JP7394086B2 - コネクタ用オスピン及びコネクタ用オスピンの製造方法 - Google Patents
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Description
(1)銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンであって、
メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備え、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第1領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第2領域とが、互いに異なるめっきで被覆されており、
前記第1領域の硬度は、前記第2領域の硬度よりも高く、
前記第2領域の接触抵抗は、前記第1領域の接触抵抗よりも低く、
前記第1領域は、Ni、Cuを含まないSn合金、Co、Fe、Au、W、Ti、Bi、Zn及びCrの少なくとも一種以上によって被覆されており、
少なくとも前記第1領域はオイルで被覆されている、コネクタ用オスピン。
(2)銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンであって、
メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備え、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第1領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第2領域とが、互いに異なるめっきで被覆されており、
前記第1領域は、In又はIn合金によって被覆されており、
前記第2領域の接触抵抗は、前記第1領域の接触抵抗よりも低い、コネクタ用オスピン。
(3)前記第2領域は、Sn、Au、Pd及びAgのいずれか一種以上によって被覆されている、(1)または(2)に記載のコネクタ用オスピン。
(4)160℃で120時間加熱した後の前記第2領域の接触抵抗が10mΩ以下である、(1)~(3)のいずれかに記載のコネクタ用オスピン。
(5)メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンの製造方法であって、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第1領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第2領域とに、下地めっきを行う工程1と、
前記第1領域及び第2領域にCuを含まないSn合金、Au及びPdのいずれか一種以上を含むめっきを行う工程2と、
前記第1領域の前記めっきを剥離させる工程3と、
前記第2領域の前記めっきにリフロー処理を行う工程4と、
前記第1領域にオイル被覆処理を行う工程5と、
を含む、(1)に記載のコネクタ用オスピンの製造方法。
(6)メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンの製造方法であって、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第1領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第2領域とに、下地めっきを行う工程1と、
前記第1領域及び第2領域にCuを含まないSn合金、Au及びPdのいずれか一種以上を含むめっきを行う工程2と、
前記第1領域の前記めっき及び前記第2領域の前記めっきにリフロー処理を行う工程3と、
前記第1領域の前記めっきを剥離させる工程4と、
前記第1領域にオイル被覆処理を行う工程5と、
を含む、(1)に記載のコネクタ用オスピンの製造方法。
(7)メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンの製造方法であって、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第1領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第2領域とに、下地めっきを行う工程1と、
前記第2領域にSn、Au、Pd及びAgのいずれか一種以上を含むめっきを行う工程2と、
前記第2領域のSn、Au、Pd及びAgのいずれか一種以上を含むめっきにリフロー処理を行う工程3と、
前記第1領域にオイル被覆処理を行う工程4と、
を含む、(1)に記載のコネクタ用オスピンの製造方法。
(8)メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンの製造方法であって、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第1領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第2領域とに、下地めっきを行う工程1と、
前記第1領域及び第2領域にCuを含まないSn合金、Au及びPdのいずれか一種以上を含むめっきを行う工程2と、
前記第1領域の前記めっき表面にNiめっき、又はCoめっきを行う工程3と、
前記第2領域の前記めっきにリフロー処理を行う工程4と、
前記第1領域にオイル被覆処理を行う工程5と、
を含む、(1)に記載のコネクタ用オスピンの製造方法。
(9)メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンの製造方法であって、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第1領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第2領域とに、下地めっきを行う工程1と、
前記第1領域及び第2領域にCuを含まないSn合金、Au及びPdのいずれか一種以上を含むめっきを行う工程2と、
前記第1領域の前記めっき表面にInめっき又はIn合金めっきを行う工程3と、
前記第2領域の前記めっきにリフロー処理を行う工程4と、
を含む、コネクタ用オスピンの製造方法。
(10)メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンの製造方法であって、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第1領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第2領域とに、下地めっきを行う工程1と、
前記第1領域にCuを含まないSn合金、Au及びPdのいずれか一種以上を含む第1のめっきを行う工程2と、
前記第2領域に、前記第1のめっきより厚みの大きいSn、Au、Pd及びAgのいずれか一種以上を含む第2のめっきを行う工程3と、
前記第1領域の第1のめっき、及び、前記第2領域の第2のめっきにリフロー処理を行う工程4と、
前記第1領域にオイル被覆処理を行う工程5と、
を含む、(1)に記載のコネクタ用オスピンの製造方法。
本発明の実施形態に係るコネクタ用オスピンは、銅又は銅合金からなる基材と、基材の表面に形成されためっき層とで構成されている。コネクタ用オスピンの基材の表面にはNiまたはNi合金などからなる下地層が形成されており、さらに後述のように、所定の部位に所定のめっき層が形成されている。本発明の実施形態に係るコネクタ用オスピンの形状は、後述の傾斜部と平坦部とを有する限り特に限定されず、一般に公知のコネクタ用オスピンが有する形状とすることができる。図1に、一例として、本発明の実施形態に係るコネクタ用オスピン10、及び、嵌合するコネクタ用メスピン20の外観模式図を示す。
本発明の実施形態1に係るコネクタ用オスピン10は、第1領域14の硬度が、第2領域15の硬度よりも高い。このような構成によれば、コネクタ用メスピン20に初めに挿入される第1領域14の硬度が第2領域15の硬度よりも高いため、コネクタ用オスピン10の挿入力を抑えることができる。第1領域14の硬度が第2領域15の硬度よりも相対的に高いことが必要であり、硬さの基準については特に限定されないが、例えば、第1領域14のビッカース硬さをHv100以上とし、第2領域15のビッカース硬さを、第1領域14のビッカース硬さ未満であり、且つ、Hv100未満とすることができる。
本発明の実施形態2に係るコネクタ用オスピン10は、第1領域14が、In又はIn合金によって被覆されている。このような構成によれば、第1領域14が、自己潤滑作用を有する金属であるIn又はIn合金によって被覆されているため、第1領域14の挿入力を抑制することができる。
次に、本発明の実施形態に係るコネクタ用オスピン10の製造方法について詳述する。コネクタ用オスピン10は、以下の「製法1」~「製法5」に示す5通りの製造方法によってそれぞれ製造することができる。なお、以下の説明では便宜的に第1領域の最表層をNi、Co、In、又はこれらの合金とし、第2領域の最表層をSnとしているが、上述の通り第1領域および第2領域の最表層はこれに限定されるものではない。
まず、図1に示すような、メスピンに挿入される傾斜部と、傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる(オスピンの)基材を準備する。基材表面は、前処理として脱脂及び酸洗を行っておく。
次に、傾斜部から傾斜部と平坦部との境界を含む第1領域と、メスピンに嵌合された状態においてメスピンと電気的に接触する第2領域とに、下地めっきを行い、NiまたはNi合金層を形成する。
以上の「製法1」に記載の方法で製造したコネクタ用オスピンの層構造を、図3に示す。
まず、図1に示すような、メスピンに挿入される傾斜部と、傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材を準備し、製法1と同様にして、下地めっきを行い、NiまたはNi合金層を形成する。また、製法1と同様にして、さらに中間層めっきを行ってもよい。
以上の「製法2」に記載の方法で製造したコネクタ用オスピンの層構造を、図4に示す。
まず、図1に示すような、メスピンに挿入される傾斜部と、傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材を準備し、製法1と同様にして、下地めっきを行い、NiまたはNi合金層を形成する。また、製法1と同様にして、さらに中間層めっきを行ってもよい。
以上の「製法3」に記載の方法で製造したコネクタ用オスピンの層構造を、図5に示す。
まず、図1に示すような、メスピンに挿入される傾斜部と、傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材を準備し、製法1と同様にして、下地めっきを行い、NiまたはNi合金層を形成する。また、製法1と同様にして、さらに中間層めっきを行ってもよい。
以上の「製法4」に記載の方法で製造したコネクタ用オスピンの層構造を、図6に示す。
まず、図1に示すような、メスピンに挿入される傾斜部と、傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材を準備し、製法1と同様にして、下地めっきを行い、NiまたはNi合金層を形成する。また、製法1と同様にして、さらに中間層めっきを行ってもよい。
以上の「製法5」に記載の方法で製造したコネクタ用オスピンの層構造を、図4に示す。製法5によれば、めっき材料の第1領域をエッジマスクなどで覆い、第1領域に流れる電流量を減らすことで、一回で(一つのめっき浴で)第1のSnめっき及び第2のSnめっきを同時に行うことができるため、製造効率が良好である。
また、製法4で、第1領域のSnめっき表面にNiめっき、Coめっき、Inめっき又はIn合金めっきを行うが、下層のSnめっきを十分に覆うという観点から、各めっきの厚みが0.3μm以上であるのが好ましい。また、製造コストの増加を抑制することができるため、各めっきの厚みは1.0μm以下であるのが好ましい。
実施例1~10、参考例11、12及び比較例1~9として、下記の基材に対し、電解脱脂、酸洗をこの順で行った。次に、下記のめっき処理A~Eを行った。
図1に示す形状のコネクタ用オスピンの基材を準備した。基材の全長は23mm、先端から傾斜部を含む2mmまでを第1領域とし、残りの領域を第2領域とした。メスピンとの接点は先端から3mmの位置となる。基材の成分はCu-30Znであった。
(製法1)
傾斜部から傾斜部と平坦部との境界を含む第1領域と、メスピンに嵌合された状態においてメスピンと電気的に接触する第2領域とに、下地めっきとして、以下の条件で無光沢Niめっきを行い、厚み1μmのNi層を形成した。
めっき方法:電気めっき
めっき液:スルファミン酸Niめっき液(JX金属商事(株)、スルファミン酸Niめっき液1014)
めっき温度:55℃
めっき方法:電気めっき
めっき液:メタンスルホン酸Snめっき液(JX金属商事(株)、NSP-S200)
次に、サンプルに対し、リフロー処理(加熱処理)を行った。リフロー処理は、電気管状炉を650℃に設定し、大気雰囲気の電気管状炉内におかれたサンプルが160℃~300℃に達したことを熱電対で確認して、表1に示す処理時間及び設定温度で実施した。
リフロー処理を施した後に、後処理として、第1領域に対し、コンタクトオイル(Harry Miller Corp製HM-15)を塗布した後、熱風で乾燥させることで、第1領域にオイル層を形成した。
傾斜部から傾斜部と平坦部との境界を含む第1領域と、メスピンに嵌合された状態においてメスピンと電気的に接触する第2領域とに、下地めっきとして、以下の条件で、無光沢Niめっき、半光沢Niめっき、または、光沢Niめっきを行い、厚み1μmのNi層を形成した。
めっき方法:電気めっき
めっき液:スルファミン酸Niめっき液(JX金属商事(株)、スルファミン酸Niめっき液1014)
めっき温度:55℃
めっき方法:電気めっき
めっき液:スルファミン酸Niめっき液(JX金属商事(株)、スルファミン酸Niめっき液1014)+サッカリン
めっき温度:55℃
めっき方法:電気めっき
めっき液:スルファミン酸Niめっき液(JX金属商事(株)、スルファミン酸Niめっき液1014)+サッカリン+添加剤
めっき温度:55℃
次に、サンプルに対し、上述のめっき処理Aと同様の条件でリフロー処理(加熱処理)を行った。
リフロー処理を施した後に、上述のめっき処理Aと同様の条件で、第1領域に対し、オイル被覆処理を行った。
傾斜部から傾斜部と平坦部との境界を含む第1領域と、メスピンに嵌合された状態においてメスピンと電気的に接触する第2領域とに、下地めっきとして、上述のめっき処理Aと同様の条件で無光沢Niめっきを行い、厚み1μmのNi層を形成した。
また、参考例12については、下地めっき上に、中間層めっきとして、以下の条件で厚み0.36μmのCuめっきを施した。
めっき方法:電気めっき
めっき液:硫酸Cuめっき液(Cu濃度60g/L)
次に、第1領域のSnめっき表面に、以下の条件で、Niめっき、Coめっき、または、Inめっきを行った。各めっき厚みは表1に示すように、0.3μm、0.4μm、0.5μm、または、1.0μmであった。
めっき方法:電気めっき
めっき液:スルファミン酸Niめっき液(JX金属商事(株)、スルファミン酸Niめっき液1014)
めっき温度:55℃
めっき方法:電気めっき
めっき液:硫酸コバルトめっき液(Co濃度85g/L)
めっき温度:55℃
めっき方法:電気めっき
めっき液:Inめっき液(日本エレクトロプレイティング・エンジニヤース株式会社、ミクロファブIn4950)
めっき温度:30℃
リフロー処理を施した後に、上述のめっき処理Aと同様の条件で、第1領域に対し、オイル被覆処理を行った。
傾斜部から傾斜部と平坦部との境界を含む第1領域と、メスピンに嵌合された状態においてメスピンと電気的に接触する第2領域とに、下地めっきとして、上述のめっき処理Aと同様の条件で無光沢Niめっきを行い、厚み1μmのNi層を形成した。
また、参考例11については、下地めっき上に、中間層めっきとして、上述のめっき処理Cと同様の条件で厚み0.3μmのCuめっきを施した。
次に、第1領域に上述のめっき処理Aと同様の条件で無光沢Snめっき(第1のSnめっき)を行い、第1領域のみに厚み0.1μmまたは0.4μmのSnめっきを形成した。
次に、第2領域に上述のめっき処理Aと同様の条件で無光沢Snめっき(第2のSnめっき)を行い、第2領域のみに厚み0.9μmまたは0.4μmのSnめっきを形成した。
次に、サンプルに対し、上述のめっき処理Aと同様の条件でリフロー処理(加熱処理)を行った。
リフロー処理を施した後に、上述のめっき処理Aと同様の条件で、第1領域に対し、オイル被覆処理を行った。
傾斜部から傾斜部と平坦部との境界を含む第1領域と、メスピンに嵌合された状態においてメスピンと電気的に接触する第2領域とに、下地めっきとして、上述のめっき処理Aと同様の条件で無光沢Niめっきを行い、厚み1μmのNi層を形成した。
また、比較例2~5については、下地めっき上に、中間層めっきとして、上述のめっき処理Cと同様の条件で厚み0.3μmのCuめっきを施した。
次に、第1領域及び第2領域に、上述のめっき処理Aと同様の条件で無光沢Snめっきを行い、厚み1μm、0.8μm、0.4μm、0.2μm、または、0.1μmのSn層を形成した。
次に、サンプルに対し、上述のめっき処理Aと同様の条件でリフロー処理(加熱処理)を行った。
リフロー処理を施した後に、上述のめっき処理Aと同様の条件で、第1領域に対し、オイル被覆処理を行った。
・層構成
各サンプルの層構成は、以下に示すように、SEM像及びTEM像を撮影して評価した。また、いくつかのサンプルについては、他のサンプルの評価結果から推定した。
実施例1~3、5~9のサンプルについて、それぞれ、SEM(JEOL株式会社製、型式JSM-5410)にて100~10000倍の倍率で断面観察を行った。図7(A)に、実施例2について、上述のオスピンが5本連なったサンプルの外観観察写真を示す。図7(B)に、図7(A)の矢印方向に指し示す第1領域(Ni)と第2領域(Sn)との境界を含む領域において測定したSEM像を示す。
実施例6、10、参考例11、12、比較例1、2、4のサンプルについて、それぞれ、透過電子顕微鏡:TEM(日本電子株式会社製JEM-2100F)を用いて、加速電圧:200kVとして、断面分析を行った。得られた断面TEM像について、図8(A)(実施例6の第1領域)、図9(A)(実施例10の第1領域)、図10(A)(実施例10の第2領域)、図11(A)(参考例11の第1領域)、図12(A)(参考例11の第2領域)、図13(A)(参考例12の第1領域)、図14(A)(比較例1)、図15(比較例2)、図16(比較例4)に示す。各TEM像では、ライン分析方向を矢印で示している。
また、上記ライン分析による深さ方向の各元素濃度のグラフについて、図8(B)(実施例6の第1領域)、図9(B)(実施例10の第1領域)、図10(B)(実施例10の第2領域)、図11(B)(参考例11の第1領域)、図12(B)(参考例11の第2領域)、図13(B)(参考例12の第1領域)、図14(B)(比較例1)に示す。
実施例1~3の層構成について、第1領域はSEM像から推定し、第2領域は比較例1から推定した。
実施例4の層構成について、実施例1~3と構造は同じであると推定した。
実施例6の第1領域の層構成について、断面TEM像・ライン分析結果から確認した。第2領域の層構成は比較例1から推定した。
実施例5、7~9の層構成について、第1領域は実施例6の断面TEM像・ライン分析結果から確認し、第2領域は比較例1から推定した。なお、表2において実施例5~9の第1領域の層構成は、1種類の層構成ではなく場所によってその層構成が異なると考えられる。例えば、実施例6の第1領域の層構成は図8(A)及び図8(B)に示されるように、基材/Ni/Ni-Snの層構成と、基材/Ni/Ni-Sn/Sn/Ni-Snの層構成とが混在している。
実施例10、参考例11の第1領域および第2領域の層構成それぞれについて、断面TEM像・ライン分析結果から確認した。
参考例12の層構成について、第1領域は全面にその組成を付けためっきの断面TEM像・ライン分析結果(不図示)から、第2領域は比較例4から推定した。なお、参考例12の第2領域はCu/Sn=0.36/0.27に対し、比較例4は0.30/0.40とSn比が厚いが、図16に示される断面では表層までCu-Sn合金化しているため、参考例12の第2領域も表層までCu-Sn合金化していると考えられる。
比較例1、2、4の層構成について、断面TEM像・ライン分析結果から確認した。
比較例3の層構成について、比較例1、2、4から推定した。
得られた試料の挿入力は、市販のSnリフローめっきメスピン(025型住友TS/矢崎090IIシリーズメス端子非防水)を用いてめっきを施したオスピンと挿抜試験することによって評価した。
接触抵抗は株式会社山崎精機研究所製の精密摺動試験装置CRS-G2050型を用い、接点荷重1Nに設定し、四端子法にて測定した。コネクタを模倣するため、接点部の凸材はSnめっき板材(Cu-30ZnにSnを1μmめっき)をφ3mmの半球状に加工したものを使用した。当該接触抵抗を表2に「接触抵抗(初期)」として示す。
耐熱性は、大気加熱(160℃、120時間以上)試験後のサンプルの接触抵抗を測定し、評価した。目標とする特性は、接触抵抗10mΩ以下である。当該接触抵抗を表2に「接触抵抗(耐熱)」として示す。
第2領域と同じめっき構造を有するサンプルを溶かした鉛フリーはんだに浸漬し、Solder checker SAT-5200を用いてはんだ濡れ時間を測定した。はんだ濡れ時間(最大濡れ力の2/3に達するまでの時間)が1秒以下をA、1秒超3秒以下をB、3秒超をCと評価した。
実施例1~10、参考例11、12は、いずれも、挿入力(摩擦力)が1.3Nよりも低かった。
実施例1~10、参考例11、12は、接触抵抗は未評価であるが、表層のめっき構成がこれらと同様である比較例1または比較例4の接触抵抗が良好に抑制されていることから、実施例1~10、参考例11、12も同様に接触抵抗が抑制されていると考えられる。
実施例1~10、参考例11は、良好なはんだ濡れ性を示した。
比較例8は、接触抵抗(耐熱)が大きかった。また、比較例8は表層のめっき厚みが0.2μmと厚いにもかかわらず接触抵抗が大きいため、同様のめっき構成であり、且つ、表層のめっき厚みが比較例8より薄い比較例6、7、及び、表層のめっき厚みが比較例8と同じである比較例9についても、接触抵抗が大きいことがわかる。
また、一般に表層のSnめっき厚みが薄いと挿入力が下がる。比較例2は、Snめっき厚みが比較例1及び4の間であるため、挿入力についてもそれらの間、すなわち、1.39~1.5の間にあると類推できる。比較例3の挿入力も同様の観点から、比較例1及び5の間、すなわち、1.12~1.5の間にあると類推できる。
比較例3は、第1領域に対し、オイル被覆処理を行った以外は比較例2と同様に作製したものであるため、比較例2と同等の接触抵抗を示すと考えられる。
比較例5は、第1領域に対し、オイル被覆処理を行った以外は比較例4と同様に作製したものであるため、比較例4と同等の接触抵抗を示すと考えられる。
11 傾斜部
12 平坦部
13 傾斜部と平坦部との境界
14 第1領域
15 第2領域
20 コネクタ用メスピン
Claims (10)
- 銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンであって、
メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備え、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第1領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第2領域とが、互いに異なるめっきで被覆されており、
前記第1領域の硬度は、前記第2領域の硬度よりも高く、
前記第2領域の接触抵抗は、前記第1領域の接触抵抗よりも低く、
前記第1領域は、Ni、Cuを含まないSn合金、Co、Fe、Au、W、Ti、Bi、Zn及びCrの少なくとも一種以上によって被覆されており、
少なくとも前記第1領域はオイルで被覆されている、コネクタ用オスピン。 - 銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンであって、
メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備え、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第1領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第2領域とが、互いに異なるめっきで被覆されており、
前記第1領域は、In又はIn合金によって被覆されており、
前記第2領域の接触抵抗は、前記第1領域の接触抵抗よりも低い、コネクタ用オスピン。 - 前記第2領域は、Sn、Au、Pd及びAgのいずれか一種以上によって被覆されている、請求項1または2に記載のコネクタ用オスピン。
- 160℃で120時間加熱した後の前記第2領域の接触抵抗が10mΩ以下である、請求項1~3のいずれか一項に記載のコネクタ用オスピン。
- メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンの製造方法であって、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第1領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第2領域とに、下地めっきを行う工程1と、
前記第1領域及び第2領域にCuを含まないSn合金、Au及びPdのいずれか一種以上を含むめっきを行う工程2と、
前記第1領域の前記めっきを剥離させる工程3と、
前記第2領域の前記めっきにリフロー処理を行う工程4と、
前記第1領域にオイル被覆処理を行う工程5と、
を含む、請求項1に記載のコネクタ用オスピンの製造方法。 - メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンの製造方法であって、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第1領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第2領域とに、下地めっきを行う工程1と、
前記第1領域及び第2領域にCuを含まないSn合金、Au及びPdのいずれか一種以上を含むめっきを行う工程2と、
前記第1領域の前記めっき及び前記第2領域の前記めっきにリフロー処理を行う工程3と、
前記第1領域の前記めっきを剥離させる工程4と、
前記第1領域にオイル被覆処理を行う工程5と、
を含む、請求項1に記載のコネクタ用オスピンの製造方法。 - メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンの製造方法であって、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第1領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第2領域とに、下地めっきを行う工程1と、
前記第2領域にSn、Au、Pd及びAgのいずれか一種以上を含むめっきを行う工程2と、
前記第2領域のSn、Au、Pd及びAgのいずれか一種以上を含むめっきにリフロー処理を行う工程3と、
前記第1領域にオイル被覆処理を行う工程4と、
を含む、請求項1に記載のコネクタ用オスピンの製造方法。 - メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンの製造方法であって、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第1領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第2領域とに、下地めっきを行う工程1と、
前記第1領域及び第2領域にCuを含まないSn合金、Au及びPdのいずれか一種以上を含むめっきを行う工程2と、
前記第1領域の前記めっき表面にNiめっき、又はCoめっきを行う工程3と、
前記第2領域の前記めっきにリフロー処理を行う工程4と、
前記第1領域にオイル被覆処理を行う工程5と、
を含む、請求項1に記載のコネクタ用オスピンの製造方法。 - メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンの製造方法であって、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第1領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第2領域とに、下地めっきを行う工程1と、
前記第1領域及び第2領域にCuを含まないSn合金、Au及びPdのいずれか一種以上を含むめっきを行う工程2と、
前記第1領域の前記めっき表面にInめっき又はIn合金めっきを行う工程3と、
前記第2領域の前記めっきにリフロー処理を行う工程4と、
を含む、コネクタ用オスピンの製造方法。 - メスピンに挿入される傾斜部と、前記傾斜部に連なる平坦部とを備えた、銅又は銅合金からなる基材にめっきされたコネクタ用オスピンの製造方法であって、
前記傾斜部から前記傾斜部と前記平坦部との境界を含む第1領域と、前記メスピンに嵌合された状態において前記メスピンと電気的に接触する第2領域とに、下地めっきを行う工程1と、
前記第1領域にCuを含まないSn合金、Au及びPdのいずれか一種以上を含む第1のめっきを行う工程2と、
前記第2領域に、前記第1のめっきより厚みの大きいSn、Au、Pd及びAgのいずれか一種以上を含む第2のめっきを行う工程3と、
前記第1領域の第1のめっき、及び、前記第2領域の第2のめっきにリフロー処理を行う工程4と、
前記第1領域にオイル被覆処理を行う工程5と、
を含む、請求項1に記載のコネクタ用オスピンの製造方法。
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