前記異種基板を、サファイア、SiC、合成石英、石英、ガラス、LiTaO3、LiNbO3のいずれかの材料からなるものとすることを特徴とする(U1)又は(U2)に記載の接合型ウェーハの剥離システム。
(U8)前記レーザー光を、エキシマレーザーとすることを特徴とする(U1)又は(U2)に記載の接合型ウェーハの剥離システム。
(U9)前記レーザー光照射前に、粘着剤を塗布した仮支持基板を、前記エピタキシャル機能層の前記接合型ウェーハの前記異種基板とは反対側の面に粘着することを特徴とする(U1)又は(U2)に記載の接合型ウェーハの剥離システム。
(U10)前記粘着剤を、シリコーンとすることを特徴とする(U9)に記載の接合型ウェーハの剥離システム。
(U11)前記仮支持基板を、サファイア、SiC、合成石英、石英、ガラス、LiTaO3、LiNbO3のいずれかの材料からなるものとすることを特徴とする(U1)に記載の接合型ウェーハの剥離システム。
(U12)四角形状のデバイス構造部が硬化型接合材の硬化物層を介して支持体に接合された接合型ウェーハであって、レーザー光の照射によるデバイス構造部の剥離に用いられる接合型ウェーハ。
(U13)前記デバイス構造部が、赤色LEDチップである(U12)記載の接合型ウェーハ。
(U14)前記デバイス構造部が、AlGaInP系材料を含む(U12)記載の接合型ウェーハ。
(U15)前記硬化物層の厚みは、0.1~1.0μmである(U12)記載の接合型ウェーハ。
(U16)前記硬化物層の厚みは、0.1~1.0μmである(U13)記載の接合型ウェーハ。
(U17)前記硬化物層の厚みは、0.4~0.6μmである(U12)記載の接合型ウェーハ。
(U18)前記硬化物層の厚みは、0.4~0.6μmである(U13)記載の接合型ウェーハ。
(U19)前記デバイス構造部は、エピタキシャル成長用出発基板が除去されたエピタキシャル機能層を有する(U12)記載の接合型ウェーハ。
(U20)前記硬化型接合材は、ベンゾシクロブテン、ポリイミド、フッ素樹脂、エポキシ樹脂及びシリコーン樹脂からなる群より選択される少なくとも一つを含む(U12)記載の接合型ウェーハ。
(U21)前記支持体は、サファイア基板、SiC基板、合成石英基板、石英基板、ガラス基板、LiTaO3基板及びLiNbO3基板からなる群より選択される少なくとも一つを有する(U12)記載の接合型ウェーハ。
(U22)前記デバイス構造部が、AlGaInP系材料を含む赤色LEDチップであり、
前記硬化物層の厚みは、0.1~1.0μmであり、
前記デバイス構造部は、エピタキシャル成長用出発基板が除去されたエピタキシャル機能層を有し、
前記硬化型接合材は、ベンゾシクロブテン、ポリイミド、フッ素樹脂、エポキシ樹脂及びシリコーン樹脂からなる群より選択される少なくとも一つを含み、
前記支持体は、サファイア基板、SiC基板、合成石英基板、石英基板、ガラス基板、LiTaO3基板及びLiNbO3基板からなる群より選択される少なくとも一つを有する(U12)記載の接合型ウェーハ。
(U23)前記デバイス構造部が、AlGaInP系材料を含む赤色LEDチップであり、
前記硬化物層の厚みは、0.4~0.6μmであり、
前記デバイス構造部は、エピタキシャル成長用出発基板が除去されたエピタキシャル機能層を有し、
前記硬化型接合材は、ベンゾシクロブテンを含み、
前記支持体は、サファイア基板を有する(U12)記載の接合型ウェーハ。
(U24)前記デバイス構造部は、前記支持体上に複数接合されており、該複数のデバイス構造体はマトリックス状に配列している(U12)記載の接合型ウェーハ。
(U25)デバイス構造部が硬化型接合材の硬化物層を介して支持体と接合された接合型ウェーハから前記支持体を剥離する接合型ウェーハの剥離システムであって、
前記接合型ウェーハの支持体側から、レーザー発振器から発振されたレーザー光を照射することにより、前記デバイス構造部と前記支持体を分離させる機構を有することを特徴とする接合型ウェーハの剥離システム。
(U26)前記デバイス構造部が、赤色LEDチップである(U25)記載の接合型ウェーハの剥離システム。
(U27)前記デバイス構造部が、AlGaInP系材料を含む(U25)記載の接合型ウェーハの剥離システム。
(U28)前記硬化物層の厚みは、0.1~1.0μmである(U25)記載の接合型ウェーハの剥離システム。
(U29)前記硬化物層の厚みは、0.1~1.0μmである(U26)記載の接合型ウェーハの剥離システム。
(U30)前記硬化物層の厚みは、0.4~0.6μmである(U25)記載の接合型ウェーハの剥離システム。
(U31)前記硬化物層の厚みは、0.4~0.6μmである(U26)記載の接合型ウェーハの剥離システム。
(U32)前記デバイス構造部は、エピタキシャル成長用出発基板が除去されたエピタキシャル機能層を有する(U25)記載の接合型ウェーハの剥離システム。
(U33)前記硬化型接合材は、ベンゾシクロブテン、ポリイミド、フッ素樹脂、エポキシ樹脂及びシリコーン樹脂からなる群より選択される少なくとも一つを含む(U25)記載の接合型ウェーハの剥離システム。
(U34)前記支持体は、サファイア基板、SiC基板、合成石英基板、石英基板、ガラス基板、LiTaO3基板及びLiNbO3基板からなる群より選択される少なくとも一つを有する(U25)記載の接合型ウェーハの剥離システム。
(U35)前記デバイス構造部が、AlGaInP系材料を含む赤色LEDチップであり、
前記硬化物層の厚みは、0.1~1.0μmであり、
前記デバイス構造部は、エピタキシャル成長用出発基板が除去されたエピタキシャル機能層を有し、
前記硬化型接合材は、ベンゾシクロブテン、ポリイミド、フッ素樹脂、エポキシ樹脂及びシリコーン樹脂からなる群より選択される少なくとも一つを含み、
前記支持体は、サファイア基板、SiC基板、合成石英基板、石英基板、ガラス基板、LiTaO3基板及びLiNbO3基板からなる群より選択される少なくとも一つを有する(U25)記載の接合型ウェーハの剥離システム。
(U36)前記デバイス構造部が、AlGaInP系材料を含む赤色LEDチップであり、
前記硬化物層の厚みは、0.4~0.6μmであり、
前記デバイス構造部は、エピタキシャル成長用出発基板が除去されたエピタキシャル機能層を有し、
前記硬化型接合材は、ベンゾシクロブテンを含み、
前記支持体は、サファイア基板を有する(U25)記載の接合型ウェーハの剥離システム。
(U37)前記デバイス構造部は、前記支持体上に複数接合されており、該複数のデバイス構造体はマトリックス状に配列している(U25)記載の接合型ウェーハの剥離システム。
(U38)デバイス構造部が硬化型接合材の硬化物層を介して支持体と接合された接合型ウェーハから前記支持体を剥離する、分離されたデバイス構造部の製造システムであって、
前記接合型ウェーハの支持体側から、レーザー発振器から発振されたレーザー光を照射することにより、前記デバイス構造部と前記支持体を分離させる機構を有することを特徴とする、分離されたデバイス構造部の製造システム。
(U39)前記デバイス構造部が、赤色LEDチップである(U38)記載の分離されたデバイス構造部の製造システム。
(U40)前記デバイス構造部が、AlGaInP系材料を含む(U38)記載の分離されたデバイス構造部の製造システム。
(U41)前記硬化物層の厚みは、0.1~1.0μmである(U38)記載の分離されたデバイス構造部の製造システム。
(U42)前記硬化物層の厚みは、0.1~1.0μmである(U39)記載の分離されたデバイス構造部の製造システム。
(U43)前記硬化物層の厚みは、0.4~0.6μmである(U38)記載の分離されたデバイス構造部の製造システム。
(U44)前記硬化物層の厚みは、0.4~0.6μmである(U39)記載の分離されたデバイス構造部の製造システム。
(U45)前記デバイス構造部は、エピタキシャル成長用出発基板が除去されたエピタキシャル機能層を有する(U38)記載の分離されたデバイス構造部の製造システム。
(U46)前記硬化型接合材は、ベンゾシクロブテン、ポリイミド、フッ素樹脂、エポキシ樹脂及びシリコーン樹脂からなる群より選択される少なくとも一つを含む(U38)記載の分離されたデバイス構造部の製造システム。
(U47)前記支持体は、サファイア基板、SiC基板、合成石英基板、石英基板、ガラス基板、LiTaO3基板及びLiNbO3基板からなる群より選択される少なくとも一つを有する(U38)記載の分離されたデバイス構造部の製造システム。
(U48)前記デバイス構造部が、AlGaInP系材料を含む赤色LEDチップであり、
前記硬化物層の厚みは、0.1~1.0μmであり、
前記デバイス構造部は、エピタキシャル成長用出発基板が除去されたエピタキシャル機能層を有し、
前記硬化型接合材は、ベンゾシクロブテン、ポリイミド、フッ素樹脂、エポキシ樹脂及びシリコーン樹脂からなる群より選択される少なくとも一つを含み、
前記支持体は、サファイア基板、SiC基板、合成石英基板、石英基板、ガラス基板、LiTaO3基板及びLiNbO3基板からなる群より選択される少なくとも一つを有する(U38)記載の分離されたデバイス構造部の製造システム。
(U49)前記デバイス構造部が、AlGaInP系材料を含む赤色LEDチップであり、
前記硬化物層の厚みは、0.4~0.6μmであり、
前記デバイス構造部は、エピタキシャル成長用出発基板が除去されたエピタキシャル機能層を有し、
前記硬化型接合材は、ベンゾシクロブテンを含み、
前記支持体は、サファイア基板を有する(U38)記載の分離されたデバイス構造部の製造システム。
(U50)前記デバイス構造部は、前記支持体上に複数接合されており、該複数のデバイス構造体はマトリックス状に配列している(U38)記載の分離されたデバイス構造部の製造システム。
(U51)四角形状のデバイス構造部が硬化型接合材の硬化物層を介して支持体に接合された接合体であって、レーザー光の照射によるデバイス構造部の剥離に用いられる分離された接合体。
(U52)前記デバイス構造部が、赤色LEDチップである(U51)記載の分離された接合体。
(U53)前記デバイス構造部が、AlGaInP系材料を含む(U51)記載の分離された接合体。
(U54)前記硬化物層の厚みは、0.1~1.0μmである(U51)記載の分離された接合体。
(U55)前記硬化物層の厚みは、0.1~1.0μmである(U52)記載の分離された接合体。
(U56)前記硬化物層の厚みは、0.4~0.6μmである(U51)記載の分離された接合体。
(U57)前記硬化物層の厚みは、0.4~0.6μmである(U52)記載の分離された接合体。
(U58)前記デバイス構造部は、エピタキシャル成長用出発基板が除去されたエピタキシャル機能層を有する(U51)記載の分離された接合体。
(U59)前記硬化型接合材は、ベンゾシクロブテン、ポリイミド、フッ素樹脂、エポキシ樹脂及びシリコーン樹脂からなる群より選択される少なくとも一つを含む(U51)記載の分離された接合体。
(U60)前記支持体は、サファイア基板、SiC基板、合成石英基板、石英基板、ガラス基板、LiTaO3基板及びLiNbO3基板からなる群より選択される少なくとも一つを有する(U51)記載の分離された接合体。
(U61)前記デバイス構造部が、AlGaInP系材料を含む赤色LEDチップであり、
前記硬化物層の厚みは、0.1~1.0μmであり、
前記デバイス構造部は、エピタキシャル成長用出発基板が除去されたエピタキシャル機能層を有し、
前記硬化型接合材は、ベンゾシクロブテン、ポリイミド、フッ素樹脂、エポキシ樹脂及びシリコーン樹脂からなる群より選択される少なくとも一つを含み、
前記支持体は、サファイア基板、SiC基板、合成石英基板、石英基板、ガラス基板、LiTaO3基板及びLiNbO3基板からなる群より選択される少なくとも一つを有する(U51)記載の分離された接合体。
(U62)前記デバイス構造部が、AlGaInP系材料を含む赤色LEDチップであり、
前記硬化物層の厚みは、0.4~0.6μmであり、
前記デバイス構造部は、エピタキシャル成長用出発基板が除去されたエピタキシャル機能層を有し、
前記硬化型接合材は、ベンゾシクロブテンを含み、
前記支持体は、サファイア基板を有する(U51)記載の分離された接合体。
(U63)前記デバイス構造部は、前記支持体上に複数接合されており、該複数のデバイス構造体はマトリックス状に配列している(U51)記載の分離された接合体。
(U64)デバイス構造部が硬化型接合材の硬化物層を介して支持体と接合された接合体から、前記支持体を剥離する接合体の剥離システムであって、
前記接合体の支持体側から、レーザー発振器から発振されたレーザー光を照射することにより、前記デバイス構造部と前記支持体を分離させる機構を有することを特徴とする接合体の剥離システム。
(U65)前記デバイス構造部が、赤色LEDチップである(U64)記載の接合体の剥離システム。
(U66)前記デバイス構造部が、AlGaInP系材料を含む(U64)記載の接合体の剥離システム。
(U67)前記硬化物層の厚みは、0.1~1.0μmである(U64)記載の接合体の剥離システム。
(U68)前記硬化物層の厚みは、0.1~1.0μmである(U65)記載の接合体の剥離システム。
(U69)前記硬化物層の厚みは、0.4~0.6μmである(U64)記載の接合体の剥離システム。
(U70)前記硬化物層の厚みは、0.4~0.6μmである(U65)記載の接合体の剥離システム。
(U71)前記デバイス構造部は、エピタキシャル成長用出発基板が除去されたエピタキシャル機能層を有する(U64)記載の接合体の剥離システム。
(U72)前記硬化型接合材は、ベンゾシクロブテン、ポリイミド、フッ素樹脂、エポキシ樹脂及びシリコーン樹脂からなる群より選択される少なくとも一つを含む(U64)記載の接合体の剥離システム。
(U73)前記支持体は、サファイア基板、SiC基板、合成石英基板、石英基板、ガラス基板、LiTaO3基板及びLiNbO3基板からなる群より選択される少なくとも一つを有する(U64)記載の接合体の剥離システム。
(U74)前記デバイス構造部が、AlGaInP系材料を含む赤色LEDチップであり、
前記硬化物層の厚みは、0.1~1.0μmであり、
前記デバイス構造部は、エピタキシャル成長用出発基板が除去されたエピタキシャル機能層を有し、
前記硬化型接合材は、ベンゾシクロブテン、ポリイミド、フッ素樹脂、エポキシ樹脂及びシリコーン樹脂からなる群より選択される少なくとも一つを含み、
前記支持体は、サファイア基板、SiC基板、合成石英基板、石英基板、ガラス基板、LiTaO3基板及びLiNbO3基板からなる群より選択される少なくとも一つを有する(U64)記載の接合体の剥離システム。
(U75)前記デバイス構造部が、AlGaInP系材料を含む赤色LEDチップであり、
前記硬化物層の厚みは、0.4~0.6μmであり、
前記デバイス構造部は、エピタキシャル成長用出発基板が除去されたエピタキシャル機能層を有し、
前記硬化型接合材は、ベンゾシクロブテンを含み、
前記支持体は、サファイア基板を有する(U64)記載の接合体の剥離システム。
(U76)前記デバイス構造部は、前記支持体上に複数接合されており、該複数のデバイス構造体はマトリックス状に配列している(U64)記載の接合体の剥離システム。
(U77)デバイス構造部が硬化型接合材の硬化物層を介して支持体と接合された接合体から前記支持体を剥離する、分離されたデバイス構造部の製造システムであって、
前記接合体の支持体側から、レーザー発振器から発振されたレーザー光を照射することにより、前記デバイス構造部と前記支持体を分離させる機構を有することを特徴とする、分離されたデバイス構造部の製造システム。
(U78)前記デバイス構造部が、赤色LEDチップである(U77)記載の分離されたデバイス構造部の製造システム。
(U79)前記デバイス構造部が、AlGaInP系材料を含む(U77)記載の分離されたデバイス構造部の製造システム。
(U80)前記硬化物層の厚みは、0.1~1.0μmである(U77)記載の分離されたデバイス構造部の製造システム。
(U81)前記硬化物層の厚みは、0.1~1.0μmである(U78)記載の分離されたデバイス構造部の製造システム。
(U82)前記硬化物層の厚みは、0.4~0.6μmである(U77)記載の分離されたデバイス構造部の製造システム。
(U83)前記硬化物層の厚みは、0.4~0.6μmである(U78)記載の分離されたデバイス構造部の製造システム。
(U84)前記デバイス構造部は、エピタキシャル成長用出発基板が除去されたエピタキシャル機能層を有する(U77)記載の分離されたデバイス構造部の製造システム。
(U85)前記硬化型接合材は、ベンゾシクロブテン、ポリイミド、フッ素樹脂、エポキシ樹脂及びシリコーン樹脂からなる群より選択される少なくとも一つを含む(U77)記載の分離されたデバイス構造部の製造システム。
(U86)前記支持体は、サファイア基板、SiC基板、合成石英基板、石英基板、ガラス基板、LiTaO3基板及びLiNbO3基板からなる群より選択される少なくとも一つを有する(U77)記載の分離されたデバイス構造部の製造システム。
(U87)前記デバイス構造部が、AlGaInP系材料を含む赤色LEDチップであり、
前記硬化物層の厚みは、0.1~1.0μmであり、
前記デバイス構造部は、エピタキシャル成長用出発基板が除去されたエピタキシャル機能層を有し、
前記硬化型接合材は、ベンゾシクロブテン、ポリイミド、フッ素樹脂、エポキシ樹脂及びシリコーン樹脂からなる群より選択される少なくとも一つを含み、
前記支持体は、サファイア基板、SiC基板、合成石英基板、石英基板、ガラス基板、LiTaO3基板及びLiNbO3基板からなる群より選択される少なくとも一つを有する(U77)記載の分離されたデバイス構造部の製造システム。
(U88)前記デバイス構造部が、AlGaInP系材料を含む赤色LEDチップであり、
前記硬化物層の厚みは、0.4~0.6μmであり、
前記デバイス構造部は、エピタキシャル成長用出発基板が除去されたエピタキシャル機能層を有し、
前記硬化型接合材は、ベンゾシクロブテンを含み、
前記支持体は、サファイア基板を有する(U77)記載の分離されたデバイス構造部の製造システム。
(U89)前記デバイス構造部は、前記支持体上に複数接合されており、該複数のデバイス構造体はマトリックス状に配列している(U77)記載の分離されたデバイス構造部の製造システム。
(X1)デバイス構造部が支持体に接合された接合型ウェーハの、レーザー光の照射によるデバイス構造部の剥離への応用であって、
前記デバイス構造部は、硬化型接合材の硬化物層を介して前記支持体に接合される、応用。
(X2)デバイス構造部が支持体に接合された接合型ウェーハの、レーザー光の照射によるデバイス構造部の剥離に用いられる接合型ウェーハの製造への応用であって、
前記デバイス構造部は、硬化型接合材の硬化物層を介して前記支持体に接合される、応用。
(X3)デバイス構造部が支持体に接合された接合体の、レーザー光の照射によるデバイス構造部の剥離への応用であって、
前記デバイス構造部は、硬化型接合材の硬化物層を介して前記支持体に接合される、応用。
(X4)デバイス構造部が支持体に接合された接合体の、レーザー光の照射によるデバイス構造部の剥離に用いられる接合体の製造への応用であって、
前記デバイス構造部は、硬化型接合材の硬化物層を介して前記支持体に接合される、応用。
Claims (13)
- 分離されたデバイス構造部の製造方法であって、
AlGaInP系材料を含むエピタキシャル機能層が積層されたn型の出発基板を準備する工程、
前記エピタキシャル機能層の前記出発基板を有する側とは反対側に、熱硬化性の硬化型接合材の硬化物層を介して支持体を接合する工程、
前記出発基板を除去し、エピタキシャル機能層のn型の層を露出させる工程、
前記n型の層上に第一電極を形成する工程、
前記n型の層の、前記第一電極が形成された領域以外の領域の一部を除去し、p型の層を露出させる工程、
前記p型の層上に第二電極を形成する工程、
加熱処理によりオーミック接触を得る工程、
前記支持体側からレーザー光を照射することにより、前記硬化物層及び/又は前記硬化物層と接触する前記エピタキシャル機能層の表面の少なくとも一部にレーザー光を吸収させ、前記硬化物層及び/又は前記エピタキシャル機能層の表面を分解することで、前記第一電極及び前記第二電極を有するエピタキシャル機能層を前記支持体から分離させることを特徴とする分離されたデバイス構造部の製造方法。 - 前記エピタキシャル機能層を、発光素子構造を有するものとすることを特徴とする請求項1に記載の分離されたデバイス構造部の製造方法。
- 前記硬化型接合材を、ベンゾシクロブテン、ポリイミド、フッ素樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂のいずれか1つを含むものとすることを特徴とする請求項1に記載の分離されたデバイス構造部の製造方法。
- 前記レーザー光を、エキシマレーザーとすることを特徴とする請求項1に記載の分離されたデバイス構造部の製造方法。
- 前記レーザー光照射前に、粘着剤を塗布した仮支持基板を、前記エピタキシャル機能層の前記支持体が設けられた面とは反対側の面に粘着することを特徴とする請求項1に記載の分離されたデバイス構造部の製造方法。
- 前記粘着剤を、シリコーンとすることを特徴とする請求項5に記載の分離されたデバイス構造部の製造方法。
- 前記仮支持基板を、サファイア、SiC、合成石英、石英、ガラス、LiTaO3、LiNbO3のいずれかの材料からなるものとすることを特徴とする請求項5又は請求項6に記載の分離されたデバイス構造部の製造方法。
- 前記デバイス構造部が、赤色LEDチップである請求項1記載の分離されたデバイス構造部の製造方法。
- 前記硬化物層の厚みは、0.1~1.0μmである請求項1記載の分離されたデバイス構造部の製造方法。
- 前記硬化物層の厚みは、0.4~0.6μmである請求項1記載の分離されたデバイス構造部の製造方法。
- 前記支持体は、サファイア基板、SiC基板、合成石英基板、石英基板、ガラス基板、LiTaO3基板及びLiNbO3基板からなる群より選択される少なくとも一つを有する請求項1記載の分離されたデバイス構造部の製造方法。
- 前記デバイス構造部が、AlGaInP系材料を含む赤色LEDチップであり、
前記硬化物層の厚みは、0.1~1.0μmであり、
前記硬化型接合材は、ベンゾシクロブテン、ポリイミド、フッ素樹脂、エポキシ樹脂及びシリコーン樹脂からなる群より選択される少なくとも一つを含み、
前記支持体は、サファイア基板、SiC基板、合成石英基板、石英基板、ガラス基板、LiTaO3基板及びLiNbO3基板からなる群より選択される少なくとも一つを有する請求項1記載の分離されたデバイス構造部の製造方法。 - 前記デバイス構造部が、AlGaInP系材料を含む赤色LEDチップであり、
前記硬化物層の厚みは、0.4~0.6μmであり、
前記硬化型接合材は、ベンゾシクロブテンを含み、
前記支持体は、サファイア基板を有する請求項1記載の分離されたデバイス構造部の製造方法。
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