CN118043942A - 接合型晶片的剥离方法 - Google Patents
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Abstract
本发明是一种接合型晶片的剥离方法，从接合型晶片剥离支撑体，所述接合型晶片具有在外延功能层的单面具有极性不同的两个以上的电极的元件结构部，且所述元件结构部利用固化型接合材而与包含异质基板的所述支撑体接合，其中，所述接合型晶片的剥离方法包括将激光照射至所述接合型晶片，由此来使所述固化型接合材和/或与所述固化型接合材接触的所述元件结构部的表面的至少一部分吸收激光，使所述固化型接合材和/或所述元件结构部的表面分解，从而使所述元件结构部与所述支撑体分离。由此，提供一种分离方法，所述分离方法在作为接合型晶片的、具有在外延功能层的单面具有极性不同的两个以上的电极的元件结构部且元件结构部利用固化型接合材而与包含异质基板的支撑体接合这一利用固化型接合材而牢固地接合的晶片的分离中，元件结构部的残存率高。
Description
技术领域
本发明涉及一种接合型晶片的剥离方法，尤其涉及一种将外延(epitaxial)晶片接合于异质基板的接合型晶片的剥离方法。
背景技术
从原始基板仅分离外延功能层并移载至其他基板的技术是对于缓和起因于原始基板的物性的限制，提高元件系统的设计自由度而言为重要的技术。
为了实现所述移载，需要将外延功能层接合至永久基板后去除原始基板而实现移载的技术。
专利文献1中，公开了：将半导体外延基板与临时支撑基板经由介电层而热压接接合的技术、与利用湿式蚀刻来分离临时支撑基板与外延功能层的技术。
专利文献2中，公开了一种技术：尽管并非与接合性的提高直接相关，但作为接合时的一形态，将透明导电层插入至粘合层与功能层之间。
但是，专利文献1中公开的是：将半导体外延基板与所述临时支撑基板经由介电层而热压接接合的技术、与利用湿式蚀刻来分离临时支撑基板与外延功能层的技术，但为了维持临时支撑，存在热条件为一定以下这一限制。因此，在去除原始基板后在外延功能层上制作元件存在限制。
而且，在去除原始基板后实施元件工序的情况下，为了获得欧姆接触而需要热工序。但是，若在通过有机接合材而接合的状态下实施形成欧姆接触的热历程，则会从临时支撑变为永久接合(比临时支撑更牢固的接合)，从而导致剥离变得困难。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开2021-27301号公报
专利文献2：日本专利特开2004-158823号公报
发明内容
发明所要解决的问题
本发明是有鉴于所述问题而完成，目的在于提供一种分离方法，在作为接合型晶片的、具有在外延功能层的单面具有极性不同的两个以上的电极的元件结构部且元件结构部利用固化型接合材而与包含异质基板的支撑体接合这一利用固化型接合材而牢固地接合的晶片的分离中，元件结构部的残存率高。
解决问题的技术手段
为了达成所述目的，本发明提供一种接合型晶片的剥离方法，从接合型晶片剥离支撑体，所述接合型晶片具有在外延功能层的单面具有极性不同的两个以上的电极的元件结构部，且所述元件结构部利用固化型接合材而与包含异质基板的所述支撑体接合，所述接合型晶片的剥离方法的特征在于，将激光照射至所述接合型晶片，由此来使所述固化型接合材和/或与所述固化型接合材接触的所述元件结构部的表面的至少一部分吸收激光，使所述固化型接合材和/或所述元件结构部的表面分解，从而使所述元件结构部与所述支撑体分离。
此种本发明的接合型晶片的剥离方法中，通过照射激光，从而能够容易地从元件结构部剥离支撑体。因此，与通过机械加工或蚀刻来去除支撑体的做法相比，能够提高元件结构部的残存率(元件结构部未被破坏而残存的比例)。
而且，本发明的接合型晶片的剥离方法中，可使所述外延功能层具有发光元件结构。
而且，可使所述外延功能层包含AlGaInP系材料。
本发明可在具有这些结构的接合型晶片的剥离中较佳地采用。
而且，本发明的接合型晶片的剥离方法中，优选的是，使所述固化型接合材具有热固性、紫外线(Ultraviolet，UV)固化性以及常温固化性中的任一种固化特性。
此时，优选的是，使所述固化型接合材包含苯并环丁烯、聚酰亚胺、氟树脂、环氧树脂、硅酮树脂中的任一种。
本发明的接合型晶片的剥离方法在使用此种固化型接合材的情况下尤其适合。
而且，优选的是，将所述外延功能层设为外延成长用原始基板已被去除的外延功能层。
本发明的接合型晶片的剥离方法可较佳地适合于原始用基板已被去除的接合型晶片的剥离。
而且，优选的是，使所述异质基板包含蓝宝石、SiC、合成石英、石英、玻璃、LiTaO3、LiNbO3中的任一种材料。
此种异质基板能够以对激光的透射性高的方式来选择，适合于本发明的接合型晶片的剥离方法。
而且，优选的是，将所述激光设为准分子激光。
通过像这样使用准分子激光来作为激光，能够更切实地进行接合型晶片的剥离。
而且，优选的是，在所述激光照射前，将涂布有粘合剂的临时支撑基板粘接于所述外延功能层的、与所述接合型晶片的所述异质基板为相反侧的面。
此时，优选的是，将所述粘合剂设为硅酮。
优选的是，使所述临时支撑基板包含蓝宝石、SiC、合成石英、石英、玻璃、LiTaO3、LiNbO3中的任一种材料。
通过使用这些临时支撑基板以及粘合剂，能够更顺利地进行接合型晶片的剥离。
发明的效果
本发明的接合型晶片的剥离方法中，通过照射激光，从而能够容易地从元件结构部剥离支撑体。在通过激光的照射所进行的剥离中，对元件施加的应力少。因此，与通过机械加工或蚀刻来去除支撑体的做法相比，能够提高元件结构部的残存率(元件结构部未被破坏而残存的比例)。
附图说明
[图1]是作为制作接合型晶片的工艺的一部分而表示在原始基板上制作具有外延功能层的外延晶片的工序的概略图。
[图2]是作为制作接合型晶片的工艺的一部分而表示接合外延晶片与异质基板的工序的概略图。
[图3]是作为制作接合型晶片的工艺的一部分而表示去除原始基板的工序的概略图。
[图4]是作为制作接合型晶片的工艺的一部分而表示形成第一电极的工序的概略图。
[图5]是作为制作接合型晶片的工艺的一部分而表示形成缺口部的工序的概略图。
[图6]是作为制作接合型晶片的工艺的一部分而表示形成第二电极的工序的概略图。
[图7]是表示在进行接合型晶片的剥离之前粘合接合型晶片与临时支撑基板的工序的概略图。
[图8]是表示本发明的接合型晶片的剥离方法的第一实施方式的一例的概略图。
[图9]是表示本发明的接合型晶片的剥离方法的第二实施方式的一例的概略图。
具体实施方式
以下，详细说明本发明，但本发明并不限定于它们。
本发明提供一种接合型晶片的剥离方法，从接合型晶片剥离支撑体，所述接合型晶片具有在外延功能层的单面具有极性不同的两个以上的电极的元件结构部，且所述元件结构部利用固化型接合材而与包含异质基板的所述支撑体接合，所述接合型晶片的剥离方法的特征在于，将激光照射至所述接合型晶片，由此来使所述固化型接合材和/或与所述固化型接合材接触的所述元件结构部的表面的至少一部分吸收激光，使所述固化型接合材和/或所述元件结构部的表面分解，从而使所述元件结构部与所述支撑体分离。
可适用本发明的剥离方法的接合型晶片是像这样具有在外延功能层的单面具有极性不同的两个以上的电极的元件结构部，且元件结构部利用固化型接合材而与包含异质基板的支撑体接合的接合型晶片。所述接合型晶片例如可如以下那样制作，但并不限定于此。
[第一实施方式]
第一实施方式中，主要例示使用硅酮树脂作为固化型接合材的情况进行说明。
首先，如图1所示，在原始基板10上依次进行外延成长，形成各层。由此，制作外延功能层。更具体而言，可像以下那样进行各层的外延成长。如图1所示，作为原始基板10，可准备第一导电型的GaAs原始基板后，层叠第一导电型的GaAs缓冲层11，随后，依次使第一导电型的GaInP第一蚀刻阻挡层12成长例如0.3μm，使第一导电型的GaAs第二蚀刻阻挡层13成长例如0.3μm，使第一导电型的AlGaInP第一包覆层14成长例如1.0μm，使非掺杂的AlGaInP活性层15、第二导电型的AlGaInP第二包覆层16例如成长1.0μm，使第二导电型的GaInP中间层17例如成长0.1μm，使第二导电型的GaP窗口层18例如成长4μm。由此，准备作为外延功能层19的具有发光元件结构的外延晶片100。此处，将从AlGaInP第一包覆层14直至AlGaInP第二包覆层16为止称作DH结构部(双异质(Double Hetero)结构部)。
接下来，如图2所示，将外延晶片100与异质基板21利用固化型接合材22予以接合。异质基板21成为接合型晶片的支撑体。更具体而言，可像以下那样进行接合。如图2所示，在外延晶片100上旋涂硅酮树脂以作为固化型接合材(热固化型接合构件)22，并使其与作为异质基板21的蓝宝石晶片相向地重合并进行热压接，由此，将外延晶片100与作为异质基板21的蓝宝石晶片经由作为固化型接合材22的硅酮树脂予以接合。这样，制作外延晶片接合基板200。在通过旋涂来涂布硅酮树脂时，设计膜厚例如可设为1.0μm左右。
另外，并不限于在外延晶片100上直接旋涂固化型接合材22，在外延晶片100上层叠一层以上的透明膜之后进行旋涂也能获得同样的效果。所述透明膜可采用具有一层以上的SiO2、SiNx等绝缘膜、氧化铟、氧化锡、氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)等透明导电薄膜的结构。
而且，异质基板21并不限定于蓝宝石，只要是确保平坦性且激光的吸收率低的材料，则选择任何材料皆可。除了蓝宝石以外，可选择SiC、合成石英、石英(天然石英)、玻璃、LiTaO3、LiNbO3等。
而且，固化型接合材22并不限定于硅酮树脂，只要具有固化性、尤其是热固性，则选择任何材料皆可。除了硅酮树脂以外，还可使用氟树脂等。
接下来，如图3所示，在异质基板21上保留外延功能层19，去除原始基板10。更具体而言，可像以下那样进行去除。如图3所示，将GaAs原始基板10(以及GaAs缓冲层11)通过氨和过氧化氢水溶液(氨水和双氧水的混合物)等的选择蚀刻液进行湿式蚀刻处理而予以去除，使GaInP第一蚀刻阻挡层12露出。接下来，将蚀刻剂切换为盐酸系而选择性地去除GaInP第一蚀刻阻挡层12，使GaAs第二蚀刻阻挡层13露出。然后，将蚀刻剂切换为硫酸和过氧化氢水溶液系而选择性地去除GaAs第二蚀刻阻挡层13，使第一包覆层14露出。通过进行以上的处理，制作保持外延功能层19(更具体而言为DH层(AlGaInP第一包覆层14至AlGaInP第二包覆层16)与窗口层18)的接合基板300。
另外，此处，作为固化型接合材22的厚度，例示了1.0μm的硅酮树脂厚度，但并不限定于此厚度，无论是比此厚度薄还是厚，均能够获得同样的效果。但由于是通过旋涂来形成硅酮树脂，因此若过薄，则接合处理后的面积成品率存在下降的倾向。为了在接合后确保90％以上的面积成品率，较佳的是设计0.05μm以上的粘合层厚度。而且，若只要维持70％以上的接合面积成品率即可，则只要设计0.01μm以上的硅酮树脂即可。但从经济合理性出发，较佳的是设为10μm以下的膜厚。
接下来，如图4所示，在第一导电型的AlGaInP第一包覆层14的一部分区域形成第一电极41。第一电极41较佳为使用高反射性的金属，可设为使用Au系的电极。所述第一电极41例如对于与AlGaInP第一包覆层14接触的金属可使用AuBe系。
接下来，如图5所示，在形成第一电极41后，将第一导电型的AlGaInP第一包覆层14的第一电极41的形成区域以外的区域的一部分通过干式蚀刻等的方法而切开，在缺口部使第二导电型GaP窗口层18露出。
另外，图5中例示了仅切开半导体层部的情况，但并不限定于仅切开半导体部的情况，也可切开至固化型接合材22(硅酮树脂)部为止，还可切开至异质基板21部为止。
接下来，如图6所示，利用钝化(Passivation，PSV)膜65来包覆侧面。进而制作具有在露出区域形成有第二电极61的元件结构部的接合基板。第二电极61优选使用高反射性的金属。具体而言，可使用Au系，优选设为AuSi系。另外，既可如前所述在形成第二电极61前形成PSV膜65，也可在形成第二电极61后形成PSV膜65。而且，也可未必形成PSV膜65自身。在形成第一电极、第二电极后，为了获得欧姆接触，例如以400℃进行5分钟的快速热退火(RapidThermal Annealing，RTA)热处理。
这样，制作在外延功能层19的单面具有极性不同的两个以上的电极(第一电极41以及第二电极61)的元件结构部利用固化型接合材22而与包含异质基板21的支撑体接合的接合型晶片(具有元件结构部的接合基板)600。
本发明是一种接合型晶片的剥离方法，从此种接合型晶片600剥离包含异质基板21的支撑体，所述接合型晶片的剥离方法的特征在于，通过对接合型晶片600照射激光，从而使固化型接合材22和/或与固化型接合材22接触的元件结构部的表面的至少一部分吸收激光，使固化型接合材22和/或元件结构部的表面分解，由此来使元件结构部与支撑体。第一实施方式中，主要说明元件结构部的表面的分解的形态。具体而言，所述分离能够像以下那样进行。
首先，如图7所示，优选的是，在激光照射前，将涂布有粘合剂72的临时支撑基板71粘接于外延功能层19的、与接合型晶片的异质基板21为相反侧的面。具体而言，所述粘接如下。首先，如图7所示，作为临时支撑基板71，准备在合成石英晶片上涂布有层状的硅酮粘合剂72的临时支撑基板71，使接合型晶片600与临时支撑基板71相向而加压，使粘合剂粘接。
另外，作为临时支撑基板71，并不限定于合成石英，可使用蓝宝石或石英(天然石英)、玻璃、SiC、LiTaO3、LiNbO3等。
接下来，如图8所示，从异质基板21侧照射准分子激光，使透射过异质基板(蓝宝石基板)21以及固化型接合材(硅酮树脂接合层)22的激光被GaP窗口层18吸收而分解(消融(ablation))，从外延功能层19剥离异质基板21。
[第二实施方式]
第二实施方式中，主要例示使用苯并环丁烯(Benzocyclobutene，BCB)作为固化型接合材的情况进行说明。对于与第一实施方式类似的工序，参照图1～图7，对于接合型晶片的剥离，参照图9。
首先，如图1所示，在原始基板10上依次进行外延成长而形成各层。由此来制作外延功能层。更具体而言，能够像以下那样进行各层的外延成长。如图1所示，作为原始基板10，可准备第一导电型的GaAs原始基板后，层叠第一导电型的GaAs缓冲层11，随后，依次使第一导电型的GaxIn1-xP(0.4≦x≦0.6)第一蚀刻阻挡层12例如成长0.3μm，使第一导电型的GaAs第二蚀刻阻挡层13例如成长0.3μm，使第一导电型的(AlyGa1-y)xIn1-xP(0.4≦x≦0.6、0＜y≦1)第一包覆层14例如成长1.0μm，使非掺杂的(AlyGa1-y)xIn1-xP(0.4≦x≦0.6、0≦y≦0.6)活性层15、第二导电型的(AlyGa1-y)xIn1-xP(0.4≦x≦0.6、0＜y≦1)第二包覆层16例如成长1.0μm，使第二导电型的GaInP中间层17例如成长0.1μm，使第二导电型的GaP窗口层18例如成长4μm。由此，准备作为外延功能层19的具有发光元件结构的外延晶片100。此处，将从AlGaInP第一包覆层14直至AlGaInP第二包覆层16称作DH结构部(双异质结构部)。
接下来，如图2所示，将外延晶片100与异质基板21利用固化型接合材22予以接合。更具体而言，可像以下那样进行接合。如图2所示，在外延晶片100上旋涂苯并环丁烯(BCB)作为固化型接合材(热固化型接合构件)22，并使其与作为异质基板21的蓝宝石晶片相向而重合并进行热压接，由此，将外延晶片100与作为异质基板21的蓝宝石晶片经由作为固化型接合材22的BCB予以接合。这样，制作外延晶片接合基板200。在通过旋涂来涂布BCB时，设计膜厚例如可设为1.0μm左右。
另外，并不限定于在外延晶片100上直接旋涂固化型接合材22，在外延晶片100上层叠一层以上的透明膜之后进行旋涂当然也能获得同样的效果。所述透明膜可采用具有一层以上的SiO2、SiNx等绝缘膜、氧化铟、氧化锡、ITO(氧化铟锡)等透明导电薄膜的结构。
而且，异质基板21并不限定于蓝宝石，只要是确保平坦性且激光的吸收率低的材料，则选择任何材料皆可。除了蓝宝石以外，可选择SiC、合成石英、石英(天然石英)、玻璃、LiTaO3、LiNbO3等。
而且，固化型接合材22并不限定于BCB，只要具有固化性，则选择任何材料皆可。除了BCB以外，也可使用环氧树脂、旋涂玻璃(Spin On Glass，SOG)、聚酰亚胺(Polyimide，PI)等。
接下来，如图3所示，在异质基板21上保留外延功能层19，去除原始基板10。更具体而言，可像以下那样进行去除。如图3所示，将GaAs原始基板10以及GaAs缓冲层11通过氨和过氧化氢水溶液(氨水和双氧水的混合物)等的选择蚀刻液进行湿式蚀刻处理而予以去除，使GaInP第一蚀刻阻挡层12露出。接下来，将蚀刻剂切换为盐酸系而选择性地去除GaInP第一蚀刻阻挡层12，使GaAs第二蚀刻阻挡层13露出。然后，将蚀刻剂切换为硫酸和过氧化氢水溶液系而选择性地去除GaAs第二蚀刻阻挡层13，使第一包覆层14露出。通过进行以上的处理，制作保持外延功能层19(更具体而言为DH层(AlGaInP第一包覆层14至AlGaInP第二包覆层16)与窗口层18)的接合基板300。
另外，此处，作为固化型接合材22的厚度，例示了1.0μm的BCB厚度，但并不限定于此厚度，无论是比此厚度薄还是厚，均能够获得同样的效果。但由于是通过旋涂来形成BCB，因此若过薄，则接合处理后的面积成品率存在下降的倾向。为了在接合后确保90％以上的面积成品率，较佳的是设计0.05μm以上的粘合层厚度。而且，若只要维持70％以上的接合面积成品率即可，则只要设计0.01μm以上的BCB即可。但从经济合理性出发，较佳的是设为10μm以下的膜厚。
接下来，如图4所示，在第一导电型的AlGaInP第一包覆层14的一部分区域形成第一电极41。第一电极41较佳为使用高反射性的金属，可设为使用Au系的电极。所述第一电极41例如对于与AlGaInP第一包覆层14接触的金属可使用AuBe系。
接下来，如图5所示，在形成第一电极41后，将第一导电型的AlGaInP第一包覆层14的第一电极41的形成区域以外的区域的一部分通过干式蚀刻等的方法而切开，在缺口部使第二导电型GaP窗口层18露出。
另外，图5中例示了仅切开半导体层部的情况，但并不限定于仅切开半导体部的情况，也可切开至固化型接合材22(BCB)部为止，还可切开至异质基板21部为止。
接下来，如图6所示，利用钝化(PSV)膜65来包覆侧面。进而制作具有在露出区域形成有第二电极61的元件结构部的接合基板。第二电极61优选使用高反射性的金属。具体而言，可使用Au系，优选设为AuSi系。另外，既可如前所述在形成第二电极61前形成PSV膜65，也可在形成第二电极61后形成PSV膜65。而且，也可未必形成PSV膜65自身。在形成第一电极、第二电极后，为了获得欧姆接触，例如以400℃进行5分钟的RTA热处理。
这样，制作在外延功能层19的单面具有极性不同的两个以上的电极(第一电极41以及第二电极61)的元件结构部利用固化型接合材22而与包含异质基板21的支撑体接合的接合型晶片600。
本发明是一种接合型晶片的剥离方法，从此种接合型晶片600剥离包含异质基板21的支撑体，所述接合型晶片的剥离方法的特征在于，通过对接合型晶片600照射激光，从而使固化型接合材22和/或与固化型接合材22接触的元件结构部的表面(即，在图6的情况下为窗口层18的表面)的至少一部分吸收激光，使固化型接合材22和/或元件结构部的表面分解，由此来使元件结构部与支撑体分离。第二实施方式中，主要说明固化型接合材22的分解的形态。
具体而言，所述分离能够像以下那样进行。首先，优选的是，在激光照射前，将涂布有粘合剂的临时支撑基板粘接于外延功能层的、与接合型晶片的异质基板为相反侧的面。例如，如图7所示，作为临时支撑基板71，准备在合成石英晶片上涂布有层状的硅酮粘合剂72的临时支撑基板71，使接合型晶片600与临时支撑基板71相向而加压，使粘合剂粘接。
另外，作为临时支撑基板71，并不限定于合成石英，可使用蓝宝石或石英(天然石英)、玻璃、SiC、LiTaO3、LiNbO3等。
接下来，如图9所示，从异质基板(蓝宝石基板)21侧照射准分子激光，BCB层22吸收透射过异质基板(蓝宝石基板)21而到达固化型接合材(BCB接合层)22的激光，BCB层22分解(消融)，由此产生空隙，从而从外延功能层19剥离异质基板21。
另外，像这样，作为固化型接合材22，主要例示了硅酮树脂或BCB等热固性的接合材，但在采用了具有UV固化性或常温固化性的固化特性的材料的接合型晶片的剥离方法中，也能够适用本发明。
实施例
以下，列举实施例以及比较例来详细说明本发明，但它们并不限定本发明。
(实施例1)
准备作为外延功能层19的具有发光元件结构的外延晶片100，所述外延功能层19是在n型的GaAs原始基板10上层叠n型的GaAs缓冲层11后，依次使n型的GaxIn1-xP(0.4≦x≦0.6)第一蚀刻阻挡层12成长0.3μm，使n型的GaAs第二蚀刻阻挡层13成长0.3μm，使n型的(AlyGa1-y)xIn1-xP(0.4≦x≦0.6、0＜y≦1)第一包覆层14成长1.0μm，使非掺杂的(AlyGa1-y)xIn1-xP(0.4≦x≦0.6、0≦y≦0.6)活性层15、p型的(AlyGa1-y)xIn1-xP(0.4≦x≦0.6、0＜y≦1)第二包覆层16成长1.0μm，使p型的GaInP中间层17成长0.1μm，使p型的GaP窗口层18成长4μm(参照图1)。
接下来，在外延晶片100上，作为热固化型接合构件22，旋涂硅酮树脂而形成第一接合层，使其与作为异质基板21的蓝宝石基板相向地重合并进行热压接，由此来制作将外延晶片100与作为异质基板21的蓝宝石基板经由作为固化型接合材22的硅酮树脂而接合的外延晶片接合基板(第一化合物半导体接合基板)200。在通过旋涂来涂布硅酮树脂时，设计膜厚是设为1.0μm(参照图2)。
将GaAs原始基板10以及GaAs缓冲层11通过氨和过氧化氢水溶液进行湿式蚀刻处理而予以去除，使GaInP第一蚀刻阻挡层12露出。接下来，将蚀刻剂切换为盐酸系而选择性地去除GaInP第一蚀刻阻挡层12，使GaAs第二蚀刻阻挡层13露出。然后，将蚀刻剂切换为硫酸和过氧化氢水溶液系而选择性地去除GaAs第二蚀刻阻挡层13，使第一包覆层14露出。通过进行以上的处理，制作保持外延功能层19(更具体而言为DH层(第一包覆层14至A第二包覆层16)与窗口层18)的接合基板(第二化合物半导体接合基板)300(参照图3)。
接下来，在n型的第一包覆层14的一部分区域形成AuBe系的第一电极41(参照图4)。
在形成第一电极后，将n型的第一包覆层14的第一电极41形成区域以外的区域的一部分通过干式蚀刻而切开，在缺口部使p型GaP窗口层18露出(参照图5)。
接下来，利用钝化(PSV)膜65来包覆侧面，制作在露出区域形成有AuSi系的第二电极61的接合型晶片(具有元件结构部的接合基板)600。在形成第一电极、第二电极后，为了获得欧姆接触，以400℃进行5分钟的RTA热处理(参照图6)。
接下来，作为临时支撑基板71，准备在合成石英晶片上涂布有层状的硅酮粘合剂72的临时支撑基板71，使接合型晶片600与临时支撑基板71相向而加压，使粘合剂粘接(参照图7)。
从作为异质基板21的蓝宝石基板侧照射准分子激光，使透射过蓝宝石基板以及硅酮接合层72的激光被p型GaP窗口层18吸收而分解(消融)，从外延功能层19剥离作为异质基板21的蓝宝石基板(参照图8)。
(实施例2)
准备作为外延功能层19的具有发光元件结构的外延晶片100，所述外延功能层19是在n型的GaAs原始基板10上层叠n型的GaAs缓冲层11后，依次使n型的GaxIn1-xP(0.4≦x≦0.6)第一蚀刻阻挡层12成长0.3μm，使n型的GaAs第二蚀刻阻挡层13成长0.3μm，使n型的(AlyGa1-y)xIn1-xP(0.4≦x≦0.6、0＜y≦1)第一包覆层14成长1.0μm，使非掺杂的(AlyGa1-y)xIn1-xP(0.4≦x≦0.6、0≦y≦0.6)活性层15、p型的(AlyGa1-y)xIn1-xP(0.4≦x≦0.6、0＜y≦1)第二包覆层16成长1.0μm，使p型的GaInP中间层17成长0.1μm，使p型的GaP窗口层18成长4μm(参照图1)。
在外延晶片100上，作为热固化型接合构件22，旋涂苯并环丁烯(BCB)而形成第一接合层，使其与作为异质基板21的蓝宝石基板相向地重合并进行热压接，由此来制作将外延晶片100与作为异质基板21的蓝宝石基板经由BCB而接合的外延晶片接合基板(第一化合物半导体接合基板)200。在通过旋涂来涂布BCB时，设计膜厚是设为1.0μm(参照图2)。
接下来，将GaAs原始基板10以及GaAs缓冲层11通过氨和过氧化氢水溶液进行湿式蚀刻处理而予以去除，使GaInP第一蚀刻阻挡层12露出。接下来，将蚀刻剂切换为盐酸系而选择性地去除GaInP第一蚀刻阻挡层12，使GaAs第二蚀刻阻挡层13露出。然后，将蚀刻剂切换为硫酸和过氧化氢水溶液系而选择性地去除GaAs第二蚀刻阻挡层13，使第一包覆层14露出。通过进行以上的处理，制作保持外延功能层19(更具体而言为DH层(第一包覆层14至第二包覆层16)与窗口层18)的接合基板(第二化合物半导体接合基板)300(参照图3)。
接下来，在n型的第一包覆层14的一部分区域形成AuBe系的第一电极41(参照图4)。
在形成第一电极后，将n型的第一包覆层14的第一电极41形成区域以外的区域的一部分通过干式蚀刻而切开，在缺口部使p型GaP窗口层18露出(参照图5)。
利用钝化(PSV)膜65来包覆侧面，制作在露出区域形成有AuSi系的第二电极61的接合型晶片(具有元件结构部的接合基板)600。
在形成第一电极、第二电极后，为了获得欧姆接触，以400℃进行5分钟的RTA热处理(参照图6)。
接下来，作为临时支撑基板71，准备在合成石英晶片上涂布有层状的硅酮粘合剂72的临时支撑基板71，使接合型晶片600与临时支撑基板71相向而加压，使粘合剂粘接(参照图7)。
从作为异质基板21的蓝宝石基板侧照射准分子激光，BCB层吸收透射过蓝宝石基板而到达BCB接合层72的激光，BCB层分解(消融)，由此产生空隙，从而从外延功能层剥离作为异质基板21的蓝宝石基板(参照图9)。
(比较例)
准备作为外延功能层的具有发光元件结构的外延晶片，所述外延功能层是在n型的GaAs原始基板上层叠n型的GaAs缓冲层后，依次使n型的GaxIn1-xP(0.4≦x≦0.6)第一蚀刻阻挡层成长0.3μm，使n型的GaAs第二蚀刻阻挡层成长0.3μm，使n型的(AlyGa1-y)xIn1-xP(0.4≦x≦0.6、0＜y≦1)第一包覆层成长1.0μm，使非掺杂的(AlyGa1-y)xIn1-xP(0.4≦x≦0.6、0≦y≦0.6)活性层、第二导电型的(AlyGa1-y)xIn1-xP(0.4≦x≦0.6、0＜y≦1)第二包覆层成长1.0μm，使p型的GaInP中间层成长0.1μm，使p型的GaP窗口层18成长4.0μm。
接下来，在外延晶片上，作为热固化型接合构件，旋涂苯并环丁烯(BCB)，使其与硅晶片相向地重合并进行热压接，由此来制作将外延晶片与硅晶片经由BCB而接合的EPW接合基板。在通过旋涂来涂布BCB时，设计膜厚是设为1.0μm。
将GaAs原始基板通过湿式蚀刻予以去除，使第一蚀刻阻挡层露出，切换蚀刻剂以去除第二蚀刻阻挡层而使第一包覆层露出，制作仅保持DH层与窗口层的外延接合基板。
接下来，在n型的第一包覆层的一部分区域形成AuBe系的第一电极。
在形成第一电极后，将n型的第一包覆层的第一电极形成区域以外的区域的一部分通过干式蚀刻而切开，在缺口部使p型GaP窗口层露出。
利用钝化(PSV)膜来包覆侧面。制作在露出区域形成有AuSi系的第二电极的接合型晶片(具有元件结构部的接合基板)。在形成第一电极、第二电极后，为了获得欧姆接触，以400℃进行5分钟的RTA热处理。
接下来，准备在硅晶片上涂布有层状的硅酮粘合剂的临时支撑基板，使具有元件结构部的接合基板与临时支撑基板相向而加压，使粘合剂粘接。
通过平面研削等的处理来对硅晶片(异质基板)侧进行薄膜加工。当硅晶片(异质基板)厚度达到150μm以下的膜厚后，浸入氟硝酸系的蚀刻液中而去除硅晶片(异质基板)。在去除硅晶片(异质基板)后，通过灰化处理或干式蚀刻处理来去除BCB。
表1表示实施例1、实施例2与比较例中的去除异质基板后的元件部残存率。在实施例1以及实施例2中，在剥离历程中，施加至元件的应力少，表现出良好的元件部残存率，与此相对，在比较例中，在异质基板的机械加工时施加至元件部的机械应力大，会产生加工后的元件部的破损，因此作为结果，元件部残存率下降。
[表1]
| 残存率 | |
| 实施例1 | 94％～99％ |
| 实施例2 | 95％～99％ |
| 比较例 | 62％～84％ |
本发明在所述外延成长用原始基板为不透明的基板的情况下尤为有效。此种不透明的基板不透射激光或者只能以不足以产生消融的程度来透射激光，因此难以通过对外延成长用原始基板照射激光来分离元件结构部(也被称作激光揭开剥离(lift-off))。因此，在外延成长用原始基板为镓砷基板的情况、或者元件结构部为红色LED的情况下有效。所述红色LED既可为微型(micro)LED，也可为迷你(mini)LED。
而且，从成本方面、或者向各种装置的适用容易性等方面出发，优选本发明中的各种基板(外延成长用原始基板、支撑体、异质基板、临时支撑基板)为圆盘形状，但即便是椭圆柱形状、四棱柱等的多棱柱形状等其他形状，也能够达成本发明的效果。
而且，图6等中，以描绘一个元件结构部的方式进行了说明，但也可将多个元件结构部接合于支撑体，这些多个元件结构部也可呈矩阵状排列。
而且，从与支撑体的主面垂直的方向观察时的元件结构部的形状可列举圆形状、椭圆形状、四边形状等的多边形状等。这些形状中，在增加可一次制造的元件结构部的方面，尤其优选四边形状。此处，圆形状、椭圆形状、四边形状以及多边形状并非是指严格的圆形状、椭圆形状、四边形状以及多边形状，也包含直线部分/曲线部分的凹陷或鼓出、角部的倒角形状等。
而且，用于接合元件结构部的固化物层的厚度只要是能够耐受直至从支撑体剥离元件结构部为止的工序的厚度即可。即，由于支撑体最终要剥离，因此并不要求达到数年的接合可靠性，也可相对较薄。这在进行激光揭开剥离方面有利地发挥作用。具体而言，尽管要根据固化型接合材中所含的材料或接合性能而定，但优选为0.1μm～1.0μm，更优选为0.4μm～0.6μm。
以上，对本发明的实施方式进行了详述，但另一方面，若要从不同的视点表达本发明，则成为下述(1)～(15)、(U1)～(U89)以及(X1)～(X4)。
(1)一种接合型晶片，将元件结构部经由固化型接合材的固化物层而接合于支撑体，其中，所述接合型晶片被用于通过激光的照射所进行的元件结构部的剥离。
(2)根据(1)所述的接合型晶片，其中，所述元件结构部为红色LED芯片。
(3)根据(1)所述的接合型晶片，其中，所述元件结构部包含AlGaInP系材料。
(4)根据(1)所述的接合型晶片，其中，所述固化物层的厚度为0.1μm～1.0μm。
(5)根据(2)所述的接合型晶片，其中，所述固化物层的厚度为0.4μm～0.6μm。
(6)根据(1)所述的接合型晶片，其中，所述元件结构部具有外延成长用原始基板已被去除的外延功能层。
(7)根据(1)所述的接合型晶片，其中，所述固化型接合材包含选自由苯并环丁烯、聚酰亚胺、氟树脂、环氧树脂以及硅酮树脂所组成的群组中的至少一种。
(8)根据(1)所述的接合型晶片，其中，所述支撑体具有选自由蓝宝石基板、SiC基板、合成石英基板、石英基板、玻璃基板、LiTaO3基板以及LiNbO3基板所组成的群组中的至少一种。
(9)根据(1)所述的接合型晶片，其中，所述元件结构部为包含AlGaInP系材料的红色LED芯片，
所述固化物层的厚度为0.1μm～1.0μm，
所述元件结构部具有外延成长用原始基板已被去除的外延功能层，
所述固化型接合材包含选自由苯并环丁烯、聚酰亚胺、氟树脂、环氧树脂以及硅酮树脂所组成的群组中的至少一种，
所述支撑体具有选自由蓝宝石基板、SiC基板、合成石英基板、石英基板、玻璃基板、LiTaO3基板以及LiNbO3基板所组成的群组中的至少一种。
(10)根据(1)所述的接合型晶片，其中，所述元件结构部为包含AlGaInP系材料的红色LED芯片，
所述固化物层的厚度为0.4μm～0.6μm，
所述元件结构部具有外延成长用原始基板已被去除的外延功能层，
所述固化型接合材包含苯并环丁烯，
所述支撑体具有蓝宝石基板。
(11)一种接合型晶片的剥离方法，从元件结构部经由固化型接合材的固化物层而与支撑体接合的接合型晶片剥离所述支撑体，所述接合型晶片的剥离方法的特征在于，
通过从所述接合型晶片的支撑体侧照射激光，从而使所述元件结构部与所述支撑体分离。
(12)一种经分离的元件结构部的制造方法，从元件结构部经由固化型接合材的固化物层而与支撑体接合的接合型晶片剥离所述支撑体，所述经分离的元件结构部的制造方法的特征在于，
通过从所述接合型晶片的支撑体侧照射激光，从而使所述元件结构部与所述支撑体分离。
(13)一种接合体，将元件结构部经由固化型接合材的固化物层而接合于支撑体，其中，所述接合体被用于通过激光的照射所进行的元件结构部的剥离。
(14)一种接合体的剥离方法，从元件结构部经由固化型接合材的固化物层而与支撑体接合的接合体剥离所述支撑体，所述接合体的剥离方法的特征在于，
通过从所述接合体的支撑体侧照射激光，从而使所述元件结构部与所述支撑体分离。
(15)一种经分离的元件结构部的制造方法，从元件结构部经由固化型接合材的固化物层而与支撑体接合的接合体剥离所述支撑体，所述经分离的元件结构部的制造方法的特征在于，
通过从所述接合体的支撑体侧照射激光，从而使所述元件结构部与所述支撑体分离。
(U1)一种接合型晶片的剥离系统，从接合型晶片剥离支撑体，所述接合型晶片具有在外延功能层的单面具有极性不同的两个以上的电极的元件结构部，且所述元件结构部利用固化型接合材而与包含异质基板的所述支撑体接合，所述接合型晶片的剥离系统的特征在于，
具有一机构，所述机构将从激光振荡器振荡产生的激光照射至所述接合型晶片，由此来使所述固化型接合材和/或与所述固化型接合材接触的所述元件结构部的表面的至少一部分吸收激光，使所述固化型接合材和/或所述元件结构部的表面分解，从而使所述元件结构部与所述支撑体分离。
(U2)根据(U1)所述的接合型晶片的剥离系统，其特征在于，使所述外延功能层具有发光元件结构。
(U3)根据(U1)或(U2)所述的接合型晶片的剥离系统，其特征在于，使所述外延功能层包含AlGaInP系材料。
(U4)根据(U1)或(U2)所述的接合型晶片的剥离系统，其特征在于，使所述固化型接合材具有热固性、UV固化性以及常温固化性中的任一种固化特性。
(U5)根据(U1)或(U2)所述的接合型晶片的剥离系统，其特征在于，使所述固化型接合材包含苯并环丁烯、聚酰亚胺、氟树脂、环氧树脂、硅酮树脂中的任一种。
(U6)根据(U1)或(U2)所述的接合型晶片的剥离系统，其特征在于，将所述外延功能层设为外延成长用原始基板已被去除的外延功能层。
(U7)根据(U1)或(U2)所述的接合型晶片的剥离系统，其特征在于，使所述异质基板包含蓝宝石、SiC、合成石英、石英、玻璃、LiTaO3、LiNbO3中的任一种材料。
(U8)根据(U1)或(U2)所述的接合型晶片的剥离系统，其特征在于，将所述激光设为准分子激光。
(U9)根据(U1)或(U2)所述的接合型晶片的剥离系统，其特征在于，在所述激光照射前，将涂布有粘合剂的临时支撑基板粘接于所述外延功能层的、与所述接合型晶片的所述异质基板为相反侧的面。
(U10)根据(U9)所述的接合型晶片的剥离系统，其特征在于，将所述粘合剂设为硅酮。
(U11)根据(U1)所述的接合型晶片的剥离系统，其特征在于，使所述临时支撑基板包含蓝宝石、SiC、合成石英、石英、玻璃、LiTaO3、LiNbO3中的任一种材料。
(U12)一种接合型晶片，是将四边形状的元件结构部经由固化型接合材的固化物层而接合于支撑体，其中，所述接合型晶片被用于通过激光的照射所进行的元件结构部的剥离。
(U13)根据(U12)所述的接合型晶片，其中，所述元件结构部为红色LED芯片。
(U14)根据(U12)所述的接合型晶片，其中，所述元件结构部包含AlGaInP系材料。
(U15)根据(U12)所述的接合型晶片，其中，所述固化物层的厚度为0.1μm～1.0μm。
(U16)根据(U13)所述的接合型晶片，其中，所述固化物层的厚度为0.1μm～1.0μm。
(U17)根据(U12)所述的接合型晶片，其中，所述固化物层的厚度为0.4μm～0.6μm。
(U18)根据(U13)所述的接合型晶片，其中，所述固化物层的厚度为0.4μm～0.6μm。
(U19)根据(U12)所述的接合型晶片，其中，所述元件结构部具有外延成长用原始基板已被去除的外延功能层。
(U20)根据(U12)所述的接合型晶片，其中，所述固化型接合材包含选自由苯并环丁烯、聚酰亚胺、氟树脂、环氧树脂以及硅酮树脂所组成的群组中的至少一种。
(U21)根据(U12)所述的接合型晶片，其中，所述支撑体具有选自由蓝宝石基板、SiC基板、合成石英基板、石英基板、玻璃基板、LiTaO3基板以及LiNbO3基板所组成的群组中的至少一种。
(U22)根据(U12)所述的接合型晶片，其中，所述元件结构部为包含AlGaInP系材料的红色LED芯片，
所述固化物层的厚度为0.1μm～1.0μm，
所述元件结构部具有外延成长用原始基板已被去除的外延功能层，
所述固化型接合材包含选自由苯并环丁烯、聚酰亚胺、氟树脂、环氧树脂以及硅酮树脂所组成的群组中的至少一种，
所述支撑体具有选自由蓝宝石基板、SiC基板、合成石英基板、石英基板、玻璃基板、LiTaO3基板以及LiNbO3基板所组成的群组中的至少一种。
(U23)根据(U12)所述的接合型晶片，其中，所述元件结构部为包含AlGaInP系材料的红色LED芯片，
所述固化物层的厚度为0.4μm～0.6μm，
所述元件结构部具有外延成长用原始基板已被去除的外延功能层，
所述固化型接合材包含苯并环丁烯，
所述支撑体具有蓝宝石基板。
(U24)根据(U12)所述的接合型晶片，其中，所述元件结构部在所述支撑体上接合有多个，所述多个元件结构体呈矩阵状排列。
(U25)一种接合型晶片的剥离系统，从元件结构部经由固化型接合材的固化物层而与支撑体接合的接合型晶片剥离所述支撑体，所述接合型晶片的剥离系统的特征在于，
具有一机构，所述机构从所述接合型晶片的支撑体侧照射从激光振荡器振荡产生的激光，由此来使所述元件结构部与所述支撑体分离。
(U26)根据(U25)所述的接合型晶片的剥离系统，其中，所述元件结构部为红色LED芯片。
(U27)根据(U25)所述的接合型晶片的剥离系统，其中，所述元件结构部包含AlGaInP系材料。
(U28)根据(U25)所述的接合型晶片的剥离系统，其中，所述固化物层的厚度为0.1μm～1.0μm。
(U29)根据(U26)所述的接合型晶片的剥离系统，其中，所述固化物层的厚度为0.1μm～1.0μm。
(U30)根据(U25)所述的接合型晶片的剥离系统，其中，所述固化物层的厚度为0.4μm～0.6μm。
(U31)根据(U26)所述的接合型晶片的剥离系统，其中，所述固化物层的厚度为0.4μm～0.6μm。
(U32)根据(U25)所述的接合型晶片的剥离系统，其中，所述元件结构部具有外延成长用原始基板已被去除的外延功能层。
(U33)根据(U25)所述的接合型晶片的剥离系统，其中，所述固化型接合材包含选自由苯并环丁烯、聚酰亚胺、氟树脂、环氧树脂以及硅酮树脂所组成的群组中的至少一种。
(U34)根据(U25)所述的接合型晶片的剥离系统，其中，所述支撑体具有选自由蓝宝石基板、SiC基板、合成石英基板、石英基板、玻璃基板、LiTaO3基板以及LiNbO3基板所组成的群组中的至少一种。
(U35)根据(U25)所述的接合型晶片的剥离系统，其中，所述元件结构部为包含AlGaInP系材料的红色LED芯片，
所述固化物层的厚度为0.1μm～1.0μm，
所述元件结构部具有外延成长用原始基板已被去除的外延功能层，
所述固化型接合材包含选自由苯并环丁烯、聚酰亚胺、氟树脂、环氧树脂以及硅酮树脂所组成的群组中的至少一种，
所述支撑体具有选自由蓝宝石基板、SiC基板、合成石英基板、石英基板、玻璃基板、LiTaO3基板以及LiNbO3基板所组成的群组中的至少一种。
(U36)根据(U25)所述的接合型晶片的剥离系统，其中，所述元件结构部为包含AlGaInP系材料的红色LED芯片，
所述固化物层的厚度为0.4μm～0.6μm，
所述元件结构部具有外延成长用原始基板已被去除的外延功能层，
所述固化型接合材包含苯并环丁烯，
所述支撑体具有蓝宝石基板。
(U37)根据(U25)所述的接合型晶片的剥离系统，其中，所述元件结构部在所述支撑体上接合有多个，所述多个元件结构体呈矩阵状排列。
(U38)一种经分离的元件结构部的制造系统，从元件结构部经由固化型接合材的固化物层而与支撑体接合的接合型晶片剥离所述支撑体，所述经分离的元件结构部的制造系统的特征在于，
具有一机构，所述机构从所述接合型晶片的支撑体侧照射从激光振荡器振荡产生的激光，由此来使所述元件结构部与所述支撑体分离。
(U39)根据(U38)所述的经分离的元件结构部的制造系统，其中，所述元件结构部为红色LED芯片。
(U40)根据(U38)所述的经分离的元件结构部的制造系统，其中，所述元件结构部包含AlGaInP系材料。
(U41)根据(U38)所述的经分离的元件结构部的制造系统，其中，所述固化物层的厚度为0.1μm～1.0μm。
(U42)根据(U39)所述的经分离的元件结构部的制造系统，其中，所述固化物层的厚度为0.1μm～1.0μm。
(U43)根据(U38)所述的经分离的元件结构部的制造系统，其中，所述固化物层的厚度为0.4μm～0.6μm。
(U44)根据(U39)所述的经分离的元件结构部的制造系统，其中，所述固化物层的厚度为0.4μm～0.6μm。
(U45)根据(U38)所述的经分离的元件结构部的制造系统，其中，所述元件结构部具有外延成长用原始基板已被去除的外延功能层。
(U46)根据(U38)所述的经分离的元件结构部的制造系统，其中，所述固化型接合材包含选自由苯并环丁烯、聚酰亚胺、氟树脂、环氧树脂以及硅酮树脂所组成的群组中的至少一种。
(U47)根据(U38)所述的经分离的元件结构部的制造系统，其中，所述支撑体具有选自由蓝宝石基板、SiC基板、合成石英基板、石英基板、玻璃基板、LiTaO3基板以及LiNbO3基板所组成的群组中的至少一种。
(U48)根据(U38)所述的经分离的元件结构部的制造系统，其中，所述元件结构部为包含AlGaInP系材料的红色LED芯片，
所述固化物层的厚度为0.1μm～1.0μm，
所述元件结构部具有外延成长用原始基板已被去除的外延功能层，
所述固化型接合材包含选自由苯并环丁烯、聚酰亚胺、氟树脂、环氧树脂以及硅酮树脂所组成的群组中的至少一种，
所述支撑体具有选自由蓝宝石基板、SiC基板、合成石英基板、石英基板、玻璃基板、LiTaO3基板以及LiNbO3基板所组成的群组中的至少一种。
(U49)根据(U38)所述的经分离的元件结构部的制造系统，其中，所述元件结构部为包含AlGaInP系材料的红色LED芯片，
所述固化物层的厚度为0.4μm～0.6μm，
所述元件结构部具有外延成长用原始基板已被去除的外延功能层，
所述固化型接合材包含苯并环丁烯，
所述支撑体具有蓝宝石基板。
(U50)根据(U38)所述的经分离的元件结构部的制造系统，其中，所述元件结构部在所述支撑体上接合有多个，所述多个元件结构体呈矩阵状排列。
(U51)一种经分离的接合体，将四边形状的元件结构部经由固化型接合材的固化物层而接合于支撑体，其中，所述经分离的接合体被用于通过激光的照射所进行的元件结构部的剥离。
(U52)根据(U51)所述的经分离的接合体，其中，所述元件结构部为红色LED芯片。
(U53)根据(U51)所述的经分离的接合体，其中，所述元件结构部包含AlGaInP系材料。
(U54)根据(U51)所述的经分离的接合体，其中，所述固化物层的厚度为0.1μm～1.0μm。
(U55)根据(U52)所述的经分离的接合体，其中，所述固化物层的厚度为0.1μm～1.0μm。
(U56)根据(U51)所述的经分离的接合体，其中，所述固化物层的厚度为0.4μm～0.6μm。
(U57)根据(U52)所述的经分离的接合体，其中，所述固化物层的厚度为0.4μm～0.6μm。
(U58)根据(U51)所述的经分离的接合体，其中，所述元件结构部具有外延成长用原始基板已被去除的外延功能层。
(U59)根据(U51)所述的经分离的接合体，其中，所述固化型接合材包含选自由苯并环丁烯、聚酰亚胺、氟树脂、环氧树脂以及硅酮树脂所组成的群组中的至少一种。
(U60)根据(U51)所述的经分离的接合体，其中，所述支撑体具有选自由蓝宝石基板、SiC基板、合成石英基板、石英基板、玻璃基板、LiTaO3基板以及LiNbO3基板所组成的群组中的至少一种。
(U61)根据(U51)所述的经分离的接合体，其中，所述元件结构部为包含AlGaInP系材料的红色LED芯片，
所述固化物层的厚度为0.1μm～1.0μm，
所述元件结构部具有外延成长用原始基板已被去除的外延功能层，
所述固化型接合材包含选自由苯并环丁烯、聚酰亚胺、氟树脂、环氧树脂以及硅酮树脂所组成的群组中的至少一种，
所述支撑体具有选自由蓝宝石基板、SiC基板、合成石英基板、石英基板、玻璃基板、LiTaO3基板以及LiNbO3基板所组成的群组中的至少一种。
(U62)根据(U51)所述的经分离的接合体，其中，所述元件结构部为包含AlGaInP系材料的红色LED芯片，
所述固化物层的厚度为0.4μm～0.6μm，
所述元件结构部具有外延成长用原始基板已被去除的外延功能层，
所述固化型接合材包含苯并环丁烯，
所述支撑体具有蓝宝石基板。
(U63)根据(U51)所述的经分离的接合体，其中，所述元件结构部在所述支撑体上接合有多个，所述多个元件结构体呈矩阵状排列。
(U64)一种接合体的剥离系统，从元件结构部经由固化型接合材的固化物层而与支撑体接合的接合体剥离所述支撑体，所述接合体的剥离系统的特征在于，
具有一机构，所述机构从所述接合体的支撑体侧照射从激光振荡器振荡产生的激光，由此来使所述元件结构部与所述支撑体分离。
(U65)根据(U64)所述的接合体的剥离系统，其中，所述元件结构部为红色LED芯片。
(U66)根据(U64)所述的接合体的剥离系统，其中，所述元件结构部包含AlGaInP系材料。
(U67)根据(U64)所述的接合体的剥离系统，其中，所述固化物层的厚度为0.1μm～1.0μm。
(U68)根据(U65)所述的接合体的剥离系统，其中，所述固化物层的厚度为0.1μm～1.0μm。
(U69)根据(U64)所述的接合体的剥离系统，其中，所述固化物层的厚度为0.4μm～0.6μm。
(U70)根据(U65)所述的接合体的剥离系统，其中，所述固化物层的厚度为0.4μm～0.6μm。
(U71)根据(U64)所述的接合体的剥离系统，其中，所述元件结构部具有外延成长用原始基板已被去除的外延功能层。
(U72)根据(U64)所述的接合体的剥离系统，其中，所述固化型接合材包含选自由苯并环丁烯、聚酰亚胺、氟树脂、环氧树脂以及硅酮树脂所组成的群组中的至少一种。
(U73)根据(U64)所述的接合体的剥离系统，其中，所述支撑体具有选自由蓝宝石基板、SiC基板、合成石英基板、石英基板、玻璃基板、LiTaO3基板以及LiNbO3基板所组成的群组中的至少一种。
(U74)根据(U64)所述的接合体的剥离系统，其中，所述元件结构部为包含AlGaInP系材料的红色LED芯片，
所述固化物层的厚度为0.1μm～1.0μm，
所述元件结构部具有外延成长用原始基板已被去除的外延功能层，
所述固化型接合材包含选自由苯并环丁烯、聚酰亚胺、氟树脂、环氧树脂以及硅酮树脂所组成的群组中的至少一种，
所述支撑体具有选自由蓝宝石基板、SiC基板、合成石英基板、石英基板、玻璃基板、LiTaO3基板以及LiNbO3基板所组成的群组中的至少一种。
(U75)根据(U64)所述的接合体的剥离系统，其中，所述元件结构部为包含AlGaInP系材料的红色LED芯片，
所述固化物层的厚度为0.4μm～0.6μm，
所述元件结构部具有外延成长用原始基板已被去除的外延功能层，
所述固化型接合材包含苯并环丁烯，
所述支撑体具有蓝宝石基板。
(U76)根据(U64)所述的接合体的剥离系统，其中，所述元件结构部在所述支撑体上接合有多个，所述多个元件结构体呈矩阵状排列。
(U77)一种经分离的元件结构部的制造系统，从元件结构部经由固化型接合材的固化物层而与支撑体接合的接合体剥离所述支撑体，所述经分离的元件结构部的制造系统的特征在于，
具有一机构，所述机构从所述接合体的支撑体侧照射从激光振荡器振荡产生的激光，由此来使所述元件结构部与所述支撑体分离。
(U78)根据(U77)所述的经分离的元件结构部的制造系统，其中，所述元件结构部为红色LED芯片。
(U79)根据(U77)所述的经分离的元件结构部的制造系统，其中，所述元件结构部包含AlGaInP系材料。
(U80)根据(U77)所述的经分离的元件结构部的制造系统，其中，所述固化物层的厚度为0.1μm～1.0μm。
(U81)根据(U78)所述的经分离的元件结构部的制造系统，其中，所述固化物层的厚度为0.1μm～1.0μm。
(U82)根据(U77)所述的经分离的元件结构部的制造系统，其中，所述固化物层的厚度为0.4μm～0.6μm。
(U83)根据(U78)所述的经分离的元件结构部的制造系统，其中，所述固化物层的厚度为0.4μm～0.6μm。
(U84)根据(U77)所述的经分离的元件结构部的制造系统，其中，所述元件结构部具有外延成长用原始基板已被去除的外延功能层。
(U85)根据(U77)所述的经分离的元件结构部的制造系统，其中，所述固化型接合材包含选自由苯并环丁烯、聚酰亚胺、氟树脂、环氧树脂以及硅酮树脂所组成的群组中的至少一种。
(U86)根据(U77)所述的经分离的元件结构部的制造系统，其中，所述支撑体具有选自由蓝宝石基板、SiC基板、合成石英基板、石英基板、玻璃基板、LiTaO3基板以及LiNbO3基板所组成的群组中的至少一种。
(U87)根据(U77)所述的经分离的元件结构部的制造系统，其中，所述元件结构部为包含AlGaInP系材料的红色LED芯片，
所述固化物层的厚度为0.1μm～1.0μm，
所述元件结构部具有外延成长用原始基板已被去除的外延功能层，
所述固化型接合材包含选自由苯并环丁烯、聚酰亚胺、氟树脂、环氧树脂以及硅酮树脂所组成的群组中的至少一种，
所述支撑体具有选自由蓝宝石基板、SiC基板、合成石英基板、石英基板、玻璃基板、LiTaO3基板以及LiNbO3基板所组成的群组中的至少一种。
(U88)根据(U77)所述的经分离的元件结构部的制造系统，其中，所述元件结构部为包含AlGaInP系材料的红色LED芯片，
所述固化物层的厚度为0.4μm～0.6μm，
所述元件结构部具有外延成长用原始基板已被去除的外延功能层，
所述固化型接合材包含苯并环丁烯，
所述支撑体具有蓝宝石基板。
(U89)根据(U77)所述的经分离的元件结构部的制造系统，其中，所述元件结构部在所述支撑体上接合有多个，所述多个元件结构体呈矩阵状排列。
(X1)一种应用，是对元件结构部接合于支撑体的接合型晶片的、通过激光的照射所进行的元件结构部的剥离的应用，其中，
所述元件结构部经由固化型接合材的固化物层而接合于所述支撑体。
(X2)一种应用，是对元件结构部接合于支撑体的接合型晶片的、被用于通过激光的照射所进行的元件结构部的剥离的接合型晶片的制造的应用，其中，
所述元件结构部经由固化型接合材的固化物层而接合于所述支撑体。
(X3)一种应用，是对元件结构部接合于支撑体的接合体的、通过激光的照射所进行的元件结构部的剥离的应用，其中，
所述元件结构部经由固化型接合材的固化物层而接合于所述支撑体。
(X4)一种应用，是对元件结构部接合于支撑体的接合体的、被用于通过激光的照射所进行的元件结构部的剥离的接合体的制造的应用，其中，
所述元件结构部经由固化型接合材的固化物层而接合于所述支撑体。
可将前述的多个实施方式中的各结构要件细分化，并将经细分化的构成要件各自单独地，或者加以组合而导入至所述(1)～(15)、(U1)～(U88)以及(X1)～(X4)。例如，各种基板或各种层的材料、性质、尺寸、形状、形成方法、激光的种类、剥离方法、元件结构部的结构等为代表性的示例。
另外，本发明并不限定于所述实施方式。所述实施方式为例示，具有与本发明的权利要求中记载的技术思想实质上相同的结构且起到同样的作用效果的任何形态均包含在本发明的技术范围内。
Claims (26)
1.一种接合型晶片的剥离方法，从接合型晶片剥离支撑体，所述接合型晶片具有在外延功能层的单面具有极性不同的两个以上的电极的元件结构部，且所述元件结构部利用固化型接合材而与包含异质基板的所述支撑体接合，所述接合型晶片的剥离方法的特征在于，
将激光照射至所述接合型晶片，由此来使所述固化型接合材和/或与所述固化型接合材接触的所述元件结构部的表面的至少一部分吸收激光，使所述固化型接合材和/或所述元件结构部的表面分解，从而使所述元件结构部与所述支撑体分离。
2.根据权利要求1所述的接合型晶片的剥离方法，其特征在于，使所述外延功能层具有发光元件结构。
3.根据权利要求1或2所述的接合型晶片的剥离方法，其特征在于，使所述外延功能层包含AlGaInP系材料。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的接合型晶片的剥离方法，其特征在于，使所述固化型接合材具有热固性、紫外线固化性以及常温固化性中的任一种固化特性。
5.根据权利要求4所述的接合型晶片的剥离方法，其特征在于，使所述固化型接合材包含苯并环丁烯、聚酰亚胺、氟树脂、环氧树脂、硅酮树脂中的任一种。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的接合型晶片的剥离方法，其特征在于，将所述外延功能层设为外延成长用原始基板已被去除的外延功能层。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的接合型晶片的剥离方法，其特征在于，使所述异质基板包含蓝宝石、SiC、合成石英、石英、玻璃、LiTaO3、LiNbO3中的任一种材料。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的接合型晶片的剥离方法，其特征在于，将所述激光设为准分子激光。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的接合型晶片的剥离方法，其特征在于，在所述激光照射前，将涂布有粘合剂的临时支撑基板粘接于所述外延功能层的、与所述接合型晶片的所述异质基板为相反侧的面。
10.根据权利要求9所述的接合型晶片的剥离方法，其特征在于，将所述粘合剂设为硅酮。
11.根据权利要求9或10所述的接合型晶片的剥离方法，其特征在于，使所述临时支撑基板包含蓝宝石、SiC、合成石英、石英、玻璃、LiTaO3、LiNbO3中的任一种材料。
12.一种接合型晶片，其特征在于，是将元件结构部经由固化型接合材的固化物层而接合于支撑体，所述接合型晶片被用于通过激光的照射所进行的所述元件结构部的剥离。
13.根据权利要求12所述的接合型晶片，其特征在于，所述元件结构部为红色发光二极管芯片。
14.根据权利要求12所述的接合型晶片，其特征在于，所述元件结构部包含AlGaInP系材料。
15.根据权利要求12所述的接合型晶片，其特征在于，所述固化物层的厚度为0.1μm～1.0μm。
16.根据权利要求13所述的接合型晶片，其特征在于，所述固化物层的厚度为0.4μm～0.6μm。
17.根据权利要求12所述的接合型晶片，其特征在于，所述元件结构部具有外延成长用原始基板已被去除的外延功能层。
18.根据权利要求12所述的接合型晶片，其特征在于，所述固化型接合材包含选自由苯并环丁烯、聚酰亚胺、氟树脂、环氧树脂以及硅酮树脂所组成的群组中的至少一种。
19.根据权利要求12所述的接合型晶片，其特征在于，所述支撑体具有选自由蓝宝石基板、SiC基板、合成石英基板、石英基板、玻璃基板、LiTaO3基板以及LiNbO3基板所组成的群组中的至少一种。
20.根据权利要求12所述的接合型晶片，其特征在于，
所述元件结构部为包含AlGaInP系材料的红色发光二极管芯片，
所述固化物层的厚度为0.1μm～1.0μm，
所述元件结构部具有外延成长用原始基板已被去除的外延功能层，
所述固化型接合材包含选自由苯并环丁烯、聚酰亚胺、氟树脂、环氧树脂以及硅酮树脂所组成的群组中的至少一种，
所述支撑体具有选自由蓝宝石基板、SiC基板、合成石英基板、石英基板、玻璃基板、LiTaO3基板以及LiNbO3基板所组成的群组中的至少一种。
21.根据权利要求12所述的接合型晶片，其特征在于，
所述元件结构部为包含AlGaInP系材料的红色发光二极管芯片，
所述固化物层的厚度为0.4μm～0.6μm，
所述元件结构部具有外延成长用原始基板已被去除的外延功能层，
所述固化型接合材包含苯并环丁烯，
所述支撑体具有蓝宝石基板。
22.一种接合型晶片的剥离方法，从元件结构部经由固化型接合材的固化物层而与支撑体接合的接合型晶片剥离所述支撑体，所述接合型晶片的剥离方法的特征在于，
通过从所述接合型晶片的支撑体侧照射激光，从而使所述元件结构部与所述支撑体分离。
23.一种经分离的元件结构部的制造方法，从元件结构部经由固化型接合材的固化物层而与支撑体接合的接合型晶片剥离所述支撑体，所述经分离的元件结构部的制造方法的特征在于，
通过从所述接合型晶片的支撑体侧照射激光，从而使所述元件结构部与所述支撑体分离。
24.一种接合体，将元件结构部经由固化型接合材的固化物层而接合于支撑体，其中，所述接合体被用于通过激光的照射所进行的元件结构部的剥离。
25.一种接合体的剥离方法，从元件结构部经由固化型接合材的固化物层而与支撑体接合的接合体剥离所述支撑体，所述接合体的剥离方法的特征在于，
通过从所述接合体的支撑体侧照射激光，从而使所述元件结构部与所述支撑体分离。
26.一种经分离的元件结构部的制造方法，从元件结构部经由固化型接合材的固化物层而与支撑体接合的接合体剥离所述支撑体，所述经分离的元件结构部的制造方法的特征在于，
通过从所述接合体的支撑体侧照射激光，从而使所述元件结构部与所述支撑体分离。
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