JP7396246B2 - 封止用途の樹脂組成物 - Google Patents
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Description
[1] (A)エポキシ樹脂、
(B)硬化剤、及び
(C)無機充填材、を含む封止用途の樹脂組成物であって、
(B)成分が、(B-1)芳香族エステル骨格及び不飽和結合含有化合物を含有する封止用途の樹脂組成物。
[2] (B-1)成分が、下記一般式(B-i)で表される化合物、及び下記一般式(B-ii)で表される化合物のいずれかである、[1]に記載の封止用途の樹脂組成物。
[3] (B-1)成分の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合、15質量%以下である、[1]又は[2]に記載の封止用途の樹脂組成物。
[4] (C)成分の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合、60質量%以上である、[1]~[3]のいずれかに記載の封止用途の樹脂組成物。
[5] 樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合、(B)成分の合計含有量をm(b)とし、(C)成分の含有量をm(c)としたとき、m(c)/m(b)が、1以上50以下である、[1]~[4]のいずれかに記載の封止用途の樹脂組成物。
[6] さらに、(B-2)(B-1)成分以外の硬化剤を含む、[1]~[5]のいずれかに記載の封止用途の樹脂組成物。
[7] (B-2)成分の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合、0.1質量%以上20質量%以下である、[6]に記載の封止用途の樹脂組成物。
[8] (B)成分全体を100質量%とした場合、(B-1)成分の含有量をm(b1)とし、(B-2)成分の含有量をm(b2)としたとき、m(b1)/m(b2)が、0.1以上10以下である、[6]又は[7]に記載の封止用途の樹脂組成物。
[9] 液状である、[1]~[8]のいずれかに記載の封止用途の樹脂組成物。
[10] 支持体と、該支持体上に設けられた、[1]~[9]のいずれかに記載の封止用途の樹脂組成物を含む樹脂組成物層とを含む、樹脂シート。
[11] 半導体チップと、当該半導体チップを封止する[1]~[9]のいずれかに記載の封止用途の樹脂組成物の硬化物と、を含む半導体チップパッケージ。
[12] [11]に記載の半導体チップパッケージを備える半導体装置。
本発明の封止用途の樹脂組成物は、(A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、及び(C)無機充填材、を含む封止用途の樹脂組成物であって、(B)成分が、(B-1)芳香族エステル骨格及び不飽和結合含有化合物を含有する。本発明では、(A)成分から(C)成分を含有させることで、誘電正接が低く、クラック及びデラミネーションの発生が抑制された硬化物を得ることができる。また、通常は、誘電率、圧縮成型時の圧縮成形性にも優れる硬化物、粘度が低く、チキソトロピックインデックスが低い樹脂組成物を得ることもできる。
樹脂組成物は、(A)成分として(A)エポキシ樹脂を含有する。(A)エポキシ樹脂としては、例えば、ビキシレノール型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビスフェノールAF型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、tert-ブチル-カテコール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂、シクロヘキサン型エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、トリメチロール型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂等が挙げられる。中でも、(A)成分としては、本発明の効果を顕著に得る観点から、ナフタレン型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、及びジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂から選択される1種以上が好ましく、ナフタレン型エポキシ樹脂、及びグリシジルアミン型エポキシ樹脂のいずれかがより好ましく、ナフタレン型エポキシ樹脂、及びグリシジルアミン型エポキシ樹脂であることがさらに好ましい。エポキシ樹脂は、1種類単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。
樹脂の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)法により、ポリスチレン換算の値として測定できる。
樹脂組成物は、(B)成分として(B)硬化剤を含有する。(B)硬化剤は、(A)エポキシ樹脂を硬化する機能を有する。(B)硬化剤は、(B-1)芳香族エステル骨格及び不飽和結合含有化合物を含有し、必要に応じて(B-2)(B-1)成分以外の硬化剤を含んでいてもよい。(B)硬化剤としては、(B-1)成分を単独で用いてもよく、本発明の効果を顕著に得る観点から、(B-1)成分と(B-2)成分とを併用することが好ましい。
樹脂組成物は、(B-1)芳香族エステル骨格及び不飽和結合含有化合物を含有する。(B-1)成分を樹脂組成物に含有させることで、誘電正接が低く、クラックの発生が抑制された硬化物を得ることが可能となる。(B-1)成分は1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
樹脂組成物は、(B-2)成分として、(B-1)成分以外の硬化剤を含有してもよい。(B-2)成分は1種単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
樹脂組成物は、(C)成分として(C)無機充填材を含有する。(C)無機充填材を樹脂組成物に含有させることで、誘電特性に優れる硬化物を得ることが可能となる。
樹脂組成物は、任意の成分として、(D)シランカップリング剤を含有していてもよい。シランカップリング剤とは、無機充填材との結合に寄与する官能基と、エポキシ樹脂等の有機成分との結合に寄与する官能基とを有するシラン化合物をいう。(D)シランカップリング剤は、1種単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。(D)成分は、通常(C)成分を表面処理する他の表面処理剤ではなく、(C)成分を表面処理しないシランカップリング剤である。
Si(X)m1(R1)m2(R2)4-m1-m2 (1)
[式中、
Xは、アミノ基、エポキシ基、メルカプト基、(メタ)アクリル基、ビニル基、イソシアネート基、イミダゾリル基、ウレイド基、スルフィド基、及びイソシアヌレート基からなる群から選択される官能基を含む1価の基を表し、
R1は、ヒドロキシ基又はアルコキシ基を表し、
R2は、水素原子、アルキル基又はアリール基を表し、
m1及びm2は、m1とm2の和が4以下であるとの条件付きで、それぞれ1~3の整数を表す。Xが複数存在する場合、それらは同一でも相異なっていてもよく、R1が複数存在する場合、それらは同一でも相異なっていてもよく、R2が複数存在する場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。]
(i)2種以上の他の表面処理剤を含む。
(ii)他の表面処理剤と(D)成分とを含む、及び
(iii)他の表面処理剤は含まず、2種以上の(D)成分を含む。
中でも、樹脂組成物としては、(ii)の態様、即ち他の表面処理剤と(D)成分とを含むことが好ましい。詳細は、(C)成分を表面処理する表面処理剤と、(D)成分として単独で樹脂組成物中に含有する表面処理剤とを含む。ここで「単独で樹脂組成物中に含有」とは、(D)成分が(C)成分の表面処理剤として含有していないことを表す。即ち、樹脂組成物の好適な一実施形態は、(C)成分を表面処理する表面処理剤と、(D)成分として(C)成分を表面処理しない表面処理剤とを含む。なお、(D)成分は、通常樹脂組成物中に遊離して存在している。他の表面処理剤がシランカップリング剤である場合、シランカップリング剤は(D)成分も含めて2種以上含むことになる。この場合、(C)成分を表面処理するシランカップリング剤と、(C)成分を表面処理しないシランカップリング剤とを含む。
樹脂組成物は、上述した成分以外に、任意の成分として、更に、(E)成分として硬化促進剤を含有していてもよい。
樹脂組成物は、上述した成分以外に、任意の成分として、更にその他の添加剤を含んでいてもよい。このような添加剤としては、例えば、着色剤、顔料、熱可塑性樹脂、増粘剤、消泡剤、レベリング剤、密着性付与剤等の樹脂添加剤などが挙げられる。これらの添加剤は、1種類単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。それぞれの含有量は当業者であれば適宜設定できる。
樹脂組成物は、(A)成分、(B-1)成分、(C)成分を含む。これにより、誘電正接が低く、クラック及びデラミネーションの発生が抑制された硬化物を得ることが可能となる。また、通常は、誘電率、圧縮成型時の成形性に優れる硬化物を得ることも可能となる。
本発明の樹脂シートは、支持体と、該支持体上に設けられた樹脂組成物層と、を有する。樹脂組成物層は、本発明の樹脂組成物を含む層であり、通常は、樹脂組成物で形成されている。
本発明の半導体チップパッケージは、半導体チップと、この半導体チップを封止する本発明の樹脂組成物の硬化物とを含む。このような半導体チップパッケージでは、通常、樹脂組成物の硬化物は封止層として機能する。半導体チップパッケージとしては、例えば、Fan-out型WLP、Fan-out型PLP等が挙げられる。
(A)基材に仮固定フィルムを積層する工程、
(B)半導体チップを、仮固定フィルム上に仮固定する工程、
(C)半導体チップ上に封止層を形成する工程、
(D)基材及び仮固定フィルムを半導体チップから剥離する工程、
(E)半導体チップの基材及び仮固定フィルムを剥離した面に、絶縁層としての再配線形成層を形成する工程、
(F)再配線形成層上に、導体層としての再配線層を形成する工程、並びに、
(G)再配線層上にソルダーレジスト層を形成する工程、
を含む。また、前記の半導体チップパッケージの製造方法は、
(H)複数の半導体チップパッケージを、個々の半導体チップパッケージにダイシングし、個片化する工程
を含んでいてもよい。
工程(A)は、基材に仮固定フィルム(リリースフィルム)を積層する工程である。この積層は、例えば、仮固定フィルム側から基材に加熱圧着することにより、基材に仮固定フィルムを貼り合わせることで、行うことができる。仮固定フィルムを基材に加熱圧着する部材(以下、「加熱圧着部材」ということがある。)としては、例えば、加熱された金属板(SUS鏡板等)又は金属ロール(SUSロール等)等が挙げられる。なお、加熱圧着部材を仮固定フィルムに直接プレスするのではなく、基材の表面凹凸に仮固定フィルムが十分に追随するよう、耐熱ゴム等の弾性材を介してプレスするのが好ましい。
工程(B)は、半導体チップを、仮固定フィルム上に仮固定する工程である。半導体チップの仮固定は、例えば、フリップチップボンダー、ダイボンダー等の装置を用いて行うことができる。半導体チップの配置のレイアウト及び配置数は、仮固定フィルムの形状、大きさ、目的とする半導体チップパッケージの生産数等に応じて適切に設定できる。例えば、複数行で、かつ複数列のマトリックス状に半導体チップを整列させて、仮固定してもよい。
工程(C)は、半導体チップ上に封止層を形成する工程である。封止層は、上述した樹脂組成物の硬化物によって形成する。封止層は、通常、半導体チップ上に樹脂組成物層を形成する工程と、この樹脂組成物層を熱硬化させて封止層を形成する工程とを含む方法で形成する。
また、工程(C)では、樹脂シートを用いて樹脂組成物層を形成してもよい。
工程(D)は、基材及び仮固定フィルムを半導体チップから剥離する工程である。剥離方法は、仮固定フィルムの材質に応じた適切な方法を採用することが望ましい。剥離方法としては、例えば、仮固定フィルムを加熱、発泡又は膨張させて剥離する方法が挙げられる。また、剥離方法としては、例えば、基材を通して仮固定フィルムに紫外線を照射して、仮固定フィルムの粘着力を低下させて剥離する方法が挙げられる。
工程(E)は、半導体チップの基材及び仮固定フィルムを剥離した面に、絶縁層としての再配線形成層を形成する工程である。
工程(F)は、再配線形成層上に、導体層としての再配線層を形成する工程である。再配線層のような導体層は、通常、導体材料によって形成される。導体材料としては、例えば、金、白金、パラジウム、銀、銅、アルミニウム、コバルト、クロム、亜鉛、ニッケル、チタン、タングステン、鉄、スズ及びインジウムからなる群から選択される1種以上の金属を含む材料が挙げられる。導体材料としては、単金属を用いてもよく、合金を用いてもよい。合金としては、例えば、上記の群から選択される2種以上の金属の合金(例えば、ニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金及び銅・チタン合金)が挙げられる。中でも、汎用性、コスト、パターニングの容易性の観点から、単金属としてのクロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅;及び、合金としてのニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金、銅・チタン合金の合金;が好ましい。その中でも、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅の単金属;及び、ニッケル・クロム合金;がより好ましく、銅の単金属が特に好ましい。
工程(G)は、再配線層上にソルダーレジスト層を形成する工程である。ソルダーレジスト層の材料は、絶縁性を有する任意の材料を用いることができる。中でも、半導体チップパッケージの製造のしやすさの観点から、感光性樹脂及び熱硬化性樹脂が好ましい。また、熱硬化性樹脂として、本発明の樹脂組成物を用いてもよい。
半導体チップパッケージの製造方法は、工程(A)~(G)以外に、工程(H)を含んでいてもよい。工程(H)は、複数の半導体チップパッケージを個々の半導体チップパッケージにダイシングし、個片化する工程である。半導体チップパッケージを個々の半導体チップパッケージにダイシングする方法は特に限定されない。
半導体装置は、半導体チップパッケージを備える。半導体装置としては、例えば、電気製品(例えば、コンピューター、携帯電話、スマートフォン、タブレット型デバイス、ウェラブルデバイス、デジタルカメラ、医療機器、及びテレビ等)及び乗物(例えば、自動二輪車、自動車、電車、船舶及び航空機等)等に供される各種半導体装置が挙げられる。
反応容器にオルトアリルフェノール201質量部、トルエン1000質量部を仕込み、容器内を減圧窒素置換させながら溶解させた。続いて、イソフタル酸クロライド152質量部を仕込み溶解させた。容器内を窒素パージしながら20%水酸化ナトリウム水溶液309gを3時間かけ滴下した。その際、系内の温度は60℃以下に制御した。その後、1時間攪拌させ反応させた。反応終了後、反応物を分液し水層を取り除いた。水層のpHが7になるまでこの操作を繰り返し、加熱減圧条件でトルエン等を留去させ、芳香族エステル骨格及び不飽和結合含有化合物Aを得た。得られた芳香族エステル骨格及び不飽和結合含有化合物Aの不飽和結合当量は仕込み比から算出すると199g/eq.であった。化合物Aは下記式で表される構造である。
反応容器に1-ナフトール288質量部、トルエン1400質量部を仕込み、容器内を減圧窒素置換させながら溶解させた。続いて、イソフタル酸クロライド203質量部を仕込み溶解させた。容器内を窒素パージしながら20%水酸化ナトリウム水溶液400gを3時間かけ滴下した。その際、系内の温度は60℃以下に制御した。その後、1時間攪拌させ反応させた。反応終了後、反応物を分液し水層を取り除いた。水層のpHが7になるまでこの操作を繰り返し、加熱減圧条件でトルエン等を留去させ活性エステル樹脂(分子量418.4)を得た。活性エステル樹脂の官能基当量は209g/当量、軟化点78℃であった。
無機充填材A:平均粒径9μm、比表面積5.0m2/g、KBM573(信越化学工業社製)で表面処理されたもの。
無機充填材B:平均粒径1.5μm、最大径5μm以下、比表面積3.3m2/g、KBM573(信越化学工業社製)で表面処理されたもの。
ナフタレン型エポキシ樹脂(DIC社製「HP4032D」、エポキシ当量144g/eq.)3部、脂環型エポキシ樹脂(ダイセル社製「セロキサイド2021P」、エポキシ当量136g/eq.)3部、合成例1で得た芳香族エステル骨格及び不飽和結合含有化合物(化合物A)5部、酸無水物系硬化剤(新日本理化製「HNA-100」)8部、無機充填材A 110部、3-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(信越化学工業社製「KBM403」)0.3部、カーボンブラック(三菱ケミカル社製「MA-100」)0.1部、硬化促進剤(四国化成社製「2MA-OK-PW」)0.5部を、ミキサーを用いて均一に分散して、樹脂組成物を得た。
ナフタレン型エポキシ樹脂(DIC社製「HP4032D」、エポキシ当量144g/eq.)6部、脂環型エポキシ樹脂(ダイセル社製「セロキサイド2021P」、エポキシ当量136g/eq.)6部、合成例1で得た芳香族エステル骨格及び不飽和結合含有化合物(化合物A)5部、アミン系硬化剤(セイカ社製、4,4‘-ジアミノジフェニルスルホン「SEIKACURE-S」)2部、無機充填材A 100部、3-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(信越化学工業社製「KBM403」)0.3部、カーボンブラック(三菱ケミカル社製「MA-100」)0.1部、硬化促進剤(四国化成社製「2MA-OK-PW」)0.5部を、ミキサーを用いて均一に分散して、樹脂組成物を得た。
ナフタレン型エポキシ樹脂(DIC社製「HP4032D」、エポキシ当量144g/eq.)5部、脂環型エポキシ樹脂(ダイセル社製「セロキサイド2021P」、エポキシ当量136g/eq.)5部、合成例1で得た芳香族エステル骨格及び不飽和結合含有化合物(化合物A)5部、フェノール系硬化剤(明和化成社製「MEH-8000H」、フェノール性水酸基当量141g/eq.)4部、無機充填材A 90部、3-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(信越化学工業社製「KBM403」)0.3部、カーボンブラック(三菱ケミカル社製「MA-100」)0.1部、硬化促進剤(四国化成社製「2MA-OK-PW」)0.5部を、ミキサーを用いて均一に分散して、樹脂組成物を得た。
実施例1において、無機充填材A 110部を、無機充填材B 90部に変えた。以上の事項以外は、実施例1と同様にして樹脂組成物を得た。
実施例2において、無機充填材A 100部を、無機充填材B 80部に変えた。以上の事項以外は、実施例1と同様にして樹脂組成物を得た。
実施例4において、
1)ナフタレン型エポキシ樹脂(DIC社製「HP4032D」、エポキシ当量144g/eq.)の量を3部から5部に変え、
2)脂環型エポキシ樹脂(ダイセル社製「セロキサイド2021P」、エポキシ当量136g/eq.)の量を3部から4部に変え、
3)合成例1で得た芳香族エステル骨格及び不飽和結合含有化合物(化合物A)の量を5部から2部に変えた。
以上の事項以外は、実施例4と同様にして樹脂組成物を得た。
実施例4において、合成例1で得た芳香族エステル骨格及び不飽和結合含有化合物(化合物A)の量を5部から12部に変え、
酸無水物系硬化剤(新日本理化製「HNA-100」)の量を8部から3部に変えた。
以上の事項以外は実施例4と同様にして樹脂組成物を得た。
実施例1において、
1)ナフタレン型エポキシ樹脂(DIC社製「HP4032D」、エポキシ当量144g/eq.)の量を3部から6部に変え、
2)脂環型エポキシ樹脂(ダイセル社製「セロキサイド2021P」、エポキシ当量136g/eq.)の量を3部から5部に変え、
3)合成例1で得た芳香族エステル骨格及び不飽和結合含有化合物(化合物A)5部を、合成例2で得た化合物B 5部に変えた。
以上の事項以外は、実施例1と同様にして樹脂組成物を得た。
離型処理した12インチシリコンウエハ上に、実施例及び比較例で作製した樹脂組成物を、コンプレッションモールド装置(金型温度:130℃、圧力:6MPa、キュアタイム:10分)を用いて圧縮成型して、厚さ300μmの樹脂組成物層を形成した。その後、離型処理したシリコンウエハから樹脂組成物を剥がし、150℃で90分間加熱して樹脂組成物を熱硬化させサンプルを作製した。ファブリペロー法により60GHzでの誘電率、誘電正接の測定を行った。3本の試験片について測定を行い、平均値を算出した。また、誘電正接については以下の基準で評価した。
〇:誘電正接が0.005未満である。
×:誘電正接が0.005以上である。
実施例または比較例の樹脂組成物の粘度を、粘度校正用標準液JS52000で校正したE型粘度計RE-80U(東機産業社製)コーンローター3°×R9.7を用い、温度25℃および回転数5rpmの条件にて測定した。
チキソトロピックインデックスはロータ回転数5rpmで測定した粘度と1rpmで測定した粘度の比(1rpmでの粘度/5rpmでの粘度)で表した。
12インチシリコンウエハ上に、実施例及び比較例で作製した樹脂組成物を、コンプレッションモールド装置(金型温度:130℃、圧力:6MPa、キュアタイム:15分)を用いて圧縮成型して、厚さ700μmの樹脂組成物層を形成した。圧縮成型時に使用する、金型上に設けるリリースフィルムはAGC社製「アフレックス50MW 390NT」を用い、以下の基準で評価した。
〇:圧縮成型後リリースフィルム上に樹脂残差が見られない。
△:圧縮成型後リリースフィルム上に樹脂残差が見られないが離型性が悪い。
×:圧縮成型後リリースフィルム上に樹脂残差が見られた。
12インチシリコンウエハ上に常温時に粘着性を有し且つ加熱時に容易に剥離できる熱剥離シート(Thermal release tape;日東電工社製「リバアルファ」両面タイプ)を貼り付けた。この熱剥離シート上に、1cm角シリコンチップ(厚さ400μm)を、等間隔に100個置いた。続いて、シリコンチップを置かれた熱剥離シート上に、実施例及び比較例で製造した樹脂組成物を、コンプレッションモールド装置(金型温度:130℃、圧力:6MPa、キュアタイム:10分)を用いて圧縮成型して、シリコンチップが埋め込まれた層厚さ500μmの樹脂組成物層を形成し、150℃で90分オーブンで加熱して、樹脂組成物層を熱硬化させた。その後、180℃で加熱して熱剥離シートを剥離可能な状態にして、熱剥離シート及びシリコンウエハを除去した。これにより、樹脂組成物層の硬化物層と、この硬化物層に埋め込まれたシリコンチップとを含む樹脂ウエハを得た。
〇:シリコンチップと硬化物層との界面でデラミネーションが生じていない率が95%以上である。また、硬化物層に割れが生じていない。
△:シリコンチップと硬化物層との界面でデラミネーションが生じていない率が90%以上、95%未満である。また、硬化物層に割れが生じていない。
×:シリコンチップと硬化物層との界面でデラミネーションが生じていない率が90%未満もしくは硬化物層が割れている。
〇:硬化物層に割れが生じていない。
△:硬化物層に割れが1か所生じている。
×:硬化物層に割れが2か所以上生じている。
Claims (11)
- (A)エポキシ樹脂、
(B)硬化剤、及び
(C)無機充填材、を含む封止用途の樹脂組成物であって、
(B)成分が、(B-1)芳香族エステル骨格及び不飽和結合含有化合物を含有し、
(C)成分の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合、60質量%以上である、封止用途の樹脂組成物。 - (B-1)成分が、下記一般式(B-i)で表される化合物、及び下記一般式(B-ii)で表される化合物のいずれかである、請求項1に記載の封止用途の樹脂組成物。
- (B-1)成分の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合、15質量%以下である、請求項1又は2に記載の封止用途の樹脂組成物。
- 樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合、(B)成分の合計含有量をm(b)とし、(C)成分の含有量をm(c)としたとき、m(c)/m(b)が、1以上50以下である、請求項1~3のいずれか1項に記載の封止用途の樹脂組成物。
- さらに、(B-2)(B-1)成分以外の硬化剤を含む、請求項1~4のいずれか1項に記載の封止用途の樹脂組成物。
- (B-2)成分の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合、0.1質量%以上20質量%以下である、請求項5に記載の封止用途の樹脂組成物。
- (B)成分全体を100質量%とした場合、(B-1)成分の含有量をm(b1)とし、(B-2)成分の含有量をm(b2)としたとき、m(b1)/m(b2)が、0.1以上10以下である、請求項5又は6に記載の封止用途の樹脂組成物。
- 液状である、請求項1~7のいずれか1項に記載の封止用途の樹脂組成物。
- 支持体と、該支持体上に設けられた、請求項1~8のいずれか1項に記載の封止用途の樹脂組成物を含む樹脂組成物層とを含む、樹脂シート。
- 半導体チップと、当該半導体チップを封止する請求項1~8のいずれか1項に記載の封止用途の樹脂組成物の硬化物と、を含む半導体チップパッケージ。
- 請求項10に記載の半導体チップパッケージを備える半導体装置。
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