TW202240989A - 連接器用公接腳及連接器用公接腳之製造方法 - Google Patents

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成井浩徳
大江淳雄
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日商Ｊｘ金屬股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種對母接腳之插入力（摩擦力）小，且與母接腳之接觸電阻良好的連接器用公接腳及連接器用公接腳之製造方法。本發明之連接器用公接腳係對由銅或銅合金所構成之基材進行鍍覆而成者，具備插入至母接腳之傾斜部及與傾斜部相連之平坦部；包含自傾斜部起至傾斜部與平坦部之邊界的第1區域及於嵌合至母接腳之狀態下與母接腳電性接觸的第2區域由相互不同之鍍覆被覆，第1區域之硬度大於第2區域之硬度，第2區域之接觸電阻小於第1區域之接觸電阻，至少第1區域被油被覆。

Description

連接器用公接腳及連接器用公接腳之製造方法
本發明係關於一種連接器用公接腳及連接器用公接腳之製造方法。
於為民用及車輛用電子機器用連接零件之連接器，使用的是對黃銅或磷青銅之表面實施Ni或Cu之底層鍍覆，進而於其上實施Sn或Sn合金鍍覆而成之材料。近年來，Sn或Sn合金鍍覆被要求減小公端子及母端子嵌合時之插入力，該公端子及母端子係以衝壓加工成形鍍覆材料而成。
於專利文獻1揭示有下述連接零件用導電材料：於由Cu或Cu合金所構成之母材表面，依序形成有由Ni層、Cu-Sn合金層及Sn層所構成之表面鍍覆層，且Ni層之厚度為0.1～1.0 μm，Cu-Sn合金層之厚度為0.1～1.0 μm，其Cu濃度為35～75 at%，Sn層之厚度為2.0 μm以下，且含有0.001～0.1質量%之碳。而且，記載有若根據此種構成，於高溫環境下經過長時間後，亦能夠維持低接觸電阻。
於專利文獻2則記載有：對基材實施底層鍍覆，繼而實施第1層之Sn鍍覆，進而於其上實施平均厚度為第1層之1/2以下的In鍍覆，接著進行回焊，而能夠獲得外觀良好之Sn-In合金鍍覆。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2007-002341號公報 [專利文獻2]日本特開平11-279791號公報
通常，端子之最大插入力係於母端子之接點部越過公端子前端之傾斜部與平坦部的邊界時產生。要減小該插入力，要求應用賦予低摩擦係數之鍍覆或改善端子形狀。已知作為賦予低摩擦係數之Sn系鍍覆的3層鍍覆，係形成為由堅硬之Cu-Sn層來保持端子嵌合時施加給滑動部之負載，將插入力保持較低的構造。然而，因表層為純Sn，故而於與回焊Sn相同的機構中會產生摩擦。此外，雖先前已知有各種鍍覆構造，但各自均存在問題。例如，於使Cu-Sn層露出於表面之構造中，插入力雖會更加減小，但因表面會產生氧化Cu，故而存在接觸電阻惡化之顧慮。此不僅限於Cu，使用會氧化之金屬與Sn的合金亦同。
本發明係為了解決上述課題而成者，其課題在於提供一種對母接腳之插入力（摩擦力）小，且與母接腳之接觸電阻良好的連接器用公接腳及連接器用公接腳之製造方法。
本發明人等經潛心研究後，結果發現將包含自公接腳之傾斜部起至傾斜部與平坦部之邊界的第1區域及於嵌合至母接腳之狀態下與母接腳電性接觸的第2區域區分開，由相互不同之鍍覆來進行被覆，使第1區域與第2區域分別具有規定之特性，藉此能夠解決上述課題。
基於以上見解而完成之本發明的實施形態，特定如下。 （1）一種連接器用公接腳，其係對由銅或銅合金所構成之基材進行鍍覆而成者， 具備插入至母接腳之傾斜部及與該傾斜部相連之平坦部， 包含自該傾斜部起至該傾斜部與該平坦部之邊界的第1區域及於嵌合至該母接腳之狀態下與該母接腳電性接觸的第2區域由相互不同之鍍覆被覆， 該第1區域之硬度大於該第2區域之硬度， 該第2區域之接觸電阻小於該第1區域之接觸電阻， 至少該第1區域被油被覆。 （2）如（1）之連接器用公接腳，其中，該第1區域由Ni、Sn合金、Co、Zn、Fe、Au、W、Ti、Ag、Bi、Zn及Cr之至少一種以上被覆。 （3）一種連接器用公接腳，其係對由銅或銅合金所構成之基材進行鍍覆而成者， 具備插入至母接腳之傾斜部及與該傾斜部相連之平坦部， 包含自該傾斜部起至該傾斜部與該平坦部之邊界的第1區域及於嵌合至該母接腳之狀態下與該母接腳電性接觸的第2區域由相互不同之鍍覆被覆， 該第1區域由In或In合金被覆， 該第2區域之接觸電阻小於該第1區域之接觸電阻。 （4）如（1）至（3）中任一項之連接器用公接腳，其中，該第2區域由Sn、Au、Pd及Ag之任意一種以上被覆。 （5）如（1）至（4）中任一項之連接器用公接腳，其中，於160℃加熱120小時後之該第2區域的接觸電阻為10 mΩ以下。 （6）一種連接器用公接腳之製造方法，該連接器用公接腳具備插入至母接腳之傾斜部及與該傾斜部相連之平坦部，且係對由銅或銅合金所構成之基材進行鍍覆而成者，該連接器用公接腳之製造方法包括： 步驟1：對包含自該傾斜部起至該傾斜部與該平坦部之邊界的第1區域及於嵌合至該母接腳之狀態下與該母接腳電性接觸的第2區域進行底層鍍覆； 步驟2：對該第1區域及第2區域進行含有Sn、Au、Pd及Ag之任意一種以上的鍍覆； 步驟3：剝離該第1區域之含有Sn、Au、Pd及Ag之任意一種以上的鍍覆； 步驟4：對該第2區域之含有Sn、Au、Pd及Ag之任意一種以上的鍍覆進行回焊處理；及 步驟5：對該第1區域進行油被覆處理。 （7）一種連接器用公接腳之製造方法，該連接器用公接腳具備插入至母接腳之傾斜部及與該傾斜部相連之平坦部，且係對由銅或銅合金所構成之基材進行鍍覆而成者，該連接器用公接腳之製造方法包括： 步驟1：對包含自該傾斜部起至該傾斜部與該平坦部之邊界的第1區域及於嵌合至該母接腳之狀態下與該母接腳電性接觸的第2區域進行底層鍍覆； 步驟2：對該第1區域及第2區域進行含有Sn、Au、Pd及Ag之任意一種以上的鍍覆； 步驟3：對該第1區域及該第2區域之含有Sn、Au、Pd及Ag之任意一種以上的鍍覆進行回焊處理； 步驟4：剝離該第1區域之含有Sn、Au、Pd及Ag之任意一種以上的鍍覆；及 步驟5：對該第1區域進行油被覆處理。 （8）一種連接器用公接腳之製造方法，該連接器用公接腳具備插入至母接腳之傾斜部及與該傾斜部相連之平坦部，且係對由銅或銅合金所構成之基材進行鍍覆而成者，該連接器用公接腳之製造方法包括： 步驟1：對包含自該傾斜部起至該傾斜部與該平坦部之邊界的第1區域及於嵌合至該母接腳之狀態下與該母接腳電性接觸的第2區域進行底層鍍覆； 步驟2：對該第2區域進行含有Sn、Au、Pd及Ag之任意一種以上的鍍覆； 步驟3：對該第2區域之含有Sn、Au、Pd及Ag之任意一種以上的鍍覆進行回焊處理；及 步驟4：對該第1區域進行油被覆處理。 （9）一種連接器用公接腳之製造方法，該連接器用公接腳具備插入至母接腳之傾斜部及與該傾斜部相連之平坦部，且係對由銅或銅合金所構成之基材進行鍍覆而成者，該連接器用公接腳之製造方法包括： 步驟1：對包含自該傾斜部起至該傾斜部與該平坦部之邊界的第1區域及於嵌合至該母接腳之狀態下與該母接腳電性接觸的第2區域進行底層鍍覆； 步驟2：對該第1區域及第2區域進行含有Sn、Au、Pd及Ag之任意一種以上的鍍覆； 步驟3：對該第1區域之含有Sn、Au、Pd及Ag之任意一種以上的鍍覆表面進行Ni鍍覆或Co鍍覆； 步驟4：對該第2區域之含有Sn、Au、Pd及Ag之任意一種以上的鍍覆進行回焊處理；及 步驟5：對該第1區域進行油被覆處理。 （10）一種連接器用公接腳之製造方法，該連接器用公接腳具備插入至母接腳之傾斜部及與該傾斜部相連之平坦部，且係對由銅或銅合金所構成之基材進行鍍覆而成者，該連接器用公接腳之製造方法包括： 步驟1：對包含自該傾斜部起至該傾斜部與該平坦部之邊界的第1區域及於嵌合至該母接腳之狀態下與該母接腳電性接觸的第2區域進行底層鍍覆； 步驟2：對該第1區域及第2區域進行含有Sn、Au、Pd及Ag之任意一種以上的鍍覆； 步驟3：對該第1區域之含有Sn、Au、Pd及Ag之任意一種以上的鍍覆表面進行In鍍覆或In合金鍍覆；及 步驟4：對該第2區域之含有Sn、Au、Pd及Ag之任意一種以上的鍍覆進行回焊處理。 （11）一種連接器用公接腳之製造方法，該連接器用公接腳具備插入至母接腳之傾斜部及與該傾斜部相連之平坦部，且係對由銅或銅合金所構成之基材進行鍍覆而成者，該連接器用公接腳之製造方法包括： 步驟1：對包含自該傾斜部起至該傾斜部與該平坦部之邊界的第1區域及於嵌合至該母接腳之狀態下與該母接腳電性接觸的第2區域進行底層鍍覆； 步驟2：對該第1區域進行含有Sn、Au、Pd及Ag之任意一種以上的第1鍍覆； 步驟3：對該第2區域進行厚度大於該第1鍍覆之含有Sn、Au、Pd及Ag之任意一種以上的第2鍍覆； 步驟4：對該第1區域之第1鍍覆及該第2區域之第2鍍覆進行回焊處理；及 步驟5：對該第1區域進行油被覆處理。
若根據本發明之實施形態，能夠提供一種對母接腳之插入力（摩擦力）小，且與母接腳之接觸電阻良好的連接器用公接腳及連接器用公接腳之製造方法。
以下，對本發明之連接器用公接腳及連接器用公接腳之製造方法的實施形態進行說明，但本發明並不限於此來進行解釋，只要不脫離本發明之範圍，可基於本行業者之知識加以各種變更、修正及改良。
＜連接器用公接腳之構成＞ 本發明實施形態之連接器用公接腳，係以由銅或銅合金所構成之基材及形成於基材表面之鍍覆層構成。於連接器用公接腳之基材的表面，形成有由Ni或Ni合金等所構成之底層，並且如後述，於規定部位形成有規定之鍍覆層。關於本發明實施形態之連接器用公接腳之形狀，只要具有後述之傾斜部及平坦部，則無特別限定，可設為通常公知之連接器用公接腳所具有之形狀。將本發明實施形態之連接器用公接腳10及嵌合之連接器用母接腳20的外觀示意圖表示於圖1，作為一例。
如圖1所示，本發明實施形態之連接器用公接腳10具備插入至連接器用母接腳20之傾斜部11及與傾斜部11相連之平坦部12。圖1所示之連接器用公接腳10形成為四角柱狀，前端傾斜且呈尖細狀，構成傾斜部11。該四角柱之四個側面分別具有平坦部12。連接器用公接腳10可為圓柱狀，亦可形成為三角柱、五角柱等多角柱狀。又，關於傾斜部11之角度，亦無特別限定，可根據與嵌合之連接器用母接腳20的關係作適當設計。
連接器用公接腳10如圖2所示，包含自傾斜部11起至傾斜部11與平坦部12之邊界13的第1區域14及於嵌合至連接器用母接腳20之狀態下與母接腳電性接觸的第2區域15由相互不同之鍍覆被覆。第1區域14對應於在使連接器用公接腳10嵌合至連接器用母接腳20時被首先插入之部分，係包含傾斜部11，進而包含傾斜部11與平坦部12之邊界13的區域。第1區域14可自傾斜部11起至邊界13為止，亦可如圖2所示，為自邊界13起些許延伸至平坦部12為止之區域。
第2區域15對應於在嵌合至連接器用母接腳20之狀態下與母接腳電性接觸的區域，如圖2所示，定義為自第1區域14之末端起至平坦部12之規定長度為止的區域，該長度可根據連接器用母接腳20之大小適當調整。
連接器用公接腳10之大小並無特別限定，可根據與連接器用母接腳20之關係適當調整。關於連接器用母接腳20之軸向上之第1區域14的長度，例如可設計為自前端起1.5～3 mm左右，第2區域之長度可設計為自與第1區域之分界線起2 mm以上。
連接器用公接腳10如上所述，以相互不同之鍍覆來被覆首先插入至連接器用母接腳20的第1區域14及於嵌合至連接器用母接腳20之狀態下與母接腳電性接觸的第2區域15，藉此能夠如後述之實施形態1及2中所示，於各自不同之部位具有不同之特性。
（實施形態1） 本發明實施形態1之連接器用公接腳10其第1區域14之硬度大於第2區域15之硬度。若根據此種構成，由於首先插入至連接器用母接腳20之第1區域14的硬度大於第2區域15的硬度，故可抑制連接器用公接腳10之插入力。第1區域14之硬度須相對大於第2區域15之硬度，並且對於硬度之基準並無特別限定，例如，可將第1區域14之維氏硬度設為Hv100以上，將第2區域15之維氏硬度設為未達第1區域14之維氏硬度，且未達Hv100。
第1區域14可由Ni、Sn合金、Co、Zn、Fe、Au、W、Ti、Ag、Bi、Zn及Cr之至少一種以上被覆。若根據此種構成，因Ni、Sn合金、Co、Zn、Fe、Au、W、Ti、Ag、Bi、Zn、Cr為硬度大之金屬，故而能夠提高第1區域14之硬度。
本發明實施形態1之連接器用公接腳10其第2區域15之接觸電阻小於第1區域14之接觸電阻。若根據此種構成，因第2區域15之接觸電阻小於第1區域14之接觸電阻，故於嵌合至連接器用母接腳20之狀態下與母接腳電性接觸的第2區域15之導電率相對較高。就獲得良好之導電率的觀點，第2區域15之接觸電阻較小較佳。又，若接觸電阻過大，則有發生導通不良的問題之虞。就此種觀點，第2區域15之接觸電阻較佳為5 mΩ以下，更佳為3 mΩ以下。
關於本發明實施形態1之連接器用公接腳10，至少第1區域14被油所被覆。作為油，可使用磷酸酯、石蠟類及硫醇化合物等通常被用作接觸油（contact oil）者。被覆於至少第1區域14之油構成厚度10 nm以下之非常薄之層。如此，由於第1區域14被油所被覆，故會提升第1區域14之潤滑性，能夠良好地抑制連接器用公接腳10之插入力。又，會提升第1區域14之耐蝕性，抑制氧化，能夠提升耐熱性或焊料潤濕性等耐久性。再者，公接腳之第1區域被油所被覆，可藉由下述方式確認，亦即將公接腳之第1區域溶於有機溶劑（丙酮等適當且適合之溶劑），對該溶出成分進行GC-MS（氣相層析-質譜分析），藉此進行確認。
如上所述，於本發明實施形態1之連接器用公接腳10由於使第1區域及第2區域這不同之部位分別具有不同之特性，故而能夠同時兼具均難以獲得較高之特性的插入力及接觸電阻，對連接器用母接腳20之插入力（摩擦力）小，且與母接腳之接觸電阻良好。
（實施形態2） 於本發明實施形態2之連接器用公接腳10其第1區域14由In或In合金被覆。若根據此種構成，因第1區域14由具有自潤滑作用之金屬In或In合金被覆，故而能夠抑制第1區域14之插入力。
本發明實施形態2之連接器用公接腳10其第2區域15之接觸電阻小於第1區域之接觸電阻。若根據此種構成，因第2區域15之接觸電阻小於第1區域14之接觸電阻，故於嵌合至連接器用母接腳20之狀態下與母接腳電性接觸的第2區域15之導電率相對較高。
如上所述，本發明實施形態2之連接器用公接腳10由於使第1區域及第2區域這不同之部位分別具有不同之特性，故而能夠同時兼具均難以獲得較高之特性的插入力及接觸電阻，對連接器用母接腳20之插入力（摩擦力）小，且與母接腳之接觸電阻良好。
本發明實施形態之連接器用公接腳10其第2區域15亦可由Sn、Au、Pd及Ag之任意一種以上被覆。若根據此種構成，則於嵌合至連接器用母接腳20之狀態下與母接腳電性接觸的第2區域15之接觸電阻會降低，導電率會提升。又，第2區域15之焊料潤濕性亦會提升。
本發明實施形態之連接器用公接腳10較佳於160℃加熱120小時後之第2區域的接觸電阻為10 mΩ以下。若根據此種構成，能夠抑制因連接器用公接腳10之長時間使用（通電）而導致的接觸電阻升高，作為製品之耐久性會提升。
＜連接器用公接腳之製造方法＞ 繼而，對本發明實施形態之連接器用公接腳10之製造方法進行詳述。連接器用公接腳10可藉由以下「製法1」至「製法5」中所示之五種製造方法分別進行製造。再者，為方便起見，於以下說明中，將第1區域之最表層設為Ni、Co、In或其等之合金，將第2區域之最表層設為Sn，但如上所述，第1區域及第2區域之最表層並不限定於此。
（製法1：於回焊前剝離第1區域之鍍覆） 首先，準備如圖1所示之（公接腳之）基材，該基材具備插入至母接腳之傾斜部及與傾斜部相連之平坦部且由銅或銅合金所構成。基材表面預先進行脫脂及酸洗作為預處理。 其次，對包含自傾斜部起至傾斜部與平坦部之邊界的第1區域及於嵌合至母接腳之狀態下與母接腳電性接觸的第2區域進行底層鍍覆，形成Ni或Ni合金層。
進行底層鍍覆後，可於藉由Cu鍍覆等形成中間層鍍覆後進行後述之Sn鍍覆，亦可不形成中間層鍍覆而進行後述之Sn鍍覆。中間層鍍覆係為了抑制底層鍍覆之Ni等金屬向上層擴散而形成。作為該中間層鍍覆，可使用濕式（電、無電）鍍覆。又，亦可使用乾式（濺鍍、離子鍍等）鍍覆等。
繼而，對第1區域及第2區域進行Sn鍍覆。作為該Sn鍍覆，可使用濕式（電、無電）鍍覆。又，亦可使用乾式（濺鍍、離子鍍等）鍍覆等。再者，該Sn鍍覆可為含有Sn、Au、Pd及Ag之任意一種以上的鍍覆。
繼而，剝離第1區域之Sn鍍覆。作為Sn鍍覆之剝離方法，並無特別限定，例如，可藉由僅將第1區域浸漬於剝離液（例如，石原化學股份有限公司製造之SPF-11），來剝離表層之Sn鍍覆。再者，於形成有中間層鍍覆之情形時，此時可同時剝離第1區域之中間層鍍覆。
繼而，對第2區域之Sn鍍覆進行回焊處理（加熱處理）。此時，第1區域亦可同時進行回焊處理，即整個鍍覆材料均可進行回焊處理。可藉由調整回焊條件即加熱溫度及加熱時間，來決定表層之厚度或組成。關於回焊條件，例如，可將最高到達點設為160～300℃，將加熱時間8～20秒以自室溫至到達溫度之加熱時間來實施。
實施回焊處理後，對第1區域進行藉由接觸油等來實施之油被覆處理作為後處理，目的在於進而減小摩擦，又亦提升低晶鬚性及耐久性。作為油被覆處理，可將第1區域浸漬於油浴，亦可噴霧或塗佈油。最後，用熱風等使油乾燥。 將用上述「製法1」所記載之方法製造之連接器用公接腳的層構造示於圖3。
（製法2：於回焊後剝離第1區域之鍍覆） 首先，準備如圖1所示之基材，該基材具備插入至母接腳之傾斜部及與傾斜部相連之平坦部且由銅或銅合金所構成，以與製法1相同之方式進行底層鍍覆，形成Ni或Ni合金層。又，亦可以與製法1相同之方式進而進行中間層鍍覆。
其次，對第1區域及第2區域進行Sn鍍覆。作為該Sn鍍覆，可使用濕式（電、無電）鍍覆。又，亦可使用乾式（濺鍍、離子鍍等）鍍覆等。再者，該Sn鍍覆可為含有Sn、Au、Pd及Ag之任意一種以上的鍍覆。
繼而，對第1區域及第2區域之Sn鍍覆進行回焊處理（加熱處理）。可藉由調整回焊條件即加熱溫度及加熱時間，來決定表層之厚度或組成。回焊條件可設為與製法1相同。
繼而，剝離第1區域之Sn鍍覆。作為Sn鍍覆之剝離方法，並無特別限定，例如，可藉由僅將第1區域浸漬於剝離液（例如，石原化學股份有限公司製造之SPF-11），來剝離表層之Sn鍍覆。再者，於形成有中間層鍍覆之情形時，此時可同時剝離第1區域之中間層鍍覆。
剝離第1區域之Sn鍍覆後，對第1區域進行油被覆處理作為後處理。作為油被覆處理，可設為與製法1相同。最後，用熱風等使油乾燥。 將用上述「製法2」所記載之方法製造之連接器用公接腳的層構造示於圖4。
（製法3：僅對第2區域進行Sn鍍覆） 首先，準備如圖1所示之基材，該基材具備插入至母接腳之傾斜部及與傾斜部相連之平坦部且由銅或銅合金所構成，以與製法1相同之方式進行底層鍍覆，形成Ni或Ni合金層。又，亦可以與製法1相同之方式進而進行中間層鍍覆。
其次，以第1區域除外之方式對第2區域進行Sn鍍覆。作為該Sn鍍覆，可使用濕式（電、無電）鍍覆。又，亦可使用乾式（濺鍍、離子鍍等）鍍覆等。再者，該Sn鍍覆可為含有Sn、Au、Pd及Ag之任意一種以上的鍍覆。
繼而，對第2區域之Sn鍍覆進行回焊處理（加熱處理）。此時，第1區域亦可同時進行回焊處理。可藉由調整回焊條件即加熱溫度及加熱時間，來決定表層之厚度或組成。回焊條件可設為與製法1相同。
實施回焊處理後，對第1區域進行油被覆處理作為後處理。作為油被覆處理，可設為與製法1相同。最後，用熱風等使油乾燥。 將用上述「製法3」所記載之方法製造之連接器用公接腳的層構造示於圖5。
（製法4：對第1區域進行附加鍍覆） 首先，準備如圖1所示之基材，該基材具備插入至母接腳之傾斜部及與傾斜部相連之平坦部且由銅或銅合金所構成，以與製法1相同之方式進行底層鍍覆，形成Ni或Ni合金層。又，亦可以與製法1相同之方式進而進行中間層鍍覆。
其次，對第1區域及第2區域進行Sn鍍覆。作為該Sn鍍覆，可使用濕式（電、無電）鍍覆。又，亦可使用乾式（濺鍍、離子鍍等）鍍覆等。再者，該Sn鍍覆可為含有Sn、Au、Pd及Ag之任意一種以上的鍍覆。
繼而，對第1區域之Sn鍍覆表面進行Ni鍍覆、Co鍍覆、In鍍覆或In合金鍍覆。作為該Ni鍍覆、Co鍍覆、In鍍覆、In合金鍍覆，分別可使用濕式（電、無電）鍍覆。又，亦可使用乾式（濺鍍、離子鍍等）鍍覆等。
繼而，對第2區域之Sn鍍覆進行回焊處理（加熱處理）。此時，第1區域亦可同時進行回焊處理。可藉由調整回焊條件即加熱溫度及加熱時間，來決定表層之厚度或組成。回焊條件可設為與製法1相同。
實施回焊處理後，對第1區域進行油被覆處理作為後處理。作為油被覆處理，可設為與製法1相同。最後，用熱風等使油乾燥。 將用上述「製法4」所記載之方法製造之連接器用公接腳的層構造示於圖6。
（製法5：差厚鍍覆） 首先，準備如圖1所示之基材，該基材具備插入至母接腳之傾斜部及與傾斜部相連之平坦部且由銅或銅合金所構成，以與製法1相同之方式進行底層鍍覆，形成Ni或Ni合金層。又，亦可以與製法1相同之方式進而進行中間層鍍覆。
其次，對第1區域進行厚度0.1～0.2 μm之Sn鍍覆（第1 Sn鍍覆）。再者，當在底層鍍覆上形成有中間層鍍覆（Cu鍍覆等）之情形時，Sn鍍覆較佳形成為中間層鍍覆之2倍左右的厚度以下。例如，於形成有厚度0.3 μm之Cu鍍覆作為中間層鍍覆的情形時，Sn鍍覆較佳形成為0.6 μm以下之厚度。若根據此種構成，能夠抑制於生成Cu-Sn合金時Sn剩餘。作為該Sn鍍覆，可使用濕式（電、無電）鍍覆。又，亦可使用乾式（濺鍍、離子鍍等）鍍覆等。此外，該第1 Sn鍍覆可為含有Sn、Au、Pd及Ag之任意一種以上的鍍覆。
繼而，對第2區域進行厚度大於第1 Sn鍍覆之Sn鍍覆（第2 Sn鍍覆）。此時，第2 Sn鍍覆較佳具有第1 Sn鍍覆之厚度的3～6倍厚度。若第2 Sn鍍覆具有第1 Sn鍍覆之厚度的3倍以上厚度，則能夠減小接觸電阻。又，若第2 Sn鍍覆具有第1 Sn鍍覆之厚度的6倍以下厚度，則能夠提升生產性。再者，該第2 Sn鍍覆可為含有Sn、Au、Pd及Ag之任意一種以上的鍍覆。
繼而，對第1區域之第1 Sn鍍覆及第2區域之第2 Sn鍍覆進行回焊處理（加熱處理）。回焊條件可設為與製法1相同。其中，以第1區域之最表層不殘留純Sn層之方式適當設定回焊條件。
實施回焊處理後，對第1區域進行油被覆處理作為後處理。作為油被覆處理，可設為與製法1相同。最後，用熱風等使油乾燥。 將用上述「製法5」所記載之方法製造之連接器用公接腳的層構造示於圖4。若根據製法5，藉由用邊緣掩模等覆蓋鍍覆材料之第1區域，以減少流至第1區域之電流量，而能夠一次（於一個鍍覆浴中）同時進行第1 Sn鍍覆及第2 Sn鍍覆，故製造方法效率良好。
關於用上述製法1～5所製造之連接器用公接腳之各鍍覆層的厚度，第2區域中之回焊Sn鍍覆較佳為0.8～2 μm。又，於第2區域為3層鍍覆（底層鍍覆層、中間層、表層）之情形時，較佳為底層鍍覆層之厚度為0.2～1.5 μm，中間層之厚度為0.1～1.5 μm，表層之厚度為0.2～1.5 μm。 又，於製法4中，雖對第1區域之Sn鍍覆表面進行Ni鍍覆、Co鍍覆、In鍍覆或In合金鍍覆，但就充分覆蓋下層之Sn鍍覆的觀點，較佳為各鍍覆之厚度為0.3 μm以上。又，為了能夠抑制製造成本之增加，各鍍覆之厚度較佳為1.0 μm以下。
若根據上述製法1～5中所示之本發明實施形態的連接器用公接腳之製造方法，連接器用公接腳之第1區域的表層均由Sn以外之金屬鍍覆，插入力受到抑制。Sn以外之金屬相較於純Sn，接觸電阻易變大，但連接器用公接腳之前端不會被用作與母接腳之電接點，故功能上沒有問題。又，連接器用公接腳之第2區域形成有回焊Sn鍍覆或3層鍍覆，維持了良好之接觸電阻。雖回焊Sn鍍覆或3層鍍覆之摩擦係數惡化，但連接器用公接腳前端之插入力減小，而使得連接器用公接腳整體之最大插入力減小。 [實施例]
以下，一併揭示本發明之實施例及比較例，但其等係為了更好地理解本發明而提供者，並非意圖限定本發明。
＜連接器用公接腳之製作＞ 作為實施例1～12及比較例1～9，對下述基材依序進行電解脫脂、酸洗。繼而，進行下述鍍覆處理A～E。
（基材） 準備圖1所示形狀之連接器用公接腳的基材。基材全長為23 mm，將自前端起至包含傾斜部在內之2 mm為止處作為第1區域，將其餘區域作為第2區域。與母接腳之接點係距前端3 mm之位置處。基材之成分為Cu-30Zn。
（鍍覆處理A：製法1之鍍覆處理） （製法1） 按以下條件，對包含自傾斜部起至傾斜部與平坦部之邊界的第1區域及於嵌合至母接腳之狀態下與母接腳電性接觸的第2區域進行無光澤Ni鍍覆作為底層鍍覆，形成厚度1 μm之Ni層。
・無光澤Ni鍍覆 鍍覆方法：電鍍 鍍覆液：胺基磺酸Ni鍍覆液（JX金屬商事（股），胺基磺酸Ni鍍覆液1014） 鍍覆溫度：55℃
繼而，按以下條件，對第1區域及第2區域進行無光澤Sn鍍覆，形成厚度1 μm之Sn層。
・無光澤Sn鍍覆 鍍覆方法：電鍍 鍍覆液：甲磺酸Sn鍍覆液（JX金屬商事（股），NSP-S200）
繼而，僅將樣品之第1區域於40℃浸漬於剝離液（石原化學股份有限公司製造之SPF-11）1分鐘後，進行清洗，藉此剝離第1區域之Sn鍍覆。 繼而，對樣品進行回焊處理（加熱處理）。關於回焊處理，係將電管狀爐設定為650℃，利用熱電偶確認置於大氣環境之電管狀爐內的樣品已達到160℃～300℃後，按表1所示之處理時間及設定溫度來實施。 實施回焊處理後，對第1區域塗佈接觸油（Harry Miller Corp製HM-15）作為後處理，然後用熱風進行乾燥，藉此於第1區域形成油層。
（鍍覆處理B：製法3之鍍覆處理） 按以下條件，對包含自傾斜部起至傾斜部與平坦部之邊界的第1區域及於嵌合至母接腳之狀態下與母接腳電性接觸的第2區域進行無光澤Ni鍍覆、半光澤Ni鍍覆或光澤Ni鍍覆作為底層鍍覆，形成厚度1 μm之Ni層。
・無光澤Ni鍍覆 鍍覆方法：電鍍 鍍覆液：胺基磺酸Ni鍍覆液（JX金屬商事（股），胺基磺酸Ni鍍覆液1014） 鍍覆溫度：55℃
・半光澤Ni鍍覆 鍍覆方法：電鍍 鍍覆液：胺基磺酸Ni鍍覆液（JX金屬商事（股），胺基磺酸Ni鍍覆液1014）＋糖精 鍍覆溫度：55℃
・光澤Ni鍍覆 鍍覆方法：電鍍 鍍覆液：胺基磺酸Ni鍍覆液（JX金屬商事（股），胺基磺酸Ni鍍覆液1014）＋糖精＋添加劑 鍍覆溫度：55℃
繼而，以與上述鍍覆處理A相同之條件對第2區域進行無光澤Sn鍍覆，形成厚度1 μm之Sn層。 繼而，以與上述鍍覆處理A相同之條件，對樣品進行回焊處理（加熱處理）。 實施回焊處理後，以與上述鍍覆處理A相同之條件，對第1區域進行油被覆處理。
（鍍覆處理C：製法4之鍍覆處理） 以與上述鍍覆處理A相同之條件，對包含自傾斜部起至傾斜部與平坦部之邊界的第1區域及於嵌合至母接腳之狀態下與母接腳電性接觸的第2區域進行無光澤Ni鍍覆作為底層鍍覆，形成厚度1 μm之Ni層。 又，關於實施例12，係按以下條件，於底層鍍覆上實施厚度0.36 μm之Cu鍍覆作為中間層鍍覆。
・Cu鍍覆 鍍覆方法：電鍍 鍍覆液：硫酸Cu鍍覆液（Cu濃度60 g/L）
繼而，以與上述鍍覆處理A相同之條件，對第1區域及第2區域進行無光澤Sn鍍覆，形成厚度1 μm或0.27 μm之Sn層。 繼而，按以下條件，對第1區域之Sn鍍覆表面進行Ni鍍覆、Co鍍覆或In鍍覆。各鍍覆厚度如表1所示，為0.3 μm、0.4 μm、0.5 μm或1.0 μm。
・Ni鍍覆 鍍覆方法：電鍍 鍍覆液：胺基磺酸Ni鍍覆液（JX金屬商事（股），胺基磺酸Ni鍍覆液1014） 鍍覆溫度：55℃
・Co鍍覆 鍍覆方法：電鍍 鍍覆液：硫酸鈷鍍覆液（Co濃度85 g/L） 鍍覆溫度：55℃
・In鍍覆 鍍覆方法：電鍍 鍍覆液：In鍍覆液（日本電鍍工程股份有限公司，MICROFAB In4950） 鍍覆溫度：30℃
繼而，以與上述鍍覆處理A相同之條件，對樣品進行回焊處理（加熱處理）。 實施回焊處理後，以與上述鍍覆處理A相同之條件，對第1區域進行油被覆處理。
（鍍覆處理D：製法5之鍍覆處理） 以與上述鍍覆處理A相同之條件，對包含自傾斜部起至傾斜部與平坦部之邊界的第1區域及於嵌合至母接腳之狀態下與母接腳電性接觸的第2區域進行無光澤Ni鍍覆作為底層鍍覆，形成厚度1 μm之Ni層。 又，關於實施例11，係以與上述鍍覆處理C相同之條件，於底層鍍覆上實施厚度0.3 μm之Cu鍍覆作為中間層鍍覆。 繼而，以與上述鍍覆處理A相同之條件，對第1區域進行無光澤Sn鍍覆（第1 Sn鍍覆），僅於第1區域形成厚度0.1 μm或0.4 μm之Sn鍍覆。 繼而，以與上述鍍覆處理A相同之條件，對第2區域進行無光澤Sn鍍覆（第2 Sn鍍覆），僅於第2區域形成厚度0.9 μm或0.4 μm之Sn鍍覆。 繼而，以與上述鍍覆處理A相同之條件，對樣品進行回焊處理（加熱處理）。 實施回焊處理後，以與上述鍍覆處理A相同之條件，對第1區域進行油被覆處理。
（鍍覆處理E：以往之鍍覆處理） 以與上述鍍覆處理A相同之條件，對包含自傾斜部起至傾斜部與平坦部之邊界的第1區域及於嵌合至母接腳之狀態下與母接腳電性接觸的第2區域進行無光澤Ni鍍覆作為底層鍍覆，形成厚度1 μm之Ni層。 又，關於比較例2～5，係以與上述鍍覆處理C相同之條件，於底層鍍覆上實施厚度0.3 μm之Cu鍍覆作為中間層鍍覆。 繼而，以與上述鍍覆處理A相同之條件，對第1區域及第2區域進行無光澤Sn鍍覆，形成厚度1 μm、0.8 μm、0.4 μm、0.2 μm或0.1 μm之Sn層。 繼而，以與上述鍍覆處理A相同之條件，對樣品進行回焊處理（加熱處理）。 實施回焊處理後，以與上述鍍覆處理A相同之條件，對第1區域進行油被覆處理。
＜評估＞ ・層構成 各樣品之層構成係如下所示般，拍攝SEM影像及TEM影像來進行評估。又，對於一些樣品，係根據其他樣品之評估結果來進行推定。 對於實施例1～3、5～9之樣品，分別使用SEM（JEOL股份有限公司製造，型號JSM-5410），以100～10000倍之倍率進行截面觀察。圖7（A）示出了實施例2中將5根上述公接腳相連之樣品的外觀觀察照片。圖7（B）示出了於圖7（A）之箭頭方向所指示之包含第1區域（Ni）與第2區域（Sn）之邊界的區域中測得之SEM影像。 對於實施例6、10～12及比較例1、2、4之樣品，分別使用穿透式電子顯微鏡：TEM（日本電子股份有限公司製JEM-2100F），將加速電壓設為200 kV來進行截面分析。關於所獲得之截面TEM影像，則示於圖8（A）（實施例6之第1區域）、圖9（A）（實施例10之第1區域）、圖10（A）（實施例10之第2區域）、圖11（A）（實施例11之第1區域）、圖12（A）（實施例11之第2區域）、圖13（A）（實施例12之第1區域）、圖14（A）（比較例1）、圖15（比較例2）、圖16（比較例4）。於各TEM影像中，以箭頭表示線分析方向。 又，關於藉由上述線分析而得之深度方向上的各元素濃度之圖，則示於圖8（B）（實施例6之第1區域）、圖9（B）（實施例10之第1區域）、圖10（B）（實施例10之第2區域）、圖11（B）（實施例11之第1區域）、圖12（B）（實施例11之第2區域）、圖13（B）（實施例12之第1區域）、圖14（B）（比較例1）。 關於實施例1～3之層構成，第1區域係根據SEM影像來推定，第2區域係根據比較例1來推定。 關於實施例4之層構成，推定構造與實施例1～3相同。 關於實施例6之第1區域的層構成，係根據截面TEM影像、線分析結果來確認，第2區域之層構成係根據比較例1來推定。 關於實施例5、7～9之層構成，第1區域係根據實施例6之截面TEM影像、線分析結果來確認，第2區域係根據比較例1來推定。再者，於表2中，實施例5～9之第1區域的層構成並非是一種層構成，認為其層構成因場所而異。例如，實施例6之第1區域的層構成如圖8（A）及圖8（B）所示般，混合存在有基材/Ni/Ni-Sn之層構成及基材/Ni/Ni-Sn/Sn/Ni-Sn之層構成。 關於實施例10、11之第1區域及第2區域的層構成各者，係根據截面TEM影像、線分析結果來確認。 關於實施例12之層構成，第1區域係根據於整面附加有其組成之鍍覆的截面TEM影像、線分析結果（未圖示）來推定，第2區域則根據比較例4來推定。再者，實施例12之第2區域中Cu/Sn＝0.36/0.27，相對於此，比較例4中為0.30/0.40，Sn比較厚，而於圖16所示之截面中，由於Cu-Sn合金化至表層，故認為實施例12之第2區域亦是Cu-Sn合金化至表層。 關於比較例1、2、4之層構成，係根據截面TEM影像、線分析結果來確認。 關於比較例3之層構成，係根據比較例1、2、4來推定。
・插入力 所獲得之試樣的插入力，係藉由使用市售之Sn回焊鍍覆母接腳（025型住友TS/矢崎090II系列非防水母端子）與經實施鍍覆之公接腳進行插拔試驗來進行評估。
試驗所用之測定裝置，係Aikoh Engineering股份有限公司製1311NR，以公接腳之滑動距離3 mm來進行評估。樣品數設為5個。插入力採用各樣品之最大值平均後所得之值。
・接觸電阻（初始） 接觸電阻係使用山崎精機研究所股份有限公司製造之精密滑動試驗裝置CRS-G2050型，將接點負載設為1 N，利用四端子法來測定。為了模擬連接器，接點部之突出件係使用將Sn鍍覆板材（對Cu-30Zn鍍覆1 μm之Sn）加工為
Figure 02_image001
3 mm之半球狀而成者。將該接觸電阻作為「接觸電阻（初始）」示於表2。
・接觸電阻（耐熱） 耐熱性係測定大氣加熱（160℃，120小時以上）試驗後之樣品的接觸電阻來進行評估。作為目標之特性為接觸電阻10 mΩ以下。將該接觸電阻作為「接觸電阻（耐熱）」示於表2。
・焊料潤濕性 將具有與第2區域相同之鍍覆構造的樣品浸漬於熔化之無鉛焊料，使用Solder checker SAT-5200測定焊料潤濕時間。將焊料潤濕時間（達到最大潤濕力之2/3為止的時間）為1秒以下評估為A，超過1秒且為3秒以下評估為B，超過3秒評估為C。
將試驗條件及評估結果示於表1、2。
[表1]
   鍍覆 處理 底層鍍覆 中間層鍍覆 表層鍍覆 追加處理 回焊條件 接觸油
種類 厚度 （μm） 種類 厚度 （μm） 種類 厚度 （μm） 設定 溫度 時間
實施例1 A 無光澤Ni 1 - - 無光澤Sn 1 回焊前剝離 650 23 s 有
實施例2 B 無光澤Ni 1 - - 無光澤Sn 1 - 650 23 s 有
實施例3 B 半光澤Ni 1 - - 無光澤Sn 1 - 650 23 s 有
實施例4 B 光澤Ni 1 - - 無光澤Sn 1 - 650 23 s 有
實施例5 C 無光澤Ni 1 - - 無光澤Sn 1 第1區域：Ni0.3 μm 650 23 s 有
實施例6 C 無光澤Ni 1 - - 無光澤Sn 1 第1區域：Ni0.5 μm 650 23 s 有
實施例7 C 無光澤Ni 1 - - 無光澤Sn 1 第1區域：Ni1.0 μm 650 23 s 有
實施例8 C 無光澤Ni 1 - - 無光澤Sn 1 第1區域：Co0.3 μm 650 23 s 有
實施例9 C 無光澤Ni 1 - - 無光澤Sn 1 第1區域：Co0.5 μm 650 23 s 有
實施例10 D 無光澤Ni 1 - - 無光澤Sn 0.1 第2區域：Sn0.9 μm 650 23 s 有
實施例11 D 無光澤Ni 1 Cu 0.3 無光澤Sn 0.4 第2區域：Sn0.4 μm 650 23 s 有
實施例12 C 無光澤Ni 1 Cu 0.36 無光澤Sn 0.27 第1區域：In0.4 μm 650 23 s 無
比較例1 E 無光澤Ni 1 - - 無光澤Sn 1 - 650 23 s 無
比較例2 E 無光澤Ni 1 Cu 0.3 無光澤Sn 0.8 - 650 23 s 無
比較例3 E 無光澤Ni 1 Cu 0.3 無光澤Sn 0.8 - 650 23 s 有
比較例4 E 無光澤Ni 1 Cu 0.3 無光澤Sn 0.4 - 650 23 s 無
比較例5 E 無光澤Ni 1 Cu 0.3 無光澤Sn 0.4 - 650 23 s 有
比較例6 E 無光澤Ni 1 - - 無光澤Sn 0.1 - 650 23 s 無
比較例7 E 無光澤Ni 1 - - 無光澤Sn 0.1 - 650 23 s 有
比較例8 E 無光澤Ni 1 - - 無光澤Sn 0.2 - 650 23 s 無
比較例9 E 無光澤Ni 1 - - 無光澤Sn 0.2 - 650 23 s 有
[表2]
   層構成 插入力 接觸電阻（mΩ） 焊料 潤濕性
第1區域 第2區域 N 初始 耐熱
實施例1 Ni Ni/Ni-Sn/Sn 1.15 - - A
實施例2 Ni Ni/Ni-Sn/Sn 1.17 - - A
實施例3 Ni Ni/Ni-Sn/Sn 1.02 - - A
實施例4 Ni Ni/Ni-Sn/Sn 1.01 - - A
實施例5 Ni/Ni-Sn及/或（部分）Ni/Ni-Sn/Sn/Ni-Sn Ni/Ni-Sn/Sn 1.06 - - A
實施例6 Ni/Ni-Sn及/或Ni/Ni-Sn/Sn/Ni-Sn Ni/Ni-Sn/Sn 1.08 - - A
實施例7 Ni/Ni-Sn及/或Ni/Ni-Sn/Sn/Ni-Sn Ni/Ni-Sn/Sn 1.09 - - A
實施例8 （Ni/Ni-Sn/Co-Sn及/或Ni/Ni-Sn/Sn/Co-Sn） Ni/Ni-Sn/Sn 1.12 - - A
實施例9 （Ni/Ni-Sn/Co-Sn及/或Ni/Ni-Sn/Sn/Co-Sn） Ni/Ni-Sn/Sn 1.14 - - A
實施例10 Ni/Ni-Sn Ni/Ni-Sn/Sn 1.14 - - A
實施例11 Ni/Cu-Sn Ni/Cu-Sn/Sn 1.09 - - B
實施例12 Ni/Cu-Sn-In Ni/Cu-Sn 1.25 - - -
比較例1 Ni/Ni-Sn/Sn Ni/Ni-Sn/Sn 1.5 3.29 4.71 A
比較例2 Ni/Cu-Sn/Sn Ni/Cu-Sn/Sn - 3.49 3.41 B
比較例3 Ni/Cu-Sn/Sn Ni/Cu-Sn/Sn - 同比較例2 B
比較例4 Ni/Cu-Sn Ni/Cu-Sn 1.39 3.51 4.79 C
比較例5 Ni/Cu-Sn Ni/Cu-Sn 1.12 同比較例4 C
比較例6 Ni/Ni-Sn Ni/Ni-Sn 2.01 - - -
比較例7 Ni/Ni-Sn Ni/Ni-Sn 1.04 - - -
比較例8 Ni/Ni-Sn Ni/Ni-Sn 1.69 2.96 11.69 -
比較例9 Ni/Ni-Sn Ni/Ni-Sn 1.16 - - -
（評估結果） 實施例1～12之插入力（摩擦力）均小於1.3 N。 實施例1～12雖未評估接觸電阻，但根據表層之鍍覆構成與其等相同之比較例1或比較例4的接觸電阻受到了良好地抑制這一情況來看，認為實施例1～12亦同樣地接觸電阻受到了抑制。 實施例1～11表現出良好之焊料潤濕性。
比較例1、4、6、8之插入力大。 比較例8之接觸電阻（耐熱）大。又，比較例8中，儘管表層之鍍覆厚度厚達0.2 μm，但接觸電阻仍大，故可知鍍覆構成相同且表層之鍍覆厚度薄於比較例8之比較例6、7及表層之鍍覆厚度與比較例8相同之比較例9的接觸電阻亦大。 又，通常若表層之Sn鍍覆厚度薄，則插入力降低。比較例2由於Sn鍍覆厚度在比較例1與4之間，故可類推插入力亦處於其等之間，即1.39～1.5之間。出於相同之觀點，可類推比較例3之插入力亦處於比較例1與5之間，即1.12～1.5之間。 比較例3由於係對第1區域進行油被覆處理以外，其餘以與比較例2相同方式製作而成者，故認為表現出與比較例2相同之接觸電阻。 比較例5由於係對第1區域進行油被覆處理以外，其餘以與比較例4相同方式製作而成者，故認為表現出與比較例4相同之接觸電阻。
10:連接器用公接腳 11:傾斜部 12:平坦部 13:傾斜部與平坦部之邊界 14:第1區域 15:第2區域 20:連接器用母接腳
[圖1]係本發明實施形態之連接器用公接腳及嵌合之連接器用母接腳的外觀示意圖。 [圖2]係本發明實施形態之連接器用公接腳的俯視示意圖。 [圖3]係本發明實施形態之以「製法1」製造而成的連接器用公接腳之層構造。 [圖4]係本發明實施形態之以「製法2」或「製法5」製造而成的連接器用公接腳之層構造。 [圖5]係本發明實施形態之以「製法3」製造而成的連接器用公接腳之層構造。 [圖6]係本發明實施形態之以「製法4」製造而成的連接器用公接腳之層構造。 [圖7]（A）係實施例2之外觀觀察照片，（B）係於（A）之箭頭方向所指示之包含第1區域（Ni）與第2區域（Sn）之邊界的區域中測得之SEM影像。 [圖8]（A）係實施例6之第1區域的截面TEM影像，（B）係實施例6之第1區域藉由線分析（line analysis）而得之深度方向上的各元素濃度之圖。 [圖9]（A）係實施例10之第1區域的截面TEM影像，（B）係實施例10之第1區域藉由線分析而得之深度方向上的各元素濃度之圖。 [圖10]（A）係實施例10之第2區域的截面TEM影像，（B）係實施例10之第2區域藉由線分析而得之深度方向上的各元素濃度之圖。 [圖11]（A）係實施例11之第1區域的截面TEM影像，（B）係實施例11之第1區域藉由線分析而得之深度方向上的各元素濃度之圖。 [圖12]（A）係實施例11之第2區域的截面TEM影像，（B）係實施例11之第2區域藉由線分析而得之深度方向上的各元素濃度之圖。 [圖13]（A）係實施例12之第1區域的截面TEM影像，（B）係實施例12之第1區域藉由線分析而得之深度方向上的各元素濃度之圖。 [圖14]（A）係比較例1之截面TEM影像，（B）係比較例1藉由線分析而得之深度方向上的各元素濃度之圖。 [圖15]係比較例2之截面TEM影像。 [圖16]係比較例4之截面TEM影像。
10:連接器用公接腳
11:傾斜部
12:平坦部
20:連接器用母接腳

Claims (11)

  1. 一種連接器用公接腳，其係對由銅或銅合金所構成之基材進行鍍覆而成者， 具備插入至母接腳之傾斜部及與該傾斜部相連之平坦部， 包含自該傾斜部起至該傾斜部與該平坦部之邊界的第1區域及於嵌合至該母接腳之狀態下與該母接腳電性接觸的第2區域由相互不同之鍍覆被覆， 該第1區域之硬度大於該第2區域之硬度， 該第2區域之接觸電阻小於該第1區域之接觸電阻， 至少該第1區域被油被覆。
  2. 如請求項1之連接器用公接腳，其中，該第1區域由Ni、Sn合金、Co、Zn、Fe、Au、W、Ti、Ag、Bi、Zn及Cr之至少一種以上被覆。
  3. 一種連接器用公接腳，其係對由銅或銅合金所構成之基材進行鍍覆而成者， 具備插入至母接腳之傾斜部及與該傾斜部相連之平坦部， 包含自該傾斜部起至該傾斜部與該平坦部之邊界的第1區域及於嵌合至該母接腳之狀態下與該母接腳電性接觸的第2區域由相互不同之鍍覆被覆， 該第1區域由In或In合金被覆， 該第2區域之接觸電阻小於該第1區域之接觸電阻。
  4. 如請求項1至3中任一項之連接器用公接腳，其中，該第2區域由Sn、Au、Pd及Ag之任意一種以上被覆。
  5. 如請求項1至3中任一項之連接器用公接腳，其中，於160℃加熱120小時後之該第2區域的接觸電阻為10 mΩ以下。
  6. 一種連接器用公接腳之製造方法，該連接器用公接腳具備插入至母接腳之傾斜部及與該傾斜部相連之平坦部，且係對由銅或銅合金所構成之基材進行鍍覆而成者，該連接器用公接腳之製造方法包括： 步驟1：對包含自該傾斜部起至該傾斜部與該平坦部之邊界的第1區域及於嵌合至該母接腳之狀態下與該母接腳電性接觸的第2區域進行底層鍍覆； 步驟2：對該第1區域及第2區域進行含有Sn、Au、Pd及Ag之任意一種以上的鍍覆； 步驟3：剝離該第1區域之含有Sn、Au、Pd及Ag之任意一種以上的鍍覆； 步驟4：對該第2區域之含有Sn、Au、Pd及Ag之任意一種以上的鍍覆進行回焊處理；及 步驟5：對該第1區域進行油被覆處理。
  7. 一種連接器用公接腳之製造方法，該連接器用公接腳具備插入至母接腳之傾斜部及與該傾斜部相連之平坦部，且係對由銅或銅合金所構成之基材進行鍍覆而成者，該連接器用公接腳之製造方法包括： 步驟1：對包含自該傾斜部起至該傾斜部與該平坦部之邊界的第1區域及於嵌合至該母接腳之狀態下與該母接腳電性接觸的第2區域進行底層鍍覆； 步驟2：對該第1區域及第2區域進行含有Sn、Au、Pd及Ag之任意一種以上的鍍覆； 步驟3：對該第1區域及該第2區域之含有Sn、Au、Pd及Ag之任意一種以上的鍍覆進行回焊處理； 步驟4：剝離該第1區域之含有Sn、Au、Pd及Ag之任意一種以上的鍍覆；及 步驟5：對該第1區域進行油被覆處理。
  8. 一種連接器用公接腳之製造方法，該連接器用公接腳具備插入至母接腳之傾斜部及與該傾斜部相連之平坦部，且係對由銅或銅合金所構成之基材進行鍍覆而成者，該連接器用公接腳之製造方法包括： 步驟1：對包含自該傾斜部起至該傾斜部與該平坦部之邊界的第1區域及於嵌合至該母接腳之狀態下與該母接腳電性接觸的第2區域進行底層鍍覆； 步驟2：對該第2區域進行含有Sn、Au、Pd及Ag之任意一種以上的鍍覆； 步驟3：對該第2區域之含有Sn、Au、Pd及Ag之任意一種以上的鍍覆進行回焊處理；及 步驟4：對該第1區域進行油被覆處理。
  9. 一種連接器用公接腳之製造方法，該連接器用公接腳具備插入至母接腳之傾斜部及與該傾斜部相連之平坦部，且係對由銅或銅合金所構成之基材進行鍍覆而成者，該連接器用公接腳之製造方法包括： 步驟1：對包含自該傾斜部起至該傾斜部與該平坦部之邊界的第1區域及於嵌合至該母接腳之狀態下與該母接腳電性接觸的第2區域進行底層鍍覆； 步驟2：對該第1區域及第2區域進行含有Sn、Au、Pd及Ag之任意一種以上的鍍覆； 步驟3：對該第1區域之含有Sn、Au、Pd及Ag之任意一種以上的鍍覆表面進行Ni鍍覆或Co鍍覆； 步驟4：對該第2區域之含有Sn、Au、Pd及Ag之任意一種以上的鍍覆進行回焊處理；及 步驟5：對該第1區域進行油被覆處理。
  10. 一種連接器用公接腳之製造方法，該連接器用公接腳具備插入至母接腳之傾斜部及與該傾斜部相連之平坦部，且係對由銅或銅合金所構成之基材進行鍍覆而成者，該連接器用公接腳之製造方法包括： 步驟1：對包含自該傾斜部起至該傾斜部與該平坦部之邊界的第1區域及於嵌合至該母接腳之狀態下與該母接腳電性接觸的第2區域進行底層鍍覆； 步驟2：對該第1區域及第2區域進行含有Sn、Au、Pd及Ag之任意一種以上的鍍覆； 步驟3：對該第1區域之含有Sn、Au、Pd及Ag之任意一種以上的鍍覆表面進行In鍍覆或In合金鍍覆；及 步驟4：對該第2區域之含有Sn、Au、Pd及Ag之任意一種以上的鍍覆進行回焊處理。
  11. 一種連接器用公接腳之製造方法，該連接器用公接腳具備插入至母接腳之傾斜部及與該傾斜部相連之平坦部，且係對由銅或銅合金所構成之基材進行鍍覆而成者，該連接器用公接腳之製造方法包括： 步驟1：對包含自該傾斜部起至該傾斜部與該平坦部之邊界的第1區域及於嵌合至該母接腳之狀態下與該母接腳電性接觸的第2區域進行底層鍍覆； 步驟2：對該第1區域進行含有Sn、Au、Pd及Ag之任意一種以上的第1鍍覆； 步驟3：對該第2區域進行厚度大於該第1鍍覆之含有Sn、Au、Pd及Ag之任意一種以上的第2鍍覆； 步驟4：對該第1區域之第1鍍覆及該第2區域之第2鍍覆進行回焊處理；及 步驟5：對該第1區域進行油被覆處理。
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